JP5852219B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
(1)第1の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において複数の基板を処理する基板処理方法であって、処理部、受け渡し部および露光装置は、この順で一方向に並ぶように配置され、処理部は、階層的に設けられた上段処理室および下段処理室を含み、処理部には、第1の搬送機構が設けられ、受け渡し部には、第2の搬送機構が設けられ、第1の搬送機構は、上段処理室において基板を搬送する第1の搬送装置と、下段処理室において基板を搬送する第2の搬送装置とを含み、第1の搬送装置と第2の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための上段処理室用載置バッファが設けられ、第2の搬送装置と第2の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための下段処理室用載置バッファが設けられ、上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファの各々は、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含み、基板処理方法は、処理部の成膜装置において感光性材料からなる感光性膜を各基板上に形成する成膜処理を行うステップと、第1の搬送装置により成膜処理後の基板を一方向に搬送して上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、第2の搬送装置により成膜処理後の基板を一方向に搬送して下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファの少なくとも一方で各基板を待機させるステップと、第2の搬送機構により上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファから交互に成膜処理後の各基板を受け渡し部に取り出すステップと、上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファから受け渡し部に取り出された成膜処理後の各基板を露光装置に搬入するステップと、露光装置による露光処理後の各基板を露光装置から搬出するステップと、露光処理後の各基板に処理部の現像装置において現像処理を行うステップとを含む。
(1)参考形態に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う受け渡し部と、処理部と受け渡し部との間に配置され、基板を載置するための第1の載置部とを備え、受け渡し部は、基板に処理を行うための第1および第2の処理領域と、第1の載置部、第1の処理領域および露光装置の間で基板を搬送可能に構成された第1の基板搬送機構と、第1の載置部、第2の処理領域および露光装置の間で基板を搬送可能に構成された第2の基板搬送機構とを含むものである。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
図2は、図1の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を+Y方向側から見た図である。
図3は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を−Y方向側から見た図である。
(4−1)概略構成
図4は、図1の塗布処理部121、搬送部122および熱処理部123を−X方向側から見た図である。図5は、搬送部122,132,163を−Y方向側から見た図である。
次に、搬送機構127について説明する。図6は、搬送機構127を示す斜視図である。
図7は、洗浄乾燥処理ブロック14Aの内部構成を示す図である。なお、図7は、洗浄乾燥処理ブロック14Aを+X方向側から見た図である。
以下、本実施の形態に係る基板処理装置100の各構成要素の動作について説明する。
以下、図1および図5を主に用いてインデクサブロック11の動作を説明する。
以下、図1〜図3および図5を主に用いて第1の処理ブロック12の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構127,128のX方向およびZ方向の移動の説明は省略する。
以下、図1〜図3および図5を主に用いて第2の処理ブロック13の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構137,138のX方向およびZ方向の移動の説明は省略する。
以下、図5および図7を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック14Aおよび搬入搬出ブロック14Bの動作について説明する。
次に、載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2の詳細な構成について説明する。図8および図9は、載置兼バッファ部P−BF1の外観斜視図および側面図である。図10は、載置兼バッファ部P−BF1に対する基板Wの搬入および搬出動作について説明するための平面図である。なお、載置兼バッファ部P−BF2の構成は、図8〜図10に示す載置兼バッファ部P−BF1の構成と同様である。
次に、載置兼冷却部P−CPの詳細な構成について説明する。図11は、載置兼冷却部P−CPの外観斜視図であり、図12は、載置兼冷却部P−CPを+X方向側から見た図であり、図13は、載置兼冷却部P−CPの模式的横断面図である。図14は、載置兼冷却部P−CPに対する基板Wの搬入および搬出動作について説明するための模式的断面図である。図11および図12には、上下に積層された3つの載置兼冷却部P−CPが示される。
(9−1)
本実施の形態では、第1および第2の処理ブロック12,13からインターフェイスブロック14を経由して露光装置15へ各基板Wが搬送される過程、および露光装置15からインターフェイスブロック14を経由して現像処理ユニット139へ各基板Wが搬送される過程において、載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2に一時的に基板Wを収容することにより基板Wを待機させることができる。それにより、基板Wの搬送ペースを容易に調整することができる。したがって、基板処理装置100のスループットを向上させることができる。
本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、搬送機構141が載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2、洗浄乾燥処理部161および載置兼冷却部P−CPの間で基板Wを搬送することができ、搬送機構142が載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2、洗浄乾燥処理部162、熱処理部133および載置兼冷却部P−CPの間で基板Wを搬送することができる。
本実施の形態では、洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、露光処理前の基板Wが搬送機構141により搬送され、露光処理後の基板Wが搬送機構142により搬送される。また、搬入搬出ブロック14Bにおいて、露光処理前の基板Wが搬送機構146のハンドH7により搬送され、露光処理後の基板Wが搬送機構146のハンドH8により搬送される。
また、洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、露光処理前の基板Wは、搬送機構141により載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2から洗浄乾燥処理部161を経由して載置兼冷却部P−CPに搬送され、露光処理後の基板Wは、搬送機構142により基板載置部PASS9から洗浄乾燥処理部162を経由して上段熱処理部303または下段熱処理部304に搬送される。また、搬入搬出ブロック14Bにおいて、露光処理前の基板Wは、搬送機構146のハンドH7により載置兼冷却部P−CPから露光装置15に搬送され、露光処理後の基板Wは搬送機構146のハンドH8により露光装置15から基板載置部PASS9に搬送される。
また、露光処理前の基板Wの搬送経路と露光処理後の基板Wの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Wを円滑に第2の処理ブロック13の熱処理ユニットPHPに搬送することができる。
また、搬送機構137,141,142が載置兼バッファ部P−BF1に対して基板Wの搬入および搬出を行うことが可能であり、搬送機構138,141,142が載置兼バッファ部P−BF2に対して基板Wの搬入および搬出を行うことが可能である。これにより、露光処理前後における種々のタイミングで基板Wを載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2に収容することができる。その結果、搬送機構137,138,141,142による基板Wの搬送タイミングを容易に調整することができる。
また、第1および第2の処理ブロック12,13において、上段の処理部(塗布処理室21,22,32および現像処理室31(図2)、上段搬送室125,135(図5)および上段熱処理部301,303(図3))および下段の処理部(塗布処理室23,24,34および現像処理室33(図2)、下段搬送室126,136(図5)、および下段熱処理部302,304(図3))において複数の基板Wの処理を並行して進めることができる。
また、第1および第2の処理ブロック12,13の上段の処理部および下段の処理部が等しい構成を有する。それにより、上段の処理部および下段の処理部の一方において故障等が発生した場合でも、他方の処理部を用いて基板Wの処理を続行することができる。その結果、基板処理装置100の汎用性が向上する。
また、洗浄乾燥処理ユニットSD1において、露光処理前の基板Wの洗浄処理が行われることにより、基板W上のレジストカバー膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。そのため、露光装置15において基板Wが液体と接触しても、基板W上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Wに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置15内の汚染が防止される。
また、洗浄乾燥処理ユニットSD1において、洗浄処理後の基板Wに乾燥処理が行われることにより、洗浄処理時に基板Wに付着した液体が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置15内の汚染を確実に防止することができる。
また、洗浄乾燥処理ユニットSD2において、露光処理後の基板Wの乾燥処理が行われることにより、露光処理時に基板Wに付着した液体が、基板処理装置100内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Wの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Wの汚染を防止することができる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が搬送機構116,127,128,137,138,141,142に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Wに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Wの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置15内の汚染を防止することができる。
次に、上記実施の形態の変形例について説明する。
第1の変形例について、上記実施の形態と異なる点を説明する。図15は、第1の変形例における洗浄乾燥処理ブロック14Aの内部構成を示す図である。なお、図15は、洗浄乾燥処理ブロック14Aを+X方向側から見た図である。
第2の変形例について、上記実施の形態と異なる点を説明する。図16は、第2の変形例における洗浄乾燥処理ブロック14Aの内部構成を示す図である。なお、図16は、洗浄乾燥処理ブロック14Aを+X方向側から見た図である。
第3の変形例について、上記実施の形態と異なる点を説明する。図17は、第3の変形例における洗浄乾燥処理ブロック14Aの内部構成を示す図である。なお、図17は、洗浄乾燥処理ブロック14Aを+X方向側から見た図である。
洗浄乾燥処理ユニットSD1,SD2の代わりに他のユニットが設けられてもよい。例えば、露光処理の前後における基板Wの端部の汚染の有無を検査するためのユニットが設けられてもよく、または露光処理の前後における基板W上の膜の状態を検査するためのユニットが設けられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
100 基板処理装置
127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
161,162 洗浄乾燥処理部
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
SD1,SD2 洗浄乾燥処理ユニット
W 基板
Claims (4)
- 露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において複数の基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理部、前記受け渡し部および前記露光装置は、この順で一方向に並ぶように配置され、
前記処理部は、階層的に設けられた上段処理室および下段処理室を含み、
前記処理部には、第1の搬送機構が設けられ、前記受け渡し部には、第2の搬送機構が設けられ、
前記第1の搬送機構は、前記上段処理室において基板を搬送する第1の搬送装置と、前記下段処理室において基板を搬送する第2の搬送装置とを含み、
前記第1の搬送装置と前記第2の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための上段処理室用載置バッファが設けられ、前記第2の搬送装置と前記第2の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための下段処理室用載置バッファが設けられ、
前記上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファの各々は、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含み、
前記基板処理方法は、
前記処理部の成膜装置において感光性材料からなる感光性膜を各基板上に形成する成膜処理を行うステップと、
前記第1の搬送装置により成膜処理後の基板を前記一方向に搬送して前記上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、
前記第2の搬送装置により成膜処理後の基板を前記一方向に搬送して前記下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に搬入するステップと、
前記露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファの少なくとも一方で各基板を待機させるステップと、
前記第2の搬送機構により前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから交互に成膜処理後の各基板を前記受け渡し部に取り出すステップと、
前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから前記受け渡し部に取り出された成膜処理後の各基板を前記露光装置に搬入するステップと、
前記露光装置による露光処理後の各基板を前記露光装置から搬出するステップと、
露光処理後の各基板に前記処理部の現像装置において現像処理を行うステップとを含む、基板処理方法。 - 前記受け渡し部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための基板載置部をさらに備え、
前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファは、前記一方向において前記基板載置部と並ぶように配置され、
成膜処理後の各基板を前記露光装置に搬入する前記ステップは、
前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから交互に前記受け渡し部に取り出された成膜処理後の各基板を前記第2の搬送機構により前記基板載置部に搬入するステップと、
前記基板載置部から成膜処理後の各基板を取り出すステップと、
前記基板載置部から取り出された成膜処理後の各基板を前記露光装置に搬入するステップとを含む、請求項1記載の基板処理方法。 - 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行う処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う受け渡し部と、
前記処理部および前記受け渡し部を制御する制御部とを備え、
前記処理部、前記受け渡し部および前記露光装置は、一方向に並ぶように配置され、
前記処理部は、
階層的に設けられた上段処理室および下段処理室と、
感光性材料からなる感光性膜を基板上に形成する成膜処理を行う成膜装置と、
前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像装置と、
前記成膜装置による成膜処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記一方向に搬送する第1の搬送機構とを含み、
前記第1の搬送機構は、前記上段処理室において基板を搬送する第1の搬送装置と、前記下段処理室において基板を搬送する第2の搬送装置とを含み、
前記受け渡し部は、第2の搬送機構を含み、
前記第1の搬送装置と前記第2の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための上段処理室用載置バッファが設けられ、前記第2の搬送装置と前記第2の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための下段処理室用載置バッファが設けられ、
前記上段処理室用載置バッファおよび下段処理室用載置バッファの各々は、複数の基板を上下に支持する複数の支持部を含み、
前記第1の搬送装置は、前記成膜装置による成膜処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板を搬送して前記上段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に載置し、
前記第2の搬送装置は、前記成膜装置による成膜処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板を搬送して前記下段処理室用載置バッファのいずれかの支持部に載置し、
前記制御部は、前記露光装置が各基板を受け入れることが可能なタイミングに基づいて、前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファの少なくとも一方で各基板を待機させ、前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから交互に成膜処理後の基板を取り出すように前記第2の搬送機構を制御する、基板処理装置。 - 前記受け渡し部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための基板載置部をさらに備え、
前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファは、前記一方向において前記基板載置部と並ぶように配置され、
前記第2の搬送機構は、前記上段処理室用載置バッファおよび前記下段処理室用載置バッファから前記受け渡し部に交互に取り出した成膜処理後の各基板を前記基板載置部に搬入する、請求項3記載の基板処理装置。
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