JP6099449B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、プラズマディスプレイ用の基板、光ディスク用の基板、磁気ディスク用の基板、光磁気ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）を処理する基板処理装置に係り、特に外部装置である露光機との間で基板を受け渡す技術に関する。

従来、この種の装置として、処理部とインターフェイス部を備える基板処理装置がある。処理部は、基板にレジスト膜を塗布し、基板を現像する。インターフェイス部は外部装置である露光機との間で基板を受け渡す。この基板処理装置は、例えば次のように動作する。まず、処理部が基板にレジスト膜を塗布し、インターフェイス部に送る。インターフェイス部は、処理部から受け取った基板を露光機に送る。露光機は基板を露光する。インターフェイス部は、露光済みの基板を露光機から受け取り、処理部に戻す。処理部は、露光済みの基板を現像する。

ここで、インターフェイス部の構成については、例えば、特許文献１に詳細に開示されている。特許文献１によれば、インターフェイス部は３台の搬送機構を備えている。第１の搬送機構は処理部から基板を受け取って第２の搬送機構に渡す。第２の搬送機構は、第１の搬送機構から受け取った基板を露光機に渡し、露光済みの基板を露光機から受け取って第３の搬送機構に渡す。第３の搬送機構は、第２の搬送機構から受け取った基板を処理部に渡す。

特開２０１０−２１９４３４号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、第１、第２の搬送機構の少なくともいずれかが停止すると、インターフェイス部と処理部との間における基板搬送が滞る。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、インターフェイス部における基板搬送の信頼性を高めることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部と接し、かつ、本装置とは別体の露光機と接するインターフェイス部と、を備え、インターフェイス部は、第１の処理部側搬送機構と、第２の処理部側搬送機構と、露光機側搬送機構と、を備え、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、処理部から基板を受け取って露光機側搬送機構に渡し、かつ、露光機側搬送機構から基板を受け取って処理部に渡し、露光機側搬送機構は、第１および第２の処理部側搬送機構から基板を受け取って露光機に搬送し、かつ、露光機から露光処理後の基板を受け取って第１および第２の処理部側搬送機構に渡す基板処理装置である。

［作用・効果］本発明に係る基板処理装置によれば、第１および第２の処理部側搬送機構は両方とも、処理部から払い出された基板を受け取るとともに処理部に基板を送る。よって、これら処理部側搬送機構の一方が停止した場合であっても、他方が動作することで、インターフェイス部と処理部との間で基板を双方向に搬送し続けることができる。よって、インターフェイス部における基板搬送の信頼性を高めることができる。

また、本発明において、インターフェイス部は、露光処理後の基板を加熱する露光後加熱処理ユニットを備え、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、露光処理後の基板を露光後加熱処理ユニットに搬送してから処理部に渡すことが好ましい。これによれば、第１および第２の処理部側搬送機構の一方が停止しても、他方が動作することで、露光機側搬送機構から受け取った基板に対して所定のスケジュールで露光後加熱処理を行うことができる。このように、インターフェイス部における処理の品質が低下することを抑制できる。

また、本発明において、第１および第２の処理部側搬送機構は、処理部と接するインターフェイス部の前面に沿って並ぶように配置されており、露光機側搬送機構と露光後加熱処理ユニットは、第１および第２の処理部側搬送機構よりも後方において、上下に並ぶように配置されていることが好ましい。第１および第２の処理部側搬送機構はインターフェイス部の前面に沿って配置されているので、処理部との間で基板の受け渡しを円滑に行うことができる。また、露光後加熱処理ユニットと露光機側搬送機構は上下方向に積層されている。このため、インターフェイス部の設置面積を縮小することができ、かつ、第１および第２の処理部側搬送機構は、露光後加熱処理ユニットと露光機側搬送機構の双方に対して基板を円滑に搬送できる。なお、「第１の処理部側搬送機構の後方」とは、第１の処理部側搬送機構から見てインターフェイス部の前面側とは反対の方向の意味である。また、「第２の処理部側搬送機構の後方」とは、第２の処理部側搬送機構から見てインターフェイス部の前面側とは反対の方向の意味である。

また、本発明において、露光後加熱処理ユニットは、専ら第１の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第１の露光後加熱処理ユニットと、専ら第２の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第２の露光後加熱処理ユニットと、を備え、第１の露光後加熱処理ユニットは、平面視において第１の処理部側搬送機構の後方に配置されており、第２の露光後加熱処理ユニットは、平面視において第２の処理部側搬送機構の後方に配置されていることが好ましい。第１の露光後加熱処理ユニットは第１の処理部側搬送機構の後方に隣接しており、第２の露光後加熱処理ユニットは第２の処理部側搬送機構の後方に隣接している。よって、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、露光後加熱処理ユニットに対して基板を効率よく搬送できる。

また、本発明において、インターフェイス部は、基板を洗浄する洗浄部を備え、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、洗浄部に基板を搬送することが好ましい。これによれば、第１および第２の処理部側搬送機構の一方が停止しても、他方が動作することによって、露光処理前の基板または／および露光処理後の基板を適切に洗浄できる。

また、本発明において、洗浄部は、第１および第２の処理部側搬送機構の側方に配置されていることが好ましい。洗浄部は、第１および第２の処理部側搬送機構の側方に隣接しているので、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、洗浄部に対して基板を円滑に搬送できる。

また、本発明において、洗浄部は、露光処理後の基板を洗浄する露光後洗浄処理ユニットを備え、露光後洗浄処理ユニットは、露光後加熱処理ユニットと略同じ高さ位置に配置されることが好ましい。第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、露光機側搬送機構から受け取った基板を露光後洗浄処理ユニットに搬送してから処理部に渡す。これにより、露光処理後の基板に対して露光後加熱処理のみならず洗浄処理を行うことができる。また、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、露光後洗浄処理ユニットと露光後加熱処理ユニットとの間で基板を効率よく搬送できる。

また、本発明において、洗浄部は、露光処理前の基板を洗浄する露光前洗浄処理ユニットを備え、露光前洗浄処理ユニットと露光後洗浄処理ユニットは、上下に並ぶように配置されることが好ましい。第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、処理部から受け取った基板を露光前洗浄処理ユニットに搬送してから処理部に渡す。これにより、露光処理前の基板に対して洗浄処理を行うことができる。また、露光前洗浄処理ユニットと露光後洗浄処理ユニットは、上下方向に積層されているので、洗浄部の設置面積をコンパクトにできる。

また、本発明において、洗浄部は、専ら第１の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第１の洗浄部と、専ら第２の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第２の洗浄部と、を備えており、第１の洗浄部と、第１の処理部側搬送機構と、第２の処理部側搬送機構と、第２の洗浄部とは、インターフェイス部の前面に沿ってこの順番で並ぶように配置されていることが好ましい。これによれば、第１の洗浄部は第１の処理部側搬送機構の側方に隣接しており、第２の洗浄部は第２の処理部側搬送機構の側方に隣接している。よって、よって、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、洗浄部に対して基板を効率よく搬送できる。

また、本発明において、処理部とインターフェイス部との間に配置され、第１および第２の処理部側搬送機構と、処理部とが互いに基板を受け渡すための処理部側載置部を備え、処理部側載置部は、第１および第２の処理部側搬送機構から略等距離の位置に配置されていることが好ましい。処理部側載置部を備えているので、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、処理部から基板を好適に受け取ることができ、かつ、処理部に基板を好適に渡すことができる。また、第１および第２の処理部側搬送機構の間で、基板を処理部から受け取るための動作量や基板を処理部に渡すための動作量を略等しくすることができる。

また、本発明において、インターフェイス部は、第１および第２の処理部側搬送機構と、露光機側搬送機構とが互いに基板を受け渡すための中間載置部を備え、中間載置部は、第１および第２の処理部側搬送機構から略等距離の位置に配置されていることが好ましい。これによれば、第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、露光機側搬送機構に基板を好適に渡すことができ、かつ、露光機側搬送機構から基板を好適に受け取ることができる。また、第１および第２の処理部側搬送機構の間で、基板を露光機側搬送機構に渡すための動作量や基板を露光機側搬送機構から受け取るための動作量を略等しくすることができる。

この発明に係る基板処理装置によれば、第１および第２の処理部側搬送機構を備えているので、インターフェイス部における基板搬送の信頼性を高めることができる。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 搬送機構の配置を示す概略側面図である。 液処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。 熱処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。 第１ブロックの内部を示す正面図である。 第１および第２の処理部側搬送機構を背面から見たときのインターフェイス部の内部を示す背面図である。 露光機側搬送機構を背面から見たときのインターフェイス部の内部を示す背面図である。 インターフェイス部の内部を正面側から見た斜視図である。 インターフェイス部の内部を背面側から見た斜視図である。

以下、図面を参照して本発明に係る実施例を説明する。

［基板処理装置の概要］
まず、本実施例の概要を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。

基板処理装置１は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１１と処理部１３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）１７とを備える。処理部１３は、ＩＤ部１１およびＩＦ部１７とそれぞれ接している。ＩＦ部１７はさらに、基板処理装置１とは別体の露光機ＥＸＰと接している。

ＩＤ部１１は、複数のキャリアＣを載置可能である。各キャリアＣ内には、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗが収容されている。ＩＤ部１１には、複数のＩＤ部内搬送機構（以下、適宜「搬送機構」と略記する）ＴＡ１、ＴＡ２が設置されている。各搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２はそれぞれ、キャリアＣと処理部１３との間にわたって基板Ｗを搬送する。

処理部１３は、基板Ｗを処理する処理ユニットＵＢ１、ＵＢ２と、基板Ｗを搬送する処理部内搬送機構（以下、適宜「搬送機構」と略記する）ＴＢ１、ＴＢ２を備えている。処理ユニットＵＢ１には専ら搬送機構ＴＢ１によって基板Ｗが搬送され、処理ユニットＵＢ２には専ら搬送機構ＴＢ２によって基板Ｗが搬送される。さらに、各搬送機構ＴＢ１、ＴＢ２はそれぞれ、ＩＤ部１１とＩＦ部１７との間にわたって基板Ｗを搬送する。

ＩＦ部１７は、第１の処理部側搬送機構（以下、適宜「搬送機構」と略記する）ＴＣ１と、第２の処理部側搬送機構（以下、適宜「搬送機構」と略記する）ＴＣ２と、単一の露光機側搬送機構（以下、適宜「搬送機構」と略記する）ＴＤを備えている。各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ、処理部１３から払い出された基板Ｗを受け取り、かつ、処理部１３に基板Ｗを渡す。搬送機構ＴＤは、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２から基板Ｗを受け取って露光機ＥＸＰに搬送し、かつ、露光機ＥＸＰから露光処理後の基板Ｗを受け取って搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２に渡す。

この基板処理装置１では、次のように動作する。搬送機構ＴＡ１は、キャリアＣ内から基板Ｗを搬出し、搬送機構ＴＢ１に渡す。搬送機構ＴＢ１は、受け取った基板Ｗを所定の処理ユニットＵＢ１に搬送した後に、搬送機構ＴＣ１に渡す。搬送機構ＴＣ１は、受け取った基板Ｗを搬送機構ＴＤに渡す。搬送機構ＴＤは、受け取った基板Ｗを露光機ＥＸＰに搬送する。また、搬送機構ＴＤは、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取って搬送機構ＴＣ１に渡す。搬送機構ＴＣ１は、受け取った基板Ｗを搬送機構ＴＢ１に渡す。搬送機構ＴＢ１は、受け取った基板Ｗを所定の処理ユニットＵＢ１に搬送した後に、搬送機構ＴＡ１に渡す。搬送機構ＴＡ１は、受け取った基板ＷをキャリアＣ内に搬入する。なお、搬送機構ＴＢ１は、搬送機構ＴＡ１から受け取った基板Ｗ、および、搬送機構ＴＣ１から受けとった基板Ｗの双方を処理ユニットＵＢ１に搬送するが、処理ユニットＵＢ１における処理は、双方の基板Ｗの間で同じであってもよいし、異なっていてもよい。

同様に、搬送機構ＴＡ２、ＴＢ２、ＴＣ２、ＴＤも相互に基板Ｗを受け渡す。これにより、ＩＤ部１１と露光機ＥＸＰの間にわたって基板Ｗを往復搬送する。

なお、図１では、一の搬送機構から他の搬送機構へ基板Ｗを渡す位置をそれぞれ、点ｍ１乃至ｍ８、ｎ１、ｎ２で模式的に示している。

この結果、ＩＤ部１１と露光機ＥＸＰとの間にわたる２つの搬送経路が形成される。ＩＦ部１７（搬送機構ＴＤ）−露光機ＥＸＰの区間に関しては、各搬送経路は共通しているが、ＩＤ部１１（キャリアＣ）−ＩＦ部１７（搬送機構ＴＤ）の区間に関しては、各搬送経路は互いに異なっている。このため、ＩＤ部１１−ＩＦ部１７の区間において、一方の搬送経路に異常が生じても、他方の搬送経路では基板Ｗを適切に搬送できる。

特に、ＩＦ部１７に設けられる２台の処理部側搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２の双方が、処理部１３に対して基板Ｗを搬入・搬出する。このため、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２の一方が故障しても、処理部１３とＩＦ部１７との間において基板Ｗを双方向に搬送し続けることができる。すなわち、処理部１３からＩＦ部１７への基板搬送の信頼性、および、ＩＦ部１７から処理部１３への基板搬送の信頼性を同時に高めることができる。

さらに、ＩＦ部１７に処理ユニットＵＣ１、ＵＣ２を設置する場合には、各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２がそれぞれ処理ユニットＵＣ１、ＵＣ２に基板Ｗを搬送するように構成することによって、ＩＦ部１７における処理の信頼性も高めることができる。たとえば、処理ユニットＵＣ１や搬送機構ＴＣ１が故障しても、処理ユニットＵＣ２および搬送機構ＴＣ２を使用して、ＩＦ部１７における処理を適切なスケジュールで基板Ｗに施すことができる。図１では、処理ユニットＵＣ１、ＵＣ２を設置する場合の構成例を点線で示している。

［基板処理装置の全体構成］
上述した基板処理装置１の各構成をより詳細に説明する。ここでは、処理部１３における処理がレジスト膜塗布処理と現像処理である場合を例にとる。また、露光機ＥＸＰでは液浸法によって基板Ｗに露光を行う場合を例示する。さらに、ＩＦ部１７に処理ユニットを設置する場合を例示する。

図２は実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。処理部１３は、第１ブロック１４と第２ブロック１５に区分されている。ＩＤ部１１、第１ブロック１４、第２ブロック１５、ＩＦ部１７及び露光機ＥＸＰは、この順番で水平一方向（図では「ｘ」方向である）に並ぶように配置されている。なお、ｘ方向と直交する水平方向を「ｙ」方向とし、上下方向を「ｚ」方向とする。

［ＩＤ部］
図２と併せて図３を参照する。図３は基板処理装置の内部を側方（ｙ方向）からみたときの搬送機構の配置を示す概略側面図である。

図２、図３に示すように、ＩＤ部１１は、キャリア載置部２１と搬送部２２を備えている。

キャリア載置部２１はキャリアＣを載置する。キャリアＣは、例えば不図示の外部搬送機構によって、キャリア載置部２１に載置される。キャリアＣ内には、複数枚の基板Ｗが水平姿勢で載置されている。キャリアＣとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が例示される。

搬送部２２には、ＩＤ部内搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２が設置されている。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、ｙ方向に並ぶように配置されている。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、いわゆる搬送ロボットである。すなわち、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２はそれぞれ、基板Ｗを載置する１又は２以上のハンドＨと、ハンドＨを移動させるための各種の駆動機構（不図示）を備え、ハンドＨによって基板Ｗを保持した状態でハンドＨを移動させる。ハンドＨは、例えば、ｘ方向、ｙ方向およびｚ方向にそれぞれ平行移動可能であり、搬送機構ＴＡ１の縦軸心の径方向に前進・後退移動可能であり、縦軸心回りに回転移動可能である。

なお、他の搬送機構ＴＢ１乃至ＴＤも、搬送機構ＴＢ１乃至ＴＤ自体の形状やハンドの可動域は別として、ハンドＨで基板Ｗを保持して搬送する点においては搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２と同じである。

［処理部１３〜第１ブロック１４］
図２乃至図６を参照する。図４は、基板処理装置の内部を側方（ｙ方向）からみたときの液処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図であり、図５は基板処理装置の内部を側方（ｙ方向）からみたときの熱処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。図６は、第１ブロックの内部を並び方向（ｘ方向）からみたときの正面図である。

第１ブロック１４は、搬送部３１と液処理部３３と熱処理部３５を備えている。搬送部３１は、平面視で第１ブロック１４のｙ方向（幅方向）における略中央を通り、ｘ方向（並び方向）に延びる帯状の領域である。搬送部３１の両端はそれぞれ、ＩＤ部１１および第２ブロック１５に面している。また、液処理部３３は、搬送部３１の一側方に配置されている。熱処理部３５は、搬送部３１の他側方に配置されている。

図３、図６に示すように、搬送部３１には、処理部内搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ２ｃが設置されている。搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ２ｃは、上下方向（ｚ方向）に並ぶように配置されている。搬送機構ＴＢ１ｃは搬送部３１の上部を可動域とし、搬送機構ＴＢ２ｃは搬送部３１の下部を可動域とする。搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ２ｃはそれぞれ、ｘ方向およびｚ方向に平行移動可能である。なお、図２では、上側に配置されている搬送機構ＴＢ１ｃのみを示している。

ＩＤ部１１と第１ブロック１４との間には、載置部Ｐ１Ｓ、Ｐ１Ｒ、Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒが配置されている。載置部Ｐ１Ｓ、Ｐ１Ｒ、Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒは、上下方向に並ぶように配置されている。搬送機構ＴＡ１は基板Ｗを載置部Ｐ１Ｓに載置し、載置部Ｐ１Ｓに載置された基板Ｗを搬送機構ＴＢ１ｃが受け取る。また、搬送機構ＴＢ１ｃは基板Ｗを載置部Ｐ１Ｒに載置し、載置部Ｐ１Ｒに載置された基板Ｗを搬送機構ＴＡ１が受け取る。同様に、載置部Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒは、搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢ２ｃとの間で基板Ｗを双方向に送るために使用される。なお、載置部Ｐ１Ｓ、Ｐ１Ｒ、Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒはそれぞれ、図１における点ｍ１、ｍ４、ｍ５、ｍ８に対応する。

図４を参照する。液処理部３３は、４つの塗布処理室４１、４２、４３、４４を備えている。これら塗布処理室４１乃至４４は、上下方向に並ぶように配置されている。各塗布処理室４１乃至４４はそれぞれ、搬送部３１に面している。上側の塗布処理室４１、４２に対しては、搬送機構ＴＢ１ｃが基板Ｗを搬入、搬出する。下側の塗布処理室４３、４４に対しては、搬送機構ＴＢ２ｃが基板Ｗを搬入、搬出する。

各塗布処理室４１乃至４４には、複数の塗布処理ユニット４５が設置されている。塗布処理ユニット４５は、保持部４６とカップ４７とノズル４８とノズル搬送機構４９を備える。ノズル４８とノズル搬送機構４９は、図２に示される。保持部４６は基板Ｗを保持する。保持部４６は不図示のモータによって回転する。カップ４７は保持部４６の周囲に配置され、基板Ｗから飛散する処理液を回収する。ノズル４８は基板Ｗに処理液を吐出する。ノズル搬送機構４９は、基板Ｗの上方の位置と基板Ｗの上方から外れた位置との間にわたってノズル４８を搬送する。

塗布処理室４１、４３内の各塗布処理ユニット４５は、ノズル４８からレジスト膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、基板Ｗ上にレジスト膜を形成する。塗布処理室４２、４４に各塗布処理ユニット４５は、ノズル４８から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、基板Ｗ上に反射防止膜を塗布する。

図５を参照する。熱処理部３５は、複数の熱処理ユニットを備えている。各熱処理ユニットは、側面視で行列状（例えば、横方向（ｘ方向）に３列、上下方向（ｚ方向）に１０段）に配置されている。ここで、上側５段に配置される複数の熱処理ユニットを「熱処理ユニット群５１」と呼び、下側５段分に配置される複数の熱処理ユニットを「熱処理ユニット群５２」と呼ぶ。熱処理ユニット群５１に対しては、搬送機構ＴＢ１ｃによって基板Ｗが搬入、搬出される。熱処理ユニット群５２に対しては、搬送機構ＴＢ２ｃによって基板Ｗが搬入、搬出される。

熱処理ユニット群５１、５２はそれぞれ、複数の熱処理ユニットＰＨＰと、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰと、複数の冷却ユニットＣＰで構成されている。熱処理ユニットＰＨＰは基板Ｗを加熱および冷却する。密着強化処理ユニットＰＡＨＰは、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤を塗布し、基板Ｗを加熱する。これにより、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させる。冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却する。

なお、塗布処理室４１、４２の塗布処理ユニット４５と熱処理ユニット群５１は、図１に示す搬送機構ＴＢ１用の処理ユニットＵＢ１に属する。塗布処理室４３、４４の塗布処理ユニット４５と熱処理ユニット群５２は、搬送機構ＴＢ２用の処理ユニットＵＢ２に属する。

［処理部１３〜第２ブロック１５］
第２ブロック１５は、搬送部６１と液処理部６３と熱処理部６５を備えている。搬送部６１は、平面視で第２ブロック１５の略中央に形成される。搬送部６１の両端はそれぞれ、第１ブロック１４（搬送部３１）およびＩＦ部１７に面している。液処理部６３は、搬送部６１の一側方に配置されている。熱処理部６５は、搬送部６１の他側方に配置されている。

搬送部６１には、搬送機構ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｄが上下方向（ｚ方向）に並ぶように配置されている。搬送機構ＴＢ１ｄは搬送部６１の上部を可動域とし、搬送機構ＴＢ２ｄは搬送部６１の下部を可動域とする。

搬送部６１と搬送部３１との間には載置部Ｐ３Ｓ、Ｐ３Ｒ、Ｐ４Ｓ、Ｐ４Ｒが設置されている。載置部Ｐ３Ｓ／Ｐ３Ｒは、搬送機構ＴＢ１ｄと搬送機構ＴＢ１ｃとの間で基板Ｗを受け渡すときに使用される。載置部Ｐ４Ｓ／Ｐ４Ｒは、搬送機構ＴＢ２ｄと搬送機構ＴＢ２ｃの間で基板Ｗを受け渡すときに使用される。

液処理部６３は、２つの現像処理室７１、７２と２つの塗布処理室７３、７４を備えている。これら処理室７１乃至７４は、上下方向に並ぶように配置されている。処理室７１、７３は上側に配置され、処理室７２、７４は下側に配置されている。各処理室７１乃至７４は、搬送部６１に面している。処理室７１、７３に対しては搬送機構ＴＢ１ｄが基板Ｗを搬送し、処理室７２、７４に対しては搬送機構ＴＢ２ｄが基板Ｗを搬送する。

各現像処理室７１、７２には、それぞれ複数の現像処理ユニット７５が配置されている。塗布処理室７３、７４には、それぞれ複数の塗布処理ユニット４５が配置されている。

現像処理ユニット７５は、保持部７６とカップ７７とノズル７８とノズル搬送機構７９を備える。保持部７６は基板Ｗを保持する。保持部７６は不図示のモータによって回転する。カップ７７は保持部７６の周囲に配置され、基板Ｗから飛散する現像液を回収する。ノズル７８は基板に現像液を吐出する。ノズル搬送機構７９は、基板Ｗの上方の位置と基板Ｗの上方から外れた位置との間にわたってノズル７８を搬送する。

塗布処理室７３、７４内の塗布処理ユニット４５は、ノズル４８からレジストカバー用の処理液を基板Ｗに塗布し、基板Ｗ上にレジストカバー膜を形成する。

熱処理部６５は、縦横に行列状に配置された複数の熱処理ユニットを備えている。上側の熱処理ユニット群８１に対しては、搬送機構ＴＢ１ｄによって基板Ｗが搬送される。下側の熱処理ユニット群８２に対しては、搬送機構ＴＢ２ｄによって基板Ｗが搬送される。熱処理ユニット群８１は処理ユニットＵＢ１に属し、熱処理ユニット群８２は処理ユニットＵＢ２に属する。

各熱処理ユニット群８１、８２はそれぞれ、複数の熱処理ユニットＰＨＰと、複数の冷却ユニットＣＰを含んでいる。また、各熱処理ユニット群８１、８２の一画には、エッジ露光ユニットＥＥＷが設置されている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗの周縁部を露光する。

なお、現像処理室７１の現像処理ユニット７５、塗布処理室７３の塗布処理ユニット４５および熱処理ユニット群８１は、上述した処理ユニットＵＢ１に属する。現像処理室７２の現像処理ユニット７５、塗布処理室７４の塗布処理ユニット４５および熱処理ユニット群８２は、処理ユニットＵＢ２に属する。

［ＩＦ部１７］
図２乃至図１０を参照する。図７は、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２を背面側（露光機ＥＸＰ側）から見た背面図であり、図８は搬送機構ＴＤを背面側から見た背面図である。図９は、インターフェイス部を正面側から見た斜視図であり、図１０はインターフェイス部を背面側から見た斜視図である。

ＩＦ部１７は、処理部側搬送部９１と露光機側搬送部９２と洗浄部９５、９６と熱処理部９７、９８を備える。平面視においてＩＦ部１７を処理部１３側の部分と露光機ＥＸＰ側の部分に区分した場合、処理部側搬送部９１と洗浄部９５、９６は処理部１３側の部分に配置されており、露光機側搬送部９２と熱処理部９７、９８はＩＦ部１７の露光機ＥＸＰ側の部分に配置されている。処理部側搬送部９１は処理部１３（搬送部６１）に面している。露光機側搬送部９２は露光機ＥＸＰに面している。各搬送部９１、９２は互いに接している。

以下では、ＩＦ部１７内におけるレイアウトを説明するため、ＩＦ部１７が処理部１３（第２ブロック１５）と接する面を前面１７Ｆとし、平面視で前面１７Ｆと直交する方向を適宜に「前後方向」と呼ぶ。本実施例の場合、前後方向はｘ方向と一致している。また、ＩＦ部１７の内部から見て前面１７Ｆに近づく向きおよび遠ざかる向きをそれぞれ「前方」および「後方」と呼ぶ。

処理部側搬送部９１と洗浄部９５、９６は、ＩＦ部１７の前面１７Ｆに沿って並ぶように配置されている。処理部側搬送部９１は、ＩＦ部１７のｙ方向（幅方向）中央部に配置されている。洗浄部９５、９６は、処理部側搬送部９１のｙ方向両外側に隣接している。

露光機側搬送部９２と熱処理部９７、９８は、処理部側搬送部９１および洗浄処理部９５、９６の後方に隣接している。露光機側搬送部９２は、ＩＦ部１７の後部かつ下部の領域である。熱処理部９７、９８は、露光機側搬送部９２の上方に配置されている。熱処理部９７、９８は、ｙ方向に並ぶように配置されている。

処理部側搬送部９１には、第１の処理部側搬送機構ＴＣ１と第２の処理部側搬送機構ＴＣ２が設置されている。搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はＩＦ部１７の前面１７Ｆに沿ってｙ方向に並ぶように配置されている。搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ、ＩＦ部１７の前面１７Ｆに近接した位置に配置されている。露光機側搬送部９２には、露光機側搬送機構ＴＤが配置されている。

ＩＦ部１７（処理部側搬送部９１）と処理部１３（搬送部６１）との間には、載置部Ｐ５Ｓ、Ｐ５Ｒ、Ｐ６Ｓ、Ｐ６Ｒが配置されている。これら載置部Ｐ５Ｓ等は上下方向に並ぶように配置されている。載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒは、搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＢ１ｄとが基板Ｗの受け渡しを行うために使用される。載置部Ｐ６Ｓ／Ｐ６Ｒは、搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＢ２ｄが基板Ｗの受け渡しを行うために使用される。

載置部Ｐ５Ｓ等は、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２からの距離が略等しい位置に配置されている。具体的には、平面視において、載置部Ｐ５Ｓ等は、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２を結ぶ線分の垂直二等分線上に配置されている。

また、処理部側搬送部９１と露光機側搬送部９２との間には、載置部Ｐ７Ｓ、Ｐ７Ｒ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが配置されている。これら載置部Ｐ７Ｓ、Ｐ７Ｒ等は、上下方向に積層されている。上段にはバッファ部ＳＢＦ、ＲＢＦが配置され、中段には載置部Ｐ７Ｓ、Ｐ７Ｒが配置され、下段には載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが配置されている。載置部Ｐ７Ｓ等も、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２からの距離が略等しい位置に配置されている。

載置部Ｐ７Ｓは搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２から搬送機構ＴＤに基板Ｗを渡すときに使用され、載置部Ｐ７Ｒはその逆向きに基板Ｗを渡すために使用される。バッファ部ＳＢＦ、ＲＢＦは、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２が基板Ｗを一時的に待機させるために使用する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、載置される基板Ｗを所定の温度に保つ（冷却する）。

なお、載置部Ｐ５Ｓ、Ｐ５Ｒ、Ｐ６Ｓ、Ｐ６Ｒはそれぞれ、図１における点ｍ２、ｍ３、ｍ６、ｍ７に対応する。載置部Ｐ７Ｓ、Ｐ７Ｒは、図１における点ｎ１、ｎ２に対応する。載置部Ｐ５Ｓ、Ｐ５Ｒ、Ｐ６Ｓ、Ｐ６Ｒは、本発明における処理部側載置部に相当する。載置部Ｐ７Ｓ、Ｐ７Ｒは、本発明における中間載置部に相当する。

洗浄部９５は搬送機構ＴＣ１の側方に隣接している。洗浄部９５には、専ら搬送機構ＴＣ１によって基板Ｗが搬送される。洗浄部９５は露光前洗浄処理ユニット１０１と露光後洗浄処理ユニット１０２を備える。前者を「前洗浄処理ユニット１０１」と適宜に略記し、後者を「後洗浄処理ユニット１０２」と適宜に略記する。各処理ユニット１０１、１０２は、上下方向に並ぶように配置されている。上段には２つの後洗浄処理ユニット１０２が配置され、下段には３つの前洗浄処理ユニット１０１が配置されている。各処理ユニット１０１、１０２は、それぞれ搬送機構ＴＣ１に面している。具体的には、各処理ユニット１０１、１０２に基板Ｗを搬入・搬出するための開口ａが搬送機構ＴＣ１に面している。

前洗浄処理ユニット１０１は、露光処理前の基板Ｗを洗浄し、乾燥する。露光機ＥＸＰが液浸法を採用している場合、前洗浄処理ユニット１０１は基板Ｗの裏面に洗浄液を供給して基板Ｗの裏面を洗浄することが好ましい。この際、基板Ｗを回転させてもよいし、ブラシを使用してもよい。これにより、基板Ｗが載置される露光機ＥＸＰのステージが汚れることを好適に予防できる。なお、基板Ｗの裏面とは、レジスト膜等が形成される面とは反対側の面である。

後洗浄処理ユニット１０２は、露光処理後の基板Ｗを洗浄し、乾燥する。これにより、液浸法によって露光された基板Ｗを好適に洗浄することができる。

洗浄部９６は、洗浄部９５と同様に構成されている。洗浄部９６に設置される各処理ユニット１０１、１０２に対しては、搬送機構ＴＣ２が基板Ｗを搬送する。

洗浄部９５は、本発明における第１の洗浄部に相当する。洗浄部９６は、本発明における第２の洗浄部に相当する。

熱処理部９７は、搬送機構ＴＣ１の後方に隣接している。熱処理部９７には、専ら搬送機構ＴＣ１によって基板Ｗが搬送される。熱処理部９７は、複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢを備えている。各露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、上下方向に並ぶように配置されている。各露光後加熱処理ユニットＰＥＢの設置高さは、洗浄部９５の後洗浄処理ユニット１０２の設置高さと略同等である。熱処理部９７の露光後加熱処理ユニットＰＥＢと洗浄部９５の後洗浄処理ユニット１０２は、搬送機構ＴＣ１の周りに配置されている。搬送機構ＴＣ１から見て、露光後加熱処理ユニットＰＥＢと後洗浄処理ユニット１０２とは周方向に隣り合うように配置されている。各露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、それぞれ処理部側搬送部９１に面している。具体的には、各露光後加熱処理ユニットＰＥＢに基板Ｗを搬入・搬出するための開口ｂが搬送機構ＴＣ１に面している。各露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、露光処理後の基板Ｗに露光後熱処理（Post Exposure Bake）を行う。

熱処理部９８は、熱処理部９７と同様に構成されている。熱処理部９８に設置される各露光後加熱処理ユニットＰＥＢに対しては、搬送機構ＴＣ２が基板Ｗを搬送する。

熱処理部９７の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、本発明における第１の露光後加熱処理ユニットに相当する。熱処理部９８の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、本発明における第２の露光後加熱処理ユニットに相当する。

［制御系の構成］
基板処理装置１は、制御部１１１と入出力部１１３を備えている。

制御部１１１は、例えば、ＩＤ部１１に設置されている。制御部１１１は、ＩＤ部１１、処理部１３およびＩＦ部１７を統括的に制御する。具体的には、各種の搬送機構および各種の処理ユニットの動作を制御する。

入出力部１１３は、ＩＤ部１１の側壁に取り付けられている。入出力部１１３は、基板処理装置１における基板Ｗの搬送状況や処理状況を表示する。また、ユーザーは、入出力部１１３の表示に関連する命令や、各種の搬送機構または処理ユニットの動作に関連する命令を入出力部１１３に入力可能である。

［基板処理装置１の動作］
次に、実施例に係る基板処理装置１の動作について説明する。以下では、ＩＤ部１１からＩＦ部１７への搬送と、ＩＦ部１７からＩＤ部１１への搬送とに分けて説明する。

［ＩＤ部１１からＩＦ部１７への搬送］
＜ＩＤ部１１＞
搬送機構ＴＡ１は、一のキャリアＣから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ１Ｓに載置する。搬送機構ＴＡ２は、他のキャリアＣから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ２Ｓに載置する。ここで、搬送機構ＴＡ１による基板搬送と搬送機構ＴＡ２による基板搬送は、互いに独立して行われる。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２を同時に動作させてもよいし、交互に行ってもよい。また、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２の一方のみを動作させてもよい。

＜処理部１３＞
搬送機構ＴＢ１ｃは、載置部Ｐ１Ｓに載置された基板Ｗを受け取る。そして、受け取った基板Ｗを、塗布処理室４１、４２、熱処理ユニット群５１における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、反射防止膜用の塗布処理ユニット４５、熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、レジスト膜用の塗布処理ユニット４５、熱処理ユニットＰＨＰの順番に基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗに各種の処理が連続的に施され、基板Ｗに反射防止膜およびレジスト膜が形成される。搬送機構ＴＢ１ｃは、一連の処理が施された基板Ｗを載置部Ｐ３Ｓに載置する。

搬送機構ＴＢ１ｄは、載置部Ｐ３Ｓから基板Ｗを受け取って、塗布処理室７３および熱処理ユニット群８１における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、レジストカバー膜用の塗布処理ユニット４５、熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光ユニットＥＥＷの順番に基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗに各種の処理が連続的に施され、基板Ｗにレジストカバー膜が形成され、基板Ｗの周縁が露光される。搬送機構ＴＢ１ｄは、一連の処理が施された基板Ｗを載置部Ｐ５Ｓに載置する。

他方、搬送機構ＴＢ２ｃは、載置部Ｐ２Ｓに載置された基板Ｗを、塗布処理室４３、４４および熱処理ユニット群５２における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。その後、基板Ｗを載置部Ｐ４Ｓに載置する。搬送機構ＴＢ２ｄは、載置部Ｐ４Ｓに載置された基板Ｗを、塗布処理室７４および熱処理ユニット群８２における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。その後、基板Ｗを載置部Ｐ６Ｓに載置する。

＜ＩＦ部１７＞
搬送機構ＴＣ１は、載置部Ｐ５Ｓに載置された基板Ｗを受け取って、洗浄部９５の前洗浄処理ユニット１０１に搬入する。前洗浄処理ユニット１０１は、基板Ｗの裏面を洗浄する。その後、搬送機構ＴＣ１は、前洗浄処理ユニット１０１から基板Ｗを搬出して、載置部Ｐ７Ｓに載置する。

搬送機構ＴＣ２は、載置部Ｐ６Ｓに載置された基板Ｗを受け取って、洗浄部９６の前洗浄処理ユニット１０１に搬送した後、載置部Ｐ７Ｓに載置する。なお、載置部Ｐ７Ｓに基板Ｗが載置できないときは、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２は、送りバッファ部ＳＢＦまたは載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗを載置する。

搬送機構ＴＤは、載置部Ｐ７Ｓに載置した基板Ｗを受け取って、露光機ＥＸＰに送る。基板Ｗは露光機ＥＸＰによって露光される。

［ＩＦ部１７からＩＤ部１１への搬送］
＜ＩＦ部１７＞
搬送機構ＴＤは、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取って載置部Ｐ７Ｒに載置する。

搬送機構ＴＣ１は、載置部Ｐ７Ｒに載置された基板Ｗを受け取って、洗浄部９５の後洗浄処理ユニット１０２と熱処理部９７の露光後加熱処理ユニットＰＥＢに、この順番で搬送する。これにより、基板Ｗが洗浄され、露光後加熱処理が行われる。搬送機構ＴＣ１は、一連の処理が施された基板Ｗを載置部Ｐ５Ｒに載置する。

搬送機構ＴＣ２は、載置部Ｐ７Ｒに載置された基板Ｗを受け取って、洗浄部９６の後洗浄処理ユニット１０２及び熱処理部９８の露光後加熱処理ユニットＰＥＢに搬送した後、載置部Ｐ６Ｒに載置する。

＜処理部１３＞
搬送機構ＴＢ１ｄは、載置部Ｐ５Ｒに載置された基板Ｗを受け取って、現像処理室７１および熱処理ユニット群８１における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、冷却ユニットＣＰ、現像処理ユニット７５、熱処理ユニットＰＨＰの順番で基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗが現像される。その後、搬送機構ＴＢ１ｄは、現像された基板Ｗを載置部Ｐ３Ｒに載置する。搬送機構ＴＢ１ｃは、載置部Ｐ３Ｒから基板Ｗを受け取って、載置部Ｐ１Ｒに載置する。

他方、搬送機構ＴＢ２ｄは、載置部Ｐ６Ｒに載置された基板Ｗを、現像処理室７２および熱処理ユニット群８２における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。そして、基板Ｗを載置部Ｐ４Ｒに載置する。搬送機構ＴＢ２ｃは、載置部Ｐ４Ｒに載置された基板Ｗを受け取って、載置部Ｐ２Ｒに載置する。

＜ＩＤ部１１＞
搬送機構ＴＡ１は、載置部Ｐ１Ｒに載置された基板Ｗを受け取って、キャリアＣに搬入する。搬送機構ＴＡ２は、載置部Ｐ２Ｒに載置された基板Ｗを受け取って、キャリアＣに搬入する。

［搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２の動作］
次に、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２の動作について詳細に説明する。搬送機構ＴＣ２の動作は、基本的には搬送機構ＴＣ１の動作と同様であるので、搬送機構ＴＣ１についてのみ説明する。

搬送機構ＴＣ１は、載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒに向かい合う位置に移動する。このとき、搬送機構ＴＣ１は、露光後加熱処理ユニットＰＥＢから搬出した基板Ｗを保持している。搬送機構ＴＣ１は、保持している基板Ｗを載置部Ｐ５Ｒに載置し、載置部Ｐ５Ｓに載置されている基板Ｗを受け取る。

次に、搬送機構ＴＣ１は、基板Ｗを保持したまま回転移動および下降移動し、前洗浄処理ユニット１０１に向かい合う位置に移動する。搬送機構ＴＣ１は、前洗浄処理ユニット１０１内から処理済みの基板Ｗを搬出し、載置部Ｐ５Ｓから受け取った基板Ｗを前洗浄処理ユニット１０１に搬入する。

次に、搬送機構ＴＣ１は、回転移動し、載置部Ｐ７Ｓに向かい合う位置に移動する。搬送機構ＴＣ１は、前洗浄処理ユニット１０１から搬出した基板Ｗを載置部Ｐ７Ｓに載置し、載置部Ｐ７Ｒに載置されている基板Ｗを受け取る。

次に、搬送機構ＴＣ１は、上昇移動および回転移動し、後洗浄処理ユニット１０２に向かい合う位置に移動する。搬送機構ＴＣ１は、載置部Ｐ７Ｒから受け取った基板Ｗと、後洗浄処理ユニット１０２内の基板Ｗとを入れ替える。

次に、搬送機構ＴＣ１は、回転移動し、露光後加熱処理ユニットＰＥＢに向かい合う位置に移動する。搬送機構ＴＣ１は、後洗浄処理ユニット１０２から搬出した基板Ｗと熱処理ユニットＰＨＰ内にある基板Ｗとを入れ替える。

その後、搬送機構ＴＣ１は、再び、載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒに向かい合う位置に移動し、上述した一連の動作を繰り返す。

このように、実施例に係る基板処理装置１によれば、上述した［基板処理装置の概要］で説明したように、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２の一方が停止しても、処理部１３とＩＦ部１７との間における基板Ｗの搬送が滞るおそれがない。よって、ＩＦ部１７における基板搬送の信頼性を高めることができる。

また、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２は、処理部１３と接するＩＦ部１７の前面１７Ｆに沿って並ぶように配置されているので、処理部１３に帯する基板Ｗの搬入・搬出を円滑に行うことができる。

また、ＩＦ部１７は複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢを備え、各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ、露光後加熱処理ユニットＰＥＢに対して基板Ｗを搬送する。このため、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２の一方が停止しても、露光機ＥＸＰが基板Ｗを払い出した時から、その基板Ｗを露光後加熱処理ユニットＰＥＢで露光後加熱処理するまでの時間（スケジュール）がばらつくことを抑制できる。よって、基板Ｗの処理品質を好適に維持できる。

また、熱処理部９７の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、搬送機構ＴＣ１に隣接しており、熱処理部９８の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、搬送機構ＴＣ２に隣接している。このため、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ露光後加熱処理ユニットＰＥＢに基板Ｗを効率よく搬送できる。

また、露光後加熱処理ユニットＰＥＢは搬送機構ＴＤの上方に配置されているので、ＩＦ部１７の設置面積を小さくすることができる。

また、ＩＦ部１７は、複数の洗浄部９５、９６を備え、各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ、洗浄部９５、９６に対して基板Ｗを搬送する。このため、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２の一方が停止しても、他方が動作することで、基板Ｗを洗浄することができる。

また、洗浄部９５は搬送機構ＴＣ１に隣接しており、洗浄部９６は搬送機構ＴＣ２に隣接している。このため、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ洗浄部９５、９６に基板Ｗを速やかに搬送することができる。

また、後洗浄処理ユニット１０２と露光後加熱処理ユニットＰＥＢはともにＩＦ部１７の上部に配置されている。このため、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２は比較的に少ない昇降量で、後洗浄処理ユニット１０２と露光後加熱処理ユニットＰＥＢとの間で基板Ｗを搬送できる。よって、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２は露光処理後の基板Ｗを各種の処理ユニットに速やかに搬送できる。

さらに、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２から見て、後洗浄処理ユニット１０２が側方に位置し、露光後加熱処理ユニットＰＥＢが後方に位置しているので、後洗浄処理ユニット１０２と露光後加熱処理ユニットＰＥＢとの間で基板Ｗを移動させる際、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２の旋回量は少ない（たとえば、約９０度程度である）。よって、搬送機構ＴＣ１／ＴＣ２は一層速やかに基板Ｗを搬送させることができる。

また、前洗浄処理ユニット１０１は後洗浄処理ユニット１０２の下方に配置されているので、洗浄部９５、９６の設置面積をそれぞれ小さくすることができる。

また、載置部Ｐ７Ｓ／Ｐ７Ｒは搬送機構ＴＣ１および搬送機構ＴＣ２の双方に隣接している。このため、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２はそれぞれ載置部Ｐ７Ｓ／Ｐ７Ｒに基板Ｗを速やかに搬送することができる。

同様に、載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒは搬送機構ＴＣ１に隣接しているので、搬送機構ＴＣ１は載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒに基板Ｗを速やかに搬送できる。また、載置部Ｐ６Ｓ／Ｐ６Ｒは搬送機構ＴＣ２に隣接しているので、搬送機構ＴＣ２はそれぞれ載置部Ｐ６Ｓ／Ｐ６Ｒに基板Ｗを速やかに搬送できる。

さらに、平面視において、搬送機構ＴＣ１の周囲を囲むように、露光後加熱処理ユニットＰＥＢ、洗浄部９５、載置部Ｐ７Ｓ／Ｐ７Ｒおよび載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒ（以下、「露光後加熱処理ユニットＰＥＢ等」という）が配置されている。このため、搬送機構ＴＣ１はｘ方向またはｙ方向に平行移動することなく回転するのみで、これら露光後加熱処理ユニットＰＥＢ等に順次に対向することができる。このため、搬送機構ＴＣ１による基板Ｗの搬送効率を向上でき、搬送機構ＴＣ１による搬送時間を短縮できる。搬送機構ＴＣ２についても同様である。

また、処理部１３には、搬送機構ＴＢ１ｃ／ＴＢ１ｄと搬送機構ＴＢ２ｃ／ＴＢ２ｄとによって２つの搬送経路が形成されている。よって、処理部１３内において一方の搬送経路が停止しても、他方の搬送経路を利用できる。よって、処理部１３の基板搬送の信頼性も高めることができる。

また、ＩＤ部１１は、２つの搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２を備えているので、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２の一方が停止しても、ＩＤ部１１における基板Ｗの搬送が滞るおそれがない。よって、ＩＤ部１１の基板搬送の信頼性を高めることができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２が有するハンドＨの数について特に説明しなかったが、任意の数を適宜に選択できる。また、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２がそれぞれ、３つのハンドＨを備えるように構成する場合、ハンドＨを次のように使い分けてもよい。すなわち、第１のハンドＨについては、専ら載置部Ｐ５Ｓに載置される基板Ｗを受け取る動作から前洗浄処理ユニット１０１に基板Ｗを搬入する動作までの区間で使用する。第２のハンドＨについては、専ら前洗浄処理ユニット１０１から基板Ｗを搬出する動作から載置部Ｐ７Ｓに載置する動作までの区間で使用する。第３のハンドＨについては、専ら載置部Ｐ７Ｒから基板Ｗを受け取る動作から載置部Ｐ５Ｒに載置する動作までの区間で使用する。このような使い分けによれば、仮に載置部Ｐ５Ｓに載置された基板Ｗや第１のハンドＨがパーティクルによって汚損されてしまっても、前洗浄処理ユニット１０１で基板Ｗが清浄になった後、基板Ｗを載置部Ｐ５Ｒに載置するまで清浄な状態を保つことができる。

（２）上述した実施例では、搬送機構ＴＤの上方に露光後加熱処理ユニットＰＥＢが配置されていたが、これに限られない。搬送機構ＴＤの配置は、露光機ＥＸＰの仕様を考慮して適宜に選択、変更できる。たとえば、露光機ＥＸＰと基板Ｗの受け渡しを効率よく行える位置に、搬送機構ＴＤを配置することが好ましい。また、搬送機構ＴＤの配置に併せて、露光後加熱処理ユニットＰＥＢの配置を適宜に変更することができる。その結果、たとえば、搬送機構ＴＤをＩＦ部１７の上部に配置し、露光後加熱処理ユニットＰＥＢを搬送機構ＴＤの下方に配置してもよい。または、搬送機構ＴＤをＩＦ部１７の中段に配置し、露光後加熱処理ユニットＰＥＢを搬送機構ＴＤの上方および下方に分離して配置してもよい。

また、露光後加熱処理ユニットＰＥＢの配置を変更した場合には、後洗浄処理ユニット１０２の配置を適宜に変更してもよい。例えば、後洗浄処理ユニット１０２が露光後加熱処理ユニットＰＥＢと略同じ高さ位置となるように、後洗浄処理ユニット１０２を配置してもよい。

さらに、後洗浄処理ユニット１０２の配置を変更した場合には、前洗浄処理ユニット１０１の配置を適宜に変更してもよい。たとえば、前洗浄処理ユニット１０１が後洗浄処理ユニット１０２と上下に並ぶように、前洗浄処理ユニット１０１を配置してしてもよい。その結果、たとえば、後洗浄処理ユニット１０２の上方に前洗浄処理ユニット１０１を配置してもよいし、後洗浄処理ユニット１０２の上方および下方に前洗浄処理ユニット１０１を配置してもよい。

（３）上述した実施例では、ＩＦ部１７のみならず、ＩＤ部１１および処理部１３においても２つの搬送経路が形成されていたが、これに限られない。例えば、ＩＤ部１１における搬送経路の数を１つにしてもよいし、３以上にしてもよい。言い換えれば、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２のいずれかを省略してもよいし、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２の他に搬送機構ＴＡ３等を備えてもよい。同様に、処理部１３における搬送経路の数を１つにしてもよいし、３以上にしてもよい。

（４）上述した実施例では、搬送機構ＴＢ１を２基の搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄによって構成したが、これに限られない。たとえば、搬送機構ＴＢ１を１基の搬送機構で構成してもよいし、３基以上の搬送機構で構成してもよい。搬送機構ＴＢ２についても、同様に変更できる。

（５）上述した実施例では、露光機ＥＸＰが液浸法で露光処理する場合を例示したが、これに限られない。たとえば、液体を使用せずに露光処理を行う露光措置に変更してもよい。

（６）上述した実施例では、ＩＦ部１７は、洗浄部９５、９６や熱処理部９７、９８を備えていたが、これに限られない。ＩＦ部１７に設置する処理部を適宜に選択、変更してもよい。たとえば、洗浄部９５、９６を省略してもよいし、熱処理部９５、９６を省略してもよい。また、新たな処理部を備えるように変更してもよい。

（７）上述した実施例では、処理部１３は、基板Ｗにレジスト膜等を形成し、かつ、基板Ｗを現像する処理を行ったが、これに限られない。処理部１３における処理の内容を、適宜に変更してもよい。

（８）上述した実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。

１ … 基板処理装置
１１ … インデクサ部（ＩＤ部）
１３ … 処理部
１７ … インターフェイス部（ＩＦ部）
１７Ｆ … インターフェイス部の前面
９５ … 洗浄部（第１の洗浄部）
９６ … 洗浄部（第２の洗浄部）
９７ … 熱処理部
９８ … 熱処理部
１０１ … 露光前洗浄処理ユニット
１０２ … 露光後洗浄処理ユニット
ＰＥＢ …露光後加熱処理ユニット（第１、第２の露光後加熱処理ユニット）
Ｐ５Ｓ、Ｐ５Ｒ、Ｐ６Ｓ、Ｐ６Ｒ … 載置部（処理部側載置部）
Ｐ７Ｓ、Ｐ７Ｒ … 載置部（中間載置部）
ＴＡ１、ＴＡ２ …ＩＤ部内搬送機構
ＴＢ１、ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄ、ＴＢ２、ＴＢ２ｃ、ＴＢ２ｄ …処理部内搬送機構
ＴＣ１ … 第１の処理部側搬送機構
ＴＣ２ … 第２の処理部側搬送機構
ＴＤ … 露光機側搬送機構
ＥＸＰ … 露光機
Ｗ … 基板

Claims (12)

1. 基板処理装置であって、
   基板に処理を行う処理部と、
   処理部と接し、かつ、本装置とは別体の露光機と接するインターフェイス部と、
   を備え、
   インターフェイス部は、
   第１の処理部側搬送機構と、
   第２の処理部側搬送機構と、
   露光機側搬送機構と、
   露光処理後の基板を加熱する露光後加熱処理ユニットと、
   を備え、
   第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、処理部から基板を受け取って露光機側搬送機構に渡し、かつ、露光機側搬送機構から基板を受け取って処理部に渡し、
   露光機側搬送機構は、第１および第２の処理部側搬送機構から基板を受け取って露光機に搬送し、かつ、露光機から露光処理後の基板を受け取って第１および第２の処理部側搬送機構に渡し、
   露光後加熱処理ユニットは、
   専ら第１の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第１の露光後加熱処理ユニットと、
   専ら第２の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第２の露光後加熱処理ユニットと、
   を備え、
   第１の露光後加熱処理ユニットは、第１の処理部側搬送機構に隣接し、
   第２の露光後加熱処理ユニットは、第２の処理部側搬送機構に隣接する
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、露光処理後の基板を露光後加熱処理ユニットに搬送してから処理部に渡す基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   第１および第２の処理部側搬送機構は、処理部と接するインターフェイス部の前面に沿って並ぶように配置されており、
   露光機側搬送機構と露光後加熱処理ユニットは、第１および第２の処理部側搬送機構よりも後方において、上下に並ぶように配置されている基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   第１の露光後加熱処理ユニットは、平面視において第１の処理部側搬送機構の後方に配置されており、
   第２の露光後加熱処理ユニットは、平面視において第２の処理部側搬送機構の後方に配置されている基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   インターフェイス部は、基板を洗浄する洗浄部を備え、
   第１および第２の処理部側搬送機構はそれぞれ、洗浄部に基板を搬送する基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
   洗浄部は、第１および第２の処理部側搬送機構の側方に配置されている基板処理装置。
7. 請求項５または６に記載の基板処理装置において、
   洗浄部は、露光処理後の基板を洗浄する露光後洗浄処理ユニットを備え、
   露光後洗浄処理ユニットは、露光後加熱処理ユニットと略同じ高さ位置に配置される基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   洗浄部は、露光処理前の基板を洗浄する露光前洗浄処理ユニットを備え、
   露光前洗浄処理ユニットと露光後洗浄処理ユニットは、上下に並ぶように配置される基板処理装置。
9. 請求項５から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   洗浄部は、
   専ら第１の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第１の洗浄部と、
   専ら第２の処理部側搬送機構によって基板が搬送される第２の洗浄部と、
   を備えており、
   第１の洗浄部と、第１の処理部側搬送機構と、第２の処理部側搬送機構と、第２の洗浄部とは、インターフェイス部の前面に沿ってこの順番で並ぶように配置されている基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    第１の洗浄部は、
    露光処理前の基板を洗浄する露光前洗浄処理ユニットと、
    露光処理後の基板を洗浄する露光後洗浄処理ユニットと、
    を備え、
    第２の洗浄部は、
    露光処理前の基板を洗浄する露光前洗浄処理ユニットと、
    露光処理後の基板を洗浄する露光後洗浄処理ユニットと、
    を備え、
    第１の洗浄部が備える露光後洗浄処理ユニットは、第１の露光後加熱処理ユニットと略同じ高さ位置に配置され、
    第２の洗浄部が備える露光後洗浄処理ユニットは、第２の露光後加熱処理ユニットと略同じ高さ位置に配置され、
    第１の洗浄部が備える露光前洗浄処理ユニットと露光後洗浄処理ユニットは、上下に並ぶように配置され、
    第２の洗浄部が備える露光前洗浄処理ユニットと露光後洗浄処理ユニットは、上下に並ぶように配置される基板処理装置。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    処理部とインターフェイス部との間に配置され、第１および第２の処理部側搬送機構と、処理部とが互いに基板を受け渡すための処理部側載置部を備え、
    処理部側載置部は、第１および第２の処理部側搬送機構から略等距離の位置に配置されている基板処理装置。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    インターフェイス部は、第１および第２の処理部側搬送機構と、露光機側搬送機構とが互いに基板を受け渡すための中間載置部を備え、
    中間載置部は、第１および第２の処理部側搬送機構から略等距離の位置に配置されている基板処理装置。

Images