JP4090313B2 - 基板保持装置および基板処理装置 - Google Patents
基板保持装置および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4090313B2 JP4090313B2 JP2002265323A JP2002265323A JP4090313B2 JP 4090313 B2 JP4090313 B2 JP 4090313B2 JP 2002265323 A JP2002265323 A JP 2002265323A JP 2002265323 A JP2002265323 A JP 2002265323A JP 4090313 B2 JP4090313 B2 JP 4090313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- atmosphere
- holding member
- substrate holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の製造工程などにおいて所定の処理を行う基板処理装置に関する。より詳しくは、基板処理装置において基板を保持する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板に対して処理液を塗布する塗布装置や製造工程における処理の適否を検査する各種検査装置など、基板に対する所定の処理を行う基板処理装置において、基板を所定の位置に固定する、あるいは固定して搬送するために、基板を保持する必要がある。このような場合に、従来より、基板を真空吸着するウェハ吸着機構によって基板をプレートに保持する基板保持装置が提案されている。このような基板保持装置は、例えば、特許文献1に紹介されている。特許文献1に紹介されている基板保持装置では、基板を保持しているプレートから当該基板を搬出する際には、ウェハ吸着機構による雰囲気の吸引を停止することによって基板を解放するように構成している。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−326270公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記公報に記載されている基板保持装置では、雰囲気の吸引を停止した瞬間に、ウェハ吸着機構から雰囲気の逆流が生じ、配管内のパーティクルなどが空気とともに基板に吹き付けられるという問題があった。これにより、基板にパーティクルが付着すると製品の歩留まりが低下する原因となる。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板へのパーティクルの付着を抑制することができる基板保持装置並びに基板処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板を保持する基板保持装置であって、雰囲気の流路が設けられ、前記基板を保持する保持部材と、前記雰囲気の流路から雰囲気を吸引するための吸引配管と、前記雰囲気の流路から所定の気体を供給するための供給配管とを備え、前記吸引配管からの前記雰囲気の吸引を行いつつ、前記供給配管から前記所定の供給することによって、前記保持部材に保持された前記基板を解放するとともに、前記基板を解放する際に前記供給配管から供給される前記所定の気体の時間当たりの体積量が、前記吸引配管により吸引される雰囲気の時間当たりの体積量以上である。
【0008】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板保持装置であって、前記保持部材を固定する固定台をさらに備え、前記保持部材が前記固定台上に着脱自在に載置されている。
【0009】
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る基板保持装置であって、前記固定台が、前記保持部材の相対的な位置を決定するための位置決め部材を有する。
【0010】
また、請求項4の発明は、請求項1ないし3のいずれかの発明に係る基板保持装置であって、前記所定の気体が、不活性ガスである。
【0011】
また、請求項5の発明は、請求項1ないし4のいずれかの発明に係る基板保持装置であって、前記供給配管が、前記所定の気体の供給量を調節するための調整機構を有する。
【0012】
また、請求項6の発明は、請求項1ないし5のいずれかの発明に係る基板保持装置であって、前記基板を案内するガイド部材をさらに備える。
【0013】
また、請求項7の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、前記基板に対して前記所定の処理を行う処理ユニットと、請求項1ないし6のいずれかの発明に係る基板保持装置とを備える。
【0014】
【発明の実施の形態】
<1. 実施の形態>
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【0015】
図1は、本発明に係る基板処理装置としての検査装置1の外装部2から装置本体部3を引き出した状態を示す図である。検査装置1は、基板に対する所定の処理として、例えば、製造工程において基板に施された各種処理工程の結果を測定し、当該測定結果に基づいて当該基板の検査を行う装置であり、本発明に係る基板処理装置に相当する。
【0016】
検査装置1では、無底で略箱状の外装部2と装置本体部3とが相互に分離した状態で、外装部2が装置本体部3の上方および周囲を囲むように配備されている。
【0017】
外装部2は、装置本体部3を覆うために無蓋かつ無底の箱状とされてひとつの側面を比較的大きく開口させたカバー20、カバー20を取り付けるフレーム21、外装部2から装置本体部3に向けて雰囲気としてのエアを供給して送風するFFU(Fan Filter Unit)22、オペレータが検査装置1を操作するための操作部23、および検査結果などの各種データを表示する表示部24を備えている。
【0018】
FFU22は、装置本体部3の上方に配置されるように外装部2に取り付けられ、装置本体部3の上方からエアを供給する。
【0019】
また、外装部2と装置本体部3とが分離可能であることから、例えば、クリーンルームのレイアウトなどの要請により、操作部23や表示部24の位置を変更したい場合には、所望の位置にそれらの構成を有する外装部2に取り換えることで、そのような変更が可能となる。
【0020】
装置本体部3は、基板保持部33と測定部37とが搭載されるベース30、基板90(図2参照)を収納する収納容器(カセット)を載置するためのカセット搭載部31、基板保持部33に対して基板90を搬出入するための搬送部32、基板90を所定の位置に保持する基板保持部33、および基板保持部33に保持された基板90に対して所定の測定を実行する測定部37を備えている。
【0021】
ベース30は、基板保持部33および測定部37が搭載されるだけでなく、カセット搭載部31および搬送部32も固定される。ベース30の底面の外周は外装部2の内周よりも短くされており、ベース30は外装部2に固定されない状態で配置される。
【0022】
また、ベース30には、十分な強度を有する鉄鋳物などが使用されており、例えば、検査装置1の重みで床板に歪みが生じた場合であっても、測定部37と基板保持部33との相対位置などに影響を与えることのないようにされている。これにより、検査装置1では、養生板などの補強材を使用することなく、基板90の検査を行うことができることから、検査精度を向上させることができる。
【0023】
カセット搭載部31は、装置本体部3の前面にベース30に固定された状態で配置され、前述のように、検査用基板(あるいは検査済み基板)90が収納されたカセットが載置される。また、搬送部32がカセットに収納された基板90にアクセスするための開口部310が設けられている。さらに、検査装置1のカセット搭載部31には、2つのカセットを載置することが可能であり、一方を搬入用、他方を搬出用として使用する。
【0024】
搬送部32は、左右方向への移動のみならず、上下方向に移動するための昇降機構をも備えており、アームが基板90を保持することにより、カセットと基板保持部33との間で基板90を搬送する機能を有する。
【0025】
図2は、基板保持部33の平面図である。また、図3は、図2におけるIII−III線において切断した基板保持部33を示す図である。さらに、図4は、固定台34の固定ピン341とその周辺の構成を拡大して示す図である。なお、図2では、内部を観察できるように、保持部材35を一部切断(太線が切断面を示す)した状態で示している。また、本実施の形態では、図2に示すように、検査用の基板90として円盤状の基板を例に説明するが、基板の形状はこれに限られるものではなく、例えば、ディスプレイ用の矩形の基板などであってもよい。また、基板90の材質は吸着保持可能な材質であればよく、例えば、半導体、金属、ガラスなどからなる基板を対象とすることができる。
【0026】
固定台34は、中央部に図4に示す円筒状の凸部を有しており、当該凸部に設けられた凹溝340、凹溝340内の所定の位置(固定台34の中心)に設けられた固定ピン341、凹溝340の底面に設けられた吸引配管342および供給配管343を備え、その上面に保持部材35が着脱自在に載置される。
【0027】
固定ピン341は、図3に示すように、保持部材35の底面の中央位置に設けられた孔に挿入されることにより、固定台34と保持部材35との水平方向の相対的な位置を決定する位置決め部材としての機能を有する。これにより、検査装置1では、固定台34に保持部材35を取り付ける際に、保持部材35を容易に固定台34の所定の位置に取り付けることができる。
【0028】
吸引配管342は、本実施の形態においては固定台34に設けられた円筒状の孔であり、固定台34の裏面に取り付けられた配管345と接続されている。さらに、配管345は、図示しないコンプレッサーなどに接続されており、当該コンプレッサーを駆動することにより、雰囲気を吸引して、装置外に排気することができるようにされている。
【0029】
供給配管343は、固定台34の表面に設けられた供給口付近に供給量を調整するためのオリフィス344を備え、吸引配管342と同様に、固定台34に設けられた円筒状の孔としての構造を有しており、固定台34の裏面に取り付けられる配管346に接続されている。また、配管346は、電磁弁347を介してガス供給部348と接続され、ガス供給部348からガスが供給されると、ガスを供給する。
【0030】
オリフィス344は、所定の口径の孔が設けられていることにより、通過するガスの量をほぼ一定に規定する機能を有しており、容易に交換可能な部材として構成されている。
【0031】
ガス供給部348は、電磁弁347を開閉することにより、配管346を介して供給配管343にガスを供給する。本実施の形態においては、ガス供給部348は、所定の気体(ガス)として窒素(N2)を供給するが、もちろんこれに限られるものではなく、他の不活性ガスやそれらの混合気が用いられてもよい。このように、基板保持部33では、基板90に対して供給する気体を性質の安定した不活性ガスとすることにより、基板90を形成している材料が変質することによるダメージなどを防止することができる。
【0032】
なお、検査装置1では、吸引配管342および供給配管343は、固定台34に設けられた円筒状のトンネル構造となっており、固定台34そのものが配管としての機能を有しているが、このような構造に限られるものではなく、例えば、固定台34に管状の部材を取り付けた構造や貫通させた構造であってもよい。すなわち、気体を所定の方向に導くことができる構造であれば、どのような周知の構造が用いられてもよい。また、ガス供給部348から供給されるガスは、例えば、配管346内においてフィルターを通すなどして粉塵などのパーティクルが除去され、清浄化される。
【0033】
保持部材35は、基板90を保持あるいは解放する際に雰囲気を導くための流路350が設けられており、基板90を吸着して保持する機能を有する。また、保持部材35は、裏面中央に設けられた孔に固定台34の固定ピン341が挿入された状態で、固定台34の所定の位置に着脱自在に載置される。これにあたっては、ネジ止めなどのような固設手段は用いられておらず、保持部材35はその自重で固定台34上に置かれているだけである。これにより、保持部材35を洗浄する場合などに、保持部材35を容易に取り外すことができることから、検査装置1では、保持部材35のメンテナンスを容易に行うことができる。
【0034】
保持部材35には、図2に示すように、保持部材35の中心を同心円の中心とする複数のリング状の溝351、およびそれらの溝351と交わるように配置された直線状の溝352が形成される。なお、保持部材35の基板90と当接する面(以下、「保持面」と称す)は、可能な限り平坦かつ互いに同一平面内に位置するよう加工されることが好ましい。
【0035】
溝351,352により形成される空間は、保持部材35が基板90を保持している状態においては、外部に対してほぼ密閉された空間となるよう形成されており、流路350の開口部は、溝351,352の底面に設けられる。
【0036】
基板保持部33では、固定台34の吸引配管342から雰囲気が吸引されると、それにともなって流路350からも雰囲気が吸引される。したがって、溝351,352により形成される空間内の気圧が低下し、これにより、基板90が保持部材35の保持面に吸着保持される。
【0037】
さらに、基板保持部33では、保持部材35の溝351,352が前述のような構造を有していることにより、保持部材35が基板90を吸着保持する場合において、保持面が基板90の裏面に対してほぼ均一に吸着することができる。したがって、基板90に不均一な力がかかることによって、基板90が変形することを抑制することができる。なお、基板90を均一に吸着するためには、保持部材35の保持面に比較的多くの流路350を一様に設けるようにしてもよい。
【0038】
基板ガイド36は、保持部材35に基板90が保持されている状態において、ほぼ基板90の外周に沿った位置に複数設けられ、特に、基板90が保持面と平行な方向に移動するのを防止する機能を有する。
【0039】
これにより、基板保持部33は、基板90の解放時に、基板90が落下したりすることを防止することができる。なお、本実施の形態における検査装置1は、4つの基板ガイド36を有しているが、基板ガイド36の個数は3つ以上であれば、4つに限られるものではない。また、基板ガイド36が、基板90に対してほぼ点で接するものではない場合(例えば、基板90の外周に沿ったリング状の部材からなる場合)には、基板ガイド36の個数は、2つ以下であってもよい。さらに、基板ガイド36は固設されていてもよいし、基板90が保持部材35に吸着されている間は退避し、基板90が解放される場合にのみ基板90をガイドするよう駆動式として構成されていてもよい。
【0040】
測定部37は、基板90に対して所定の検査を実行する処理ユニットとしての機能を有する。なお、所定の検査とは、前述のように、主に製造工程において基板90に施された各種処理の状態を検査するものをいい、具体的には、基板90上に形成されたレジストなどの膜厚を測定する膜厚検査や、基板90上に形成された回路などの長さを測定する測長検査などが該当する。
【0041】
以上が、検査装置1の構成の説明である。次に、検査装置1の動作について説明する。図5は、検査装置1の動作を示す流れ図である。
【0042】
カセット搭載部31に検査用の基板90が収納されたカセットが載置され、オペレータが操作部23を操作して検査装置1に対して検査の開始を指示すると、まず、搬送部32がカセット内の基板90を一枚ずつ取り出して、基板保持部33に基板90を搬入し(ステップS11)、保持部材35の所定の位置に基板90をセットする。基板90がセットされると、検査装置1の基板保持部33は、コンプレッサーにより、吸引配管342からの雰囲気の吸引を開始し、保持部材35によって基板90を吸着保持(真空吸着)する(ステップS12)。
【0043】
基板90が保持部材35に吸着保持されると、測定部37が所定の測定を行い、基板90の検査が行われる(ステップS13)。なお、測定結果や検査結果は、適宜、表示部24にデータ表示され、オペレータが確認することができるようにされている。
【0044】
測定部37による測定が終了すると、基板保持部33は、電磁弁347を解放してガス供給部348から窒素を注入する。これによって供給配管343からの窒素の供給が開始され、基板90が保持部材35から解放される(ステップS14)。
【0045】
ここで、ガス供給部348から供給されて供給配管343から供給される窒素の供給量(単位時間あたりの体積量)V0は、吸引配管342から吸引される雰囲気の単位時間あたりの体積量V1に対して、V0≧V1となるように調整される。したがって、固定台34と保持部材35との間の空間にある雰囲気の一部が流路350を通って保持部材35の溝351,352により形成される空間に流入し、当該空間内の気体圧力が大気圧以上となり、基板90に対して保持部材35から離間する方向に力が作用する。
【0046】
これにより、基板保持部33では、基板90に対する吸着保持状態が解放される際に、保持部材35から基板90を容易に離間させることができる。なお、吸引配管342から吸引される雰囲気の単位時間あたりの体積量V1は、基板90の大きさや重量に基づいて、保持部材35が基板90を吸着するために十分な値として予め求められ、設定される値である。
【0047】
基板保持部33では、予め上記条件(V0≧V1)を満たす流量を有するオリフィス344を選択して供給配管343に設置しておくことにより、供給量V0が調整されている。供給量を調整する機構としては、例えば、電磁弁347の開閉量を制御することによって実現してもよいが、この場合、供給口から比較的距離がある位置での調整となるため、安定的に供給量を調整することが難しい。また、電磁弁347を供給口付近に設けることももちろん可能であるが、その場合であっても、逐次、制御装置などから電磁弁347を制御する必要がある。
【0048】
検査装置1における基板保持部33では、前述のように、供給配管343の供給口付近にオリフィス344を備えることにより、一旦、適当なオリフィス344を選択すれば、以後、逐次制御装置などからの制御を行うことなく、容易かつ安定的に供給量V0を調整することができる。
【0049】
吸引配管342内は、吸引により基板90の裏面などに付着していたパーティクルが雰囲気とともに吸引され、汚染されている。しかし、基板保持部33では、供給配管343から窒素の供給を開始する時点では、いまだ吸引配管342からの雰囲気の吸引を行っている。したがって、基板90を解放する際に、従来の装置のように、吸引配管342からの雰囲気の逆流が生じることがなく、吸引配管342内のパーティクルが逆流することによって基板90を汚染することを防止することができる。また、吸引配管342からの逆流を防止することにより、コンプレッサーや真空ポンプなどの機器自体からのオイル分や粉塵の逆流も防止することができる。
【0050】
なお、基板保持装置において、吸引時に吸引したパーティクルを解放時に基板に対して逆流させないためには、吸引時と供給時(解放時)とにおける雰囲気の流路を完全に別系統として設けることが好ましい。しかし、本実施の形態における基板保持部33のように、吸引配管342と供給配管343とが固定台34と保持部材35との間の空間に対して解放され、流路350のように吸引時と供給時において雰囲気の流路の一部が共有される構造となっている場合であっても、その距離が十分に短く、かつ直線状であるなど単純な構造であれば共有される部分の内部に残留するパーティクルはほとんど存在しない。したがって、検査装置1の基板保持部33は、前述の効果を得ることができる。
【0051】
基板90が解放されると、搬送部32が基板保持部33から基板90を搬出する(ステップS15)。この時点で、基板保持部33は、吸引配管342からの吸引を停止し(ステップS16)、供給配管343からの供給を停止する(ステップS17)。なお、比較的ラフなパーティクル管理であればステップS16とステップS17との順序は逆であってもよい。
【0052】
さらに、搬送部32は基板保持部33から搬出した基板90をカセット搭載部31に載置されているカセットの所定の位置に搬入する。
【0053】
なお、カセット搭載部31に載置されているカセットを搬入用と搬出用とに区別しない場合には、検査が終了した基板90を元のカセットに戻すようにしてもよい。また、検査の結果、良品であると判定された基板90のみを元のカセットに搬入し、不良品であると判定された基板90については別のカセットに搬入するようにしてもよい。その場合は、検査の結果に応じて基板90を分類することができる。
【0054】
搬送部32が搬出用カセットに基板90の搬入を完了すると、検査装置1は、搬入用カセットに検査用の基板90が存在するか否かを判定し(ステップS18)、検査すべき基板90が存在する場合には、ステップS11からの処理を繰り返し、搬入用カセットに収納されているすべての検査用の基板90について検査が終了した時点で、検査を終了する。
【0055】
以上のように、検査装置1の基板保持部33では、吸引配管342からの雰囲気の吸引を行いつつ、供給配管343から所定の気体(窒素)を供給することによって、保持部材35に保持された基板90を解放することにより、吸引配管342内のパーティクルが逆流することによって基板90が汚染されることを防止することができる。
【0056】
<2. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【0057】
例えば、上記実施の形態では基板保持装置を備える基板処理装置として、所定の検査を行う検査装置1を例に説明したが、基板処理装置としては、基板の表面にレジストなどの処理液を塗布する塗布装置(コータ)、基板の現像処理を行う現像装置(ディベロッパ)、基板の温度調節を行う熱処理装置、および基板を単に搬送する搬送装置などであってもよい。
【0058】
また、検査装置1では、保持部材35を固定台34に設けた固定ピン341により所定の位置に位置決めしていたが、位置決め部材としてはこのような構造に限られるものではない。図6は、このような原理に基づいて構成した基板保持部33の主な構成を示す断面図である。図6に示す基板保持部33の固定台34aは、保持部材35と接する面の外周に沿って突起部34bを有している。突起部34bは、固定台34aに保持部材35が着脱自在に載置される場合にその外周位置を規定する。これにより、例えば、保持部材35を取り外してメンテナンスを行った後、再び固定台34aに取り付ける際に、容易に位置決めを行うことがことができる。
【0059】
また、基板保持装置が基板を吸着保持する方向は、基板保持部33に示したように略鉛直方向下向きに限られるものではない。例えば、保持部材の下面に保持面を設けて、略鉛直方向上向きに吸着するよう構成してもよいし、基板90を縦方向に保持するように側面を保持面とし、略水平方向に吸着するよう構成してもよい。
【0060】
【発明の効果】
請求項1ないし7に記載の発明では、吸引配管からの雰囲気の吸引を行いつつ、供給配管から所定の気体を供給することによって、保持部材に保持された基板を解放することにより、吸引配管内のパーティクルが逆流することによって基板が汚染されることを防止することができる。また、基板を解放する際に供給配管から供給される所定の気体の時間当たりの体積量が、吸引配管により吸引される雰囲気の時間当たりの体積量以上であることにより、保持部材から容易に基板を離間させることができる。
【0062】
請求項2に記載の発明では、保持部材が前記固定台上に着脱自在に載置されていることにより、保持部材のメンテナンスを容易に行うことができる。
【0063】
請求項3に記載の発明では、固定台が、保持部材の相対的な位置を決定するための位置決め部材を有することにより、保持部材を容易に固定台の所定の位置に取り付けることができる。
【0064】
請求項4に記載の発明では、所定の気体が、不活性ガスであることにより、基板に対して供給する気体を性質の安定した気体とすることにより、基板を形成している材料が変質することによるダメージなどを防止することができる。
【0065】
請求項5に記載の発明では、供給配管が、所定の気体の供給量を調節するための調整機構を有することにより、適切な量の供給を容易に行うことができる。
【0066】
請求項6に記載の発明では、基板を案内するガイド部材をさらに備えることにより、解放時に、基板が落下したりすることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る検査装置の外装部から装置本体部を引き出した状態を示す図である。
【図2】基板保持部の主な構成を示す平面図である。
【図3】図2におけるIII−III線において切断した基板保持部を示す図である。
【図4】固定台の固定ピンとその周辺の構成を拡大して示す図である。
【図5】検査装置の動作を示す流れ図である。
【図6】変形例における基板保持部の主な構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 検査装置
33 基板保持部
34,34a 固定台
34b 突起部(位置決め部材)
341 固定ピン(位置決め部材)
342 吸引配管
343 供給配管
344 オリフィス(調整機構)
35 保持部材
350 流路
36 基板ガイド(ガイド部材)
37 測定部(処理ユニット)
90 基板
Claims (7)
- 基板を保持する基板保持装置であって、
雰囲気の流路が設けられ、前記基板を保持する保持部材と、
前記雰囲気の流路から雰囲気を吸引するための吸引配管と、
前記雰囲気の流路から所定の気体を供給するための供給配管と、
を備え、
前記吸引配管からの前記雰囲気の吸引を行いつつ、前記供給配管から前記所定の供給することによって、前記保持部材に保持された前記基板を解放するとともに、前記基板を解放する際に前記供給配管から供給される前記所定の気体の時間当たりの体積量が、前記吸引配管により吸引される雰囲気の時間当たりの体積量以上であることを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1に記載の基板保持装置であって、
前記保持部材を固定する固定台をさらに備え、
前記保持部材が前記固定台上に着脱自在に載置されていることを特徴とする基板保持装置。 - 請求項2に記載の基板保持装置であって、
前記固定台が、前記保持部材の相対的な位置を決定するための位置決め部材を有することを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板保持装置であって、
前記所定の気体が、不活性ガスであることを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板保持装置であって、
前記供給配管が、前記所定の気体の供給量を調節するための調整機構を有することを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板保持装置であって、
前記基板を案内するガイド部材をさらに備えることを特徴とする基板保持装置。 - 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に対して前記所定の処理を行う処理ユニットと、
請求項1ないし6のいずれかに記載の基板保持装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002265323A JP4090313B2 (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 基板保持装置および基板処理装置 |
TW092122374A TWI223704B (en) | 2002-09-11 | 2003-08-14 | Substrate holding device, substrate processing apparatus, and method of releasing substrate |
US10/649,736 US6938649B2 (en) | 2002-09-11 | 2003-08-28 | Substrate holding device, substrate processing apparatus, and method of releasing substrate |
KR1020030062031A KR100587848B1 (ko) | 2002-09-11 | 2003-09-05 | 기판 유지장치, 기판 처리장치 및 기판 해제방법 |
CNB031584772A CN1284220C (zh) | 2002-09-11 | 2003-09-11 | 衬底保持装置、衬底处理设备以及释放衬底的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002265323A JP4090313B2 (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 基板保持装置および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004103921A JP2004103921A (ja) | 2004-04-02 |
JP4090313B2 true JP4090313B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=31986572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002265323A Expired - Fee Related JP4090313B2 (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 基板保持装置および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6938649B2 (ja) |
JP (1) | JP4090313B2 (ja) |
KR (1) | KR100587848B1 (ja) |
CN (1) | CN1284220C (ja) |
TW (1) | TWI223704B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10393962B4 (de) | 2002-12-20 | 2019-03-14 | Mattson Technology Inc. | Verfahren und Vorrichtung zum Stützen eines Werkstücks und zur Wärmebehandlung des Werkstücks |
US7434453B2 (en) * | 2005-07-08 | 2008-10-14 | General Electric Company | Vacuum-assisted fixture for holding a part |
TW200808628A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-16 | Gudeng Prec Ind Co Ltd | Filling device of conveying box |
US8454356B2 (en) | 2006-11-15 | 2013-06-04 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating |
US20090031955A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Applied Materials, Inc. | Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile |
WO2009137940A1 (en) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Mattson Technology Canada, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
CN102760666A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-31 | 西安永电电气有限责任公司 | 用于igbt的键合真空吸附工装 |
JP6513527B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2019-05-15 | 三菱電機株式会社 | 真空チャックステージ |
ITUA20161980A1 (it) * | 2016-03-24 | 2017-09-24 | Lpe Spa | Suscettore con substrato trattenuto mediante depressione e reattore per deposizione epitassiale |
JP6510461B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2019-05-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置 |
JP7213648B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2023-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN110854051B (zh) * | 2019-09-11 | 2022-03-01 | 深圳市奥维特机电有限公司 | 一种芯片拾取装置 |
JP2022171524A (ja) * | 2021-09-15 | 2022-11-11 | 中外炉工業株式会社 | 基板保持装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
JPH07263324A (ja) | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 吸引チャック式基板回転処理装置 |
JPH09326385A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板冷却方法 |
US6054751A (en) | 1996-09-18 | 2000-04-25 | Denso Corporation | Semiconductor integrated circuit |
JP3789266B2 (ja) | 1999-12-27 | 2006-06-21 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置レイアウト方法及び半導体装置をレイアウトするためのプログラムを記録した記録媒体 |
TW594835B (en) * | 2000-05-09 | 2004-06-21 | Tokyo Electron Ltd | System for coating and developing |
JP3509713B2 (ja) | 2000-07-26 | 2004-03-22 | 株式会社デンソー | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の回路ブロック搭載方法 |
JP4489982B2 (ja) | 2001-02-05 | 2010-06-23 | 大日本印刷株式会社 | 露光装置 |
JP3461494B2 (ja) | 2001-02-13 | 2003-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置、半導体装置の生成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置の生成装置。 |
-
2002
- 2002-09-11 JP JP2002265323A patent/JP4090313B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-14 TW TW092122374A patent/TWI223704B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-28 US US10/649,736 patent/US6938649B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-05 KR KR1020030062031A patent/KR100587848B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-11 CN CNB031584772A patent/CN1284220C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1490092A (zh) | 2004-04-21 |
KR100587848B1 (ko) | 2006-06-12 |
KR20040023533A (ko) | 2004-03-18 |
US6938649B2 (en) | 2005-09-06 |
TW200413697A (en) | 2004-08-01 |
TWI223704B (en) | 2004-11-11 |
CN1284220C (zh) | 2006-11-08 |
JP2004103921A (ja) | 2004-04-02 |
US20040047718A1 (en) | 2004-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4090313B2 (ja) | 基板保持装置および基板処理装置 | |
TWI485009B (zh) | 塗布裝置及塗布方法 | |
US20060177586A1 (en) | Coating and developing system and coating and developing method | |
JP2011029456A (ja) | 半導体検査用ウエハプローバ及び検査方法 | |
JP2006253373A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム | |
KR20060052345A (ko) | 기판 처리 시스템 | |
TWI742080B (zh) | 被加工物的保持機構及加工裝置 | |
WO2013035731A1 (ja) | 基板液処理装置、及び基板液処理装置の制御方法 | |
TW200922850A (en) | Coating applicator, method of transferring a substrate and method of coating | |
JP5221508B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH06345262A (ja) | 処理装置 | |
TW200932374A (en) | Coating applicator and method of coating | |
KR101849839B1 (ko) | 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 | |
KR101706735B1 (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2004146708A (ja) | 基板処理装置および基板処理システム | |
KR102261974B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
JP2006190828A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102534203B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
JP3878441B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011035380A (ja) | 基板処理システム | |
JP2003151878A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI808813B (zh) | 基板洗淨裝置、基板洗淨系統、基板處理系統、基板洗淨方法及基板處理方法 | |
KR100567869B1 (ko) | 웨이퍼 결함 검사장비의 웨이퍼 스테이지 | |
KR102388390B1 (ko) | 로드 포트 유닛, 이를 포함하는 저장 장치 및 배기 방법 | |
US20060185793A1 (en) | Substrate processing system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |