KR101578412B1 - 포토레지스트 도포 현상 장치, 기판 반송 방법 및 인터페이스 장치 - Google Patents

포토레지스트 도포 현상 장치, 기판 반송 방법 및 인터페이스 장치 Download PDF

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히토시 고스기
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

포토레지스트 도포 현상 장치로부터 노광 장치로 로드록 장치를 개재하여 반송할 때에, 웨이퍼 온도의 변화를 저감시킬 수 있는 포토레지스트 도포 현상 장치를 제공한다. 개시되는 포토레지스트 도포 현상 장치(1)는 기판에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트막 형성부와, 포토레지스트막 형성부에서 포토레지스트막이 형성된 기판을 가열하는 가열 처리부와, 가열 처리부에서 가열되고 포토레지스트막이 형성된 기판을 상온으로 냉각하는 냉각부와, 냉각부에서 상온으로 냉각된 기판을 소정의 온도로 가열하는 가열부(61)와, 포토레지스트막의 노광을 위하여 기판을 감압 하에서 반출하는 로드록실(L1)과, 가열부(61)로부터 로드록실(L1)로 기판을 반송하는 반송부(62)를 구비한다.

Description

포토레지스트 도포 현상 장치, 기판 반송 방법 및 인터페이스 장치{PHOTORESIST COATING AND DEVELOPING APPARATUS, SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND INTERFACE APPARATUS}
본 발명은 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 노광 장치에 의해 노광된 포토레지스트막을 현상하는 포토레지스트 도포 현상 장치에 관한 것으로, 특히 진공 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치와의 사용에 적합한 포토레지스트 도포 현상 장치 및 이 포토레지스트 도포 현상 장치에서의 기판 반송 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스가 더욱 더 미세화되는 것에 수반하여 약 20 nm 이하의 선폭의 실현이 요청되고 있다. 이러한 선폭을 실현시키기 위하여, 극단 자외선광(이하, EUV 광)을 노광광으로서 이용하는 EUV 노광 장치 또는 전자빔을 이용하는 전자빔 노광 장치의 개발이 진행되고 있다. EUV 노광 장치에서는 EUV 광이 대기(大氣) 중을 투과할 수 없기 때문에, 진공 하에서 포토레지스트막에의 노광이 행해진다. 또한, 전자빔 노광 장치에서는 전자총에서 전자빔을 방출하기 때문에, 진공 하에서 포토레지스트막에의 노광이 행해진다. 한편, 웨이퍼에의 포토레지스트의 도포 또는 현상은 대기압 하에서 행해지기 때문에, 포토레지스트 도포 현상 장치와 노광 장치의 사이에는 인터페이스로서의 로드록 기구가 불가결하다(예를 들면, 특허 문헌 1).
일본특허공개공보 2008-34739호
그런데, 약 20 nm 이하의 선폭을 가지는 포토레지스트 패턴을 노광에 의해 형성할 경우에는 웨이퍼의 열 팽창에 의한 패턴 중첩 어긋남의 영향이 점점 커지기 때문에, 노광 중인 웨이퍼를 일정한 온도로 유지할 필요성이 점점 높아진다. 이 때문에, EUV 노광 장치 또는 EB 노광 장치에 온도 조절 장치가 설치되어, 웨이퍼의 온도는, 예를 들면 23 ± 0.02℃라고 하는 온도로 엄밀하게 조정된다.
한편, 스루풋 향상의 관점에서 웨이퍼 온도를 신속하게 조정할 필요가 있고, 이를 위해서는 웨이퍼를 노광 장치로 반입하기 전에 포토레지스트 도포 현상 장치에서도 웨이퍼의 온도를 조정하는 것이 요구되고 있다.
이 요구에 따르기 위하여, 본 발명의 발명자들이 포토레지스트 도포 현상 장치에서의 웨이퍼의 온도 조정에 대하여 검토를 행한 바, 포토레지스트 도포 현상 장치에서 웨이퍼의 온도를 엄밀하게 조정해도, 상기의 로드록 장치에서 감압할 때에 생기는 단열 냉각에 의해 웨이퍼 온도가 크게 저하되어, 포토레지스트 도포 현상 장치에서의 온도 조정이 무의미해지는 것을 알았다.
이하, 웨이퍼 온도가 어느 정도 저하될지에 대하여, 본 발명자들이 본 발명을 완성하는 과정에서 행한 실험의 결과를 참조하여 설명한다. 도 1은 로드록 장치에서의 웨이퍼 온도의 변화를 나타낸 도면이다. 구체적으로는, 이 실험을 위하여 로드록 장치 내에 항온 플레이트를 배치하고, 항온 플레이트를 미리 30℃로 온도 조정했다. 그리고, 이 로드록 장치 내에 미리 23℃로 온도 조정한 온도 계측 센서 장착 웨이퍼(이하, 테스트 웨이퍼라고 함)를 재치하고, 로드록실 내를 감압하면서 테스트 웨이퍼의 온도의 시간 변화를 기록했다. 이 실험에서는 도면 중 화살표(A1)의 시점에서 테스트 웨이퍼를 핫 플레이트에 재치하고, 테스트 웨이퍼의 온도를 28℃까지 온도 상승시키고 나서 도면 중의 화살표(A2)의 시점에서 감압을 개시했다.
도 1로부터 로드록 장치를 감압하면 테스트 웨이퍼의 온도는 급격하게 저하되기 시작하는 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 약 40 초 동안에 약 15℃나 테스트 웨이퍼의 온도가 저하되고 있다. 그 후, 핫 플레이트에 의해 테스트 웨이퍼의 온도를 23℃로 조정하려고 시도했지만, 감압 개시(화살표(A2)의 시점)로부터 약 4 분을 경과한 화살표(A3)의 시점에서도 23℃로는 돌아가지 않았다.
또한, 테스트 웨이퍼의 온도는 반입 시점(화살표(A1))에서는 면 내에서 ± 0.4℃의 범위에 들어가 있지만, 가장 온도가 낮은 시점에서 ± 약 1℃로 크게 불균일하게 되어 있는 것을 알 수 있다(도 1 중의 복수의 곡선은 테스트 웨이퍼 내의 각 측정점에서의 온도 변화를 나타내고 있지만, 구체적인 측정점에 대한 설명은 생략함). 이와 같이 온도가 변화하여 온도가 불균일한 웨이퍼를 노광 장치로 반입하여, 온도를 엄밀하게 조정하기 위해서는 긴 시간이 걸리게 되어 스루풋 저하의 요인이 된다.
본 발명은 상기의 문제를 감안하여, 포토레지스트 도포 현상 장치로부터 노광 장치로 로드록 장치를 개재하여 반송할 때에, 웨이퍼 온도의 변화를 저감시킬 수 있는 포토레지스트 도포 현상 장치 및 포토레지스트 도포 현상 방법 및 인터페이스 장치를 제공한다.
본 발명의 제 1 태양은, 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 현상하는 포토레지스트 도포 현상 장치를 제공한다. 이 포토레지스트 도포 현상 장치는, 기판에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트막 형성부와, 상기 포토레지스트막 형성부에서 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 가열하는 가열 처리부와, 상기 가열 처리부에서 가열되고 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 상온으로 냉각하는 냉각부과, 상기 냉각부에서 상온으로 냉각된 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 가열부와, 감압 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치와 상기 포토레지스트 도포 현상 장치와의 사이에 배치되는 로드록실과, 상기 가열부로부터 상기 로드록실로 상기 기판을 반송하는 반송부를 구비한다.
본 발명의 제 2 태양은, 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 현상하는 포토레지스트 도포 현상 장치와, 감압 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치와의 사이에 설치되는 인터페이스 장치를 제공한다. 이 인터페이스 장치는, 상기 포토레지스트 도포 현상 장치에서 상기 포토레지스트막이 형성되고, 가열되고, 상온으로 냉각된 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 가열부와, 상기 가열부에서 상기 미리 설정된 온도로 가열된 상기 기판을 상기 노광 장치로 감압 하에서 반출할 수 있도록 구성되는 로드록실과, 상기 가열부로부터 상기 로드록실로 상기 기판을 반송하는 반송부를 구비한다.
본 발명의 제 3 태양은, 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 현상하는 포토레지스트 도포 현상 장치로부터, 감압 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치로 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 반송하는 기판 반송 방법을 제공한다. 이 기판 반송 방법은, 상기 포토레지스트 도포 현상 장치에서 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 가열 처리하는 단계와, 상기 가열 처리 단계에서 가열되고, 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 상온으로 냉각하는 단계과, 상기 냉각하는 단계에서 상온으로 냉각된 상기 기판을 가열부에서 미리 설정된 온도로 가열하는 단계와, 상기 가열부로부터, 감압 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치와 상기 포토레지스트 도포 현상 장치와의 사이에 배치되는 로드록실로 상기 기판을 반송하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 포토레지스트 도포 현상 장치로부터 노광 장치로 로드록 장치를 개재하여 반송할 때에, 웨이퍼 온도의 변화를 저감시킬 수 있는 포토레지스트 도포 현상 장치 및 포토레지스트 도포 현상 방법 그리고 인터페이스 장치가 제공된다.
도 1은 포토레지스트 도포 현상 장치와 진공 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치와의 사이에 설치되는 로드록 장치에서의 웨이퍼 온도의 변화의 일례를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치의 구성을 도시한 개략 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치의 개략 정면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치의 개략 배면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치에서의 기판 반송 방법의 효과를 설명하기 위한 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치에 구비되는 핫 플레이트의 변형예를 도시한 상면도이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하여 본 발명의 한정적이지 않은 예시의 실시예에 대하여 설명한다. 첨부한 전체 도면 중 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는 동일 또는 대응하는 참조 부호를 부여하여 중복되는 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치(1)의 구성을 도시한 개략 평면도이며, 도 3은 포토레지스트 도포 현상 장치(1)의 개략 정면도이며, 도 4는 포토레지스트 도포 현상 장치(1)의 개략 배면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 포토레지스트 도포 현상 장치(1)는 카세트 스테이션(2), 처리 스테이션(3) 및 인터페이스부(4)를 가지고 있다.
카세트 스테이션(2)은, 예를 들면 25 매의 웨이퍼(W)가 수용된 카세트(C)가 재치되는 재치부(6)와, 재치부(6)에 재치되는 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 카세트(C)와 처리 스테이션(3) 사이에서 웨이퍼(W)를 반입출하는 웨이퍼 반송체(7)를 가지고 있다. 재치부(6) 상에는 도면 중의 X 방향(카세트 스테이션(2)의 길이 방향)을 따라 복수(예를 들면, 4 개)의 카세트(C)를 재치할 수 있다. 웨이퍼 반송체(7)는 카세트 스테이션(2)의 재치부(6)와 처리 스테이션(3) 사이에 배치되고, 반송로(8)를 따라 X 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송체(7)는 Y 방향, Z 방향(상하 방향) 및 θ 방향(Z 축을 중심으로 하는 회전 방향)으로 이동 가능한 웨이퍼 반송 암(7a)을 가지고 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼 반송체(7)는 재치부(6)에 재치되는 카세트(C)에 선택적으로 액세스하여 카세트(C) 내에 Z 방향으로 다단으로 수용되는 웨이퍼(W)를 차례로 취출할 수 있고, 취출한 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(3)의 제 3 처리 장치군(G3)(후술)으로 반송할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송체(7)는 웨이퍼(W)의 위치 조정을 행하는 얼라이먼트 기능을 가지고 있으면 바람직하다.
처리 스테이션(3)에서는 그 대략 중심부에 주반송 장치(13)가 설치되어 있고, 이 주반송 장치(13)의 주변에는 4 개의 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)이 배치되어 있다. 이들 처리 장치군은 후술하는 바와 같이 다단으로 배치된 다양한 처리 장치를 가지고 있다. 제 1 처리 장치군(G1) 및 제 2 처리 장치군(G2)은 주반송 장치(13)에 대하여 ＋ X 방향측에 배치되어 있다. 또한, 제 3 처리 장치군(G3) 및 제 4 처리 장치군(G4)은 주반송 장치(13)의 Y 방향을 따른 양측에 배치되어 있다. 구체적으로, 제 3 처리 장치군(G3)은 카세트 스테이션(2)에 인접하여 배치되고, 제 4 처리 장치군(G4)은 인터페이스부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 또한, 주반송 장치(13)의 - X 방향측에는 예비적으로 배치되고, 다단으로 배치된 다양한 처리 장치를 가지는 제 5 처리 장치(G5)가 배치되어도 좋다.
주반송 장치(13)는 이들 처리 장치군(G1, G2, G3, G4, G5)에 배치되어 있는 각종 처리 장치(후술)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출할 수 있다.
제 1 처리 장치군(G1) 및 제 2 처리 장치군(G2)은, 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 포토레지스트액을 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트 도포 유닛(17)과, 포토레지스트 도포 유닛(17)의 상방에 배치되고, 노광된 포토레지스트막을 현상하는 현상 처리 장치(18)를 가지고 있다.
제 3 처리 장치군(G3)은, 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 냉각하는 쿨링 장치(30)와, 웨이퍼(W)에 대한 포토레지스트액의 정착성을 높이기 위한 어드히젼 처리가 행해지는 어드히젼 장치(31)와, 웨이퍼(W)의 전달를 행하는 익스텐션 장치(32)와, 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트액 중의 용제를 증발시키는 베이킹 처리가 행해지는 프리베이킹 장치(33, 34)와, 예비의 베이킹 장치(35)와, 현상된 포토레지스트막을 가열하는 포스트베이킹 처리가 행해지는 포스트베이킹 장치(36)를 아래로부터 차례로 가지고 있다.
제 4 처리 장치군(G4)은, 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이, 쿨링 장치(40)와, 웨이퍼(W)를 자연 냉각하는 익스텐션·쿨링 장치(41)와, 주반송 장치(13)와 웨이퍼 반송체(50)(후술) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 행해지는 익스텐션 장치(42)와, 쿨링 장치(43)와, 노광된 포토레지스트막을 가열하는 포스트익스포져 베이킹 장치(44, 45)와, 예비의 베이킹 장치(46)와, 포스트베이킹 장치(47)를 아래로부터 차례로 가지고 있다.
또한, 처리 장치군의 수 및 배치, 각 처리 장치군에 배치되는 처리 장치의 수, 종류 및 배치는 당해 포토레지스트 도포 현상 장치(1)에서 행해지는 처리 또는 제조되는 디바이스의 종류에 따라 임의로 선택해도 좋다.
다시 도 2를 참조하면, 인터페이스부(4)는 제 4 처리 장치군(G4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출하는 웨이퍼 반송체(50)와, 웨이퍼(W)를 소정 온도로 유지하고 노광 장치(5)로 반출하는 버퍼실(63)과, 포토레지스트 도포 현상 장치(1)와 노광 장치(5) 사이에 설치되는 2 개의 로드록실(L1, L2)과, 로드록실(L2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하는 반송 암(64)과, 반송 암(64)에 의해 로드록실(L2)로부터 취출된 웨이퍼(W)가 재치되는 버퍼 스테이지(65)를 가지고 있다.
웨이퍼 반송체(50)는 Z 방향으로 이동할 수 있고, 제 4 처리 장치군(G4)에 속하는 익스텐션·쿨링 장치(41), 익스텐션 장치(42)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송체(50)는 X 방향으로 이동할 수 있고, θ 방향으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 제 4 처리 장치군(G4)(주로 익스텐션·쿨링 장치(41))으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 버퍼실(63)의 가열실(61)(후술)로 웨이퍼(W)를 반입할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송체(50)는 버퍼 스테이지(65)에 액세스할 수도 있다. 이에 따라, 버퍼 스테이지(65)에 재치되는 웨이퍼(W)를 수취하여 제 4 처리 장치군(G4)으로 반송할 수 있다.
버퍼실(63)은 가열실(61)과 반송실(62)을 가지고 있다. 가열실(61)은 반입된 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열하여 소정 온도로 유지한다. 구체적으로, 가열실(61)은 웨이퍼(W)가 재치되고, 재치된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하는 핫 플레이트(61H)와, 핫 플레이트(61H)에 설치된 관통홀을 통하여 돌출 및 함몰 가능한 3 개 리프트 핀(61P)을 가지고 있다. 핫 플레이트(61H)는 내부에 히터와 온도 조절기(도시하지 않음)를 가지고, 웨이퍼(W)를 예를 들면 약 26℃로부터 약 100℃까지의 온도 범위로 가열할 수 있다.
한편, 반송실(62)에는 가열실(61)에서 소정 온도로 가열된 웨이퍼(W)를 로드록실(L1)로 반입하는 반송 암(62A)이 설치되어 있다. 반송 암(62A)은, 예를 들면 알루미늄(Al)으로 제작할 수 있다. 또한, 반송 암(62A)은 소정의 구동 기구에 의해 Y 방향으로 이동 가능하며, 약 180°의 각도로 수평 회전 가능하다. 이에 따라, 반송 암(62A)은 웨이퍼(W)를 가열실(61)로부터 취출하여 로드록실(L1)로 반입할 수 있다. 또한, 반송 암(62A)은 길고 짧은 2 개의 슬릿을 가지고 있다. 반송 암(62A)이 가열실(61)로 진입할 경우에, 핫 플레이트(61H)의 리프트 핀(61P)이 핫 플레이트(61H)로부터 돌출되어 있을 때에도 리프트 핀(61P)을 슬릿에 상대적으로 진입시킴으로써, 반송 암(62A)은 리프트 핀(61P)의 선단(先端)에서 지지되는 웨이퍼(W)의 하방에 위치할 수 있다. 그리고, 리프트 핀(61P)이 강하함으로써, 웨이퍼(W)가 반송 암(62A)으로 전달되고 반송실(62)로 반출된다.
또한, 반송 암(62A)은 내부에 유체가 흐르는 유체로와 온도 조절기를 가지고 있다(도시하지 않음). 도시하지 않은 유체 순환기로부터 소정 온도로 유지된 유체가 유체로로 공급되고, 반송 암(62A)의 온도가 소정 온도로 유지된다. 이 온도는, 예를 들면 가열실(61)의 핫 플레이트(61H)의 온도와 동일해도 좋다. 반송 암(62A)은 2 개의 슬릿을 제외하고, 거의 전체 면에서 웨이퍼(W)를 지지할 수 있고, 또한 상술한 바와 같이, 가열실(61)의 핫 플레이트(61H)의 온도와 동일한 온도로 유지될 수 있기 때문에, 가열실(61)로부터 로드록실(L1)로 웨이퍼(W)를 반송할 때에 웨이퍼(W)의 온도의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 반송실(62)에는 내부 공간의 기온을 조정하는 온도 조정 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 온도 조정 장치는, 예를 들면 반송실(62)의 천장부에 설치된 송풍구로부터 소정의 필터에 의해 청정화되고, 온도 조정된 공기를 공급하여 저부(底部)에 설치된 배기구로부터 배기하여 반송실(62) 내에 다운 플로우를 형성함으로써 반송실(62) 내의 온도를 조정할 수 있다. 이때, 반송실(62) 내의 기온은, 예를 들면 가열실(61)의 핫 플레이트(61H)의 온도와 동일해도 좋다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 온도의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 인터페이스부(4)에는 로드록실(L2)의 게이트 밸브(GV3)에 접하는 반송 암(64)이 설치되어 있다. 반송 암(64)은 Y 방향 및 X 방향으로 신축 가능하고, 또한 반송 암(64)의 기단(基端)을 중심으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 반송 암(64)은 로드록실(L2) 내로 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하여 버퍼 스테이지(65)에 재치할 수 있다.
로드록실(L1)은 게이트 밸브(GV1)를 개재하여 인터페이스부(4)에 접속되고, 게이트 밸브(GV2)를 개재하여 노광 장치(5)에 접속되어 있다. 또한, 로드록실(L1)에는 도시하지 않은 내압 조정 장치를 가지고 있다. 내압 조정 장치는 로터리 펌프 또는 드라이 펌프 등의 러핑 펌프와, 터보 분자 펌프 등의 고진공 펌프와, 로드록실(L1) 내에 예를 들면 청정 공기 또는 질소 가스를 공급하여 로드록실(L1)을 대기압으로 유지하는 가스 공급 장치를 가지고 있다. 이에 따라, 로드록실(L1) 내의 압력이 대기압과 감압으로 선택적으로 유지된다. 한편, 로드록실(L2)은 게이트 밸브(GV3)를 개재하여 인터페이스부(4)에 접속되고, 게이트 밸브(GV4)를 개재하여 노광 장치(5)에 접속되어 있다. 또한, 로드록실(L2)은 로드록실(L1)과 동일하게 내압 조정 장치를 가지고 있다.
또한, 로드록실(L1 및 L2)에는 이들 내부에서 승강 가능한 지지 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 웨이퍼(W)는 로드록실(L1 및 L2) 내에서 지지 핀에 의해 지지된다.
또한, 본 실시예에서 로드록실(L1)은 웨이퍼(W)의 포토레지스트 도포 현상 장치(1)로부터 노광 장치(5)로의 반송에 이용되고, 로드록실(L2)은 그 반대로, 웨이퍼(W)의 노광 장치(5)로부터 포토레지스트 도포 현상 장치(1)로의 반송에 이용된다.
또한, 노광 장치(5)는 로드록실(L1 및 L2)과 연통 가능한 감압실(도시하지 않음)을 가지고, 이 감압실에는 X 방향으로 이동할 수 있고 Y 방향으로 신축할 수 있는 웨이퍼 반송 장치(51)가 설치되어 있다. 이에 따라, 로드록실(L1)로부터 웨이퍼(W)를 취출할 수 있고 로드록실(L2)로 반입할 수 있다.
이어서, 본 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치(1)의 동작(포토레지스트 도포 현상 장치(1)에서의 기판 반송 방법)에 대하여, 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
우선, 웨이퍼 반송체(7)(도 2)에 의해 카세트(C)로부터 미처리 웨이퍼(W)가 1 매 취출되어 제 3 처리 장치군(G3)의 익스텐션 장치(32)(도 4)로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 제 3 처리 장치군(G3)의 어드히젼 장치(31)로 반입되고, 웨이퍼(W)에 대한 포토레지스트액의 밀착성을 향상시키기 위하여 웨이퍼(W)에, 예를 들면 HMDS가 도포된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 쿨링 장치(30)로 반송되어 소정 온도로 냉각된 후, 포토레지스트 도포 유닛(17)으로 반송된다. 포토레지스트 도포 유닛(17)에서는 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트액이 회전 도포되어 포토레지스트막이 형성된다.
포토레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 프리베이킹 장치(33)(도 4)로 반송되어 웨이퍼(W)에 대하여 프리베이킹이 행해진다. 이후, 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 익스텐션·쿨링 장치(41)(도 4)로 반송되어 상온으로 냉각된다. 이와 같이 웨이퍼(W)가 온도 관리된 프리베이킹과 그 후의 냉각을 거침으로써, 포토레지스트막의 면간(wafer-to-wafer) 특성이 균일화된다. 또한, 상온이란 포토레지스트 도포 현상 장치가 설치되는 클린 룸의 실온 정도여도 좋고, 예를 들면 23℃ ± 3℃여도 좋다.
이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스부(4)의 웨이퍼 반송체(50)에 의해 익스텐션·쿨링 장치(41)로부터 취출되어 버퍼실(63)의 가열실(61)로 반입된다. 가열실(61)에서는 핫 플레이트(61H)의 리프트 핀(61P)에 의해 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송체(50)로부터 수취되고, 리프트 핀(61P)이 강하함으로써 핫 플레이트(61H) 상에 재치된다. 핫 플레이트(61H)는, 예를 들면 50℃ 정도의 온도로 유지되어 있고, 웨이퍼(W)는 핫 플레이트(61H) 상에 소정 기간, 예를 들면 5 초 내지 20 초라고 하는 비교적 짧은 기간 재치됨으로써 그 온도까지 가열된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 반송실(62)의 반송 암(62A)에 의해 가열실(61)로부터 취출되어 로드록실(L1)로 반입된다. 즉, 우선 웨이퍼(W)는 리프트 핀(61P)에 의해 핫 플레이트(61H)로부터 들어 올려지고, 그 하방으로 진입한 반송 암(62A)에 의해 수취된다. 웨이퍼(W)를 수취한 반송 암(62A)은 반송실(62)로 후퇴하고, 여기서 180° 수평 회전한다. 이어서, 로드록실(L1)의 게이트 밸브(GV1)가 열리고 반송 암(62A)에 의해 웨이퍼(W)가 로드록실(L1)로 진입한다. 로드록실(L1)에서는 도시하지 않은 지지 핀에 의해 웨이퍼(W)가 반송 암(62A)으로부터 수취되고, 반송 암(62A)이 퇴출한 후에 게이트 밸브(GV1)가 닫힌다. 이어서, 내압 조정 장치에 의해 로드록실(L1) 내가, 예를 들면 10－6 Torr(1.33 × 10－4 Pa) 정도의 압력까지 배기된다. 이때, 로드록실(L1) 내의 공기가 단열 팽창에 의해 식기 때문에, 로드록실(L1) 내의 웨이퍼(W)도 또한 단열 냉각되는데, 웨이퍼(W)는 가열실(61)에서 50℃로 가열되어 있고, 온도 저하가 방지되면서 반송실(62)로부터 로드록실(L1)로 반입된다. 이 때문에, 단열 냉각되었다고 해도 노광 장치(5)에서 요구되는 23℃ ± 0.02℃로부터 대폭 낮아지는 일은 없다.
로드록실(L1) 내가 소정 압력에 도달하면 게이트 밸브(GV2)가 열리고, 웨이퍼(W)는 노광 장치(5)의 웨이퍼 반송 장치(51)에 의해 노광 장치(5)로 반입된다. 노광 장치(5)에서 소정 포토마스크를 이용한 노광 처리가 포토레지스트막에 대하여 진공 하에서 행해진 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(51)에 의해 게이트 밸브(GV4)를 통하여 미리 감압되어 있는 로드록실(L2)로 반입된다.
이후, 게이트 밸브(GV4)가 닫히면, 로드록실(L2)에 설치된 내압 조정 장치(도시하지 않음)에 의해 로드록실(L2) 내의 압력이 대기압으로 되돌려진다. 이어서, 게이트 밸브(GV3)가 열리고, 로드록실(L2) 내의 웨이퍼(W)가 반송 암(64)에 의해 취출되어 버퍼 스테이지(65) 상에 재치된다. 이어서, 버퍼 스테이지(65) 상의 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(50)에 의해 처리 스테이션(3)에서의 제 4 처리 장치군(G4)의 익스텐션 장치(42)로 반송된다.
그후, 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 포스트익스포져 베이킹 장치(44)로 반송되어 포스트익스포져 베이킹이 행해지고, 쿨링 장치(43)로 반송되어 냉각된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 제 1 처리 장치군(G1) 또는 제 2 처리 장치군(G2)의 현상 처리 장치(18)로 반송되고, 여기서 웨이퍼(W)에 대하여 현상 처리가 행해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에는 패턴화된 포토레지스트막(포토레지스트 마스크)이 형성된다.
현상 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 제 3 처리 장치군(G3)의 포스트베이킹 장치(36)로 반송되고, 여기서 포스트베이킹이 행해진다. 이어서, 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 제 3 처리 장치군(G3)의 쿨링 장치(30)로 반송되어 냉각되고, 그 후 익스텐션 장치(32)를 거쳐 원래의 카세트(C)로 되돌려진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 포토레지스트 도포 / 노광 / 현상을 포함한 처리 프로세스가 종료된다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치 및 이 포토레지스트 도포 현상 장치에서의 기판 반송 방법에서는 포토레지스트막이 형성되고 포토레지스트막이 가열 처리되어 상온으로 냉각된 웨이퍼(W)가 가열실(61)에서 약 50℃로 가열되고 또한 온도 저하가 방지되면서 반송실(62)로부터 로드록실(L1)로 반입된다. 로드록실(L1)에서 감압이 개시되면, 도 5에 부호(T1)로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 온도는 급격하게 저하되지만, 노광 장치(5)에서 요구되는 온도(23℃ ± 0.02℃)에 가까운 온도로 수속(收束)할 수 있다. 한편, 가열실(61)을 구비하지 않은 포토레지스트 도포 현상 장치에서 프리베이킹 후에 웨이퍼의 온도를 약 23℃로 유지한 채로 로드록실로 반입하고 로드록실을 감압한다고 하면, 예를 들면 도 5에 부호(T2)로 나타낸 바와 같이, 23℃ 정도의 온도로 돌아오는데 긴 시간을 필요로 한다. 스루풋의 관점에서, 예를 들면 도 5 중의 화살표(B)의 시점에서 웨이퍼를 노광 장치로 반송할 경우, 노광 전에 행해지는 웨이퍼(W)의 온도 조정을 단시간에 행하지 못하고, 결국은 노광 장치에서의 스루풋의 저하를 초래한다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치 및 이 포토레지스트 도포 현상 장치에서의 기판 반송 방법에 따르면, 도 5의 화살표(B)의 시점에서 웨이퍼를 노광 장치(5)로 반송하는 경우에도, 웨이퍼(W)의 온도는 노광 장치(5)에서 요구되는 온도에 가깝기 때문에, 노광 장치(5)에서의 온도 조정을 단시간에 행할 수 있다. 특히, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 웨이퍼의 온도가 약 15℃나 저하되면, 만일 로드록실에 핫 플레이트를 배치하여 온도 조정을 하고자 해도, 23℃에 가까운 온도로 되돌리는데 약 4 분이라고 하는 시간이 걸린다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 온도가 저하되었다고 해도, 저하 후의 온도를 23℃에 가까운 온도로 할 수 있기 때문에, 23℃에 가까운 온도로 되돌리는데 필요로 하는 시간(도 1에서는, 약 13℃까지 저하한 시점으로부터 화살표(A3)의 시점까지의 약 200 초에 상당하는 시간)을 감소시킬 수 있어 스루풋의 점에서 큰 효과가 나타난다.
또한, 단열 냉각을 감소시키기 위해서는 로드록실 내를 서서히 배기하면 된다. 그러나, 예를 들면 1 시간당 200 매의 스루풋으로 처리하기 위해서는 단시간에 감압해야 한다. 그렇게 하면, 웨이퍼가 대폭 냉각되어 온도를 23℃로 유지하는데 시간이 걸리기 때문에, 결국은 노광 장치에서의 패턴 정밀도를 유지하면서 높은 스루풋을 유지하는 것이 어려운 사태가 된다. 그러나, 본 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치에 따르면, 로드록실(L1)로 웨이퍼(W)를 반입하기 전에 웨이퍼(W)의 온도를 높게 한다고 하는 간편하지만 효과적인 방법에 의해, 높은 패턴 정밀도와 높은 스루풋을 실현시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치(1)에서는 로드록실(L1)이 3 개의 지지 핀을 가지고, 이들에 의해 웨이퍼(W)가 지지되기 때문에, 예를 들면 로드록실(L1)에 웨이퍼 스테이지를 설치하고 이 위에 웨이퍼(W)를 재치하는 경우에 비해, 단열 냉각에 의한 온도 변화의 영향을 최소한으로 할 수 있다. 즉, 로드록실에서 웨이퍼(W)를 웨이퍼 스테이지에 재치하는 경우에는 단열 냉각에 의해 냉각되는 웨이퍼 스테이지에 의해 웨이퍼(W)로부터 열을 뺏기기 때문에, 웨이퍼(W)의 온도가 목표로 하는 온도보다 낮아질 가능성이 있다. 그러나, 로드록실(L1)에서는 웨이퍼(W)가 지지 핀에 의해 지지되기 때문에, 이러한 문제는 생기지 않는다.
이상, 실시예를 참조하여 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 첨부의 특허 청구 범위에 비추어 다양하게 변경하는 것이 가능하다.
예를 들면, 상기 설명에서는 가열실(61)의 핫 플레이트(61H)의 온도를 50℃로 설정했지만, 이에 한정되지 않고 적절히 결정해도 좋다. 단열 냉각에 의한 온도 저하의 정도는, 로드록실(L1)에 접속되는 펌프의 배기 능력, 로드록실(L1)과 펌프를 접속시키는 배관의 내경, 사용하는 밸브의 종류(개폐 밸브, 유량 조정 밸브) 등으로 정해지는 감압 레이트에 의해 크게 상이하기 때문에, 핫 플레이트(61H)의 설정 온도는 예비 실험 등을 행하여 결정하는 것이 바람직하다. 또한, 후술한 바와 같이, 로드록실(L1) 내 또는 노광 장치(5) 내에서 웨이퍼(W)의 온도 및 온도 분포를 측정하고, 그 측정 결과에 기초하여 결정해도 좋다.
또한, 가열실(61)에서의 핫 플레이트(61H)는 내부에 분할 히터를 가지고, 웨이퍼(W)의 (평균) 온도뿐만 아니라, 웨이퍼(W) 면내의 온도 균일성도 제어할 수 있도록 구성되면 바람직하다. 이하, 도 6을 참조하여 이러한 핫 플레이트를 설명한다.
도 6의 핫 플레이트(61H)는 동심원 형상으로 배치되는 3 개의 환상(環狀) 히터(61a, 61b, 61c)와, 이들 외측에 거의 일정한 각도 간격으로 배치되는 원호 형상 히터(61d, 61e, 61f, 61g)를 가지고 있다. 이들에는 각각 온도 조절기(61C)(온도 센서 및 전원을 포함함)가 접속되어 있고, 온도 조절기(61C)에 의해 독립적으로 온도 제어된다. 또한, 핫 플레이트(61H)에는 기술한 리프트 핀(61P)에 추가로 3 개의 프록시미티 핀(67)이 설치되어 있다. 리프트 핀(61P)에 의해 핫 플레이트(61H)에 놓여지는 웨이퍼(W)는 프록시미티 핀(67)에 의해 지지되고, 이에 따라 핫 플레이트(61H)와 웨이퍼(W)의 사이에 소정의 간격을 가지는 간극이 생긴다. 이 때문에, 웨이퍼(W)는 상술의 히터(61a 내지 61g)에 의해 가열되는 핫 플레이트(61H)에 의해, 이 간극을 통하여 열전도에 의해 가열되고, 핫 플레이트(61H)의 상면과의 접촉 오차에 의한 온도 분포가 생기는 것을 방지할 수 있다.
이러한 핫 플레이트(61H)에 따르면, 예를 들면 상술한 테스트 웨이퍼를 이용한 예비 실험에 의해 핫 플레이트(61H)의 면 내의 온도 분포를 구하고, 그 분포를 균일화하도록 원호 형상 히터(61d 내지 61g)를 조정할 수 있다. 그러면, 핫 플레이트(61H)에서 웨이퍼(W)를 균일하게 가열할 수 있게 된다.
또한, 가열실(61)에서는 핫 플레이트(61H) 대신에 램프 가열에 의해 웨이퍼(W)를 가열해도 좋고, 가열실(61)을 가열로로서 구성해도 좋다.
또한, 반송실(62) 내부의 기온을 소정 온도로 유지하기 위해서는 핫 에어의 공급에 의존하지 않고, 저항 가열체에 의한 가열 플레이트 또는 가열 램프를 이용해도 좋다. 또한, 반송 암(62A)은 유체를 순환시키지 않고 내부에 히터를 매립함으로써 소정 온도로 유지하도록 해도 좋은 것은 물론이다.
또한, 로드록실(L1)에 온도 측정기를 설치하고, 단열 냉각에 의한 온도 저하를 측정하고, 측정 결과에 기초하여 가열실(61)에서의 웨이퍼(W)의 온도를 조정해도 좋다. 온도 측정기는, 예를 들면 로드록실(L1) 내에 복수의 열전대(熱電對)를 매립한 실리콘 플레이트를 상면에 가지는 서셉터를 설치하고, 복수의 열전대에 의해 면 내의 온도 부분에 관한 데이터도 취득해도 좋다. 또한, 온도 측정기로서는 적외선 방사 온도계를 이용해도 좋다. 또한, 이러한 온도 측정은 로드록실(L1)이 아닌 노광 장치(5) 내에서 행해도 좋다.
버퍼실(63)의 반송실(62)은 가열실(61)에서 소정 온도까지 가열된 웨이퍼의 온도를 저하시키지 않고 로드록실(L1)로 반송하기 위하여, 반송실(62)의 내부 공간의 기온을 조정하는 온도 조정 장치와 반송 암(62A)의 온도 조절 기구를 구비하고 있지만, 이들 양방을 구비할 필요는 없고, 예를 들면 온도 조정 장치만을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 반송실(62)은 이들 대신에 가열 램프를 구비하고, 가열 램프에 의해 웨이퍼의 온도 저하를 방지하도록 구성되어도 좋다.
또한, 다른 실시예에서 반송실(62)은 내부 공간을 위한 온도 조정 장치와 반송 암(62A)의 온도 조절 기구 및 가열 램프 등을 가지지 않아도 좋다. 이 경우, 가열실(61)로부터 반송실(62)을 통하여 로드록실(L1)로 반송할 때의 웨이퍼 온도가 저하되게 되기 때문에, 이 온도 저하를 고려하여 로드록실(L1) 내에서의 단열 냉각을 상쇄할 수 있도록 가열실(61)의 핫 플레이트(61H)의 온도를 설정하면 바람직하다.
또한, 반송실(62)은 밀폐 가능할 필요는 없고, 예를 들면 비발진성 소재에 의해 제작된 커튼 등으로 구획되는 반송로로서 구성되어도 좋다. 이 경우에도, 온도 조정된 청정 공기를(예를 들면, 다운 플로우로) 공급할 수 있고, 반송 암(62A)은 온도 조절 기능을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 현상 장치의 인터페이스부(4)는 포토레지스트 도포 현상 장치(1)로부터 독립된 하나의 장치로서 구성되어도 좋다. 즉, 포토레지스트 도포 현상 장치에서 포토레지스트 도포 공정을 거친 웨이퍼(W)를 수취하는 웨이퍼 반송체(50)와, 웨이퍼 반송체(50)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 온도를 소정 온도로 가열하여 유지하고, 온도 유지되는 웨이퍼(W)를 노광 장치(5)로 반출하기 위한 로드록실(L1)로 반송하는 버퍼실(63)을 구비하는 인터페이스 장치를 구성할 수 있다. 이러한 인터페이스 장치에 따르면, 기존의 포토레지스트 도포 현상 장치를 EUV 노광 장치 또는 EB 노광 장치에 조합할 수 있어, 코스트를 억제하면서 보다 미세화된 패턴을 가지는 반도체 장치를 제조하는 것이 가능해진다.
반도체 웨이퍼를 이용하는 예를 설명했지만, 본 발명은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 플랫 패널 디스플레이(FPD)용의 기판을 이용하는 경우에도 적용할 수 있다.
1 : 포토레지스트 도포 현상 장치
2 : 카세트 스테이션
3 : 처리 스테이션
4 : 인터페이스부
5 : 노광 장치
7 : 웨이퍼 반송체
13 : 주반송 장치
G1, G2, G3, G4, G5 : 처리 장치군
63 : 버퍼실
61 : 가열실
61H : 핫 플레이트
61P : 리프트 핀
62 : 반송실
62A : 반송 암
L1, L2 : 로드록실

Claims (13)

  1. 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 현상하는 포토레지스트 도포 현상 장치로서,
    기판에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트막 형성부와,
    상기 포토레지스트막 형성부에서 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 가열하는 가열 처리부와,
    상기 가열 처리부에서 가열되고 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 상온으로 냉각하는 냉각부와,
    상기 냉각부에서 상온으로 냉각된 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 가열부와,
    상기 포토레지스트막의 노광을 위하여 상기 기판을 감압 하에서 반출하는 로드록실과,
    상기 가열부로부터 상기 로드록실로 상기 기판을 반송하는 반송부로서, 상기 반송부 내에서 반송되는 상기 기판의 온도를 유지하는 온도 조정 장치를 포함하는 상기 반송부
    를 구비하는 포토레지스트 도포 현상 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 조정 장치로 상기 반송부 내의 기온을 조정함으로써 상기 기판의 온도가 유지되는 포토레지스트 도포 현상 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반송부가 상기 기판을 반송하는 반송 암을 더 포함하고,
    상기 온도 조정 장치로 상기 반송 암의 온도를 조정함으로써 상기 기판의 온도가 유지되는 포토레지스트 도포 현상 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 로드록실은, 상기 로드록실로 반입된 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부를 구비하는 포토레지스트 도포 현상 장치.
  5. 포토레지스트 도포 현상 장치에서 포토레지스트막이 형성된 기판을 상기 포토레지스트막의 노광을 위하여 반출하고, 상기 포토레지스트막의 현상을 위하여 노광 후의 상기 기판을 상기 포토레지스트 도포 현상 장치로 반입하는 인터페이스 장치로서,
    상기 포토레지스트 도포 현상 장치에서 상기 포토레지스트막이 형성되고, 가열되고, 상온으로 냉각된 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 가열부와,
    상기 포토레지스트막의 노광을 위하여, 상기 기판을 감압 하에서 반출하는 로드록실과,
    상기 가열부로부터 상기 로드록실로 상기 기판을 반송하는 반송부로서, 상기 반송부 내에서 반송되는 상기 기판의 온도를 유지하는 온도 조정 장치를 포함하는 상기 반송부
    를 구비하는 인터페이스 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 온도 조정 장치로 상기 반송부 내의 기온을 조정함으로써 상기 기판의 온도가 유지되는 인터페이스 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 반송부가 상기 기판을 반송하는 반송 암을 더 포함하고,
    상기 온도 조정 장치로 상기 반송 암의 온도를 조정함으로써 상기 기판의 온도가 유지되는 인터페이스 장치.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 로드록실은, 상기 로드록실로 반입된 상기 기판의 온도를 측정하는 온도 측정부를 구비하는 인터페이스 장치.
  9. 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 현상하는 포토레지스트 도포 현상 장치로부터, 감압 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치로 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 반송하는 기판 반송 방법으로서,
    상기 포토레지스트 도포 현상 장치에서 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 가열 처리하는 단계와,
    상기 가열 처리 단계에서 가열되고 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 기판을 상온으로 냉각하는 단계와,
    상기 냉각하는 단계에서 상온으로 냉각된 상기 기판을 가열부에서 미리 설정된 온도로 가열하는 단계와,
    상기 가열부로부터, 감압 하에서 포토레지스트막을 노광하는 노광 장치와 상기 포토레지스트 도포 현상 장치의 사이에 배치되는 로드록실로 상기 기판을 반송하는 단계
    를 포함하고,
    상기 반송하는 단계는, 상기 가열하는 단계에서 가열된 상기 기판의 온도를 유지하는 단계를 포함하는 기판 반송 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반송하는 단계에서, 상기 기판을 반송하는 반송부의 기온을 조정함으로써 상기 기판의 온도가 유지되는 기판 반송 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 반송하는 단계에서, 상기 기판을 반송하는 반송 암의 온도를 조정함으로써 상기 기판의 온도가 유지되는 기판 반송 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 로드록실에서, 상기 로드록실로 반입된 상기 기판의 온도를 측정하는 단계를 더 포함하는 기판 반송 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 측정하는 단계에서, 상기 로드록실에서 측정된 상기 기판의 온도에 기초하여 상기 가열하는 단계에서의 상기 미리 설정된 온도를 결정하는 단계를 더 포함하는 기판 반송 방법.
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