JP2001155991A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 常温付近で基板に対して処理を行うための処
理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる
基板処理装置の提供。 【解決手段】 第１及び第２の処理ステーション３、４
における第１の処理ユニット群１３、２３と第２の処理
ユニット群１４、２４とは区分された異なる領域に配置
されている。また第１の処理ユニット群１３、２３と第
２の処理ユニット群１４、２４との間では直接ウエハＷ
の受け渡しを行うことなく主搬送装置１９、２９を介し
てのみウエハＷの受け渡しを行うように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス製造の技術分野に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造プロセスにおけるフ
ォトレジスト工程では、例えば半導体ウエハ（以下、
「ウエハ」という。）等の表面に対してレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後の
ウエハに現像液を供給して現像処理している。かかる一
連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理装
置が使用されている。

【０００３】この塗布現像処理装置には、ウエハを冷却
する冷却処理ユニット、ウエハを加熱する加熱処理ユニ
ット、ウエハにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニ
ット、ウエハに現像処理を施す現像処理ユニット等の各
種の処理ユニットが備えられている。そして塗布現像処
理装置全体をコンパクト化するため、複数の加熱処理ユ
ニットと冷却処理ユニットとを混在して多段に積み重ね
た熱処理ユニット群を形成している。この場合、熱処理
ユニット群の上側には加熱処理ユニットを、下側には冷
却処理ユニットをそれぞれ配置することにより熱処理ユ
ニット群内の熱干渉を防止している。更にかかる塗布現
像処理装置では、レジスト塗布ユニット及び現像処理ユ
ニット近傍に熱処理ユニット群を配置し、搬送装置と共
に全体として集約配置することで、塗布現像処理装置の
更なる省スペース化を達成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところでウエハが大口
径化すると、これに伴って全ての処理ユニットも大型化
する。従って、省スペース化のためには、各処理ユニッ
トの配置を一層高集約化させる必要がある。

【０００５】しかしながら加熱処理ユニットが大型化す
ると、加熱処理ユニットの熱量も多くなる。従って、こ
れまでのように熱処理ユニット群の中の一つの処理ユニ
ットとして加熱処理装置が他の処理ユニットの近傍に配
置されていると、常温付近でウエハに対して処理を行う
他の処理ユニット、例えばレジスト塗布装置や冷却処理
ユニット等における温度制御を精密に行うことができな
くなる虞がある。そして、これらの処理ユニットで温度
制御が乱れるとレジスト膜の膜厚が変化する、という問
題を生じる。

【０００６】本発明は、かかる事情に基づきなされたも
ので、常温付近で基板に対して処理を行うための処理ユ
ニットにおける温度制御を精密に行うことができる基板
処理装置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の基板処理装置は、常温付近で基板に対して
処理を行う第１の処理ユニットを複数有する第１の処理
ユニット群と、前記基板に対して加熱処理を行う第２の
処理ユニットを複数有する第２の処理ユニット群と、こ
れらユニット間で基板を搬送する主搬送装置とを備え、
前記第１の処理ユニット群と前記第２の処理ユニット群
とが区分された異なる領域に配置され、前記第１の処理
ユニット群と前記第２の処理ユニット群との間では前記
主搬送装置を介してのみ基板の受け渡しを行うように構
成したことを特徴とする。

【０００８】本発明では、常温付近で基板に対して処理
を行うための第１の処理ユニット群と、基板に対して加
熱処理を行うための第２の処理ユニット群とが区分され
た異なる領域に配置されているので、第１の処理ユニッ
ト群が第２の処理ユニット群から受ける熱的干渉を極力
抑えることができる。しかも、本発明では、第１の処理
ユニット群と第２の処理ユニット群との間では直接基板
の受け渡しを行うことなく主搬送装置を介してのみ基板
の受け渡しを行うように構成したので、第２の処理ユニ
ット群における温度雰囲気が第１の処理ユニット群へ流
入することが極力少なくなる。よって、本発明によれ
ば、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処
理ユニット群における温度制御を精密に行うことができ
る。

【０００９】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニット群は、常温付近で基板に対して処理液を供給す
る処理液供給ユニットが多段に積み重ねられた処理液供
給ユニット群と、前記基板を常温付近に冷却処理する冷
却処理ユニットと、これら処理液供給ユニットと冷却処
理ユニットとの間で基板を搬入出する垂直搬送型の副搬
送装置とを備え、前記冷却処理ユニットを介して前記主
搬送装置との間で基板の受け渡しを行うように構成した
ことを特徴とする。

【００１０】本発明では、第１の処理ユニット群が冷却
処理ユニットを介して主搬送装置との間で基板の受け渡
しを行うように構成されているので、第２の処理ユニッ
ト群における温度雰囲気が第１の処理ユニット群の処理
液供給ユニットへ流入することが極力少なくなる。よっ
て、本発明によれば、常温付近で基板に対して処理を行
うための第１の処理ユニット群の特に処理液供給ユニッ
トにおける温度制御を精密に行うことができる。

【００１１】本発明の基板処理装置は、前記冷却処理ユ
ニットが、前記副搬送装置との間で基板を受け渡すため
のシャッター付きの窓部及び主搬送装置との間で基板を
受け渡すためのシャッター付きの窓部を有し、一方の窓
部が開いているときには他方の窓部が閉じるようにこれ
ら窓部の開閉を制御する手段を更に具備することを特徴
とする。

【００１２】本発明によれば、冷却処理ユニットがいわ
ばロードロック室的な機能を果たすので、常温付近で基
板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群の特
に処理液供給ユニットにおける温度制御を更に精密に行
うことができる。

【００１３】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニット群に清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供
給部と、前記第２の処理ユニット群に清浄エアーを供給
する第２の清浄エアー供給部とを備え、前記第１の清浄
エアー供給部だけが清浄エアーを所定の温度に温調する
温調装置を有することを特徴とする。

【００１４】本発明では、第２の処理ユニット群に清浄
エアーを供給する第２の清浄エアー供給部において温調
装置は要求されなくなるので、装置コストの低減を図る
ことができ、温調すべき範囲が限定されるので、第１の
処理ユニット群における温度管理をより精密に行うこと
ができる。

【００１５】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニット群に清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供
給部を備え、該第１の清浄エアー供給部は、前記第１の
処理ユニット群の下部から気体を排気し、該排気された
気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から
温調された気体を吹き出すものであり、更に前記第１の
処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニ
ット群が配置された領域とを分断するように前記第１の
処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に
循環させるための通路を有することを特徴とする。

【００１６】本発明では、上記した構成の通路が第１の
処理ユニット群が配置された領域と第２の処理ユニット
群が配置された領域との間における断熱手段として機能
する。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が
循環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことは
なく、極めて良好な断熱手段として機能する。よって、
本発明によれば、上記構成の通路が第２の処理ユニット
群から第１の処理ユニット群への熱的干渉を防止し、常
温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニ
ット群における温度制御を極めて精密に行うことができ
る。

【００１７】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット
群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けら
れていることを特徴とする。

【００１８】本発明では、断熱壁が第２の処理ユニット
群から第１の処理ユニット群への熱的干渉を防止するの
で、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処
理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うこと
ができる。

【００１９】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニット群が配置された領域と隣接し、かつ、前記第２
の処理ユニット群が配置された領域の反対側に設けら
れ、前記第１の処理ユニット群で使われる処理液を蓄え
る容器を収容する領域を有することを特徴とする。

【００２０】本発明では、第２の処理ユニット群から第
１の処理ユニット群で使われる処理液を蓄える容器を収
容する領域への熱的干渉をなくすことができるので、処
理液の温度管理をより精密に行うことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の第１実施形態について説明する。図１〜図４は第
１実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であ
り、図１は平面図、図２は正面図、図３は背面図、図４
は側面図を示している。

【００２２】図１に示すように、この塗布現像処理シス
テム１は、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、
カセットＣに対してウェハＷを搬入出するためのカセッ
トステーション２と、塗布現像処理工程の中でウェハＷ
に対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを
多段配置してなる第１の処理ステーション３と、この第
１の処理ステーションに隣接して配置された第１のステ
ーションとほぼ同様の構成の第２の処理ステーション４
と、この第２の処理ステーション４に隣接して配置され
た露光装置（図示を省略）の間でウェハＷの受け渡しを
するためのインターフェイス部５とを一体に接続した構
成を有している。

【００２３】カセットステーション２では、カセット載
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。

【００２４】このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する第１の処理ステーション
３におけるアライメントユニットに対してアクセスでき
るように構成されている。

【００２５】第１の処理ステーション３では、正面側に
常温付近でウエハＷに対して処理を行う第１の処理ユニ
ットを複数有する第１の処理ユニット群１３が配置さ
れ、背面側にウエハＷに対して加熱処理を行う第２の処
理ユニットを複数有する第２の処理ユニット群１４が配
置されている。即ち、これらの第１の処理ユニット群１
３と第２の処理ユニット群１４とは区分された異なる領
域に配置されている。

【００２６】第１の処理ユニット群１３では、後述する
垂直搬送型の副搬送装置１５の周囲に、反射防止膜塗布
ユニット群１６、レジスト膜塗布ユニット群１７、冷却
処理ユニット群１８が配置されている。反射防止膜塗布
ユニット群１６はカセットステーション２側に、レジス
ト膜塗布ユニット群１７は第２の処理ステーション４側
に、冷却処理ユニット群１８は第２の処理ユニット群１
４における後述する主搬送装置１９と対面するように、
それぞれ配置されている。

【００２７】第２の処理ユニット群１４では、主搬送装
置１９の周囲に、第１の熱処理ユニット群２０、第２の
熱処理ユニット群２１が配置されている。第１の熱処理
ユニット群２０はカセットステーション２側に、第２の
熱処理ユニット群２１は第２の処理ステーション４側
に、それぞれ配置されている。

【００２８】また、第１の処理ユニット群１３が配置さ
れた領域と隣接し、かつ、第２の処理ユニット群１４が
配置された領域の反対側である正面側には、第１の処理
ユニット群１３で使われる処理液、例えばレジスト液や
反射防止膜液を蓄える容器を収容する領域としての容器
棚２２が設けられている。この容器棚２２は例えば正面
側に開閉可能な扉のような構造となっており、この扉に
容器が収容可能となっている。これにより、容器の交換
や保守点検を容易に行うことができる。

【００２９】第２の処理ステーション４では、第１の処
理ステーション３と同様に、正面側に常温付近でウエハ
Ｗに対して処理を行う第１の処理ユニットを複数有する
第１の処理ユニット群２３が配置され、背面側にウエハ
Ｗに対して加熱処理を行う第２の処理ユニットを複数有
する第２の処理ユニット群２４が配置されている。即
ち、これらの第１の処理ユニット群２３と第２の処理ユ
ニット群２４とは上記と同様に区分された異なる領域に
配置されている。

【００３０】第１の処理ユニット群２３では、後述する
垂直搬送型の副搬送装置２５の周囲に、第１の現像処理
ユニット群２６、第２の現像処理ユニット群２７、冷却
処理ユニット群２８が配置されている。第１の現像処理
ユニット群２６は第１の処理ステーション３側に、第２
の現像処理ユニット群２７はインターフェイス部５側
に、冷却処理ユニット群２８は第２の処理ユニット群２
４における後述する主搬送装置２９と対面するように、
それぞれ配置されている。

【００３１】第２の処理ユニット群２４では、主搬送装
置２９の周囲に、第１の熱処理ユニット群３０、第２の
熱処理ユニット群３１が配置されている。第１の熱処理
ユニット群３０は第１の処理ステーション３側に、第２
の熱処理ユニット群３１はインターフェイス部５側に、
それぞれ配置されている。

【００３２】また、同様に第１の処理ユニット群２３が
配置された領域と隣接し、かつ、第２の処理ユニット群
２４が配置された領域の反対側である正面側には、第１
の処理ユニット群２３で使われる処理液、例えば現像液
を蓄える容器を収容する容器棚３２が設けられている。
この容器棚３２は容器棚２２と同様の構造とされてい
る。

【００３３】インターフェイス部５では、その正面側に
露光前のウエハＷを一旦保持する、例えばウエハカセッ
トＣと同様の構造のバッファカセット３３が配置され、
その背面側には周辺露光装置３４が配置されている。そ
して、垂直方向に昇降可能とされ、更にθ方向に回転可
能とされたウエハ搬送体３５が、これらのバッファカセ
ット３３と周辺露光装置３４との間の搬送路３６に沿っ
て移動可能とされ、ウエハ搬送体３５は第２の処理ステ
ーション４における後述するアライメントユニット、上
記のバッファカセット３３及び周辺露光装置３４、更に
後述する露光前冷却ユニット３７に対してアクセスでき
るように構成されている。

【００３４】また、インターフェイス部５では、バッフ
ァカセット３３等と図示を省略した露光装置との間に、
露光前のウエハＷを冷却する露光前冷却ユニット３７が
配置され、更に昇降可能とされ、θ方向に回転可能とさ
れたウエハ搬送体３８が、露光前冷却ユニット３７、露
光装置におけるインステージ、アウトステージ（図示を
省略）、上記のバッファカセット３３に対してアクセス
可能に配置されている。なお、露光前冷却ユニット３７
は冷却手段としてペルチェ素子のみが受け込まれた冷却
板によってウエハＷを冷却するものであり、これにより
露光前にウエハＷを正確な温度に冷却できるようになっ
ている。

【００３５】また、この塗布現像処理システム１では、
第１の処理ステーション３における第１の処理ユニット
群１３（反射防止膜塗布ユニット群１６、レジスト膜塗
布ユニット群１７）と第２の処理ユニット群１４との
間、第２の処理ステーション４における第１の処理ユニ
ット群２３（第１の現像処理ユニット群２６、第２の現
像処理ユニット群２７）と第２の処理ユニット群２４と
の間に、それぞれ断熱壁３９及び後述する第１の処理ユ
ニット群１３、２３の下部から排気された気体をその上
部に循環させるための通路４０が配置されている。即
ち、断熱壁３９及び通路４０は、第１の処理ユニット群
１３、２３と第２の処理ユニット群１４、２４との間を
分断するように配置されている。

【００３６】図２に示すように、上述した反射防止膜塗
布ユニット群１６では、カップ内でウェハＷをスピンチ
ャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウェハＷに対
して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット
（ＢＣＴ）が３段に積み重ねられている。

【００３７】レジスト塗布ユニット群１７では、カップ
内でウェハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗
布して、該ウェハＷに対してレジスト塗布処理を施すレ
ジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられてい
る。

【００３８】冷却処理ユニット群１８では、冷却処理ユ
ニット（ＣＰＬ）が４段に積み重ねられている。なお、
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）の構成については後述す
る。

【００３９】第１の現像処理ユニット群２６では、カッ
プ内でウェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給
して、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）が上から２段に積み重ねられている。

【００４０】同様に、第２の現像処理ユニット群２７で
は、カップ内でウェハＷをスピンチャックに載せて現像
液を供給して、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像
処理ユニット（ＤＥＶ）が上から２段に積み重ねられて
いる。

【００４１】冷却処理ユニット群２８でも、冷却処理ユ
ニット（ＣＰＬ）が４段に積み重ねられている。なお、
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）の構成については後述す
る。

【００４２】図３に示すように、第１の処理ステーショ
ン３における第１の熱処理ユニット群２０では、ウェハ
Ｗの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）と、ウェハＷを加熱処理する７個の加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）とが下から順に例えば８段に積み重ねられて
いる。第１の処理ステーション３における第２の熱処理
ユニット群２１では、第２の処理ステーション４との間
でウェハＷの受け渡しを行うための搬送ユニット（ＳＴ
Ｌ）と、７個の加熱処理ユニット（ＨＰ）とが下から順
に例えば８段に積み重ねられている。なお、搬送ユニッ
ト（ＳＴＬ）の構成については後述する。

【００４３】第２の処理ステーション４における第１の
熱処理ユニット群３０では、搬送ユニット（ＳＴＬ）
と、７個の加熱処理ユニット（ＨＰ）とが下から順に例
えば８段に積み重ねられている。第２の処理ステーショ
ン４における第２の熱処理ユニット群３１では、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）と、７個の加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）とが下から順に例えば８段に積み重ねられて
いる。

【００４４】図４に示すように、この塗布現像処理シス
テム１の上部には、第１の処理ステーション３の第１の
処理ユニット群１３に対して上部から温調された清浄エ
アーを供給する第１の清浄エアー供給部４１と、第１の
処理ステーション３の第２の処理ユニット群１４に対し
て上部から清浄エアーを供給する第２の清浄エアー供給
部４２とが配置されている。

【００４５】第１の清浄エアー供給部４１は、ＦＦＵ
（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整
する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群１３の下
部から排気された気体をその上部に循環させるための通
路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整し
てパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介
して各塗布処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ）に供給する。
通路４０は後述するように断熱材としても機能してい
る。第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気
体は、通路４０を通ることにより温められてしまう。こ
のため、本実施形態においては、清浄エアー供給部４１
にて、各塗布処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ）に供給され
るエアーの温度よりも低い温度の新しい気体と、第１の
処理ユニット群１３の下部から排気され通路４０を通過
した気体とを、混合することによって温調された清浄エ
アーを、各塗布処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ）に供給し
ている。

【００４６】一方、第２の清浄エアー供給部４２は、Ｆ
ＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）等を備え、第２の
処理ユニット群１４の下部から排気された気体をその上
部に循環させるための通路４４を介して流入した気体か
らパーティクル等を除去した清浄エアーを各熱処理ユニ
ット（ＨＰ）に供給する。

【００４７】同様に、第２の処理ステーション４におい
ても、第１の処理ユニット群２３に対する第１の清浄エ
アー供給部４１と、第２の処理ユニット群２４に対する
第２の清浄エアー供給部４２とがそれぞれ別個に設けら
れている。

【００４８】第１の処理ユニット群１３、２３では常温
に温調する必要があるのに対して、第２の処理ユニット
群１４、２４ではこのような温調は不要である。従っ
て、本実施形態のように第１の処理ユニット群１３、２
３に対する清浄エアーの供給と第２の処理ユニット群１
４、２４に対する清浄エアーの供給をそれぞれ別個に行
うように構成し、第１の処理ユニット群１３、２３に対
する清浄エアーのみを温調するように構成することで、
温調装置のコストを低減することができ、しかも第１の
処理ユニット群１３、２３に対する温調をより精密に行
うことができる。

【００４９】なお、第１の処理ユニット群１３、２３に
おいては、塗布系のユニットでは温度管理の他に湿度管
理が必要であるのに対して、冷却処理ユニットでは湿度
管理は不要である。そこで、塗布系のユニットに対して
清浄エアーを供給する手段と冷却処理ユニットに対して
清浄エアーを供給する手段とを別個に設け、塗布系のユ
ニットに対する清浄エアーのみを湿度制御するように構
成すれば、温調装置のコスト低減及び精密温調の効果を
より高めることができる。

【００５０】上述した主搬送装置１９、２９と副搬送装
置１５、２５とは基本的に同一の構成を有しており、図
５に示すように、上端及び下瑞で相互に接続され対向す
る一体の壁部５１、５２からなる筒状支持体５３の内側
に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５
４を備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸
に接続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前
記回転軸を中心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に
回転する。従って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転
自在となっている。

【００５１】ウェハ搬送手段５４の搬送基台５６上に
は、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット
５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５
７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５
７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。

【００５２】上述した冷却処理ユニット（ＣＰＬ）は、
図６に示すように、主搬送装置１９、２９との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための窓部６１及び副搬送装置１
５、２５との間でウエハＷの受け渡しを行うための窓部
６２を有する筐体６３内に、ウエハＷを２３℃前後の常
温に冷却する冷却板６４を有する構成とされている。

【００５３】窓部６１、６２にはそれぞれシャッター部
材６５、６６が開閉可能に配置され、これらシャッター
部材６５、６６は開閉駆動部６７、６８の駆動によって
窓部６１、６２を開閉するものである。また冷却板６４
には、ウエハＷを支持する支持ピン６９が複数本、例え
ば３本冷却板６４表面より出没可能に配置され、これら
の支持ピン６９は冷却板６４の裏面側に配置された昇降
駆動機構７０により昇降するものである。

【００５４】ここで、本実施形態における冷却処理ユニ
ット（ＣＰＬ）では、窓部６１、６２の両方が開いた状
態とならないように、シャッター部材６５、６６の開閉
駆動が行われるようになっている。即ち、窓部６１が開
いた状態では窓部６２がシャッター部材６６により閉じ
られ、逆に窓部６２が開いた状態では窓部６１がシャッ
ター部材６５により閉じられるようになっている。この
ようにシャッター部材６５、６６の開閉駆動を制御する
ことで、冷却処理ユニット（ＣＰＬ）がいわばロードロ
ック室的な機能を果たすことになり、常温付近でウエハ
Ｗに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣ
Ｔ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行う
ことができる。

【００５５】上述した第１及び第２の処理ステーション
３、４における搬送ユニット（ＳＴＬ）は、図７に示す
ようにそれぞれの筐体７１、７２が連通路７３を介して
連通している。またこれらの筐体７１、７２には、それ
ぞれ第１及び第２の処理ステーション３、４における主
搬送装置１９、２９との間でウエハＷの受け渡しを行う
ための開口部７４、７５が設けられている。更に筐体７
１、７２内には、ウエハＷを支持する支持ピン７６が複
数本、例えば３本設けられた保持板７７及びこの保持板
７７を連通路７３を介して筐体７１と筐体７２との間を
移送する移送機構７８が設けられている。

【００５６】そして、例えば保持板７７は筐体７１内に
移送された状態で第１の処理ステーション３における主
搬送装置１９からウエハＷを受け取ると、移動機構７８
によって筐体７２内に移送され、第２の処理ステーショ
ン４における主搬送装置２９に受け渡す。第２の処理ス
テーション４側から第１の処理ステーション３側にウエ
ハを受け渡す場合には逆の動作が行われる。

【００５７】本実施形態では、このような構成の搬送ユ
ニット（ＳＴＬ）を有することで、主搬送装置１９、２
９に負担をかけることなく、第１の処理ステーションと
第２の処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡しを
行うことができる。

【００５８】次に、このように構成された塗布現像処理
システム１における処理工程を説明する。

【００５９】塗布現像処理システム１において、カセッ
トＣ内に収容された未処理のウェハＷはカセットステー
ション２のウェハ搬送体１１によって取り出された後、
第１の処理ステーション３の第１の熱処理ユニット群２
０におけるアライメントユニット（ＡＬＩＭ）内に搬送
され、位置合わせが行われる。

【００６０】アライメントユニット（ＡＬＩＭ）で位置
合わせが行われたウェハＷは、主搬送装置１９によって
冷却処理ユニット群１８における冷却処理ユニット（Ｃ
ＰＬ）内に搬送され、冷却処理が行われる。

【００６１】冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が
行われたウエハＷは、副搬送装置１５によって反射防止
膜塗布ユニット群１６における反射防止膜塗布ユニット
（ＢＣＴ）内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布
される。

【００６２】反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）で反射
防止膜用の処理液が塗布されたウェハＷは、副搬送装置
１５、冷却処理ユニット群１８における冷却処理ユニッ
ト（ＣＰＬ）及び主搬送装置１９を介して第１の熱処理
ユニット群２０または第２の熱処理ユニット群２１にお
ける加熱処理ユニット（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理
が行われる。

【００６３】加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理され
たウェハＷは、主搬送装置１９によって冷却処理ユニッ
ト群１８における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送
され、冷却処理が行われる。

【００６４】冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が
行われたウエハＷは、副搬送装置１５によってレジスト
塗布ユニット群１７におけるレジスト塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）内に搬送され、レジスト液が塗布される。

【００６５】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）でレジスト
液が塗布されたウェハＷは、副搬送装置１５、冷却処理
ユニット群１８における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）及
び主搬送装置１９を介して第１の熱処理ユニット群２０
または第２の熱処理ユニット群２１における加熱処理ユ
ニット（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理が行われる。

【００６６】加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理され
たウェハＷは、主搬送装置１９によって冷却処理ユニッ
ト群１８における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送
され、冷却処理が行われる。

【００６７】冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が
行われたウェハＷは、主搬送装置１９、第１及び第２の
処理ステーション３、４における搬送ユニット（ＳＴ
Ｌ）、第２の処理ステーション４における主搬送装置２
９を介して第２の熱処理ユニット群３１におけるアライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送される。

【００６８】第２の熱処理ユニット群３１におけるアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送されたウエハＷ
は、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３５に
よって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行わ
れる。

【００６９】周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウ
エハＷは、ウエハ搬送体３５によってバッファカセット
３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送
体３５、露光前冷却ユニット３７、ウエハ搬送体３８を
介して露光装置（図示せず）に搬送される。

【００７０】露光装置によって露光処理が行われたウェ
ハＷは、ウエハ搬送体３８、バッファカセット３３及び
ウエハ搬送体３５を介してインターフェイス部５から第
２の処理ステーション４の第２の熱処理ユニット群３１
におけるアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され
る。

【００７１】アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送
されたウエハＷは、第２の熱処理ユニット群３１におけ
る主搬送装置２９によって冷却処理ユニット群２８にお
ける冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送され、冷却処
理が行われる。

【００７２】冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が
行われたウエハＷは、副搬送装置２５によって第１また
は第２の現像処理ユニット群２６、２７における現像処
理ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、現像処理が行われ
る。

【００７３】現像処理ユニット（ＤＥＶ）で現像処理が
行われたウエハＷは、副搬送装置２５、冷却処理ユニッ
ト群３８における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）及び主搬
送装置２９を介して第１の熱処理ユニット群３０または
第２の熱処理ユニット群３１における加熱処理ユニット
（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理が行われる。

【００７４】加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理が行
われたウエハＷは、主搬送装置２９、第１及び第２の処
理ステーション３、４における搬送ユニット（ＳＴ
Ｌ）、第１の処理ステーション３における主搬送装置１
９、第１の熱処理ユニット群２０におけるアライメント
ユニット（ＡＬＩＭ）に搬送される。

【００７５】アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送
されたウエハＷは、カセットステーション２のウェハ搬
送体１１によってカセットＣ内に収容される。

【００７６】以上のように構成された本実施形態に係る
塗布現像処理システム１によれば、第１及び第２の処理
ステーション３、４における第１の処理ユニット群１
３、２３と第２の処理ユニット群１４、２４とは区分さ
れた異なる領域に配置されているので、第１の処理ユニ
ット群１３、２３が第２の処理ユニット群１４、２４か
ら受ける熱的干渉を極力抑えることができる。しかも、
該塗布現像処理システム１では、第１の処理ユニット群
１３、２３と第２の処理ユニット群１４、２４との間で
は直接ウエハＷの受け渡しを行うことなく主搬送装置１
９、２９を介してのみウエハＷの受け渡しを行うように
構成したので、第２の処理ユニット群１４、２４におけ
る温度雰囲気が第１の処理ユニット群１３、２３へ流入
することが極力少なくなる。従って、該塗布現像処理シ
ステム１では、常温付近でウエハＷに対して処理を行う
ための第１の処理ユニット群１３、２３における温度制
御を精密に行うことができる。

【００７７】更に、本実施形態に係る塗布現像処理シス
テム１によれば、第１及び第２の処理ステーション３、
４における第１の処理ユニット群１３、２３と第２の処
理ユニット群１４、２４との間に、それぞれ断熱壁３９
及び第１の処理ユニット群１３、２３の下部から排気さ
れた気体をその上部に循環させるための通路４０が配置
され、これら断熱壁３９及び通路４０によって第１の処
理ユニット群１３、２３と第２の処理ユニット群１４、
２４との間が分断されているので、第２の処理ユニット
群１４、２４から第１の処理ユニット群１３、２３への
熱的干渉を防止し、常温付近でウエハＷに対して処理を
行うための第１の処理ユニット群１３、２３における温
度制御を極めて精密に行うことができる。

【００７８】本発明のシステム構成は上述した実施の形
態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内で
様々な構成が考えられる。

【００７９】例えば反射防止膜塗布を塗布する工程が不
要な場合には、第２実施形態として、図８に示すよう
に、反射防止膜塗布ユニット群及び第１の処理ステーシ
ョン３における処理ユニット群の一方をなくした構成と
することができる。これにより、システムの小型化を図
ることができ、また特に第１の処理ステーション３にお
ける第１の処理ユニット群１３の面積を小さくできるの
で、該レジスト膜塗布ユニット群１７のユニットの温度
制御をより精密に行うことができる。

【００８０】尚、上記実施形態では、基板としてウエハ
を例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも
本発明を適用することができる。またレジストの塗布現
像システムばかりでなく、他のシステム、例えば基板上
に層間絶縁膜を形成するＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システム等にも本発明を適用す
ることができる。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユ
ニット群における温度制御を精密に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムを示す平面図である。

【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図で
ある。

【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面図で
ある。

【図４】図１に示した塗布現像処理システムの側面図で
ある。

【図５】図１に示した主搬送装置及び副搬送装置の構成
を示す斜視図である。

【図６】図２に示した冷却処理ユニットの構成を示す断
面図である。

【図７】図３に示した搬送ユニットの構成を示す断面図
である。

【図８】本発明に係る他のシステム構成を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １３、２３ 第１の処理ユニット群 １４、２４ 第２の処理ユニット群 １９、２９ 主搬送装置 １５、２５ 副搬送装置 ２２、３２ 容器棚 ３９ 断熱壁 ４０ 通路 ４１ 第１の清浄エアー供給部 ４２ 第２の清浄エアー供給部 ６１、６２ 窓部 ６５、６６ シャッター部材 ＢＣＴ 反射防止膜塗布ユニット ＣＰＬ 冷却処理ユニット ＣＴ レジスト膜塗布ユニット ＤＥＶ 現像処理ユニット ＨＰ 加熱処理ユニット Ｗ ウエハ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 常温付近で基板に対して処理を行う第１
   の処理ユニットを複数有する第１の処理ユニット群と、 前記基板に対して加熱処理を行う第２の処理ユニットを
   複数有する第２の処理ユニット群と、 これらユニット間で基板を搬送する主搬送装置とを備
   え、 前記第１の処理ユニット群と前記第２の処理ユニット群
   とが区分された異なる領域に配置され、前記第１の処理
   ユニット群と前記第２の処理ユニット群との間では前記
   主搬送装置を介してのみ基板の受け渡しを行うように構
   成したことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の処理ユニット群は、常温付近
   で基板に対して処理液を供給する処理液供給ユニットが
   多段に積み重ねられた処理液供給ユニット群と、前記基
   板を常温付近に冷却処理する冷却処理ユニットと、これ
   ら処理液供給ユニットと冷却処理ユニットとの間で基板
   を搬入出する垂直搬送型の副搬送装置とを備え、前記冷
   却処理ユニットを介して前記主搬送装置との間で基板の
   受け渡しを行うように構成したことを特徴とする請求項
   １に記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記冷却処理ユニットは、前記副搬送装
   置との間で基板を受け渡すためのシャッター付きの窓部
   及び主搬送装置との間で基板を受け渡すためのシャッタ
   ー付きの窓部を有し、 一方の窓部が開いているときには他方の窓部が閉じるよ
   うにこれら窓部の開閉を制御する手段を更に具備するこ
   とを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記第１の処理ユニット群に清浄エアー
   を供給する第１の清浄エアー供給部と、前記第２の処理
   ユニット群に清浄エアーを供給する第２の清浄エアー供
   給部とを備え、前記第１の清浄エアー供給部だけが清浄
   エアーを所定の温度に温調する温調装置を有することを
   特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に
   記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記第１の処理ユニット群に清浄エアー
   を供給する第１の清浄エアー供給部を備え、該第１の清
   浄エアー供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部か
   ら気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第
   １の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出
   すものであり、更に前記第１の処理ユニット群が配置さ
   れた領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域
   とを分断するように前記第１の処理ユニット群の下部か
   ら排気された気体をその上部に循環させるための通路を
   有することを特徴とする請求項１から請求項４のうちい
   ずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記第１の清浄エアー供給部では、前記
   第１の処理ユニット群に供給する前記清浄エアーの温度
   より低い温度を有する気体と前記排気された気体とが混
   合されて前記清浄エアーが生成されることを特徴とする
   請求項５に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記第１の処理ユニット群が配置された
   領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを
   分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とす
   る請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の基
   板処理装置。
8. 【請求項８】 前記第１の処理ユニット群が配置された
   領域と隣接し、かつ、前記第２の処理ユニット群が配置
   された領域の反対側に設けられ、前記第１の処理ユニッ
   ト群で使われる処理液を蓄える容器を収容する領域を有
   することを特徴とする請求項１から請求項７のうちいず
   れか１項に記載の基板処理装置。