KR100386130B1 - 처리 장치 및 처리 시스템과 기판 반송장치 및 기판 반송방법 - Google Patents

처리 장치 및 처리 시스템과 기판 반송장치 및 기판 반송방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100386130B1
KR100386130B1 KR1019970001966A KR19970001966A KR100386130B1 KR 100386130 B1 KR100386130 B1 KR 100386130B1 KR 1019970001966 A KR1019970001966 A KR 1019970001966A KR 19970001966 A KR19970001966 A KR 19970001966A KR 100386130 B1 KR100386130 B1 KR 100386130B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conveying
processing
processed
space
unit
Prior art date
Application number
KR1019970001966A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970060443A (ko
Inventor
히데타미 야에가시
다카유키 도시마
마사미 아키모토
에이지 야마구치
준이치 가타노
다카유키 기타노
히로시 신야
나루아키 이이다
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP03124996A external-priority patent/JP3225344B2/ja
Priority claimed from JP13726496A external-priority patent/JP3342803B2/ja
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR970060443A publication Critical patent/KR970060443A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100386130B1 publication Critical patent/KR100386130B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리체에 대해서 도포·현상을 하는 처리장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
안에 공급된 청정공기의 분위기 변동이 작은 처리장치와, 피처리체를 반송하는 반송체를 승강할 때에 발생한 파티클이 처리유니트에 확산하는 것을 방지할 수 있는 처리장치와, 각 처리유니트에 대해서 항상 청정공기를 보내는 것이 가능한 처리장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
처리장치는, 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지는 복수의 처리유니트 그룹, 이들 복수의 처리유니트 그룹사이에 피처리체 반송공간이 규정되고, 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송기구를 구비하고 있다. 이 처리장치는, 또한, 피처리체 반송공간에 다운플로우를 형성하는 기구와, 다운플로우의 풍량을 제어하는 기구와, 피처리체 공간의 압력을 제어하는 기구수단을 구비하고, 이들에 의해 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD 기판 처리장치

Description

처리장치 및 처리시스템과 기판반송장치 및 기판반송방법
본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼나 LCD 기판등의 피처리체에 대해서 도포·현상과 같은 처리를 하는 처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조공정에 있어서는, 실리콘 기판으로 대표되는 반도체 웨이퍼에 대해서, 처리액 예를 들면, 포토레지스트액을 도포하고, 포토리소그래피 기술을 이용해서 회로패턴등을 축소하여 포토레지스트막을 노광하고, 이것을 현상처리하는 일련의 처리를 실시하는 공정이 존재한다.
이러한 도포 현상을 하는 처리시스템은, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼를 카세트로부터 반출하고, 카세트로 반입하는 카세트·스테이션과, 웨이퍼를 세정하는 세정유니트와, 웨이퍼의 표면을 소수화처리(硫水化處理)하는 어드히젼 유니트와,웨이퍼를 소정온도로 냉각하는 냉각유니트, 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포유니트와, 레지스트액 도포의 전후에서 웨이퍼를 가열하는 프리베이크 또는 포스트베이크를 하는 베이킹 유니트와, 웨이퍼의 둘레부의 레지스트를 제거하기 위한 주변노광 유니트와, 인접하는 노광장치와의 사이에서 웨이퍼의 받아넘김을 하기 위한 웨이퍼 받아넘김대와, 노광처리가 끝난 웨이퍼를 현상액에 노출시켜 레지스트의 감광부 또는 비감광부를 선택적으로 현상액에 용해시키는 현상유니트를 일체로 집약화한 구성을 가지고 있으며, 이에 의해 작업의 향상을 도모하고 있다.
이와 같은 처리시스템으로서는, 종래 시스템의 중앙부에 길이방향을 따라서 배열설치되는 웨이퍼 반송로가 설치되고, 상기 복수의 유니트를 반송로의 양측에 각각 정면을 향한 상태에서 배열설치되고, 각 유니트에 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송체가 웨이퍼 반송로위를 이동하도록 구성된 것이 일반적으로 이용되고 있다. 따라서, 수평방향으로 연장되는 웨이퍼 반송로를 따라서 각종 처리유니트가 배열되는 가로로 긴 시스템 구성으로 되기 때문에, 시스템 전체의 고유 스페이스가 커지며, 크린룸 비용이 높아지는 문제가 있다. 특히, 이런 종류의 처리시스템에 유효한 수직층류 방식에 의해서 시스템 전체 내지 각 부분의 청정도를 높이려면, 스페이스가 크기 때문에, 공조기 또는 필터등의 이니셜코스트 및 관리유지비가 매우 높게 든다.
그래서, 웨이퍼 반송체를 수직방향으로 이동가능하고 수직축의 둘레에 회전가능하게 하고, 이 웨이퍼 반송체의 주위에 각 처리유니트를 다단으로 배치한 처리시스템이 제안되고 있다(일본국 특개평 4-85812호 공보).
이와 같은 처리시스템에 의하면, 시스템의 고유 스페이스가 축소하므로, 크린룸 코스트가 저하함과 동시에, 반송속도 및 엑세스속도를 고속화하는 것이 가능하게 되어, 스루풋의 향상을 도모할 수가 있다.
그러나, 이런 종류의 처리시스템에 있어서는, 다단으로 배치된 각 처리 유니트에서 웨이퍼에 소정의 처리를 실시하므로, 처리시스템내에 공급되는 청정공기의 분위기 즉 풍량, 온도, 압력등이 변동할 우려가 있다. 이와 같이 처리시스템내의 분위기가 변동하면, 적절한 처리를 할 수 없게 되어, 처리능력 및 수율저하를 초래하는 등의 문제가 있다. 특히, 웨이퍼 반송체의 이동공간은 거의 밀폐상태로 되어 있으므로, 웨이퍼 반송체가 승강할 때, 이동공간내의 위끝단 부근 및 아래끝단 부근에 있어서 웨이퍼 반송체 구동부에서 발생한 파티클을 포함하는 공기가 압축되고, 갈 곳을 잃고 확산하여, 주위의 각 처리유니트로 흘러들어가서, 반도체 디바이스 제조의 수율이 저하해 버린다. 특히, 반송체를 회전시키는 경우에는 파티클이 많이 발생하여, 이와 같은 문제가 현저해진다.
또, 처리시스템내에 공급된 공기를, 처리후에 시스템 외부로 배기하면, 처리시스템내에서 발생한 파티클이나 예를 들면, 아민등의 유기오염물이 크린룸내로 흐르게 되고, 크린룸의 청정도가 저하할 뿐아니라 그 수명이 저하한다는 문제가 있다. 또한, 크린룸내에 아민등의 유기오염물이 존재하면, 크린룸내의 다른 처리장치, 예를 들면 CVD 장치에 있어서, 박막형성에 지장을 초래하는 등의 문제도 있다.
본 발명의 목적은, 그 안에 공급된 청정공기의 분위기 변동이 작은 처리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 피처리체를 반송하는 반송체를 승강할 때에 발생한 파티클이 처리유니트에 확산하는 것을 방지할 수 있는 처리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 각 처리유니트에 대해서 항상 청정공기를 보내는 것이 가능한 처리장치를 제공하는 데에 있다.
제 1 도는, 본 발명의 하나의 양태에 관한 처리장치를 구비하는 반도체 웨이퍼의 레지스트액 도포·현상처리시스템을 나타낸 개략 평면도,
제 2 도는, 제 1 도의 레지스트액 도포·현상처리시스템을 나타낸 측면도,
제 3 도는, 제 1 도의 레지스트액 도포·현상처리시스템을 나타낸 배면도,
제 4 도는, 제 1 도의 레지스트액 도포·현상처리시스템에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸 개략 정면도,
제 5 도는, 제 1 도의 시스템에 적용된 본 발명의 하나의 양태에 관한 처리장치의 요부를, 그 일부를 확대하여 나타낸 종단면도,
제 6A 도 및 제 6B 도는, 각각 제 1 도의 시스템에 적용된 본 발명의 하나의 양태에 관한 처리장치의 압력조정수단으로서의 슬리트 댐퍼를 나타낸 단면도 및 평면도,
제 7 도는, 제 1 도의 시스템에 적용된 본 발명의 하나의 양태에 관한 처리장치의 주 웨이퍼 반송기구를 나타낸 개략 사시도,
제 8 도는, 제 7 도의 주 웨이퍼 반송기구의 요부의 구성을 나타낸 종단면도,
제 9 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구를 제 8 도의 화살표 A방향으로 본 상태를 나타낸 단면 평면도,
제 10 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구를 제 8 도의 화살표 B방향으로 본 상태를 나타낸 내측 측면도,
제 11 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구를 제 8 도의 화살표 C방향으로 본 상태를 나타낸 내측 측면도,
제 12 도는, 본 발명의 다른 양태에 관한 처리장치를 구비하는 반도체 웨이퍼의 레지스트액 도포·현상처리시스템에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸 개략 배면도,
제 13 도는, 제 12 도의 처리시스템에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸 개략 측면도,
제 14 도는, 본 발명의 상기 다른 양태에 관한 처리장치의 주 웨이퍼 반송기구를 일부 절결하여 나타낸 개략 사시도,
제 15 도는, 제 14 도의 주 웨이퍼 반송기구의 요부의 구성을 나타낸 종단면도,
제 16 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구를 제 15 도의 화살표 A방향으로 본 상태를 나타낸 단면 평면도,
제 17 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구를 제 15 도의 화살표 B방향으로 본 상태를 나타낸 내측 측면도,
제 18 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구를 제 15 도의 화살표 C방향으로 본 상태를 나타낸 내측 측면도,
제 19 도는, 상기 주 웨이퍼 반송기구의 청정공기 도입구의 구조를 나타낸 단면도,
제 20 도는, 본 발명의 주 웨이퍼 반송기구의 다른 예의 요부의 구성을 나타낸 종단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 웨이퍼 카세트 2 : 카세트 얹어놓는대
3 : 돌기 4 : 반송기구
4a : 웨이퍼 반송용 아암 5,33a : 칸막이판
10 : 카세트 스테이션 10a,20a,30a : 공기공급실
20 : 처리 스테이션 20b : 배기실
21,21': 주 웨이퍼 반송기구 22 : 웨이퍼 반송공간
23 : 컵 24 : 웨이퍼 얹어놓는대
25 : 급기구 26,95 : 배기구
30 : 인터·페이스부 31 : 픽업카세트
32 : 버퍼카세트 33 : 주변노광장치
33c,64,110a : 개구부
33b,65,66,71b,72b,112b,113b,112c,113c : 덕트
34 : 웨이퍼 반송아암 40 : 크린룸
50,50A : ULPA 필터 51 : 송풍팬
52,90,103,105,106 : 배관 53 : 캐미컬 필터
56 : 슬리트 댐퍼 56a : 통기구멍
56b : 고정다공판 56c : 조정구멍
56d : 가동다공판 57 : 외부공기 도입관
58 : 댐퍼 59 : 온도 콘트롤러
60 : 중앙연산처리장치 61 : 풍량센서
62 : 온도센서 63,107 : 온도·습도센서
67 : 안내레일 70 : 통형상 지지체
70a : 회전중심축 70b : 개구
71,72 : 수직벽부 71a,72a : 수직칸막이판
73 : 웨이퍼 반송체 74,111 : 회전구동모터
75 : 베이스판 76,91 : 케이블베어
77 : 반송기초대 78a,78b,78c : 지지포크
79 : 측면개구부 80,81 : 풀리
82 : 수직구동벨트 83 : 벨트크램프
84 : 구동모터 84a : 구동축
85 : 가이드레일 86 : 수평지지막대
87,94 : 슬라이더 88 : 로드레스 실린더
88a : 가동부 88b : 아래끝단포트
88c : 위끝단포트 89 : 레귤레이터
92 : 슬리브 93 : 수직가이드
95a,96 : 팬 97 : 결합부재
102 : 공조기 104 : 배기실
110 : 통형상관체 110b : 회전중심축
110c : 도입구 110d : 슬리트창
110e : 슬리트 110f : 판형상부재
112a,113a : 수직칸막이판 114,115,117 : 공기배출구
114a,115a,117a : 배기팬
G1,G2,G3,G4,G5 : 처리유니트 그룹
본 발명의 하나의 관점에 의하면, 피처리체에 일련의 처리를 하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하는 처리장치가 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 피처리체에 일련의 처리를 하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과;
상기 피처리체 반송공간으로부터, 상기 각 처리유니트로의 공기의 유입을 저지하는 수단을 구비하는 처리장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 피처리체에 일련의 처리를 하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 수단과;
상기 피처리체 반송공간의 위쪽에 설치된 흡기구와;
상기 피처리체 반송공간의 아래쪽에 설치된 배기구와;
상기 흡기구와 배기구를 연결하고, 순환로를 형성하는 배관과;
상기 피처리체 반송공간에서 다운플로우가 형성되도록 흡기구로부터 배기구를 향하는 방향으로 청정공기를 순환시키는 송풍수단을 구비하는 처리장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 피처리체에 일련의 처리를 하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
상기 피처리체 반송공간에 연직방향을 따라서 설치된 덕트와;
상기 반송부재의 연직방향의 이동에 의해 압축된 공기를 덕트로 배출하는 배출수단을 구비하는 처리장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 피처리체에 일련의 처리를 하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재와, 이 반송부재의 이동범위를 둘러싸는 관체를 가지는 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과;
상기 각 처리유니트중으로부터 상기 피처리체 반송공간으로 향하는 청정공기의 흐름을 형성하는 수단을 구비하고,
상기 각 처리유니트중으로부터 상기 피처리체 반송공간으로 흐른 청정공기가 상기 다운플로우에 의해 상기 관체의 외측을 따라서 아래쪽으로 흐르는 처리장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 유니트 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 1 처리유니트 그룹과;
피처리체를 위치맞춤시키는 얼라이먼트 유니트, 피처리체를 가열하는 베이킹 유니트, 피처리체를 냉각하는 쿨링유니트, 피처리체의 표면을 소수화하는 어드히젼 유니트 및 엑스텐션 유니트의 일부 또는 전부를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 2 처리유니트 그룹과,
상기 제 1 처리유니트 그룹과 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 규정된 피처리체 반송공간에 승강 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하며, 상기 피처리체 반송공간 내에서 상승 또는 하강하여 피처리체를 상기 각 처리유니트에 받아 넘김하는 반송부재를 가지는 반송수단과,
상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하며,
상기 쿨링 유니트는, 상기 제 2 처리유니트 그룹내에서 상기 베이킹유니트보다도 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐서 이루어지는 적어도 하나의 제 1 처리유니트 그룹과;
피처리체를 위치맞춤시키는 얼라이먼트 유니트, 피처리체를 가열하는 베이킹 유니트, 피처리체를 냉각하는 쿨링유니트, 피처리체의 표면을 소수화하는 어드히젼 유니트 및 엑스텐션 유니트의 일부 또는 전부를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 2 처리유니트 그룹과,
상기 제 1 처리유니트그룹과 제 2 처리유니트 그룹 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 것과,
상기 제 1 처리유니트 그룹과 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 규정된 피처리체 반송공간에 승강 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하며, 상기 피처리체 반송공간 내에서 상승 또는 하강하여 피처리체를 상기 각 처리유니트에 받아 넘김하는 반송부재를 가지는 반송수단과,
상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하며,
상기 쿨링 유니트는, 상기 제 2 처리유니트 그룹내에서 상기 베이킹유니트보다도 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리장치가 제공되고,
피처리체에 대해서 레지스트 도포 및 현상처리를 도포·현상처리시스템으로서,
피처리체에 대해서 레지스트 도포 및 현상처리를 포함하는 일련의 처리를 하는 처리부와;
다른 시스템과의 사이 및 상기 처리부와의 사이에서 피처리체의 받아넘김을 하는 반송부와;
상기 처리부와의 사이 및 노광장치와의 사이에서 피처리체의 받아넘김을 하는 인터페이스부를 구비하고,
상기 처리부는,
레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 1 처리유니트 그룹과;
피처리체를 위치맞춤시키는 얼라이먼트 유니트, 피처리체를 가열하는 베이킹 유니트, 피처리체를 냉각하는 쿨링유니트, 피처리체의 표면을 소수화하는 어드히젼 유니트 및 엑스텐션 유니트의 일부 또는 전부를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 2 처리유니트 그룹과,
상기 제 1 처리유니트 그룹과 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 규정된 피처리체 반송공간에 승강 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하며, 상기 피처리체 반송공간 내에서 상승 또는 하강하여 피처리체를 상기 각 처리유니트에 받아 넘김하는 반송부재를 가지는 반송수단과,
상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하며,
상기 쿨링유니트는, 상기 제 2 처리유니트 그룹내에서 상기 베이킹 유니트보다도 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리시스템이 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 피처리기판을 반송하기 위한 반송기구가 설치된 반송로와,
이 반송로의 주위에 배치되고, 상기 피처리기판을 처리하기 위한 복수의 처리기구를 가지는 처리부와,
상기 반송기구에 의해 피처리기판을 상기 처리기구에 반송할 때에 상기 반송로내의 압력변동을 억제하는 수단을 구비하는 처리장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 피처리기판을 반송하기 위한 반송기구가 설치된 반송로와,
상기 반송기구에 의해 피처리기판을 반송할 때에, 반송방향측과 그의 역방향측과의 압력차를 억제하는 수단을 구비하는 기판반송장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 의하면, 피처리기판을 기판의 주면(主面)에 대하여 직교하는 방향으로 반송하는 공정과,
적어도 피처리기판을 반송하는 방향의 분위기압력의 상승을 저감시키는 공정을 구비하는 기판반송방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼로의 레지스트 도포·현상처리시스템에 적용한 양태를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.
제 1 도는 본 발명의 1양태에 관한 레지스트 도포·현상처리시스템을 나타낸 개략 평면도, 제 2 도는 제 1 도의 평면도, 제 3 도는 제 1 도의 배면도이다.
이 처리시스템은, 카세트 스테이션(10)과, 복수의 처리유니트를 가지는 처리 스테이션(20)과, 처리 스테이션(20)과 인접하여 설치되는 노광장치(도시생략)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 받아넘기기 위한 인터·페이스부(30)를 구비하고 있다.
상기 카세트 스테이션(10)은, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 복수매, 예를 들면 25매 단위로 웨이퍼 카세트(1)에 탑재된 상태에서 다른 시스템으로부터 이 시스템으로 반입 또는 이 시스템으로부터 다른 시스템으로 반출하거나, 웨이퍼 카세트(1)와 처리 스테이션(20)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 하기 위한 것이다.
이 카세트 스테이션(10)에 있어서는, 제 1 도에 나타낸 바와 같이, 카세트 얹어놓는대(2) 위에 도면중 X방향을 따라서 복수(도면에서는 4개)의 돌기(3)가 형성되어 있고, 이 돌기(3)의 위치에 웨이퍼 카세트(1)가 각각의 웨이퍼 출입구를 처리 스테이션(20)측을 향하여 일렬로 얹어놓기가 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 카세트(1)에 있어서는 웨이퍼(W)가 수직방향(Z방향)으로 배열되어 있다. 또, 카세트 스테이션(10)은, 웨이퍼 카세트 얹어놓는대(2)와 처리 스테이션(20)과의 사이에 위치하는 웨이퍼 반송기구(4)를 가지고 있다. 이 웨이퍼 반송기구(4)는, 카세트 배열방향(X방향) 및 그 중의 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향(Z방향)으로 이동가능한 웨이퍼 반송용 아암(4a)을 가지고 있고, 이 아암(4a)에 의해 어느 웨이퍼 카세트(1)에 대해서 선택적으로 엑세스가 가능하게 되어 있다. 또, 웨이퍼 반송용 아암(4a)은, θ 방향으로 회전가능하게 구성되어 있고, 후술하는 처리 스테이션(20)측의 그룹(G3)에 속하는 얼라이먼트 유니트(ALIM) 및 엑스텐션 유니트(EXT)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수가 있다.
상기 처리 스테이션(20)은, 반도체 웨이퍼(W)에 대해서 도포·현상을 할 때의 일련의 공정을 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 구비하고, 이들이 소정위치에 다단으로 배치되어 있고, 이들에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 1매씩 처리된다. 이 처리 스테이션(20)은, 제 1 도에 나타낸 바와 같이, 중심부에 수직방향으로 이동가능한 주 웨이퍼 반송기구(21)가 설치되고, 이 주 웨이퍼 반송기구(21)의 웨이퍼 반송공간(22)의 주위에 모든 처리유니트가 배치되어 있다. 이들 복수의 처리유니트는, 복수의 그룹으로 나누어져 있고, 각 처리유니트 그룹은 복수의 처리유니트가 다단으로 배치되어 있다. 이 양태에 있어서는, 5개의 처리유니트 그룹(G1,G2,G3,G4) 및 (G5)가 웨이퍼 반송공간(22)의 주위에 배치되어 있고, 웨이퍼 반송공간(22)이 거의 폐쇄된 공간으로 되어 있다.
이들 중, 그룹(G1,G2)은 시스템 정면(제 1 도에 있어서 앞쪽)측에 병렬로 배치되고, 그룹(G3)은 카세트 스테이션(10)에 인접하여 배치되고, 그룹(G4)은 인터·페이스부(30)에 인접하여 배치되고, 그룹(G5)은 배부측에 배치되어 있다.
이 경우, 제 2 도에 나타낸 바와 같이, 그룹(G1)에서는, 컵(23)내에서 웨이퍼(W)를 스핀척(도시생략)에 얹어놓아 소정의 처리를 하는 2대의 스피너형 처리유니트가 상하로 배치되어 있고, 이 양태에 있어서는, 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트(COT) 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트(DEV)가 아래로부터 순서대로 2단으로 겹쳐져 있다. 그룹(G2)도 마찬가지로, 2대의 스피너형 처리유니트로서 레지스트 도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)가 아래로부터 차례로 2단으로 겹쳐져 있다. 이와 같이 레지스트 도포유니트(COT)를 하단측에 배치하는 이유는, 레지스트액의 폐액이 기구적으로도 관리유지상에서도 현상액의 폐액보다도 본질적으로 복잡하여, 이와 같이 도포유니트(COT)를 하단에 배치하므로써 그 복잡함이 완화되기 때문이다. 그러나, 필요에 따라서 레지스트 도포유니트(COT)를 상단에 배치하는 것도 가능하다.
그룹(G3)에 있어서는, 제 3 도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 얹어놓는대(24)(제 1 도 참조)에 얹어놓아 소정의 처리를 하는 오븐형의 처리유니트, 예를 들면 웨이퍼를 냉각하는 쿨링유니트(COL), 웨이퍼에 대해서 어드히젼 처리를 하는 어드히젼 유니트(AD), 웨이퍼를 얼라이먼트하는 얼라이먼트 유니트(ALIM), 웨이퍼의 출입을 하는 엑스텐션 유니트(EXT), 웨이퍼에 프리베이크 처리를 하는 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 및 웨이퍼에 포스트베이크 처리를 하는포스트베이킹 유니트(POBAKE)가 아래로부터 차례로 예를 들면, 8단으로 겹쳐져 있다. 그룹(G4)도 마찬가지로, 오븐형 처리유니트 예를 들면, 쿨링유니트(COL), 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL), 쿨링유니트(COL), 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 및 포스트베이킹 유니트(POBAKE)가 아래로부터 차례로 예를 들면, 8단으로 겹쳐져 있다.
상기와 같이 처리온도가 낮은 쿨링유니트(COL), 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)를 하단에 배치하고, 처리온도가 높은 프리베이킹 유니트(PREBAKE), 포스트베이킹 유니트(POBAKE) 및 어드히젼 유니트(AD)를 상단에 배치하므로써, 유니트간의 열적인 상호간섭을 적게 할 수가 있다. 물론, 이에 한정되지 않고, 그 외의 배치로 하는 것도 가능하다.
주 웨이퍼 반송기구(21)의 배부측에 위치하는 그룹(G5)도 기본적으로는 그룹(G3,G4)과 마찬가지의 구조를 가지고 있다. 이 그룹(G5)은, 안내레일(67)을 따라서 주 웨이퍼 반송기구(21)에서 보아 측방으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 그룹(G5)을 슬라이드하므로써 공간부가 확보되므로, 주 웨이퍼 반송기구(21)에 대해서 배후로부터 관리유지작업을 용이하게 할 수가 있다.
상기 인터·페이스부(30)는, X방향의 길이는 처리 스테이션(20)과 같은 길이를 가지고 있다. 제 1 도, 제 2 도에 나타낸 바와 같이, 이 인터·페이스부(30)의 정면부에는, 가반성(可搬性)의 픽업카세트(31)와 정치형(定置型)의 버퍼카세트(32)가 2단으로 배치되고, 배면부에는 주변노광장치(33)가 배열설치되고, 중앙부에는, 웨이퍼 반송아암(34)이 배열설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송아암(34)은, X,Z방향으로 이동하여 양 카세트(31,32) 및 주변노광장치(33)에 웨이퍼를 반송가능하게 되어있다. 또, 이 웨이퍼 반송아암(34)은 θ 방향으로 회전가능하고, 처리 스테이션(20)측의 그룹(G4)에 속하는 엑스텐션 유니트(EXT) 및 인접하는 노광장치측의 웨이퍼 받아넘김대(도시생략)에도 웨이퍼(W)를 반송가능하게 되어 있다.
상기와 같이 구성되는 처리시스템은, 크린룸내에 설치되고, 이에 의해서 청정도를 높이고 있는데, 또한 시스템내에서도 효율적으로 수직층류를 공급하므로써 각 부분의 청정도를 한층 높이고 있다. 제 4 도 및 제 5 도는 시스템내에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸다.
제 4 도에 나타낸 바와 같이, 카세트 스테이션(10), 처리 스테이션(20) 및 인터·페이스부(30)의 위쪽에는 공기공급실(10a,20a,30a)이 설치되어 있고, 각 공기공급실(10a,20a,30a)의 아래면에 방진기능이 부착된 필터 예를 들면, ULPA 필터(50)가 부착되어 있다. 이중 공기공급실(10a,30a) 내에는, 후술하는 송풍팬(51)(송풍수단)을 끼워설치하는 공기도입용의 배관(52)에 접속하는 분기관(도시생략)을 통하여 공기가 도입되고, ULPA 필터(50)에 의해 청정한 공기가 다운플로우로 카세트 스테이션(10) 및 인터·페이스부(30)에 공급된다.
또, 제 5 도에 나타낸 바와 같이, 주 웨이퍼 반송기구(21)의 웨이퍼 반송공간(22)의 위쪽에는, 그곳에 공기를 공급하기 위한 급기구(25)가 설치되고, 그 아래쪽에는 웨이퍼 반송공간(22)에 공급된 공기를 배기하기 위한 배기구(26)가 설치되어 있다. 이들 급기구(25)와 배기구(26)에 상술한 배관(52)이 접속되어 있고, 그 안을 공기가 순환한다.
상술한 공기공급실(20)은, 급기구(25)와 배관(52)과의 접속부에 설치되어 있고, 그 아래면에 상기 ULPA 필터(50)가 부착되고, 그 위쪽위치에 예를 들면, 아민등의 유기오염물을 제거하는 기능을 가지는 캐미컬필터(53)가 부착되어 있다.
배기구(26)와 순환관로(52)와의 접속부에는 배기실(20b)이 설치되어 있고, 이 배기실(20b)의 윗면에 배기구(26)가 형성된 다공판(54)이 부착되고, 배기실(20b) 내에는 배기팬(55)이 배열설치되어 있다. 또, 배기실(20b)과 순환관로(52)와의 접속부에는 압력조정수단 예를 들면, 슬리트 댐퍼(56)가 배열설치되어 있다.
이 슬리트 댐퍼(56)는, 제 6A,6B 도에 나타낸 바와 같이, 다수의 통기구멍(56a)을 가지는 고정다공판(56b)과, 이 고정다공판(56b)의 아래면에 있어서 수평방향으로 왕복이동이 가능하게 배열설치되고, 통기구멍(56a)과 합치할 수 있는 다수의 조정구멍(56c)을 가지는 가동다공판(56b)을 가지고 있고, 적절한 왕복구동수단 예를 들면, 실린더 기구나 타이밍 벨트기구등에 의해 가동다공판(56d)이 수평방향으로 왕복이동하므로써, 개구면적을 조절하여 통기량을 조정하고, 따라서 웨이퍼 반송공간(22)내의 압력을 조정한다. 즉, 웨이퍼 반송공간내의 압력(P1)을 양압, 즉 크린룸내의 압력(P2)에 대해서 예를 들면, 0.1mmH2O 높은 소정의 압력으로 할 수가 있다.
또한, 여기서는, 압력조정수단으로서 슬리트 댐퍼를 이용한 경우에 관하여 설명하였는데, 압력조정수단은 반드시 슬리트 댐퍼일 필요는 없고, 이동공간(22)내로부터 배기되는 공기의 통과면적을 조제할 수가 있는 것이라면 슬리트 댐퍼 이외의 것이라도 좋다.
한편, 순환로를 이루는 상기 배관(52)에 있어서의 송풍팬(51)과 슬리트 댐퍼(56)와의 사이에는, 외부공기를 도입하기 위한 외부공기 도입관(57)이 설치되어 있고, 이 외부공기 도입관(57) 내에는 풍량조정수단으로서의 댐퍼(58)가 부착되어 있다. 그리고, 송풍팬(51)이 구동되고, 댐퍼(58)가 소정의 열린 정도로 개방되므로써, 외부공기 도입관(57)으로부터 외부공기 즉, 크린룸(40) 내의 청정공기가 배관(52)을 통하여, 이동공간(22)내에 공급된다. 따라서, 이동공간(22)내에 공급된 청정공기(예를 들면, 0.3∼0.5m/sec의 풍량)가 각 처리유니트로 흘러서 손실된 양(예를 들면, 0.1∼0.3m/sec)의 풍량을 외부공기 도입구(57)로부터 보급하여, 상시 웨이퍼 반송공간(22)내를 흐르는 청정공기의 풍량을 일정하게 유지할 수가 있다.
또한, 풍량조절수단으로서는, 댐퍼(58) 대신에 유량조정밸브등의 다른 것을 이용하여도 좋다.
순환관로(52)에 있어서의, 송풍팬(51)과 공기공급실(20a)과의 사이에는, 온도제어수단으로서의 온도콘트롤러(59)가 끼워설치되어 있고, 이 온도콘트롤러(59)에 의해서 웨이퍼 반송공간(22)내에 공급되는 청정공기의 온도가 소정온도 예를 들면, 23℃로 유지된다. 또한, 도시는 되어 있지 않으나 배관(52)에 적절한 습도조정수단을 끼워설치하므로써, 웨이퍼 반송공간(22)내의 온도도 일정하게 유지할 수가 있다.
상기와 같이 구성되는 슬리트 댐퍼(56), 댐퍼(58) 및 온도콘트롤러(59)는, 제어수단으로서의 중앙연산처리장치(CPU)(60)로부터의 제어신호에 의해서 제어된다. 즉, 웨이퍼 반송공간(22)에 있어서의 급기구(25)측에 배치된 압력·풍량센서(61)에 의해서 검지된 신호를 CPU(60)에 전달하고, 이 검지신호와 CPU(60)에 있어서 미리 기억된 정보를 비교연산하여, 그 제어신호를 슬리트 댐퍼(56) 및 댐퍼(58)에 전달하므로써, 웨이퍼 반송공간(22)내의 압력 및 공급되는 청정공기의 풍량이 소정의 값으로 제어된다.
또, 웨이퍼 반송공간(22)내의 하부측에 배치된 온도센서(62)에 의해서 검지된 온도신호를 CPU(60)에 전달하고, 이 온도신호와 CPU(60)에 있어서 미리 기억된 정보를 비교연산하고, 그 제어신호를 온도콘트롤러(59)에 전달하므로써, 배관(52)을 흐르는 청정공기가 소정온도 예를 들면, 23℃에 제어되고, 그 온도의 청정공기가 웨이퍼 반송공간(22)내에 공급된다. 따라서, 웨이퍼 반송공간(22)내의 분위기, 즉, 압력, 풍량 및 온도를 항상 소정의 값으로 제어할 수가 있어, 처리시스템내의 각 처리를 적절하게 할 수가 있다. 또, 웨이퍼 반송공간(22)내의 청정공기가 환경공급되므로써, 처리시스템의 외부 즉, 크린룸으로 내부의 공기가 유출하는 일이 없고, 처리시스템내에서 발생한 파티클이나 유기오염물등이 크린룸으로 누설하는 일도 없다.
상기 카세트 스테이션(10)에 있어서는, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 카세트 얹어놓는대(2)의 위쪽공간과 웨이퍼 반송용 핀세트(4)의 이동공간과는 수직으로 매달린 벽식의 칸막이판(5)에 의해서 서로 칸막이되어 있고, 다운플로우의 공간은 양 공간에서 별개로 흐르도록 되어 있다.
또, 상기 처리스테이션(20)에서는, 제 4 도 및 제 5 도에 나타낸 바와같이,처리유니트 그룹(G1,G2) 중에서 하단에 배치되어 있는 레지스트 도포유니트(COT)의 천장면에 ULPA 필터(50A)가 설치되어 있고, 상기 순환관로(52)로부터 공간(22)내에 공급되는 공기가 이 ULPA 필터(50A)를 통하여 레지스트 도포유니트(COT)내로 흐른다. 또한 이 경우, ULPA 필터(50A)의 취출측 부근에 온도·습도센서(63)가 설치되어 있어, 그 센서출력이 상기 CPU(60)에 전달되어, 피트백 방식으로 청정공기의 온도 및 습도가 정확하게 제어된다.
또, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 각 스피너형 처리유니트(COT),(DEV)의 주 웨이퍼 반송기구(21)에 면하는 측벽에는, 웨이퍼(W) 및 반송아암이 출입하기 위한 개구부(64)가 설치되어 있다. 각 개구부(64)에는 각 유니트로부터 파티클 또는 유기오염물등이 주 웨이퍼 반송기구(21)측에 들어가지 않도록 하기 위한 셔터(도시생략)가 부착되어 있다.
제 1 도에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(20)에 있어서, 스피너형 처리유니트로 구성된 처리유니트 그룹(G1,G2)에 인접하는 오븐형 처리유니트로 구성된 처리유니트 그룹(G3,G4)의 측벽중에는, 각각 덕트(65,66)가 수직방향으로 종단하여 설치되어 있다. 이들의 덕트(65,66)에는, 상기 다운플로우의 청정공기 또는 특별히 온도조정된 공기가 흐른다. 이 덕트구조에 의해서, 그룹(G3,G4)의 오븐형 처리유니트에서 발생한 열이 차단되어, 그룹(G1,G2)의 스피너형 처리유니트에는 미치지 않게 된다.
다음에, 제 7 도 내지 제 11 도를 참조하여 처리 스테이션(20)에 있어서의 주 웨이퍼 반송기구(21)의 구성 및 작용에 관하여 설명한다. 제 7 도는 주 웨이퍼반송기구(21)의 요부의 구성을 나타낸 개략 사시도, 제 8 도는 주 웨이퍼 반송기구(21)의 요부의 구성을 나타낸 종단면도, 제 9 도는 제 8 도에 있어서 화살표 A방향으로 본 단면 평면도, 제 10도는 제 8도에 있어서 화살표 B방향으로 본 내측 측면도, 제 11 도는 제 8 도에 있어서 화살표 C방향으로 본 내측 측면도이다.
제 7 도 및 제 8 도에 나타낸 바와 같이, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 위끝단 및 아래끝단에서 연결된 서로 대향하는 한쌍의 수직벽부(71,72)로 이루어지는 통형상 지지체(70)의 내측에 웨이퍼 반송체(73)가 수직방향(Z방향)으로 이동가능하게 부착되어 있다. 통형상 지지체(70)는, 회전구동모터(74)의 회전축에 연결되어 있고, 모터(74)의 회전구동에 의해서 회전축을 회전중심으로 하여 웨이퍼 반송체(73)와 일체로 회전하도록 되어 있다. 회전구동모터(74)는 처리시스템의 베이스판(75)에 고정되어 있고, 모터(74)의 둘레에는 급전용의 가요성 케이블베어(76)가 감겨져 있다. 또한, 통형상 지지체(70)는, 회전구동모터(74)에 의해서 회전되는 다른 회전축(도시생략)에 붙여 고정하도록 구성하여도 좋다.
웨이퍼 반송체(73)의 연직방향의 이동범위는, 웨이퍼 반송체(73)가 웨이퍼(W)를 처리유니트 그룹(G1∼G5)의 전체에 반송할 수 있도록 설정되어 있다. 또, 웨이퍼 반송체(73)는 반송기초대(77)위에, X방향(전후방향)으로 이동가능한 3개의 지지포크(78a,78b,78c)를 구비하고 있다. 각 지지포크는, 통형상 지지체(70)의 양 수직벽부(71,72)의 사이의 측면개구부(79)를 통과가능하게 되어 있다. 각 지지포크를 X방향으로 이동시키기 위한 X방향 구동부는, 반송기초대(77)에 내장된 구동모터 및 벨트(도시생략)를 구비하고 있다.
또한, 상기 3개의 포크중 최상단의 포크(78a)를 냉각된 웨이퍼(W)의 반송전용으로서 사용하여도 좋다. 또, 각 포크간에 단열판을 배치하여, 열의 간섭을 방지하도록 하여도 좋다.
또, 제 8 도 내지 제 10 도에 나타낸 바와 같이, 한쪽의 수직벽부(71)의 내측의 거의 중앙의 위끝단부 및 아래끝단부에는 한쌍의 풀리(80,81)가 부착되고, 이들의 풀리(80,81) 사이에 수직구동용의 무단벨트(82)가 걸쳐져 있다. 이 수직구동벨트(82)에 벨트 크램프(83)를 통하여 웨이퍼 반송체(73)의 반송기초대(77)가 연결되어 있다. 하부풀리(80)는, 통형상 지지체(70)의 바닥면에 고정배치된 구동모터(84)의 구동축(84a)에 연결되어, 구동풀리로 되어 있다.
또, 제 9 도 및 제 10 도에 나타낸 바와 같이, 수직벽부(71)의 내측의 좌우끝단부에 한쌍의 가이드레일(85)이 수직방향으로 연재하여 설치되고, 반송 기초대(77)의 측면에 돌출설치된 한쌍의 수평지지막대(86)의 앞끝단에 각각 설치된 슬라이더(87)가 양 가이드레일(85)에 미끄럼운동이 가능하게 걸어맞춤되어 있다. 이와 같은 수직벨트 구동기구 및 수직슬라이더기구에 의해, 웨이퍼 반송체(73)는 구동모터(84)의 구동력으로 연직방향으로 승강이동이 가능하게 되어 있다.
또, 제 9 도 및 제 10 도에 나타낸 바와 같이, 수직벽부(71)의 내측의 중앙부와 한쪽의 가이드레일(85)과의 사이에는 로드레스 실린더(88)가 연직방향으로 연재하고 있다. 이 로드레스 실린더(88)의 외측에 유동가능하게 끼워만들어져 있는 원통형상의 가동부(88a)는, 수평지지막대(86)를 통하여 웨이퍼 반송체(73)의 반송기초대(77)에 연결되어 있다. 가동부(88a)는 실린더(88)의 내부에 미끄럼운동이 가능하게 삽입되는 피스톤(도시생략)과 자기적으로 결합하고 있으므로, 가동부(88a)를 통하여 웨이퍼 반송체(73)와 피스톤이 동시에 이동가능하도록 작동시킬 수가 있다. 실린더(88)의 아래끝단 포트(88b)에는, 레귤레이터(89)로부터 웨이퍼 반송체(73)의 중량과 거의 같은 힘이 발생하는 압력으로 압축공기가 배관(90)을 통하여 공급된다. 또한, 실린더(88)의 위끝단의 포트(88c)는 대기에 개방되어 있다.
이와 같이 웨이퍼 반송체(73)의 중량이 실린더(88)의 양력에 의하여 캔슬되어 있으므로, 웨이퍼 반송체(73)의 중력의 영향을 받지 않고, 고속으로 상승이동할 수 있다. 또한, 가령 구동벨트(82)가 끊어진 경우라도, 웨이퍼 반송체(73)는 실린더(88)의 양력에 의하여 그 위치에 유지되어, 중력으로 낙하할 우려는 없다. 따라서, 웨이퍼 반송체(73)나 통형상 지지체(70)가 파손할 우려는 없다.
또, 제 7 도, 제 9 도 및 제 11 도에 나타낸 바와 같이, 다른쪽의 수직벽부(72)의 내측의 중앙부 및 양끝단부에는, 웨이퍼 반송체(73)에 전력 및 제어신호를 공급하기 위한 가요성의 케이블베어(91)를 수직방향으로 연재시켜서 수용하는 슬리브(92)가 설치되어 있다. 중앙부의 2개의 슬리브(92)가 서로 대향하는 외측면은 수직가이드(93)가 구성되어 있고, 이 수직가이드(93)에서 반송기 초대(77)의 측면에 돌출설치된 슬라이더(94)가 안내된다.
또한, 제 10 도에 나타낸 바와 같이, 통형상 지지체(70)의 윗면에는 회전중심축(70a)의 양측에 한쌍의 개구(70b)가 설치되어 있고, 상술한 다운플로우의 청정공기가 이들 개구(70b)를 통하여 주 웨이퍼 반송기구(21)내에 유입한다. 이 다운플로우의 청정공기에 의해서 웨이퍼 반송체(73)의 승강이동간, 즉 웨이퍼의반송공간(22)은 항상 청정하게 유지된다.
또, 양 수직벽부(71,72)의 내측에는, 제 9 도에 나타낸 바와 같이, 수직 칸막이판(71a,72a)이 설치되어 있고, 이들 수직칸막이판(71a,72b)의 뒤쪽과 수직벽부(71,72)에서 덕트(71b,72b)가 형성되어 있다. 이들의 덕트(71b,72b)는, 수직칸막이판(71a,72a)에 일정한 간격을 두고 부착되어 있는 복수의 배기구(95) 및 팬(95a)을 통하여 수직벽부(71,72)의 내측공간에 연이어 통하고 있다. 이에의해, 수직구동벨트(82), 로드레스 실린더(88), 케이블베어(91)등의 가동체로부터 발생한 먼지는 팬(95)에 의해서 덕트(71b,72b) 측으로 배출되도록 되어 있다. 이 경우에, 최하부의 팬의 배기량을 최대로 하므로써, 보다 신속하게 배기할 수가 있다.
또, 제 8 도 및 제 9 도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 반송체(73)에 있어서도, 반송기초대(77)의 내부공간이 팬(96) 및 수평지지막대(86)의 내부의 구멍을 통하여 수직벽부(71,72)의 내측공간에 연이어 통하고 있다. 이에 의해, 반송기초대(77)에 내장되어 있는 포크구동모터 및 벨트등에서 발생한 먼지도 덕트(71b,72b) 측으로 배출할 수가 있다.
또, 웨이퍼 반송공간(22)내의 하부측에 배치된 온도센서(62)에 의해서 검지된 온도신호를 CPU(60)에 전달하고, 이 온도신호와 CPU(60)에 있어서 미리 기억된 정보를 비교연산하고, 그 제어신호를 온도콘트롤러(59)에 전달하므로써, 배관(52)을 흐르는 청정공기가 소정온도 예를 들면, 23℃로 제어되고, 그 온도의 청정공기가 웨이퍼 반송공간(22)내에 공급된다.
따라서, 웨이퍼 반송공간(22)내의 분위기, 즉 압력, 풍량 및 온도를 항상 소정의 값으로 제어할 수가 있어, 처리시스템내의 각 처리를 적절하게 할 수가 있다. 또, 웨이퍼 반송공간(22)내에 청정공기가 환경공급되므로써 처리시스템의 처리 즉, 크린룸으로 내부의 공기가 유출하지 않고, 처리시스템내에서 발생한 파티클이나 유기오염물등이 크린룸으로 누설하는 일도 없다.
상기 카세트 스테이션(10)에 있어서는, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 카세트 얹어놓는대(2)의 위쪽공간과 웨이퍼 반송용 핀세트(4)의 이동공간과는 수직으로 매달린 벽식의 칸막이판(5)에 의해 서로 칸막이 되어 있고, 다운플로우의 공간은 양 공간에서 별개로 흐르도록 되어 있다.
또, 상기 처리 스테이션(20)에서는, 제 4 도 및 제 5 도에 나타낸 바와 같이, 처리유니트 그룹(G1,G2) 중에서 하단에 배치되어 있는 레지스트 도포유니트(COT)의 천장면에 ULPA 필터(50A)가 설치되어 있고, 상기 순환관로(52)로부터 공간(22)내에 공급되는 공기가 이 ULPA 필터(50A)를 통하여 레지스트 도포유니트(COT)내에 흐른다. 또한, 이 경우, ULPA 필터(50A)의 취출측 부근에 온도·습도센서(63)가 설치되어 있고, 그 센서출력이 상기 CPU(60)에 전달되어, 피드백 방식으로 청정공기의 온도 및 습도가 정확하게 제어된다.
또, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 각 스피너형 처리유니트(COT),(DEV)의 주 웨이퍼 반송기구(21)에 면하는 측벽에는, 웨이퍼(W) 및 반송아암이 출입하기 위한 개구부(64)가 설치되어 있다. 각 개구부(64)에는, 각 유니트로부터 파티클 또는 유기오염물등이 주 웨이퍼 반송기구(21)측에 들어가지 않도록 하기 위한 셔터(도시생략)가 부착되어 있다.
제 1 도에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(20)에 있어서, 스피너형 처리유니트로 구성된 처리유니트 그룹(G1,G2)에 인접하는, 오븐형 처리유니트로 구성된 처리유니트 그룹(G3,G4)의 측벽중에는, 각각 덕트(65,66)가 수직방향으로 종단하여 설치되어 있다. 이들의 덕트(65,66)에는, 상기 다운플로우의 청정공기 또는 특별히 온도조정된 공기가 흐른다. 이 덕트구조에 의하여, 그룹(G3,G4)의 오븐형 처리유니트에서 발생한 열이 차단되고, 그룹(G1,G2)의 스피너형 처리유니트에는 미치지 않게 된다.
다음에, 상기 처리시스템에 있어서 웨이퍼(W)가 일련의 처리를 받을 때의 웨이퍼 반송동작에 관하여 설명한다.
우선, 카세트 스테이션(10)에 있어서, 웨이퍼 반송기구(4)의 웨이퍼 반송용 아암(4A)이 카세트 얹어놓는대(2)위의 미처리된 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 카세트(1)에 엑세스하여, 그 카세트(1)로부터 1매의 웨이퍼(W)를 꺼낸다.
웨이퍼 반송용 아암(4a)은, 카세트(1)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내면, 처리스테이션(20)측의 처리유니트 그룹(G3)내에 배치되어 있는 얼라이먼트 유니트(ALIM)까지 이동하고, 얼라이먼트 유니트(ALIM)내의 웨이퍼 얹어놓는대(24)위에 웨이퍼(W)를 싣는다. 그리고, 웨이퍼 얹어놓는대(24)위의 웨이퍼(W)에 대해서, 오리엔테이션 플랫맞춤 및 센터링이 실행된다. 그후, 주 웨이퍼 반송기구(21)의 웨이퍼 반송체(73)가 얼라이먼트 유니트(ALIM)에 반대측으로부터 엑세스하여, 웨이퍼 얹어놓는대(24)로부터 웨이퍼(W)를 받아들인다.
처리 스테이션(20)에 있어서, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 최초에 처리유니트 그룹(G3)에 속하는 어드히젼 유니트(AD)에 반입한다. 이 어드히젼 유니트(AD) 내에서 웨이퍼(W)는 어드히젼 처리를 받는다. 어드히젼 처리가 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 어드히젼 유니트(AD)로부터 반출하고, 처리유니트 그룹(G3)에 속하는 쿨링유니트(COL) 또는 처리유니트 그룹(G4)에 속하는 쿨링유니트(COL)로 반송한다. 이 쿨링유니트(COL) 내에서 웨이퍼(W)는 레지스트 도포처리전의 설정온도 예를 들면, 23℃까지 냉각된다.
냉각처리가 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)의 포크(78a)에 의해, 웨이퍼(W)를 쿨링유니트(COL)로부터 반출하고, 다음에, 처리유니트 그룹(G1)에 속하는 레지스트 도포유니트(COT) 또는 처리유니트 그룹(G2)에 속하는 레지스트 도포유니트(COT)에 반입한다. 레지스트 도포유니트(CCT)내에 있어서는, 스핀코트법에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 같은 막두께로 레지스트를 도포한다.
레지스트 도포처리가 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 레지스트 도포유니트(COT)로부터 반출하고, 다음에 처리유니트 그룹(G3)에 속하는 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 또는 처리유니트 그룹(G4)에 속하는 프리베이킹 유니트(PREBAKE)내에 반입한다. 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 내에서 웨이퍼(W)는 열판(도시생략)위에 얹어놓여지고, 소정온도 예를 들면, 100℃에서 소정시간 가열된다. 이에 의해서, 웨이퍼(W)위의 도포막으로부터 잔존용제가 증발제거된다. 프리베이크가 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 프리베이킹 유니트(PREBAKE)로부터 반출하고, 다음에 처리유니트 그룹(G4)에 속하는 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL)로 반송한다. 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL) 내에서웨이퍼(W)는 다음 공정 즉, 주변노광장치(33)에 있어서의 주변노광처리에 적합한 온도 예를 들면, 24℃까지 냉각된다.
그후, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 바로 위의 엑스텐션 유니트(EXT)로 반송하고, 그 중의 얹어놓는대(도시생략)위에 웨이퍼(W)를 얹어놓는다. 웨이퍼(W)가 얹어놓여지면, 인터·페이스부(30)의 웨이퍼 반송아암(34)이 반대측으로부터 엑세스하여, 웨이퍼(W)를 받아들인다. 그리고, 웨이퍼 반송아암(34)은 웨이퍼(W)를 인터·페이스부(30)내의 주변노광장치(33)로 반입한다. 그 안에서, 웨이퍼(W)의 에지부가 노광된다.
주변노광이 종료하면, 웨이퍼 반송아암(34)은, 웨이퍼(W)를 주변노광장치(33)로부터 반출하고, 인접하는 노광장치측의 웨이퍼 받아들임대(도시생략)로 이송한다. 경우에 따라서는, 웨이퍼(W)가 노광장치에 넘겨지기 전에, 버퍼카세트(32)에 일시적으로 수납되는 일도 있다.
노광장치에 있어서 전면 노광이 실시된 후, 웨이퍼(W)가 노광장치측의 웨이퍼 받아들임대로 되돌려지면, 인터·페이스부(30)의 웨이퍼 반송아암(34)은 그 웨이퍼 받아들임대에 엑세스하여 웨이퍼(W)를 받아들이고, 받아들인 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(20)의 처리유니트 그룹(G4)에 속하는 엑스텐션 유니트(EXT)에 반입하고, 웨이퍼 받아들임대위에 얹어놓는다. 이 경우에도, 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(20) 측으로 넘겨지기 전에 인터·페이스(30)내의 버퍼카세트(32)에 일시적으로 수납되는 수도 있다.
상기 엑스텐션 유니트(EXT)에 웨이퍼(W)가 반입되면, 반대측으로부터 주 웨이퍼 반송기구(21)가 엑세스하여 웨이퍼(W)를 받아들이고, 처리유니트 그룹(G1)에 속하는 현상유니트(DEV) 또는 처리유니트 그룹(G2)에 속하는 현상유니트(DEV)에 반입한다. 이 현상유니트(DEV) 내에서는, 웨이퍼(W)는 스핀척위에 실리고, 예를 들면 스프레이 방식에 의하여, 웨이퍼(W) 표면의 레지스트에 현상액이 모두 공급된다. 현상이 종료하면, 웨이퍼 표면에 린스액이 공급되어 현상액이 씻겨내려간다.
현상공정이 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 현상유니트(DEV)로부터 반출하고, 다음에 처리유니트 그룹(G3)에 속하는 포스트베이킹 유니트(POBAKE) 또는 처리유니트 그룹(G4)에 속하는 포스트베이킹 유니트(POBAKE)에 반송한다. 포스트베이킹 유니트(POBAKE)내에 있어서, 웨이퍼(W)는 예를 들면, 100℃에서 소정시간 가열된다. 이에 의해서, 현상되어 팽윤(澎潤)된 레지스트가 경화하고, 내약품성이 향상한다.
포스트베이킹이 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는, 웨이퍼(W)를 포스트베이킹 유니트(POBAKE)로부터, 어느 쿨링유니트(COL)에 반송한다. 여기서 웨이퍼(W)의 온도가 상온으로 되돌아온 후, 주 웨이퍼 반송기구(21)가 웨이퍼(W)를 처리유니트 그룹(G3)에 속하는 엑스텐션 유니트(EXT)로 이송한다. 이 엑스텐션 유니트(EXT)의 얹어놓는대(도시생략)위에 웨이퍼(W)가 얹어놓여지면, 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송아암(4a)이 반대측으로부터 엑세스하여, 웨이퍼(W)를 받아들인다. 그리고, 웨이퍼 반송아암(4a)은, 받아들인 웨이퍼(W)를 카세트 얹어놓는대(2)위의 처리가 끝난 웨이퍼 수용용의 카세트(1)의 소정의 웨이퍼 수용홈에 넣는다.
이상의 일련의 공정에 의하여 일회의 처리가 완료한다.
이와 같이, 본 양태에 관한 시스템에 있어서는, 주 웨이퍼 반송기구(21)에 있어서의 웨이퍼 반송공간(22)의 둘레에, 복수의 처리유니트를 다단으로 배치하여 구성된 처리유니트 그룹을 복수 배치하고, 수직방향 및 θ 방향으로 이동가능하고, 또한 진출퇴피가 가능한 포크를 가지는 주 반송기구(21)에 의해 웨이퍼(W)의 받아넘김을 하기 때문에, 엑세스 시간이 단축되고, 이에 의해, 전체 공정의 처리시간이 현저히 단축되어, 스루풋이 대폭으로 향상한다. 또, 시스템 전체의 고유 스페이스를 적게 할 수가 있으므로, 크린룸 코스트를 저렴하게 할 수가 있다.
또, 주 웨이퍼 반송기구(21)에 있어서의 웨이퍼 반송공간(22)의 위쪽으로부터 그 안에 공급되는 청정공기를, 그 아래쪽으로부터 배출시켜서 순환시키는 순환방식을 채용하기 때문에, 주 웨이퍼 반송기구(21)로부터 발생하는 파티클이나, 예를 들면 레지스트 도포유니트(COT) 등으로부터 발생하는 유기오염물등을 처리시스템의 외부의 크린룸내로 유출시키는 일이 없다. 따라서, 크린룸의 청정도를 높일 수 있음과 동시에, 크린룸의 수명의 증대를 도모할 수가 있다.
또한, 웨이퍼 반송공간(22)내에 공급되는 청정공기가 각 유니트에서 소비한 양을 외부공기 도입구(57)의 댐퍼(58)를 조절하므로써 보급하므로, 웨이퍼 반송공간(22)내에 항상 일정량의 청정공기를 공급할 수가 있다. 또, 순환로를 구성하는 배관(52)에 끼워설치되는 슬리트 댐퍼(56)를 조절하여 통기량을 조정하므로써, 웨이퍼 반송공간(22)내를 내부의 크린룸(40)에 대해서 양압의 소정의 압력으로 유지할 수가 있다. 또한, 순환로를 구성하는 배관(52)에 끼워설치되는 온도 콘트롤러(59)에 의해서 웨이퍼 반송공간(22)내에 공급되는 청정공기의 온도를 소정온도 예를 들면, 23℃로 유지할 수가 있다. 따라서, 웨이퍼 반송공간(22)내의 분위기, 즉 압력, 풍량 및 온도를 항상 소정의 값으로 설정할 수가 있어, 처리시스템내의 각 처리를 적절하게 할 수가 있다.
다음에, 본 발명의 다른 양태에 관하여 설명한다.
이 양태에 관한 레지스트 도포·현상처리시스템에 있어서는, 기본적인 구조는 종전의 양태의 시스템과 같다. 단, 후술하는 바와 같이, 이 양태에서는, 주 웨이퍼 반송기구의 구조가 종전의 양태와는 달라져 있다. 즉, 이 양태에 있어서는, 웨이퍼 반송공간(22)중에, 반송체(73)의 반송로를 둘러싸는 통형상관체(110)를 구비한 주 웨이퍼 반송기구(21')를 가지고 있다(제 14 도 참조).
이 양태의 시스템도, 크린룸내에 설치되고, 이에 의해서 청정도를 높이고 있는데, 또한 시스템내에서도 효율적으로 수직층류를 공급하므로써 각 부분의 청정도를 한층 높이고 있다. 제 12 도 및 제 13 도는 시스템내에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸다. 또한, 이들의 도면에 있어서, 종전의 양태의 시스템과 같은 것에는 같은 부호를 붙이고 있다.
이 양태에 있어서는, 제 12 도에 나타낸 바와 같이, 카세트 스테이션(10), 처리 스테이션(20) 및 인터·페이스부(30)의 위쪽에는 공기공급실(10a,20a,30a)이 설치되어 있고, 각 공기공급실(10a,20a,30a)의 아래면에 방진기능이 부착된 필터 예를 들면, ULPA 필터(50)가 부착되어 있다. 또, 제 13 도에 나타낸 바와 같이, 이 양태에 관한 처리시스템의 배부측 외부에는 공조기(102)가 설치되어 있고, 이 공조기(102)로부터 배관(103)을 통하여 공기가 각 에이공급실(10a,20a,30a)에 도입되고, 각 에어공급실의 ULPA 필터(50)로부터 청정한 공기의 다운플로우가 각 스테이션(10,20,30)에 공급된다.
이 청정공기의 다운플로우는, 시스템 하부의 적당한 개소에 다수 설치되어 있는 통풍구멍(40)을 통하여 바닥부의 배기실(104)에 모이고, 이 배기실(104)로부터 배관(105)을 통하여 공조기(102)에 회수된다.
또한, 공조기(102)는, 각 에어공급실(10a,20a,30a) 자체에 팬이 있는 경우에는, 시스템의 상부에 설치하여도 좋다.
또, 제 12 도에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(20)에서는, ULPA 필터(50)의 아래쪽에 처리유니트 그룹(G3)과 주 웨이퍼 반송기구(21')와의 사이의 공간 및 처리유니트 그룹(G4)과 주 웨이퍼 반송기구(21')와의 사이의 공간을 칸막이하는 칸막이판(33a)이 설치되어 있다. 칸막이판(33a)에 의해 칸막이된 공간의 그룹(G3)측의 공간 및 그룹(G4)측의 공간은, 각각 그룹(G3)의 배후 및 그룹(G4)의 배후에 설치된 덕트(33b)에 접속되어 있다. 그리고, 처리유니트 그룹(G3) 및 (G4)의 각 유니트의 덕트(33b) 측에는, 각각 개구부(33c)가 설치되어 있다.
따라서, ULPA 필터(32)로부터 공급된 청정공기는, 주 웨이퍼 반송기구(21')에 직접 흐름과 동시에, 덕트(33b)를 통하고, 각 유니트의 개구부(33c)를 통하여 각 유니트의 배후로부터 주 웨이퍼 반송기구(24)를 향하여 흐른다. 그리고, 이들의 청정공기는, 그룹(G3) 및 (G4)와 주 웨이퍼 반송기구(21')와의 사이를 통하여, 통풍구멍(40)을 빠져나간다.
이 양태에 관한 처리시스템에서는, 이와 같이 청정공기를 각 유니트의 개구부(33c)를 통하여 각 유니트의 배후로부터 주 웨이퍼 반송기구(21')를 향하여 흐르도록 구성하였으므로, 주 웨이퍼 반송기구(24) 측에서 발생한 파티클이 유니트측으로 흘러들어가는 일은 없다. 또, 다단배치된 각 유니트에 대해서 항상 신선한 청정공기를 보낼 수가 있다.
제 12 도 및 제 13 도에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(20)에서는, 처리유니트 그룹(G1) 및 (G2)의 중에서 하단에 배치되어 있는 레지스트 도포유니트(COT)의 천정면에 ULPA 필터(50a)가 설치되어 있고, 공조기(102)로부터의 공기가 배관(103)으로부터 분기한 배관(106)을 통하여 필터(50a)까지 보내진다. 이 배관(106)의 도중에 온도·습도조정기(도시생략)가 설치되고, 레지스트 도포공정에 적합한 소정의 온도 및 습도의 청정공기가 2개의 레지스트 도포유니트(COT)에 공급된다. 필터(50a)의 취출측 부근에 온도·습도센서(107)가 설치되어 있고, 그 센서출력이 그 온도·습도조정기의 제어부에 부여되고, 피드백 방식으로 청정공기의 온도 및 습도가 정확하게 제어된다.
제 13 도에 있어서, 각 스피너형 처리유니트(COT),(DEV)의 주 웨이퍼 반송기구(21')에 면하는 측벽에는, 웨이퍼 및 반송아암이 출입하기 위한 개구부(64)가 설치되어 있다. 각 개구부(64)에는, 각 유니트로부터 파티클 또는 콘태미네이션이 주 웨이퍼 반송기구(21')측에 들어가지 않도록 하기 위해, 셔터(도시생략)가 부착되어 있다.
다음에, 제 14 도 ∼ 제 18도를 참조하여 처리 스테이션(20)에 있어서의 주 웨이퍼 반송기구의 구성 및 작용에 관하여 설명한다. 제 14 도는 주 웨이퍼 반송기구(21')의 요부를 일부 절결하여 나타낸 대략 사시도, 제 15 도는 주 웨이퍼 반송기구(21')의 요부의 구성을 나타낸 종단면도, 제 16 도는 제 15 도에 있어서 화살표 A의 방향으로 본 단면 평면도, 제 17 도는 제 15 도에 있어서 화살표 B방향으로 본 내측 측면도 및 제 18 도는 제 15 도에 있어서 화살표 C의 방향으로 본 내측 측면도이다. 이들의 도면에 있어서도, 종전의 양태에 관한 시스템과 같은 것에는 같은 부호를 붙이고 있다.
제 14 도 및 제 15 도에 나타낸 바와 같이, 주 웨이퍼 반송기구(21')는, 원통형상관체(110)를 가지며, 이 관체(110)의 내측에 반송수단으로서의 웨이퍼 반송체(73)가 상하방향(Z방향)으로 이동가능하게 지지되어 있다. 원통형상관체(110)는, 회전구동모터(111)의 회전축에 접속되어 있고, 모터(111)의 회전구동력에 의해서 회전축을 회전중심으로 하여 웨이퍼 반송체(73)와 일체로 회전된다. 회전구동모터(111)는 본 시스템의 베이스판(75)에 고정되어 있고, 모터(111)의 둘레에는 급전용의 픽업 케이블베어(76)가 감겨져 있다. 또한, 원통형상관체(110)는, 회전구동모터(111)에 의해서 회전되는 다른 회전축(도시생략)에 붙여 고정하도록 구성하여도 좋다.
원통형상관체(110)는, 웨이퍼 반송체(73)를 둘러싸듯이 수용함과 동시에, 처리유니트 그룹(G1∼G5)의 사이에서 웨이퍼(W)의 받아넘김을 가능하게 하는 복수의 개구부(110a)가 설치되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송체(73)의 연직방향의 이동범위는, 웨이퍼 반송체(73)가 웨이퍼(W)를 처리유니트 그룹(G1∼G5)의 전체에 반송할 수 있도록 설정되어 있다.
이 웨이퍼 반송체(73)의 구조는, 종전의 양태와 마찬가지이며, 반송기초대(77)에, X방향(전후방향)으로 이동가능한 3개의 지지포크(78a,78b,78c)를 구비하고 있다. 각 지지포크는, 원통형상관체(110)의 개구부(110a)를 빠져나갈 수 있도록 되어 있다. 종전의 양태와 마찬가지로, X방향 구동부는, 반송기초대(77)에 내장된 구동모터 및 벨트를 구비하고 있다.
또한, 이 양태에 있어서도, 최상단의 포크(78a)를 냉각된 웨이퍼의 반송전용으로서 사용하여도 좋다. 또, 각 핀세트간에 단열판을 배치하여, 열의 상호간섭을 방지하도록 구성하여도 좋다.
또, 제 14 도 내지 제 16 도에 나타낸 바와 같이, 원통형상관체(110)의 내측에 있어서의 한쪽의 벽부측 거의 중앙의 위끝단부 및 아래끝단부에, 종전의 양태에 주 웨이퍼 반송기구(21)와 마찬가지로, 한쌍의 풀리(80,81)가 부착되고, 이들의 풀리(80,81) 사이에 수직구동용의 무단벨트(82)가 걸쳐져 있다. 이 수직구동벨트(82)에 벨트크램프(83)를 통하여 웨이퍼 반송체(73)의 반송기초대(77)가 접속되어 있다. 하부풀리(80)는, 원통형상관체(110)의 바닥면에 고정배치된 구동모터(84)의 회전축(84a)에 접속되어, 구동풀리로 되어 있다.
또, 제 16 도 및 제 17 도에 명시하는 바와 같이, 원통형상관체(110)의 내측의 한쪽측에는, 종전의 양태와 마찬가지로, 한쌍의 가이드레일(85)이 설치되고, 반송기초대(77)의 측면에 돌출설치된 한쌍의 수평지지막대(86)의 앞끝단에 각각 설치된 슬라이더(87)가 양 가이드레일(85)에 미끄럼 운동이 가능하게 걸어맞춤되어 있다. 이러한 구성에 의해서, 종전의 양태와 마찬가지로, 웨이퍼 반송체(73)가 연직방향으로 승강이동이 가능하게 되어 있다.
제 16 도 및 제 17 도에 나타낸 바와 같이, 원통형상관체(110)의 한쪽측의 내벽중앙부와 한쪽의 가이드레일(85)과의 사이에는, 종전의 양태와 마찬가지로, 로드레스 실린더(88)가 연직수직방향으로 연재하고 있다. 이 로드레스 실린더(88)의 외측에는 원통형상의 가동부(88a)가 유동가능하게 밖에서 끼워지고, 이들은 종전의 양태와 마찬가지로 구성되어 있고, 실린더(88)의 피스톤과 자기적으로 결합하고 있으므로, 가동부(88a)를 통하여 웨이퍼 반송체(73)와 피스톤이 동시에 이동가능하도록 작동시킬 수가 있다. 또, 실린더(88)의 아래끝단의 포트(88b)에는, 종전의 양태와 마찬가지로, 레귤레이터(89)로부터 웨이퍼 반송체(73)의 중량과 거의 같은 힘이 피스톤에 발생하는 것과 같은 압력으로 압축공기가 배관(90)을 통하여 공급된다. 실린더(88)의 위끝단의 포트(88c)는 대기에 개방되어 있다. 따라서, 이 양태에 있어서도, 종전의 양태와 마찬가지로, 웨이퍼 반송체(73)는 중력의 영향을 받지 않고 고속도로 상승이동할 수 있고, 또, 구동벨브(82)가 끊긴 경우에도, 중력으로 낙하할 우려는 없어, 웨이퍼 반송체(73) 및 원통형상관체(110)가 파손할 우려는 없다.
제 14 도, 제 16 도 및 제 18 도에 나타낸 바와 같이, 원통형상 지지체(110)의 내측에 있어서의 다른쪽의 벽부측의 중앙부 및 양끝단부에는, 종전의 양태와 마찬가지로, 웨이퍼 반송체(73)에 전력 및 제어신호를 공급하기 위한 픽업의 케이블베어(91)를 수용하는 슬리브(92)가 설치되어 있고, 중앙부의 2개의 슬리브(92)의 가이드(93)에 의해 반송기초대(77)의 측면에 돌출설치된 슬라이더(94)가 안내된다.
제 14 도에 나타낸 바와 같이, 원통형상관체(110)의 윗면에는회전중심축(110b)의 양측에 해당 원통형상관체(110)내에 청정공기를 도입하기 위한 한쌍의 도입구(110c)가 설치되어, 상기한 천정면의 방향으로부터의 청정공기가 이들의 도입구(110c)를 통하여 주 웨이퍼 반송기구(21')내에 유입하도록 되어 있다. 이 다운플로우의 청정공기에 의해 웨이퍼 반송체(73)의 승강이동공간은 항상 청정하게 유지된다.
각 도입구(110c)에는, 도입하는 공기량을 조절하기 위한 조절수단으로서의 가동식의 슬리트창(110d)이 복수 설치되어 있다. 가동식의 슬리트창(110d)은, 예를 들면 제 19 도에 나타낸 바와 같이, 복수의 슬리트(110e)가 설치된 판형상 부재(110f)를 2매 겹쳐서, 예를 들면 상부의 판형상부재(110f)의 위치를 X방향으로 비키어놓음으로써 창을 개폐가능하게 되어 있다. 따라서, 주 웨이퍼 반송기구(21') 내외의 환경에 따라서 슬리트창(110d)을 소정폭 벌려서 도입하는 공기량을 조절할 수가 있고, 이에 의해 주 웨이퍼 반송기구(21')내의 청정작용을 최적화하는 것이 가능하다.
원통형상관체(110)의 내벽의 양측에는, 제 15 도 및 제 16 도에 나타낸 바와 같이, 종전의 양태와 마찬가지로, 각각 수직칸막이판(112a,113a)이 설치되어 있고, 이들의 칸막이판(112a,113a)의 뒤쪽과 원통형상관체(110)의 벽부에서 덕트(112b,113b)가 형성되어 있다. 칸막이판(112a,113a)의 위끝단 및 아래끝단 부근에는, 각각 배출수단으로서 공기배출구(114) 및 (115)가 설치되어 있고, 거기에는 배기팬(114a,115a)이 배치되어 있다. 배기팬(114a,115a)에 의해 배출된 공기는, 덕트(112b,113b)를 통하여, 주 웨이퍼 반송기구(21')내의 하부로부터 외부로 배출된다.
배기팬(114a,115a)은, 구동모터(84)의 구동에 연동하여 출력이 제어되도록 되어 있다. 즉, 구동모터(84)의 구동에 의해 웨이퍼 반송체(73)가 상승할 때에는, 위끝단 부근의 공기배출구(114)의 배기팬(114a)의 출력이 크고, 구동모터(84)의 구동에 의해 웨이퍼 반송체(73)가 하강할 때에는, 아래끝단 부근의 공기배출구(115)의 배기팬(115a)의 출력이 커지도록 제어된다.
따라서, 원통형상관체(110) 내에서 웨이퍼 반송체(73)가 승강할 때에 원통형상관체(110)의 위끝단 부근 및 아래끝단 부근에 있어서 압축되려고 하는 공기는, 공기배출구(114,115)를 통하여 주 웨이퍼 반송기구(21')의 외부에 배출된다. 따라서, 원통형상관체(110) 내부의 압력변동이 완화되고, 그 위끝단 부근 및 아래끝단 부근에 있어서의 공기의 압축누설에 의해서 파티클이 원통형상관체(110)로부터 확산하는 일은 없어진다. 특히, 아래끝단에 설치된 팬의 배기량을 최대로 하므로써, 원통형상관체(110) 내부의 압력변동이 한층 완화된다.
이와 같이 공기배출구(114,115)에 배기팬(114a,115a)을 설치하거나 배기팬(114a,115a)의 출력을 제어하므로써, 보다 효율적으로 공기의 압축누설에 의한 파티클의 확산을 방지할 수 있다. 그러나, 배기팬(114a,115a)을 설치하지 않고, 공기배출구(114,115)를 설치한 것만으로도 파티클의 확산을 방지할 수가 있다.
또, 배기팬(114a,115a)의 부착위치는, 공기배출구(114,115) 부근(덕트 112b,113b의 입구) 뿐아니라, 덕트(112b,113b)의 도중이나 덕트(112b,113b)의 출구에 설치하는 것으로도 좋다.
또, 제 20 도에 나타낸 바와 같이, 덕트(112b,113b)의 외측에, 또 다른 덕트(112c,113c)를 설치하고, 원통형상관체(110)의 위끝단 부근에 덕트(112c,113c)에 연이어 통하는 공기배출구(117)를 더 설치하도록 해도 좋다. 이 예에서는, 배기팬(114a,117a)은 각각 덕트(112b,113b,112c,113c)의 출구에 설치되어 있다. 즉, 시스템 전체에서는 청정공기의 다운플로우를 형성하므로, 웨이퍼 반송체(73)의 상승시의 쪽이 즉, 원통형상관체(110)의 위끝단 부근의 쪽이 공기가 압축되기 쉽다. 따라서, 이와 같이 원통형상관체(110)의 위끝단 부근의 공기배출구를 2단 구성하므로써, 보다 효과적으로 공기의 압축누설에 의한 파티클의 확산을 방지할 수가 있다.
또, 배기팬(114a,115a)을 설치한 것에 의해 원통형상관체(110)의 내부를 음압으로 설정할 수가 있다. 그러나, 이와 같은 배기팬(114a,115a)이 아니라, 예를 들면 전용의 배기팬을 원통형상관체(110)의 하부에 설치하므로써 원통형상관체(110) 내부를 음압으로 설정할 수도 있다. 이와 같이 원통형상관체(110)내부를 음압으로 설정하므로써, 원통형상관체(110) 내부로부터 각 유니트에 파티클이 확산하는 것을 방지할 수가 있다.
또한, 이 양태에 있어서는, 웨이퍼 반송체(73)를 둘러싸듯이 원통형상관체(110)를 설정하였으므로, 주 웨이퍼 반송기구(21')의 θ 방향의 회전에 의한 기류의 흐뜨러짐을 방지할 수가 있다. 따라서, 제 12 도에서 설명한 바와 같이 청정공기를 각 유니트의 개구부(33c)를 통하여 각 유니트의 배후로부터 주 웨이퍼 반송기구(21')를 향하여 흐르도록 구성한 것과 더불어, 주 웨이퍼 반송기구(21') 측에서 발생한 파티클이 유니트측에 확산하는 것을 보다 효과적으로방지할 수가 있다.
상기한 어느 양태에 있어서도, 처리시스템내의 각 부분의 배치구성은 일예이며, 여러 가지의 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기한 양태에서는, 처리스테이션(20)내의 처리유니트 그룹(G1,G2)에서 스피너형 처리유니트를 각각 2단으로 배치하고, 처리유니트 그룹(G3,G4)은 오븐형 처리유니트 및 웨이퍼 받아넘김 유니트를 각각 8단으로 배치하였는데, 이 이외의 임의의 단수가 가능하며, 하나의 조중에 스피너형 처리유니트와 오븐형 처리유니트 또는 웨이퍼 받아넘김 유니트를 혼재시키는 것도 가능하다. 또, 스크러버 유니트등의 다른 처리유니트를 첨가하는 것도 가능하다.
또, 제 1 도 및 제 2 도에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(20)의 양측에 배치되는 카세트 스테이션(10)과 인터·페이스부(30)와의 상대위치관계를 좌우 반대로 구성하는 것도 가능하다. 그 경우에는, 처리 스테이션(20)에 대해서 카세트 스테이션(10) 인터·페이스부(30)는 각각 적절한 결합부재(97)(예를 들면, 볼트)에 의해서 붙이고 떼기가 가능하게 연결되도록 구성하면 좋다. 또, 카세트 스테이션(10)의 정면부에는 부착되는 제어패널(100)도 붙이고 떼기가 가능하게 하므로써, 레이아웃의 변경에 대해서 용이하게 대응이 가능하게 된다. 예를 들면, 노광장치를 좌우 어느측에 배치하는 경우라도 대응할 수가 있다. 또, 신규의 설계·제작도 불필요하여, 비용절감화도 도모할 수 있다.
또한, 상기 양태에서는 3개의 포크를 가지는 반송체를 가지는 반송기구를 나타냈는데, 포크의 수는 이것에 한정되는 것이 아니다.
또, 상기 양태에서는, 본 발명에 관한 처리장치를 반도체 웨이퍼의 도포·현상처리시스템에 적용한 경우에 관하여 설명하였는데, 본 발명의 처리장치는 다른 처리시스템에도 적용가능하며, 피처리체도 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를들면 LCD 기판, 유리기판, CD 기판, 포토마스크, 프린트 기판, 세라믹 기판등의 피처리체라도 적용가능하다.

Claims (49)

  1. 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
    상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고, 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
    상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하는 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 분위기 변동을 완화하는 수단은, 상기 피처리체 반송공간에 다운플로우를 형성하는 수단과, 다운플로우의 풍량을 제어하는 수단과, 상기 피처리체 공간의 압력을 제어하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 분위기 변동을 완화하는 수단은, 상기 피처리체 반송공간의 온도를 제어하는 온도제어수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 분위기 변동을 완화하는 수단은, 상기 반송부재의 연직방향의 이동에 의해 압축된 공기를 배출하는 배출수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 배출수단은, 배기구와, 배기팬을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 배출수단은, 상기 반송수단의 위끝단부 및 아래끝단부에 각각 설치된 배기구와, 이들 배기구에 각각 대응하는 배기팬과, 상기 반송부재의 상승시에는, 상기 위끝단부의 배기구에 대응하는 배기팬의 출력을 크게 하고, 상기 반송부재의 하강시에는, 상기 아래끝단부의 배기구에 대응하는 배기팬의 출력을 크게하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 배출수단은, 상기 연직방향을 따라서 설치된 복수의 배기구와, 이들 배기구에 각각 대응하는 복수의 배기팬을 가지며, 최하부의 배기구에 대응하는 배기팬의 배기량이 최대인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반송수단은 복수의 반송부재를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간의 압력이, 장치외의 압력보다도 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
    상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
    상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과;
    상기 피처리체 반송공간으로부터, 상기 각 처리유니트로의 공기의 유입을 저지하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 공기의 유입을 저지하는 수단은, 상기 피처리체 반송공간에 연직방향을 따라서 설치된 덕트와, 상기 피처리체 반송공간의 공기를 상기 덕트에 배출하는 배출수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 공기의 유입을 저지하는 수단은, 상기 각 처리유니트중으로부터 상기 피처리체 반송공간으로 향하는 청정공기의 흐름을 형성하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 반송수단은 복수의 반송부재를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간의 압력이, 장치 외부의 압력보다도 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  15. 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
    상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고, 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
    상기 피처리체 반송공간의 위쪽에 설치된 흡기구와;
    상기 피처리체 반송공간의 아래쪽에 설치된 배기구와;
    상기 흡기구와 배기구를 연결하고, 순환로를 형성하는 배관과;
    상기 피처리체 반송공간에서 다운플로우가 형성되도록 흡기구로부터 배기구를 향하는 방향에 청정공기를 순환시키는 송풍수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 순환하는 청정공기의 풍량을 제어하는 풍량제어수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 풍량제어수단은, 외부공기를 도입하는 외부공기 도입부와, 외부공기 도입부에 설치된 댐퍼를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간의 압력을 제어하는 압력제어수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간의 온도를 제어하는 온도제어수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 반송수단은, 상기 피처리체 반송공간의 연직방향을 따라서 연재하는, 반송부재를 지지하기 위한 지지부재를 가지며, 이 지지부재는, 그 연직방향을 따라서 설치된 덕트와, 상기 피처리체 반송공간의 공기를 상기 덕트에 배출하는 배출수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 배출수단은, 배기구와, 배기덕트를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 배출수단은, 연직방향을 따라서 설치된 복수의 배기구와, 이들 배기구에 각각 대응하는 복수의 배기팬을 가지며, 최하부의 배기구에 대응하는 배기팬의 배기량이 최대인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  23. 제 15 항에 있어서, 상기 반송수단은 복수의 반송부재를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  24. 제 15 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간의 압력이, 장치 외부의 압력보다도 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  25. 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
    상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
    상기 피처리체 반송공간에 연직방향을 따라서 설치된 덕트와;
    상기 반송부재의 연직방향의 이동에 의해 압축된 공기를 덕트로 배출하는 배출수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 배출수단은, 배기구와, 배기팬을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 배출수단은, 상기 덕트의 위끝단부 및 아래끝단부에 각각 설치된 배기구와, 이들 배기구에 각각 대응하는 배기팬과, 상기 반송부재의 상승시에는, 상기 위끝단부의 배기구에 대응하는 배기팬의 출력을 크게 하고, 상기 반송부재의 하강시에는, 상기 아래끝단부의 배기구에 대응하는 배기팬의 출력을 크게하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  28. 제 25 항에 있어서, 상기 배출수단은, 연직방향을 따라서 설치된 복수의 배기구와, 이들 배기구에 각각 대응하는 복수의 배기팬을 가지며, 최하부의 배기구에 대응하는 배기팬의 배기량이 최대인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 배출수단은, 상기 덕트의 위끝단부에 다른 배기구를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  30. 제 25 항에 있어서, 상기 반송수단은 복수의 반송부재를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  31. 제 25 항에 있어서, 상기 반송수단은, 상기 반송체의 이동범위를 둘러싸는관체를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  32. 제 25 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간의 압력이, 장치 외부의 압력보다도 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  33. 피처리체의 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지며, 이들 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 복수의 처리유니트 그룹과;
    상기 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재와, 이 반송부재의 이동범위를 둘러싸는 관체를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송수단과;
    상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과;
    상기 각 처리유니트중으로부터 상기 피처리체 반송공간으로 향하는 청정공기의 흐름을 형성하는 수단을 구비하고,
    상기 각 처리유니트중으로부터 상기 피처리체 반송공간으로 흐른 청정공기가 상기 다운플로우에 의해 상기 관체의 외측을 따라서 아래쪽으로 흐르는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 관체는 원통형상을 이루는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  35. 제 33 항에 있어서, 상기 관체중의 압력이, 피처리체 반송공간의 다른 부분의 압력보다도 낮은 것을 특징으로 하는 처리장치.
  36. 제 33 항에 있어서, 상기 관체의 상부에 청정공기를 도입하는 도입구를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 도입구는, 도입하는 공기량을 조절하기 위한 조절수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  38. 제 33 항에 있어서, 상기 반송수단은 복수의 반송부재를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  39. 레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 1 처리유니트 그룹과;
    피처리체를 위치맞춤시키는 얼라이먼트 유니트, 피처리체를 가열하는 베이킹 유니트, 피처리체를 냉각하는 쿨링유니트, 피처리체의 표면을 소수화하는 어드히젼 유니트 및 엑스텐션 유니트의 일부 또는 전부를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 2 처리유니트 그룹과,
    상기 제 1 처리유니트 그룹과 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 규정된 피처리체 반송공간에 승강 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하며, 상기 피처리체 반송공간 내에서 상승 또는 하강하여 피처리체를 상기 각 처리유니트에 받아넘김하는 반송부재를 가지는 반송수단과,
    상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하며,
    상기 쿨링 유니트는, 상기 제 2 처리유니트 그룹내에서 상기 베이킹유니트보다도 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리장치.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과; 상기 피처리체 반송공간으로부터, 상기 각 처리유니트로의 공기의 유입을 저지하는 수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  41. 레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐서 이루어지는 적어도 하나의 제 1 처리유니트 그룹과;
    피처리체를 위치맞춤시키는 얼라이먼트 유니트, 피처리체를 가열하는 베이킹 유니트, 피처리체를 냉각하는 쿨링유니트, 피처리체의 표면을 소수화하는 어드히젼 유니트 및 엑스텐션 유니트의 일부 또는 전부를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 2 처리유니트 그룹과,
    상기 제 1 처리유니트그룹과 제 2 처리유니트 그룹 사이에 피처리체 반송공간이 규정되는 것과,
    상기 제 1 처리유니트 그룹과 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 규정된 피처리체 반송공간에 승강 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하며, 상기 피처리체 반송공간 내에서 상승 또는 하강하여 피처리체를 상기 각 처리유니트에 받아넘김하는 반송부재를 가지는 반송수단과,
    상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하며,
    상기 쿨링 유니트는, 상기 제 2 처리유니트 그룹내에서 상기 베이킹유니트보다도 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리장치.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 제 2 처리유니트는, 상기 쿨링유니트와 상기 베이킹 유니트와의 사이에 상기 엑스텐션 유니트가 위치하는 것과 같은 배치를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  43. 제 41 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과; 상기 피처리체 반송공간으로부터, 상기 각 처리유니트로의 공기의 유입을 저지하는 수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  44. 피처리체에 대해서 레지스트 도포 및 현상처리를 도포·현상처리 시스템으로서,
    피처리체에 대해서 레지스트 도포 및 현상처리를 포함하는 일련의 처리를 하는 처리부와;
    다른 시스템과의 사이 및 상기 처리부와의 사이에서 피처리체의 받아넘김을 하는 반송부와;
    상기 처리부와의 사이 및 노광장치와의 사이에서 피처리체의 받아넘김을 하는 인터페이스를 구비하고,
    상기 처리부는,
    레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 1 처리유니트 그룹과;
    피처리체를 위치맞춤시키는 얼라이먼트 유니트, 피처리체를 가열하는 베이킹 유니트, 피처리체를 냉각하는 쿨링유니트, 피처리체의 표면을 소수화하는 어드히젼 유니트 및 엑스텐션 유니트의 일부 또는 전부를 포함하는 복수의 처리유니트가 상하 다단으로 겹쳐 쌓여서 이루어지는 적어도 하나의 제 2 처리유니트 그룹과,
    상기 제 1 처리유니트 그룹과 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 규정된 피처리체 반송공간에 승강 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하며, 상기 피처리체 반송공간 내에서 상승 또는 하강하여 피처리체를 상기 각 처리유니트에 받아넘김하는 반송부재를 가지는 반송수단과,
    상기 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화하는 수단을 구비하며,
    상기 쿨링유니트는, 상기 제 2 처리유니트 그룹내에서 상기 베이킹 유니트보다도 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리시스템.
  45. 제 44 항에 있어서, 상기 제 2 처리유니트는, 상기 쿨링유니트와 상기 베이킹 유니트와의 사이에 상기 엑스텐션 유니트가 위치하는 것과 같은 배치를 가지는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  46. 제 44 항에 있어서, 상기 피처리체 반송공간에 청정공기의 다운플로우를 형성하는 수단과; 상기 피처리체 반송공간으로부터, 상기 각 처리유니트로의 공기의 유입을 저지하는 수단을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  47. 피처리기판을 반송하기 위한 반송기구가 설치된 반송로와,
    이 반송로의 주위에 배치되고, 상기 피처리기판을 처리하기 위한 복수의 처리기구를 가지는 처리부와,
    상기 반송기구에 의해 피처리기판을 상기 처리기구에 반송할 때에 상기 반송로내의 압력변동을 억제하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  48. 피처리기판을 반송하기 위한 반송기구가 설치된 반송로와,
    상기 반송기구에 의해 피처리기판을 반송할 때에, 반송방향측과 그의 역방향측과의 압력차를 억제하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판반송장치.
  49. 피처리기판을 기판의 주면(主面)에 대하여 직교하는 방향으로 반송하는 공정과,
    적어도 피처리기판을 반송하는 방향의 분위기압력의 상승을 저감시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판반송방법.
KR1019970001966A 1996-01-26 1997-01-24 처리 장치 및 처리 시스템과 기판 반송장치 및 기판 반송방법 KR100386130B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-31249 1996-01-26
JP03124996A JP3225344B2 (ja) 1996-01-26 1996-01-26 処理装置
JP13726496A JP3342803B2 (ja) 1996-05-30 1996-05-30 処理装置及び基板搬送方法
JP96-137264 1996-05-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970060443A KR970060443A (ko) 1997-08-12
KR100386130B1 true KR100386130B1 (ko) 2003-08-25

Family

ID=26369702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970001966A KR100386130B1 (ko) 1996-01-26 1997-01-24 처리 장치 및 처리 시스템과 기판 반송장치 및 기판 반송방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5928390A (ko)
EP (2) EP0786800B1 (ko)
KR (1) KR100386130B1 (ko)
DE (1) DE69735514T2 (ko)
TW (1) TW317644B (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100536434B1 (ko) * 2004-12-30 2005-12-16 주식회사 에스에프에이 카세트 보관 시스템
KR100572419B1 (ko) * 1997-04-07 2006-06-21 가부시키가이샤 니콘 리소그래피시스템,리소그래피방법,노광장치와그제조방법및기판처리장치와그제조방법
KR100602108B1 (ko) * 1999-07-16 2006-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 처리시스템
KR101578412B1 (ko) 2009-11-13 2015-12-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포토레지스트 도포 현상 장치, 기판 반송 방법 및 인터페이스 장치
KR101768518B1 (ko) * 2015-12-31 2017-08-17 세메스 주식회사 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR20210037272A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 시너스텍 주식회사 오븐 챔버
US11923216B2 (en) 2021-12-17 2024-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate including process chambers and transfer chamber

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6099643A (en) * 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
TW420829B (en) * 1997-05-22 2001-02-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device and method, impurity removing apparatus
US6089763A (en) * 1997-09-09 2000-07-18 Dns Korea Co., Ltd. Semiconductor wafer processing system
US6616394B1 (en) 1998-12-30 2003-09-09 Silicon Valley Group Apparatus for processing wafers
KR100297724B1 (ko) * 1999-03-04 2001-09-26 윤종용 감광액 도포 및 현상시스템과 베이크 유니트
KR100307628B1 (ko) * 1999-04-03 2001-10-29 윤종용 반도체 제조설비의 청정방법 및 이를 적용한 반도체 제조 설비
US6656281B1 (en) 1999-06-09 2003-12-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6312171B1 (en) 1999-08-12 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Developing apparatus and method thereof
US6364762B1 (en) * 1999-09-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
US6402400B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US6402401B1 (en) * 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6676757B2 (en) * 1999-12-17 2004-01-13 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus and coating unit
US6919001B2 (en) * 2000-05-01 2005-07-19 Intevac, Inc. Disk coating system
US6379056B1 (en) 2000-09-12 2002-04-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3910821B2 (ja) * 2000-10-26 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置
JP3950299B2 (ja) 2001-01-15 2007-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその方法
US6543981B1 (en) * 2001-03-30 2003-04-08 Lam Research Corp. Apparatus and method for creating an ultra-clean mini-environment through localized air flow augmentation
US7066707B1 (en) * 2001-08-31 2006-06-27 Asyst Technologies, Inc. Wafer engine
CN1996552B (zh) * 2001-08-31 2012-09-05 克罗辛自动化公司 晶片机
KR100483428B1 (ko) * 2003-01-24 2005-04-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
KR100542630B1 (ko) * 2004-04-28 2006-01-11 세메스 주식회사 반도체 제조 설비
US20060102078A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Intevac Inc. Wafer fab
US7611322B2 (en) 2004-11-18 2009-11-03 Intevac, Inc. Processing thin wafers
EP1843206B1 (en) * 2006-04-06 2012-09-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5006122B2 (ja) * 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US8757026B2 (en) 2008-04-15 2014-06-24 Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh Clean transfer robot
JP5394360B2 (ja) * 2010-03-10 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置およびその冷却方法
JP6511858B2 (ja) * 2015-02-27 2019-05-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室
JP6877480B2 (ja) 2019-04-09 2021-05-26 株式会社荏原製作所 搬送装置、ワーク処理装置、搬送装置の制御方法、プログラムを記憶する記録媒体
CN110161804B (zh) * 2019-06-21 2023-10-24 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶显影设备及系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0335752A2 (en) * 1988-03-31 1989-10-04 Kabushiki Kaisha N.M.B. Semiconductor System for manufacturing semiconductors under clean condition
JPH03274746A (ja) * 1990-03-24 1991-12-05 Sony Corp マルチチャンバ装置
US5339128A (en) * 1988-02-12 1994-08-16 Tokyo Electron Limited Resist processing method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943457A (en) * 1985-10-24 1990-07-24 Texas Instruments Incorporated Vacuum slice carrier
JP2559617B2 (ja) * 1988-03-24 1996-12-04 キヤノン株式会社 基板処理装置
US5326316A (en) * 1991-04-17 1994-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Coupling type clean space apparatus
KR0165559B1 (ko) * 1991-08-26 1999-02-18 이노우에 아키라 반송장치
US5451131A (en) * 1992-06-19 1995-09-19 International Business Machines Corporation Dockable interface airlock between process enclosure and interprocess transfer container
JPH0689837A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Fujitsu Ltd 基板処理装置
JP2877216B2 (ja) * 1992-10-02 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP3052105B2 (ja) * 1992-11-20 2000-06-12 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
KR100248565B1 (ko) * 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
JP3213748B2 (ja) * 1994-08-04 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US5826129A (en) * 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3122868B2 (ja) * 1994-09-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
US5620560A (en) * 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
JP3143770B2 (ja) * 1994-10-07 2001-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置
JP3485990B2 (ja) * 1995-02-09 2004-01-13 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5339128A (en) * 1988-02-12 1994-08-16 Tokyo Electron Limited Resist processing method
EP0335752A2 (en) * 1988-03-31 1989-10-04 Kabushiki Kaisha N.M.B. Semiconductor System for manufacturing semiconductors under clean condition
JPH03274746A (ja) * 1990-03-24 1991-12-05 Sony Corp マルチチャンバ装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100572419B1 (ko) * 1997-04-07 2006-06-21 가부시키가이샤 니콘 리소그래피시스템,리소그래피방법,노광장치와그제조방법및기판처리장치와그제조방법
KR100602108B1 (ko) * 1999-07-16 2006-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 처리시스템
KR100536434B1 (ko) * 2004-12-30 2005-12-16 주식회사 에스에프에이 카세트 보관 시스템
KR101578412B1 (ko) 2009-11-13 2015-12-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포토레지스트 도포 현상 장치, 기판 반송 방법 및 인터페이스 장치
KR101768518B1 (ko) * 2015-12-31 2017-08-17 세메스 주식회사 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR20210037272A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 시너스텍 주식회사 오븐 챔버
KR102276150B1 (ko) 2019-09-27 2021-07-12 시너스텍 주식회사 오븐 챔버
US11923216B2 (en) 2021-12-17 2024-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate including process chambers and transfer chamber

Also Published As

Publication number Publication date
EP1632989A2 (en) 2006-03-08
TW317644B (ko) 1997-10-11
EP0786800A2 (en) 1997-07-30
DE69735514T2 (de) 2006-12-07
EP1632989A3 (en) 2011-03-02
US5928390A (en) 1999-07-27
DE69735514D1 (de) 2006-05-11
EP0786800A3 (en) 1998-11-25
EP0786800B1 (en) 2006-03-22
KR970060443A (ko) 1997-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100386130B1 (ko) 처리 장치 및 처리 시스템과 기판 반송장치 및 기판 반송방법
KR100340235B1 (ko) 처리 장치
KR100634122B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3225344B2 (ja) 処理装置
JP3213748B2 (ja) 処理システム
KR100602108B1 (ko) 처리시스템
KR100515740B1 (ko) 기판처리장치
JP4294837B2 (ja) 処理システム
JP3421521B2 (ja) 処理装置
JP2004228594A (ja) 基板処理装置
JP3342803B2 (ja) 処理装置及び基板搬送方法
KR20200042255A (ko) 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법
JP2001189368A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3254148B2 (ja) 処理装置
JP3521388B2 (ja) 基板搬送装置及び処理システム
JP2004274068A (ja) 基板処理装置
JP3456925B2 (ja) 基板処理装置
JPH10335220A (ja) 処理装置
JP3416397B2 (ja) 処理システム
JP2003142552A (ja) 基板処理装置
JP2001077019A (ja) 処理システム
JP2004214696A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3283789B2 (ja) 処理装置
CN116564849A (zh) 衬底处理设备
KR20200080469A (ko) 배기 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130503

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140502

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150416

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee