JP7033168B2 - 露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態の露光装置100の全体構成を示す図である。本実施形態の露光装置100は、原版Mと基板Wとを走査しながら基板Wを露光することで、原版Mのパターンを基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。このような露光装置100は、走査露光装置やスキャナとも呼ばれる。本実施形態では、原版Mは、例えば石英製のマスク(レチクル)であり、基板Wにおける複数のショット領域の各々に転写されるべき回路パターンが形成されている。また、基板Wは、フォトレジストが塗布されたウェハであり、例えば単結晶シリコン基板等が用いられうる。なお、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例示して説明するが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置においても本発明を適用することができる。
図2(a)~(b)は、本実施形態の第2供給部8の構成例を示す図である。図2(a)~(b)では、第2供給部8に加えて、第2供給部8の周辺における投影光学系3の一部、基板Wおよび基板ステージ4が図示されている。図2(a)と図2(b)とでは、排気部9の構成が異なっているが、他の構成(第2供給部8の構成など)は同じである。排気部9は、光路空間Sを通過した気体を外部に排出する機構であり、図2(a)~(b)に示すように、投影光学系3の下部(-Z方向側、第1方向側)において、光路空間Sに対して第2供給部8の反対側に配置されうる。排気部9は、図2(a)に示すように、基板W側に設けられた開口9aから気体を取り込んで排出する構成であってもよいし、図2(b)に示すように、第2供給部8側に設けられた開口9bから気体を取り込んで排出する構成であってもよい。
次に、第2供給部8で使用される気体について説明する。第2供給部8から光路空間Sに供給される気体42は、光学要素3aの近傍を流れることになるため、光学要素3aを曇らせないクリーンな気体であることが好ましい。クリーンな気体とは、少なくともアウトガス50が発生した箇所の雰囲気より、酸、塩基、有機等の不純物が少ない気体であることを意味する。さらに好ましくは、空気から酸、塩基、有機等の不純物を取り除いた気体(クリーンエアと呼ばれる)や、クリーンエアを乾燥した気体(クリーンドライエアと呼ばれる)、窒素ガスのような不活性ガスなどが用いられるとよい。
次に、第2供給部8の効果について説明する。光学要素3aの曇りを防止するためには、投影光学系3からの光(パターン光)が通過する光路空間Sに気体42を供給し、基板W(レジスト)からのアウトガス50を光路空間Sから吹き飛ばすことが好ましい。このように光路空間Sからアウトガス50を効率よく吹き飛ばすためには、一般的に、光路空間Sに高流速で広範囲に気体を供給することが望まれる。しかしながら、気体吹出部10だけしか設けられていない従来の気体供給機構では、気体吹出部10の吹出口11から気体が吹き出した箇所で、局所的に高流速な気体が供給される。この場合、気体が吹出口11の箇所に周囲の気体が巻き込まれ、アウトガス50も巻き込まれてしまう。このため、吹出口11から吹き出した気体が、光路空間Sに到達した際に、アウトガス50に汚染された気体になり得る。また、吹出口11に巻き込まれた気体により、光路空間Sにおいて、アウトガス50が光学要素3aに向かう流れが形成され得る。このため、光路空間Sからアウトガスを効果的に吹き飛ばすことが困難になりうる。また、気体吹出部10から吹き出される気体の流量や範囲を拡大することは、それだけ多量に気体を消費することとなり、半導体デバイス等の生産コストの点で不利になりうる。
本発明に係る第2実施形態について説明する。本実施形態では、第2供給部8の変形例について説明する。なお、本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で特に言及されない限り、露光装置100の構成および処理は第1実施形態と同様である。
本発明に係る第3実施形態について説明する。本実施形態では、第2供給部8の変形例について説明する。なお、本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で特に言及されない限り、露光装置100の構成および処理は第1実施形態と同様である。また、本実施形態は、第2実施形態の構成を引き継ぐこともできる。
本発明に係る第4実施形態について説明する。本実施形態では、第2供給部8の変形例について説明する。なお、本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で特に言及されない限り、露光装置100の構成および処理は第1実施形態と同様である。また、本実施形態は、第2実施形態の構成を引き継ぐこともできる。
本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態では、第2供給部8の変形例について説明する。なお、本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で特に言及されない限り、露光装置100の構成および処理は第1実施形態と同様である。また、本実施形態は、第2実施形態の構成を引き継ぐこともできる。
本発明に係る第6実施形態について説明する。本実施形態では、第2供給部8の変形例について説明する。なお、本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で特に言及されない限り、露光装置100の構成および処理は第1実施形態と同様である。また、本実施形態は、第2実施形態やその他の実施形態の構成を引き継ぐこともできる。
本発明に係る第7実施形態について説明する。本実施形態では、第2供給部8の配置例について説明する。なお、本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で特に言及されない限り、露光装置100の構成および処理は第1実施形態と同様である。また、本実施形態は、上述したその他の実施形態の構成を引き継ぐこともできる。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像(加工)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (30)
- 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を露光するための光を照射する光学系と、
第1開口と第2開口とを有する案内部材と、
前記第1開口と前記第2開口との間に配置され、前記第1開口に向けて第1気体を吹き出す吹出口と、
を備え、
前記案内部材は、前記吹出口から吹き出される前記第1気体と前記第2開口から取り込まれる第2気体とを含む気体を、前記第1開口から、前記光学系からの前記光が通過する光路空間に供給することを特徴とする露光装置。 - 前記第2開口は、前記第1開口よりも前記光路空間から離れた位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記吹出口は、前記案内部材の内部に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記吹出口から吹き出される前記第1気体の流速は、前記第2開口から取り込まれる前記第2気体の流速より大きいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第2開口から取り込まれる前記第2気体を供給する第1供給部と、
前記吹出口から吹き出される前記第1気体を供給する第2供給部と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記第2供給部は、前記吹出口から吹き出される前記第1気体の温度を調整する温度調整部を含む、ことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
- 前記第2供給部は、前記吹出口から吹き出される前記第1気体の湿度を調整する湿度調整部を含む、ことを特徴とする請求項5又は6に記載の露光装置。
- 前記第1供給部は、第1気体供給源からの気体を前記光学系が配置されるチャンバ内に供給し、
前記第2供給部は、前記第1気体供給源とは異なる第2気体供給源からの気体を前記光路空間に供給する、ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記案内部材は、前記吹出口よりも前記光学系からの前記光が照射される第1方向側に配置され、前記吹出口から前記第1気体が吹き出される第2方向に延設されたプレート部材を含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記プレート部材は、第1端部とその反対側の第2端部とを含み、
前記第1端部は前記吹出口より前記光路空間に近く、前記第2端部は前記吹出口より前記光路空間から遠い、ことを特徴とする請求項9に記載の露光装置。 - 前記プレート部材の前記第1端部は、前記光学系の前記光が照射される第1方向側に配置されている、ことを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 前記光学系は、光を透過または反射する光学要素を含み、
前記プレート部材の前記第1端部は、前記光学要素の一部の前記光が照射される第1方向側に配置されている、ことを特徴とする請求項10又は11に記載の露光装置。 - 前記吹出口は、前記案内部材の前記プレート部材と離間して配置されている、ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記案内部材は、前記プレート部材に対面するように、前記吹出口に対して前記プレート部材の反対側に延設された第2プレート部材を含み、
前記吹出口は、前記第2プレート部材に設けられている、ことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記吹出口は、前記案内部材の前記プレート部材に設けられている、ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記案内部材は、内面の一部が前記プレート部材によって規定された筒状に構成され、
前記吹出口の面積は、前記案内部材の断面積より小さい、ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の露光装置。 - 筒状に構成された前記案内部材は、前記第1開口とその反対側に配置された前記第2開口とを有し、
前記第1開口は前記吹出口より前記光路空間に近く、前記第2開口は前記吹出口より前記光路空間から遠い、ことを特徴とする請求項16に記載の露光装置。 - 前記吹出口を一端として前記案内部材の内側に配置された第1管部と、前記案内部材を貫通して前記第1管部の他端に連通する第2管部とを含む気体吹出部を備えることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記気体吹出部は、前記吹出口を複数有する、ことを特徴とする請求項18に記載の露光装置。
- 前記光路空間の気体を排出する排気部を更に含む、ことを特徴とする請求項1乃至19のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記光学系は、前記基板にパターン像を投影する投影光学系であり、
前記光路空間は、前記投影光学系と前記基板との間において前記投影光学系からの光が通過する空間である、ことを特徴とする請求項1乃至20のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記基板を保持する基板ステージを備え、
前記第1開口は、前記投影光学系と前記基板ステージとの間に配置されることを特徴とする請求項21に記載の露光装置。 - 前記光学系は、原版を照明する照明光学系であり、
前記光路空間は、前記照明光学系と前記原版との間において前記照明光学系からの光が通過する空間、および、前記原版を透過した当該光が通過する空間のうち少なくとも一方である、ことを特徴とする請求項1乃至22のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記基板を露光するために用いる原版を保持する原版ステージを備え、
前記第1開口は、前記照明光学系と前記原版ステージとの間に配置されることを特徴とする請求項23に記載の露光装置。 - 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を露光するための光を照射する光学系と、
前記光学系からの前記光が通過する光路空間に気体を供給するための第1開口と気体を取り込むための第2開口とを有する案内部材と、
前記案内部材の内部であって前記第1開口と前記第2開口との間に配置され、前記第1開口に向けて気体を吹き出す吹出口と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記第2開口は、前記第1開口よりも前記光路空間から離れた位置に配置されることを特徴とする請求項25に記載の露光装置。
- 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を露光するための光を照射する光学系と、
前記光学系からの前記光が通過する光路空間に気体を供給するための第1開口と気体を取り込むための第2開口とを有する案内部材と、
前記第1開口と前記第2開口との間に配置され、前記第1開口に向けて気体を吹き出す吹出口と、
を備え、
前記案内部材は、前記吹出口よりも前記光学系からの前記光が照射される第1方向側に配置され、前記吹出口から前記気体が吹き出される第2方向に延設されたプレート部材を含むことを特徴とする露光装置。 - 前記プレート部材は、第1端部とその反対側の第2端部とを含み、
前記第1端部は前記吹出口より前記光路空間に近く、前記第2端部は前記吹出口より前記光路空間から遠い、ことを特徴とする請求項27に記載の露光装置。 - 前記プレート部材の前記第1端部は、前記光学系の前記光が照射される第1方向側に配置されていることを特徴とする請求項28に記載の露光装置。
- 請求項1乃至29のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、を含み、
現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020113191A JP7033168B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 露光装置、および物品の製造方法 |
US17/352,648 US11487212B2 (en) | 2020-06-30 | 2021-06-21 | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
EP21180759.9A EP3933508A1 (en) | 2020-06-30 | 2021-06-22 | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
KR1020210080527A KR20220002110A (ko) | 2020-06-30 | 2021-06-22 | 노광장치 및 물품의 제조방법 |
TW112119622A TW202336828A (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-24 | 曝光裝置及製造物品的方法 |
TW110123141A TWI807352B (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-24 | 曝光裝置及製造物品的方法 |
CN202110730772.0A CN113867103A (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-30 | 曝光装置和制造物品的方法 |
JP2022025602A JP2022060430A (ja) | 2020-06-30 | 2022-02-22 | 露光装置、および物品の製造方法 |
US17/953,424 US11841624B2 (en) | 2020-06-30 | 2022-09-27 | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020113191A JP7033168B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022025602A Division JP2022060430A (ja) | 2020-06-30 | 2022-02-22 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022011815A JP2022011815A (ja) | 2022-01-17 |
JP7033168B2 true JP7033168B2 (ja) | 2022-03-09 |
Family
ID=76553570
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020113191A Active JP7033168B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 露光装置、および物品の製造方法 |
JP2022025602A Pending JP2022060430A (ja) | 2020-06-30 | 2022-02-22 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022025602A Pending JP2022060430A (ja) | 2020-06-30 | 2022-02-22 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11487212B2 (ja) |
EP (1) | EP3933508A1 (ja) |
JP (2) | JP7033168B2 (ja) |
KR (1) | KR20220002110A (ja) |
CN (1) | CN113867103A (ja) |
TW (2) | TW202336828A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH11219902A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造装置 |
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NL2006243A (en) | 2010-03-19 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
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-
2020
- 2020-06-30 JP JP2020113191A patent/JP7033168B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-21 US US17/352,648 patent/US11487212B2/en active Active
- 2021-06-22 EP EP21180759.9A patent/EP3933508A1/en active Pending
- 2021-06-22 KR KR1020210080527A patent/KR20220002110A/ko unknown
- 2021-06-24 TW TW112119622A patent/TW202336828A/zh unknown
- 2021-06-24 TW TW110123141A patent/TWI807352B/zh active
- 2021-06-30 CN CN202110730772.0A patent/CN113867103A/zh active Pending
-
2022
- 2022-02-22 JP JP2022025602A patent/JP2022060430A/ja active Pending
- 2022-09-27 US US17/953,424 patent/US11841624B2/en active Active
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JP2017191173A (ja) | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 日本精工株式会社 | 位置決め装置 |
JP2018045167A (ja) | 2016-09-16 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202336828A (zh) | 2023-09-16 |
US20230012970A1 (en) | 2023-01-19 |
TW202203299A (zh) | 2022-01-16 |
US11841624B2 (en) | 2023-12-12 |
US20210405546A1 (en) | 2021-12-30 |
KR20220002110A (ko) | 2022-01-06 |
US11487212B2 (en) | 2022-11-01 |
TWI807352B (zh) | 2023-07-01 |
CN113867103A (zh) | 2021-12-31 |
JP2022060430A (ja) | 2022-04-14 |
JP2022011815A (ja) | 2022-01-17 |
EP3933508A1 (en) | 2022-01-05 |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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