594835 A7 ___B7_ 五、發明説明（1 ) 〔發明領域〕 本發明係關於基板的塗敷顯像處理系統及塗敷顯像處 理方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔先行技術〕 例如在半導體裝置的製造過程中的照像融刻過程，包 含在晶圓表面形成抗蝕膜之抗蝕劑塗敷處理及對圖案曝光 後的晶圓進行顯像之顯像處理及在塗敷處理前、曝光處理 則後及顯像處理後之加熱處理、冷卻處理。這些處理在於 個別設置之各處理裝置中進行，這些各處理裝置整合在1 個塗敷顯像處理系統，使其連續進行前述一連串的處理。 然而，圖案的曝光處理通常是在於與塗敷顯像處理系統相 鄰設置之曝光處理裝置中進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 通常前述塗敷顯像處理系統由在此塗敷顯像處理系內 送入送出晶圓之裝載/卸載部、及具有塗敷處理裝置、顯 像處理裝置、熱處理裝置等，進行前述晶圓的大部分處理 之處理部、及在該處理部與除了前述系統外的曝光處理裝 置之間進行晶圓轉交之界面部等所構成。 然後，當在於塗敷顯像處理系統中進行晶圓的處理之 際，爲了防止微粒子等的雜質附著在晶圓·，對前述塗敷顯 像處理系統內，向下吹風供應經空氣淸淨機所淸淨處理過 之空氣，另則使塗敷顯像處理系統內的氣相循環排氣’就 能在淸淨的狀態下處理晶圓。 不過，近年爲了形成更微細且更精密的電路圖案’逐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .4 - 594835 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 漸開發利用更短波長（例如，1 5 7 n m )的光之曝光技 術，當利用該短波長的光時，目前爲止未造成問題之分子 程度的雜質，例如氧、臭氧、水蒸氣等對曝光處理造成不 良影響，恐會造成不能形成精密的電路圖案。 因此，至少在曝光處理晶圓之際，必須使其不致在晶 圓上附著氧等的雜質，如過去只供應淸淨的空氣，由於在 該空氣內含有氧等雜質，因而無法有效地抑制晶圓上所附 著的雜質，也無法除去附著在晶圓上的雜質。 〔發明槪要〕 本發明鑑於上述的問題點，提供塗敷顯像處理系統或 塗敷顯像處理方法；其目的係盡可能除去附著在晶圓等的 基板的氧等分子程度之雜.質。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了達成此目的，依據本發明的第1觀點，本發明係 爲用來對基板實施塗敷顯像處理之塗敷顯像處理系統；具 備：包括有在基板形成塗敷膜之塗敷處理裝置、和進行前 述基板的顯像之顯像處理裝置、和進行前述基板的熱處理 之熱處理裝置、和對這些塗敷處理裝置與顯像處理裝置與 熱處理裝置送入送出前述基板的第1輸送處理裝置等而構 成之處理部；及具有至少經由前述處理部與對前述基板進 行曝光處理的系統外之曝光處理裝置之間的路徑進行基板 輸送之第2輸送裝置而構成之界面部；及在前述基板進行 前述曝光處理前，在容室內吸引除去附著在前述基板的塗 膜之減壓除去裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） JT] ' 594835 A7 _B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而前述第2輸送裝置若具有對前述處理部送入送出 基板的功能就足夠，不一定要對系統外的曝光處理裝置內 送入送出的功能。另外不單是麈埃等的塵粒子，氧、臭氧 、水蒸氣、有機物等的分子程度的雜質，此處也稱爲雜質 〇 依據本發明的另外觀點，本發明係爲用來對基板實施 塗敷顯像處理之塗敷顯像處理系統；具備：包括有在基板 形成塗膜之塗敷處理裝置、和進行前述基板的顯像之顯像 處理裝置、和進行前述基板的熱處理之熱處理裝置、和對 這些塗敷處理裝置與顯像處理裝置與熱處理裝置進行前述 基板送入送出之第1輸送裝置等而構成之處理部；及具有 至少經由前述處理部與進行前述基板的曝光處理的系統外 的曝光處理裝置之間的路徑進行基板輸送之第2輸送裝置 而構成之界面部；及連接於前述介面部與前述曝光處理裝 置之間，能氣密封閉之交接部；及將前述交接部內減壓到 一定的設定壓力之減壓裝置等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明的另外觀點，本發明的塗敷顯像處理方法 係爲對基板進行塗敷顯像處理之方法；具備：對基板供應 塗液而在基板上形成塗敷膜之過程·，及對形成有前述塗敷 膜之基板照射一定的光而將前述基板曝光之過程；及在曝 光處理後將前述基板顯像之過程·，及在前述塗膜形成過程 與前述曝光過程之間，將附著在前述基板上之雜質從前述 基板上除去之過程。 依據本發明，利用減壓除去裝置除去附著在基板的塗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ g _ 594835 A7 ____B7_ 五、發明説明（4 ) 敷膜之雜質，而適度地進前述基板的曝光處理使其不致因 雜質而受到不良影響。因此，例如以1 5 7 n m以上之短 波長的光進行曝光時，曝光後的基板不致造成缺陷。然而 ，被認爲將基板的周邊氣相隨時維持淸淨的氣相，就能防 止在基板上附著雜質，不過製作能完全除去分子程度的氧 或水蒸氣之氣相則會有困難，且防止雜質的附著有一定的 限度。因此，如同本發明，設置能除去附著的雜質之裝置 則更具實用性且有效果。配置減壓除去裝置的位置，在塗 敷顯像處理系統的內部或在塗敷顯像處理系統的外部皆可 。另外，因在於前述減壓除去裝置也能同時使處理液中的 溶劑蒸發，所以也能同時實施經加熱所施行的蒸發處理。 另外，依據本發明，經由設置連接於界面部與曝光處 理裝置之間，能氣密封閉之前述轉交部、及將該轉交部減 壓之則述減壓裝置’因而能在曝光處理，基板通過前述 轉交部內，該時間使轉交部內減壓。然後，當轉交部分減 壓，則隨著該減壓，使附著在基板表面之氧等分子程度的 雜質也從基板上脫離，而可以除去此雜質。其結果：之後 的曝光處理不致因雜質而受到不良影響，適度地進行。因 此，例如以1 5 7 n m以下短波長的光進行曝光時，也不 致在曝光後的基板產生缺陷。另外因也能使處理液中的溶 劑同時蒸發，所以可以同時實施過去經加熱所施行之蒸發 處理。 〔圖面之簡單說明〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
L 594835 A7 B7 五、發明説明（5 ) 第1圖係爲從本實施形態其塗敷顯像處理系統的平面 之說明圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖係爲第1圖中塗敷顯像處理系統之正面圖。 第3圖係爲第1圖中塗敷顯像處理系統之背面圖。 第4圖係爲槪略表示第丨圖中塗敷顯像處理系統1內 的加熱/冷卻處理裝置之橫向斷面圖。 第5圖係爲表示轉交部內其減壓除去裝置的構成之縱 斷面的說明圖。 第6圖係爲從表示第1圖中塗敷顯像處理系統其轉交 部內的不活性氣體流動狀態之曝光處理裝置其縱斷面之說 明圖。 第7圖係爲從第2實施形態其塗敷顯像處理系統的平 面之說明圖。 第8圖係爲表示供應到第7圖中塗敷顯像處理系統的 界面部之不活性氣體流動其縱斷面之說明圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9圖係爲表示以減壓除去裝置進行抗蝕液溶劑的蒸 發處理時塗敷顯像處理系統內其加熱/冷卻裝置的配置例 之說明圖。 第1 0圖係爲從第3實施形態其塗敷顯像系統的平面 圖之說明圖。 第1 1圖係爲第1 〇圖中塗敷顯像處理系統之正面圖 〇 第1 2圖係爲第1 0圖中塗敷顯像處理系統之背面圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 594835 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6) 第1 3圖係爲槪略表示第1 0圖中塗敷顯像處理系統 內的加熱/冷卻裝置之橫向斷面圖。 第1 4圖係爲模式表示第1 0圖中塗敷顯像處理系統 的平面之說明圖。 第1 5圖係爲塗敷顯像處理系統的轉交部其第1 4圖 所示的A — A線斷面之說明圖。 第1 6圖係爲表示轉交部內其載置部的構成之縱斷面 的說明圖。 第1 7圖係爲表示以轉交部進行抗蝕液溶劑的蒸發處 理時塗敷顯像處理系統內其加熱/冷卻裝置的配置例之說 明圖。 第1 8圖係爲從第4實施形態其塗敷顯像處理系統的 平面之說明圖。 第1 9圖係爲從表示第1 8圖中塗敷顯像處理系統的 轉交部內其曝光處理裝置的縱斷面之說明圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件對照表 1 :塗敷顯像處理系統 3 :處理站 6 :轉交部 7 :卡匣載置台 9 :輸送路 1 7 :抗蝕劑塗敷裝置 1 9 :抗蝕劑塗敷裝置 2 :卡匣站 4 :界面部 6 :曝光處理裝置 8 :晶圓輸送體 1 3 :主輸送裝置 1 8 :顯像處理裝置 2 0 :顯像處理裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 594835 A7 B7 五、發明説明（7 ) 3 〇 :冷 卻 裝 置 3 2 :待 機 裝 置 3 5 ，3 6 _· 後置加熱裝置 4 1 ，4 2 待機裝置 44 ,45 加熱/冷卻處理裝置 5 6 :周 邊 曝 光裝置 6 1 :第 2 路 徑 6 5 :減 壓 除 去裝置 7 〇 :蓋 體 7 5 :排 氣 管 7 8 :吸 引 □ 8 1 :升 降 桿 8 3 :通 氣 管 8 8 ，8 9 ： 閘門 9 8 ••升 降 機 構 1 0 2 : 通 過 □ 1 〇 5 : 通 過 □ 110 ，1 1 1 二 氣體供應裝置 1 1 5， 1 1 6 :通過口 1 2 0 : 減 壓 除去裝置 1 2 3 · 閘 門 1 2 6 : 排 氣 管 1 2 8 : 通 過 □ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 1 :附著裝置 3 3，3 4 :冷卻裝置 4 0 :冷卻裝置 4 3 :加熱/冷卻處理裝置 5 5 :晶圓輸送體 6 0 :第1路徑 6 4 :隔間板 6 9 :晶圓輸送機構 7 1 :載置台 7 6 :吸引裝置 8 0 :貫通孔 8 2 :容器 8 6，8 7 :輸送口 9 5 :載置部 1 0〇：隔間板 1 0 3 :閘門 1〇6 :閘門 1 1 2，1 1 3 :排氣管 1 1 7，1 1 8 :閘門 1 2 2 :通過口 1 2 5 :氣體供應裝置 1 2 7 :隔間板 130:加熱/冷卻裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇 · 594835 A7 ____B7 五、發明説明（8 ) 〔實施形態〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下’說明本發明的實施形態。第1圖係爲第1實施 形態其塗敷顯像處理系統1之平面圖。第2圖係爲塗敷顯 像處理系統1之正面圖。第3圖係爲塗敷顯像處理系統1 之背面圖。 塗敷顯像處理系統1 ，如第1圖所示，例如具有：將 2 5片的晶圓W裝成卡匣，以卡匣爲單位從外部對塗敷顯 像處理系統1送入送出，並且對卡匣C送入送出晶圓w之 卡匣站2、及在於塗敷顯像處理過程單片式對晶圓贾施予 預定的處理之各種處理裝置多段配置作爲處理部之處理站 3、及與此處理站3相鄰設置，在前述處理站3與設在塗 敷顯像處理系統1外之曝光處理裝置6之間擔負輸送晶圓 W時之路徑的一部分之界面部4、及設在此界面部4與曝 光處理裝置6之間，進行界面部4與曝光處理裝置6之間 晶圓W的轉交之轉交部5等一體地連接之構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 卡匣站2則是將複數個卡匣C朝X方向（第1圖中的 上下方向）成一列自由地載置列卡匣載置台7上的一定位 置。然後’能往卡匣配列方向（X方向）及收容在卡匣C 內之晶圓W的晶圓配列方向（z方向：鉛直方向）移送之 晶圓輸送體8沿著輸送路9自由移動地設置，而形成爲能 選擇性對卡匣C進行存取。 晶圓輸送體8具備進行晶圓的對位之調節功能。此晶 圓輸送體8如後述被構成爲也能對處理站3側的屬於第3 處理裝置群G 3之接機裝置3 2及附著裝置3 1也能存取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 11 _ 594835 A 7 ____B7 五、發明説明（9 ) 〇 處理站3則是在其中心部設置作爲第1輸送裝置之主 輸送裝置1 3，在此主輸送裝置1 3的周邊多段配置各種 處理裝置而構成處理裝置群。該塗敷顯像處理系統1中配 置有4個處理裝置群Gl、G2、G3、G4;第1、2 處理裝置群G、G 2配置在顯像處理系統1的正面側，第 3處理裝置群G 3與卡匣站2相鄰配置，第4處理裝置群 G 3與界面部4相鄰配置。進而設爲另選件之處線所示之 弟5處理裝置群G 5能另行配置在背面側。前述主輸送裝 置13能對配置在處理裝置群G、G2、G3、G4之後 述的各種處理裝置送入送出晶圓W。 第1處理裝置群G 1 ，例如如第2圖所示，對晶圓w 塗上抗鈾液之抗蝕液塗敷裝置1 7及將曝光處理後的晶圓 W顯像處理之顯像處理裝置1 8由下依序配置成2段。第 2處理裝置G 2也同樣地，抗蝕液塗敷裝置9及顯像處理 裝置20由下依序積疊成2段。 第3處理裝置群G 3，例如如第3圖所示，冷卻處理 晶圓W之冷卻裝置3 0，爲使提高抗蝕液與晶圓W的附著 性之附著裝置3 1、爲使晶圓W暫時待機之待機裝置3 2 、冷卻顯像處理後的晶圓W之冷卻裝置3 3、3 4及對顯 像處理後的晶圓W施予加熱處理之後置乾燥裝置3 5、 3 6等由下依序例如重疊成7段。 第4處理裝置群G 4，例如載置冷卻裝置4 0、曝光 處理後的晶圓W，使其暫時待機之待機裝置4 1和4 2、 I.---：-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ ^ 2 _ 594835 A7 _____B7 五、發明説明（10) 加熱曝光處理後的晶圓W，其後冷卻到一定的溫度之加熱 /冷卻處理裝置43和44和45 (第3圖中的PEB/ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C〇L )，爲了蒸發抗蝕液中的溶劑而加熱，其後冷卻到 一定的溫度之加熱/冷卻處理裝置46和47(第3圖中 的PRE/COL)等由下依序積疊成8段。 前述加熱/冷卻裝置處理裝置4 3，如第4圖所示， 具有：爲了在該外殼4 3 a內的基台5 0上加熱晶圓W之 圓盤狀熱板5 1 ，及移動到該熱板5 1 ，從熱板5 1上接 收晶圓W後加以冷卻之冷卻板5 2。然後，在相同裝置內 連續施行晶圓W的加熱/冷卻處理，而能隨時將經加熱施 予晶圓W之熱履歷維持一定。然而其他的加熱/冷卻裝置 44〜47也具有相同構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 界面部4如第1圖所示，在其中央部設置當作第2輸 送裝置之晶圓輸送體5 5。此晶圓輸送體5 5被構成爲能 朝X方向（第1圖中的上下方向）和Z方向（垂直方向） 自由移動、以及能朝<9方向（以Z軸爲中心之旋轉方向） 自由旋轉，且被構成爲能對屬於第4處理裝置群G 4之待 機裝置4 1和4 2、周邊曝光裝置5 6及轉交部5進行存 取，而對各個輸送晶圓W。 轉交部5被構成爲以隧道狀且其斷面爲方形之外殼 5 a而圍成’使其他氣相不易流入到轉交部5內。轉交部 5具有：當晶圓W從界面部4輸送到轉交部5內之際所經 過之第1路徑6 0、及當晶圓W從曝光處理裝置6輸送到 界面部4之際所經過之弟2路徑6 1。在第1路徑6 Q si -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） 594835 A7 _B7_ 五、發明説明（W) 第2路徑6 1之間設置隔間板6 4 ’使第1路徑6 0與第 2路徑61的氣相互不干涉。 第1路徑6 0內設有在減壓室內吸引除去附著在晶圓 W上之氧等的雜質之減壓除去裝置6 5、及能對減壓除去 裝置6 5及曝光處理6輸送晶圓之當作第3輸送裝置之晶 圓輸送機構6 6。 此處，詳加說明減壓除去裝置6 5的構成。減壓除去 裝置6 5，如第5圖所示，具有：在該外殼6 5 a內，形 成有下面開口之略呈筒狀，能上下自由移動之蓋體7 0、 及位於該蓋體7 0的下側，與蓋體7 0成一體而形當作容 室的減壓室S之載置台7 1。 在蓋體7 0的上面中央部設置用來將減壓室S內的氣 相排氣之排氣管7 5，該排氣管7 5通到吸引裝置7 6。 因此，經由吸引裝置7 6的作動，而從排氣管7 5吸引減 壓室S內的氣相，使其在減壓室S內形成氣流，並且減壓 室S內被減壓。在蓋體7 0的內部上部設置整流板7 7， 當減壓室S內減壓之際，抑制形成在減壓S內的氣流亂流 ，而使其能均等地將減壓室S內的氣相排氣。 載置台7 1形成爲有厚度之圓盤狀。使其能在該圓盤 上載置晶圓W。載置台7 1例如設有珀耳帖（pel tier )元 件等之溫度調節手段，載置台7 1控制一定的溫度’使其 在晶圓W面內能均等地維持被載置在載置台7 1之晶圓w 溫度。另外，在與載置台7 1的前述蓋體7 0下端部相對 應的位置，設置複數個吸引口 7 8亦可，在於形成減壓室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 14 - L . φ—I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594835 A7 _B7__ 五、發明説明（12) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} S的情況，當蓋體7 0的下端部與載置台7 0接觸之際’ 利用從吸引口 7 8的吸引力維持蓋體7 0與載置台7 1的 密合性。另外在載置台7 1的中央附近設置朝上下方向貫 通載置台7 1之貫通孔8 0，使後述的升降桿8 1能在貫 通孔8 0內昇降。 在載置台7 1的下方設置與載置台7 1的下面成一體 而形成開放室K之略呈筒狀的容器8 2。此開放室K經由 貫通孔8 0與減壓室3連通著。然後’在容器8 2的下面 設置將開放室K內的氣相轉爲大氣之通氣管8 3 ’被構成 爲通過貫通孔8 0及開放室K就能將減壓室S內的氣相變 爲大氣。在容器8 2內設置用來升降晶圓W之升降桿8 1 ;這個升降桿8 1經由升降移動機構8 4能在前述貫通孔 .8 0內自由升降。 在外殼6 5 a的界面部4側及曝光處理裝置6側分別 設置用來送入送出晶圓W之輸送口86、 87’ ’在各輸 送口 8 6、8 7設置閘門8 8、8 9。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 在第2路徑6 1內’設置當曝光處理完成之晶圓輸送 到界面部4之際使其暫時載置之載置部9 5、及將曝光處 理裝置6內的晶圓w輸送到前述載置部9 5的當作第4輸 送裝置之晶圓輸送機構6 9。 載置部9 5形成爲圓盤狀’在其中心附近設置使所載 置的晶圓W升降之升降機構9 8 °然後’使其利用此升降 機構9 8就能在載置部9 5與晶圓輸送機構6 9和晶匱!輸 送體5 5之間進行晶圓w的轉交。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - 594835 A7 __ ____B7 _ 五、發明説明（I3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在轉交部5與界面部4之間設置爲了阻斷轉交部5內 的氣相與界面部4內的氣相之隔間板1 〇 〇。在與此隔間 板1 0 0的前述減壓除去裝置6 5相對向的位置設置通過 口 1 0 2 ，使其利用前述晶圓輸送體5 5就能將晶圓W從 界面部4輸送到減壓除去裝置6 5。進而，在這個通過口 1 〇 2設置開關通過口 1 0 2之閘門1 〇 3 ’只在晶圓W 通過通過口 1 0 2時開放閘門1 0 3，除此之外則關閉閘 門 1 0 3。 在與隔間板1 〇 〇的前述載置部9 5相對向的位置設 通過口 1 0 5，使其利用前述晶圓輸送體5 3就能將晶圓 W從載置部9 5輸送到界面部4內。進而在這個通過口 1 0 5設置能自由開關通過口 1 0 5之閘門1 0 6，只在 .晶圓W通過通過口 1 〇 5時開放閘門。 在此所構成轉交部5的各路徑，即是在第1路徑6 0 、第2路徑6 1的上部，如第6圖所示，各別設置供應不 活性氣體之氣體供應裝置1 1 0、 1 1 1 ，從氣體供應裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 置1 1 0將一定的不活性氣體供應到第1路徑6 0內，從 氣體供應裝置1 1 1將一定的不活性氣體供應到第2路徑 6 1內。 在各氣體供應裝置110、111設置濾氣裝置 110a, 1113，這些濾氣裝置11〇3、 ilia 具有：將從供應源（未圖示）等所供應之一定濃度的不活 性氣體調節到一定的溫度、溫度之功能、及除去不活性氣 體中的微粒子之U L P A濾氣器、及使含在不活性氣體中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4祕（210X297公羡)—1fi· 594835 A 7 B7 五、發明説明（Μ) 的鹼性分中和之化學濾氣器。因此’對第1路徑6 0及第 2路徑6 1 ，能調節各每個路路徑的溫度或溫度，並且供 應經被淸淨化之不活性氣體。 在第1路徑6 0及第2路徑6 1的下部分別設置排氣 管1 1 2、 1 1 3 ，使各路徑內的氣相排氣。因此，從上 述氣體供應裝置110、 111供應到前述各路徑內之不 活性氣體，通過各路徑內，從排氣管1 1 2、 1 1 3排氣 ;其結果：各路徑內的雜質，例如氧、臭氧、水蒸氣都被 排出，而使各路徑內維持淸淨的氣相。另外，各路徑內的 壓力，經由調節與各路徑對向之氣體供應裝置1 1 0、 1 1 1其不活性氣體的供應量，就能控制在一定的壓力。 進而，在排氣管1 1 2、 1 1 3各別設置測定雜質濃 度之濃度感測器1 1 2 a、1 1 3 a。從各濃度感測器 112a、 1 1 3 a的訊號，傳送到控制裝置（未圖示） ，當比指定濃度還高時，使其增加不活性氣體的供應量； 相反地比指定濃度還低時，則進行使供應量減低之控制。 進行晶圓W的曝光處理之曝光處理裝置6 ，如第1圖 所示與轉交部5相鄰設置。此曝光處理裝置6被構成爲以 該曝光處理裝置6的外殼6 a加以密閉，而能嚴格地控制 曝光處理裝置6內的氣相。另外在外殼6 a的轉交部5側 設置爲了從第1路徑6 0送入晶圓W之通過口 1 1 5、及 爲了將晶圓W送出到第2路徑6 1之通過口 1 1 6 ，在各 通過口 1 1 5、1 1 6分別設置開關通過口 1 1 5、 1 1 6 之閘門 1 1 7、 118。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 - — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594835 Α7 Β7 五、發明説明（15) 首先，在晶圓w開始處理前’利用氣體供應裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 1將調節成一定溫度及濕度，例如爲2 3 °C 4 5 %，且除去微粒子之不活性氣體供應、到轉交部5的各 路徑，即是供應到第1路徑6 0、第2路徑6 1內。然後 ，將各路徑內的氣相轉換成不含微粒子及氧的雜質之淸淨 氣相，其後維持該狀態。另外，此時轉交部5內的壓力 P 1、曝光處理裝置6內的壓力？ 2設定爲p 2 >p 2的 關係，防止轉交部5內的氣相流入到曝光處理裝置6內。 前述壓力P 1、P 2被設定爲比塗敷顯ί象處ϊ里系統1 中所設置之淸淨室內的壓力Ρ 〇還筒’防止含有雜質、微 粒子等之淸淨室內的氣相直接流入到塗敷顯像處理系統1 內。然而’供應到各路徑之不活性氣體的溫度、濕度或濃 度，與上述相同亦可，必要時不相同亦可。 然後，晶圓w開始處理’則在於卡匣站2 ’晶圓輸送 體從卡匣C中逐片取出未處理的晶圓W，輸送到處理站3 的附著裝置3 1。 接著，在於附著裝置3 1 ，已塗敷使其提高與抗蝕液 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的密合性之Η M D S等的密合強化劑之晶圓W，利用主輸 送裝置1 3，輸送到冷卻裝置3 0，且冷卻到一定的溫度 。其後，晶圓W輸送到抗蝕液塗敷裝置Γ 7或1 9 ，施予 抗蝕塗敷處理。然後，形成抗蝕膜的晶圓W輸送到加熱/ 冷卻處理裝置46或47 (第3圖中的PRE/COL) ，施予加熱/冷卻處理。此時，並不是以各別設置的各裝 置依序進行加熱處理及冷卻處理，由於從晶圓W加熱處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -18 · 594835 A7 ___ B7_ 五、發明説明（ie) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 後至冷卻處理爲止的時間隨時保持一定，因而能使經加熱 加到晶圓w的熱履歷在於各晶圓間爲相同。另外，本實施 形態由於使用加熱/冷卻裝置4 3〜4 7進行從抗蝕塗敷 處理到顯像處理所進行的全部加熱，因而從抗蝕劑塗敷到 顯像處理所要的時間在於全部晶圓W都相同。 其後，晶圓W輸送到增設裝置4 1 ，利用晶圓輸送體 5 5從增設裝置4 1輸送到界面部4內的周邊曝光處理裝 置5 6。然後，以周邊曝光裝置5 6曝光該周邊部之晶圓 W再度保持在晶圓輸送體5 5，從通過口 1 0 2輸送到轉 交部5的第1路徑6 0內之減壓除去裝置6 5。此時，開 放閘門1 0 3 ，晶圓W輸送到減壓除去裝置6 5內，則閘 門1 0 3再度關閑。 此處，詳加說明以減壓除去裝置6 5所進行之雜質除 去過程之處理。首先，第5圖所示外殼6 5 a的界面部4 側之閘門8 8開放，利用上述過的晶圓輸送體5 5，晶圓 W送入到外殻6 5 a內。然後，晶圓w轉交到升降桿8 1 ’其後下降升降桿8 1 ’而載置在維持一定溫度例如爲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 3 °C之載置台7 1上。此時，因經減壓造成變化熱傳達 ’所以在載置台7 1內設置溫度調節機構，積極地進行溫 度控制較爲理想。此時的溫度調節機構例如能在1 5 °C〜 3 0 t的範圍內進行溫控較佳。 然後，蓋體7 0下降後蓋體7 〇的下端部與載置台 7 1接觸，則形成減壓室S。此時，從吸引口 7 8的吸引 開始，利用該吸引力密合蓋體7 〇與載置台7 1。其後， ^紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（2ΐ〇χ297公釐] TTqT ' 594835 A7 一 —__B7 五、發明説明（17) 吸引裝置7 6作動，減壓室S內的氣相從排氣管7 5開始 排氣，則在減壓室S內形成氣流，附著在晶圓w上的雜臂· 與氣流一起排出。然而此時吸引裝置7 6的設定壓力，胃 了附去附著在晶圓W上的雜質，設爲2 0 0〜3 0 0 p a 以下較理想。然後，減壓室S減壓到一定壓力，經過〜定 時間，例如經過數分鐘程度後，停止吸引裝置7 6。以上 述的過程實施所期望的減壓除去裝置。 然此情況，從吸引口 7 8的吸引量，經控制使其在晶 圓W進入減壓室s之後，即是在蓋體7 0與載置台7 1密 合之後其吸引量最大。 進而，預先在蓋體7 0的一部分形成光學用的窗Q， 利用適用的光學測定感測器，測定晶圓W上的雜質是否s .除去亦可。 接著通氣管8 3開放，減壓室S回到原來的壓力。％ 引口 7 8停止吸引後，蓋體上升。 接著利用升降桿升起晶圓8 1 ，轉交到曝光處理裝竃 6側的晶圓輸送機構6 6。然後，晶圓通過外殼6 5 a的 通過口 8 7，從減壓除去裝置6 5內送出，則完成晶圓W 的雜質除去過程。 其後，曝光處理裝置6其外殼6 a的閘門1 1 7 ’利 用晶圓輸送機構6 6 ，晶圓從通過口 1 1 5輸送到曝光處 理裝置6內。 接著晶圓W在於曝光處理裝置6曝光預定的圖案。然 後，曝光完成之晶圓W，利用第2路徑6 1內的晶圓輸送 ----·----Φ! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 20 · 594835 A7 B7 五、發明説明（18) 機構6 9 ，從曝光處理裝置6通過通過口 1 1 6送出到第 2路徑6 1內。此時，開放閘門1 1 8，晶圓W通過則再 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 度關閉。 然後，送入到第2路徑6 1內的晶圓w，移動到載置 部9 5上，轉交到載置部9 5的升降機構9 8，其後暫時 載置到載置部9 5。 其後晶圓W利用晶圓輸送體5 5 ，從載置部9 5，通 過該閘門1 0 6所開放之通過口 1 〇 5 ’通過界面部4內 ，輸送到處理站3內的增設裝置4 2。然後晶圓W利用主 輸送裝置13，輸送到加熱/冷卻處理裝置43、44或 4 5，依序施予曝光處理後的加熱/冷卻處理。 其後晶圓W輸送到顯像處理裝置1 8或2 0進行顯像 處理。然後經顯像處理過之晶圓W輸送到後置加熱裝置 3 5或3 6進行加熱，其後輸送到冷卻裝置3 3或3 4， 冷卻到一定溫度。然後，輸送到第3處理裝置群的待機裝 置3 2 ，從該處起利用晶圓輸送體8 ，回到卡匣站2的卡 匣C。經過以上的過程，結束一連串的照像蝕刻過程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據以上的實施形態，在界面部4與曝光處理裝置6 之間設置轉交部，在該轉交部5設置減壓除去裝置6 5， 因而在晶圓W曝光處理前，能除去附著在晶圓W上的抗蝕 膜之雜質。因此，晶圓W的曝光處理不致因氧等的雜質而 受到影響，適度地進行曝光處理。 另外，由於將除去雜質及微粒子的不活性氣體供應到 轉交部5內，轉交部5內的維持淸淨的氣相，因而防止在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 594835 A7 _B7^_____ 五、發明説明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曝光處理前後的晶圓W附著雜質。曝光處理前的晶圓W在 減壓除去裝置6 5已被淸淨化，不過能防止在該淸淨化後 的晶圓再度附著雜質。 由於在界面部4與轉交部5之間設置閘門1 〇 3 ’ 1 0 6，因而抑制界面部4內含有雜質的氣相流入到轉交 部5內，轉交部5內的氣相維持淸淨的氣相。 進而，由於設定轉交部5內的壓力P 1使其比曝光處 理裝置6內的壓力P 2還低，因而能防止轉交部5內的氣 相流入到嚴格控制氣相之曝光處理裝置6內。 另外，由於將轉交部5分設在第1路徑6 0及第2路 徑6 1 ，因而晶圓W從界面部4經由減壓除去裝置6 5輸 送到曝光處理裝置6 ，從曝光處理裝置6再度回到界面部 4爲止之過程順暢地進行。 以上的實施形態則是在界面部4與曝光處理裝置6之 間設置轉交部5 ，在該轉交部5內設置減壓除去裝置6 5 ’不過將這個減壓除去裝置6 5設置在界面部4內亦可。 以下，此種情況作爲第2實施形態進行說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2實施形態，例如如第7圖所示，而塗敷顯像處理 系統1中界面部4內的正面側，且是在能存取晶圓輸送體 5 5的位置設置減壓除去裝置1 2 0。然後曝光處理裝置 6與界面部4相鄰設置，在該外殻6 a設置單一的通過口 1 2 2及開關該通過口 1 2 2之閘門1 2 3。 在界面部4的上部，如第8圖設置具有與上述過氣體 供應裝置1 1 〇相同構成之氣體供應裝置1 2 5，將不活 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 594835 A7 _B7_______ 五、發明説明（2〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 性氣體到界面部4內，界面部4內維持淸淨的氣相。另外 ，在界面部4的下部設置將界面部4內的氣相排氣之作爲 排氣手段之排氣管1 2 6 ° 在界面部4與處理站3之間設置爲了阻斷界面部4與 處理站3內的氣相之隔間板1 2 7。在該隔間板1 2 7的 對向於第4處理裝置群G 4的待機裝置4 1和4 2的位置 ，設置通過口 1 2 8及開關該通過口 1 2 8之閘門1 2 9 ，而防止處理站3內的氣相流入到界面部4內。 說明以上所構成之第2實施形態中照相融刻過程的處 理，首先，不活性氣體從氣體供應裝置1 2 5供應到界面 部4內，將界面部4內的氣相轉換成淸淨的氣相且加以維 持。 然後，晶圓W開始處理，與第1實施形態同樣’晶圓 W從卡匣站2輸送到處理站3，依序進行附著處理、抗蝕 劑塗敷處理、加熱/冷卻處理，其後輸送到待機裝置4 1 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，利用晶圓輸送體5 5 ，晶圓w輸送到界面部4 內的周邊曝光處理裝置5 6，其後，輸送到減壓除去裝置 1 2 0內。在於此減壓除去裝置1 2 0，與第1實施形態 同樣，除去附著在晶圓W上的雜質。接著經被淸淨化之晶 圓W再度保持在晶圓輸送體5 5，從通過口 1 2 2輸送到 曝光處理裝置6內，進行曝光處理。然後，曝光處理完成 後，晶圓W利用晶圓輸送體輸送到處理站3內的待機裝置 4 2。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）7^1 ' 594835 A7 ___B7 五、發明説明（21 ) 其後’與弟1貫施形知问樣’在於處理站3進行加熱 /冷卻處理、顯像處理等，最後回到卡匣站2後，完成一 連串的照相蝕刻處理。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此樣’經由將減壓除去裝置1 2 0設置在界面部4內 ，利用與既有的塗敷處理系統相同大小，因能安裝從晶圓 W除去雜質之裝置’所以與第1實施形態相比較，達到系 統的小型化。 以上的實施形態，將減壓除去裝置設置在轉交部5內 或界面部4內’不過其他的處所，例如設置在曝光處理裝 置6內、處理站3內亦可。針對此種情況，若從晶圓W除 去雜質，則適度地進行曝光處理，得到同樣的效果。 進而，以上的實施形態，在於減壓除去裝置6 5中進 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .行加熱/冷卻裝置4 6、4 7所施行之使抗蝕液溶液中的 溶劑蒸發之處理亦可。此情況，例如，如第9圖所示在處 理站3的第4處理裝置群G 4中，取代加熱/冷卻裝置 4 6、4 7，改而設置進行曝光後的加熱/冷卻處理之加 熱/冷卻裝置1 30 (PRE /COL)、進行顯像處 理後的加熱處理之加熱處理裝置1 3 1 ，在第3處理裝置 群G中增加冷卻處理曝光後的加熱處理後的晶圓w之冷卻 處理裝置1 3 2 〇 然後，晶圓W送入到減壓除去裝置6 5內，載置在載 置台7 1時，使減壓室S內的壓力減壓到蒸發抗飩液的溶 劑之一定壓力，例如降壓到1 3 3 p a後使抗蝕液中的溶 劑蒸發，此時進行上述雜質的除去處理。經此方式，在於 1紙張尺度適用中國國家標準（0奶）八4胁（210'/297公着)~. 〇4- 594835 A7 B7 五、發明説明（22) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述減壓除去裝置6 5內可以同時進行溶劑蒸發處理及雜 質除去處理的兩者處理。因此，能夠以減壓除去裝置6 5 進行過去加熱/冷卻裝置4 6、4 7所施行的處理。因此 ’取代爲使溶劑蒸發處理的裝置，改而增加其他的熱處理 裝置，因而提高處理站3內的處理能力。然而，不增加其 他的熱處理裝置將加熱/冷卻裝置4 6、4 7省略掉時， 也能使熱處理裝置個數減少，所以也能達到處理站3全體 的小型化。 進而說明其他的實施形態。第1 〇圖係爲本實施形態 其塗敷顯像處理系統1之平面圖。第1 1圖係爲塗敷顯像 處理系統1之正面圖。第1 2圖係爲塗敷顯像處理系統1 之背面圖。 塗敷顯像處理系統2 0 1 ，如第1 0圖所示，例如具 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有以2 5片晶圓W裝入卡匣的卡匣單位，從外部對塗敷顯 像處理系統1送入送出，且對卡匣C送入送出晶圓W之卡 匣站2 0 2、及在於塗敷顯像處理過程，將單片式對晶圓 W施加一定的處理之各處理裝置配置成多段的作爲處理部 之處理站2 0 3、及與此處理站2 0 3相鄰設置，在前述 處理站2 0 3與設置在塗敷顯像處理系統2 0 1外之曝光 處理裝置2 0 6之間擔負輸送晶圓W之際其路徑的一部分 之界面部2 0 4、及設置在此界面部2 0 4與曝光處理裝 置2 0 6之間，進行界面部2 0 4與曝光處理裝置2 0 6 之間晶圓W的轉交之轉交部2 0 5等成一體連接之構成。 卡匣站2 0 2則是將複數個卡匣C朝X方向（第1 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 594835 A7 _____B7__ 五、發明説明（23) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖中的上下方向）成一列自由載置到卡匣載置台2 0 7上 的預定位置。然後，沿著輸送路2 0 9能自由移動地設置 對卡匣配列方向（X方向）及收容在卡匣C之晶圓W的晶 圓配列方向（Z方向，鉛直方向）能移送之晶圓輸送體 2 0 8，形成爲能對各卡匣C選擇性地進行存取。 晶圓輸送體2 0 8具備進行晶圓W的對位之調節功能 。此晶圓輸送體2 0 8被構成爲如後述也能對處理站 2 0 3側的屬於第3處理裝置群G 3之待機裝置3 2及附 著裝置2 1 3存取。 處理站2 0 3則是在該中心部設置作爲第1輸送裝置 之主輸送裝置2 1 3，在此主輸送裝置2 1 3的周邊多段 地配置各種處理裝置而構成處理裝置群。該塗敷顯像處理 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .系統2 1 0中，配置4個處理裝置群G 1、G 2、G 3、 G4;第1及第2處理裝置群Gl、 G2配置在顯像處理 系統1的正面側，第3處理裝置G 3與卡匣站2 0 2相鄰 配置，第4處理裝置群G4與界面部2 0 4相鄰配置。進 而能將另選件的虛線所示之第5處理裝置群G 5另行配置 在背面側。前述主輸送裝置2 1 3能對配置在處理裝置群 Gl、 G2、 G3、 G4之後述的各種處理裝置送入送出 晶圓W。 第1處理裝置群G 1 ，例如如第][1圖所示，對晶圓 W塗上抗蝕液之抗蝕劑塗敷裝置2 1 7、及顯像處理曝光 處理後的晶圓W之顯像處理裝置2 1 8由上依序配置成2 段。第2處理裝置群G 2的情況也同樣地，抗餓劑塗敷裝 本紙張尺度適用中關家料（CNS ) A4驗（210 X297公釐)7〇6 - 靡^ 594835 Α7 Β7 五、發明説明（24) 置2 19及顯像處理裝置2 2 0由下依序積疊成2段。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3處理裝置群G 3，例如如.第1 2圖所示，將晶圓 W冷卻處理之冷卻裝置2 3 0、及用夾提高抗蝕液與晶圓 W的附著性之附著裝置2 3 1、及用來使晶圓W暫時待機 之待機裝置2 3 2、及冷卻顯像處理後的晶圓W 2冷卻裝 置2 3 3、2 3 4、以及對顯像處理後的晶圓W施予加熱 處理後之後置乾燥裝置235、 236等由下依序例如重 疊成7段。 第4處理裝置群G4，例如冷卻裝置2 4 0、及載置 曝光處理前後的晶圓W，及暫時使其待機之待機裝置 2 4 1和2 4 2、及加熱曝光處理後的晶圓W，其後冷卻 到一定溫度之加熱/冷卻處理裝置2 4 3和2 4 4和 245 (第12圖中的PEB/COL)、及爲使抗飩液 中的溶劑蒸發而加熱，其後冷卻到一定溫度之加熱/冷卻 處理裝置246和247(第12圖中的PRE/COL )等由下依序例如積疊成8段。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述加熱/冷卻處理裝置2 4 3，如第1 3圖所示， 具有：爲了在該外殻2 4 3 a.內的基台2 5 0上加熱基板 之圓盤狀的熱板2 5 1、及移動到該熱板2 5 1上，從基 板2 5 1上接收晶圓W後加以冷卻之冷卻板2 5 2。然後 ，在相同裝置內連續進行晶圓W的加熱/冷卻處理，而會g 夠隨時一定地維持經加熱加到晶圓W的熱履歷。然後，其 他的加熱/冷卻裝置2 4 4〜2 4 7也具有相同的構成。 界面部2 0 4如第1 0圖所示，在其中中央部設置作 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) ΤτΓ. "~ 594835 A7 __B7 五、發明説明（25) 爲第2輸送裝置之晶圓輸送體2 5 5。此晶圓輸送體 2 5 5被構成爲能往X方向（第1 〇圖中的上下方向）、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Z方向（垂直方向）自由移動、及能往0方向（以z軸爲 中心之旋轉方向）自由旋轉，且被構成爲能對屬於第4處 理裝置群G4之待機裝置2 4 1和2 4 2、周邊曝光處理 2 5 6以及轉交部2 0 5進行存取，而能對各個輸送晶圓 0 轉交部2 0 5被構成呈隧道狀其斷面爲方形，以能氣 密封閉之外殼2 0 5 a所圍成，易於將轉交部2 0 5內減 壓。轉交部2 0 5具有：晶圓W從界面部2 0 4輸送到曝 光處理裝置2 0 6之際所通邊之第1路徑2 6 0、及晶圓 W從曝光處理裝置2 0 6輸送到界面部2 0 4之際所通過 之第2路徑2 6 1。 在第1路徑2 6 0與第2路徑2 6 1之間，每個路徑 維持氣密性的狀態設置隔間板2 6 2。如第1 4、 1 5圖 所示，在第1路徑2 6 0及第2路徑2 6 1的上部分別設 置用來將各路徑內的氣相吸氣之吸氣管2 6 5、 2 6 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這些吸氣管2 6 5、2 6 6分別連通到吸引各路徑內的氣 相且使其減壓到一定的設定壓力之減壓裝置2 6 7及 2 6 8° 此樣，各路徑各別加以隔間，能個別設定壓力；特別 是第1路徑2 6 0則是經由將第1路徑2 6 0內的壓力減 壓，就能除去附著在晶圓W上的抗蝕膜之氧等的雜質。在 第1路徑2 6 0設置將不活性氣體供應到第1路徑內之氣 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 28 - 594835 A7 B7____ 五、發明説明（26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體供應手段2 6 9 ，能在一定的時間點將不活性氣體供應 到第1路徑2 6 0內，使其恢復第1路徑2 6 0內的壓力 。另外，此不活性氣體係爲不含雜質之氧、臭氧、水蒸氣 、有機物等的氣體，例如使用氮氣、氖氣等。 在第1路徑2 6 0內，設置在此第1路徑2 6 〇內暫 時載置晶圓W，除去附著在晶圓W上的抗蝕膜之氧等的雜 質之載置部2 7 0、及從這個載置部2 7 0至曝光處理裝 置2 6 0輸送晶圓的當作第3輸送裝置之晶圓機構2 7 1 〇 此處，詳加說明載置部2 7 0的構成。在載置部 270，如第16圖所示，設置有厚度的圓盤狀之載置盤 2 7 5使其支承在支承台2 7 6。在此載置盤2 7 5設置 用來吸引晶圓W使其保持在載置盤2 7 5之複數之吸引口 2 7 7。在這個吸引口 2 7 7至少連通低於第1路徑 2 6 0內的壓力使其吸著晶圓W之吸引裝置2 7 8 ;被構 成爲即使第1路徑2 6 0內減壓也能防止晶圓W因該吸引 力而浮起。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在載置盤2 7 5設置能調節載置盤2 7 5的溫度之例 如珀耳帖（pelUer )元件等之溫度調節手段2 8 0，使載 置盤2 7 5控制在一定的溫度，在於晶圓W面內能均等地 維持載置在載置盤2 7 5之晶圓W溫度。在載置盤2 7 5 的下方設置往上下方向自由移動到設在載置盤2 7 5的貫 通孔2 8 2內之升降桿2 8 3，能使晶圓W升降，將該晶 圓載置在載置盤2 7 5上；被構成爲能在晶圓輸送體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）TJoT — 594835 Α7 Β7 五、發明説明（27) 2 5 5與晶圓輸送機構271之間轉交晶圓冒。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，在第2路徑2 6 1內設置如第1 0圖所示將完 成曝光處理之晶圓W輸送到界面部2 0 4之際暫時載置之 載置台2 9 0、及直到曝光處理裝置2 0 6內的晶圓胃輸 送到前述載置台2 9 0的當作第4輸送裝置之晶圓輸送機 構 2 9 1。 載置台2 9 0形成爲圓盤狀，而其中央附近設置使所 載置的晶圓W升降之升降機構2 9 3。利用此升降機構 2 9 3就能夠在載置台2 9 0與晶圓輸送機構2 9 1或晶 圓輸送體2 5 5之間轉交晶圓W。 在轉交部2 0 5的外殼2 0 5 a中對向於界面部 2 0 4側的前述載置部2 7 0之位置設置通過口 2 9 5 ’ 利用前述晶圓輸送體2 5 5，就能從界面部2 0 4將晶圓 W輸送到載置部2 7 0。另外在此通過口 2 9 5設置開關 通過口 2 9 5而維持第1路徑2 6 0內的氣密性之閘門 2 9 6 ;只有晶圓W通過通過口 2 9 5時閘門2 9 6開放 ，除此之外的情況則閘門2 9 6關閉。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在外殼2 0 5 a的界面部2 0 4側之對向於載置台 2 9 0的位置設置通過口 2 9 7，利用晶圓輸送體2 5 5 就能將晶圓W從載置台2 9 0輸送到界面部2 0 4內。在 此通過口 2 9 7設置開關通過口 2 9 7而維持第2路徑 2 6 1內的氣密性之閘門2 9 8，只冇晶圓W通過通@ 口 2 9 7時開放閘門2 9 8。 進行晶圓W其圖案的曝光處理之曝光處理裝置，第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -3〇 - 594835 A7 _B7 _ 五、發明説明（28 ) 1 0圖所示與轉交部2 0 5相鄰設置。此曝光處理裝置 2 0 6被構成爲利用該曝光處理裝置2 0 6的外殼 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 6 a加以密閉，能嚴格地控制曝光處理裝置2 0 6內 的氣相。另外，在外殼2 0 6 a的轉交部2 0 5側設置用 來將晶圓W從第1路徑2 6 0送入之通過口 3 0 0及將晶 圓W從第1路徑2 6 0送出之通過口 3 0 1 ，在各通過口 300、 301設置用來開關通過口300、 301，維 持轉交部2 0 5內的氣密性之閘門3 0 2、3 0 3。 其次，說明以上所構成的塗敷顯像處理系統2 0 1所 施行的照像蝕刻過程之處理。 首先，晶圓W開始處理前，利用減壓裝置2 6 7、 2 6 8將轉交部2 0 5的各路徑，即是將第1路徑2 6 0 、第2路徑2 6 1內的壓力調節到比處理裝置2 0 6內的 壓力P 2還低的壓力P 1。經由此調整使各路徑內的氣相 不致流入到曝光處理裝置2 0 6內，以後，維持該狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，晶圓W開始處理，則首先在於卡匣站2 0 2， 晶圓輸送體2 0 8將未處理的晶圓從卡匣C中逐片取出， 送入到處理站2 0 3的附著裝置2 3 1。 接者在於附者裝置2 3 1 ’塗上爲使提高與抗餓液的 密合性之Η M D S等的密合強化劑之晶圓W，利用主輸送 裝置213 ，送入冷卻裝置230，冷卻到一定的溫度。 其後，晶圓W輸送到抗蝕劑塗敷裝置2 1 7或2 1 9 ，施 予抗蝕劑塗敷處理。然後，形成有抗蝕膜的晶圓W輸送到 加熱/冷卻處理裝置246或247(第12圖中的 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格^ 210X297公羞1 「31 - ~ 594835 A7 B7__ 五、發明説明（29 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P R E / C〇L )，施予爲使抗蝕劑中的溶劑蒸發之加熱 /冷卻處理。此時，並不是在個別設置加熱處理及冷卻處 理之各裝置中依序進行，如同加熱/冷卻處理裝置2 4 6 、2 4 7，以單一的裝置內進行加熱/冷卻處理，由於晶 圓W從加熱處理後直到冷卻處理的時間能隨時維持一定’ 因而在於晶圓W間經加熱而加到晶圓W之熱履歷都能相同 。另外，本實施形態，由於是從抗蝕劑塗敷處理至顯像處 理都使用加熱/冷卻裝置2 4 3〜2 4 7進行全程的加熱 、冷卻處理，因而在於全部的晶圓W從抗鈾劑塗敷至顯像 處理所要的時間都能相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後晶圓W輸送到待機裝置2 4 1 ，利用晶圓輸送體 255，從待機裝置241輸送到界面部204內的周邊 曝光處理裝置2 5 6。然後以周邊曝光處理2 5 6曝光該 周邊之晶圓W再度保持到晶圓輸送體2 5 5，從通過口 2 9 5輸送到轉交部2 0 5其第1路徑2 6 0內的載置部 2 7 0。此時，鬧門2 9 6 —時開放，晶圓W輸送到載置 部2 7 0 ，閘門2 9 6再度關閉，維持第1路徑2 6 0內 的氣密性。 然後，晶圓W轉交到載置部2 7 0的升降桿2 8 3 ， 如第1 6圖所示載置到載置盤2 7 5上，則吸引裝置 2 7 8作動，晶圓W被吸著在載置盤2 7 5上。此時吸引 裝置2 7 8的吸引力被設定爲即使第1路徑2 6 0內減壓 到後述的P 3，晶圓W也不作動。另外，此時的載置盤 2 7 5利用溫度調節手段2 8 0維持在一定溫度例如爲 本^張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210父297公釐）7^2 · "~ 594835 A7 _______B7 五、發明説明（3〇) 2 3 °C，且維持晶圓面內其溫度的均等性。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著減壓裝置2 6 7的設定壓力變更爲比P 1還低的 壓力P 3，進而從吸氣管2 6 5開始強力吸引第1路徑 2 δ 0內的氣相。然後，如第1 5圖所示在第1路徑 2 6 〇內形成氣流，附著在晶圓w上的雜質與該氣流一起 從吸氣管2 6 5排出。此時減壓裝置2 6 7的設定壓力 Ρ 3爲了除去附著在晶圓w上的雜質，而例如設爲8 0 0 P a以下較理想。 其後，經一定時間除去晶圓W上的雜質後，減壓裝置 2 6 7的設定再度變更爲P 1。然後作動氣體供應手段 2 6 9 ，不活性氣體供應到第1路徑2 6 0內，第1路徑 2 6 0內的壓力恢復到P 1。 接著解除晶圓W的吸引口 2 7 7所形成的吸著，晶圓 W利用升降桿2 8 3上升，轉交到晶圓輸送機構2 7 1。 然後，曝光處理裝置2 0 6其外殼2 0 6 a的閘門3 0 2 開放，則晶圓W送入到曝光處理裝置2 0 6內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後，晶圓W在於曝光處理裝置2 0 6內曝光預定的 圖案。曝光完成之晶圓W，利用第2路徑2 6 1內的晶圓 輸送機構2 9 1，從曝光處理裝置2 0 6經過通過口 3 0 1送出到第2路徑2 6 1內。此時，閘門3 0 3 —時 開放，通過晶圓W則再度關閉，而維持第2路徑2 6 1內 的氣密性。 然後送入到第2路徑2 6 1內的晶圓W移動到載置台 2 9 0上’轉交到載置台2 9 0的升降機構2 9 3 ’暫時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X；297公釐）:33 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594835 A7 B7 — —__ 五、發明説明（31 ) 載置在載置台2 9 0上。 其後，晶圓W利用晶圓輸送體2 5 5 ’從載®台 290通過閘門298所開放的通過口 297 ’且通過界 面部2 0 4內，輸送到處理站2 〇 3內的待機裝置2 4 2 。然後，晶圓W利用主輸送裝置2 1 3 ’輸送到加熱/冷 卻處理裝置243、 244或245，依序施予曝光處理 後的加熱、冷卻處理。 其後，晶圓W輸送到顯像處理裝置2 1 8或2 2 0進 行顯像處理。然後經顯像處理過的晶圓w輸送到後置加熱 裝置2 3 5或2 3 6進行加熱，其後輸送到冷卻裝置 2 3 3或2 3 4，冷卻到一定溫度。然後，輸送到第3處 理裝置群的待機裝置2 3 2，此後利用晶圓輸送體2 0 8 ，回到卡匣站2 0 2的卡匣C內。經以上的過程，完成一 連串的照相蝕刻過程。 依據以上的第3實施形態，由於設置能氣密地封閉在 界面部2 0 4與曝光處理裝置2 0 6之間之轉交部2 0 5 ，且設置將該轉交部2 0 5其第1路徑2 6 0內的壓力減 壓之減壓裝置2 6 7，因而在晶圓曝光處理之前通過第1 路徑2 6 0內，該時能使第1路徑2 6 0內減壓，所以能 除去晶圓上附著在抗蝕膜的氧等之雜質。 另外，由於分割轉交部2 0 5設置第1路徑2 6 〇及 第2路徑2 6 1的2個路徑，因而晶圓W從界面部2 〇 4 輸送到曝光處理裝置2 0 6，從曝光處理裝置2 0 6直到 再度回到界面部2 0 4的過程都能順暢地施行。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）_以_ ----：---1T------~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 594835 A7 B7_ 五、發明説明（32 ) 進而，由於設置第1路徑2 6 0及第2路徑2 6 1各 路徑的減壓裝置2 6 7、 2 6 8 ’因而將第1路徑2 6 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 內的壓力設定爲除去晶圓w上的雜質之壓力？ 3 ’另外將 第2路徑2 6 1內的壓力設定爲第2路徑2 6 1的氣相不 致流入到曝光處理裝置2 0 6內之壓力P 1 ，分別能設定 不同的壓力。 由於將轉交部2 0 5內的壓力P 1設定爲隨時都比曝 光處理裝置2 0 6內的壓力p 2還低’因而能夠防止轉交 部2 0 5內的氣相流入到嚴格控制氣相之曝光處理裝置 2 0 6 內。 由於在第1路徑2 6 0內設置載置部2 7 0且在該載 置部2 7 0設置吸引口 2 7 7，因而能夠在晶圓W上除去 .雜質之際載置晶圓W且加以固定。因此，可以防止當第1 路徑2 6 0內減壓時利用該負壓浮起晶圓W。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於將晶圓W能輸送到前述載置部2 7 0及曝光處理 裝置2 0 6之晶圓輸送機構2 7 1設置在第1路徑2 6 0 內，因而除去晶圓W上的雜質之際，附著在該晶圓輸送機 構2 7 1的雜質也被除去，而能將晶圓輸送機構2 7 1維 持在淸淨的狀態。因此，防止因附著在晶圓輸送機構 2 7 1的雜質而污染晶圓。 以上的第3實施形態，在載置部2 7 0設置吸引口 2 7 7，作爲晶圓W的保持手段，不過在載置部2 7 0設 置其他的保持手段，例如使用機械式夾頭亦可。設置保持 手段的位置設置在第1路徑2 6 0內的載置台2 7 0以外 1紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210父297公釐） 「35- 594835 A7 B7 五、發明説明（33 ) 的位置，例如設置在晶圓輸送機構2 7 1亦可。此情況， 上述過椎質的除去處理於晶圓W保持在保持手段時進行較 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 佳。 進而，在於轉交部2 0 5的第1路徑2 6 0內進行以 加熱/冷卻裝置2 4 6、2 4 7所施行之使抗蝕液中的溶 劑蒸發之處理亦可。此情況，例如如第1 7圖所示在處理 站2 0 3的第4處理裝置群G 4取代設置加熱/冷卻裝置 2 4 6、2 4 7 ( P R E / C〇L )，改而設置進行曝光 後的加熱、冷卻處理之加熱/冷卻裝置305 (PEB/ C〇L )、進行顯像處理後的加熱處理之加熱處理裝置 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0 6 ;以及在第3處理裝置群G 3加設將曝光後且加熱 處理後的晶圓W冷卻處理之冷卻處理裝置3 0 7。然後， 當晶圓W載置在第1路徑2 6 0內的載置部2 7 0時，將 第1路徑2 6 0內的壓力減壓到蒸發抗蝕液的溶劑之一定 壓力，例如爲1 3 3 P a而使抗蝕液中的溶劑蒸發，該時 進行上述過雜質的除去處理。經此過程’經由將前述轉交 部2 0 5的壓力減壓到一定的壓力能同時進行溶劑蒸發處 理及雜質除去處理的兩種處理。然後取代用來進行溶劑蒸 發處理之裝置，改而增設其他的熱處理裝置’而能提高處 理站2 0 3內的處理能力。然而，即使不增設其他的熱處 理裝置而省略掉加熱/冷卻裝置2 4 6、2 4 7時，也能 減少熱處理裝置個數’所以處理站2 0 3全體也能達到小 型化。 以上的第3實施形態’將第1路徑2 6 0內全體減壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .36- 594835 A7 B7_ 五、發明説明（34 ) 到P 3而除去雜質，不過在第1路徑2 6 0內設置高減壓 室，將該高減壓室內的壓力減壓到P 3，使第1路徑 2 6 0全體的壓力成爲比P 3還高的壓，例如爲P 4亦可 。以下，將此種情況當作第4實施形態進行說明。 第4實施形態中在第1路徑3 1 2內，例如第1 8、 1 9圖所示，取代前述實施形態中的載置部2 7 0，改而 設置能氣密封閉容室內所構成之高減壓室3 1 0。在高減 壓室3 1 0內設置將該高減壓室3 1 0內減壓之減壓手段 3 1 1 ’使其從高減壓室3 1 0上方吸引就能將高減壓室 3 0 0的氣相減壓。在第1路徑3 1 2內設置對高減壓室 3 1 0及曝光處理裝置2 0 6進行存取而能輸送晶圓W的 作爲第3輸送裝置之晶圓輸送機構3 1 3。界面部2 0 4 的晶圓輸送體2 5 5能對高減壓室3 1 0輸送晶圓w。 晶圓W輸送到此種構成之第1路徑3 1 2內的高減壓 室3 1 0，則減壓手段3 1 1作動，高減壓室3 1 〇內的 壓力減壓到P 3。然後，此時第1路徑3 1 2內的壓力’ 減壓P1而變更爲比P3還高的壓力P4 (P3<p4< P1<P2 ，P2爲曝光處理裝置6內的壓力）。然後’ 晶圓W在高減壓室3 1 0內除去雜質，其後從高減壓室 3 1 0送出，通過壓力P4的第1路徑3 1 2內’輸送到 壓力P 2的曝光處理裝置2 0 6內。 此樣設置局減壓室3 1 0，將晶圓W從局減_室 3 1 〇直到輸送到曝光處理裝置2 〇 6內之間其第1路徑 312內的壓力設定爲？4(?3<?4<尸2) ’壓力 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董）_ 37 · ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594835 A7 B7 五、發明説明（35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 從P 3階段地恢復到p 2，因而當晶圓w輸送到曝光處理 裝置2 0 6內之際，抑制曝光處理裝置2 0 6內的氣相大 量流入到第1路徑3 1 2內。另外，加熱/冷卻裝置 2 4 6、2 4 7所施行之抗蝕液中的溶劑蒸發之處理能在 高減壓室310進行。 以上所說明過之實施形態，係爲半導體晶圓裝置製造 過程之照像蝕刻過程其晶圓W的塗敷顯像處理系統，不過 針對半導體晶圓以外的基板，例如L C D基板的塗敷顯像 處理系統也能應用本發明。 依據本發明，由於在曝光處理前，能除除去附著在基 板的塗敷膜之氧、臭氧、有機物等的分子程度雜質或微粒 子等之雜質，因而不受到該雜質的影響而適度地進行曝光 .處理，達到良品率的提高。另外，能與雜質的除去處理同 時使塗敷液中的溶劑蒸發，所以達到生產流量的提升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 特別是減壓除去裝置設在轉交部時，利用曝光處理裝 置在附近的位置，能夠從基板上除去雜質，能在基板更淸 淨的狀態下曝光處理。另外，雖設置減壓除去裝置等的雜 質機構卻能充分地利用空間，達到系統的簡單化。 另外，在轉交部內設置2個路徑，因而基板的處理能 順暢地進行，達到生產流量的提升。 特別是在轉交部的第1路徑內設置能更強力地除去雜 質之高減壓室，因而當基板從高減壓室通過第1路徑內輸 送到曝光處理裝置內之際，由於能使壓力逐步恢復，因而 能抑制壓力差所造成激烈氣流的產生，且能抑制曝光處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 - 594835 A7 B7 五、發明説明（36 ) 裝置及第1路徑內的氣相變動。因此，由於對於曝光處理 裝置及第1路徑調節到一定的氣相之時間縮短，因而達到 升 提 的 量 流 產 生 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39 -