JPH09326385A - 基板冷却方法 - Google Patents
基板冷却方法Info
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- JPH09326385A JPH09326385A JP16532096A JP16532096A JPH09326385A JP H09326385 A JPH09326385 A JP H09326385A JP 16532096 A JP16532096 A JP 16532096A JP 16532096 A JP16532096 A JP 16532096A JP H09326385 A JPH09326385 A JP H09326385A
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- lcd substrate
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S269/00—Work holders
- Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＣＤ用被処理基板に対してプラズマ処理を
施す際の効率的な基板冷却方法を提供する。 【構成】 プラズマ処理前に真空引き手段１２０を作動
させておき、バルブ１１６及び１２６のみを開放するこ
とにより、処理室１０２内を減圧雰囲気とする。そし
て、処理室１０２内の下部電極１０６上にＬＣＤ被処理
基板Ｐを載置後、バルブ１３８の開放によって処理ガス
を処理室１０２内に導入すると、ＬＣＤ被処理基板Ｐ裏
面の圧力が処理室１０２内の圧力よりも減圧雰囲気とな
るため、生じた圧力差により、ＬＣＤ被処理基板Ｐは下
部電極１０６に吸着保持される。下部電極１０６内には
冷媒循環路１１２が設けられており、所定の温度が維持
されているため、プラズマ処理中に発生したＬＣＤ被処
理基板Ｐ表面の熱は、下部電極１０６へ放熱される。
施す際の効率的な基板冷却方法を提供する。 【構成】 プラズマ処理前に真空引き手段１２０を作動
させておき、バルブ１１６及び１２６のみを開放するこ
とにより、処理室１０２内を減圧雰囲気とする。そし
て、処理室１０２内の下部電極１０６上にＬＣＤ被処理
基板Ｐを載置後、バルブ１３８の開放によって処理ガス
を処理室１０２内に導入すると、ＬＣＤ被処理基板Ｐ裏
面の圧力が処理室１０２内の圧力よりも減圧雰囲気とな
るため、生じた圧力差により、ＬＣＤ被処理基板Ｐは下
部電極１０６に吸着保持される。下部電極１０６内には
冷媒循環路１１２が設けられており、所定の温度が維持
されているため、プラズマ処理中に発生したＬＣＤ被処
理基板Ｐ表面の熱は、下部電極１０６へ放熱される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板冷却方法に係
り、特に被処理基板、例えばＬＣＤ用被処理基板に対し
てプラズマ処理を施すための処理方法に関する。
り、特に被処理基板、例えばＬＣＤ用被処理基板に対し
てプラズマ処理を施すための処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、アクティブマトリックスＬＣＤ
の製造工程において、ＬＣＤ用被処理基板（以下、「Ｌ
ＣＤ基板」と称する。）上の半導体膜、金属膜あるいは
レジスト膜などをプラズマ処理、例えばエッチング処理
あるいはアッシング処理などを行う際に、プラズマの発
生に伴って生じる熱、あるいはプラズマと被処理膜との
化学反応によって生じた熱などにより、エッチングある
いはアッシング特性及びデバイス特性に悪影響を及ぼす
ことがある。上記のような熱による悪影響を減少させる
ため、現在、ヘリウムガスを使用した被処理基板基板冷
却方法（以下、「ヘリウムガス冷却法」と称する。）が
広く実施されている。
の製造工程において、ＬＣＤ用被処理基板（以下、「Ｌ
ＣＤ基板」と称する。）上の半導体膜、金属膜あるいは
レジスト膜などをプラズマ処理、例えばエッチング処理
あるいはアッシング処理などを行う際に、プラズマの発
生に伴って生じる熱、あるいはプラズマと被処理膜との
化学反応によって生じた熱などにより、エッチングある
いはアッシング特性及びデバイス特性に悪影響を及ぼす
ことがある。上記のような熱による悪影響を減少させる
ため、現在、ヘリウムガスを使用した被処理基板基板冷
却方法（以下、「ヘリウムガス冷却法」と称する。）が
広く実施されている。
【０００３】従来の上記ＬＣＤ基板の冷却方法を、図４
のいわゆる平行平板型プラズマエッチング装置により、
以下に説明する。図示したように、処理装置１０は、処
理室１２内にＬＣＤ用被処理基板であるＬＣＤ基板Ｐを
載置可能な下部電極１４と、その下部電極１４に対向す
る位置に配置された上部電極１６とを備えている。ま
た、下部電極１４内には温度調節手段である冷媒循環路
１８が設けられており、外部の冷媒源（図示せず。）と
の間で冷媒を循環させることにより、下部電極１４を所
定の温度に維持することが可能である。
のいわゆる平行平板型プラズマエッチング装置により、
以下に説明する。図示したように、処理装置１０は、処
理室１２内にＬＣＤ用被処理基板であるＬＣＤ基板Ｐを
載置可能な下部電極１４と、その下部電極１４に対向す
る位置に配置された上部電極１６とを備えている。ま
た、下部電極１４内には温度調節手段である冷媒循環路
１８が設けられており、外部の冷媒源（図示せず。）と
の間で冷媒を循環させることにより、下部電極１４を所
定の温度に維持することが可能である。
【０００４】上記下部電極１４上にＬＣＤ基板Ｐを載置
後、処理ガス導入管２０を介して所定の処理ガスを処理
室１２内に導入しながら、排気管２２を介して真空引き
手段（図示せず。）により処理容器２４内を所定の減圧
雰囲気にした後、上部電極１６に整合器２６を介して高
周波電源２８より高周波電力が印加され、下部電極１４
と上部電極１６との間にプラズマが発生し、それにより
生じたラジカル及びイオンの作用により、ＬＣＤ基板Ｐ
の被処理面をエッチングする。
後、処理ガス導入管２０を介して所定の処理ガスを処理
室１２内に導入しながら、排気管２２を介して真空引き
手段（図示せず。）により処理容器２４内を所定の減圧
雰囲気にした後、上部電極１６に整合器２６を介して高
周波電源２８より高周波電力が印加され、下部電極１４
と上部電極１６との間にプラズマが発生し、それにより
生じたラジカル及びイオンの作用により、ＬＣＤ基板Ｐ
の被処理面をエッチングする。
【０００５】上記エッチング処理中において、上記処理
室１２内は、例えば数十ｍＴｏｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒの
減圧雰囲気となるため、この圧力条件下では、ＬＣＤ基
板Ｐを下部電極１４に載置しただけでは熱伝導率が低
く、ＬＣＤ基板Ｐ上で発生した熱は下部電極１４へ放熱
されず、下部電極１４を所定の温度に調整しただけで
は、ＬＣＤ基板Ｐの温度は極度に上昇してしまう。
室１２内は、例えば数十ｍＴｏｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒの
減圧雰囲気となるため、この圧力条件下では、ＬＣＤ基
板Ｐを下部電極１４に載置しただけでは熱伝導率が低
く、ＬＣＤ基板Ｐ上で発生した熱は下部電極１４へ放熱
されず、下部電極１４を所定の温度に調整しただけで
は、ＬＣＤ基板Ｐの温度は極度に上昇してしまう。
【０００６】従って、上記ＬＣＤ基板Ｐの温度上昇を抑
えるため、下部電極１４上に載置されたＬＣＤ基板Ｐの
周縁部を機械的クランプ３０により押圧し、保持された
ＬＣＤ基板Ｐと下部電極との間に、伝熱ガス供給源（図
示せず。）から伝熱ガス供給管３２及び伝熱ガス供給孔
３４を介して、例えば数Ｔｏｒｒのヘリウムガスを導入
して熱伝導率を高め、ＬＣＤ基板Ｐ上で発生した熱を効
率よく下部電極に放熱させる方法が、ヘリウムガス冷却
法である。
えるため、下部電極１４上に載置されたＬＣＤ基板Ｐの
周縁部を機械的クランプ３０により押圧し、保持された
ＬＣＤ基板Ｐと下部電極との間に、伝熱ガス供給源（図
示せず。）から伝熱ガス供給管３２及び伝熱ガス供給孔
３４を介して、例えば数Ｔｏｒｒのヘリウムガスを導入
して熱伝導率を高め、ＬＣＤ基板Ｐ上で発生した熱を効
率よく下部電極に放熱させる方法が、ヘリウムガス冷却
法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記ＬＣＤ基板を載置
台である下部電極上に保持する際には、ＬＣＤ基板が絶
縁体のガラスにより構成されているため、半導体ウェハ
の載置台への吸着保持の際に広く使用されており、全面
吸着が可能である静電チャックは使用できない。従っ
て、上記ＬＣＤ基板を下部電極に保持する際には、機械
的クランプによりＬＣＤ基板の周縁部を下部電極上に押
圧している。このため、上記ＬＣＤ基板を上記ヘリウム
ガス冷却法で冷却する際、保持されたＬＣＤ基板と下部
電極との間に、例えば数Ｔｏｒｒのヘリウムガスを導入
するため、プラズマ処理の処理室内の例えば数十ｍＴｏ
ｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒの減圧雰囲気により、ＬＣＤ基板
の中央部を裏面から下部電極上の載置面に対して垂直方
向に押し上げてしまう。
台である下部電極上に保持する際には、ＬＣＤ基板が絶
縁体のガラスにより構成されているため、半導体ウェハ
の載置台への吸着保持の際に広く使用されており、全面
吸着が可能である静電チャックは使用できない。従っ
て、上記ＬＣＤ基板を下部電極に保持する際には、機械
的クランプによりＬＣＤ基板の周縁部を下部電極上に押
圧している。このため、上記ＬＣＤ基板を上記ヘリウム
ガス冷却法で冷却する際、保持されたＬＣＤ基板と下部
電極との間に、例えば数Ｔｏｒｒのヘリウムガスを導入
するため、プラズマ処理の処理室内の例えば数十ｍＴｏ
ｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒの減圧雰囲気により、ＬＣＤ基板
の中央部を裏面から下部電極上の載置面に対して垂直方
向に押し上げてしまう。
【０００８】従って、上記ヘリウムガス冷却法を実施す
る場合、ＬＣＤ基板Ｐの厚さがある程度厚い場合、例え
ば１．１ｍｍ厚の場合には、処理室内とＬＣＤ基板の裏
面のと圧力差によるＬＣＤ基板のいわゆるたわみは小さ
く、プラズマ処理に際して問題とはならないが、ＬＣＤ
基板の厚さが薄くなると、例えば０．７ｍｍ厚程度にな
ると、ＬＣＤ基板のたわみは大きくなり、ＬＣＤ基板の
中央部ではＬＣＤ基板と下部電極との間隔が広くなり、
被処理基板冷却効果が減少してしまうだけでなく、エッ
チング特性にも悪影響をもたらす可能性が出てくる。
る場合、ＬＣＤ基板Ｐの厚さがある程度厚い場合、例え
ば１．１ｍｍ厚の場合には、処理室内とＬＣＤ基板の裏
面のと圧力差によるＬＣＤ基板のいわゆるたわみは小さ
く、プラズマ処理に際して問題とはならないが、ＬＣＤ
基板の厚さが薄くなると、例えば０．７ｍｍ厚程度にな
ると、ＬＣＤ基板のたわみは大きくなり、ＬＣＤ基板の
中央部ではＬＣＤ基板と下部電極との間隔が広くなり、
被処理基板冷却効果が減少してしまうだけでなく、エッ
チング特性にも悪影響をもたらす可能性が出てくる。
【０００９】さらに最近、ＬＣＤ基板は薄型化及び大型
化する傾向にあり、従って、上記ヘリウムガス冷却法で
は、ＬＣＤ基板のたわみがさらに大きくなってしまうこ
とから、対応が困難となっている。
化する傾向にあり、従って、上記ヘリウムガス冷却法で
は、ＬＣＤ基板のたわみがさらに大きくなってしまうこ
とから、対応が困難となっている。
【００１０】そこで、上記ヘリウムガス冷却法について
の問題を解決する１つの手段として、ＬＣＤ基板のたわ
みを予め勘案し、上記下部電極の形状を、上記たわみを
考慮した形状にしたものも考案されているが、処理精度
及びコストなどの問題が生じ、実用化は非常に困難なも
のとなっている。
の問題を解決する１つの手段として、ＬＣＤ基板のたわ
みを予め勘案し、上記下部電極の形状を、上記たわみを
考慮した形状にしたものも考案されているが、処理精度
及びコストなどの問題が生じ、実用化は非常に困難なも
のとなっている。
【００１１】本発明は、上記従来のＬＣＤ用被処理基板
の冷却方法の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的は、ＬＣＤ用被処理基板に対してプラズマ処理を施
す際、被処理基板と被処理基板を載置している下部電極
とを、処理室内との圧力差によって密着させることによ
り、上記従来の被処理基板冷却方法によって生じる被処
理基板の変形を無くし、被処理基板の冷却効果及び処理
精度の向上によって、所定のプラズマ処理を行うことが
できる、新規かつ改良された基板冷却方法を提供するこ
とである。
の冷却方法の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的は、ＬＣＤ用被処理基板に対してプラズマ処理を施
す際、被処理基板と被処理基板を載置している下部電極
とを、処理室内との圧力差によって密着させることによ
り、上記従来の被処理基板冷却方法によって生じる被処
理基板の変形を無くし、被処理基板の冷却効果及び処理
精度の向上によって、所定のプラズマ処理を行うことが
できる、新規かつ改良された基板冷却方法を提供するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１によれば、処理室内においてＬＣＤ用被処
理基板に対してプラズマ処理を施す処理装置において、
載置台上に載置された被処理基板を冷却する方法であっ
て、少なくともプラズマ処理中は処理室内の圧力より
も、上記載置台上に載置される上記被処理基板の裏面の
圧力を減圧雰囲気に保持し、上記被処理基板を上記載置
台の載置面に密着させるように構成されている。従っ
て、上記構成により従来の上記ヘリウムガス冷却法にお
いて生じていた被処理基板の変形は生じなくなり、被処
理基板と温度調節手段を有する載置台とが密着すること
により、冷却効果が向上し、さらに処理精度も向上す
る。また、上記構成によると、被処理基板の単位面積当
たりの圧力は各部分においても変わらないため、被処理
基板の更なる大型化や薄型化に対しても実施することが
可能である。
め、請求項１によれば、処理室内においてＬＣＤ用被処
理基板に対してプラズマ処理を施す処理装置において、
載置台上に載置された被処理基板を冷却する方法であっ
て、少なくともプラズマ処理中は処理室内の圧力より
も、上記載置台上に載置される上記被処理基板の裏面の
圧力を減圧雰囲気に保持し、上記被処理基板を上記載置
台の載置面に密着させるように構成されている。従っ
て、上記構成により従来の上記ヘリウムガス冷却法にお
いて生じていた被処理基板の変形は生じなくなり、被処
理基板と温度調節手段を有する載置台とが密着すること
により、冷却効果が向上し、さらに処理精度も向上す
る。また、上記構成によると、被処理基板の単位面積当
たりの圧力は各部分においても変わらないため、被処理
基板の更なる大型化や薄型化に対しても実施することが
可能である。
【００１３】また、請求項２によれば、上記処理装置
は、処理室内の圧力と上記被処理基板の裏面の圧力とを
監視しており、両者の圧力が実質的に同一になったこと
を確認してからプッシャーピンにより、上記被処理基板
を上記載置台からプッシュアップするように構成されて
いる。従って、上記被処理基板のプラズマ処理後の処理
室内と被処理基板裏面の圧力差は、被処理基板裏面の方
が処理室内よりも減圧雰囲気になっているため、処理室
内を減圧雰囲気にして被処理基板裏面の圧力と同一にす
る、あるいは被処理基板裏面に例えば不活性ガスを導入
して処理室内の圧力と同一にすることにより、被処理基
板を載置台からプッシュアップすることが可能である。
は、処理室内の圧力と上記被処理基板の裏面の圧力とを
監視しており、両者の圧力が実質的に同一になったこと
を確認してからプッシャーピンにより、上記被処理基板
を上記載置台からプッシュアップするように構成されて
いる。従って、上記被処理基板のプラズマ処理後の処理
室内と被処理基板裏面の圧力差は、被処理基板裏面の方
が処理室内よりも減圧雰囲気になっているため、処理室
内を減圧雰囲気にして被処理基板裏面の圧力と同一にす
る、あるいは被処理基板裏面に例えば不活性ガスを導入
して処理室内の圧力と同一にすることにより、被処理基
板を載置台からプッシュアップすることが可能である。
【００１４】さらにまた、請求項３によれば、上記載置
台に設けられた共通のガス配管系を介して、選択的に上
記被処理基板の裏面から不活性ガスの供給又は真空引き
をすることが可能である。従って、上記従来のプラズマ
処理装置における被処理基板冷却機構を大幅に変更する
ことなく、本発明を実施することができる。
台に設けられた共通のガス配管系を介して、選択的に上
記被処理基板の裏面から不活性ガスの供給又は真空引き
をすることが可能である。従って、上記従来のプラズマ
処理装置における被処理基板冷却機構を大幅に変更する
ことなく、本発明を実施することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら、
本発明をいわゆる平行平板型プラズマエッチング装置に
適用した、実施の一形態について詳細に説明する。
本発明をいわゆる平行平板型プラズマエッチング装置に
適用した、実施の一形態について詳細に説明する。
【００１６】図１に示すエッチング装置１００における
処理室１０２は、導電性素材、例えば酸化アルマイト処
理されたアルミニウムからなる、気密で開閉自在な処理
容器１０４内に形成されている。この処理容器１０４内
にはＬＣＤ基板Ｐを載置可能な、例えば酸化アルマイト
処理されたアルミニウムからなる下部電極１０６が設け
られている。また、上記下部電極１０６のＬＣＤ基板Ｐ
載置面には、ＬＣＤ基板Ｐをプッシュアップするための
プッシュピン（図示せず。）が設けられている。
処理室１０２は、導電性素材、例えば酸化アルマイト処
理されたアルミニウムからなる、気密で開閉自在な処理
容器１０４内に形成されている。この処理容器１０４内
にはＬＣＤ基板Ｐを載置可能な、例えば酸化アルマイト
処理されたアルミニウムからなる下部電極１０６が設け
られている。また、上記下部電極１０６のＬＣＤ基板Ｐ
載置面には、ＬＣＤ基板Ｐをプッシュアップするための
プッシュピン（図示せず。）が設けられている。
【００１７】上記下部電極１０６上には、例えばセラミ
ックシールドされた機械的クランプ１０８が設けられて
おり、この機械的クランプ１０８により下部電極１０６
上に載置されたＬＣＤ基板Ｐの周縁部を押圧して、上記
下部電極１０６上にＬＣＤ基板Ｐを保持するように構成
されている。
ックシールドされた機械的クランプ１０８が設けられて
おり、この機械的クランプ１０８により下部電極１０６
上に載置されたＬＣＤ基板Ｐの周縁部を押圧して、上記
下部電極１０６上にＬＣＤ基板Ｐを保持するように構成
されている。
【００１８】上記下部電極１０６上には、ＬＣＤ基板Ｐ
の周縁部に相当する位置にＯリング１１０が設けられて
おり、上記機械的クランプ１０８によって上記下部電極
１０６上にＬＣＤ基板Ｐの周縁部が押圧されると、さら
に密着保持されるようになっている。
の周縁部に相当する位置にＯリング１１０が設けられて
おり、上記機械的クランプ１０８によって上記下部電極
１０６上にＬＣＤ基板Ｐの周縁部が押圧されると、さら
に密着保持されるようになっている。
【００１９】上記下部電極１０６内には、温度調節手段
である冷媒循環路１１２が設けられており、外部の冷媒
源との間で冷媒を循環させることにより、下部電極１０
６を所定の温度、例えば２５゜Ｃに維持することが可能
なように構成されている。また、かかる温度は、温度セ
ンサ（図示せず。）や温度調節機構（図示せず。）など
により、自動的に制御される構成となっている。
である冷媒循環路１１２が設けられており、外部の冷媒
源との間で冷媒を循環させることにより、下部電極１０
６を所定の温度、例えば２５゜Ｃに維持することが可能
なように構成されている。また、かかる温度は、温度セ
ンサ（図示せず。）や温度調節機構（図示せず。）など
により、自動的に制御される構成となっている。
【００２０】上記処理容器１０４の側壁下方には排気管
１１４が設けられており、この排気管１１４はバルブ１
１６及び圧力調整バルブ１１８を介して、真空引き手段
１２０、例えばターボ分子ポンプに接続され、所定の減
圧雰囲気、例えば１０-5Ｔｏｒｒまで真空引きされるよ
うになっている。かかる圧力は、圧力センサ（図示せ
ず。）や圧力調節機構（図示せず。）などにより、自動
的に制御される構成となっている。
１１４が設けられており、この排気管１１４はバルブ１
１６及び圧力調整バルブ１１８を介して、真空引き手段
１２０、例えばターボ分子ポンプに接続され、所定の減
圧雰囲気、例えば１０-5Ｔｏｒｒまで真空引きされるよ
うになっている。かかる圧力は、圧力センサ（図示せ
ず。）や圧力調節機構（図示せず。）などにより、自動
的に制御される構成となっている。
【００２１】上記下部電極１０６上の載置面には多数の
吸気孔１２２が設けられており、この吸気孔１２２は、
吸気管１２４及びバルブ１２６を介して排気管１１４に
接続されており、真空引き手段１２０の作動により所定
の減圧雰囲気、例えば１０-5Ｔｏｒｒまで真空引きされ
るようになっている。
吸気孔１２２が設けられており、この吸気孔１２２は、
吸気管１２４及びバルブ１２６を介して排気管１１４に
接続されており、真空引き手段１２０の作動により所定
の減圧雰囲気、例えば１０-5Ｔｏｒｒまで真空引きされ
るようになっている。
【００２２】吸気管１２４にはガス導入管１２８が接続
されており、バルブ１３０及びマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）１３２を介して、ガス供給源１３４から従来
のヘリウム冷却法と同様に、例えばヘリウムガスが吸気
管１２４を介して吸気孔１２２より、上記下部電極１０
６上に保持されているＬＣＤ基板Ｐの裏面に導入するこ
とも可能な構成となっている。
されており、バルブ１３０及びマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）１３２を介して、ガス供給源１３４から従来
のヘリウム冷却法と同様に、例えばヘリウムガスが吸気
管１２４を介して吸気孔１２２より、上記下部電極１０
６上に保持されているＬＣＤ基板Ｐの裏面に導入するこ
とも可能な構成となっている。
【００２３】上記処理容器１０４の上壁にはガス導入管
１３６が設けられており、バルブ１３８及びマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）１４０を介して、ガス供給源１
４２から所定の処理ガス、例えば塩素と酸素の混合ガス
が上記処理容器１０４内に導入されるように構成されて
いる。
１３６が設けられており、バルブ１３８及びマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）１４０を介して、ガス供給源１
４２から所定の処理ガス、例えば塩素と酸素の混合ガス
が上記処理容器１０４内に導入されるように構成されて
いる。
【００２４】本発明におけるプラズマエッチング処理に
かかる圧力操作について詳細に説明すると、プラズマエ
ッチング処理前は上記バルブ１３０及び１３８は閉じら
れており、上記バルブ１１６及び１２６を開放すること
で、上記真空引き手段１２０により所定の減圧雰囲気、
例えば１０-5Ｔｏｒｒまで真空引きされている。上記下
部電極１０６上にＬＣＤ基板Ｐが載置され、上記機械的
クランプ１０８によって保持されて後、上記バルブ１３
８の開放により処理室１０２内に所定の処理ガスが導入
される。従って、上記処理室１０２内と上記ＬＣＤ基板
Ｐ裏面とに圧力差が生じ、上記ＬＣＤ基板Ｐは上記下部
電極１０６上に吸着保持される。
かかる圧力操作について詳細に説明すると、プラズマエ
ッチング処理前は上記バルブ１３０及び１３８は閉じら
れており、上記バルブ１１６及び１２６を開放すること
で、上記真空引き手段１２０により所定の減圧雰囲気、
例えば１０-5Ｔｏｒｒまで真空引きされている。上記下
部電極１０６上にＬＣＤ基板Ｐが載置され、上記機械的
クランプ１０８によって保持されて後、上記バルブ１３
８の開放により処理室１０２内に所定の処理ガスが導入
される。従って、上記処理室１０２内と上記ＬＣＤ基板
Ｐ裏面とに圧力差が生じ、上記ＬＣＤ基板Ｐは上記下部
電極１０６上に吸着保持される。
【００２５】プラズマエッチング処理後は、上記バルブ
１３８を閉じることにより、上記処理室１０２内への処
理ガスの導入を停止することで、上記処理室１０２内と
ＬＣＤ基板Ｐとの間に生じていた圧力差はなくなり、上
記ＬＣＤ基板Ｐは下部電極１０６よりプッシュアップさ
れる構成となっている。
１３８を閉じることにより、上記処理室１０２内への処
理ガスの導入を停止することで、上記処理室１０２内と
ＬＣＤ基板Ｐとの間に生じていた圧力差はなくなり、上
記ＬＣＤ基板Ｐは下部電極１０６よりプッシュアップさ
れる構成となっている。
【００２６】また、プラズマエッチング処理後、バルブ
１３８を閉じることなく上記処理室１０２内に処理ガス
を導入し続けた場合、あるいはバルブ１３８を閉じた直
後の場合には、上記処理室１０２内とＬＣＤ基板Ｐ裏面
の圧力差は解消されていない。そこで、バルブ１２６を
閉じた後、バルブ１３０を開放して、従来のヘリウム冷
却法と同様に、ヘリウムガスを上記ＬＣＤ基板Ｐの裏面
に導入することにより、上記処理室１０２内とＬＣＤ基
板Ｐ裏面の圧力差を生じなくすることも可能である。
１３８を閉じることなく上記処理室１０２内に処理ガス
を導入し続けた場合、あるいはバルブ１３８を閉じた直
後の場合には、上記処理室１０２内とＬＣＤ基板Ｐ裏面
の圧力差は解消されていない。そこで、バルブ１２６を
閉じた後、バルブ１３０を開放して、従来のヘリウム冷
却法と同様に、ヘリウムガスを上記ＬＣＤ基板Ｐの裏面
に導入することにより、上記処理室１０２内とＬＣＤ基
板Ｐ裏面の圧力差を生じなくすることも可能である。
【００２７】本発明にかかるＬＣＤ基板吸着方法によ
り、ＬＣＤ基板を下部電極に吸着した一実施について、
図２により説明する。まず、上記処理室１０２内への処
理ガス導入前の上記処理室１０２内及び上記下部電極１
０６上に保持されたＬＣＤ基板Ｐ裏面の圧力は、同一の
減圧雰囲気、すなわち１０-5Ｔｏｒｒであると仮定す
る。そして、上記処理室１０２内に所定の処理ガスが導
入された結果、処理室１０２内のプロセス圧力は３００
ｍＴｏｒｒに上昇したものと仮定する。さらに、上記Ｌ
ＣＤ基板Ｐの表面と裏面との圧力差は、ほぼプロセス圧
力と同一であると仮定すると、ＬＣＤ基板Ｐに対してか
かる力（Ｆ)は単位面積当たり、 Ｆ＝１０３３ｇｆ／ｃｍ2×（３００×１０-3Ｔｏｒｒ）／（７６０Ｔｏｒｒ ） ＝０．４０８ｇｆ／ｃｍ2 となる。従って、例えばＬＣＤ基板Ｐの大きさが３７０
ｍｍ×４７０ｍｍの場合、ＬＣＤ基板Ｐ全体にかかる力
は、 ０．４０８ｇｆ／ｃｍ2×３７ｃｍ×４７ｃｍ＝７１０
ｇｆ となり、例えばＬＣＤ基板Ｐの大きさが５５０ｍｍ×６
５０ｍｍの場合、ＬＣＤ基板Ｐ全体にかかる力は、 ０．４０８ｇｆ／ｃｍ2×５５ｃｍ×６５ｃｍ＝１４５
９ｇｆ となる。
り、ＬＣＤ基板を下部電極に吸着した一実施について、
図２により説明する。まず、上記処理室１０２内への処
理ガス導入前の上記処理室１０２内及び上記下部電極１
０６上に保持されたＬＣＤ基板Ｐ裏面の圧力は、同一の
減圧雰囲気、すなわち１０-5Ｔｏｒｒであると仮定す
る。そして、上記処理室１０２内に所定の処理ガスが導
入された結果、処理室１０２内のプロセス圧力は３００
ｍＴｏｒｒに上昇したものと仮定する。さらに、上記Ｌ
ＣＤ基板Ｐの表面と裏面との圧力差は、ほぼプロセス圧
力と同一であると仮定すると、ＬＣＤ基板Ｐに対してか
かる力（Ｆ)は単位面積当たり、 Ｆ＝１０３３ｇｆ／ｃｍ2×（３００×１０-3Ｔｏｒｒ）／（７６０Ｔｏｒｒ ） ＝０．４０８ｇｆ／ｃｍ2 となる。従って、例えばＬＣＤ基板Ｐの大きさが３７０
ｍｍ×４７０ｍｍの場合、ＬＣＤ基板Ｐ全体にかかる力
は、 ０．４０８ｇｆ／ｃｍ2×３７ｃｍ×４７ｃｍ＝７１０
ｇｆ となり、例えばＬＣＤ基板Ｐの大きさが５５０ｍｍ×６
５０ｍｍの場合、ＬＣＤ基板Ｐ全体にかかる力は、 ０．４０８ｇｆ／ｃｍ2×５５ｃｍ×６５ｃｍ＝１４５
９ｇｆ となる。
【００２８】以上の結果より、プラズマ処理中にはＬＣ
Ｄ基板Ｐ裏面の圧力を処理室１０２の圧力よりも減圧雰
囲気にすることにより、上記ＬＣＤ基板Ｐを上記下部電
極１０６上に吸着保持することが可能である。その結
果、ＬＣＤ基板Ｐと下部電極１０６との熱伝導率が高ま
り、上記温度調節手段により所定の温度に保たれている
下部電極１０６に、効率よく放熱することが可能であ
る。また、プラズマ処理前後においては処理ガスの導入
停止により、処理室１０２内は減圧雰囲気となって、上
記ＬＣＤ基板Ｐ裏面と処理室１０２内との圧力差はなく
なり、下部電極１０６上に対するＬＣＤ基板Ｐの載置あ
るいはプッシュアップが容易に行えるように構成されて
いる。
Ｄ基板Ｐ裏面の圧力を処理室１０２の圧力よりも減圧雰
囲気にすることにより、上記ＬＣＤ基板Ｐを上記下部電
極１０６上に吸着保持することが可能である。その結
果、ＬＣＤ基板Ｐと下部電極１０６との熱伝導率が高ま
り、上記温度調節手段により所定の温度に保たれている
下部電極１０６に、効率よく放熱することが可能であ
る。また、プラズマ処理前後においては処理ガスの導入
停止により、処理室１０２内は減圧雰囲気となって、上
記ＬＣＤ基板Ｐ裏面と処理室１０２内との圧力差はなく
なり、下部電極１０６上に対するＬＣＤ基板Ｐの載置あ
るいはプッシュアップが容易に行えるように構成されて
いる。
【００２９】さらに、本発明によると上記プラズマ処理
に係る全処理行程において、上記真空引き手段１２０の
作動を停止させる操作は必要とされないため、スループ
ットの向上にも有効である。
に係る全処理行程において、上記真空引き手段１２０の
作動を停止させる操作は必要とされないため、スループ
ットの向上にも有効である。
【００３０】また、上記本発明に係るＬＣＤ基板冷却法
と従来のヘリウムガス冷却法における、それぞれのＬＣ
Ｄ基板の表面温度について比較した結果を図３に示し
た。上記従来のヘリウム冷却法は、ヘリウム圧力の増加
によりＬＣＤ基板の表面温度は下がるが、ＬＣＤ基板の
厚さの減少に伴って、例えば１．１ｍｍ厚のＬＣＤ基板
に比べ、０．７ｍｍ厚のものはたわみが大きくなり、Ｌ
ＣＤ基板と下部電極との距離が離れ、冷却効果は減少す
る。一方、上記本発明に係るＬＣＤ基板冷却法では、Ｌ
ＣＤ基板にたわみは生じないため、０．７ｍｍ厚のＬＣ
Ｄ基板で従来のヘリウムガス冷却法と比較した場合、ヘ
リウム圧力を２Ｔｏｒｒ以上加えた場合と同程度の効果
があるだけではなく、エッチング特性も向上する。
と従来のヘリウムガス冷却法における、それぞれのＬＣ
Ｄ基板の表面温度について比較した結果を図３に示し
た。上記従来のヘリウム冷却法は、ヘリウム圧力の増加
によりＬＣＤ基板の表面温度は下がるが、ＬＣＤ基板の
厚さの減少に伴って、例えば１．１ｍｍ厚のＬＣＤ基板
に比べ、０．７ｍｍ厚のものはたわみが大きくなり、Ｌ
ＣＤ基板と下部電極との距離が離れ、冷却効果は減少す
る。一方、上記本発明に係るＬＣＤ基板冷却法では、Ｌ
ＣＤ基板にたわみは生じないため、０．７ｍｍ厚のＬＣ
Ｄ基板で従来のヘリウムガス冷却法と比較した場合、ヘ
リウム圧力を２Ｔｏｒｒ以上加えた場合と同程度の効果
があるだけではなく、エッチング特性も向上する。
【００３１】再び図１に戻り、上記下部電極１０６に対
向する位置には、例えば酸化アルマイト処理されたアル
ミニウムからなる上部電極１４４が設けられており、こ
の上部電極１４４へ整合器１４６を介して、高周波電源
１４８から高周波電力が印加されることにより、上記下
部電極１０６との間にプラズマが発生するように構成さ
れている。
向する位置には、例えば酸化アルマイト処理されたアル
ミニウムからなる上部電極１４４が設けられており、こ
の上部電極１４４へ整合器１４６を介して、高周波電源
１４８から高周波電力が印加されることにより、上記下
部電極１０６との間にプラズマが発生するように構成さ
れている。
【００３２】本実施例に係るエッチング装置１００は以
上のように構成されており、例えば、このエッチング装
置１００を用いて、ＬＣＤ基板Ｐ上のクロム膜のエッチ
ングを実施する場合について説明すると、予め真空引き
手段１２０は作動させておき、バルブ１１６、１２６及
び圧力調節バルブ１１８のみの開放により、処理容器１
０４内は、例えば１０-5Ｔｏｒｒの減圧雰囲気に保たれ
ている。被処理基板であるＬＣＤ基板Ｐは、搬送手段
（図示せず。）により処理容器１０４内に搬送され、下
部電極１０６上に載置された後、機械的クランプ１０８
によりＬＣＤ基板Ｐの周縁部が押圧され、ＬＣＤ基板Ｐ
は上記下部電極１０６上に保持される。
上のように構成されており、例えば、このエッチング装
置１００を用いて、ＬＣＤ基板Ｐ上のクロム膜のエッチ
ングを実施する場合について説明すると、予め真空引き
手段１２０は作動させておき、バルブ１１６、１２６及
び圧力調節バルブ１１８のみの開放により、処理容器１
０４内は、例えば１０-5Ｔｏｒｒの減圧雰囲気に保たれ
ている。被処理基板であるＬＣＤ基板Ｐは、搬送手段
（図示せず。）により処理容器１０４内に搬送され、下
部電極１０６上に載置された後、機械的クランプ１０８
によりＬＣＤ基板Ｐの周縁部が押圧され、ＬＣＤ基板Ｐ
は上記下部電極１０６上に保持される。
【００３３】そして、マスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）１４０、バルブ１３８及びガス供給管１３６を介し
て、所定の処理ガス、例えば塩素と酸素の混合ガスがガ
ス供給源１４２より、処理室１０２内に導入されと、処
理室１０２内は所定の減圧雰囲気、例えば３００ｍＴｏ
ｒｒとなる。一方、ＬＣＤ基板Ｐ裏面の圧力は、引き続
き真空引き手段１２０の作動及び圧力調整バルブ１１８
の調整により、例えば１０-5Ｔｏｒｒの減圧雰囲気に保
たれている。従って、上記ＬＣＤ基板Ｐは、下部電極１
０６上にたわみを生じることなく吸着保持され、さらに
Ｏリング１１０の効果により、さらに密着する。
Ｃ）１４０、バルブ１３８及びガス供給管１３６を介し
て、所定の処理ガス、例えば塩素と酸素の混合ガスがガ
ス供給源１４２より、処理室１０２内に導入されと、処
理室１０２内は所定の減圧雰囲気、例えば３００ｍＴｏ
ｒｒとなる。一方、ＬＣＤ基板Ｐ裏面の圧力は、引き続
き真空引き手段１２０の作動及び圧力調整バルブ１１８
の調整により、例えば１０-5Ｔｏｒｒの減圧雰囲気に保
たれている。従って、上記ＬＣＤ基板Ｐは、下部電極１
０６上にたわみを生じることなく吸着保持され、さらに
Ｏリング１１０の効果により、さらに密着する。
【００３４】上部電極１４４に整合器１４６を介して、
高周波電源１４８より高周波電力が印加されると、上記
下部電極１０６との間にプラズマが生じ、処理ガスが解
離して生じたラジカルやイオンなどにより、ＬＣＤ基板
Ｐ上の被処理膜に対してエッチングすることが可能とな
る。
高周波電源１４８より高周波電力が印加されると、上記
下部電極１０６との間にプラズマが生じ、処理ガスが解
離して生じたラジカルやイオンなどにより、ＬＣＤ基板
Ｐ上の被処理膜に対してエッチングすることが可能とな
る。
【００３５】上記プラズマエッチングの際、ＬＣＤ基板
Ｐ上の被処理膜において生じた熱は、ＬＣＤ基板Ｐと上
記下部電極１０６とが密着して熱伝導率が高まっている
ため、温度調節手段である冷媒循環路１１２により所定
の温度、例えば２５゜Ｃが保たれている上記下部電極１
０６へ放熱される。
Ｐ上の被処理膜において生じた熱は、ＬＣＤ基板Ｐと上
記下部電極１０６とが密着して熱伝導率が高まっている
ため、温度調節手段である冷媒循環路１１２により所定
の温度、例えば２５゜Ｃが保たれている上記下部電極１
０６へ放熱される。
【００３６】上記プラズマエッチング終了後、処理室１
０２内に導入されていた処理ガスを、バルブ１３８の操
作により停止し、処理室１０２内の圧力をＬＣＤ基板Ｐ
裏面の圧力と同一にすることで、プッシュピン（図示せ
ず。）により、上記下部電極１０６に吸着保持されてい
たＬＣＤ基板Ｐを容易にプッシュアップすることが可能
となる。
０２内に導入されていた処理ガスを、バルブ１３８の操
作により停止し、処理室１０２内の圧力をＬＣＤ基板Ｐ
裏面の圧力と同一にすることで、プッシュピン（図示せ
ず。）により、上記下部電極１０６に吸着保持されてい
たＬＣＤ基板Ｐを容易にプッシュアップすることが可能
となる。
【００３７】本発明によれば、従来のヘリウムガス冷却
法でのヘリウムガス導入経路に真空引き手段を接続する
ことで、処理室内の圧力よりもＬＣＤ基板裏面の圧力を
減圧雰囲気にし、ＬＣＤ基板と載置台とを密着保持する
ことにより熱伝導率を高め、ＬＣＤ基板の被エッチング
層で発生した熱を効率よく放熱させることが可能であ
る。また、本発明によれば、ＬＣＤ基板のたわみは生じ
ないため、エッチング特性、あるいは被エッチング膜へ
の悪影響をもたらすことはなく、さらに今後のＬＣＤ基
板の大型化及び薄型化に対して、適用できる方法であ
る。
法でのヘリウムガス導入経路に真空引き手段を接続する
ことで、処理室内の圧力よりもＬＣＤ基板裏面の圧力を
減圧雰囲気にし、ＬＣＤ基板と載置台とを密着保持する
ことにより熱伝導率を高め、ＬＣＤ基板の被エッチング
層で発生した熱を効率よく放熱させることが可能であ
る。また、本発明によれば、ＬＣＤ基板のたわみは生じ
ないため、エッチング特性、あるいは被エッチング膜へ
の悪影響をもたらすことはなく、さらに今後のＬＣＤ基
板の大型化及び薄型化に対して、適用できる方法であ
る。
【００３８】以上、本発明の好適な実施例について、Ｌ
ＣＤ基板表面のクロム膜をプラズマエッチングする際の
ＬＣＤ基板冷却方法を例に挙げて説明したが、本発明は
係る構成に限定されるものではない。当業者であれば、
特許請求の範囲の技術的思想の範疇において、さまざま
な形態の被処理基板の表面及び裏面の圧力差を利用した
被処理基板表面の冷却方法を行うことに想到し得るはず
であり、それらのさまざまな形態の被処理基板の表面及
び裏面の圧力差を利用した被処理基板表面の冷却方法に
ついても本発明の技術的範囲に当然属するものと解され
る。本発明はこの他にも被処理基板表面の冷却、例えば
半導体ウェハにおいても適用可能である。さらに、処理
室内に処理ガスを導入し、上部電極、下部電極及びその
双方に高周波電力を印加してプラズマ処理を行う装置、
例えばＥＣＲ、誘導結合プラズマエッチング装置及びア
ッシング装置などにも適用することが可能である。
ＣＤ基板表面のクロム膜をプラズマエッチングする際の
ＬＣＤ基板冷却方法を例に挙げて説明したが、本発明は
係る構成に限定されるものではない。当業者であれば、
特許請求の範囲の技術的思想の範疇において、さまざま
な形態の被処理基板の表面及び裏面の圧力差を利用した
被処理基板表面の冷却方法を行うことに想到し得るはず
であり、それらのさまざまな形態の被処理基板の表面及
び裏面の圧力差を利用した被処理基板表面の冷却方法に
ついても本発明の技術的範囲に当然属するものと解され
る。本発明はこの他にも被処理基板表面の冷却、例えば
半導体ウェハにおいても適用可能である。さらに、処理
室内に処理ガスを導入し、上部電極、下部電極及びその
双方に高周波電力を印加してプラズマ処理を行う装置、
例えばＥＣＲ、誘導結合プラズマエッチング装置及びア
ッシング装置などにも適用することが可能である。
【００３９】また、上記本発明の実施例において、プラ
ズマ処理後のＬＣＤ基板のプッシュアップの際、処理ガ
ス導入の停止により処理室内の圧力をＬＣＤ基板裏面の
圧力と同一にしたが、逆にＬＣＤ基板裏面に不活性ガ
ス、例えばヘリウムガスを導入し、ＬＣＤ基板裏面の圧
力を処理室内の圧力と同一にすることによっても可能で
ある。
ズマ処理後のＬＣＤ基板のプッシュアップの際、処理ガ
ス導入の停止により処理室内の圧力をＬＣＤ基板裏面の
圧力と同一にしたが、逆にＬＣＤ基板裏面に不活性ガ
ス、例えばヘリウムガスを導入し、ＬＣＤ基板裏面の圧
力を処理室内の圧力と同一にすることによっても可能で
ある。
【００４０】本発明の実施においては、処理室内の圧力
よりも、ＬＣＤ基板裏面の圧力を減圧雰囲気にして吸着
保持しながら冷却する方法であるため、上記機械的クラ
ンプによるＬＣＤ基板周縁部の押圧は、必ずしも必要と
される構成ではない。また、載置台上の載置面に設けら
れていたＯリングについても、上記実施例において、被
処理基板と載置台との密着性を高めるために設けたた
め、必ずしも必要とされる構成ではない。
よりも、ＬＣＤ基板裏面の圧力を減圧雰囲気にして吸着
保持しながら冷却する方法であるため、上記機械的クラ
ンプによるＬＣＤ基板周縁部の押圧は、必ずしも必要と
される構成ではない。また、載置台上の載置面に設けら
れていたＯリングについても、上記実施例において、被
処理基板と載置台との密着性を高めるために設けたた
め、必ずしも必要とされる構成ではない。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来、半導体ウェハの保持に使用されている静電チャッ
クのように、載置台に対して全面吸着させる方法がなか
ったＬＣＤ基板を、処理室内の圧力よりＬＣＤ基板裏面
の圧力を減圧雰囲気にして吸着保持することにより、全
面吸着を可能となるため、ＬＣＤ基板と所定の温度が維
持されている載置台との熱伝導率が向上し、ＬＣＤ基板
被処理面のプラズマ処理中に発生する熱を効率よく載置
台に放熱することができる。従って、従来のヘリウムガ
ス冷却法において生じていた、ＬＣＤ基板のたわみが生
じないだけではなく、今後のＬＣＤ基板の大型化及び薄
型化に適している方法であり、冷却効果及びエッチング
特性の向上が可能となった。
従来、半導体ウェハの保持に使用されている静電チャッ
クのように、載置台に対して全面吸着させる方法がなか
ったＬＣＤ基板を、処理室内の圧力よりＬＣＤ基板裏面
の圧力を減圧雰囲気にして吸着保持することにより、全
面吸着を可能となるため、ＬＣＤ基板と所定の温度が維
持されている載置台との熱伝導率が向上し、ＬＣＤ基板
被処理面のプラズマ処理中に発生する熱を効率よく載置
台に放熱することができる。従って、従来のヘリウムガ
ス冷却法において生じていた、ＬＣＤ基板のたわみが生
じないだけではなく、今後のＬＣＤ基板の大型化及び薄
型化に適している方法であり、冷却効果及びエッチング
特性の向上が可能となった。
【００４２】また本発明では、被処理基板のプラズマ処
理の全過程において、上記真空引き手段の作動を停止さ
せる操作は必要なく、処理容器内の圧力とＬＣＤ基板裏
面の圧力とが同一となれば、ＬＣＤ基板の載置及びプッ
シュアップが可能となるため、スループットの向上にも
有効である。
理の全過程において、上記真空引き手段の作動を停止さ
せる操作は必要なく、処理容器内の圧力とＬＣＤ基板裏
面の圧力とが同一となれば、ＬＣＤ基板の載置及びプッ
シュアップが可能となるため、スループットの向上にも
有効である。
【００４３】さらに本発明は、従来のヘリウムガス冷却
法におけるヘリウムガス導入機構を使用することができ
るため、被処理基板冷却装置の大幅な変更を伴わずに実
施することが可能である。
法におけるヘリウムガス導入機構を使用することができ
るため、被処理基板冷却装置の大幅な変更を伴わずに実
施することが可能である。
【図１】本発明を適用可能なプラズマエッチング装置の
一実施例を示す概略的な断面図である。
一実施例を示す概略的な断面図である。
【図２】プラズマエッチング処理過程における処理室内
の圧力及びＬＣＤ基板裏面の圧力の変化を示すグラフで
ある。
の圧力及びＬＣＤ基板裏面の圧力の変化を示すグラフで
ある。
【図３】従来のヘリウム冷却法におけるプラズマエッチ
ング処理中のヘリウム圧力の変化によるＬＣＤ基板表面
温度と本発明におけるＬＣＤ基板表面温度を示すグラフ
である。
ング処理中のヘリウム圧力の変化によるＬＣＤ基板表面
温度と本発明におけるＬＣＤ基板表面温度を示すグラフ
である。
【図４】従来のヘリウム冷却法を説明するためのプラズ
マエッチング装置の概略的な断面図である。
マエッチング装置の概略的な断面図である。
１００ エッチング装置 １０２ 処理室 １０４ 処理容器 １０６ 下部電極 １１２ 冷媒循環路 １１４ 排気管 １１８ 圧力調整バルブ １２０ 真空引き手段 １２２ 吸気孔 １２４ 吸気管 １２８ ヘリウムガス導入管 １３２、１４０ マスフローコントローラ １３４ ヘリウムガス供給源 １４２ 処理ガス供給源 １４４ 上部電極 １４８ 高周波電源
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室内においてＬＣＤ用被処理基板に
対してプラズマ処理を施す処理装置において、載置台上
に載置された被処理基板を冷却する方法であって、 少なくともプラズマ処理中は処理室内の圧力よりも前記
載置台上に載置される前記被処理基板の裏面の圧力を減
圧雰囲気に保持し、前記被処理基板を前記載置台の載置
面に密着させることを特徴とする、基板冷却方法。 - 【請求項２】 前記処理装置は、処理室内の圧力と前記
被処理基板の裏面の圧力とを監視しており、両者の圧力
が実質的に同一になったことを確認してからプッシャー
ピンにより前記被処理基板を前記載置台からプッシュア
ップすることを特徴とする、請求項１に記載の基板冷却
方法。 - 【請求項３】 前記載置台に設けられた共通のガス配管
系を介して選択的に前記被処理基板の裏面から不活性ガ
スの供給又は真空引きをすることが可能であることを特
徴とする、請求項１または２に記載の基板冷却装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16532096A JPH09326385A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 基板冷却方法 |
| US08/865,771 US6012509A (en) | 1996-06-04 | 1997-05-30 | Mechanism and method for holding a substrate on a substrate stage of a substrate treatment apparatus |
| KR1019970022948A KR980007911A (ko) | 1996-06-04 | 1997-06-03 | 기판처리장치의 기판재치대에 기판을 지지하기 위한 기구 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16532096A JPH09326385A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 基板冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326385A true JPH09326385A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15810096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16532096A Withdrawn JPH09326385A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 基板冷却方法 |
Country Status (3)
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