KR101043017B1 - 침지 리소그래피 장치, 건조 디바이스, 침지 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

침지 리소그래피 장치, 건조 디바이스, 침지 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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요한네스 페트루스 마르티누스 베르나르두스 베르모일렌
다니엘 요제프 마리아 디렉스
대니 마리아 후베르투스 필립스
아르놀드 얀 반 푸텐
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

예를 들어, 노광시 라인을 따라 배치되고 라인에 대해 기울어진 복수의 기다란 슬롯들을 통해 기판으로부터 액체를 제거하도록 액체 제거 디바이스가 배치되는 침지 리소그래피 장치가 개시된다. 액체 제거 디바이스는 침지 후드 내의 메니스커스 피닝 디바이스(meniscus pinning device)로서 작용할 수 있으며, 또는 기판으로부터 방울을 제거하기 위해 건조 디바이스에서 사용될 수 있다.

Description

침지 리소그래피 장치, 건조 디바이스, 침지 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법{IMMERSION LITHOGRAPHIC APPARATUS, DRYING DEVICE, IMMERSION METROLOGY APPARATUS AND DEVICE MENUFACTURING METHOD}
본 발명은, 특히 리소그래피 장치 또는 메트롤로지 장치에서, 또는 이와 관련하여 사용될 수 있는 액체 제거 디바이스뿐만 아니라, 액체 제거 및 디바이스 제조를 위한 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는 소위 스테 퍼 및 소위 스캐너를 포함한다. 스테퍼에서는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)된다. 스캐너에서는, 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" - 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행한 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사된다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사하는 것이 가능하다.
투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 침지시키는 것이 제안되었다. 일 실시예에서, 상기 액체는 증류수이지만, 또 다른 액체가 사용될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체에 관하여 설명될 것이다. 하지만, 또 다른 유체, 특히 습윤 유체(wetting fluid), 비압축성 유체 및/또는 공기보다 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적절할 수 있다. 가스를 배제한 유체들이 특히 바람직하다. 이것의 요점은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피처들의 이미징을 가능하게 한다는 것이다[액체의 효과는 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키는 것으로 간주될 수 있으며, 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다]. 그 안에 고체 입자(예를 들어, 석영)가 부유(suspend)하고 있는 물, 또는 나노-입자 부유물(예를 들어, 최대 치수가 10 nm까지인 입자들)을 갖는 액체를 포함한 다른 침지 액체들이 제안되었다. 부유된 입자들은, 그것들이 부유하고 있는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 적절할 수 있는 다른 액체들로는 방향족화합물(aromatic) 예를 들어 데칼린과 같은 탄화수소, 플루오르화탄화수소, 및/또는 수용액을 포함한다.
기판 또는 기판과 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 미국 특허 제 US 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광시 대량의 액체(large body of liquid)가 가속화되어야 한다는 것을 의미한다. 이는 강력한 추가 또는 더 많은 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.
제안된 구성들 중 하나는, 액체 공급 시스템과 같은 액체 핸들링 시스템(liquid handling system)이 액체 한정 구조체(liquid confinement structure)를 이용하여 기판의 국부화된 영역 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에만 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 PCT 특허 출원 공개공보 제 WO 99/49504호에 개시되어 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 적어도 1 이상의 유입구(IN)에 의해 기판 상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 액체가 공급되고, 투영 시스템 아래로 통과한 이후에 적어도 1 이상의 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에서 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압 소스(low pressure source)에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한 다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주위에 위치되는 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 가능하다. 도 3에서는, 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 설명된다.
국부화된 액체 공급 시스템을 이용하는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 투영 시스템(PS)의 양쪽에서 2 개의 홈형 유입구(groove inlet: IN)에 의해 액체가 공급되고, 유입구들(IN)의 반경방향 바깥쪽으로(radially outwardly) 배치된 복수의 개별 유출구들(OUT)에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는 그 중심에 홀(hole)을 갖고, 그것을 통해 패터닝된 빔이 투영되는 플레이트(plate) 내에 배치될 수 있다. 액체가 투영 시스템(PS)의 한쪽에서 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 공급되고, 투영 시스템(PS)의 다른 쪽에서 복수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 박막의 액체 흐름(flow of a thin film of liquid)을 야기한다. 사용할 유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 어떠한 조합을 선택하는가는, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다[유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 활동하지 않음].
제안된 또 다른 구성은, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 방벽 부재(barrier member)를 액체 핸들링 시스템에 제공하는 것이다. 일 실시예에서, 방벽 부재는 시일(seal)을 형성하거나 그 일부분일 수 있으며, 이 부근에 침지 액체의 메니스커스(meniscus)가 존재한다. 시일이 침지 액체를 한정하여, 메니스커스를 생성할 수 있다. 노광 방사선이 한정된 침지 액체를 통과하기 때문에, 이는 광학 액체로 간주될 수 있다. 이러한 구성은 도 7에 예시되어 있으며, 아래에서 더 상세히 설명될 것이다. 방벽 부재는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지 상태이다. 일 실시예에서, 시일은 시일 부재와 기판의 표면 사이에 형성된다. 시일은 가스 시일과 같은 무접촉 시일인 것이 바람직하다. 이러한 시스템은, 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있으며, 도 7에서 예시된다.
유럽 특허 출원 공개공보 제 EP 1420300호 및 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0136494호에, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2 개의 테이블이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서의 테이블을 이용하여 레벨링 측정(leveling measurement)들이 수행되고, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서의 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 테이블만을 갖는다.
PCT 특허 출원 공개공보 제 WO 2005/064405호는 침지 액체가 한정되지 않는 모든 습식 구성을 개시한다. 이러한 시스템에서는, 실질적으로 기판의 전체 최상면이 액체로 덮인다. 이는 실질적으로 기판의 전체 최상면이 실질적으로 동일한 조건들로 노광되기 때문에 유리할 수 있다. 이는 기판의 온도 제어 및 처리에 대한 이점을 갖는다. 제 WO 2005/064405호에서, 액체 공급 시스템은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 갭에 액체를 제공한다. 노광시 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 액체는 광학 액체이다. 그 액체는 기판의 나머지 부분에 걸쳐 누출되게 된다. 기판 테이블의 에지에서의 방벽이, 제어되는 방식으로 액체가 기판 테이블의 최상면으로부터 제거될 수 있도록 새는 것을 방지한다. 침지 액체의 크기(extent)를 정의하는 액체의 메니스커스는 투영 시스템으로부터 멀리 떨어져 있다. 이러한 시스템은 기판의 온도 제어 및 처리를 개선하지만, 침지 액체의 증발은 여전히 일어날 수 있다. 상기 문제점을 완화하도록 돕는 한가지 방식이 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2006/0119809호에서 설명되며, 모든 위치에서 기판(W)을 덮는 부재가 제공되고, 이는 상기 부재와 기판 및/또는 기판을 유지하는 기판 테이블의 최상면의 사이에서 침지 액체가 연장되도록 배치된다.
침지 리소그래피 장치에서, 특히 국부화된 침지에 대하여, 상기 장치의 스루풋을 제한하는 하나의 인자는 침지 액체의 메니스커스의 안정성이다. 투영 시스템과 기판 테이블 간의 증가된 상대 속도들에서, 메니스커스는 불안정하게 된다. 더 높은 상대 속도를 이용하면, 상대적으로 이동하는 구성요소들 및 메니스커스에 적용되는 힘과 가속도가 증가한다. 이러한 메니스커스는 침지 액체를 제공하는 액체 핸들링 시스템과 기판 테이블 상의 기판 사이에 위치된 메니스커스이다. 불안정한 메니스커스는 기포가 침지 액체로 들어가고, 침지 액체의 방울(dropret)들이 부서져 나가게(break away) 할 수 있다. 기판 상에 남겨진 이러한 방울들은 아래에서 더 설명되는 다양한 문제들을 야기할 수 있다.
국부화된 침지 시스템 및 국부화되지 않은 침지 시스템 모두에서, 액체 방울 또는 막은 기판이 최종 요소 및 연계된 광학 액체를 통과한 이후에, 또는 기판이 노광 스테이션으로부터 제거되는 경우에 기판 상에 남겨질 수 있다. 본 명세서에서, 액체 방울에 대한 언급들은 추가적으로 또는 대안적으로 액체 막을 내포한다. 막은 표면의 일부분을 덮는 얇은 층의 형태인 방울인 것으로 간주될 수 있다. 방울은 증발하게 되는 경우에 기판의 국부화된 냉각 및 변형을 야기할 수 있다. 분해되고 부유된 오염물들이 기판 상에 증찰될 수 있다. 이러한 방울은 오염물들을 끌어들임에 있어서 결함[즉, 결함 계수 밀도(defect count density)]의 원인일 수 있다. 국부화된 액체 한정 구조체가 채택되는 경우, 추가적인 문제가 발생할 수 있다. 기판 표면 상의 방울이 투영 시스템 아래의 침지 액체의 메니스커스와 접촉하고 충돌하는 경우, 예를 들어 기판 표면과 투영 시스템 사이의 침지 액체 내에 기포들이 형성될 수 있다. 방울은 기판에 대해서는 정지상태일 수 있지만, 한정 구조체에 대해서는 이동한다. 기판 표면 상의 방울과 메니스커스 간의 충돌의 위험은, 기판과 한정 구조체 간의 상대 이동의 방향 변화 이후에, 예를 들어 스캐닝 방향이 변화하는 경우에 증가한다. 기존 방울 제거 디바이스들은 추출 개구부, 즉 유출구를 향해 방울을 끄는 가스 흐름을 이용하여 작용하지만, 이러한 디바이스들에서의 고속 가스 흐름은 증발을 증가시켜서 연계된 냉각을 악화시킨다.
메니스커스가 안정화될 수 있고, 및/또는 액체 방울이 기판의 표면으로부터 더 효과적으로 제거될 수 있는 개선된 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 액체 핸들링 구조체는 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 포함하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고(elongate), 상기 연장 방향은 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이룬다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템- 상기 투영 시스템은 광학 축선을 가짐 -;
기판 테이블과 투영 시스템 간에 상대 이동을 초래하도록 배치된 위치설정기(positioner);
방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시, 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된 제어 시스템; 및
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 액체 핸들링 구조체는 복수의 기다란 액체 추출 개구부들을 포함하며, 상기 액체 추출 개구부들은 이격되고, 각각의 액체 추출 개구부는 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 적어도 2 이상의 액체 추출 개구부들의 밑으로 통과하도록 적어도 1 이상의 인접한 액체 추출 개구부와 겹친다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;
기판 테이블과 투영 시스템 간에 상대 이동을 초래하도록 배치된 위치설정기;
방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시, 스캔 방향으로 투영 시스 템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된 제어 시스템; 및
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 액체 핸들링 구조체는 표면 맞은편에 배치된 복수의 기다란 액체 추출 개구부들을 포함하고, 상기 액체 추출 개구부들의 구성은 액체 추출 개구부들이 하압력(under pressure) 소스와 유체 연통하는 경우에 표면과 액체 핸들링 구조체 사이에 복수의 저압 구역(low pressure region)들이 형성되도록 구성되며, 저압 구역들은 기다랗고, 이격되며, 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 적어도 2 이상의 저압 구역들을 통과하도록 각각 적어도 1 이상의 인접한 저압 구역과 겹친다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템- 상기 투영 시스템은 광학 축선을 가짐 -;
기판 테이블과 투영 시스템 간에 상대 이동을 초래하도록 배치된 위치설정기;
방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시, 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된 제어 시스템; 및
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 액체 핸들링 구조체는 복수의 기다란 액체 추출 개구부들을 포함하며, 상기 액체 추출 개구부들은 이격되고, 각각의 액체 추출 개구부는 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 모두 적어도 1 이상의 액체 추출 개구부들의 밑으로 통과하도록 적어도 1 이상의 인접한 액체 추출 개구부와 겹친다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;
기판 테이블과 투영 시스템 간에 상대 이동을 초래하도록 배치된 위치설정기;
방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시, 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된 제어 시스템; 및
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 액체 핸들링 구조체는 표면 맞은편에 배치된 복수의 액체 추출 개구부들을 포함하고, 상기 액체 추출 개구부들의 구성은 액체 추출 개구부들이 하압력 소스와 유체 연통하는 경우에 표면과 액체 핸들링 구조체 사이에 복수의 저압 구역들이 형성되도록 구성되며, 상기 저압 구역들은 기다랗고, 이격되며, 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 여하한 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 모두 적어도 1 이상의 저압 구역들을 통과하도록 각각 적어도 1 이상의 인접한 저압 구역과 겹친다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 구성된 액체 핸들링 구조체가 제공되고, 상기 액체 핸들링 구조체는 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 포함하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 연장 방향은 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이룬다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판에 인접한 공간에 한정된 액체를 통해 기판 상으로 패턴의 이미지를 투영하는 단계; 및
라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 통해 기판으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 연장 방향은 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이룬다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
투영 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 방법은
기판에 인접한 공간에 한정된 액체를 통해 기판 상으로 패턴의 이미지를 투영하는 한편, 스캔 방향으로 기판 및 투영 시스템을 상대적으로 이동시키는 단계; 및
표면과 액체 추출 개구부들 사이에 복수의 저압 구역들을 형성하기 위해, 표면 맞은편에 배치된 복수의 액체 추출 개구부들을 하압력 소스에 연결함으로써 기판의 표면으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함하며, 상기 저압 구역들은 기다랗고, 이격되며, 스캔 방향으로 관찰되는 경우에 적어도 1 이상의 인접한 저압 구역과 각각 겹친다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면:
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 액체 핸들링 구조체는 선형 구성으로 액체 추출 개구부들의 어레이를 포함하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 선형 구성의 방향과 상이한 방향으로 긴 치수를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라 는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함한 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행 정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여 된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 5는 더 상세한 기판 스테이지에 대한 액체 핸들링 구성들을 개략적으로 도시한다. 특히, 투영 시스템(PS)의 최종 요소(이 도면에서는 도시되지 않음)와 기판(W) 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 침지 액체를 공급하고 한정시키기 위 해 액체 핸들링 구조체(12)가 제공된다(본 명세서에서 기판에 대한 언급은, 별도로 언급되지 않으면, 대안적으로 또는 추가적으로 기판 테이블에 대한 언급을 포함한다는 것을 유의한다). 이 구성은 아래에서 더 설명되는 제거 디바이스(100)를 갖는 액체 핸들링 구조체를 포함한다. 기판(W) 상에서 수행되는 일련의 노광 및 측정을 진행하는 동안, 기판 테이블(WT)은 높은 속력과 높은 가속도로 투영 시스템(PS) 및 액체 핸들링 구조체(12)에 대해 이동된다. 여러 차례, 예를 들어 에지 다이들을 노광하는 경우 및 센서 블록(FID)에 제공된 센서를 이용하여 측정하는 경우에, 기판의 에지가 국부화된 침지 액체(11) 아래를 통과할 수 있다. 이것과 기판 테이블(WT)의 큰 가속도 또는 방향 변화는 침지 액체로부터 액체 방울이 부서져 나와, 기판, 기판 테이블 및/또는 센서(FID) 상에 남겨지게 할 수 있다. 기판 상에 남겨진 방울은, 국부화된 냉각 및 이에 따른 기판의 왜곡을 야기함으로써 앞서 설명된 문제를 야기할 수 있다. 방울은 분해되거나 부유된 오염물들을 증착시킬 수 있으며, 및/또는 환경으로부터 오염물들을 끌어들일 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 시스템(100)은 침지 액체의 메니스커스를 안정화시킴으로써, 기판 상에 남겨지는 예를 들어 생성되는 방울들을 감소시키거나 최소화하도록 의도된다.
기판(W) 상에 남겨진 여하한의 액체를 제거하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 1 이상의 추가 액체 제거 디바이스(200)가 제공될 수 있다. 액체 제거 디바이스는 투영 시스템에 대한 위치에 고정되어, 일련의 노광시 투영 시스템 아래로의 기판 테이블의 통상적인 이동이 투영 시스템 아래의 기판을 청소(sweep)하게 될 수 있다. 액체 제거 디바이스(200)에는 그 자신의 위치설정기가 제공될 수 있다. 액체 제거 디바이스 200은 액체 핸들링 구조체(12)가 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 시스템, 예를 들어 액체 제거 디바이스 100을 갖지 않는 경우에 사용될 수 있다. 예를 들어, 액체 제거 디바이스 100은 도 2 내지 도 4에 도시되고 앞서 설명된 액체 핸들링 구조체들의 형태들 중 하나, 또는 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되는 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0207824호에 개시된 바와 같이 침지 액체를 한정시키기 위해 가스 나이프(gas knife)를 사용하는 형태로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스는, 대안적으로 또는 추가적으로 리소그래피 장치 내의 다른 위치들에 배치될 수도 있다. 예를 들어, 도 6에 나타낸 바와 같이 액체 제거 디바이스(300)는 기판이 노광되는 노광 스테이션과 측정들이 수행되는 측정 스테이션 사이에 위치될 수 있다. 측정 스테이션에서 수행되는 측정은 레벨 센서(LS)를 이용한 높이 맵일 수 있다. 기판은 측정 스테이션에서 기판 테이블에 올려지거나, 및/또는 내려질 수 있다. 액체 제거 디바이스(300)는 기판 테이블이 스테이션들 사이를 이동하는 경우에 액체 제거 디바이스 밑으로 통과함에 따라 기판 전부가 청소될 수 있도록 충분히 크고, 적절히 위치된다. 측정들의 수행과 함께 기판을 건조시키기 위해, 측정 스테이션에 액체 제거 디바이스(400)가 위치될 수 있다. 액체 제거 디바이스(400)에는 그 자신의 위치설정 시스템이 제공될 수 있다. 액체 제거 디바이스는 리소그래피 디바이스 외부에, 예를 들어 트랙 내에 위치될 수 있다. 이는 본 명세서에 설명된 액체 제거 디바이스 들(200, 300, 400) 중 어느 하나와 동일한 특징들을 가질 것이다.
도 7에 액체 핸들링 구조체(12)가 개략적으로 도시된다. 이는 국부화된 침지 시스템의 일부분을 형성한다. 액체 핸들링 구조체(12)는 침지 액체를 제어하도록, 특히 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간에 공급하고 한정시키도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체의 주요 부분은 방벽 부재(12)이며, 이는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장된다. 방벽 부재(12)는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지 상태이다.
방벽 부재(12)는, 전체적으로 또는 부분적으로 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 액체를 포함할 수 있는 구조체이다. 침지 액체는 액체 개구부(14), 즉 유입구를 통해 제공되고, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 표면 사이의 공간을 채운다. 상기 공간은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에, 그리고 통상적으로 그것을 둘러싸서 위치된 방벽 부재(12)에 의해 전체 또는 부분적으로 경계가 정해진다. 액체는 액체 유입출구(13)를 통해 공간에 공급되거나, 공간으로부터 제거될 수 있다. 방벽 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨이 상기 최종 요소 위로 솟아올라 액체의 버퍼(buffer)가 제공된다. 일 실시예에서, 방벽 부재(12)는 상단부(upper end)에서 투영 시스템 또는 그 최종 요소의 형상에 꼭 일치하고(conform), 예를 들어 원형일 수 있는 내부 주변부(inner periphery)를 갖는다. 저부에서, 내부 주변부는 이미지 필드(IF)의 형상, 예를 들어 직사각형에 꼭 일치하지만, 반드시 그러한 경우인 것은 아니다.
공간 내의 액체(11)는 액체 제거 디바이스(100)의 일부분을 형성하는 액체 추출 도관(15)에 의해 기판의 전체 표면 위로 흐르는 것이 방지된다. 일 실시예에서, 액체 추출 도관(15)은 복수의 오리피스(orifice)들과 유체 연통한다. 오리피스들은 침지 액체에 의해 메워진 공간 주위에 배치되는 액체 개구부들을 형성한다. 이 오리피스들의 형상 및 구성은, 침지 액체 또는 그 안에 들어가는 기포들로부터 부서져 나오는 방울들을 감소시키거나 최소화하기 위해 침지 액체(11)의 메니스커스(16)를 제어하고, 특히 안정화시키게 한다. 일 실시예에서, 오리피스들은 긴 슬롯들의 형태를 취하며, 예를 들어 '가상 라인(imaginary line)'이라 칭할 수 있는 라인을 따라 1 이상의 정연한 구성들, 즉 어레이를 형성한다. 본 발명의 일 실시예에서 실제 라인은 볼 수 없지만, 각 슬롯 상에 대응하는 지점들을 선으로 이음으로써 구성될 수는 있다. 어레이의 슬롯들은, 예를 들어 패턴 내에서 선형 어레이로서 배치될 수 있다. 상기 어레이는 1 차원일 수 있으며, 상기 슬롯들이 라인을 따라 위치되게 한다. 슬롯들은 가상 라인에 대해 0보다 큰 각도, 예를 들어 15°, 30° 또는 45°로 방위된다. 어레이를 따라 인접한 슬롯들은 상기 장치의 주 스캐닝 방향(S)으로 관찰되는 경우에 겹쳐진다. 이 구성은 주 스캐닝 방향으로의 이동들이 수행되는 경우에 메니스커스를 안정화시키는데 유리할 수 있다.
상기 장치의 주 스캐닝 방향은, 기판의 타겟부들의 노광시 기판과 투영 시스템의 상대 이동 방향이다. 통상적으로, Z 축선이 투영 시스템의 광학 축선인 상기 장치 내의 위치들을 정의하기 위해 XYZ 좌표계가 사용된다. 주 스캐닝 방향은 Y 축선에 평행일 수 있다. 또한, 기판 테이블은 주 스캐닝 방향에 실질적으로 수직인 방향, 예를 들어 X 방향으로 빠르게 이동할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예에서, 동일하거나 상이한 어레이들 내의 몇몇 슬롯들은 수직인 방향으로 관찰되는 경우에 겹치도록 상이하게 방위되고 배치될 수 있다. 이 구성들은 이 실질적으로 수직인 방향으로의 이동들이 수행되는 경우에 메니스커스를 안정화시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 액체 제거 디바이스의 개구부들은 방벽 부재(12)의 하부면을 덮고 적절한 형상의 어퍼처(aperture)들을 갖는 플레이트에 의해 알맞게 정의된다. 이러한 플레이트(110)의 일 예시가 도 8 및 도 9에 도시되며, 도 9는 파선의 원으로 나타낸 도 8의 일부분의 확대도이다. 또 다른 실시예에서, 개구부들 예를 들어 유입구들 및 유출구들은 개별적인 니들(needle)들일 수 있다.
플레이트(110)는, 일반적으로 평면 내에서 X 및 Y 방향들에 실질적으로 평행인 대각선들을 갖는 정사각형이다. 슬롯들(111)의 4 개의 세트가 액체 제거 디바이스의 개구부들을 정의한다. 이 슬롯들은 플레이트의 주변부 주위에 배치되며, 각 측면을 따라 하나의 세트가 배치된다. 각 세트의 슬롯들은 플레이트의 각 측면에 실질적으로 평행인 각각의 가상 라인들(A-A, B-B, C-C 및 D-D)- 쇄선들로 나타냄 -을 따라 규칙적으로 배치되는 어레이를 형성한다. 그러므로, 가상 라인들은 X 축선에 대해 예각(a1), 이 경우에는 45°이다. 상기 장치의 주 스캐닝 방향(S)은 Y 축선에 평행이다. 플레이트의 코너에 추가적인 액체 개구부들(112)이 제공된다 - 이들은 어떠한 어레이의 일부분도 형성하지 않는다. 추가적인 개구부들(112)은 그들이 놓인 대각선에 실질적으로 수직인 그들의 최대 치수를 갖는다. 홀들(113)의 링은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간이 침지 액체(11)로 채워지게 하는 액체 유입구를 형성한다. 중심 개구부(114)는 방벽 부재(12)의 중심 홀에 매칭한다.
플레이트가 방벽 부재(12) 상에 있거나 그 일부분인 경우, 슬롯들(111)은 예를 들어 진공 펌프에 의해 형성된 하압력과 유체 연통하는 방벽 부재 내의 1 이상의 홈들과 통해 있다. 홀들(113)은 침지 액체의 소스와 연통하는 1 이상의 홈들과 통해 있다. 슬롯들은 모두 플레이트의 에지로부터, 플레이트가 방벽 부재의 에지로 연장되지 않는 경우에는 방벽 부재(12)의 에지로부터 등거리에 있을 수 있으므로, 가스 흐름들이 균일하다. 슬롯들로의 유속들에 있어서 여하한의 비-균일성은 슬롯들이 통해 있는 방벽 부재의 홈(들)의 단면을 변화시킴으로써 보정될 수 있다.
도 9에서 더 명백히 알 수 있는 바와 같이, 슬롯들(111)은 가상 라인(즉, 어레이의 주요 방향)에 대해 각도 a2로 배치되고, 주 스캐닝 방향(S)으로 관찰되는 경우에 겹쳐진다. 일 실시예에서, 각도 a2는 45°이므로, 슬롯들이 주 스캐닝 방향에 수직이다. 겹치는 정도(o)는 각도 a2 및 슬롯들의 길이들에 의해 결정된다. 겹치는 정도는 특정한 실시예에 대하여 필요에 따라 설정될 수 있다. 겹치는 정도는 슬롯들의 길이의 5 % 바람직하게는 10 %보다 크고, 75 % 바람직하게는 50 %보다 작다. 상기 장치가 작동중인 경우, 주 침지 액체(11)의 메니스커스(16)는 도 9에 점선으로 도시된 위치에 적합하게 된다. 이는 슬롯들에 거의 평행인 기울어진 슬롯들(111) 아래의 세그먼트들 및 스캐닝 방향에 거의 평행인 사이사이의 세그먼트 들을 갖는 지그재그 라인이다. 슬롯들 아래에 있지 않은 메니스커스의 부분들이 스캐닝 방향에 거의 평행이기 때문에, 기울어진 슬롯 구성을 갖는 메니스커스가 더 안정적인 것으로 생각된다. 따라서, 메니스커스의 이 부분들은 기판의 이동으로 인한 가스 흐름들에 의해 붕괴되기보다는 매끄럽게 된다. 메니스커스가 스캐닝 방향에 대해 거의 수직인 슬롯들 아래에서는, 메니스커스로부터 부서져 나오는 여하한의 액체가 슬롯들 중 적어도 1 이상을 통해 빠르게 흡수되기 때문에 메니스커스의 불안정성은 별로 문제가 되지 않는다.
슬롯들과 가상 라인 간의 각도는 10 내지 80°, 바람직하게는 20 내지 70°, 더 바람직하게는 30 내지 60°, 가장 바람직하게는 40 내지 50°의 범위 내에 있을 수 있다. 슬롯들의 각 어레이는 N 개의 슬롯들을 포함할 수 있으며, 이때 N은 5 내지 150, 바람직하게는 10 내지 100, 바람직하게는 20 내지 40의 범위 내에 있는 정수이다. 액체 추출 슬롯들은 50 ㎛ 내지 50 ㎜, 바람직하게는 0.1 ㎜ 내지 10 ㎜, 바람직하게는 1 ㎜ 내지 5 ㎜의 범위 내에 있는 연장 방향으로의 길이를 가질 수 있다. 액체 추출 슬롯들은 5 ㎛ 내지 5 ㎜, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 1 ㎜, 바람직하게는 50 ㎛ 내지 0.1 ㎜의 범위 내에 있는 연장 방향에 수직인 폭을 가질 수 있다. 슬롯들이 균일한 폭을 가질 필요는 없다. 슬롯들의 단부들은 둥글게 될 수 있다. 액체 추출 슬롯들은 1:2 내지 1:100, 바람직하게는 1:3 내지 1:20, 바람직하게는 1:5 내지 1:10의 범위 내에 있는 종횡비를 가질 수 있다. 어레이의 슬롯들은 패턴 내의 가상 라인을 따라 배치될 수 있다. 슬롯들은 기하학, 산술적 및/또는 반복 패턴과 같은 패턴에 따라 이격될 수 있다. 일 구성에서, 어레이의 슬롯들 은 등거리로 이격된다. 슬롯 간격은 0.5 mm 내지 5 mm, 바람직하게는 1 mm 내지 2 mm의 범위 내에 있을 수 있다. 일 실시예에서, 액체 추출 슬롯들은 실질적으로 직선이다. 일 실시예에서, 슬롯들은 곡선이다.
일 실시예에서, 가상 라인은 실질적으로 직선이다. 일 실시예에서, 가상 라인은 곡선이며, 예를 들어 아크(arc) 형태이다. 어레이의 슬롯들은 직선의 가상 라인의 선형 방향 또는 라인을 따른 슬롯의 위치에서 곡선의 가상 라인의 접선의 방향에 대한 각도로 방위될 수 있다. 슬롯들의 어레이들은 투영 시스템의 광학 축선을 중심으로 배치될 수 있다. 액체 핸들링 구조체 내에 존재하는 어레이들은 상호연결될 수 있다. 상호연결된 어레이들은 직선으로 둘러싸인 형상(예를 들어, 마름모), 원 또는 타원과 같은 형상의 외형을 형성할 수 있다. 따라서, 상이한 어레이들(및 대응하는 가상 라인들)은 광학 축선을 중심으로 배치된 슬롯들의 패턴을 형성하도록 연결될 수 있다. 슬롯들은 가상 라인을 따라 등거리로 이격될 수 있다. 슬롯 간격은 0.5 mm 내지 5 mm, 바람직하게는 1 mm 내지 2 mm의 범위 내에 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 슬롯들은 V-형일 수 있으며, 가능하게는 뒤집힌 V-형이 교번한다. 본 발명의 일 실시예에서, 각각의 슬롯은 여하한 형상의 작은 홀들의 라인 또는 그룹으로 교체될 수 있다. 이러한 작은 홀들은 사용시 슬롯들과 동일한 형상의 하압력을 생성하도록 배치된다.
본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있는 또 다른 플레이트(120)가 도 10에 도시된다. 이 플레이트는 슬롯들(121)의 각도를 제외하고는 플레이트 110과 동일 하다. 이 실시예에서, 슬롯들(121)과 그것들이 배치되는 가상 라인 간의 각도(a3)는 60°이다. 그러므로, 슬롯들(121)은 주 스캐닝 방향(S)에 대해 75°의 각도를 이룬다.
또 다른 플레이트(130)가 도 11에 도시된다. 플레이트(130)는 슬롯들(131)과 가상 라인 간의 각도(a4)가 75°인 것을 제외하면 플레이트 110과 동일하다. 그러므로, 슬롯들(131)과 주 스캐닝 방향 간의 각도는 60°이다.
앞서 언급된 바와 같이, 주 침지 액체의 메니스커스는 기판 테이블이 주 스캐닝 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 이동하는 경우에 안정하게 유지되는 것이 바람직하다. 이 방향은 서브스캐닝 방향, 또는 그것이 스캔들 사이에서 스텝하기 때문에 스테핑 방향이라 칭할 수 있다. 이 방향으로의 이동은, 예를 들어 새로운 노광을 위해 기판을 다시 위치시키기 위한 것이다. 이 요구를 달성하는데 적합한 플레이트들이 도 12 및 도 13에 도시된다. 플레이트들은 슬롯들의 배치에 관한 것을 제외하고는 플레이트 110과 실질적으로 동일하다.
도 12에 나타낸 플레이트(140)에서, 각 측면을 따라 배치된 슬롯들은 2 개의 서브세트들로 나누어진다. 한 서브세트의 슬롯들(141)은 주 스캐닝 방향(S1)에 대해 75°의 각도를 이루도록 가상 라인에 대해 60°의 각도(a5)로 배치된다. 이와 마찬가지로, 다른 서브세트의 슬롯들(142)은 가상 라인에 대해 60°의 각도(a6)이지만 다른 방향으로 배치된다. 슬롯들(142)은 서브스캐닝 방향(S2)에 대해 75°의 각도를 이룬다. 슬롯들(141)의 어레이들은, 기판이 주 스캐닝 방향으로 이동하고 있는 경우에 플레이트 리딩(leading) 및 트레일링(trailing) 지점들의 양쪽에 있도 록 위치된다. 기판이 서브스캐닝 방향으로 이동하고 있는 경우에는 슬롯들(142)의 어레이들이 리딩 및 트레일링 지점들의 양쪽에 있다.
도 13에 나타낸 플레이트(150)는 모두 동일한 방향으로 방위되지 않는 슬롯들(151)을 갖는다. 주 스캐닝 방향으로 리딩 및 트레일링 지점들에 가장 가까운 슬롯들은 실시예의 한 극단에서 가상 라인에 대해 60°의 각도(a7)로 배치되어, 주 스캐닝 방향(S1)에 대해 75°의 각도를 이룬다. 이와 마찬가지로, 서브스캐닝 방향으로의 리딩 및 트레일링 지점들에 가장 가까운 슬롯들은 실시예의 다른 극단에서 가상 라인에 대해 60°의 각도(a6)이지만 다른 방향으로 배치된다. 이 슬롯들은 서브스캐닝 방향(S2)에 대해 75°의 각도를 이룬다. 일 실시예에서, 사이에 있는 슬롯들은 한 극단에서 다른 극단까지 점차적으로 변하는 각도들로 이루어진다. 일 실시예에서는, 어레이의 단부들 또는 중간에 동일한 방위를 갖는 슬롯들의 그룹들이 존재할 수 있다. 일 실시예에서, 방위들이 점차적으로 변하는 슬롯들의 그룹들이 존재할 수 있다. 예시된 바와 같이, 각도 변동은 선형이지만 반드시 이러한 경우인 것은 아니다.
표면으로부터 액체, 예컨대 방울들(d)을 제거하는데 사용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스(300)가 도 14에 도시된다. 슬롯들(301)의 어레이는 건조될 표면과 액체 제거 디바이스 간의 상대 이동 방향에 실질적으로 수직인 라인을 따라 배치된다. 이는 액체 핸들링 구조체(12)에 대한 슬롯들을 참조하여 언급된 라인, 즉 가상 라인과 균등하다. 일 실시예에서, 슬롯들은 라인에 대해 45°의 각도를 이루지만, 이것과 슬롯들의 길이들은 제거될 액체(d)의 예상량 및 표 면과 액체 제거 디바이스의 상대 속도에 따라 변할 수 있다. 이 실시예에서의 슬롯들의 치수들 및 방위들뿐만 아니라, 예를 들어 가상 라인을 따른 스롯들의 어레이의 구성은 도 8 내지 도 13을 참조하여 액체 핸들링 구조체(12) 내의 슬롯들에 대해 앞서 설명된 것과 동일할 수 있다. 슬롯들(301)은 하압력 소스(303), 예를 들어 진공 펌프에 연결된다. 슬롯들(301)을 통해 추출되지 않은 여하한의 액체를 청소하고 추출될 수 있는 위치에 유지하기 위해, 추출 슬롯들(301)의 뒤에 가스 공급기(304)에 연결된 긴 슬롯(302)에 의해 형성되는 가스 나이프가 제공될 수 있다. 이 가스 나이프는 수직으로, 또는 비스듬히 표면 상으로 가스 흐름을 지향할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 나이프로부터의 가스 흐름은 슬롯들(301)을 향하여 0 내지 90°의 범위 내의 각도로 표면 상에 흐를 수 있다.
사용시, 액체 제거 디바이스는 기판에 대하여 방향 S로 이동한다(및/또는 기판이 액체 제거 디바이스에 대하여 방향 S의 반대 방향으로 이동한다). 기판 상에 존재하는 액체 방울은 슬롯들(301)로부터의 하압력에 직면한다. 이후, 액체는 가스 나이프(302)로부터의 가스 흐름에 직면한다. 슬롯으로부터의 하압력이 액체를 제거하기에 불충분한 경우, 가스 나이프(302)가 액체의 이동을 가로막아 액체가 슬롯을 통해 추출될 시간을 증가시킬 것이다. 슬롯의 긴 형상은 하압력의 포인트 소스에 대한, 예를 들어 원형 홀을 통하는 하압력으로의 액체의 노출 시간을 증가시킨다. 인접한 슬롯들로부터 하압력의 상호작용이 발생할 수 있다. 슬롯들이 이동 방향에 대하여, 예를 들어 스캐닝 방향으로 기울어져 있고 충분히 가깝기 때문에, 하압력 흐름들이 상호작용할 수 있다. 하압력 흐름들은 액체를 추출하기 위해 액 체에 힘들을 제공하는 액체의 메니스커스와 상호작용할 수 있다. 방울이 2 개의 슬롯들 사이를 메우는 경우(예를 들어, 막을 추출하는 경우), 액체 메니스커스는 직선이 아니라 이동 방향에 수직인 방향으로 곡선이다. 슬롯들을 따라, 메니스커스는 슬롯과 정렬되는 경향이 있다. 슬롯들 사이에서는, 메니스커스가 이동 방향과 정렬되는 경향이 있다. 이는 액체로 하여금 슬롯들을 통해 쉽게 추출되게 한다. 슬롯들이 이동 방향에 대해 바람직하게 겹쳐지기 때문에, 하압력들이 강하게 상호작용할 수 있다. 도 15에 점선으로 나타낸 슬롯들 사이에 안정된 메니스커스가 형성되어, 추출 슬롯들로 액체를 지향할 수 있다. 액체 제거 디바이스를 이용한 액체의 효과적인 추출이 달성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 액체 제거 디바이스(400)가 도 16에 도시된다. 이 액체 제거 디바이스는 아래에 설명되는 것을 제외하고는 앞서 설명된 액체 제거 디바이스(300)와 동일하다. 액체 제거 디바이스(400)는 V-형 개구부들, 예를 들어 슬롯들(401)의 어레이를 가지며, 반대 방향으로 방위되는 슬롯과 교번하고, 가상 라인의 맞은편에 위치된다. 그러므로, 슬롯들(401)은 작은 "브릿지"(403)에 의해 각 브랜치의 중간에서 단속적인 지그재그 라인을 형성한다. 몇몇 또는 모든 브릿지들(403)은, 액체 제거 개구부가 짧거나 긴 지그재그 라인들의 형태로 구성되도록 생략될 수 있다. 예시된 실시예에서, 각각의 V-형들의 끼인 각(a9)은 60°이지만, 예를 들어 15° 내지 75°의 범위 내에 있는 다른 각도가 사용될 수 있다. V-형 슬롯들의 끼인 각들은 변할 수 있다. V-형 슬롯들(401)의 크기 및 개수는 특정한 실시예에 따라 선택될 수 있다. N 개의 V-형 슬롯들이 존재 할 수 있으며, 이때 N은 5 내지 150, 바람직하게는 10 내지 100, 바람직하게는 20 내지 40의 범위 내에 있는 정수이다. V-형 슬롯들은 50 ㎛ 내지 50 mm, 바람직하게는 0.1 mm 내지 10 mm, 바람직하게는 1 mm 내지 5 mm의 범위 내에 있는 길이의 암(arm)들을 가질 수 있다. V-형 슬롯들의 암들은 5 ㎛ 내지 5 mm, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 1 mm, 바람직하게는 50 ㎛ 내지 0.1 mm의 범위 내에 있는 폭을 가질 수 있다. 슬롯들이 균일한 폭을 가질 필요는 없다. 슬롯들의 단부들은 둥글게 될 수 있다.
또한, 도 16을 참조하여 앞서 설명된 V-형 슬롯들의 어레이는 도 5를 참조하여 앞서 설명된 액체 제거 디바이스(11)에서 사용될 수도 있다.
도 17은 본 발명을 구현하는 액체 제거 디바이스(500)를 나타낸다. 액체 제거 디바이스(500)는 본 명세서에서 언급되지 않는다면 앞서 설명된 액체 제거 디바이스(100)와 동일한 특징들을 갖는다. 액체 제거 디바이스(500)는 그 밑면에 각각 작은 개구부들(502)의 어레이(510, 520), 예를 들어 선형 어레이의 형태인 슬롯들을 갖는다. 작은 개구부들의 각 어레이(510, 520)는, 작동시 슬롯에 의해 발생되는 것과 동일한 형상의 하압력을 발생시키도록 배치된다.
도 17에 나타낸 실시예에서, 액체 제거 디바이스(500)의 각 코너(504) 사이에 3 개의 선형 어레이(510, 520)가 존재한다. 코너(504)와 2 개의 이웃하는 코너들 간의 중간 지점(506), 예를 들어 코너(504)를 또 다른 코너와 상호연결하는 액체 제거 디바이스(500)의 측면(508)의 중점 사이에는, 2 개의 선형 어레이(510, 520)가 존재한다. 2 개의 선형 어레이들은, 일반적으로 측면과 정렬된다. 하나의 어레이, 에지 어레이(510)는 다른 코너 어레이(520)를 갖는 코너로부터 더 멀리 위치된다. 두 어레이들(510, 520)의 이웃하는 단부들은 측면(508)에 대하여 서로 겹쳐진다. 어레이들(510, 520)은 겹치는 구역(515)에서 겹쳐진다. 그러므로, 2 개의 맞은 코너들을 통과하는 축선과 정렬되는 이동 방향으로, 예를 들어 스캐닝 또는 스테핑 방향으로 선형 어레이들(510, 520)이 겹쳐진다. 겹침은, 예를 들어 측면(508)에 대하여 겹치는 구역(515) 내에서 코너 어레이(520)의 곡률 반경보다 큰 곡률 반경을 갖는 에지 어레이(510)에 의해 달성될 수 있다. 겹치는 구역(515)에서, 에지 어레이(510)에 의해 제거되지 않은 경우에 에지 어레이(510)로부터 나오는 침지 액체는 코너 어레이(520)을 통해 제거될 수 있다. 침지 액체는 화살표(525)로 나타낸 겹치는 구역(515)을 통해 효과적으로 추출될 수 있다. 두 어레이들의 겹치는 구역은, 침지 액체가 추출 하압력에 노출되는 시간을 연장하기 위해 본 명세서에서 설명된 2 개의 이웃하는 슬롯들로서 기능할 수 있다.
도 17에 나타낸 실시예는 코너(504)의 각 측면(508)에서 겹치는 구역(515)이 코너에 가깝도록 배치된다. 액체 제거 디바이스(500)의 트레일링 코너에 모인 액체량은 감소되거나, 실질적으로 더 이상 모이지 않는다.
일 실시예에서, 각각의 코너는 그 이웃하는 측면들에 존재하는 겹치는 구역(515)을 가질 수 있다. 2 개의 코너 어레이들(520)은 코너(504)의 구역에서 만날 수 있다. 2 개의 에지 어레이들(510)은 측면(508)의 중간 지점(506)에서, 또는 그 부근에서 만날 수 있다. 2 개의 에지 어레이들은 하나의 연속적인 어레이를 형성할 수 있다. 도 17에 나타낸 이 실시예는 하나의 겹치는 구역(515)(2 개의 겹치 는 슬롯들에 대응함)이 코너(504)에서 만나는 각 측면(508)과 연계된다. 총 8 개의 겹치는 구역들이 존재한다. 이 실시예는 각각의 코너(504)가 코너(504)에서 만나는 각각의 측면들과 연계된 겹치는 구역을 갖는 4 개의 측면이 있는 형상에 대한 최소 개수의 겹치는 구역들을 갖는다. 각 측면과 연계된 2 개의 코너가 존재함에 따라 각 측면에 겹치는 구역이 존재하므로, 각각의 겹치는 구역은 상이한 코너와 연계될 수 있다. 일 실시예에서, 동일한 코너(508)와 연계되는 측면에 적어도 2 이상의 겹치는 구역들이 존재한다. 코너, 예를 들어 트레일링 코너에서 만나는 각 측면과 연계된 겹치는 구역을 갖는 것은, 기판과 액체 제거 디바이스(500) 간의 임계 상대 속도, 예를 들어 스캔 속도의 증가를 가능하게 하기 때문에 바람직하다. 침지 리소그래피 장치의 스루풋이 증가할 수 있다.
도 17에 나타낸 바와 같이, 액체의 공급을 위한 개구부들(113)에 의해 형성된 형상(530)은 직사각형으로 둘러싸인 형상, 예를 들어 마름모 또는 심지어 직사각형과 같은 원이 아닌 기하학을 가질 수 있다. 형상은 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 미국 특허 출원 일련번호 61/129,717호에서 설명된 바와 같이 어떠한 형상도 가질 수 있다. 형상(530)은 개구부들(502)의 형상을 따르도록 의도된다. 형상(530)의 에지 상의 위치와 선형 어레이들(510, 520) 상의 위치 간의 최단 거리는 겹치는 구역(515)을 제외하고는 실질적으로 일정하고 균일하다. 겹치는 구역(515)에서는, 2 개의 어레이들(510, 520) 각각에서의 개구부들의 상대 변위가 고려된다.
도 17을 참조하여 설명된 실시예는 도 14 내지 도 16을 참조하여 설명된 액 체 제거 디바이스에 적용될 수 있다.
국부화된 침지 시스템에서, 액체는 기판의 국부화된 영역에만 제공된다. 액체로 채워진 공간(11), 즉 저수부(reservoir)는 평면 내에서 기판의 최상면보다 작다. 저수부는 기판(W)이 그 아래로 이동하는 동안 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 정지상태로 유지된다. 침지 시스템의 또 다른 범주는, 기판(W) 전체 및 선택적으로 기판 테이블(WT)의 일부분이 액체의 배스 내에 담그어지는 배스 타입 구성이다. 또 다른 범주는 액체가 한정되지 않는 모든 습식 해결책이다. 이 구성에서는, 실질적으로 기판의 전체 최상면 및 선택적으로 기판 테이블의 전체 또는 일부분이 박막의 침지 액체로 덮인다. 이러한 시스템에서 도 2 내지 도 5의 여하한의 액체 공급 디바이스들이 사용될 수 있다; 하지만, 그 밀폐 특징들은 존재하지 않으며, 활성화되지 않고, 통상적인 것만큼 효율적이지 않으며, 또는 다른 경우에 국부화된 영역에만 액체를 밀폐시키는데 효과가 없다.
다른 구성들이 가능하며, 아래의 설명으로부터 분명한 바와 같이 본 발명의 일 실시예는 액체 공급 시스템으로서 여하한 타입의 국부화된 액체 공급 시스템에서 구현될 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 침지 액체를 이용하는 침지 시스템은 노광 이후에 또는 노광시 기판 상에 침지 액체의 방울들, 예를 들어 물을 남길 수 있다. 상기 방울들은 1 이상의 문제들을 야기할 수 있다. 방울의 증발은 국부화된 냉각 및 이에 따른 기판의 열적 왜곡을 야기할 수 있다. 입자들 및 다른 오염물들이 방울로 끌리고 수집될 수 있다. 증발하는 방울은 후에 건조 링(drying ring) 및 오염 입 자들을 남길 수 있다. 방울은 기판 상의 레지스트와 상호작용할 수 있으며, 패턴 결함들을 야기할 수 있다. 국부화된 침지 시스템에 의해 후에 방울이 남겨지는 경우, 후속하여 청소될 수 있으며, 예를 들어 기판 테이블(WT)과 침지 시스템 간의 상대 이동 방향의 변화 이후에는, 저수부(11) 내의 액체의 메니스커스와 충돌할 수 있다. 그때, 투영 시스템 아래의 액체 내에 기포가 발생될 수 있다. 증발된 방울로부터의 증기는 간섭계 위치 센서와 같은 센서에 영향을 줄 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예는 침지 액체의 메니스커스를 제어하기 위해 개선된 디바이스를 제공한다. 본 발명의 또 다른 실시예는 기판 표면으로부터 방울을 제거하는데 더 효과적인 액체 제거 디바이스(또는 액체 제거기)를 제공한다. 본 발명의 실시예들은 주 침지 액체로부터 방울의 분리를 방지함으로써, 기판 표면으로부터의 방울의 더 효율적인 제거에 의해, 또는 두 접근법들의 조합에 의해 기판으로부터 방울의 증발을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 기판 테이블의 표면 및 기판 테이블(WT)의 표면 내에 위치된 구성요소, 예를 들어 셔터 부재[예를 들어, 폐쇄 디스크(closing disk) 또는 기판 테이블의 부분], 및/또는 센서의 표면에 적용될 수 있다. 침지 액체의 방울은 이 표면들 중 1 이상에 존재할 수 있다. 방울은 본 발명의 일 실시예를 이용하여 기판 테이블의 표면으로부터 제거될 수 있다. 이를 위해, 기판(W)의 표면에 대한 언급은 별도로 명확히 설명되지 않는다면 기판 테이블(WT)의 표면 및 기판 테이블 내에 위치된 구성요소들의 표면들도 칭한다.
액체 제거 디바이스는 건조 스테이션(도시되지 않음)과 같은 유체 제거기 또 는 건조기에서 사용될 수 있다. 건조기는 앞서 설명된 배스 타입 또는 모든 습식 침지 시스템의 일부분일 수 있으며, 이때 침지 액체는 기판의 일부분에 한정되지 않고 기판의 표면 위로 흐를 수 있다. 건조기에서, 방울 제거기가 기판의 표면 상에 존재하는 액체를 제거한다. 건조는 기판의 노광이 완료된 이후에, 또한 기판이 트랙 내의 다른 곳에서의 처리를 위해, 예를 들어 현상, 코팅, 베이킹 및 에칭을 위해 리소그래피 장치를 벗어나기 전에 발생할 수 있다. 건조는 침지 환경을 반복하기 위해 침지 액체가 사용되는 메트롤로지 시스템에서 측정 이후에 발생할 수 있다.
액체 제거 디바이스는 건조기의 작동 부분일 수 있다. 건조기를 작동시키기 위해, 건조기는 침지 시스템으로부터 제거된 기판 위로 통과할 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 일단 침지 액체가 침지 시스템으로부터 배출되고, 및/또는 침지 시스템으로의 액체 공급이 중단되면, 건조기가 기판 위로 통과할 수 있다. 기판을 덮는 액체는 많은 방울들을 형성하도록 막으로부터 부서질 수 있다. 건조기, 예를 들어 방울 추출기가 기판 표면 위로 통과함에 따라, 건조기에 의해 기판 상에 존재하는 액체가 제거되어 표면을 건조시킨다.
일 실시예에서, 기판 테이블 및 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 존재한다. 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성된다. 액체 핸들링 구조체는 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 포함한다. 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연 장 방향으로 기다랗다. 연장 방향들은 라인에 대해 0보다 큰 각도를 갖는다.
액체 핸들링 구조체는 제 2 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 제 2 어레이를 포함할 수 있다. 제 2 어레이의 액체 추출 개구부들 각각은 각 연장 방향으로 길 수 있다. 제 2 어레이의 액체 추출 개구부들의 연장 방향들은 제 2 라인에 대해 0보다 큰 각도를 가질 수 있다. 액체 핸들링 구조체는 제 3 및 제 4 라인들 각각을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 제 3 및 제 4 어레이들을 포함할 수 있다. 제 3 및 제 4 어레이들의 액체 추출 개구부들 각각은 각 연장 방향으로 길 수 있다. 제 3 및 제 4 어레이들의 액체 추출 개구부들의 연장 방향들은 제 3 및 제 4 라인들 각각에 대해 0보다 큰 각도를 가질 수 있다. 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 어레이들은 투영 시스템의 최종 요소 아래에서 실질적으로 공간을 둘러싸도록 위치될 수 있다. 투영 시스템은 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성될 수 있다. 라인은 실질적으로 직선일 수 있다.
상기 장치는 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함할 수 있다. 슬롯들의 어레이가 배치되는 라인은 투영 시스템의 광학 축선을 중심으로 실질적으로 폐쇄된 루프를 형성할 수 있다. 0보다 큰 각도는 10 내지 80°, 20 내지 70°, 30 내지 60° 또는 40 내지 50°의 범위 내에 있을 수 있다. 액체 추출 개구부들은 실질적으로 서로 평행일 수 있다. 액체 추출 개구부들의 연장 방향들과 라인 간의 각도들은 어레이를 따라 점차적으로 변할 수 있다.
액체 추출 개구부들의 제 1 서브세트는 라인에 대해 0보다 큰 제 1 각도를 구성하는 연장 방향들을 가질 수 있으며, 액체 추출 개구부들의 제 2 서브세트는 라인에 대해 0보다 큰 제 2 각도를 구성하는 연장 방향들을 가질 수 있고, 0보다 큰 제 2 각도는 0보다 큰 제 1 각도와 다르다. 액체 추출 개구부들의 어레이는 N 개의 액체 추출 슬롯들을 포함하며, 이때 N은 5 내지 150, 10 내지 100, 또는 20 내지 40의 범위 내에 있는 정수이다.
액체 추출 개구부들은 50 ㎛ 내지 50 ㎜, 0.1 ㎜ 내지 10 ㎜, 또는 1 ㎜ 내지 5 ㎜의 범위 내에 있는 연장 방향들로의 길이를 가질 수 있다. 액체 추출 개구부들은 5 ㎛ 내지 5 ㎜, 10 ㎛ 내지 1 ㎜, 또는 50 ㎛ 내지 0.1 ㎜의 범위 내에 있는 연장 방향들에 실질적으로 수직인 폭을 가질 수 있다. 액체 추출 개구부들은 1:2 내지 1:100, 1:3 내지 1:20, 또는 1:5 내지 1:10의 범위 내에 있는 종횡비를 가질 수 있다.
액체 추출 개구부들은 실질적으로 직선일 수 있다. 액체 추출 개구부들은 라인을 따라 실질적으로 등거리로 이격될 수 있다.
상기 장치는 위치설정기 및 제어 시스템을 포함할 수 있다. 위치설정기는 기판 테이블과 투영 시스템 사이에 상대 이동을 초래하도록 배치될 수 있다. 제어 시스템은 방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치될 수 있다. 액체 추출 개구부들은, 투영 시스템의 광학 축선이 기판을 가로지르는(intercept) 지점으로부터 스캔 방향으로 관찰되는 경우에 겹쳐지도록 배치될 수 있다. 액체 추출 개구부들은 플레이트 내의 복수의 슬롯들에 의해 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 투영 시스템, 위치설정기, 제어 시스템 및 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 존재한다. 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성된다. 투영 시스템은 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되고, 상기 투영 시스템은 광학 축선을 갖는다. 위치설정기는 기판 테이블과 투영 시스템 사이에 상대 이동을 초래하도록 배치된다. 제어 시스템은 방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 복수의 기다란 액체 추출 개구부들을 포함한다. 액체 추출 개구부들은 떨어져 이격되고, 각각의 액체 추출 개구부는 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 적어도 2 이상의 액체 추출 개구부들 밑으로 통과하도록 적어도 1 이상의 인접한 액체 추출 개구부가 겹친다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 위치설정기, 제어 시스템 및 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 존재한다. 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성된다. 투영 시스템은 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다. 위치설정기는 기판 테이블과 투영 시스템 사이에 상대 이동을 초래하도록 배치된다. 제어 시스템은 방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 표면 맞은편에 배치된 복수의 액체 추출 개구부들을 포함하며, 액체 추출 개구부들의 구성은 액체 추출 개구부들이 하압력 소스와 유체 연통하는 경우에 표면과 액체 핸들링 구조체 사이에 복수의 저압 구역들이 형성되도록 구성된다. 저압 구역들은 기다랗고, 이격되며, 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 적어도 2 이상의 저압 구역들을 통과하도록 각각 적어도 1 이상의 인접한 저압 구역과 겹친다. 복수의 액체 추출 개구부들의 각각의 액체 추출 개구부 길 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 투영 시스템, 위치설정기, 제어 시스템 및 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 존재한다. 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성된다. 투영 시스템은 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다. 투영 시스템은 광학 축선을 갖는다. 위치설정기는 기판 테이블과 투영 시스템 사이에 상대 이동을 초래하도록 배치된다. 제어 시스템은 방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된다. 액체 핸들링 구조체는 복수의 기다란 액체 추출 개구부들을 포함한다. 액체 추출 개구부들은 이격되고, 각각의 액체 추출 개구부는 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 모두 적어도 1 이상의 액체 추출 개구부들 의 밑으로 통과하도록 적어도 1 이상의 인접한 액체 추출 개구부와 겹친다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 투영 시스템, 위치설정기, 제어 시스템 및 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 존재한다. 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성될 수 있다. 투영 시스템은 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성될 수 있다. 위치설정기는 기판 테이블과 투영 시스템 사이에 상대 이동을 초래하도록 배치될 수 있다. 제어 시스템은 방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시 스캔 방향으로 투영 시스템에 대해 기판 테이블을 이동시키는 위치설정기를 제어하도록 배치될 수 있다. 액체 핸들링 구조체는 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치될 수 있다. 액체 핸들링 구조체는 표면 맞은편에 배치된 복수의 액체 추출 개구부들을 포함할 수 있고, 액체 추출 개구부들의 구성은 액체 추출 개구부들이 하압력 소스와 유체 연통하는 경우에 표면과 액체 핸들링 구조체 사이에 복수의 저압 구역들이 형성되도록 구성되며, 상기 저압 구역들은 기다랗고, 이격되며, 패터닝된 빔이 기판 상에 입사하는 구역 내의 여하한 지점으로부터 스캔 방향에 실질적으로 평행하게 연장된 라인이 모두 적어도 1 이상의 저압 구역들을 통과하도록 각각 적어도 1 이상의 인접한 저압 구역과 겹친다. 복수의 액체 추출 개구부들의 각각의 액체 추출 개구부는 길 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 구성된 액체 핸들링 구조체가 존재한다. 액체 핸들링 구조체는 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이 를 포함할 수 있다. 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 길 수 있다. 연장 방향들은 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이룰 수 있다.
일 실시예에서, 본 명세서에서 설명된 액체 핸들링 구조체를 포함한 건조 디바이스가 존재한다.
건조 디바이스는 액체 핸들링 구조체와 기판 테이블 사이에 제 1 방향으로 상대 이동을 초래하도록 배치된 위치설정기를 포함할 수 있다. 라인은 제 1 방향에 실질적으로 평행일 수 있다.
일 실시예에서, 본 명세서에서 설명된 액체 핸들링 구조체를 포함한 침지 메트롤로지 디바이스가 존재한다.
일 실시예에서, 기판에 인접한 공간에 한정된 액체를 통해 기판 상으로 패턴의 이미지를 투영하는 단계; 및 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 통해 기판으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 존재하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 연장 방향들은 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이룬다. 투영하는 단계 및 제거하는 단계는 동시에 수행될 수 있다. 제거하는 단계는 투영하는 단계가 수행된 이후에 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 투영 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이 존재하고, 상기 방법은 기판에 인접한 공간에 한정된 액체를 통해 기판 상으로 패턴의 이미지를 투영하는 한편, 스캔 방향으로 기판 및 투영 시스템을 상대적으로 이동시키는 단계; 및 표면과 액체 추출 개구부들 사이에 복수의 저압 구 역들을 형성하기 위해, 표면의 맞은편에 배치된 복수의 액체 추출 개구부들을 하압력 소스에 연결함으로써 기판의 표면으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함하며, 상기 저압 구역들은 기다랗고, 이격되며, 스캔 방향으로 관찰되는 경우에 적어도 1 이상의 인접한 저압 구역과 각각 겹친다. 복수의 액체 추출 개구부들의 각각의 액체 추출 개구부는 길 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블 및 액체 핸들링 구조체를 포함한 리소그래피 장치가 존재한다. 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성될 수 있다. 액체 핸들링 구조체는 기판 테이블, 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 기판 테이블과 기판의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치될 수 있다. 액체 핸들링 구조체는 선형 구성으로 액체 추출 개구부들의 어레이를 포함할 수 있으며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 선형 구성의 방향과 상이한 방향으로 긴 치수를 갖는다. 각각의 액체 추출 개구부들은 선형 구성을 따르는 위치를 가질 수 있으며, 긴 치수의 방향들과 선형 구성은 상이한 위치들 사이에서 다르다. 선형 구성은 곡선일 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세 서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계-판독가능한 명령어는 2 이상의 컴퓨터 프로그램들 내에서 구현될 수 있다. 2 이상의 컴퓨터 프로그램들은 1 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체 상에 저장될 수 있다.
앞서 설명된 제어기들은 신호들을 수신하고, 처리하며, 송신하는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 제어기는 앞서 설명된 방법들에 대한 기계-판독가능한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 1 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 제어기들은 이러한 컴퓨터 프로그램들을 저장하는 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하는 하드웨어를 포함할 수 있다.
본 발명의 1 이상의 실시예는 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 앞서 언급된 형태들에 적용될 수 있지만 이에 국한되지는 않으며, 침지 액체가 배스의 형태로 제공되는지, 기판의 국부화된 표면적에만 제공되는지, 또는 한정되지 않는지의 여부에 따라 적용될 수 있다. 한정되지 않는 구성에서, 침지 액체는 기판 및/또는 기판 테이블의 표면 위로 흐를 수 있으므로, 실질적으로 기판 테이블 및/또는 기판의 덮여있지 않은 전체 표면이 젖게 된다. 이러한 한정되지 않는 침지 시스템에서, 액체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있으며, 또는 실질적으로 침지 액체의 완전한 한정은 아니지만 침지 액체 한정의 부분을 제공할 수 있다.
본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 그것은 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메카니즘 또는 조합일 수 있다. 그것은 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 유출구, 1 이상의 가스 유출구, 2 상 흐름에 대한 1 이상의 유체 유출구, 1 이상의 가스 유입구, 및/또는 공간에 액체를 제공하는 1 이상의 액체 유입구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있고, 또는 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있으며, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은 선택적으로 위치, 양(quantity), 질, 형상, 유량 또는 액체의 여하한의 다른 특징들을 제어하는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다.
"가스 나이프"라는 용어는 반드시 특정한 가스가 사용되어야 함을 의미하지 않으며, 여하한의 가스 또는 가스 혼합물이 사용될 수 있다는 것을 유의하여야 한다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 액체 핸들링 구조체를 도시하는 도면;
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 액체 핸들링 구조체를 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 스테이지, 액체를 처리하고 기판 테이블 상에 유지된 기판 상의 침지 액체의 국부화된 영역을 제어하도록 구성된 구조체, 및 기판으로부터 액체를 제거하는 액체 제거 디바이스의 부분들을 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 기판 스테이지 및 액체 제거 디바이스의 다른 구성들을 도시하는 도면;
도 7은 도 5의 액체 핸들링 구조체의 일부분을 형성하는 방벽 부재의 단면도;
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스의 액체 제거 개구부들 및 다른 부분들을 정의하는 플레이트의 평면도;
도 9는 도 8의 원형 부분의 확대도;
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스의 일부분을 형성하 는 또 다른 플레이트의 평면도;
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스의 일부분을 형성하는 또 다른 플레이트의 평면도;
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스의 일부분을 형성하는 또 다른 플레이트의 평면도;
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스의 일부분을 형성하는 또 다른 플레이트의 평면도;
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 방울들을 제거하도록 작동하는 액체 제거 디바이스를 도시하는 도면;
도 15는 막을 제거하도록 작동하는 도 14의 액체 제거 디바이스를 도시하는 도면;
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스를 도시하는 도면; 및
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 제거 디바이스의 액체 제거 개구부들 및 다른 부분들을 정의하는 플레이트의 평면도이다.

Claims (17)

  1. 리소그래피 장치에 있어서:
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    상기 기판 테이블, 상기 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 상기 기판 테이블과 상기 기판 모두의 표면으로부터 액체를 제거하도록 배치된 액체 핸들링 구조체(liquid handling structure)를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고,
    상기 액체 핸들링 구조체는 제 1 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부(liquid extraction opening)들의 제 1 어레이를 포함하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고(elongate), 상기 연장 방향들은 상기 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이루는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 핸들링 구조체는 제 2 라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 제 2 어레이를 포함하며, 상기 제 2 어레이의 액체 추출 개구부들 각각은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 제 2 어레이의 액체 추출 개구부들의 연장 방향들은 상기 제 2 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이루는 리소그래피 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 액체 핸들링 구조체는 제 3 및 제 4 라인들 각각을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 제 3 및 제 4 어레이들을 포함하며, 상기 제 3 및 제 4 어레이들의 액체 추출 개구부들 각각은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 제 3 및 제 4 어레이들의 액체 추출 개구부들의 연장 방향들은 상기 제 3 및 제 4 라인들 각각에 대해 0보다 큰 각도를 이루는 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 어레이들은 투영 시스템의 최종 요소 아래에서 공간을 실질적으로 둘러싸도록 위치되고, 상기 투영 시스템은 상기 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 더 포함하고, 상기 액체 추출 개구부들의 어레이가 배치되는 상기 제 1 라인 및 상기 액체 추출 개구부들의 제 2 어레이가 배치되는 제 2 라인은 상기 투영 시스템의 광학 축선 주위에 실질적으로 폐쇄된 루프를 형성하는 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 0보다 큰 각도는 10 내지 80°의 범위 내에 있는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 추출 개구부들의 연장 방향들과 상기 라인 간의 각도들은 상기 어레이를 따라 점차적으로 변하는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 추출 개구부들의 제 1 서브세트는 상기 라인에 대해 0보다 큰 제 1 각도를 구성하는 연장 방향들을 갖고, 상기 액체 추출 개구부들의 제 2 서브세트는 상기 라인에 대해 0보다 큰 제 2 각도를 구성하는 연장 방향들을 가지며, 상기 0보다 큰 제 2 각도는 상기 0보다 큰 제 1 각도와 상이한 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 테이블과 투영 시스템 사이에 상대 이동을 초래하도록 배치된 위치설정기(positioner); 및
    방사선 빔의 투영에 의한 기판의 타겟부의 노광시, 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판 테이블을 이동시키는 상기 위치설정기를 제어하도록 배치된 제어 시스템을 더 포함하고,
    상기 액체 추출 개구부들은 상기 투영 시스템의 광학 축선이 상기 기판을 가로지르는(intercept) 지점으로부터 상기 스캔 방향으로 관찰되는 경우에 겹쳐지도록 배치되는 리소그래피 장치.
  10. 기판 테이블, 상기 기판 테이블에 의해 유지된 기판, 또는 상기 기판 테이블과 상기 기판 모두의 표면으로부터 액체를 제거하도록 구성된 액체 핸들링 구조체에 있어서,
    라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 포함하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 연장 방향들은 상기 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이루는 액체 핸들링 구조체.
  11. 제 10 항에 따른 액체 핸들링 구조체를 포함한 건조 디바이스(drying device).
  12. 제 10 항에 따른 액체 핸들링 구조체를 포함한 침지 메트롤로지 디바이스(immersion metrology device).
  13. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    기판에 인접한 공간에 한정된 액체를 통해 상기 기판 상으로 패턴의 이미지를 투영하는 단계; 및
    라인을 따라 배치된 액체 추출 개구부들의 어레이를 통해 상기 기판으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함하며, 상기 각각의 액체 추출 개구부들은 각 연장 방향으로 기다랗고, 상기 연장 방향은 상기 라인에 대해 0보다 큰 각도를 이루는 디바이스 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 라인은 실질적으로 직선인 리소그래피 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 추출 개구부들은 실질적으로 서로 평행한 리소그래피 장치.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2131241B1 (en) * 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2005951A (en) * 2010-02-02 2011-08-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2005974A (en) * 2010-02-12 2011-08-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2006076A (en) * 2010-03-04 2011-09-06 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
NL2007182A (en) * 2010-08-23 2012-02-27 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, module for an immersion lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20120162619A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
NL2008980A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2008979A (en) * 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2009139A (en) 2011-08-05 2013-02-06 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2009472A (en) 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN104238277B (zh) * 2013-06-19 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 一种浸没式光刻机的流场维持方法
US10216095B2 (en) 2013-08-30 2019-02-26 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus
CN106507684B (zh) * 2014-06-16 2020-01-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法
NL2017952A (en) 2016-01-13 2017-07-21 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure and lithographic apparatus
CN110764368A (zh) * 2018-07-27 2020-02-07 上海微电子装备（集团）股份有限公司 物镜防污染装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080017299A (ko) * 2005-06-22 2008-02-26 가부시키가이샤 니콘 계측 장치 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100585476B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
AU2003289271A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
TWI503865B (zh) * 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP2284615B1 (en) * 2003-08-26 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus
EP1670042A4 (en) * 2003-09-29 2008-01-30 Nikon Corp LIQUID IMMERSION TYPE LENS SYSTEM, PROJECTION ALIGNER, AND PRODUCTION METHOD OF THE DEVICE
US6977461B2 (en) * 2003-12-15 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. System and method for moving an object employing piezo actuators
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4954444B2 (ja) * 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
WO2005081290A1 (ja) 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
US8482716B2 (en) * 2004-06-10 2013-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006101120A1 (ja) * 2005-03-23 2006-09-28 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) * 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US8144305B2 (en) 2006-05-18 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7675201B2 (en) * 2006-07-25 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with planar motor driven support
US8634053B2 (en) * 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421993B2 (en) * 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20110134400A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080017299A (ko) * 2005-06-22 2008-02-26 가부시키가이샤 니콘 계측 장치 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

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Publication number Publication date
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