JPH10335220A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト塗布ユニットや現像ユニット等の液
処理系の処理ユニットが、外部からの熱影響を受けてそ
の処理特性に変動が生じることのない処理装置を実現す
る。 【解決手段】 各種の制御回路や電源用回路等を実装し
たプリント基板を収納した回路ボックス５１を、レジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）や現像ユニット（ＤＥＶ）等
の液処理系の処理ユニットを除く領域の上方に配置す
る。これにより、レジスト塗布及び現像処理にて受ける
回路ボックス５１からの熱影響を最小に抑えることが可
能となり、歩留りの向上を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の被処理基板に対してレジスト塗布、
現像等の処理を行う処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われる。

【０００３】従来からこれらレジスト塗布処理と現像処
理は、例えば特公平２−３０１９４号公報によっても公
知なように、対応する各種処理ユニットが１つのシステ
ム内に装備された複合型の塗布現像処理システム内で、
この処理システムに接続された露光装置での露光プロセ
スを挟んで所定のシーケンスに従って行われている。と
ころで、このような塗布現像処理システムでは、被処理
基板の厳密な温度管理の下でレジスト塗布及び現像の各
処理が行われる。すなわち、被処理基板の温度はその表
面に形成されるレジスト膜の厚さや線幅を大きく左右す
る要素の一つであり、回路パターンの微細化に伴って被
処理基板の温度管理は益々その厳しさを増しつつある。

【０００４】こうした事情により、塗布現像処理システ
ムでは、これを構成する各部の配置計画において、レジ
スト塗布ユニットや現像ユニットに対する他の部分から
の熱影響を考慮することの重要性が高まっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情を鑑みてなされたものであり、レジスト塗布ユニッ
トや現像ユニット等の液処理系の処理ユニットが、外部
からの熱影響を受けてその処理特性に変動が生じること
のない処理装置の実現を目的とするものである。また、
特に本発明は、この処理装置を制御する回路を実装した
プリント基板等の電子部品群がレジスト塗布や現像処理
等に熱影響を及ぼし得る発熱源の一つであるとして、こ
れら制御用の電子部品群からの熱影響がレジスト塗布や
現像処理等の液処理系に及ぶことを阻止し、以て歩留り
を向上させることのできる処理装置の提供を目的とする
ものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の処理装置は、請求項１に記載されるよう
に、被処理基板を処理する複数の第１の処理ユニット
と、被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユ
ニットと、前記各第１の処理ユニットに対して前記被処
理基板の出し入れを行う第１の搬送ユニットと、前記各
第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニットと
対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニットの
うちの一部のユニット及び前記第２の処理ユニットに対
して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニッ
トと、前記第２の処理ユニットを除く領域の上方に配置
された制御用の電子部品群とを具備することを特徴とす
る。

【０００７】また、本発明の処理装置は、請求項２に記
載されるように、被処理基板に対して処理液を用いた処
理を除く所定の処理を行う複数の第１の処理ユニット
と、被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユ
ニットと、前記各第１の処理ユニットに対して前記被処
理基板の出し入れを行う第１の搬送ユニットと、前記各
第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニットと
対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニットの
うちの一部のユニット及び前記第２の処理ユニットに対
して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニッ
トと、前記第１の処理ユニットの領域の上方に配置され
た制御用の電子部品群とを具備することを特徴とする。

【０００８】さらに、本発明の処理装置は、請求項３に
記載されるように、被処理基板を処理する複数の第１の
処理ユニットと、被処理基板を処理液を用いて処理する
第２の処理ユニットと、外部との間で被処理基板の受け
渡しを行う外部受渡部と、前記外部受渡部との間での被
処理基盤の受け渡し、及び前記各第１の処理ユニットに
対して前記被処理基板の出し入れを行う第１の搬送ユニ
ットと、前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の
搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前記各第１の
処理ユニットのうちの一部のユニット及び前記第２の処
理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第
２の搬送ユニットと、前記第２の処理ユニットを除く領
域の上方に配置された制御用の電子部品群とを具備する
ことを特徴とするものである。

【０００９】さらに、本発明の処理装置は、請求項４に
記載されるように、被処理基板を収容するカセットに対
して被処理基板の出し入れを行うカセットステーション
と、露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフ
ェース部と、被処理基板に対して所定の処理を行う複数
の第１の処理ユニットと、被処理基板を処理液を用いて
処理する第２の処理ユニットと、前記カセットステーシ
ョン及び／又は前記インターフェース部との間での被処
理基板の受け渡し、及び前記各第１の処理ユニットに対
して前記被処理基板の出し入れを行う第１の搬送ユニッ
トと、前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬
送ユニットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処
理ユニットのうちの一部のユニット及び前記各第２の処
理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第
２の搬送ユニットと、前記第２の処理ユニットを除く領
域の上方に配置された制御用の電子部品群とを具備する
ことを特徴とする。

【００１０】すなわち、本発明の処理装置によれば、被
処理基板に対してレジスト塗布や現像等の液処理を行う
第２の処理ユニットを除く領域の上方、例えば被処理基
板に対して熱処理等を行う第１の処理ユニットの上方や
搬送ユニットの上方に、この処理装置を制御する電子部
品群を配置したことによって、当該制御用の電子部品群
からレジスト塗布ユニットや現像ユニット等の液処理系
ユニットへの熱影響を最小に抑えることが可能となり、
この結果、歩留りの向上を図ることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。

【００１２】図１乃至図３は、各々本発明の実施形態が
採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の
塗布現像処理システム１の全体構成を示しており、図１
はその平面図、図２は正面側の側面図、図３は背面側の
一部断面・側面図である。これらの図に示すように、本
実施形態の塗布現像処理システム１は、ウエハＷを複数
収容したウエハカセットＣＲを外部との間で搬入・搬出
したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷの出し入
れを行うためのカセットステーション１０と、ウエハＷ
に対して１枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユ
ニットを配置して構成される処理ステーション１１と、
外部の露光装置との間でウエハＷの受け渡しを行うイン
ターフェース部１２とを一体に組み合わせて構成され
る。

【００１３】カセットステーション１０内には、図１に
示すように、カセット載置台２０上に複数例えば５個ま
でのウエハカセットＣＲが各々のウエハ出入口を処理ス
テーション１１側に向けて一列に載置され、これらウエ
ハカセットＣＲに対して、Ｘ方向及びＺ方向（ウエハカ
セッ卜ＣＲ内のウエハ配列方向；垂直方向）に移動自在
に設けられたウエハ搬送体２１がウエハＷの出し入れ操
作を行うようになっている。このウエハ搬送体２１は、
θ方向に回転自在に構成され、処理ステーション１１側
の第１のウエハ搬送体２２に対してウエハＷの受け渡し
を行うことも可能である。

【００１４】処理ステーション１１内には、互いに独立
した２つの搬送ユニットである第１の搬送ユニット３１
及び第２の搬送ユニット３２と各種処理ユニット群が配
設されている。

【００１５】処理ユニットは、カップＣＰ内でウエハＷ
をスピンチャック上に載せて回転しつつ処理液を用いた
所定の処理を行うスピンナ型のもの（レジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ））と、ウエ
ハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型
のもの（熱処理系を含む処理ユニット群３３）とに大別
され、これらスピンナ型の処理ユニット（レジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ））とオ
ーブン型の処理ユニット（熱処理系を含む処理ユニット
群３３）とは、第２の搬送ユニット３２を挟んでその両
側に二分して配置されている。そして、オーブン型の処
理ユニット（熱処理系を含む処理ユニット群３３）によ
って、第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３
２とが互いに分離されている。

【００１６】これら処理ユニットの配置構成をさらに詳
しく説明すると、図１及び図２に示すように、スピンナ
型の処理ユニットであるレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）は、第２の搬送ユニッ
ト３２に面して横一列に並置され、オーブン型の処理ユ
ニット（熱処理系を含む処理ユニット群３３）は、図１
及び図３に示すように、縦横に複数（この例では縦４段
横５列）重ねて並置されている。なお、図３は第１の搬
送ユニット３１側からオーブン型の処理ユニット（熱処
理系を含む処理ユニット群３３）の配置構成を示した一
部断面・側面図である。

【００１７】オーブン型の処理ユニットとしては、ウエ
ハＷの冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）、ウエハＷ表面に塗布されたレジスト液の定着
性を高めるための疏水化処理を行うアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）、露光処理前のウエハＷに対して加熱処理
を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、露
光処理後のウエハＷに対して加熱処理を行うポストベー
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）、イクステンション・
クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、第１の搬送ユニ
ット３１と第２の搬送ユニット３２との間でウエハＷの
受け渡しを行うためのイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）等がある。

【００１８】ここで、処理温度の比較的低いクーリング
ユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユ
ニット（ＥＸＴＣＯＬ）及びイクステンションユニット
（ＥＸＴ）は例えば最下段に配置され、処理温度の比較
的高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及び
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）はクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）よりも上
段に配置されている。このように処理温度の高いユニッ
トを上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干
渉を少なくしている。

【００１９】第１の搬送ユニット３１内には、カセット
ステーション１０とインターフェース部１２との間でＹ
方向に移動自在とされ、Ｚ方向（垂直方向）に上下動で
きると共に、θ方向に回転し得るように構成された第１
のウエハ搬送体２２が設けられており、この第１のウエ
ハ搬送体２２によって、カセットステーション１０、イ
ンターフェース部１２との間でのウエハＷの受け渡し、
及び熱処理系を含む処理ユニット群３３における個々の
オーブン型処理ユニットに対するウエハＷの出し入れが
行われる。

【００２０】一方、第２の搬送ユニット３２内には、例
えば位置固定型の２つのウエハ搬送体、例えばＺ方向
（垂直方向）に上下動できると共にθ方向に回転自在に
構成された２つの搬送体（第２のウエハ搬送体２３及び
第３のウエハ搬送体２４）が設けられている。この第２
の搬送体２３によって、図１及び図４に示すように、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）に対するウエハＷの
出し入れや、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に対する
ウエハＷの出し入れ、さらに第３の搬送体２４との間で
のウエハＷの受け渡しが行われるものとされている。さ
らに、第３の搬送体２４は、第２の搬送体２３との間で
のウエハＷの受け渡し、及び現像ユニット（ＤＥＶ）に
対するウエハＷの出し入れを行うものである。

【００２１】図４に示すように、各処理ユニットには各
々、ウエハＷの搬入・搬出用の開口４１が設けられてお
り、これらの開口４１は図示しない駆動手段によって駆
動するシャッタ４２によって個々に開閉される。したが
って、第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３
２との間でのウエハＷの受け渡しに供されるイクステン
ションユニット（ＥＸＴ）には、各搬送ユニット３１、
３２と対向する両面に開口４１とその開閉用のシャッタ
４２が各々設けられている。

【００２２】インターフェース部１２には、可搬型のピ
ックアップカセットＣＲ、定置型のバッファカセットＢ
Ｒ、図示しない周辺露光装置、及びウエハ搬送体２５等
が設けられている。ウエハ搬送体２５は、Ｘ方向及びＺ
方向に移動して上記両カセットＣＲ、ＢＲに対するウエ
ハＷの受け渡し動作を行う。また、ウエハ搬送体２５は
θ方向にも回転自在とされ、処理ステーション１１側の
第１のウエハ搬送体２２及び外部の露光装置側のウエハ
受渡し台（図示せず）との間でのウエハＷの受け渡しを
行うように構成されている。

【００２３】また、図３、図４、図５に示すように、カ
セットステーション１０、処理ステーション１１及びイ
ンターフェース部１２の上方にはエアー供給室１０ａ、
１１ａ1 、１１ａ2 、１２ａが設けられており、各エア
ー供給室１０ａ、１１ａ1 、１１ａ2 、１２ａの下部に
は防塵フィルタ１０ｂ、１１ｂ1 、１１ｂ2 、１２ｂが
取り付けられている。このシステムの外部には空調器３
７が設置されており、この空調器３７より配管３９を通
って空気が各エアー供給室１０ａ、１１ａ1 、１１ａ2
、１２ａに導入され、各エアー供給室のフィルタ１０
ｂ、１１ｂ1 、１１ｂ2 、１２ｂにより清浄な空気が各
部１０、１１、１２に供給されるようになっている。こ
のダウンフローの空気はシステム下部の適当な箇所に複
数設けられている通気孔４０を通って底部の排気口４２
に集められ、この排気口４２から配管４５を通って空調
器３７に回収されるようになっている。

【００２４】また、本実施形態の塗布現像処理システム
１では、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）や現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）等の液処理系の処理ユニットの領域を除く
領域、例えば図４、図５に示すように、オーブン型処理
ユニット群３３の上方には、メインコントローラ（Ｅ／
Ｃ）や、このメインコントローラ（Ｅ／Ｃ）の下で個々
の機能動作部（各ウエハ搬送体、各処理ユニット、タッ
チパネルディスプレイ等）の制御を行う各種制御回路
（Ｍ／Ｃ）、及び電源用回路等を実装したプリント基板
を収納した回路ボックス５１が配置されている。

【００２５】この回路ボックス５１は発熱源の一つであ
ることから、その熱影響ができるだけ他に及ぶことのな
い位置に配置する必要がある。この点から、回路ボック
ス５１はレジスト液、現像液等の薬液を保管した領域か
らできるだけ離れた位置で、且つレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）や現像ユニット（ＤＥＶ）等の液処理系の処
理ユニットより上方の位置、さらに好ましくは、レジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）や現像ユニット（ＤＥＶ）等
の液処理系の処理ユニットの位置の真上を避けた位置に
配置することが望ましい。

【００２６】これら液処理系の処理ユニットにおいては
ウエハＷの厳密な温度管理の下でのレジスト膜形成を行
っており、外部からの熱影響を受けてウエハ温度がごく
僅かにでも変動すると、ウエハ表面に形成されるレジス
ト膜の厚さや線幅にバラツキが生じる恐れがある。そこ
で、回路ボックス５１をレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）や現像ユニット（ＤＥＶ）等の液処理系の処理ユニ
ットより高い位置に配置すると共に、液処理系の処理ユ
ニットの位置の真上を避けた位置に配置することによっ
て、レジスト塗布処理及び現像処理にて受ける回路ボッ
クス５１からの熱影響を最小に抑えることが可能とな
り、歩留りの向上を図ることができる。

【００２７】本実施形態の塗布現像処理システム１で
は、特に、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）や現像ユニ
ット（ＤＥＶ）等の液処理系の処理ユニットの領域の真
上を除く位置としてオーブン型処理ユニット群３３の上
方を選び、ここに回路ボックス５１を配置したことによ
って、回路ボックス５１の熱影響がレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）や現像ユニット（ＤＥＶ）等の液処理系の
処理ユニットに至らないようにしている。この場合、回
路ボックス５１とオーブン型処理ユニット群３３との熱
的干渉による問題も無い。

【００２８】また、回路ボックス５１の位置としては、
オーブン型処理ユニット群３３の上方の他に、例えば、
第１の搬送ユニット３１の上方、第２の搬送ユニット３
２の上方（この場合、オーブン型処理ユニット群３３に
できるだけ近い位置が好ましい。）等でもよいことは言
うまでもない。

【００２９】次に、この塗布現像処理システムによる処
理の流れを説明する。

【００３０】まずカセットステーション１０において、
ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウ
エハＷを収容しているカセットＣＲにアクセスして、そ
のカセットＣＲから１枚のウエハＷを取り出す。その
後、ウエハ搬送体２１は、処理ステーンション１１の第
１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２にウ
エハＷを受け渡す。第１のウエハ搬送体２２は、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）の位置までＹ方向及びＺ方
向（垂直方向）に移動し、さらにθ方向に回転して、ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）内にウエハＷを移載す
る。

【００３１】アライメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウ
エハＷのオリフラ合わせ及びセンタリングが終了する
と、第１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２
２は、アライメントが完了したウエハＷを受け取り、続
いてアドヒージョンユニット（ＡＤ）の位置までＹ方向
及びＺ方向（垂直方向）に移動してアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）内にウエハＷを移載する。ここでウエハＷ
の疎水化処理が行われる。

【００３２】疎水化処理を終えたウエハＷは、続いて第
１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２によ
って所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
に搬入されてベーキングされた後、所定のクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）に搬入される。このクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定
温度例えば２３℃まで冷却される。

【００３３】ウエハＷの冷却処理が終了すると、第１の
搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２は当該ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）からウエハＷを取り出した
後、イクステンションユニット（ＥＸＴ）の位置まで移
動し、このイクステンションユニット（ＥＸＴ）内にウ
エハＷを搬入してその中の載置台ＳＰ上にウエハＷを載
置する。

【００３４】この後、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を通じてウエハＷは第２の搬送ユニット３２内に移
送される。すなわち、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）第２の搬送ユニット３２に面している開口４１を開
閉するシャッタ４２が開き、イクステンションユニット
（ＥＸＴ）内の載置台ＳＰ上に載置されているウエハＷ
が第２の搬送ユニット３２内の第２の搬送体２３によっ
てイクステンションユニット（ＥＸＴ）内より搬出さ
れ、シャッタ４２が閉じられる。

【００３５】なお、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）の両開口４１を開閉する各シャッタ４２は、例え
ば、第２の搬送ユニット３２内の雰囲気圧を第１の搬送
ユニット３１内のそれよりも高くしておくなど、第１の
搬送ユニット３１から第２の搬送ユニット３２へのパー
ティクル等の異物浸入を阻止可能な他の手段を用いるこ
とによって排除することが可能である。

【００３６】その後、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）内より第２の搬送ユニット３２内に移送されたウエ
ハＷは、第２の搬送体２３によって、レジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）へ搬入され、このレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）内でウエハＷ表面へのレジスト塗布が行われ
る。

【００３７】レジスト塗布処理が終了すると、第２の搬
送ユニット３２内の第２のウエハ搬送体２３はウエハＷ
をレジス卜塗布ユニット（ＣＯＴ）から取り出し、再び
イクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬入する。この
後、第１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２
２によってイクステンションユニット（ＥＸＴ）内から
ウエハＷが搬出され、続いて第１のウエハ搬送体２２は
所定のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の位置ま
で第１の搬送ユニット３１内をＹ方向及びＺ方向（垂直
方向）に移動し、ウエハＷをプリベークユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）内に搬入する。ウエハＷはここで所定温度
例えば１００℃で所定時間加熱され、以てウエハＷ上の
塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。

【００３８】この後、ウエハＷは第１のウエハ搬送体２
２によってインターフェース部１２イクステンション・
クーリングユニット（ΕΧＴＣＯＬ）へ搬入され、ここ
でウエハＷは、次工程つまりインターフェース部１２内
に設けられた周辺露光装置（図示せず）による周辺露光
処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。

【００３９】続いて第１の搬送ユニット３１内の第１の
ウエハ搬送体２２は、イクステンション・クーリングユ
ニット（ΕΧＴＣＯＬ）内からウエハＷを取り出し、イ
ンターフェース部１２のウエハ搬送体２５に受け渡す。
このインターフェース部１２のウエハ搬送体２５は当該
ウエハＷをインターフェース部１２内の図示しない周辺
露光装置へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に
露光処理を受ける。

【００４０】周辺露光処理が終了すると、インターフェ
ース部１２のウエハ搬送体２５は、ウエハＷを周辺露光
装置から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台
（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光
装置へ渡される前に、必要に応じてバッファカセットＢ
Ｒに一時的に格納されることもある。

【００４１】露光装置での全面パターン露光処理が完了
して、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻され
ると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２５はそ
のウエハ受取り台から露光処理後のウエハＷを受け取
り、ウエハＷを再び処理ステーション１１の第１の搬送
ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２に受け渡す。
この場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ受け
渡す前に、必要に応じてインターフェース部１２内のバ
ッファカセットＢＲに一時的に格納するようにしてもよ
い。

【００４２】この後、第１の搬送ユニット３１内の第１
のウエハ搬送体２２は、ウエハＷを所定のポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬入する。このポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）においてウエハＷ
は所定時間ベーク処理される。続いて、ベーキングされ
たウエハＷは、第１の搬送ユニット３１内のウエハ搬送
体２２によっていずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬入され、このクーリングユニット（ＣＯＬ）内
でウエハＷは常温に戻される。

【００４３】続いて、ウエハＷは、イクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）内に搬入された後、前記同様に第２の
搬送ユニット３２内の第２の搬送体２３によってイクス
テンションユニット（ＥＸＴ）内から取り出され、さら
に第２の搬送ユニット３２内の第３の搬送体２４に受け
渡される。そして、この第３の搬送体２４によってウエ
ハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）内に搬入される。

【００４４】この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエ
ハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー
方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が均一に
かけられて現像が行われる。現像後は、現像ユニット
（ＤＥＶ）内にて、ウエハ表面にリンス液がかけられ、
現像液の洗い落しが行われる。

【００４５】この後、第２の搬送ユニット３２内の第３
のウエハ搬送体２４は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）から搬出した後、隣の第２の搬送体２３に受け渡
す。第２の搬送体２３は第３のウエハ搬送体２４より受
け渡されたウエハＷをイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）内に搬入する。この後、第１の搬送ユニット３１内
の第１のウエハ搬送体２２によってイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）内からウエハＷが搬出され、続いて第
１のウエハ搬送体２２は所定のポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫΕ）へウエハＷを搬入する。このポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハ
Ｗは例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、これによ
って、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向
上する。

【００４６】ポストベーキングが終了すると、第１の搬
送ユニット３１内のウエハ搬送体２２はウエハＷをポス
トベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次
に所定のクーリングユニット（ＣＯＬ）へウエハＷを搬
入して冷却処理が行われる。ここでウエハＷが常温に戻
った後、第１のウエハ搬送体２２は、ウエハＷをカセッ
トステーション１０側のウエハ搬送体２１に受け渡す。
そしてウエハ搬送体２１は、受け取ったウエハＷをカセ
ット載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセットＣ
Ｒの所定のウエハ収容溝に入れる。

【００４７】このように本実施形態の塗布現像処理シス
テム１は、カセットステーション１０及び露光装置用の
インターフェース部１２との間でのウエハＷの受け渡
し、及び熱処理系を含むオーブン型処理ユニット群３３
に対するウエハＷの出し入れを行う第１の搬送ユニット
３１と、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニ
ット（ＤＥＶ）に対してウエハＷの出し入れを行う第２
の搬送ユニット３２とを互いに分離して配置し、且つ第
１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３２との間
でのウエハＷの受け渡しは熱処理系のオーブン型処理ユ
ニット群３３のなかのイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を通じて行うように構成されたものである。

【００４８】したがって、第２の搬送ユニット３２の密
閉性が向上し、カセットステーション１０及び露光装置
用のインターフェース部１２から第２の搬送ユニット３
２内への塵埃等の異物の浸入を低減或いは阻止すること
ができ、レジスト塗布や現像時、或いはその直前直後に
ウエハＷ表面に異物が付着することに起因する歩留りの
低下を効果的に抑制することが可能になる。

【００４９】また、本実施形態の塗布現像処理システム
１においては、各種の制御回路や電源用回路等を実装し
たプリント基板を収納した回路ボックス５１を、レジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）や現像ユニット（ＤＥＶ）等
の液処理系の処理ユニットを除く領域の上方に配置した
ことによって、レジスト塗布処理及び現像処理にて受け
る回路ボックス５１からの熱影響を最小に抑えることが
可能となり、歩留りの向上を図ることができる。

【００５０】ところで、上記した塗布現像処理システム
における各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可
能である。

【００５１】例えば、図６に示すように、第２の搬送ユ
ニット３２内の空間を隔壁３５によってレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）側の空間３２ａと現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）側の空間３２ｂとに二分し、個々の空間３２ａ、３
２ｂ内にウエハ搬送体２３、２４を一体ずつ設けると共
に、第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３２
との間に配置された熱処理系を含むオーブン型処理ユニ
ット群３３の最下段の２つの処理ユニットを、上記個々
のウエハ搬送体２３、２４に対応するウエハ受け渡し用
のイクステンションユニット（ＥＸＴ）として用いるよ
うに構成してもよい。

【００５２】また、以上の実施形態では、熱処理系を含
むオーブン型処理ユニット群３３の最下段の処理ユニッ
トの中からイクステンションユニット（ＥＸＴ）を決定
したが、その他の段の処理ユニット例えば下から二段目
や三段目の処理ユニットをイクステンションユニットと
して用いても構わない。

【００５３】さらに、前記の実施形態では、処理ステー
ション１１を間に挟んでその両側にカセットステーショ
ン１０とインターフェース部１２とを配置する構成とし
たが、図７に示すように、第１の搬送ユニット３１を挟
んで熱処理系を含むオーブン型処理ユニット群３３と対
向する位置にインターフェース部１２を並設してもよ
い。この構成において、インターフェース部１２には、
例えば複数（この例では２つ）のウエハ搬送体１２５、
１２６を設けることが可能であり、これら複数のウエハ
搬送体１２５、１２６を、ウエハＷを露光装置と処理ス
テーション１１との間で受け渡す際のバッファとして利
用することができる。なお、２８は露光装置によるウエ
ハＷの全面露光が行われる前にウエハＷの周縁部に露光
を施す周辺露光装置である。

【００５４】また、以上説明した実施形態では、第２の
搬送ユニット３２内のウエハ搬送体として位置固定型の
ものを採用したが、これに代えて、例えば図８に示すよ
うに、第１の搬送ユニット３１内のウエハ搬送体２２と
同様な構造のもの、すなわちＹ方向に移動自在なウエハ
搬送体２２３を採用して本発明に係る塗布現像処理シス
テムを構成してもよい。

【００５５】以上、半導体ウエハの表面にレジスト液を
塗布し、現像する装置について説明したが、本発明はＬ
ＣＤ基板等の表面にレジスト液を塗布し、現像する装置
にも適用できることは言うまでもまい。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の処理装置に
よれば、被処理基板に対してレジスト塗布や現像等の液
処理を行う第２の処理ユニットを除く領域の上方、例え
ば被処理基板に対して熱処理等を行う第１の処理ユニッ
トの上方や搬送ユニットの上方に、この処理装置を制御
する電子部品群を配置したことによって、当該制御用の
電子部品群からレジスト塗布ユニットや現像ユニット等
の液処理系ユニットへの熱影響を最小に抑えることが可
能となり、この結果、歩留りの向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗布
現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面側の
側面図

【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面側の
一部断面・側面図

【図４】図１に示した塗布現像処理システムの断面図

【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける天
井部のフィルタ及び回路ボックスの配置構成を示す平面
図

【図６】本発明の他の実施形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図７】本発明のさらに他の実施形態である半導体ウエ
ハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図８】本発明のさらに他の実施形態である半導体ウエ
ハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図

【符号の説明】 Ｗ……半導体ウエハ １０……カセットステーション １１……処理ステーション １２……インターフェース部 ３１……第１の搬送ユニット ３２……第２の搬送ユニット ３３……熱処理系を含む処理ユニット群 ５１……回路ボックス ＣＯＴ……レジスト塗布ユニット ＤＥＶ……現像ユニット ＥＸＴ……ウエハ受渡し用のイクステンションユニット

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を処理する複数の第１の処理
   ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部のユニット及び前記第２の処理ユニッ
   トに対して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送
   ユニットと、 前記第２の処理ユニットを除く領域の上方に配置された
   制御用の電子部品群とを具備することを特徴とする処理
   装置。
2. 【請求項２】 被処理基板に対して処理液を用いた処理
   を除く所定の処理を行う複数の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部のユニット及び前記第２の処理ユニッ
   トに対して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送
   ユニットと、 前記第１の処理ユニットの領域の上方に配置された制御
   用の電子部品群とを具備することを特徴とする処理装
   置。
3. 【請求項３】 被処理基板を処理する複数の第１の処理
   ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
   と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
   前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部のユニット及び前記第２の処理ユニッ
   トに対して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送
   ユニットと、 前記第２の処理ユニットを除く領域の上方に配置された
   制御用の電子部品群とを具備することを特徴とする処理
   装置。
4. 【請求項４】 被処理基板を収容するカセットに対して
   被処理基板の出し入れを行うカセットステーションと、 露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフェー
   ス部と、 被処理基板に対して所定の処理を行う複数の第１の処理
   ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 前記カセットステーション及び／又は前記インターフェ
   ース部との間での被処理基板の受け渡し、及び前記各第
   １の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
   行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部のユニット及び前記各第２の処理ユニ
   ットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬
   送ユニットと、 前記第２の処理ユニットを除く領域の上方に配置された
   制御用の電子部品群とを具備することを特徴とする処理
   装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４記載のいずれかの処理装
   置において、 前記第２の処理ユニットが前記第２の搬送ユニットを挟
   んで前記各第１の処理ユニットと対向する位置に配置さ
   れていることを特徴とする処理装置。