JP5758509B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、複数の処理ブロックを備えている。各処理ブロックには、複数の熱処理部、複数の薬液処理部および搬送機構が設けられている。各処理ブロック内においては、搬送機構により基板が熱処理部および薬液処理部に搬送される。そして、熱処理部および薬液処理部において基板に所定の処理が行われる。

特開２００３−３２４１３９号公報

ところで、基板処理装置のスループットを向上させるために、搬送機構による基板の搬送時間を短縮する方法が考えられる。しかしながら、搬送機構の基板の搬送速度は既に十分に速く設定されており、基板の搬送速度をさらに向上させることは困難である。

本発明の目的は、スループットを向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

［１］本発明
（１）第１の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において複数の基板を処理する基板処理方法であって、処理部の成膜装置において感光性材料からなる感光性膜を各基板上に形成する成膜処理を行うステップと、処理部に設けられた第１の搬送機構により成膜処理後の各基板を、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含む載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、受け渡し部に設けられた第２の搬送機構により載置バッファから成膜処理後の各基板を受け渡し部に取り出すステップと、載置バッファから受け渡し部に取り出された成膜処理後の各基板を露光装置に搬入するステップと、露光装置による露光処理後の各基板を露光装置から搬出するステップと、第２の搬送機構により露光処理後の各基板を載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、第１の搬送機構により載置バッファから露光処理後の各基板を処理部に取り出すステップと、載置バッファから処理部に取り出された露光処理後の各基板を第１の搬送機構により処理部の現像装置に搬送するステップと、現像装置において露光処理後の各基板に現像処理を行うステップと、処理部から受け渡し部を経由して露光装置へ各基板が搬送される過程で、露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、載置バッファで各基板を待機させるステップと、露光装置から受け渡し部を経由して現像装置へ各基板が搬送される過程で、現像装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、載置バッファで各基板を待機させるステップとを含む。

この方法によれば、処理部から受け渡し部を経由して露光装置へ各基板が搬送される過程、および露光装置から受け渡し部を経由して現像装置へ各基板が搬送される過程において、載置バッファで基板を待機させることができる。それにより、基板の搬送ペースを容易に調整することができる。したがって、基板処理装置のスループットを向上させることができる。

（２）処理部は、階層的に設けられた上段処理室および下段処理室を含み、載置バッファは、複数の基板を上下に支持する複数の支持部をそれぞれ含む上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファを含み、第１の搬送機構は、上段処理室に設けられる第１の搬送装置および下段処理室に設けられる第２の搬送装置を含み、成膜処理後の各基板を載置バッファに搬入するステップは、第１の搬送装置により成膜処理後の基板を上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、第２の搬送装置により成膜処理後の基板を下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップとを含み、載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出すステップは、第２の搬送機構により上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファから交互に成膜処理後の基板を取り出すことを含み、露光処理後の各基板を載置バッファに搬入するステップは、第２の搬送機構により露光処理後の基板を上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部および下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に交互に搬入することを含み、載置バッファから露光処理後の各基板を取り出すステップは、第１の搬送装置により上段処理室用載置バッファから露光処理後の基板を上段処理室に取り出すステップと、第２の搬送装置により下段処理室用載置バッファから露光処理後の基板を下段処理室に取り出すステップとを含んでもよい。

（３）基板処理装置は、搬入搬出部をさらに含み、方法は、搬入搬出部に設けられた第３の搬送機構により、搬入搬出部の容器載置台上に載置された収容容器から基板を取り出すステップと、収容容器から取り出された基板を上段処理室および下段処理室に交互に搬送するステップとをさらに備え、載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出すステップは、上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファから取り出される複数の基板の順序を収容容器から取り出される複数の基板の順序と一致させることを含んでもよい。

（４）載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出すステップは、第２の搬送機構の第３の搬送装置により載置バッファから成膜処理後の基板を取り出すことを含み、露光処理後の各基板を載置バッファに搬入するステップは、第２の搬送機構の第４の搬送装置により露光処理後の基板を載置バッファに搬入することを含んでもよい。

（５）成膜処理後の各基板を載置バッファに搬入するステップは、第１の搬送機構により成膜処理後の基板を第１の方向において搬送することを含み、載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出すステップは、第３の搬送装置により成膜処理後の基板を水平面内で第１の方向から一方側に傾斜した第２の方向において搬送することを含み、露光処理後の各基板を載置バッファに搬入するステップは、第４の搬送装置により露光処理後の基板を水平面内で第１の方向から他方側に傾斜した第３の方向において搬送することを含み、載置バッファから露光処理後の各基板を取り出すステップは、第１の搬送機構により露光処理後の基板を第１の方向において搬送することを含んでもよい。

（６）載置バッファは、上下方向に延びる一対のフレームをさらに含み、複数の支持部は、上下方向に重なるように一対のフレームにそれぞれ取り付けられ、成膜処理後の各基板を載置バッファに搬入するステップは、第１の搬送機構により一対のフレームの間を通して成膜処理後の基板を搬送するステップと、第１の搬送機構によりいずれかの支持部に成膜処理後の基板を載置するステップとを含み、載置バッファから露光処理後の各基板を取り出すステップは、第１の搬送機構によりいずれかの支持部に載置された露光処理後の基板を受け取るステップと、受け取った露光処理後の基板を第１の搬送機構により一対のフレームの間を通して搬送するステップとを含んでもよい。

（７）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う受け渡し部と、処理部と受け渡し部との間に配置され、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含む載置バッファと、処理部および受け渡し部を制御する制御部とを備え、処理部は、感光性材料からなる感光性膜を基板上に形成する成膜処理を行う成膜装置と、露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像装置と、成膜装置による成膜処理後であって露光装置による露光処理前の基板を載置バッファのいずれかの支持部上に載置し、露光装置による露光処理後であって現像装置による現像処理前の基板を載置バッファのいずれかの支持部上から受け取り、載置バッファから受け取った露光処理後の基板を現像装置に搬送する第１の搬送機構とを含み、受け渡し部は、成膜装置による成膜処理後であって露光装置による露光処理前の基板を載置バッファのいずれかの支持部上から受け取り、露光装置による露光処理後であって現像装置による現像処理前の基板を載置バッファのいずれかの支持部上に載置する第２の搬送機構を含み、制御部は、処理部から受け渡し部を経由して露光装置へ各基板が搬送される過程で、露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、載置バッファで各基板を待機させ、露光装置から受け渡し部を経由して現像装置へ各基板が搬送される過程で、現像装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、載置バッファで各基板を待機させるように、第１および第２の搬送機構を制御する。

この基板処理装置においては、処理部から受け渡し部を経由して露光装置へ各基板が搬送される過程、および露光装置から受け渡し部を経由して現像装置へ各基板が搬送される過程において、載置バッファで基板を待機させることができる。それにより、基板の搬送ペースを容易に調整することができる。したがって、基板処理装置のスループットを向上させることができる。

（８）受け渡し部は、基板に処理を行うための第１および第２の処理領域を含み、第１の搬送機構は、載置バッファに対して基板を保持しつつ搬送するように構成された第１の基板保持部を有し、第２の搬送機構は、基板を保持しつつ載置バッファから搬出しかつ第１の処理領域に対して搬送するように構成された第２の基板保持部と、基板を保持しつつ第２の処理領域に対して搬送しかつ載置バッファに搬入するように構成された第３の基板保持部とを有し、第１の基板保持部は、第１の方向において載置バッファに進退可能に構成され、第２の基板保持部は、水平面内で第１の方向から一方側に傾斜した第２の方向において載置バッファに進退可能に構成され、第３の基板保持部は、水平面内で第１の方向から他方側に傾斜した第３の方向において載置バッファに進退可能に構成されてもよい。

（９）受け渡し部は、基板に処理を行うための処理用ブロックと、露光装置に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出用ブロックと、処理用ブロックと搬入搬出用ブロックとの間に配置され、基板を載置するための載置部とを含み、第１および第２の処理領域ならびに第２および第３の基板保持部は処理用ブロックに設けられ、第２の搬送機構は、搬入搬出用ブロックに設けられ、基板を保持しつつ載置部および露光装置の間で搬送可能に構成された第４の基板保持部をさらに含み、処理部、処理用ブロックおよび搬入搬出用ブロックは第１の方向に並ぶように配置され、載置バッファおよび載置部は第１の方向に沿って配列され、第１および第２の処理領域とは載置バッファと載置部とを結ぶ線に関してそれぞれ一方側および他方側に配置され、第２および第３の基板保持部は載置バッファと載置部とを結ぶ線に関してそれぞれ一方側および他方側に配置されてもよい。
［２］参考形態
（１）参考形態に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う受け渡し部と、処理部と受け渡し部との間に配置され、基板を載置するための第１の載置部とを備え、受け渡し部は、基板に処理を行うための第１および第２の処理領域と、第１の載置部、第１の処理領域および露光装置の間で基板を搬送可能に構成された第１の基板搬送機構と、第１の載置部、第２の処理領域および露光装置の間で基板を搬送可能に構成された第２の基板搬送機構とを含むものである。

その基板処理装置においては、処理部において基板に所定の処理が行われた後、その基板が第１の載置部を介して受け渡し部に搬送される。そして、受け渡し部から露光装置に基板が搬入される。露光装置における露光処理後の基板は、受け渡し部に搬出される。受け渡し部の第１および第２の処理領域においては、露光処理前の基板および露光処理後の基板の少なくとも一方に対して所定の処理が行われる。

この場合、第１の基板搬送機構により、第１の載置部、第１の処理領域および露光装置の間で基板を搬送することができる。また、第２の基板搬送機構により、第１の載置部、第２の処理領域および露光装置の間で基板を搬送することができる。それにより、受け渡し部における基板の搬送経路の選択肢が多様化される。

したがって、処理部ならびに第１および第２の処理領域における基板の処理内容に応じて最適な経路で基板を搬送することが可能となる。それにより、基板の搬送効率を向上させることが可能となり、スループットを向上させることができる。

（２）第１および第２の処理領域は、露光処理前の基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニット、および露光処理後の基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットの少なくとも一方をそれぞれ含んでもよい。

この場合、洗浄処理ユニットによって露光処理前の基板の洗浄処理が行われることにより、露光装置内の汚染が防止される。

また、乾燥処理ユニットによって露光処理後の基板の乾燥処理が行われることにより、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することが防止される。また、基板に付着した液体中に基板上の成分が溶出すること、および基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。

（３）第１の基板搬送機構は露光処理前の基板を搬送し、第２の基板搬送機構は露光処理後の基板を搬送してもよい。

この場合、受け渡し部において露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保される。それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることができる。

また、受け渡し部において、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが間接的に接触することがない。したがって、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間のクロスコンタミネーション（相互汚染）を防止することができる。

（４）第１の載置部は、複数枚の基板を載置可能に構成されてもよい。

この場合、一時的に第１の載置部に基板を収容することにより、基板の搬送ペースを容易に調整することができる。

（５）受け渡し部は、基板に処理を行うための処理用ブロックと、露光装置に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出用ブロックと、処理用ブロックと搬入搬出用ブロックとの間に配置され、基板を載置するための第２の載置部とを含み、第１および第２の処理領域は、処理用ブロックに設けられ、第１の基板搬送機構は、処理用ブロックに設けられ、基板を保持しつつ第１の載置部、第１の処理領域および第２の載置部の間で搬送可能に構成された第１の基板保持部と、搬入搬出用ブロックに設けられ、基板を保持しつつ第２の載置部および露光装置の間で搬送可能に構成された第２の基板保持部とを含み、第２の基板搬送機構は、処理用ブロックにおいて、基板を保持しつつ第１の載置部、第２の処理領域および第２の載置部の間で搬送可能に構成された第３の基板保持部と、搬入搬出用ブロックに設けられ、基板を保持しつつ第２の載置部および露光装置の間で搬送可能に構成された第４の基板保持部とを含んでもよい。

この場合、処理用ブロックにおいて、第１の基板保持部により第１の載置部、第１の処理領域および第２の載置部の間で基板を保持しつつ搬送することができ、第３の基板保持部により第１の載置部、第２の処理領域および第２の載置部の間で基板を保持しつつ搬送することができる。また、搬入搬出用ブロックにおいて、第２および第４の基板保持部により第２の載置部および露光装置の間で基板を保持しつつ搬送することができる。

それにより、処理用ブロックにおいて基板の搬送経路の選択肢が多様化される。また、搬入搬出用ブロックにおいて簡単な動作で露光装置に対する基板の搬入および搬出を行うことができる。したがって、処理用ブロックにおける基板の搬送経路を最適化することにより、容易に基板の搬送効率を向上させることができる。

（６）第１の基板搬送機構は、処理用ブロックに設けられ、第１の基板保持部を有する第１の搬送装置と、処理用ブロックに設けられ、第３の基板保持部を有する第２の搬送装置とを含み、処理部、処理用ブロック、搬入搬出用ブロックおよび露光装置は第１の方向に沿って並設され、第１および第２の処理領域および第１および第２の搬送装置は、処理用ブロックにおいて第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、第１および第２の処理領域の間に第１および第２の搬送装置が配置され、第１の搬送装置が第１の処理領域側に配置されるとともに第２の搬送装置が第２の処理領域側に配置されてもよい。

この場合、基板処理装置の大型化を抑制しつつ確実に受け渡し部における基板の搬送効率を向上させることが可能になる。

（７）処理部は、階層的に設けられた複数の処理室と、複数の処理室にそれぞれ設けられ、基板に液処理を行う複数の液処理ユニットと、階層的に設けられた複数の搬送室と、複数の搬送室にそれぞれ設けられ基板を搬送する複数の搬送室用搬送機構とを有してもよい。

この場合、複数の処理室の複数の液処理ユニットにおいて基板に液処理が行われる。また、液処理後の基板は複数の搬送室の複数の搬送室用搬送機構により搬送される。それにより、複数の液処理ユニットおよび複数の搬送室用搬送機構により、基板を並行して処理および搬送することができる。したがって、基板処理装置のスループットが向上する。

また、複数の処理室が階層的に設けられるとともに複数の搬送室が階層的に設けられることにより、基板処理装置のフットプリントを増加させることなく複数の液処理室および複数の搬送室を設けることができる。

（８）複数の処理室は第１の処理室群および第２の処理室群を含み、複数の搬送室は、第１の搬送室および第２の搬送室を含み、第１の搬送室は第１の処理室群に隣接して設けられ、第２の搬送室は第２の処理室群に隣接して設けられてもよい。

この場合、第１の処理室群において処理される基板を第１の搬送室内の搬送室用搬送機構により搬送し、第２の処理室群において処理される基板を第２の搬送室内の搬送室用搬送機構により搬送することができる。それにより、複数の基板を第１および第２の処理室群に円滑に分配することができるので、基板処理装置のスループットを十分に向上させることができる。

また、動作不良またはメンテナンス作業等により第１および第２の搬送室内の搬送室用搬送機構のうち一方の搬送室用搬送機構が停止されている場合でも、他方の搬送室用搬送機構およびその搬送室用搬送機構に対応する処理室群の液処理ユニットを用いて基板の搬送および処理を続行することができる。

さらに、動作不良またはメンテナンス作業等により第１および第２の処理室群のうち一方の処理室群の使用が停止されている場合でも、他方の処理室群の液処理ユニットおよびその処理室群に対応する搬送室用搬送機構を用いて基板の処理および搬送を続行することができる。

（９）第１の載置部は、第１の搬送室と受け渡し部との間に設けられる第１の搬送室用載置部と、第２の搬送室と受け渡し部との間に設けられる第２の搬送室用載置部とを含み、複数の搬送室用搬送機構は、第１の搬送室に設けられる第１の搬送室用搬送機構と、第２の搬送室に設けられる第２の搬送室用搬送機構とを含み、第１の搬送室用搬送機構は、第１の搬送室用載置部に基板を搬送可能に構成され、第２の搬送室用搬送機構は、第２の搬送室用載置部に基板を搬送可能に構成されてもよい。

この場合、第１の処理室群において処理される基板を第１の搬送室用搬送機構により第１の搬送室用載置部に搬送することができ、第２の処理室群において処理される基板を第２の搬送室用搬送機構により第２の搬送室用載置部に搬送することができる。また、第１および第２の基板搬送機構により第１および第２の搬送室用載置部と露光装置との間で基板を搬送することができる。その結果、第１および第２の処理室群、受け渡し部ならびに露光装置の間で円滑に基板を搬送することができる。

本発明によれば、スループットを向上させることができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 搬送機構を示す斜視図である。 洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 載置兼バッファ部の外観斜視図である。 載置兼バッファ部の側面図である。 載置兼バッファ部に対する基板Ｗの搬入および搬出動作について説明するための平面図である。 載置兼冷却部の外観斜視図である。 載置兼冷却部を＋Ｘ方向側から見た図である。 載置兼冷却部の模式的横断面図である。 載置兼冷却部に対する基板Ｗの搬入および搬出動作について説明するための模式的断面図である。 第１の変形例における洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 第２の変形例における洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 第３の変形例における洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。

ここで、搬入搬出ブロック１４Ｂは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに対して＋Ｙ方向および−Ｙ方向に移動可能に設けられる。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１４Ｂを＋Ｙ方向または−Ｙ方向に移動させることにより、作業スペースを確保することができる。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂは、他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。

なお、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａでは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２において多量の液体（例えば洗浄液およびリンス液）を用いる。そのため、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、液体を供給するための用力設備に確実に接続する必要がある。一方、搬入搬出ブロック１４Ｂでは、液体をほとんど使用しない。そのため、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に簡易的に接続することができる。すなわち、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に対する切り離しおよび再接続を容易に行うことができる。

これらにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時に、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを移動させずに搬入搬出ブロック１４Ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

なお、図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのカップ３７を有するが、塗布処理ユニット１２９が３つのカップ２７を有してもよく、または現像処理ユニット１３９が２つのカップ３７を有してもよい。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

なお、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面の反対側の面をいう。

図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。

また、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。

（３）熱処理部の構成
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

また、洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図４は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。図５は、搬送部１２２，１３２，１６３を−Ｙ方向側から見た図である。

図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

なお、図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。

また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

これにより、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５，４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図５）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図５に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図７に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。

搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。

また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による
基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処
理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、現像処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図３）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０１（図４）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に載置する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、現像処理室３１における基板Ｗの現像処理の前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に現像処理を行うことが可能であれば、現像処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図５および図７を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図７）は、搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。

このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに交互に搬送する。

ここで、キャリア１１３（図５）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図５）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。

また、搬送機構１２７（図５）の動作速度と搬送機構１２８（図５）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図３）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図５）の動作速度と搬送機構１３８（図５）の動作速度とは略等しい。

したがって、上記のように、搬送機構１４１（図７）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図５）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

次に、搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。

このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図５）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。

ここで、上述したように、搬送機構１４１（図７）によって載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図５）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２（図７）により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図７）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図５）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。

（７）載置兼バッファ部の詳細
次に、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２の詳細な構成について説明する。図８および図９は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１の外観斜視図および側面図である。図１０は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に対する基板Ｗの搬入および搬出動作について説明するための平面図である。なお、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２の構成は、図８〜図１０に示す載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１の構成と同様である。

図８および図９に示すように、第２の処理ブロック１３（図１）と洗浄乾燥処理ブロック１４Ａとの境界部分には、上下方向（Ｚ方向）に延びるフレーム９１１，９１２が設けられている。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、上下方向に延びる一対の固定部材９１および複数の支持板９２を有する。フレーム９１１，９１２に一対の固定部材９１がそれぞれ取り付けられる。

各固定部材９１には、横方向（Ｘ方向）に突出する複数の凸部９２１が上下方向に一定の間隔で設けられる。一方の固定部材９１の凸部９２１の上面および下面に複数の支持板９２の一端部がそれぞれ固定され、他方の固定部材９１の凸部９２１の上面および下面に複数の支持板９２の他端部がそれぞれ固定される。これにより、複数の支持板９２が水平姿勢で上下方向に等間隔で配置される。

各支持板９２の上面には、複数（本例では３つ）の支持ピン９３が設けられている。各支持板９２上において、複数の支持ピン９３により基板Ｗが支持される。これにより、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１には、複数の基板Ｗを収容することができる。

図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１，Ｈ２、搬送機構１４１（図７）のハンドＨ３，Ｈ４および搬送機構１４２（図７）のハンドＨ５，Ｈ６はそれぞれ略Ｕ字形状を有する。

それにより、搬送機構１３７，１４１，１４２のハンドＨ１〜Ｈ６は、フレーム９１１，９１２および支持ピン９３に干渉することなく、支持ピン９３上への基板Ｗの載置および支持ピン９３上からの基板Ｗの受け取りを行うことができる。

このように、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７，１４１，１４２による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。同様に、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８，１４１，１４２による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２と同様の構成であってもよい。

（８）載置兼冷却部の詳細
次に、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの詳細な構成について説明する。図１１は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの外観斜視図であり、図１２は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰを＋Ｘ方向側から見た図であり、図１３は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの模式的横断面図である。図１４は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対する基板Ｗの搬入および搬出動作について説明するための模式的断面図である。図１１および図１２には、上下に積層された３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが示される。

図１１に示すように、各載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、筐体９５を有する。筐体９５は、上面部９５ａ、下面部９５ｂ、前面部９５ｃ、後面部９５ｄおよび側面部９５ｅ，９５ｆを有する。上面部９５ａおよび下面部９５ｂはＸＹ平面に平行であり、前面部９５ｃおよび後面部９５ｄはＹＺ平面に平行である。

側面部９５ｅ，９５ｆは、後面部９５ｄの両端部からＸＺ平面に沿ってそれぞれ延び、互いに近づくように内側に折曲して前面部９５ｃの両端部に一体化する。

側面部９５ｅには、横方向に延びる基板搬入口９５１が形成され、側面部９５ｆには、横方向に延びる基板搬入口９５２（後述の図１３参照）が形成される。図１２に示すように、後面部９５ｄには、横方向（Ｙ方向）に延びる基板搬出口９５３が形成される。

図１３に示すように、各筐体９５の内部には、クーリングプレート９５４が設けられる。クーリングプレート９５４は、図示しない冷却機構によって冷却される。クーリングプレート９５４上には、複数（本例では３つ）の支持ピン９５５が設けられる。これらの支持ピン９５５上に基板Ｗが載置される。

なお、基板搬入口９５１，９５２および基板搬出口９５３を開閉するためのシャッタが設けられてもよい。

図１４（ａ）に示すように、搬送機構１４１（図７）のハンドＨ３，Ｈ４は、基板搬入口９５１から筐体９５内に進入し、支持ピン９５５上に基板Ｗを載置することができる。また、図１４（ｂ）に示すように、搬送機構１４２（図７）のハンドＨ５，Ｈ６は、基板搬入口９５２から筐体９５内に進入し、支持ピン９５５上に基板Ｗを載置することができる。

また、図１４（ｃ）に示すように、搬送機構１４６（図５）のハンドＨ７，Ｈ８は、基板搬出口９５３から筐体９５内に進入し、支持ピン９５５上の基板Ｗを保持して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから搬出することができる。

このように、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２，１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

本実施の形態では、上記のように、搬送機構１４１のハンドＨ４により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが搬入される。支持ピン９５５上に載置された基板Ｗは、クーリングプレート９５４によって露光処理に適した温度に冷却される。その後、搬送機構１４６（図１）のハンドＨ７により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから冷却処理後の基板Ｗが搬出される。

（９）本実施の形態の効果
（９−１）
本実施の形態では、第１および第２の処理ブロック１２，１３からインターフェイスブロック１４を経由して露光装置１５へ各基板Ｗが搬送される過程、および露光装置１５からインターフェイスブロック１４を経由して現像処理ユニット１３９へ各基板Ｗが搬送される過程において、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に基板Ｗを収容することにより基板Ｗを待機させることができる。それにより、基板Ｗの搬送ペースを容易に調整することができる。したがって、基板処理装置１００のスループットを向上させることができる。

（９−２）
本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができ、搬送機構１４２が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６２、熱処理部１３３および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができる。

これにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおける基板Ｗの搬送経路の選択肢が多様化される。したがって、第１および第２の処理ブロック１２，１３および洗浄乾燥処理部１６１，１６２における基板Ｗの処理内容に応じて最適な経路で基板を搬送することが可能になる。その結果、基板Ｗの搬送効率を向上させることが可能となり、スループットを向上させることができる。

（９−３）
本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、露光処理前の基板Ｗが搬送機構１４１により搬送され、露光処理後の基板Ｗが搬送機構１４２により搬送される。また、搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗが搬送機構１４６のハンドＨ７により搬送され、露光処理後の基板Ｗが搬送機構１４６のハンドＨ８により搬送される。

このように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。この場合、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とが交錯する場合に比べて、搬送機構１４１，１４２，１４６の動作が簡略化される。それにより、基板Ｗの搬送効率が向上し、スループットを向上させることが可能になる。

（９−４）
また、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、露光処理前の基板Ｗは、搬送機構１４１により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送され、露光処理後の基板Ｗは、搬送機構１４２により基板載置部ＰＡＳＳ９から洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４に搬送される。また、搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗは、搬送機構１４６のハンドＨ７により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから露光装置１５に搬送され、露光処理後の基板Ｗは搬送機構１４６のハンドＨ８により露光装置１５から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。

これにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが間接的に接触することがない。したがって、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーション（相互汚染）を防止することができる。

（９−５）
また、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Ｗを円滑に第２の処理ブロック１３の熱処理ユニットＰＨＰに搬送することができる。

それにより、露光処理後、迅速に基板ＷのＰＥＢ処理を行うことができる。その結果、速やかにレジスト膜内の化学反応を促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。また、複数の基板Ｗを連続的に処理する場合に、露光処理からＰＥＢ処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。

（９−６）
また、搬送機構１３７，１４１，１４２が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に対して基板Ｗの搬入および搬出を行うことが可能であり、搬送機構１３８，１４１，１４２が載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に対して基板Ｗの搬入および搬出を行うことが可能である。これにより、露光処理前後における種々のタイミングで基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に収容することができる。その結果、搬送機構１３７，１３８，１４１，１４２による基板Ｗの搬送タイミングを容易に調整することができる。

さらに、搬送機構１４１，１４２，１４６が基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して基板Ｗの搬入および搬出を行うことが可能である。この場合、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して、それぞれ３方向からの基板Ｗの搬入および搬出が可能であることにより、基板Ｗの搬送経路の変更を容易に行うことが可能となる。

（９−７）
また、第１および第２の処理ブロック１２，１３において、上段の処理部（塗布処理室２１，２２，３２および現像処理室３１（図２）、上段搬送室１２５，１３５（図５）および上段熱処理部３０１，３０３（図３））および下段の処理部（塗布処理室２３，２４，３４および現像処理室３３（図２）、下段搬送室１２６，１３６（図５）、および下段熱処理部３０２，３０４（図３））において複数の基板Ｗの処理を並行して進めることができる。

それにより、搬送機構１２７,１２８，１３７，１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１および第２の処理ブロック１２，１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８，１３７，１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（９−８）
また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の上段の処理部および下段の処理部が等しい構成を有する。それにより、上段の処理部および下段の処理部の一方において故障等が発生した場合でも、他方の処理部を用いて基板Ｗの処理を続行することができる。その結果、基板処理装置１００の汎用性が向上する。

（９−９）
また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理が行われることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１５において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１５内の汚染が防止される。

（９−１０）
また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、洗浄処理後の基板Ｗに乾燥処理が行われることにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した液体が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１５内の汚染を確実に防止することができる。

（９−１１）
また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われることにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置１００内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置１００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置１００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置１００内の温湿度調整が容易になる。

（９−１２）
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が搬送機構１１６，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１５内の汚染を防止することができる。

また、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理室３１，３３へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した液体中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

（１０）変形例
次に、上記実施の形態の変形例について説明する。

（１０−１）第１の変形例
第１の変形例について、上記実施の形態と異なる点を説明する。図１５は、第１の変形例における洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図１５は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図１５に示すように、第１の変形例では、洗浄乾燥処理部１６１，１６２の両方に複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。

図１５の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおける基板Ｗの搬送経路の一例について、図５および図１５を主に用いて説明する。

搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板Ｗは、搬送機構１４１（図１５）により洗浄乾燥処理部１６１の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送される。洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４１により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される。

また、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗは、搬送機構１４２（図１５）により洗浄乾燥処理部１６２の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送される。洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４２により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される。

搬送機構１４６（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗは、搬送機構１４２（図１５）により上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰおよび下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰに搬送される。

このように、第１の変形例においては、洗浄乾燥処理部１６１，１６２の両方で露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。それにより、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理の効率が向上する。したがって、露光処理後の洗浄および乾燥処理を行う必要がない場合において、より迅速に多量の基板Ｗを処理することが可能になる。

なお、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理時には、上記のように、基板Ｗの裏面および端部の洗浄処理を行うことがある。その場合、処理時間が長くなり、スループットが低下する。

そこで、本例のように、洗浄乾燥処理部１６１，１６２の両方で露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことにより、処理時間の増加によるスループットの低下を抑制することができる。

また、第１の変形例において、搬送機構１４２による露光処理前の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ５，Ｈ６の一方が用いられ、搬送機構１４２による露光処理後の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ５，Ｈ６の他方が用いられてもよい。この場合、搬送機構１４２を介して露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが間接的に接触することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーションを防止することができる。

（１０−２）第２の変形例
第２の変形例について、上記実施の形態と異なる点を説明する。図１６は、第２の変形例における洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図１６は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図１６に示すように、第２の変形例では、洗浄乾燥処理部１６１，１６２の両方に複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。

図１６の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおける基板Ｗの搬送経路の一例について、図５および図１６を主に用いて説明する。

搬送機構１３７，１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗは、搬送機構１４１，１４２（図１６）により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される。

搬送機構１４６（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗは、搬送機構１４１（図１６）により洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬送される、または搬送機構１４２により洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬送される。

洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４１により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に搬送される。基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送された基板Ｗは、搬送機構１４２（図１６）により上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰまたは下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰに搬送される。

洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４２により上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰに搬送される。

このように、第２の変形例においては、洗浄乾燥処理部１６１，１６２の両方で露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。それにより、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理の効率が向上する。したがって、露光処理前の洗浄および乾燥処理を行う必要がない場合において、より迅速に多量の基板Ｗを処理することが可能になる。

また、第２の変形例において、搬送機構１４１による露光処理前の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ３，Ｈ４の一方が用いられ、搬送機構１４１による露光処理後の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ３，Ｈ４の他方が用いられ、搬送機構１４２による露光処理前の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ５，Ｈ６の一方が用いられ、搬送機構１４２による露光処理後の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ５，Ｈ６の他方が用いられてもよい。この場合、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが搬送機構１４１，１４２を介して間接的に接触することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーションを防止することができる。

（１０−３）第３の変形例
第３の変形例について、上記実施の形態と異なる点を説明する。図１７は、第３の変形例における洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図１７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図１７に示すように、第３の変形例では、洗浄乾燥処理部１６１に複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられ，洗浄乾燥処理部１６２に１または複数（本例では１つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１および複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。

この洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおける基板Ｗの搬送経路の一例について、図５および図１７を主に用いて説明する。

搬送機構１３７，１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗは、搬送機構１４１により（図１７）洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送される、または搬送機構１４２により洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送される。

洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４１により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される。また、洗浄乾燥処理部１６２（図１７）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４２により載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される。

搬送機構１４６（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗは、搬送機構１４２（図１７）により洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬送される。洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送機構１４２により上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１７）に搬送される。

このように、第３の変形例においては、洗浄乾燥処理部１６１，１６２の両方で露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われるとともに、洗浄乾燥処理部１６２で露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

上記のように、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理時に基板Ｗの裏面および端部の洗浄処理を行う場合、その処理時間が長くなる。それにより、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理に要する時間が、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理に要する時間よりも長くなる。そこで、本例のように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の数を洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２の数よりも多くすることにより、効率よく露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことができる。

また、基板Ｗの裏面および端部の洗浄処理を行うための機構を洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に設けると、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が大型化する。そのため、多くの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１を洗浄乾燥処理部１６１に設置することができなくなる。そこで、洗浄乾燥処理部１６２にも洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１を設けることにより、十分な数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１を確保することができる。

また、第３の変形例において、搬送機構１４２による露光処理前の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ５，Ｈ６の一方が用いられ、搬送機構１４２による露光処理後の基板Ｗの搬送時にはハンドＨ５，Ｈ６の他方が用いられてもよい。この場合、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが搬送機構１４２を介して間接的に接触することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーションを防止することができる。

（１０−４）他の変形例
洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の代わりに他のユニットが設けられてもよい。例えば、露光処理の前後における基板Ｗの端部の汚染の有無を検査するためのユニットが設けられてもよく、または露光処理の前後における基板Ｗ上の膜の状態を検査するためのユニットが設けられてもよい。

（１１）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、第１および第２の処理ブロック１２，１３が処理部の例であり、インターフェイスブロック１４が受け渡し部の例であり、塗布処理ユニット１２９が成膜装置の例であり、搬送機構１３７，１３８が第１の搬送機構の例であり、搬送機構１４１，１４２が第２の搬送機構の例であり、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が載置バッファの例であり、支持ピン９３が支持部の例であり、現像処理ユニット１３９が現像装置の例であり、制御部１１４が制御部の例であり、塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段搬送室１２５，１３５が上段処理室の例であり、塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段搬送室１２６，１３６が下段処理室の例であり、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が上段処理室用載置バッファの例であり、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が下段処理室用載置バッファの例であり、搬送機構１３７が第１の搬送装置の例であり、搬送機構１３８が第２の搬送装置の例である。

また、インデクサブロック１１が搬入搬出部の例であり、搬送機構１１５が第３の搬送機構の例であり、キャリア載置部１１１が容器載置部の例であり、キャリア１１３が収容容器の例であり、搬送機構１４１が第３の搬送装置の例であり、搬送機構１４２が第４の搬送装置の例であり、Ｘ方向が第１の方向の例であり、フレーム９１１，９１２が一対のフレームの例である。

また、搬送機構１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２が第１の基板保持部の例であり、搬送機構１４１のハンドＨ３，Ｈ４が第２の基板保持部の例であり、搬送機構１４２のハンドＨ５，Ｈ６が第３の基板保持部の例であり、搬送機構１４６のハンドＨ７，Ｈ８が第４の基板保持部の例であり、洗浄乾燥処理部１６１が第１の処理領域の例であり、洗浄乾燥処理部１６２が第２の処理領域の例であり、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａが処理用ブロックの例であり、搬入搬出ブロック１４Ｂが搬入搬出用ブロックの例であり、基板載置部ＰＡＳＳ９が載置部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１００ 基板処理装置
１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において複数の基板を処理する基板処理方法であって、
   前記処理部の成膜装置において感光性材料からなる感光性膜を各基板上に形成する成膜処理を行うステップと、
   前記処理部に設けられた第１の搬送機構により成膜処理後の各基板を、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含む載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、
   前記受け渡し部に設けられた第２の搬送機構により前記載置バッファから成膜処理後の各基板を前記受け渡し部に取り出すステップと、
   前記載置バッファから前記受け渡し部に取り出された成膜処理後の各基板を前記露光装置に搬入するステップと、
   前記露光装置による露光処理後の各基板を前記露光装置から搬出するステップと、
   前記第２の搬送機構により露光処理後の各基板を前記載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、
   前記第１の搬送機構により前記載置バッファから露光処理後の各基板を前記処理部に取り出すステップと、
   前記載置バッファから前記処理部に取り出された露光処理後の各基板を前記第１の搬送機構により前記処理部の現像装置に搬送するステップと、
   前記現像装置において露光処理後の各基板に現像処理を行うステップと、
   前記処理部から前記受け渡し部を経由して前記露光装置へ各基板が搬送される過程で、前記露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、前記載置バッファで各基板を待機させるステップと、
   前記露光装置から前記受け渡し部を経由して前記現像装置へ各基板が搬送される過程で、前記現像装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、前記載置バッファで各基板を待機させるステップとを含む、基板処理方法。
2. 前記処理部は、階層的に設けられた上段処理室および下段処理室を含み、
   前記載置バッファは、複数の基板を上下に支持する複数の支持部をそれぞれ含む上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファを含み、
   前記第１の搬送機構は、前記上段処理室に設けられる第１の搬送装置および前記下段処理室に設けられる第２の搬送装置を含み、
   成膜処理後の各基板を前記載置バッファに搬入する前記ステップは、
   前記第１の搬送装置により成膜処理後の基板を前記上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、
   前記第２の搬送装置により成膜処理後の基板を前記下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップとを含み、
   前記載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出す前記ステップは、前記第２の搬送機構により前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから交互に成膜処理後の基板を取り出すことを含み、
   露光処理後の各基板を前記載置バッファに搬入する前記ステップは、前記第２の搬送機構により露光処理後の基板を前記上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部および前記下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に交互に搬入することを含み、
   前記載置バッファから露光処理後の各基板を取り出す前記ステップは、
   前記第１の搬送装置により上段処理室用載置バッファから露光処理後の基板を前記上段処理室に取り出すステップと、
   前記第２の搬送装置により下段処理室用載置バッファから露光処理後の基板を前記下段処理室に取り出すステップとを含む、請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記基板処理装置は、搬入搬出部をさらに含み、
   前記方法は、
   前記搬入搬出部に設けられた第３の搬送機構により、前記搬入搬出部の容器載置部上に載置された収容容器から基板を取り出すステップと、
   前記収容容器から取り出された基板を前記上段処理室および前記下段処理室に交互に搬送するステップとをさらに備え、
   前記載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出す前記ステップは、前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから取り出される複数の基板の順序を前記収容容器から取り出される複数の基板の順序と一致させることを含む、請求項２記載の基板処理方法。
4. 前記載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出す前記ステップは、前記第２の搬送機構の第３の搬送装置により前記載置バッファから成膜処理後の基板を取り出すことを含み、
   露光処理後の各基板を前記載置バッファに搬入する前記ステップは、前記第２の搬送機構の第４の搬送装置により露光処理後の基板を前記載置バッファに搬入することを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 成膜処理後の各基板を前記載置バッファに搬入する前記ステップは、前記第１の搬送機構により成膜処理後の基板を第１の方向において搬送することを含み、
   前記載置バッファから成膜処理後の各基板を取り出す前記ステップは、前記第３の搬送装置により成膜処理後の基板を水平面内で前記第１の方向から一方側に傾斜した第２の方向において搬送することを含み、
   露光処理後の各基板を前記載置バッファに搬入する前記ステップは、前記第４の搬送装置により露光処理後の基板を水平面内で前記第１の方向から他方側に傾斜した第３の方向において搬送することを含み、
   前記載置バッファから露光処理後の各基板を取り出す前記ステップは、前記第１の搬送機構により露光処理後の基板を前記第１の方向において搬送することを含む、請求項４記載の基板処理方法。
6. 前記載置バッファは、上下方向に延びる一対のフレームをさらに含み、
   前記複数の支持部は、上下方向に重なるように前記一対のフレームにそれぞれ取り付けられ、
   成膜処理後の各基板を前記載置バッファに搬入する前記ステップは、
   前記第１の搬送機構により前記一対のフレームの間を通して成膜処理後の基板を搬送するステップと、
   前記第１の搬送機構により前記いずれかの支持部に成膜処理後の基板を載置するステップとを含み、
   前記載置バッファから露光処理後の各基板を取り出す前記ステップは、
   前記第１の搬送機構により前記いずれかの支持部に載置された露光処理後の基板を受け取るステップと、
   受け取った露光処理後の基板を前記第１の搬送機構により前記一対のフレームの間を通して搬送するステップとを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行う処理部と、
   前記処理部と前記露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う受け渡し部と、
   前記処理部と前記受け渡し部との間に配置され、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含む載置バッファと、
   前記処理部および前記受け渡し部を制御する制御部とを備え、
   前記処理部は、
   感光性材料からなる感光性膜を基板上に形成する成膜処理を行う成膜装置と、
   前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像装置と、
   前記成膜装置による成膜処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記載置バッファのいずれかの支持部上に載置し、前記露光装置による露光処理後であって前記現像装置による現像処理前の基板を前記載置バッファのいずれかの支持部上から受け取り、前記載置バッファから受け取った露光処理後の基板を前記現像装置に搬送する第１の搬送機構とを含み、
   前記受け渡し部は、
   前記成膜装置による成膜処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記載置バッファのいずれかの支持部上から受け取り、前記露光装置による露光処理後であって前記現像装置による現像処理前の基板を前記載置バッファのいずれかの支持部上に載置する第２の搬送機構を含み、
   前記制御部は、前記処理部から前記受け渡し部を経由して前記露光装置へ各基板が搬送される過程で、前記露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、前記載置バッファで各基板を待機させ、前記露光装置から前記受け渡し部を経由して前記現像装置へ各基板が搬送される過程で、前記現像装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、前記載置バッファで各基板を待機させるように、前記第１および第２の搬送機構を制御する、基板処理装置。
8. 前記受け渡し部は、基板に処理を行うための第１および第２の処理領域を含み、
   前記第１の搬送機構は、前記載置バッファに対して基板を保持しつつ搬送するように構成された第１の基板保持部を有し、
   前記第２の搬送機構は、
   基板を保持しつつ前記載置バッファから搬出しかつ前記第１の処理領域に対して搬送するように構成された第２の基板保持部と、
   基板を保持しつつ前記第２の処理領域に対して搬送しかつ前記載置バッファに搬入するように構成された第３の基板保持部とを有し、
   前記第１の基板保持部は、第１の方向において前記載置バッファに進退可能に構成され、
   前記第２の基板保持部は、水平面内で前記第１の方向から一方側に傾斜した第２の方向において前記載置バッファに進退可能に構成され、
   前記第３の基板保持部は、水平面内で前記第１の方向から他方側に傾斜した第３の方向において前記載置バッファに進退可能に構成される、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記受け渡し部は、
   基板に処理を行うための処理用ブロックと、
   前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出用ブロックと、
   前記処理用ブロックと前記搬入搬出用ブロックとの間に配置され、基板を載置するための載置部とを含み、
   前記第１および第２の処理領域ならびに前記第２および第３の基板保持部は前記処理用ブロックに設けられ、
   前記第２の搬送機構は、
   前記搬入搬出用ブロックに設けられ、基板を保持しつつ前記載置部および前記露光装置の間で搬送可能に構成された第４の基板保持部をさらに含み、
   前記処理部、前記処理用ブロックおよび前記搬入搬出用ブロックは前記第１の方向に並ぶように配置され、前記載置バッファおよび前記載置部は前記第１の方向に沿って配列され、
   前記第１および第２の処理領域とは前記載置バッファと前記載置部とを結ぶ線に関してそれぞれ前記一方側および前記他方側に配置され、前記第２および前記第３の基板保持部は前記載置バッファと前記載置部とを結ぶ線に関してそれぞれ前記一方側および前記他方側に配置される、請求項８記載の基板処理装置。

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