WO2006077859A1 - 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Takeyuki Mizutani
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Nikon Corporation
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Definitions

  • Liquid removal apparatus Liquid removal apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
  • the present invention relates to a liquid removal apparatus that removes liquid adhering to a substrate to be exposed, an exposure apparatus including the liquid removal apparatus, and a device manufacturing method.
  • an exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate is used.
  • the exposure apparatus includes a mask stage that can move while holding a mask, a substrate holder that holds the substrate, and a substrate stage that can move the substrate holder that holds the substrate.
  • the mask stage and the substrate stage The image of the mask pattern is projected onto the substrate via the projection optical system while sequentially moving.
  • miniaturization of patterns formed on a substrate is required in order to increase the density of devices. In order to meet this demand, it is desired to further increase the resolution of the exposure apparatus.
  • Patent Document 1 International Publication No. 99/49504 Pamphlet
  • the liquid When the substrate held by the substrate holder is exposed through the liquid, the liquid may enter the back side of the substrate and adhere to the back side of the substrate. If the state where the liquid adheres to the back surface of the substrate is left unattended, for example, the liquid may adhere to the transport system that unloads the substrate from the substrate holder, or the liquid may be scattered on the transport path of the transport system. There is a risk of expansion [0004]
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid removing apparatus that can satisfactorily remove liquid adhering to a substrate exposed through liquid. Moreover, it aims at providing the exposure apparatus provided with the liquid removal apparatus. Furthermore, it aims at providing the device manufacturing method which manufactures a device using the exposure apparatus.
  • the present invention employs the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments.
  • the reference numerals in parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
  • a predetermined space (8) is formed on the back surface (Pb) side of the substrate to be exposed (P) unloaded from the substrate holder (PH) by the liquid removing apparatus.
  • a liquid removing device (1) is provided that removes the liquid (LQ) adhering to the back surface (Pb) of the substrate to be exposed (P) by exhausting the gas of 8) from the suction port (5).
  • an exposure apparatus comprising a substrate holder (PH) and the liquid removing apparatus (1) of the above aspect.
  • a device having a desired performance can be manufactured from an exposed substrate from which the attached liquid has been removed.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram that shows one embodiment of an exposure apparatus that includes a liquid removal apparatus.
  • FIG. 2A is a side sectional view showing a first embodiment of a liquid removal apparatus.
  • FIG. 2B is a plan view showing the first embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 3 is an enlarged side sectional view of a main part of the liquid removing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4A is a view for explaining the operation of the liquid removing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4B is a view for explaining the operation of the liquid removing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4C is a view for explaining the operation of the liquid removing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 5A is a perspective view showing a transport system for transporting a substrate.
  • FIG. 5B is a side view showing a transport system for transporting a substrate.
  • FIG. 6A is a side sectional view showing a second embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 6B is a plan view showing a second embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 7 is an enlarged side sectional view of a main part of a liquid removing apparatus according to a second embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view showing a third embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 9A is an enlarged perspective view showing a main part of a third embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view showing a third embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 10 is a plan view showing a fourth embodiment of the liquid removing apparatus.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 12 is a plan view showing another example of the liquid removing apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13 is a view showing an exposure apparatus main body.
  • FIG. 14 is a flowchart showing an example of a microdevice manufacturing process.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a device manufacturing system SYS provided with an exposure apparatus EX-SYS.
  • a device manufacturing system SYS includes an exposure apparatus EX-SYS and a coater / developer apparatus CZD-SYS.
  • the exposure system EX—SYS is the interface unit IF that forms the connection with the coater / developer system C / D—SYS, the exposure system body EX that exposes the substrate P, and the overall operation of the exposure system EX—SYS. It is equipped with a control device CONT that performs overall control.
  • the exposure apparatus body EX includes a mask stage MST that can move while holding the mask M, and a substrate holder PH that holds the substrate P, and a substrate stage PST that can move the substrate holder PH that holds the substrate P.
  • the pattern image of the illumination optical system IL that illuminates the mask M that is held by the mask stage MST with the exposure light EL and the pattern image of the mask M that is illuminated by the exposure light EL is held by the substrate stage PST.
  • a projection optical system PL for projecting onto the substrate P.
  • the exposure apparatus body EX is provided in the first chamber apparatus CH1 in which the cleanliness is controlled.
  • the exposure apparatus body EX irradiates the front surface Pa of the substrate!
  • the “substrate” includes a surface of a substrate such as a semiconductor wafer coated with a photosensitive material such as a photoresist, and the “mask” is formed with a device pattern to be reduced and projected on the substrate. Includes reticle.
  • the exposure apparatus main body EX of the present embodiment fills the optical path space K1 of the exposure light EL between the projection optical system PL and the substrate P with the liquid LQ, and the substrate P via the projection optical system PL and the liquid LQ.
  • the liquid immersion mechanism 100 is provided in the vicinity of the image plane of the projection optical system PL, and includes a nozzle member 70 having a supply port 32 for supplying the liquid LQ and a recovery port 42 for recovering the liquid LQ, a supply pipe 33, and a nozzle member 70.
  • Liquid LQ is supplied to the image plane side of the projection optical system PL via the supply port 32 provided in And a liquid recovery part 41 that recovers the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL via a recovery port 42 provided in the nozzle member 70 and a recovery pipe 43.
  • a supply flow path for connecting the supply port 32 and the supply pipe 33 and a recovery flow path for connecting the recovery port 42 and the recovery pipe 43 are provided inside the nozzle member 70.
  • the exposure apparatus main body EX of the present embodiment has a liquid LQ that is larger than the projection area AR and smaller than the substrate P, on a part of the substrate P including the projection area AR of the projection optical system PL.
  • the local immersion method is used to locally form the liquid immersion region LR.
  • the control device CONT supplies a predetermined amount of liquid LQ using the liquid supply unit 31 of the liquid immersion mechanism 100 and collects a predetermined amount of liquid LQ using the liquid recovery unit 41, so that the projection optical system PL and the substrate P Fill the optical path space K1 between and with the liquid LQ.
  • the pattern of the mask M is obtained by irradiating the substrate P with the exposure light EL that has passed through the mask M via the liquid LQ between the projection optical system PL and the substrate P and the projection optical system PL. Is transferred to the substrate P.
  • pure water is used as the liquid LQ that fills the optical path space of the exposure light EL.
  • the exposure apparatus EX-SYS is provided on the substrate transport path of the transport system H and the transport system H for transporting the substrate P between the interface unit IF and the exposure apparatus body EX, and is subjected to immersion exposure processing.
  • a liquid removing apparatus 1 for removing the liquid LQ adhering to the substrate P after being formed.
  • the coater 'developer device C / D-SYS was subjected to exposure processing in a coating device (not shown) for applying a photosensitive material to the base material of the substrate P before exposure processing and the exposure device main body EX. And a developing device (not shown) for developing the subsequent substrate P.
  • the coating device and the developing device are provided in the second chamber device CH2 different from the first chamber device CH1.
  • the first chamber device CH1 that accommodates the exposure apparatus main body EX and the second chamber device CH2 that accommodates the coating device and the developing device are connected via an interface IF.
  • the coating device and the developing device housed in the second chamber device CH2 are collectively referred to as “coater / developer body C / D” as appropriate.
  • the transfer system H includes a first transfer system HI that loads (loads) the substrate P before the exposure processing into the substrate holder PH on the substrate stage PST, and a space between the substrate holder PH and the liquid removal apparatus 1. Between the second transport system H2 that transports the substrate P and the liquid removal device 1 and the interface unit IF. And a third transport system H3 for transporting the substrate P. The second transport system H2 unloads the substrate holder PH force after the exposure processing, and transports it to the liquid removal apparatus 1.
  • the first, second, and third transfer systems H1, H2, and H3 are provided inside the first chamber device CHI.
  • the substrate P that has been subjected to the coating process of the photosensitive material by the coating device of the coater / developer body C / D is delivered to the third transport system H3 via the interface IF.
  • the third transport system H3 passes the substrate P before being exposed to the first transport system HI.
  • the third transport system H3 may pass the substrate P to the first transport system HI via the liquid removal device 1, or another transport system or relay device (not shown) may be passed through the liquid removal device 1. It may be delivered to the first transport system HI via the first transport system HI.
  • the first transport system HI loads the substrate P before being exposed to the substrate holder PH of the exposure apparatus body EX.
  • the substrate P after the exposure processing by the exposure apparatus body EX is unloaded from the substrate holder PH by the second transport system H2.
  • the second transport system H 2 transports the unloaded substrate P to the liquid removal apparatus 1.
  • the liquid removal apparatus 1 removes the liquid LQ attached to the substrate P unloaded from the substrate holder PH.
  • the third transport system H3 receives the substrate P from the liquid removal apparatus 1 and transports it to the interface unit IF.
  • the substrate P transported to the interface unit IF is transported to the imager of the coater / developer body C / D.
  • the developing device performs development processing on the delivered substrate P.
  • the control device CONT uses the liquid recovery unit 41 of the immersion mechanism 100 on the surface Pa of the substrate P. Remove liquid LQ.
  • the controller C ONT uses the second transport system H2 to unload the substrate P irradiated with the exposure light EL from the substrate holder PH and then removes the liquid LQ adhering to the substrate P from the liquid removal device. Use 1 to remove.
  • the liquid removing apparatus 1 includes a holding mechanism 10 that holds the substrate P carried out from the substrate holder PH, and removes the liquid LQ attached to the back surface Pb of the substrate P while holding the substrate P.
  • FIG. 2A is a side sectional view showing the first embodiment of the liquid removing apparatus 1
  • FIG. 2B is a plan view seen from above.
  • FIG. 3 is an enlarged side sectional view of the main part of the liquid removing apparatus 1 in a state where the substrate P is held by the holding mechanism 10.
  • the liquid removal apparatus 1 is provided on the base 2, the plurality of protrusions 4 provided on the upper surface 3 of the base 2, and the upper surface 3 of the base 2.
  • the suction port 5 and the exhaust device 7 connected to the suction port 5 through the flow path 6 are provided.
  • the exhaust device 7 includes a vacuum system such as a vacuum pump.
  • the base material 2 is formed in a substantially circular shape in plan view.
  • the upper surface 3 is provided substantially parallel to the XY plane (horizontal plane).
  • the convex portion 4 supports the back surface Pb of the substrate P and constitutes a part of the holding mechanism 10.
  • the convex portion 4 is formed in a pin shape, and the upper surface of the convex portion 4 supports the back surface Pb of the substrate P.
  • a plurality of the convex portions 4 are provided uniformly on the upper surface 3 of the substrate 2.
  • the upper surface 3 of the base material 2 has a size and shape corresponding to the substrate P.
  • the holding mechanism 10 forms the predetermined space 8 on the back surface Pb side of the substrate P by supporting the back surface Pb of the substrate P with the convex portion 4.
  • the predetermined space 8 includes a space between the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2.
  • the protrusions 4 provided on the upper surface 3 of the base material 2 form a gap G1 between the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2 by supporting the back surface Pb of the substrate P.
  • the gap G1 has a size corresponding to the height of the convex portion 4, and is set to about 10 ⁇ to 1 ⁇ . In this embodiment, the gap G1 (height of the convex part 4) is set to about 50 / im.
  • the gap G1 is formed substantially uniformly over the entire back surface Pb of the substrate P, and the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P and the peripheral region of the top surface 3 of the base 2 It is also formed between.
  • Gas can flow (in / out) between the predetermined space 8 and an external space (atmospheric space) 500 outside the predetermined space 8. That is, the predetermined space 8 and the atmospheric space 500 outside the predetermined space 8 are circulated through a gap (gap G1) between the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2.
  • the predetermined space 8 is open to the atmosphere.
  • the gap between the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base 2 is appropriately referred to as “peripheral flow path 9”.
  • one P and a pulling port 5 are formed at substantially the center of the upper surface 3 of the base material 2.
  • the holding mechanism 10 of the liquid removing apparatus 1 holds the substrate P so that the central portion of the upper surface 3 of the base material 2 and the central portion of the back surface Pb of the substrate P face each other.
  • the holding mechanism 10 holds the substrate P so that the suction port 5 and the center portion of the back surface Pb of the substrate P face each other. That is, the suction port 5 is provided in a region of the upper surface 3 of the base material 2 that faces the center of the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10.
  • the predetermined space 8 includes a space between the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10 including the convex portion 4 and the upper surface 3 of the base material 2, and is provided on the upper surface 3 of the base material 2.
  • the suction port 5 is connected to the predetermined space 8.
  • the exhaust device 7 includes a vacuum system such as a vacuum pump, and can suck the gas (and liquid) in the predetermined space 8 through the flow path 6 and the suction port 5.
  • the flow path 6 includes an internal flow path 6A formed inside the base material 2 so as to be connected to the suction port 5, and a flow path of a pipe member that connects the internal flow path 6A and the exhaust device 7.
  • the exhaust device 7 sucks the gas in the predetermined space 8 through the suction port 5
  • the gas in the predetermined space 8 is exhausted to the outside.
  • the exhaust device 7 exhausts about 1 to 100 liters of gas per minute from the predetermined space 8 to the outside through the suction port 5.
  • the base material 2 and the convex portion 4 are made of, for example, ceramics.
  • the convex part 4 having a height of about 10 / im to 1 mm can be formed on the base material 2.
  • the base member 2 and the convex portion 4 may be formed of a metal such as stainless steel.
  • the surface of the upper surface 3 of the base material 2 is coated with a liquid repellent material such as a fluorine-based material or an acrylic material, and the surfaces of the upper surface 3 of the base material 2 and the surface of the convex portion 4 are Liquid repellency to LQ.
  • liquid repellent material examples include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxyethylene copolymer (PFA), and polyetheretherketone (PEEK). Further, the base material 2 or the convex part 4 itself may be formed of the above-mentioned liquid repellent material.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • PFA tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxyethylene copolymer
  • PEEK polyetheretherketone
  • the control device CONT unloads the substrate P after the immersion exposure processing from the substrate holder PH using the second transport system H2, and transports it to the liquid removal device 1.
  • the liquid removing apparatus 1 includes a pin member 11 that can be moved up and down provided on the base 2.
  • the control device CONT raises the upper end portion of the pin member 11 above the upper surface of the convex portion 4 when the substrate P is carried into the liquid removing device 1 using the second transport system H2.
  • the control device CONT transfers the substrate P from the second transport system H2 onto the pin member 11.
  • the back surface Pb of the substrate P is supported by the pin member 11 as shown in FIG. 4B.
  • the control device CONT lowers the pin member 11 that supports the back surface Pb of the substrate P after retracting the second transport system H2 from the liquid removing device 1. As a result, as shown in FIG. 4C, the back surface Pb of the substrate P is supported by the convex portion 4 of the liquid removing apparatus 1.
  • the liquid removal apparatus 1 forms the predetermined space 8 on the back surface Pb side of the substrate P by holding the substrate P with the holding mechanism 10 including the convex portion 4.
  • the control device CONT drives the exhaust device 7 including the vacuum system and sucks the gas in the predetermined space 8 through the flow path 6 and the suction port 5.
  • the control device CONT exhausts from the suction port 5 connected to the predetermined space 8 by driving the exhaust device 7.
  • the liquid removing apparatus 1 can generate a gas flow that is directed toward the suction port 5 in the predetermined space 8. That is, when the exhaust device 7 is driven, the gas around the suction port 5 (that is, the gas in the predetermined space 8) is sucked into the suction port 5. As a result, as shown in FIG. 3, the gas in the atmospheric space 500 flows into the predetermined space 8 via the peripheral flow path 9, and a gas flow directed toward the suction port 5 is generated in the predetermined space 8. (See arrow y 1 in Figure 3). Here, the gas toward the suction port 5 flows along the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2.
  • the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P is moved to the suction port 5 due to the flow of gas directed to the suction port 5 (see arrow y2 in FIG. 3). Then, the liquid LQ that has moved to the suction port 5 is collected by the exhaust device 7 through the suction port 5.
  • the liquid LQ dropped from the back surface Pb of the substrate P may adhere to the upper surface 3 of the base material 2, but the liquid LQ attached to the upper surface 3 of the base material 2 also flows into the suction port 5.
  • the liquid removing apparatus 1 can remove the liquid LQ attached to the back surface Pb of the substrate P.
  • the control device CONT lifts the pin member 11 and releases the holding of the substrate P by the holding mechanism 10 of the liquid removal apparatus 1. Then, the control device CONT transports the substrate P from which the liquid LQ has been removed to the interface unit IF by the third transport system H3. The substrate P transported to the interface unit IF is transported to the developing device of the coater / developer body CZD and subjected to development processing.
  • the liquid LQ may adhere to the transport system that holds the back surface Pb of the substrate P. If the substrate P before being loaded onto the substrate holder PH (ie before exposure processing) or the substrate P before being transported to the developing device (ie before development processing) is held by the transport system to which the liquid LQ has adhered The transport system may cause the liquid LQ to adhere to the substrates P, and the exposure process and the development process may not be performed satisfactorily. However, by removing the liquid LQ adhering to the substrate P with the liquid removing apparatus 1 as in the present embodiment, the above-described inconvenience can be prevented.
  • the substrate P to which the liquid LQ may adhere is transported by the second transport system H2, and the liquid LQ may adhere to the first transport system HI. It is not possible to transport the substrate P with That is, since the liquid LQ is prevented from adhering to the first transport system HI, it is not exposed to the back surface Pb of the substrate P before being exposed to the first transport system HI (before being loaded onto the substrate holder PH). It prevents the liquid LQ from adhering and the liquid LQ from splashing on the transport path of the first transport system HI.
  • the third transport system H3 transports the substrate P before being subjected to the exposure process (before being loaded on the substrate holder PH) and also transports the substrate P that has been subjected to the liquid removal process in the liquid removal apparatus 1. So the liquid LQ is in the 3rd transport system H3 Adhesion is also prevented. Accordingly, it is possible to prevent the liquid LQ from adhering to the back surface Pb of the substrate P transported by the third transport system H3 and the liquid LQ from being scattered on the transport path of the third transport system H3.
  • FIG. 5A is a perspective view showing the second transport system H2 holding the substrate P
  • FIG. 5B is a side view.
  • the second transport system H2 includes a transport arm 150 having two forks.
  • Four convex portions 152 are provided in an island shape on the upper surface 151 of the transfer arm 150.
  • the second transport system H2 holds a substantially central region of the back surface Pb of the substrate P on the upper surface 153 of the convex portion 152. That is, the upper surface 153 of the convex portion 152 is a holding surface that holds the back surface Pb of the substrate P.
  • the supplied liquid LQ is separated from the surface Pa of the substrate P and the upper surface of the substrate stage PST.
  • the holding surface (upper surface) 153 of the convex portion 152 of the second transport system H2 is the region at the substantially center of the back surface Pb of the substrate P So that it does not touch the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P. This prevents the liquid LQ from adhering to the second transport system H2.
  • the first and third transport systems Hl and H3 may also hold the substantially central region of the back surface Pb of the substrate P.
  • a liquid processing mechanism 160 for processing the liquid LQ dropped from the substrate P after the exposure processing is provided in the transport path of the second transport system H2. It has been.
  • the liquid processing mechanism 160 includes a scissors member 161 disposed under the transport path of the second transport system H2, and a liquid suction device 162 that discharges the liquid LQ collected via the scissors member 161 from the scissors member 161. ing.
  • the eaves member 161 is provided between the substrate holder PH and the liquid removing apparatus 1, that is, under the transport path of the second transport system H2.
  • the flange member 161 is provided inside the first chamber device CH1, and the liquid suction device 162 is provided outside the first chamber device CH1.
  • the flange member 161 and the liquid suction device 162 are connected via a pipe line 163, and the pipe line 163 is provided with a valve 163B for opening and closing the flow path of the pipe line 163.
  • the liquid processing mechanism 160 collects the dropped liquid LQ with the gutter member 161, so that it is possible to prevent inconvenience such as the liquid LQ scattering around the transport path. Since the liquid suction device 162 sucks the liquid LQ on the flange member 161 provided in the first chamber device CH1, and discharges the liquid LQ dropped on the flange member 161 to the outside of the first chamber device CH1. The liquid LQ does not stay on the flange member 161 inside the first chamber device CH1. Therefore, the liquid processing mechanism 160 can prevent inconveniences such as fluctuations in the environment (humidity, cleanliness, etc.) inside the first chamber device CH1.
  • the liquid processing mechanism 160 need not be provided.
  • a minute predetermined space 8 (gap G1) of about 10 ⁇ m to 1 mm is formed on the back surface Pb side of the substrate P, and the suction port provided in the minute predetermined space 8 Exhaust from 5. Therefore, a gas flow having a high flow velocity is generated on the back surface Pb side of the substrate P, and the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P can be moved to the suction port 5 and recovered from the suction port 5.
  • the predetermined space 8 (gap G1) is very small, even if the exhaust amount per unit time of the suction port 5 force is small, in other words, even if the suction capacity of the exhaust device 7 is small, the back surface Pb of the substrate P It is possible to sufficiently increase the flow velocity of the gas generated in the predetermined space 8 between the upper surface 3 of the substrate 2 and the base material 2. Therefore, the liquid removal apparatus 1 can smoothly move and collect the liquid LQ attached to the back surface Pb of the substrate P to the suction port 5 in a short time by the gas flow with the increased flow velocity.
  • the predetermined space 8 is open to the atmosphere via the peripheral channel 9, even when the predetermined space 8 is exhausted from the suction port 5, the predetermined space 8 can be defined via the peripheral channel 9. Since gas flows from the outside to the inside, a desired gas flow can be generated smoothly.
  • the suction port 5 opposes substantially the center of the back surface Pb of the substrate P in the upper surface 3 of the base material 2, a gas having substantially the same flow velocity from the entire area of the peripheral channel 9 is transferred from the atmospheric space 500 to the predetermined space. 8 when the liquid LQ is attached to the entire back surface Pb of the substrate P. However, the liquid LQ can be recovered in a short time.
  • only one suction port 5 is provided so as to face almost the center of the back surface Pb of the substrate P. Therefore, the suction port 5 has uneven directional gas flow (flow velocity distribution, etc.). Substrate without generating)!
  • An air flow with a large directional force flow velocity can be formed from the peripheral region of the substrate 3 to the center of the substrate P, so that exhaust can efficiently contribute to liquid removal from the suction port 5. Therefore, the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P can be satisfactorily removed regardless of the position of the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P.
  • the predetermined space 8 is formed on the back surface Pb side of the substrate P while preventing the stagnation and deformation of the substrate P. Therefore, the gas can flow in the space between the convex portions 4, and the gas flow from the peripheral flow path 9 toward the suction port 5 can be generated smoothly. Further, by supporting the back surface Pb of the substrate P with the plurality of pin-shaped convex portions 4, it is possible to reduce the contact area S between the back surface Pb of the substrate P and the holding mechanism 10 including the convex portions 4. Thereby, even if the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P and the pin-shaped protrusion 4 come into contact, the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P can be removed well.
  • FIG. 6A, 6B, and 7 a second embodiment will be described with reference to FIGS. 6A, 6B, and 7.
  • FIG. 6A, 6B, and 7 the same reference numerals are given to the same or equivalent components as those in the above-described embodiment, and the description thereof is simplified or omitted.
  • FIG. 6A is a side sectional view showing a second embodiment of the liquid removing apparatus 1
  • FIG. 6B is a plan view seen from above.
  • FIG. 7 is an enlarged side sectional view of a main part of the liquid removing apparatus 1 in a state where the substrate P is held by the holding mechanism 10.
  • the liquid removing apparatus 1 includes a peripheral wall portion 12 provided on the upper surface 3 of the base material 2 so as to surround the plurality of pin-shaped convex portions 4.
  • the peripheral wall portion 12 is formed in a substantially annular shape in plan view according to the shape of the substrate P.
  • the upper surface of the peripheral wall portion 12 is provided so as to face the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10. Further, the peripheral wall portion 12 is provided so as to be lower than the convex portion 4. That is, as shown in FIG.
  • a predetermined gap Gl ′ is formed between the upper surface of the portion 12.
  • a predetermined space 8 surrounded by the upper surface 3 of the base material 2, the peripheral wall portion 12, and the back surface Pb of the substrate P is formed on the back surface Pb side of the substrate P held by the holding mechanism 10.
  • the gap G1 ′ is smaller than the gap G1 formed between the back surface Pb of the substrate P and the top surface 3 of the base material 2.
  • the peripheral flow path 9 is formed by the gap G1 ′ between the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the peripheral wall portion 12.
  • a suction port 5 is provided on the upper surface 3 of the substrate 2 as in the first embodiment described above.
  • the peripheral wall portion 12 having the upper surface facing the back surface Pb of the substrate P, the velocity of the flow of gas generated in the vicinity of the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P is further increased. That power S.
  • the liquid LQ is supplied onto the substrate P while the substrate P is held on the substrate holder PH and the immersion exposure process is performed, the liquid LQ is likely to adhere to the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P. Les.
  • the peripheral wall 12 by providing the peripheral wall 12 and increasing the velocity of the gas flow generated near the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P (that is, near the gap G1 ′), the back surface Pb of the substrate P The liquid LQ adhering to the peripheral area can be moved to the suction port 5 more smoothly.
  • FIG. 8 is a plan view of the liquid removing apparatus 1 according to the third embodiment as viewed from above.
  • 9A is an enlarged perspective view of the main part of the liquid removing apparatus 1
  • FIG. 9B is an enlarged side sectional view of the main part of the liquid removing apparatus 1 in which the substrate P is held by the holding mechanism 10 (see FIG. 8).
  • A correlates to a cross-sectional view taken along line A.
  • the liquid removal apparatus 1 includes a first guide member 13 that guides the gas flow in the predetermined space 8.
  • the first guide member 13 guides the gas flow toward the suction port 5 (5A to 5H), and is provided on the upper surface 3 of the substrate 2.
  • a plurality of pin-like convex portions 4 that support the back surface Pb of the substrate P are provided, as in the above-described embodiment. Is provided. Note that the convex portion 4 is not shown in FIG. Containing convex part 4 When the holding mechanism 10 holds the back surface Pb of the substrate P, the first guide member 13 faces the back surface Pb of the substrate P.
  • a plurality of first guide members 13 are formed radially in plan view with respect to the substantially central portion of the upper surface 3 of the base material 2.
  • the holding mechanism 10 holds the substrate P so that the central portion of the upper surface 3 of the base material 2 and the central portion of the back surface Pb of the substrate P face each other.
  • the predetermined space 8 is divided into a plurality of divided spaces by the first guide member 13.
  • the predetermined space 8 is divided into eight divided spaces 8A to 8H adjacent to each other.
  • the first guide member 13 of the present embodiment is formed in a radial shape, and each of the divided spaces 8A to 8H is gradually narrowed from the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P toward the central portion. It is formed in a fan shape. Further, since the plurality of first guide members 13 are radially arranged at equiangular intervals, the sizes and shapes of the divided spaces 8A to 8H are substantially the same.
  • one suction port 5 is connected to each of the divided spaces 8A to 8H.
  • eight suction ports 5A to 5H are provided near the center of the upper surface 3 of the substrate 2 so as to correspond to the eight divided spaces 8A to 8H, respectively.
  • the size and shape of the suction ports 5A to 5H are substantially the same.
  • each of the suction ports 5A to 5H is connected to the exhaust device 7.
  • the plurality of first guide members 13 formed radially guide the gas flow toward each of the suction ports 5A to 5H.
  • the convex portion 4 provided on the upper surface 3 of the base material 2 supports the back surface Pb of the substrate P, whereby the rear surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2 are supported.
  • a gap G1 is formed between The gap G1 is also formed between the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P and the peripheral region of the upper surface 3 of the base material 2, and each of the divided spaces 8A to 8H and the atmospheric space 500 outside the divided spaces 8A to 8H 500. Gas can flow (in and out) between the two.
  • each of the suction ports 5A to 5H are provided so as to face a region in the vicinity of the center portion of the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10.
  • each of the suction ports 5A to 5H is provided in a fan shape. It is provided in the vicinity of the apex of each divided space 8A to 8H. The positional relationship between each of the divided spaces 8A to 8H and each of the suction ports 5A to 5H provided corresponding to the divided spaces 8A to 8H is substantially the same.
  • Each of the divided spaces 8A to 8H is provided with a second guide member 14 for guiding the gas flow in each of the divided spaces 8A to 8H. Similar to the first guide member 13, the second guide member 14 guides the flow of directional gas to each of the suction ports 5A to 5H, and corresponds to the plurality of divided spaces 8A to 8H. A plurality of upper surfaces 3 of the material 2 are provided. In the present embodiment, one second guide member 14 is provided in each of the divided spaces 8A to 8H. Each of the second guide members 14 is provided radially from the center of the upper surface 3 of the base material 2.
  • each of the second guide members 14 is provided so as to extend from the central portion of the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10 toward the peripheral region Eb.
  • the second guide member 14 is provided at substantially the center in the ⁇ Z direction of each of the divided spaces 8A to 8H provided in a fan shape, and each of the suction ports 5A to 5H is provided with the second guide member 14.
  • the positional relationship between each of the divided spaces 8A to 8H (suction ports 5A to 5H) and each of the second guide members 14 provided corresponding to the divided spaces 8A to 8H (suction ports 5A to 5H) is mutually different. It is almost the same.
  • the second guide member 14 faces the back surface Pb of the substrate P.
  • the first and second guide members 13 and 14 are provided to be lower than the convex portion 4. That is, as shown in FIG. 9B, when the back surface Pb of the substrate P is held by the holding mechanism 10 including the convex portion 4, the top surface of the first and second guide members 13 and 14 and the back surface Pb of the substrate P are between A predetermined gap G2 is formed.
  • the gap G2 has a size corresponding to the height of the first and second guide members 13 and 14, and is set smaller than the gap G1. In the present embodiment, the gap G2 is set to about 2 x m to 5 z m.
  • the liquid removal operation by the liquid removal apparatus 1 of the third embodiment will be described.
  • the gas in the atmospheric space 500 passes through the peripheral flow path 9 as shown by the arrow yl in FIG. It flows into each of 8H, and each of divided spaces 8A-8H is directed to each of suction ports 5A-5H.
  • a gas stream is generated.
  • the gas directed to each of the suction ports 5A to 5H flows while being guided by the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2, and flows while being guided by the first and second guide members 13 and 14.
  • the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P moves to the suction ports 5A to 5H due to the flow of gas and gas directed to the suction ports 5A to 5H generated by exhausting from the suction ports 5A to 5H. Then, the liquid LQ moved to the suction ports 5A to 5H is collected by the exhaust device 7 through the suction ports 5A to 5H. As described above, the liquid removal apparatus 1 can remove the liquid LQ attached to the back surface Pb of the substrate P.
  • the air flows from the atmospheric space 500 to the predetermined space 8 (divided spaces 8A to 8H) via the peripheral flow path 9, and the suction port 5 (5A Can guide the gas flow to ⁇ 5H). Accordingly, it is possible to generate a gas flow with a small turbulence and a large flow velocity in each of the divided spaces 8A to 8H, and it is possible to better remove the liquid LQ attached to the back surface Pb of the substrate P.
  • the predetermined space 8 is divided into a plurality of divided spaces 8A to 8H by the first guide member 13, and a plurality of suction ports 5A to 5H are provided so as to correspond to the plurality of divided spaces 8A to 8H.
  • a gas flow having a sufficiently large velocity can be easily obtained.
  • a gap G2 is formed between the upper surfaces of the first and second guide members 13 and 14 and the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10, and the back surface Pb of the substrate P is 1.
  • the second guide members 13, 14 are not in contact with each other. Thereby, contamination of the substrate P caused by the contact between the back surface Pb of the substrate P and the first and second guide members 13 and 14 can be prevented.
  • the gap G2 is a small size of about 2 ⁇ m to 5 ⁇ m, the resistance of the gas flow in the gap G2 increases. Therefore, it is possible to smoothly generate a flow of directional gas at the suction ports 5A to 5H along the first and second guide members 13 and 14.
  • each of the divided spaces 8A to 8H is formed in a fan shape in plan view by the first guide member 13, and the suction port 5 is formed on the upper surface 3 of the substrate 2 on the substrate P. It is provided so as to face almost the center of the back surface Pb. As a result, the flow velocity of the gas flowing into each of the divided spaces 8A to 8H from the peripheral flow path 9 connected to the atmospheric space 500 is increased.
  • One suction port can flow from 5A to 5H.
  • the second guide member 14 is provided at substantially the center in the ⁇ Z direction of each of the divided spaces 8A to 8H provided in a fan shape, and suction is performed on an extension line in the longitudinal direction of the second guide member 14 in plan view.
  • the suction ports 5A to 5H can generate a directional force and gas flow better, and the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P can be more reliably obtained.
  • the suction port can be moved to 5A to 5H.
  • a plurality of second guide members 14 may be provided in each of the divided spaces 8A to 8H, and if the desired gas flow can be obtained without the second guide member 14, the second guide member 14 may be provided. 2The guide member 14 can be omitted.
  • the force with which the eight first guide members 13 are arranged so that the eight divided spaces 8A to 8H are formed can be appropriately determined as necessary. .
  • the sizes and shapes of the divided spaces 8A to 8H and the sizes of the suction ports 5A to 5H are set so that the gas flow speeds in the divided spaces 8A to 8H are substantially the same.
  • the size and shape, and the amount of exhaust per unit time from the suction ports 5A to 5H are set. That is, the sizes and shapes of the divided spaces 8A to 8H are set to be substantially the same so that the gas flow rates in the divided spaces 8A to 8H are substantially the same, and the sizes of the suction ports 5A to 5H are set.
  • the shape of each of the divided spaces 8A to 8H and the positions of the suction ports 5A to 5H provided corresponding to the divided spaces 8A to 8H are set to be substantially the same.
  • the displacements per unit time from the suction ports 5A to 5H are set to be approximately the same. Thereby, the removal capability of the liquid LQ in each of the divided spaces 8A to 8H can be made substantially equal.
  • the gas flow velocities in the divided spaces 8A to 8H may be different from each other.
  • the displacement per unit time from each of the suction ports 5A to 5H may be different from each other. In this case, for example, by connecting independent exhaust devices 7 to each of the suction ports 5A to 5H, and setting the exhaust amount per unit time by each exhaust device 7 to be different from each other, the suction ports 5A to 5A to The ability to make the displacement per unit time from 5H different.
  • the peripheral wall portion 12 is not provided, and the area between the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P and the peripheral area of the upper surface 3 of the base 2 is about 10 ⁇ m to 1 mm. Gap Although Gl is provided, a predetermined gap G1 ′ may be formed between the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the peripheral wall portion 12 by providing the peripheral wall portion 12 as in the second embodiment described above. . In this case, the peripheral wall portion 12 is provided outside the first and second guide members 13 and 14 so as to surround the first and second guide members 13 and 14.
  • the first and second guide members 13 and 14 have substantially the same height, but the heights of the first and second guide members 13 and 14 may be different from each other.
  • the upper surface of the second guide member 14 is formed lower than the first guide member 13 and the back surface Pb of the substrate P is held by the holding mechanism 10
  • the back surface Pb of the substrate P and the first guide member A predetermined gap G2 is formed between the upper surface of 13 and a gap larger than the gap G2 is formed between the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the second guide member 14.
  • the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10 including the plurality of pin-shaped protrusions 4 and the top surfaces of the first and second guide members 13 and 14 are separated from each other.
  • the back surface Pb of the substrate P and at least one of the first and second guide members 13 and 14 may contact each other. Even if the back surface Pb of the substrate 3 and at least one of the upper surfaces of the first and second guide members 13 and 14 are in contact with each other, the exhaust port 5 (5A to 5H) can be A gas flow directed to (5A-5H) can be generated.
  • the convex part 4 can be omitted.
  • the plurality of first guide members 13 are formed so as to be connected near the center of the upper surface 3 of the base material 2, but as with the second guide member 14, It can also be formed so as not to be connected near the center of the upper surface 3 of the substrate 2.
  • the plurality of suction ports 5A to 5H instead of the plurality of suction ports 5A to 5H, only one suction port 5 may be provided near the center of the upper surface 3 of the substrate 2.
  • the gas is introduced into the predetermined space 8 by flowing gas from the peripheral flow path 9 formed at the peripheral edge of the substrate P held by the holding mechanism 10.
  • Force to generate suction and gas flow at suction port 5 (5A to 5H)
  • An air release port communicating with the atmospheric space 500 is arranged on the upper surface 3 of the base material 2, and the air release port The liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P is removed by the gas flow toward the suction port 5. You may do it.
  • FIG. 10 is a plan view of the liquid removing apparatus 1 according to the fourth embodiment as viewed from above, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • the liquid removal apparatus 1 includes a guide member 15 that guides the flow of gas in the predetermined space 8.
  • the guide member 15 guides the gas flow toward the suction port 5, and is provided on the upper surface 3 of the substrate 2.
  • a plurality of pin-like convex portions 4 that support the back surface Pb of the substrate P are provided in the same manner as in the above-described embodiment. Yes. Note that the convex part 4 is not shown in FIG. When the back surface Pb of the substrate P is held by the holding mechanism 10 including the convex portion 4, the guide member 15 faces the back surface Pb of the substrate P.
  • the plurality of guide members 15 are formed in an annular shape, and are arranged concentrically in plan view on the upper surface 3 of the substrate 2.
  • each of the plurality of guide members 15 is formed in a substantially annular shape.
  • the central part of each of the plurality of guide members 15 substantially coincides with the central part of the upper surface 3 of the substrate 2.
  • the holding mechanism 10 holds the substrate P so that the central portion of the upper surface 3 of the base member 2 and the central portion of the back surface Pb of the substrate P face each other.
  • the holding mechanism 10 is formed in an annular shape and holds the substrate P so that the center portion of the guide members 15 arranged concentrically with the center portion of the back surface Pb of the substrate P faces each other. To do.
  • the predetermined space 8 is divided by the guide member 15 into a plurality (eight) of divided spaces 8A to 8H. Since the plurality of annular guide members 15 are arranged concentrically, each of the divided spaces 8A to 8H is provided in an annular shape, and the annular divided spaces 8A to 8H are formed substantially concentrically.
  • a suction port 5 is provided inside each of the divided spaces 8A to 8H.
  • a plurality of suction ports 5 are provided in each of the divided spaces 8A to 8H.
  • one suction port 5 is provided in each of the divided spaces 8A to 8H.
  • eight suction ports 5A to 5H are provided on the upper surface 3 of the substrate 2 so as to correspond to the eight divided spaces 8A to 8H, respectively.
  • Each suction port 5A to 5H has the same size and shape. It is almost the same. As in the first to third embodiments described above, each of the suction ports 5A to 5H is connected to the exhaust device 7.
  • a flow path 9 ′ is formed through which the predetermined space 8 and the atmospheric space 500 outside the predetermined space 8 flow.
  • the flow path 9 ′ is an internal flow path formed inside the base material 2, and a plurality of flow paths 9 ′ are provided so as to correspond to the respective divided spaces 8A to 8H.
  • One end of the flow path 9 ′ is connected to each of the divided spaces 8A to 8H of the predetermined space 8.
  • the other end of the channel 9 ′ is connected to the atmospheric space 500.
  • Each of the divided spaces 8A to 8H is connected to an air opening 16 that is one end of the flow path 9 '.
  • a plurality of the air opening ports 16 are provided so as to correspond to each of the divided spaces 8A to 8H.
  • one atmosphere opening 16 is provided in each of the divided spaces 8A to 8H.
  • eight atmosphere opening ports 16A to 16H are provided on the upper surface 3 of the substrate 2 corresponding to each of the eight divided spaces 8A to 8H.
  • Each of the air opening ports 16A to 16H is provided in a predetermined positional relationship with respect to the suction ports 5A to 5H.
  • the suction ports 5A to 5H are provided on the ⁇ X side of the annular divided spaces 8A to 8H, and the air release ports 16A to 16H are provided on the + X side. That is, each of the suction ports 5A to 5H and each of the atmosphere opening ports 16A to 16H are provided at substantially symmetrical positions with respect to the central portion of the upper surface 3 of the substrate 2.
  • the protrusion 4 provided on the upper surface 3 of the base material 2 supports the back surface Pb of the substrate P, so that the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2 A gap G1 is formed between them.
  • the guide member 15 is provided so as to be lower than the convex portion 4. That is, as shown in FIG. 11, when the back surface Pb of the substrate P is held by the holding mechanism 10 including the convex portion 4, a predetermined gap G2 is formed between the upper surface of the guide member 15 and the back surface Pb of the substrate P.
  • the gap G2 has a size corresponding to the height of the guide member 15, and is set smaller than the gap G1. Also in this embodiment, the gap G2 is set to about 2 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the connecting portion 4S between the upper surface 3 of the base 2 and the convex portion 4 and the connecting portion 15S with the guide member 15 on the upper surface 3 of the base 2 Is formed in an arc shape in cross section.
  • Holding mechanism 10 is substrate
  • the gas in the atmospheric space 500 is divided into the divided spaces via the flow path 9 ′ and the atmosphere opening ports 16A to 16H.
  • the gas flows into each of 8A to 8H, and in each of the divided spaces 8A to 8H, a flow of directional gas is generated in each of the suction ports 5A to 5H.
  • the gas toward each of the suction ports 5A to 5H flows while being guided by the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 3 of the base material 2 and while being guided by the guide member 15.
  • the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P moves to the suction ports 5A to 5H by the gas flow toward the suction ports 5A to 5H generated by exhausting from the suction ports 5A to 5H. Then, the liquid LQ that has moved to the suction ports 5A to 5H is collected by the exhaust device 7 via the suction ports 5A to 5H. As described above, the liquid removing apparatus 1 can remove the liquid LQ attached to the back surface Pb of the substrate P.
  • the air flows from the atmospheric space 500 to the predetermined space 8 (divided spaces 8A to 8H) via the atmospheric opening 16 (channel 9 ').
  • the suction port 5 5A to 5H. Therefore, the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P can be removed better.
  • the predetermined space 8 is divided into a plurality of divided spaces 8A to 8H by the guide member 15, and a plurality of suction ports 5A to 5H and air opening ports 16A to 16H are provided so as to correspond to the plurality of divided spaces 8A to 8H.
  • a plurality of suction ports 5A to 5H and air opening ports 16A to 16H are provided so as to correspond to the plurality of divided spaces 8A to 8H.
  • connection portion 4S between the upper surface 3 of the base material 2 and the convex portion 4 and the connection portion 15S with the guide member 15 on the upper surface 3 of the base material 2 Is formed in a circular arc shape in cross section, so that even if the liquid LQ is attached to the upper surface 3 of the base material 2 or the side surfaces of the convex portion 4 and the guide member 15, the suction ports 5A to 5H The liquid LQ can be smoothly moved to the suction ports 5A to 5H without causing the liquid LQ to remain on the upper surface 3 of the substrate 2 or the like due to the flow of gas or gas.
  • a gap G2 is formed between the upper surface of the guide member 15 and the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10, and the back surface Pb of the substrate P is a guide.
  • the component 15 is not in contact with it.
  • the back surface Pb of the substrate P and the guide member 15 come into contact with each other. It is possible to prevent the contamination of the substrate P due to the above.
  • the gap G2 is a small size of about 2 / im to 5 ⁇ m, the resistance of the gas flow in the gap G2 increases. Therefore, it is possible to smoothly generate a flow of directional gas at the suction ports 5A to 5H along the guide member 15.
  • the force that separates the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism 10 including the convex portion 4 from the upper surface of the guide member 15 The back surface Pb of the substrate P and a plurality of guides Contact with at least one of the members 15. Further, when the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the guide member 15 are brought into contact with each other, the convex portion 4 can be omitted.
  • the control device CONT can set the exhaust amount per unit time from the suction ports 5A to 5H so that the gas flow rates in the divided spaces 8A to 8H are substantially the same. . Thereby, the liquid LQ removal ability in each of the divided spaces 8A to 8H can be made substantially equal.
  • the diameter (size) of the divided space 8A is the largest and is directed toward the inner side, that is, The diameter (size) gradually decreases as the divided spaces become 8B to 8H. Therefore, the resistance (pressure loss) of the gas flow directed from the atmosphere opening port 16A to the suction port 5A of the divided space 8A is the largest.
  • the control device CONT controls the exhaust (suction) connected to the divided spaces 8A to 8H so that the gas flow rates in the divided spaces 8A to 8H are almost the same according to the pressure loss of the divided spaces 8A to 8H.
  • Adjust the exhaust capacity (suction power) of the equipment so that they are different from each other.
  • the control device CONT maximizes the suction force of the exhaust device connected to the suction port 5A provided in the divided space 8A having the largest diameter, and decreases in the divided spaces 8B to 8G as the diameter decreases.
  • the suction force of the exhaust device connected to each is gradually reduced, and the suction force of the exhaust device connected to the divided space 8H having the smallest diameter is minimized.
  • suction ports 5A and air release ports 16A provided in the divided space 8A, and the suction ports 5A and the air release ports 16A are alternately arranged in the ⁇ Z direction.
  • suction ports 5B and air release ports 16B provided in the divided space 8B, and the suction ports 5B and the air release ports 16B are alternately arranged.
  • the suction port 5D and atmospheric release port 16D are alternately arranged in the divided space 8C, and in the divided space 8D, the suction port 5D and atmospheric release port 16D are alternately arranged one by one.
  • 8E two suction ports 5E and two air release ports 16E are alternately arranged.
  • suction ports 5F, 5G, and 5H and air release ports 16F, 16G, and 16H are arranged one by one. Also in this case, the exhaust amount per unit time from the suction ports 5A to 5H may be different from each other. Thereby, the flow velocity of the gas in each of the divided spaces 8A to 8H can be made substantially the same, and the removal ability of the liquid LQ in each of the divided spaces 8A to 8H can be made almost equal.
  • the connecting portion 4S between the upper surface 3 of the substrate 2 and the convex portion 4 and the connecting portion 15S between the upper surface 3 of the substrate 2 and the guide member 15 may be linear (flat) in cross section.
  • the gas flow velocity in the divided spaces 8A to 8H can be set as appropriate.
  • the exhaust amount per unit time from the suction port 5A and / or the suction port so that the flow velocity of the gas in the divided space 8A facing the peripheral region of the back surface Pb of the substrate P to which the liquid LQ is likely to adhere is maximized.
  • the position and number of 5A and air opening 16A may be set.
  • the guide member and the base material 2 may be provided integrally, or the guide member and the base material 2 may be separated and separable. Further, before loading the exposed substrate P onto the base material 2 of the liquid removing apparatus 1, the guide member is attached to the back surface Pb of the substrate P, and in this state, the guide member and the substrate P are attached to the base material. It may be loaded together with 2.
  • the upper surface 3 of the base material 2 and the surface of the convex portion 4 are liquid repellent with respect to the liquid LQ, but may not be liquid repellent.
  • the suction port 5 is provided on the upper surface 3 of the base material 2, but a member different from the base material 2 having the suction port is provided in a predetermined space. It may be arranged at 8 and the suction loca provided in the member may exhaust the gas in the predetermined space 8.
  • the holding mechanism 10 that holds the substrate P includes the convex portion 4 provided on the base material 2, and the convex portion 4 covers the back surface Pb of the substrate P.
  • a predetermined space 8 is formed on the back surface Pb side of the substrate P.
  • the substrate P is held by using a holding mechanism provided separately from the base material 2, and the predetermined space 8 is provided on the back surface Pb side of the substrate P. You can make space 8 too.
  • the substrate P is held by a holding mechanism capable of holding the side surface of the substrate P, and the upper surface 3 of the base material 2 is disposed so as to face the back surface Pb of the substrate P held by the holding mechanism, and the back surface of the substrate P
  • a predetermined space 8 may be formed between Pb and the upper surface 3 of the substrate 2.
  • the predetermined space 8 is provided corresponding to almost the entire back surface Pb of the substrate P, but the substrate P is held by the substrate holder PH. If immersion exposure is performed in this state, the liquid LQ is likely to adhere to the peripheral area Eb of the back surface Pb of the substrate P. Accordingly, the predetermined space 8 for removing the liquid LQ is formed only in the region corresponding to the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P, and the suction port 5 is provided in the predetermined space 8, and the suction port 5 You can exhaust it. By doing so, the liquid LQ adhering to the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P can be removed.
  • FIG. 13 is a schematic block diagram showing the main part of the exposure apparatus main body EX.
  • the exposure apparatus main body EX uses a scanning type exposure that exposes the pattern formed on the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in the respective scanning directions (reverse directions).
  • scanning stepper A case where the present invention is applied to an apparatus (so-called scanning stepper) will be described as an example.
  • an illumination optical system IL is an exposure light source, an optical integrator that equalizes the illuminance of a light beam emitted from the exposure light source, and an exposure from the optical integrator. It has a condenser lens that collects the light EL, a relay lens system, and a field stop that sets the illumination area on the mask M by the exposure light EL. The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution from the illumination optical system IU.
  • the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL includes, for example, a mercury lamp force emitted bright line (g-line, h-line, i-line) and far ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm). And vacuum ultraviolet light (VUV) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F laser light (wavelength 157 nm)
  • ArF excimer laser light is used.
  • pure water is used as the liquid LQ that fills the optical path space K1.
  • Pure water is not only ArF excimer laser light, but also, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as emission lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp. It can be transmitted.
  • DUV light far ultraviolet light
  • emission lines g-line, h-line, i-line
  • KrF excimer laser light wavelength 248 nm
  • Mask stage MST is movable while holding mask M.
  • the mask stage MST is in the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane with the mask M held by the mask stage driving device MSTD including a linear motor controlled by the control device CONT. It can move two-dimensionally and can rotate slightly in the ⁇ Z direction.
  • a movable mirror 91 is provided on the mask stage MST.
  • a laser interferometer 92 is provided at a position facing the moving mirror 91.
  • the position of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction and the rotation angle in the ⁇ Z direction are measured in real time by the laser interferometer 92.
  • the measurement result of the laser interferometer 92 is output to the control device CONT.
  • the control device CONT controls the position of the mask M held by the mask stage MST via the mask stage drive device MSTD based on the measurement result of the laser interferometer 92.
  • the projection optical system PL projects the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification of / 3, and is composed of a plurality of optical elements, which are held by the lens barrel PK. It has been.
  • the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification of, for example, 1Z4, 1/5, or 1/8.
  • the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system.
  • the first optical element LSI closest to the image plane of the projection optical system PL is from the lens barrel PK. Exposed.
  • the substrate stage PST has a substrate holder PH that holds the substrate P.
  • the substrate holder PH holds the substrate P using, for example, a vacuum suction mechanism.
  • a recess 96 is provided on the substrate stage PST, and a substrate holder PH for holding the substrate P is disposed in the recess 96.
  • the upper surface 97 formed around the recess 96 of the substrate stage PST is a flat surface that is substantially the same height (level) as the surface Pa of the substrate P held by the substrate holder PH.
  • the substrate holder PH is formed on the base material 80, the base material 80, the plurality of convex portions 81 that support the back surface Pb of the substrate P, and the base material 80, and is formed on the back surface Pb of the substrate P.
  • a peripheral wall portion 82 provided so as to surround the convex portion 81.
  • the peripheral wall portion 82 is formed in a substantially annular shape according to the shape of the substrate P, and is provided so that the upper surface of the peripheral wall portion 82 faces the peripheral region Eb of the back surface Pb of the substrate P.
  • a plurality of suction ports (not shown) are uniformly formed on the base material 80 inside the peripheral wall portion 82. Each of the plurality of suction ports is connected to a vacuum system.
  • the control device CONT drives the vacuum system and sucks (exhausts) the gas (air) inside the space 83 surrounded by the substrate P, the peripheral wall 82 and the base material 80 to make this space 83 negative pressure.
  • the back surface Pb of the substrate P is adsorbed by the convex portion 81.
  • the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the peripheral wall portion 82 are in close contact with each other.
  • the substrate stage PST is XY on the base member BP in a state where the substrate P is held via the substrate holder PH via the substrate stage driving device PSTD including the linear motor controlled by the control device CONT. It can move two-dimensionally in the plane and can rotate in the ⁇ Z direction. Furthermore, the substrate stage PST can also move in the Z-axis direction, ⁇ X direction, and ⁇ Y direction. Therefore, the upper surface of the substrate P supported by the substrate stage PST can move in directions of six degrees of freedom of the X axis, Y axis, Z axis, ⁇ X, ⁇ Y, and ⁇ ⁇ directions.
  • a movable mirror 93 is provided on the side surface of the substrate stage PS.
  • a laser interferometer 94 is provided at a position facing the movable mirror 93.
  • the position and rotation angle of the substrate ⁇ ⁇ on the substrate stage PST are measured in real time by the laser interferometer 94.
  • the exposure apparatus main body ⁇ includes a grazing incidence type focus' leveling detection system that detects surface position information of the upper surface of the substrate ⁇ supported by the substrate stage PST. Measurement of laser interferometer 94 The result is output to the control unit CONT. The detection result of the focus leveling detection system is also output to the control device CONT.
  • the control device CONT drives the substrate stage drive device PSTD based on the detection result of the focus' leveling detection system, and controls the force position (Z position) and tilt angle ( ⁇ X, ⁇ ⁇ ) of the substrate P. Then, the upper surface of the substrate P is aligned with the image plane of the projection optical system PL, and the position control of the substrate P in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the ⁇ Z direction is performed based on the measurement result of the laser interferometer 94.
  • the liquid supply unit 31 of the liquid immersion mechanism 100 includes a tank that stores the liquid LQ, a pressure pump, a temperature adjustment mechanism that adjusts the temperature of the liquid LQ to be supplied, and a filter unit that removes foreign matter in the liquid LQ. Etc.
  • the liquid supply operation of the liquid supply unit 31 is controlled by the control device CONT.
  • the tank, pressurization pump, temperature adjustment mechanism, filter unit, etc. of the liquid supply unit 31 are not necessarily equipped with the exposure apparatus EX-SYS. Equipment such as a factory where the exposure apparatus EX-SYS is installed. May be substituted.
  • the liquid recovery unit 41 includes, for example, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid LQ and gas, and a tank that stores the recovered liquid LQ. Yes.
  • the liquid recovery operation of the liquid recovery unit 41 is controlled by the control device CONT.
  • the vacuum system, gas-liquid separator, tank, etc. of the liquid recovery unit 41 are not necessarily equipped with the exposure equipment EX-SYS. The equipment at the factory where the exposure equipment EX-SYS is installed is used instead. Good.
  • the supply port 32 for supplying the liquid LQ and the recovery port 42 for recovering the liquid LQ are formed on the lower surface of the nozzle member 70.
  • the nose member 70 is an annular member provided so as to surround the side surface of the first optical element LSI, and the supply port 32 is the first optical element LSI of the projection optical system PL (the optical axis AX of the projection optical system PL).
  • a plurality are provided so as to surround.
  • the recovery port 42 is provided outside the supply port 32 with respect to the first optical element LSI, and is provided so as to surround the first optical element LSI and the supply port 32.
  • the control device CONT drives each of the liquid supply unit 31 and the liquid recovery unit 41.
  • the liquid supply unit 3 1 force liquid LQ is delivered under the control of the control device CONT
  • the liquid LQ delivered from the liquid supply unit 31 flows through the supply pipe 33 and then the supply flow of the nozzle member 70.
  • the liquid recovery unit 41 is driven under the control device CONT, the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL flows into the recovery channel of the nozzle member 70 via the recovery port 42, and the recovery pipe After flowing through 43, the liquid is recovered by the liquid recovery unit 41.
  • the controller CONT uses the liquid immersion mechanism 100 to project the pattern image of the mask M onto the substrate P, and is held by the projection optical system PL and the substrate holder PH. Exposure light in between EL Fill the optical path space K1 of the liquid with liquid LQ. The substrate P is exposed by irradiating the exposure light EL onto the substrate P through the projection optical system PL and the liquid LQ.
  • the immersion area LR of the liquid LQ is the surface Pa of the substrate P held by the substrate holder PH and the upper surface 9 of the substrate stage PST.
  • the gap Ge is formed on the gap Ge.
  • the liquid LQ may enter the gap Ge and further enter the back surface Pb side of the substrate P.
  • the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the peripheral wall portion 82 of the substrate holder PH are in close contact with each other.
  • the liquid LQ that wraps around is likely to adhere mainly to the peripheral area Eb (the area outside the peripheral wall 82) of the back surface Pb of the substrate P. Further, the liquid LQ may enter the space 83 through the space between the back surface Pb of the substrate P and the upper surface of the peripheral wall portion 82 of the substrate holder PH, and the liquid LQ may adhere to the central portion of the back surface Pb of the substrate P. is there.
  • the controller CONT unloads the substrate P, which has been subjected to immersion exposure processing, from the substrate holder PH using the second transport system H2, and then proceeds to the liquid removal device 1 described in the above first to fourth embodiments. Transport and remove the liquid LQ adhering to the back surface Pb of the substrate P with the liquid removing device 1.
  • the liquid removal apparatus 1 is mounted on the exposure apparatus EX-SYS, but the liquid removal apparatus 1 may be disposed on the coater / developer apparatus CZD-SYS. Yo! Alternatively, the liquid removing device 1 may be disposed in the interface part IF. Further, in the above-described embodiment, the inspection apparatus for detecting the liquid attachment state of the back surface Pb of the substrate P that has been subjected to the immersion exposure processing is disposed in the exposure apparatus EX-SYS, and the back surface Pb of the substrate P is allowed. Only when the liquid LQ that cannot be applied is adhered, it is possible to transport the exposed substrate P to the liquid removal device 1 described above.
  • the liquid LQ in the present embodiment is pure water.
  • Pure water is a semiconductor manufacturing It has the advantage that it can be easily obtained in large quantities at factories, etc., and has no adverse effects on the photoresist or optical elements (lenses) on the substrate P.
  • pure water has no adverse effects on the environment, and the impurity content is extremely low, so it is expected to clean the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. it can.
  • the refractive index n of pure water (water) for the exposure light EL with a wavelength of about 193 nm is about 1.44, and ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source for the exposure light EL.
  • lZn that is, the wavelength is shortened to about 134 nm, and high resolution can be obtained.
  • projection optics can be used if it is sufficient to ensure the same depth of focus as that used in the air.
  • the numerical aperture of the system PL can be further increased, and the resolution is improved in this respect as well.
  • an optical element (lens) LSI is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL, such as aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.), are provided by this optical element. Adjustments can be made.
  • the optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane parallel plate that can transmit the exposure light EL.
  • the pressure between the optical element at the tip of the projection optical system PL and the substrate P generated by the flow of the liquid LQ is large, the optical element cannot be replaced, and the optical force is not changed.
  • the element may be firmly fixed so as not to move.
  • the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ.
  • the liquid is obtained with a cover glass made of a plane parallel plate attached to the surface of the substrate P. You can meet LQ.
  • the optical path space on the image plane side of the optical element at the tip is filled with liquid, but as disclosed in International Publication No. 2004/019128, By adopting a projection optical system that fills the optical path space on the mask side of the optical element at the tip with liquid.
  • the liquid LQ of the present embodiment may be a force S that is water, or a liquid other than water.
  • the light source of the exposure light EL is an F laser
  • the F laser light is water. Does not pass through
  • Liquid LQ can transmit F laser light such as perfluorinated polyether (PFPE) It may be a fluorine-based fluid such as fluorine-based oil.
  • PFPE perfluorinated polyether
  • the portion that comes into contact with the liquid LQ is lyophilicized by, for example, forming a thin film of a substance having a small polarity and molecular structure containing fluorine.
  • the liquid LQ is stable to the projection optical system PL that is transmissive to the exposure light EL and has a refractive index as high as possible, and to the photoresist applied to the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used.
  • the substrate P in each of the above embodiments is not limited to a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask used in an exposure apparatus.
  • Reticle masters synthetic quartz, silicon wafers are applied.
  • the exposure apparatus EX—SYS is a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that moves the mask M and the substrate P synchronously and performs exposure of the mask M pattern.
  • scanning stepper scanning stepper
  • stepper step-and-repeat projection exposure apparatus in which the mask M and the substrate P are stationary and the pattern of the mask M is collectively exposed and the substrate P is sequentially moved stepwise.
  • the exposure apparatus EX-SYS projects a reduced image of the first pattern with the first pattern and the substrate P substantially stationary with a projection optical system (for example, 1/8 reduction magnification and does not include a reflective element) It can also be applied to an exposure apparatus that performs batch exposure on a substrate P using a projection optical system). In this case, after that, with the second pattern and the substrate P almost stationary, a reduced image of the second pattern is collectively overlapped on the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus for exposure.
  • the stitch type exposure apparatus can also be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially superimposed and transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
  • the present invention relates to JP-A-10-163099, JP-A-10_214783, special table.
  • the present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus disclosed in 2000-505958.
  • a measurement stage equipped with various photoelectric sensors including a substrate stage for holding a substrate and a reference member on which a reference mark is formed.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus equipped with a stage.
  • an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed.
  • the present invention is disclosed in JP-A-6-124873, An immersion exposure apparatus that performs exposure in a state where the entire surface of a substrate to be exposed is immersed in a liquid as disclosed in JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043, etc. It is also applicable to.
  • the type of exposure apparatus EX-SYS is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, or a thin film
  • the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a magnetic head, an imaging device (CCD), a reticle or a mask.
  • an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed is provided.
  • the present invention can also be applied to the exposure apparatus used.
  • the exposure apparatus EX-SYS performs various mechanical subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application on predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, optical Manufactured by assembling so as to maintain accuracy.
  • various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy
  • various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy
  • various electrical systems Is adjusted to achieve electrical accuracy.
  • the assembly process from various subsystems to exposure equipment includes mechanical connections, electrical circuit wiring connections, and pneumatic circuit piping connections between the various subsystems. It goes without saying that each subsystem has an assembly process before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies for the exposure apparatus as a whole. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.
  • a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for performing a function design of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, Step 203 for manufacturing a substrate as a base material, as described above Manufacturing through the substrate processing step 204 including the process of exposing the mask pattern onto the substrate by the exposure apparatus EX-SYS of the embodiment, the device assembly step (including the dicing process, bonding process, and packaging process) 205, the inspection step 206, etc. Is done.

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Abstract

　液体除去装置（１）は、基板ホルダ（ＰＨ）から搬出された基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）側に所定空間を形成し、所定空間の気体を排気することによって被露光基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）に付着した液体（ＬＱ）を除去する。

Description

明 細 書
液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、被露光基板に付着した液体を除去する液体除去装置、その液体除去 装置を備える露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、 2005年 01月 18日に出願された特願 2005— 10093号に基づき優先権 を主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体デバイス、液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つである フォトリソグラフイエ程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写 する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクス テージと、基板を保持する基板ホルダを有し、基板を保持した基板ホルダを移動可 能な基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマ スクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影するものである。マイクロデバ イスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパター ンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度 化が望まれている。その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許 文献 1に開示されているような、投影光学系と基板との間の露光光の光路空間を液 体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。 特許文献 1：国際公開第 99/49504号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 基板ホルダに保持された基板を液体を介して露光した場合、液体が基板の裏面側 に入り込んで、基板の裏面に付着する可能性がある。基板の裏面に液体が付着した 状態を放置しておくと、例えば基板ホルダから基板を搬出する搬送系に液体が付着 したり、搬送系の搬送経路上に液体が飛散したりするなど、被害が拡大する虞がある [0004] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体を介して露光された 基板に付着した液体を良好に除去できる液体除去装置を提供することを目的とする 。また、その液体除去装置を備えた露光装置を提供することを目的とする。更に、そ の露光装置を使ってデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的と する。
課題を解決するための手段
[0005] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以 下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に 過ぎず、各要素を限定するものではない。
[0006] 本発明の第 1の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光光 (EL)が照射され、かつ 基板ホルダ (PH)から搬出された被露光基板 (P)に付着した液体 (LQ)を除去する 液体除去装置にぉレ、て、基板ホルダ (PH)から搬出された被露光基板（P)の裏面（P b)側に所定空間（8)を形成し、所定空間（8)の気体を吸引口（5)から排気することに よって被露光基板 (P)の裏面 (Pb)に付着した液体 (LQ)を除去する液体除去装置（ 1)が提供される。
[0007] 本発明の第 1の態様によれば、基板ホルダから搬出された被露光基板の裏面に付 着した液体を良好に除去することができる。
[0008] 本発明の第 2の態様に従えば、基板ホルダ (PH)と、上記態様の液体除去装置（1) とを備えた露光装置 (EX)が提供される。
[0009] 本発明の第 2の態様によれば、露光後の被露光基板に付着した液体を良好に除去 すること力 Sできる。
[0010] 本発明の第 3の態様に従えば、上記態様の露光装置 (EX)を用いるデバイス製造 方法が提供される。
[0011] 本発明の第 3の態様によれば、付着した液体が除去された被露光基板から所望の 性能を有するデバイスを製造することができる。
発明の効果
[0012] 本発明によれば、液体を介して露光された基板に付着した液体を良好に除去でき る。 図面の簡単な説明
[0013] [図 1]液体除去装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
[図 2A]液体除去装置の第 1実施形態を示す側断面図である。
[図 2B]液体除去装置の第 1実施形態を示す平面図である。
[図 3]第 1実施形態に係る液体除去装置の要部を拡大した側断面図である。
[図 4A]第 1実施形態に係る液体除去装置の動作を説明するための図である。
[図 4B]第 1実施形態に係る液体除去装置の動作を説明するための図である。
[図 4C]第 1実施形態に係る液体除去装置の動作を説明するための図である。
[図 5A]基板を搬送する搬送系を示す斜視図である。
[図 5B]基板を搬送する搬送系を示す側面図である。
[図 6A]液体除去装置の第 2実施形態を示す側断面図である。
[図 6B]液体除去装置の第 2実施形態を示す平面図である。
[図 7]第 2実施形態に係る液体除去装置の要部を拡大した側断面図である。
[図 8]液体除去装置の第 3実施形態を示す平面図である。
[図 9A]液体除去装置の第 3実施形態を示す要部を拡大した斜視図である。
[図 9B]液体除去装置の第 3実施形態を示す断面図である。
[図 10]液体除去装置の第 4実施形態を示す平面図である。
[図 11]図 10の B— B線断面矢視図である。
[図 12]液体除去装置の第 4実施形態に係る別の例を示す平面図である。
[図 13]露光装置本体を示す図である。
[図 14]マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
[0014] 1…液体除去装置、 2…基材、 3…上面、 4…凸部、 5…吸引口、 8…所定空間、 8A 〜8H…分割空間、 9…周縁流路、 9 '…流路、 10…保持機構、 13…ガイド部材、 14 …ガイド部材、 15…ガイド部材、 500…大気空間、 Eb…周縁領域、 EL…露光光、 E X…露光装置本体、 EX— SYS…露光装置、 G1…ギャップ、 G2…ギャップ、 H…搬 送システム、 H2…第 2搬送系、 LQ…液体、 P…基板、 Pb…裏面、 PH…基板ホノレダ 発明を実施するための最良の形態 [0015] 以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれ に限定されない。なお以下の説明においては、図中に XYZ直交座標系を設定し、こ の XYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜）方向をそれぞれ、 Θ Χ、 Θ Υ、及び Θ Ζ方向とする 。また、 ΧΥ平面は水平面と平行であり、 Ζ軸は鉛直方向に沿った軸とする。
[0016] 図 1は露光装置 EX—SYSを備えたデバイス製造システム SYSの一例を示す概略 構成図である。図 1において、デバイス製造システム SYSは、露光装置 EX— SYSと 、コータ 'デベロッパ装置 CZD— SYSとを備えている。露光装置 EX— SYSは、コー タ.デベロツバ装置 C/D— SYSとの接続部を形成するインターフェース部 IFと、基 板 Pの露光を行う露光装置本体 EXと、露光装置 EX— SYS全体の動作を統括制御 する制御装置 CONTとを備えてレ、る。
[0017] 露光装置本体 EXは、マスク Mを保持して移動可能なマスクステージ MSTと、基板 Pを保持する基板ホルダ PHを有し、基板 Pを保持した基板ホルダ PHを移動可能な 基板ステージ PSTと、マスクステージ MSTに保持されてレ、るマスク Mを露光光 ELで 照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターン像を基板ステ ージ PSTに保持されてレ、る基板 Pに投影する投影光学系 PLとを備えてレ、る。露光装 置本体 EXは、クリーン度が管理された第 1チャンバ装置 CH1内部に設けられている 。露光装置本体 EXは、基板 Pの裏面 Pbを基板ホルダ PHで保持した状態で、基板!3 の表面 Paに露光光 ELを照射する。なお、ここでいう「基板」は、半導体ウェハ等の基 材の表面にフォトレジスト等の感光材を塗布したものを含み、「マスク」は、基板上に 縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
[0018] 本実施形態の露光装置本体 EXは、投影光学系 PLと基板 Pとの間の露光光 ELの 光路空間 K1を液体 LQで満たし、投影光学系 PLと液体 LQとを介して基板 Pに露光 光 ELを照射して基板 Pを露光する液浸露光装置であり、投影光学系 PLと基板 との 間の露光光 ELの光路空間 K1を液体 LQで満たす液浸機構 100を備えている。液浸 機構 100は、投影光学系 PLの像面近傍に設けられ、液体 LQを供給する供給口 32 及び液体 LQを回収する回収口 42を有するノズノレ部材 70と、供給管 33、及びノズル 部材 70に設けられた供給口 32を介して投影光学系 PLの像面側に液体 LQを供給 する液体供給部 31と、ノズノレ部材 70に設けられた回収口 42、及び回収管 43を介し て投影光学系 PLの像面側の液体 LQを回収する液体回収部 41とを備えている。ノズ ル部材 70の内部には、供給口 32と供給管 33とを接続する供給流路、及び回収口 4 2と回収管 43とを接続する回収流路が設けられている。また、本実施形態の露光装 置本体 EXは、液体 LQにより投影光学系 PLの投影領域 ARを含む基板 P上の一部 に、投影領域 ARよりも大きく且つ基板 Pよりも小さレ、液体 LQの液浸領域 LRを局所 的に形成する局所液浸方式を採用している。制御装置 CONTは、液浸機構 100の 液体供給部 31を使つて液体 LQを所定量供給するとともに、液体回収部 41を使って 液体 LQを所定量回収することで、投影光学系 PLと基板 Pとの間の光路空間 K1を液 体 LQで満たす。露光装置本体 EXにおいては、投影光学系 PLと基板 Pとの間の液 体 LQ及び投影光学系 PLを介してマスク Mを通過した露光光 ELを基板 Pに照射す ることによってマスク Mのパターンが基板 Pに転写される。本実施形態においては、 露光光 ELの光路空間を満たす液体 LQとして純水を用いる。
[0019] また、露光装置 EX— SYSは、インターフェース部 IFと露光装置本体 EXとの間で 基板 Pを搬送する搬送システム Hと、搬送システム Hの基板搬送経路上に設けられ、 液浸露光処理された後の基板 Pに付着した液体 LQを除去する液体除去装置 1とを 備えている。
[0020] コータ 'デベロッパ装置 C/D— SYSは、露光処理される前の基板 Pの基材に対し て感光材を塗布する塗布装置（不図示）と、露光装置本体 EXにおいて露光処理され た後の基板 Pを現像処理する現像装置 (不図示）とを備えている。塗布装置及び現像 装置は、第 1チャンバ装置 CH1とは別の第 2チャンバ装置 CH2内部に設けられてい る。露光装置本体 EXを収容する第 1チャンバ装置 CH1と、塗布装置及び現像装置 を収容する第 2チャンバ装置 CH2とは、インターフェース部 IFを介して接続されてレヽ る。以下の説明においては、第 2チャンバ装置 CH2内部に収容されている塗布装置 及び現像装置を合わせて「コータ ·デベロツバ本体 C/D」と適宜称する。
[0021] 搬送システム Hは、露光処理される前の基板 Pを基板ステージ PST上の基板ホル ダ PHに搬入（ロード）する第 1搬送系 HIと、基板ホルダ PHと液体除去装置 1との間 で基板 Pを搬送する第 2搬送系 H2と、液体除去装置 1とインターフェース部 IFとの間 で基板 Pを搬送する第 3搬送系 H3とを備えている。第 2搬送系 H2は、露光処理され た後の基板 Pを基板ホルダ PH力 搬出（アンロード）し、液体除去装置 1まで搬送す る。
[0022] 第 1、第 2、第 3搬送系 Hl、 H2、 H3は、第 1チャンバ装置 CHI内部に設けられて いる。コータ 'デベロッパ本体 C/Dの塗布装置で感光材の塗布処理を施された基板 Pは、インターフェース部 IFを介して第 3搬送系 H3に渡される。第 3搬送系 H3は、露 光処理される前の基板 Pを第 1搬送系 HIに渡す。なお、第 3搬送系 H3は、基板 Pを 液体除去装置 1を介して第 1搬送系 HIに渡してもよいし、液体除去装置 1を介さず に不図示の別の搬送系や中継装置を介して第 1搬送系 HIに渡してもよいし、第 1搬 送系 HIに直接渡してもよい。第 1搬送系 HIは、露光処理される前の基板 Pを露光 装置本体 EXの基板ホルダ PHにロードする。露光装置本体 EXで露光処理された後 の基板 Pは、第 2搬送系 H2により基板ホルダ PHからアンロードされる。第 2搬送系 H 2はアンロードした基板 Pを液体除去装置 1に搬送する。液体除去装置 1は、基板ホ ルダ PHからアンロードされた基板 Pに付着した液体 LQの除去処理を行う。第 3搬送 系 H3は、基板 Pを液体除去装置 1から受け取り、インターフェース部 IFまで搬送する 。インターフェース部 IFまで搬送された基板 Pは、コータ 'デベロッパ本体 C/Dの現 像装置に搬送される。現像装置は、渡された基板 Pに対して現像処理を施す。
[0023] <液体除去装置の第 1実施形態 >
次に、液体除去装置 1の第 1実施形態について説明する。露光装置本体 EXにお いて、基板ホルダ PHに保持した基板 Pを液体 LQを介して露光処理した後、制御装 置 CONTは液浸機構 100の液体回収部 41を使って基板 Pの表面 Pa上の液体 LQを 除去する。し力 ながら、基板 Pの裏面 Pb側に回り込んだ液体 LQが基板 Pの裏面 Pb に付着したまま基板ホルダ PHから搬出される可能性がある。そのため、制御装置 C ONTは、液体 LQを介して露光光 ELが照射された基板 Pを第 2搬送系 H2を使って 基板ホルダ PHから搬出した後に、基板 Pに付着した液体 LQを液体除去装置 1を使 つて除去する。液体除去装置 1は、基板ホルダ PHから搬出された基板 Pを保持する 保持機構 10を備えており、基板 Pを保持した状態で、基板 Pの裏面 Pbに付着した液 体 LQを除去する。 [0024] 図 2Aは液体除去装置 1の第 1実施形態を示す側断面図であり、図 2Bは上方から 見た平面図である。また、図 3は保持機構 10で基板 Pを保持した状態の液体除去装 置 1の要部を拡大した側断面図である。
[0025] 図 2A、図 2B及び図 3において、液体除去装置 1は、基材 2と、基材 2の上面 3に設 けられた複数の凸部 4と、基材 2の上面 3に設けられた吸引口 5と、吸引口 5に流路 6 を介して接続された排気装置 7とを備えてレ、る。排気装置 7は真空ポンプ等の真空系 を含む。基材 2は平面視においてほぼ円形状に形成されている。上面 3は、 XY平面 (水平面）とほぼ平行に設けられている。
[0026] 凸部 4は基板 Pの裏面 Pbを支持するものであって、保持機構 10の一部を構成する 。凸部 4はピン状に形成されており、凸部 4の上面で基板 Pの裏面 Pbを支持する。凸 部 4は基材 2の上面 3に複数一様に設けられている。基材 2の上面 3は基板 Pに応じ た大きさ及び形状を有している。凸部 4の上面で基板 Pの裏面 Pbを支持した際、基 材 2の上面 3は基板 Pの裏面 Pbと対向する。
[0027] 保持機構 10は、凸部 4で基板 Pの裏面 Pbを支持することにより、基板 Pの裏面 Pb 側に所定空間 8を形成する。所定空間 8は、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3との間 の空間を含む。基材 2の上面 3に設けられた凸部 4は、基板 Pの裏面 Pbを支持するこ とにより、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3との間にギャップ G1を形成する。ギャップ G1は、凸部 4の高さに応じた大きさを有し、 10 μ ΐη〜1πιπι程度に設定される。本実 施形態においては、ギャップ G1 (凸部 4の高さ）は約 50 /i mに設定されている。
[0028] 図 3に示すように、ギャップ G1は、基板 Pの裏面 Pbの全域においてほぼ一様に形 成され、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebと基材 2の上面 3の周縁領域との間にも形成 される。そして、所定空間 8と所定空間 8の外側の外部空間（大気空間） 500との間に おいて、気体が流通（出入り）可能となっている。すなわち、基板 Pの裏面 Pbの周縁 領域 Ebと基材 2の上面 3との間の隙間（ギャップ G1)を介して、所定空間 8と所定空 間 8の外側の大気空間 500とが流通されており、所定空間 8は大気開放された状態と なっている。ここで、以下の説明においては、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebと基材 2の上面 3との間の隙間を適宜、「周縁流路 9」と称する。
[0029] 図 2Bに示すように、 P及引口 5は、基材 2の上面 3のほぼ中央部に 1つ形成されてい る。そして、液体除去装置 1の保持機構 10は、基材 2の上面 3の中央部と基板 Pの裏 面 Pbの中央部とを対向させるように基板 Pを保持する。換言すれば、保持機構 10は 、吸引口 5と基板 Pの裏面 Pbの中央部とが対向するように基板 Pを保持する。すなわ ち、吸引口 5は、基材 2の上面 3のうち保持機構 10に保持された基板 Pの裏面 Pbの 中央部と対向する領域に設けられている。また、所定空間 8は、凸部 4を含む保持機 構 10で保持された基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3との間の空間を含み、基材 2の 上面 3に設けられた吸引口 5は、所定空間 8に接続されている。
[0030] 排気装置 7は、真空ポンプ等の真空系を含み、流路 6及び吸引口 5を介して所定空 間 8の気体 (及び液体）を吸引可能である。流路 6は、吸引口 5に接続するように基材 2の内部に形成された内部流路 6Aと、内部流路 6Aと排気装置 7とを接続する管部 材の流路とを含む。排気装置 7が吸引口 5を介して所定空間 8の気体を吸引すること により、所定空間 8の気体は外部に排気される。なお本実施形態では、排気装置 7は 吸引口 5を介して 1分間当たり 1リットル〜 100リットル程度の気体を所定空間 8から外 部に排気する。
[0031] 本実施形態において、基材 2及び凸部 4は、例えばセラミックスによって形成されて いる。基材 2の上面 3に対して例えばブラスト加工を施すことにより、基材 2上に 10 /i m〜lmm程度の高さを有する凸部 4を形成することができる。なお、基材 2ゃ凸部 4 はステンレス鋼などの金属によって形成されてもよい。また、基材 2の上面 3ゃ凸部 4 の表面には、例えばフッ素系材料、アクリル系材料などの撥液性材料がコーティング されており、基材 2の上面 3及び凸部 4の表面は液体 LQに対して撥液性である。その 撥液性材料としては、例えばポリ四フッ化工チレン（PTFE)、テトラフルォロエチレン —パーフルォロアルコキシエチレン共重合体（PFA)、ポリエーテルエーテルケトン（ PEEK)等が挙げられる。また、基材 2ゃ凸部 4自体を、上述の撥液性材料で形成し てもよい。
[0032] 次に、液体除去装置 1による液体除去動作について、図 3及び図 4A—4Cの模式 図を参照しながら説明する。
[0033] 図 4Aに示すように、制御装置 CONTは、液浸露光処理された後の基板 Pを、第 2 搬送系 H2を使って基板ホルダ PHから搬出し、液体除去装置 1まで搬送する。 [0034] 図 4Aに示すように、液体除去装置 1は、基材 2に設けられた昇降可能なピン部材 1 1を備えている。制御装置 CONTは、第 2搬送系 H2を使って基板 Pを液体除去装置 1に搬入する際、ピン部材 11の上端部を、凸部 4の上面よりも上昇させる。この状態 で、制御装置 CONTは、第 2搬送系 H2からピン部材 11上に基板 Pを渡す。これによ り、図 4Bに示すように、基板 Pの裏面 Pbがピン部材 11に支持される。制御装置 CON Tは、第 2搬送系 H2を液体除去装置 1より退避させた後、基板 Pの裏面 Pbを支持し たピン部材 11を下降する。これにより、図 4Cに示すように、基板 Pの裏面 Pbが液体 除去装置 1の凸部 4に支持される。
[0035] 液体除去装置 1は、凸部 4を含む保持機構 10で基板 Pを保持することにより、基板 Pの裏面 Pb側に所定空間 8を形成する。制御装置 CONTは、基板 Pの裏面 Pb側に 所定空間 8を形成した後、真空系を含む排気装置 7を駆動して、流路 6及び吸引口 5 を介して所定空間 8の気体を吸引する。制御装置 CONTは、排気装置 7を駆動する ことにより、所定空間 8に接続された吸引口 5から排気を行う。
[0036] 吸引口 5から排気を行うことによって、液体除去装置 1は、所定空間 8において吸引 口 5に向力う気体の流れを生成することができる。すなわち、排気装置 7が駆動される と、吸引口 5の周囲の気体 (すなわち所定空間 8の気体）が吸引口 5に吸引される。こ れにより、図 3に示すように、大気空間 500の気体が周縁流路 9を介して所定空間 8 に流入し、所定空間 8には吸引口 5に向力う気体の流れが生成される（図 3中、矢印 y 1参照）。ここで、吸引口 5に向かう気体は、基板 Pの裏面 Pb及び基材 2の上面 3に沿 うように流れる。すなわち、所定空間 8には、基板 Pの裏面 Pb及び基材 2の上面 3に ガイドされつつ吸引口 5に向力う気体の流れが生成される。この場合、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3とのギャップ G1は約 50 z mと非常に小さいため、吸引口 5に向 力 極めて高速な気体の流れが生成される。
[0037] 吸引口 5に向力 気体の流れによって、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQは、吸 引口 5まで移動する（図 3中、矢印 y2参照）。そして、吸引口 5まで移動した液体 LQ は、吸引口 5を介して排気装置 7に回収される。また、基板 Pの裏面 Pbより落下した液 体 LQが基材 2の上面 3に付着する可能性があるが、基材 2の上面 3に付着した液体 LQも、吸引口 5に向かう気体の流れによって、吸引口 5まで移動して回収される。以 上により、液体除去装置 1は、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを除去することが できる。
[0038] 液体除去装置 1による基板 Pの液体除去処理が完了した後、制御装置 CONTは、 ピン部材 11を上昇し、液体除去装置 1の保持機構 10による基板 Pの保持を解除する 。そして、制御装置 CONTは、液体 LQが除去された基板 Pを第 3搬送系 H3によって インターフェース部 IFまで搬送する。インターフェース部 IFまで搬送された基板 Pは、 コータ 'デベロッパ本体 CZDの現像装置に搬送され、現像処理を施される。
[0039] 液体除去装置 1によって、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを除去することにより 、搬送システム Hの搬送経路上に液体 LQが飛散するなどの不都合の発生が防止さ れる。搬送システム Hの搬送経路上に液体 LQが飛散すると、第 1チャンバ装置 CH1 内部の環境 (湿度、クリーン度等）が変動し、露光精度や各種計測精度が劣化する 可能性があるが、液体除去装置 1で基板 Pに付着した液体 LQを除去することで、上 述の不都合の発生を防止することができる。また、基板 Pの裏面 Pbに液体 LQが付着 した状態を放置しておくと、その基板 Pの裏面 Pbを保持する搬送系に液体 LQが付 着してしまう可能性がある。液体 LQが付着した搬送系で基板ホルダ PHにロードされ る前 (すなわち露光処理される前）の基板 Pや、現像装置に搬送される前（すなわち 現像処理される前）の基板 Pを保持すると、搬送系がそれら基板 Pに液体 LQを付着 させてしまい、露光処理や現像処理を良好に行うことができない可能性がある。しか しながら、本実施形態のように、液体除去装置 1で基板 Pに付着した液体 LQを除去 することで、上述の不都合の発生を防止することができる。
[0040] なお本実施形態においては、液体 LQが付着している可能性のある基板 Pは第 2搬 送系 H2で搬送され、第 1搬送系 HIは、液体 LQが付着している可能性のある基板 P を搬送することはなレ、。すなわち、第 1搬送系 HIに液体 LQが付着することが防止さ れているため、第 1搬送系 HIによって露光処理される前 (基板ホルダ PHにロードさ れる前）の基板 Pの裏面 Pbに液体 LQが付着したり、第 1搬送系 HIの搬送経路上に 液体 LQが飛散したりすることが防止されている。また、第 3搬送系 H3は、露光処理さ れる前 (基板ホルダ PHにロードされる前）の基板 Pを搬送するとともに、液体除去装 置 1で液体除去処理を施された基板 Pを搬送するので、第 3搬送系 H3に液体 LQが 付着することも防止されている。したがって、第 3搬送系 H3によって搬送される基板 P の裏面 Pbに液体 LQが付着したり、第 3搬送系 H3の搬送経路上に液体 LQが飛散し たりすることが防止されている。
[0041] 図 5Aは基板 Pを保持する第 2搬送系 H2を示す斜視図であり、図 5Bは側面図であ る。図 5A及び 5Bに示すように、第 2搬送系 H2は、 2本のフォーク部を有する搬送ァ ーム 150を備えている。搬送アーム 150の上面 151には 4つの凸部 152が島状に設 けられている。そして、第 2搬送系 H2は、凸部 152の上面 153で基板 Pの裏面 Pbの 略中央の領域を保持する。すなわち、凸部 152の上面 153が基板 Pの裏面 Pbを保 持する保持面である。基板ホルダ PHに基板 Pを保持した状態で基板 P上に液体 LQ を供給して液浸露光処理を行った際、供給された液体 LQは、基板 Pの表面 Paと基 板ステージ PSTの上面 97との間のギャップ Ge (図 13参照）を介して、基板 Pの裏面 P b側に浸入する可能性がある。その場合、液体 LQは基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Eb に付着する可能性が高ぐ第 2搬送系 H2の凸部 152の保持面（上面） 153は基板 P の裏面 Pbの略中央の領域を保持するので、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebには接 触しなレ、。これにより、第 2搬送系 H2に液体 LQが付着することが防止されている。な お、第 1、第 3搬送系 Hl、 H3も、基板 Pの裏面 Pbの略中央の領域を保持してもよい
[0042] また、図 1及び図 4Aに示すように、第 2搬送系 H2の搬送経路には、露光処理され た後の基板 Pから落下した液体 LQを処理するための液体処理機構 160が設けられ ている。液体処理機構 160は、第 2搬送系 H2の搬送経路の下に配置された樋部材 161と、樋部材 161を介して回収された液体 LQを樋部材 161より排出する液体吸引 装置 162とを備えている。樋部材 161は、基板ホルダ PHと液体除去装置 1との間、 すなわち第 2搬送系 H2の搬送経路の下に設けられている。樋部材 161は第 1チャン バ装置 CH1内部に設けられ、液体吸引装置 162は第 1チャンバ装置 CH1外部に設 けられている。樋部材 161と液体吸引装置 162とは管路 163を介して接続されており 、管路 163には、この管路 163の流路を開閉するバルブ 163Bが設けられている。
[0043] 液体 LQが付着している基板 Pを第 2搬送系 H2で搬送している最中、基板 Pから液 体 LQが落下する可能性があるが、液体処理機構 160は、その落下した液体 LQを樋 部材 161で回収することができる。液体処理機構 160は、落下した液体 LQを樋部材 161で回収することで、搬送経路の周囲に液体 LQが飛散する等の不都合を防止す ること力 Sできる。液体吸引装置 162は、第 1チャンバ装置 CH1内部に設けられた樋部 材 161上の液体 LQを吸引し、樋部材 161上に落下した液体 LQを第 1チャンバ装置 CH1外部に排出しているので、第 1チャンバ装置 CH1内部の樋部材 161に液体 LQ が留まらなレ、。したがって、液体処理機構 160は、第 1チャンバ装置 CH1内部の環 境 (湿度、クリーン度等）が変動する等の不都合を防止することができる。
[0044] なお、基板 Pからの液体 LQの落下の可能性が小さい場合には、液体処理機構 16 0を設けなくてもよい。
[0045] 以上説明したように、基板 Pの裏面 Pb側に所定空間 8を形成し、基板 Pの裏面 Pb 側に設けられた吸引口 5から所定空間 8の気体を排気するといつた簡易な構成で、 基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを除去することができる。
[0046] また、本実施形態においては、基板 Pの裏面 Pb側に 10 μ m〜lmm程度の微小な 所定空間 8 (ギャップ G1)を形成し、その微小な所定空間 8に設けられた吸引口 5から 排気を行っている。したがって、基板 Pの裏面 Pb側において流速の大きい気体の流 れが生成され、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを吸引口 5まで移動して、吸引口 5から回収することができる。また、所定空間 8 (ギャップ G1)は微小なので、吸引口 5 力 の単位時間当たりの排気量が少なくても、換言すれば、排気装置 7の吸引パヮ 一が小さくても、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3との間の所定空間 8に生成される 気体の流速を十分に高めることができる。したがって、液体除去装置 1は、流速が高 められた気体の流れによって、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを短時間のうち に吸引口 5まで円滑に移動し、回収することができる。
[0047] また、所定空間 8は周縁流路 9を介して大気開放されているので、吸引口 5から所 定空間 8の排気を行った場合でも、周縁流路 9を介して所定空間 8の外部より内部に 気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。
[0048] また、吸引口 5が基材 2の上面 3のうち基板 Pの裏面 Pbのほぼ中心と対向するので 、周縁流路 9の全域からほぼ同じ流速を有する気体を大気空間 500から所定空間 8 に流入させることができ、基板 Pの裏面 Pb全体に液体 LQが付着している場合であつ ても、その液体 LQを短時間のうちに回収することができる。また、本実施形態におい て、吸引口 5は基板 Pの裏面 Pbのほぼ中心と対向するように 1つだけ設けられている ので、吸引口 5に向力 気体の流れにむら（流速の分布など）が生じることなぐ基板!3 の周縁領域から基板 Pの中心に向力 流速の大きい気流を形成できるので、吸引口 5から排気を効率良く液体除去に寄与させることができる。したがって、基板 Pの裏面 Pbにおける液体 LQの付着位置によらず、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを良 好に除去することができる。
[0049] また、複数のピン状の凸部 4で基板 Pの裏面 Pbを支持することにより、基板 Pの橈み 変形を防止しつつ、基板 Pの裏面 Pb側に所定空間 8を形成しているので、気体は凸 部 4どうしの間の空間を流れることができ、周縁流路 9から吸引口 5に向かう気体の流 れを円滑に生成することができる。また、複数のピン状の凸部 4で基板 Pの裏面 Pbを 支持することで、基板 Pの裏面 Pbと凸部 4を含む保持機構 10との接触面積を小さく すること力 Sできる。これにより、基板 Pの裏面 Pbに付着していた液体 LQとピン状の凸 部 4とが接触しても、基板 Pの裏面 Pbに付着していた液体 LQを良好に除去すること ができる。
[0050] <液体除去装置の第 2実施形態 >
次に、第 2実施形態について図 6A、図 6B及び図 7を参照しながら説明する。以下 の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分には同一の符号を 付し、その説明を簡略若しくは省略する。
[0051] 図 6Aは液体除去装置 1の第 2実施形態を示す側断面図であり、図 6Bは上方から 見た平面図である。また、図 7は保持機構 10で基板 Pを保持した状態の液体除去装 置 1の要部を拡大した側断面図である。
[0052] 図 6A、 6B及び図 7において、液体除去装置 1は、基材 2の上面 3に、複数のピン状 の凸部 4を囲むように設けられた周壁部 12を備えている。周壁部 12は、基板 Pの形 状に応じて平面視略円環状に形成されている。周壁部 12の上面は、保持機構 10に 保持された基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebに対向するように設けられている。また、 周壁部 12は凸部 4よりも低くなるように設けられている。すなわち、図 7に示すように、 凸部 4を含む保持機構 10で基板 Pの裏面 Pbを保持した際、基板 Pの裏面 Pbと周壁 部 12の上面との間に所定のギャップ Gl 'が形成される。そして、保持機構 10に保持 された基板 Pの裏面 Pb側には、基材 2の上面 3と周壁部 12と基板 Pの裏面 Pbとで囲 まれた所定空間 8が形成される。ギャップ G1 'は、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3と の間に形成されるギャップ G1よりも小さい。本実施形態においては、基板 Pの裏面 P bの周縁領域 Ebと周壁部 12の上面との間のギャップ G1 'によって周縁流路 9が形成 されている。そして、ギャップ G1 'を介して、所定空間 8と大気空間 500とが流通され て、所定空間 8が大気開放されている。また、基材 2の上面 3には、上述の第 1実施形 態同様、吸引口 5が設けられている。
[0053] このように、基板 Pの裏面 Pbと対向する上面を有する周壁部 12を設けることで、基 板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Eb近傍において生成される気体の流れの速度をより高め ること力 Sできる。基板ホルダ PHに基板 Pを保持した状態で基板 P上に液体 LQを供給 して液浸露光処理を行った際、液体 LQは基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebに付着す る可能性が高レ、。そのため、周壁部 12を設けて、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Eb近 傍 (すなわちギャップ G1 '近傍）におレ、て生成される気体の流れの速度を高めること で、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域に付着した液体 LQを吸引口 5までより円滑に移動 すること力 Sできる。
[0054] <液体除去装置の第 3実施形態 >
次に、第 3実施形態について図 8、図 9A及び図 9Bを参照しながら説明する。図 8 は第 3実施形態に係る液体除去装置 1を上方から見た平面図である。また図 9Aは液 体除去装置 1の要部を拡大した斜視図、図 9Bは保持機構 10で基板 Pを保持した状 態の液体除去装置 1の要部を拡大した側断面図（図 8の A— A線断面矢視図に相当 )である。
[0055] 図 8、 9A及び 9Bにおいて、液体除去装置 1は、所定空間 8における気体の流れを ガイドする第 1ガイド部材 13を備えている。第 1ガイド部材 13は、吸引口 5 (5A〜5H )に向かう気体の流れをガイドするものであって、基材 2の上面 3に設けられている。ま た、基材 2の上面 3のうち、第 1ガイド部材 13が設けられている以外の領域には、上述 の実施形態同様、基板 Pの裏面 Pbを支持するピン状の凸部 4が複数設けられている 。なお図面を見やすくするため、図 8には凸部 4を図示していない。凸部 4を含む保 持機構 10で基板 Pの裏面 Pbを保持した際、第 1ガイド部材 13は基板 Pの裏面 Pbと 対向する。
[0056] 図 8に示すように、複数の第 1ガイド部材 13が、基材 2の上面 3のほぼ中央部に対し て平面視放射状に形成されている。保持機構 10は、基材 2の上面 3の中央部と基板 Pの裏面 Pbの中央部とが対向するように基板 Pを保持する。所定空間 8は、第 1ガイド 部材 13によって複数の分割空間に分割される。本実施形態においては、所定空間 8 は互いに隣り合う 8つの分割空間 8A〜8Hに分割されている。上述のように、本実施 形態の第 1ガイド部材 13は放射状に形成されており、分割空間 8A〜 8Hのそれぞれ は、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebから中央部に向かって漸次窄まるように扇状に 形成されている。また、複数の第 1ガイド部材 13が等角度間隔で放射状に配置され ているので、各分割空間 8A〜8Hの大きさ及び形状は互いにほぼ同じである。
[0057] また、吸引口 5は、分割空間 8A〜8Hのそれぞれに 1つずつ接続されている。本実 施形態においては、 8つの分割空間 8A〜8Hのそれぞれに対応するように、 8つの 吸引口 5A〜5Hが基材 2の上面 3の中央付近に設けられている。また、各吸引口 5A 〜5Hの大きさ及び形状は互いにほぼ同じである。上述の第 1、第 2実施形態同様、 吸引口 5A〜5Hのそれぞれは排気装置 7に接続されている。本実施形態において は、放射状に形成された複数の第 1ガイド部材 13は、吸引口 5A〜5Hのそれぞれに 向かう気体の流れをガイドする。
[0058] 上述の第 1実施形態同様に、基材 2の上面 3に設けられた凸部 4は、基板 Pの裏面 Pbを支持することにより、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3との間にギャップ G1を形 成する。ギャップ G1は、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebと基材 2の上面 3の周縁領域 との間にも形成され、分割空間 8A〜8Hのそれぞれと分割空間 8A〜8Hの外側の 大気空間 500との間において、気体が流通（出入り）可能となっている。すなわち、基 板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Eb近傍に、分割空間 8A〜8Hのそれぞれと分割空間 8A 〜8Hの外側の大気空間 500とを流通する周縁流路 9が設けられる。周縁流路 9は、 分割空間 8A〜8Hのそれぞれに対応するように 1つずつ設けられる。一方、吸引口 5 A〜5Hは、保持機構 10に保持された基板 Pの裏面 Pbの中央部近傍の領域と対向 するように設けられている。換言すれば、吸引口 5A〜5Hのそれぞれは、扇状に設 けられた各分割空間 8A〜8Hの頂点近傍に設けられている。そして、分割空間 8A 〜8Hのそれぞれと、分割空間 8A〜8Hに対応して設けられた吸引口 5A〜5Hのそ れぞれとの位置関係は、互いにほぼ同じである。
[0059] 分割空間 8A〜8Hのそれぞれには、分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体 の流れをガイドする第 2ガイド部材 14が設けられている。第 2ガイド部材 14は、第 1ガ イド部材 13同様、吸引口 5A〜5Hのそれぞれに向力 気体の流れをガイドするもの であって、複数の分割空間 8A〜8Hに対応するように、基材 2の上面 3に複数設けら れている。本実施形態においては、第 2ガイド部材 14は、分割空間 8A〜8Hのそれ ぞれに 1つずつ設けられている。第 2ガイド部材 14のそれぞれは、基材 2の上面 3の 中央部から放射状に設けられている。換言すれば、第 2ガイド部材 14のそれぞれは 、保持機構 10で保持された基板 Pの裏面 Pbの中央部から周縁領域 Ebに向かって 延びるように設けられている。第 2ガイド部材 14は、扇状に設けられた分割空間 8A 〜8Hのそれぞれの θ Z方向のほぼ中央部に設けられており、吸引口 5A〜5Hのそ れぞれは、第 2ガイド部材 14の平面視における長手方向の延長線上に配置されてい る。分割空間 8A〜8H (吸引口 5A〜5H)のそれぞれと、分割空間 8A〜8H (吸引口 5A〜5H)に対応して設けられた第 2ガイド部材 14のそれぞれとの位置関係は、互い にほぼ同じである。凸部 4を含む保持機構 10で基板 Pの裏面 Pbを保持した際、第 2 ガイド部材 14は基板 Pの裏面 Pbと対向する。
[0060] 第 1、第 2ガイド部材 13、 14は凸部 4よりも低くなるように設けられている。すなわち 、図 9Bに示すように、凸部 4を含む保持機構 10で基板 Pの裏面 Pbを保持した際、第 1、第 2ガイド部材 13、 14の上面と基板 Pの裏面 Pbとの間に所定のギャップ G2が形 成される。ギャップ G2は、第 1、第 2ガイド部材 13、 14の高さに応じた大きさを有し、 ギャップ G1よりも小さく設定される。本実施形態においては、ギャップ G2は 2 x m〜5 z m程度に設定される。
[0061] 次に、第 3実施形態の液体除去装置 1による液体除去動作について説明する。保 持機構 10が基板 Pを保持した状態で、排気装置 7が駆動されると、図 8中、矢印 ylで 示すように、大気空間 500の気体が周縁流路 9を介して分割空間 8A〜8Hのそれぞ れに流入し、分割空間 8A〜8Hのそれぞれには吸引口 5A〜5Hのそれぞれに向か う気体の流れが生成される。吸引口 5A〜5Hのそれぞれに向力う気体は、基板 Pの 裏面 Pb及び基材 2の上面 3にガイドされつつ流れるとともに、第 1、第 2ガイド部材 13 、 14にガイドされつつ流れる。吸引口 5A〜5Hから排気を行うことによって生成され た吸引口 5A〜5Hに向力、う気体の流れによって、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 L Qは、吸引口 5A〜5Hまで移動する。そして、吸引口 5A〜5Hまで移動した液体 LQ は、吸引口 5A〜5Hを介して排気装置 7に回収される。以上により、液体除去装置 1 は、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを除去することができる。
[0062] 以上説明したように、ガイド部材 13、 14を設けたことにより、大気空間 500から周縁 流路 9を介して所定空間 8 (分割空間 8A〜8H)に流入し、吸引口 5 (5A〜5H)に向 力 気体の流れをガイドすることができる。したがって、分割空間 8A〜8Hのそれぞれ に乱れの少ない流速の大きい気体の流れを生成することができ、基板 Pの裏面 Pbに 付着した液体 LQをより良好に除去することができる。
[0063] また、所定空間 8を第 1ガイド部材 13によって複数の分割空間 8A〜8Hに分割し、 複数の分割空間 8A〜8Hに対応するように複数の吸引口 5A〜5Hを設けることで、 各分割空間 8A〜8H毎に、吸引口 5A〜5Hのそれぞれに向力う気体の流れにむら（ 流速の分布など）を生じさせることなぐ基板 Pの裏面に付着した液体 LQを移動させ るために十分に大きな速度を有する気体の流れを簡単に得ることができる。
[0064] また、第 1、第 2ガイド部材 13、 14の上面と保持機構 10に保持された基板 Pの裏面 Pbとの間にはギャップ G2が形成されており、基板 Pの裏面 Pbは第 1、第 2ガイド部材 13、 14と接触していなレ、。これにより、基板 Pの裏面 Pbと第 1、第 2ガイド部材 13、 14 とが接触することに起因する基板 Pの汚染を防止することができる。ここで、ギャップ G 2は 2 μ m〜5 μ m程度といった僅かな大きさであるため、ギャップ G2における気体の 流れの抵抗は大きくなる。したがって、第 1、第 2ガイド部材 13、 14に沿った吸引口 5 A〜5Hに向力 気体の流れを円滑に生成することができる。
[0065] 本実施形態においては、分割空間 8A〜8Hのそれぞれは第 1ガイド部材 13によつ て平面視において扇状に形成されており、吸引口 5は基材 2の上面 3に基板 Pの裏面 Pbのほぼ中央部と対向するように設けられている。これにより、大気空間 500に接続 する周縁流路 9から、分割空間 8A〜8Hのそれぞれに流入した気体の流速を高めつ つ吸引口 5A〜5Hまで流すことができる。
[0066] また、扇状に設けられた分割空間 8A〜8Hのそれぞれの θ Z方向のほぼ中央部に 第 2ガイド部材 14を設け、第 2ガイド部材 14の平面視における長手方向の延長線上 に吸引口 5A〜5Hのそれぞれを配置したことにより、吸引口 5A〜5Hのそれぞれに 向力、う気体の流れをより良好に生成することができ、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQをより確実に吸引口 5A〜5Hに移動することができる。なお、第 2ガイド部材 14を 分割空間 8A〜8Hのそれぞれに複数設けてもょレ、し、第 2ガイド部材 14が無くても所 望の気体の流れを得ることができるのであれば、第 2ガイド部材 14は省略してもよレ、。
[0067] 本実施形態においては、 8個の分割空間 8A〜8Hが形成されるように、 8個の第 1 ガイド部材 13が配置されている力 その数は必要に応じて適宜決めることができる。
[0068] また、本実施形態においては、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体の流 速が略同じになるように、分割空間 8A〜8Hの大きさ及び形状、吸引口 5A〜5Hの 大きさ及び形状、及び吸引口 5A〜5Hからの単位時間当たりの排気量などが設定さ れている。すなわち、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体の流速が略同じ になるように、各分割空間 8A〜8Hの大きさ及び形状が互いにほぼ同じに設定され、 各吸引口 5A〜5Hの大きさ及び形状が互いにほぼ同じに設定され、分割空間 8A〜 8Hのそれぞれと分割空間 8A〜8Hに対応して設けられた吸引口 5A〜5Hのそれぞ れとの位置関係が互いにほぼ同じに設定され、吸引口 5A〜5Hからの単位時間当 たりの排気量が互いにほぼ同じに設定されている。これにより、各分割空間 8A〜8H のそれぞれにおける液体 LQの除去能力をほぼ等しくすることができる。一方、各分 割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体の流速が互いに異なるようにしてもよい。 例えば、各吸引口 5A〜5Hからの単位時間当たりの排気量が互いに異なるようにし てもよレ、。この場合、例えば各吸引口 5A〜5Hのそれぞれに、互いに独立した排気 装置 7を接続し、各排気装置 7による単位時間当たりの排気量を互いに異なるように 設定することで、各吸引口 5A〜5Hからの単位時間当たりの排気量を互いに異なら せること力 Sできる。
[0069] なお本実施形態においては、周壁部 12は設けられておらず、基板 Pの裏面 Pbの 周縁領域 Ebと基材 2の上面 3の周縁領域との間には 10 μ m〜lmm程度のギャップ Glが設けられているが、上述の第 2実施形態同様、周壁部 12を設けて、基板 Pの裏 面 Pbと周壁部 12の上面との間に所定のギャップ G1 'が形成されてもよい。この場合 、周壁部 12は、第 1、第 2ガイド部材 13、 14を囲むように、第 1、第 2ガイド部材 13、 1 4の外側に設けられる。
[0070] なお、本実施形態においては、第 1、第 2ガイド部材 13、 14はほぼ同じ高さである が、第 1、第 2ガイド部材 13、 14の高さは互いに異なっていてもよい。例えば、第 2ガ イド部材 14の上面の高さを第 1ガイド部材 13よりも低く形成し、基板 Pの裏面 Pbを保 持機構 10で保持した際、基板 Pの裏面 Pbと第 1ガイド部材 13の上面との間に所定の ギャップ G2が形成され、基板 Pの裏面 Pbと第 2ガイド部材 14の上面との間にギャップ G2よりも大きレ、ギャップが形成されるようにしてもょレ、。
[0071] なお、本実施形態においては、複数のピン状の凸部 4を含む保持機構 10で保持さ れた基板 Pの裏面 Pbと第 1、第 2ガイド部材 13、 14の上面とは離れている力 基板 P の裏面 Pbと第 1、第 2ガイド部材 13、 14の少なくとも一方とが接触してもよい。基板!3 の裏面 Pbと第 1、第 2ガイド部材 13、 14の上面の少なくとも一方とが接触した場合で あっても、吸引口 5 (5A〜5H)から排気を行うことによって、吸引口 5 (5A〜5H)に向 力う気体の流れを生成することができる。基板 Pの裏面 Pbと第 1、第 2ガイド部材 13、 14の上面とを接触させた場合、基板 Pの裏面 Pbを第 1、第 2ガイド部材 13、 14の上 面で支持することができるため、凸部 4を省略することも可能となる。
[0072] また、本実施形態においては、複数の第 1ガイド部材 13が、基材 2の上面 3の中央 付近で接続されるように形成されているが、第 2ガイド部材 14と同様に、基材 2の上 面 3の中央付近で接続しないように形成することもできる。この場合、複数の吸引口 5 A〜5Hの替わりに、基材 2の上面 3の中央付近に一つの吸引口 5を設けるだけでも よい。
[0073] また、第 1〜第 3実施形態の液体除去装置においては、保持機構 10に保持された 基板 Pの周縁に形成される周縁流路 9から気体を流入させることによって、所定空間 8に吸引口 5 (5A〜5H)に向力、う気体の流れを生成するようにしている力 基材 2の 上面 3に大気空間 500と連通した大気開放口を配置して、その大気開放口から吸引 口 5に向力 気体の流れによって、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを除去するよ うにしてもよい。
[0074] <液体除去装置の第 4実施形態 >
次に、第 4実施形態について図 10及び図 11を参照しながら説明する。図 10は第 4 実施形態に係る液体除去装置 1を上方から見た平面図、図 11は図 10の B— B線断 面矢視図である。
[0075] 図 10及び図 11において、液体除去装置 1は、所定空間 8における気体の流れをガ イドするガイド部材 15を備えている。ガイド部材 15は、吸引口 5に向かう気体の流れ をガイドするものであって、基材 2の上面 3に設けられている。また、基材 2の上面 3の うち、ガイド部材 15が設けられている以外の領域には、上述の実施形態同様、基板 P の裏面 Pbを支持するピン状の凸部 4が複数設けられている。なお図面を見やすくす るため、図 10には凸部 4を図示していなレ、。凸部 4を含む保持機構 10で基板 Pの裏 面 Pbを保持した際、ガイド部材 15は基板 Pの裏面 Pbと対向する。
[0076] 図 10に示すように、複数のガイド部材 15は環状に形成されており、基材 2の上面 3 において平面視同心状に配置されている。本実施形態においては、複数のガイド部 材 15のそれぞれは、ほぼ円環状に形成されている。複数のガイド部材 15のそれぞ れの中心部は、基材 2の上面 3の中央部とほぼ一致する。保持機構 10は、基材 2の 上面 3の中央部と基板 Pの裏面 Pbの中央部とが対向するように基板 Pを保持する。換 言すれば、保持機構 10は、円環状に形成され、互いに同心状に配置されるガイド部 材 15の中心部と、基板 Pの裏面 Pbの中央部とが対向するように基板 Pを保持する。 そして、所定空間 8は、ガイド部材 15によって複数（8つ）の分割空間 8A〜8Hに分 割される。複数の円環状のガイド部材 15が同心状に配置されているため、分割空間 8A〜8Hのそれぞれは環状に設けられ、これら環状の分割空間 8A〜8Hが略同心 状に形成される。
[0077] 分割空間 8A〜8Hのそれぞれの内側には吸引口 5が設けられている。吸引口 5は 、分割空間 8A〜8Hのそれぞれに複数設けられている。本実施形態においては、吸 引口 5は、分割空間 8A〜8Hのそれぞれに 1つずつ設けられている。本実施形態に おいては、 8つの分割空間 8A〜8Hのそれぞれに対応するように、 8つの吸引口 5A 〜5Hが基材 2の上面 3に設けられている。各吸引口 5A〜5Hの大きさ及び形状は互 いにほぼ同じである。上述の第 1〜第 3実施形態同様、吸引口 5A〜5Hのそれぞれ は排気装置 7に接続されている。
[0078] 本実施形態の基材 2には、所定空間 8と所定空間 8の外側の大気空間 500とを流 通する流路 9 'が形成されている。流路 9 'は、基材 2の内部に形成された内部流路で あって、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれに対応するように複数設けられている。流 路 9'の一端は所定空間 8の各分割空間 8A〜8Hのそれぞれと接続されている。一 方、流路 9'の他端は大気空間 500と接続されている。
[0079] 分割空間 8A〜8Hのそれぞれには、上記流路 9 'の一端である大気開放口 16が接 続されている。大気開放口 16は、分割空間 8A〜8Hのそれぞれに対応するように複 数設けられている。本実施形態においては、大気開放口 16は、分割空間 8A〜8H のそれぞれに 1つずつ設けられている。本実施形態においては、 8つの分割空間 8A 〜8Hのそれぞれに対応して、 8つの大気開放口 16A〜： 16Hが基材 2の上面 3に設 けられている。大気開放口 16A〜16Hのそれぞれは、吸引口 5A〜5Hに対して所 定の位置関係で設けられている。本実施形態においては、吸引口 5A〜5Hは、環状 の分割空間 8A〜8Hの— X側に設けられ、大気開放口 16A〜16Hは、 +X側に設 けられている。すなわち、吸引口 5A〜5Hのそれぞれと大気開放口 16A〜16Hのそ れぞれとは、基材 2の上面 3の中央部に関してほぼ対称な位置に設けられている。
[0080] 図 11に示すように、基材 2の上面 3に設けられた凸部 4は、基板 Pの裏面 Pbを支持 することにより、基板 Pの裏面 Pbと基材 2の上面 3との間にギャップ G1を形成する。
[0081] ガイド部材 15は凸部 4よりも低くなるように設けられている。すなわち、図 11に示す ように、凸部 4を含む保持機構 10で基板 Pの裏面 Pbを保持した際、ガイド部材 15の 上面と基板 Pの裏面 Pbとの間に所定のギャップ G2が形成される。ギャップ G2は、ガ イド部材 15の高さに応じた大きさを有し、ギャップ G1よりも小さく設定される。本実施 形態においても、ギャップ G2は 2 μ m〜5 μ m程度に設定される。
[0082] また、図 11に示すように、本実施形態においては、基材 2の上面 3と凸部 4との接続 部 4S、及び基材 2の上面 3のガイド部材 15との接続部 15Sは、断面視円弧状に形成 されている。
[0083] 次に、液体除去装置 1による液体除去動作について説明する。保持機構 10が基板 Pを保持した状態で、排気装置 7が駆動されると、図 10中、矢印 ylで示すように、大 気空間 500の気体が流路 9'及び大気開放口 16A〜16Hを介して分割空間 8A〜8 Hのそれぞれに流入し、分割空間 8A〜8Hのそれぞれには吸引口 5A〜5Hのそれ ぞれに向力 気体の流れが生成される。吸引口 5A〜5Hのそれぞれに向かう気体は 、基板 Pの裏面 Pb及び基材 2の上面 3にガイドされつつ流れるとともに、ガイド部材 1 5にガイドされつつ流れる。吸引口 5A〜5Hから排気を行うことによって生成された吸 引口 5A〜5Hに向力 気体の流れによって、基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQは 、吸引口 5A〜5Hまで移動する。そして、吸引口 5A〜5Hまで移動した液体 LQは、 吸引口 5A〜5Hを介して排気装置 7に回収される。以上により、液体除去装置 1は、 基板 Pの裏面 Pbに付着した液体 LQを除去することができる。
[0084] 以上説明したように、円環状のガイド部材 15を設けたことにより、大気空間 500から 大気開放口 16 (流路 9' )を介して所定空間 8 (分割空間 8A〜8H)に流入し、吸引口 5 (5A〜5H)に向力う気体の流れをガイドすることができる。したがって、基板 Pの裏 面 Pbに付着した液体 LQをより良好に除去することができる。
[0085] また、所定空間 8をガイド部材 15によって複数の分割空間 8A〜8Hに分割し、複数 の分割空間 8A〜8Hに対応するように複数の吸引口 5A〜5H及び大気開放口 16A 〜16Hを設けることで、各分割空間 8A〜8H毎に、吸引口 5A〜5Hのそれぞれに向 力う気体の流れにむら（流速の分布など）を生じさせることなぐ液体 LQを移動させる ために十分な流速を有する気体の流れを簡単に得ることができる。
[0086] また、図 11に示すように、本実施形態においては、基材 2の上面 3と凸部 4との接続 部 4S、及び基材 2の上面 3のガイド部材 15との接続部 15Sは、断面視円弧状に形成 されているため、基材 2の上面 3や、凸部 4やガイド部材 15の側面などに液体 LQが 付着している場合であっても、吸引口 5A〜5Hに向力、う気体の流れによって、その液 体 LQを基材 2の上面 3などに留まらせること無ぐ吸引口 5A〜5Hまで円滑に移動 すること力 Sできる。
[0087] また、本実施形態においても、ガイド部材 15の上面と保持機構 10に保持された基 板 Pの裏面 Pbとの間にはギャップ G2が形成されており、基板 Pの裏面 Pbはガイド部 材 15と接触していなレ、。これにより、基板 Pの裏面 Pbとガイド部材 15とが接触するこ とに起因する基板 Pの汚染を防止することができる。ここで、ギャップ G2は、 2 /i m〜 5 μ m程度といった僅かな大きさであるため、ギャップ G2における気体の流れの抵抗 は大きくなる。したがって、ガイド部材 15に沿った吸引口 5A〜5Hに向力 気体の流 れを円滑に生成することができる。
[0088] なお、本実施形態においては、凸部 4を含む保持機構 10で保持された基板 Pの裏 面 Pbとガイド部材 15の上面とは離れている力 基板 Pの裏面 Pbと複数のガイド部材 15の少なくとも一つとが接触してもよレ、。また、基板 Pの裏面 Pbとガイド部材 15の上 面とを接触させた場合、凸部 4を省略することも可能となる。
[0089] なお、制御装置 CONTは、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体の流速 が略同じになるように、吸引口 5A〜5Hからの単位時間当たりの排気量を設定するこ とができる。これにより、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける液体 LQの除去能 力をほぼ等しくすることができる。図 10に示すように、本実施形態においては、同心 状に配置された複数の分割空間 8A〜8Hのうち、分割空間 8Aの径 (大きさ）が最も 大きぐ内側に向力うにつれて、すなわち分割空間 8B〜8Hになるにつれて径（大き さ）が漸次小さくなる。したがって、分割空間 8Aの大気開放口 16Aから吸引口 5Aに 向力う気体の流れの抵抗 (圧損）が最も大きくなる。したがって、制御装置 CONTは、 分割空間 8A〜8Hの圧損に応じて、分割空間 8A〜8Hにおける気体の流速がそれ ぞれほぼ同じになるように、分割空間 8A〜8Hに接続された排気（吸引）装置の排気 能力（吸引力）が互いに異なるように調整する。具体的には、制御装置 CONTは、径 の最も大きい分割空間 8Aに設けられた吸引口 5Aに接続された排気装置の吸引力 を最も大きくし、径が小さくなるにつれて、分割空間 8B〜8Gのそれぞれに接続され た排気装置の吸引力を除々に小さくし、径の最も小さい分割空間 8Hに接続された 排気装置の吸引力を最も小さくする。
[0090] また、図 12に示すように、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体の流速が 略同じになるように、各分割空間 8A〜8Hの内側に設けられる吸引口 5A〜5H及び 大気開放口 16A〜 16Hのそれぞれの数及び配置を設定してもよレ、。具体的には、 分割空間 8A〜8Hの径（大きさ）に応じて、その分割空間 8A〜8Hに設けられる吸引 口 5A〜5H及び大気開放口 16A〜： 16Hの数及び配置を設定する。すなわち、径の 最も大きい分割空間 8Aに設けられる吸引口 5A及び大気開放口 16Aの数を多くし、 内側の分割空間 8B〜8Hに向力うにつれて、吸引口 5B〜5H及び大気開放口 16B 〜16Hの数を少なくする。図 12に示す例では、分割空間 8Aに設けられる吸引口 5A 及び大気開放口 16Aは 8つずつであり、吸引口 5Aと大気開放口 16Aとは θ Z方向 において互いに交互に配置されている。同様に、分割空間 8Bに設けられる吸引口 5 B及び大気開放口 16Bは 8つずつであり、吸引口 5Bと大気開放口 16Bとは互いに交 互に配置されている。そして、分割空間 8Cには吸引口 5C及び大気開放口 16Cが 4 つずつ互いに交互に配置され、分割空間 8Dには吸引口 5D及び大気開放口 16D 力 ¾つずつ互いに交互に配置され、分割空間 8Eには吸引口 5E及び大気開放口 16 Eが 2つずつ互いに交互に配置されている。また、分割空間 8F、 8G、 8Hには、吸引 口 5F、 5G、 5H及び大気開放口 16F、 16G、 16Hが 1つずつ配置されている。また、 この場合においても、各吸引口 5A〜5Hからの単位時間当たりの排気量を互いに異 ならせてもよい。これにより、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける気体の流速を 略同じにすることができ、各分割空間 8A〜8Hのそれぞれにおける液体 LQの除去 能力をほぼ等しくすることができる。なお、基材 2の上面 3と凸部 4との接続部 4S、及 び基材 2の上面 3とガイド部材 15との接続部 15Sは、断面視直線状（平坦)であって あよい。
なお、第 4実施形態において、分割空間 8A〜8Hの気体の流速は、適宜設定する こと力 Sできる。例えば、液体 LQが付着しやすい基板 Pの裏面 Pbの周縁領域と対向す る分割空間 8Aの気体の流速が最も大きくなるように、吸引口 5Aから単位時間あたり の排気量、及び/又は吸引口 5A、大気開放口 16Aの位置、数を設定してもよい。
[0091] なお、上述の第 3、第 4実施形態において、ガイド部材と基材 2とを一体に設けても よいし、ガイド部材と基材 2とを別体とし分離可能としてもよい。また、露光処理された 後の基板 Pを液体除去装置 1の基材 2上にロードする前に、ガイド部材を基板 Pの裏 面 Pbに取り付け、その状態でガイド部材と基板 Pとを基材 2に一緒にロードするように してもよい。
[0092] なお、上述の第 1〜第 4実施形態においては、基材 2の上面 3ゃ凸部 4の表面は液 体 LQに対して撥液性であるが、撥液性でなくても、吸引口 5から排気を行うことによ つて吸引口 5に向力うように流速の大きい気体の流れを生成することによって、液体 L Qを吸引口 5まで移動することができる。
[0093] なお、上述の第 1〜第 4実施形態においては、吸引口 5は基材 2の上面 3に設けら れているが、吸引口を有する基材 2とは別の部材を所定空間 8に配置し、その部材に 設けられた吸引ロカ 所定空間 8の気体を排気するようにしてもよい。
[0094] なお、上述の第 1〜第 4実施形態においては、基板 Pを保持する保持機構 10は、 基材 2に設けられた凸部 4を含み、凸部 4で基板 Pの裏面 Pbを支持することによって 、基板 Pの裏面 Pb側に所定空間 8を形成しているが、基材 2とは別に設けられた保持 機構を使って基板 Pを保持し、基板 Pの裏面 Pb側に所定空間 8を形成するようにして もよレ、。例えば、基板 Pの側面を保持可能な保持機構で基板 Pを保持し、その保持機 構で保持された基板 Pの裏面 Pbと対向するように基材 2の上面 3を配置し、基板 の 裏面 Pbと基材 2の上面 3との間に所定空間 8を形成するようにしてもよい。
[0095] なお、上述の第 1〜第 4実施形態においては、所定空間 8は基板 Pの裏面 Pbのほ ぼ全域に対応して設けられてレ、るが、基板ホルダ PHに基板 Pを保持した状態で液浸 露光を行った場合、液体 LQは基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebに付着する可能性が 高レ、。したがって、液体 LQを除去するための所定空間 8を、基板 Pの裏面 Pbの周縁 領域 Ebに対応する領域のみに形成し、その所定空間 8内に吸引口 5を設け、その吸 引口 5から排気を行ってもよレ、。こうすることにより、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebに 付着した液体 LQを除去することができる。
[0096] <露光装置本体 EX>
次に、図 1及び図 13を参照しながら、上述の液体除去装置 1に搬送される前に基 板 Pに対して液浸露光を行う露光装置本体 EXの一実施形態について説明する。図 13は露光装置本体 EXの要部を示す概略構成図である。本実施形態においては、 露光装置本体 EXとして、マスク Mと基板 Pとをそれぞれの走查方向（逆方向）に同期 移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに露光する走查型露光装置 (所 謂スキャニングステツパ）に適用した場合を例にして説明する。
[0097] 図 1において、照明光学系 ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の 照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露 光光 ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光 ELによるマスク M 上の照明領域を設定する視野絞り等を有してレ、る。マスク M上の所定の照明領域は 照明光学系 IUこより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 ILから 射出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプ力 射出される輝線 (g線、 h線、 i線 )及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）や、 ArFエキシ マレーザ光（波長 193nm)及び F レーザ光（波長 157nm)等の真空紫外光 (VUV
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光）などが用いられる。本実施形態においては ArFエキシマレーザ光が用いられる。
[0098] 上述のように、本実施形態においては、光路空間 K1を満たす液体 LQとして純水 が用いられている。純水は、 ArFエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプ 力 射出される輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の 遠紫外光（DUV光)も透過可能である。
[0099] マスクステージ MSTは、マスク Mを保持して移動可能である。マスクステージ MST は、制御装置 CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置 MSTDにより、マスク Mを保持した状態で、投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面 内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微少回転可能である。マ スクステージ MST上には移動鏡 91が設けられている。また、移動鏡 91に対向する 位置にはレーザ干渉計 92が設けられている。マスクステージ MST上のマスク Mの 2 次元方向の位置、及び Θ Z方向の回転角（場合によっては Θ X、 Θ Y方向の回転角 も含む）はレーザ干渉計 92によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計 92の計測 結果は制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTは、レーザ干渉計 92の計 測結果に基づレ、てマスクステージ駆動装置 MSTDを介して、マスクステージ MSTに 保持されてレ、るマスク Mの位置制御を行う。
[0100] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 /3で基板 Pに投影するも のであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒 PKで保持さ れている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 が例えば 1Z4、 1 /5、あるいは 1/8の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍系及び拡大系の いずれでもよい。また、本実施形態においては、投影光学系 PLを構成する複数の光 学素子のうち、投影光学系 PLの像面に最も近い第 1光学素子 LSIは、鏡筒 PKより 露出している。
[0101] 図 1及び図 13において、基板ステージ PSTは、基板 Pを保持する基板ホルダ PHを 有している。基板ホルダ PHは、例えば真空吸着機構を用いて基板 Pを保持する。基 板ステージ PST上には凹部 96が設けられており、基板 Pを保持するための基板ホル ダ PHは凹部 96に配置されている。そして、基板ステージ PSTの凹部 96の周囲に形 成された上面 97は、基板ホルダ PHに保持された基板 Pの表面 Paとほぼ同じ高さ（面 一）になる平坦面となっている。
[0102] 基板ホルダ PHは、基材 80と、基材 80上に形成され、基板 Pの裏面 Pbを支持する 複数の凸部 81と、基材 80上に形成され、基板 Pの裏面 Pbに対向し、凸部 81を囲む ように設けられた周壁部 82とを備えている。周壁部 82は、基板 Pの形状に応じて略 円環状に形成されており、周壁部 82の上面が基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Ebに対 向するように設けられている。また、周壁部 82の内側の基材 80上には不図示の吸引 口が複数一様に形成されている。複数の吸引口のそれぞれは真空系に接続されて いる。制御装置 CONTは、真空系を駆動し、基板 Pと周壁部 82と基材 80とで囲まれ た空間 83内部のガス（空気）を吸引（排気）してこの空間 83を負圧にすることによって 、基板 Pの裏面 Pbを凸部 81で吸着する。基板 Pの裏面 Pbを凸部 81で吸着した際、 基板 Pの裏面 Pbと周壁部 82の上面とは密着する。
[0103] 基板ステージ PSTは、制御装置 CONTにより制御されるリニアモータ等を含む基 板ステージ駆動装置 PSTDを介して、基板 Pを基板ホルダ PHを介して保持した状態 で、ベース部材 BP上で XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回転可能 である。更に基板ステージ PSTは、 Z軸方向、 Θ X方向、及び Θ Y方向にも移動可能 である。したがって、基板ステージ PSTに支持された基板 Pの上面は、 X軸、 Y軸、 Z 軸、 Θ X、 θ Y、及び θ Ζ方向の 6自由度の方向に移動可能である。基板ステージ PS Τの側面には移動鏡 93が設けられている。また、移動鏡 93に対向する位置にはレー ザ干渉計 94が設けられている。基板ステージ PST上の基板 Ρの 2次元方向の位置、 及び回転角はレーザ干渉計 94によりリアルタイムで計測される。また、露光装置本体 ΕΧは、基板ステージ PSTに支持されている基板 Ρの上面の面位置情報を検出する 斜入射方式のフォーカス'レベリング検出系を備えている。レーザ干渉計 94の計測 結果は制御装置 CONTに出力される。フォーカス'レべリング検出系の検出結果も 制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTは、フォーカス 'レベリング検出系 の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置 PSTDを駆動し、基板 Pのフォー力 ス位置 (Z位置)及び傾斜角（ Θ X、 Θ Υ)を制御して基板 Pの上面を投影光学系 PL の像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計 94の計測結果に基づいて、基板 Pの X 軸方向、 Y軸方向、及び Θ Z方向における位置制御を行う。
[0104] 液浸機構 100の液体供給部 31は、液体 LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給す る液体 LQの温度を調整する温度調整機構、及び液体 LQ中の異物を取り除くフィル タユニット等を備えてレ、る。液体供給部 31の液体供給動作は制御装置 CONTにより 制御される。なお、液体供給部 31のタンク、加圧ポンプ、温度調整機構、フィルタュ ニット等は、その全てを露光装置 EX—SYSが備えている必要はなぐ露光装置 EX — SYSが設置される工場等の設備を代用してもよい。
[0105] 液体回収部 41は、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 LQ と気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 LQを収容するタンク等を備えて いる。液体回収部 41の液体回収動作は制御装置 CONTにより制御される。なお、液 体回収部 41の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置 EX— SYSが 備えている必要はなぐ露光装置 EX— SYSが設置される工場等の設備を代用して あよい。
[0106] 液体 LQを供給する供給口 32及び液体 LQを回収する回収口 42はノズノレ部材 70 の下面に形成されている。ノズノレ部材 70は、第 1光学素子 LSIの側面を囲むように 設けられた環状部材であって、供給口 32は、投影光学系 PLの第 1光学素子 LSI ( 投影光学系 PLの光軸 AX)を囲むように複数設けられている。また、回収口 42は、第 1光学素子 LSIに対して供給口 32よりも外側に離れて設けられており、第 1光学素 子 LSI及び供給口 32を囲むように設けられてレ、る。
[0107] 液体 LQの液浸領域 LRを形成する際、制御装置 CONTは、液体供給部 31及び液 体回収部 41のそれぞれを駆動する。制御装置 CONTの制御のもとで液体供給部 3 1力 液体 LQが送出されると、その液体供給部 31から送出された液体 LQは、供給 管 33を流れた後、ノズル部材 70の供給流路を介して、供給口 32より投影光学系 PL の像面側に供給される。また、制御装置 CONTのもとで液体回収部 41が駆動される と、投影光学系 PLの像面側の液体 LQは回収口 42を介してノズル部材 70の回収流 路に流入し、回収管 43を流れた後、液体回収部 41に回収される。
[0108] 制御装置 CONTは、少なくともマスク Mのパターン像を基板 P上に投影している間 、液浸機構 100を使って投影光学系 PLと基板ホルダ PHに保持されてレ、る基板 と の間の露光光 ELの光路空間 K1を液体 LQで満たす。投影光学系 PLと液体 LQとを 介して基板 P上に露光光 ELを照射することによって、基板 Pが露光される。
[0109] 例えば、基板 Pの表面 Paの周縁領域 Eaを液浸露光する場合、液体 LQの液浸領 域 LRが、基板ホルダ PHに保持された基板 Pの表面 Paと基板ステージ PSTの上面 9 7との間に形成されたギャップ Ge上に配置される場合がある。すると、ギャップ Geに 液体 LQが浸入し、さらに基板 Pの裏面 Pb側に浸入する可能性がある。上述のように 、基板ホルダ PHで基板 Pを保持した際、基板 Pの裏面 Pbと基板ホルダ PHの周壁部 82の上面とは密着するため、ギャップ Geに浸入し、基板 Pの裏面 Pb側に回り込んだ 液体 LQは、主に基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 Eb (周壁部 82よりも外側の領域）に付 着する可能性が高レ、。また、基板 Pの裏面 Pbと基板ホルダ PHの周壁部 82の上面と の間を介して空間 83に液体 LQが浸入し、液体 LQは基板 Pの裏面 Pbの中央部にも 付着する可能性がある。制御装置 CONTは、液浸露光処理が施された基板 Pを第 2 搬送系 H2を使って基板ホルダ PHからアンロードした後、上述の第 1〜第 4実施形態 で説明した液体除去装置 1まで搬送し、液体除去装置 1で、基板 Pの裏面 Pbに付着 している液体 LQの除去処理を行う。
[0110] なお、上述の実施形態においては、露光装置 EX— SYSに液体除去装置 1が搭載 されてレ、るが、コータ .デベロッパ装置 CZD— SYSに液体除去装置 1を配置するよう にしてもよレ、。あるいはインターフェース部 IFに液体除去装置 1を配置してもよい。 また、上述の実施形態において、液浸露光処理された基板 Pの裏面 Pbの液体の付 着状態を検查する検查装置を露光装置 EX— SYSに配置して、基板 Pの裏面 Pbに 許容できない液体 LQが付着している場合のみ、上述の液体除去装置 1に露光後の 基板 Pを搬送するようにしてもょレヽ。
[0111] 上述したように、本実施形態における液体 LQは純水である。純水は、半導体製造 工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや光学素子（レ ンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がな いとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 PL の先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
[0112] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ約 1 . 44であり、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用いた 場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が得ら れる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大されるた め、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投 影光学系 PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
[0113] 本実施形態では、投影光学系 PLの先端に光学素子（レンズ) LSIが取り付けられ ており、この光学素子により投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コ マ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系 PLの先端に取り付ける光学 素子としては、投影光学系 PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよ レ、。あるいは露光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよい。
[0114] なお、液体 LQの流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pと の間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧 力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
[0115] なお、本実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 LQで満たされ ているが、例えば基板 Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態 で液体 LQを満たしてもよレ、。
[0116] また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を 液体で満たしているが、国際公開第 2004/019128号パンフレットに開示されてい るように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用 することちでさる。
[0117] なお、本実施形態の液体 LQは水である力 S、水以外の液体であってもよレ、、例えば 、露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過しないので、
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液体 LQとしては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（PFPE)や フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 LQと接触する部分 には、例えばフッ素を含む極性の小さレ、分子構造の物質で薄膜を形成することで親 液化処理する。また、液体 LQとしては、その他にも、露光光 ELに対する透過性があ つてできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや基板 P表面に塗布されているフオトレ ジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
[0118] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック ウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリ コンウェハ）等が適用される。
[0119] 露光装置 EX— SYSとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパター ンを走查露光するステップ 'アンド 'スキャン方式の走查型露光装置 (スキャニングス テツパ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光 し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ'アンド'リピート方式の投影露光装置（ ステツパ）にも適用することができる。
[0120] また、露光装置 EX—SYSとしては、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で 第 1パターンの縮小像を投影光学系（例えば 1/8縮小倍率で反射素子を含まない 屈折型投影光学系）を用いて基板 P上に一括露光する方式の露光装置にも適用で きる。この場合、更にその後に、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 2パ ターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第 1パターンと部分的に重ねて基板 P 上に一括露光するスティツチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、ステイッチ 方式の露光装置としては、基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転 写し、基板 Pを順次移動させるステップ 'アンド 'スティツチ方式の露光装置にも適用 できる。
[0121] また、本発明は、特開平 10— 163099号公報、特開平 10_ 214783号公報、特表
2000— 505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適 用できる。
[0122] 更に、特開平 11— 135400号公報に開示されているように、基板を保持する基板 ステージと基準マークが形成された基準部材ゃ各種の光電センサを搭載した計測ス テージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
[0123] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体 を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平 6— 124873号公報、特開 平 10— 303114号公報、米国特許第 5， 825, 043号などに開示されているような露 光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置 にも適用可能である。
[0124] 露光装置 EX— SYSの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半 導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製 造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（CCD)あるいはレチクル又はマスク などを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
[0125] また、例えば米国特許第 6， 778, 257号公報に開示されているように、露光すべき パターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パ ターンを形成する電子マスクを用いる露光装置にも本発明を適用することができる。
[0126] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EX— SYSは、本願特許請求の範囲に挙 げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、 光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保する ために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するた めの調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系 については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露 光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の 配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置 への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうま でもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整 が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は 温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0127] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 14に示すように、マイクロデバイスの機 能'性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した 実施形態の露光装置 EX— SYSによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含 む基板処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング 工程、パッケージ工程を含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
[1] 液体を介して露光光が照射され、かつ基板ホルダから搬出された被露光基板を被 露光基板に付着した液体を除去する液体除去装置において、
前記基板ホルダから搬出された前記被露光基板の裏面側に所定空間を形成し、 前記所定空間の気体を吸引口から排気することによって前記被露光基板の裏面に 付着した液体を除去する液体除去装置。
[2] 前記吸引ロカ 排気を行うことによって前記所定空間において前記吸引口に向か う気体の流れを生成し、該気体の流れによって前記被露光基板の裏面に付着した液 体を前記吸引口まで移動して、前記吸引口を介して液体を回収する請求項 1記載の 液体除去装置。
[3] 前記所定空間と該所定空間の外側の外部空間とは気体が流れるように接続されて いる請求項 1又は 2記載の液体除去装置。
[4] 前記被露光基板の裏面側に前記所定空間が形成されるように前記被露光基板を 保持する保持機構を有する請求項:!〜 3のいずれか一項記載の液体除去装置。
[5] 前記被露光基板の裏面に対向する所定面を有する所定部材を備え、
前記所定空間は前記被露光基板の裏面と前記所定面との間の空間を含む請求項
1〜4のいずれか一項記載の液体除去装置。
[6] 前記吸引口は前記所定面に設けられている請求項 5記載の液体除去装置。
[7] 前記被露光基板の裏面の周縁領域と前記所定部材の前記所定面との間の隙間を 介して、前記所定空間と該所定空間の外側の外部空間とが接続されている請求項 5 又は 6記載の液体除去装置。
[8] 前記吸引口は、前記所定面における、前記保持機構に保持された前記被露光基 板の裏面の中央部と対向する領域に設けられている請求項 6記載の液体除去装置。
[9] 前記所定部材に、前記所定空間と該所定空間の外側の外部空間との間で気体が 流れるように流路が形成される請求項 5又は 6記載の液体除去装置。
[10] 前記所定部材は、前記所定面に設けられ、前記被露光基板の裏面を支持して前 記被露光基板の裏面と前記所定面との間に第 1のギャップを形成する凸部を有する 請求項 5〜 9のいずれか一項記載の液体除去装置。
[11] 前記第 1のギャップは 10 μ m〜lmmである請求項 10記載の液体除去装置。
[12] 前記所定空間における気体の流れをガイドするガイド部材を有する請求項 5〜11 のレ、ずれか一項記載の液体除去装置。
[13] 前記ガイド部材は前記吸引口に向力 気体の流れをガイドする請求項 12記載の液 体除去装置。
[14] 前記ガイド部材は前記被露光基板の裏面と対向する前記所定面に設けられてレ、る 請求項 12又は 13記載の液体除去装置。
[15] 前記ガイド部材の上面と前記被露光基板の裏面との間に第 2のギャップが形成され る請求項 14記載の液体除去装置。
[16] 前記第 2のギャップは 2〜5 μ mである請求項 15記載の液体除去装置。
[17] 前記所定空間は前記ガイド部材によって複数の分割空間に分割され、前記吸引口 は前記分割空間に応じた複数の吸引口を有する請求項 12〜： 16のレ、ずれか一項記 載の液体除去装置。
[18] 前記分割空間のそれぞれと該分割空間の外側の外部空間とは、気体が流れるよう に接続されている請求項 17記載の液体除去装置。
[19] 前記分割空間のそれぞれは前記被露光基板の裏面の周縁領域から中央部に向か つて漸次窄まる形状を有し、かつ互いに隣り合う請求項 17又は 18記載の液体除去 装置。
[20] 前記周縁領域近傍にぉレ、て、前記分割空間のそれぞれと該分割空間の外側の外 部空間とが気体が流れるように接続されており、前記中央部近傍に前記吸引口が設 けられている請求項 19記載の液体除去装置。
[21] 前記分割空間のそれぞれは環状に形成され、かつ前記分割空間が略同心状に配 置される請求項 17又は 18記載の液体除去装置。
[22] 前記分割空間において、前記吸引口と、該分割空間の外側の外部空間と流通する 流路とが所定の位置関係で設けられている請求項 21記載の液体除去装置。
[23] 前記所定空間の気体を排気することによって、前記被露光基板の裏面に沿って気 体が流れるように前記所定空間を形成する請求項:!〜 22のいずれか一項記載の液 体除去装置。
[24] 前記基板ホルダと、
請求項:!〜 23のいずれか一項記載の液体除去装置とを備えた露光装置。
[25] 前記基板ホルダと前記液体除去装置との間で前記被露光基板を搬送する搬送系 を備え、
前記搬送系は前記被露光基板の裏面の略中央部を保持する請求項 24記載の露 光装置。
[26] 請求項 24又は 25のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194385A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Asml Netherlands Bv コーティング
US8089615B2 (en) * 2005-12-08 2012-01-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP2012518899A (ja) * 2009-02-22 2012-08-16 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 基板とクランプ準備ユニットをクランプする方法
JP2017515146A (ja) * 2014-04-30 2017-06-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置のためのサポートテーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US11664264B2 (en) 2016-02-08 2023-05-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method for unloading a substrate and method for loading a substrate

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080026499A (ko) * 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
KR101586984B1 (ko) 2009-02-22 2016-01-20 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 리소그래피 머신을 위한 준비 유닛
KR20120108229A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공용 워크 테이블
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
DE112013006168B4 (de) * 2012-12-20 2023-12-28 Canon Anelva Corporation Verfahren zum Herstellen eines Magnetowiderstandelements
EP3049869B1 (en) * 2013-09-27 2017-11-08 ASML Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2016062540A1 (en) 2014-10-23 2016-04-28 Asml Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR102609698B1 (ko) * 2016-03-22 2023-12-04 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치
NL2021663A (en) 2017-10-12 2019-04-17 Asml Netherlands Bv Substrate holder for use in a lithographic apparatus
US11081383B2 (en) * 2017-11-24 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate table with vacuum channels grid

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004102646A1 (ja) * 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP2000505958A (ja) * 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
KR101242815B1 (ko) * 2003-06-13 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
EP1672682A4 (en) * 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR101771334B1 (ko) * 2004-12-15 2017-08-24 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004102646A1 (ja) * 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150023915A (ko) * 2005-12-08 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101704310B1 (ko) 2005-12-08 2017-02-07 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4968076B2 (ja) * 2005-12-08 2012-07-04 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8089615B2 (en) * 2005-12-08 2012-01-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP2012094913A (ja) * 2008-02-14 2012-05-17 Asml Netherlands Bv コーティング
US9323164B2 (en) 2008-02-14 2016-04-26 Asml Netherlands B.V. Coatings
US8889042B2 (en) 2008-02-14 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Coatings
JP2009194385A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Asml Netherlands Bv コーティング
JP2012518899A (ja) * 2009-02-22 2012-08-16 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 基板とクランプ準備ユニットをクランプする方法
US9460954B2 (en) 2009-02-22 2016-10-04 Mapper Lithography Ip B.V. Method of clamping a substrate and clamp preparation unit using capillary clamping force
US10078274B2 (en) 2009-02-22 2018-09-18 Mapper Lithography Ip B.V. Method and arrangement for handling and processing substrates
USRE49725E1 (en) 2009-02-22 2023-11-14 Asml Netherlands B.V. Method and arrangement for handling and processing substrates
JP2017515146A (ja) * 2014-04-30 2017-06-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置のためのサポートテーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US11664264B2 (en) 2016-02-08 2023-05-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method for unloading a substrate and method for loading a substrate

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