JP5160204B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する装置がある。具体的には、レジスト膜を形成するための塗布処理ブロックや基板を現像するための現像処理ブロックなどが並べられて構成される処理部を備えている。各処理ブロックは、単一の主搬送機構と、上下方向に積層される複数の薬液処理ユニットおよび熱処理ユニットを備えている。そして、各ブロックの主搬送機構はそのブロックに設けられる処理ユニットに基板を搬送しつつ、隣接する他の処理ブロックの主搬送機構との間で基板の受け渡しを行って、一連の処理を基板に行う（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、各種の処理ユニットが上下方向に積層されているため、同一の処理を行う処理ユニット間で処理品質に差が生じやすいという不都合がある。これは、上下方向に配置される処理ユニット間で温度や圧力などの環境が一定でないことが起因していると考えられる。

また、露光機が複数の露光ステージを有する場合、それら露光ステージ間では露光の品質に差が生じる場合がある。この場合、露光させる露光ステージが異なれば、たとえレジスト膜の形成や現像の処理品質が基板間で均一であっても露光を含めた一連の処理全体の処理品質がばらつくという不都合がある。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板間で処理品質を均一にすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板を略水平方向に搬送しつつ基板に処理を行う基板処理列を上下方向に複数設けるとともに、複数の露光ステージを有する露光機であって本装置とは別体の前記露光機と、前記各基板処理列との間で基板を搬送するインターフェイス部と、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ基板処理列で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる制御部と、を備え、基板処理列および露光機に基板を２回以上搬送することで、同じ酸化膜に配線パターンを２回以上に分けて形成する際、２回目以降に搬送する基板処理列は、１回目に搬送した基板処理列と同じであることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、各基板処理列は略水平方向に基板を搬送しつつ基板に処理を行う。このため、基板処理列において複数の基板に対して並行して同種の処理を行う場合であっても、各基板が処理される処理位置のばらつきは比較的少ない。よって、各基板処理列ではそれぞれ複数の基板に均一な処理を行うことができる。また、露光機が備える各露光ステージは、それぞれ同じ品質で複数の基板を露光させることができる。制御部は、同じ基板処理列で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる。これにより、複数の露光ステージを併用する場合に比べて、同じ基板処理列で同種の処理が行われる複数の基板間において、基板処理列における処理と露光機における露光とを含んだ全体の処理品質がばらつくことを抑制することができる。
また、１回目に形成した配線パターンと２回目以降に形成する配線パターンとの間で、配線パターンの線幅などの品質を均一することができる。

なお、「同じ基板処理列で同種の処理が行われる」とは、各種の処理を一の基板処理列のみで行う場合のほか、一部の処理を一の基板処理列で行った複数の基板の全てについて、他の基板処理列に搬送してその他の処理を行う場合も含まれる。

本発明において、前記制御部は、基板に処理を行う基板処理列、または、基板を露光させる露光ステージの少なくともいずれかを各基板について特定する連携情報を参照して、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御することが好ましい（請求項２）。連携情報を参照することで、制御部による制御を好適に実現することができる。

本発明において、前記連携情報は、前記インターフェイス部と露光機との間で実際に受け渡される各基板を識別する基板識別情報に、当該基板に処理を行う基板処理列または露光を行う露光ステージの少なくともいずれかを特定する処理情報が関係付けられていることが好ましい（請求項３）。連携情報は基板識別情報を含むため、実際に受け渡す基板を好適に識別することができる。この基板識別情報に処理情報が関係付けられているので、実際に受け渡す基板が搬送される基板処理列または露光ステージの少なくともいずれかを特定することができる。この結果、基板処理列が特定できる場合は、識別した各基板は特定された基板処理列において処理が行われるものとして、制御部がインターフェイス部における基板の搬送を制御することができる。また、露光ステージが特定できる場合は、識別した各基板は特定された露光ステージにおいて露光されるものとして、制御部は、各露光ステージに基板処理列を固定的に対応するようにインターフェイス部における基板の搬送を制御することができる。

また、本発明において、前記基板処理列で行う処理は、基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理と、露光後の基板に行う露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を含み、前記制御部は、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ基板処理列で前記レジスト膜形成処理が行われた複数の基板を全て一の露光ステージで露光させ、かつ、一の基板処理列で前記露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行わせることが好ましい（請求項４）。レジスト膜形成処理、露光および露光後加熱（ＰＥＢ）処理を含む一連の処理全体の品質を均一にすることができる。

また、本発明において、基板に露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行わせる基板処理列は、当該基板にレジスト膜形成処理を行った基板処理列であることが好ましい（請求項５）。一連の処理全体の品質をより精度よく均一にすることができる。

また、本発明において、前記基板処理列はそれぞれ、略水平方向に並べて設けられる複数の主搬送機構と、前記主搬送機構ごとに設けられ、基板を処理する複数の処理ユニットと、を備え、各主搬送機構は、当該主搬送機構に応じて設けられた処理ユニットに基板を搬送しつつ略水平方向に隣接する他の主搬送機構に基板を受け渡して、基板に一連の処理を行うことが好ましい（請求項６）。好適に基板処理列を構成することができる。

また、本発明において、各基板処理列に設けられる前記処理ユニットは、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットを含み、同じ基板処理列でレジスト膜が形成された複数の基板を、全て同じ露光ステージで露光することが好ましい（請求項７）。基板にレジスト膜材料を塗布する処理と、塗布された基板の露光とを含む一連の処理の品質を均一にすることができる。

また、本発明において、各基板処理列に設けられる前記レジスト膜用塗布処理ユニットは複数であり、それぞれ略同じ高さ位置に配置されていることが好ましい（請求項８）。複数のレジスト膜用塗布処理ユニットを略同じ高さ位置に配置することで、これら処理ユニット間で処理品質を均一にさせることができる。

また、本発明において、各基板処理列に設けられる前記処理ユニットは、露光後の基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行うＰＥＢ処理ユニットをさらに含み、露光された基板に露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う基板処理列は、当該基板にレジスト膜材料を塗布した基板処理列であることが好ましい（請求項９）。レジスト膜材料を塗布する処理および露光に、露光後加熱（ＰＥＢ）処理を加えた一連の処理の品質を均一にすることができる。また、同じ基板処理列で露光前後の処理を行うので、より精度よく品質を均一にすることができる。

また、請求項１０に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられて基板に処理を行う処理ユニットと、各階層に設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、を有する処理ブロックを横方向に複数個並べて構成され、隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して基板に一連の処理を行う処理部と、前記処理部に隣接して設けられて、前記処理部と、本装置とは別体であって複数の露光ステージを有する露光機との間で基板を搬送するインターフェイス部と、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ階層で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる制御部と、を備え、基板を前記処理部および露光機に２回以上搬送することで、同じ酸化膜に配線パターンを２回以上に分けて形成する際、２回目以降に搬送する前記処理部の階層は、１回目に搬送した前記処理部の階層と同じであることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１０に記載の発明によれば、処理部は複数の処理ブロックを並べて構成されるので、複数種類の処理ブロックを適宜に組み合わせることで、基板に行う処理内容・目的に応じた処理部を容易に構成することができる。また、隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して当該階層において基板に一連の処理を行う。なお、「同じ階層」とは、同じレベル（高さ位置）の階層という意味である。このため、各階層に同種の処理ユニットが複数設けられる場合であっても、それら処理ユニットの高さ位置のばらつきは比較的少ない。よって、各階層ではそれぞれ複数の基板に均一な処理を行うことができる。制御部は、同じ階層で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる。これにより、複数の露光ステージを併用する場合に比べて、同じ階層で同種の処理が行われる複数の基板間において、基板処理列における処理と露光機における露光とを含んだ全体の処理品質がばらつくことを抑制することができる。
また、１回目に形成した配線パターンと２回目以降に形成する配線パターンとの間で、配線パターンの線幅などの品質を均一することができる。

なお、「同じ階層で同種の処理が行われる複数の基板の全て」とは、各種の処理を一の階層のみで行う場合のほか、一部の処理を一の階層で行った複数の基板の全てについて、他の階層に搬送してその他の種類の処理を行う場合も含まれる。

また、本発明において、前記制御部は、各基板について処理を行う階層、または、露光を行う露光ステージの少なくともいずれかを特定する連携情報を参照して、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御することが好ましい（請求項１１）。連携情報を参照することで、制御部による制御を好適に実現することができる。

また、本発明において、前記連携情報は、前記インターフェイス部と露光機との間で実際に受け渡される各基板を識別する基板識別情報に、当該基板に処理を行う階層または露光を行う露光ステージの少なくともいずれかを特定する処理情報が関係付けられていることが好ましい（請求項１２）。連携情報は基板識別情報を含むため、実際に受け渡す基板を好適に識別することができる。この基板識別情報に処理情報が関係付けられているので、実際に受け渡す基板が搬送される階層または露光ステージの少なくともいずれかを特定することができる。この結果、階層が特定できる場合は、識別した各基板は特定された階層において処理が行われるものとして、制御部がインターフェイス部における基板の搬送を制御することができる。また、露光ステージが特定できる場合は、識別した各基板は特定された露光ステージにおいて露光されるものとして、制御部は、各露光ステージに階層を固定的に対応するようにインターフェイス部における基板の搬送を制御することができる。

また、本発明において、各階層は互いに雰囲気が遮断されていることが好ましい（請求項１３）。階層の雰囲気をそれぞれ清浄に保つことが容易である。また、各階層における環境を一定に保つことが容易である。

また、本発明において、一の処理ブロックは、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットが前記処理ユニットとして各階層に設けられている塗布処理ブロックであり、同じ階層でレジスト膜が形成された複数の基板を、全て同じ露光ステージで露光させることが好ましい（請求項１４）。基板にレジスト膜材料を塗布する処理と、塗布された基板の露光とを含む一連の処理の品質を均一にすることができる。

また、本発明において、前記塗布処理ブロックの各階層に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットは複数であり、それぞれ略同じ高さ位置に配置されていることが好ましい（請求項１５）。複数のレジスト膜用塗布処理ユニットを略同じ高さ位置に配置することで、これら処理ユニット間で処理品質を均一にさせることができる。

また、本発明において、前記塗布処理ブロックとは別の一の処理ブロックは、露光後の基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行うＰＥＢ処理ユニットが前記処理ユニットとして各階層に設けられているＰＥＢブロックであり、露光された基板に露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う前記ＰＥＢブロックの階層は、当該基板にレジスト膜材料を塗布した塗布処理ブロックの階層と同じであることが好ましい（請求項１６）。レジスト膜材料を塗布する処理および露光に、露光後加熱（ＰＥＢ）処理を加えた一連の処理の品質を均一にすることができる。また、同じ階層で露光前後の処理を行うので、より精度よく品質を均一にすることができる。

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。

（１）請求項２、請求項３、請求項１１および請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御部は露光機との間で前記連携情報の送信および受信の少なくともいずれかを行って、基板処理列または階層ごとに一の露光ステージを対応させることを特徴とする基板処理装置。

前記（１）に記載の発明によれば、制御部を露光機と通信可能に構成することで、請求項２または請求項３に記載の装置では、各基板について基板処理列と露光ステージとを好適に対応させることができる。また、請求項１２または請求項１３に記載の装置では、各基板について階層と露光ステージとを好適に対応させることができる。

（２）請求項３または請求項１２に記載の基板処理装置において、前記基板識別情報は、各基板を前記インターフェイス部と露光機との間で実際に受け渡す時刻または順番に関する搬送情報であることを特徴とする基板処理装置。

前記（２）に記載の発明によれば、実際に基板が受け渡されるタイミングによって基板を好適に識別することができる。

（３）前記（２）に記載の基板処理装置において、前記搬送情報は、少なくとも基板を搬送する搬送工程と基板に処理を行う処理工程とに基づいて推定して得られることを特徴とする基板処理装置。

前記（３）に記載の発明によれば、容易に搬送情報を得ることができる。

（４）前記（３）に記載の基板処理装置において、前記搬送情報は前記インターフェイス部から露光機へ基板を送る順番であり、前記制御部は、前記連携情報に基づいて選択した基板処理列または階層から払い出される基板を順次受け取って、当該基板を露光機に渡すように制御することを特徴とする基板処理装置。

前記（４）に記載の発明によれば、制御部による制御をさらに簡易に実現できる。

（５）前記（３）に記載の基板処理装置において、前記搬送情報は露光機から前記インターフェイス部へ基板を戻す順番であり、前記制御部は、露光機から順次受け取った基板をそれぞれ、前記連携情報に基づいて選択した基板処理列または階層に渡すように制御することを特徴とする基板処理装置。

前記（５）に記載の発明によれば、制御部による制御をさらに簡易に実現できる。

（６）請求項１から請求項３および請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板処理列または前記階層と、前記露光ステージはそれぞれ２つであり、一の基板処理列または階層に一の露光ステージが対応し、他の基板処理列または階層に他の露光ステージが対応していることを特徴とする基板処理装置。

前記（６）に記載の発明によれば、基板処理列を２つ備える構成によれば、露光ステージを２つ備える露光機と好適に連携することができる。

（７）請求項１から請求項３および請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列または各階層には互いに異なる一の露光ステージが対応していることを特徴とする基板処理装置。

前記（７）に記載の発明によれば、いずれかの露光ステージに基板が集中することを避けることができ、露光機の効率を低下させることがない。

（８）請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板処理列で行う処理は、露光前の基板に行う露光前処理と、露光後の基板に行う露光後処理を含み、前記制御部は、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ基板処理列で前記露光前処理が行われた複数の基板を全て、一の露光ステージで露光させ、かつ、一の基板処理列で前記露光後処理を行わせることを特徴とする基板処理装置。

前記（８）に記載の発明によれば、露光および露光の前後の処理を含む一連の処理全体の品質を均一にすることができる。

（９）前記（８）に記載の基板処理装置において、基板に前記露光後処理を行わせる基板処理列は、当該基板に露光前処理を行った基板処理列であることを特徴とする基板処理装置。

前記（９）に記載の発明によれば、一連の処理全体の品質をより精度よく均一にすることができる。

（１０）前記（８）または前記（９）に記載の基板処理装置において、前記露光後処理は、基板を現像する現像処理であることを特徴とする基板処理装置。

前記（１０）に記載の発明によれば、現像処理の品質を均一にすることができる。

（１１）請求項１から請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列は互いに雰囲気が遮断されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１１）に記載の発明によれば、基板処理列または階層の雰囲気をそれぞれ清浄に保つことが容易である。また、各基板処理列または各階層における環境を一定に保つことが容易である。

（１２）請求項６から請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列における前記主搬送機構および前記処理ユニットの配置は平面視で略同じであることを特徴とする基板処理装置。

前記（１２）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化することができる。

（１３）請求項１０から請求項１６のいずれかに記載の基板処理装置において、各処理ブロックのそれぞれにおいて、各階層における前記主搬送機構および前記処理ユニットの配置は平面視で略同じであることを特徴とする基板処理装置。

前記（１３）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化することができる。

（１４）請求項９に記載の基板処理装置において、前記レジスト膜用塗布処理ユニットと前記ＰＥＢ処理ユニットに対しては、別個の主搬送機構によって基板が搬送されることを特徴とする基板処理装置。

前記（１４）に記載の発明によれば、露光前の基板に処理を行うレジスト膜用塗布処理ユニットと、露光後の基板に処理を行うＰＥＢ処理ユニットとに対しては、それぞれ別個の主搬送機構が基板を搬送するので、各基板処理列における基板の搬送を効率よく行うことができる。

（１５）請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列に設けられる前記処理ユニットは、露光された基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行うＰＥＢ処理ユニットを含み、一の露光ステージで露光された複数の基板の全てに、同じ基板処理列で露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行うことを特徴とする基板処理装置。

前記（１５）に記載の発明によれば、露光と、露光後加熱（ＰＥＢ）処理を含む一連の処理の品質を均一にすることができる。

（１６）請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列に設けられる前記処理ユニットは、基板を現像する現像処理ユニットを含み、一の露光ステージで露光された複数の基板の全てを、同じ基板処理列で現像することを特徴とする基板処理装置。

前記（１６）に記載の発明によれば、現像処理の品質を均一にすることができる。

この発明に係る基板処理装置によれば、各基板処理列は略水平方向に基板を搬送しつつ基板に処理を行う。このため、基板処理列において複数の基板に同種の処理を並行して行うことが可能な場合であっても、それらの処理高さのばらつきは比較的少ない。よって、各基板処理列はそれぞれ複数の基板に均一な処理を行うことができる。また、露光機が備える各露光ステージは、それぞれ同じ品質で複数の基板を露光させることができる。制御部は、同じ基板処理列で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる。これにより、複数の露光ステージを使用する場合に比べて、同じ基板処理列で同種の処理が行われる複数の基板間において、基板処理列における処理と露光機における露光とを含んだ全体の処理品質がばらつくことを抑制することができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
まず、本実施例の概要を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。

実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置１０である。以下では、基板処理装置１０を装置１０と適宜に略記する。本装置１０は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５と制御部９０とを備える。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置１０とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。

ＩＤ部１は外部から装置１０に搬送される基板Ｗを処理部３へ渡す。処理部３は、複数（たとえば２ライン）の基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを備えている。各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄは、基板Ｗを略水平方向に搬送しつつ基板Ｗに処理を行う。各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄは互いに上下方向に配置されている。各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄの一端はＩＤ部１に、それらの他端はＩＦ部５に面しており、各基板処理列Ｌｕ、ＬｄはＩＤ部１およびＩＦ部５の両者との間で基板Ｗの受け渡しを行う。以下では、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを特に区別しないときは、単に基板処理列Ｌと記載する。

基板処理列Ｌｕには基板Ｗに処理を行う処理ユニットＵ１、Ｕ２が設けられている。基板処理列Ｌｄには基板Ｗに処理を行う処理ユニットＵ３、Ｕ４が設けられている。処理ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４はそれぞれ複数である。処理ユニットＵ１、Ｕ３では露光前の基板Ｗに所定の処理（露光前処理）を行う。露光前処理は、例えば基板Ｗにレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理である。処理ユニットＵ２、Ｕ４では露光後の基板Ｗに所定の処理（露光後処理）を行う。露光後処理は、例えば露光後の基板Ｗを加熱する露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理や、基板Ｗを現像する現像処理である。また、処理ユニットＵ１〜Ｕ４について特に区別しないときは、単に処理ユニットＵと記載する。

ＩＦ部５は処理部３と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。制御部９０は、ＩＦ部５における基板Ｗの搬送を制御する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光させる複数（例えば２台）の露光ステージＳ１、Ｓ２を有する。

このように構成される装置１０では次のように動作する。ＩＤ部１は、基板処理列Ｌｕへ基板Ｗａ_１、Ｗａ_２、Ｗａ_３、……を搬送するとともに、基板処理列Ｌｄへ基板Ｗｂ_１、Ｗｂ_２、Ｗｂ_３、……を搬送する。基板処理列Ｌｕに搬送された基板Ｗａ_１、Ｗａ_２、Ｗａ_３、……は、処理ユニットＵ１でそれぞれ露光前処理が行われる。他方、基板処理列Ｌｄに搬送された基板Ｗｂ_１、Ｗｂ_２、Ｗｂ_３、……は、処理ユニットＵ３でそれぞれ露光前処理を行う。以下では、基板処理列Ｌｕにおいて露光前処理が行われる複数の基板Ｗａ_１、Ｗａ_２、Ｗａ_３、……を基板群Ｗａと呼び、基板処理列Ｌｄにおいて露光前処理が行われる複数の基板Ｗｂ_１、Ｗｂ_２、Ｗｂ_３、……を基板群Ｗｂと呼ぶ。

続いて、基板処理列ＬｕからＩＦ部５へ基板群Ｗａを搬送するとともに、基板処理列ＬｄからＩＦ部５へ基板群Ｗｂを搬送する。制御部９０は、基板群Ｗａの全てを露光ステージＳ１で露光させ、基板群Ｗｂの全てを露光ステージＳ２で露光させるように、ＩＦ部５における基板Ｗの搬送を制御する。この制御に基づいて、ＩＦ部５は基板群Ｗａ、Ｗｂを露光機ＥＸＰへ搬送する。これにより、露光機ＥＸＰにおいて基板群Ｗａを露光ステージＳ１で露光し、基板群Ｗｂを露光ステージＳ２で露光する。露光された基板群Ｗａ、Ｗｂは露光機ＥＸＰからＩＦ部５へ搬送される。

制御部９０は、基板群Ｗａの全てに基板処理列Ｌｕで露光後処理を行わせ、かつ、基板群Ｗｂの全てに基板処理列Ｌｄで露光後処理を行わせるようＩＦ部５における基板Ｗの搬送を制御する。この制御に基づいて、ＩＦ部５は基板群Ｗａを基板処理列Ｌｕに搬送するとともに、基板群Ｗｂを基板処理列Ｌｄに搬送する。基板処理列Ｌｕに搬送された基板群Ｗａは処理ユニットＵ２で露光後処理が行われる。同様に、基板処理列Ｌｄに搬送された基板群Ｗｂは処理ユニットＵ４で露光後処理が行われる。その後、基板群Ｗａを基板処理列ＬｕからＩＤ部１へ搬送するとともに、基板群Ｗｂを基板処理列ＬｄからＩＤ部１へ搬送する。

このように、基板群Ｗａの全てに対して、処理ユニットＵ１で露光前処理を行い、露光ステージＳ１で露光し、処理ユニットＵ３で露光後処理を行うので、基板群Ｗａの全ては同じ処理履歴を有する。このため、基板群Ｗａ間で処理品質を均一にすることができる。仮に、複数の露光ステージＳ１、Ｓ２の双方を用いて基板群Ｗａを露光したとすると、基板群Ｗａの全てが同じ処理履歴にならないので、基板群Ｗａ間で処理品質がばらつき易い。同様に、基板群Ｗｂ間でも処理品質を均一にすることができる。

また、同種の処理を行う処理ユニットＵ１が複数である場合であっても、それらの各高さ位置のばらつきは、処理ユニットＵ１、Ｕ２間の高さ位置のばらつきに比べて明らかに小さい。このように上下方向の高低差が比較的少ない各処理ユニットＵ１間では、温度や圧力など周囲の環境を略同じにすることができる。よって、各処理ユニットＵ１間の処理品質を容易に均一にすることができる。同様に、その他の処理ユニットＵ２〜Ｕ４についても、それぞれ処理品質を容易に均一にすることができる。したがって、基板処理列Ｌｕ、Ｌｄにおける各種処理の品質をそれぞれ基板Ｗ間で均一にすることができる。

また、本装置１０および露光機ＥＸＰを含む基板Ｗの処理履歴は、基板処理列Ｌの数と同数の２通りである（一つは基板群Ｗａ、一つは基板群Ｗｂ）。よって、簡便に処理履歴を追跡調査することができる。

以下では、本実施例をより詳細に説明する。図２は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図３と図４は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図５ないし図８は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。

［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ部１はＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ_１及び載置部ＰＡＳＳ_３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。

［基板処理列Ｌ］
各基板処理列Ｌは、基板Ｗを略水平方向に搬送する主搬送機構Ｔをそれぞれ備えている。本実施例では、各基板処理列Ｌはそれぞれ複数（各２基、計４基）の主搬送機構Ｔを有する。各基板処理列Ｌの複数の主搬送機構Ｔは基板Ｗが搬送される方向に並べられ、搬送方向に隣接する主搬送機構Ｔ同士で基板Ｗを受け渡し可能である。処理ユニットＵ１〜Ｕ４はいずれかの主搬送機構Ｔの周囲に配置されており、各主搬送機構Ｔは、対応する処理ユニットＵに対しても基板Ｗを搬送可能に構成される。そして、各主搬送機構Ｔが当該主搬送機構Ｔに対応する処理ユニットＵに基板Ｗを搬送しつつ、隣接する他の主搬送機構Ｔに基板Ｗの受け渡しを行うことで、各基板処理列Ｌにおける一連の処理を基板Ｗに行う。

具体的には、基板処理列Ｌｕには、主搬送機構Ｔ_１と主搬送機構Ｔ_２が１列に並べられている。主搬送機構Ｔ_１はＩＤ部１側に配置され、主搬送機構Ｔ_２はＩＦ部５側に配置されている。同様に、基板処理列Ｌｄには、主搬送機構Ｔ_３と主搬送機構Ｔ_４が１列に並べられており、主搬送機構Ｔ_３はＩＤ部１側に配置され、主搬送機構Ｔ_４はＩＦ部５側に配置されている。

［処理部３］
本実施例では、上述の基板処理列Ｌを有する処理部３は、複数（２台）の処理ブロックＢａ、Ｂｂを横方向（搬送方向と略同じ）に並べて構成されている。各処理ブロックＢａ、Ｂｂは、それぞれ上下方向に複数（２つ）の階層Ｋに分けられている。処理ブロックＢａの上側の階層Ｋ１には上述の主搬送機構Ｔ_１とこれに対応する処理ユニットＵが配置されており、下側の階層Ｋ３には主搬送機構Ｔ_３と処理ユニットＵが配置されている。同様に、処理ブロックＢｂの上側の階層Ｋ２には主搬送機構Ｔ_２と処理ユニットＵが配置されており、下側の階層Ｋ４には主搬送機構Ｔ_４と処理ユニットＵが配置されている。

そして、隣接する処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層Ｋの主搬送機構Ｔ同士で基板Ｗを受け渡して基板Ｗに一連の処理を行う。主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２間で基板Ｗを受け渡し可能に連結された階層Ｋ１、Ｋ２が、基板処理列Ｌｕを構成する。同様に、主搬送機構Ｔ_３、Ｔ_４間で基板Ｗを受け渡し可能に連結された階層Ｋ３、Ｋ４が、基板処理列Ｌｄを構成する。

［処理部３〜処理ブロックＢａ］
処理ブロックＢａはＩＤ部１に隣接して設けられている。ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ_１には、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと主搬送機構Ｔ_１との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ_３には、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと主搬送機構Ｔ_３との間で受け渡される基板Ｗが一時的に載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ_１は上側の階層Ｋ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ_３は下側の階層Ｋ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３との間を移動することができる。

処理ブロックＢａ、Ｂｂの間にも、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４が設けられている。載置部ＰＡＳＳ_２は階層Ｋ１と階層Ｋ２との間に、載置部ＰＡＳＳ_４は階層Ｋ３と階層Ｋ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構Ｔ_Ｉと主搬送機構Ｔ_２は載置部ＰＡＳＳ_２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ_３と主搬送機構Ｔ_４は載置部ＰＡＳＳ_４を介して基板Ｗを受け渡す。

各載置部ＰＡＳＳ_１は複数（２台）であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ_１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ_１Ａには、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤから主搬送機構Ｔ_１へ渡す基板Ｗが載置され、他方の載置部ＰＡＳＳ_１Ｂには主搬送機構Ｔ_１からＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤへ渡す基板Ｗが載置される。載置部ＰＡＳＳ_２〜ＰＡＳＳ_４および後述する載置部ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６も複数（２台）であり、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。また、載置部ＰＡＳＳ_１Ａ、ＰＡＳＳ_１Ｂには基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤおよび主搬送機構Ｔ_１による基板Ｗの受け渡しを制御する。同様のセンサは載置部ＰＡＳＳ_３〜ＰＡＳＳ_６にも付設されている。

階層Ｋ１について説明する。主搬送機構Ｔ_１は、平面視で階層Ｋ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ_１を移動可能に設けられている。階層Ｋ１に設けられる処理ユニットＵは、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４１に大きく分けられる。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ_１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１とはいずれも、露光前処理を行う処理ユニットＵ１である。

塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ_１に面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Ｗの搬送路に沿って２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。

塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成する（レジスト膜形成処理を行う）レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとは、それぞれこの発明における塗膜形成処理ユニットに相当する。

反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴはレジスト膜材料を基板Ｗに塗布する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは複数（２台）であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも複数であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。

図９を参照する。図９（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。

供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。

なお、反射防止膜用の処理液を塗布する点で、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、この発明における「同種の処理液を塗布する塗布処理ユニット」に当たる。レジスト膜材料を塗布する点で、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも、この発明における「同種の処理液を塗布する塗布処理ユニット」に当たる。

ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。

熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ_１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。

主搬送機構Ｔ_１を具体的に説明する。図１０を参照する。図１０は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ_１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ_１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ_１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。

ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。

階層Ｋ３について説明する。なお、階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ_３および処理ユニットＵの平面視でのレイアウト（配置）は階層Ｋ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ_３から見た階層Ｋ３の各種処理ユニットＵの配置は、主搬送機構Ｔ_１から見た階層Ｋ１の各種処理ユニットＵの配置と略同じである。階層Ｋ３の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１は、それぞれ階層Ｋ１の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１の下側にそれぞれ積層されている。したがって、処理ブロックＢａは、この発明における塗布処理ブロックに相当する。

以下において、階層Ｋ１、Ｋ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、階層Ｋ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１」と記載する）。

処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。搬送スペースＡ_１、Ａ_３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ_１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ_１、Ａ_３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ_１、Ａ_３の下部に配置されている。搬送スペースＡ_１と搬送スペースＡ_３の雰囲気は、搬送スペースＡ_１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ_３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各階層Ｋ１、Ｋ３は互いに雰囲気が遮断されている。

搬送スペースＡ_１、Ａ_３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の側方位置に、搬送スペースＡ_１の上部から搬送スペースＡ_３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ_２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ_１、Ａ_３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ_１の下部から搬送スペースＡ_３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ_２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ_１、Ａ_３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ_１、Ａ_３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ_１、Ａ_３は個別に清浄な状態に保たれる。

階層Ｋ１、Ｋ３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。

また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに階層Ｋ１、Ｋ３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。

また、処理ブロックＢａは、一の筐体７５に収容されている。後述する処理ブロックＢｂも別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットＵをまとめて収容する筐体７５を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。

［処理部３〜処理ブロックＢｂ］
処理ブロックＢｂはＩＦ部５と隣接している。階層Ｋ２について説明する。階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ２の搬送スペースＡ_２は搬送スペースＡ_１の延長上となるように形成されている。

階層Ｋ２の処理ユニットＵは、基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ_２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ_２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。なお、現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニット４２とは露光後処理を行う処理ユニットＵ２であり、エッジ露光ユニットＥＥＷは露光前処理を行う処理ユニットＵ１である。

現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ_２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。

熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ_２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。

加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら階層Ｋ２に配置される加熱冷却ユニットＰＨＰでは露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。したがって、階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰは、この発明におけるＰＥＢ処理ユニットに相当する。また、同様に階層Ｋ４に加熱冷却ユニットＰＨＰも、この発明におけるＰＥＢ処理ユニットに相当する。よって、処理ブロックＢｂは、この発明におけるＰＥＢブロックに相当する。また、処理ブロックＢｂは、この発明における現像処理ブロックにも相当する。

エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。

さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ_５が積層されている。主搬送機構Ｔ_２と後述するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、載置部ＰＡＳＳ_５を介して基板Ｗを受け渡す。

主搬送機構Ｔ_２は平面視で搬送スペースＡ_２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ_２は主搬送機構Ｔ_１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ_２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ_５との間で主搬送機構Ｔ_２が基板Ｗを搬送する。

階層Ｋ４について簡略に説明する。階層Ｋ２と階層Ｋ４の各構成の関係は、階層Ｋ１、Ｋ３間の関係と同様である。階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ_２、Ａ_４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。

以下において、階層Ｋ２、Ｋ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、階層Ｋ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ_２」と記載する）。

ＩＦ部５は処理部３の各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ（階層Ｋ２、Ｋ４）と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢを有する。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄに対して基板Ｗを搬送する。上述したように、本実施例では第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、階層Ｋ３、Ｋ４の載置部ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６と、各階層Ｋ３、Ｋ４の加熱冷却ユニットＰＨＰに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢとは、基板処理列Ｌの搬送方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは階層Ｋ２、Ｋ４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ_７を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡのみがアクセスする。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。

次に本装置１０の制御系について説明する。図１１は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置１０の制御部９０は、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。

メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。また、メインコントローラ９１は、ホストコンピュータを介して露光機ＥＸＰが備える露光機用コントローラと通信可能である。第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ_１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１と冷却ユニットＣＰ_１と加熱冷却ユニットＰＨＰ_１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ_１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ_２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ_２と現像処理ユニットＤＥＶ_２と加熱ユニットＨＰ_２と冷却ユニットＣＰ_２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ_２、ＰＨＰ_４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢによる基板搬送を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。

メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。

次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１２は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１３は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。

［ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤ］
ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ_１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１Ａに載置する（図８におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ_１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。なお、載置部ＰＡＳＳ_１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２３を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ_３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは上述した動作を繰り返し行う。

このようなＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ１に送るとともに、階層Ｋ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ３へ送るとともに、階層Ｋ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。

［主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３］
主搬送機構Ｔ_３の動作は主搬送機構Ｔ_１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ_１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ_１は直前に載置部ＰＡＳＳ_２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ_１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ_１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。

主搬送機構Ｔ_１は所定の冷却ユニットＣＰ_１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ_１には既に所定の熱処理（冷却）が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ_１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ_１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ_１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ_１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１に移動する。冷却ユニットＣＰ_１は搬入された基板Ｗに対して熱処理（冷却）を開始する（ステップＳ２）。この熱処理（冷却）は、当該冷却処理ユニットＣＰ_１に主搬送機構Ｔ_１が次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１においても、主搬送機構Ｔ_１がアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。

反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ_１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ_１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ３）。

具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。

主搬送機構Ｔ_１は加熱冷却ユニットＰＨＰ_１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ_１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ_１は加熱冷却ユニットＰＨＰ_１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ_１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ_１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４）。

主搬送機構Ｔ_１は冷却ユニットＣＰ_１に移動すると、冷却ユニットＣＰ_１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に搬入する。冷却ユニットＣＰ_１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５）。

続いて、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１に基板Ｗを搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を供給して、基板Ｗにレジスト膜を形成する（ステップＳ６）。

主搬送機構Ｔ_１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ_１と冷却ユニットＣＰ_１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ_１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ_１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ_１と冷却ユニットＣＰ_１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う。（ステップＳ７、Ｓ８）。

主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置し（ステップＳ９）、載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１）。

その後、主搬送機構Ｔ_１は再び載置部ＰＡＳＳ_１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、カセットＣから載置部ＰＡＳＳ_１に搬送された基板Ｗは全て、階層Ｋ１に設けられる処理ユニットＵで同種の処理が行われる。同種の処理とは、具体的には、順番に基板Ｗが搬送される冷却ユニットＣＰ１、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１、加熱冷却ユニットＰＨＰ_１、冷却ユニットＣＰ_１、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１、加熱冷却ユニットＰＨＰ_１及び冷却ユニットＣＰ_１における各処理であり、いずれも露光前処理である。

また、主搬送機構Ｔ_１は、載置部ＰＡＳＳ_１に搬送された基板Ｗを所定の処理ユニットＵ（本実施例では冷却ユニットＣＰ_１）に搬送するとともに、当該処理ユニットＵから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを他の処理ユニットＵに搬送するとともにこの他の処理ユニットＵから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットＵで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットＵ１に移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ_１に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ_２に載置して、階層Ｋ２へ払いだす。同様に、先に載置部ＰＡＳＳ_２に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ_１に載置して、ＩＤ部１へ払い出す。

［主搬送機構Ｔ_２、Ｔ_４］
主搬送機構Ｔ_４の動作は主搬送機構Ｔ_２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ_２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ_２は載置部ＰＡＳＳ_２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ_２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ_２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ_２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１）、載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９）。

主搬送機構Ｔ_２はエッジ露光ユニットＥＥＷ_２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ_２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ_２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ_２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０）。

主搬送機構Ｔ_２はエッジ露光ユニットＥＥＷ_２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ａに載置し（ステップＳ１１）、載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。

主搬送機構Ｔ_２は冷却ユニットＣＰ_２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ_２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ_２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ_２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。

主搬送機構Ｔ_２は現像処理ユニットＤＥＶ_２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ_２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ_２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。

主搬送機構Ｔ_２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ_２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ_２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ_２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ_２は加熱ユニットＨＰ_２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ_１において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ_２と冷却ユニットＣＰ_２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９、Ｓ２０）。

その後、主搬送機構Ｔ_２は再び載置部ＰＡＳＳ_２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに払い出される。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ］
制御部９０は、ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを制御して、同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる複数の基板Ｗの全てを、同じ露光ステージＳ１又は露光ステージＳ２で露光させる。ここで、「同じ基板処理列Ｌで」とは、基板処理列を複数の階層Ｋで構成する本実施例では、「同じ階層Ｋで」という意味であるが、以下では、便宜上、基板処理列Ｌを用いて記載する。そして、「同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる」とは、上述した露光前・露光後処理に含まれる各種の処理のそれぞれが同じ基板処理列Ｌで行われればよく、必ずしも基板処理列Ｌｕ、Ｌｄのいずれかで一貫して各種の処理の全てが行われる場合に限られない。具体的には、「同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる」には、一の基板処理列Ｌで露光前・露光後処理が行われる場合が当然に含まれるが、それ以外にも、露光前処理は基板処理列Ｌｕで行われ、露光後処理は基板処理列Ｌｄで行われる場合や、一部の露光前処理（例えばレジスト膜を形成する処理）が基板処理列Ｌｕで行われ、他の露光前処理（たとえば基板Ｗの周辺を露光するエッジ露光処理）が基板処理列Ｌｄで行われる場合も含まれる。このような「同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる」複数の基板Ｗの全てを、一の露光ステージＳで露光させる。言い換えれば、「同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる」複数の基板Ｗの一部が露光ステージＳ１で露光され、他の一部が露光ステージＳ２で露光されることがないように制御する。

具体的な制御例としては、基板処理列Ｌｕを露光ステージＳ１、Ｓ２の一方に対応させ、基板処理列Ｌｄを露光ステージＳ１、Ｓ２の他方に対応させることが好ましい。いずれかの露光ステージＳに基板Ｗが集中することを避けることができ、効率がよい。

また、各基板Ｗについて、露光後処理（たとえば、露光後加熱（ＰＥＢ）処理）を行わせる基板処理列Ｌは、当該基板Ｗに露光前処理（例えば、レジスト膜形成処理）を行った基板処理列Ｌと同じであることが好ましい。露光および露光前後の処理を含む一連の処理全体の品質を均一にすることができる。

また、露光前処理の全てを一の基板処理列Ｌで行うことが好ましい。同様に、露光後処理の全てを一の基板処理列Ｌで行うことが好ましい。一連の処理全体の品質をより精度よく均一にすることができる。基板処理列Ｌｕ、Ｌｄ間で基板搬送の調整を省くことができ、各基板処理列Ｌにおける搬送制御を容易にすることができる。

制御部９０は、ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを制御する際、基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌ、または、基板Ｗを露光させる露光ステージＳの少なくともいずれかを各基板Ｗについて特定する連携情報を参照する。連携情報は、ＩＦ部５と露光機ＥＸＰとの間で実際に受け渡される各基板Ｗを識別する基板識別情報に、当該基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌまたは露光を行う露光ステージＳの少なくともいずれかを特定する処理情報が関係付けられていることが好ましい。

図１４は、連携情報の一例を示す模式図である。図１４に示す連携情報は、基板識別情報に、処理ごとに当該処理を行う基板処理列Ｌを特定する処理情報と、基板Ｗを露光する露光ステージＳを特定する処理情報が関係付けられている。制御部９０は当該連携情報を参照して、各基板Ｗがそれぞれ関係付けられた露光ステージＳ１、Ｓ２で露光されるように、ＩＦ部５から露光機ＥＸＰへ各基板Ｗを搬送させる。同様に、制御部９０は当該連携情報を参照して、各基板Ｗがそれぞれ関係付けられた基板処理列Ｌで処理されるように、露光機ＥＸＰからＩＦ部５へ各基板Ｗを搬送させる。具体的には、制御部９０と露光機用コントローラとの間で当該連携情報又はそれの応じた情報や命令を送受信することで、制御部９０が露光機ＥＸＰの動作を直接的に管理／制御可能にする。あるいは、ＩＦ部５から露光機ＥＸＰへ基板Ｗを渡す位置や、受け渡し方法に応じて露光ステージＳを選択可能に露光機ＥＸＰを構成して、制御部９０がＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを介して露光機ＥＸＰの動作を間接的に管理／制御可能にする。

図１５は、連携情報の一例を示す模式図である。図１５には、基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌを特定する処理情報が基板識別情報に関係付けられている連携情報を例示する。この連携情報は、装置１０と露光機ＥＸＰとの間で予め取り決めがなされている場合に用いられる。取り決めとしては、例えば、「基板Ｗを露光機ＥＸＰに受け渡す順番によってその基板Ｗを露光する露光ステージＳが決まる」等である。

図１５に示す連携情報は、具体的には、基板ＷをＩＦ部５から露光機ＥＸＰに渡す順番に関する搬送情報に、露光機ＥＸＰに渡すための基板Ｗが払い出される載置部ＰＡＳＳを特定する情報が関係付けられ、かつ、基板Ｗを露光機ＥＸＰからＩＦ部５が受け取る順番に関する搬送情報に、露光機ＥＸＰから受け取った基板Ｗを渡す載置部ＰＡＳＳを特定する情報が関係付けられている。なお、実際にＩＦ部５と露光機ＥＸＰとの間で受け渡される各基板Ｗをその順番によって搬送情報に関連付けることができるため、図１５に示す搬送情報はいずれも基板識別情報に相当する。また、載置部ＰＡＳＳによってその基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌを特定することができるため、図１５に示す２つの載置部を特定する情報は、いずれも基板処理列Ｌを特定する処理情報に相当する。

制御部９０は、この連携情報に基づいて順次選択した基板処理列Ｌから露光機ＥＸＰへ基板Ｗを渡し、かつ、露光機ＥＸＰから受け取った基板Ｗを、この連携情報に基づいて順次選択した基板処理列Ｌへ渡すようにＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを制御する。これにより、同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる複数の基板Ｗの全てを、同じ露光ステージＳ１又は露光ステージＳ２で露光させることができる。なお、図１５に示す連携情報は、取り決めの内容次第で適宜に変更可能である。たとえば、基板Ｗを露光機ＥＸＰに受け渡す時刻などのその他のタイミングによっていずれかの露光ステージＳが決まるという取り決めであれば、搬送情報もそのタイミングを規定するものに変更される。また、搬送情報については、基板Ｗを搬送する搬送工程と基板Ｗに処理を行う処理工程とに基づいて推定して得られることが好ましい。予め、連携情報を生成することができるからである。ただし、搬送情報を、実際に基板Ｗが受け渡される時刻で取得してもよい。

図１６は、連携情報の一例を示す模式図である。図１６には、基板Ｗを露光する露光ステージＳを特定する処理情報が基板識別情報に関係付けた連携情報を例示する。なお、図１６に示す露光機に渡す時刻に関する搬送情報は、基板識別情報に相当する。制御部９０は、この連携情報を露光機用コントローラから受信して各基板Ｗを露光する露光ステージＳを管理するか、あるいは、露光機用コントローラへ送信して各基板Ｗを露光する露光ステージＳを制御するとともに、この連携情報に基づいて露光機ＥＸＰからＩＦ部５へ各基板Ｗを搬送させる。これにより、各基板Ｗがそれぞれ関係付けられた露光ステージＳで露光される。

なお、ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦに対する制御は制御部９０が行うと説明したが、具体的にはメインコントローラ９１、第６コントローラ９８及び第７コントローラ９９のいずれかが行ってもよいし、適宜に分担して行ってもよい。

以下では、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢとの動作の一例をそれぞれ説明する。ただし、上述した連携情報を参照して行われる制御部９０の制御に応じて、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢとの動作は適宜に変更される。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡ］
第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ_５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。

次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ_２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ_２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ_７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ_２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ_２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに搬送する。続いて、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_７から加熱冷却ユニットＰＨＰ_４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ_４における露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ_４Ｂに載置する。

その後、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢ］
第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ_７に搬送する。

その後、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。

このように、実施例に係る基板処理装置によれば、制御部９０は、ＩＦ部５における基板Ｗの搬送を制御して、同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる複数の基板Ｗの全てを、同じ露光ステージＳで露光させる。これにより、複数の露光ステージＳを併用する場合に比べて、同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる複数の基板Ｗ間において、基板処理列Ｌにおける処理と露光機ＥＸＰにおける露光とを含んだ全体の処理品質がばらつくことを抑制できる。

また、制御部９０は、連携情報を参照して制御するので、好適に制御することができる。

また、連携情報は、ＩＦ部５と露光機ＥＸＰとの間で実際に受け渡される各基板Ｗを識別する基板識別情報に、当該基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌまたは露光を行う露光ステージＳの少なくともいずれかを特定する処理情報が関係付けられているので、実際に受け渡す各基板Ｗを所望の基板処理列Ｌで処理させ、また、所望の露光ステージＳで露光させることができる。

また、各基板処理列Ｌにおける処理は、レジスト膜形成処理と露光後加熱（ＰＥＢ）処理とを含むので、レジスト膜形成処理、露光および露光後加熱（ＰＥＢ）処理を含む一連の処理全体の品質を均一にすることができる。

また、各基板処理列Ｌは複数の主搬送機構Ｔを備えるので、基板Ｗを効率よく搬送することができる。

また、各基板処理列Ｌに設けられる複数のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、略同じ高さ位置に配置されているので、これらレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ間で処理品質を均一にさせることができる。

また、各基板処理列Ｌに設けられる複数の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、略同じ高さ位置に配置されているので、これら反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ間で処理品質を均一にさせることができる。

また、各基板処理列Ｌに設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは上下方向に積層されているので、設置面積を低減できる。

また、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気はそれぞれ互いに遮断されていない（連通している）ので、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ間、および、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ間で環境をより均一にすることができる。

また、基板処理列Ｌを有する処理部３を、複数（２台）の処理ブロックＢａ、Ｂｂを横方向（搬送方向と略同じ）に並べて構成しているので、複数種類の処理ブロックＢａ、Ｂｂを適宜に組み合わせることで、基板Ｗに行う処理内容・目的に応じた処理部３を容易に構成することができる。

また、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの各階層Ｋ間は互いに雰囲気が遮断されているので、各階層Ｋの雰囲気をそれぞれ清浄に保つことが容易である。また、各階層Ｋにおける環境を一定に保つことが容易である。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、各基板Ｗについて、露光後処理（たとえば、露光後加熱（ＰＥＢ）処理）を行わせる基板処理列Ｌは、当該基板Ｗに露光前処理（例えば、レジスト膜形成処理）を行った基板処理列Ｌと同じであることが好ましいと説明したが、両者が異なってもよい。たとえば、図１７に示すように、基板群Ｗａに対して、露光前処理を基板処理列Ｌｕで行い、露光後処理を基板処理列Ｌｄで行わせてもよい。この場合であっても、基板群Ｗａの全ては同じ処理履歴を有するため、基板群Ｗａ間で処理品質を均一にすることができる。

（２）上述した実施例では、別体の露光機ＥＸＰが本装置１０に隣接している場合で説明したが、これに限られない。本装置１０は露光機ＥＸＰと隣接しない場合でもよい。この場合であっても、各基板処理列Ｌに設けられる複数のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは略同じ高さ位置に配置されているので、これら処理ユニット間で処理品質を均一にさせることができる。同様に、各基板処理列Ｌに設けられる複数の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、略同じ高さ位置に配置されているので、これら処理ユニット間で処理品質を均一にさせることができる。

（３）上述した実施例では、基板処理列Ｌを２つ備える構成であったが、これに限られない。３以上の基板処理列Ｌを構成して上下方向に多段に設けるように変更してもよい。

（４）上述した実施例では、基板処理列Ｌを有する処理部３を、２台の処理ブロックＢａ、Ｂｂで構成したが、これに限られない。３つ以上の処理ブロックＢを並べて構成してもよい。

（５）上述した実施例では、基板処理列Ｌは基板Ｗにレジスト膜や反射防止膜を形成する処理や、露光後加熱（ＰＥＢ）処理、現像処理を行うものであったが、これに限られない。基板処理列Ｌにおいて洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行うように変更してもよい。これにより、各処理ユニットの種類、個数等は適宜に選択、設計される。また、ＩＦ部５を省略して基板処理装置を構成してもよい。

（６）上述した露光機ＥＸＰは２つの露光ステージＳを有していたが、これに限られない。３以上の露光ステージＳを備えた露光機ＥＸＰでも本装置１０を適用することができる。

（７）上述した実施例において、さらに、基板処理列Ｌおよび露光機ＥＸＰに基板Ｗを２回以上搬送することで、同じ酸化膜に配線パターンを２回以上に分けて形成する際、２回目以降に搬送する基板処理列Ｌは、１回目に搬送した基板処理列Ｌと同じであるように構成してもよい。１回目に形成した配線パターンと２回目以降に形成する配線パターンとの間で、配線パターンの線幅などの品質を均一することができる。

（８）上述した実施例では、各階層Ｋ１、Ｋ２に設けられる反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣやレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの間に隔壁等を備えておらず、各ユニット間で雰囲気が連通していたが、これに限られない。適宜に雰囲気を遮断するように構成してもよい。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。 主搬送機構の斜視図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板に行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。 連携情報の一例を示す模式図である。 連携情報の一例を示す模式図である。 連携情報の一例を示す模式図である。 変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。

符号の説明

１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
３１ …塗布処理ユニット
４１、４２ …熱処理ユニット
６１ …第１吹出ユニット
６１ａ …第１吹出口
６２ …排出ユニット
６２ａ …排出口
６５ …第２気体供給管
６６ …第２気体排出管
９０ …制御部
９１ …メインコントローラ
９３〜９９ …第１ないし第７コントローラ
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４ …階層
Ｌ、Ｌｕ、Ｌｄ …基板処理列
Ｂ、Ｂａ、Ｂｂ …処理ブロック
Ｕ …処理ユニット
ＢＡＲＣ …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＥＥＷ …エッジ露光ユニット
ＰＨＰ …加熱冷却ユニット
Ｔ_ＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４ …主搬送機構
Ｔ_ＩＦ …ＩＦ用搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ …載置部
ＢＦ …バッファ
Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４ …搬送スペース
ＥＸＰ …露光機
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ …露光ステージ
Ｃ …カセット
Ｗ …基板

Claims (16)

1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   基板を略水平方向に搬送しつつ基板に処理を行う基板処理列を上下方向に複数設けるとともに、
   複数の露光ステージを有する露光機であって本装置とは別体の前記露光機と、前記各基板処理列との間で基板を搬送するインターフェイス部と、
   前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ基板処理列で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる制御部と、
   を備え、
   基板処理列および露光機に基板を２回以上搬送することで、同じ酸化膜に配線パターンを２回以上に分けて形成する際、２回目以降に搬送する基板処理列は、１回目に搬送した基板処理列と同じであることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、基板に処理を行う基板処理列、または、基板を露光させる露光ステージの少なくともいずれかを各基板について特定する連携情報を参照して、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記連携情報は、前記インターフェイス部と露光機との間で実際に受け渡される各基板を識別する基板識別情報に、当該基板に処理を行う基板処理列または露光を行う露光ステージの少なくともいずれかを特定する処理情報が関係付けられていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板処理列で行う処理は、基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理と、露光後の基板に行う露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を含み、
   前記制御部は、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ基板処理列で前記レジスト膜形成処理が行われた複数の基板を全て一の露光ステージで露光させ、かつ、一の基板処理列で前記露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行わせることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   基板に露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行わせる基板処理列は、当該基板にレジスト膜形成処理を行った基板処理列であることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板処理列はそれぞれ、
   略水平方向に並べて設けられる複数の主搬送機構と、
   前記主搬送機構ごとに設けられ、基板を処理する複数の処理ユニットと、
   を備え、
   各主搬送機構は、当該主搬送機構に応じて設けられた処理ユニットに基板を搬送しつつ略水平方向に隣接する他の主搬送機構に基板を受け渡して、基板に一連の処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   各基板処理列に設けられる前記処理ユニットは、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットを含み、
   同じ基板処理列でレジスト膜が形成された複数の基板を、全て同じ露光ステージで露光することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   各基板処理列に設けられる前記レジスト膜用塗布処理ユニットは複数であり、それぞれ略同じ高さ位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
   各基板処理列に設けられる前記処理ユニットは、露光後の基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行うＰＥＢ処理ユニットをさらに含み、
   露光された基板に露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う基板処理列は、当該基板にレジスト膜材料を塗布した基板処理列であることを特徴とする基板処理装置。
10. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    上下方向の階層ごとに設けられて基板に処理を行う処理ユニットと、各階層に設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、を有する処理ブロックを横方向に複数個並べて構成され、隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して基板に一連の処理を行う処理部と、
    前記処理部に隣接して設けられて、前記処理部と、本装置とは別体であって複数の露光ステージを有する露光機との間で基板を搬送するインターフェイス部と、
    前記インターフェイス部における基板の搬送を制御して、同じ階層で同種の処理が行われる複数の基板の全てを、同じ露光ステージで露光させる制御部と、
    を備え、
    基板を前記処理部および露光機に２回以上搬送することで、同じ酸化膜に配線パターンを２回以上に分けて形成する際、２回目以降に搬送する前記処理部の階層は、１回目に搬送した前記処理部の階層と同じであることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、各基板について処理を行う階層、または、露光を行う露光ステージの少なくともいずれかを特定する連携情報を参照して、前記インターフェイス部における基板の搬送を制御することを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置において、
    前記連携情報は、前記インターフェイス部と露光機との間で実際に受け渡される各基板を識別する基板識別情報に、当該基板に処理を行う階層または露光を行う露光ステージの少なくともいずれかを特定する処理情報が関係付けられていることを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    各階層は互いに雰囲気が遮断されていることを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    一の処理ブロックは、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットが前記処理ユニットとして各階層に設けられている塗布処理ブロックであり、
    同じ階層でレジスト膜が形成された複数の基板を、全て同じ露光ステージで露光させることを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記塗布処理ブロックの各階層に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットは複数であり、それぞれ略同じ高さ位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
16. 請求項１４または請求項１５に記載の基板処理装置において、
    前記塗布処理ブロックとは別の一の処理ブロックは、露光後の基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行うＰＥＢ処理ユニットが前記処理ユニットとして各階層に設けられているＰＥＢブロックであり、
    露光された基板に露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う前記ＰＥＢブロックの階層は、当該基板にレジスト膜材料を塗布した塗布処理ブロックの階層と同じであることを特徴とする基板処理装置。

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