JP5321722B2 - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を露光する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献１、２に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。また、下記特許文献３〜８に開示されているような、基板を保持する基板ステージを複数備えたマルチステージ型（ツインステージ型）の露光装置が知られている。

特開２００４−２８９１２６号公報 特開２００４−２８９１２８号公報 特表２０００−５１１７０４号公報 特開２０００−３２３４０４号公報 特開２０００−５０５９５８号公報 特表２００１−５１３２６７号公報 特開２００２−１５８１６８号公報 国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレット

液浸露光装置において、例えば基板交換時等、基板ステージが投影光学系から離れる毎に液体を全て回収する場合、露光装置のスループットが低下する可能性がある。また、液体が全て回収され、投影光学系の光射出面がウエットな状態からドライな状態になると、液体の気化に起因して、投影光学系の光射出面に液体の付着跡（ウォーターマーク）が形成されたり、温度変化が生じたりし、露光精度が劣化する可能性がある。そのため、投影光学系の光射出面を常に液体で濡らしておくことが望ましい。

マルチステージ型の露光装置において、従来のように、投影光学系の光射出面と対向するようにキャップ部材（シャッタ部材）を保持することによって、投影光学系の光射出面を常に液体で濡らそうとする場合、キャップ部材が落下したり、キャップ部材上の液体が漏出する等の不具合が発生する可能性が存在することは否めない。また、基板ステージとのキャップ部材の受け渡し動作によって、露光装置のスループットが低下する可能性がある。そのため、マルチステージ型の露光装置に液浸法を適用した場合においても、投影光学系の光射出面を常に液体で濡らして、基板を効率良く良好に露光できる技術の案出が望まれる。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、露光装置に液浸法を適用した場合において、基板を効率良く良好に露光できる露光装置及び露光方法、並びにその露光装置及び露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）に露光ビーム（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光ビーム（ＥＬ）を射出する第１光学部材（８）と、第１光学部材（８）の光射出側で移動可能な第１移動体（１）と、第１移動体（１）に設けられ、位置計測用の計測ビーム（ＭＬ）が照射される斜面（１Ｓｚ）を有する計測部材（１Ｒｚ）と、第１移動体（１）に設けられ、第１移動体（１）から計測部材（１Ｒｚ）よりも外側に張り出す端面（８１Ｅ）を有し、計測ビーム（ＭＬ）を透過可能な透過領域（８１Ｓ）を有する透過部材（８１）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第１の態様によれば、基板を効率良く良好に露光できる。

本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）に露光ビーム（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光ビーム（ＥＬ）を射出する第１光学部材（８）と、第１光学部材（８）の光射出側で移動可能な第１移動体（１）と、第１移動体（１）に設けられ、位置計測用の計測ビーム（ＭＬ）が照射される斜面（１Ｓｚ）を有する計測部材（１Ｒｚ）と、第１移動体（１）に設けられ、第１移動体（１）に対して移動可能に支持され、計測部材（１Ｒｚ）の斜面（１Ｓｚ）に対して所定の位置関係で配置される端面（８１Ｅ）を有する移動部材（８１）と、移動部材（８１）の端面（８１Ｅ）が第１移動体（１）から計測部材（１Ｒｚ）よりも外側に張り出す第１の位置、及び少なくとも計測部材（１Ｒｚ）の斜面（１Ｓｚ）からの計測ビーム（ＭＬ）の進行を妨げない第２の位置のそれぞれの位置に該移動部材（８１）を移動可能な駆動装置（３０、１００、１０１、５等）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第２の態様によれば、基板を効率良く良好に露光できる。

本発明の第３の態様に従えば、基板（Ｐ）に露光ビーム（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光ビーム（ＥＬ）を射出する光学部材（８）と、光学部材（８）の光射出側で移動可能な第１移動体（１）と、第１移動体（１）に設けられて露光ビームを検出する検出器（７）と、第１移動体に設けられた透過板であって、第１移動体の位置計測用の計測ビームを透過する第１透過領域（８１Ｓ）と、検出器への検出光を透過する第２透過領域（８１ＳＳ）を有する透過板と、を備えた露光装置が提供される。

本発明の第３の態様によれば、基板を効率良く良好に露光できる。

本発明の第４の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様によれば、基板を効率良く良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。

本発明の第５の態様に従えば、計測光を反射する斜面（１Ｓｚ）が設けられた移動体（１）に保持された基板（Ｐ）に露光ビーム（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、移動体（１）から斜面（１Ｓｚ）の外側にまで延在するように設けられた透過部材を透過して斜面からの計測光（ＭＬ）を受光することにより移動体（１）に保持された基板の位置を計測すること（ＳＭ１）と、位置計測された移動体（１）上の基板（Ｐ）に露光ビーム（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光すること（ＳＥ１）を含む露光方法が提供される。

本発明の第５の態様によれば、基板を効率良く良好に露光できる。

本発明の第６の態様に従えば、前記露光方法を用いて基板を露光すること（２０４）と、露光した基板を現像すること（２０４）と、現像した基板を加工すること（２０５）を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様によれば、基板を効率良く良好に露光できる。

本発明によれば、基板を効率良く良好に露光でき、液浸露光に適用した場合も所望の性能を有するデバイスを生産性良く製造できる。それゆえ、本発明は、我国の半導体産業を含む精密機器産業の発展に著しく貢献することができる。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る第１、第２基板ステージ及び基板ステージ駆動システムを示す平面図である。 第１実施形態に係る第１基板テーブルの近傍を示す斜視図である。 第１実施形態に係る第１、第２基板テーブルを示す平面図である。 第１実施形態に係る第１、第２基板テーブルを示す側面図である。 第１基板テーブルに設けられた透過部材の近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 透過部材に起因する干渉計の計測値の変化を説明するための模式図である。 第２実施形態に係る第１、第２基板テーブルの一例を示す斜視図である。 第３実施形態に係る第１基板テーブルの一例を示す斜視図である。 第４実施形態に係る第１基板テーブルを示す側面図である。 第４実施形態に係る第１基板テーブルの一部を示す平面図である。 第４実施形態に係る第１基板テーブルの一部を示す側断面図である。 第４実施形態に係る第１基板テーブルを示す側断面図である。 第４実施形態に係る第１基板テーブルを示す側断面図である。 図２２（Ａ）〜（Ｄ）は、第４実施形態に係る露光方法を説明するための模式図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。 本発明の露光方法の説明するフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許第６,５９０,６３４号）、特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許第５,９６９,４４１号）、特表２０００−５１１７０４号公報（対応米国特許第５,８１５,２４６号）、特開２０００−３２３４０４号公報（対応米国特許第６,６７４,５１０号）、特開２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許第５,９６９,０８１号）、特表２００１−５１３２６７号公報（対応米国特許第６,２０８,４０７号）、特開２００２−１５８１６８号公報（対応米国特許第６,７１０,８４９号）等に開示されているような、基板Ｐを保持しながら移動可能な複数（２つ）の基板ステージ１、２を備えたマルチステージ型（ツインステージ型）の露光装置である場合を例にして説明する。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐを保持しながら移動可能な第１基板ステージ１と、第１基板ステージ１と独立して、基板Ｐを保持しながら移動可能な第２基板ステージ２とを有する。なお、マルチステージ型（ツインステージ型）の露光装置は、米国特許第６,３４１,００７、６,４００,４４１、６,５４９,２６９及び６,５９０,６３４号に開示されており、指定国又は選択国の法令が許す限りにおいて、これらの米国特許を援用して本文の記載の一部とする。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持ながら移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持しながら移動可能な第１基板ステージ１と、第１基板ステージ１と独立して、基板Ｐを保持しながら移動可能な第２基板ステージ２と、マスクステージ３を移動するマスクステージ駆動システム４と、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２を移動する基板ステージ駆動システム５と、各ステージ１、２、３の位置情報を計測するレーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚ、６Ｍを含む計測システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、露光に関する各種情報を記憶した記憶装置１０とを備えている。

なお、ここでいう基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えば、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光材（フォトレジスト）、保護膜（トップコート膜）などの各種の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いることもできる。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。

露光装置ＥＸは、基板Ｐに露光光ＥＬを照射する露光ステーションＳＴ１と、露光に関する所定の計測及び基板Ｐの交換を行う計測ステーションＳＴ２とを備えている。露光装置ＥＸは、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれを移動可能に支持するガイド面ＧＦを有するベース部材ＢＰを備えており、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれは、基板Ｐを保持しながら、ガイド面ＧＦ上を、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間で移動可能である。本実施形態においては、ガイド面ＧＦは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２は、ガイド面ＧＦに沿って、ＸＹ方向（二次元方向）及びθＺ方向に移動可能である。

露光ステーションＳＴ１には、照明系ＩＬ、マスクステージ３、及び投影光学系ＰＬ等が配置されている。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子８は、露光光ＥＬを射出する光射出面（下面）を有する。第１基板ステージ１は、露光光ＥＬを射出する投影光学系ＰＬの終端光学素子８の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で移動可能である。第２基板ステージ２は、投影光学系ＰＬの終端光学素子８の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で、第１基板ステージ１と独立して移動可能である。図示していないが、投影光学系ＰＬは、防振機構を介して３本の支柱で支持される鏡筒定盤に搭載されるが、例えば国際公開第２００６／０３８９５２号パンフレットに開示されているように、投影光学系ＰＬの上方に配置される不図示のメインフレーム部材、あるいはマスクステージ３が載置されるマスクベースなどに対して投影光学系ＰＬを吊り下げ支持しても良い。

計測ステーションＳＴ２には、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の少なくとも一方に保持された基板Ｐの位置情報を取得するためのアライメント系ＡＬ、及びフォーカス・レベリング検出系ＦＬ等、基板Ｐの露光に関する計測を実行可能な各種計測装置が配置されている。アライメント系ＡＬは、複数の光学素子を有し、それら光学素子を用いて、基板Ｐの位置情報を取得する。フォーカス・レベリング検出系ＦＬも、複数の光学素子を有し、それら光学素子を用いて、基板Ｐの位置情報を取得する。

計測ステーションＳＴ２の近傍には、基板Ｐの交換を行うための搬送システムＨが設けられている。制御装置７は、搬送システムＨを用いて、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置（ローディングポジション）に移動した第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）より露光処理済みの基板Ｐをアンロード（搬出）するとともに、露光処理されるべき基板Ｐを第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）にロード（搬入）する基板交換作業を実行可能である。なお、本実施形態では、計測ステーションＳＴ２内でローディングポジションとアンローディングポジションとが同一位置であるものとしたが、異なる位置でロードとアンロードとを行っても良い。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように、液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成可能なノズル部材３０を備えている。露光光ＥＬの光路空間は、露光光ＥＬが進行する光路を含む空間である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。ノズル部材３０は、液浸空間形成部材あるいはcontainment member（又はconfinement member）などとも呼ばれる。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。

ノズル部材３０は、例えば特開２００４−２８９１２６号公報（対応米国特許第６,９５２,２５３号）、特開２００４−２８９１２８号公報（対応米国特許第７,１１０,０８１号）等に開示されているようなシール部材を含み、露光光ＥＬの光路空間に対して液体ＬＱの供給及び回収を行う流路を備えている。なお、図においては、流路の図示を省略してある。流路には、その流路を介して露光光ＥＬの光路空間に液体ＬＱを供給する液体供給装置（不図示）及び液体ＬＱを回収する液体回収装置（不図示）が接続される。液体供給装置は、流路を介して液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱを露光光ＥＬの光路空間に供給可能であり、液体回収装置は、流路を介して液浸空間ＬＳの液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置は、液体ＬＱを送出可能な液体供給部、液体供給部にその一端部を接続する供給管、液体ＬＱを収容するタンク、フィルタ、及び加圧ポンプ等を備える。液体回収装置は、液体ＬＱを回収可能な液体回収部、液体回収部にその一端部を接続する回収管、液体ＬＱを収容するタンク、フィルタ、及び吸引ポンプ等を備える。なお、露光装置ＥＸは、液体供給装置及び液体回収装置並びにそれらを構成するタンク、フィルタ部、ポンプなどのすべてを備えている必要はなく、それらの全てまたは一部を、露光装置ＥＸが設置される工場などの設備で代用してもよい。

本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線及びＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。光学素子８は螢石（ＣａＦ_２）から形成されている。螢石は水との親和性が高いので、光学素子８の液体接触面２ａのほぼ全面に液体１を密着させることができる。なお、光学素子８は水との親和性が高い石英であってもよい。

なお、ノズル部材３０として、例えば国際公開第２００４／０８６４６８号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００５／０２８０７９１号）、国際公開第２００５／０２４５１７号パンフレット、欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書、国際公開第２００４／０５５８０３号パンフレット、国際公開第２００４／０５７５８９号パンフレット、国際公開第２００４／０５７５９０号パンフレット、国際公開第２００５／０２９５５９号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００６／０２３１２０６号）、米国特許第６,９５２,２５３号などに開示されているような構造のノズル部材を用いることもできる。

ノズル部材３０は、そのノズル部材３０と対向する物体との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態においては、ノズル部材３０は、投影光学系ＰＬの終端光学素子８の近傍に配置されており、終端光学素子８の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）において、露光光ＥＬが照射可能な位置に配置された物体との間、すなわち終端光学素子８の光射出面と対向する位置に配置された物体との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。ノズル部材３０は、その物体との間で液体ＬＱを保持することによって、終端光学素子８の光射出側の露光光ＥＬの光路空間、具体的には終端光学素子８と物体との間の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように、液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成する。

ノズル部材３０は、例えば、投影光学系ＰＬの光学素子８と対向する内側面に形成される供給口と、物体が対向して配置される下面（底面）に形成される回収口と、内部に形成されかつ液体供給装置の供給管及び液体回収装置の回収管とそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備える。供給口は、光学素子８の＋Ｘ方向側に形成される第１供給口と、光学素子８の−Ｘ方向側に形成される第２供給口とを含み、第１、第２供給口は投影領域をＸ方向に挟むように配置され得る。供給口は、Ｙ方向に細長い矩形状または円弧状等であってもよい。回収口は、投影光学系ＰＬの光学素子８を囲むように配置された矩形（円形等でもよい）の枠状であり、かつ供給口より光学素子８に対して外側に設けられ得る。また、回収口は溝状の凹部であっても良いし、回収口を覆うように網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが嵌め込まれていてもよい。

ノズル部材３０は、投影光学系ＰＬを保持するメインフレーム(不図示)に吊り下げ支持されてもよいし、メインフレームとは別のフレーム部材に設けてもよい。あるいは、投影光学系ＰＬが吊り下げ支持される場合は、投影光学系ＰＬと一体にノズル部材３０を吊り下げ支持してもよいし、投影光学系ＰＬとは独立に吊り下げ支持される計測フレームなどにノズル部材３０を設けてもよい。後者の場合、投影光学系ＰＬを吊り下げ支持していなくてもよい。

ノズル部材３０及び終端光学素子８と対向可能な物体は、終端光学素子８と対向可能な対向面を有し、終端光学素子８の光射出側で移動可能な物体を含む。本実施形態においては、ノズル部材３０及び終端光学素子８と対向可能な物体は、終端光学素子８の光射出側で移動可能な第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の少なくとも一方を含む。また、ノズル部材３０及び終端光学素子８と対向可能な物体は、第１、第２基板ステージ１、２に保持された基板Ｐも含む。第１、第２基板ステージ１、２（第１、第２基板テーブル１２、２２）のそれぞれは、ノズル部材３０及び終端光学素子８と対向可能な対向面１５、２５を有し、ノズル部材３０及び終端光学素子８と対向する位置に移動可能であり、ノズル部材３０及び終端光学素子８と対向面１５、２５の少なくとも一部との間で、液体ＬＱを保持可能な空間を形成可能である。なお、物体は後述の計測ステージを含んでも良い。また、ノズル部材３０及び終端光学素子８と物体との間に形成される液浸空間ＬＳは、その物体上では単に液浸領域などとも呼ばれる。

ノズル部材３０は、その第１、第２基板ステージ１、２の対向面１５、２５の少なくとも一部との間で液体ＬＱを保持することによって、終端光学素子８の光射出側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように、ノズル部材３０及び終端光学素子８と第１、第２基板ステージ１、２との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成可能である。

本実施形態においては、ノズル部材３０は、物体の表面の一部の領域（局所的な領域）が液浸空間ＬＳの液体ＬＱで覆われるように、終端光学素子８及びノズル部材３０と、物体（第１基板ステージ１、第２基板ステージ２、及び基板Ｐの少なくとも１つ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、少なくとも基板Ｐの露光中に、基板Ｐ上の一部の領域が液浸空間ＬＳの液体ＬＱで覆われるように、終端光学素子８及びノズル部材３０と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。本実施形態では、液浸空間ＬＳを形成する局所液浸装置（液浸システム）はノズル部材３０などを含んで構成される。なお、基板Ｐの周辺のショット領域の露光では、液浸空間ＬＳが基板Ｐからはみ出して、対向面１５、２５の一部も液体ＬＱで覆われる。

また、後述するように、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれに設けられ、レーザ干渉計６Ｐｚからの位置計測用の計測光ＭＬが照射される斜面（ＸＹ平面に対して傾いた面）を有する計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚと、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれに設けられ、計測ミラー１Ｒｚ、２ＲｚよりもＸＹ平面内において外側に張り出す端面を有し、計測光ＭＬを透過可能な透過領域を有する所定部材８１、８２（以下、「透過部材」という）を備えている。透過部材８１は、第１基板ステージ１に設けられ、透過部材８２は、第２基板ステージ２に設けられている。透過部材８１、８２は、上面及び下面を有する板状の部材である。透過部材８１、８２は、ノズル部材３０及び終端光学素子８との間で、液体ＬＱを保持可能な空間を形成可能である。なお、第１、第２基板ステージ１、２の一方のみに透過部材を設けてもよい。

計測ステーションＳＴ２のアライメント系ＡＬは、物体（第１基板ステージ１、第２基板ステージ２、及び基板Ｐの少なくとも１つ）と対向可能な光学素子９を有する。第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれは、アライメント系ＡＬの光学素子９と対向する位置に移動可能である。アライメント系ＡＬは、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の少なくとも一方に保持された基板Ｐの位置情報を取得するために、光学素子９を介して、基板Ｐ上のアライメントマーク、第１、第２基板ステージ１、２上の基準マーク等を検出する。

以下の説明において、露光ステーションＳＴ１に配置されている露光光ＥＬを射出する投影光学系ＰＬの終端光学素子８を適宜、第１光学素子８、と称し、計測ステーションＳＴ２に配置されている基板Ｐの位置情報を取得するためのアライメント系ＡＬの光学素子９を適宜、第２光学素子９、と称する。また、第１光学素子８と対向し、その第１光学素子８からの露光光ＥＬが照射される位置を適宜、照射位置、と称し、第２光学素子９と対向する位置を適宜、対向位置、と称する。なお、照射位置では基板Ｐの露光が行われるので、照射位置を露光位置とも呼ぶことができる。また、対向位置ではマークの検出が行われるので、対向位置を検出位置あるいは計測位置とも呼ぶことができる。

従って、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれは、第１光学素子８と対向し、その第１光学素子８からの露光光ＥＬが照射される位置、及び第２光学素子９と対向する位置を含むガイド面ＧＦ上の所定領域内で、基板Ｐを保持しながら移動可能である。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。これにより、基板ＰにはマスクＭのパターンの像が投影される。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ３は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動システム４により、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（マスクＭ）の位置情報は、計測システム６のレーザ干渉計６Ｍによって計測される。レーザ干渉計６Ｍは、マスクステージ３上に設けられた計測ミラー３Ｒを用いて、マスクステージ３のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。制御装置７は、計測システム６の計測結果に基づいてマスクステージ駆動システム４を駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置を制御する。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

照明系ＩＬより射出され、マスクＭを通過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの物体面側からその投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬは、物体面側から入射した露光光ＥＬを、第１光学素子８の光射出面（下面）より射出して、基板Ｐに照射可能である。

第１基板ステージ２は、ステージ本体１１と、ステージ本体１１に支持され、基板Ｐを着脱可能に保持する基板ホルダ１３を有する第１基板テーブル１２とを有する。ステージ本体１１は、例えばエアベアリング１４により、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面ＧＦ）に非接触支持されている。第１基板テーブル１２は凹部１２Ｃを有し、基板ホルダ１３はその凹部１２Ｃに配置されている。第１基板テーブル１２の凹部１２Ｃの周囲の対向面１５の一部の領域はほぼ平坦であり、基板ホルダ１３に保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）である。すなわち、第１基板テーブル１２は、その第１基板テーブル１２の基板ホルダ１３に保持された基板Ｐの表面とほぼ面一となる領域を有する対向面１５を有する。第１基板ステージ１は、基板ステージ駆動システム５により、基板ホルダ１３で基板Ｐを保持しながら、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。

第２基板ステージ２は、ステージ本体２１と、ステージ本体２１に支持され、基板Ｐを着脱可能に保持する基板ホルダ２３を有する第２基板テーブル２２とを有する。ステージ本体２１は、例えばエアベアリング２４により、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面ＧＦ）に非接触支持されている。第２基板テーブル２２は凹部２２Ｃを有し、基板ホルダ２３はその凹部２２Ｃに配置されている。第２基板テーブル２２の凹部２２Ｃの周囲の対向面２５の一部の領域はほぼ平坦であり、基板ホルダ２３に保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）である。すなわち、第２基板テーブル２２は、その第２基板テーブル２２の基板ホルダ２３に保持された基板Ｐの表面とほぼ面一となる領域を有する対向面２５を有する。第２基板ステージ２は、基板ステージ駆動システム５により、基板ホルダ２３で基板Ｐを保持しながら、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。

また、ステージ本体１１及び第１基板テーブル１２を含む第１基板ステージ１と、ステージ本体２１及び第２基板テーブル２２を含む第２基板ステージ２とは、ほぼ同じ形状及び大きさを有し、ほぼ同じ構成である。本実施形態においては、第１、第２基板ステージ１、２の第１、第２基板テーブル１２、２２のそれぞれは、ＸＹ平面内においてほぼ矩形状である。

基板ステージ駆動システム５は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれを移動可能である。基板ステージ駆動システム５は、ベース部材ＢＰ上で各ステージ本体１１、２１を移動する粗動システム５Ａと、各ステージ本体１１、２１上で各基板テーブル１２、２２を移動する微動システム５Ｂとを備えている。

粗動システム５Ａは、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、ベース部材ＢＰ上の各ステージ本体１１、２１をＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。粗動システム５Ａによって各ステージ本体１１、２１がＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動することによって、その各ステージ本体１１、２１上に搭載されている各基板テーブル１２、２２も、各ステージ本体１１、２１と一緒に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動する。

図２は、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２を上方から見た図である。図２において、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２を移動するための粗動システム５Ａは、複数のリニアモータ４２、４３、４４、４５、４６、４７を備えている。粗動システム５Ａは、Ｙ軸方向に延びる一対のＹ軸ガイド部材３１、３２を備えている。Ｙ軸ガイド部材３１、３２のそれぞれは、複数の永久磁石を有する磁石ユニットを備えている。一方のＹ軸ガイド部材３１は、２つのスライド部材３５、３６をＹ軸方向に移動可能に支持し、他方のＹ軸ガイド部材３２は、２つのスライド部材３７、３８をＹ軸方向に移動可能に支持する。スライド部材３５、３６、３７、３８のそれぞれは、電機子コイルを有するコイルユニットを備えている。すなわち、本実施形態においては、コイルユニットを有するスライド部材３５、３６、３７、３８、及び磁石ユニットを有するＹ軸ガイド部材３１、３２によって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ４２、４３、４４、４５が形成される。

また、粗動システム５Ａは、Ｘ軸方向に延びる一対のＸ軸ガイド部材３３、３４を備えている。Ｘ軸ガイド部材３３、３４のそれぞれは、電機子コイルを有するコイルユニットを備えている。一方のＸ軸ガイド部材３３は、スライド部材５１をＸ軸方向に移動可能に支持し、他方のＸ軸ガイド部材３４は、スライド部材５２をＸ軸方向に移動可能に支持する。スライド部材５１、５２のそれぞれは、複数の永久磁石を有する磁石ユニットを備えている。図１及び図２においては、スライド部材５１は、第１基板ステージ１のステージ本体１１に接続され、スライド部材５２は第２基板ステージ２のステージ本体２１に接続されている。すなわち、本実施形態においては、磁石ユニットを有するスライド部材５１、及びコイルユニットを有するＸ軸ガイド部材３３によって、ムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ４６が形成される。同様に、磁石ユニットを有するスライド部材５２、及びコイルユニットを有するＸ軸ガイド部材３４によって、ムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ４７が形成される。図１及び図２においては、Ｘ軸リニアモータ４６によって第１基板ステージ１（ステージ本体１１）がＸ軸方向に移動し、Ｘ軸リニアモータ４７によって第２基板ステージ２（ステージ本体２１）がＸ軸方向に移動する。

スライド部材３５、３７は、Ｘ軸ガイド部材３３の一端及び他端のそれぞれに固定され、スライド部材３６、３８は、Ｘ軸ガイド部材３４の一端及び他端のそれぞれに固定されている。したがって、Ｘ軸ガイド部材３３は、Ｙ軸リニアモータ４２、４４によってＹ軸方向に移動可能であり、Ｘ軸ガイド部材３４は、Ｙ軸リニアモータ４３、４５によってＹ軸方向に移動可能である。図１及び図２においては、Ｙ軸リニアモータ４２、４４によって第１基板ステージ１（ステージ本体１１）がＹ軸方向に移動し、Ｙ軸リニアモータ４３、４５によって第２基板ステージ２（ステージ本体２１）がＹ軸方向に移動する。

そして、一対のＹ軸リニアモータ４２、４４のそれぞれが発生する推力を僅かに異ならせることで、第１基板ステージ１のθＺ方向の位置を制御可能であり、一対のＹ軸リニアモータ４３、４５のそれぞれが発生する推力を僅かに異ならせることで、第２基板ステージ２のθＺ方向の位置を制御可能である。

本実施形態においては、基板テーブル１２、２２は、ステージ本体１１、２１に移動可能に支持されている。

図１に示すように、微動システム５Ｂは、各ステージ本体１１、２１と各基板テーブル１２、２２との間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ１１Ｖ、２１Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（例えば、エンコーダシステム等）とを含み、各ステージ本体１１、２１上の各基板テーブル１２、２２を、少なくともＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能である。また、微動システム５Ｂは、各ステージ本体１１、２１上の各基板テーブル１２、２２を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動（微動）可能である。

このように、粗動システム５Ａ及び微動システム５Ｂを含む駆動システム５は、第１基板テーブル１２及び第２基板テーブル２２のそれぞれを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。

また、第１基板ステージ１（ステージ本体１１）及び第２基板ステージ２（ステージ本体２１）のそれぞれは、例えば特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許第５,９６９,４４１号）、特表２０００−５１１７０４号公報（対応米国特許第５,８１５,２４６号）、特開２００１−２２３１５９号公報（対応米国特許第６,４９８,３５０号）等に開示されているような継手部材を介して、スライド部材５１、５２にリリース可能に接続される。

図１及び図２に示すように、第１基板ステージ１は、ステージ本体１１の−Ｙ側の側面に設けられた第１継手部材６１と、＋Ｙ側の側面に設けられた第２継手部材６２とを備えている。同様に、第２基板ステージ２は、ステージ本体２１の−Ｙ側の側面に設けられた第３継手部材６３と、＋Ｙ側の側面に設けられた第４継手部材６４とを備えている。

また、基板ステージ駆動システム５は、スライド部材５１に設けられた継手部材５３と、スライド部材５２に設けられた継手部材５４とを備えている。継手部材５３は、計測ステーションＳＴ２側（＋Ｙ側）を向くように、スライド部材５１の＋Ｙ側の側面に設けられている。継手部材５４は、露光ステーションＳＴ１側（−Ｙ側）を向くように、スライド部材５２の−Ｙ側の側面に設けられている。

スライド部材５１と継手部材５３とは、後述するようにリリース可能に連結されており、スライド部材５１と継手部材５３とは一緒に移動可能である。また、スライド部材５２と継手部材５４とは固定されており、スライド部材５２と継手部材５４とは一緒に移動可能である。したがって、リニアモータ４２、４４、４６は、スライド部材５１と継手部材５３とを一緒に移動可能であり、リニアモータ４３、４５、４７は、スライド部材５２と継手部材５４とを一緒に移動可能である。

スライド部材５１に設けられた継手部材５３には、ステージ本体１１の第１継手部材６１とステージ本体２１の第３継手部材６３とがリリース可能に順次に接続される。スライド部材５２に設けられた継手部材５４には、ステージ本体１１の第２継手部材６２とステージ本体２１の第４継手部材６４とがリリース可能に順次接続される。

すなわち、スライド部材５１に設けられた継手部材５３には、第１基板ステージ１のステージ本体１１と第２基板ステージ２のステージ本体２１とが、第１継手部材６１と第３継手部材６３とを介してリリース可能に順次接続され、スライド部材５２に設けられた継手部材５４には、第１基板ステージ１のステージ本体１１と第２基板ステージ２のステージ本体２１とが、第２継手部材６２と第４継手部材６４とを介してリリース可能に順次接続される。

以下の説明において、第１基板ステージ１のステージ本体１１及び第２基板ステージ２のステージ本体２１がリリース可能に順次接続される継手部材５３及びその継手部材５３に固定されたスライド部材５１を合わせて適宜、第１接続部材７１、と称する。また、第１基板ステージ１のステージ本体１１及び第２基板ステージ２のステージ本体２１がリリース可能に順次接続される継手部材５４及びその継手部材５４に固定されたスライド部材５２を合わせて適宜、第２接続部材７２、と称する。

したがって、リニアモータ４２、４４、４６は、第１接続部材７１を移動可能であり、リニアモータ４３、４５、４７は、第２接続部材７２を移動する。

また、図２に示すように、露光装置ＥＸは、ベース部材ＢＰ上に設定された第１領域ＳＰ１、第２領域ＳＰ２、第３領域ＳＰ３、及び第４領域ＳＰ４を備えている。第１領域ＳＰ１は、投影光学系ＰＬの第１光学素子８と対向する位置を含み、露光ステーションＳＴ１の少なくとも一部に設定された領域である。第２領域ＳＰ２は、第１領域ＳＰ１とは異なる領域であって、アライメント系ＡＬの第２光学素子９と対向する位置を含み、計測ステーションＳＴ２の少なくとも一部に設定された領域である。第１領域ＳＰ１と第２領域ＳＰ２とはＹ軸方向に沿って設定されている。本実施形態においては、第１領域ＳＰ１は、第２領域ＳＰ２の−Ｙ側に配置されている。第３領域ＳＰ３及び第４領域ＳＰ４は、第１領域ＳＰ１と第２領域ＳＰ２との間に配置されている。第３領域ＳＰ３と第４領域ＳＰ４とはＹ軸方向と交差するＸ軸方向に沿って設定されている。本実施形態においては、第３領域ＳＰ３は、第４領域ＳＰ４の＋Ｘ側に配置されている。

第１基板ステージ１は、基板ステージ駆動システム５によって、第１領域ＳＰ１、及び第２領域ＳＰ２を含むベース部材ＢＰ上の所定領域内で、基板Ｐを保持しながら移動可能である。同様に、第２基板ステージ２は、基板ステージ駆動システム５によって、第１領域ＳＰ１、及び第２領域ＳＰ２を含むベース部材ＢＰ上の所定領域内で、第１基板ステージ１は独立して、基板Ｐを保持しながら移動可能である。

本実施形態においては、第１基板ステージ１は、第２領域ＳＰ２から第１領域ＳＰ１に移動する際、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３の少なくとも一部を経て第１領域ＳＰ１に移動し、第１領域ＳＰ１から第２領域ＳＰ２に移動する際、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３の少なくとも一部を経て第２領域ＳＰ２に移動する。第２基板ステージ２は、第２領域ＳＰ２から第１領域ＳＰ１に移動する際、第２領域ＳＰ２から第４領域ＳＰ４の少なくとも一部を経て第１領域ＳＰ１に移動し、第１領域ＳＰ１から第２領域ＳＰ２に移動する際、第１領域ＳＰ１から第４領域ＳＰ４の少なくとも一部を経て第２領域ＳＰ２に移動する。

また、制御装置７は、ベース部材ＢＰ上において、所定のタイミングで、第１接続部材７１と第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）との接続の解除、及び第２接続部材７２と第２基板ステージ２（又は第１基板ステージ１）との接続の解除と、第１接続部材７１と第２基板ステージ２（又は第１基板ステージ１）との接続、及び第２接続部材７２と第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）との接続とを実行する。すなわち、制御装置７は、所定のタイミングで、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とに対する第１接続部材７１と第２接続部材７２との交換動作を実行する。

そして、第１接続部材７１は、ステージ本体１１の第１継手部材６１とステージ本体２１の第３継手部材６３とに交互に接続され、第２接続部材７２は、ステージ本体１１の第２継手部材６２とステージ本体２１の第４継手部材６４とに交互に接続される。すなわち、第１接続部材７１は、第１継手部材６１と第３継手部材６３とを介して第１基板ステージ１のステージ本体１１と第２基板ステージ２のステージ本体２１とに交互に接続され、第２接続部材７２は、第２継手部材６２と第４継手部材６４とを介して第１基板ステージ１のステージ本体１１と第２基板ステージ２のステージ本体２１とに交互に接続される。

第１接続部材７１は、リニアモータ４２、４４、４６の駆動によって、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のうち、接続された一方の基板ステージを移動し、第２接続部材７２は、リニアモータ４３、４５、４７の駆動によって、接続された他方の基板ステージを移動する。

なお、本実施形態においては、ステージ本体（１１、２１）と基板テーブル（１２、２２）とは、相対的に移動可能であるが、ステージ本体と基板テーブルとを一体的に設けてもよい。この場合、ステージ本体を６自由度の方向に移動可能としてもよい。

次に、図１及び図２を参照しながら、第１、第２基板ステージ１、２の位置情報を計測する計測システム６の一例について説明する。第１基板ステージ１の第１基板テーブル１２及び第２基板ステージ２の第２基板テーブル２２のそれぞれは、その第１基板テーブル１２及び第２基板テーブル２２の位置を計測するための計測システム６からの計測光ＭＬが照射される計測ミラー１Ｒｘ、１Ｒｙ、１Ｒｚ、２Ｒｘ、２Ｒｙ、２Ｒｚを有する。

計測システム６は、計測ミラー１Ｒｘ、１Ｒｙ、１Ｒｚ、２Ｒｘ、２Ｒｙ、２Ｒｚのそれぞれに、位置計測用の計測光ＭＬを照射可能なレーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚを含み、第１、第２基板テーブル１２、２２の所定位置に設けられた計測ミラー１Ｒｘ、１Ｒｙ、１Ｒｚ、２Ｒｘ、２Ｒｙ、２Ｒｚのそれぞれに位置計測用の計測光ＭＬを照射して、第１、第２基板テーブル１２、２２の位置情報を計測可能である。本実施形態においては、計測システム６は、第１、第２基板テーブル１２、２２の所定位置に設けられた計測ミラー１Ｒｘ、１Ｒｙ、１Ｒｚ、２Ｒｘ、２Ｒｙ、２Ｒｚを用いて、第１、第２基板テーブル１２、２２のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置情報を計測可能である。

計測ミラー１Ｒｘは、第１基板テーブル１２の＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれの側面の上部に配置されている。計測ミラー１Ｒｙは、第１基板テーブル１２の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれの側面の上部に配置されている。計測ミラー１Ｒｚは、第１基板テーブルの＋Ｘ側、−Ｘ側、＋Ｙ側、及び−Ｙ側のそれぞれの側面の下部に配置されている。

計測ミラー２Ｒｘは、第２基板テーブル２２の＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれの側面の上部に配置されている。計測ミラー２Ｒｙは、第２基板テーブル２２の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれの側面の上部に配置されている。計測ミラー２Ｒｚは、第２基板テーブル２２の＋Ｘ側、−Ｘ側、＋Ｙ側、及び−Ｙ側のそれぞれの側面の下部に配置されている。

計測システム６は、第１、第２基板ステージ１、２の第１、第２基板テーブル１２、２２のそれぞれの所定位置に設けられた計測ミラー１Ｒｘ、１Ｒｙ、１Ｒｚ、２Ｒｘ、２Ｒｙ、２Ｒｚのそれぞれに計測光ＭＬを照射して、第１、第２基板テーブル１２、２２の位置情報を計測するレーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚを有している。レーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚは、露光ステーションＳＴ１及び計測ステーションＳＴ２のそれぞれに設けられている。露光ステーションＳＴ１に設けられたレーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚは、露光ステーションＳＴ１に存在する第１基板テーブル１２（又は第２基板テーブル２２）の位置情報を計測し、計測ステーションＳＴ２に設けられたレーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚは、計測ステーションＳＴ２に存在する第２基板テーブル２２（又は第１基板テーブル１２）の位置情報を計測する。

レーザ干渉計６Ｐｘは、Ｘ軸方向を計測軸とする計測光ＭＬを計測ミラー１Ｒｘ、２Ｒｘに照射可能であり、第１、第２基板テーブル１２、２２のＸ軸方向に関する位置を計測する。レーザ干渉計６Ｐｙは、Ｙ軸方向を計測軸とする計測光ＭＬを計測ミラー１Ｒｙ、２Ｒｙに照射可能であり、第１、第２基板テーブル１２、２２のＹ軸方向に関する位置を計測する。レーザ干渉計６Ｐｚは、Ｚ軸方向を計測軸とする計測光ＭＬを計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚに照射可能であり、第１、第２基板テーブル１２、２２のＺ軸方向に関する位置を計測する。

計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚは、レーザ干渉計６Ｐｚからの位置計測用の計測光ＭＬが照射される斜面１Ｓｚ、２Ｓｚを有する。この斜面１Ｓｚ、２Ｓｚは、前述のようにＸＹ平面に対して傾斜しているが、レーザ干渉計６Ｐｚから射出される計測光ＭＬに対しても傾斜している。計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの斜面１Ｓｚ、２Ｓｚは、照射された計測光ＭＬを反射する反射面として機能する。以下の説明において、照射された計測光ＭＬを反射可能な計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの斜面を適宜、反射面、と称する。

計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚは、その反射面（斜面）１Ｓｚ、２Ｓｚが上方を向くように、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２それぞれの側面に配置されている。計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの反射面１Ｓｚ、２Ｓｚは、上方を向くようにＸＹ平面に対して所定角度（例えば４５度）傾斜しており、レーザ干渉計６Ｐｚから射出され、計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚに照射された計測光ＭＬは、その計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの反射面１Ｓｚ、２Ｓｚで反射し、所定の支持フレーム１９に設けられた計測ミラー１Ｋ、２Ｋに照射される。そして、計測ミラー１Ｋ、２Ｋに照射され、その計測ミラー１Ｋ、２Ｋで反射した計測光ＭＬは、第１、第２基板テーブル１２、２２の計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの反射面１Ｓｚ、２Ｓｚを介して、レーザ干渉計６Ｐｚに受光される。レーザ干渉計６Ｐｚは、その受光した計測光ＭＬを用いて、第１、第２基板テーブル１２、２２のＺ軸方向の位置情報を計測可能である。なお、第１、第２基板テーブル１２、２２のＺ軸方向の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（Ｚ干渉計）に関する技術は、例えば特開２０００−３２３４０４号公報（対応米国特許第７,２０６,０５８号）、特表２００１−５１３２６７号公報（対応米国特許第６,２０８,４０７号）等に開示されている。

また、レーザ干渉計６Ｐｘ及びレーザ干渉計６Ｐｙの少なくとも一方を複数設け、Ｘ軸方向を計測軸とする計測光ＭＬ及びＹ軸方向を計測軸とする計測光の少なくとも一方を複数照射することにより、計測システム６は、その複数の計測光ＭＬを用いて、第１、第２基板テーブル１２、２２のθＺ方向の位置情報を計測可能である。また、レーザ干渉計６Ｐｚを複数設け、Ｚ軸方向を計測軸とする計測光ＭＬを複数照射することにより、計測システム６は、その複数の計測光ＭＬを用いて、第１、第２基板テーブル１２、２２のθＸ、θＹ方向の位置情報を計測可能である。

以下の説明において、レーザ干渉計６Ｐｘ、６Ｐｙ、６Ｐｚのそれぞれを適宜、Ｘ干渉計６Ｐｘ、Ｙ干渉計６Ｐｙ、Ｚ干渉計６Ｐｚ、と称する。

また、計測システム６は、第２光学素子９を含むアライメント系ＡＬを有する。アライメント系ＡＬは、計測ステーションＳＴ２に配置され、基板Ｐのアライメントマーク、又は第１、第２基板テーブル１２、２２の対向面１５、２５に配置されている基準マークを検出可能である。

また、計測システム６は、フォーカス・レベリング検出系ＦＬを有する。フォーカス・レベリング検出系ＦＬは、計測ステーションＳＴ２に配置され、第１、第２基板テーブル１２、２２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出する。フォーカス・レベリング検出系ＦＬは、計測ステーションＳＴ２で、第１基板テーブル１２に保持された基板Ｐの表面の面位置情報と、第２基板テーブル２２に保持された基板Ｐの表面の面位置情報とを交互に検出する。

そして、制御装置７は、計測システム６の計測結果に基づいて、基板ステージ駆動システム５を駆動し、第１、第２基板テーブル１２、２２の位置を制御することによって、第１、第２基板テーブル１２、２２の基板ホルダ１３、２３に保持されている基板Ｐの位置を制御する。

露光ステーションＳＴ１においては、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐが露光される。計測ステーションＳＴ２においては、露光に関する計測及び基板Ｐの交換が行われる。第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２のそれぞれは、基板Ｐを保持しながら、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１と、計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２との間で移動可能である。

次に、透過部材８１、８２について図２〜図６を参照して説明する。図３は、透過部材８１が設けられた第１基板テーブル１２の近傍を示す斜視図、図４は、透過部材８１、８２が設けられた第１、第２基板テーブル１２、２２を示す平面図、図５は、側面図である。図６は、第１基板テーブル１２に設けられた透過部材８１の近傍を示す側断面図である。以下の図２〜図６を用いた説明においては、第１基板テーブル１２に設けられた透過部材８１について主に説明するが、第２基板テーブル２２に設けられた透過部材８２も同様である。

透過部材８１は、計測ミラー１Ｒｚよりも第１基板テーブル１２（の側面）からその外側に張り出す張出部分８１Ｓを有する。張出部分８１Ｓは端面８１Ｅを有し、その端面８１Ｅもまた計測ミラー１Ｒｚよりも第１基板テーブル１２から外側に張り出す。張出部分８１Ｓは、計測光ＭＬを透過可能な透過領域８１Ｓを画定する。本実施形態においては、透過部材８１は、例えば石英等、計測光ＭＬを透過可能なガラス材料で形成されている。計測ミラー１Ｒｚは、第１基板テーブル１２の側面から外側（図では−Ｘ方向）に張り出すように、その第１基板テーブル１２の側面に配置されている。透過部材８１の端面８１Ｅは、その端面８１Ｅが計測ミラー１ＲｚよりもＸＹ平面内において外側（図では＋Ｘ方向）に張り出すように、第１基板テーブル１２に配置されている。

計測ミラー１Ｒｚは、その反射面１Ｓｚが上方（＋Ｚ方向）を向くように、第１基板テーブル１２の側面に配置されている。計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚは、ＸＹ平面に対して所定角度（例えば４５度）傾斜している。

透過部材８１は、上面及び下面を有する板状の部材（ガラス部材）であり、その透過部材８１の上面と第１基板テーブル１２の対向面１５の一部の領域１５Ａとがほぼ面一（Ｚ軸方向の位置がほぼ等しい）となるように、第１基板テーブル１２に配置されている。透過部材８１の透過領域８１Ｓは平行平面板であり、第１基板テーブル１２に保持された透過部材８１の透過領域８１Ｓの上面及び下面は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

また、透過部材８１は、その透過部材８１の下面の少なくとも一部と計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚとが対向するように、計測ミラー１Ｒｚの上方に配置されている。透過部材８１は、計測ミラー１Ｒｚの上方で、透過領域８１Ｓと計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚとが対向するように、第１基板テーブル１２の対向面の一部に接続されている。

計測ミラー１Ｒｚと透過部材８１とは、それら計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚ及び透過部材８１の透過領域８１Ｓの一方を介した計測光ＭＬが他方に入射するように、第１基板テーブル１２において、所定の位置関係で配置されている。

すなわち、図６に示すように、Ｚ干渉計６Ｐｚから射出され、計測ミラー１Ｒｚに照射された計測光ＭＬは、その計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚで反射した後、その計測ミラー１Ｒｚの上方に配置されている透過部材８１の透過領域８１Ｓに入射する。透過部材８１の透過領域８１Ｓに入射した計測光ＭＬは、その透過領域８１Ｓを透過した後、所定の支持フレーム１９に設けられた計測ミラー１Ｋに照射される。そして、計測ミラー１Ｋに照射され、その計測ミラー１Ｋで反射した計測光ＭＬは、透過部材８１の透過領域８１Ｓに入射し、その透過領域８１Ｓを透過した後、その透過領域８１Ｓより射出される。透過部材８１の透過領域８１Ｓより射出された計測光ＭＬは、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚに入射する。計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚに入射した計測光ＭＬは、その反射面１Ｓｚで反射した後、Ｚ干渉計６Ｐｚに入射する。Ｚ干渉計６Ｐｚは、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚからの計測光ＭＬを受光する。

また、図６に示すように、第１光学素子８と対向可能な第１基板テーブル１２の対向面１５には、基板ホルダ１３に保持された基板Ｐの表面とほぼ面一となる領域１５Ａと、その領域１５Ａよりも低い領域１５Ｂとが形成されている。領域１５Ｂは、第１基板テーブル１２の側面と接続するように形成されており、領域１５Ａと領域１５Ｂとの間には段差１２Ｄが形成されている。

露光装置ＥＸは、第１基板テーブル１２に設けられ、透過部材８１の少なくとも一部を着脱可能に保持する保持機構９０を備えている。保持機構９０の少なくとも一部は、対向面１５の領域１５Ｂに設けられている。透過部材８１の下面と対向面１５の領域１５Ｂとは接触可能である。

透過部材８１は、その透過部材８１の下面の一部と、第１基板テーブル１２の対向面１５の領域１５Ｂとが対向するように配置される。保持機構９０は、対向面１５の領域１５Ｂに形成され、その領域１５Ｂと接触するように配置された透過部材８１の下面との間で空間を形成するための溝９１と、その溝９１の内側に形成された吸引口９２と、吸引口９２に流路９３を介して接続された真空システム９４とを備えている。真空システム９４は、透過部材８１の下面と溝９１との間に形成された空間の気体を吸引口９２を介して吸引可能である。真空システム９４の動作は制御装置７に制御される。透過部材８１の下面と第１基板テーブル１２の対向面１５の領域１５Ｂとが接触し、透過部材８１の下面と溝９１との間に空間が形成された状態で、保持機構９０の真空システム９４を駆動して、その空間の気体を吸引口９２を介して吸引することによって、制御装置７は、透過部材８１の下面を、第１基板テーブル１２の対向面１５の領域１５Ｂで吸着保持できる。また、制御装置７は、保持機構９０の真空システム９４の駆動を停止することによって、透過部材８１に対する吸着保持を解除できる。すなわち、本実施形態の保持機構９０は、所謂真空チャック機構を含む。

保持機構９０で保持された透過部材８１の上面と、第１基板テーブル１２の対向面１５の領域１５Ａとはほぼ面一となる。すなわち、第１基板テーブル１２の対向面１５の領域１５Ａは、保持機構９０で保持された透過部材８１の上面、及び基板ホルダ１３で保持された基板Ｐの表面のそれぞれとほぼ面一となる。

以下の説明においては、基板Ｐの表面及び透過部材８１の上面とほぼ面一となる対向面１５の領域１５Ａを適宜、トップ面１５Ａ、と称する。また、透過部材８１の下面を保持可能な対向面１５の領域１５Ｂを適宜、保持面１５Ｂ、と称する。

また、保持機構９０で保持された透過部材８１の端面８１Ｅは、計測ミラー１Ｒｚよりも外側に張り出す。

また、露光装置ＥＸは、第１基板テーブル１２に設けられ、透過部材８１を介した光が入射する光センサ７５を備えている。光センサ７５は、保持面１５Ｂの内側に形成された凹部１２Ｈに配置されている。透過部材８１は、透過部材８１の下面の少なくとも一部と第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂとが対向するように配置され、凹部１２Ｈに配置された光センサ７５には、透過部材８１を介した光が入射可能である。

本実施形態においては、透過部材８１は、その上面の一部の領域に例えばクロム等で形成された遮光膜７６と、その遮光膜７６の一部に形成されたスリット状の開口７７とを有する。開口７７においては、透過部材８１が露出しており、光は、開口７７を透過可能である。前述の透過領域（第１透過領域）８１Ｓ（８２Ｓ）に対して、開口７７と対向する透過部材８１の領域を適宜、第２透過領域８１ＳＳ（８２ＳＳ）と呼ぶ。

第１基板テーブル１２のトップ面１５Ａとほぼ平行なＸＹ平面内における遮光膜７６の大きさは、凹部１２Ｈよりも大きい。透過部材８１が保持機構９０に保持された状態において、光センサ７５には、開口７７を通過した光のみが入射する。すなわち、光センサ７５は、保持機構９０に保持された状態の透過部材８１の開口７７を通過した光のみを受光する。

本実施形態においては、光センサ７５は、例えば特開２００２−１４００５号公報（対応米国特許出願公開２００２／００４１３７７号明細書）、特開２００２−１９８３０３号公報（対応米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号）等に開示されているような、空間像計測システムの少なくとも一部を構成する光センサである。

なお、光センサ７５としては、例えば国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号）、国際公開第２００６／０１３８０６号パンフレット（対応欧州特許出願公開第１７９１１６４号）等に開示されているような、露光光ＥＬの強度（透過率）を計測可能な光センサであってもよい。光センサ７５に代えてまたは光センサとともに、照明むら計測器、照度計、波面収差計測器などの各種検出器または計測器を第１基板テーブル１２のトップ面１５Ａに形成した凹部１２Ｈに配置してもよい。これらの検出器または計測器には、透過部材８１に設けられた各種のパターンの開口を透過して光が入射する。

それらの検出器または計測器として、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報（対応する米国特許第４,４６５,３６８号）などに開示される照度むらセンサ、例えば特開２００２−１４００５号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書）などに開示される、投影光学系ＰＬにより投影されるパターンの空間像（投影像）の光強度を計測する空間像計測器、例えば特開平１１−１６８１６号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書）などに開示される照度モニタ、及び例えば国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応する欧州特許第１，０７９，２２３号明細書）などに開示される波面収差計測器を用い得る。

以上、第１基板テーブル１２に設けられる透過部材８１について主に説明した。本実施形態においては、第２基板テーブル２２にも、第１基板テーブル１２に設けられている保持機構９０と同様の保持機構９０が設けられ、その保持機構９０によって、透過部材８１と同様の透過部材８２が着脱可能に保持される。第２基板テーブル２２の保持機構９０で保持された透過部材８２の端面８２Ｅは、計測ミラー２Ｒｚよりも外側に張り出す。計測ミラー２Ｒｚと透過部材８２とは、それら計測ミラー２Ｒｚの反射面２Ｓｚ及び透過部材８２の透過領域８２Ｓの一方を介した計測光ＭＬが他方に入射するように、第２基板テーブル２２において、所定の位置関係で配置されている。また、第２基板テーブル２２には、透過部材８２に形成された遮光膜７６の開口７７を透過した光が入射する光センサ７５が設けられている。

本実施形態においては、透過部材８１は、第１基板テーブル１２の−Ｘ側の側面に配置された計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚと対向するように、第１基板テーブル１２の対向面１５の−Ｘ側のエッジ近傍に１つ配置されている。また、透過部材８２は、第２基板テーブル２２の＋Ｘ側の側面に配置された計測ミラー２Ｒｚの反射面２Ｓｚと対向するように、第２基板テーブル２２の対向面２５の＋Ｘ側のエッジ近傍に１つ配置されている。

また、透過部材８１の端面８１Ｅはほぼ直線状であり、透過部材８１は、その端面８１ＥとＹ軸とがほぼ平行となるように、第１基板テーブル１２の保持機構９０で保持される。同様に、透過部材８２の端面８２Ｅはほぼ直線状であり、透過部材８２は、その端面８２ＥとＹ軸とがほぼ平行となるように、第２基板テーブル２２の保持機構９０で保持される。

また、後述するように、本実施形態においては、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１基板テーブル１２の透過部材８１−Ｘ側の端面８１Ｅと、第２基板テーブル２２の透過部材８２＋Ｘ側の端面８２Ｅの少なくとも一部とを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とをＸ軸方向に同期移動する。本実施形態においては、第１基板テーブル１２の透過部材８１−Ｘ側の端面８１Ｅの一部には、段差８１Ｄが形成されている。第２基板テーブル２２の透過部材８２＋Ｘ側の端面８２Ｅの一部には、第１基板テーブル１２の透過部材８１の段差８１Ｄと対応する（かみ合う）段差８２Ｄが形成されている。

次に、上述の構成を有する露光装置の動作及び露光方法の一例について図７〜図１２及び図２４を参照して説明する。

本実施形態においては、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の一方の基板ステージが露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に配置されているときに、他方の基板ステージが計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２において所定の処理を実行する。

例えば、露光装置ＥＸは、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の一方の基板ステージを露光ステーションＳＴ１の第１光学素子８からの露光光ＥＬが照射される位置に配置して、その一方の基板ステージに保持された基板Ｐを露光する動作と、他方の基板ステージを計測ステーションＳＴ２の第２光学素子９と対向する位置に配置して、その他方の基板ステージに保持された基板Ｐを計測する動作の少なくとも一部とを並行して行う。また、露光装置ＥＸは、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の一方の基板ステージを露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に配置している状態で、他方の基板ステージを計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に配置して、搬送システムＨを用いて、その他方の基板ステージより露光処理済みの基板Ｐをアンロード（搬出）するとともに、露光処理されるべき基板Ｐをその他方の基板ステージにロード（搬入）するといった基板交換作業を行う。

本実施形態においては、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とが順次配置され、第１領域ＳＰ１に配置された第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐに露光光ＥＬを照射する動作と、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐに露光光ＥＬを照射する動作とが順次実行される。

図７に示すように、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置に第２基板ステージ２を配置して、搬送システムＨを用いて、その第２基板ステージ２に露光処理されるべき基板Ｐをロードする。そして、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐに関する所定の計測処理等を開始する（ＳＭ１）。

一方、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１には、計測ステーションＳＴ２における計測処理を既に終えた基板Ｐを保持した第１基板ステージ１が配置されている。制御装置７は、露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐの露光を開始する（ＳＥ１）。

制御装置７は、露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐの液浸露光を実行する。制御装置７は、第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐと投影光学系ＰＬの第１光学素子８とを対向させた状態で、第１光学素子８の光射出側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たした状態で、基板Ｐを露光する。基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されており、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１領域ＳＰ１において第１基板ステージ１を移動しつつ、その第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれを、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して順次露光する。

露光ステーションＳＴ１における第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐの露光処理が実行されている間、計測ステーションＳＴ２における第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐの計測処理等が実行される。例えば、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２に配置されている第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置情報を計測する。ここで、基板Ｐの位置情報とは、所定の基準位置に対する基板Ｐのアライメント情報（基板Ｐ上の複数のショット領域のＸ、Ｙ、θＺ方向の位置情報）、及び所定の基準面に対する基板Ｐの面位置情報（Ｚ、θＸ、θＹ方向の位置情報）の少なくとも一方を含む。

すなわち、制御装置７は、上述のアライメント系ＡＬを用いた検出動作、及びフォーカス・レベリング検出系ＦＬを用いた検出動作を実行する。例えば、フォーカス・レベリング検出系ＦＬを用いた検出動作では、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、Ｚ干渉計６Ｐｚで第２基板ステージ２のＺ軸方向の位置情報を計測しつつ、フォーカス・レベリング検出系ＦＬを用いて、所定の基準面、及び基板Ｐの表面の面位置情報を検出する。そして、制御装置７は、Ｚ干渉計６Ｐｚを含む計測システム６によって規定される座標系内における、基準面を基準とした基板Ｐの表面（各ショット領域）の近似平面（近似表面）を求める。

第２基板ステージ２には、その第２基板ステージ２の４つの側面のそれぞれに、計測ミラー２Ｒｚが配置されている。計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ２の基板Ｐの計測処理を実行する際、計測システム６は、その４つの側面のうち、少なくとも３つの側面のそれぞれに配置された計測ミラー２Ｐｚのそれぞれに、Ｚ干渉計６Ｐｚより計測光ＭＬを照射して、第２基板ステージ２のＺ軸方向の位置情報を計測する。本実施形態においては、計測ステーションＳＴ２には、第２光学素子９に対して＋Ｘ側、−Ｘ側、及び＋Ｙ側に３つのＺ干渉計６Ｐｚが配置されており、それらＺ干渉計６Ｐｚより、第２基板ステージ２の計測ミラー２Ｒｚに計測光ＭＬが照射される。Ｚ干渉計６Ｐｚから射出される計測光ＭＬの少なくとも一部は、第２基板ステージ２の透過部材８２を透過する。

また、アライメント系ＡＬを用いた検出動作では、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、Ｘ干渉計６Ｐｘ及びＹ干渉計６Ｐｙで、基板Ｐを保持した第２基板ステージ２のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報を計測しつつ、アライメント系ＡＬを用いて、第２基板ステージ２の一部に形成された基準マーク、及び基板Ｐ上の各ショット領域に対応して基板Ｐに設けられたアライメントマークを検出する。これにより、アライメントマーク（ひいてはショット領域）、及び基準マークの位置情報が計測される。なお、アライメント系ＡＬによるアライメントマークの検出が行われるショット領域は、基板Ｐ上の全てのショット領域でもよいが、本実施形態では一部のショット領域のみとする。そして、制御装置７は、その計測されたショット領域の位置情報に基づき、所定の基準位置に対する基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれの位置情報を演算処理によって求める。

露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐの露光処理が完了し、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐの計測処理が完了した後、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２から露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１への第２基板ステージ２の移動を開始する。なお、露光ステーションＳＴ１での基板Ｐの露光処理の完了前に、第２基板ステージ２の移動を開始してもよい。

本実施形態においては、制御装置７は、第２基板ステージ２を第２領域ＳＰ２から第１領域ＳＰ１へ移動しているときにも、第１基板ステージ１を第１光学素子８と対向する位置に配置する。これにより、第２基板ステージ２が第２領域ＳＰ２から第１領域ＳＰ１へ移動する動作を実行中においても、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、第１光学素子８と第１基板ステージ１（基板Ｐ）との間に保持され続ける。以上の動作により、図８に示すように、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２との両方が配置される。なお、第１基板ステージ１に保持された基板Ｐの露光処理が完了した時点で、第１基板ステージ１は第１光学素子との間に液体ＬＱを保持しつつ、接続部材の交換動作が行われる、図８に示される第１領域ＳＰ１内の所定位置に移動される。

次に、制御装置７は、第１基板ステージ１と第１光学素子８とが対向する状態を維持しつつ、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とに対する第１接続部材７１と第２接続部材７２との交換動作を実行する。すなわち、制御装置７は、第１接続部材７１と第１基板ステージ１の第１継手部材６１との接続を解除して、第１接続部材７１から第１基板ステージ１をリリースするとともに、第２接続部材７２と第２基板ステージ２の第４継手部材６４との接続を解除して、第２接続部材７２から第２基板ステージ２をリリースする。

その後、図９に示すように、制御装置７は、第１接続部材７１を−Ｘ方向に移動して、第２基板ステージ２の第３継手部材６３に接続するとともに、第２接続部材７２を＋Ｘ方向に移動して、第１基板ステージ１の第２継手部材６２に接続する。

このように、交換動作において、第１基板ステージ１に接続されていた第１接続部材７１が第２基板ステージ２に接続され、第２基板ステージ２に接続されていた第２接続部材７２が第１基板ステージ１に接続される。

次に、制御装置７は、第２基板ステージ２の基板Ｐを液浸露光するために、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１基板ステージ１及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向する状態（すなわち、第１基板ステージ１及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態）から、第２基板ステージ２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向する状態（すなわち、第２基板ステージ２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態）に変化させる。

本実施形態においては、例えば国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号）などに開示されているように、基板ステージ駆動システム５は、第１光学素子８からの露光光ＥＬが照射される位置を含むガイド面ＧＦの第１領域ＳＰ１において、第１基板ステージ１の透過部材８１の端面８１Ｅと、第２基板ステージ２の透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを同期移動させる。第１基板ステージ１の透過部材８１の端面８１Ｅと、第２基板ステージ２の透過部材８２の端面８２Ｅとを接近するとは、第１基板ステージ１の透過部材８１の端面８１Ｅと第２基板ステージ２の透過部材８２の端面８２Ｅとの間から液体ＬＱが漏れ出さないか、あるいは液体ＬＱの漏れ出しが露光装置の運転に影響がないほど少ない量であることを意味する。

基板ステージ駆動システム５は、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを同期移動させる際に、透過部材８１、透過部材８２、第１基板ステージ１、及び第２基板ステージ２の少なくとも１つが、第１光学素子８との間で、液体ＬＱを保持可能な空間を形成するために、第１基板ステージ１の透過部材８１の端面８１Ｅと第２基板ステージ２の透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させる（ＳＥ２）。

制御装置７は、透過部材８１、透過部材８２、第１基板ステージ１、及び第２基板ステージ２の少なくとも１つが、第１光学素子８との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるようにする。すなわち、透過部材８１の端面８１Ｅと透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１光学素子８と対向する位置を含むガイド面ＧＦの第１領域ＳＰ１で、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１光学素子８に対して、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とをＸＹ平面内で同期移動する（ＳＥ３）。本実施形態においては、制御装置７は、第１基板ステージ１の透過部材８１の端面８１Ｅと第２基板ステージ２の透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを＋Ｘ方向に同期移動する。これにより、図９に示すような、第１基板ステージ１及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向する状態から、図１０に示すような、第２基板ステージ２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向する状態に変化させることができる。すなわち、第１基板ステージ１及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態から、第２基板ステージ２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態に変化させることができる。なお、図示はしていないが、図９に示す状態から図１０に示す状態に変化する過程で、制御装置７は、まず、第１基板ステージ１の透過部材８１の端面８１Ｅと第２基板ステージ２の透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを−Ｙ方向に同期移動して、液浸空間ＬＳがＹ方向において透過部材８１の端面８１Ｅに形成されている段差８１Ｄの位置に至るまで移動する。次いで、制御装置は、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを＋Ｘ方向に同期移動して、液浸空間ＬＳが透過部材８１、８２の端面８１Ｅ、８２Ｅに形成されている段差８１Ｄ、８２Ｄの上を通過して第２基板ステージ２上に移動することができる。そして、制御装置は、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを＋Ｙ方向に同期移動して図１０に示すような配置に第１光学素子８を位置づけることができる。ここで、液浸空間ＬＳが第１基板ステージ１（または透過部材８１）から第２基板ステージ２（または透過部材８２）に移動した後、第１、第２基板ステージ１、２を図１０に示す配置にすることなく、第１基板ステージ１の第２領域ＳＰ２への移動、及び第２基板ステージ２の第１領域ＳＰ１内の所定位置、例えば光センサ７５による計測が行われる位置、あるいは露光開始位置への移動を開始しても良い。また、第１、第２基板ステージ１、２を図８、図９に示す配置にした時点で、Ｙ軸方向に関して第１光学素子８が透過部材８１、８２の段差８１Ｄ、８２Ｄとほぼ同一位置となるように第１、第２基板ステージ１、２を位置決めしても良い。

本実施形態においては、第１基板テーブル１２の４つの側面のそれぞれに、その側面から張り出すように（突出するように）計測ミラー１Ｒｚが配置され、第２基板テーブル２２の４つの側面のそれぞれに、その側面から張り出すように（突出するように）計測ミラー２Ｒｚが配置されている。そして、第１基板ステージ１と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態から、第２基板ステージ２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態に変化させる際、計測ミラー１Ｒｚよりも−Ｘ方向に外側に張り出す透過部材８１の端面８１Ｅと、計測ミラー２Ｒｚよりも＋Ｘ方向に外側に張り出す透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させる。これにより、第１基板ステージ１の計測ミラー１Ｒｚと、第２基板ステージ２及び計測ミラー２Ｒｚの少なくとも一方とが接触（衝突）したり、第２基板ステージ２の計測ミラー２Ｒｚと、第１基板ステージ１及び計測ミラー１Ｒｚの少なくとも一方とが接触（衝突）したりすることを抑制しつつ、透過部材８１の端面８１Ｅと透過部材８２の端面８１Ｅとを良好に接近又は接触させることができる。したがって、液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成した状態で、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、第１基板ステージ１と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されていた状態から、第２基板ステージ２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態に円滑に変化させることができる。すなわち、第１光学素子８の光射出側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たし続けた状態で、第１基板ステージ１と第１光学素子８とが対向する状態から、第２基板ステージ２と第１光学素子８とが対向する状態に変化させることができる。

また、本実施形態においては、透過部材８１、８２の端面８１Ｅ、８２Ｅのそれぞれには、互いにかみ合う段差８１Ｄ、８２Ｄが形成されている。したがって、図１２の模式図に示すように、段差８１Ｄ、８２Ｄをかみ合わせた状態で、例えば、液浸空間ＬＳが段差８１Ｄ、８２Ｄの上の透過部材８１、８２の上面を通過するように、第１、第２基板ステージ１、２の移動が制御されることにより、液体ＬＱの漏出がより効果的に抑制される。

その後、制御装置７は、第２基板ステージ２と第１光学素子８とを対向させた状態を維持しつつ、基板ステージ駆動システム５を制御して、第１基板ステージ１を計測ステーションＳＴ２に移動する（ＳＥ４）。

そして、図１１に示すように、第２基板ステージ２が露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に配置されるとともに、第１基板ステージ１が計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に配置される。計測ステーションＳＴ２に移動した第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐは、基板交換位置において、搬送システムＨによってアンロードされ、露光されるべき新たな基板Ｐが第１基板ステージ１にロードされる（ＳＭ３）。制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、第１基板ステージ１にロードされた基板Ｐの計測処理等を開始する（ＳＭ４）。

第１基板ステージ１には、その第１基板ステージ１の４つの側面のそれぞれに、計測ミラー１Ｒｚが配置されている。計測ステーションＳＴ２において、第１基板ステージ１の基板Ｐの計測処理を実行する際、計測システム６は、その４つの側面のうち、少なくとも３つの側面のそれぞれに配置された計測ミラー１Ｐｚのそれぞれに、Ｚ干渉計６Ｐｚより計測光ＭＬを照射して、第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置情報を計測する。本実施形態においては、計測ステーションＳＴ２には、第２光学素子９に対して＋Ｘ側、−Ｘ側、及び＋Ｙ側に３つのＺ干渉計６Ｐｚが配置されており、それらＺ干渉計６Ｐｚより、第１基板ステージ１の計測ミラー１Ｒｚに計測光ＭＬが照射される。Ｚ干渉計６Ｐｚから射出される計測光ＭＬの少なくとも一部は、第１基板ステージ１の透過部材８１を透過する。

制御装置７は、露光ステーションＳＴ１において、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐの液浸露光を実行する（ＳＥ５）。制御装置７は、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐと投影光学系ＰＬの第１光学素子８とを対向させた状態で、第１光学素子８の光射出側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たした状態で、基板Ｐを露光する。基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されており、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１領域ＳＰ１において第２基板ステージ２を移動しつつ、その第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれを、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して順次露光する。

なお、制御装置７は、必要に応じて、基板Ｐの露光を開始する前に、第１光学素子８と開口７７とを対向させ、液体ＬＱを介して開口７７に露光光ＥＬを照射することができる。第１光学素子８から射出され、液体ＬＱを介して開口７７に照射された露光光ＥＬは、光センサ７５に入射する。制御装置７は、光センサ７５の検出結果に基づいて、例えば投影光学系ＰＬのキャリブレーションを実行する等、所定の処理を実行することができる。

基板Ｐを露光するに際し、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２での計測結果を用いて、露光ステーションＳＴ１において、第２基板ステージ２に保持された基板Ｐの位置を調整しつつ、基板Ｐを露光する。

例えば、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１に配置された第２基板ステージ２のＺ軸方向の位置をＺ干渉計６Ｐｚで計測し、Ｚ干渉計６Ｐｚを含む計測システム６によって規定される座標系内における、基板Ｐの表面の近似平面と、投影光学系ＰＬの像面との位置関係を求める。Ｚ干渉計６Ｐｚを含む計測システム６によって規定される座標系内における、基準面のＺ軸方向の位置情報及びその基準面を基準とした基板Ｐの表面の近似平面は、計測ステーションＳＴ２で既に計測されている。また、制御装置７には、基準面に対する投影光学系ＰＬの像面の位置情報が予め記憶されている。したがって、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１に配置された第２基板ステージ２のＺ軸方向の位置をＺ干渉計６Ｐｚで計測することにより、その計測結果に基づいて、Ｚ干渉計６Ｐｚを含む計測システム６によって規定される座標系内における、基板Ｐの表面の近似平面と、投影光学系ＰＬの像面との位置関係を求めることができる。そして、制御装置７は、基板Ｐの表面と投影光学系ＰＬの像面とが所定の位置関係となるように（基板Ｐの表面と投影光学系ＰＬの像面とが合致するように）、Ｚ干渉計６Ｐｚを含む計測システム６で計測される位置情報に基づいて第２基板ステージ２の位置を制御しつつ、基板Ｐを露光する。

第２基板ステージ２には、その第２基板ステージ２の４つの側面のそれぞれに、計測ミラー２Ｒｚが配置されている。露光ステーションＳＴ１において、第２基板ステージ２の位置情報の計測を実行する際、計測システム６は、その４つの側面のうち、少なくとも３つの側面のそれぞれに配置された計測ミラー２Ｐｚのそれぞれに、Ｚ干渉計６Ｐｚより計測光ＭＬを照射して、第２基板ステージ２のＺ軸方向の位置情報を計測する。本実施形態においては、露光ステーションＳＴ１には、第１光学素子８に対して＋Ｘ側、−Ｘ側、及び−Ｙ側に３つのＺ干渉計６Ｐｚが配置されており、それらＺ干渉計６Ｐｚより、第２基板ステージ２の計測ミラー２Ｒｚに計測光ＭＬが照射される。Ｚ干渉計６Ｐｚから射出される計測光ＭＬの少なくとも一部は、第２基板ステージ２の透過部材８２を透過する。なお、基板Ｐの露光に先立ち、例えば光センサ７５によってマスクＭのマークを検出する、あるいは基準マークとマスクＭのマークとを不図示のアライメント系で検出し、この検出結果をも用いて第２基板ステージ２の位置を制御しつつ基板Ｐの露光が行われる。

以下、上述した処理が繰り返される。すなわち、露光ステーションＳＴ１において第２基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光処理が実行されるとともに、計測ステーションＳＴ２において第１基板ステージ１に保持された基板Ｐの計測処理が実行される。そして、露光ステーションＳＴ１における第２基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光処理、及び計測ステーションＳＴ２における第１基板ステージ１に保持された基板Ｐの計測処理の完了後、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて、計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に配置されている第１基板ステージ１を、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に移動させる。そして、第１接続部材７１と第２接続部材７２との交換動作が実行され、第１接続部材７１は第２基板ステージ２からリリースされて第１基板ステージ１に接続され、第２接続部材７２は第１基板ステージ１からリリースされて第２基板ステージ２に接続される。そして、制御装置７は、第２基板ステージ２と第１光学素子８とが対向する状態から、第１基板ステージ１と第１光学素子８とが対向する状態に変化させた後、基板ステージ駆動システム５を用いて、露光ステーションＳＰ１の第１領域ＳＰ１に配置されている第２基板ステージ２を、計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に移動させる。そして、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ１を移動しつつ、その第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐの複数のショット領域を順次露光するとともに、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ２の基板Ｐの交換、計測処理等の所定の処理を実行する。

また、計測ステーションＳＴ２における計測処理を終えた基板Ｐを保持した第１基板ステージ１を露光ステーションＳＴ１に移動した後、その基板Ｐの露光処理を露光ステーションＳＴ１において実行するに際し、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１に配置された第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置を、Ｚ干渉計６Ｐｚで計測し、その計測結果に基づいて、基板Ｐの表面の近似平面と、投影光学系ＰＬの像面との位置関係を求める。

第１基板ステージ１には、その第１基板ステージ１の４つの側面のそれぞれに、計測ミラー１Ｒｚが配置されている。露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ１の位置情報の計測を実行する際、計測システム６は、その４つの側面のうち、少なくとも３つの側面のそれぞれに配置された計測ミラー１Ｐｚのそれぞれに、Ｚ干渉計６Ｐｚより計測光ＭＬを照射して、第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置情報を計測する。本実施形態においては、露光ステーションＳＴ１には、第１光学素子８に対して＋Ｘ側、−Ｘ側、及び−Ｙ側に３つのＺ干渉計６Ｐｚが配置されており、それらＺ干渉計６Ｐｚより、第１基板ステージ１の計測ミラー２Ｒｚに計測光ＭＬが照射される。Ｚ干渉計６Ｐｚから射出される計測光ＭＬの少なくとも一部は、第１基板ステージ１の透過部材８１を透過する。

以上説明したように、本実施形態によれば、第１、第２基板ステージ１、２のそれぞれに、計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚよりも外側に張り出す端面８１Ｅ、８２Ｅを有し、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測光が透過可能な透過領域８１Ｓ、８２Ｓを有する透過部材８１、８２を配置した。それにより、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測動作を妨げることなく、第１光学素子８と対向する位置に、透過部材８１、透過部材８２、第１基板ステージ１、及び第２基板ステージ２の少なくとも１つを配置して、液体ＬＱを全て回収する動作を実行することなく、第１光学素子８の光射出側の露光光ＥＬの光路空間を常に液体ＬＱで満たし続けることができる。したがって、露光装置ＥＸのスループットの低下を抑制しつつ、第１基板ステージ１に保持された基板Ｐの露光と、第２基板ステージ２に保持された露光とを実行できる。また、液体ＬＱが無くなることに起因するウォーターマークの発生、気化熱による温度変化の発生等を抑制し、露光精度の劣化を抑制できる。

本実施形態においては、第１基板ステージ１（第１基板テーブル１２）の側面及び第２基板ステージ２（第２基板テーブル２２）の側面には、第１、第２基板テーブル１２、２２の位置を計測するための計測ミラー１Ｐｚ、１Ｐｚが外側に突出しており、第１基板ステージ１の対向面（トップ面）１５と第２基板ステージ２の対向面（トップ面）２５とを接近又は接触させることは困難である。本実施形態によれば、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の一方から他方への液浸空間ＬＳの移動は、計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚよりも外側に張り出す端面８１Ｅ、８２Ｅを有し、計測光ＭＬを透過可能な透過部材８１、８２を用いて実行される。したがって、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測動作を妨げることなく、且つ、第１、第２基板ステージ１、２の計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの衝突等を抑制しつつ、液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けた状態で、第１基板ステージ１と第１光学素子８とが対向する状態、及び第２基板ステージと第１光学素子８とが対向する状態の一方から他方に変化させることができる。

また、本実施形態によれば、透過部材８１、８２は、保持機構９０によって、第１、第２基板ステージ１、２に着脱可能に保持されるので、例えば劣化した透過部材８１、８２を、新たなものと容易に交換できる。

また、本実施形態によれば、透過部材８１、８２には、光センサ７５に入射する光を整形する開口７７が設けられているので、光センサ７５に入射する光を整形するための新たな光学部材を設けなくてもすむ。したがって、部品点数の低減を図ることができる。

本実施形態においては、透過部材８１は、第１基板テーブル１２の−Ｘ側の側面に配置された計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚと対向するように配置されており、その第１基板テーブル１２の−Ｘ側の側面に配置された計測ミラー１Ｒｚに照射される計測光ＭＬは、透過部材８１の少なくとも一部を透過する。透過部材８１は、例えば平行平面板であって、保持機構９０に保持された透過部材８１の透過領域８１Ｓの上面及び下面は、ＸＹ平面とほぼ平行である。ここで、透過部材８１の厚みがＹ軸方向に関して不均一であったり、あるいは透過部材８１に撓みが生じていると、透過部材８１の透過領域８１ＳのＹ軸方向の位置に応じて、計測光ＭＬの光路長が変化し、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測精度に影響を与える可能性がある。第２基板テーブル２２に設けられた計測ミラー２Ｒｚに関しても同様である。

そこで、制御装置７は、必要に応じて、透過部材８１の厚みむら、撓み等に起因するＺ干渉計６Ｐｚの計測値の誤差等を補正することができる。以下、透過部材８１に起因するＺ干渉計６Ｐｚの計測値を補正する方法の一例について説明する。

まず、制御装置７は、基板Ｐを露光する前に、予め、Ｚ干渉計６Ｐｚを用いて、第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置情報を取得する動作を実行する。すなわち、制御装置７は、Ｚ干渉計６Ｐｚから計測光ＭＬを射出し、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚ及び透過部材８１の透過領域８１Ｓを介した計測光ＭＬをＺ干渉計６Ｐｚで受光して、第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置情報を取得する。このとき、制御装置７は、図１３の模式図に示すように、例えば上述のアクチュエータ１１Ｖの駆動量をエンコーダシステム等でモニタして、第１基板テーブル１２のＺ軸方向の位置を変化させないように、第１基板テーブル１２（第１基板ステージ１）をＹ軸方向に移動しつつ、Ｚ干渉計６Ｐｚより計測光ＭＬを射出するとともに、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚ及び透過部材８１の透過領域８１Ｓを介した計測光ＭＬをＺ干渉計６Ｐｚで受光する。これにより、Ｚ干渉計６Ｐｚは、透過部材８１のＹ軸方向の各位置を介した計測光ＭＬを順次受光することになる。

このとき、Ｙ軸方向に関して透過部材８１に厚みむらがあったり、撓みが生じていると、その厚みむら等に起因する光路長の変化に応じて、図１４の模式図に示すように、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値はＹ軸方向に関して変化する。

制御装置７は、その透過部材８１の透過領域８１ＳのＹ軸方向の位置に対応したＺ干渉計６Ｐｚの計測値に関する補正量を導出する。すなわち、透過部材８１に厚みむら等がある場合、実際の第１基板テーブル１２の位置（Ｚ位置）と、Ｚ干渉計６Ｐｚによって計測される第１基板テーブル１２の位置との間には、透過部材８１の厚みむら等に起因する誤差が生じる。制御装置７は、その誤差をキャンセルするための補正量を、透過部材８１の透過領域８１ＳのＹ軸方向の位置に対応付けて導出する。制御装置７は、導出した補正量を記憶装置１０に記憶する。

そして、制御装置７は、例えば基板Ｐを露光する際に、Ｚ干渉計６Ｐｚで第１基板テーブル１２の位置情報を計測する場合、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測結果と、記憶装置１０の記憶情報とに基づいて、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値を調整する。すなわち、制御装置７は、透過部材８１の厚みむら等に起因する誤差を含んでいる可能性のあるＺ干渉計６Ｐｚの計測値を、予め求めて記憶装置１０に記憶してある補正量に基づいて調整（補正）する。そして、制御装置７は、その調整後（補正後）のＺ干渉計６Ｐｚの計測値に基づいて、第１基板テーブル１２のＺ軸方向の位置を、基板ステージ駆動システム５（主に微動システム５Ｂ）を用いて制御する。これにより、透過部材８１の厚みむら等に起因する誤差がキャンセルされたＺ干渉計６Ｐｚの計測値に基づいて、第１基板テーブル１２のＺ軸方向の位置を良好に調整できる。

また、制御装置７は、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値を、記憶装置１０に記憶してある補正量に基づいて調整（補正）しないで、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値と、記憶装置１０に記憶してある補正量とに基づいて、第１基板テーブル１２を所望の位置に移動するための基板ステージ駆動システム５（主に微動システム５Ｂ）の駆動量を決定し、その決定された駆動量に基づいて、基板ステージ駆動システム５を駆動して、第１基板テーブル１２の位置を調整することもできる。

なお、ここでは、第１基板テーブル１２の位置を調整する場合について説明したが、第２基板テーブル２２についても同様である。また、この実施形態においては、透過部材８１，８２は、全部がガラスなどの透過性材料から形成された部材であったが、透過領域８１Ｓ（８２Ｓ）（第１透過領域）と、前述の開口と対向する第２の透過領域だけが透過性材料から形成されている複合部材を用いてもよい。あるいは、透過部材８１，８２の強化または液体Ｑとの撥液性を向上させるために、透過部材８１，８２上に金属膜やフッ化物膜を部分的に形成してもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１５は、第２実施形態に係る第１、第２基板テーブル１２、２２の斜視図である。上述の第１実施形態においては、透過部材８１は、第１基板テーブル１２の−Ｘ側の側面に配置された計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚのほぼ全域と対向する下面を有するように、換言すれば、Ｙ軸方向に関して計測ミラー２Ｒｚとほぼ同じ大きさ（長さ）を有するように形成されているが、図１５に示すように、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚの一部の領域と対向する下面を有するように形成されても良い。同様に、透過部材８２も、第２基板テーブル２２の＋Ｘ側の側面に配置された計測ミラー２Ｒｚの反射面２Ｓｚの一部の領域と対向するように形成されてもよい。透過部材８１、８２を、計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚよりも小さく形成した場合でも、それら透過部材８１の端面８１Ｅと透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させ、その透過部材８１、８２上を液浸空間ＬＳが通過するように、第１、第２基板ステージ１、２の移動を制御する。これにより、計測ミラー１Ｒｚと計測ミラー２Ｒｚとの衝突等を抑制しつつ、第１基板ステージ１と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態、及び第２基板ステージ２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態の一方から他方へ円滑に変化させることができる。

ここで、図１５に示す実施形態においては、第１基板ステージ１（第２基板ステージ２）の移動に伴って、Ｚ干渉計６Ｐｚからの計測光ＭＬが、透過部材８１（８２）を通過する第１の状態と、透過部材８１（８２）を通過しない第２の状態との両方が発生する。その場合、第１の状態と第２の状態との間に、透過部材８１（８２）の有無に起因する光路長の変化に応じて、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測結果に誤差が生じる可能性がある。

そこで、制御装置７は、必要に応じて、透過部材８１（又は透過部材８２）の有無に起因するＺ干渉計６Ｐｚの計測値の誤差等を補正することができる。以下、透過部材８１の有無に起因するＺ干渉計６Ｐｚの計測値を補正する方法の一例について説明する。

まず、制御装置７は、基板Ｐを露光する前に、予め、Ｚ干渉計６Ｐｚを用いて、第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置情報を取得する動作を実行する。制御装置７は、例えば上述のアクチュエータ１１Ｖの駆動量をエンコーダシステム等でモニタして、第１基板テーブル１２のＺ軸方向の位置を変化させないように、第１基板テーブル１２（第１基板ステージ１）をＹ軸方向に移動しつつ、Ｚ干渉計６Ｐｚより計測光ＭＬを射出する。これにより、Ｚ干渉計６Ｐｚには、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚ及び透過部材８１の透過領域８１Ｓを介した計測光ＭＬと、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚを介し、透過部材８１の透過領域８１Ｓを介さない計測光ＭＬとが順次入射する。すなわち、制御装置７は、Ｚ干渉計６Ｐｚから計測光ＭＬを射出し、透過部材８１の透過領域８１Ｓを介した計測光又は透過領域８１Ｓを介さない計測光ＭＬをＺ干渉計６Ｐｚで受光して、第１基板ステージ１のＺ軸方向の位置情報を取得する。

このとき、Ｙ軸方向に関する透過部材８１の有無に起因する光路長の変化に応じて、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値はＹ軸方向に関して変化する。

制御装置７は、計測ミラー１Ｒｚの反射面１ＳｚのＹ軸方向の位置に対応したＺ干渉計６Ｐｚの計測値に関する補正量を導出する。すなわち、透過部材８１が存在する位置と存在しない位置との間には、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値に差が生じる。制御装置７は、その差をキャンセルするための補正量を導出する。制御装置７は、導出した補正量を記憶装置１０に記憶する。

そして、制御装置７は、例えば基板Ｐを露光する際に、Ｚ干渉計６Ｐｚで第１基板テーブル１２の位置情報を計測する場合、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測結果と、記憶装置１０の記憶情報とに基づいて、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値を調整する。すなわち、制御装置７は、透過部材８１の存在によって誤差を含んでいる可能性のあるＺ干渉計６Ｐｚの計測値を、予め求めて記憶装置１０に記憶してある補正量に基づいて調整（補正）する。そして、制御装置７は、その調整後（補正後）のＺ干渉計６Ｐｚの計測値に基づいて、第１基板テーブル１２のＺ軸方向の位置を、基板ステージ駆動システム５（主に微動システム５Ｂ）を用いて制御する。これにより、透過部材８１の存在に起因する誤差がキャンセルされたＺ干渉計６Ｐｚの計測値に基づいて、第１基板テーブル１２のＺ軸方向の位置を良好に調整できる。

また、制御装置７は、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値を、記憶装置１０に記憶してある補正量に基づいて調整（補正）しないで、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測値と、記憶装置１０に記憶してある補正量とに基づいて、第１基板テーブル１２を所望の位置に移動するための基板ステージ駆動システム５（主に微動システム５Ｂ）の駆動量を決定し、その決定された駆動量に基づいて、基板ステージ駆動システム５を駆動して、第１基板テーブル１２の位置を調整することもできる。

なお、ここでは、第１基板テーブル１２の位置を調整する場合について説明したが、第２基板テーブル２２についても同様である。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１６は、第３実施形態に係る第１基板テーブル１２の斜視図である。上述の第１実施形態においては、透過部材８１は、第１基板テーブル１２の−Ｘ側の側面に配置された計測ミラー１Ｒｚと対向するように１つ配置されているが、図１６に示すように、第１基板テーブル１２の４つの側面のそれぞれに配置された計測ミラー１Ｒｚのそれぞれと対向するように、４つ配置されてもよい。同様に、第２基板テーブル２２にも、４つの透過部材８２が設けられてもよい。

こうすることにより、第１基板ステージ１と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態、及び第２基板ステージ２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態の一方から他方へ変化させる際、例えば第１基板テーブル１２の＋Ｘ側に配置されている透過部材８１の端面８１Ｅと、第２基板テーブル２２の−Ｘ側に配置されている透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを同期移動したり、あるいは、第１基板テーブル１２の＋Ｙ側に配置されている透過部材８１の端面８１Ｅと、第２基板テーブル２２の−Ｙ側に配置されている部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを同期移動することができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

第４実施形態の特徴的な部分は、透過部材（移動部材）８１、８２が、第１、第２基板テーブル１２、２２に対して移動可能に支持されている点にある。そして、透過部材８１、８２が、その端面８１Ｅ、８２Ｅが計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚよりも外側に張り出す第１の位置、及び少なくとも計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚの反射面２Ｓｚからの計測光ＭＬの進行を妨げない第２の位置のそれぞれに移動される点にある。なお、「計測光（ビーム）の進行を妨げない」とは、「ビームの光路に影響を与えない」、すなわち、計測光ＭＬが、部材８１、８２に対して透過、屈折、反射のいずれもせず、それにより計測光の光路長が変化しないという意味である。

図１７は、第４実施形態に係る第１基板テーブル１２を−Ｘ側から見た側面図、図１８は第１基板テーブル１２の一部を示す平面図、図１９は、第１基板テーブル１２の一部を示す側断面図である。以下、第１基板テーブル１２及び透過部材８１について主に説明するが、第２基板テーブル２２及び透過部材８２も同様である。

上述の各実施形態と同様、透過部材８１は、上面及び下面を有する板状の部材であり、端面８１Ｅを有する。本実施形態においては、透過部材８１は、第１基板テーブル１２に対して、図中、少なくともＸ軸方向に移動可能に支持され、透過部材８１の端面８１Ｅは、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚに対して所定の位置関係で配置される。

本実施形態においては、第１基板テーブル１２と対向する透過部材８１の下面には、Ｘ軸方向に延びる複数（本実施形態では３つ）の被ガイド部材８３が接続されている。また、透過部材８１の下面と対向する第１基板テーブル１２の対向面１５の保持面１５Ｂの内側には、Ｘ軸方向に延び、被ガイド部材８３のそれぞれが配置されるガイド溝８４が形成されている。Ｘ軸方向に関するガイド溝８４の大きさ（長さ）は、被ガイド部材８３の大きさ（長さ）よりも大きい（長い）。また、Ｙ軸方向に関するガイド溝８４の大きさ（幅）は、被ガイド部材８３の大きさ（幅）よりも大きい。

また、被ガイド部材８３の側面と対向するガイド溝８４の内側面には、被ガイド部材８３の側面とガイド溝８４の内側面との間に気体を供給する給気口８５が形成されている。給気口８５から供給される気体によって、被ガイド部材８３の側面と対向するガイド溝８４の内側面とのギャップが維持される。

図２０及び図２１は、図１７の断面図である。第１基板テーブル１２は、透過部材８１を下面側から非接触で支持する支持機構８６を備えている。本実施形態においては、被ガイド部材８３の下面に磁石（例えばＮ極）が配置されており、支持機構８６は、被ガイド部材８３の下面と対向するガイド溝８４の底面に配置された磁石（例えばＮ極）を含む。被ガイド部材８３の磁石とガイド溝８４の磁石とは同じ極同士である。したがって、その磁石同士が反発し合うことによって、図２１に示すように、被ガイド部材８３に接続された透過部材８１は、その透過部材８１の下面と対向する第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに対して非接触で支持される。

また、支持機構８６は、上述の給気口８５も含み、磁石によって、ガイド溝８４の底面に対して被ガイド部材８３が浮いた状態でも、給気口８５から供給される気体によって、被ガイド部材８３の側面と対向するガイド溝８４の内側面とのギャップが維持される。

支持機構８６によって第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに対して非接触で支持された被ガイド部材８３を有する透過部材８１は、ガイド溝８４に案内されつつ、Ｘ軸方向に移動可能である。透過部材８１は、ガイド溝８４に案内されつつＸ軸方向に移動することによって、その端面８１Ｅが計測ミラー１Ｒｚよりも外側に張り出す第１の位置、及び少なくとも計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚからの計測光ＭＬの進行を妨げない第２の位置のそれぞれに移動可能である。

本実施形態においては、ノズル部材３０は、透過部材８１を上面側から保持可能である。上述のように、本実施形態のノズル部材３０は、例えば特開２００４−２８９１２６号公報（対応米国特許第６,９５２,２５３号）、特開２００４−２８９１２８号公報（対応米国特許第７,１１０,０８１号）等に開示されているようなシール部材を含み、ガス導入口とガス導出口とを有する。制御装置７は、支持機構８６によって第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに対して非接触で支持された透過部材８１とノズル部材３０とを対向させ、ノズル部材３０のガス導入口を介したガス導入（供給）動作、及びガス導出口を介したガス導出（吸引）動作により、ノズル部材３０の下面と透過部材８１の上面との間に、ガスベアリングを形成可能である。ノズル部材３０の下面と透過部材８１の上面との間には、与圧真空型のガスベアリングが形成される。ガスベアリングにより、ノズル部材３０の下面と透過部材８１の上面とのギャップＧ（例えば、０．１〜１．０ｍｍ）が維持される。ノズル部材３０は、透過部材８１との間で液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成可能であるとともに、液浸空間ＬＳの外側で、透過部材８１との間でガスベアリングを形成することによって、透過部材８１の上面を保持可能である。すなわち、ノズル部材３０は、透過部材８１との間にガスベアリングを形成することによって生じる吸着作用を利用して、ノズル部材３０の下面と透過部材８１の上面との間に所定のギャップを維持した状態で、透過部材８１を保持する。

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第１基板テーブル１２に設けられ、第１の位置及び第２の位置の少なくとも一方に配置された透過部材８１の下面を吸着することでその透過部材８１を保持可能な第２保持機構８７を備えている。第２保持機構８７は、透過部材８１の下面と対向する第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂの所定位置に形成され、気体を吸引可能な吸引口８８と、その吸引口８８に流路を介して接続された真空システム（不図示）とを含む。

透過部材８１の下面と第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂとが対向した状態で、第２保持機構８７の真空システムを駆動して、透過部材８１の下面と保持面１５Ｂとの間の空間の気体を吸引口８８を介して吸引することによって、制御装置７は、透過部材８１の下面を、保持面１５Ｂで吸着保持できる。また、制御装置７は、第２保持機構８７の真空システムの駆動を停止することによって、透過部材８１に対する吸着保持を解除できる。

制御装置７は、第２保持機構８７を制御して、第２保持機構８７による保持力、すなわち、吸引口８８による透過部材８１の下面と保持面１５Ｂとの間の気体の吸引動作によって発生する、透過部材８１を保持面１５Ｂに向かって引き寄せる力（吸引力）が、被ガイド部材８３の磁石とガイド溝８４の磁石との間で発生する反発力よりも強くなるように、真空システムを制御して、吸引口８８を用いた吸引動作を実行可能である。制御装置７は、吸引口８８の吸引動作によって発生する、透過部材８１を保持面１５Ｂに向かって引き寄せる力（吸引力）が、被ガイド部材８３の磁石とガイド溝８４の磁石との間で発生する反発力よりも強くなるように、吸引口８８を用いた吸引動作を実行することによって、図２０に示すように、第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂと透過部材８１の下面とが接触するように、第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂで透過部材８１を保持（吸着保持）することができる。

次に、第４実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について図２２の模式図を参照して説明する。本実施形態においては、少なくとも第１基板テーブル１２に保持されている基板Ｐに露光光ＥＬを照射している間は、制御装置７は、図１９等に示すように、透過部材８１を、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚからの計測光の進行を妨げない第２の位置に移動させておく。すなわち、本実施形態においては、少なくとも第１基板テーブル１２に保持されている基板Ｐの露光中においては、透過部材８１は、少なくとも計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚからの計測光の進行を妨げない第２の位置に配置される。制御装置７は、第２保持機構８７を用いて、第２の位置に配置されている透過部材８１の下面を第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに吸着するように保持する。本実施形態においては、透過部材８１は、その端面８１Ｅが第１基板テーブル１２の側面よりも外側に張り出さない位置に、第２保持機構８７によって保持される。

露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ１に保持されている基板Ｐの露光処理が完了し、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐの計測処理が完了した後、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２から露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１へ第２基板ステージ２を移動する。そして、制御装置７は、第１基板ステージ１と第１光学素子８とが対向する状態を維持しつつ、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とに対する第１接続部材７１と第２接続部材７２との交換動作を実行する。

次に、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１基板ステージ１及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向する状態（すなわち、第１基板ステージ１及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態）から、第２基板ステージ２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向する状態（すなわち、第２基板ステージ２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態）に変化させる。これにより、第２基板ステージ２の基板Ｐを液浸露光することが可能となる。

まず、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて、第１基板ステージ１の位置を制御して、ノズル部材３０と透過部材８１とを対向させる。これにより、ノズル部材３０と透過部材８１との間には液浸空間ＬＳが形成されるとともに、その液浸空間ＬＳの外側に、ガスベアリングが形成される。本実施形態においては、透過部材８１のＸ軸方向の大きさは、少なくとも液浸空間ＬＳのＸ軸方向の大きさよりも大きい。本実施形態においては、透過部材８１の上面とほぼ平行なＸＹ平面における、その透過部材８１の上面の大きさは、少なくとも液浸空間ＬＳよりも大きい。したがって、液浸空間ＬＳは、ノズル部材３０と透過部材８１との間に形成可能である。

そして、制御装置７は、第２保持機構８７の吸引口８８の吸引動作を停止する。これにより、図２２（Ａ）に示すように、透過部材８１は、磁石を含む支持機構８６の作用によって、第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに対して非接触で支持される。

ノズル部材３０と透過部材８１の上面との間にはガスベアリングが形成されており、ノズル部材３０は、支持機構８６によって第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに対して非接触で支持された透過部材８１を上面側から保持する。

ノズル部材３０で透過部材８１の上面を保持した後、制御装置７は、ノズル部材３０に保持された透過部材８１と第１基板テーブル１２とを相対的に移動する。本実施形態においては、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を制御して、ノズル部材３０に保持された透過部材８１に対して、第１基板テーブル１２（第１基板ステージ１）を＋Ｘ方向に移動する。ノズル部材３０に保持された被ガイド部材８３を有する透過部材８１は、ガイド溝８４に案内されつつ、第１基板テーブル１２に対して−Ｘ方向に移動する。これにより、図２２（Ｂ）に示すように、透過部材８１は、その端面８１Ｅが計測ミラー１Ｒｚよりも外側に張り出す第１の位置に移動される。

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第２基板テーブル２２の透過部材８２を上面側から保持可能な第３保持機構１００を有している。第３保持機構１００は、透過部材８２の上面との間でガスベアリングを形成することによって、その透過部材８２の上面を保持する。制御装置７は、第２基板テーブル２２に対して非接触で支持されている透過部材８２の上面を第３保持機構１００で保持した状態で、基板ステージ駆動システム５を制御して、第２基板テーブル２２を−Ｘ方向に移動する。これにより、図２２（Ｂ）に示すように、透過部材８２は、その端面８２Ｅが計測ミラー２Ｒｚよりも外側に張り出す第１の位置に移動される。

そして、図２２（Ｃ）に示すように、透過部材８１が第１の位置に移動された後、制御装置７は、第１基板テーブル１２の第２保持機構８７を用いて、第１の位置に配置された透過部材８１の下面を第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに吸着させるように保持する。同様に、制御装置７は、第２基板テーブル２２の第２保持機構を用いて、第１の位置に配置された透過部材８２を第２基板テーブル２２の保持面に吸着させるように保持する。

そして、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を制御して、第１の位置に移動された第１基板テーブル１２の透過部材８１の端面８１Ｅと、第１の位置に移動された第２基板テーブル２２の透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを同期移動する。

制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを同期移動させる際に、透過部材８１及び透過部材８２のそれぞれを第１の位置に移動し、第１基板テーブル１２の透過部材８１の端面８１Ｅと第２基板テーブル２２の透過部材８２の端面８２ＳＥを接近又は接触させる。こうすることによって、透過部材８１、透過部材８２、第１基板ステージ１、及び第２基板ステージ２の少なくとも１つが、第１光学素子８との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成する。

すなわち、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を用いて第１基板テーブル１２と第２基板テーブル２２とを同期移動させるときに、ノズル部材３０、第３保持機構１００、及び基板ステージ駆動システム５等を用いて、透過部材８１、８２を第１の位置に移動する。

そして、基板ステージ駆動システム５を用いて、透過部材８１の端面８１Ｅと透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させた状態で、第１光学素子８と対向し、第１光学素子８からの露光光ＥＬが照射される位置を含むガイド面ＧＦの第１領域ＳＰ１において、第１光学素子８に対して、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とをＸＹ平面内で同期移動する。これにより、制御装置７は、第１基板テーブル１２及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向し、第１基板テーブル１２及び透過部材８１の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態から、第２基板テーブル２２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８とが対向し、第２基板テーブル２２及び透過部材８２の少なくとも一方と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態に変化させることができる。

本実施形態においては、第１基板テーブル１２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態から、第２基板テーブル２２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態に変化させる際、透過部材８１の端面８１Ｅを計測ミラー１Ｒｚよりも外側に張り出す第１の位置に移動させるとともに、透過部材８２の端面８２Ｅを計測ミラー２Ｒｚよりも外側に張り出す第１の位置に移動させる。そして、透過部材８１の端面８１Ｅと透過部材８２の端面８２Ｅとを接近又は接触させるので、第１基板テーブル１２の計測ミラー１Ｒｚと、第２基板テーブル２２及び計測ミラー２Ｒｚの少なくとも一方とが接触（衝突）したり、第２基板テーブル２２の計測ミラー２Ｒｚと、第１基板テーブル１２及び計測ミラー１Ｒｚの少なくとも一方とが接触（衝突）したりすることを抑制できる。これにより、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、第１基板ステージ１と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されていた状態から、第２基板ステージ２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態に円滑に変化させることができる。

ノズル部材３０と透過部材８２とが対向した後、制御装置７は、第２基板テーブル２２の第２保持機構による透過部材８２に対する保持動作を解除する。これにより、透過部材８２は、第２基板テーブル２２の保持面１５Ｂに対して非接触で支持される。

ノズル部材３０は、透過部材８２の上面との間に液浸空間ＬＳを形成するとともに、その液浸空間ＬＳの外側で、透過部材８２との間にガスベアリングを形成することによって、透過部材８２の上面を保持する。本実施形態においては、透過部材８２のＸ軸方向の大きさは、少なくとも液浸空間ＬＳのＸ軸方向の大きさよりも大きい。本実施形態においては、透過部材８２の上面とほぼ平行なＸＹ平面における、その透過部材８２の上面の大きさは、少なくとも液浸空間ＬＳよりも大きい。したがって、液浸空間ＬＳは、ノズル部材３０と透過部材８２との間に形成可能である。

ノズル部材３０で透過部材８２の上面を保持した後、制御装置７は、ノズル部材３０に保持された透過部材８２と第２基板テーブル２２とを相対的に移動する。本実施形態においては、制御装置７は、基板ステージ駆動システム５を制御して、ノズル部材３０に保持された透過部材８２に対して、第２基板テーブル２２（第２基板ステージ２）を＋Ｘ方向に移動する。これにより、図２２（Ｄ）に示すように、透過部材８２は、計測ミラー２Ｒｚの反射面２Ｓｚからの計測光の進行を妨げない、すなわち、計測光が透過部材８２に照射されない第２の位置に移動される。

そして、透過部材８２が第２の位置に移動された後、制御装置７は、第２基板テーブル２２の第２保持機構を用いて、透過部材８２の下面が第２基板テーブル２２の保持面に吸着するように保持する。透過部材８２が第２の位置に移動した後、制御装置７は、その第２基板テーブル２２に保持されている基板Ｐの露光を開始する。

また、本実施形態においては、図２２（Ｄ）に示すように、露光装置ＥＸは、第１基板テーブル１２の透過部材８１を上面側から保持可能な第４保持機構１０１を有している。第４保持機構１０１は、透過部材８１の上面との間でガスベアリングを形成することによって、その透過部材８１の上面を保持する。制御装置７は、第１基板テーブル１２に対して非接触で支持されている透過部材８１の上面を第４保持機構１０１で保持した状態で、第１基板テーブル１２を−Ｘ方向に移動する。これにより、図２２（Ｄ）に示すように、透過部材８１は、計測ミラー１Ｒｚの反射面１Ｓｚからの計測光の進行を妨げない第２の位置に移動される。透過部材８１が第２の位置に移動された後、制御装置７は、第１基板テーブル１２の第２保持機構８７を用いて、透過部材８１の下面が第１基板テーブル１２の保持面１５Ｂに吸着するように保持する。

以上説明したように、本実施形態によれば、第１基板ステージ１と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持されている状態、及び第２基板ステージ２と第１光学素子８との間に液体ＬＱが保持される状態の一方から他方に変化させるときにのみ、透過部材８１、８２の端面８１Ｅ、８２Ｅが計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚよりも外側に張り出すように、それら透過部材８１、８２を第１の位置に移動させる。そして、少なくとも基板Ｐの露光を行うときには、透過部材８１、８２がＺ干渉計６Ｐｚの計測光の進行を妨げないように、それら透過部材８１、８２を第２の位置に移動するようにしたので、第１基板テーブル１２と第２基板テーブル２２との間における液浸空間ＬＳの移動を円滑に実行可能であるとともに、少なくとも基板Ｐの露光中におけるＺ干渉計６Ｐｚの計測精度を維持することができる。したがって、基板Ｐを良好に露光できる。

なお、第４実施形態においては、少なくとも基板Ｐの露光中には、透過部材８１、８２は、Ｚ干渉計６Ｐｚの計測光の進行を妨げない位置に移動されるので、透過部材８１、８２は、必ずしも光を透過する機能を有していなくてもよい。すなわち、第1実施形態で用いた透過部材８１、８２に代えて、非透過性部材を用い得る。例えば、ステンレス鋼、チタン等の金属、あるいはポリ四フッ化エチレン等の撥液性を有する合成樹脂で形成された部材を用い得る。あるいは、光センサ７５を覆う部分だけを光透過性とし他の部分を非透過性部材から形成し得る。

なお、上述の第１〜第４実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面（射出面）側の光路空間を液体で満たしているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレット（対応米国特許出願公開第２００５／０２４８８５６号）などに開示されているように、先端の光学素子の物体面（入射面）側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。さらに、終端光学素子８の表面の一部（少なくとも液体との接触面を含む）又は全部に、親液性及び／又は溶解防止機能を有する薄膜を形成してもよい。なお、石英は液体との親和性が高く、かつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することが好ましい。

また、計測ステーションＳＴ２での計測作業を、基板Ｐ上あるいは第１、第２基板テーブル１２、２２上に液浸空間ＬＳを形成した状態で行うようにしてもよい。計測ステーションＳＴ２で液浸空間ＬＳを形成するために液体ＬＱの供給及び回収作業が必要になるかもしれないが、もう一方の基板Ｐの露光を行っている間にそれらの動作を行えばよいので、スループットに与える影響はほとんどない。

また、上述の各実施形態では、第１基板テーブル１２に透過部材８１が、第２基板テーブル２２に透過部材８２がそれぞれ設けられている例を示したが、いずれか一方の基板テーブルだけに透過部材が設けられてもよい。この場合、透過部材の長さは、一つの計測ミラー、例えば、計測ミラー１Ｒｚの基板テーブル１２から外側に張り出す長さの２倍以上の長さを有することにより、第１基板テーブル１２から第２基板テーブル２２へ液浸空間ＬＳが受け渡しされるときに、計測ミラー１Ｒｚ、２Ｒｚ同士が衝突することが防止される。さらに、上述の各実施形態では、各基板テーブル（１２、２２）の４つの側面にそれぞれ干渉計ミラー（反射面）を設けるものとしたが、これに限らず、例えば２つ又は３つの側面に干渉計ミラーを設けるだけでも良い。また、上述の各実施形態では、干渉計ミラーが設けられる基板テーブルの端部に透過部材を設けるものとしたが、これに限らず、干渉計ミラーが設けられていない基板テーブルの端部に透過部材を設けても良い。

また、上述の各実施形態では、液浸法を用いたマルチステージ型の露光装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されることはない。ステージが１つの露光装置でもよいし、液浸法を用いない露光装置でもよい。Ｚ干渉計のための計測光の通過位置と基板テーブルとの位置との関係によっては、本発明を用いることが可能である。

なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとして、例えば過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体を用いてもよい。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油など）を用いることも可能である。また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。純水よりも屈折率が高い（例えば１．５以上の）液体ＬＱとしては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合あるいはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）、あるいは屈折率が約１．６０のデカリン(Decalin: Decahydronaphthalene)などが挙げられる。また、液体ＬＱは、これら液体のうち任意の２種類以上の液体を混合したものでもよいし、純水にこれら液体の少なくとも１つを添加（混合）したものでもよい。さらに、液体ＬＱは、純水にＨ^＋、Ｃｓ^＋、Ｋ^＋、Ｃｌ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＰＯ_４ ^２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものでもよいし、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものでもよい。なお、液体ＬＱとしては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系ＰＬ、及び／又は基板Ｐの表面に塗布されている感光材（又はトップコート膜あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上記各実施形態においては、干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば国際公開第２００７／０８３７５８号パンフレット（対応米国特許出願番号１１／６５５０８２）、国際公開第２００７／０９７３７９号パンフレット（対応米国特許出願番号１１／７０８５３３）などに開示されているように、各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。あるいは、例えば米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号などに開示されているように、基板テーブルにエンコーダヘッドが設けられ、かつ基板テーブルの上方にスケールが配置されるエンコーダシステムを用いても良い。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。さらに、上記各実施形態では、第１、第２基板ステージを駆動するアクチュエータとして平面モータを用いても良い。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板Ｐの形状は円形のみならず、矩形など他の形状でもよい。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい。すなわち、露光装置ＥＸはスティッチ方式の一括露光装置などでも良い。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。なお、スティッチ方式の露光装置は、走査露光によって各パターンを転写する走査型露光装置でも良い。

また、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許第６,８９７,９６３号）等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。指定国及び選択国の国内法令が許す限りにおいて、米国特許６,８９７,９６３号などの開示を援用して本文の記載の一部とする。例えば、基板ステージ及び計測ステージの少なくとも一方に、側面より張り出す計測ミラー（ミラー面が斜面）が設けられている場合、本発明を適用することによって、基板Ｐを効率良く露光できる。この場合、基板ステージと計測ステージとを近接又は接触させた状態で移動して、一方のステージとの交換で他方のステージを光学素子８と対向して配置することで、基板ステージと計測ステージとの間で液浸空間を移動することができる。計測ステージ上では液浸空間を形成した状態で計測ステージに搭載されている計測器（計測部材）を使って、露光に関する計測（例えば、ベースライン計測）を実行することができる。これにより、基板Ｐの液浸露光に必要な情報（例えば、ベースライン量、あるいは露光光ＥＬの照度など）が取得できる。液浸空間を、基板ステージと計測ステージとの間で移動する動作、及び基板の交換中における計測ステージの計測動作の詳細は、国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレット（対応する欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書）、国際公開第２００６／０１３８０６号パンフレットなどに開示されている。また、計測ステージを有する露光装置は複数の基板ステージを備えていても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。また、マスクステージを前述のような露光方式に応じて省略することもできる。

なお、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たした状態で基板Ｐを露光する液浸法を適用した場合を例にして説明したが、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たさずに、気体のみを満たす、通常のドライ型露光装置にも、本発明を適用可能である。

また、投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子）８を、フッ化カルシウム（蛍石）に代えて、例えば石英（シリカ）、あるいは、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成してもよいし、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で形成してもよい。屈折率が１．６以上の材料としては、例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示される、サファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示される、塩化カリウム（屈折率は約１．７５）等を用いることができる。

上記各実施形態では、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザを用いたが、例えば米国特許第７,０２３,６１０号などに開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記各実施形態では、投影領域（露光領域）が矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状、台形状、平行四辺形状、あるいは菱形状などでもよい。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。なお、ＤＭＤを用いた露光装置は、上記米国特許のほかに、例えば特開平８−３１３８４２号公報、特開２００４−３０４１３５号公報に開示されている。指定国または選択国の法令が許す範囲において米国特許第６,７７８,２５７号公報の開示を援用して本文の記載の一部とする。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

また、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６,６１１,３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。本国際出願の指定国又は選択の法令が許す限りにおいて、米国特許第６，６１１，３１６号を援用して本文の記載の一部とする。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述した実施形態に従って、基板Ｐを露光し、露光した基板Ｐを現像する処理を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

本願明細書に掲げた種々の米国特許及び米国特許出願公開などについては、特に援用表示をしたもの以外についても、指定国または選択国の法令が許す範囲においてそれらの開示を援用して本文の一部とする。

１…第１基板ステージ、１Ｒｚ…計測ミラー、２…第２基板ステージ、２Ｒｚ…計測ミラー、５…基板ステージ駆動システム、６…計測システム、６Ｐｚ…Ｚ干渉計、７…制御装置、８…第１光学素子、９…第２光学素子、１０…記憶装置、１５…対向面、２５…対向面、７５…光センサ、８１…透過部材、８１Ｅ…端面、８１Ｓ…透過領域、８２…透過部材、８２Ｅ…端面、８２Ｓ…透過領域、８６…支持機構、８７…第２保持機構、９０…保持機構、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、斜面…１Ｓｚ、２Ｓｚ

Claims (14)

1. 光学系と液体とを介して露光ビームで基板を露光する露光装置であって、
   それぞれ基板を載置する第１、第２ステージと、
   前記光学系の下端部に配置されるノズル部材を有し、前記光学系の下に、前記露光ビームが通る液浸領域を形成するために、前記ノズル部材を介して液体を供給し、前記ノズル部材を介して前記液浸領域から液体を回収する液浸システムと、
   前記第１ステージに設けられ、前記光学系との間に前記液浸領域を維持可能な上面を有する所定部材と、
   前記第１ステージと前記所定部材とを相対移動する駆動装置と、
   前記ノズル部材と対向して配置される前記第１、第２ステージの一方に対して前記第１、第２ステージの他方を接近させるように相対移動するとともに、前記一方のステージの代わりに前記他方のステージが前記ノズル部材と対向して配置されるように、前記光学系の下方で前記ノズル部材に対して前記接近させた第１、第２ステージを移動する駆動システムと、を備え、
   前記ノズル部材に対する前記第１、第２ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記光学系の下に維持されつつ前記所定部材を介して前記一方のステージから前記他方のステージに移動し、
   前記液浸領域を前記一方のステージから前記他方のステージに移動するために、前記所定部材はその上面が前記接近させた第１、第２ステージの間に配置されるように、前記駆動装置によって前記第１ステージの第１位置から第２位置に移動される。
2. 請求項１に記載の露光装置において、
   前記第１ステージは、前記第２位置に移動された前記所定部材を保持する保持部材を有する。
3. 請求項２に記載の露光装置において、
   前記所定部材はその上面が前記近接させた第１、第２ステージの上面とほぼ同一面となるように前記第２位置で保持される。
4. 請求項３に記載の露光装置において、
   前記第１、第２ステージは、前記所定部材が前記第２位置で保持された状態で、前記ノズル部材に対して移動される。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置において、
   前記所定部材は、前記第１、第２ステージにそれぞれ設けられ、
   前記第１、第２ステージは、前記所定部材が互いに近接又は接触した状態で前記ノズル部材に対して移動される。
6. 請求項５に記載の露光装置において、
   前記２つの所定部材はその上面がほぼ同一面となるようにそれぞれ前記第１、第２ステージに保持される。
7. デバイス製造方法であって、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
   露光した基板を現像することと、を含む。
8. 光学系と液体とを介して露光ビームで基板を露光する露光方法であって、
   前記光学系の下端部に配置されるノズル部材を介して供給される液体によって前記光学系の下に形成される液浸領域を維持する、それぞれ基板を載置する第１、第２ステージの一方に対して、前記第１、第２ステージの他方を接近させるように相対移動することと、
   前記一方のステージの代わりに前記他方のステージによって前記光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、前記光学系の下方で前記ノズル部材に対して前記接近させた第１、第２ステージを移動することと、
   前記液浸領域を前記一方のステージから前記他方のステージに移動するために、前記第１ステージに設けられる所定部材の上面が前記接近させた第１、第２ステージの間に配置されるように、前記所定部材を前記第１ステージの第１位置から第２位置に移動することと、を含み、
   前記ノズル部材に対する前記第１、第２ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記光学系の下に維持されつつ前記所定部材を介して前記一方のステージから前記他方のステージに移動され、
   前記基板は、前記光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記露光ビームで露光される。
9. 請求項８に記載の露光方法において、
   前記第１ステージに設けられる保持部材によって、前記第２位置に移動された前記所定部材が保持される。
10. 請求項９に記載の露光方法において、
    前記所定部材はその上面が前記近接させた第１、第２ステージの上面とほぼ同一面となるように前記第２位置で保持される。
11. 請求項１０に記載の露光方法において、
    前記第１、第２ステージは、前記所定部材が前記第２位置で保持された状態で、前記ノズル部材に対して移動される。
12. 請求項８〜１１のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記所定部材は、前記第１、第２ステージにそれぞれ設けられ、
    前記第１、第２ステージは、前記所定部材が互いに近接又は接触した状態で前記ノズル部材に対して移動される。
13. 請求項１２に記載の露光方法において、
    前記２つの所定部材はその上面がほぼ同一面となるようにそれぞれ前記第１、第２ステージに保持される。
14. デバイス製造方法であって、
    請求項８〜１３のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光した基板を現像することと、を含む。

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