CN113075865B - 一种用于处理半导体衬底的装置和方法 - Google Patents

一种用于处理半导体衬底的装置和方法 Download PDF

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Abstract

本发明关于一种用于处理半导体衬底的装置和方法。在本发明提供的实施例中，提供一种用于处理半导体衬底的装置，前述装置包含衬底载台以及气体源。前述衬底载台用于承载前述衬底于其上，包含衬底载台基座，以及形成于前述基体载台基座上的第一开口。前述第一开口为环形开口。前述气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应至前述衬底的下表面。

Description

一种用于处理半导体衬底的装置和方法
技术领域
本发明关于一种用于黄光微影制程中，在曝光过程中用于固定半导体衬底的载台。更进一步来说，本发明关于一种在曝光过程中用于固定半导体衬底的载台，其不会与半导体衬底的背面接触，以预防位于半导体衬底背面的微粒在曝光过程中造成对焦错误的情况发生
背景技术
一般来说，黄光微影制程通常用于在半导体衬底上形成且图案化光敏涂层，例如光阻层。为了达成前述目的，在黄光微影制程中，半导体衬底会先涂布一层光阻材料。紧接着，前述光阻材料层进行曝光制程来定义预先决定的图案于光阻材料层上。在曝光制程中，前述半导体衬底被传送进曝光装置中(例如步进式曝光装置或是扫描式曝光装置)，并藉由真空的方式固定于半导体衬底基座上。图案藉由穿过光罩的光源，投影至前述半导体衬底上，在前述半导体衬底上成像。然而，位于前述衬底的背面或前述衬底基座之上表面的颗粒可能引起前述衬底固定在前述衬底基座上时产生变形，且前述因颗粒造成衬底的变形可能在曝光过程中引发预料外的结果。
附图说明
图1为根据本发明实施例中，用于处理半导体衬底的装置100示意图。
图2为根据本发明第一实施例之半导体衬底承载座的上视图。
图3为图2中衬底承载座沿着A-A截面的示意图。
图4为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第二实施例所提供，于图2中之衬底承载座沿着A-A截面的示意图。
图5为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第三实施例所提供之衬底承载座的上视图。
图6为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第四实施例所提供之衬底承载座的上视图。
图7为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第五实施例所提供之衬底承载座的上视图。
图8为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第五实施例所提供，于图7中之衬底承载座沿着B-B截面的示意图。
图9为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第六实施例所提供之衬底承载座的上视图。
图10为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第六实施例所提供，于图9中之衬底承载座沿着C-C截面的示意图。
图11为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第二实施例所提供，于图2中之衬底边缘承载座沿着A-A截面的示意图。
图12为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露所提供，于图11中之衬底承载座以及衬底边缘承载座的部分截面并放大的示意图。
图13为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第三实施例所提供，于图2中之衬底边缘承载座沿着A-A截面的示意图。
图14为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第七实施例所提供之衬底承载座的上视图。
图15为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第四实施例所提供，于图14中之衬底边缘承载座沿着D-D截面的示意图。
图16为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第一实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。
图17为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第二实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。
图18为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第三实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。
图19为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第四实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。
主要元件符号说明
S 半导体衬底
R 光罩
100 装置
105 衬底载台
110 衬底载台基座
115 衬底承载座
120 衬底边缘承载座
125 衬底载台驱动元件
130 第一干涉仪
135 光罩载台
140 光源
145 照明模块
150 投影模块
155 光罩载台基座
160 光罩支撑座
165 光罩载台驱动元件
170 第二干涉仪
175 检测元件
180 控制元件
210、220、230、240 第一开口
250、260、270 第二开口
280 中央开口
310、320、330、340 第一通道
350、360、370 第二通道
380 中央通道
390a 第一入口
390b 第二入口
400 抬升部份
415 衬底承载座
410、420、430、440 第一通道
450、460、470 第二通道
480 中央通道
500 通道
515 衬底承载座
510、520、530、540 第一开口
615 衬底承载座
650、660、670 第二开口
715 衬底承载座
710、720、730、740 第一开口
W71、W72、W73、W74 宽度
810、820、830、840 第一通道
890a 第一入口
915 衬底承载座
910、920、930、940 第一开口
Wa、Wb、Wc、Wd 宽度
1010、1020、1030、1040 第一通道
990a 第一入口
1100 衬底边缘承载座
1110、1120、1130、1140 第三开口
1150、1160、1170、1180 第三通道
1190 第三入口
α 夹角
β 夹角
1210、1220 水平线
1300 衬底边缘承载座
1310 第三开口
1320 第四开口
1330 第三通道
1340 第四通道
1350 第三入口
1360 第四入口
1415 衬底承载座
1500 衬底边缘承载座
1510 第四开口
1520 第四通道
1530 第四入口
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将参照相关图式，说明本发明较佳实施例之一种非接触式的半导体衬底载台，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
图1为根据本发明实施例中，用于处理半导体衬底的装置100示意图。在此实施例中，前述装置100为黄光微影制程装置，用于将在光罩上的图案转移至衬底上。在其他的实施例中，前述装置100用于测试或检测前述半导体衬底，例如测试或检测前述衬底的表面。如图1所示，前述装置100包含用于承载半导体衬底S于其上的衬底载台105。前述衬底载台将在下面进一步描述。前述衬底载台105于表面上提供用于使前述衬底抬升或漂浮于衬底载台表面上的第一空气/气体，并沿其表面抽空第二气体/空气以稳定前述衬底在其上方的位置。
在此实施例中，前述衬底载台105包含衬底载台基座110，衬底承载座115，衬底边缘承载座120，衬底载台驱动元件125以及第一干涉仪130。前述衬底承载座115安装于前述衬底载台基座110上，用于支撑前述衬底S于其上。前述衬底边缘承载座120安装于前述衬底载台基座110上，用于保持前述衬底于前述衬底载台基座115之上。在一些实施例中，前述衬底载台基座110可于X及Y方向移动，藉此使前述衬底承载座115及衬底边缘承载座120于X及Y方向移动。在另一些实施例中，前述衬底载台基座110可于X、Y及Z方向移动，藉此使前述衬底承载座115及衬底边缘承载座120于X、Y及Z方向移动。
前述基材载台驱动元件125与前述衬底载台基座110相连，用于驱动前述衬底载台基座110。前述第一干涉仪130位于前述衬底载台基座110附近，用于追踪前述衬底载台基座110的位置。
如图1所示，前述装置100还包含光罩载台135、光源140、照明模块145以及投影模块150。在此实施例中，前述光罩载台135包含光罩载台基座155、光罩支撑座160、光罩载台驱动元件165、第二干涉仪170以及检测元件175。前述光罩支撑座160安装于前述光罩载台基座155上，用于支撑光罩(R)于其上。在一些实施例中，前述光罩载台基座155可于X及Y方向移动，藉此使前述光罩支撑座160于X及Y方向移动。在另一些实施例中，前述光罩载台基座155可于X、Y及Z方向移动，藉此使前述光罩支撑座160于X、Y及Z方向移动。前述光罩载台驱动元件165与前述光罩载台基座155相连，用于驱动前述光罩载台基座155。前述第二干涉仪170位于前述光罩载台基座155附近，用于追踪前述光罩载台基座155的位置。前述检测元件175用于确认前述光罩(R)之特征，例如光罩(R)的形状或种类。
在一些施例中，前述检测元件175包含辨识元件、影像感测元件以及影像处理元件。前述辨识元件用于读取前述光罩(R)上之光罩标识符号(例如条形码)。前述影像感测元件用于感测前述光罩(R)上之影像。前述影像感测元件可包含区域传感器(area sensor)、反射型传感器、摄影机或其他类似的传感器。前述影像处理元件用于处理前述辨识元件读取到的前述光罩标示符号及前述影像感测元件所获取之位于前述光罩(R)上的图像。
前述光源140用于产生光。前述照明模块145用于导引前述光源140所产生之光至前述光罩(R)上，产生光罩(R)图像图案上。前述投影模块150用于将前述光罩(R)图像图案以预定的投影比例(例如1/4或1/5)投影至前述衬底(S)上。
在一些实施例中，前述投影模块150包含多个光学模块，前述每一光学模块包含多个透镜。前述多个光学模块中之模块包含至少一面凹面镜(例如反射折射式光学系统)。前述多个光学模块中之另一模块更包含至少一个绕射光学元件(例如绕射镜片)以及高反射镜模块。
如图1所示，前述装置100还包含控制元件180，与前述衬底载台驱动元件125以及前述光罩载台驱动元件165连接，用于控制前述衬底载台驱动元件125以及前述光罩载台驱动元件165之行动。在此实施例中，前述控制元件180包含中央处理器(CPU)及内存。
图2为根据本发明第一实施例之衬底承载座115的上视图。如图2所示，前述衬底承载座115有多个第一开口210、220、230及240，多个第二开口250、260及270及中央开口280。第一气体可以藉由前述衬底承载座115的前述多个第一开口210、220、230及240导引至前述衬底(S)之底面，使前述衬底(S)上升/漂浮于前述衬底承载座115之上。前述第一开口210-240为细长的开口，这样的构造使前述第一气体/空气均匀的分布在前述衬底承载座115和衬底(S)之间。
沿着前述衬底承载座115之表面的第二气体可以藉由多个第二开口250、260及270抽离，藉此稳定前述基材在前述衬底承载座115上的位置。
在此实施例中，前述多个第一及第二开口210-270为同心且环状的开口。如图2所示，前述第一及第二开口210-270为连续的圆环状或封闭的开口。在各实施例中，相邻的一对第一及第二开口的距离，例如前述第一开口220及第二开口260间的距离小于或等于约15毫米。如图2所示，前述第一及第二开口交错的排列于前述衬底承载座115上，举例来说，在一些实施例中，前述第一开口210、220、230及240包围住前述第二开口250、260及270。在其他实施例中，前述第二开口250、260及270包围住前述第一开口210、220、230及240。其他可预期的排列方式在此不做赘述。
虽然前述衬底承载座115以四个第一开口210-240以及三个第二开口250-270作为示范，但对该领域的习知技艺者而言，在读完此揭露后，前述第一及第二开口的数量可以做增加或减少的调整。举例来说，在特定的实施例中，前述第一开口及第二开口的数量相同，例如第一及第二开口的数量皆为5个。
如图2所示，前述第一开口210-240有相同的宽度(W21)。在一些实施例中，前述第一开口210-240的宽度(W21)与第二开口250-270的宽度(W22)相同。在其他的实施例中，前述第一开口210-240的宽度(W21)与第二开口250-270的宽度(W22)不同，举例来说，大于或小于第二开口250-270的宽度。
前述中央开口280有助于抽离前述第二气体。在此实施例中，前述中央开口280的宽度大于前述第一开口210-240的宽度(W21)及第二开口250-270的宽度(W22)。在其他的实施例中，前述衬底承载座115可能没有中央开口280。
如图2所示，前述衬底边缘承载座120包含一对位于前述衬底承载座115两侧的边缘承载元件，且沿着前述衬底承载座115的边缘延伸。在此实施例中，前述每一衬底边缘承载座120的边缘承载元件为弯曲状。在其他的实施例中，前述每一衬底边缘承载座120的边缘承载元件为直条状。
虽然前述衬底边缘承载座120以一对边缘承载元件作为示范，但对该领域的习知技艺者而言，在读完此揭露后，前述边缘承载元件的数量可以依需求做增减。举例来说，在一些实施例中，前述衬底边缘承载座120可能包含一个边缘承载元件，前述边缘承载元件可以部分或完全围绕前述衬底承载座115。在其他的实施例中，前述衬底边缘承载座120可能包含三个或以上的边缘承载元件安放于前述衬底承载座115旁。
图3为图2中衬底承载座115沿着A-A截面的示意图。如图3所示，前述衬底承载座115进一步的由多个第一通道310、320、330及340，多个第二通道350、360及370，中央通道380、第一入口390a以及第二入口390b形成。每一前述第一通道、第二通道及中央通道310-380与各前述第一开口、第二开口及中央开口210-280对应连接。在本实施例中，每一前述第一通道、第二通道及中央通道310-380与各对应之前述第一开口、第二开口及中央开口210-280有相同的宽度。前述第一入口390a位于前述衬底承载座115中央处，与前述第一开口210、220、230及240藉由第一通道310、320、330及340连通，用于从气体源头(未标示于图中)接收前述第一气体。前述第二入口390b位于前述衬底承载座115中央至边缘处，与前述第二开口250-270及前述中央开口280藉由第二通道350-370以及中央通道380连通，用于从真空源头(未标示于图中)接收前述第二气体。
每一前述衬底边缘承载座120的边缘承载元件包含上表面、下表面以及位于前述上及下表面间的中间面。前述上、下表面以及中间面高于前述衬底边缘支撑座，用于藉由前述衬底(S)之边缘来承载前述衬底。
图4为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第二实施例所提供，于图2中之衬底承载座415沿着A-A截面的示意图。如图4所示，在本实施例中的衬底承载座415与前述实施例中所提供的衬底承载座115不同处在于前述衬底承载座415的上表面上包含多个抬升部分400。每一前述第一开口210-240、前述第二开口250-270及前述中央开口280分别形成于对应的抬升部分400上。每一前述第一通道410-440、前述第二通道450-470及前述中央通道480分别从对应的每一抬升部分400延伸至对应的一个前述第一开口210-240、前述第二开口250-270及前述中央开口280。
图5为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第三实施例所提供之衬底承载座515的上视图。如图5所示，在本实施例中的衬底承载座515与前述实施例中所提供的衬底承载座115不同处在于前述衬底承载座515的每一前述第一开口510-540为不连续的环状开口。在本实施例中，每一前述第一开口510-540包含多个分离的气体/空气通道500。在一些实施例中，前述通道500为弧形。在另一些实施例中，前述通道500为直条状。
图6为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第四实施例所提供之衬底承载座615的上视图。如图6所示，在本实施例中的衬底承载座615与前述实施例中所提供的衬底承载座115不同处在于前述衬底承载座615之前述第二开口650-670为多个以同心圆方式排列，形成于前述衬底承载座615上的孔洞。
图7为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第五实施例所提供之衬底承载座715的上视图。如图7所示，前述第一开口710-740各自有不同的宽度W71、W72、W73及W74。举例来说，前述第一开口的宽度W71、W72、W73及W74由最内侧(如开口710的宽度W71)往最外侧(如开口740的宽度W74)增加。换句话说，前述宽度W74较前述宽度W73宽，前述宽度W73较前述宽度W72宽，前述宽度W72较前述宽度W71宽。藉由此种结构可以使前述第一气体/空气更均匀的分布于前述衬底(S)的背面。
在一实施例中，前述第一开口710的宽度W71较前述第二开口250-270的宽度窄。在一些实施例中，前述第一开口720的宽度W72与前述第二开口250-270的宽度相同。在其他实施例中，前述第一开口730及740的宽度W73及W74较前述第二开口250-270的宽度宽。
图8为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第五实施例所提供，于图7中之衬底承载座715沿着B-B截面的示意图。如图8所示，每一前述第一通道810-840与每一前述第一开口710-740对应连接，且前述第一通道810-840的宽度与其对应连接的前述第一开口710-740之宽度相同。前述第一入口890a位于前述衬底承载座715中央。
在特定的实施例中，前述宽度W71、W72、W73及W74由最内侧的开口向最外侧的开口递减，例如从前述第一开口710至前述第一开口740递减。在此特定的实施例中，前述第一入口890a位于前述衬底承载座815的边缘。
图9为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第六实施例所提供之衬底承载座915的上视图。如图9所示，在本实施例中的衬底承载座915与前述实施例中所提供的衬底承载座115不同处在于前述第一开口910-940具有沿其范围改变的宽度。举例来说，前述开口940左侧的宽度(Wb)其右侧的宽度(Wd)宽，前述开口上部的宽度Wa与其下部的宽度Wc相同。前述第一开口940的宽度Wc及Wa较前述第一开口940的宽度Wb小，但较前述第一开口940的宽度Wd宽。
图10为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第六实施例所提供，于图9中之衬底承载座915沿着C-C截面的示意图。如图10所示，每一前述第一通道810-840与每一前述第一开口710-740对应连接，且前述第一通道1010-1040的宽度与其对应连接的前述第一开口910-940之宽度相同。在此实施例中，前述第一入口990a位于前述衬底承载座915的边缘。
图11为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第二实施例所提供，于图2中之衬底边缘承载座1100沿着A-A截面的示意图。如图11所示，在本实施例中的衬底边缘承载座1100与前述实施例中所提供的衬底边缘承载座120不同处在于前述衬底边缘承载座1100有侧壁，有多个第三开口1110、1120、1130及1140，多个第三通道1150、1160、1170及1180以及第三入口1190于前述侧壁上。
每一前述第三通道1150-1180与每一前述第三开口1110-1140对应连接。前述第三入口1190连接于前述第三通道1150-1180以及前述气体/空气源之间。
第三气体/空气藉由前述第三入口1190、前述第三通道1150-1180以及前述第三开口1110-1140导至前述衬底(S)的边缘，将前述衬底(S)固定于前述衬底承载座115的中心上，即，再前述衬底(S)漂浮于前述衬底承载座115上时，将前述衬底(S)相对于前述衬底承载座115侧向的移动减至最小。
虽然前述衬底边缘承载座1100以四个开口1110-1140作为示范，但对该领域的习知技艺者而言，在读完此揭露后，前述边缘承载座上的开口数量可以依需求做增减。
图12为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露所提供，于图11中之衬底承载座115以及衬底边缘承载座110的部分截面并放大的示意图。如图12所示，前述第三通道1150及1180各自与和前述入口1190垂直的水平线1210、1220间形成夹角α及β。在此实施例中，前述夹角α及β等于或大于约20度左右，举例来说，角度约为20±0.5度。在一些实施例中，每一前述第三通道1160及1170朝垂直于前述入口1190的方向延伸。在其他实施例中，每一前述第三通道1160及1170与前述入口1190间夹钝角。
图13为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第三实施例所提供，于图2中之衬底边缘承载座沿着A-A截面的示意图。如图13所示，在本实施例中的衬底边缘承载座1300与前述实施例中所提供的衬底边缘承载座120不同处在于前述衬底边缘承载座1300包含侧壁，有第三及第四开口1310、1320，第三及第四通道1330、1340以及第三及第四入口1350、1360于前述侧壁上。
每一前述第三及第四通道1330、1340与对应的第三及第四开口1310、1320连接。每一前述第三及第四入口1350、1360连接于前述第三及第四通道1330、1340以及前述气体/空气及前述真空源头之间。
前述第一气体/空气藉由前述气体/空气源头，由第三入口1350、前述第三通道1330以及前述第三开口1310导至前述衬底(S)的边缘，将前述衬底(S)固定于前述衬底承载座115的中心上。
前述第二气体/空气藉由前述真空源头，由前述第四开口1320、前述第四通道1340以及前述第三入口1360由前述衬底边缘承载座1300抽出。
图14为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第七实施例所提供之衬底承载座1415的上视图。如图14所示，在本实施例中的衬底承载座1415与前述实施例中所提供的衬底承载座115不同处在于前述衬底承载座1415并无前述第二开口250-270以及前述中央开口280。
图15为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第四实施例所提供，于图14中之衬底边缘承载座1500沿着D-D截面的示意图。如图15所示，前述衬底承载座1415并无前述第二通道350-370以及前述中央通道380。此外，在本实施例中的衬底边缘承载座1500与前述实施例中所提供的衬底边缘承载座120不同处在于前述衬底边缘承载座1500包含侧壁，有第四开口1510，连接于前述第四开口的第四通道1520，以及连接于前述第四通道1520以及前述真空源头的第四入口1530于前述侧壁中。前述第二气体/空气藉由前述真空源头，由前述第四开口1510、前述第四通道1520以及前述第四入口1530由前述衬底边缘承载座1500抽出。
图16为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第一实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。前述方法1600将参考图1-10来做说明。如图16所示，在流程1610中，气体/空气源头通过衬底承载座(例如衬底承载座115、415、515、615、715、915)中的第一开口(例如开口210-240、510-540、710-740、910-940)提供第一气体/空气。
在流程1620中，真空源头通过第二开口(例如开口250-270、650-670)以及中央开口(例如开口280)从前述衬底承载座的上表面抽离/撤离第二气体/空气。
在流程1630中，衬底边缘承载座(例如衬底边缘承载座120)承接半导体衬底于其上。前述第一气体/空气及前述第二气体/空气使前述衬底以及前述衬底承载座以定距离间隔开来。在前述衬底以及前述衬底承载座表面间的间隙的大小可以藉由调整前述气体/空气及前述真空源头来调整。前述衬底边缘承载座将前述衬底保持在前述衬底承载座中央。
在流程1640中，在前述衬底上执行黄光微影制程。在其他的实施例中，于流程1640内在前述衬底上执行检测制程。
在此实施例中，持续不断的供应前述第一气体/空气及抽离/撤离前述第二气体。在另一的实施例中，间歇的供应前述第一气体/空气及抽离/撤离前述第二气体。在一些实施例中，持续不断的供应前述第一气体/空气，但间歇的抽离/撤离前述第二气体。在其他的实施例中，间歇的供应前述第一气体/空气，但持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在特定的实施例中，在供应前述第一气体/空气及抽离/撤离前述第二气体间交互替换。
图17为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第二实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。前述方法1700将参考图11及12来做说明。如图17所示，在流程1710中，气体/空气源头通过衬底承载座(例如衬底承载座115)中的第一开口(例如开口210-240)，以及通过衬底边缘承载座(例如衬底边缘承载座1110)中的第三开口(例如开口1110-1140)提供第一气体/空气。
在流程1720中，真空源头通过第二开口(例如开口250-270、650-670)以及中央开口(例如开口280)从前述衬底承载座的上表面抽离/撤离第二气体/空气。
在流程1730中，前述衬底承载座承接半导体衬底于其上。前述第一气体/空气及前述第二气体/空气使前述衬底以及前述衬底承载座以定距离间隔开来。在前述衬底以及前述衬底承载座表面间的间隙的大小可以藉由调整前述气体/空气及前述真空源头来调整。前述通过第三开口导至前述衬底的边缘之第一气体/空气将前述衬底保持在前述衬底承载座中央。
在流程1740中，在前述衬底上执行黄光微影制程。在其他的实施例中，于流程1740内在前述衬底上执行检测制程。
在此实施例中，藉由前述第一及第三开口持续不断的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二开口持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在另一的实施例中，藉由前述第一及第三开口间歇的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二开口间歇的抽离/撤离前述第二气体。在一些实施例中，藉由前述第一及第三开口持续不断的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二开口间歇的抽离/撤离前述第二气体。在其他的实施例中，藉由前述第一及第三开口间歇的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二开口持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在特定的实施例中，在藉前述第一及第三开口供应前述第一气体/空气及藉前述第二开口抽离/撤离前述第二气体间交互替换。
图18为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第三实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。前述方法1800将参考图13来做说明。如图18所示，在流程1810中，气体/空气源头通过衬底承载座(例如衬底承载座115)中的第一开口(例如开口210-240)，以及通过衬底边缘承载座(例如衬底边缘承载座1300)中的第三开口(例如开口1310)提供第一气体/空气。
在流程1820中，真空源头通过位于前述衬底承载座的第二开口(例如开口250-270)、中央开口(例如开口280)以及位于前述衬底边缘承载座的第四开口(例如开口1320)从前述衬底承载座的上表面抽离/撤离第二气体/空气。
在流程1830中，前述衬底承载座承接半导体衬底于其上。前述第一气体/空气及前述第二气体/空气使前述衬底以及前述衬底承载座以定距离间隔开来。在前述衬底以及前述衬底承载座表面间的间隙的大小可以藉由调整前述气体/空气及前述真空源头来调整。前述通过第三开口导至前述衬底的边缘之第一气体/空气将前述衬底保持在前述衬底承载座中央。
在流程1840中，在前述衬底上执行黄光微影制程。在其他的实施例中，于流程1840内在前述衬底上执行检测制程。
在此实施例中，藉由前述第一及第三开口持续不断的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二及第四开口持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在另一的实施例中，藉由前述第一及第三开口间歇的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二及第四开口间歇的抽离/撤离前述第二气体。在一些实施例中，藉由前述第一及第三开口持续不断的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二及第四开口间歇的抽离/撤离前述第二气体。在其他的实施例中，藉由前述第一及第三开口间歇的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第二及第四开口持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在特定的实施例中，在藉前述第一及第三开口供应前述第一气体/空气及藉前述第二及第四开口抽离/撤离前述第二气体间交互替换。
图19为根据本揭露所提供的一些实施例中，根据本揭露的第四实施例所提供的半导体衬底处理方法流程图。前述方法1900将参考图14及15来做说明。如图19所示，在流程1910中，气体/空气源头通过衬底承载座(例如衬底承载座1415)中的第一开口(例如开口1410-1440)提供第一气体/空气。
在流程1920中，真空源头通过位于前述衬底边缘承载座(例如衬底边缘承载座1450)的第四开口(例如开口1510)从前述衬底承载座的上表面抽离/撤离第二气体/空气。
在流程1930中，前述衬底边缘承载座承接半导体衬底于其上。前述第一气体/空气及前述第二气体/空气使前述衬底以及前述衬底承载座以定距离间隔开来。在前述衬底以及前述衬底承载座表面间的间隙的大小可以藉由调整前述气体/空气及前述真空源头来调整。前述衬底边缘承载座将前述衬底保持在前述衬底承载座中央。
在流程1940中，在前述衬底上执行黄光微影制程。在其他的实施例中，于流程1940内在前述衬底上执行检测制程。
在此实施例中，藉由前述第一开口持续不断的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第四开口持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在另一的实施例中，藉由前述第一开口间歇的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第四开口间歇的抽离/撤离前述第二气体。在一些实施例中，藉由前述第一开口持续不断的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第四开口间歇的抽离/撤离前述第二气体。在其他的实施例中，藉由前述第一开口间歇的供应前述第一气体/空气，并藉由前述第四开口持续不断的抽离/撤离前述第二气体。在特定的实施例中，在藉前述第一开口供应前述第一气体/空气及藉前述第四开口抽离/撤离前述第二气体间交互替换。
在一实施例中，提供一种用于处理半导体衬底的装置，前述装置包含衬底载台和气体源。前述衬底载台用于承载前述衬底于其上，包含衬底载台基座，以及形成于前述基体载台基座上的第一开口。前述第一开口为环形开口。前述气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应至前述衬底的下表面。
在另一实施例中，提供一种用于处理半导体衬底的装置，前述装置包含衬底载台和气体源。前述衬底载台用于承载前述衬底于其上，包含衬底载台基座以及衬底边缘承载座。前述衬底边缘承载座与前述衬底载台相邻，具有侧壁，前述侧壁具有第一开口。前述气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体/空气供应到前述衬底的边缘处，将前述衬底保持在前述衬底承载座的中心。
在另一个实施例中，提供一种用于处理半导体衬底的方法，前述方法包括通过衬底承载座上的第一开口供应第一空气/气体，在前述衬底承载座上接收前述衬底，将前述衬底保持在前述衬底承载座的中央，以及在前述衬底上执行制程。前述至少一个第一开口为细长的开口。
综上所述，本发明之实施例所提供之衬底承载座以及衬底边缘承载座能够使前述衬底漂浮于前述衬底承载座之上，避免前述衬底的背面与前述衬底承载座的表面接触，并藉由前述衬底边缘承载座将前述衬底维持在前述衬底承载座的中央。以此方式，本发明所提供之衬底承载座以及衬底边缘承载座可以避免在制程中位于前述衬底背面的污染颗粒造成微影制程后在晶圆上产生的缺陷。
可以理解的是，以上实施例仅用来说明本发明，并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形，都落在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种用于处理一衬底的装置，其特征在于，包含：
衬底载台，用于承载前述衬底于其上，前述衬底载台包含在其中形成有第一开口、第二开口的衬底承载座和衬底边缘承载座，其中前述第一开口为环形开口，前述衬底边缘承载座与前述衬底承载座相邻，并具有侧壁，前述侧壁具有第三开口；
气体源，与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体供应到前述衬底的下表面；以及
真空源，与前述第二开口和前述第三开口连接，通过前述第二开口抽离位于前述衬底承载座的上表面和前述衬底的下表面间的第二气体。
2.一种用于处理半导体衬底的装置，其特征在于，包含：
衬底载台，用于承载前述衬底于其上，前述衬底载台还包括：
衬底承载座；和
衬底边缘承载座，前述衬底边缘承载座与前述衬底载台相邻，具有侧壁，前述侧壁具有第一开口；以及
气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体供应到前述衬底的边缘，将前述衬底保持在前述衬底承载座的中心。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：第一通道，前述第一通道连接于前述第一开口和前述气体源之间，前述第一通道与水平线间夹一锐角。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，其中，前述衬底边缘承载座的前述侧壁还具有第二开口，前述装置还包括真空源，前述真空源与前述第二开口连接，通过前述第二开口抽离位于前述衬底承载座的上表面和前述衬底的下表面间的第二气体。
5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，其中，所述衬底承载座具有多个第一开口，其中，每一前述第一开口具有不同的宽度；前述装置还包括气体源，前述气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体供应到前述衬底的下表面。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，其中，所述衬底承载座具有多个第二开口，其中，前述第二开口和前述第一开口交替配置于前述衬底承载座上；前述装置还包括真空源，前述真空源与前述第二开口连接，通过前述第二开口抽离位于前述衬底承载座的上表面和前述衬底的下表面间的第二气体。
7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，其中，所述衬底承载座具有多个第一开口，其中，前述第一开口沿其长度具有不同的宽度；前述装置还包括气体源，前述气体源与前述第一开口连接，用于通过前述第一开口将第一气体供应到前述衬底的下表面。
8.一种处理衬底的方法，其特征在于，前述方法包括：
通过衬底承载座中的第一开口供应第一气体，其中至少一个前述第一开口为细长或延长的；
在前述衬底承载座上接收前述衬底；
将前述衬底保持在前述衬底承载座的中心；
通过邻近前述衬底承载座的衬底边缘承载座中的一第三开口，供应前述第一气体；
通过邻近前述衬底承载座的衬底边缘承载座中的一第四开口，抽离第二气体；
在前述衬底上执行制程。
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