KR100646515B1 - 도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법 - Google Patents

도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100646515B1
KR100646515B1 KR1020010024831A KR20010024831A KR100646515B1 KR 100646515 B1 KR100646515 B1 KR 100646515B1 KR 1020010024831 A KR1020010024831 A KR 1020010024831A KR 20010024831 A KR20010024831 A KR 20010024831A KR 100646515 B1 KR100646515 B1 KR 100646515B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
coating
path
developing
wafer
Prior art date
Application number
KR1020010024831A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010103662A (ko
Inventor
마쓰야마유지
기타노쥰이치
기타노다카히로
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2000135993A external-priority patent/JP3517180B2/ja
Priority claimed from JP2000135988A external-priority patent/JP3559219B2/ja
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20010103662A publication Critical patent/KR20010103662A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100646515B1 publication Critical patent/KR100646515B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Abstract

본 발명은 기판에 대하여 도포 현상 처리를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템으로서, 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치와, 기판을 현상하는 현상 처리 장치와, 기판을 열처리하는 열처리 장치와, 이들 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 및 열처리 장치에 대하여 기판의 반입반출을 하는 제 1 반송 장치를 갖는 처리부를 갖고 있다.
본 발명은 더욱 처리부와 기판에 대하여 노광 처리를 하는 시스템 외부의 노광 처리 장치 사이의 경로로 기판의 반송을 하는 제 2 반송 장치를 갖는 인터페이스부를 갖고 있다. 본 발명은 기판이 노광 처리되기 전에, 기판의 도포막에 부착한 불순물을 챔버내에서 흡인하여 제거하는 감압 제거 장치를 더욱 갖는다.
본 발명에 의하면, 노광 처리전에, 기판의 도포막에 부착한 산소, 오존, 유기물 등의 분자 레벨의 불순물이나 미립자 등의 불순물을 제거할 수 있으므로, 적합하게 노광 처리가 행하여져, 생산 수율의 향상이 도모된다.

Description

도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법{SYSTEM AND METHOD FOR COATING AND DEVELOPING}
도 1은 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 평면으로부터 본 설명도,
도 2는 도 1의 도포 현상 처리 시스템의 정면도,
도 3은 도 1의 도포 현상 처리 시스템의 배면도,
도 4는 도 1의 도포 현상 처리 시스템(1)내의 가열·냉각 처리 장치의 개략을 나타내는 횡단면도,
도 5는 주고받음부내의 감압 제거 장치의 구성을 나타내는 종단면의 설명도,
도 6은 도 1의 도포 현상 처리 시스템의 주고받음부내의 불활성 기체의 흐름의 상태를 나타내는 노광 처리 장치로부터 본 종단면의 설명도,
도 7은 제 2 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 평면으로부터 본 설명도,
도 8은 도 7의 도포 현상 처리 시스템의 인터페이스부에 공급되는 불활성 기체의 흐름을 나타내는 종단면의 설명도,
도 9는 감압 제거 장치에서 레지스트액의 용제의 증발처리를 하는 경우의 도포 현상 처리 시스템내의 가열·냉각 처리 장치의 배치 예를 나타내는 설명도,
도 10은 제 3 실시 형태에 이러한 도포 현상 처리 시스템의 평면도로부터 본 설명도,
도 11은 도 10의 도포 현상 처리 시스템의 정면도,
도 12는 도 10의 도포 현상 처리 시스템의 배면도,
도 13은 도 10의 도포 현상 처리 시스템내의 가열·냉각 처리 장치의 개략을 나타내는 횡단면도,
도 14는 도 10의 도포 현상 처리 시스템의 평면을 모식적으로 나타낸 설명도,
도 15는 도포 현상 처리 시스템의 주고받음부의 도 14에 나타내는 A-A 선 단면의 설명도,
도 16은 주고받음부내의 재치부의 구성을 나타내는 종단면의 설명도,
도 17은 주고받음부에서 레지스트액의 용제의 증발처리를 하는 경우의 도포 현상 처리 시스템내의 가열·냉각 처리 장치의 배치 예를 나타내는 설명도,
도 18은 제4의 실시 형태에 이러한 도포 현상 처리 시스템의 평면으로부터 본 설명도,
도 19는 도 18의 도포 현상 처리 시스템의 주고받음부내를 나타내는 노광 처리 장치로부터 본 종단면의 설명도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1, 201 : 도포 현상 처리 시스템 2, 202 카세트 스테이션
3, 203 : 처리 스테이션 4, 204 : 인터페이스부
5, 205 : 주고받음부 6, 206 : 노광 처리 장치
7, 207 : 카세트 재치대 8, 208 : 웨이퍼 반송체
9, 209 : 반송로 13, 203 : 주반송 장치
17, 19, 217, 219 : 레지스트 도포 장치
18, 20, 218, 220 : 현상 처리 장치
30, 33, 34, 40, 43, 44, 45 : 냉각 장치
31 : 어드히젼 장치
35, 36 : 포스트베이킹 장치
46, 47, 130 : 가열·냉각 처리 장치
51 : 열판 55 : 웨이퍼 반송체
56 : 주변 노광 장치 60 : 제 1 경로
61 : 제 2 경로 64, 100, 127 : 칸막이판
65 : 감압 제거 장치 69 : 웨이퍼 반송 기구
70 : 덮개체 71, 95 : 재치대
75 : 배기관 76 : 흡인 장치
77 : 정류판 78 : 흡인구
80 : 관통구멍 81 : 승강판
82 : 용기 83 : 통기관
84 : 승강 이동 기구 86, 87 : 반송구
88, 89, 103, 106, 123, 129, 296, 298, 302, 303 : 셔터
102, 105, 122, 128 : 통과구
110, 111, 125 : 기체 공급 장치
131 : 가열 처리 장치 132 : 냉각 처리 장치
본 발명은 기판의 도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼 표면에 레지스트막을 형성하는 레지스트도포 처리, 패턴노광 후의 웨이퍼에 대하여 현상을 하는 현상 처리, 도포 처리전, 노광 처리전후 및 현상 처리후에 하는 가열 처리, 냉각 처리 등이 행하여진다. 이들 처리는, 개별로 설치된 각 처리 장치에서 행하여져, 이들 각 처리 장치는, 상기 일련의 처리를 연속하여 행할 수 있도록, 도포 현상 처리 시스템으로서 하나에서 정리되고 있다. 또 패턴의 노광 처리 자체는, 통상, 도포 현상 처리 시스템에 인접하여 설치되어 있는 노광 처리 장치에서 행하여지고 있다.
통상, 상기 도포 현상 처리 시스템은, 이 도포 현상 처리 시스템내에 웨이퍼를 반입반출하는 로더·언로더부와, 도포 처리 장치, 현상 처리 장치, 열처리 장치 등을 갖고, 상기 웨이퍼 처리의 대부분이 행하여지는 처리부와, 이 처리부와 상기 시스템 외부의 노광 처리 장치 사이에서 웨이퍼를 주고받는 인터페이스부로 구성되어 있다.
그리고, 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서 웨이퍼의 처리가 행하여지는 때는, 웨이퍼에 미립자 등의 불순물이 부착하는 것을 방지하기 위해서, 상기 도포 현상 처리 시스템내에는, 공기청정기 등으로 청정하게 된 공기가 다운플로우(down flow)로서 공급되어, 그 한쪽에서, 도포 현상 처리 시스템내의 분위기를 배기하도록 하여, 웨이퍼를 청정한 상태로 처리할 수 있도록 하고 있었다.
그렇지만, 근년, 보다 미세하고, 보다 정밀한 회로 패턴을 형성하기 위해서, 보다 짧은 파장(예를 들어, 157 nm)의 빛을 사용한 노광기술이 개발되면서 그 짧은 파장의 빛을 사용한 경우에는, 지금까지 문제가 되지 않은 분자 레벨의 불순물, 예를 들어, 산소, 오존, 수증기 등이 노광 처리에 악영향을 줘, 정밀한 회로 패턴이 형성되지 않은 것이 염려된다.
따라서, 적어도 웨이퍼가 노광 처리되는 때는, 웨이퍼 상에 산소 등의 불순물이 부착하고 있지 않도록 해야 하지만, 종래와 같은 청정한 공기의 공급만으로서는, 그 공기내에 산소 등의 불순물이 포함되고 있기 때문에, 웨이퍼 상에 불순물이 부착하는 것을 효과적으로 억제할 수 없고, 웨이퍼 상에 부착하여 버린 불순물도 제거 할 수도 없다.
본 발명은, 이러한 점에 비추어 행해진 것으로서, 도포 현상 처리 시스템이나 도포 현상 처리 방법에 있어서, 웨이퍼 등의 기판에 부착한 산소 등의 분자 레벨의 불순물을 가능한 한 제거하는 것을 그 목적으로 한다.
이 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에 의하면, 본 발명은, 기판에 대하여 도포 현상 처리를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템으로서, 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치와, 상기 기판을 현상하는 현상 처리 장치와, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치와, 이들 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 및 열처리 장치에 대하여 상기 기판의 반입반출하는 제 1 반송장치를 갖는 처리부와, 적어도 상기 처리부와 상기 기판에 대하여 노광 처리를 하는 시스템 외부의 노광 처리 장치 사이의 경로로 기판의 반송을 하는 제 2 반송 장치를 갖는 인터페이스부와, 상기 기판이 상기 노광 처리되기 전에, 상기 기판의 도포막에 부착한 불순물을 챔버내에서 흡인하여 제거하는 감압 제거 장치를 갖고 있다.
또한, 상기 제 2 반송 장치는, 상기 처리부에 대하여 기판을 반입반출하는 기능을 갖고 있으면 충분하고, 시스템 밖에 있는 노광 처리 장치내에 반입반출하는 기능까지 갖고 있을 필요는 없다. 또한 먼지나 쓰레기 등의 미립자 뿐만 아니라, 산소, 오존, 수증기, 유기물 등의 분자 레벨의 불순물도, 여기서 말하는 불순물이다.
본 발명의 별도의 관점에 의하면, 본 발명은, 기판에 대하여 도포 현상 처리를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템으로서, 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치와, 상기 기판을 현상하는 현상 처리 장치와, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치와, 이들 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 및 열처리 장치에 대하여 상기 기판의 반입반출을 하는 제 1 반송장치를 갖는 처리부와, 적어도 상기 처리부와 상기 기판의 노광 처리를 하는 시스템 외부의 노광 처리 장치 사이의 경로로 기판의 반송을 하는 제 2 반송 장치를 갖는 인터페이스부와, 상기 인터페이스부와 상기 노광 처리 장치 사이에 접속되고, 기밀하게 폐쇄가능한 주고받음부와, 상기 주고받음부내를 소정의 설정 압력으로 감압하는 감압 장치를 갖는다.
본 발명의 별도의 관점에 의하면, 본 발명의 도포 현상 처리 방법은, 기판에 대하여 도포 현상 처리하는 방법으로서, 기판에 도포액을 공급하고, 기판에 도포막을 형성하는 공정과, 상기 도포막이 형성된 기판에 소정의 빛을 조사하여, 상기 기판을 노광하는 공정과, 노광 처리후에 상기 기판을 현상하는 공정과, 상기 도포막 형성 공정과 상기 노광 공정과의 사이에, 상기 기판에 부착한 불순물을 상기 기판으로부터 제거하는 공정을 갖고 있다.
본 발명에 의하면, 감압 제거 장치에 의해서 기판의 도포막에 부착한 불순물을 제거함에 의해, 상기 기판의 노광 처리가 불순물에 의해서 악영향을 받는 일없이, 적합하게 행하여진다. 따라서, 예를 들어, 157㎚ 이하의 짧은 파장의 빛에 의해서 노광한 경우라도, 노광 후의 기판에 결함이 생길 염려가 없다. 또 기판의 주변 분위기를 항상 청정한 분위기로 유지하여, 기판에 불순물이 부착하는 것을 방지하는 것도 생각되지만, 분자 레벨의 산소나 수증기를 완전히 제거한 분위기를 만드는 것은 곤란하고, 불순물의 부착방지에는 한계가 있다. 따라서, 본 발명과 같이, 일단 부착한 불순물을 제거할 수 있는 장치를 설치하는 것이, 보다 실용적이고 효과가 있다. 감압 제거 장치를 배치하는 위치는, 도포 현상 처리 시스템의 내부이더라도 좋고, 도포 현상 처리 시스템의 외부이더라도 좋다. 또한, 상기 감압 제거 장치에 있어서 처리액중의 용제도 동시에 증발시킬 수 있으므로, 종래, 가열에 의해서 행하여지고 있는 이러한 증발 처리를 동시에 실시하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 인터페이스부와 노광 처리 장치 사이에 접속되어, 기밀하게 폐쇄가능한 상기 주고받음부와, 그 주고받음부를 감압하는 상기 감압 장치를 설치하는 것에 의해, 노광 처리 전에 기판은 상기 주고받음부내를 통과하여, 그 때에 주고받음부내를 감압시킬 수 있다. 그리고, 주고받음부내가 감압되면, 그것에 의하여, 기판 표면에 부착하고 있는 산소 등의 분자 레벨의 불순물도 기판으로부터 이탈시켜, 이것을 제거할 수 있다. 그 결과, 그 후의 노광 처리가 불순물에 의해서 악영향을 받는 일없이, 적합하게 행하여진다. 따라서, 예를 들어, 157㎚ 이하의 짧은 파장의 빛에 의해서 노광한 경우라도, 노광후의 기판에 결함이 생길 염려는 없다. 또한 처리액중의 용제도 동시에 증발시킬 수 있으므로, 종래, 가열에 의해서 행하여지고 있는 이러한 증발 처리를 동시에 실시할 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해서 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템(1)의 평면도이고, 도 2는 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면도이며, 도 3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를 들어, 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부에서 도포 현상 처리 시스템(1)에 대하여 반입반출하거나, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하기도 하는 카세트 스테이션(2)과 도포 현상 처리 공정에서 낱장식으로 소정의 처리를 웨이퍼(W)에 실시하는 각종 처리 장치를 다단으로 배치하고 있는 처리부로서의 처리 스테이션(3)과, 이 처리 스테이션(3)과 인접하여 설치되어, 상기 처리 스테이션(3)과 도포 현상 처리 시스템(1) 외에 설치되어 있는 노광 처리 장치(6) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 때의 경로의 일부를 담당하는 인터페이스부(4)와, 이 인터페이스부(4)와 노광 처리 장치 (6)의 사이에 설치되어, 인터페이스부(4)와 노광 처리 장치(6) 사이의 웨이퍼(W)의 주고받음을 하는 주고받음부(5)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(2)에서는, 카세트 재치대(7)상의 소정의 위치에, 복수의 카세트(C)를 X방향(도 1중의 상하방향)에 일렬로 재치가능하게 되어있다. 그리고, 이 카세트 배열방향(X방향)으로 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향 (Z 방향; 연직방향)에 대하여 이송가능한 웨이퍼 반송체(8)가 반송로(9)에 따라 이동가능하게 설치되어 있고, 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 억세스할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼 반송체(8)는 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 하는 얼라이먼트 기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼 반송체(8)는 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(3)측의 제 3 처리 장치군(G3)에 속하는 익스텐션 장치(32) 및 어드히젼 장치(31)에 대하여도 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리 스테이션(3)에서는, 그 중심부에 제 1 반송장치로서의 주반송 장치(13)가 설치되어 있고, 이 주반송 장치(13)의 주변에는 각종 처리 장치가 다단으로 배치되어 처리 장치군을 구성하고 있다. 이 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서는, 4개의 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)이 배치되어 있고, 제1 및 제 2 처리 장치군 (G1, G2)은 현상 처리 시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제 3 처리 장치군(G3)은 카세트 스테이션(2)에 인접하여 배치되며, 제4의 처리 장치군(G4)은, 인터페이스부 (4)에 인접하게 배치되어 있다. 더욱 선택적으로 파선으로 나타낸 제5의 처리 장치군(G5)을 배면측에 별도 배치가능하게 되어 있다. 상기 주반송 장치(13)는, 이들 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)에 배치되어 있는 후술하는 각종 처리 장치에 대하여, 웨이퍼(W)를 반입반출 가능하게 한다.
제 1 처리 장치군(G1)에서는, 예를 들어, 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 (W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치(17)와, 노광 처리후의 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(18)가 밑으로부터 순차로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리 장치군(G2)의 경우도 동일하게, 레지스트 도포장치(19)와, 현상 처리 장치(20)가 밑으로부터 순차로 2단으로 겹쳐 쌓아지고 있다.
제 3 처리 장치군(G3)에서는, 예를 들어, 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 (W)를 냉각 처리하는 냉각장치(30), 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 정착성을 높이기 위한 어드히젼 장치(31), 웨이퍼(W)를 일단 대기시키기 위한 익스텐션 장치(32), 현상 처리후의 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 장치(33, 34) 및 현상 처리후의 웨이퍼 (W)에 가열처리를 실시하는 포스트베이킹 장치(35, 36) 등이 밑으로부터 순차로 예를 들어, 7단으로 포개어져 있다.
제 4의 처리 장치군(G4)에서는, 예를 들어, 냉각장치(40), 노광 처리전후의 웨이퍼(W)를 재치하고, 일단 대기시키기 위한 익스텐션 장치(41, 42), 노광 처리후의 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 소정 온도로 냉각하는 가열·냉각 처리 장치(43, 44, 45)(도 3중의 PEB/COL), 레지스트액 중의 용제를 증발시키기 위해 가열하여, 그 후 소정의 온도로 냉각하는 가열·냉각 처리 장치(46, 47)(도 3 중의 PRE/COL) 등이 밑으로부터 순차로 예를 들어, 8단으로 겹쳐 쌓여지고 있다.
상기 가열·냉각 처리 장치(43)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 그 케이싱 (43a) 내의 받침대(50)상에 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 원반형상의 열판(51)과, 그 열판(51)상까지 이동하고, 열판(51)상에서 웨이퍼(W)를 받아들여 냉각하는 냉각판 (52)을 갖고 있다. 그리고, 같은 장치내에서 웨이퍼(W)의 가열·냉각 처리를 연속하여 행하여, 가열에 의해서 웨이퍼(W)에 주는 열이력을 항상 일정하게 유지할 수 있게 되어 있다. 또, 다른 가열·냉각 장치(44∼47)도 같은 구성을 갖고 있다.
인터페이스부(4)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 그 중앙부에 제 2 반송 장치로서의 웨이퍼 반송체(55)가 설치된다. 이 웨이퍼 반송체(55)는 X방향(도 1중의 상하방향), Z 방향(수직방향)의 이동과 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 가능하도록 구성되어 있고, 제4의 처리 장치군(G4)에 속하는 익스텐션 장치 (41, 42), 주변 노광 장치(56) 및 주고받음부(5)에 대하여 억세스하고, 각각에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
주고받음부(5)는, 터널 형상으로 그 단면이 사각형인 케이싱(5a)에 의해서, 둘러싸여 있고, 다른 분위기가 용이하게 주고받음부(5)내에 유입하지 않도록 구성되어 있다. 주고받음부(5)는 인터페이스부(4)로부터 노광 처리 장치(6)에 웨이퍼 (W)가 반송될 때에 통과하는 제 1 경로(60)와, 노광 처리 장치(6)로부터 인터페이스부(4)에 웨이퍼(W)가 반송될 때에 통과하는 제 2 경로(61)를 갖고 있다. 제 1 경로(60)와 제 2 경로(61) 사이에는, 칸막이 판(64)이 설치되어 있고, 제 1의 경로 (60)와 제 2 경로(61)와의 분위기가 간섭하지 않게 되어 있다.
제 1 경로(60)내에는, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 부착한 산소 등의 불순물을 감압실내에서 흡인하여 제거하는 감압 제거 장치(65)와, 감압 제거 장치(65)와 노광 처리 장치(6)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 제 3 반송 장치로서의 웨이퍼반송기구(66)가 설치된다.
여기서, 감압 제거 장치(65)의 구성에 관해서 자세히 설명한다. 감압 제거 장치(65)는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 그 케이싱(65a) 내에, 아래면이 개구한 대략 통형상으로 형성되어, 상하로 이동가능한 덮개(70)와, 그 덮개(70)의 아래쪽에 위치하여, 덮개(70)와 일체로 되어 챔버로서의 감압실(S)을 형성하는 재치대(71)를 갖고 있다.
덮개(70)의 윗면 중앙부에는, 감압실(S)내의 분위기를 배기하기 위한 배기관 (75)이 설치되어 있고, 그 배기관(75)은, 흡인장치(76)에 통하여 있다. 따라서, 흡인장치(76)의 가동에 의해서, 배기관(75)으로부터 감압실(S) 내의 분위기가 흡인되어, 감압실(S) 내에 기류가 형성됨과 동시에, 감압실(S)내가 감압되게 되어 있다. 덮개(70)의 내부의 상부에는, 정류판(77)이 설치되어 있고, 감압실(S)내를 감압한 때는, 감압실(S) 내에 형성되는 기류의 어지러움을 억제하여, 감압실(S)내의 분위기를 균일하게 배기할 수 있도록 되어 있다.
재치대(71)는 두께가 있는 원반 형상으로 형성되어 있고, 그 위에 웨이퍼(W)를 재치할 수 있도록 되어 있다.
재치대(71)에는, 예를 들어, 펠티어 소자 등의 도시하지 않은 온도조절 수단이 설치되어 있고, 재치대(71)를 소정의 온도로 제어하는 것으로, 재치대(71)에 재취된 웨이퍼(W)의 온도를 웨이퍼(W) 면내에서 균일히 유지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 재치대(71)의 상기 덮개(70)의 하단부에 대응하는 위치에는, 복수의 흡인구 (78)를 설치하더라도 좋고, 감압실(S)을 형성하는 경우에 있어서 덮개(70)의 하단부와 재치대(70)가 접촉하였을 때에, 이들 흡인구(78)로부터의 흡인력에 의해서 덮개 (70)와 재치대(71)의 밀착성이 유지된다. 또한, 재치대(71)의 중앙부근에는, 재치대(71)를 상하방향으로 관통하는 관통공(80)이 설치되어 있고, 후술하는 승강핀 (81)이 관통공(80)내를 승강할 수 있도록 되어 있다.
재치대(71)의 아래쪽에는, 재치대(71)의 아래면과 일체로 되어 개방실(K)을 형성하는 대략 통형상의 용기(82)가 설치된다. 이 개방실 (K)은, 관통공(80)을 통해 감압실(S)과 연통하고 있다. 그리고, 용기(82)의 아래면에는, 개방실(K) 내의 분위기를 대기에 개방하는 통풍관(83)이 설치되어 있고, 관통공(80) 및 개방실(K)을 통하여 감압실(S) 내의 분위기를 대기에 개방할 수 있도록 구성되어 있다. 용 기(82)내에는, 웨이퍼(W)를 승강하기 위한 승강핀(81)이 설치되어 있고, 이 승강핀 (81)에는 승강 이동 기구(84)에 의해서, 상기 관통공(80)내를 승강가능하게 되어 있다.
케이싱(65a)의 인터페이스부(4)측과 노광 처리 장치(6)측에는, 웨이퍼(W)를 반입반출하기 위한 반송구(86, 87)가 각각 설치되어 있고, 각 반송구(86, 87)에는, 셔터(88, 89)가 설치된다.
제 2 경로(61)내에는, 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)를 인터페이스부(4)에 반송할 때에 일단 재치시켜 놓기 위한 재치부(95)와, 노광 처리 장치(6)내의 웨이퍼(W)를 상기 재치부(95)까지 반송하기 위한 제4의 반송장치로서의 웨이퍼 반송기구(69)가 설치된다.
재치부(95)는, 원반 형상으로 형성되어 있고, 그 중심 부근에는, 재취된 웨이퍼(W)를 승강시키는 승강기구(98)가 설치된다. 그리고, 이 승강기구(98)에 의해서, 재치부(95)와 웨이퍼 반송기구(69) 및 웨이퍼 반송체(55) 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 할 수 있게 되어 있다.
주고받음부(5)와 인터페이스부(4) 사이에는, 주고받음부(5)내의 분위기와 인터페이스부(4)내의 분위기를 차단하기 위한 칸막이 판(100)이 설치된다. 이 칸막이 판(100)의 상기 감압 제거 장치(65)에 대향하는 위치에는, 통과구(102)가 설치되어 있고, 상기 웨이퍼 반송체(55)에 의해, 인터페이스부(4)로부터 감압 제거 장치(65)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 더욱, 이 통과구(102)에는 통과구(102)를 개폐하는 셔터(103)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)가 통과구(102)를 통과하는 경우에만 셔터(103)가 개방되고, 그 이외의 경우에는 셔터(103)가 닫혀지게 되어 있다.
칸막이 판(100)의 상기 재치부(95)에 대향하는 위치에는, 통과구(105)가 설치되어 있고, 상기 웨이퍼 반송체(55)에 의해 재치부(95)로부터 인터페이스부(4)내에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 더욱, 이 통과구(105〕에는 통과구 (105)를 개폐가능하게 하는 셔터(106)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)가 통과구(105)를 통과하는 경우에만 셔터(106)가 개방되게 되어 있다.
이와 같이 구성된 주고받음부(5)의 각 경로, 즉 제 1 경로(60), 제 2 경로 (61)의 상부에는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 불활성 기체를 공급하는 기체 공급 장치(110, 111)가 개별로 설치되어 있고, 기체 공급장치(110)로부터 제 1 경로(60)내에, 기체 공급 장치(111)로부터 제 2 경로(61)내에 소정의 불활성 기체를 공급할 수 있도록 되어 있다.
이들 각 기체 공급 장치(110. 111)에는 필터장치(110a, 111a)가 설치되어 있고, 이들 각 필터장치(110a, 11la)는, 도시하지 않은 공급원 등으로부터 공급된 소정 농도의 불활성 기체를 소정의 온도, 습도로 조절하는 기능과, 불활성 기체중의 미립자를 제거하는 ULPA 필터와, 불활성 기체 중에 포함되는 알카리 성분을 중화시키는 케미컬 필터를 갖고 있다. 따라서, 제 1 경로(60) 및 제 2 경로(61)에는, 각 경로마다 온도나 습도가 조정되어, 더욱 청정화된 불활성 기체가 공급할 수 있도록 되어 있다.
제 1 경로(60) 및 제 2 경로(61)의 하부에는, 배기관(112, 113)이 각각 설치되어 있고, 각 경로내의 분위기가 배기되도록 구성되어 있다. 따라서, 상기 기체 공급 장치(110, 111)로부터 상기 각 경로내에 공급된 불활성 기체가, 각 경로내를 통하여, 배기관(112, 113)으로부터 배기되어, 그 결과 각 경로내의 불순물, 예를 들어, 산소, 오존, 수증기 등은 퍼지되어, 각 경로내를 청정한 분위기로 유지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 각 경로내의 압력은, 각 경로에 대응하는 기체 공급 장치(110, 111)의 불활성 기체의 공급량을 조절하는 것에 의해 소정의 압력으로 제어할 수 있다.
또 배기관(112, 113)에는, 불순물의 농도를 측정하는 농도 센서(112a, 113a)가 각각 설치된다. 이들 각 농도 센서(112a, 113a)로부터의 신호는, 제어 장치(도시하지 않음)로 보내여지고, 지정의 농도보다 높은 경우에는, 불활성 기체의 공급량을 증가시키고, 반대로 낮은 경우에는, 공급량을 저감시키는 제어가 이루어진다.
웨이퍼(W)의 노광 처리를 하는 노광 처리 장치(6)는 도 1에 나타낸 바와 같이 주고받음부(5)에 인접하여 설치된다. 이 노광 처리 장치(6)는, 그 노광 처리 장치(6)의 케이싱(6a)에 의해 밀폐되어 있고, 노광 처리 장치(6)내의 분위기를 엄격히 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 케이싱(6a)의 주고받음부(5)측에는, 제 1 경로(60)로부터 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 통과구(115)와, 제 2 경로(61)에 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 통과구(116)가 설치되어 있고, 이들 각 통과구(115, 116)에는, 각각 통과구(115, 116)를 개폐하는 셔터(117, 118)가 설치된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)으로 행하여지는 포토 리소그래피 공정의 프로세스를 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)의 처리가 시작되기 전에, 기체 공급 장치(110, 111)에 의해 주고받음부(5)의 각 경로, 즉 제 1 경로(60), 제 2 경로(61)내에 소정 온도 및 습도, 예를 들어, 23 ℃, 45%로 조절되어, 미립자가 제거된 불활성 기체가 공급된다. 그리고, 각 경로내의 분위기를 미립자 및 산소 등의 불순물을 포함하지 않은 청정한 분위기로 치환하여, 이후, 그 상태를 유지하도록 한다. 또한, 이 때의 주고받음부(5)내의 압력(P1), 노광 처리 장치(6)내의 압력(P2)은, P2 > P1의 관계가 되도록 설정하고, 주고받음부(5)내의 분위기가 노광 처리 장치(6)내에 유입하는 것을 방지한다.
상기 압력(P1, P2)은, 도포 현상 처리 시스템(1)이 설치되어 있는 크린룸내의 압력(P0) 보다도 높게 설정되어, 불순물, 미립자 등을 함유하고 있는 크린룸내의 분위기가 직접 도포 현상 처리 시스템(1)내에 유입하는 것을 방지한다. 또, 각 경로에 공급되는 불활성 기체의 온도, 습도 혹은 농도는, 상술한 바와 같이 동일하게 하여도 좋고, 필요한 경우에는, 다르도록 하더라도 좋다.
그리고 웨이퍼(W)의 처리가 개시되면, 우선, 카세트 스테이션(2)에서, 웨이퍼 반송체(7)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W) 1장을 꺼내어, 처리 스테이션(3)의 어드히젼 장치(31)에 반입한다.
이어서, 어드히젼 장치(31)에서, 레지스트액과의 밀착성을 향상시키는 HMDS 등의 밀착 강화제를 도포한 웨이퍼(W)는, 주반송 장치(13)에 의해서, 냉각 장치(30)로 반송되어, 소정의 온도로 냉각된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포장치(17 또는 19)로 반송되어, 레지스트도포 처리가 실시된다. 그리고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 가열·냉각 처리 장치(46 또는 47)(도 3중의 PRE/COL)에 반송되어, 가열·냉각 처리가 실시된다. 이 때, 가열 처리 및 냉각 처리를 개별로 설치된 각 장치에서 순차적으로 행하는 것은 아니고, 가열·냉각 처리 장치(46, 47)와 같은 단일의 장치내에서 가열·냉각 처리를 하는 것에 의해, 웨이퍼(W)가 가열처리되고 나서 냉각 처리되기까지의 시간을 항상 일정하게 할 수 있기 때문에, 가열에 의해서 웨이퍼(W)에 주어지는 열이력을 각 웨이퍼(W) 사이에 있어 동일하게 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 레지스트 도포 처리부터 현상 처리까지 행하여지는 모든 가열, 냉각 처리를 가열·냉각장치(43∼47)를 사용하여 행하도록 하였기 때문에, 레지스트 도포부터 현상 처리까지 이러한 소요 시간을 모든 웨이퍼 (W)에서 동일하게 할 수 있다.
그 후, 웨이퍼(W)가 익스텐션 장치(41)에 반송되어, 웨이퍼 반송체(55)에 의해서 익스텐션 장치(41)로부터 인터페이스부(4)내의 주변 노광 처리 장치(56)에 반송된다. 그리고, 주변 노광 장치(56)로 그 주변부가 노광된 웨이퍼(W)가 다시 웨이퍼 반송체(55)에 유지되어, 통과구(102)로부터 주고받음부(5)의 제 1 경로(60)내의 감압 제거 장치(65)로 반송된다. 이 때, 셔터(103)가 개방되어, 웨이퍼(W)가 감압 제거 장치(65)내에 반송되면, 셔터(103)는 다시 닫혀진다.
여기서, 감압 제거 장치(65)에서 행하여지는 불순물의 제거 공정의 프로세스에 관해서 자세히 설명한다. 우선, 도 5에 나타낸 케이싱(65a)의 인터페이스부(4)측의 셔터(88)가 개방되어, 상술한 웨이퍼 반송체(55)에 의해서, 웨이퍼(W)가 케이싱(65a) 내에 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 승강핀(81)으로 주고받고, 그 후 승강핀(81)의 하강에 의해, 소정 온도, 예를 들어, 23℃로 유지되어 있는 재치대(71)상에 재취된다. 이 경우, 감압에 의해서 열의 전달에 변화가 생기기 때문에, 재치대(71)내에 온도 조절 기구를 설치하고, 적극적으로 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 이 때의 온도 조절 기구는, 예를 들어, 15℃∼30℃에서의 범위로 제어할 수 있는 것이 좋다.
그리고, 덮개(70)가 하강하여 덮개(70)의 하단부가 재치대(71)와 접촉하면, 감압실(S)이 형성된다. 이 때, 흡인구(78)로부터의 흡인이 시작되어, 그 흡인력에 의해 덮개(70)와 재치대(71)가 밀착된다. 그 후, 흡인 장치(76)가 가동하여, 배기관(75)으로부터 감압실(S) 내의 분위기가 배기되기 시작하면, 감압실(S) 내에 기류가 형성되어, 웨이퍼(W)에 부착하고 있는 불순물이 기류와 같이 배출된다. 또, 이 때의 흡인장치(76)의 설정 압력은, 웨이퍼(W) 상에 부착한 불순물을 제거하기 위해서, 200∼300㎩ 이하 인 것이 바람직하다. 그리고, 감압실(S)이 소정 압력까지 감압되어, 소정 시간, 예를 들어, 대략 수분 정도 경과 후, 흡인장치(76)가 정지된다. 이상의 과정에서 소기의 감압제거 처리가 실시된다.
또 이 경우, 흡인구(78)부터의 흡인량은, 웨이퍼(W)가 감압실(S)에 납입된 직후, 즉 덮개(70)와 재치대(71)가 밀착된 직후에 가장 많아지도록 제어하는 것이 바람직하다.
더욱 또, 덮개(70)의 일부에 광학용의 창을 형성하여 두고, 적절한 광학 측정 센서에 의해서, 웨이퍼(W)에서 불순물이 제거되어 있는지 어떤지를 측정하도록 하여도 좋다.
이어서, 통풍관(83)이 개방되어, 감압실(S)이 원래의 압력으로 복귀된다. 흡인구(78)의 흡인이 정지된 후, 덮개(70)가 상승된다.
이어서, 웨이퍼(W)가 승강핀(81)에 의해서 들어 올려지고, 노광 처리 장치 (6)측의 웨이퍼 반송 기구(66)로 주고받는다. 그리고, 웨이퍼(W)가 케이싱(65a)의 통과구(87)를 통과하고, 감압 제거 장치(65)내에서 반출되면, 웨이퍼(W)의 불순물의 제거 공정이 종료한다.
그 후, 노광 처리 장치(6)의 케이싱(6a)의 셔터(117)가 개방되어, 웨이퍼 반송기구(66)에 의해서 통과구(115)로부터 노광 처리 장치(6)내에 웨이퍼(W)가 반입된다.
이어서, 웨이퍼(W)는, 노광 처리 장치(6)에서 소정의 패턴이 노광된다. 그리고, 노광이 종료한 웨이퍼(W)는, 제 2 경로(61)내의 웨이퍼 반송기구(69)에 의해서, 노광 처리 장치(6)로부터 통과구(116)를 통하여 제 2 경로(61)내로 반출된다. 이 때, 셔터(118)가 개방되어, 웨이퍼(W)가 통과하면 다시 닫혀진다.
그리고, 제 2 경로(61)내에 반입된 웨이퍼(W)는, 재치부(95)상까지 이동되어, 재치부(95)의 승강기구(98)로 주고받고, 그 후 재치부(95)에 일단 재취된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(55)에 의해서, 재치부(95)로부터 셔터 (106)의 개방된 통과구(105)를 통과하여, 인터페이스부(4)내를 통해, 처리 스테이션(3)내의 익스텐션 장치(42)에 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 주반송 장치(13)에 의해서, 가열·냉각 처리 장치(43, 44 또는 45)에 반송되어, 노광 처리후의 가 열, 냉각 처리가 순차 실시된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 현상 처리 장치(18 또는 20)에 반송되어, 현상 처리된다. 그리고, 현상 처리된 웨이퍼(W)는, 포스트베이킹 장치(35 또는 36)에 반송되어 가열되고, 그 후 냉각 장치(33 또는 34)에 반송되어, 소정 온도로 냉각된다. 그리고, 제 3 처리 장치군의 익스텐션 장치(32)로 반송되어, 거기에서 웨이퍼 반송체(8)에 의해서, 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)로 복귀된다. 이상의 공정에 의해 일련의 포토리소그래피 공정이 종료한다.
이상의 실시 형태에 의하면, 인터페이스부(4)와 노광 처리 장치(6)의 사이에 주고받음부(5)를 설치하여, 그 주고받음부(5)에, 감압 제거 장치(65)를 설치하였기 때문에, 웨이퍼(W)가 노광 처리되기 전에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 부착하고 있는 불순물을 제거할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 노광 처리가 산소 등의 불순물에 의해서 영향을 미치는 일없이 적합하게 행하여진다.
또한, 주고받음부(5)내에 불순물 및 미립자가 제거된 불활성 기체를 공급하고, 주고받음부(5)내를 청정한 분위기로 유지하였기 때문에, 노광 처리전후의 웨이퍼(W)에 불순물 등이 부착하는 것이 방지된다. 노광 처리전의 웨이퍼(W)는, 감압 제거 장치(65)로 이미 청정화되어 있지만, 이 청정화 후의 웨이퍼에 다시 불순물이 부착하는 것이 방지된다.
인터페이스부(4)와 주고받음부(5)의 사이에 셔터(103, 106)를 설치하였기 때문에, 인터페이스부(4)내의 불순물의 함유하는 분위기가 주고받음부(5)내에 유입하는 것이 억제되고, 주고받음부(5)내의 분위기가 청정한 분위기로 유지된다.
더욱, 주고받음부(5)내의 압력(P1)을 노광 처리 장치(6)내의 압력 P2보다도 낮게 설정하였기 때문에, 주고받음부(5)내의 분위기가, 분위기가 엄격히 제어되어 있는 노광 처리 장치(6)내에 유입하는 것이 방지된다.
또한, 주고받음부(5)를 제 1 경로(60)와 제 2 경로(61)로 나눠 설치하였기 때문에, 웨이퍼(W)가 인터페이스부(4)로부터 감압 제거 장치(65)를 통해 노광 처리 장치(6)에 반송되어, 노광 처리 장치(6)로부터 다시 인터페이스부(4)까지 복귀되기까지의 공정이 원활하게 행하여진다.
이상의 실시 형태에서는, 인터페이스부(4)와 노광 처리 장치(6) 사이에 주고받음부(5)를 설치하여, 그 주고받음부(5)내에 감압 제거 장치(65)를 설치하고 있었지만, 이 감압 제거 장치(65)를 인터페이스부(4)내에 설치하도록 하더라도 좋다. 이하, 이러한 경우에 관해서 제 2 실시 형태로서 설명한다.
제 2 실시 형태에서는, 예를 들어, 도 7에 나타낸 바와 같이, 도포 현상 처리 시스템(1)의 인터페이스부(4)내의 정면측에서 또한, 웨이퍼 반송체(55)가 억세스 가능한 위치에 감압 제거 장치(120)가 설치된다. 그리고, 노광 처리 장치(6)는, 인터페이스부(4)에 인접하여 설치되고, 그 케이싱(6a)에는, 단일의 통과구(122)와 그 통과구(122)를 개폐하는 셔터(123)가 설치된다.
인터페이스부(4)의 상부에는, 도 8에 나타낸 바와 같이 상술한 기체 공급 장치(110)와 같은 구성을 갖는 기체 공급 장치(125)가 설치되어, 인터페이스부(4)내에 불활성 기체를 공급하여, 인터페이스부(4)내를 청정한 분위기로 유지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 인터페이스부(4)의 하부에는, 인터페이스부(4)내의 분위기를 배기하는 배기수단으로서의 배기관(126)이 설치된다.
인터페이스부(4)와 처리 스테이션(3) 사이에는, 인터페이스부(4)와 처리 스테이션(3)내의 분위기를 차단하기 위한 칸막이 판(127)이 설치된다. 그 칸막이 판(127)의, 제4의 처리 장치군(G4)의 익스텐션 장치(41및 42)에 대향하는 위치에는, 통과구(128)와 그 통과구(128)를 개폐하는 셔터(129)가 설치되고, 처리 스테이션(3)내의 분위기가 인터페이스부(4)내에 유입하는 것이 방지되어 있다.
이상과 같이 구성된 제 2 실시 형태에 있어서의 포토리소그래피공정의 프로세스를 설명하면, 우선, 기체 공급 장치(125)로부터 인터페이스부(4)내에 불활성 기체가 공급되어, 인터페이스부(4)내의 분위기를 청정한 분위기로 치환, 유지된다.
그리고, 웨이퍼(W)의 처리가 개시되면, 제 1 실시 형태와 동일하게, 웨이퍼 (W)가 카세트 스테이션(2)으로부터 처리 스테이션(3)에 반송되어, 어드히젼 처리, 레지스트 도포 처리, 가열·냉각 처리가 순차적으로 행하여져, 그 후 익스텐션 장치(41)에 반송된다.
그리고, 웨이퍼 반송체(55)에 의해서, 웨이퍼(W)가 인터페이스부(4)내의 주변 노광 처리 장치(56)에 반송되어, 그 후, 감압 제거 장치(120)내에 반송된다. 이 감압 제거 장치(120)에서, 제 1 실시 형태와 동일하게, 웨이퍼(W) 상에 부착하고 있는 불순물 등이 제거된다. 이어서, 청정화된 웨이퍼(W)가 다시 웨이퍼 반송체(55)에 유지되어, 통과구(122)로부터 노광 처리 장치(6)내에 반송되어, 노광 처리된다. 그리고, 노광 처리가 종료하여 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(55)에 의해서, 처리 스테이션(3)내의 익스텐션 장치(42)에 반송된다.
그 후, 제 1 실시 형태와 동일하게 처리 스테이션(3)에서 가열·냉각 처리, 현상 처리 등이 행하여져, 최종적으로 카세트 스테이션(2)에 복귀되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료한다.
이와 같이, 감압 제거 장치(120)를 인터페이스부(4)내에 설치하는 것에 의해, 기존의 도포 처리 시스템과 같은 크기로, 웨이퍼(W)로부터 불순물을 제거하는 장치를 부착할 수 있기 때문에, 제 1 실시 형태에 비해 시스템의 소형화가 도모된다.
이상의 실시 형태에서는, 감압 제거 장치를 주고받음부(5)내, 혹은 인터페이스부(4)내에 설치하였지만, 그 밖의 장소, 예를 들어, 노광 처리 장치(6)내, 처리 스테이션(3) 내 등에 설치하도록 하더라도 좋다. 이러한 경우에 있어서도, 노광 처리전에 웨이퍼(W)에서 불순물이 제거되면, 노광 처리가 적합하게 행하여져, 같은 효과를 얻을 수 있다.
더욱, 이상의 실시 형태에 있어서, 가열·냉각 장치(46, 47)에서 행하는 레지스트액중의 용제를 증발시키는 처리를 감압 제거 장치(65)에서 행하도록 하더라도 좋다. 이 경우, 예를 들어, 도 9에 나타낸 바와 같이 처리 스테이션(3)의 제4의 처리 장치군(G4)에 가열·냉각장치(46, 47)(PRE/COL) 대신에, 노광후의 가열, 냉각 처리를 하는 가열·냉각장치(130)(PEB/COL), 현상 처리후의 가열처리를 하는 가열 처리 장치(131)를 설치하여, 제 3 처리 장치군(G3)에 노광후의 가열 처리후의 웨이퍼(W)를 냉각 처리하는 냉각 처리 장치(132)를 추가하도록 한다.
그리고, 웨이퍼(W)가 감압 제거 장치(65)내에 반입되어, 재치대(71)에 재치된 때에, 감압실(S) 내의 압력을 레지스트액의 용제가 증발하는 소정의 압력, 예를 들어, 133㎩까지 감압시켜 레지스트액 중의 용제를 증발시키고, 그 때에 상술한 불순물을 제거 처리하도록 한다. 이렇게 함으로써, 상기 감압 제거 장치(65)내에서 용제 증발처리와, 불순물 제거 처리의 양자를 동시에 행할 수 있다. 따라서, 종래 가열·냉각장치(46, 47)에서 행하고 있는 처리를 감압 제거 장치(65)에서 행할 수 있다. 따라서, 용제 증발 처리를 위한 장치 대신에 다른 열처리 장치를 늘릴 수 있기 때문에, 처리 스테이션(3)내의 처리 능력이 향상한다. 또, 다른 열처리 장치를 늘리는 일없이 가열·냉각 장치(46, 47)를 생략한 경우라도, 열처리 장치의 수를 감소시킬 수 있기 때문에, 처리 스테이션(3) 전체의 컴팩트화도 도모할 수 있다.
또 다른 실시 형태에 관해서 설명한다. 도 10은 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템(1)의 평면도이고, 도 11은 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면도이며, 도 12는 도포 현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.
도포 현상 처리 시스템(201)은, 도 10에 나타낸 바와 같이, 예를 들어, 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부에서 도포 현상 처리 시스템(1)에 대하여 반입반출하거나, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하는 카세트 스테이션(202)과 도포 현상 처리 공정에서 낱장식으로 소정의 처리를 웨이퍼(W)에 실시하는 각종 처리 장치를 다단으로 배치하고 있는 처리부로서의 처리 스테이션(203)과, 이 처리 스테이션(203)과 인접하여 설치되어, 상기 처리스테이션(203)과 도포 현상 처리 시스템(201) 밖에 설치하고 있는 노광 처리 장치(206)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 때의 경로의 일부를 담당하는 인터페이스부(204)와, 이 인터페이스부(204)와 노광 처리 장치(206)의 사이에 설치되고, 인터페이스부(204)와 노광 처리 장치(206) 사이의 웨이퍼(W)의 주고받음을 하는 주고받음부(205)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(202)에서는, 카세트 재치대(207)상의 소정의 위치에, 복수의 카세트(C)를 X방향(도 10중의 상하방향)으로 일렬로 재치가능하게 되어있다. 그리고, 이 카세트 배열방향(X방향)과 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향(Z 방향; 연직방향)에 대하여 이송가능한 웨이퍼 반송체(208)가 반송로(209)에 따라 이동가능하게 설치되어 있고, 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 억세스할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼 반송체(208)는, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 하는 얼라이먼트 기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼 반송체(208)는 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(203)측의 제 3 처리 장치군(G3)에 속하는 익스텐션 장치(32) 및 어드히젼 장치(231)에 대하여도 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리 스테이션(203)에서는, 그 중심부에 제 1 반송장치로서의 주반송장치 (213)가 설치되어 있고, 이 주반송 장치(213)의 주변에는 각종 처리 장치가 다단으로 배치되어 처리 장치군을 구성하고 있다. 이 도포 현상 처리 시스템(201)에 있어서는, 4 개의 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)이 배치되어 있는데, 제 1 및 제 2 처리 장치군(G1, G2)은 현상 처리 시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제 3 처리 장치군 (G3)은, 카세트 스테이션(202)에 인접하여 배치되며, 제 4의 처리 장치군(G4)은, 인터페이스부(204)에 인접하여 배치되어 있다. 또한, 선택사항으로서 파선으로 나타낸 제5의 처리 장치군(G5)을 배면측에 별도 배치가능하게 되어 있다. 상기 주반송 장치(213)는, 이들 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)에 배치되어 있는 후술하는 각종 처리 장치에 대하여, 웨이퍼(W)를 반입반출 가능하게 한다.
제 1 처리 장치군(G1)에서는, 예를 들어, 도 11에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 (W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포장치(217)와 노광 처리후의 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(218)가 밑으로부터 순차로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리 장치군(G2)의 경우도 동일하게, 레지스트 도포장치(219)와, 현상 처리 장치(220)가 밑으로부터 순차적으로 2단으로 겹쳐 쌓여지고 있다.
제 3 처리 장치군(G3)에서는, 예를 들어, 도 12에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 (W)를 냉각 처리하는 냉각장치(230), 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 정착성을 높이기 위한 어드히젼 장치(231), 웨이퍼(W)를 일단 대기시키기 위한 익스텐션 장치(232), 현상 처리후의 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각장치(233, 234) 및 현상 처리후의 웨이퍼 (W)에 가열처리를 실시하는 포스트베이킹 장치(235, 236) 등이 밑으로부터 순차적으로 예를 들어, 7단으로 포개여지고 있다.
제 4 처리 장치군(G4)에서는, 예를 들어, 냉각 장치(240), 노광 처리 전후의 웨이퍼(W)를 재치하고, 일단 대기시키기 위한 익스텐션 장치(241, 242), 노광 처리후의 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 소정 온도로 냉각하는 가열·냉각 처리 장치 (243, 244, 245)(도 12 중의 PEB/COL), 레지스트액 중의 용제를 증발시키기 위해서 가열하여, 그 후 소정의 온도로 냉각하는 가열·냉각 처리 장치(246, 247)(도 12 중의 PRE/COL) 등이 밑으로부터 순차적으로 예를 들어, 8단으로 겹쳐 쌓여지고 있다.
상기 가열·냉각 처리 장치(243)는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 그 케이싱 (243a) 내의 받침대(250)상에 기판을 가열하기 위한 원반 형상의 열판(251)과, 그 열판(251)상까지 이동하고, 열판(251)상에서 웨이퍼(W)를 받아들여 냉각하는 냉각판(252)을 갖고 있다. 그리고, 같은 장치내에서 웨이퍼(W)의 가열·냉각 처리를 연속하여 행하고, 가열에 의해서 웨이퍼(W)에 주는 열이력을 항상 일정하게 유지할 수 있게 되어 있다. 또, 다른 가열·냉각 장치(244∼247)도 같은 구성을 갖고 있다.
인터페이스부(204)에는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 그 중앙부에 제 2 반송 장치로서의 웨이퍼 반송체(255)가 설치된다. 이 웨이퍼 반송체(255)는 X방향(도 10 중의 상하방향), Z 방향(수직방향)의 이동과 θ 방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 가능하도록 구성되어 있고, 제 4 처리 장치군(G4)에 속하는 익스텐션 장치(241, 242), 주변 노광 장치(256) 및 주고받음부(205)에 대하여 억세스하고, 각각에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
주고받음부(205)는, 터널 형상으로 그 단면이 사각형이고, 기밀하게 폐쇄가능한 케이싱(205a)에 의해서 둘러싸여 있고, 주고받음부(205)내를 감압하기 쉽게 구성되어 있다. 주고받음부(205)는, 인터페이스부(204)로부터 노광 처리 장치 (206)에 웨이퍼(W)가 반송될 때에 통과하는 제 1 경로(260)와 노광 처리 장치(206)로부터 인터페이스부(204)에 웨이퍼(W)가 반송될 때에 통과하는 제 2 경로(261)를 갖고 있다.
제 1 경로(260)와 제 2 경로(261)의 사이에는, 각 경로마다 기밀성이 유지되도록 칸막이 판(262)이 설치된다. 도 14, 도 15에 나타낸 바와 같이 제 1 경로(260)와 제 2 경로(261)의 상부에는, 각 경로내의 분위기를 흡기하기 위한 흡입기관(265, 266)이 각각 설치되어 있고, 그것들의 흡입기관(265, 266)은, 각각 각 경로내의 분위기를 흡인하여 소정의 설정 압력으로 감압시키는 감압 장치(267 및 268)에 연통되어 있다.
이와 같이, 각 경로는 개별로 구획되어, 개별로 압력 설정할 수 있도록 되어 있고, 특히 제 1 경로(260)에서는, 제 1 경로(260)내의 압력을 감압함으로써, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 부착한 산소 등의 불순물을 제거할 수 있다. 제 1 경로(260)에는, 제 1 경로내에 불활성 기체를 공급하는 기체 공급 수단(269)이 설치되어 있고, 소정의 타이밍으로 제 1 경로(260)내에 불활성 기체를 공급하여, 제 1 경로(260)내의 압력을 회복시킬 수 있다. 또한, 이 불활성 기체는, 불순물이 되는 산소, 오존, 수증기, 유기물 등을 포함하지 않은 것이고, 예를 들어, 질소가스, 네온 가스 등이 사용된다.
제 1 경로(260)내에는, 이 제 1 경로(260)내에서 웨이퍼(W)를 일시 재치하고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 부착한 산소 등의 불순물을 제거하는 재치부 (270)와, 이 재치부(270)로부터 노광 처리 장치(206)까지 웨이퍼(W)를 반송하는 제 3 반송 장치로서의 웨이퍼 반송기구(271)가 설치된다.
여기서, 재치부(270)의 구성에 관해서 자세히 설명한다. 재치부(270)에는, 도 16에 나타낸 바와 같이, 두께가 있는 원반 형상의 재치반(275)이 지지대(276)에 지지되어 설치된다. 이 재치반(275)에는, 웨이퍼(W)를 흡인하여 재치반(275)에 유지시키기 위한 복수의 흡인구(277)가 설치된다. 이 흡인구(277)에는, 적어도 제 1 경로(260)내의 압력보다도 낮은 압력으로 웨이퍼(W)를 흡착시키기 위한 흡인 장치(278)가 연통되어 있고, 감압 장치(267)의 설정 압력에 합해져 그 흡인력을 조절하고, 제 1 경로(260)내를 감압하더라도 웨이퍼(W)가 그 흡인력에 의해서 부상하는 것을 방지할 수 있도록 구성되어 있다.
재치반(275)에는, 재치반(275)의 온도를 조절가능한, 예를 들어, 펠티어 소자 등의 온도 조절 수단(280)이 설치되어 있고, 재치반(275)을 소정의 온도로 제어하여, 재치반(275)에 재취된 웨이퍼(W)의 온도를 웨이퍼(W) 면내에서 균일하게 유지할 수 있도록 되어 있다. 재치반(275)의 아래쪽으로는, 재치반(275)에 설치된 관통구멍(282)내를 상하방향으로 이동가능한 승강핀(283)이 설치되어 있고, 웨이퍼 (W)를 승강시켜, 재치반(275)상에 이것을 재치하는 것이 가능하고, 웨이퍼 반송체 (255) 및 웨이퍼 반송 기구(271) 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 할 수 있도록 구성되어 있다.
한편, 제 2 경로(261)내에는, 도 10에 나타낸 바와 같이 노광 처리가 종료한 웨이퍼(W)를 인터페이스부(204)에 반송할 때에 일단 재치시켜 놓기 위한 재치대 (290)와 노광 처리 장치(206)내의 웨이퍼(W)를 상기 재치대(290)까지 반송하기 위한 제4의 반송장치로서의 웨이퍼 반송기구(291)가 설치된다.
재치대(290)는, 원반 형상으로 형성되어 있고, 그 중심 부근에는, 재치된 웨이퍼(W)를 승강시키는 승강기구(293)가 설치된다. 이 승강기구(293)에 의해서, 재치대(290)와 웨이퍼 반송기구(291) 또는 웨이퍼 반송체(255) 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 할 수 있게 되어 있다.
주고받음부(205)의 케이싱(205a)에서의 인터페이스부(204)측의 상기 재치부(270)에 대향하는 위치에는, 통과구(295)가 설치되어 있고, 상기 웨이퍼 반송체 (255)에 의해서, 인터페이스부(204)로부터 재치부(270)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 또한, 이 통과구(295)에는 통과구(295)를 개폐하여, 제 1 경로(260)내의 기밀성을 유지하는 셔터(296)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)가 통과구 (295)를 통과하는 경우에만 셔터(296)가 개방되고, 그 이외의 경우에는 셔터(296)가 닫혀지게 되어 있다.
케이싱(205a)의 인터페이스부(204)측의 재치대(290)에 대향하는 위치에는, 통과구(297)가 설치되어 있고, 웨이퍼 반송체(255)에 의해 재치대(290)로부터 인터페이스부(204)내에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 이 통과구(297)에는, 통과구(297)를 개폐하여, 제 2 경로(261)내의 기밀성을 유지하는 셔터(298)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)가 통과구(297)를 통과하는 경우에만 셔터(298)가 개방되게 되어 있다.
웨이퍼(W)의 패턴의 노광 처리를 하는 노광 처리 장치(206)는, 도 10에 나타낸 바와 같이 주고받음부(205)에 인접하여 설치된다. 이 노광 처리 장치(206)는, 그 노광 처리 장치(206)의 케이싱(206a)에 의해 밀폐되어 있고, 노광 처리 장치 (206)내의 분위기를 엄격히 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 케이싱(206a) 의 주고받음부(205)측에는, 제 1 경로(260)로부터 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 통과구(300)와, 제 2 경로(261)에 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 통과구(301)가 설치되어 있고, 이들 각 통과구(300, 301)에는, 각각 통과구(300, 301)를 개폐하여, 주고받음부(205)내의 기밀성을 유지하기 위한 셔터(302, 303)가 설치된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(201)으로 행하여지는 포토리소그래피 공정의 프로세스를 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)의 처리가 시작되기 전에, 감압 장치(267, 268)에 의해서 주고받음부(205)의 각 경로, 즉 제 1 경로(260), 제 2 경로(261)내의 압력을 노광 처리 장치(206)내의 압력(P2)보다도 낮은 압력(P1)으로 조절한다. 이 조정에 의해서 각 경로내의 분위기가 노광 처리 장치(206)내에 유입하지 않도록 하여, 이후, 그 상태를 유지하도록 한다.
그리고, 웨이퍼(W)의 처리가 시작되면, 우선, 카세트 스테이션(202)에서, 웨이퍼 반송체(208)가 카세트(C)에서 미처리의 웨이퍼(W)를 1장 집어내어, 처리 스테이션(203)의 어드히젼 장치(231)에 반입한다. 이어서, 어드히젼 장치(231)에서, 레지스트액과의 밀착성을 향상시키는 HMDS 등의 밀착 강화제를 도포한 웨이퍼(W)는, 주반송 장치(213)에 의해서, 냉각 장치(230)에 반송되어, 소정의 온도로 냉각된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포 장치(217 또는 219)에 반송되어, 레지스트도포 처리가 실시된다. 그리고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 가열·냉각 처리 장치(246 또는 247)(도 12 중의 PRE/COL)에 반송되어, 레지스트액중의 용제를 증발시키기 위한 가열·냉각 처리가 실시된다. 이 때, 가열 처리 및 냉각 처리를 개별로 설치된 각 장치에서 순차적으로 행하는 것은 아니고, 가열·냉각 처리 장치(246, 247)와 같이 단일의 장치내에서 가열·냉각 처리를 하는 것에 의해 웨이퍼(W)가 가열처리 되고 나서 냉각 처리되기까지의 시간을 항상 일정하게 할 수 있기 때문에, 가열에 의해서 웨이퍼(W)에 주어지는 열이력을 웨이퍼(W) 사이에 있어 동일하게 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 레지스트도포 처리로부터 현상 처리까지 행하여지는 모든 가열, 냉각 처리를 가열·냉각 장치(243∼247)를 사용하여 행하도록 하였기 때문에, 레지스트 도포로부터 현상 처리까지 이러한 소요 시간을 모든 웨이퍼(W)에서 동일하게 할 수 있다.
그 후, 웨이퍼(W)가 익스텐션 장치(241)에 반송되어, 웨이퍼 반송체(255)에 의해서 익스텐션 장치(241)로부터 인터페이스부(204)내의 주변 노광 처리 장치 (256)에 반송된다. 그리고, 주변 노광 장치(256)로 그 주변부가 노광된 웨이퍼(W)가 다시 웨이퍼 반송체(255)에 유지되어, 통과구(295)로부터 주고받음부(205)의 제 1 경로(260)내의 재치부(270)에 반송된다. 이 때, 셔터(296)가 일시 개방되어, 웨이퍼(W)가 재치부(270)에 반송되면, 셔터(296)가 다시 닫혀지고, 제 1 경로(260)내의 기밀성이 유지된다.
그리고, 웨이퍼(W)가 재치부(270)의 승강핀(283)으로 주고받게 되고, 도 16에 나타낸 바와 같이 재치반(275)상에 재치되면, 흡인 장치(278)가 작동하고, 웨이퍼(W)가 재치반(275)상에 흡착된다. 이 때의 흡인장치(278)의 흡인력은, 제 1 경로(260)내가 후술하는 압력(P3)으로 감압되더라도 웨이퍼(W)가 움직이지 않도록 설정되어 있다. 또한, 이 때의 재치반(275)은, 온도 조절 수단(280)에 의해 소정 온도, 예를 들어, 23℃로 유지되고, 웨이퍼면내의 온도의 균일성이 유지된다.
이어서, 감압 장치(267)의 설정 압력이 P1보다도 낮은 압력(P3)으로 변경되고, 더욱 강력히 흡입기관(265)으로부터 제 1 경로(260)내의 분위기가 흡인되기 시작한다. 그리고, 도 15에 나타낸 바와 같이 제 1 경로(260)내에 기류가 형성되어, 웨이퍼(W)에 부착하고 있는 불순물이 그 기류와 같이 흡입기관(265)으로부터 배출된다. 이 때의 감압 장치(267)의 설정 압력(P3)은 웨이퍼(W) 상에 부착한 불순물을 제거하기 위해서, 예를 들어, 800㎩ 이하인 것이 바람직하다.
그 후, 소정 시간 웨이퍼(W) 상의 불순물이 제거된 후, 감압 장치(267)의 설정 압력이 다시 P1로 변경된다. 그리고, 기체 공급 수단(269)이 가동하여, 제 1 경로(260)내에 불활성 기체가 공급되어, 제 1 경로(260)내의 압력이 P1로 회복된다.
이어서, 웨이퍼(W)의 흡인구(277)에 의한 흡착이 해제되고, 웨이퍼(W)가 승강핀(283)에 의해서 상승되어, 웨이퍼 반송기구(271)로 주고받게 된다. 그리고, 노광 처리 장치(206)의 케이싱(206a)의 셔터(302)가 개방되면, 노광 처리 장치(206)내에 웨이퍼(W)가 반입된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 노광 처리 장치(206)에서 소정의 패턴이 노광된다. 노광이 종료한 웨이퍼(W)는, 제 2 경로(261)내의 웨이퍼 반송 기구(291)에 의해서, 노광 처리 장치(206)로부터 통과구(301)를 통하여 제 2 경로(261)내로 반출된다. 이 때, 셔터(303)가 일시적으로 개방되고, 웨이퍼(W)가 통과하면, 다시 닫혀져, 제 2 경로(261)내의 기밀성이 유지된다.
그리고, 제 2 경로(261)내에 반입된 웨이퍼(W)는, 재치대(290)상까지 이동되어, 재치대(290)의 승강 기구(293)로 주고받게 되고, 재치대(290)에 일단 재취된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(255)에 의해서, 재치대(290)로부터 셔터 (298)의 개방된 통과구(297)를 통과하여, 인터페이스부(204)내를 통해, 처리 스테이션(203)내의 익스텐션 장치(242)에 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 주반송 장치 (213)에 의해서, 가열·냉각 처리 장치(243, 244 또는 245)에 반송되어, 노광 처리후의 가열, 냉각 처리가 순차적으로 실시된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 현상 처리 장치(218 또는 220)에 반송되어, 현상 처리된다. 그리고, 현상 처리된 웨이퍼(W)는, 포스트베이킹 장치(235 또는 236)에 반송되어 가열되고, 그 후 냉각 장치(233 또는 234)에 반송되어, 소정 온도로 냉각된다. 그리고, 제 3 처리 장치군의 익스텐션 장치(232)에 반송되어, 거기에서 웨이퍼 반송체(208)에 의해서, 카세트 스테이션(202)의 카세트(C)에 복귀된다. 이상의 공정에 의해, 일련의 포트리소그래피 공정이 종료한다.
이상의 제 3 실시 형태에 의하면, 인터페이스부(204)와 노광 처리 장치(206)의 사이에 기밀하게 폐쇄가능한 주고받음부(205)를 설치하고, 그 주고받음부(205)의 제 l의 경로(260)내의 압력을 감압하는 감압장치(267)를 설치하였기 때문에, 웨이퍼(W)가 노광 처리되기 전에 제 1 경로(260)내를 통과하고, 그 때에 제 1 경로 (260)내를 감압시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 부착하고 있는 산소 등의 불순물을 제거할 수 있다.
또한, 주고받음부(205)를 분할하여 제 1 경로(260)와 제 2 경로(261)의 2개의 경로를 설치하였기 때문에, 웨이퍼(W)가 인터페이스부(204)로부터 노광 처리 장치(206)에 반송되어, 노광 처리 장치(206)로부터 다시 인터페이스부(204)까지 복귀되기까지의 공정이 원활하게 행하여진다.
더욱, 제 1 경로(260)와 제 2 경로(261)의 각 경로마다 감압 장치(267, 268)를 설치하였기 때문에, 제 1 경로(260)내의 압력을 웨이퍼(W) 상의 불순물이 제거되는 압력(P3)으로 하는 한편으로, 제 2 경로(261)내의 압력을 노광 처리 장치 (206)내에 제 2 경로(261)내의 분위기가 유입하지 않은 압력(P1)으로 하여, 각각 다른 압력으로 설정할 수 있다.
주고받음부(205)내의 압력(P1)을 노광 처리 장치(206)내의 압력(P2)보다도 항상 낮게 설정하였기 때문에, 주고받음부(205)내의 분위기가, 분위기가 엄격히 제어되어 있는 노광 처리 장치(206)내에 유입하는 것이 방지된다.
제 1 경로(260)내에 재치부(270)를 설치하여, 그 재치부(270)에 흡인구(277)를 설치하였기 때문에, 웨이퍼(W)에서 불순물을 제거할 때에 웨이퍼(W)를 재치하고, 고정할 수 있다. 따라서, 제 1 경로(260)내가 감압되는 때에, 그 부압에 의해 웨이퍼(W)가 부상하는 것이 방지된다.
상기 재치부(270)와 노광 처리 장치(206)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 웨이퍼 반송 기구(271)를 제 1 경로(260)내에 설치하였기 때문에, 웨이퍼(W) 상의 불순물이 제거될 때에, 이 웨이퍼 반송 기구(271)에 부착한 불순물도 제거되어, 웨이퍼 반송 기구(271)를 청정한 상태로 유지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 반송 기구 (271)에 부착한 불순물에 의해서 웨이퍼(W)가 오염되는 것이 방지된다.
이상의 제 3 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 유지수단으로서, 재치부(270)에 흡인구(277)를 설치하였지만, 재치부(270)에 다른 유지 수단, 예를 들어, 정전척, 소위 메카니컬 척 등을 사용하도록 하더라도 좋다. 유지 수단을 설치하는 위치는, 제 1 경로(260)내의 재치대(270)이외의 위치, 예를 들어, 웨이퍼 반송 기구(271)에 설치하더라도 좋다. 이 경우, 상술한 불순물의 제거 처리는, 웨이퍼(W)가 유지 수단에 유지되어 있는 때에 행하여지도록 하는 것이 좋다.
또, 가열·냉각장치(246, 247)에서 행하는 레지스트액중의 용제를 증발시키는 처리를 주고받음부(205)의 제 1 경로(260)내에서 행하도록 하더라도 좋다. 이 경우, 예를 들어, 도 17에 나타낸 바와 같이 처리 스테이션(203)의 제4의 처리 장치군(G4)로 가열·냉각 장치(246, 247) (PRE/COL) 대신에, 노광후의 가열, 냉각 처리를 하는 가열·냉각 장치(305)(PEB/COL), 현상 처리후의 가열처리를 하는 가열 처리 장치(306)를 설치하고, 제 3 처리 장치군(G3)에 노광후의 가열 처리후의 웨이퍼(W)를 냉각 처리하는 냉각 처리 장치(307)를 추가한다. 그리고, 웨이퍼(W)가 제 1 경로(260)내의 재치부(270)에 재치된 때에, 제 1 경로(260)내의 압력을 레지스트액의 용제가 증발하는 소정의 압력, 예를 들어, 133㎩a까지 감압시켜서 레지스트액중의 용제를 증발시켜, 그 때에 상술한 불순물의 제거 처리를 하도록 한다. 이렇게 하는 것에 의해 상기 주고받음부(205)의 압력을 소정의 압력으로 감압하는 것만으로 용제 증발 처리와, 불순물 제거 처리의 양자를 동시에 행할 수 있다. 따라서, 종래 가열·냉각 장치(246, 247)로 행하고 있는 처리를 주고받음부(205)의 제 1 경로(260)로 행할 수 있다. 그리고, 용제 증발 처리를 위한 장치의 대신에, 다른 열처리 장치를 늘릴 수 있기 때문에, 처리 스테이션(203)내의 처리 능력이 향상한다. 또, 다른 열처리 장치를 늘리는 일없이 가열·냉각 장치(246, 247)를 생략한 경우라도, 열처리 장치의 수를 감소시킬 수 있기 때문에, 처리 스테이션(203) 전체의 컴팩트화도 도모할 수 있다.
이상의 제 3 실시 형태로서는, 제 1 경로(260)내 전체를 P3까지 감압하여 불순물을 제거했지만, 제 1 경로(260)내에 고감압실을 설치하여, 그 고감압실내의 압력을 P3까지 감압하여, 제 1 경로(260) 전체의 압력은 P3보다도 높은 압력 예를 들어, P4로 하도록 하더라도 좋다. 이하, 이러한 경우를 제 4의 실시 형태로서 설명한다.
제 4의 실시 형태에 있어서의 제 1 경로(312)내에는, 예를 들어, 도 18, 도 19에 나타낸 바와 같이, 상기 실시 형태로 기재한 재치부(270) 대신에, 챔버내를 기밀하게 폐쇄가능하게 구성되어 있는 고감압실(310)이 설치된다. 고감압실(310)에는, 그 고감압실(310)내를 감압하는 감압수단(311)이 설치되어 있고, 고감압실 (300)의 분위기를 고감압실(310) 윗쪽으로부터 흡인하여 감압할 수 있도록 되어 있다. 제 1 경로(312)내에는, 고감압실(310)과 노광 처리 장치(206)에 억세스하여 웨이퍼(W)를 반송가능하게 하는 제 3 반송장치로서의 웨이퍼 반송기구(313)가 설치된다. 인터페이스부(204)의 웨이퍼 반송체(255)는, 고감압실(310)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송가능하게 한다.
이와 같이 구성된 제 1 경로(312)내의 고감압실(310)에 웨이퍼(W)가 반송되면, 감압수단(311)이 작동되고, 고감압실(310)내의 압력이 P3까지 감압된다. 그리고, 이 때 제 1 경로(312)내의 압력은, P1로부터 감압되어 P3보다도 높은 압력(P4)으로 변경된다(P3<P4<P1<P2, P2는 노광 처리 장치(6)내의 압력). 그리고, 웨이퍼 (W)는 고감압실(310)내에서 불순물이 제거되어, 그 후 고감압실(310)로부터 반출되어, 압력(P4)의 제 1 경로(312)내를 통해, 압력(P2)의 노광 처리 장치(206)내에 반송된다.
이와 같이 고감압실(310)을 설치하여, 웨이퍼(W)가 고감압실(310)로부터 노광 처리 장치(206)내에 반송되기까지의 사이의 제 1 경로(312)내의 압력을 P4 (P3<P4<P2)로 설정함에 의해, 압력이 P3∼P2로 단계적으로 회복되기 때문에, 노광 처리 장치(206)내에 웨이퍼(W)가 반송될 때에, 노광 처리 장치(206)내의 분위기가 자연히 제 1 경로(312)내에 흘러 들어오는 것이 억제된다. 또한, 가열·냉각 장치 (246, 247)로 행하여지고 있는 레지스트액중의 용제를 증발시키는 처리를, 이 고감압실(310)에서 행할 수 있다.
이상으로 설명한 실시 형태는, 반도체 웨이퍼 디바이스 제조 프로세스의 포토리소그래피 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 도포 현상 처리 시스템에 관한 것이지만, 본 발명은 반도체 웨이퍼 이외의 기판 예를 들어, LCD 기판의 도포 현상 처리 시스템에 있어서도 응용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 노광 처리전에, 기판의 도포막에 부착한 산소, 오존, 유기물의 분자 레벨의 불순물이나 미립자 등의 불순물을 제거할 수 있으므로, 그 불순물에 영향을 미치는 일없이 적합하게 노광 처리가 행하여져, 생산 수율의 향상이 도모된다.
또한, 불순물의 제거처리와 동시에 도포액중의 용제를 증발시킬 수 있기 때문에, 생산 수율의 향상이 도모된다.
특히, 감압 제거 장치를 주고받음부에 설치한 경우에는, 노광 처리 장치에 의해 가까운 위치에서, 기판으로부터 불순물을 제거할 수 있기 때문에, 기판이 보다 청정한 상태로 노광 처리될 수 있다.
또한, 감압 제거 장치 등이 복잡한 기구를 설치하는데 충분한 스페이스를 확보할 수가 있어, 시스템의 간소화가 도모된다.
또한, 주고받음부내에 2개의 경로를 설치하는 것에 의해, 기판의 처리가 원활하게 행하여져, 생산 수율의 향상이 도모된다.
특히, 주고받음부의 제 1 경로내에 불순물을 보다 강력히 제거할 수 있는 고감압실을 설치하는 것에 의해, 기판을 고감압실에서 제 1 경로내를 통과하여 노광 처리 장치내에 반송할 때에, 압력을 단계적으로 회복시킬 수 있기 때문에, 압력 차에 의한 심한 기류의 발생이 억제되고, 노광 처리 장치 및 제 1 경로내의 분위기의 변동이 억제할 수 있다. 따라서, 노광 처리 장치 및 제 1 경로에 있어서 소정의 분위기로 조절하는 시간이 단축되기 때문에, 생산 수율의 향상이 도모된다.

Claims (25)

  1. 기판에 대하여 도포 현상 처리를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템으로서,
    기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치와, 상기 기판을 현상하는 현상 처리 장치와, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치와, 이들 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 및 열처리 장치에 대하여 상기 기판을 반입반출하는 제 1 반송 장치를 갖는 처리부와,
    적어도 상기 처리부와 상기 기판에 대하여 노광 처리를 하는 시스템 외부의 노광 처리 장치의 사이의 경로로 기판의 반송을 하는 제 2 반송 장치를 갖는 인터페이스부와,
    상기 기판이 상기 노광 처리되기 전에, 상기 기판의 도포막에 부착한 불순물을 챔버내에서 흡인하여 제거하는 감압 제거 장치를 가지고,
    상기 인터페이스부와 상기 노광 처리 장치는, 주고받음부를 통해 접속되어 있고, 상기 감압 제거 장치는, 상기 주고받음부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 주고받음부내에 불활성 기체를 공급하는 기체 공급 장치와, 상기 주고받음부내의 분위기를 배기하는 배기 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 인터페이스부와 상기 주고받음부의 분위기를 차단하는 칸막이 판을 갖고, 상기 칸막이 판은, 상기 인터페이스부와 상기 주고받음부 사이에서 기판을 주고받기 위한 통과구와 상기 통과구를 개폐하는 셔터를 갖는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 주고받음부내의 압력은, 상기 노광 처리 장치내의 압력보다도 낮은 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 주고받음부는, 상기 인터페이스부에서 상기 노광 처리 장치에 기판이 반송되는 때에 통과하는 제 1 경로와, 상기 노광 처리 장치로부터 상기 인터페이스부에 기판이 반송되는 때에 통과하는 제 2 경로를 갖고, 상기 감압 제거 장치는, 상기 제 1 경로에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 반송장치는, 적어도 상기 감압 제거 장치에 대하여 상기 기판을 반송가능하고, 상기 주고받음부의 제 1 경로에는, 적어도 상기 감압 제거 장치로부터 상기 노광 처리 장치에 대하여, 기판의 반송을 하는 제 3 반송 장치가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 주고받음부의 제 2 경로에는, 기판을 얹어 놓은 재치부와, 상기 재치부와 상기 노광 처리 장치에 대하여 기판을 반입반출하는 제4의 반송 장치가 설치되어 있고 상기 제 2 반송장치는, 적어도 상기 재치부에서 상기 기판을 반출가능하게 한 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 기판에 대하여 도포 현상 처리를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템으로서,
    기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치와, 상기 기판을 현상하는 현상 처리 장치와, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치와, 이들 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 및 열처리 장치에 대하여 상기 기판을 반입반출하는 제 1 반송장치를 갖는 처리부와,
    적어도 상기 처리부와 상기 기판의 노광 처리를 하는 시스템 외부의 노광 처리 장치의 사이의 경로로 기판의 반송을 하는 제 2 반송장치를 갖는 인터페이스부와,
    상기 인터페이스부와 상기 노광 처리 장치의 사이에 접속되고, 기밀로 폐쇄가능한 주고받음부와, 상기 주고받음부내를 소정의 설정압력으로 감압하는 감압 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 주고받음부는, 상기 인터페이스부에서 상기 노광 처리 장치에 기판이 반송되는 때에 통과하는 제 1 경로와, 상기 노광 처리 장치로부터 상기 노광 처리되고, 인터페이스부에 기판이 반송되는 때에 통과하는 제 2 경로를 갖고, 상기 제 1 경로와 상기 제 2 경로는, 각 경로마다 소정의 설정 압력으로 감압가능한 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 경로내의 압력은, 상기 노광 처리 장치내의 압력보다도 낮은 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 경로내의 압력은, 상기 노광 처리 장치내의 압력보다도 낮은 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 주고받음부의 제 1 경로에는, 기판을 얹어 놓은 재치부와, 적어도 상기 재치부에서 상기 노광 처리 장치에 대하여 기판의 반송을 하는 제 3 반송장치가 설치되어 있고,
    상기 제 2의 반송장치는, 적어도 상기 재치부에 상기 기판을 반송가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 재치부에는, 기판을 상기 재치부에 유지하는 유지 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  19. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 경로내에는, 이 제 1 경로의 압력보다도 낮은 압력으로 조절가능한 고감압실이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제 2 반송장치는, 적어도 상기 고감압실에 대하여 상기 기판을 반출가능하게 구성되어 있고, 상기 주고받음부의 제 1 경로에는, 적어도 상기 고감압실에서 상기 노광 처리 장치에 대하여, 기판의 반송을 하는 제 3 반송장치가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 주고받음부의 제 2 경로에는, 기판을 얹어 놓은 재치대와, 상기 재치대와 상기 노광 처리 장치에 대하여 기판을 반입반출하는 제4의 반송장치가 설치되어 있고 상기 제 2 반송장치는, 적어도 상기 재치대로부터 상기 기판을 반출가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 시스템.
  22. 기판에 대하여 도포 현상 처리하는 방법으로서,
    기판에 도포액을 공급하고, 기판에 도포막을 형성하는 공정과,
    상기 도포막이 형성된 기판에 소정의 빛을 조사하여, 상기 기판을 노광하는 공정과,
    노광 처리후에 상기 기판을 현상하는 공정과,
    상기 도포막 형성 공정과 상기 노광 공정의 사이에, 상기 기판에 부착한 불순물을 상기 기판으로부터 제거하는 공정을 가지며,
    상기 불순물 제거 공정은, 불활성기체가 충만되며, 또한 기밀하게 폐쇄된 챔버내의 감압에 의해서 행하여지는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 방법.
  23. 삭제
  24. 제22항에 있어서, 상기 불순물제거공정에서는, 광학측정센서에 의해서 기판상의 불순물제거의 확인이 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 불순물제거공정에서는, 기판의 온도는 23℃로 제어되는 것을 특징으로 하는 도포 현상 처리 방법.
KR1020010024831A 2000-05-09 2001-05-08 도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법 KR100646515B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000135993A JP3517180B2 (ja) 2000-05-09 2000-05-09 塗布現像処理システム
JP135993 2000-05-09
JPJP-P-2000-00135993 2000-05-09
JP135988 2000-05-09
JPJP-P-2000-00135988 2000-05-09
JP2000135988A JP3559219B2 (ja) 2000-05-09 2000-05-09 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010103662A KR20010103662A (ko) 2001-11-23
KR100646515B1 true KR100646515B1 (ko) 2006-11-14

Family

ID=26591550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010024831A KR100646515B1 (ko) 2000-05-09 2001-05-08 도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6585430B2 (ko)
KR (1) KR100646515B1 (ko)
CN (1) CN1237402C (ko)
SG (1) SG94813A1 (ko)
TW (1) TW594835B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101076952B1 (ko) * 2002-12-20 2011-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101121794B1 (ko) 2005-01-21 2012-03-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 현상 장치 및 그 방법
KR101188081B1 (ko) 2005-02-01 2012-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포·현상 장치

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6485785B1 (en) * 1999-08-31 2002-11-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Coating film, and method and apparatus for producing the same
JP2001341296A (ja) * 2000-03-31 2001-12-11 Seiko Epson Corp インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JP3696156B2 (ja) * 2000-12-26 2005-09-14 株式会社東芝 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法
JP4066661B2 (ja) * 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置および液滴吐出装置
JP3853690B2 (ja) * 2002-04-10 2006-12-06 財団法人レーザー技術総合研究所 フォトレジスト剥離除去方法
JP4090313B2 (ja) * 2002-09-11 2008-05-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置および基板処理装置
US6774012B1 (en) * 2002-11-08 2004-08-10 Cypress Semiconductor Corp. Furnace system and method for selectively oxidizing a sidewall surface of a gate conductor by oxidizing a silicon sidewall in lieu of a refractory metal sidewall
SG171468A1 (en) * 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP2005057294A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
US20060011296A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer program
JP4463081B2 (ja) * 2004-11-10 2010-05-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4414921B2 (ja) * 2005-03-23 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4450784B2 (ja) * 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4667252B2 (ja) * 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US8252640B1 (en) 2006-11-02 2012-08-28 Kapre Ravindra M Polycrystalline silicon activation RTA
JP2008153422A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Tokyo Electron Ltd 塗布・現像装置およびパターン形成方法
JP4994874B2 (ja) * 2007-02-07 2012-08-08 キヤノン株式会社 処理装置
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
JP5188385B2 (ja) * 2008-12-26 2013-04-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法
CN106610568A (zh) * 2015-10-27 2017-05-03 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种涂胶显影工艺模块及该模块内环境参数的控制方法
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017293A (ko) * 1998-08-14 2000-03-25 히가시 데쓰로 기판처리장치
KR20000017112A (ko) * 1998-08-05 2000-03-25 히가시 데쓰로 도포·현상처리방법 및 도포·현상처리장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW535216B (en) * 1996-09-13 2003-06-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist processing method and photoresist processing system
TW420829B (en) * 1997-05-22 2001-02-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device and method, impurity removing apparatus
JP3926890B2 (ja) * 1997-06-11 2007-06-06 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP2000040731A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3456919B2 (ja) 1998-07-29 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100609766B1 (ko) * 1998-07-29 2006-08-09 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법 및 기판처리장치
JP2000182932A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
AU5651399A (en) 1999-09-14 2001-04-17 Nikon Corporation Exposure system, exposure device, application device, development device, and method of controlling wafer treating environment in the exposure system
JP3556882B2 (ja) * 2000-05-10 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017112A (ko) * 1998-08-05 2000-03-25 히가시 데쓰로 도포·현상처리방법 및 도포·현상처리장치
KR20000017293A (ko) * 1998-08-14 2000-03-25 히가시 데쓰로 기판처리장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101076952B1 (ko) * 2002-12-20 2011-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101121794B1 (ko) 2005-01-21 2012-03-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 현상 장치 및 그 방법
KR101188081B1 (ko) 2005-02-01 2012-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포·현상 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1322970A (zh) 2001-11-21
TW594835B (en) 2004-06-21
US20020001679A1 (en) 2002-01-03
SG94813A1 (en) 2003-03-18
KR20010103662A (ko) 2001-11-23
CN1237402C (zh) 2006-01-18
US6585430B2 (en) 2003-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100646515B1 (ko) 도포 현상 처리 시스템 및 도포 현상 처리 방법
JP3943828B2 (ja) 塗布、現像装置及びパターン形成方法
US6632281B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100618264B1 (ko) 도포현상처리시스템
KR100739969B1 (ko) 도포 현상 처리 방법 및 도포 현상 처리 시스템
JP3989221B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP3648129B2 (ja) 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
JPH10150089A (ja) 処理システム
JP4005609B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP3983481B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における基板搬送方法
JP3831310B2 (ja) 処理装置
JP2001237179A (ja) 塗布膜形成装置
JP3559219B2 (ja) 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法
JP2003156858A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP2001319845A (ja) 塗布現像処理システム
JP3966884B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP3517180B2 (ja) 塗布現像処理システム
JP2006344986A (ja) 塗布、現像装置及びパターン形成方法
JP2003142552A (ja) 基板処理装置
JP2008166820A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP3611568B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP2001307978A (ja) 基板載置台
JP2008124502A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法及び電子機器
JP2001237172A (ja) 加熱処理装置および加熱処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121023

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131022

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee