JP2008060487A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器内の処理室と、この処理室に処理ガスを供給する手段と、前記処理室を減圧する排気手段と、前記処理室内に配置されその上面に被処理体を載置する戴置台と、前記被処理体を前記載置台上に上下させる上下機構とを備え、前記載置台上方の空間にプラズマを形成して前記被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記載置台の前記被処理体の載置面の外周に配置され複数の部分から構成された環状の部材と、これら環状部材を移動して前記載置面上に載せられた前記被処理体の外周端と前記環状部材の内周端との間隔を0.5mm以下にする駆動手段とを備えた。
【選択図】図2
Description
110の各ピース110aの内周縁下部には、内周側に突出したフランジ部301配置され、このフランジ部301上で被処理体102の外周端部を保持できるよう構成されている。また、環状部材110a上面の内周側には、被処理体102をピース110aの内周側へ誘導するためのガイドピン302が配置されている。ここでは、円筒状のガイドピンを例として図示しているが、直方体等であっても同様の効果が期待できることは言うまでも無い。
SiO2,SiC,SiOC,SiOCH,SiN,Si3N4 のいずれか一つを主原料とする膜をエッチング処理するプロセスに適用できることは勿論である。なお、エッチングに用いる絶縁膜は、該プラズマ処理装置を用いて被処理体102であるシリコン基板上のSiO2,SiC,SiOC,SiOCH,SiN,Si3N4 の二種類以上の多層構造をエッチング処理することにも適用できることは勿論である。さらに、プラズマの原料ガスに塩素ガスを主成分とするプロセスにおいて、Si,Al,Wのいずれか一つをエッチングすることにも適用できることは勿論である。
Claims (6)
- 真空容器内の処理室と、この処理室に処理ガスを供給する手段と、前記処理室を減圧する排気手段と、前記処理室内に配置されその上面に被処理体を載置する戴置台と、前記被処理体を前記載置台上に上下させる上下機構とを備え、前記載置台上方の空間にプラズマを形成して前記被処理体を処理するプラズマ処理装置において、
前記載置台の前記被処理体の載置面の外周に配置され複数の部分から構成された環状の部材と、これら環状部材を移動して前記載置面上に載せられた前記被処理体の外周端と前記環状部材の内周端との間隔を0.5mm 以下にする駆動手段とを備えたプラズマ処理装置。 - 真空容器内の処理室と、この処理室に処理ガスを供給する手段と、前記処理室を減圧する排気手段と、前記処理室内に配置されその上面に被処理体を載置する戴置台と、前記被処理体を前記載置台上に上下させる上下機構とを備え、前記載置台上方の空間にプラズマを形成して前記被処理体を処理するプラズマ処理装置において、
前記載置台の前記被処理体の載置面の外周に配置され複数の部分から構成された環状の部材と、これら環状部材を移動して前記載置面上に載せられた前記被処理体の厚さ及び前記環状部材のフランジ部上方の内周縁と前記被処理体の外周端との間の距離の比が1.5以上にする駆動手段とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置において、前記駆動手段の動作により前記環状部材がその外周側下端部を支点に内側が上下に移動可能に構成されたプラズマ処理装置。
- 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、前記被処理体が載せられた上下機構の動作に応じて前記駆動手段の動作により前記環状部材がその外周側下端部を支点に内側が上下に移動可能に構成されたプラズマ処理装置。
- 請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、前記駆動手段の動作により前記環状部材が前記被処理体が前記載置面に載せられた状態で内側に移動可能に構成されたプラズマ処理装置。
- 請求項3乃至5の何れかに記載のプラズマ処理装置において、前記環状部材がその内周端部に前記被処理体の下方に入り込むフランジ部を備えたプラズマ処理装置。
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