JP4968076B2 - 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板を保持する基板保持装置、液体を介して基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関するものである。
本願は、2005年12月8日に出願された特願2005−354463号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸式の露光装置が知られている。
国際公開第99/49504号パンフレット 特開2004−289127号公報
液浸露光装置においては、基板と基板ステージとの間のギャップ等を介して液体が基板の裏面側の空間に浸入し、その液体が基板の裏面に付着すると、様々な不具合が発生する可能性がある。例えば基板の裏面の所定領域に液体が付着すると、基板ステージのホルダで基板を良好に保持できない可能性がある。あるいは、搬送装置を用いてホルダから基板を搬出(アンロード)する際、基板の裏面に接触した搬送装置に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散する等、被害が拡大する可能性がある。
本発明は、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できる基板保持装置、液体を介して基板を露光する露光装置、露光方法、及びその露光装置、露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明は以下の構成を採用している。
本発明の第1の態様に従えば、露光光が照射される基板を保持する基板保持装置であって、基部と、基部上に形成され、基板の裏面を支持する支持部と、基部上に形成され、支持部に支持された基板の裏面と対向する第1上面を有し、支持部に支持された基板と基部との間の第1空間を囲む第1周壁と、基部上に形成され、支持部に支持された基板の裏面とギャップを介して対向する第2上面を有し、第1周壁を囲む第2周壁と、基部上に形成され、支持部に支持された基板の裏面と対向する第3上面を有し、支持部及び第2周壁を囲む第3周壁と、第1周壁と第2周壁との間の第2空間へ気体を供給可能な流通口と、第2周壁と第3周壁との間の第3空間の流体を吸引する第1吸引口と、を備えた基板保持装置が提供される。
本発明の第1の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できる。
本発明の第2の態様に従えば、上記態様の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置が提供される。
本発明の第2の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できるので、基板を良好に露光することができる。
本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、その露光された基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第3の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
本発明の第4の態様に従えば、液浸露光を行う露光方法であって、基板保持装置に基板を保持することと、その基板保持装置に保持された基板を露光することとを含み、その基板保持装置が、基部と、その基部上に形成され、基板の裏面を支持する支持部と、その基部上に形成され、その支持部に支持された基板の裏面と対向する第1上面を有し、その支持部に支持された基板とその基部との間の第1空間を囲む第1周壁と、その基部上に形成され、その支持部に支持された基板の裏面とギャップを介して対向する第2上面を有し、その第1周壁を囲む第2周壁と、その基部上に形成され、その支持部に支持された基板の裏面と対向する第3上面を有し、その支持部及びその第2周壁を囲む第3周壁と、その第1周壁とその第2周壁との間の第2空間へ気体を供給可能な流通口と、その第2周壁とその第3周壁との間の第3空間の流体を吸引する第1吸引口とを備えている露光方法が提供される。
本発明の第4の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制し、液体を介して基板を良好に露光することができる。
本発明の第5の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板を露光することと、該露光された基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第5の態様によれば、基板を良好に露光できる露光方法を用いてデバイスを製造することができる。
本発明によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制し、基板を良好に露光することができる。
本実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 本実施形態に係るテーブルの側断面図である。 基板を保持した状態のテーブルの平面図である。 基板を外した状態のテーブルの平面図である。 基板及び板部材を外した状態の平面図である。 本実施形態に係るテーブルの要部を示す側断面図である。 本実施形態に係るテーブルの要部を示す平面図である。 本実施形態に係るテーブルの動作を説明するための模式図である。 気体の流れを説明するための模式図である。 気体の流れを説明するための模式図である。 気体の流れを説明するための模式図である。 搬送装置で基板の裏面を保持している状態を示す図である。 搬送装置で基板の裏面を保持している状態を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
1…液浸システム、4…基板ステージ、4T…テーブル、7…制御装置、30…基材、31…第1周壁、31A…第1上面、32…第2周壁、32A…第2上面、33…第3周壁、33A…第3上面、34…第4周壁、34A…第4上面、37…スリット、41…第1空間、42…第2空間、43…第3空間、44…第4空間、51…第1溝、52…第2溝、53…第3溝、60…流通口、61…第1吸引口、62…第2吸引口、63…第3吸引口、81…第1支持部材、100…搬送装置、EL…露光光、EX…露光装置、HD1…第1ホルダ、LQ…液体、LR…液浸領域、P…基板
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
図1は本実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ3と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ4と、マスクステージ3に保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板P上に投影する投影光学系PLと、投影光学系PLの像面近傍の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、投影光学系PLと対向する物体(例えば、基板P)上に液浸領域LRを形成する液浸システム1と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。また、露光装置EXは、基板ステージ4に基板Pをロードするとともに、基板ステージ4から基板Pをアンロードする搬送装置100を備えている。
ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材(フォトレジスト)、保護膜などの膜が塗布されたものを含む。マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
照明系ILは、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明するものである。照明系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、ArFエキシマレーザ光が用いられる。
マスクステージ3は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置により、マスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能である。マスクステージ3(ひいてはマスクM)の位置情報は、レーザ干渉計3Lによって計測される。レーザ干渉計3Lは、マスクステージ3上に設けられた反射面3Kを用いてマスクステージ3の位置情報を計測する。制御装置7は、レーザ干渉計3Lの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を制御し、マスクステージ3に保持されているマスクMの位置制御を行う。
なお、反射鏡3Kは平面鏡のみでなくコーナーキューブ(レトロリフレクタ)を含むものとしてもよいし、反射鏡3Kをマスクステージに固設する代わりに、例えばマスクステージ3の端面(側面)を鏡面加工して反射面を形成してもよい。また、マスクステージ3は、例えば特開平8−130179号公報(対応米国特許第6,721,034号)に開示される粗微動可能な構成としてもよい。
投影光学系PLは、マスクMのパターン像を所定の投影倍率で基板Pに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、1/8等の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域にマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系PLは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXはZ軸方向と平行となっている。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
基板ステージ4は、ステージ本体4Bと、ステージ本体4B上に搭載されたテーブル4Tと、テーブル4Tに設けられ、基板Pを着脱可能に保持する第1ホルダHD1と、第1ホルダHD1に保持された基板Pの周囲を囲むように配置される板部材Tと、テーブル4Tに設けられ、板部材Tを着脱可能に保持する第2ホルダHD2とを備えている。
ステージ本体4Bは、エアベアリング4Aにより、ベース部材BPの上面(ガイド面)に対して非接触支持されている。ベース部材BPの上面はXY平面とほぼ平行であり、基板ステージ4は、ベース部材BP上でXY方向に移動可能である。
基板ステージ4は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置により、第1ホルダHD1に基板Pを保持した状態で、ベース部材BP上で移動可能である。基板ステージ駆動装置は、ステージ本体4Bをベース部材BP上でX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向に移動することによって、そのステージ本体4B上に搭載されているテーブル4TをX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向に移動可能な第1駆動系と、ステージ本体4Bに対してテーブル4TをZ軸方向、θX方向、及びθY方向に移動可能な第2駆動系とを備えている。
第1駆動系は、リニアモータ等のアクチュエータを含む。第2駆動系は、ステージ本体4Bとテーブル4Tとの間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ4Vと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置(エンコーダなど)とを含む。テーブル4Tは、少なくとも3つのアクチュエータ4Vによってステージ本体4B上に支持される。アクチュエータ4Vのそれぞれは、ステージ本体4Bに対してテーブル4TをZ軸方向に独立して駆動可能であり、制御装置7は、3つのアクチュエータ4Vそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体4Bに対してテーブル4Tを、Z軸方向、θX方向、及びθY方向に駆動する。このように、第1、第2駆動系を含む基板ステージ駆動装置は、基板ステージ4のテーブル4Tを、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。制御装置7は、基板ステージ駆動装置を制御することにより、テーブル4Tの第1ホルダHD1に保持された基板Pの表面のX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に関する位置を制御可能である。
基板ステージ4のテーブル4T(ひいては基板P)の位置情報は、レーザ干渉計4Lによって計測される。レーザ干渉計4Lは、テーブル4Tに設けられた反射面4Kを用いて、テーブル4TのX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、テーブル4Tの第1ホルダHD1に保持されている基板Pの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置7は、レーザ干渉計4Lの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置を制御し、第1ホルダHD1に保持されている基板Pの位置制御を行う。
フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板のZ軸方向の位置情報を計測することで、基板のθX及びθY方向の傾斜情報(回転角)を検出するものである。さらに、例えばレーザ干渉計が基板のZ軸、θX及びθY方向の位置情報を計測可能であるときは、基板の露光動作中にそのZ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉計の計測結果を用いてZ軸、θX及びθY方向に関する基板Pの位置制御を行うようにしてもよい。
液浸システム1は、投影光学系PLの像面近傍の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たす。たとえば、基板Pの露光中、液浸システム1は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い最終光学素子FLの下面と、その最終光学素子FLと対向する位置に配置された基板ステージ4(第1ホルダHD1)上の基板Pの表面との間の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、基板P上に液浸領域LRを形成する。本実施形態では、液体LQとして、水(純水)が用いられる。
液浸システム1は、露光光ELの光路空間Kの近傍に設けられ、その光路空間Kに対して液体LQを供給するための供給口12及び液体LQを回収するための回収口22を有するノズル部材70と、供給管13、及びノズル部材70の内部に形成された供給流路を介して供給口12に液体LQを供給する液体供給装置11と、ノズル部材70の回収口22から回収された液体LQを、ノズル部材70の内部に形成された回収流路、及び回収管23を介して回収する液体回収装置21とを備えている。本実施形態においては、ノズル部材70は、露光光ELの光路空間Kを囲むように環状に設けられている。液体LQを供給する供給口12は、露光光ELの光路空間Kの近傍に設けられている。液体LQを回収する回収口22は、ノズル部材70の下面に設けられており、例えば基板Pの露光中は、基板Pの表面と対向する。本実施形態においては、回収口22は、露光光ELの光路空間Kに対して供給口12よりも離れて設けられている。また、本実施形態においては、回収口22には多孔部材(メッシュ)が配置される。
液体供給装置11は、供給する液体LQの温度を調整する温度調整装置、液体LQ中の気体成分を低減する脱気装置、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えており、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。また、液体回収装置21は、真空系等を備えており、液体LQを回収可能である。液体供給装置11及び液体回収装置21を含む液浸システム1の動作は制御装置7に制御される。液体供給装置11から送出された液体LQは、供給管13、及びノズル部材70の供給流路を流れた後、供給口12より露光光ELの光路空間Kに供給される。また、液体回収装置21を稼動することにより回収口22から回収された液体LQは、ノズル部材70の回収流路を流れた後、回収管23を介して液体回収装置21に回収される。制御装置7は、液浸システム1を制御して、液体供給装置11による液体供給動作と液体回収装置21による液体回収動作とを並行して行うことで、露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、終端光学素子FLと対向する物体(例えば、基板P)上に液体LQの液浸領域LRを形成する。
露光装置EXは、投影光学系PLと露光光ELの光路空間Kに満たされた液体LQとを介してマスクMを通過した露光光ELを第1ホルダHD1に保持された基板P上に照射することによって、マスクMのパターン像を基板P上に投影して、基板Pを露光する。また、本実施形態の露光装置EXは、基板Pの露光中に、最終光学素子FLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすとともに、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部の領域に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。
次に、本実施形態に係るテーブル4Tについて、図1〜図7を参照して説明する。図2は第1ホルダHD1で基板Pを保持した状態のテーブル4Tの側断面図、図3は第1ホルダHD1で基板Pを保持した状態のテーブル4Tを上方から見た平面図、図4は基板Pを第1ホルダHD1より外した状態のテーブル4Tを上方から見た平面図、図5は基板P及び板部材Tを第1、第2ホルダHD1、HD2より外した状態の平面図、図6は第1ホルダHD1の一部を拡大した側断面図、図7は平面図である。
図2等に示すように、テーブル4Tは、基材30と、基材30に設けられ、基板Pを着脱可能に保持する第1ホルダHD1と、基材30に設けられ、板部材Tを着脱可能に保持する第2ホルダHD2とを備えている。第2ホルダHD2に保持された板部材Tは、第1ホルダHD1に保持された基板Pの周囲を囲むように配置される。
第1ホルダHD1について説明する。図2〜図7に示すように、第1ホルダHD1は、基材30上に形成され、基板Pの裏面を支持する第1支持部材81と、基材30上に形成され、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面と対向する第1上面31Aを有し、第1支持部材81に支持された基板Pと基材30との間の第1空間41を囲むように設けられた第1周壁31と、基材30上に形成され、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面と対向する第2上面32Aを有し、第1周壁31を囲むように設けられた第2周壁32と、基材30上に形成され、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面と対向する第3上面33Aを有し、第1支持部材81及び第2周壁32を囲むように設けられた第3周壁33と、第1周壁31と第2周壁32との間の第2空間42へ気体を供給可能な流通口60と、第2周壁32と第3周壁33との間の第3空間43の流体を吸引する第1吸引口61とを備えている。
第1周壁31は、基板Pの外形とほぼ同形状の環状(実質的に円環状)を有する。第1周壁31の第1上面31Aは、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面の周縁に相対的に近い領域と対向するように設けられている。第1ホルダHD1に保持された基板Pの裏面側には、基板Pの裏面と第1周壁31と基材30とで囲まれた第1空間41が形成される。
第2周壁32は、第1空間41に対して第1周壁31の外で第1周壁31に沿って形成される。第1周壁31と第2周壁32とは所定の間隔(例えば、1mm)だけ離れている。第2周壁32も、基板Pの外形とほぼ同形状の環状(実質的に円環状)を有する。第2周壁32の第2上面32Aは、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面の周縁に相対的に近い領域と対向するように設けられている。第1ホルダHD1に保持された基板Pの裏面側には、基板Pの裏面と第1周壁31と第2周壁32と基材30とで囲まれた第2空間42が形成される。
第3周壁33は、第1空間41に対して第1周壁31、及び第2周壁32の外に、第2周壁32から所定距離だけ離れて形成されている。第3周壁33も、基板Pの外形とほぼ同形状の環状(実質的に円環状)を有する。第3周壁33の第3上面33Aは、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面の周縁領域(エッジ領域)と対向するように設けられている。第1ホルダHD1に保持された基板Pの裏面側には、基板Pの裏面と第2周壁32と第3周壁33と基材30とで囲まれた第3空間43が形成される。
上述したように、第1、第2、第3周壁31、32、33はいずれも、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面のエッジ領域、あるいはそのエッジ領域に近い領域と対向するように設けられている。
本実施形態においては、第1、第2、第3周壁31、32、33は、ほぼ同心となるように配置されている。第1ホルダHD1は、第1空間41の中心と、基板Pの裏面の中心とがほぼ一致するように、基板Pを保持する。
また、本実施形態においては、第3周壁33の外径は、基板Pの外径よりも小さい。換言すれば、第3周壁33は、第1支持部材81に支持された基板Pのエッジよりも内側(基板Pの中心側)に設けられている。第1支持部材81に支持された基板Pのエッジ領域の一部は、第3周壁33の外側に所定量オーバーハングしている。以下の説明においては、基板Pの裏面の、第3周壁33よりも外側にオーバーハングした領域を適宜、オーバーハング領域H1(図6参照)、と称する。本実施形態においては、オーバーハング領域H1の幅は、約1.5mmである。
図6に示すように、本実施形態においては、第1ホルダHD1に支持された基板Pの裏面と第1周壁31の第1上面31Aとの間には、第1ギャップG1が形成される。また、第1ホルダHD1に支持された基板Pの裏面と第2周壁32の第2上面32Aとの間には、第2ギャップG2が形成される。第3周壁33は、第1ホルダHD1に支持された基板Pの裏面と第3上面33Aとが接触するように形成されている。
本実施形態においては、第1ギャップG1は約2〜10μmであり、第2ギャップG2も約2〜10μmである。また、本実施形態においては、第1、第2、第3上面31A、32A、33Aの幅は、約0.5mmである。
流通口60は、第2空間42と接続されている。図4、図5、図7等に示すように、本実施形態においては、流通口60は、第1周壁31と第2周壁32との間の基材30上で第1周壁31を囲むように、第1周壁31の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、流通口60の形状はそれぞれ円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、流通口60は、ほぼ等間隔で配置されている。
図6等に示すように、第2空間42と外部空間(大気空間)とは、流通口60を介して接続されている。すなわち、流通口60及びその流通口60に接続する流路60Rを介して、第2空間42と外部空間との間で気体が流通可能である。第2空間42は、流通口60を介して大気開放されている。
本実施形態においては、第1周壁31と第2周壁32との間の基材30上には、第1周壁31を囲むように、第1周壁31の外で第1周壁31に沿って環状の第1溝51が形成されている。流通口60は、第1溝51の内側に(第1溝51の底部に)形成されている。
図1及び図6等に示すように、基材30の第2周壁32と第3周壁33との間に形成されている第1吸引口61は、真空系等を含む第1吸引装置91と流路61Rを介して接続されている。また、第1吸引口61は、第3空間43と接続されている。制御装置7は、第1吸引装置91を駆動することにより、第3空間43の流体(気体及び液体の少なくとも一方を含む)を吸引する。
本実施形態においては、第1吸引口61は、第2周壁32と第3周壁33との間の基材30上で第2周壁32を囲むように、第2周壁32の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、第1吸引口61の形状は、それぞれは円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、第1吸引口61は、ほぼ等間隔で配置されている。
また、本実施形態においては、第2周壁32と第3周壁33との間の基材30上には、第2周壁32を囲むように、第2周壁32に沿って環状の第2溝52が形成されている。第1吸引口61は、第2溝52の内側に(第2溝52の底部に)形成されている。
第1支持部材81は、基材30の上面に形成されたピン状の突起部であり、基材30の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。本実施形態においては、第1支持部材81は、第1周壁31の内側に複数配置されている。また、第1支持部材81は、第2周壁32と第2溝52との間、及び第2溝52と第3周壁33との間に複数配置されている。
なお、図4、図5においては、簡略化のために、第3空間43内の第1支持部材81が省略されている。但し、基板Pの表面Paの十分な平坦性が確保できる場合には、第3空間43に第1支持部材81を設けなくてもよい。
基材30上には、第1空間41及び第3空間43を大気圧に比べて負圧の空間にするために流体(主に気体)を吸引する第2吸引口62が複数設けられている。第2吸引口62は、第1周壁31の内側、及び第2周壁32と第3周壁33との間に設けられている。第2吸引口62は専ら基板Pを吸着保持するために使われる。
第1周壁31の内側において、第2吸引口62は、第1支持部材81以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。また、第2周壁32と第3周壁33との間において、第2吸引口62は、第2周壁32に対して第1吸引口61よりも離れた位置に形成されている。すなわち、第2吸引口62は、基材30の上面の第2周壁32と第3周壁33との間において、第2周壁32と第2溝52との間には設けられておらず、第2溝52と第3周壁33との間の所定位置に複数設けられている。
なお、図2、図4、図5においては、簡略化のために、第2溝52と第3周壁33との間に設けられた第2吸引口62が省略されている。但し、第1周壁31の内側に設けられた第2吸引口62だけで基板Pの表面Paの十分な平坦性が確保され、基板Pが動かないように保持可能であれば、第2溝52と第3周壁33との間に第2吸引口62を設けなくてもよい。
図1及び図6等に示すように、第2吸引口62のそれぞれは、真空系等を含む第2吸引装置92に流路62Rを介して接続されているとともに、第1空間41及び第3空間43と接続されている。制御装置7は、第2吸引装置92を稼動することにより、第1、第3空間41、43の流体(気体及び液体の少なくとも一方を含む)を吸引可能である。制御装置7は、第2吸引装置92を稼動し、基板Pの裏面と第1周壁31と基材30とで囲まれた第1空間41の気体、及び基板Pの裏面と第2周壁32と第3周壁33と基材30とで囲まれた第3空間43の流体(主に気体)気体を吸引して、第1空間41及び第3空間43を負圧空間にすることによって、基板Pを第1支持部材81上に吸着保持する。また、第2吸引装置92による吸引動作を解除することにより、第1ホルダHD1より基板Pを外すことができる。このように、本実施形態においては、第2吸引口62を用いた吸引動作を制御することにより、基板Pを第1ホルダHD1に対して着脱することができる。本実施形態における第1ホルダHD1は所謂ピンチャック機構の一部である。
また、テーブル4Tは、基材30上に形成され、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面と対向する第4上面34Aを有し、第3周壁33を囲むように設けられた第4周壁34と、第3周壁33と第4周壁34との間の空間内の流体を吸引する第3吸引口63とを備えている。第4周壁34は、第3空間43に対して第3周壁33の外に、第3周壁33から所定距離だけ離れて形成されている。第4周壁34は第3周壁33に沿って形成されている。第4周壁34も、基板Pの外形とほぼ同形状の環状(実質的に円環状)を有する。ただし、後述するように、本実施形態においては、第4周壁34は連続的に形成されておらず、円弧状の複数の周壁部で構成されている。
第4周壁34の第4上面34Aは、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面のオーバーハング領域H1と対向する。本実施形態においては、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面のオーバーハング領域H1と第4周壁34の第4上面34Aとの間には、第4ギャップG4が形成される。本実施形態においては、第4ギャップG4は、例えば1〜10μm程度に設定されている。また、本実施形態においては、第4上面34Aの幅は、約0.5mmに設定されている。
図1及び図6等に示すように、第3吸引口63は、真空系等を含む第3吸引装置93と流路63Rを介して接続されている。また、第3吸引口63は、第3周壁33と第4周壁34との間の第4空間44と接続されている。第4空間44は、基板Pの裏面のオーバーハング領域H1と第3周壁33と第4周壁34と基材30とで囲まれた空間である。制御装置7は、第3吸引装置93を稼動することにより、第4空間44の流体(気体及び液体の少なくとも一方を含む)を吸引可能である。
本実施形態においては、第3吸引口63は、第3周壁33と第4周壁34との間の基材30上で第3周壁33を囲むように、第3周壁33の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、第3吸引口63の形状はそれぞれ円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、第3吸引口63は、第3周壁33に沿ってほぼ等間隔で配置されている。
また、本実施形態においては、第3周壁33と第4周壁34との間の基材30上には、第3周壁33を囲むように、第3周壁33の外で第3周壁33に沿って環状の第3溝53が形成されている。第3吸引口63は、第3溝53の内側に(第3溝53の底部に)形成されている。
また、第4周壁34の一部には、スリット37が形成されている。スリット37は、第4周壁34の周方向における複数の所定位置のそれぞれに形成されている。本実施形態においては、スリット37は、第4周壁34の周方向においてほぼ等間隔で配置されている。
本実施形態においては、スリット37は、上下方向(Z軸方向)に延びるように形成され、スリット37の下端は、基材30まで達している。一方、スリット37の上端は第4周壁34の第4上面34Aまで達している。したがって、本実施形態における第4周壁34は、平面視円弧状の凸部を複数組み合わせたものであり、それら円弧状の凸部を第3周壁33に沿って複数設けることにより、全体としてほぼ環状となっている。
また、第3吸引口63は、互いに隣り合う二つのスリット37間に配置されている。本実施形態においては、互いに隣り合う二つのスリット37間に二つの第3吸引口63が設けられている。
図7に示すように、流通口60のそれぞれは、互いに隣り合う二つの第1吸引口61間に配置されている。すなわち、流通口60と第1吸引口61とは、周方向において互いに異なる位置に設けられている。平面視円形状の第1空間41の中心から放射状に延びる直線を仮想したときに、流通口60と第1吸引口61とが同一直線上に形成されないように、複数の流通口60及び複数の第1吸引口61のそれぞれの位置が定められている。
次に、板部材T及びその板部材Tを着脱可能に保持する第2ホルダHD2について説明する。板部材Tは、テーブル4Tとは別の部材であって、基材30に対して着脱可能である。また、図3等に示すように、板部材Tの中央には、基板Pを配置可能な略円形状の孔THが形成されている。第2ホルダHD2に保持された板部材Tは、第1ホルダHD1に保持された基板Pを囲むように配置される。本実施形態においては、第2ホルダHD2に保持された板部材Tの表面は、第1ホルダHD1に保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)となるような平坦面となっている。なお、第1ホルダHD1に保持された基板Pの表面と第2ホルダHD2に保持された板部材Tの表面との間に段差があってもよい。
第1ホルダHD1に保持された基板Pのエッジ(外側面)と、第2ホルダHD2に保持された板部材Tの内側のエッジ(内側面)との間には、第5ギャップG5が形成される。第5ギャップG5は、例えば0.1〜1.0mm程度に設定される。また、板部材Tの外形は平面視矩形状であり、本実施形態においては、基材30の外形とほぼ同形状である。
板部材Tは、液体LQに対して撥液性を有している。板部材Tは、例えばポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))等のフッ素系樹脂、あるいはアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、板部材Tを金属等で形成し、その表面にフッ素系樹脂などの撥液性材料で被覆するようにしてもよい。
第2ホルダHD2は、基材30上に形成され、板部材Tの裏面を支持する第2支持部材82を備えている。また、第2ホルダHD2は、基材30上に形成され、第2支持部材82に支持された板部材Tの裏面と対向する第5上面35Aを有し、第4周壁34を囲むように設けられた第5周壁35と、基材30上に形成され、第2支持部材82に支持された板部材Tの裏面と対向する第6上面36Aを有し、第5周壁35を囲むように設けられた第6周壁36を備えている。第2支持部材82は、第5周壁35と第6周壁36との間の基材30上に形成されている。
第5周壁35の第5上面35Aは、第2支持部材82に支持された板部材Tの裏面のうち、孔TH近傍の内縁領域(内側のエッジ領域)と対向するように設けられている。また、第6周壁36の第6上面36Aは、第2支持部材82に支持された板部材Tの裏面のうち、外縁領域(外側のエッジ領域)と対向するように設けられている。第2ホルダHD2に保持された板部材Tの裏面側には、板部材Tの裏面と第5周壁35と第6周壁36と基材30とで囲まれた第5空間45が形成される。この第5空間45を負圧空間とすることによって、第2ホルダHD2の第2支持部材82上に板部材Tが支持される。
本実施形態においては、第5周壁35は、第2支持部材82に支持された板部材Tの裏面と第5上面35Aとが接触するように形成される。第6周壁36は、第2支持部材82に支持された板部材Tの裏面と第6上面36Aとが接触するように形成される。
第2支持部材82は、基材30の上面に形成されたピン状の突起部であり、第5周壁35と第6周壁36との間の基材30の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。
第5周壁35と第6周壁36との間の基材30上には、第5空間45を負圧空間にするために、第5空間45内から流体(主に気体)を吸引する第4吸引口64が設けられている。第4吸引口64は専ら板部材Tを吸着保持するために使用される。第5周壁35と第6周壁36との間の基材30上において、第4吸引口64は、第2支持部材82以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。
図1及び図6等に示すように、第4吸引口64のそれぞれは、真空系等を含む第4吸引装置94に流路64Rを介して接続されているとともに、第5空間45と接続されている。制御装置7は、第4吸引装置94を稼動することにより、第5空間45の流体(気体及び液体の少なくとも一方を含む)を吸引可能である。制御装置7は、第4吸引装置94を稼動し、第2支持部材に支持された板部材Tの裏面と第5周壁35と第6周壁36と基材30とで囲まれた第5空間45の流体(主に気体)を吸引して、第5空間45を負圧空間にすることによって、板部材Tを第2支持部材82上に吸着固定する。また、第4吸引装置94による吸引動作を解除することにより、第2ホルダHD2より板部材Tを外すことができる。このように、本実施形態においては、第4吸引口64を用いた吸引動作を制御することにより、板部材Tを第2ホルダHD2に対して着脱することができる。本実施形態における第2ホルダHD2は所謂ピンチャック機構の一部である。
また、図6等に示すように、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面のオーバーハング領域H1と第4周壁34と第5周壁35と基材30とで囲まれた第6空間46は、第1支持部材81に支持された基板Pと第2支持部材82に支持された板部材Tとの間に形成された第5ギャップG5を介して、外部空間(大気空間)と接続されている。
また、図6、図7等に示すように、第4空間44は、第4ギャップG4、第5ギャップG5、及びスリット37を介して、外部空間と接続されている。すなわち、スリット37、第4ギャップG4、及び第5ギャップG5によって、第4空間44と外部空間との間で流体(気体及び液体の少なくとも一方を含む)が流通可能となっている。
また、第3周壁33の外側面と第4周壁34の内側面との間には、約1mmの第6ギャップG6が形成される。第4周壁34の外側面と第5周壁35の内側面との間には、約1mmの第7ギャップG7が形成される。
次に、露光装置EXの露光動作を、テーブル4Tの基板保持動作とともに説明する。特に、テーブル4Tの液体回収動作について詳細に説明する。
制御装置7は、基板ステージ4を所定の基板交換位置(ローディングポジション)に配置し、基板ステージ4のテーブル4Tの第1ホルダHD1に搬送装置100を用いて露光処理されるべき基板Pを搬入(ロード)する。制御装置7は、所定のタイミングで第2吸引装置92を駆動し、第2吸引口62を介して、第1空間41、及び第3空間43を負圧空間にすることによって、基板Pを第1支持部材81で吸着保持する。なお、基板Pが第1ホルダHD1に保持される前に、制御装置7は、第4吸引装置94を駆動して、第4吸引口64を介して第5空間45を負圧空間にすることによって、板部材Tが第2ホルダHD2に保持される。
また、制御装置7は、所定のタイミングで、第1吸引装置91を駆動し、第1吸引口61を用いた吸引動作を開始する。制御装置7は、基板Pの表面及び板部材Tの表面の少なくとも一方に液浸領域LRを形成している間、第1吸引口61を用いた吸引動作を実行(継続)する。本実施形態においては、制御装置7は、基板Pを第1ホルダHD1に搬入(ロード)した直後に、第2吸引口62の吸引動作の開始と同時に第1吸引口61を用いた吸引動作を開始し、第1ホルダHD1で保持した基板Pの露光し、露光後の基板Pを第1ホルダHD1より搬出(アンロード)する直前まで、第1吸引口61を用いた吸引動作を継続する。なお、第1吸引口61を用いた吸引動作は、第2吸引口62を用いた吸引動作を行って、第1ホルダHD1で基板Pを保持した後に開始してもよい。基板Pの上面と板部材Tの上面の少なくとも一部に液浸領域LRが形成される前に、第1吸引口61を用いた吸引動作が開始されればよい。
制御装置7は、第1ホルダHD1で保持された基板Pを液浸露光するために、液浸システム1を用いて、基板P上に液体LQの液浸領域LRを形成する。制御装置7は、テーブル4Tの第1ホルダHD1に保持された基板Pを液浸領域LRの液体LQを介して露光する。
例えば基板Pの表面のエッジ近傍の領域を液浸露光するとき、液浸領域LRの一部が基板Pの外側の板部材T上に形成される。すなわち、第5ギャップG5の上に液体LQの液浸領域LRが形成される。しかしながら、第5ギャップG5は、0.1〜1.0mmに設定されているので、液体LQの表面張力によって、第5ギャップG5に液体LQが浸入することが抑制されている。また、板部材Tは撥液性を備えているので、第5ギャップG5を介して基板Pの裏面側に液体LQが浸入することが抑制されている。したがって、基板Pの表面のエッジ近傍の領域を露光する場合にも、投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。
このように、第5ギャップG5を小さくしたり、基板Pの周囲に撥液性の板部材Tを配置する等して、第5ギャップG5からの液体LQの浸入を抑制するようにしているが、液浸領域LRを形成している液体LQの圧力変化などに起因して、基板Pの周囲に形成されている第5ギャップG5から液体LQが浸入する可能性がある。第5ギャップG5を介して第6空間46に浸入した液体LQが、第4ギャップG4などを介して第4空間44に浸入した場合でも、基板Pの裏面と第3周壁33の第3上面33Aとは接触(密着)しているので、第3周壁33の内側の空間へ液体LQが浸入することを抑制することができる。また、第4空間44を設けることにより、ギャップG5、G4などを介して浸入した液体LQを、その第4空間44で保持することができる。なお、本実施形態においては、制御装置7は、少なくとも基板Pを露光している間においては、第3吸引口63を用いた吸引動作は実行しない。すなわち、制御装置7は、少なくとも基板Pを露光している間、第3吸引装置93の稼動を停止している。
このように、本実施形態のテーブル4Tは、第4空間44に液体LQが浸入しても、第3周壁33の内側の空間へ液体LQが浸入し難い構成となっている。しなしながら、基板Pの裏面Pbと第3周壁33の上面33Aとの接触状態によっては、第3周壁33の内側の空間へ液体LQが浸入する可能性がある。例えば基板Pの裏面の第3周壁33の第3上面33Aと接触する領域に凹凸があったり、基板Pに反りが生じている等、何らかの原因で基板Pの裏面と第3周壁33の第3上面33Aとの間に隙間が生じると、基板Pの裏面と第3周壁33の第3上面33Aとの間を介して、第3周壁33の内側の空間に液体LQが浸入する可能性がある。本実施形態においては、第3周壁33の内側に気体を供給可能な流通口60を設けるとともに、第3周壁33と流通口60との間に第1吸引口61を設け、第1吸引口61を用いた吸引動作を実行しているので、仮に第3周壁33の内側の空間に液体LQが浸入しても、第1空間41及び第2空間42に液体LQが浸入することを防止することができる。
図8は、第1吸引口61を用いた吸引動作を実行しているときの状態を模式的に示す図である。図8に示すように、第1吸引口61の吸引動作により、第2空間42から第2ギャップG2を介して第3空間43に向かう気体の流れF2を生成することができる。第2空間42は、流通口60により大気開放されているため、第1吸引口61の吸引動作を実行することで、外部空間(大気空間)から流通口60を介して第2空間42に気体が供給(流入)され、第2空間42から第2ギャップG2を介して第3空間43の第1吸引口61に向かう気体の流れF2を生成することができる。この気体の流れF2は、基板Pの裏面の中央から外側へ向かう流れであるため、基板Pの裏面と第3周壁33の第3上面33Aとの間から第3周壁33の内側の空間に液体LQが浸入しても、気体の流れF2により、その液体LQが第2周壁32よりも内側の空間、すなわち第1空間41及び第2空間42に浸入することを抑制することができる。
本実施形態においては、所望状態の気体の流れF2を生成するために、第2ギャップG2の値が最適化されている。本実施形態において、第2ギャップG2は、2〜10μmであるため、第2空間42から第3空間43に向かう高速の気体の流れF2を生成することができる。
なお、上述のように、第2ギャップG2は2〜10μm程度と微小であり、第2空間42から第3空間43に流入する気体の単位時間当たりの流量が最適化されている。したがって、第2空間42から第3空間43へ流入する気体が第3空間43の負圧化の妨げになることはほとんどなく、第1ホルダHD1による真空吸着動作を円滑に行うことができる。すなわち、第2ギャップG2は、所望状態の気体の流れF2を生成でき、且つ第1ホルダHD1で基板Pを吸着保持できるように最適化されている。
また、本実施形態においては、基板Pの裏面と第1周壁31の第1上面31Aとの間に第1ギャップG1が形成されているので、例えば第1周壁31と基板Pとが接触することに起因する基板Pの局所的な変形等の発生を抑えることができる。第1空間41は第2吸引口62を用いた吸引動作により負圧空間になっているので、第2空間42から第1ギャップG1を介して第1空間41に向かう気体の流れF1も生成されるが、第1ギャップG1も、所望状態の気体の流れF1を生成し、且つ第1ホルダHD1で基板Pを真空吸着保持できるように最適化されている。
図9の模式図に示すように、流通口60から第2空間42に供給(流入)した気体は、第1溝51にガイドされて周方向に拡がりつつ、第2ギャップG2に向かって流れる。すなわち、流通口60から第2空間42に供給され、第2ギャップG2に向かう気体の流速、流量は、第1溝51により周方向において均一化される。
また、第2周壁32の第2上面32Aは環状であり、第2ギャップG2は、第2上面32Aの周方向においてほぼ同じである。したがって、第2空間42から第3空間43に向かう気体の流速及び流量は、第2ギャップG2の全域において均一化される。
また、図9の模式図に示すように、第1吸引口61は、第2周壁32を囲むように、第2周壁32の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。また、第1吸引口61は、第2周壁32を囲むように環状に形成された第2溝52内に形成されている。第2空間42から第3空間43に供給(流入)した気体は、第2溝52にガイドされて周方向に拡がりつつ、第2溝52に沿って第1吸引口61に向かって流れる。
このように、第2空間42から第2ギャップG2を介して第3空間43に向かう気体の流れF2が、周方向において均一化されている。また、第2溝52に沿って第1吸引口61のそれぞれに向かう気体の流れが生成される。したがって、第1支持部材81に支持された基板Pの裏面と第3周壁33の第3上面33Aとの間のいずれの部分から液体LQが第3周壁33の内側の第3空間43に浸入しても、浸入した液体LQは第2溝52内に引き込まれ、第1吸引口61から回収することができる。その結果、その液体LQが第2周壁32の内側の空間(第1空間41及び第2空間42)に達することを抑制することができる。
基板Pの液浸露光終了後、且つ基板P上及び板部材T上の液浸領域LRが無くなった後、制御装置7は、第2吸引装置92の吸引動作を停止する。制御装置7は、第2吸引装置92の吸引動作を停止した後に、第1吸引装置91の吸引動作を所定時間継続した後、第1吸引装置91の吸引動作を停止する。このように、第2吸引装置92の吸引動作を停止した後に、第1吸引装置91の吸引動作を停止することによって、第1吸引装置91に接続された流路61R内の液体LQが逆流して、第1吸引口61から噴出することを防止することができる。
また、基板Pの露光終了後、制御装置7は、第2吸引装置92の吸引動作を停止する前に、基板Pを第1ホルダHD1で保持した状態で、第3吸引装置93を駆動し、第3吸引口63を用いた吸引動作を開始する。制御装置7は、第3吸引口63を用いた吸引動作を行うことにより、基板Pの裏面のオーバーハング領域H1に付着している液体LQ、及び第4空間44に存在する液体LQを回収することができる。
例えば、図10に示すように、第5ギャップG5から浸入した液体LQは、基板Pの裏面のオーバーハング領域H1に付着する可能性が高い。あるいは、第5ギャップG5を介して第4空間44へ浸入した液体LQは、例えば第3周壁33の外側面、第4周壁34の内側面、及び基材30の上面等に付着する可能性が高い。制御装置7は、第3吸引装置93を所定時間駆動することによって、第5ギャップG5から浸入した液体LQを回収する。
第3吸引装置93が駆動されると、第3吸引口63の周囲の流体(すなわち第4空間44の流体)は、第3吸引口63に吸引される。第4周壁34の第4上面34Aと基板Pの裏面のオーバーハング領域H1との間に形成された第4ギャップG4は、第4空間44と外部空間との間で気体を流通可能な流路を形成している。図10に示すように、第3吸引装置93が第3吸引口63を介して第4空間44の流体(主に気体)を吸引することによって、外部空間(大気空間)から第5ギャップG5及び第4ギャップG4を介して第4空間44に流入し、第3吸引口63へ向かう気体の流れF3が生成される。また、第4周壁34の一部に設けられたスリット37も、第4空間44と外部空間との間で気体を流通可能な流路を形成している。図11に示すように、第3吸引装置93が第3吸引口63を介して第4空間44の流体(主に気体)を吸引することによって、外部空間(大気空間)から第5ギャップG5及びスリット37を介して第4空間44に流入し、第3吸引口63へ向かう気体の流れF4が生成される。
第3吸引口63を用いた吸引動作により生成された気体の流れF3、F4によって、基板Pの裏面のオーバーハング領域H1に付着している液体LQ及び、第4空間44へ浸入した液体LQ(第3周壁33の外側面、第4周壁34の内側面、及び基材30の上面等に付着している液体LQ)は、第3吸引口63まで移動し、第3吸引口63から回収される。
また、図11の模式図に示すように、第3吸引口63は、第3周壁33を囲むように所定間隔で複数形成されている。第3吸引口63は、第3周壁33を囲むように環状に形成された第3溝53内に形成されている。スリット37及び第4ギャップG4から第4空間44に供給(流入)した気体は、第3溝53、第3周壁33の外側面、及び第4周壁34の内側面にガイドされつつ、第3吸引口63に向かって流れる。したがって、第4空間44に存在する液体LQを第3吸引口63を用いて円滑に回収することができる。
上述のように、本実施形態においては、第3吸引口63を用いた吸引動作は、液体LQを介した基板Pの露光終了後に行われる。露光中に第3吸引口63を用いた吸引動作を停止することで、第3吸引口63を用いた吸引動作(液体回収動作)に起因する振動、基板P表面の平坦度の劣化などを抑えることができる。また、基板Pを第1ホルダHD1に保持した状態で、第3吸引口63を用いた吸引動作を行うことで、液体LQを円滑に回収することができる。なお、第3吸引口63を用いた吸引動作(液体回収動作)は、基板Pの露光終了後であって、基板Pを第1ホルダHD1よりアンロードする前であればいつでもよい。なお、振動、基板Pの平坦度、気化熱などが問題とならなければ、第3吸引口63を用いた吸引動作を基板Pの露光中に行ってもよい。
また、本実施形態においては、制御装置7は、第3吸引装置93の吸引動作中に、第2吸引装置92の吸引動作を停止する。更に、第3吸引口63を用いた第4空間44の液体回収動作を所定時間継続した後、制御装置7は、第1吸引装置91の吸引動作を停止し、更にその後に第3吸引装置93の吸引動作を停止する。これにより、第4空間44から第3周壁33の内側の第3空間43への液体LQの流入をより確実に抑えることができる。なお、第4空間44の液体LQの回収動作が十分に行われた後であれば、第1吸引装置91と第3吸引装置93の吸引動作とを同時に停止してもよいし、第3吸引装置93の吸引動作を停止した後に、第1吸引装置91の吸引動作を停止してもよい。
第1〜第3吸引装置91、92、93の吸引動作を全て停止した後に、制御装置7は、不図示の基板昇降機構を用いて第1ホルダHD1に対して基板Pを上昇させ、所定の基板交換位置において、搬送装置100を用いて第1ホルダHD1から基板Pをアンロード(搬出)する。
図12A及び12Bは、第1ホルダHD1からアンロードされた基板Pを搬送装置100で搬送している状態を示す図である。搬送装置100は、アーム部材101と、アーム部材101上に設けられ、基板Pの裏面の中央近傍の所定領域PAと接触する接触面103を有する凸部材102とを備えている。第1ホルダHD1の第1空間41は、基板Pの裏面のうち、搬送装置100の接触面103と接触する所定領域PAに応じて設定されている。上述のように、第1ホルダHD1で基板Pの裏面を保持した状態においては、第1吸引口61の吸引動作により第1空間41及び第2空間42に液体LQが浸入することが抑制されており、基板Pの裏面の所定領域PAに液体LQが付着することが抑制されている。したがって、搬送装置100の接触面103を基板Pの裏面の所定領域PAに接触させることで、搬送装置100に液体LQが付着することを抑制することができる。
以上説明したように、第2空間42から第2ギャップG2を介して第3空間43に向かう気体の流れF2を生成することで、基板Pの裏面の所定領域PA(第1空間41に対応する領域)に液体LQが付着することを抑制することができる。したがって、搬送装置100が基板Pの裏面の所定領域PAと接触する場合でも、搬送装置100に液体LQが付着することを抑制できる。
また、基板Pのオーバーハング領域H1に付着した液体LQは、第3吸引口63の吸引動作により回収されるので、基板Pをアンロードした後、その基板Pを搬送している間においても、搬送経路上に液体LQが飛散することを抑制できる。また、必要に応じて、基板ステージ4からアンロードされた後の基板Pの搬送経路上に、基板Pに付着した液体LQを除去可能な除去装置を設けておくことにより、搬送経路上に液体LQが飛散することを抑制できる。この場合、除去装置は、再度基板P上に液体LQを供給し、その後に、基板Pに付着した液体LQを除去してもよい。
第1支持部材81は、第1周壁31の内側に加えて、第2周壁32と第2溝52との間、及び第2溝52と第3周壁33との間にも配置されており、基板Pに反り変形等が生じることを抑えつつ、基板Pを良好に支持することができる。
また、本実施形態においては、第3空間43において、第2周壁32と第1吸引口61(第1溝51)との間には、第2吸引口62が配置されていない。これにより、第2周壁32の第2上面32Aと第1支持部材81に支持された基板Pの裏面との間の第2ギャップG2から第1吸引口61(第1溝51)へ向かう気体の流れF2が乱れたり、弱まったりすることを抑制でき、所望状態の気体の流れF2を生成することができる。
なお、第1ホルダHD1において、基板Pは、その中心から外側に向かって、順次吸着されることが望ましい。この場合、第1周壁31の内側に設けられた第2吸引口62と、第2周壁32と第3周壁33との間に設けられた第2吸引口とを、それぞれ別々の吸引装置(真空ポンプなど)に接続し、第1周壁31の内側に設けられた第2吸引口62を用いる吸引動作を開始した後に、第2周壁32と第3周壁33との間に設けられた第2吸引口62を用いる吸引動作を開始してもよい。あるいは、第2周壁32と第3周壁33との間に設けられた第2吸引口62に一端が接続された流路62Rの他端を、第1周壁31の内側に設けられた接続口に接続し、第2周壁32と第3周壁33との間に設けられた第2吸引口62の吸引動作を、第1周壁31の内側に設けられた第2吸引口62と接続口とを介して行ってもよい。
なお、流通口60に加圧ポンプ等を含む気体供給装置を接続し、その気体供給装置を用いて、流通口60を介して第2空間42に能動的に気体を供給するようにしてもよい。
なお、流通口60の配置、数、形状等を最適化し、均一な所望の気体の流れを生成できるのであれば、第1溝51を形成せず、基材30の上面の所定位置に流通口60を形成するようにしてもよい。同様に、所望の気体の流れを生成することができるのであれば、第2溝52、第3溝53を省略し、基材30の上面の所定位置に、第1吸引口61、第3吸引口63を形成することができる。また、流通口60を周方向に多数設けて、流通口60から第1吸引口61に向かって流速及び流量が均一な気体の流れF2が形成可能であれば、第2周壁32を省いてもよい。
なお、上述の実施形態においては、第1周壁31の第1上面31Aと基板Pの裏面との間には第1ギャップG1が形成されているが、第1周壁31の第1上面31Aと基板Pの裏面とは接触してもよい。
なお、第1周壁31の内側に更に、少なくとも一つの環状の周壁を、基板Pの裏面と所定のギャップを形成するように設けてもよい。第2空間42は大気開放されているので、第1空間41の負圧(吸着力)が不足する可能性があるが、第1周壁31の内側に少なくとも一つの環状の周壁を追加することによって、追加した周壁の内側の空間の大きな吸着力を維持することができる。また、追加した周壁の内側の空間の吸着力が外側の空間の吸着力より大きくなるので、基板Pを安定して保持することができる。
なお、上述の実施形態においては、第3周壁33の内側の空間に流入した液体LQを回収するために、第1ホルダHD1に気体を供給可能な流通口(60)と流入した液体LQを回収する吸引口(61)とを設けているが、第5周壁35の内側(板部材Tの裏面側の第5空間45)に浸入した液体LQを回収するために、第2ホルダHD2に気体を供給可能な流通口と流入した液体LQを回収する吸引口とを設けてもよい。
また、基板Pの周囲の平坦部を脱着可能な板部材Tで形成しているが、基板Pの周囲の平坦部を基材30と一体的な部材で形成してもよい。
また、上述の実施形態の投影光学系は、最終光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、最終光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がFレーザである場合、このFレーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはFレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。
また、液体LQとしては、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。液体LQとしては、例えば、屈折率が約1.50のイソプロパノール、屈折率が約1.61のグリセロール(グリセリン)といったC−H結合あるいはO−H結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体(有機溶剤)、デカリン、バイサイクロヘクシル等の所定液体が挙げられる。あるいは、これら所定液体のうち任意の2種類以上の液体が混合されたものであってもよいし、純水に上記所定液体が添加(混合)されたものであってもよい。あるいは、液体LQとしては、純水に、H、Cs、K、Cl、SO 2−、PO 2−等の塩基又は酸を添加(混合)したものであってもよい。更には、純水にAl酸化物等の微粒子を添加(混合)したものであってもよい。これら液体LQは、ArFエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体LQとしては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系PL及び/又は基板Pの表面に塗布されている感光材(又は保護膜(トップコート膜)あるいは反射防止膜など)に対して安定なものであることが好ましい。
光学素子LS1は、例えば石英(シリカ)で形成することができる。あるいは、フッ化カルシウム(蛍石)、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、及びBaLiF等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。更に、最終光学素子は、ルテチウムアルミニウムガーネット(LuAG)で形成されてもよい。及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。
投影光学系の少なくとも1つの光学素子を、石英及び/又は蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で形成してもよい。例えば、国際公開第2005/059617号パンフレットに開示されているような、サファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第2005/059618号パンフレットに開示されているような、塩化カリウム(屈折率約1.75)等を用いることができる。
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)に適用してもよいし、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。
また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報、米国特許6,341,007号、米国特許6,400,441号、米国特許6,549,269号、及び米国特許6,590,634号、米国特許6,208,407号、米国特許6,262,796号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、特開平11−135400号公報、特開2000−164504号公報、米国特許6,897,963号などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
上記各実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば基板ステージの上面に設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正(キャリブレーション)を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、基板ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
上記各実施形態では複数の光学素子を有する投影光学系を備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、一つの光学素子で構成された投影光学系を用いてもよい。あるいは、投影光学系を用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いてもよい。
また、例えば、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
さらに、例えば特表2004−519850号公報(対応米国特許第6,611,316号)に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回のスキャン露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
なお、法令で許容される限りにおいて、露光装置などに関する引例の開示を援用して本文の記載の一部とする。
以上のように、露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図13に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。

Claims (32)

  1. 露光光が照射される基板を保持する基板保持装置であって、
    基部と、
    前記基部上に形成され、前記基板の裏面を支持する支持部と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第1上面を有し、前記支持部に支持された前記基板と前記基部との間の第1空間を囲む第1周壁と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面とギャップを介して対向する第2上面を有し、前記第1周壁を囲む第2周壁と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第3上面を有し、前記支持部及び前記第2周壁を囲む第3周壁と、
    前記第1周壁と前記第2周壁との間の第2空間へ気体を供給可能な流通口と、
    前記第2周壁と前記第3周壁との間の第3空間の流体を吸引する第1吸引口と、を備えた基板保持装置。
  2. 前記第1吸引口の吸引動作により、前記第2空間から前記ギャップを介して前記第3空間に向かう気体の流れを生成する請求項1記載の基板保持装置。
  3. 前記気体の流れにより、前記第1空間及び前記第2空間に液体が浸入することを抑制する請求項2記載の基板保持装置。
  4. 前記第2空間は、前記流通口を介して大気開放されている請求項1〜3のいずれか一項記載の基板保持装置。
  5. 前記流通口は、前記第1周壁と前記第2周壁との間の前記基部上で前記第1周壁の周方向に沿って所定間隔で複数形成されている請求項1〜4のいずれか一項記載の基板保持装置。
  6. 前記第1周壁と前記第2周壁との間の前記基部上に形成され、前記第1周壁を囲むように形成された第1溝をさらに備え、
    前記流通口は、前記第1溝内に形成されている請求項1〜5のいずれか一項記載の基板保持装置。
  7. 前記第1吸引口は、前記第2周壁と前記第3周壁との間の前記基部上に形成され、前記第2周壁に沿って所定間隔で複数形成されている請求項1〜6のいずれか一項記載の基板保持装置。
  8. 前記第2周壁と前記第3周壁との間の前記基部上に形成され、前記第2周壁を囲むように形成された第2溝をさらに備え、
    前記第1吸引口は、前記第2溝内に形成されている請求項1〜7のいずれか一項記載の基板保持装置。
  9. 前記支持部は、前記基部上において、前記第2周壁と前記第2溝との間、及び前記第2溝と前記第3周壁との間に配置された複数のピン状突起部を含む請求項8記載の基板保持装置。
  10. 前記第3周壁は、前記支持部に支持された前記基板の裏面と前記第3上面とが接触するように形成される請求項1〜9のいずれか一項記載の基板保持装置。
  11. 前記第1周壁の内側、及び前記第2周壁と前記第3周壁との間の前記基部上に設けられ、前記第1空間及び前記第3空間を負圧にするために前記第1空間及び前記第2空間のそれぞれから流体を吸引する第2吸引口をさらに備えた請求項1〜10のいずれか一項記載の基板保持装置。
  12. 前記第1空間及び前記第3空間を負圧にすることによって、前記基板の裏面を前記支持部材で吸着保持する請求項11記載の基板保持装置。
  13. 前記第2周壁と第3周壁との間において、前記第2吸引口は、前記第2周壁に対して前記第1吸引口よりも離れて形成される請求項11又は12記載の基板保持装置。
  14. 前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第4上面を有し、前記第3周壁を囲む第4周壁と、
    前記第3周壁と前記第4周壁との間の流体を吸引する第3吸引口とをさらに備えた請求項1〜13のいずれか一項記載の基板保持装置。
  15. 前記第3吸引口は、前記第3周壁と前記第4周壁との間の前記基部上に形成され、前記第3周壁の周方向に沿って所定間隔で複数形成されている請求項14記載の基板保持装置。
  16. 前記第3周壁と前記第4周壁との間の前記基部上に形成され、前記第3周壁を囲むように形成された第3溝をさらに備え、
    前記第3吸引口は、前記第3溝内に形成されている請求項14又は15記載の基板保持装置。
  17. 前記第3周壁と前記第4周壁との間の第4空間と、前記第3周壁に対して前記第4周壁の外側の外部空間との間で気体を流通可能な流路をさらに備える請求項14〜16のいずれか一項記載の基板保持装置。
  18. 前記流路は、前記第4周壁の一部に設けられたスリットを含む請求項17記載の基板保持装置。
  19. 前記流路は、前記第4周壁の前記第4上面により形成される請求項17又は18記載の基板保持装置。
  20. 前記支持部材に支持された前記基板の裏面と前記第1周壁の第1上面との間にはギャップが形成される請求項1〜19のいずれか一項記載の基板保持装置。
  21. 前記第1、第2、及び第3周壁はそれぞれ、前記基板の外形と実質的に相似な環状である請求項1〜20のいずれか一項記載の基板保持装置。
  22. 前記第1空間の中心と前記基板の中心とがほぼ一致するように前記基板を保持する請求項21記載の基板保持装置。
  23. 請求項1〜請求項22のいずれか一項記載の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置。
  24. 前記基板保持装置に対して前記基板を搬送可能な搬送装置を備え、
    前記第1空間は、前記基板の裏面のうち前記搬送装置と接触する領域に応じて設定されている請求項23記載の露光装置。
  25. 請求項23又は請求項24記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    該露光された基板を現像することと、
    を含むデバイス製造方法。
  26. 液浸露光を行う露光方法において、
    基板保持装置に基板を保持することと、
    前記基板保持装置に保持された前記基板を露光することとを含み、
    前記基板保持装置は、
    基部と、
    前記基部上に形成され、前記基板の裏面を支持する支持部と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第1上面を有し、前記支持部に支持された前記基板と前記基部との間の第1空間を囲む第1周壁と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面とギャップを介して対向する第2上面を有し、前記第1周壁を囲む第2周壁と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第3上面を有し、前記支持部及び前記第2周壁を囲む第3周壁と、
    前記第1周壁と前記第2周壁との間の第2空間へ気体を供給可能な流通口と、
    前記第2周壁と前記第3周壁との間の第3空間の流体を吸引する第1吸引口と、を備える露光方法。
  27. 前記基板の表面の一部に液体の液浸領域を形成することをさらに含み、
    前記基板は前記液体を介して露光される請求項26記載の露光方法。
  28. 前記基板の露光中に、前記第1吸引口を介して前記第3空間内の流体を吸引することをさらに含む請求項26又は27記載の露光方法。
  29. 前記基板保持装置は、前記基部上に形成され、前記基板を吸着保持するために前記第1空間内の気体を吸引する第2吸引口をさらに備え、
    前記第2吸引口を用いた吸引動作を開始した後に、前記第1吸引口を用いた吸引動作が開始される請求項26〜28のいずれか一項記載の露光方法。
  30. 前記基板の露光終了後、前記第2吸引口を用いた吸引動作を停止することと、
    前記第2吸引口を用いた吸引動作を終了後に、前記第1吸引口を用いた吸引動作を停止することとを含む請求項29記載の露光方法。
  31. 前記基板保持装置は、前記基部上に設けられ、前記第3周壁の外側に設けられた第3吸引口をさらに備え、
    前記基板の露光終了後、前記第2吸引口を用いた吸引動作を停止する前に、前記第3吸引口を用いて、前記第3周壁の外側の流体を吸引することをさらに含む請求項30記載の露光方法。
  32. 請求項26〜請求項31のいずれか一項の露光方法を用いて基板を露光することと、
    該露光された基板を現像することと、
    を含むデバイス製造方法。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101532824B1 (ko) 2003-04-09 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI612338B (zh) 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TW201809727A (zh) 2004-02-06 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 偏光變換元件
KR101762083B1 (ko) 2005-05-12 2017-07-26 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681125B (zh) 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
KR101562073B1 (ko) 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5360057B2 (ja) 2008-05-28 2013-12-04 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP2010129929A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Canon Inc 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法
CN102203677B (zh) * 2009-11-25 2013-11-06 恩斯克科技有限公司 曝光装置以及基板的曝光方法
US8695990B2 (en) * 2010-04-01 2014-04-15 Nidec-Read Corporation Wafer flattening apparatus and method
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2015043890A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Asml Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN110068991B (zh) * 2014-10-23 2021-03-12 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台和光刻设备
CN107004574B (zh) * 2014-12-12 2020-06-30 佳能株式会社 基板保持装置、光刻设备以及物品制造方法
JP6496255B2 (ja) * 2016-01-29 2019-04-03 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置
JP6650345B2 (ja) * 2016-05-26 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004112108A1 (ja) * 2003-06-13 2004-12-23 Nikon Corporation 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005310933A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nikon Corp 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法
WO2006077859A1 (ja) * 2005-01-18 2006-07-27 Nikon Corporation 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6721034B1 (en) 1994-06-16 2004-04-13 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same
US5850280A (en) 1994-06-16 1998-12-15 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same
JP3484684B2 (ja) 1994-11-01 2004-01-06 株式会社ニコン ステージ装置及び走査型露光装置
JP3312164B2 (ja) * 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
WO1998024115A1 (fr) 1996-11-28 1998-06-04 Nikon Corporation Dispositif d'alignement et procede d'exposition
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
WO1998040791A1 (en) 1997-03-10 1998-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Positioning device having two object holders
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
KR20010045963A (ko) 1999-11-09 2001-06-05 박종섭 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
WO2002069049A2 (en) 2001-02-27 2002-09-06 Asml Us, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
CN100462844C (zh) 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4529433B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP2004310933A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Sony Corp ディスクドライブ装置
CN1771463A (zh) 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
TWI606485B (zh) * 2004-03-25 2017-11-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG153813A1 (en) 2004-06-09 2009-07-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate
JP5119666B2 (ja) 2004-06-21 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法
EP2325866A1 (en) * 2004-09-17 2011-05-25 Nikon Corporation Substrate holding device, exposure apparatus and device manufacturing method
KR20080005376A (ko) * 2005-04-28 2008-01-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
WO2008029884A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Dispositif et procédé de nettoyage, et procédé de fabrication du dispositif

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004112108A1 (ja) * 2003-06-13 2004-12-23 Nikon Corporation 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005310933A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nikon Corp 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法
WO2006077859A1 (ja) * 2005-01-18 2006-07-27 Nikon Corporation 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法

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