TWI764034B - 曝光裝置及製造物品的方法 - Google Patents

曝光裝置及製造物品的方法

Info

Publication number
TWI764034B
TWI764034B TW108129976A TW108129976A TWI764034B TW I764034 B TWI764034 B TW I764034B TW 108129976 A TW108129976 A TW 108129976A TW 108129976 A TW108129976 A TW 108129976A TW I764034 B TWI764034 B TW I764034B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
concave portion
exposure apparatus
stage
original
flushing gas
Prior art date
Application number
TW108129976A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202011453A (zh
Inventor
本間将人
河原泉
Original Assignee
日商佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商佳能股份有限公司 filed Critical 日商佳能股份有限公司
Publication of TW202011453A publication Critical patent/TW202011453A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI764034B publication Critical patent/TWI764034B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明提供一種曝光裝置，其在掃描原版及基板的同時曝光基板，曝光裝置包括：台，其包括第一表面，且能夠在保持原版的同時移動，在第一表面中形成有待被供應沖洗氣體的第一凹入部分及第二凹入部分；以及構件，包括面向第一表面的第二表面，其中，第一凹入部分被設置於台的第一表面中，以便限定原版被佈置於其中的第一空間，並且至少一個第二凹入部分在台的第一表面中被設置於第一凹入部分外部，以便限定具有比第一空間更小的體積的第二空間。

Description

曝光裝置及製造物品的方法
本發明關於一種曝光裝置以及一種製造物品的方法。
作為在液晶面板或半導體設備的製造方法(光刻方法)中所使用的裝置的一種類型，存在一種曝光裝置，其將由照明光學系統所照射的原版的圖案投影到基板上並曝光基板。已知的是，在曝光裝置中所使用的原版(遮罩或標線片)由於，例如，與存在於原版周圍的大氣中的酸、鹼或有機雜質反應而模糊。同樣已知的是，原版的模糊由於大氣中的水分而加速。當原版以此方式模糊時，會發生像是曝光不足等的問題，這可能使得難以將原版的圖案精確地轉印到基板上。據此，在曝光裝置中，理想的是用其雜質及濕度已被調整(減少)的沖洗氣體來填充原版被佈置於其中的空間。日本專利公開第2015-228519號提出一種佈置，其中，保持原版的原版台的可移動區域被以板覆蓋，且對由板所形成的內部空間供應具有減少的雜質及濕度的沖洗氣體。
在曝光裝置中，從運行成本等的觀點來看，理想的是減少沖洗氣體的使用量。然而，日本專利公開第2015-228519號中所描述的發明具有以板覆蓋原版台的整個可移動區域的佈置，使得由板所形成的內部空間相較於原版的體積為非常大的。因此，為了防止外部空氣侵入到由板所形成的內部空間中，需要對內部空間連續地供應大量的沖洗氣體，這對於減少沖洗氣體的使用量而言為不利的。
舉例而言，在被用來填充原版被放置於其中的空間的沖洗氣體的量的方面，本發明提供了一種有利技術。
根據本發明的一面向，提供一種曝光裝置，其在掃描原版及基板的同時曝光基板，曝光裝置包括：台，其包括第一表面，且能夠在保持原版的同時移動，在第一表面中形成有待被供應沖洗氣體的第一凹入部分及第二凹入部分；以及構件，包括面向第一表面的第二表面，其中，第一凹入部分被設置於台的第一表面中，以便限定原版被佈置於其中的第一空間，並且至少一個第二凹入部分在台的第一表面中被設置於第一凹入部分外部，以便限定第二空間，其具有比第一空間更小的體積。
從例示性實施例參照所附圖式的以下描述，本發明的更多特徵將變得清楚明瞭。
下面將參照所附圖式描述本發明的例示性實施例。應注意的是，相同的標號在所有圖式中表示相同的構件，且將不再給出其重複描述。
＜第一實施例＞ [曝光裝置的佈置] 將描述根據本發明的第一實施例。圖1是示出此實施例的曝光裝置100的整體佈置的視圖。此實施例的曝光裝置100是步進掃描式曝光裝置，其在掃描原版M及基板W的同時曝光基板W，從而將原版M的圖案轉印到基板上。曝光裝置100亦被稱作掃描曝光裝置或掃描儀。在此實施例中，例如，原版M是由石英所製成的遮罩(標線片)，在其上已形成待轉印到基板W上的多個曝光區域中的每一個曝光區域上的電路圖案。基板W是塗佈有光致抗蝕劑的晶圓，且例如，可使用單晶矽基板等。
曝光裝置100可包括照明光學系統1、可在保持原版M的同時移動的原版台2、投影光學系統3、可在保持基板W的同時移動的基板台4、以及控制單元5。控制單元5由，例如，包括CPU及記憶體的電腦所形成，且電連接到裝置中的各個單元，從而全面地控制裝置的整體操作。在此處，在以下描述中，假設平行於從照明光學系統1發射並入射到原版M的光的光軸的方向是Z方向，且假設在垂直於光軸的平面上彼此正交的兩個方向分別是X方向及Y方向。
照明光學系統1使從光源6(例如，水銀燈、ArF準分子雷射或KrF準分子雷射等)發射的光成形為，例如，帶狀或弓狀狹縫形的光，並用此狹縫形的光照射原版M的一部分。透射通過原版M的一部分的光作為反映出原版M的這一部分的圖案的圖案光進入投影光學系統3。投影光學系統3具有預定投影放大率，並藉由使用圖案光來將原版M的圖案投影到基板(更具體地說，基板上的抗蝕劑)上。原版M及基板W分別由原版台2及基板台4所保持，並經由投影光學系統3被佈置於光學共軛位置(投影光學系統3的物面及像面)中。控制單元5以與投影光學系統的投影放大率匹配的速度比相對地彼此同步地掃描原版台2及基板台4(在此實施例中，假設原版M的掃描方向及基板W的掃描方向是X方向(第一方向))。利用此佈置，可將原版M的圖案轉印到基板上。
[原版台的周邊佈置] 一般而言，已知的是，在曝光裝置中所使用的原版M由於，例如，與在存在於原版M周圍的大氣中的酸、鹼或有機雜質反應而模糊。同樣已知的是，原版M的此模糊由於大氣中的水分而加速。當原版M以此方式模糊時，會發生像是曝光不足等問題，這可能使得難以將原版M的圖案精確地轉印到基板上。據此，在曝光裝置中，理想的是用其雜質及濕度已被調整(減少)的沖洗氣體來填充原版M被佈置於其中的空間。此外，在曝光裝置中，從運行成本等的觀點來看，理想的是減少沖洗氣體的使用量。因此，本實施例的曝光裝置100被構造成用沖洗氣體填充原版M被佈置於其中的空間，並能夠在此時減少沖洗氣體的使用量。在此處，沖洗氣體是被調整以減少酸、鹼、有機雜質以及濕度的氣體，且亦可使用，例如，潔淨的乾燥空氣或氮氣。
將在下文描述根據此實施例的曝光裝置100的詳細佈置。圖2A及2B是示出此實施例的曝光裝置100中的原版台2的周邊佈置的視圖。圖2A是示出曝光裝置100中的原版台2的周邊佈置(X-Z截面)、以及照明光學系統1、原版台2、投影光學系統3、第二板7及供應單元8a(第一供應單元)的視圖。圖2B是當從上方(+Z方向側)觀察時之此實施例的原版台2的視圖。
首先，將描述原版台2的佈置。如圖2A及2B所示，原版台2的上表面(第一表面20)形成有第一凹入部分20a及第二凹入部分20b，從稍後將描述的供應單元8a向第一凹入部分20a及第二凹入部分20b供應沖洗氣體。第一凹入部分20a被設置於原版台2的上表面(第一表面20)，以便限定原版M被佈置於其中的第一空間(原版佈置空間)。當從上方觀察原版台2時，第一凹入部分20a可被形成為具有大於原版M的尺寸，並具有等於或大於原版M的厚度的深度。
每一個第二凹入部分20b在原版台2的上表面(第一表面20)中被設置於第一凹入部分20a外部，以便限定具有比第一空間更小的體積的第二空間。在此實施例中，設置多個第二凹入部分20b，以便在掃描曝光期間在原版台2的掃描方向(±X方向，或可在下文中簡稱作“掃描方向”)上包夾第一凹入部分20a。亦即，第二凹入部分20b在原版台的上表面中被設置於第一凹入部分20a的掃描方向上(在±X方向側上)。
當從上方觀察原版台2時，第二凹入部分20b被佈置成使得掃描方向(X方向)上的長度小於垂直於掃描方向的方向(±Y方向，或可在下文中簡稱作“垂直方向”)上的長度。亦即，第二凹入部分20b是沿著垂直方向(Y方向)在原版台2的上表面中延伸的凹槽部分。此實施例的第二凹入部分20b具有矩形形狀，其縱向方向是垂直方向(Y方向)，但其形狀不限於此，且可具有彎曲形狀。
在此處，將描述原版台2的詳細佈置。原版台2可包括，例如，保持原版M的保持部分21、以及形成原版台2的上表面(第一表面20)的第一板22。
保持部分21由基部21a、第一突出部分21b及第二突出部分21c所形成，且可藉由像是線性馬達的驅動機構(未示出)在至少±X方向上被驅動。基部21a被構造成藉由真空抽吸(vacuum suction)、靜電吸引(electrostatic attraction)等來保持原版M的周邊區域，並在原版M的中心區域(電路圖案被形成的區域)被佈置的部分中形成開口，使得透射通過原版M的光進入投影光學系統。開口可設置有，例如，像是玻璃的透明構件。
每一個第一突出部分21b是在原版M的周邊中從基部21a向上(在+Z方向上)突出的部分，使得將基部21a作為底部並將第一突出部分21b作為側壁來限定第一凹入部分20a(第一空間)。第一突出部分21b可佈置成具有等於或大於原版M的厚度的高度。每一個第二突出部分21c是在第一突出部分21b外部從基部21a向上(在+Z方向上)突出的部分，使得將基部21a作為底部並將第一突出部分21b及第二突出部分21c作為側壁來限定第二凹入部分20b(第二空間)。第二突出部分21c可佈置成具有與第一突出部分21b相同的高度。亦即，第二凹入部分20b可佈置為具有與第一凹入部分20a相同的深度。在此處，第二凹入部分20b的深度可等於或小於第一凹入部分20a的深度。
第一板22是包括垂直於從照明光學系統1發射的光的光軸方向的第一表面20的構件，並藉由第一表面20形成原版台2的上表面。第一板22被連接到保持部分21的第一突出部分21b及第二突出部分21c的端部，且被佈置為包括延伸區域22a，每一個延伸區域22a沿著掃描方向從第二突出部分21c的端部延伸。此外，第一板22在形成第一凹入部分20a(第一空間)的部分處以及在形成第二凹入部分20b(第二空間)的部分處設置有開口。應注意的是，雖然在此實施例中使用片狀的第一板22作為包括第一表面20的構件，但亦可使用除了片狀的板以外的構件。
在此處，第一板22可被佈置為能夠減少在掃描曝光期間隨著原版台2的移動而從後面將描述的延伸區域22a與第二板7之間的間隙流入第一凹入部分20a及第二凹入部分20b的外部空氣。例如，第一板22可被佈置為在每一個延伸區域22a中包括與稍後將描述的第二板7(第二表面70)的距離最小的部分。此外，延伸區域22a可被設置為使得掃描方向上的長度等於或大於原版台2在掃描曝光時的移動行程(移動距離)的一半，且更佳地等於或大於移動行程的長度。亦即，第二凹入部分能夠被設置成不會在原版台2的移動期間落到第二板7的外部形狀之外。
接下來，將描述第二板7及供應單元8a。
第二板7是包括垂直於從照明光學系統1發射的光的光軸方向的第二表面70的構件，且被佈置於原版台2上方以與原版台2間隔開，使得第二表面70面向原版台2(第一板)的第一表面20。例如，第二板7被設置於照明光學系統1或其他結構中，以不與原版台2一起移動。在此實施例中，第二板7被固定到照明光學系統1。
此外，第二板7可被佈置為使得原版台2(第一板22)的第一表面20與第二板7的第二表面70之間的間隙為盡可能小的(亦即，形成微小間隙)。利用此佈置，能夠減輕第二凹入部分20b中的在供應到第二凹入部分20b的沖洗氣體通過第一表面20與第二表面70之間的間隙逸出時發生的氣壓的時間性的變化。舉例而言，第二板7可被佈置為使得第一表面20與第二表面70之間的間隙為盡可能小的，使得即使藉由在原版台2的移動期間的振動(在±Z方向上)亦無法使第一表面20與第二表面70相互接觸。作為範例，第二板7可被佈置為使得第一表面20與第二表面70之間的距離等於或小於第二凹入部分20b在掃描方向上的長度。應注意的是，雖然在此實施例中使用片狀的第二板7作為包括第二表面70的構件，但亦可使用除了片狀的板以外的構件，或此構件可由照明光學系統1的結構的一部分所形成。
每一個供應單元8a將沖洗氣體供應到第一板22與第二板7之間的空間，以及供應到原版台2的第一凹入部分20a及第二凹入部分20b。舉例而言，供應單元8a被構造成從設置於第二板7(第二表面70)中的出口71吹出沖洗氣體，從而在原版台2的移動期間將沖洗氣體供應到第一凹入部分20a及第二凹入部分20b。在此實施例中，提供用於沖洗氣體的多個(兩個)出口71，以在掃描方向上包夾照明光學系統1。
[向原版台供應沖洗氣體] 圖3A至3C是用於說明在掃描曝光時向原版台2(第一凹入部分20a及第二凹入部分20b)供應沖洗氣體的視圖。首先，如圖3A所示，驅動原版台2使得-X方向側上的第二凹入部分20b1 被佈置於+X方向側上的出口71b下方。此時，沖洗氣體從供應單元8a通過出口71b被供應到-X方向側上的第二凹入部分20b1 ，使得第二凹入部分20b1 被填充有沖洗氣體，且其中的氣壓變得高於原版台2外部的氣壓。在此狀態下，被供應到第二凹入部分20b1 的沖洗氣體通過第一表面20與第二表面70之間的間隙逐漸逸出，使得能夠防止外部空氣流動通過間隙。此外，當原版台2在此狀態下沿-X方向被移動時，外部空氣可能隨著原版台2的移動而通過第一表面20與第二表面70之間的間隙侵入，但外部空氣可在流入第一凹入部分20a之前流入凹入部分20b中且被稀釋。亦即，可減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。
接著，如圖3B所示，驅動原版台2使得原版M被佈置在照明光學系統1下方，且在-X方向上移動原版台2的同時執行掃描曝光。當原版台2從圖3A所示的狀態移動到圖3B所示的狀態時，第二凹入部分20b1 被填充有從供應單元8a的出口71a供應的沖洗氣體。由於第二凹入部分20b1 被填充有沖洗氣體，其中的氣壓變得高於原版台2外部的氣壓。此時，第一凹入部分20a被佈置於出口71(71a及71b)下方，並藉由供應單元8a從出口71(71a及71b)被供應沖洗氣體。因此，第一凹入部分20a填充有沖洗氣體，且具有高於原版台2外部的氣壓之氣壓，使得能夠防止外部空氣通過第一表面20與第二表面70之間的間隙流入第一凹入部分20a中。
當完成-X方向上的掃描曝光(原版台2的掃描)時，執行反向(+X方向)上的掃描曝光(原版台2的掃描)。據此，如圖3C所示，驅動原版台2使得+X方向側上的第二凹入部分20b2 被佈置於−X方向側上的出口71a下方。此時，類似於圖3A所示的狀態，沖洗氣體從供應單元8a通過出口71a被供應到+X方向側上的第二凹入部分20b2 ，使得其中的氣壓變得高於原版台2外部的氣壓。在此狀態下，類似於參照圖3A所描述的狀態，能夠防止外部空氣流動通過間隙，並還能夠減少(防止)外部空氣隨著原版台2的移動通過第一表面20與第二表面70之間的間隙而流入第一凹入部分20a。接著，驅動原版台2使得原版M被佈置在照明光學系統1下方，並且在+X方向上移動原版台2的同時執行掃描曝光。當原版台2在+X方向上從圖3C所示的狀態移動時，第二凹入部分20b2 填充有從供應單元8a的出口71b供應的沖洗氣體。由於第二凹入部分20b2 填充有沖洗氣體，其中的氣壓變得高於原版台2外部的氣壓。
以此方式，在此實施例的原版台2中，第二凹入部分20b(第二空間)被設置於佈置有原版M的第一凹入部分20a(第一空間)的掃描方向上，且第二凹入部分20b被使用為用於減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中的空間。據此，第二凹入部分20b可在掃描方向(±X方向)上被佈置於第一凹入部分20a的兩側上，但第二凹入部分20b亦可僅被佈置於一側上。應注意的是，當第二凹入部分20b僅被佈置於第一凹入部分20a的一側上時，其效果可能減半。然而，在原版台2周圍的外部空氣的流動相對於原版台2的移動速度構成極大的順風(tailwind)或逆風(headwind)的環境中，藉由在應當防止外部空氣的流入的一側上設置僅一個第二凹入部分20b能夠預期到充分的效果。
此外，從藉由第二凹入部分20b防止外部空氣流入第一凹入部分20a中的觀點來看，第二凹入部分20b在垂直方向(Y方向)上的長度可等於或大於第一凹入部分20a在垂直方向上的長度。第二凹入部分20b可具有一體積，此體積允許第二凹入部分20b以在掃描原版台2期間從供應單元8a經由出口71所供應的沖洗氣體的流速填充有沖洗氣體。在此範圍內，可確定第二凹入部分20b在掃描方向上的長度、在垂直方向上的長度、以及深度。
在此實施例的曝光裝置100中，若僅在第二凹入部分20b的局部部分處增加氣壓，則外部空氣可能通過未增加氣壓的部分流入第一凹入部分20a中。因此，理想的是，從供應單元8a經由出口71供應沖洗氣體的範圍與第二凹入部分20b的範圍(長度)在垂直方向上大致相等(例如，一致)，使得第二凹入部分20b中的氣壓整體上變得均勻地高。亦即，在垂直方向上，設置於第二板7中的出口71的範圍可等於或大於第二凹入部分20b的範圍，使得沖洗氣體被均勻地供應到第二凹入部分20b。此外，出口71可被設置於第二板7中，以相對於原版台2的往復運動的移動範圍的中心位置為對稱。
在此處，將描述在原版台2中設置第二凹入部分20b的效果。當未在原版台2中設置第二凹入部分20b時，必須將沖洗氣體供應到第一凹入部分20a，以將第一凹入部分20a中的氣壓增加到能夠以沖洗氣體填充第一凹入部分20a並減少外部空氣流入第一凹入部分20a中的水平。在此情況下，由於第一凹入部分20a具有大於第二凹入部分20b的體積，需要大量的沖洗氣體來將第一凹入部分20a中的氣壓增加到此種水平。另一方面，當如同本實施例中在第一凹入部分20a的掃描方向上設置具有小於第一凹入部分20a的體積的第二凹入部分20b時，能夠以較用於增加第一凹入部分20a中的氣壓的沖洗氣體量更小的沖洗氣體量來增加第二凹入部分20b中的氣壓。由於具有高的氣壓的第二凹入部分20b具有暫時地向其引入已通過第一表面20與第二表面70之間的間隙的外部空氣以降低外部空氣的濃度的功能，能夠減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。亦即，當如同本實施例中在原版台2中設置第二凹入部分20b時，能夠減少沖洗氣體的使用量，且能夠藉由減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中來防止原版M的模糊。
[原版台的周邊佈置的具體範例] 接下來，將描述原版台2的周邊佈置的具體範例。舉例而言，原版台2的移動速度的範圍從，例如，100 mm/s的低速到，例如，10,000 mm/s的高速，且原版台2的移動行程的範圍從數十毫米到數米。第一表面20與第二表面70之間的距離的範圍從數微米到數毫米。原版台2在垂直方向上的寬度的範圍從數十毫米到約1米。從供應單元8a經由出口71所供應的沖洗氣體的流速的範圍從數十L/min到數千L/min。
在這樣的數值範圍下，第二凹入部分20b可具有一體積，此體積允許第二凹入部分20b以在掃描原版台2期間從供應單元8a經由出口71所供應的沖洗氣體的流速填充有沖洗氣體。舉例而言，理想的是，第二凹入部分20b的體積V呈V≤V1+V2的關係式。在此處，“V1”是在第二凹入部分20b在通過出口71的下方時從出口71所供應的氣體的體積，且“V2”是在第二凹入部分20b不是在通過出口71的下方時從出口71所供應的氣體的體積。在此範圍內，可確定第二凹入部分20b在掃描方向上的長度、在垂直方向上的長度、以及深度。應注意的是，第二凹入部分20b的深度可等於或大於原版M的厚度。此外，第二凹入部分20b的深度可大致等於第一凹入部分20a的深度，且更佳地大於第一凹入部分20a的深度。
即使當第二凹入部分20b具有在原版台2移動時無法填充有沖洗氣體的體積時，也可以維持第二凹入部分20b的功能，例如，藉由暫時地將外部空氣引入到第二凹入部分來降低外部空氣的濃度。第二凹入部分20b的功能(例如，藉由暫時地將外部空氣引入到第二凹入部分來降低外部空氣的濃度)的較佳條件可為呈d×W×L≤V的關係式。在此處，“V”是第二凹入部分20b的體積，“d”是第一表面20與第二表面70之間的距離，“W”是第二凹入部分20b在垂直方向上的長度，且“L”是出口71位於第二凹入部分的內部時的掃描移動的距離。
雖然以上為較佳條件，但取決於第二板7的形狀、第二凹入部分20b的形狀、原版台2的形狀、以及周圍環境，可能存在更嚴格的關係式或更寬鬆的關係式。舉例而言，當第二凹入部分20b的深度相對於掃描方向上的長度或垂直方向上的長度來說極大時，或當第二凹入部分20b的內部空間相對於開口形狀較大時，無法有效地使用第二凹入部分20b的整個體積。因此，關係式可能更嚴格。此外，當周圍環境是排氣環境時或當局部強風吹向原版台2時，關係式可能改變。
同樣理想的是，從第二凹入部分20b逸出到第一表面20與第二表面70之間的間隙的沖洗氣體的流速高於原版台2的移動速度。從第二凹入部分20b逸出到第一表面20與第二表面70之間的具有距離d的間隙的沖洗氣體的流速v大致上被表示為v = F/{(d×W)×2+(d×D)×2}，其中“D”是第二凹入部分20b在掃描方向上的長度，“W”是第二凹入部分20b在垂直方向上的長度，且“F”是每單位時間來自出口71的供應量。據此，當原版台2的移動速度被設定為VR時，理想的是滿足v ≥ VR的關係式。因此，可基於第二凹入部分20b的開口形狀、第一表面20與第二表面70之間的距離d、以及原版台2的移動速度來確定從供應單元8a供應到第二凹入部分20b的沖洗氣體的流速。即使當從第二凹入部分20b逸出的沖洗氣體的流速未高於原版台2的移動速度時，也能夠維持第二凹入部分20b的功能，例如，藉由暫時地將外部空氣引入到第二凹入部分來降低外部空氣的濃度。
此外，第二凹入部分20b在垂直方向上的長度可等於或大於第一凹入部分20a在垂直方向上的長度。利用此佈置，第二凹入部分20b可減少(防止)從原版台2的掃描方向側流入的外部空氣流入至第一凹入部分20a。應注意的是，取決於第二凹入部分20b在垂直方向上的長度，防止外部空氣流入第一凹入部分20a中的效果可能改變。舉例而言，當第二凹入部分20b的垂直方向上的長度是第一凹入部分20a在垂直方向上的長度的50％時，防止外部空氣流入第一凹入部分20a中的效果也可能降低到50％。在此處，出口71在垂直方向上的開口形狀的長度可等於第二凹入部分20b在垂直方向上的長度。然而，只要能夠向整個第二凹入部分進行供應，則出口71在垂直方向上的開口形狀的長度可小於第二凹入部分20b在垂直方向上的長度。
接下來，將描述在以上條件下被佈置之此實施例的曝光裝置100的效果。作為範例，當從供應單元8a所供應的沖洗氣體的流速被設定為500 L/min時，第一凹入部分20a中的濕度是0.15％RH，而原版台2外部的濕度是50％RH。另一方面，在未設置第二凹入部分20b的佈置中，即使當從供應單元8a所供應的沖洗氣體的流速被增加到550 L/min時，第一凹入部分20a中的濕度也是1.5％。此結果還顯示出當如同本實施例中在原版台2中設置第二凹入部分20b時，可防止(減少)外部空氣流入第一凹入部分20a中，且可減少沖洗氣體的使用量。
在此處，在原版台2外部的空間中，可提供測量原版台2的位置的測量單元(例如，雷射干涉儀)，以控制原版台2的位置。在此種測量單元中，當雷射光的光學路徑環境(例如，溫度、氣壓、濕度等)改變時，可能相應地發生測量誤差。亦即，當被供應到第一凹入部分20a及第二凹入部分20b之大量的沖洗氣體流出到原版台2外部的空間時，雷射光的光學路徑環境相應地改變，且可能發生測量誤差。在本實施例的曝光裝置100的佈置中，由於能夠減少沖洗氣體的使用量，故亦能夠減少此測量誤差。
＜第二實施例＞ 將描述根據本發明的第二實施例。圖4A及4B是示出此實施例的曝光裝置200中的原版台2的周邊佈置的視圖。圖4A是示出曝光裝置200中的原版台2的周邊佈置(X-Z截面)、以及照明光學系統1、原版台2、投影光學系統3、第二板7及供應單元8a的視圖。圖4B是當從上方(+Z方向側)觀察時之此實施例的原版台2的視圖。應注意的是，在以下描述中未特別提及的部分與第一實施例中的部分類似。
此實施例的曝光裝置200的特徵在於，第二凹入部分20b(第二空間)的形狀不同於第一實施例中的第二凹入部分的形狀。在此實施例中，第二凹入部分20b被設置於原版台2(第一板22或第一表面20)中，以圍繞第一凹入部分20a(第一空間)外部。第二凹入部分20b可被形成為在掃描方向側及第一凹入部分20a的垂直方向側上具有相同的寬度的凹槽部分，或可被形成為在掃描方向側及第一凹入部分20a的垂直方向側上具有不同的寬度的凹槽部分。此外，第二凹入部分20b可被形成為一個連續的凹槽部分，或可被形成為彼此分離的多個凹槽部分。同樣在此實施例的第二凹入部分20b中，如第一實施例中所描述，第二凹入部分20b可被填充有沖洗氣體以增加氣壓，且可暫時地將外部空氣引入到第二凹入部分20b，以降低外部空氣的濃度。因此，可以減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。
在本實施例的原版台2中，藉由設置第二凹入部分20b以圍繞第一凹入部分20a外部，能夠減少(防止)外部空氣從垂直方向(±Y方向)流入。舉例而言，當來自垂直方向的氣流相對於原版台2為較大的時，這是有效的。在此情況下，能夠從供應單元8a經由出口71將沖洗氣體供應到被佈置於第一凹入部分20a的垂直方向上的第二凹入部分20b的一部分，使得此部分被填充有沖洗氣體，以增加氣壓。亦即，對於第二凹入部分20b的形狀，理想的是，將掃描方向上的長度(寬度)及垂直方向上的長度(寬度)設計成使得第二凹入部分20b中的氣壓變高。此外，取決於供應單元8a的佈置空間及佈置位置，第二凹入部分20b的形狀可被設計成使得第二凹入部分20b中的氣壓變高。
在本實施例的原版台2中，隨著在垂直方向上也設置第二凹入部分20b，沖洗氣體的使用量趨於大於第一實施例中的沖洗氣體的使用量，且第二凹入部分20b中的佈置空間趨於更大。此外，當第二凹入部分20b被形成為一個連續的凹槽部分時，第二凹入部分20b的體積變得大於第一實施例中的第二凹入部分的體積，使得用於填充第二凹入部分20b以增加氣壓的沖洗氣體的量可能變大。然而，第二凹入部分20b被佈置為使得由其所限定的空間(第二空間)小於由第一凹入部分20a所限定的空間(第一空間)。因此，相較於在原版台2中僅設置第一凹入部分20a並將沖洗氣體供應到第一凹入部分20a的佈置，能夠容易地以較小的沖洗氣體使用量來增加第二凹入部分20b中的氣壓，從而有效地減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。即使當第二凹入部分20b由多個凹槽部分(小空間)所形成時，亦可獲得相同的效果。
＜第三實施例＞ 將描述根據本發明的第三實施例。圖5A及5B是示出此實施例的曝光裝置300中的原版台2的周邊佈置的視圖。圖5A是示出曝光裝置300中的原版台2的周邊佈置(X-Z截面)、以及照明光學系統1、原版台2、投影光學系統3、第二板7及供應單元8a的視圖。圖5B是當從上方(+Z方向側)觀察時之此實施例的原版台2的視圖。應注意的是，在以下描述中未特別提及的部分與第一實施例中的部分類似。
在此實施例的曝光裝置300中，相較於第一實施例，在原版台2(第一板22或第一表面20)中在第二凹入部分20b外部設置第二凹入部分20c(其亦可被稱作第三凹入部分20c)。第二凹入部分20c中的每一個在原版台2中被形成為限定具有較第一空間(第一凹入部分20a)小的體積的第三空間的凹槽部分，且被設置於第二凹入部分20b的掃描方向上。在此實施例中，在原版台2中設置多個(兩個或更多個)第二凹入部分20c，以在掃描方向(±X方向)上包夾第一凹入部分20a及第二凹入部分20b。在此處，理想的是，第二凹入部分20c具有與第二凹入部分20b相同的體積，或者具有允許第二凹入部分20c在掃描原版台2期間以從供應單元8a經由出口71所供應的沖洗氣體的流速填充有沖洗氣體的體積。第二凹入部分20c的形狀可與第二凹入部分20b的形狀相同。
在此實施例的原版台2中，藉由進一步設置第二凹入部分20c，可更有效地減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。特別是當原版台2在掃描方向上的移動行程較大且移動時間較長時，這是有效的。在此實施例的原版台2中，在原版台2移動的同時，從供應單元8a經由出口71以第二凹入部分20c、第二凹入部分20b及第一凹入部分20a的順序依序地供應沖洗氣體。這些部分中的每一個部分都按照以上順序填充有沖洗氣體，且其中的氣壓被增加。因此，可將外部空氣暫時地引入到第二凹入部分20c以降低外部空氣的濃度，且可將從第二凹入部分20c逸出的外部空氣暫時地引入到第二凹入部分20b以進一步降低外部空氣的濃度。亦即，能夠更有效地減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。此外，相較於第一實施例，即使當如上所述地在原版台2中進一步設置第二凹入部分20c時，也不需要改變供應單元8a(出口71)的位置。亦即，在本實施例的曝光裝置300中，藉由僅改變原版台2的佈置，能夠進一步增強減少外部空氣流入第一凹入部分20a中的效果。
＜第四實施例＞ 將描述根據本發明的第四實施例。圖6A及6B是示出此實施例的曝光裝置400中的原版台2的周邊佈置的視圖。圖6A是示出曝光裝置400中的原版台2的周邊佈置(X-Z截面)、以及照明光學系統1、原版台2、投影光學系統3、第二板7及供應單元8a的視圖。圖6B是當從上方(+Z方向側)觀察時之此實施例的原版台2的視圖。應注意的是，在以下描述中未特別提及的部分與第一及第二實施例中的部分類似。
在此實施例的曝光裝置400中，相較於第二實施例，在原版台2(第一板22或第一表面20)中設置第二凹入部分20c(其亦可被稱作第三凹入部分20c)以圍繞第二凹入部分20b的外部。第二凹入部分20c在原版台2中被形成為限定具有較第一空間(第一凹入部分20a)小的體積的第三空間的凹槽部分，且被設置成圍繞第二凹入部分20b的外部。在此處，第二凹入部分20c可與第二凹入部分20b具有相同的形狀(寬度及深度)。
在此實施例的原版台2中，如同在第三實施例中一般，藉由進一步設置第二凹入部分20c，可更有效地減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。此外，相較於第二實施例，在此實施例的原版台2中，第二凹入部分20c還被設置成圍繞第二凹入部分20b的外部，使得能夠更有效地減少(防止)外部空氣從垂直方向(±Y方向)流入。在此處，在此實施例的原版台2中，為了盡可能地抑制由於設置第二凹入部分20c而引起的沖洗氣體的使用量的增加，第二凹入部分20c可被形成為彼此分離的多個凹槽部分。藉由以此方式將第二凹入部分20c形成為多個凹槽部分，能夠從供應單元8a局部地供應沖洗氣體，以局部地增加第二凹入部分20c中的氣壓。
＜第五實施例＞ 將描述根據本發明的第五實施例。圖7A及7B是示出此實施例的曝光裝置500中的原版台2的周邊佈置的視圖。圖7A是示出曝光裝置500中的原版台2的周邊佈置(X-Z截面)、以及照明光學系統1、原版台2、投影光學系統3、第二板7及供應單元8a的視圖。圖7B是當從上方(+Z方向側)觀察時之此實施例的原版台2的視圖。應注意的是，在以下描述中未特別提及的部分與第一實施例中的部分類似。此外，原版台2的佈置不限於第一實施例中所描述的佈置，且可應用在第二到第四實施例中的任何一個實施例中所描述的佈置。
此實施例的原版台2被設置有第二供應單元8b，每一個第二供應單元將沖洗氣體供應到第二凹入部分20b(第二空間)中的一個。第二供應單元8b中的每一個可被構造成始終將沖洗氣體供應到第二凹入部分20b，或可被構造成在特定時期內將沖洗氣體供應到第二凹入部分20b。特定時期可為原版台2沿著第一凹入部分20a及第二凹入部分20b的佈置方向(亦即，掃描方向(±X方向))移動的時期。利用此佈置，能夠將沖洗氣體供應到第二凹入部分20b，以使第二凹入部分20b中的氣壓高於原版台2外部的氣壓，從而減少(防止)外部空氣流入第一凹入部分20a中。
＜第六實施例＞ 將描述根據本發明的第六實施例。圖8A及8B是示出此實施例的曝光裝置600中的原版台2的周邊佈置的視圖。圖8A是示出曝光裝置600中的原版台2的周邊佈置(X-Z截面)、以及照明光學系統1、原版台2、投影光學系統3、第二板7及供應單元8a的視圖。圖8B是當從上方(+Z方向側)觀察時之此實施例的原版台2的視圖。應注意的是，在以下描述中未特別提及的部分與第五實施例中的部分類似。此外，原版台2的佈置不限於第一實施例中所描述的佈置，且可應用在第二到第四實施例中的任何一個實施例中所描述的佈置。
在此實施例的原版台2中，設置有第二供應單元8b，每一個第二供應單元8b將沖洗氣體供應到第二凹入部分20b(第二空間)中的一個，且還設置有將沖洗氣體供應到第一凹入部分20a(第一空間)的第三供應單元8c。在此實施例中，由於藉由第三供應單元8c將沖洗氣體供應到第一凹入部分20a，故未設置藉由從第二板7中的出口71吹出沖洗氣體來將沖洗氣體供應到第一凹入部分20a的供應單元8a。因此，例如，當由於佈置空間等而無法在第二板7中設置供應單元8a(出口71)時，此實施例的佈置是有用的。
以此方式，藉由在原版台2中設置向第一凹入部分20a供應沖洗氣體的第三供應單元8c，在原版台2的移動期間(例如，在掃描曝光期間)之供應到第一凹入部分20a的沖洗氣體的流速可保持為不變的。因此，可使第一凹入部分20a中的濕度分佈均勻，並可減少被使用來填充第一凹入部分20a的沖洗氣體的量。
＜第七實施例＞ 將描述根據本發明的第七實施例。在第一到第六實施例中，已描述包括第二表面70的構件(第二板7)被設置於原版台2的照明光學系統側上，且原版台2的上表面被使用來作為第一表面20以形成第一凹入部分20a及第二凹入部分20b的範例。另一方面，曝光裝置可具有一種佈置，其中，原版台2的下表面被使用來作為第一表面20以形成第一凹入部分20a及第二凹入部分20b，且包括面向第一表面20的第二表面的構件被設置於原版台2的投影光學系統側上。在此佈置的曝光裝置中，例如，如圖2A至8B所示，舉例而言，包括作為第二表面的表面90之構件(板9)被設置於原版台2的投影光學系統側上。接下來，原版台2具有上側與下側相對於圖2A至8B所示的佈置顛倒的佈置。亦即，原版台2可被佈置成使得設置有第一凹入部分20a及第二凹入部分20b的第一表面20面向設置於投影光學系統中的板9的表面90。即使在此佈置中，也能夠獲得與第一到第六實施例中相同的效果。
＜製造物品的方法的實施例＞ 根據本發明的實施例的一種製造物品的方法適合用於製造物品，例如，像是半導體裝置等的微型裝置、或具有微結構的元件。根據此實施例的製造物品的方法包括使用上述的曝光裝置在被施加到基板的光敏劑上形成潛像圖案的步驟(曝光基板的步驟)、以及利用在以上步驟中所形成的潛像圖案顯影(處理)基板的步驟。此製造方法還包括其他的已知步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平面化、蝕刻、抗蝕劑分離、切割、接合、封裝等)。相較於傳統方法，根據此實施例的製造物品的方法在物品的性能、質量、生產率及生產成本中的至少一個方面為有利的。
＜其他實施例＞ 本發明的實施例還可藉由系統或裝置的電腦來實現，系統或裝置的電腦讀出並執行被記錄在儲存介質(其亦可更完整地被稱為“非暫時性電腦可讀取儲存介質”)上的電腦可執行指令(例如，一個或更多個程式)，以執行一個或多個上述實施例的功能、及/或包括用於執行一個或多個上述實施例的功能的一個或多個電路(例如，特定應用積體電路(ASIC))，且本發明的實施例可藉由系統或裝置的電腦以，例如，讀出並執行來自儲存介質的電腦可執行指令以執行一個或多個上述實施例的功能、及/或控制一個或多個電路以執行一個或多個上述實施例的功能來執行的方法而實現。電腦可包括一個或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，且可包括單獨的電腦或單獨的處理器的網路，以讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令，例如，可從網路或儲存介質提供給電腦。儲存介質可包括，例如，硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式運算系統的儲存器、光學碟片(例如，光碟(CD)、多樣化數位光碟(DVD)或藍光光碟(BD)TM )、快閃記憶體裝置、記憶卡等中的一個或多個。
雖然已參照例示性實施例描述本發明，但應當理解的是，本發明並不限於所揭露的例示性實施例。以下的申請專利範圍的範疇應被賦予最寬廣的解釋，以涵蓋所有這類型的修改以及等效的結構及功能。
1:照明光學系統 2:原版台 3:投影光學系統 4:基板台 5:控制單元 6:光源 7:第二板 8a:供應單元 8b:第二供應單元 8c:第三供應單元 9:板 20:第一表面 20a:第一凹入部分 20b:第二凹入部分 20b1:第二凹入部分 20b2:第二凹入部分 20c:第二凹入部分 21:保持部分 21a:基部 21b:第一突出部分 21c:第二突出部分 22:第一板 22a:延伸區域 70:第二表面 71:出口 71a:出口 71b:出口 90:表面 100:曝光裝置 200:曝光裝置 300:曝光裝置 400:曝光裝置 500:曝光裝置 600:曝光裝置 M:原版 W:基板
圖1是示出曝光裝置的整體佈置的視圖；
圖2A及2B是示出根據第一實施例的原版台的周邊佈置的視圖；
圖3A至3C是用於說明在掃描曝光時的沖洗氣體的供應的視圖；
圖4A及4B是示出根據第二實施例的原版台的周邊佈置的視圖；
圖5A及5B是示出根據第三實施例的原版台的周邊佈置的視圖；
圖6A及6B是示出根據第四實施例的原版台的周邊佈置的視圖；
圖7A及7B是示出根據第五實施例的原版台的周邊佈置的視圖；以及
圖8A及8B是示出根據第六實施例的原版台的周邊佈置的視圖。
1:照明光學系統
2:原版台
3:投影光學系統
7:第二板
8a:供應單元
9:板
20:第一表面
20a:第一凹入部分
20b:第二凹入部分
21:保持部分
21a:基部
21b:第一突出部分
21c:第二突出部分
22:第一板
70:第二表面
71:出口
90:表面
100:曝光裝置
M:原版

Claims (18)

  1. 一種曝光裝置，其在掃描原版及基板的同時曝光該基板，該曝光裝置包括：台，其包括第一表面，且能夠在保持該原版的同時移動，在該第一表面中形成有待被供應沖洗氣體的第一凹入部分及第二凹入部分；構件，包括面向該第一表面的第二表面；供應單元，構造成藉由從設置於該構件的該第二表面中的出口吹出沖洗氣體來向該第一凹入部分及該第二凹入部分供應該沖洗氣體；以及控制器，構造成藉由在掃描方向上移動該台來控制該基板的曝光，其中，該第一凹入部分被設置於該台的該第一表面中，以便限定該原版被佈置於其中的第一空間，該第二凹入部分設置在該台的該第一表面中，以便限定第二空間，該第二空間具有比該第一空間更小的體積，並且其中，該第一凹入部分及該第二凹入部分在該掃描方向上係並排排列。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第二凹入部分在該掃描方向上的長度小於該第二凹入部分在垂直於該掃描方向且平行於該第一表面的方向上的長度。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，在該垂直於該掃描方向且平行於該第一表面的方向上，該第二凹入部分的長度不小於該第一凹入部分的長度。
  4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第一表面與該第二表面之間的距離小於該第二凹入部分在該掃描方向上的長度。
  5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該台之該第一表面具有凹槽部分，該凹槽部分被設置在該掃描方向的垂直方向側上，且該凹槽部分與該第二凹入部分為連續。
  6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，在該台的該第一表面上，該第二凹入部分外部的區域包括該第一表面與該第二表面之間的距離最小的部分。
  7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第一凹入部分及該第二凹入部分中的每一個具有不小於該原版的厚度的深度。
  8. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第二凹入部分的深度不大於該第一凹入部分的深度。
  9. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，第三凹入部分被設置在該第一表面中，從而定義具有比該第一凹入部分更小的體積的空間，且其中，該第二凹入部分及該第三凹入部分在該掃描方向上係並排排列。
  10. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該供應單元構造成藉由從設置於該構件的該第二表面中的該出口吹出該沖洗氣體來在該台的移動期間向該第一凹入部分及該第二凹入部分供應該沖洗氣體。
  11. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，還包括第二供應單元，該第二供應單元被設置於該台中，且構造成向該第二凹入部分供應沖洗氣體。
  12. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置，還包括第三供應單元，該第三供應單元被設置於該台中，且構造成向該第一凹入部分供應沖洗氣體。
  13. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，還包括照明光學系統，該照明光學系統構造成照射該原版，其中，該構件相對於該台被設置於該照明光學系統側上。
  14. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，還包括投影光學系統，該投影光學系統構造成將該原版的圖案投影到該基板上，其中，該構件相對於該台被設置於該投影光學系統側上。
  15. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，還包括光學系統，其是構造成照射該原版的照明光學系統、或是構造成將該原版的圖案投影到該基板上的投影光學系統，其中，該構件相對於該台被設置於該光學系統側上，且該開口被設置於該構件的該第二表面上的該光學系統之外側。
  16. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該控制器被構造成控制該台之移動，使得當藉由在該掃描方向上移動該台來開始該基板之曝光時，該第二凹入部分被配置在該掃描方向上之該出口的位置處且從該出口吹出的該沖洗氣體被供應至該第二凹入部分。
  17. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，於藉由在該掃描方向上移動該台的該基板之曝光期間，從該出口吹出的該沖洗氣體被供應至該第一凹入部分。
  18. 一種製造物品的方法，該方法包括：使用如申請專利範圍第1至17項中的任一項之曝光裝置來曝光基板；使被曝光的該基板顯影；以及處理被顯影的該基板以製造該物品。
TW108129976A 2018-09-10 2019-08-22 曝光裝置及製造物品的方法 TWI764034B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018169120 2018-09-10
JP2018-169120 2018-09-10
JP2019096250A JP7299755B2 (ja) 2018-09-10 2019-05-22 露光装置、および物品の製造方法
JP2019-096250 2019-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202011453A TW202011453A (zh) 2020-03-16
TWI764034B true TWI764034B (zh) 2022-05-11

Family

ID=69798189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108129976A TWI764034B (zh) 2018-09-10 2019-08-22 曝光裝置及製造物品的方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7299755B2 (zh)
KR (1) KR102537182B1 (zh)
TW (1) TWI764034B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7033168B2 (ja) 2020-06-30 2022-03-09 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW480372B (en) * 1999-11-05 2002-03-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the apparatus, and device manufactured according to the method
TW201300964A (zh) * 2011-03-28 2013-01-01 Asml Holding Nv 微影裝置及元件製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997963A (en) * 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
TW563002B (en) 1999-11-05 2003-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method
JP2001358056A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
NL2006243A (en) 2010-03-19 2011-09-20 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
NL2012291A (en) 2013-02-20 2014-08-21 Asml Netherlands Bv Gas flow optimization in reticle stage environment.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW480372B (en) * 1999-11-05 2002-03-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the apparatus, and device manufactured according to the method
TW201300964A (zh) * 2011-03-28 2013-01-01 Asml Holding Nv 微影裝置及元件製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020042255A (ja) 2020-03-19
KR102537182B1 (ko) 2023-05-26
KR20200029355A (ko) 2020-03-18
TW202011453A (zh) 2020-03-16
JP7299755B2 (ja) 2023-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101043017B1 (ko) 침지 리소그래피 장치, 건조 디바이스, 침지 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI606305B (zh) 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體
TW201405256A (zh) 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體
JP2000012453A (ja) 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2011114238A (ja) 基板保持装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
TWI764034B (zh) 曝光裝置及製造物品的方法
CN110888304B (zh) 曝光设备和制造制品的方法
JP2016157148A (ja) 露光装置、及び液体保持方法
US10197926B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
TWI763998B (zh) 曝光方法、曝光裝置及製造物品的方法
JP7385421B2 (ja) 露光装置、および物品製造方法
US11841624B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
TWI811569B (zh) 定位裝置、曝光裝置及物品之製造方法
TW202230033A (zh) 浸潤式曝光裝置
TW202109729A (zh) 基板保持裝置、光刻裝置及物品之製造方法
JP2019184650A (ja) 露光装置、露光方法および、物品製造方法
JPH10340848A (ja) 露光装置
JP2005079296A (ja) 露光装置