JP3254148B2 - 処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の被処理体に対して塗布・現像のよう
な処理を施す処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
シリコン基板に代表される半導体ウエハに対し、処理液
例えばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト
膜を露光し、これを現像処理する一連の処理を施す工程
が存在する。

【０００３】このような塗布・現像を行う処理システム
は、被処理体としての半導体ウエハをカセットから搬出
し、カセットへ搬入するカセット・ステーションと、ウ
エハを洗浄する洗浄ユニットと、ウエハの表面を疎水化
処理するアドヒージョンユニットと、ウエハを所定温度
に冷却する冷却ユニット、ウエハの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布ユニットと、レジスト液塗布の前
後でウエハを加熱するプリベークまたはポストベークを
行うベーキングユニットと、ウエハの周縁部のレジスト
を除去するための周辺露光ユニットと、隣接する露光装
置との間でウエハの受渡しを行うためのウエハ受渡し台
と、露光処理済みのウエハを現像液に晒してレジストの
感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解せしめる
現像ユニットとを一体に集約化した構成を有しており、
これにより作業の向上を図っている。

【０００４】このような処理システムとしては、従来、
システムの中央部に長手方向に沿って配設されるウエハ
搬送路が設けられ、上記複数のユニットを搬送路の両側
に各々正面を向けた状態で配設され、各ユニットにウエ
ハを搬送するためのウエハ搬送体がウエハ搬送路上を移
動するように構成されたものが一般的に用いられてい
る。したがって、水平方向に延びるウエハ搬送路に沿っ
て各種処理ユニットが配列される横長のシステム構成と
なるため、システム全体の占有スペースが大きくなり、
クリーンルームコストが高くつくという問題がある。特
に、この種の処理システムに有効な垂直層流方式によっ
てシステム全体ないし各部の清浄度を高めようとする
と、スペースが大きいため、空調器またはフィルタ等の
イニシャルコストおよびメンテナンスコストが非常に高
くつく。

【０００５】そこで、ウエハ搬送体を垂直方向に移動可
能で垂直軸の回りに回転可能にし、このウエハ搬送体の
周囲に各処理ユニットを多段に配置した処理システムが
提案されている（特開平４−８５８１２号公報）。この
ような処理システムによれば、システムの占有スペース
が縮小するので、クリーンルームコストが低下するとと
もに、搬送速度およびアクセス速度を高速化することが
可能となり、スループットの向上を図ることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな処理システムにおいては、多数の処理ユニットが積
層されて設けられており、かつ加熱ユニット、冷却ユニ
ット、搬送ユニットおよびアドヒージョンユニットなど
はオープン型のユニットであるため、これら処理ユニッ
ト間で相互に影響を受け合い、適正な処理が行われなく
なるおそれがある。特に、アドヒージョン処理などのガ
スを使用する処理の場合、漏出したガスが他の処理ユニ
ットに侵入し、被処理体である半導体ウエハに悪影響を
与えるおそれがある。本発明はかかる事情に鑑みてなさ
れたものであって、ガス処理ユニットが他の処理ユニッ
トに影響を及ぼすことがない処理装置を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、被処理体に対して複数工程からなる処
理を施す処理装置であって、鉛直方向に沿って延在する
搬送路と、この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体
に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方
向に積層して構成される複数の処理部と、前記搬送路を
移動するとともに、前記複数の処理部の各処理ユニット
に対して前記被処理体を搬入出する搬送機構と、前記搬
送路にダウンフローを形成するダウンフロー形成手段
と、を具備し、前記処理部のうち少なくとも１つは、加
熱または冷却するための複数の熱的ユニットと、ガス処
理ユニットと、装置外に対して被処理体の搬入出を行う
搬送ユニットとを有し、前記ガス処理ユニットが熱的ユ
ニットおよび搬送ユニットより下方位置に配置されてい
ることを特徴とする処理装置を提供する。

【００１０】第２発明は、第１発明の処理装置におい
て、前記複数の熱的ユニットが、加熱するためのユニッ
トより下に冷却するためのユニットが位置する配置を有
し、それより下方位置に搬送ユニットが配置されている
ことを特徴とする処理装置を提供する。

【００１１】第３発明は、被処理体に対して塗布・現像
処理を施す処理装置であって、鉛直方向に沿って延在す
る搬送路と、この搬送路の周囲に配置され、被処理体に
レジストを塗布するレジスト塗布ユニットおよびレジス
トのパターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニッ
トが鉛直方向に積層されてなる少なくとも一つの第１の
処理部と、被処理体を加熱する加熱ユニットと、被処理
体を冷却する冷却ユニットと、装置外に対して被処理体
の搬入出を行う搬送ユニットと、被処理体に対して疎水
化処理を行うアドヒージョン処理ユニットとが鉛直方向
に積層されてなる少なくとも一つの第２の処理部と、前
記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各処
理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する搬送機構
と、前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフロー
形成手段と、を具備し、前記第２の処理部は、下方から
アドヒージョン処理ユニット、搬送ユニット、冷却ユニ
ット、加熱ユニットの順に配置されていることを特徴と
する処理装置を提供する。

【００１２】第４発明は、上記第１ないし第３発明のい
ずれか一つの処理装置において、前記ダウンフロー形成
手段は、前記搬送路の上端に設けられた気体取り入れ口
と、前記搬送路の下端に設けられた排気口と、前記気体
取り入れ口に設けられ、取り入れられた気体を清浄化す
るフィルタ機構とを有することを特徴とする処理装置を
提供する。

【００１３】第１発明においては、鉛直方向に沿って延
在する搬送路にダウンフローを形成するとともに、加熱
または冷却するための複数の熱的ユニットと、ガス処理
ユニットと、装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬
送ユニットとが鉛直方向に積層して構成される処理部に
おいて、ガス処理ユニットを熱的ユニットおよび搬送ユ
ニットの下に配置したので、ガス処理ユニットから漏出
したガスがダウンフローによって下方に流れ、上方の熱
的ユニットおよび搬送ユニットにガスの影響を及ぼすこ
とを回避することができる。

【００１４】第２発明においては、第１発明に加え、複
数の熱的ユニットを、加熱するためのユニットの下に冷
却するユニットが位置する配置とし、その下に搬送ユニ
ットを配置したので、熱的な相互干渉をより少なくする
ことができる。

【００１５】第３発明においては、被処理体に対して塗
布・現像処理を施す処理装置において、鉛直方向に沿っ
て延在する搬送路にダウンフローを形成するとともに、
加熱ユニットと、冷却ユニットと、搬送ユニットと、ア
ドヒージョン処理ユニットとが鉛直方向に積層されてな
る第２の処理部の配置を、下方からアドヒージョン処理
ユニット、搬送ユニット、冷却ユニット、加熱ユニット
の順にしたので、ガス処理ユニットから漏出したガスが
ダウンフローによって下方に流れ、他の処理ユニットに
影響を及ぼすことが回避されるとともに熱的な相互干渉
を防止することができる。

【００１６】第４発明においては、ダウンフロー形成手
段が、気体取り入れ口に設けられ、取り入れられた気体
を清浄化するフィルタ機構を有し、清浄化された気体が
搬送路下端の排出口から排出されるので、常に清浄化さ
れた気体のダウンフローが形成され、極めて清浄度の高
い処理を行うことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置を半導体
ウエハへのレジスト塗布・現像処理システムに適用した
実施形態を添付図面に基いて詳細に説明する。図１は本
実施の形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを示
す概略平面図、図２は図１の正面図、図３は図１の背面
図である。

【００１８】この処理システムは、カセットステーショ
ン１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーショ
ン２０と、処理ステーション２０と隣接して設けられる
露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すため
のインター・フェース部３０とを具備している。

【００１９】上記カセットステーション１０は、被処理
体としての半導体ウエハＷを複数枚例えば２５枚単位で
ウエハカセット１に搭載された状態で他のシステムから
このシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステ
ムへ搬出したり、ウエハカセット１と処理ステーション
２０との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。

【００２０】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセット載置台２上に図中Ｘ方
向に沿って複数（図では４個）の突起３が形成されてお
り、この突起３の位置にウエハカセット１がそれぞれの
ウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて一列に
載置可能となっている。ウエハカセット１においてはウ
エハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、
カセットステーション１０は、ウエハカセット載置台２
と処理ステーション２０との間に位置するウエハ搬送機
構４を有している。このウエハ搬送機構４は、カセット
配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム４ａ
を有しており、このアーム４ａによりいずれかのウエハ
カセット１に対して選択的にアクセス可能となってい
る。また、ウエハ搬送用アーム４ａは、θ方向に回転可
能に構成されており、後述する処理ステーション２０側
のグループＧ３に属する搬送ユニット（ＴＲ）４６との
間でウエハＷを搬送することができる。

【００２１】上記処理ステーション２０は、半導体ウエ
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション２０は、
図１に示すように、中心部に垂直方向に移動可能な主ウ
エハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２
１のウエハ搬送路２２の周りに全ての処理ユニットが配
置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処
理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが
鉛直方向に沿って多段に配置されている。この態様にお
いては、５個の処理部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４およびＧ
５がウエハ搬送路２２の周囲に配置されており、ウエハ
搬送路２２が略閉鎖された空間となっている。

【００２２】これらのうち、処理部Ｇ１，Ｇ２はシステ
ム正面（図１において手前）側に並列に配置され、処理
部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、処理部Ｇ４はインター・フェース部３０に隣接して
配置され、処理部Ｇ５は背部側に配置されている。

【００２３】この場合、図２に示すように、処理部Ｇ１
では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック（図示
せず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理
ユニットが上下に配置されており、この態様において
は、ウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）およびレジストのパターンを現像する現像
ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。処理部Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニット
としてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。この
ようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置
する理由は、レジスト液の廃液が機構的にもメンテナン
スの上でも現像液の廃液よりも本質的に複雑であり、こ
のように塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段に配置すること
によりその複雑さが緩和されるからである。しかし、必
要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配
置することも可能である。

【００２４】処理部Ｇ３においては、図３に示すよう
に、ウエハＷを載置台２４（図１参照）に載置して所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニットが７段配置され
ている。具体的には、下から順にアドヒージョン処理ユ
ニット（ＡＤ）４７、搬送ユニット（ＴＲ）４６、２つ
のチルプレートユニット（ＣＰ）４４，４５、および３
つのホットプレートユニット（ＨＰ）４１，４２，４３
が配置されている。

【００２５】これらのうち、ホットプレートユニット
（ＨＰ）４１，４２，４３は、半導体ウエハＷに対して
プリベーク処理またはポストベーク処理のような加熱処
理を施すものであり、チルプレートユニット（ＣＰ）４
４，４５は、半導体ウエハＷを冷却するものであり、搬
送ユニット（ＴＲ）４６は半導体ウエハＷを搬送するた
めのものである。また、アドヒージョン処理ユニット
（ＡＤ）４７は、後述するように、半導体ウエハＷに対
して疎水化処理を施すものである。

【００２６】処理部Ｇ４も同様に、図３に示すように、
オーブン型の処理ユニットが７段配置されている。具体
的には、下から順に、搬送・チルプレートユニット（Ｔ
Ｒ・ＣＰ）５４、チルプレートユニット（ＣＰ）５３、
および５つのホットプレートユニット（ＨＰ）５２，５
１，５０，４９，４８が配置されている。

【００２７】主ウエハ搬送機構２１の背部側に位置する
処理部Ｇ５も基本的には処理部Ｇ３、Ｇ４と同様、オー
プン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有して
いる。この処理部Ｇ５は、案内レール６７に沿って主ウ
エハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっ
ている。したがって、処理部Ｇ５をスライドすることに
より空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に
対して背後からメンテナンス作業が容易に行うことがで
きる。

【００２８】上記インター・フェース部３０は、Ｘ方向
の長さは処理ステーション２０と同じ長さを有してい
る。図１、図２に示すように、このインター・フェース
部３０の正面部には、可搬性のピックアップカセット３
１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、
背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、
ウエハ搬送アーム３４が配設されている。このウエハ搬
送アーム３４は、Ｘ、Ｚ方向に移動して両カセット３
１，３２および周辺露光装置３３にウエハを搬送可能と
なっている。また、このウエハ搬送アーム３４は、θ方
向に回転可能であり、処理ステーション２０側の処理部
Ｇ４に属する搬送・チルプレートユニット（ＴＲ・Ｃ
Ｐ）５４および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台
（図示せず）にもウエハＷを搬送可能となっている。

【００２９】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム内に設置され、これによって清浄度を高
めているが、さらにシステム内でも効率的に垂直層流を
供給することによって各部の清浄度を一層高めている。
図４および図５にシステム内における清浄空気の流れを
示す。

【００３０】図４に示すように、カセットステーション
１０、処理ステーション２０およびインター・フェース
部３０の上方には空気供給室１０ａ，２０ａ，３０ａが
設けられており、各空気供給室１０ａ，２０ａ，３０ａ
の下面に防塵機能付きフィルタ例えばＵＬＰＡフィルタ
５５が取り付けられている。このうち空気供給室１０
ａ，３０ａ内には配管を介して空気が導入され、ＵＬＰ
Ａフィルタ５５により清浄な空気がダウンフローでカセ
ットステーション１０およびインター・フェース部３０
に供給される。

【００３１】また、図５に示すように、主ウエハ搬送機
構２１のウエハ搬送路２２の上方には、そこに空気を供
給するための給気口２５が設けられ、その下方にはウエ
ハ搬送路２２に供給された空気を排気するための排気口
２６が設けられている。前述の空気供給室２０は、給気
口２５と給気用配管との接続部に設けられており、その
下面に上記ＵＬＰＡフィルタ５５が取り付けられ、その
上方位置に例えばアミン等の有機汚染物を除去する機能
を有するケミカルフィルタ５６が取り付けられている。

【００３２】排気口２６と排気用配管との接続部には排
気室２０ｂが設けられており、この排気室２０ｂの上面
に排気口２６が形成された多孔板５７が取り付けられ、
排気室２０ｂ内には排気ファン５５が配設されている。
また、排気室２０ｂと排気配管との接続部には圧力調整
手段例えばスリットダンパ５９が配設されている。そし
て、図示しない給気装置により搬送路２２内を給気口２
５から排気口２６に向けて清浄空気のダウンフローが形
成される。

【００３３】上記カセットステーション１０において
は、図４に示すように、カセット載置台２の上方空間と
ウエハ搬送用ピンセット４の移動空間とは垂壁式の仕切
板５によって互いに仕切られており、ダウンフローの空
間は両空間で別個に流れるようになっている。また、上
記処理ステーション２０では、図４および図５に示すよ
うに、処理部Ｇ１，Ｇ２の中で下段に配置されているレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の天井面にＵＬＰＡフィ
ルタ５５ａが設けられており、上記循環管路５２から搬
送路２２内に供給される空気がこのＵＬＰＡフィルタ５
５ａを通ってレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内に流れ
る。また、図４に示すように、各スピナ型処理ユニット
（ＣＯＴ）、（ＤＥＶ）の主ウエハ搬送機構２１に面す
る側壁には、ウエハＷおよび搬送アームが出入りするた
めの開口部６４が設けられている。各開口部６４には、
各ユニットからパーティクルまたは有機汚染物等が主ウ
エハ搬送機構２１側に入り込まないようにするためのシ
ャッタ（図示せず）が取り付けられている。

【００３４】次に、処理部Ｇ３に属するアドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）４７について説明する。図６は、
アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）を示す概略断面図
である。このアドヒージョン処理ユニットは、処理室７
１を有し、その中に被処理体としての半導体ウエハＷが
水平に支持されている。

【００３５】半導体ウエハＷを支持する支持機構７２
は、基台７３と、基台と前記被処理体との間に間隙を形
成するスペーサ７４と、半導体ウエハを位置決めする位
置決め部材７５とを備えており、いわゆるプロキシミテ
ィ方式が採用されている。図７に示すように、スペーサ
７４は、半導体ウエハＷの周囲に複数（図では４つ）設
けられており、各スペーサに対応するように複数の位置
決め部材７５が設けられている。これら位置決め部材７
５は、スペーサ７４を介在した状態で基台７２にねじ止
めされている。また、位置決め部材７５は、いわゆる落
とし込みにより半導体ウエハＷを保持するようになって
いる。なお、基台７２には加熱用のヒータ（図示せず）
が埋設されている。

【００３６】処理室７１の上部にはプレート７６が着脱
自在に設けられており、その上にはガス供給部７７およ
びガス排出部７８が設けられている。プレート７６内は
スペーサ７９により空間８０が形成されており、この空
間が排ガスの流路となる。また、スペーサ７６の底部の
外側には処理室７１に連続する孔８１が形成されてい
て、この孔８１を通って処理室７１からの排ガスが空間
８０に流れる。

【００３７】ガス供給部７７には、ガス供給配管８２が
接続されており、このガス供給配管８２には処理ガスと
してのＨＭＤＳガスおよびＮ₂ガスがバルブ８３により
選択的に通流され、これらのいずれかガス供給部７７に
供給される。ガス供給部７７内には配管８２に連続する
水平なガス流路８４が形成されており、このガス流路８
４の先端付近には、処理室７１まで垂直に延びる第１の
ガス供給孔８５と、第１のガス供給孔８５の両側に放射
状に処理室７１まで延びる第２のガス供給孔８６とが連
続している。このガス供給部７７には、図示しない切り
替え機構が設けられており、これによりＨＭＤＳガスが
供給される場合にはガス供給孔８５を通り、Ｎ₂ガスが
供給される場合にはガス供給孔８６を通るように流路が
切り替えられる。

【００３８】ガス排出部７８にはガス排出路８７が形成
されており、この排出路８７には排気管８８が接続され
ている。そして、排気管８８にはエジェクター８９が接
続されている。前記排出口８７はプレート７６の空間８
０に接続されている。したがって、処理室７１内のガス
は、排気ポンプ８９により、孔８１、空間８０および排
出口８７を通って排気管８８から排気される。

【００３９】このようなアドヒージョン処理ユニット
（ＡＤ）４７においては、まず、処理室７１内をエジェ
クター８９にて排気し、その後、ＨＭＤＳを処理室７１
内に導入して半導体ウエハＷに対して疎水化処理を行
う。この際に、ＨＭＤＳガスは、ガス流路８４からガス
供給孔８５を通って、処理室７１内の半導体ウエハＷの
中央に垂直に供給される。そして、半導体ウエハＷの中
央から外側に向かって流れ、さらに上方に向かい、孔８
１、空間８０、排気口８７を通って排気管８８から排気
される。そして、処理終了後、ＨＭＤＳガスの雰囲気が
大気中へ放出されないように、エジェクター８９により
処理室７１内を強制的に排気するとともに、置換ガスで
あるＮ₂ガスを導入する。

【００４０】このようなアドヒージョン処理は、完全密
閉ではなく半オープンのユニットで行われるため、ユニ
ット外にＨＭＤＳガスが漏出する場合がある。このよう
なガスが他のオープン型の処理ユニットに侵入すると被
処理体である半導体ウエハＷに悪影響を及ぼす。

【００４１】しかし、本システムの場合、処理部Ｇ３に
おいて、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）４７が、
ホットプレートユニット（ＨＰ）４１，４２，４３，チ
ルプレートユニット（ＣＰ）４４，４５、および搬送ユ
ニット４６よりも下にあり、しかも、搬送路２２には清
浄化された空気のダウンフローが形成されているので、
アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）４７から漏出した
ＨＭＤＳガスは、ダウンフローにより下方に流れて速か
に排気口２６から排出され、他の処理ユニットに侵入す
るおそれはほとんどない。したがって、ＨＭＤＳガスが
他の処理ユニットの半導体ウエハＷに悪影響を与えるこ
とを回避することができる。

【００４２】また、処理部Ｇ３は、上述のように、下か
ら順にアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）４７、搬送
ユニット（ＴＲ）４６、２つのチルプレートユニット
（ＣＰ）４４，４５、および３つのホットプレートユニ
ット（ＨＰ）４１，４２，４３が配置されているが、こ
のように、配置することにより、熱的な相互干渉を極力
排除することができる。

【００４３】次に、本システム全体の処理動作について
説明する。まず、カセットステーション１０において、
ウエハ搬送機構４のウエハ搬送用アーム４ａがカセット
載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット
１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷ
を取り出す。ウエハＷのアライメントを行った後、主ウ
エハ搬送機構２１は処理部Ｇ３に属するアドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）４７に半導体ウエハＷを搬入す
る。

【００４４】アドヒージョン処理が終了した半導体ウエ
ハは、いずれかのチルプレートユニット（ＣＰ）内で冷
却された後、塗布ユニット（ＣＯＴ）にて、スピンコー
トによりレジスト塗布される。その後、いずれかのホッ
トプレートユニット（ＨＰ）内でプリベークが実施さ
れ、クーリングユニットで冷却された後、周辺露光装置
３３による周辺露光が実施される。その後、半導体ウエ
ハＷは隣接する露光装置に搬送され、全面露光が実施さ
れる。

【００４５】露光処理が終了すると、インター・フェー
ス部３０のウエハ搬送アーム３４がウエハＷを受け取
り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０の処理
部Ｇ４に属する搬送・チルプレートユニット（ＴＲ・Ｃ
Ｐ）５４へ搬入する。そして、主ウエハ搬送機構２１が
ウエハＷを受け取り、現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入し
現像処理を行う。

【００４６】現像工程が終了すると、いずれかのホット
プレートユニット（ＨＰ）によりポストベークが実施さ
れる。その後いずれかのチルプテートユニット（ＣＰ）
により冷却され、さらに搬送ユニット（ＴＲ）４６の載
置台に載置される。そしてカセットステーション１０の
アーム４ａがウエハＷを受け取り、カセット載置台２上
の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収
容溝に入れる。これにより一連の処理が完了する。

【００４７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の
形態では、ガス処理としてアドヒージョン処理の場合に
ついて示したが、これに限るものではない。また、被処
理体も半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ガラス基
板、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等種々のも
の適用可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス処理ユニットを他のユニットの下に配置したので、
ガス処理ユニットが他の処理ユニットに影響を及ぼすこ
とがない処理装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス処理装置の一実施形態に係るレジ
スト液塗布・現像処理システムを示す平面図。

【図２】図１のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す側面図。

【図３】図１のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す背面図。

【図４】図１のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける清浄空気の流れを示す概略図。

【図５】図１のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける清浄空気の流れを示す概略図。

【図６】図１のレジスト液塗布・現像処理システムに適
用されたアドヒージョン処理ユニットを示す概略断面
図。

【図７】図６のユニットに用いられる半導体ウエハ支持
機構を説明するための図。

【符号の説明】

１０……カセットステーション ２０……処理ステーション ２１……主基板搬送機構 ２２……搬送路 ２５……給気口 ２６……排気口 ４１，４２，４３……ホットプレートユニット ４４，４５……チルプレートユニット ４６……搬送ユニット ４７……アドヒージョン処理ユニット Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５……処理部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−46010（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−288357（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に対して複数工程からなる処理
   を施す処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体に対して所
   定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層し
   て構成される複数の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
   処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する搬送機
   構と、 前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフロー形成
   手段と、 を具備し、 前記処理部のうち少なくとも１つは、加熱または冷却す
   るための複数の熱的ユニットと、ガス処理ユニットと、
   装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬送ユニットと
   を有し、前記ガス処理ユニットが熱的ユニットおよび搬
   送ユニットより下方位置に配置されていることを特徴と
   する処理装置。
2. 【請求項２】 前記複数の熱的ユニットが、加熱するた
   めのユニットより下に冷却するためのユニットが位置す
   る配置を有し、それより下方位置に搬送ユニットが配置
   されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装
   置。
3. 【請求項３】 被処理体に対して塗布・現像処理を施す
   処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジストを塗
   布するレジスト塗布ユニットおよびレジストのパターン
   を現像する現像ユニットを含む処理ユニットが鉛直方向
   に積層されてなる少なくとも一つの第１の処理部と、 被処理体を加熱する加熱ユニットと、被処理体を冷却す
   る冷却ユニットと、 装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬送ユニット
   と、被処理体に対して疎水化処理を行うアドヒージョン
   処理ユニットとが鉛直方向に積層されてなる少なくとも
   一つの第２の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
   処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する搬送機
   構と、 前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフロー形成
   手段と、 を具備し、 前記第２の処理部は、下方からアドヒージョン処理ユニ
   ット、搬送ユニット、冷却ユニット、加熱ユニットの順
   に配置されていることを特徴とする処理装置。
4. 【請求項４】 前記ダウンフロー形成手段は、前記搬送
   路の上端に設けられた気体取り入れ口と、前記搬送路の
   下端に設けられた排気口と、前記気体取り入れ口に設け
   られ、取り入れられた気体を清浄化するフィルタ機構と
   を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のい
   ずれか１項に記載の処理装置。