JP5025546B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板に紫外線硬化樹脂膜を形成する基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等（以下にウエハ等という）の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。

このようなフォトリソグラフィ工程においては、レジストパターンの光学起因の変形を軽減するためにレジスト上層又は下層に反射防止膜が塗布される。

しかし、従来のこの種の反射防止膜に使用される有機溶剤を含む樹脂材料は、塗布後に熱処理装置（オーブン）で熱処理すると、昇華物が発生し、その昇華物が結露して処理室（チャンバ）に付着して、排気経路の目詰まりやパーティクルの発生等の問題がある。従来では、昇華物の結露防止やパーティクルの発生の抑制を図るために、オーブンの排気等を工夫しているが、排気系構造が複雑になる。

そこで、発明者等は鋭意研究して、昇華物の発生が少ない材料として紫外線硬化樹脂が反射防止膜に適用できることに着目した。この紫外線硬化樹脂を反射防止膜に使用する場合には、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板に紫外線を照射する必要がある。

従来の紫外線照射技術として、基板と紫外線照射手段とを相対的に平行移動させつつ基板に紫外線を照射する基板処理方法（装置）が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開２００４−３１９５５８号公報（特許請求の範囲、図４，図５） 特開２００４−３１９５５９号公報（特許請求の範囲、図４，図５）

しかしながら、上記特許文献１，２に記載の技術は、いずれも基板の熱処理ユニットとは別個に紫外線照射ユニットを単独に形成したものであるため、装置全体が複雑かつ大型になると共に、スループットの低下を招く懸念がある。また、基板に紫外線を照射した後に熱処理を施すまでに時間を要するために、塗布膜の膜厚に変動をきたし、塗布膜の平坦性の維持が十分に図れないという問題もある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、装置の小型化及びスループットの向上が図れ、かつ、塗布膜の平坦性の維持が図れるようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理方法であって、 基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布工程と、 上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を冷却板上に載置させて基板の温度上昇を抑制する工程と、 上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱板上に載置させて紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる工程と、 上記基板を上記冷却板に載置させる際に基板表面に紫外線を照射する第１の紫外線照射工程と、 上記基板を上記熱板上に載置させる際に基板表面に紫外線を照射する第２の紫外線照射工程と、 次いで、上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板処理方法において、上記第１の紫外線照射工程が、基板の幅全体に渡って直線状に照射する第１の紫外線照射手段に対して基板を平行移動させて基板表面に紫外線を照射する工程であり、上記第２の紫外線照射工程が、基板の幅全体に渡って直線状に照射する第２の紫外線照射手段に対して基板を上記第１の紫外線照射工程の移動方向と直交する方向に平行移動させて基板表面に紫外線を照射する工程である、ことを特徴とする。

また、請求項３記載の発明は、パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理方法であって、 基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布工程と、 上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を冷却板上に載置させて基板の温度上昇を抑制する工程と、 上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱板上に載置させて紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる工程と、 上記基板を上記熱板に載置させる際に、基板の幅全体に渡って直線状に照射する紫外線照射手段に対して基板を平行移動させると共に、同一面上に所定角度回転させて基板表面に紫外線を照射する紫外線照射工程と、 次いで、上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。

請求項４記載の発明は、請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理装置であって、 基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布手段を具備する塗布処理ユニットと、 紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、該基板の温度上昇を抑制する冷却板と、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる熱板と、を具備する熱処理ユニットと、 上記塗布処理ユニットから上記冷却板へ基板を搬送する搬送機構と、 上記冷却板を上記熱板に対して進退移動すると共に、基板を受け渡しする移動機構と、 上記搬送機構によって基板を上記冷却板に載置させる際に、基板表面に紫外線を照射する第１の紫外線照射手段と、 上記移動機構の駆動によって上記冷却板上の基板を上記熱板上に載置させる際に、基板表面に紫外線を照射する第２の紫外線照射手段と、 上記基板上に上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットと、を具備することを特徴とする。

請求項５記載の発明は、請求項２記載の基板処理方法を具現化するもので、請求項４記載の基板処理装置において、 上記第１の紫外線照射手段は、上記熱処理ユニットにおける基板の搬送口の上方に配設され、基板の幅全体に渡って紫外線を直線状に照射可能に形成され、上記第２の紫外線照射手段は、上記基板の搬送方向と直交する方向に移動する冷却板の移動領域の上方に配設され、基板の幅全体に渡って紫外線を直線状に照射可能に形成される、ことを特徴とする。

請求項４又は５記載の基板処理装置において、上記第１及び第２の紫外線照射手段を、冷陰極の低圧水銀灯にて形成するか（請求項６）、あるいは、キセノンフラッシュランプ又はエキシマランプにて形成する（請求項７，８）方が好ましい。

また、請求項９記載の発明は、請求項３記載の基板処理方法を具現化するもので、パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理装置であって、 基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布手段を具備する塗布処理ユニットと、 紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、該基板の温度上昇を抑制する冷却板と、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる熱板と、を具備する熱処理ユニットと、 上記塗布処理ユニットから上記冷却板へ基板を搬送する搬送機構と、 上記冷却板を同一平面上に所定角度回転させる回転機構と、 上記冷却板を上記熱板に対して進退移動すると共に、基板を受け渡しする移動機構と、 上記冷却板の移動領域の上方に配設され、基板の幅全体に渡って紫外線を直線状に照射する紫外線照射手段と、上記基板上に上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットと、を具備し、 上記基板を上記熱板に載置させる際に、上記紫外線照射手段に対して基板を平行移動させると共に、同一面上に所定角度回転させて基板表面に紫外線を照射する、ことを特徴とする。

請求項９記載の基板処理装置において、上記紫外線照射手段を、冷陰極の低圧水銀灯にて形成するか（請求項１０）、あるいは、キセノンフラッシュランプ又はエキシマランプにて形成する（請求項１１，１２）方が好ましい。

請求項１，４記載の発明によれば、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を冷却板上に載置させる際に基板表面に紫外線を照射した後、基板を熱板上に載置させる際に基板表面に紫外線を照射することにより、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱処理する過程において基板に紫外線を照射することができる。また、基板に対する紫外線の照射を２回に分けて照射することにより、基板表面に均一に紫外線を照射することができると共に、基板の熱処理に要する時間に影響を与えることなく紫外線硬化樹脂の特性に応じた照射量の照射が可能となる。また、紫外線硬化樹脂は加熱により昇華物が発生するのを抑制することができる。更には、熱板で熱処理される前及び熱処理後の基板を冷却板上に載置することにより、基板の温度上昇を抑制することができる。

請求項２，５記載の発明によれば、基板の幅全体に渡って直線状に照射する第１の紫外線照射手段に対して基板を平行移動させて基板表面に紫外線を照射した後、基板の幅全体に渡って直線状に照射する第２の紫外線照射手段に対して基板を第１の紫外線照射工程の移動方向と直交する方向に平行移動させて基板表面に紫外線を照射することにより、更に基板表面に均一に紫外線を照射することができる。

請求項３，９記載の発明によれば、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を冷却板上に載置させて基板を熱板に載置させる際に、基板の幅全体に渡って直線状に照射する紫外線照射手段に対して基板を平行移動させると共に、同一面上に所定角度回転させて基板表面に紫外線を照射することにより、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱処理する過程において基板に紫外線を照射することができる。また、基板に対する紫外線の照射を積算させて照射することにより、基板の熱処理に要する時間に影響を与えることなく紫外線硬化樹脂の特性に応じた照射量の照射が可能となり、かつ、基板表面に均一に紫外線を照射することができる。また、紫外線硬化樹脂は加熱により昇華物が発生するのを抑制することができる。更には、熱板で熱処理される前及び熱処理後の基板を冷却板上に載置することにより、基板の温度上昇を抑制することができる。

請求項６〜８，１０〜１２記載の発明によれば、紫外線照射手段を、冷陰極の低圧水銀灯にて形成するか、あるいは、キセノンフラッシュランプ又はエキシマランプにて形成することにより、紫外線照射手段の起動時間を短くすることができると共に、電力の省力化を図ることができる。

この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果を奏する。

（１）請求項１〜５，９記載の発明によれば、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱処理する過程において基板に紫外線を照射することにより、紫外線硬化樹脂に含まれる光重合開始剤が活性化し、活性化した光重合開始剤が拡散することで紫外線硬化樹脂が硬化されるので、スループットの向上が図れると共に、熱処理部に紫外線照射手段を組み込むことができ、装置の小型化が図れる。また、基板表面に均一に紫外線を照射することができると共に、基板の熱処理に要する時間に影響を与えることなく紫外線硬化樹脂の特性に応じた照射量の照射が可能となるので、塗布膜の平坦性の維持が図れる。また、紫外線硬化樹脂は加熱により昇華物が発生するのを抑制することができるので、昇華物の結露防止やパーティクルの発生の抑制を図ることができる。更には、熱板で熱処理される前及び熱処理後の基板を冷却板上に載置することにより、基板の温度上昇を抑制することができるので、塗布膜の温度変化による変動を防止し、塗布膜の安定性の維持を図ることができる。

（２）請求項６〜８，１０〜１２記載の発明によれば、紫外線照射手段の起動時間を短くすることができると共に、電力の省力化を図ることができるので、上記（１）に加えて、更にスループットの向上が図れると共に、装置の寿命の増大が図れる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムにおける加熱処理装置に適用した場合について説明する。

図１は、この発明に係る基板処理装置を具備する半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図２は、レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図、図３は、レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。

上記レジスト塗布・現像処理システム１は、図１に示すように、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部からレジスト塗布・現像処理システム１に対して搬入出すると共に、カセットＣに対してウエハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウエハ搬送アーム７が設けられている。ウエハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウエハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。

また、ウエハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置（ＴＲＳ）３１に対してもアクセスできるように構成されている。

処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。図１に示すように、処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１，第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送機構１１０が設けられている。第１の搬送機構１１０は、第１の処理ユニット群Ｇ１，第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送機構１２０が設けられている。第２の搬送機構１２０は、第２の処理ユニット群Ｇ２，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。

第１の処理ユニット群Ｇ１には、図２に示すように、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）１０，１１，１２、露光時の光の反射を防止するための紫外線硬化樹脂液を塗布して反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３，１４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０〜２４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）２５，２６がそれぞれ設けられている。

一方、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図３に示すように、下から順に、温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ウエハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置（ＴＲＳ）３１及び精度の高い温度管理下でウエハＷを加熱処理するこの発明に係る基板処理装置を具備する熱処理ユニット（ＵＬＨＰ）３２〜３８が９段に重ねられている。

第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）４０、レジスト塗布処理後のウエハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１〜４４及び現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５〜４９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウエハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５０〜５３、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４〜５９が下から順に１０段に重ねられている。

また、第１の搬送機構１１０のＸ方向正方向側には、図１に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すように、ウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）８０，８１、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）８２，８３が下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送機構１２０の背面側には、図１に示すように、例えばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）８４が配置されている。

また、図２に示すように、カセットステーション２、処理ステーション３及びインターフェース部４の各ブロックの上部には、各ブロック内を空調するための空調ユニット９０が備えられている。この空調ユニット９０により、カセットステーション２，処理ステーション３及びインターフェース部４内は、所定の温度及び湿度に調整できる。また、図３に示すように、例えば処理ステーション３の上部には、第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５内の各装置に所定の気体を供給する、例えばＦＦＵ（ファンフィルタユニット）などの気体供給手段である気体供給ユニット９１がそれぞれ設けられている。気体供給ユニット９１は、所定の温度、湿度に調整された気体から不純物を除去した後、当該気体を所定の流量で送風できる。

インターフェース部４は、図１に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１００と、第２のインターフェース部１０１とを備えている。第１のインターフェース部１００には、ウエハ搬送アーム１０２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウエハ搬送アーム１０２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１０３（図１の背面側），１０４（図１の正面側）が各々設置されている。ウエハ搬送アーム１０２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１０３，１０４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１０１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１０５上を移動するウエハ搬送アーム１０６が設けられている。ウエハ搬送アーム１０６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１０４と、第２のインターフェース部１０１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０６，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０２を介して処理ステーション３内に搬送できる。

次に、この発明における反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３，１４を構成する塗布処理ユニット１５（以下に塗布処理装置１５という）の構成について、図４及び図５を参照して説明する。塗布処理装置１５は、内部を密閉するこができる処理容器１５０を有している。この処理容器１５０の一側面には、ウエハＷの搬送手段である上記第１の搬送機構１１０の搬送領域に臨む面にウエハＷの搬入出口１５１が形成され、搬入出口１５１には、開閉シャッタ１５２が開閉可能に設けられている。

処理容器１５０の内部には、ウエハＷの保持手段としてその上面にウエハＷを水平に真空吸着保持するスピンチャック１５３が配設されている。このスピンチャック１５３はモータなどを含む回転駆動部１５４により鉛直周りに回転でき、かつ、昇降可能に形成されている。

スピンチャック１５３の周囲には、カップ体１５５が配設されている。このカップ体１５５の上面には、ウエハＷを保持した状態のスピンチャック１５３が昇降できるようにウエハＷ及びスピンチャック１５３よりも大きい開口部１５６が形成されている。また、カップ体１５５の底部には、ウエハＷ上から零れ落ちる塗布液を排出するための排液口１５７が設けられており、この排液口１５７には排液管１５８が接続されている。

スピンチャック１５３の上方には、ウエハＷ表面の中心部に紫外線硬化樹脂液からなる塗布液を塗布するための塗布ノズル１６０が配設されている。この塗布ノズル１６０は、塗布液供給管１６１を介して塗布液を供給する塗布液供給源１６２に接続されている。また、塗布液供給管１６１にはバルブや流量調整部等を有する供給制御装置１６３が設けられている。塗布液供給源１６２から供給される塗布液すなわち紫外線硬化樹脂液には例えばＸＵＶ（日産化学工業株式会社製品）が用いられ、塗布液には液体状の塗布膜形成成分と溶剤が含まれる。塗布膜形成成分には、例えばインドニウム塩などの光重合開始剤，エポキシ樹脂，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノエチルアセテートなどが含まれている。また、溶剤としては、例えばシンナーが用いられている。

塗布ノズル１６０は、図５に示すように、アーム１７１を介してノズル移動機構１７０に連結されている。アーム１７１はノズル移動機構１７０により、処理容器１５０の長手方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール１７２に沿って、カップ体１５５の一端側（図５では左側）の外側に設けられた待機領域１７３から他端側に向かって移動できると共に、上下方向に移動できる。待機領域１７３は、塗布ノズル１６０を収納できるように構成されていると共に、塗布ノズル１６０の先端部を洗浄できる洗浄部１７４を有している。

塗布処理装置１５は、後述する一連の動作を制御するコンピュータプログラムを有する制御部２００を備えている。制御部２００は、回転駆動部１５４，供給制御装置１６３及びノズル移動機構１７０等を制御するように構成されている。

次に、この発明に係る基板処理装置について、第３の処理ユニット群Ｇ３内の各熱処理ユニット３２〜３８（以下に、熱処理装置３２〜３８という）を参照して説明する。

各熱処理装置３２〜３８は、閉鎖可能な筐体６０をそれぞれ有し、筐体６０の給気ダクト９２側、すなわち正面側の側壁には、各筐体６０の高さにおいて給気ダクト９２の側面に連通する給気口６１がそれぞれ設けられている。したがって、気体供給ユニット９１からの気体は、共通の給気ダクト９２を通って各給気口６１から各熱処理装置３２〜３８内に分配供給される。また、第１の処理ユニット群Ｇ１の背面側の端部付近、例えば筐体６０の背面側寄りのＹ方向（図１の左右方向）側の側面には、主排気口６２がそれぞれ設けられている。主排気口６２は、例えば図１に示すように、各筐体６０のＹ方向の両側面に設けられている。Ｙ方向の各側面の主排気口６２は、例えば工場排気に接続された排気ダクト６３にそれぞれ連通している。排気ダクト６３は、第１の処理ユニット群Ｇ１の各筐体６０のＹ方向の側面に沿って熱処理装置３２〜３８の最上部から下方向に向けて形成されている。したがって、各熱処理装置３２〜３８内の気体は、主排気口６２から２本の共通の排気ダクト６３を介して排気される。

また、各筐体６０には、ウエハＷを搬入出するためのウエハ搬送口６４と、このウエハ搬送口６４を開閉するためのシャッタ６５がそれぞれ設けられている（図６参照）。

上記気体供給ユニット９１の気体供給動作と、各シャッタ６５の開閉動作は、例えば制御部２００からの制御信号に基づいてシャッタ６５の駆動部６５ａが制御されるように形成されている。制御部２００は、各筐体６０内が外部に対して常に陽圧になり、かつ各筐体６０内の気流の流量が一定になるように気体供給ユニット９１の給気量を制御できる。かかる機能を果たすため、制御部２００は、例えばシャッタ６５の開閉動作に基づいて気体供給ユニット９１の給気量を調整する。例えば制御部２００は、開放されたウエハ搬送口６４の数に応じて気体供給ユニット９１の給気量を段階的に変更できるように形成されている。

以下に、熱処理装置３２〜３８（符号３２で代表する）について、図６及び図７を参照して詳細に説明する。熱処理装置３２は、上述した閉鎖可能な筐体６０内に、ウエハＷを載置して所定温度例えば１３０℃に加熱する熱板７０と、ウエハＷを載置すると共に、所定温度例えば２３℃に冷却し、かつ熱板７０に対して相対移動可能な冷却板７１と、上記第１の搬送機構１１０によってウエハＷを熱処理装置３２内の冷却板７１上に載置する際に、ウエハＷに紫外線を照射する第１の紫外線照射手段である第１の紫外線照射体７７Ａと、冷却板７１に載置されたウエハＷを熱板７０上に載置する際に、ウエハＷに紫外線を照射する第２の紫外線照射手段である第２の紫外線照射体７７Ｂと、を具備している。また、筐体６０の給気ダクト側の側壁には上述した給気口６１が設けられている。この給気口６１は、冷却板７１の上面より上方位置に設けられている。

熱板７０は、図７に示すように、例えば上下動自在な蓋体７０ａと、蓋体７０ａの下方に位置し当該蓋体７０ａと一体となって熱板７０と共働して加熱処理室７０ｂを形成するサポートリング７０ｃが設けられている。

サポートリング７０ｃは、例えば上下面が開口した略円筒状の形態を有しており、サポートリング７０ｃの内側に熱板７０が収容されている。熱板７０は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板７０内には、例えばヒータ７０ｄが内蔵されている。このヒータ７０ｄによって熱板７０は、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温できる。これにより、ウエハＷに塗布された紫外線硬化樹脂液中の液分例えば残存溶剤を蒸発させて除去することができる。

熱板７０の中央付近には、複数例えば３個の貫通孔７０ｅが設けられている。各貫通孔７０ｅには、昇降駆動機構７２により昇降する支持ピン７２ａがそれぞれ貫挿可能に形成されている。この支持ピン７２ａによって、熱板７０上でウエハＷを昇降し、熱板７０と冷却板７１との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

サポートリング７０ｃの上面には、加熱処理室７０ｂに開口する排出口７０ｆが設けられている。排出口７０ｆは、例えば工場排気に連通する排出管（図示せず）に接続されており、この排出口から加熱処理室７０ｂ内の雰囲気を排気できるようになっている。

蓋体７０ａは、上面が閉塞し下面が開口した略円筒形状の形態を有している。また、蓋体７０ａは、駆動部７０ｇによって昇降するアーム７０ｈに支持されており、所定のタイミングで上下動し、サポートリング７０ｃと一体となって加熱処理室７０ｂを形成したり、その加熱処理室７０ｂを開放したりできるように構成されている。

また、筐体６０における給気口６１の近傍位置には、少なくとも熱板７０から上方にウエハＷが移動した際に、気体供給ユニット９１から給気ダクト９２を介して供給される気体の熱板７０側への流れを制御する気流制御部材９３が配設されている。この場合、気流制御部材９３は、図５及び図６に示すように、気体供給ユニット９１から給気ダクト９２を介して供給される気体の一部を熱板７０側に流す複数の通気孔９４を有している。したがって、給気口６１から筐体６０内に供給される気体の一部のみを熱板７０側に流し、その他の多くの気体を、熱板７０から上方に移動されたウエハＷに接触させないようにすることができる。

なお、気流制御部材９３は、図５及び図６に示すように、給気口６１の上方側から下方側に向かって給気口６１から離れる方向に傾斜して設けられており、通気孔９４を通過しない気体の多くは筐体６０の下部側に流れるようになっている。このように筐体６０の下部側に流れる気体によって筐体６０の下部側に配設される駆動部例えば支持ピン７２ａの昇降駆動機構７２や蓋体７０ａの駆動部７０ｇ等から発生するパーティクルを排出口７０ｆから排出することができる。

冷却板７１は、例えば図６に示すように、熱板７０側が円弧状に湾曲した略方形形状に形成されている。冷却板７１内には、例えば冷媒が通流する図示しない冷却管が内蔵されており、この冷却管によって冷却板７１は、所定の冷却温度例えば２３℃に維持される。これにより、熱板７０によって加熱される前及び加熱後のウエハＷの温度上昇を抑制することができる。

冷却板７１の側方には、例えば図７に示すように、Ｘ方向に沿ったガイドレール７４が設けられている。冷却板７１は、移動機構７５によってガイドレール７４上を移動し、熱板７０上に対して相対的に移動するように構成されている。

また、冷却板７１には、図６に示すように２本のスリット７１ａが形成されている。スリット７１ａは、冷却板７１が熱板７０上に移動した時に後述する支持ピン７２ａに衝突しないように、冷却板７１における熱板７０側の端部から中央部付近に渡って形成されている。スリット７１ａの下方には、 図６に示すように昇降駆動機構（図示せず）によって昇降する昇降ピン７６が設けられており、この昇降ピン７６によって、ウエハＷを冷却板７１上で昇降し、冷却板７１と第１の搬送機構１１０又はウエハ搬送アーム７との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

一方、第１の紫外線照射体７７Ａは、筐体６０の第１の搬送機構１１０側の側面に設けられたウエハ搬送口６４の上方に配設されている。この第１の紫外線照射体７７Ａは、ウエハＷの幅全体に渡って紫外線を直線状に照射可能な、例えば冷陰極の低圧水銀灯（波長：２５４ｎｍ）、あるいは、キセノンフラッシュランプ（波長：２００〜８００ｎｍ）又はエキシマランプ（波長：２２２ｎｍ）にて形成されている。このように第１の紫外線照射手段７７Ａを冷陰極の低圧水銀灯、あるいは、キセノンフラッシュランプ又はエキシマランプにて形成することにより、紫外線硬化樹脂に含まれる光重合開始材を活性化させる波長２００〜３００ｎｍの範囲内の光の照射が可能となる。

また、第２の紫外線照射体７７Ｂは、熱処理装置３２の筐体６０内におけるウエハＷの搬送方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に移動する冷却板７１の移動領域の上方に配設されている。この第２の紫外線照射体７７Ｂは、第１の紫外線照射体７７Ａと同様にウエハＷの幅全体に渡って紫外線を直線状に照射可能な、例えば冷陰極の低圧水銀灯、あるいは、キセノンフラッシュランプにて形成されている。

なお、図面では説明の都合上、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂとウエハ表面との隙間を大きくしてあるが、具体的には、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂとウエハ表面との隙間を約３ｍｍ程度にすることにより、ウエハ表面に紫外線を効率よく照射することができる。また、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂは、図７に示すように、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂの上方にそれぞれ配設される断面略逆Ｕ字状の反射板７７ａと、紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂの照射側に配設される紫外線が透過可能な石英製の透過板（図示せず）とを有するランプハウス７７を具備している。

また、ランプハウス７７には、ウエハＷと紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂとの隙間における紫外線の照射領域の対向する端部の一方に給気口７７ｂが設けられ、他方には排気口７７ｃが設けられている。給気口７７ｂに接続する供給管７７ｆには、バルブや流量調整装置等を有する供給制御装置７７ｄを介して例えばＮ２ガス供給源７７ｅが接続され、排気口７７ｃには、排気管７７ｇを介して排気手段である真空ポンプ７７ｈが接続されている。なお、排気口７７ｃに接続される排気手段は、ファンや工場排気等でもよい。この場合、給気口７７ｂ及び排気口７７ｃは、図７に示すように、Ｎ２ガスの流れ方向に沿って複数に分割されており、分割された各分割給気口７７ｂに、それぞれＮ２ガスが供給され、各給気口７７ｂに供給されたＮ２ガスは照射領域を流れて排気口７７ｃから排出されるようになっている。

このように構成することにより、筐体６０内に発生するパーティクルを筐体６０内から排出することができるので、パーティクルによってウエハ表面に塗布された塗布膜がダメージを受けるのを防止することができる。

上記のように構成される熱処理装置３２によれば、紫外線硬化樹脂液が塗布されたウエハＷを冷却板７１上に載置させる際に、第１の紫外線照射体７７Ａからウエハ表面に紫外線を照射した後、ウエハＷを熱板７０上に載置させる際に、第２の紫外線照射体７７Ｂからウエハ表面に紫外線を照射することにより、紫外線硬化樹脂液が塗布されたウエハＷを熱処理する過程においてウエハＷに紫外線を照射することができる。また、ウエハＷの幅全体に渡って直線状に照射する第１の紫外線照射体７７Ａに対してウエハＷを平行移動させてウエハ表面に紫外線を照射した後、ウエハＷの幅全体に渡って直線状に照射する第２の紫外線照射体７７Ｂに対してウエハＷを第１の紫外線照射工程の移動方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に平行移動させてウエハ表面に紫外線を照射することにより、ウエハ表面に均一に紫外線を照射することができる。また、ウエハＷに対する紫外線の照射を２回に分けて照射することにより、ウエハＷの熱処理に要する時間に影響を与えることなく紫外線硬化樹脂の特性に応じた照射量の照射が可能となる。このようにして、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂからウエハ表面に紫外線が照射されることにより、紫外線硬化樹脂に含まれる光重合開始剤が活性化し、活性化した光重合開始剤が拡散することで紫外線硬化樹脂が硬化される。

また、紫外線硬化樹脂は加熱により昇華物が発生するのを抑制することができるので、熱処理装置３２内における昇華物の結露防止やパーティクルの発生を防止することができる。更には、熱板７０で熱処理される前及び熱処理後のウエハＷを冷却板７１上に載置することにより、ウエハＷの温度上昇を抑制することができるので、紫外線硬化樹脂膜の温度変化による変動を防止し、紫外線硬化樹脂膜の安定性の維持を図ることができる。

また、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂを冷陰極の低圧水銀灯、あるいは、キセノンフラッシュランプにて形成することにより、紫外線照射の起動時間を短くすることができると共に、電力の省力化を図ることができる。また、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂを冷陰極の低圧水銀灯で形成した場合は、陰極の加熱が不要で付帯設備が少なく、直流電流のみで点灯できる。また、点灯，消灯の繰り返し動作による照度も安定しており、必要時のみ点灯するという使用方法にすることで、不必要な点灯（発光）による装置の温度上昇を抑制することができる。また、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂをキセノンフラッシュランプ又はエキシマランプにて形成した場合は、短時間の放電により、単位時間当たりの光出力を非常に大きくすることができるので、紫外線の照射効率を高めることができる。

次に、以上のように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１で行われるウエハＷの処理プロセスについて説明する。まず、未処理のウエハＷが複数枚収容されたカセットＣが載置台６上に載置されると、カセットＣからウエハＷが１枚取り出され、ウエハ搬送アーム７によって第３の処理装置群Ｇ３の温調ユニット（ＴＣＰ）３０に搬送される。温調ユニット（ＴＣＰ）３０に搬送されたウエハＷは、所定温度に温度調節され、その後第１の搬送機構１１０によってボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３を構成する塗布処理装置１５に搬送される。塗布処理装置１５において、塗布ノズル１６０からウエハ表面に紫外線硬化樹脂液が塗布され、紫外線硬化樹脂膜（反射防止膜）が形成される。

紫外線硬化樹脂膜（反射防止膜）が形成されたウエハＷは、第１の搬送機構１１０によって塗布処理装置１５から搬出され、熱処理装置３２〜３８（以下に熱処理装置３２で代表する）内の冷却板７１上に搬送される。このとき、ウエハＷを冷却板７１上に載置させる際に、第１の紫外線照射体７７Ａからウエハ表面に紫外線が照射された後、ウエハＷは冷却板７１上に載置される。そして、移動機構７５の駆動により冷却板７１は熱板７０側に移動してウエハＷを熱板７０上に載置させる。このウエハＷを熱板７０上に載置させ際に、第２の紫外線照射体７７Ｂからウエハ表面に紫外線が照射される。このように、ウエハＷの幅全体に渡って直線状に照射する第１の紫外線照射体７７Ａに対してウエハＷを平行移動させてウエハ表面に紫外線を照射した後、ウエハＷの幅全体に渡って直線状に照射する第２の紫外線照射体７７Ｂに対してウエハＷを第１の紫外線照射工程の移動方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に平行移動させてウエハ表面に紫外線を照射することにより、ウエハ表面に均一に紫外線を照射することができる。このようにして、第１及び第２の紫外線照射体７７Ａ，７７Ｂからウエハ表面に紫外線が照射されることにより、紫外線硬化樹脂に含まれる光重合開始剤が活性化し、活性化した光重合開始剤が拡散することで紫外線硬化樹脂が硬化され、紫外線硬化樹脂膜の平坦性の維持が図れる。

熱板７０上に載置されたウエハＷは、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温されて紫外線硬化樹脂液中の液分例えば残存溶剤が蒸発除去され、安定した膜厚の紫外線硬化樹脂膜（反射防止膜）が形成される。熱処理されたウエハＷは冷却板７１によって熱板７０上から受け取られて冷却板７１の初期位置に移動する。このとき、冷却板７１が所定の冷却温度例えば２３℃に維持されているので、ウエハＷの温度上昇が抑制され、紫外線硬化樹脂膜（反射防止膜）の熱的変動が防止される。このようにして熱処理が行われたウエハＷは、熱処理装置３２の筐体６０内に進入する第１の搬送機構１１０によって熱処理装置３２内から取り出された後、レジスト塗布ユニット１０に搬送されて、レジスト塗布処理が施される。レジスト処理が施されたウエハＷは、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１に搬送されて、加熱処理される。

プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１において加熱処理の終了したウエハＷは、第２の搬送機構１２０によって周辺露光装置８４に搬送され、周辺露光処理された後、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５３に搬送される。その後、ウエハＷは、第１のインターフェース部１００のウエハ搬送体１０２によってバッファカセット１０４に搬送され、次いで第２のインターフェース部１０１のウエハ搬送アーム１０６によって図示しない露光装置に搬送される。露光処理の終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０６及びウエハ搬送アーム１０２によってバッファカセット１０４を介してバッファカセット１０３に搬送される。その後ウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２によって例えば熱処理装置（ＰＥＢ）５４に搬送される。

熱処理装置（ＰＥＢ）５４における加熱処理の終了したウエハＷは、第２の搬送機構１２０によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５１、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０、ポストベーキングユニット（ＰＥＢ）４５に順次搬送されて、各ユニットで所定の処理が施される。ポストベーキング処理の終了したウエハＷは、第１の搬送機構１１０によりトランジション装置３１に搬送され、その後ウエハ搬送アーム７によりカセットＣに戻される。このようにして、レジスト塗布・現像処理システム１における一連のウエハ処理が終了する。レジスト塗布・現像処理システム１では、複数枚のウエハＷに対し同時期に上述したようなウエハ処理が連続して行われている。

次に、この発明に係る基板処理装置の別の実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、この発明に係る基板処理装置の第２実施形態の要部を示す概略平面図、図９は、この発明に係る基板処理装置の第２実施形態の要部を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ部拡大概略断面図（ｂ）である。

第２実施形態における熱処理装置３２Ａは、第１実施形態の熱処理装置３２と冷却板７１Ａを水平方向に回転可能に形成すると共に、鉛直方向に昇降可能に形成し、かつ、第２の紫外線照射体７７Ｂに相当する１つの紫外線照射体７７Ｃを設けた点で相違し、その他の構造は第１実施形態と同様に構成されている。

すなわち、第２実施形態の熱処理装置３２Ａは、ウエハＷを吸着保持する円盤状の昇降体７３を有する冷却板７１Ａを具備している。この冷却板７１Ａ内には、例えば冷媒が通流する図示しない冷却管が内蔵されており、この冷却管によって冷却板７１Ａは、所定の冷却温度例えば２３℃に維持され、熱板７０によって加熱される前及び加熱後のウエハＷの温度上昇を抑制するように構成されている。また、熱処理装置３２Ａには、冷却板７１Ａを同一平面上に所定角度回転させる回転機構７８ａと鉛直方向に昇降させる昇降機構７８ｂとを有する回転駆動機構７８と、Ｘ方向に敷設されたガイドレール７４に沿って冷却板７１Ａを熱板７０上に対して相対的に移動すると共に、熱板７０に対してウエハＷを受け渡しする移動機構７５が設けられている。また、冷却板７１Ａの移動領域の上方には、ウエハＷの幅全体に渡って紫外線を直線状に照射する紫外線照射手段である紫外線照射体７７Ｃが設けられている。この紫外線照射体７７Ｃを、冷陰極の低圧水銀灯、あるいは、キセノンフラッシュランプにて形成することにより、紫外線照射の起動時間を短くすることができると共に、電力の省力化を図ることができる。

この場合、冷却板７１Ａを構成する昇降体７３は、図９（ｂ）に示すように、冷却板７１Ａの中心部に設けられた凹部７１ａ内に出没可能に収容されている。また、回転駆動機構７８は、昇降体７３を水平面上に回転する例えばモータからなる回転機構７８ａと、この回転機構７８ａの側方にブラケット７８ｅを介して連結される例えばエアーシリンダからなる昇降機構７８ｂとで主に構成されている。昇降機構７８ｂは、冷却板７１Ａの凹所７１ａの側面に沿って鉛直方向に設けられたガイドレール７８ｄに沿って移動可能に形成されると共に、凹部７１ａの底部７１ｂに当接するピストンロッド７８ｃを具備している。

なお、回転駆動機構７８及び移動機構７５は制御部２００に電気的に接続されており、制御部２００からの制御信号に基づいて冷却板７１Ａ（具体的には昇降体７３）の昇降及び回転が制御されると共に、熱板に対する移動が制御されるように構成されている。

なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

このように構成される第２実施形態の熱処理装置３２Ａによれば、紫外線硬化樹脂液が塗布されたウエハＷを第１の搬送機構１１０によって冷却板７１上に搬送し、昇降機構７８ｂの駆動によって昇降体７３が昇降してウエハＷを冷却板７１Ａ上に受け渡した後、移動機構７５を駆動してウエハＷを熱板７０上に載置させる際に、紫外線照射体７７Ｃの下方位置で昇降機構７８ｂによって昇降体７３を上昇させると共に、回転機構７８ａによってウエハＷを水平面上で所定角度回転させながら紫外線照射体７７Ｃからウエハ表面に紫外線を照射する。これにより、紫外線硬化樹脂液が塗布されたウエハＷを熱処理する過程においてウエハＷに紫外線を照射することができる。また、ウエハＷに対する紫外線の照射を積算させて照射することにより、ウエハＷの熱処理に要する時間に影響を与えることなく紫外線硬化樹脂の特性に応じた照射量の照射が可能となり、かつ、ウエハ表面に均一に紫外線を照射することができる。

このようにして、紫外線照射体７７Ｃからウエハ表面に紫外線が均一に照射されることにより、紫外線硬化樹脂に含まれる光重合開始剤が活性化し、活性化した光重合開始剤が拡散することで紫外線硬化樹脂が硬化されるので、紫外線硬化樹脂膜の平坦性の維持が図れる。

また、紫外線硬化樹脂は加熱により昇華物が発生するのを抑制することができるので、熱処理装置３２内における昇華物の結露防止やパーティクルの発生を防止することができる。更には、熱板７０で熱処理される前及び熱処理後のウエハＷを冷却板７１Ａ上に載置することにより、ウエハＷの温度上昇を抑制することができるので、塗布膜の温度変化による変動を防止し、塗布膜の安定性の維持を図ることができる。

なお、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置（方法）が紫外線硬化樹脂膜（反射防止膜）をレジストの下層に配置するタイプに適用される場合について説明したが、紫外線硬化樹脂膜（反射防止膜）をレジストの上層に配置するタイプにも適用できる。

また、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用する場合について説明したが、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばＬＣＤ（液晶ガラス）基板，マスク基板等にも適用できる。

この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。 上記レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図である。 上記レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。 この発明における塗布処理装置を示す概略断面図である。 上記塗布処理装置の概略平面図である。 この発明に係る基板処理装置の第１実施形態の要部を示す概略平面図である。 第１実施形態の基板処理装置の要部を示す概略断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第２実施形態の要部を示す概略平面図である。 第２実施形態の基板処理装置の要部を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ部拡大概略断面図（ｂ）である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ（基板）
１３，１４ ボトムコーティングユニット
１５ 塗布処理装置（塗布処理ユニット）
３２〜３８，３２Ａ 熱処理装置（熱処理ユニット）
６０ 筐体
６４ ウエハ搬送口
７０ 熱板
７１，７１Ａ 冷却板
７３ 昇降体
７５ 移動機構
７６ 昇降ピン
７７Ａ 第１の紫外線照射体（第１の紫外線照射手段）
７７Ｂ 第２の紫外線照射体（第２の紫外線照射手段）
７７Ｃ 紫外線照射体（紫外線照射手段）
７８ 回転駆動機構
７８ａ 回転機構
７８ｂ 昇降機構
１１０ 第１の搬送機構（搬送機構）

Claims (12)

1. パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理方法であって、
   基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布工程と、
   上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を冷却板上に載置させて基板の温度上昇を抑制する工程と、
   上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱板上に載置させて紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる工程と、
   上記基板を上記冷却板に載置させる際に基板表面に紫外線を照射する第１の紫外線照射工程と、
   上記基板を上記熱板上に載置させる際に基板表面に紫外線を照射する第２の紫外線照射工程と、
   次いで、上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
2. 請求項１記載の基板処理方法において、
   上記第１の紫外線照射工程が、基板の幅全体に渡って直線状に照射する第１の紫外線照射手段に対して基板を平行移動させて基板表面に紫外線を照射する工程であり、
   上記第２の紫外線照射工程が、基板の幅全体に渡って直線状に照射する第２の紫外線照射手段に対して基板を上記第１の紫外線照射工程の移動方向と直交する方向に平行移動させて基板表面に紫外線を照射する工程である、
   ことを特徴とする基板処理方法。
3. パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理方法であって、
   基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布工程と、
   上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を冷却板上に載置させて基板の温度上昇を抑制する工程と、
   上記紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を熱板上に載置させて紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる工程と、
   上記基板を上記熱板に載置させる際に、基板の幅全体に渡って直線状に照射する紫外線照射手段に対して基板を平行移動させると共に、同一面上に所定角度回転させて基板表面に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
   次いで、上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
4. パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理装置であって、
   基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布手段を具備する塗布処理ユニットと、
   紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、該基板の温度上昇を抑制する冷却板と、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる熱板と、を具備する熱処理ユニットと、
   上記塗布処理ユニットから上記冷却板へ基板を搬送する搬送機構と、
   上記冷却板を上記熱板に対して進退移動すると共に、基板を受け渡しする移動機構と、
   上記搬送機構によって基板を上記冷却板に載置させる際に、基板表面に紫外線を照射する第１の紫外線照射手段と、
   上記移動機構の駆動によって上記冷却板上の基板を上記熱板上に載置させる際に、基板表面に紫外線を照射する第２の紫外線照射手段と、
   上記基板上に上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットと、
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４記載の基板処理装置において、
   上記第１の紫外線照射手段は、上記熱処理ユニットにおける基板の搬送口の上方に配設され、基板の幅全体に渡って紫外線を直線状に照射可能に形成され、上記第２の紫外線照射手段は、上記基板の搬送方向と直交する方向に移動する冷却板の移動領域の上方に配設され、基板の幅全体に渡って紫外線を直線状に照射可能に形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項４又は５記載の基板処理装置において、
   上記第１及び第２の紫外線照射手段が、冷陰極の低圧水銀灯であることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項４又は５記載の基板処理装置において、
   上記第１及び第２の紫外線照射手段が、キセノンフラッシュランプであることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項４又は５記載の基板処理装置において、
   上記第１及び第２の紫外線照射手段が、エキシマランプであることを特徴とする基板処理装置。
9. パターンが形成される基板上に紫外線硬化樹脂膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する基板処理装置であって、
   基板上に紫外線硬化樹脂液を塗布する塗布手段を具備する塗布処理ユニットと、
   紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、該基板の温度上昇を抑制する冷却板と、紫外線硬化樹脂液が塗布された基板を載置し、紫外線硬化樹脂液中の液分を蒸発させる熱板と、を具備する熱処理ユニットと、
   上記塗布処理ユニットから上記冷却板へ基板を搬送する搬送機構と、
   上記冷却板を同一平面上に所定角度回転させる回転機構と、
   上記冷却板を上記熱板に対して進退移動すると共に、基板を受け渡しする移動機構と、
   上記冷却板の移動領域の上方に配設され、基板の幅全体に渡って紫外線を直線状に照射する紫外線照射手段と、
   上記基板上に上記紫外線で硬化された上記紫外線硬化樹脂膜の上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットと、を具備し、
   上記基板を上記熱板に載置させる際に、上記紫外線照射手段に対して基板を平行移動させると共に、同一面上に所定角度回転させて基板表面に紫外線を照射する、ことを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９記載の基板処理装置において、
    上記紫外線照射手段が、冷陰極の低圧水銀灯であることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項９記載の基板処理装置において、
    上記紫外線照射手段が、キセノンフラッシュランプであることを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項９記載の基板処理装置において、
    上記紫外線照射手段が、エキシマランプであることを特徴とする基板処理装置。

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