JP4781192B2 - ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム - Google Patents
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Description
また、筐体内の圧力が予め定められた値よりも低くなったときに冷却手段による筐体の冷却が開始されるため、筐体内の圧力が十分に低くなった状態で筐体が冷却される。それにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍において十分に停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。
その結果、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。
また、筐体内の圧力が予め定められた値よりも低くなったときに冷却手段による筐体の冷却が開始されるため、筐体内の圧力が十分に低くなった状態で筐体が冷却される。それにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍において十分に停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。
その結果、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。
また、筐体内の圧力が予め定められた値よりも低くなったときに冷却手段による筐体の冷却が開始されるため、筐体内の圧力が十分に低くなった状態で筐体が冷却される。それにより、筐体内に残存する分子の運動を筐体の表面近傍において十分に停止させ、分子を筐体に付着させることができる。それにより、筐体内の真空度をより迅速に上昇させることができる。
その結果、減圧処理装置への基板の搬入および減圧処理装置からの基板の搬出を迅速に行うことができ、スループットを向上させることができる。
図1は、本発明の一実施の形態に係る減圧装置を備えた基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図5、図9および図10には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図3を参照しながら説明する。
上記のように、基板処理装置500から露光装置6へ基板Wが搬送される際には、インターフェースブロック5において基板Wが一時的にロードロック室RLに搬入される。そして、ロードロック室RLが大気圧から高真空状態へ減圧された後、ロードロック室RLから露光装置6へ基板Wが受け渡される。
図4〜図6を参照してロードロック室RLの構成について説明する。図4は、ロードロック室RLのXY平面における模式的断面図であり、図5は、ロードロック室RLのYZ平面における模式的断面図である。
以下、図4〜図8を参照してロードロック室RLの動作について説明する。図7および図8は、ロードロック室RLの動作を示すフローチャートである。
本実施の形態では、チャンバ201内を減圧する際に、チャンバ201内の圧力がしきい値よりも低くなった時点からチャンバ201内を大気圧に開放する直前までの期間、チャンバ201を継続的に冷却する。
以下、図4および図5に示したロードロック室RLの変形例について説明する。
図9は、ロードロック室RLの第1の変形例を示す図である。以下、ロードロック室RLの第1の変形例について、図4および図5に示したロードロック室RLと異なる点を説明する。
図10は、ロードロック室RLの第2の変形例を示す図である。以下、ロードロック室RLの第2の変形例について、図4および図5に示したロードロック室RLと異なる点を説明する。
基板Wおよびチャンバ201の加熱後に、気化された水分および有機溶媒を排気ポートEPからチャンバ201の外部に十分に排出することが可能であれば、乾燥ガス供給ノズル206は設けなくてもよい。
上記実施の形態では、露光装置6において高真空状態で基板Wの処理が行われるが、基板処理装置500内の反射防止膜用塗布処理部20、レジスト膜用塗布処理部30、現像処理部40およびエッジ露光部EEWのいずれかにおいて高真空状態で基板Wの処理が行われてもよく、または、高真空状態で基板Wの処理を行う他の処理部が基板処理装置500内に設けられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
2 反射防止膜用処理ブロック
3 レジスト膜用処理ブロック
4 現像処理ブロック
5 インターフェースブロック
6 露光装置
201 チャンバ
203 加熱プレート
205 真空ポンプ
206 乾燥ガス供給ノズル
207 ヒータ
208a 冷却媒体循環装置
230 ペルチェ素子
500 基板処理装置
LC ローカルコントローラ
RL ロードロック室
SE 圧力センサ
Claims (12)
- 大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置であって、
基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、
前記筐体内を減圧する減圧手段と、
前記減圧手段による前記筐体内の減圧時に前記筐体を冷却する冷却手段と、
前記筐体内の圧力を検出する圧力検出器と、
前記圧力検出器により検出された圧力が予め定められた値よりも低くなったときに前記冷却手段による前記筐体の冷却を開始する制御部とを備えることを特徴とするロードロック装置。 - 前記冷却手段は、冷却媒体を用いて前記筐体を冷却する冷却媒体供給手段を含むことを特徴とする請求項1記載のロードロック装置。
- 前記冷却媒体は、液体または気体の窒素であることを特徴とする請求項2記載のロードロック装置。
- 前記冷却媒体は、液体または気体のヘリウムであることを特徴とする請求項2記載のロードロック装置。
- 前記冷却手段は、冷却用のペルチェ素子を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のロードロック装置。
- 前記筐体を加熱する筐体加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のロードロック装置。
- 前記筐体内に収容された基板を加熱する基板加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のロードロック装置。
- 前記筐体内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のロードロック装置。
- 大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
大気圧下で基板に処理を行う常圧処理部と、
前記常圧処理部と前記減圧処理装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記受け渡し部は、
前記減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置を含み、
前記ロードロック装置は、
基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、
前記筐体内を減圧する減圧手段と、
前記減圧手段による前記筐体内の減圧時に前記筐体を冷却する冷却手段と、
前記筐体内の圧力を検出する圧力検出器と、
前記圧力検出器により検出された圧力が予め定められた値よりも低くなったときに前記冷却手段による前記筐体の冷却を開始する制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 大気圧より低い圧力下で基板に処理を行う減圧処理装置と、
前記減圧処理装置に対する基板の搬入または搬出に用いられるロードロック装置とを備え、
前記ロードロック装置は、
基板を収容可能で密閉空間を形成する筐体と、
前記筐体内を減圧する減圧手段と、
前記減圧手段による前記筐体内の減圧時に前記筐体を冷却する冷却手段と、
前記筐体内の圧力を検出する圧力検出器と、
前記圧力検出器により検出された圧力が予め定められた値よりも低くなったときに前記冷却手段による前記筐体の冷却を開始する制御部とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 前記減圧処理装置に基板を受け渡すための受け渡し部をさらに備え、
前記ロードロック装置は、前記受け渡し部に設けられることを特徴とする請求項10記載の基板処理システム。 - 大気圧下で基板に処理を行う常圧処理部をさらに備え、
前記受け渡し部は、前記常圧処理部と前記減圧処理装置との間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項11記載の基板処理システム。
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