JP2008041822A - 露光装置及びデバイス製造方法、並びに環境制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、液体を介して基板上に露光光を照射して基板を露光する。露光装置は、液体のにおいを検出する検出装置を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法、並びに環境制御装置に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開２００５−２６８７４２号公報

液浸露光装置において、所望の領域以外の部分に液体がもたらされると、露光不良が発生する可能性がある。そのため、所望の領域以外の部分にもたらされる液体を検出し、露光不良の発生を抑制するための処置を講ずることが必要となる。

また、液浸露光装置のみならず、液体を用いてデバイスを製造する製造装置、例えば基板上に感光材等を含む溶液を塗布する塗布装置、あるいは露光後の基板を現像液等を用いて現像する現像装置等においても、所望の領域以外の部分に液体がもたらされると、不良デバイスが製造される可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、所望の領域以外の部分にもたらされる液体を検出し、その検出結果を用いて露光不良の発生を抑制可能な露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、不良デバイスの発生を抑制可能な環境制御装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、液体（ＬＱ）のにおいを検出する検出装置（６）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第１の態様によれば、露光不良の発生を抑制可能である。

本発明の第２の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、液体（ＬＱ）の一部が気化した気体を検出する検出装置（６）を備え、検出装置（６）の検出結果に基づいて、液体（ＬＱ）の漏れを検出する露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第２の態様によれば、露光不良の発生を抑制可能である。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、露光不良の発生を抑制可能な露光装置を用いてデバイスを製造できる。

本発明の第４の態様に従えば、液体（ＬＱ）を用いてデバイスを製造する製造装置（ＥＸ）の少なくとも一部を収容するチャンバ（１０１、１１４）と、液体（ＬＱ）のにおいを検出する検出装置（６）と、を備えた環境制御装置（ＣＨ）が提供される。

本発明の第４の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制可能である。

本発明によれば、液体のにおいを検出した結果を用いて、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、液体のにおいを検出した結果を用いて、不良デバイスの発生を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭのパターンを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３と、制御装置３に接続され、露光装置ＥＸの動作状況を報知する報知装置５とを備えている。報知装置５は、例えば液晶ディスプレイ等の表示装置、光を発する発光装置、及び音を発する発音装置等を含む。なお、ここでいう基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクＭは、基板Ｐ上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように所定の液浸空間ＬＳを形成可能なノズル部材２０を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間であり、露光光ＥＬの光路空間Ｋは、露光光ＥＬが進行する光路を含む空間である。本実施形態においては、液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱとして、デカリン（Ｃ_１０Ｈ_１８）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱのにおいを検出する検出装置６を備えている。後述するように、検出装置６は、液体ＬＱのにおいを検出することによって、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの漏れを検出する。

ノズル部材２０は、液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱを供給可能な液体供給口２１（図１には不図示）と、液体ＬＱを回収可能な液体回収口２２（図１には不図示）とを有しており、液体供給口２１を用いた液体供給動作及び液体回収口２２を用いた液体回収動作を適宜行うことによって、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、所定の液浸空間ＬＳを形成可能である。

本実施形態においては、ノズル部材２０は、基板Ｐの表面と対向するように配置され、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能であり、その基板Ｐの表面との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。また、ノズル部材２０の近傍には、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１０が配置されている。終端光学素子１０は、基板Ｐの表面と対向するように配置され、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能であり、その基板Ｐの表面との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。

本実施形態においては、ノズル部材２０は、投影光学系ＰＬの終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、液浸空間ＬＳを形成する。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、ノズル部材２０を用いて、基板Ｐの表面と、その基板Ｐの表面と対向するノズル部材２０及び終端光学素子１０との間に液浸空間ＬＳを形成する。これにより、投影光学系ＰＬの終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされる。

露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影している間、ノズル部材２０を用いて液浸空間ＬＳを形成する。露光装置ＥＸは、照明系ＩＬより射出され、マスクＭを通過した露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐ上に照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐ上に投影され、基板Ｐが露光される。

また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように、液浸空間ＬＳが形成される。すなわち、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部に液浸領域が形成される局所液浸方式が採用されている。

なお、本実施形態においては、液浸空間ＬＳが、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と、基板Ｐとの間に形成される場合について主に説明するが、液浸空間ＬＳは、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と、投影光学系ＰＬの像面側においてノズル部材２０及び終端光学素子１０と対向する位置に配置された基板Ｐ以外の物体との間にも形成可能である。例えば、液浸空間ＬＳは、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と、そのノズル部材２０及び終端光学素子１０と対向する位置に配置された基板ステージ２との間にも形成可能である。

図１に示すように、露光装置ＥＸは、第１コラム７、及び第１コラム７上に設けられた第２コラム８を含むボディ９を備えている。第１コラム７は、ベースプレート１１に防振装置１２を介して支持されている。本実施形態においては、マスクステージ１は、気体軸受により、第２コラム８の上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。投影光学系ＰＬは、第１コラム７の上面に支持されている。基板ステージ２は、第１コラム７の内側の空間７Ｈに配置されており、気体軸受により、空間７Ｈの底面（ガイド面）に対して非接触支持されている。

本実施形態においては、少なくともノズル部材２０及び終端光学素子１０は、第１コラム７の内側の空間７Ｈに収容されており、ノズル部材２０及び終端光学素子１０との間で液浸空間ＬＳを形成可能な基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２も、空間７Ｈに収容されている。液浸空間ＬＳは、第１コラム７の内側の空間７Ｈに形成される。

露光装置ＥＸは、第１コラム７内に気体を供給する給気口１４と、第１コラム７内の気体を排出する排気口１５とを備えている。給気口１４及び排気口１５のそれぞれは、第１コラム７の所定位置に形成されている。本実施形態においては、給気口１４は、第１コラム７の＋Ｙ側の壁に形成され、排気口１５は、ノズル部材２０及び終端光学素子１０を挟んで給気口１４と対向する第１コラム７の−Ｙ側の壁に形成されている。

また、露光装置ＥＸは、少なくとも第１コラム７内に、温度及び湿度が調整された清浄な気体Ｇａを供給可能な空調ユニット５０を備えている。空調ユニット５０は、給気管５０Ｐを介して給気口１４に接続されており、気体Ｇａを給気口１４を介して第１コラム７の内側の空間７Ｈに供給可能である。本実施形態においては、空間７Ｈには空気が供給される。また、第１コラム７の内側の空間７Ｈの気体は、排気口１５を介して、第１コラム７の外部に排出される。以下の説明においては、少なくともノズル部材２０及び終端光学素子１０を収容する第１コラム７の内側の空間７Ｈを適宜、局所空調室７Ｈ、と称する。

本実施形態においては、液体ＬＱのにおいを検出可能な検出装置６は、局所空調室７Ｈの気体を排出する排気口１５の近傍に配置されている。検出装置６は、液浸空間ＬＳを形成するための液体（デカリン）ＬＱに対応した特性（感度）を有している。検出装置６は、液体（デカリン）ＬＱに対して高い感度を有するセンサ素子を有しており、液浸空間ＬＳを形成するための液体（デカリン）ＬＱのにおいを良好に検出可能である。なお、センサ素子としては、酸化物半導体素子、水晶振動子等、所定の素子を用いることができる。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、オプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ、及び反射ミラー等の複数の光学素子を有しており、それら光学素子は所定の保持機構に保持され、ハウジング１６の内側に配置されている。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、あるいはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置１Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ１（ひいてはマスクＭ）の位置情報はレーザ干渉計１Ｌによって計測される。レーザ干渉計１Ｌは、マスクステージ１上に設けられた計測ミラー１Ｒを用いてマスクステージ１の位置情報を計測する。制御装置３は、レーザ干渉計１Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置１Ｄを駆動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは複数の光学素子を有しており、それら光学素子は所定の保持機構に保持され、鏡筒１７の内側に配置されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、その投影光学系ＰＬの複数の光学素子を介して、基板Ｐの表面と対向するように配置された終端光学素子１０の下面（射出面）１８より射出される。

また、露光装置ＥＸは、鏡筒１７の内側の空間に気体Ｇｐを供給する第１気体供給装置３７を備えている。第１気体供給装置３７の動作は、制御装置３に制御される。鏡筒１７の所定位置には給気口３８が形成されており、第１気体供給装置３７は、給気管３８Ｐ、及び給気口３８を介して、鏡筒１７の内側の空間に気体Ｇｐを供給可能である。鏡筒１７の内側の空間は、第１気体供給装置３７から供給される気体Ｇｐによって満たされる。本実施形態において、気体Ｇｐは不活性ガスを含む。本実施形態においては、第１気体供給装置３７は、化学的に精製され、濃度がほぼ１００％の窒素ガスを供給する。これにより、鏡筒１７の内側の空間は、濃度がほぼ１００％の窒素ガスで満たされる。なお、鏡筒１７の内側の空間を満たす気体（不活性ガス）Ｇｐはヘリウムでもよいし、窒素とヘリウムの混合ガスでもよい。

同様に、第１気体供給装置３７は、給気管３９Ｐ、及び照明系ＩＬのハウジング１６の所定位置に形成された給気口３９を介して、そのハウジング１６の内側の空間に気体Ｇｐを供給可能である。照明系ＩＬのハウジング１６の内側の空間は、第１気体供給装置３７から供給される気体Ｇｐによって満たされる。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持する基板ホルダ２Ｈを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置２Ｄの駆動により、基板ホルダ２Ｈに基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ２の基板ホルダ２Ｈは、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２（ひいては基板Ｐ）の位置情報はレーザ干渉計２Ｌによって計測される。レーザ干渉計２Ｌは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒを用いて基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、露光装置ＥＸは、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出可能な不図示のフォーカス・レベリング検出系を備えている。制御装置３は、レーザ干渉計２Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置２Ｄを駆動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。また、本実施形態においては、基板ステージ２上には凹部２Ｃが設けられており、基板ホルダ２Ｈはその凹部２Ｃに配置されている。凹部２Ｃ以外の基板ステージ２の上面２Ｆはほぼ平坦であり、その基板ステージ２の上面２Ｆと、基板ホルダ２Ｈに保持された基板Ｐの表面とはほぼ同じ高さ（面一）である。

図２は、ノズル部材２０の近傍を示す側断面図である。図２に示すように、ノズル部材２０は、液体ＬＱを供給する液体供給口２１と、液体ＬＱを回収する液体回収口２２とを有している。ノズル部材２０は、終端光学素子１０の近傍において、基板Ｐの表面（基板ステージ２の上面２Ｆ）と対向するように配置される。ノズル部材２０は、環状の部材であって、基板Ｐ（基板ステージ２）の上方において、露光光ＥＬの光路空間Ｋを囲むように配置される。ノズル部材２０は、所定の支持機構（不図示）によって、終端光学素子１０と離れるように支持される。終端光学素子１０の外周面とノズル部材２０の内側面との間には、所定のギャップが形成される。

ノズル部材２０は、終端光学素子１０の射出面１８の一部の領域と対向する上面２５を有する底板２４を有している。底板２４の中央には、露光光ＥＬが通過する開口２６が形成されている。底板２４の一部は、Ｚ軸方向に関して、終端光学素子１０の射出面１８と基板Ｐ（基板ステージ２）との間に配置されている。終端光学素子１０の射出面１８と底板２４の上面２５との間には、所定のギャップが設けられている。液体供給口２１は、終端光学素子１０の射出面１８と底板２４の上面２５との間の空間に接続されており、その空間に液体ＬＱを供給可能である。

ノズル部材２０は、基板Ｐの表面と対向する下面３０を有している。ノズル部材２０の下面３０は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを囲むように配置された第１面３１と、露光光ＥＬの光路空間Ｋに対して第１面３１の外側に配置された第２面３２と、露光光ＥＬの光路空間Ｋに対して第２面３２の外側に配置された第３面３３とを有している。第２面３２は、第１面３１を囲むように配置されている。第３面３３は、第２面３２を囲むように配置されている。

第１面３１は、基板Ｐの表面と対向する底板２４の下面を含み、露光光ＥＬが通過する開口２６を囲むように配置されている。第１面３１は、平坦な面であって、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。第１面３１は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを良好に保持可能である。

第２面３２は、液体ＬＱを回収可能な面を含む。ノズル部材２０の下面３０には、露光光ＥＬの光路空間Ｋを囲むように液体回収口２２が形成され、その液体回収口２２には多孔部材２７が配置されている。液体回収口２２は、多孔部材２７を介して液体ＬＱを回収可能であり、第２面３２は、液体回収口２２に配置された多孔部材２７の下面で形成されている。

液体供給口２１は、ノズル部材２０の内部に形成された液体供給流路２３及び液体供給管２３Ｐを介して液体供給装置３５に接続されている。液体供給装置３５の動作は、制御装置３に制御される。液体供給装置３５は、温度が調整された清浄な液体ＬＱを送出可能である。液体回収口２２は、ノズル部材２０の内部に形成された液体回収流路２８及び液体回収管２８Ｐを介して液体回収装置３６に接続されている。液体回収装置３６の動作は、制御装置３に制御される。液体回収装置３６は、真空系等を含み、液体ＬＱを回収可能である。

液浸空間ＬＳを形成するために、制御装置３は、液体供給装置３５及び液体回収装置３６のそれぞれを駆動し、液体供給口２１を用いた液体供給動作、及び液体回収口２２を用いた液体回収動作のそれぞれを実行する。液体供給装置３５から送出された液体ＬＱは、液体供給管２３Ｐ及びノズル部材２０の液体供給流路２３を流れた後、液体供給口２１より、終端光学素子１０の射出面１８と底板２４の上面２５との間の空間に供給され、開口２６を介して、ノズル部材２０の下面３０と基板Ｐ（基板ステージ２）との間の空間に流入し、露光光ＥＬの光路空間Ｋを満たすように、液浸空間ＬＳを形成する。ノズル部材２０の下面３０と基板Ｐ（基板ステージ２）との間の空間の液体ＬＱは、ノズル部材２０の液体回収口２２を含む第２面３２を介して液体回収流路２８に流入し、その液体回収流路２８及び液体回収管２８Ｐを流れた後、液体回収装置３６に回収される。

制御装置３は、単位時間当たり所定量の液体ＬＱを液体供給口２１より供給するとともに単位時間当たり所定量の液体ＬＱを液体回収口２２より回収することで、所定の液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態においては、制御装置３は、終端光学素子１０の射出面１８と基板Ｐの表面との間、及びノズル部材２０の第１面３１及び第２面３２の一部と基板Ｐの表面との間に液浸空間ＬＳが形成されるように、ノズル部材２０の液体供給口２１を用いた液体供給動作、及び液体回収口２２を用いた液体回収動作のそれぞれを制御する。すなわち、本実施形態においては、制御装置３は、液浸空間ＬＳが第２面３２の外側に形成されないように、換言すれば、液浸空間ＬＳが第３面３３と基板Ｐの表面との間に形成されないように、ノズル部材２０の液体供給口２１を用いた液体供給動作、及び液体回収口２２を用いた液体回収動作のそれぞれを制御する。

露光装置ＥＸは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込めるためのシール機構４０を備えている。本実施形態においては、シール機構４０の少なくとも一部は、液浸空間ＬＳの外側（第２面３２の外側）に形成される。本実施形態においては、シール機構４０の少なくとも一部は、ノズル部材２０の下面３０の第３面３３に形成される。シール機構４０は、液浸空間ＬＳの周囲の少なくとも一部に気体Ｇｃを供給して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込める。

シール機構４０は、ノズル部材２０の下面３０の第３面３３に形成され、液浸空間ＬＳの周囲の少なくとも一部に気体Ｇｃを供給する気体供給口４１と、液浸空間ＬＳの周囲の気体Ｇｃ’を回収（排気）する気体回収口４２とを備えている。本実施形態においては、気体回収口４２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ（液浸空間ＬＳ）に対して、気体供給口４１の外側に配置されている。気体供給口４１は、第３面３３において、第２面３２を囲むように形成されている。気体回収口４２は、第３面３３において、気体供給口４１を囲むように形成されている。本実施形態においては、気体供給口４１は、所定の幅を有するスリット状であり、第３面３３において環状に形成されている。気体回収口４２も、所定の幅を有するスリット状であり、第３面３３において環状に形成されている。

気体供給口４１は、ノズル部材２０の内部に形成された気体供給流路４３及び気体供給管４３Ｐを介して第２気体供給装置４５に接続されている。第２気体供給装置４５の動作は、制御装置３に制御される。第２気体供給装置４５は、温度が調整された清浄な気体Ｇｃを送出可能である。気体回収口４２は、ノズル部材２０の内部に形成された気体回収流路４４及び気体回収管４４Ｐを介して気体回収装置４６に接続されている。気体回収装置４６の動作は、制御装置３に制御される。気体回収装置４６は、真空系等を含み、気体を回収可能（排気可能）である。

制御装置３は、少なくとも液浸空間ＬＳが形成されている間、第２気体供給装置４５及び気体回収装置４６のそれぞれを駆動し、気体供給口４１を用いた気体供給動作、及び気体回収口４２を用いた気体回収動作（排気動作）のそれぞれを実行する。第２気体供給装置４５から送出された気体Ｇｃは、気体供給管４３Ｐ及びノズル部材２０の気体供給流路４３を流れた後、気体供給口４１より、液浸空間ＬＳの周囲に供給される。また、液浸空間ＬＳの周囲の気体Ｇｃ’は、ノズル部材２０の気体回収口４２を介して気体回収流路４４に流入し、その気体回収流路４４及び気体回収管４４Ｐを流れた後、気体回収装置４６に回収される。

本実施形態において、気体供給口４１から供給される気体Ｇｃは不活性ガスを含む。本実施形態においては、第２気体供給装置４５は、化学的に精製され、濃度がほぼ１００％の窒素ガスを供給する。なお、気体供給口４１から供給される気体（不活性ガス）Ｇｃはヘリウムでもよいし、窒素とヘリウムの混合ガスでもよい。

シール機構４０の気体供給口４１及び気体回収口４２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋに対して液浸空間ＬＳの外側（第２面３２の外側）に設けられており、シール機構４０は、気体供給口４１を用いた気体供給動作、及び気体回収口４２を用いた気体回収動作を行うことによって、ノズル部材２０の下面３０（第３面３３）と基板Ｐの表面との間における液浸空間ＬＳの周囲の気体空間において、気体供給口４１から気体回収口４２に向かう気体の流れを生成可能である。シール機構４０は、液浸空間ＬＳの周囲において気体供給口４１から基板Ｐの表面に向かって供給した気体によって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込める。

液浸空間ＬＳの周囲の気体空間は、給気口１４から局所空調室７Ｈに供給された気体Ｇａ、気体供給口４１から供給された気体Ｇｃ、及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が気化することによって生成された気体を含む。シール機構４０は、気体回収口４２を用いた気体回収動作を行うことによって、給気口１４から供給された気体Ｇａ、気体供給口４１から供給された気体Ｇｃ、及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が気化することによって生成された気体を含む気体Ｇｃ’を回収（排気）することができる。以下の説明においては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が気化することによって生成された気体を適宜、液体ＬＱのにおい成分、と称する。

図２に示すように、本実施形態においては、終端光学素子１０のうち、マスクＭ（投影光学系ＰＬの物体面）からの露光光ＥＬが入射する上面（入射面）１９は、マスクＭ側に向かって膨らむ凸状の曲面である。終端光学素子１０の入射面１９側（投影光学系ＰＬの物体面側）の空間は、第１気体供給装置３７から給気口３８を介して供給された気体Ｇｐで満たされた鏡筒１７の内側の空間３４であり、終端光学素子１０の入射面１９は、その気体Ｇｐと接触する。終端光学素子１０の射出面１８は、ＸＹ平面（投影光学系ＰＬの像面）とほぼ平行な平面であり、基板Ｐの表面と対向するように配置される。終端光学素子１０の射出面１８側（投影光学系ＰＬの像面側）の空間は、液体ＬＱで満たされた液浸空間ＬＳであり、終端光学素子１０の射出面１８は、液体ＬＱと接触する。

次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターンの像を基板Ｐに露光する方法について説明する。基板ステージ２に基板Ｐが保持された後、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と基板Ｐ（基板ステージ２）とを対向させた状態で、制御装置３は、液体供給口２１を用いた液体供給動作、及び液体回収口２２を用いた液体回収動作のそれぞれを実行し、所定の液浸空間ＬＳを形成する。また、制御装置３は、気体供給口４１を用いた気体供給動作、及び気体回収口４２を用いた気体回収動作のそれぞれを実行し、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込めるように、液浸空間ＬＳの周囲に気体の流れを生成する。そして、制御装置３は、照明系ＩＬより射出した露光光ＥＬでマスクＭを照明し、マスクＭのパターンの像を投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐ上に投影する。本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置３は、基板ＰをＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、マスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射することによって、基板Ｐを露光する。

図３は、液浸空間ＬＳが形成されるとともに、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱがシール機構４０によって封じ込められている状態を示す模式図である。単位時間当たり所定量の液体ＬＱが液体供給口２１より供給されるとともに、単位時間当たり所定量の液体ＬＱが液体回収口２２より回収されることによって、液浸空間ＬＳは、第３面３３よりも内側（第２面３２の外側のエッジよりも内側）において、所定の大きさに形成される。また、シール機構４０によって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが封じ込められている。これにより、液浸空間ＬＳに対して基板Ｐを移動しつつ露光する場合においても、シール機構４０の外側への液体ＬＱの漏れが抑制されている。すなわち、シール機構４０の気体供給口４１から供給された気体Ｇｃによって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、少なくともその供給された気体Ｇｃの内側の空間に封じ込められ、その気体供給口４１からの気体Ｇｃの外側への液体ＬＱの漏れが抑制されている。本実施形態においては、気体供給口４１は、基板Ｐの表面に向けて気体Ｇｃを供給しており、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、少なくとも気体供給口４１より内側の空間に封じ込められる。

また、気体回収口４２は、液浸空間ＬＳの周囲の気体空間の気体Ｇｃ’を回収（排気）する。液浸空間ＬＳの周囲の気体空間には、液体ＬＱのにおい成分が含まれているが、液浸空間ＬＳの液体ＬＱがシール機構４０の内側に封じ込められている状態、すなわち、シール機構４０の外側に液体ＬＱが漏れていない状態においては、気体回収口４２は、液体ＬＱのにおい成分をほぼ全て回収（排気）することができる。

局所空調室７Ｈにおいては、給気口１４から排気口１５に向かう気体の流れが生成されているが、液体ＬＱが漏れていない状態においては、排気口１５から排出される気体Ｇａ’に含まれる液体ＬＱのにおい成分の量（液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が気化することによって生成された気体の割合）は、ほぼ無い、あるいは極僅かである。すなわち、シール機構４０の外側に液体ＬＱが漏れていない状態においては、局所空調室７Ｈから排気口１５を介して排出される気体Ｇａ’の純度は、給気口１４から局所空調室７Ｈに供給される気体Ｇａの純度とほぼ同じである。この場合、排気口１５の近傍に配置されている検出装置６には、液体ＬＱのにおい成分はほぼ到達せず、検出装置６は、液体ＬＱのにおいを検出しない。

図４は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部がシール機構４０の外側へ漏れた状態を示す模式図である。図４に示すように、何らかの原因によって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が、シール機構４０の外側（気体供給口４１からの気体Ｇｃの外側）へ漏れる可能性がある。例えば、基板Ｐの移動条件（液浸空間ＬＳに対する基板Ｐの移動速度、加速度、移動方向、移動距離等）、基板Ｐの表面条件（基板Ｐの表面を形成する膜の特性、液体ＬＱに対する基板Ｐの接触角等）などによって、液体ＬＱがシール機構４０の外側に漏れる可能性がある。シール機構４０の外側に液体ＬＱが漏れた状態においては、液体ＬＱのにおい成分は、気体回収口４２によって十分に回収（排気）されない。局所空調室７Ｈにおいては、給気口１４から排気口１５に向かう気体の流れが生成されており、液体ＬＱが漏れた状態においては、排気口１５から排出される気体Ｇａ’に含まれる液体ＬＱのにおい成分の量は、多くなる。すなわち、シール機構４０の外側に液体ＬＱが漏れた状態においては、局所空調室７Ｈから排気口１５を介して排出される気体Ｇａ’の純度は、給気口１４から局所空調室７Ｈに供給される気体Ｇａの純度に対して低下する。この場合、排気口１５の近傍に配置されている検出装置６には、液体ＬＱのにおい成分が到達し、検出装置６は、液体ＬＱのにおいを検出する。

このように、本実施形態においては、検出装置６は、液体ＬＱのにおいを検出することによって、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの漏れを検出することができる。検出装置６の検出結果は制御装置３に出力される。制御装置３は、検出装置６の検出結果に基づいて、液体ＬＱが漏れたと判断したとき、例えば露光装置ＥＸの動作を停止する等、所定の処置を講ずることができる。また、制御装置３は、検出装置６の検出結果に応じて、報知装置５を用いて警報を発することができる。すなわち、制御装置３は、検出装置６の検出結果に基づいて、液体ＬＱが漏れたと判断したとき、例えば、報知装置５の表示装置を用いて、液体ＬＱが漏れた旨を表示したり、発光装置より光を発したり、あるいは発音装置より音を発することによって、液体ＬＱが漏れた旨をオペレータ等に知らせることができる。また、オペレータは、報知装置５の報知に基づいて、例えば露光装置ＥＸの動作を停止したり、メンテナンスを実行したりする等、所定の処置を講ずることができる。

以上説明したように、液体ＬＱのにおいを検出可能な検出装置６を設けたので、液体ＬＱのにおいを検出することによって、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの漏れを検出することができる。液体ＬＱが漏れた場合、露光装置ＥＸが置かれている環境が変動し、露光不良が発生したり、不良デバイスが製造される可能性が高くなる。例えば、漏れた液体ＬＱが気化すると、その気化熱によって温度が変化する可能性がある。温度が変化すると、露光装置ＥＸを構成する各種部材、機器が熱変形したり、各種計測機器の計測精度が劣化する等の不具合が生じる可能性がある。また、漏れた液体ＬＱによって湿度が変化した場合においても、計測機器の計測精度が劣化する等の不具合が生じる可能性がある。これら不具合が生じると、露光不良が発生したり、不良デバイスが製造される可能性が高くなる。また、液体ＬＱが漏れた状態を放置しておくと、露光不良が発生する可能性のある環境下（露光に適していない環境下）で基板Ｐを露光し続けてしまい、デバイスの生産性が低下する可能性もある。

本実施形態においては、液体ＬＱのにおいを検出する検出装置６の検出結果に基づいて、液体ＬＱが漏れたかどうかを判断できるので、液体ＬＱが漏れた場合には、例えば露光装置ＥＸの動作を停止したり、メンテナンスを実行したり、報知装置５で液体ＬＱが漏れた旨を報知する等、適切な処置を実行することができる。したがって、露光に適していない環境下で基板Ｐが露光されることを抑制することができ、露光不良の発生、不良デバイスの発生等を抑制することができる。また本実施形態においては、液体ＬＱのにおいを検出する検出装置６を所定位置に配置するといった簡易な構成で、液体ＬＱの漏れを検出することができ、装置の複雑化、高コスト化を抑制することができる。また、本実施形態においては、検出装置６は、液浸空間ＬＳが形成される局所空調室７Ｈにおける気体の流れの下流側である排気口１５近傍に配置されるので、液体ＬＱのにおいを良好に検出することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図５は、第２実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。図５に示すように、本実施形態においては、検出装置６は、シール機構４０の外側におけるノズル部材２０の近傍に配置されている。シール機構４０の外側に液体ＬＱが漏れていない状態と漏れた状態とでは、そのノズル部材２０の近傍に配置された検出装置６にもたらされる液体ＬＱのにおい成分の量が異なる。したがって、制御装置３は、ノズル部材２０の近傍に配置された検出装置６の検出結果に基づいて、液体ＬＱが漏れたかどうかを判断することができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図６は、第３実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。図６において、露光装置ＥＸは、少なくともノズル部材２０及び終端光学素子１０を収容する局所空調室７Ｈと、局所空調室７Ｈに気体Ｇａを供給する給気口１４と、局所空調室７Ｈの気体を排出する排気口１５と、排気口１５から排出された気体Ｇａ’を給気口１４に送る流路５３とを備えている。以下の説明においては、排気口１５から排出された気体の少なくとも一部を給気口１４に送る流路５３を適宜、リターンダクト５３、と称する。

本実施形態においては、露光装置ＥＸは、排気口１５から排出された気体の少なくとも一部を、局所空調室７Ｈ及びリターンダクト５３を含む流路内で局所的に循環させる。本実施形態においては、リターンダクト５３の一部に、気体の状態（温度、湿度、及び清浄度を含む）を調整可能な局所空調ユニット５１が配置されている。また、局所空調ユニット５１は、ファンモータ等、気体の流れを生成可能な気流生成装置を備えており、リターンダクト５３において排気口１５から給気口１４に向かう気体の流れを生成可能である。局所空調室７Ｈから排気口１５を介してリターンダクト５３に排出された気体は、局所空調ユニット５１に供給される。局所空調ユニット５１は、排気口１５から送られた気体の状態を調整した後、給気口１４に送る。局所空調室７Ｈには、局所空調ユニット５１から、温度及び湿度が調整された清浄な気体（空気）が供給される。

そして、本実施形態においては、検出装置６は、リターンダクト５３の所定位置に配置されている。具体的には、検出装置６は、排気口１５と局所空調ユニット５１との間のリターンダクト５３の所定位置に配置されている。シール機構４０の外側に液体ＬＱが漏れていない状態と漏れた状態とでは、リターンダクト５３に配置された検出装置６にもたらされる液体ＬＱのにおい成分の量が異なる。したがって、制御装置３は、リターンダクト５３に配置された検出装置６の検出結果に基づいて、液体ＬＱが漏れたかどうかを判断することができる。

また本実施形態においては、露光装置ＥＸは、ボディ９、ベースプレート１１、照明系ＩＬ、マスクステージ１、投影光学系ＰＬ、及び基板ステージ２を収容可能なチャンバ６０と、外部空間から気体（空気）を取り込み、その取り込んだ気体の状態（温度、湿度、及び清浄度を含む）を調整するとともに、その調整した気体をチャンバ６０に供給する空調ユニット５２とを備えている。チャンバ６０の＋Ｚ側の壁には給気口６１が形成されており、空調ユニット５２は、調整した気体を給気口６１を介してチャンバ６０内に供給可能である。以下の説明においては、チャンバ６０の内側の空間６０Ｈを適宜、第１空調室６０Ｈ、と称する。局所空調室７Ｈは、第１露光室６０Ｈの内側に配置されている。

チャンバ６０の所定位置には、第１空調室６０Ｈの少なくとも一部の気体をリターンダクト５３に排出する排気口６４が配置されている。リターンダクト５３には、排気口１５を介して局所空調室７Ｈの気体が流入するとともに、排気口６４を介して第１空調室６０Ｈの気体が流入する。したがって、本実施形態においては、局所空調室７Ｈから排気口１５を介して排出された気体の少なくとも一部、及び空調ユニット５２によって外部空間から取り込まれ、第１空調室６０Ｈから排気口６４を介して排出された気体の少なくとも一部が、局所空調室７Ｈ及びリターンダクト５３を含む流路内で局所的に循環する。局所空調室７Ｈ及びリターンダクト５３を含む流路内で循環する気体は、空調ユニット５２によって第１空調室６０Ｈに供給された気体を、局所空調ユニット５１によってさらに調整したものであり、清浄度が高く、温度及び湿度も安定している。なお本実施形態においては、局所空調ユニット５１からの気体は、局所空調室７Ｈに接続された給気口１４に加えて、マスクステージ１の近傍に配置された給気口１３Ｍ、及び基板ステージ２の近傍に配置された給気口１３Ｐのそれぞれにも供給される。

また、露光装置ＥＸは、チャンバ６０内の気体を外部に排出する排気口６２、６３を備えている。排気口６２は、チャンバ６０の−Ｚ側の壁に形成されている。排気口６３は、リターンダクト５３の所定位置に形成されている。チャンバ６０内の第１空調室６０Ｈの気体は、排気口６２を介してチャンバ６０の外部に排出可能であるとともに、排気口６４を介してリターンダクト５３に排出された後、リターンダクト５３に形成された排気口６３を介してチャンバ６０の外部に排出可能である。

排気口６２、６３には、その排気口６２、６３を介して排出される気体の量（単位時間当たりの排気量）を調整可能な調整機構７０が配置されている。図７は、排気口６２に配置された調整機構７０を示す図である。図７において、調整機構７０は、複数のスリット状の開口７１Ｋが形成された第１板状部材７１と、複数のスリット状の開口７２Ｋが形成された第２板状部材７２とを備えている。第１板状部材７１は、第２板状部材７２に対して、図中、少なくともＹ軸方向に移動可能である。第２板状部材７２に対する第１板状部材７１の位置が変化することによって、開口７１Ｋと開口７２Ｋとの重複領域によって形成される排気口６２の大きさが変化する。制御装置３は、不図示の駆動装置を介して、第１板状部材７１を移動することによって、排気口６２の大きさ、ひいては排気口６２を介して排出される気体の量（単位時間当たりの排気量）を調整可能である。また、排気口６３にも、調整機構７０が配置されており、制御装置３は、排気口６３に配置された調整機構７０を用いて、排気口６３を介して排出される気体の量（単位時間当たりの排気量）を調整可能である。

本実施形態においては、制御装置３は、例えばリターンダクト５３に形成されている排気口６３の調整機構７０を用いて、局所空調室７Ｈの排気口１５から排出され、リターンダクト５３を介して給気口１４に送られる気体の量を調整可能である。例えば、給気口１４に送られる気体の量を多くする場合には、制御装置３は、調整機構７０を用いて排気口６３を小さくし、給気口１４に送られる気体の量を少なくする場合には、排気口６３を大きくする。なお、制御装置３は、給気口１４に送られる気体の量を多くする場合、局所空調ユニット５１の気流生成装置（ファンモータ）の出力（駆動力）を上昇させ、給気口１４に送られる気体の量を少なくする場合、低下させるようにしてもよい。

本実施形態においては、制御装置３は、リターンダクト５３に配置された検出装置６の検出結果に応じて、排気口１５から排出され、リターンダクト５３を介して給気口１４に送られる気体の量を調整する。例えば、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出していないときには、制御装置３は、調整機構７０を用いて排気口６３を小さくし、排気口１５から排出され、リターンダクト５３を介して給気口１４に送られる気体の単位時間当たりの量を所定値に設定した状態で、基板Ｐを露光する。

一方、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出したときには、制御装置３は、調整機構７０を用いて排気口６３を大きくし、排気口１５から排出され、リターンダクト５３を介して給気口１４に送られる気体の少なくする、又はほぼゼロにする。あるいは、制御装置３は、局所空調ユニット５１の気流生成装置（ファンモータ）の出力（駆動力）を低下させる、又は気流生成装置（ファンモータ）の駆動を停止する。なお、排気口１５からリターンダクト５３を介して給気口１４に気体が送られるのを抑制するためのシャッタ部材等をリターンダクト５３の所定位置に配置するようにしてもよい。

例えば液体ＬＱが漏れた場合、液体ＬＱの一部が気化することによって生成された気体（本実施形態においてはデカリンを含む気体）が、局所空調室７Ｈから排気口１５を介してリターンダクト５３に流入し、局所空調ユニット５１にもたらされる可能性がある。その状態を放置しておくと、例えば空調ユニット５１が劣化する可能性がある。また、デカリンを含む気体が、局所空調室７Ｈから排気口１５を介してリターンダクト５３に流入した状態を放置しておくと、デカリンを含む気体が局所空調室７Ｈに戻ったり、デカリンを含む気体が局所空調室７Ｈ及びリターンダクト５３を含む流路内で循環し続けたりする不具合が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、検出装置６が液体ＬＱのにおい（液体ＬＱの漏れ）を検出した場合、制御装置３は、その検出装置６の検出結果に応じて、排気口１５から排気され、リターンダクト５３を介して給気口１４に送られる気体の量を少なくする、又はほぼゼロにする。これにより、デカリンを含む気体が局所空調ユニット５１にもたらされたり、デカリンを含む気体が局所空調室７Ｈに戻されたり、デカリンを含む気体が局所空調室７Ｈ及びリターンダクト５３を含む流路内で循環し続けたりする不具合の発生を抑制することができる。

また、液体ＬＱが漏れた状態においては、局所空調室７Ｈを含む第１露光室６０Ｈ及びリターンダクト５３等に、デカリンを含む気体（純度が低い気体）が多く存在することとなる。そこで、制御装置３は、検出装置６の検出結果に応じて、液体ＬＱが漏れたと判断した場合、調整機構７０を用いて排気口６２、６３を大きくする。これにより、排気口１５から排出され、リターンダクト５３を介して給気口１４に送られる気体の量が低減されるとともに、チャンバ６０内の気体（純度が低い気体）が外部に素早く排出される。また、制御装置３は、空調ユニット５２を用いて、外部空間から取り込んだ気体を調整した後、その調整した気体を局所空調室７Ｈを含む第１空調室６０Ｈに供給する。これにより、局所空調室７Ｈを含む第１露光室６０Ｈ及びリターンダクト５３等には、温度及び湿度が調整された清浄な気体が満たされ、露光装置ＥＸは、露光に適した環境下で基板Ｐを露光することができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、制御装置３は、検出装置６の検出結果に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触した物体上における液体ＬＱの残留を検出する点にある。図８は、第４実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。図８において、露光装置ＥＸは、基板ステージ２に対して基板Ｐを搬入（ロード）するとともに、基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する基板搬送システム８０を備えている。

基板ステージ２は、ノズル部材２０及び終端光学素子１０との間で液浸空間ＬＳを形成可能な露光位置（投影光学系ＰＬの直下の位置）ＰＪ１と、基板搬送システム８０との間で基板Ｐを交換可能な基板交換位置（ローディングポジション）ＰＪ２との間で移動可能である。基板搬送システム８０は、基板交換位置ＰＪ２と、露光位置ＰＪ１及び基板交換位置ＰＪ２とは離れた所定位置ＰＪ３との間で基板Ｐを移動可能（搬送可能）である。本実施形態においては、所定位置ＰＪ３には、基板Ｐを収容可能な基板収容装置（キャリア）８１が配置されている。本実施形態においては、検出装置６は、露光位置ＰＪ１と所定位置ＰＪ３との間の基板Ｐの搬送経路上（移動経路上）に配置されている。本実施形態においては、検出装置６は、基板搬送システム８０の搬送経路上に配置されている。

制御装置３は、ノズル部材２０を用いて、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と露光位置ＰＪ１に配置された基板ステージ２上の基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成し、露光位置ＰＪ１において、基板ステージ２上の基板Ｐを露光する。基板Ｐは、液体ＬＱと接触した状態で露光される。基板Ｐの露光が終了すると、制御装置３は、例えばノズル部材２０の液体回収口２２を用いて基板Ｐ上から液体ＬＱを除去する動作を実行する。そして、制御装置３は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２を基板交換位置ＰＪ２に移動する。そして、制御装置３は、基板交換位置ＰＪ２に移動した基板ステージ２上から、露光後の基板Ｐを基板搬送システム８０を用いてアンロードする。基板搬送システム８０は、基板ステージ２からアンロードした基板Ｐを基板収容装置８１に搬送する。

基板搬送システム８０の搬送経路上には検出装置６が配置されており、制御装置３は、例えば基板搬送システム８０で基板Ｐを保持した状態で、検出装置６を用いた検出動作を実行する。露光後の基板Ｐ上に液体ＬＱが残留していない場合、検出装置６は液体ＬＱのにおいを検出しない。一方、露光後の基板Ｐ上に液体ＬＱが残留している場合、検出装置６は液体ＬＱのにおいを検出する。このように、検出装置６は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触した基板Ｐ上における液体ＬＱの残留を検出することができる。検出装置６の検出結果は制御装置３に出力される。制御装置３は、検出装置６の検出結果に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触した基板Ｐ上に液体ＬＱが残留しているかどうかを判断することができる。

基板Ｐ上に液体ＬＱが残留している状態を放置しておくと、例えば基板Ｐの表面を形成する膜が変質したり、基板Ｐ上に液体ＬＱの付着跡が形成されたりする可能性がある。このような状態で、例えば現像処理など、露光後に行われる所定の処理を実行した場合、基板Ｐ上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、不良デバイスが製造されてしまう可能性がある。また、基板Ｐ上に残留した液体ＬＱが、現像装置等、露光後の各種プロセス処理を実行する装置に影響を与え、不良デバイスが製造されてしまう可能性もある。また、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留した状態を放置しておくと、その残留した液体ＬＱが気化し、その気化熱によって基板Ｐが熱変形したり、あるいは、露光装置ＥＸが置かれている環境が変動したりして、不良デバイスが発生する可能性がある。

本実施形態においては、液体ＬＱのにおいを検出可能な検出装置６の検出結果に基づいて、液体ＬＱが残留しているかどうかを判断できるので、液体ＬＱが残留している場合には、例えば液体ＬＱが残留している基板Ｐをデバイス製造工程から除外したり、あるいは報知装置５で液体ＬＱが残留している旨を報知して、オペレータに適切な処置の実行を促す等、デバイスの生産性の低下を抑制するための処置を講ずることができる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。図９は、第５実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。図９に示すように、検出装置６は、基板Ｐを収容可能な基板収容装置８１に配置されてもよい。露光後の基板Ｐが収容される基板収容装置８１に検出装置６を配置することによって、その検出装置６を用いて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに接触した基板Ｐ上における液体ＬＱの残留を検出することができる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。第６実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸが、例えば特開２００５−１０１４８７号公報に開示されているような、液浸露光後の基板Ｐ上に残留する液体ＬＱを除去可能な液体除去装置８４を備えている点にある。図１０は、液体除去装置８４の一例を示す模式図である。液体除去装置８４は、基板搬送システム８０の搬送経路の途中に配置されている。液体除去装置８４は、チャンバ８５と、チャンバ８５内に配置され、基板Ｐの表面及び裏面のそれぞれに気体（例えばドライエア）を吹き付ける気体ノズル８６、８６とを備えている。チャンバ８５の所定位置には開口８７、８８が形成されており、開口８７、８８のそれぞれには扉８７Ａ、８８Ａが設けられている。基板搬送システム８０の第１アーム８０Ａは、露光後の基板Ｐを開口８７を介してチャンバ８５の内側に搬入可能であり、第２アーム８０Ｂは、液体除去装置８４で処理された基板Ｐを開口８８を介してチャンバ８５の内側から搬出可能である。制御装置３は、チャンバ８５の内側に基板Ｐを配置した状態で、気体ノズル８６、８６から気体を吹き出し、その気体ノズル８６、８６から吹き出した気体の力によって、基板Ｐ上に残留した液体ＬＱを除去可能である。また、少なくとも気体ノズル８６、８６から気体を吹き出している間においては、扉８７Ａ、８８Ａによって開口８７、８８が閉じられ、チャンバ８５内部が密閉される。また、チャンバ８５には、流路８９Ａを介して液体吸引装置８９が接続されている。基板Ｐから吹き飛ばされた液体ＬＱは、チャンバ８５に接続されている液体吸引装置８９によって回収される。

本実施形態においては、検出装置６は、チャンバ８５の内側に配置されている。制御装置３は、液体除去装置８４の気体ノズル８６、８６を用いた液体ＬＱの除去動作中及び除去動作後の少なくとも一方において、検出装置６による検出動作を実行する。例えば、制御装置３は、液体除去装置８４の気体ノズル８６、８６による液体ＬＱの除去動作中において、検出装置６による検出動作を実行する。そして、制御装置３は、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなるまで、液体除去装置８４による液体ＬＱの除去動作を実行する。そして、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなるのを確認した後、制御装置３は、基板搬送システム８０の第２アーム８０Ｂを用いて、液体ＬＱが除去された基板Ｐをチャンバ８５の内側から搬出し、基板収容装置８１等に搬送する。また、制御装置３は、液体除去装置８４の気体ノズル８６、８６による液体ＬＱの除去動作を所定時間実行した後、検出装置６による検出動作を実行することもできる。そして、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなったことを確認した後、制御装置３は、基板搬送システム８０の第２アーム８０Ｂを用いて、液体ＬＱが除去された基板Ｐをチャンバ８５の内側から搬出し、基板収容装置８１等に搬送する。こうすることにより、基板Ｐ上より液体ＬＱを確実に除去した後、その後のプロセス処理に移行することができる。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。第７実施形態の特徴的な部分は、検出装置６は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触したノズル部材２０及び終端光学素子１０の少なくとも一方における液体ＬＱの残留を検出する点にある。例えば、液体ＬＱを用いない処理を実行したり、露光装置ＥＸのメンテナンスを実行したりする場合等において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを全て取り去る必要が生じる可能性がある。その場合、例えばノズル部材２０（あるいは終端光学素子１０）に液体ＬＱが残留すると、その残留した液体ＬＱが気化することによって気化熱が生じ、ノズル部材２０（あるいは終端光学素子１０）が熱変形したり、液体ＬＱの付着跡が形成される不具合が生じる可能性がある。そこで、本実施形態においては、検出装置６を用いて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触したノズル部材２０及び終端光学素子１０の少なくとも一方における液体ＬＱの残留を検出する。

図１１は、第７実施形態に係る露光装置ＥＸを示す模式図である。本実施形態においては、検出装置６は、ノズル部材２０の近傍に配置されている。ノズル部材２０を用いて、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と基板ステージ２上の基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で基板Ｐを露光した後、例えば液体ＬＱを用いない処理を実行するために、制御装置３は、ノズル部材２０の液体回収口２２を用いて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを全て取り去る動作を実行する。そして、制御装置３は、検出装置６を用いた検出動作を実行する。検出装置６の検出結果は制御装置３に出力される。制御装置３は、検出装置６の検出結果に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触したノズル部材２０及び終端光学素子１０に液体ＬＱが残留しているかどうかを判断することができる。そして、液体ＬＱが残留していると判断した場合には、メンテナンスを実行したり、報知装置５で液体ＬＱが残留している旨を報知する等の処置を講ずることができる。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。第８実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸが、例えば特開２００５−２７７３６３号公報に開示されているような、ノズル部材２０及び終端光学素子１０に残留する液体ＬＱを除去可能な液体除去装置９０を備えている点にある。図１２は、液体除去装置９０の一例を示す模式図である。本実施形態においては、液体除去装置９０の少なくとも一部は、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と対向可能な基板ステージ２に配置されている。液体除去装置９０は、基板ステージ２上に形成された溝２Ｔの内側に配置され、気体を吹き出す吹出口９１と、液体ＬＱを回収可能な回収口９２とを備えている。制御装置３は、吹出口９１とノズル部材２０の下面３０及び終端光学素子１０の下面１８の少なくとも一方とを対向させた状態で、吹出口９１から気体を吹き出し、その吹き出した気体の力によって、ノズル部材２０及び終端光学素子１０に残留した液体ＬＱを除去可能である。また、ノズル部材２０及び終端光学素子１０の少なくとも一方から吹き飛ばされた液体ＬＱは、回収口９２によって回収される。

また、本実施形態においても、制御装置３は、液体除去装置９０による液体ＬＱの除去動作中及び除去動作後の少なくとも一方において、検出装置６による検出動作を実行する。例えば、制御装置３は、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなるまで、液体除去装置９０による液体ＬＱの除去動作を実行する。あるいは、制御装置３は、液体除去装置９０による液体ＬＱの除去動作を所定時間実行した後、検出装置６による検出動作を実行する。これにより、液体ＬＱが除去されて、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなったことを確認することができる。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。第９実施形態の特徴的な部分は、検出装置６が、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と対向するように配置され、ノズル部材２０及び終端光学素子１０との間で液浸空間ＬＳを形成可能な基板ステージ２における液体ＬＱの残留を検出する点にある。例えば、基板ステージ２の上面２Ｆに液体ＬＱが残留している状態を放置しておくと、その残留した液体ＬＱが気化することによって気化熱が生じ、基板ステージ２が熱変形したり、あるいは液体ＬＱの付着跡が形成される不具合が生じる可能性がある。また、基板ホルダ２Ｈに液体ＬＱが残留することも考えられる。例えば液浸露光後の基板Ｐを基板ステージ２（基板ホルダ２Ｈ）からアンロードした後、基板ホルダ２Ｈに液体ＬＱが残留する可能性がある。基板ホルダ２Ｈに液体ＬＱが残留していると、その基板ホルダ２Ｈに次の基板Ｐをロードしたとき、その基板ホルダ２Ｈで基板Ｐを良好に保持できなくなる可能性がある。そこで、本実施形態においては、検出装置６を用いて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触した基板ステージ２の上面２Ｆ及び基板ホルダ２Ｈにおける液体ＬＱの残留を検出する。

図１３は、第９実施形態に係る露光装置ＥＸを示す模式図である。本実施形態においては、検出装置６は、基板交換位置ＰＪ２に配置されている。制御装置３は、ノズル部材２０を用いて液浸空間ＬＳを形成し、露光位置ＰＪ１において、基板ステージ２上の基板Ｐを露光する。基板Ｐの露光が終了すると、制御装置３は、例えばノズル部材２０の液体回収口２２を用いて、基板Ｐ上及び基板ステージ２上から液体ＬＱを除去する動作を実行する。そして、制御装置３は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２を基板交換位置ＰＪ２に移動する。制御装置３は、基板交換位置ＰＪ２に移動した基板ステージ２上から、搬送システム８０を用いて、基板Ｐをアンロードする。そして、制御装置３は、基板交換位置ＰＪ２に配置されている検出装置６を用いて、基板Ｐがアンロードされた後の基板ステージ２に対する検出動作を実行する。検出装置６の検出結果は制御装置３に出力される。制御装置３は、検出装置６の検出結果に基づいて、基板ステージ２に液体ＬＱが残留しているかどうかを判断することができる。液体ＬＱが残留していると判断された場合には、例えば報知装置５で液体ＬＱが残留している旨を報知する等の処置を講ずることができる。

＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。第１０実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸが、基板ステージ２に残留する液体ＬＱを除去可能な液体除去装置９３を備えている点にある。図１４は、液体除去装置９３の一例を示す模式図である。図１４において、液体除去装置９３は、基板ステージ２の上方に配置されたカバー部材９４と、基板ステージ２とカバー部材９４との間に形成される空間９６に乾燥した気体を供給する給気口９５と、空間９６の気体を排出する排気口９７とを備えている。給気口９５から乾燥した気体を基板ステージ２に供給することによって、基板ステージ２に残留した液体ＬＱを気化させ、基板ステージ２上から液体ＬＱを除去することができる。なお、本実施形態においては、液体除去装置９３は、基板交換位置ＰＪ２で液体除去動作を実行する。また、露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードした後、基板ステージ２上に基板Ｐが無い状態で、液体除去装置９３による液体除去動作が実行される。

本実施形態においては、検出装置６は、基板ステージ２とカバー部材９４とで形成される空間９６に配置される。また、本実施形態においても、制御装置３は、液体除去装置９３による液体ＬＱの除去動作中及び除去動作後の少なくとも一方において、検出装置６による検出動作を実行する。例えば、制御装置３は、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなるまで、液体除去装置９３による液体ＬＱの除去動作を実行する。あるいは、制御装置３は、液体除去装置９３による液体ＬＱの除去動作を所定時間実行した後、検出装置６による検出動作を実行する。これにより、液体ＬＱが除去されて、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出しなくなったことを確認することができる。

＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。第１１実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸが、例えば特開平１１−１３５４００号公報、特開２０００−１６４５０４号公報等に開示されているような、基板を保持して移動可能な基板ステージと、基準マークが形成された基準部材、各種光電センサ等、露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた点にある。図１５は、第１１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す模式図である。図１５に示すように、液浸空間ＬＳは、ノズル部材２０及び終端光学素子１０と、投影光学系ＰＬの像面側においてノズル部材２０及び終端光学素子１０と対向する位置に配置された計測ステージ２９の上面２９Ｆとの間にも形成可能である。

また、基板ステージ２及び計測ステージ２９は、投影光学系ＰＬの像面側で移動可能であり、制御装置３は、投影光学系ＰＬの直下の位置を含む所定領域内で、基板ステージ２の上面２Ｆと計測ステージ２９の上面２９Ｆとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２と計測ステージ２９とをＸＹ方向に一緒に移動することにより、ノズル部材２０及び終端光学素子１０の下面側に形成された液浸空間ＬＳを、基板ステージ２の上面２Ｆと計測ステージ２９の上面２９Ｆとの間で移動することができる。

例えば、液浸空間ＬＳを基板ステージ２の上面２Ｆに移動する動作を実行した場合において、計測ステージ２９上に液体ＬＱが残留する可能性がある。そこで、本実施形態においては、検出装置６を用いて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触した計測ステージ２９の上面２９Ｆにおける液体ＬＱの残留を検出する。そして、その検出結果に基づいて、例えば報知装置５で液体ＬＱが残留している旨を報知する等の処置を講ずることができる。また、計測ステージ２９上の液体ＬＱを除去する場合には、図１４を参照して説明したような液体除去装置９３を用いることができる。

また、上述の第１０、第１１実施形態において、基板ステージ及び計測ステージの少なくとも一方に残留する液体ＬＱを除去するために、例えば特開２００５−２７７３６３号公報に開示されているような液体除去装置を用いることもできる。

＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について説明する。第１２実施形態の特徴的な部分は、検出装置６が、基板Ｐを保持して移動可能な基板搬送システム８０の搬送アーム８２に設けられている点にある。図１６は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。図１６に示すように、露光装置ＥＸは、検出装置６を保持して移動可能な搬送アーム８２を備えている。搬送アーム８２は、基板Ｐを保持して移動可能な部材である。

このように、検出装置６を保持して移動可能な可動部材を設けることによって、露光装置ＥＸの任意の位置において、検出装置６を用いた検出動作を実行することができる。例えば、検出装置６を保持した搬送アーム８２をノズル部材２０及び終端光学素子１０の少なくとも一方に近づけることによって、ノズル部材２０及び終端光学素子１０の少なくとも一方に液体ＬＱが残留しているかどうかを検出することができる。また、検出装置６を保持した搬送アーム８２を基板ステージ２及び計測ステージ２９の少なくとも一方に近づけることによって、基板ステージ２及び計測ステージ２９の少なくとも一方に液体ＬＱが残留しているかどうかを検出することができる。また、基板Ｐを保持可能な搬送アーム８２に検出装置６を設けることによって、露光後の基板Ｐを搬送する際に、その基板Ｐに液体ＬＱが残留しているかどうかを良好に検出することができる。また、検出装置６を保持した搬送アーム８２を、局所空調室７Ｈに配置することによって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの漏れを検出することもできる。

なお、検出装置６は、基板Ｐを保持して移動可能な搬送アーム８２のみならず、例えば投影光学系ＰＬの像面側で移動可能な基板ステージ２の一部、あるいは計測ステージ２９の一部に配置することも可能である。この場合においても、露光装置ＥＸの任意に位置において、検出装置６を用いた検出動作を実行したり、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの漏れを検出したりすることができる。

＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について説明する。第１３実施形態の特徴的な部分は、鏡筒１７の内側の空間３４に供給された気体Ｇｐを用いて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込める点にある。図１７は、第１３実施形態に係る露光装置ＥＸの一部を示す側断面図、図１８は、図１７の一部の拡大図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、終端光学素子１０の入射面１９側（鏡筒１７の内側）の空間３４に気体Ｇｐを供給する給気口３８と、給気口３８から供給された気体Ｇｐが、液浸空間ＬＳの周囲の少なくとも一部に供給されるように、鏡筒１７の内側の空間３４と液浸空間ＬＳの周囲の気体空間の少なくとも一部とを接続する流路４８とを備えている。本実施形態においては、鏡筒１７の下端には、終端光学素子１０を保持する保持部材１７Ｈが保持されており、流路４８は、保持部材１７Ｈの一部に形成されている。本実施形態においては、鏡筒１７の内側の空間３４の気体Ｇｐが、保持部材１７Ｈに形成された流路４８を介して、液浸空間ＬＳの周囲の少なくとも一部に供給され、その供給された気体Ｇｐによって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが封じ込められる。

また、液浸空間ＬＳに対して流路４８の外側には、気体回収口４２’を有する気体回収部材４２Ｂが配置されている。気体回収口４２’は、気体回収装置４６’と接続されており、液浸空間ＬＳの周囲の気体は、気体回収口４２’を介して、気体回収装置４６’に回収される。

なお、本実施形態の終端光学素子１０は、入射面１９の外周と射出面１８の外周とを接続する外周面を備え、その外周面は、基板Ｐの表面から離れるように形成されている。そして、ノズル部材２０の少なくとも一部が、終端光学素子１０の外周面と基板Ｐの表面との間に形成された空間に配置されている。

以上説明したように、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込めるために、鏡筒１７の内側の空間３４の気体Ｇｐを用いることもできる。本実施形態によれば、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込めるためのシール機構の構成を簡略化することができる。

＜第１４実施形態＞
次に、第１４実施形態について説明する。第１４実施形態の特徴的な部分は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱとは異なる液体ＬＱ’を供給して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込める点にある。図１９は、第１４実施形態に係る露光装置ＥＸの一部を示す模式図である。図１９において、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路空間Ｋを満たすように形成された液浸空間ＬＳの周囲に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱとは異なる液体ＬＱ’を供給する第２液体供給口７６を備えている。本実施形態においては、第２液体供給口７６は、ノズル部材２０の第３面３３に形成されている。また、ノズル部材２０の第３面３３において、液浸空間ＬＳに対して第２液体供給口７６の外側及び内側のそれぞれには、液体ＬＱ’を回収可能な第２、第３液体回収口７７、７８が形成されている。制御装置３は、第２液体供給口７６を用いた液体供給動作と、第２、第３液体回収口７７、７８を用いた液体回収動作とを適宜行うことによって、液浸空間ＬＳから離れた位置で、液浸空間ＬＳを囲むように、第２液浸空間ＬＳ’を形成可能である。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱとしてデカリンを用い、第２液浸空間ＬＳ’を形成するための液体ＬＱ’として水（純水）を用いる。また、本実施形態においては、検出装置６は、液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱ（デカリン）に対して高い感度を有するセンサ素子を有し、第２液浸空間ＬＳ’を形成するための液体ＬＱ’（水）に対して感度を有するセンサ素子は有していない。検出装置６は、排気口１５の近傍、リターンダクト５３、及びノズル部材２０の近傍の少なくとも１箇所に配置されている。

そして、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第２液体供給口７６、及び第２、第３液体回収口７７、７８を含むシール機構４０’によって形成される第２液浸空間ＬＳ’によって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを封じ込める。液浸空間ＬＳの液体ＬＱがシール機構４０’の外側（第２液浸空間ＬＳ’の外側）に漏れていない状態においては、液体ＬＱのにおい成分は第２液浸空間ＬＳ’の外側に流出しない。したがって、検出装置６は液体ＬＱのにおいを検出しない。一方、液浸空間ＬＳの液体ＬＱがシール機構４０’の外側に漏れた状態においては、検出装置６は液体ＬＱのにおいを検出することができる。

なお、上述の第１〜第１４実施形態において、シール機構４０（４０’）は、液浸空間ＬＳの形成するためのノズル部材２０の一部（第３面３３）に形成されているが、ノズル部材２０とは別の部材に形成されていてもよい。例えば、ノズル部材２０を囲むように環状の部材を設け、その環状の部材に、シール機構４０（４０’）の少なくとも一部を設けるようにしてもよい。例えば、その環状の部材のうち、基板Ｐの表面と対向する下面に、気体を供給する気体供給口４１を設けたり、液体ＬＱ’を供給する第２液体供給口７６を設けることができる。

＜第１５実施形態＞
次に、第１５実施形態について説明する。第１５実施形態においては、液体を用いてデバイスを製造するデバイス製造装置の少なくとも一部を収容する環境制御装置ＣＨが、液体のにおいを検出する検出装置６を備えている場合を例にして説明する。図２０は、第１５実施形態に係る環境制御装置ＣＨを示す概略構成図である。図２０において、環境制御装置ＣＨは、デバイス製造装置を収容する本体チャンバ１０１と、外部空間から気体（空気）を取り込み、その取り込んだ気体の状態（温度、湿度、及び清浄度を含む）を調整するとともに、その調整した気体を本体チャンバ１０１内に供給する空調ユニット１０２とを備えている。本体チャンバ１０１と空調ユニット１０２とは、ダクト１０３を介して接続されている。

空調ユニット１０２は、ハウジング１０４と、ハウジング１０４内に外部空間の気体（空気）を取り込むための取込口１０４Ａと、取り込んだ気体を排出する排気口１０４Ｂと、ハウジング１０４内に配置され、取込口１０４Ａから取り込んだ気体の温度を調整する温度調整器１０５と、気体の湿度を調整する湿度調整器１０６と、ハウジング１０４内に配置され、取込口１０４Ａを介してハウジング１０４内に外部空間の気体を取り込むように気体の流れを生成するファンモータ（気流生成装置）１０７と、ファンモータ１０７よりも排気口１０４Ｂ側に配置され、排気口１０４Ｂから排出される気体中の不純物を除去するためのフィルタユニット１０８とを備えている。排気口１０４Ｂは、ダクト１０３に接続されている。

温度調整器１０５は、クーラ１０５Ａ及びヒータ１０５Ｂを含み、不図示の温度センサの検出結果に基づいて、取込口１０４Ａを介してハウジング１０４内に取り込んだ気体を所定の温度に調整する。湿度調整器１０６は、加湿器等を含み、不図示の湿度センサの検出結果に基づいて、取込口１０４Ａを介してハウジング１０４内に取り込んだ気体を所定の湿度に調整する。フィルタユニット１０８は、気体中の汚染物質を除去するケミカルフィルタ１０８Ａ、及び気体中の微粒子（パーティクル）を除去するＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetration Air-filter）及びＨＥＰＡフィルタ（High Efficiently Particulate Air-filte）の少なくとも一方を有するパーティクルフィルタ１０８Ｂを含み、取込口１０４Ａを介してハウジング１０４内に取り込んだ気体中の不純物を除去する。

本体チャンバ１０１は、第１空調室１１１と、第２空調室１１２と、第３空調室１１３と、ダクト１０３を介して空調ユニット１０２からの気体が供給されるメインダクト１１５とを備えている。また、第１空調室１１１内には局所空調室１１４が形成されている。

メインダクト１１５のうち、空調ユニット１０２からの気体が供給される給気口１１５Ａの近傍には、ケミカルフィルタ等を含むフィルタユニット１１６が配置されている。メインダクト１１５は、空調ユニット１０２からダクト１０３を介して供給された気体を、第１、第２、第３空調室１１１、１１２、１１３のそれぞれに送る。第１、第２、第３空調室１１１、１１２、１１３のそれぞれの上部には、メインダクト１１５からの気体が供給される第１、第２、第３給気口１１７、１１８、１１９がそれぞれ形成されている。また、第１、第２、第３給気口１１７、１１８、１１９のそれぞれには、パーティクルフィルタ等を含むフィルタユニット１２１、１２２、１２３が配置されている。

本体チャンバ１０１は、本体チャンバ１０１内の気体を排出する複数の排気口１２５、１２６、１２７、１２８を備えている。第１空調室１１１の下部には、第１空調室１１１内の気体を外部に排出するための排気口１２５、１２６が形成されている。第２空調室１１２の所定位置には、第２空調室１１２内の気体を外部に排出するための排気口１２７が形成されている。第３空調室１１３の所定位置には、第３空調室１１３内の気体を外部に排出するための排気口１２８が形成されている。そして、各排気口１２５、１２６、１２７、１２８のそれぞれには、図７を参照して説明したような調整機構７０が配置されている。

また、本体チャンバ１０１は、環境制御装置ＣＨの動作を制御する制御装置１３０の各種制御機器を収容するボックス１３１を備えている。ボックス１３１の内部の気体は、排気口１３２を介して外部空間に排出される。

また、本体チャンバ１０１は、第１空調室１１１内に形成された局所空調室１１４と、局所空調室１１４の気体を排出する排気口１３５と、局所空調室１１４に気体を供給する給気口１３４と、排気口１３５から排出された気体を給気口１３４に送るリターンダクト１３６とを備えている。すなわち、本実施形態の環境制御装置ＣＨは、空調ユニット１０２によって外部空間から取り込んだ気体の少なくとも一部、及び排気口１３５から排出された気体の少なくとも一部を、局所空調室１１４、及びリターンダクト１３６を含む流路で循環させる局所循環系１４０を備えている。また、本体チャンバ１０１は、第１空調室１１１の気体の少なくとも一部をリターンダクト１３６に排出するための排気口１３７を備えている。

リターンダクト１３６の一部には、気体の状態（温度、湿度、及び清浄度を含む）を調整可能な局所空調ユニット１４２が配置されている。局所空調室１１４から排気口１３５を介してリターンダクト１３６に排出された気体の少なくとも一部、及び第１空調室１１１から排気口１３７を介してリターンダクト１３６に排出された気体の少なくとも一部は、リターンダクト１３６を流れ、局所空調ユニット１４２によって調整された後、給気口１３４を介して、局所空調室１１４に供給される。

局所空調ユニット１４２は、クーラ等を含む温度調整器１４３、ファンモータ１４４、及びフィルタユニット１４５を備えている。温度調整器１４３は、気体の温度を調整可能であり、不図示の温度センサの検出結果に基づいて、気体の温度を調整する。ファンモータ１４４は、リターンダクト１３６において、給気口１３４に向かう気体の流れを生成する。フィルタユニット１４５は、ケミカルフィルタ及びパーティクルフィルタを含む。本実施形態においては、局所空調ユニット１４２を通過した気体は、フィルタユニット１４６を通過した後、局所空調室１１４に接続された給気口１３４に供給される。また、本実施形態においては、第１空調室１１１内の複数位置のそれぞれに給気口１５４、１５５が配置されており、局所空調ユニット１４２からの気体は、各給気口１３４、１５４、１５５のそれぞれに分岐される。

本実施形態においては、本体チャンバ１０１には、液体を用いてデバイスを製造するためのデバイス製造装置の少なくとも一部が配置される。また、本実施形態においては、デバイス製造装置のうち、液体を用いた処理部、及び／又は、液体が満たされた液浸空間を形成可能な部材が、局所空調室１１４の内側に設定されている。

そして、本実施形態においては、液体のにおいを検出する検出装置６が、リターンダクト１３６の所定位置（局所空調ユニット１４２よりも上流側）に配置されている。なお、検出装置６は、局所空調室１１４の排気口１３５の近傍に配置することもできる。

本実施形態においては、環境制御装置ＣＨは、液体を用いてデバイスを製造する製造装置として、液浸露光装置を収容している。本実施形態においては、第１空調室１１１に、上述の第１〜第１４実施形態で説明したような露光装置ＥＸが収容されている。また、局所空調室１１４には、少なくともノズル部材２０、終端光学素子１０、及び基板ステージ２が配置されている。

また、第２空調室１１２には、複数のマスクＭを収容可能なマスク収容装置（ライブラリ）１５１と、マスクステージ１とマスク収容装置１５１との間でマスクＭを搬送可能なマスク搬送システム１５０とが配置されている。

また、第３空調室１１３には、複数の基板Ｐを収容可能な基板収容装置８１と、基板ステージ２と基板収容装置８１との間で基板Ｐを搬送可能な基板搬送システム８０とが配置されている。

次に、上述の構成を有する環境制御装置ＣＨの動作について説明する。空調ユニット１０２のファンモータ１０７が駆動されると、そのファンモータ１０７の吸引力によって、取込口１０４Ａを介して、空調ユニット１０２のハウジング１０４内に外部空間から気体（空気）が取り込まれる。空調ユニット１０２は、取込口１０４Ａから取り込んだ気体の状態を、温度調整器１０５、湿度調整器１０６、及びフィルタユニット１０８等を用いて調整する。空調ユニット１０２によって調整された気体は、ダクト１０３を介して本体チャンバ１０１のメインダクト１１５に流入する。メインダクト１１５に流入した気体は、第１、第２、第３給気口１１７、１１８、１１９のそれぞれを介して、第１、第２、第３空調室１１、１１２、１１３のそれぞれに供給される。また、第１、第２、第３空調室１１１、１１２、１１３内の気体の少なくとも一部は、排気口１２５、１２６、１２７、１２８を介して、本体チャンバ１０１の外部に排出される。

また、局所空調室１１４及び第１空調室１１１の少なくとも一部の気体は、排気口１３５、１３７を介してリターンダクト１３６に排出される。そして、リターンダクト１３６に配置されている局所空調ユニット１４２のファンモータ１４４の駆動によって、リターンダクト１３６には、排気口１３５、１３７から給気口１３４に向かう気体の流れが生成される。局所温調ユニット１４２で調整された気体は、給気口１３４を介して局所空調室１１４に供給されるとともに、他の給気口１５４、１５５を介して第１空調室１１１の複数の所定位置のそれぞれに供給される。

本実施形態においては、制御装置１３０は、例えばリターンダクト１３６に形成されている排気口１２６の調整機構７０を用いて、局所空調室１１４の排気口１３５から排出され、リターンダクト１３６を介して給気口１３４に送られる気体の量を調整可能である。制御装置１３０は、リターンダクト１３６に配置された検出装置６の検出結果に応じて、排気口１３５から排出され、リターンダクト１３６を介して給気口１３４に送られる気体の量を調整する。

例えば、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出していないときには、制御装置１３０は、調整機構７０を用いて排気口１２６を小さくし、局所空調室１１４に単位時間当たり所定量の気体を供給する。局所空調室１１４は、デバイスを製造するのに適した環境に調整され、デバイス製造装置は、デバイスを製造するのに適した環境下でデバイスを製造可能である。

一方、検出装置６が液体ＬＱのにおいを検出したときには、制御装置１３０は、調整機構７０を用いて排気口１２６を大きくし、排気口１３５から排出され、リターンダクト１３６を介して給気口１３４に送られる気体の少なくする、又はほぼゼロにする。あるいは、制御装置３は、局所空調ユニット１４２のファンモータ１４４の出力（駆動力）を低下させる、又はファンモータ１４４の駆動を停止する。換言すれば、制御装置１３０は、局所循環系１４０における気体の循環をほぼ停止する。なお、排気口１３５からリターンダクト１３６を介して給気口１３４に気体が送られるのを抑制するためのシャッタ部材等をリターンダクト１３６の所定位置に配置するようにしてもよい。これにより、液体が気化した成分を含む気体（純度が低い気体）が局所空調ユニット１４２にもたらされ、その局所空調ユニット１４２のフィルタユニット１４５等が劣化したり、純度が低い気体が局所循環系１４０で循環し続けたりする不具合の発生を抑制することができる。

また制御装置１３０は、検出装置６の検出結果に応じて、純度が低い気体が存在すると判断した場合、調整機構７０を用いて排気口１２５、１２６を大きくする。これにより、排気口１３５から排出され、リターンダクト１３６を介して給気口１３４に送られる気体の量が低減されるとともに、局所空調室１１４を含む第１空調室１１１内の気体（純度が低い気体）が外部に素早く排出される。また、制御装置１３０は、空調ユニット１０２を用いて、外部空間から取り込んだ気体を所望の状態に調整した後、その調整した気体を局所空調室１１４を含む第１空調室１１１に供給する。空調ユニット１０２によって外部空間から取り込まれた気体の少なくとも一部は、局所循環系１４０を循環し、給気口１３４に送られるとともに、局所空調室１１４に供給される。これにより、局所空調室１１４を含む第１露光室１１１及びリターンダクト１３６等には、温度及び湿度が調整された清浄な気体が満たされ、デバイスの製造に適した環境が形成される。

以上説明したように、本実施形態においては、環境制御装置ＣＨは、検出装置６の検出結果に基づいて、純度が低い気体が存在すると判断した場合、局所循環系１４０における気体の循環を停止し、その純度が低い気体を本体チャンバ１０１から排出し、空調ユニット１０２を用いて外部空間から気体を取り込む。これにより、環境制御装置ＣＨは、本体チャンバ１０１内を清浄な気体で満たして、デバイスの製造に適した環境を形成することができる。

なお、第１５実施形態においては、環境制御装置ＣＨに収容されるデバイス製造装置が露光装置ＥＸである場合を例にして説明したが、環境制御装置ＣＨに収容されるデバイス製造装置としては、露光装置に限られず、例えば基板Ｐ上に感光材等を含む溶液を塗布する塗布装置、あるいは露光後の基板Ｐを現像液等を用いて現像する現像装置であってもよい。液体を用いてデバイスを製造するデバイス製造装置を本実施形態の環境制御装置ＣＨに収容することによって、例えば液体が漏れた場合であっても、その液体の漏れを検出し、デバイスの製造に適した環境を形成するための処置を講ずることができる。そして、そのデバイスの製造に適した環境で基板Ｐを処理して、所望性能のデバイスを製造できる。

なお、上述の第１〜第１５実施形態において、液体としてはデカリンに限られず、デカリンを含む溶液でもよいし、例えばイソプロパノール及びグリセロールといったＣ−Ｈ結合やＯ−Ｈ結合を持つ液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の液体（有機溶剤）でもよい。あるいは、液体ＬＱとしては、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとしては、国際公開第２００５／１１４７１１号公報、国際公開第２００５／１１７０７４号公報、国際公開第２００５／１１９３７１号公報などに開示されているものを用いることもできる。要は、検出装置６でにおいを検出可能であり、デバイスを良好に製造できる液体であれば任意の液体を用いることができる。また、液体ＬＱとしては、水（純水）でもよい。

なお、上述の第１〜第１５実施形態においては、第１空調室（局所空調室）に供給される気体が空気である場合を例にして説明したが、第１空調室（局所空調室）に供給される気体としては、窒素、ヘリウム等の不活性ガスでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１０の射出面１８側の光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１０の入射面１９側の光路空間も液体で満たされていてもよい。そして、例えば入射面１９側の光路空間を満たす液体が漏れた場合、検出装置６は、その液体の漏れを検出することができる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。この場合においても、液体を封じ込めるシール機構を設け、液体が漏れたときだけ、検出装置が液体のにおいを検出可能にすればよい。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。

また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

また、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光工程、及び露光された基板を現像する現像工程を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 図１の一部を拡大した断面図である。 液浸空間の液体の状態の一例を示す模式図である。 液浸空間の液体の状態の一例を示す模式図である。 第２実施形態に係る露光装置を示す図である。 第３実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 調整機構の一例を示す図である。 第４実施形態に係る露光装置を示す図である。 第５実施形態に係る露光装置を示す図である。 第６実施形態に係る露光装置を示す図である。 第７実施形態に係る露光装置を示す図である。 第８実施形態に係る露光装置を示す図である。 第９実施形態に係る露光装置を示す図である。 第１０実施形態に係る露光装置を示す図である。 第１１実施形態に係る露光装置を示す図である。 第１２実施形態に係る露光装置を示す図である。 第１３実施形態に係る露光装置を示す図である。 図１７の一部を拡大した図である。 第１４実施形態に係る露光装置を示す図である。 第１５実施形態に係る環境制御装置を示す概略構成図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

２…基板ステージ、５…報知装置、６…検出装置、７…第１コラム、７Ｈ…局所空調室、１０…終端光学素子、１４…給気口、１５…排気口、２０…ノズル部材、４０…シール機構、４１…気体供給口、５０…空調ユニット、５１…局所空調ユニット、５３…リターンダクト、６０…チャンバ、６０Ｈ…第１空調室、７０…調整機構、８０…基板搬送システム、８１…基板収容装置、８４…液体除去装置、９０…液体除去装置、９３…液体除去装置、１０１…本体チャンバ、１０２…空調ユニット、１１１…第１空調室、１１４…局所空調室、１３４…給気口、１３５…排気口、１３６…リターンダクト、１４２…局所空調ユニット、ＣＨ…環境制御装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｋ…光路空間、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板

Claims (22)

1. 液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
   液体のにおいを検出する検出装置を備えた露光装置。
2. 前記露光光の光路を液体で満たすように所定の液浸空間を形成可能な液浸空間形成部材を備え、
   前記検出装置は、前記液体のにおいを検出することによって、前記液浸空間からの液体の漏れを検出する請求項１記載の露光装置。
3. 前記液浸空間形成部材は、前記液浸空間の液体を封じ込めるためのシール機構を備え、
   前記検出装置は、前記液体のにおいを検出することによって、前記シール機構の外側への液体の漏れを検出する請求項２記載の露光装置。
4. 前記シール機構は、前記液浸空間の周囲の少なくとも一部に気体を供給して前記液体を封じ込め、
   前記検出装置は、前記気体の外側への液体の漏れを検出する請求項３記載の露光装置。
5. 少なくとも前記液浸空間形成部材を収容するチャンバと、
   前記チャンバ内の気体を排出する排気口とを備え、
   前記検出装置は、前記排気口近傍に配置されている請求項２〜４のいずれか一項記載の露光装置。
6. 少なくとも前記液浸空間形成部材を収容するチャンバと、
   前記チャンバ内に気体を供給する給気口と、
   前記チャンバ内の気体を排出する排気口と、
   前記排気口から排出された気体を前記給気口に送る流路とを備え、
   前記検出装置は、前記流路に配置されている請求項２〜４のいずれか一項記載の露光装置。
7. 前記検出装置の検出結果に応じて、前記排気口から排出され、前記給気口に送られる気体の量を調整する調整機構を備えた請求項６記載の露光装置。
8. 前記露光光の光路を液体で満たすように所定の液浸空間を形成可能な液浸空間形成部材を備え、
   前記検出装置は、前記液体のにおいを検出することによって、前記液浸空間の液体と接触した物体上における液体の残留を検出する請求項１記載の露光装置。
9. 前記液浸空間の液体と接触可能な第１の位置と前記第１の位置とは離れた第２の位置との間で前記基板を搬送する搬送システムを備え、
   前記検出装置は、前記搬送システムの搬送経路上に配置されている請求項１記載の露光装置。
10. 前記第２の位置に配置され、前記基板を収容可能な収容装置を備え、
    前記検出装置は、前記収容装置に配置されている請求項９記載の露光装置。
11. 前記物体上に残留する液体を除去可能な除去装置を備え、
    前記除去装置による除去動作中及び除去動作後の少なくとも一方において前記検出装置による検出動作が実行される請求項８記載の露光装置。
12. 前記検出装置は、前記液浸空間形成部材近傍に配置される請求項２〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
13. 前記検出装置を保持して移動可能な可動部材を備えた請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
14. 前記可動部材は、前記基板を保持する基板保持部材である請求項１３記載の露光装置。
15. 前記検出装置の検出結果に応じて警報を発する報知装置を備えた請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
16. 液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
    液体の一部が気化した気体を検出する検出装置を備え、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、液体の漏れを検出する露光装置。
17. 請求項１〜請求項１６のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
18. 液体を用いてデバイスを製造する製造装置の少なくとも一部を収容するチャンバと、
    液体のにおいを検出する検出装置と、を備えた環境制御装置。
19. 前記チャンバは、液体の液浸空間を形成する液浸空間形成部材を収容可能であり、
    更に、前記チャンバは、該チャンバ内の気体を排出する排気口を備え、
    前記検出装置は、前記排気口近傍に配置されている請求項１８記載の環境制御装置。
20. 前記チャンバは、液体の液浸空間を形成する液浸空間形成部材を収容可能であり、
    更に、前記チャンバは、該チャンバ内に気体を供給する給気口と、該チャンバ内の気体を排出する排気口と、前記排気口から排出された気体を前記給気口に送る流路とを有し、
    前記検出装置は、前記流路に配置されている請求項１８記載の環境制御装置。
21. 前記検出装置の検出結果に応じて、前記排気口から排出され、前記給気口に送られる気体の量を調整する調整機構を備えた請求項２０記載の環境制御装置。
22. 外部空間から気体を取り込み可能な取込機構を備え、
    前記検出装置の検出結果に応じて、前記取込機構で取り込まれた気体が前記給気口に送られる請求項２１記載の環境制御装置。
    

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