JP3571471B2 - 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム - Google Patents
処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に対してレジスト液を塗布する処理や現像処理などの処理を行う処理方法、これらの処理を行うシステムとして構成された塗布現像処理システム及び処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体製造プロセスにおけるいわゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄したり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理しているが、このような一連の処理を行うにあたっては、従来から、例えば図６に示したようなレジスト塗布・現像処理システム１０１が用いられている。
【０００３】
このレジスト塗布・現像処理システム１０１においては、複数のウエハを収納する収納体であるカセットＣを整列して複数載置する載置部１０２と、この載置部１０２に載置されたカセットＣ内のウエハＷを取り出して、搬送手段としてのメイン搬送アーム１０３へと搬送する搬送機構１０４とを備えており、搬送機構１０４は、カセットＣの整列方向（Ｘ方向）に沿って設けられている搬送路１０５上を移動自在になっている。そしてウエハＷに対して所定の処理を行う各種の処理装置は、搬送手段としての２つのメイン搬送アーム１０３、１０６の各搬送路１０７、１０８を挟んだ両側に配置されている。
【０００４】
より詳述すると、まず、カセットＣから取り出されたウエハＷの表面を洗浄するため、ウエハＷを回転させながらブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１１１、ウエハＷに対して高圧ジェット洗浄する水洗洗浄装置１１２、ウエハＷの表面を疎水化処理してレジストの定着性を向上させるアドヒージョン処理装置１１３、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１１４、回転するウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布装置１１５、１１５、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱したり、露光後のウエハＷを加熱する加熱処理装置１１６、露光後のウエハＷを回転させながらその表面に現像液を供給して現像処理する現像処理装置１１７、１１７が配置されている。そしてこれら各処理装置はある程度集約化されており、適当な処理装置群にまとめることで設置スペースの縮小、並びに処理効率の向上が図られている。またこれら各種処理装置に対するウエハＷの搬入出は、前記した２つのメイン搬送アーム１０３、１０６によって行われている。
【０００５】
ところでこの種のレジスト塗布・現像処理は、当然のことながら清浄な雰囲気中で行うことが必要であり、ウエハＷに対する汚染を極力防止しなければならない。そのためシステムとして構成されている、前記載置部１０２をはじめとして各処理装置やメイン搬送アーム１０３、１０６は、図示のようにケーシング１２１内に配置され、さらにケーシング１２１の上部には、例えばＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）が設置され、清浄なダウンフローがシステム内に形成されている。またレジスト液やその溶剤には有機系化合物が使用されているため、その蒸気がケーシング１２１内に浮遊してウエハＷを汚染しないように、適宜ケミカルフィルタがシステム内の空気の循環系に設置されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記した従来のレジスト塗布・現像処理システム１０１では、全ての処理が終了したウエハＷ、即ち現像処理装置１１７での現像、及びその後の加熱処理が終了したウエハＷを、載置部１０２上のカセットＣまで搬送するにあたり、メイン搬送アーム１０６、１０３によって搬送機構１０３まで搬送する必要がある。
しかしながら既述したように、このメイン搬送アーム１０６、１０３は、レジスト液塗布直後や現像液処理直後のウエハＷの搬送にも従事しており、ウエハＷを直接保持しているピンセットと呼ばれる部分にこれらの液が付着している可能性がある。
【０００７】
そうすると、所定の処理が終了したウエハＷをこれらメイン搬送アーム１０６、１０３で搬送する場合、前記ピンセットにに付着していた液によってウエハＷが汚染される可能性も否定できない。
またレジスト塗布・現像処理が終了したウエハＷに対して、例えば次処理のエッチング処理を行うにあたっては、当然のことながらウエハＷは清浄な状態でエッチング処理装置に移送されなければならないが、前記した液の付着による汚染がなくとも、システム内に浮遊していたパーティクルが処理後のウエハに付着する可能性もある。
したがって、この点に関し何らかの対策が施されることが望ましい。
【０００８】
さらに既述したようにシステム内雰囲気の有機成分を除去するために適宜ケミカルフィルタが使用されているが、周知のように、ケミカルフィルタは極めて高価であり、またそのメンテナンスも必要なことから、できればケミカルフィルタの必要量を最小限に抑えることが望ましい。
この点、前記した従来のレジスト塗布・現像処理システム１０１では、ブラシ洗浄装置１１１や水洗洗浄装置１１２など、本来は有機成分とは無縁の処理装置までシステム内に組み入れたため、システムの容積自体が大きくなり、それに伴って、ケミカルフィルタも必要以上に使用せざるを得なかったのである。
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、前記したようなレジスト塗布・現像処理システムのような処理システムにおいて、所定の一連の処理が終わってカセットと呼ばれる収納体に収納するウエハなどの被処理基板の汚染防止を図ることのできる処理方法と，当該処理方法を好適に実施でき、しかも前記したケミカルフィルタの使用量を必要最小限に抑えることのできる塗布現像処理システム及び処理システムを提供することをその目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、請求項１によれば、被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とを備え、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムを用い、前記被処理基板にこれら各処理装置によって所定の処理を行う方法において、前記所定の処理終了後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗浄処理を行うことを特徴とする、処理方法が提供される。
なおここで直接又は間接的に被処理基板を授受するとは、搬送機構が搬送手段に対して直接被処理基板を授受すること、又は受け渡し部のようなものを介して間接的に授受することをいう。
【００１１】
この処理方法によれば、所定の処理終了後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗浄処理を行うようにしたので、所定の処理が終了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジスト液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板が汚染しても、前記洗浄処理によって洗浄されるので、清浄な状態で被処理基板を収納体に搬入することができる。
【００１２】
また請求項２によれば、被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とが集約的に配置されて一又は二以上の処理装置群が構成され、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムにおいて、前記処理装置群とは異なった空間に、少なくとも被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理装置を配置すると共に、この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段を別途設け、当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システムが提供される。
【００１３】
この請求項２の塗布現像処理システムによれば、まずレジスト液処理装置や現像処理装置などが集約化された処理装置群とは別に洗浄処理装置が設けられ、搬送機構との間で他の搬送手段を介して被処理基板をこの洗浄処理装置内に搬入出自在となるから、処理装置群での所定の処理が終了して搬送手段によって搬送された被処理基板が搬送機構に移載された後、この洗浄処理装置へと該被処理基板を搬送することができる。したがって、所定の処理が終了した後の被処理基板を収納体内に収納する前の段階で洗浄処理に付することができる。また逆に、搬送機構によって収納体から取りだした未処理の被処理基板を、搬送手段に渡す前に先に洗浄処理を行い、その後再び搬送機構を介して搬送手段に渡し、以後処理装置群においてレジスト液処理装置や現像処理装置によって所定の処理を行うようにすることも可能である。
【００１４】
しかも洗浄処理装置は、一般的に純水など、おおよそ有機成分とは無関係な液体を使用して被処理基板を洗浄するものであるから、レジスト液処理装置や現像処理装置などが集約化された処理装置群とは異なった空間にこのような洗浄処理装置が設けることで、この洗浄処理装置の存する空間にはケミカルフィルタを用いる必要がない。したがって、結果的にこの請求項２の塗布現像処理システムでは、処理装置群から洗浄処理装置を切り離した構成となっているから、その分従来よりもケミカルフィルタの必要量を減少させることができる。
【００１５】
なおこの請求項２の塗布現像処理システムにおける他の搬送手段は、被処理基板を直接保持する、例えば従来「ピンセット」と呼ばれる保持部材を２つ以上備えることが好ましく、そのように保持部材を複数装備することにより、洗浄処理装置に対する搬入、搬出を、他の搬送手段の一回の移動でおこなうことができ、しかも未処理、既処理の被処理基板を保持する保持部材を区別することができるので、被処理基板に対する汚染防止がさらに向上する。
【００１６】
またこの洗浄処理装置自体は、複数の洗浄処理装置を集約化したり、集積化した構成であってもよい。これによって多数の被処理基板の同時並行処理することができ、スループットを向上させることができる。
【００１７】
請求項３の塗布現像処理システムは、前記した請求項２の塗布現像処理システムにおける搬送機構と他の搬送手段との間で被処理基板が授受できる、即ち直接受け渡しができる構成に変えて、受け渡し部を介して搬送機構と他の搬送手段との間で被処理基板が授受できる構成としたものである。
【００１８】
このように受け渡し部を介して被処理基板を授受するようにしたことで、受け渡し部を待機部として機能させることができ、時間調整が容易になる。またこの受け渡し部を並列や上下に配置して複数設けることによって、さらに多数の被処理基板を同時並行処理する際の時間調整が容易になる。
【００１９】
なお請求項２、３における他の搬送手段は、処理装置群における各種処理装置に対して被処理基板を搬入出する搬送手段と異なり、搬送機構や受け渡し部と、洗浄処理装置に対してアクセスできればよいので、搬送手段よりも動作を単純化させることができ、その分発塵の可能性を少なくさせることができる。
また，前記受け渡し部は，被処理基板を載置できる載置部材と，上下動して当該載置部材から突出自在な支持ピンとを備えていてもよい。
請求項５の発明によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理装置を複数具備し，これらの複数の処理装置に対して被処理基板を搬出入自在な搬送手段を備えた処理ステーションと，被処理基板を収納する収納体が載置される載置部と，前記載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在でかつ前記搬送手段との間で被処理基板を授受する搬送機構とを備え，前記処理ステーションに接続して設けられたカセットステーションと，前記処理ステーションとは異なった領域に設けられ，基板の洗浄処理を行う洗浄処理装置と，この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段と，を具備し，当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であることを特徴とする処理システムが提供される。
請求項６の発明によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理装置を複数具備し，これらの複数の処理装置に対して被処理基板を搬出入自在な搬送手段を備えた処理ステーションと，被処理基板を収納する収納体が載置される載置部と，前記載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在でかつ前記搬送手段との間で被処理基板を授受する搬送機構とを備え，前記処理ステーションに接続して設けられたカセットステーションと，前記処理ステーションとは異なった領域に設けられ，基板の洗浄処理を行う洗浄処理装置と，この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段と，を具備し，当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板の授受が自在であることを特徴とする処理システムが提供される。
前記受け渡し部は，前記処理ステーションとは異なった雰囲気中に配置されていてもよい。
また，前記処理ステーションで所定の処理の終了した被処理基板を，前記収納体に収納する前に，前記洗浄処理装置に搬送するようにしてもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図に基づいて説明すると、図１〜図３は、各々本発明の実施の形態にかかるウエハの塗布現像処理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面からみた様子を夫々示している。
【００２１】
この塗布現像処理システム１は、被処理基板としてウエハＷをカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】
前記カセットステーション１０では、図１に示すように、載置部となるカセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのカセットＣが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な、本発明でいう搬送機構を構成するウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっている。
【００２３】
さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２４】
前記処理ステーション１１には、図１に示すように、その中心部に本発明の搬送手段を構成する垂直搬送型の主ウエハ搬送手段２２が設けられ、その周りに各種処理装置が１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群を構成している。本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１においては、５つの処理装置群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１および第２の処理装置群Ｇ１、Ｇ２は、システム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理装置群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理装置群Ｇ４はインターフェース部１２に隣接して配置され、さらに別に第５の処理装置群Ｇ５のを背面側に配置することが可能になっている。
【００２５】
図２に示すように、第１の処理装置群Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２においても同様に、２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【００２６】
図３に示すように、第３の処理装置群Ｇ３では、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行うクーリング装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョン装置（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩＭ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２７】
第４の処理装置群Ｇ４においても、オーブン型の処理装置、例えばクーリング装置（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、クーリング装置（ＣＯＬ）、プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００２８】
このように処理温度の低いクーリング装置（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョン装置（ＡＤ）を上段に配置することで、装置間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００２９】
前記インターフェース部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスできるようになっている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置（図示せず）側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３０】
また本実施形態にかかる塗布現像処理システム１では、既述の如く主ウエハ搬送手段２２の背面側にも、破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を配置できるようになっているが、この第５の処理装置群Ｇ５の多段装置は、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送手段２２からみて、側方へシフトできるように構成されている。従って、この第５の処理装置群Ｇ５の多段装置を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送手段２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第５の処理装置群Ｇ５の多段装置は、そのように案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送手段２２に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【００３１】
次に主ウエハ搬送手段２２の詳細について説明すると、図４は主ウエハ搬送手段２２の要部を示しており、この主ウエハ搬送手段２２は、上端及び下端で相互に接続されて対向する一対の垂直壁部３１、３２からなる筒状支持体３３の内側に、ウエハ搬送装置３４を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体３３はモータ３５の回転軸に接続されており、このモータ３５の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置３４と一体に回転し、それによってウエハ搬送装置３４は、θ方向に回転自在となっている。
【００３２】
前記ウエハ搬送装置３４は、搬送基台４０上に、この搬送基台４０の前後方向、例えば図４中のＸ方向に移動自在な複数本の保持部材、例えば３本のピンセット４１、４２、４３を備えている。これら各ピンセット４１、４２、４３はいずれも筒状支持体３３の両垂直壁部３１、３２間の側面開口部３６を通過自在な形態、大きさを有しており、搬送基台４０に内蔵された駆動モータ（図示せず）及びベルト（図示せず）によって前記前後方向に移動自在である。そしてウエハはこれら各ピンセット４１、４２、４３のいずれによっても保持可能である。
【００３３】
なお前記各ピンセット４１、４２、４３の上下方向の配置間隔は、最上部のピンセット４１と２段目のピンセット４２との間の間隔が、この２段目のピンセット４２と最下部のピンセット４３との間の間隔よりも大きくとられている。これは最上部のピンセット４１と、２段目のピンセット４２とに夫々保持されたウエハＷが相互に熱干渉することによる処理への悪影響を防止するためである。従って、最上部のピンセット４１は、通常、冷却工程からレジスト塗布工程を実施するときに使用され、そのような熱干渉による悪影響のおそれのないウエハＷの搬送にあたっては、２段目のピンセット４２と最下部のピンセット４３とが使用される。なおかかる熱干渉防止効果をさらに高めるため、例えば最上部のピンセット４１と、２段目のピンセット４２との間に、断熱板を配置してもよい。
【００３４】
前出ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａの端部外方には、受け渡し部５１が設けられている。この受け渡し部５１は、前出第１〜第５の各処理装置群Ｇ１〜Ｇ５や主ウエハ搬送手段２２が配置されている空間とは異なった空間に位置して、異なった雰囲気中に配置されている。
【００３５】
この受け渡し部５１は、その上面にウエハを載置できる載置部材５２が備えられ、さらに適宜上下動してこの載置部材５２から突出自在な支持ピン５３が設けられている。ウエハはこの突出した支持ピン５３上に載置自在であり、ウエハ搬送体２１は、そのように突出した支持ピン５３に対して、ウエハを載置させたり、逆に支持ピン５３上のウエハを受け取ることが自在である。
【００３６】
受け渡し部５１の背面側、即ちＸ方向に沿った延長線上には、本発明の他の搬送手段を構成する副ウエハ搬送手段６１が設けられている。この副ウエハ搬送手段６１は、ウエハを直接保持する２本のピンセット６２、６３を上下に有しており、これら各ピンセット６２、６３は、各々独立して前進後退自在である。また副ウエハ搬送手段６１自体は、適宜の駆動機構（図示せず）によってＺ方向に移動自在であり、またθ回転自在である。かかる構成により、副ウエハ搬送手段６１の各ピンセット６２、６３は、前記受け渡し部５１の支持ピン５３に対して、ウエハを載置させたり、逆に支持ピン５３上のウエハを受け取ることが自在である。
【００３７】
そしてこの副ウエハ搬送手段６１を挟んで前記受け渡し部５１と対向する位置に、洗浄処理装置７１が設けられている。この洗浄処理装置７１は、例えばウエハを回転する回転機構（図示せず）と、このウエハに対して高圧ジェット洗浄するためのノズル（図示せず）を内部に有しており、これによってウエハ表面に付着しているパーティクルや処理液等を洗浄するようになっている。またこの洗浄処理装置７１に対するウエハの搬入出は、副ウエハ搬送手段６１に対面した搬入出口７２を通じて行われるようになっている。
【００３８】
さらにこの塗布現像処理システム１においては、前記したカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａ、第１〜第５の処理装置群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、インターフェース部１２に対して、上方から清浄な空気のダウンフローが形成されるよう、図２に示したように、システム上部に、例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタやケミカルフィルタなどによって構成されたフィルタ装置８１が、前記３つのゾーン（カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェース部１２）毎に設けられている。そしてこのフィルタ装置８１の上流側から供給された空気が、該フィルタ装置８１を通過する際にパーティクルや有機成分が除去され、図２の実線矢印や破線矢印に示したように、清浄なダウンフローが形成される。また特に装置内に有機成分を発生するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）や現像処理装置（ＤＥＶ）に対しては、その内部に対しても清浄なダウンフローが形成されるように、適宜ダクト配管されている。
【００３９】
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は以上のように構成されており、次にこの塗布現像処理システム１の動作について説明すると、まずカセットステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣにアクセスして、そのカセットＣから１枚のウエハＷを取り出す。その後ウエハ搬送体２１は、まず処理ステーンション１１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段装置内に配置されているアライメント装置（ＡＬＩＭ）まで移動し、当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）内にウエハＷを移載する。
【００４０】
そして当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）においてウエハＷのオリフラ合わせおよびセンタリングが終了すると、主ウエハ搬送手段２２のウエハ搬送装置３４は、アライメントが完了したウエハＷを受け取り、第３の処理装置群Ｇ３において前記アライメント装置（ＡＬＩＭ）の下段に位置するアドヒージョン装置（ＡＤ）の前まで移動して、装置に前記ウエハＷを搬入する。次いで、第３の処理装置群Ｇ３又は第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するクーリング装置（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリング装置（ＣＯＬ）内で前記ウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。
【００４１】
冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ピンセット４１によってウエハＷをクーリング装置（ＣＯＬ）から搬出し、ピンセット４２に保持された次のウエハＷと交換し、冷却後のウエハＷを次に第１の処理装置群Ｇ１又は第２の処理装置群Ｇ２の多段装置に属するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）内で、ウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジスト液を塗布される。
【００４２】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から搬出し、次にプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）内へ搬入する。プリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）内でウエハＷは所定温度、例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００４３】
プリベークが終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）から搬出し、次に第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬入する。このイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは、次工程つまり周辺露光装置２３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後に主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを直ぐ上のイクステンション装置（ＥＸＴ）へ移送し、このイクステンション装置（ＥＸＴ）内の所定の載置台（図示せず）にウエハＷを載置する。
【００４４】
このイクステンション装置（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送体２４は当該ウエハＷをインターフェース部１２内の周辺露光装置２３へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に露光処理を受ける。
【００４５】
前記した周辺露光処理が終了すると、ウエハ搬送体２４は、ウエハＷを周辺露光装置２３から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、必要に応じてバッファカセットＢＲに一時的に格納されることもある。
【００４６】
露光装置における全面パターン露光処理が完了して、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４はそのウエハ受取り台へアクセスして露光処理後のウエハＷを受け取り、処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）へ搬入し、所定のウエハ受取り台上に載置する。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ渡す前に、必要に応じてインターフェース部１２内のバッファカセットＢＲに一時的に格納するようにしてもよい。
【００４７】
前記イクステンション装置（ＥＸＴ）にウエハＷが搬入されると、反対側から主ウエハ搬送手段２２がアクセスしてこのウエハＷを受け取り、次いで第１の処理装置群Ｇ１又は第２の処理装置群Ｇ２の多段装置に属する現像処理装置（ＤＥＶ）に搬入する。この現像処理装置（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハ表面のレジスト膜に現像液を均一にかけられる。そして現像及び周辺露光されたウエハ周縁部のレジストの除去が終了すると、ウエハ表面にリンス液がかけられ、前記現像液が洗い落とされる。
【００４８】
かかる現像工程が終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを現像処理装置（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の処理装置群Ｇ３、又は第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）へ搬入する。このポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハＷは例えば１００℃で所定時間だけ加熱される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００４９】
かかるポストベーキングが終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次にいずれかのクーリング装置（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを第３の処理装置群Ｇ３に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）へ移送する。
【００５０】
このイクステンション装置（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送体２１が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そしてウエハ搬送体２１は、θ回転しながらＸ方向へと移動し、受け渡し部５１の載置部材５２へと移載する。次いで副ウエハ搬送手段６１の下段のピンセット６３がウエハＷを保持し、洗浄処理装置７１の搬入出口７２からウエハＷを搬入する。
【００５１】
洗浄処理装置７１内では、このウエハＷに対して、高圧ジェット洗浄によってウエハＷを洗浄する。かかる洗浄処理が終了すると、副ウエハ搬送手段６１の上段のピンセット６２が、この洗浄処理が終了したウエハＷを搬出する。このとき、下段のピンセット６３には、次に洗浄処理を付すべき他のウエハＷが保持されており、洗浄処理が終了したウエハＷの搬出後、直ちに副ウエハ搬送手段６１がＺ方向に移動して、次に洗浄処理を付すべき他のウエハＷを洗浄処理装置７１内に搬入する。
【００５２】
そのようにして洗浄処理が終了したウエハＷは、再び受け渡し部５１の載置部材５２へと移載され、次いでウエハ搬送体２１がこのウエハＷを受け取りにいき、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセットＣの所定のウエハ収容溝に入れて当該ウエハＷをカセットＣ内に収納する。
【００５３】
このような一連の動作からわかるように、本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１においては、処理ステーション１１での所定の処理が終了した後のウエハＷをカセットＣ内に収納する直前に、一旦洗浄処理装置７１によって洗浄処理に付すことが可能である。したがって、万が一所定の処理が終了したウエハＷに処理液やパーティクル付着していても、これを洗浄してカセットＣに収納することができる。したがって、ウエハＷを清浄な状態で次処理（例えばエッチング処理など）に付すことができる。
【００５４】
またかかる洗浄処理を行う洗浄処理装置７１は、頻繁に動作している主ウエハ搬送手段２２や有機成分を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れられている処理装置群Ｇ１、Ｇ２とは、異なった空間に配置されており、しかも副ウエハ搬送手段６１自体は、その駆動系や動作が、主ウエハ搬送手段２２よりも単純であるから、それ自体から発塵する可能性も低い。したがって、副ウエハ搬送手段６１によって、ウエハＷを洗浄処理装置７１に搬送している最中に、該ウエハＷにパーティクルや有機成分が付着する可能伊勢は大幅に減少している。
【００５５】
そのうえ洗浄処理装置７１において洗浄の際に用いる洗浄液は、純水などおおよそ有機成分とは無関係なものであるから、この洗浄処理装置７１自体から有機成分が発生することはない。したがって、有機成分を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れられている処理装置群Ｇ１、Ｇ２に対してダウンフローを形成するときに用いられていたケミカルフィルタは、この洗浄処理装置７１の存在する空間においては不要である。したがって、その分システム全体として必要なケミカルフィルタの量を低減させることができる。
【００５６】
受け渡し部５１を介してウエハ搬送体２１と副ウエハ搬送手段６１との間でウエハＷの授受を行うようにしたので、受け渡し部５１を待機部として機能させることができ、時間調整が容易で装置の稼働効率の良好な処理を設定できる。もちろんそのように受け渡し部５１を設けず、直接ウエハ搬送体２１と副ウエハ搬送手段６１との間でウエハＷの授受を行うようにしてもよい。
【００５７】
なお前記した処理例では、処理ステーション１１での所定の処理が終了した後のウエハＷをカセットＣ内に収納する直前に、洗浄処理装置７１によって洗浄処理するようにしていたが、もちろんレシピを変更して、カセットＣから未処理のウエハＷをウエハ搬送体２１によって取り出し、先に受け渡し部５１へ搬送し、処理ステーション１１での所定の処理を実施する前に、このウエハに対して洗浄処理を行うようにすることも可能であり、そのように先に洗浄処理した後、処理ステーション１１での所定の処理を実施して、再び洗浄処理装置７１によって洗浄処理するようにすることも可能である。いずれにしろ、前記塗布現像処理システム１では、いわばカセットステーション１０を共用して、そのウエハ搬送体２１が、処理ステーション１１と、処理ステーション１１とは異なった領域にある洗浄処理装置７１の両方にアクセス自在であるから、従来よりもレシピの設定の幅が広がっており、様々な要求に応じた塗布現像処理が実施できる。
【００５８】
なお前記実施形態にかかる塗布現像処理システム１では、１つの洗浄処理装置７１を設置していたが、もちろん複数の同種の又は異なった形式の洗浄処理装置を設置してもよく、その場合、多段に積層した構成を採るようにしてもよい。受け渡し部５１についてもこれを並列あるいは上下に配置するなどして、複数設置してもよい。さらに洗浄処理装置の他に、例えばＢＡＲＣ処理（裏面反射防止膜処理）を行う処理装置も、この洗浄処理装置７１に並設したり、積層してもよい。また被処理基板も前記した半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板、フォトマスク、各種のプリント基板、セラミック基板であってもよい。
【００５９】
【発明の効果】
請求項１の処理方法によれば、所定の処理が終了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジスト液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板が汚染しても、洗浄処理した後に収納体に搬入して収納されるので、清浄な状態の被処理基板を収納体に搬入することができる。したがって、次処理に対して影響を与えず、歩留まりの向上を図ることができる。
【００６０】
また請求項２、３の塗布現像処理システム及び請求項４〜８の処理システムによれば、前記請求項１の処理方法を好適に実施でき、しかもシステム全体としてケミカルフィルタの必要量の低減を図ることができる。もちろん収納体から取りだした未処理の被処理基板を、処理装置群での処理に付する前に、先に洗浄処理を行うことも可能である。さらに特に請求項３の塗布現像処理システムによれば、受け渡し部を待機部として機能させることができ、システムにおける処理の時間調整が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの平面からみた説明図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面からみた説明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面からみた説明図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおける主ウエハ搬送手段の概観を示す斜視図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおける副ウエハ搬送手段及び洗浄処理装置周りの概観を示す斜視図である。
【図６】従来の塗布現像処理システムの概観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８４】
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
１０ カセットステーション
１１ 処理ステーション
１２ インターフェース部
２０ カセット載置台
２１ ウエハ搬送体
２２ 主ウエハ搬送手段
４１、４２、４３ ピンセット
５１ 受け渡し部
５２ 載置部材
６１ 副ウエハ搬送手段
６２、６３ ピンセット
７１ 洗浄処理装置
ＣＯＴ レジスト液塗布装置
ＤＥＶ 現像処理装置
Ｇ１〜Ｇ５ 処理装置群
Ｗ ウエハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に対してレジスト液を塗布する処理や現像処理などの処理を行う処理方法、これらの処理を行うシステムとして構成された塗布現像処理システム及び処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体製造プロセスにおけるいわゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄したり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理しているが、このような一連の処理を行うにあたっては、従来から、例えば図６に示したようなレジスト塗布・現像処理システム１０１が用いられている。
【０００３】
このレジスト塗布・現像処理システム１０１においては、複数のウエハを収納する収納体であるカセットＣを整列して複数載置する載置部１０２と、この載置部１０２に載置されたカセットＣ内のウエハＷを取り出して、搬送手段としてのメイン搬送アーム１０３へと搬送する搬送機構１０４とを備えており、搬送機構１０４は、カセットＣの整列方向（Ｘ方向）に沿って設けられている搬送路１０５上を移動自在になっている。そしてウエハＷに対して所定の処理を行う各種の処理装置は、搬送手段としての２つのメイン搬送アーム１０３、１０６の各搬送路１０７、１０８を挟んだ両側に配置されている。
【０００４】
より詳述すると、まず、カセットＣから取り出されたウエハＷの表面を洗浄するため、ウエハＷを回転させながらブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１１１、ウエハＷに対して高圧ジェット洗浄する水洗洗浄装置１１２、ウエハＷの表面を疎水化処理してレジストの定着性を向上させるアドヒージョン処理装置１１３、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１１４、回転するウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布装置１１５、１１５、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱したり、露光後のウエハＷを加熱する加熱処理装置１１６、露光後のウエハＷを回転させながらその表面に現像液を供給して現像処理する現像処理装置１１７、１１７が配置されている。そしてこれら各処理装置はある程度集約化されており、適当な処理装置群にまとめることで設置スペースの縮小、並びに処理効率の向上が図られている。またこれら各種処理装置に対するウエハＷの搬入出は、前記した２つのメイン搬送アーム１０３、１０６によって行われている。
【０００５】
ところでこの種のレジスト塗布・現像処理は、当然のことながら清浄な雰囲気中で行うことが必要であり、ウエハＷに対する汚染を極力防止しなければならない。そのためシステムとして構成されている、前記載置部１０２をはじめとして各処理装置やメイン搬送アーム１０３、１０６は、図示のようにケーシング１２１内に配置され、さらにケーシング１２１の上部には、例えばＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）が設置され、清浄なダウンフローがシステム内に形成されている。またレジスト液やその溶剤には有機系化合物が使用されているため、その蒸気がケーシング１２１内に浮遊してウエハＷを汚染しないように、適宜ケミカルフィルタがシステム内の空気の循環系に設置されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記した従来のレジスト塗布・現像処理システム１０１では、全ての処理が終了したウエハＷ、即ち現像処理装置１１７での現像、及びその後の加熱処理が終了したウエハＷを、載置部１０２上のカセットＣまで搬送するにあたり、メイン搬送アーム１０６、１０３によって搬送機構１０３まで搬送する必要がある。
しかしながら既述したように、このメイン搬送アーム１０６、１０３は、レジスト液塗布直後や現像液処理直後のウエハＷの搬送にも従事しており、ウエハＷを直接保持しているピンセットと呼ばれる部分にこれらの液が付着している可能性がある。
【０００７】
そうすると、所定の処理が終了したウエハＷをこれらメイン搬送アーム１０６、１０３で搬送する場合、前記ピンセットにに付着していた液によってウエハＷが汚染される可能性も否定できない。
またレジスト塗布・現像処理が終了したウエハＷに対して、例えば次処理のエッチング処理を行うにあたっては、当然のことながらウエハＷは清浄な状態でエッチング処理装置に移送されなければならないが、前記した液の付着による汚染がなくとも、システム内に浮遊していたパーティクルが処理後のウエハに付着する可能性もある。
したがって、この点に関し何らかの対策が施されることが望ましい。
【０００８】
さらに既述したようにシステム内雰囲気の有機成分を除去するために適宜ケミカルフィルタが使用されているが、周知のように、ケミカルフィルタは極めて高価であり、またそのメンテナンスも必要なことから、できればケミカルフィルタの必要量を最小限に抑えることが望ましい。
この点、前記した従来のレジスト塗布・現像処理システム１０１では、ブラシ洗浄装置１１１や水洗洗浄装置１１２など、本来は有機成分とは無縁の処理装置までシステム内に組み入れたため、システムの容積自体が大きくなり、それに伴って、ケミカルフィルタも必要以上に使用せざるを得なかったのである。
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、前記したようなレジスト塗布・現像処理システムのような処理システムにおいて、所定の一連の処理が終わってカセットと呼ばれる収納体に収納するウエハなどの被処理基板の汚染防止を図ることのできる処理方法と，当該処理方法を好適に実施でき、しかも前記したケミカルフィルタの使用量を必要最小限に抑えることのできる塗布現像処理システム及び処理システムを提供することをその目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、請求項１によれば、被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とを備え、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムを用い、前記被処理基板にこれら各処理装置によって所定の処理を行う方法において、前記所定の処理終了後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗浄処理を行うことを特徴とする、処理方法が提供される。
なおここで直接又は間接的に被処理基板を授受するとは、搬送機構が搬送手段に対して直接被処理基板を授受すること、又は受け渡し部のようなものを介して間接的に授受することをいう。
【００１１】
この処理方法によれば、所定の処理終了後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗浄処理を行うようにしたので、所定の処理が終了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジスト液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板が汚染しても、前記洗浄処理によって洗浄されるので、清浄な状態で被処理基板を収納体に搬入することができる。
【００１２】
また請求項２によれば、被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とが集約的に配置されて一又は二以上の処理装置群が構成され、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムにおいて、前記処理装置群とは異なった空間に、少なくとも被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理装置を配置すると共に、この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段を別途設け、当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システムが提供される。
【００１３】
この請求項２の塗布現像処理システムによれば、まずレジスト液処理装置や現像処理装置などが集約化された処理装置群とは別に洗浄処理装置が設けられ、搬送機構との間で他の搬送手段を介して被処理基板をこの洗浄処理装置内に搬入出自在となるから、処理装置群での所定の処理が終了して搬送手段によって搬送された被処理基板が搬送機構に移載された後、この洗浄処理装置へと該被処理基板を搬送することができる。したがって、所定の処理が終了した後の被処理基板を収納体内に収納する前の段階で洗浄処理に付することができる。また逆に、搬送機構によって収納体から取りだした未処理の被処理基板を、搬送手段に渡す前に先に洗浄処理を行い、その後再び搬送機構を介して搬送手段に渡し、以後処理装置群においてレジスト液処理装置や現像処理装置によって所定の処理を行うようにすることも可能である。
【００１４】
しかも洗浄処理装置は、一般的に純水など、おおよそ有機成分とは無関係な液体を使用して被処理基板を洗浄するものであるから、レジスト液処理装置や現像処理装置などが集約化された処理装置群とは異なった空間にこのような洗浄処理装置が設けることで、この洗浄処理装置の存する空間にはケミカルフィルタを用いる必要がない。したがって、結果的にこの請求項２の塗布現像処理システムでは、処理装置群から洗浄処理装置を切り離した構成となっているから、その分従来よりもケミカルフィルタの必要量を減少させることができる。
【００１５】
なおこの請求項２の塗布現像処理システムにおける他の搬送手段は、被処理基板を直接保持する、例えば従来「ピンセット」と呼ばれる保持部材を２つ以上備えることが好ましく、そのように保持部材を複数装備することにより、洗浄処理装置に対する搬入、搬出を、他の搬送手段の一回の移動でおこなうことができ、しかも未処理、既処理の被処理基板を保持する保持部材を区別することができるので、被処理基板に対する汚染防止がさらに向上する。
【００１６】
またこの洗浄処理装置自体は、複数の洗浄処理装置を集約化したり、集積化した構成であってもよい。これによって多数の被処理基板の同時並行処理することができ、スループットを向上させることができる。
【００１７】
請求項３の塗布現像処理システムは、前記した請求項２の塗布現像処理システムにおける搬送機構と他の搬送手段との間で被処理基板が授受できる、即ち直接受け渡しができる構成に変えて、受け渡し部を介して搬送機構と他の搬送手段との間で被処理基板が授受できる構成としたものである。
【００１８】
このように受け渡し部を介して被処理基板を授受するようにしたことで、受け渡し部を待機部として機能させることができ、時間調整が容易になる。またこの受け渡し部を並列や上下に配置して複数設けることによって、さらに多数の被処理基板を同時並行処理する際の時間調整が容易になる。
【００１９】
なお請求項２、３における他の搬送手段は、処理装置群における各種処理装置に対して被処理基板を搬入出する搬送手段と異なり、搬送機構や受け渡し部と、洗浄処理装置に対してアクセスできればよいので、搬送手段よりも動作を単純化させることができ、その分発塵の可能性を少なくさせることができる。
また，前記受け渡し部は，被処理基板を載置できる載置部材と，上下動して当該載置部材から突出自在な支持ピンとを備えていてもよい。
請求項５の発明によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理装置を複数具備し，これらの複数の処理装置に対して被処理基板を搬出入自在な搬送手段を備えた処理ステーションと，被処理基板を収納する収納体が載置される載置部と，前記載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在でかつ前記搬送手段との間で被処理基板を授受する搬送機構とを備え，前記処理ステーションに接続して設けられたカセットステーションと，前記処理ステーションとは異なった領域に設けられ，基板の洗浄処理を行う洗浄処理装置と，この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段と，を具備し，当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であることを特徴とする処理システムが提供される。
請求項６の発明によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理装置を複数具備し，これらの複数の処理装置に対して被処理基板を搬出入自在な搬送手段を備えた処理ステーションと，被処理基板を収納する収納体が載置される載置部と，前記載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在でかつ前記搬送手段との間で被処理基板を授受する搬送機構とを備え，前記処理ステーションに接続して設けられたカセットステーションと，前記処理ステーションとは異なった領域に設けられ，基板の洗浄処理を行う洗浄処理装置と，この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段と，を具備し，当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板の授受が自在であることを特徴とする処理システムが提供される。
前記受け渡し部は，前記処理ステーションとは異なった雰囲気中に配置されていてもよい。
また，前記処理ステーションで所定の処理の終了した被処理基板を，前記収納体に収納する前に，前記洗浄処理装置に搬送するようにしてもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図に基づいて説明すると、図１〜図３は、各々本発明の実施の形態にかかるウエハの塗布現像処理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面からみた様子を夫々示している。
【００２１】
この塗布現像処理システム１は、被処理基板としてウエハＷをカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】
前記カセットステーション１０では、図１に示すように、載置部となるカセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのカセットＣが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な、本発明でいう搬送機構を構成するウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっている。
【００２３】
さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２４】
前記処理ステーション１１には、図１に示すように、その中心部に本発明の搬送手段を構成する垂直搬送型の主ウエハ搬送手段２２が設けられ、その周りに各種処理装置が１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群を構成している。本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１においては、５つの処理装置群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１および第２の処理装置群Ｇ１、Ｇ２は、システム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理装置群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理装置群Ｇ４はインターフェース部１２に隣接して配置され、さらに別に第５の処理装置群Ｇ５のを背面側に配置することが可能になっている。
【００２５】
図２に示すように、第１の処理装置群Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２においても同様に、２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【００２６】
図３に示すように、第３の処理装置群Ｇ３では、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行うクーリング装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョン装置（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩＭ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２７】
第４の処理装置群Ｇ４においても、オーブン型の処理装置、例えばクーリング装置（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、クーリング装置（ＣＯＬ）、プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００２８】
このように処理温度の低いクーリング装置（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョン装置（ＡＤ）を上段に配置することで、装置間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００２９】
前記インターフェース部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスできるようになっている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置（図示せず）側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３０】
また本実施形態にかかる塗布現像処理システム１では、既述の如く主ウエハ搬送手段２２の背面側にも、破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を配置できるようになっているが、この第５の処理装置群Ｇ５の多段装置は、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送手段２２からみて、側方へシフトできるように構成されている。従って、この第５の処理装置群Ｇ５の多段装置を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送手段２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第５の処理装置群Ｇ５の多段装置は、そのように案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送手段２２に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【００３１】
次に主ウエハ搬送手段２２の詳細について説明すると、図４は主ウエハ搬送手段２２の要部を示しており、この主ウエハ搬送手段２２は、上端及び下端で相互に接続されて対向する一対の垂直壁部３１、３２からなる筒状支持体３３の内側に、ウエハ搬送装置３４を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体３３はモータ３５の回転軸に接続されており、このモータ３５の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置３４と一体に回転し、それによってウエハ搬送装置３４は、θ方向に回転自在となっている。
【００３２】
前記ウエハ搬送装置３４は、搬送基台４０上に、この搬送基台４０の前後方向、例えば図４中のＸ方向に移動自在な複数本の保持部材、例えば３本のピンセット４１、４２、４３を備えている。これら各ピンセット４１、４２、４３はいずれも筒状支持体３３の両垂直壁部３１、３２間の側面開口部３６を通過自在な形態、大きさを有しており、搬送基台４０に内蔵された駆動モータ（図示せず）及びベルト（図示せず）によって前記前後方向に移動自在である。そしてウエハはこれら各ピンセット４１、４２、４３のいずれによっても保持可能である。
【００３３】
なお前記各ピンセット４１、４２、４３の上下方向の配置間隔は、最上部のピンセット４１と２段目のピンセット４２との間の間隔が、この２段目のピンセット４２と最下部のピンセット４３との間の間隔よりも大きくとられている。これは最上部のピンセット４１と、２段目のピンセット４２とに夫々保持されたウエハＷが相互に熱干渉することによる処理への悪影響を防止するためである。従って、最上部のピンセット４１は、通常、冷却工程からレジスト塗布工程を実施するときに使用され、そのような熱干渉による悪影響のおそれのないウエハＷの搬送にあたっては、２段目のピンセット４２と最下部のピンセット４３とが使用される。なおかかる熱干渉防止効果をさらに高めるため、例えば最上部のピンセット４１と、２段目のピンセット４２との間に、断熱板を配置してもよい。
【００３４】
前出ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａの端部外方には、受け渡し部５１が設けられている。この受け渡し部５１は、前出第１〜第５の各処理装置群Ｇ１〜Ｇ５や主ウエハ搬送手段２２が配置されている空間とは異なった空間に位置して、異なった雰囲気中に配置されている。
【００３５】
この受け渡し部５１は、その上面にウエハを載置できる載置部材５２が備えられ、さらに適宜上下動してこの載置部材５２から突出自在な支持ピン５３が設けられている。ウエハはこの突出した支持ピン５３上に載置自在であり、ウエハ搬送体２１は、そのように突出した支持ピン５３に対して、ウエハを載置させたり、逆に支持ピン５３上のウエハを受け取ることが自在である。
【００３６】
受け渡し部５１の背面側、即ちＸ方向に沿った延長線上には、本発明の他の搬送手段を構成する副ウエハ搬送手段６１が設けられている。この副ウエハ搬送手段６１は、ウエハを直接保持する２本のピンセット６２、６３を上下に有しており、これら各ピンセット６２、６３は、各々独立して前進後退自在である。また副ウエハ搬送手段６１自体は、適宜の駆動機構（図示せず）によってＺ方向に移動自在であり、またθ回転自在である。かかる構成により、副ウエハ搬送手段６１の各ピンセット６２、６３は、前記受け渡し部５１の支持ピン５３に対して、ウエハを載置させたり、逆に支持ピン５３上のウエハを受け取ることが自在である。
【００３７】
そしてこの副ウエハ搬送手段６１を挟んで前記受け渡し部５１と対向する位置に、洗浄処理装置７１が設けられている。この洗浄処理装置７１は、例えばウエハを回転する回転機構（図示せず）と、このウエハに対して高圧ジェット洗浄するためのノズル（図示せず）を内部に有しており、これによってウエハ表面に付着しているパーティクルや処理液等を洗浄するようになっている。またこの洗浄処理装置７１に対するウエハの搬入出は、副ウエハ搬送手段６１に対面した搬入出口７２を通じて行われるようになっている。
【００３８】
さらにこの塗布現像処理システム１においては、前記したカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａ、第１〜第５の処理装置群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、インターフェース部１２に対して、上方から清浄な空気のダウンフローが形成されるよう、図２に示したように、システム上部に、例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタやケミカルフィルタなどによって構成されたフィルタ装置８１が、前記３つのゾーン（カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェース部１２）毎に設けられている。そしてこのフィルタ装置８１の上流側から供給された空気が、該フィルタ装置８１を通過する際にパーティクルや有機成分が除去され、図２の実線矢印や破線矢印に示したように、清浄なダウンフローが形成される。また特に装置内に有機成分を発生するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）や現像処理装置（ＤＥＶ）に対しては、その内部に対しても清浄なダウンフローが形成されるように、適宜ダクト配管されている。
【００３９】
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は以上のように構成されており、次にこの塗布現像処理システム１の動作について説明すると、まずカセットステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣにアクセスして、そのカセットＣから１枚のウエハＷを取り出す。その後ウエハ搬送体２１は、まず処理ステーンション１１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段装置内に配置されているアライメント装置（ＡＬＩＭ）まで移動し、当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）内にウエハＷを移載する。
【００４０】
そして当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）においてウエハＷのオリフラ合わせおよびセンタリングが終了すると、主ウエハ搬送手段２２のウエハ搬送装置３４は、アライメントが完了したウエハＷを受け取り、第３の処理装置群Ｇ３において前記アライメント装置（ＡＬＩＭ）の下段に位置するアドヒージョン装置（ＡＤ）の前まで移動して、装置に前記ウエハＷを搬入する。次いで、第３の処理装置群Ｇ３又は第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するクーリング装置（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリング装置（ＣＯＬ）内で前記ウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。
【００４１】
冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ピンセット４１によってウエハＷをクーリング装置（ＣＯＬ）から搬出し、ピンセット４２に保持された次のウエハＷと交換し、冷却後のウエハＷを次に第１の処理装置群Ｇ１又は第２の処理装置群Ｇ２の多段装置に属するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）内で、ウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジスト液を塗布される。
【００４２】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から搬出し、次にプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）内へ搬入する。プリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）内でウエハＷは所定温度、例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００４３】
プリベークが終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）から搬出し、次に第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬入する。このイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは、次工程つまり周辺露光装置２３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後に主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを直ぐ上のイクステンション装置（ＥＸＴ）へ移送し、このイクステンション装置（ＥＸＴ）内の所定の載置台（図示せず）にウエハＷを載置する。
【００４４】
このイクステンション装置（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送体２４は当該ウエハＷをインターフェース部１２内の周辺露光装置２３へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に露光処理を受ける。
【００４５】
前記した周辺露光処理が終了すると、ウエハ搬送体２４は、ウエハＷを周辺露光装置２３から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、必要に応じてバッファカセットＢＲに一時的に格納されることもある。
【００４６】
露光装置における全面パターン露光処理が完了して、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４はそのウエハ受取り台へアクセスして露光処理後のウエハＷを受け取り、処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）へ搬入し、所定のウエハ受取り台上に載置する。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ渡す前に、必要に応じてインターフェース部１２内のバッファカセットＢＲに一時的に格納するようにしてもよい。
【００４７】
前記イクステンション装置（ＥＸＴ）にウエハＷが搬入されると、反対側から主ウエハ搬送手段２２がアクセスしてこのウエハＷを受け取り、次いで第１の処理装置群Ｇ１又は第２の処理装置群Ｇ２の多段装置に属する現像処理装置（ＤＥＶ）に搬入する。この現像処理装置（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハ表面のレジスト膜に現像液を均一にかけられる。そして現像及び周辺露光されたウエハ周縁部のレジストの除去が終了すると、ウエハ表面にリンス液がかけられ、前記現像液が洗い落とされる。
【００４８】
かかる現像工程が終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを現像処理装置（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の処理装置群Ｇ３、又は第４の処理装置群Ｇ４の多段装置に属するポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）へ搬入する。このポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハＷは例えば１００℃で所定時間だけ加熱される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００４９】
かかるポストベーキングが終了すると、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次にいずれかのクーリング装置（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを第３の処理装置群Ｇ３に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）へ移送する。
【００５０】
このイクステンション装置（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送体２１が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そしてウエハ搬送体２１は、θ回転しながらＸ方向へと移動し、受け渡し部５１の載置部材５２へと移載する。次いで副ウエハ搬送手段６１の下段のピンセット６３がウエハＷを保持し、洗浄処理装置７１の搬入出口７２からウエハＷを搬入する。
【００５１】
洗浄処理装置７１内では、このウエハＷに対して、高圧ジェット洗浄によってウエハＷを洗浄する。かかる洗浄処理が終了すると、副ウエハ搬送手段６１の上段のピンセット６２が、この洗浄処理が終了したウエハＷを搬出する。このとき、下段のピンセット６３には、次に洗浄処理を付すべき他のウエハＷが保持されており、洗浄処理が終了したウエハＷの搬出後、直ちに副ウエハ搬送手段６１がＺ方向に移動して、次に洗浄処理を付すべき他のウエハＷを洗浄処理装置７１内に搬入する。
【００５２】
そのようにして洗浄処理が終了したウエハＷは、再び受け渡し部５１の載置部材５２へと移載され、次いでウエハ搬送体２１がこのウエハＷを受け取りにいき、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセットＣの所定のウエハ収容溝に入れて当該ウエハＷをカセットＣ内に収納する。
【００５３】
このような一連の動作からわかるように、本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１においては、処理ステーション１１での所定の処理が終了した後のウエハＷをカセットＣ内に収納する直前に、一旦洗浄処理装置７１によって洗浄処理に付すことが可能である。したがって、万が一所定の処理が終了したウエハＷに処理液やパーティクル付着していても、これを洗浄してカセットＣに収納することができる。したがって、ウエハＷを清浄な状態で次処理（例えばエッチング処理など）に付すことができる。
【００５４】
またかかる洗浄処理を行う洗浄処理装置７１は、頻繁に動作している主ウエハ搬送手段２２や有機成分を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れられている処理装置群Ｇ１、Ｇ２とは、異なった空間に配置されており、しかも副ウエハ搬送手段６１自体は、その駆動系や動作が、主ウエハ搬送手段２２よりも単純であるから、それ自体から発塵する可能性も低い。したがって、副ウエハ搬送手段６１によって、ウエハＷを洗浄処理装置７１に搬送している最中に、該ウエハＷにパーティクルや有機成分が付着する可能伊勢は大幅に減少している。
【００５５】
そのうえ洗浄処理装置７１において洗浄の際に用いる洗浄液は、純水などおおよそ有機成分とは無関係なものであるから、この洗浄処理装置７１自体から有機成分が発生することはない。したがって、有機成分を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れられている処理装置群Ｇ１、Ｇ２に対してダウンフローを形成するときに用いられていたケミカルフィルタは、この洗浄処理装置７１の存在する空間においては不要である。したがって、その分システム全体として必要なケミカルフィルタの量を低減させることができる。
【００５６】
受け渡し部５１を介してウエハ搬送体２１と副ウエハ搬送手段６１との間でウエハＷの授受を行うようにしたので、受け渡し部５１を待機部として機能させることができ、時間調整が容易で装置の稼働効率の良好な処理を設定できる。もちろんそのように受け渡し部５１を設けず、直接ウエハ搬送体２１と副ウエハ搬送手段６１との間でウエハＷの授受を行うようにしてもよい。
【００５７】
なお前記した処理例では、処理ステーション１１での所定の処理が終了した後のウエハＷをカセットＣ内に収納する直前に、洗浄処理装置７１によって洗浄処理するようにしていたが、もちろんレシピを変更して、カセットＣから未処理のウエハＷをウエハ搬送体２１によって取り出し、先に受け渡し部５１へ搬送し、処理ステーション１１での所定の処理を実施する前に、このウエハに対して洗浄処理を行うようにすることも可能であり、そのように先に洗浄処理した後、処理ステーション１１での所定の処理を実施して、再び洗浄処理装置７１によって洗浄処理するようにすることも可能である。いずれにしろ、前記塗布現像処理システム１では、いわばカセットステーション１０を共用して、そのウエハ搬送体２１が、処理ステーション１１と、処理ステーション１１とは異なった領域にある洗浄処理装置７１の両方にアクセス自在であるから、従来よりもレシピの設定の幅が広がっており、様々な要求に応じた塗布現像処理が実施できる。
【００５８】
なお前記実施形態にかかる塗布現像処理システム１では、１つの洗浄処理装置７１を設置していたが、もちろん複数の同種の又は異なった形式の洗浄処理装置を設置してもよく、その場合、多段に積層した構成を採るようにしてもよい。受け渡し部５１についてもこれを並列あるいは上下に配置するなどして、複数設置してもよい。さらに洗浄処理装置の他に、例えばＢＡＲＣ処理（裏面反射防止膜処理）を行う処理装置も、この洗浄処理装置７１に並設したり、積層してもよい。また被処理基板も前記した半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板、フォトマスク、各種のプリント基板、セラミック基板であってもよい。
【００５９】
【発明の効果】
請求項１の処理方法によれば、所定の処理が終了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジスト液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板が汚染しても、洗浄処理した後に収納体に搬入して収納されるので、清浄な状態の被処理基板を収納体に搬入することができる。したがって、次処理に対して影響を与えず、歩留まりの向上を図ることができる。
【００６０】
また請求項２、３の塗布現像処理システム及び請求項４〜８の処理システムによれば、前記請求項１の処理方法を好適に実施でき、しかもシステム全体としてケミカルフィルタの必要量の低減を図ることができる。もちろん収納体から取りだした未処理の被処理基板を、処理装置群での処理に付する前に、先に洗浄処理を行うことも可能である。さらに特に請求項３の塗布現像処理システムによれば、受け渡し部を待機部として機能させることができ、システムにおける処理の時間調整が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの平面からみた説明図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面からみた説明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面からみた説明図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおける主ウエハ搬送手段の概観を示す斜視図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおける副ウエハ搬送手段及び洗浄処理装置周りの概観を示す斜視図である。
【図６】従来の塗布現像処理システムの概観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８４】
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
１０ カセットステーション
１１ 処理ステーション
１２ インターフェース部
２０ カセット載置台
２１ ウエハ搬送体
２２ 主ウエハ搬送手段
４１、４２、４３ ピンセット
５１ 受け渡し部
５２ 載置部材
６１ 副ウエハ搬送手段
６２、６３ ピンセット
７１ 洗浄処理装置
ＣＯＴ レジスト液塗布装置
ＤＥＶ 現像処理装置
Ｇ１〜Ｇ５ 処理装置群
Ｗ ウエハ
Claims (8)
- 被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とを備え、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムを用い、前記被処理基板にこれら各処理装置によって所定の処理を行う方法において、
前記所定の処理終了後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗浄処理を行うことを特徴とする、処理方法。 - 被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とが集約的に配置されて一又は二以上の処理装置群が構成され、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムにおいて、
前記処理装置群とは異なった空間に、少なくとも被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理装置を配置すると共に、この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段を別途設け、当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システム。 - 被処理基板を収納した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とが集約的に配置されて一又は二以上の処理装置群が構成され、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理システムにおいて、
前記処理装置群とは異なった空間に、少なくとも被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理装置を配置すると共に、この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段を別途設け、当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板の授受が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システム。 - 前記受け渡し部は，被処理基板を載置できる載置部材と，上下動して当該載置部材から突出自在な支持ピンとを備えたことを特徴とする，請求項３に記載の処理システム。
- 被処理基板に対して所定の処理を施す処理装置を複数具備し，
これらの複数の処理装置に対して被処理基板を搬出入自在な搬送手段を備えた処理ステーションと，
被処理基板を収納する収納体が載置される載置部と，前記載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在でかつ前記搬送手段との間で被処理基板を授受する搬送機構とを備え，前記処理ステーションに接続して設けられたカセットステーションと，
前記処理ステーションとは異なった領域に設けられ，基板の洗浄処理を行う洗浄処理装置と，
この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段と，を具備し，
当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であることを特徴とする，処理システム。 - 被処理基板に対して所定の処理を施す処理装置を複数具備し，
これらの複数の処理装置に対して被処理基板を搬出入自在な搬送手段を備えた処理ステーションと，
被処理基板を収納する収納体が載置される載置部と，前記載置部上の収納体に対して被処理基板を搬出入自在でかつ前記搬送手段との間で被処理基板を授受する搬送機構とを備え，前記処理ステーションに接続して設けられたカセットステーションと，
前記処理ステーションとは異なった領域に設けられ，基板の洗浄処理を行う洗浄処理装置と，
この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な他の搬送手段と，を具備し，
当該他の搬送手段は、前記搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板の授受が自在であることを特徴とする，処理システム。 - 前記受け渡し部は，前記処理ステーションとは異なった雰囲気中に配置されていることを特徴とする，請求項６に記載の処理システム。
- 前記処理ステーションで所定の処理の終了した被処理基板を，前記収納体に収納する前に，前記洗浄処理装置に搬送することを特徴とする，請求項５，６又は７のいずれかに記載の処理システム。
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