KR20080026499A - 기판보유장치 - Google Patents

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KR20080026499A
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에리코 모리
켄 카츠타
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

웨이퍼 척은, 위쪽을 향해 돌출해 있는 복수의 지지 핀을 포함한다. 지지 핀의 수평방향의 강성은, 웨이퍼 척의 중앙영역에서 수직방향의 강성보다 낮다. 웨이퍼의 중앙부가 휘어진 부분을 휘어진 상태에서 원래의 상태로 복귀시키는 힘에 응답해 지지 핀이 변형해, 웨이퍼의 뒤틀림을 일부 또는 전부 해방한다.
기판보유장치, 웨이퍼 척, 지지 핀, 반도체 소자

Description

기판보유장치{SUBSTRATE-RETAINING UNIT}
본 발명은, 반도체 소자 제조장치, 액정표시소자 제조장치 등에 이용하는 기판보유장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자나 액정표시소자 등의 제조에 이용하는 투영 노광장치는, 피가공 기판을 진공으로 끌어당겨 보유하는 것에 의해 그 기판의 휜 부분을 교정해 기판의 표면의 평면성을 유지한 상태로 기판을 보유하는 기판보유장치를 이용한다.
이러한 기판보유장치는, 일본국 공개특허공보 특개평4-14239호(대응 미국 특허는 USP5,374,829), 일본국 공개특허공보 특개평10-233433호(대응 미국 특허는 USP5,923,408), 일본국 공개특허공보 특개평10-242255호, 일본국 공개특허공보 특개2000-311933호(대응 미국 특허는 USP6,307,620), 일본국 공개특허공보 특개2001-60618호, 및 일본국 공개특허공보 특개2004-259792호에 기재되어 있다. 도 8은 종래의 기판보유장치의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 8에 나타낸 기판보유장치는 웨이퍼 W를 배치하기 위한 웨이퍼 지지면(1)을 갖는 웨이퍼 척(2)을 포함한다. 이 웨이퍼 척(2)은 웨이퍼 척(2)의 웨이퍼 지지면(1) 위에 웨이퍼 W를 지지하는 다수개의 볼록부(6)를 갖고, 웨이퍼 지지면(1)(상면)으로부터 뒤면으로 웨이퍼 척(2)을 관통하는 3개의 관통 구멍(3)을 갖는다. 각 관통 구멍(3)의 주변을 정의하도록 웨이퍼 지지면(1) 위에 작은 직경의 원통 벽(4)이 형성되고, 웨이퍼 지지면(1)의 주변을 둘러싸도록 웨이퍼 지지면(5) 위에 큰 직경의 원통 벽(5)이 형성되어 있다.
이 기판보유장치는, 각 관통 구멍(3) 내에 배치되어 웨이퍼 W를 전송하기 위한 리프트 핀(7), 각 리프트 핀(7)을 상하 이동시키기 위한 상하 기구부(8), 및 웨이퍼 척(2)을 지지하는 지지부(9)를 더 구비한다. 또, 기판보유장치는, 웨이퍼 W, 웨이퍼 지지면(1), 및 원통 벽 4, 5에 의해 형성된 공간 내의 압력을 대기압에 비해서 낮춤으로써(부압으로 형성) 웨이퍼 W를 웨이퍼 지지면(1) 위에 진공으로 끌어당겨 보유하기 위한 진공 배관계(10)를 구비한다.
이 구성에 있어서, 외부의 반송장치로부터 로봇 핸드에 의해, 웨이퍼 W를 웨이퍼 지지면(1)으로부터 돌출해 있는 대기하고 있는 리프트 핀(7) 위에 이송한다. 이 웨이퍼 W를 이송한 후에 로봇 핸드를 퇴피시킨다. 다음에, 상하 기구부(8)는 리프트 핀(7)을 즉시 하강시켜, 웨이퍼 지지면(1) 위에 웨이퍼 W를 이송한다. 웨이퍼 W가 웨이퍼 지지면(1)에 접촉하기 전에, 진공 배관계(10)를 이용해 진공 흡인을 개시한다. 이 진공 흡인에 의해 웨이퍼 W를, 볼록부(6)에 의해 보유한 상태로 웨이퍼 지지면(1) 위에 끌어당겨 고정함으로써, 웨이퍼 W의 평면을 교정한다.
이러한 기판보유장치가 웨이퍼 W를 보유한 상태로, 레티클의 패턴을 통과하는 빛을 웨이퍼 W에 노광(전사)한다. 노광(전사) 후에, 노광 전의 동작과 반대의 동작을 실시해, 로봇 핸드가 기판보유장치로부터 웨이퍼 W를 회수한다.
통상, 리프트 핀(7)에 의해 지지되는 웨이퍼 W를 기판보유장치로 진공으로 끌어당기는 과정에 있어서는, 진공 배관계(10)를 이용한 흡인 동작이 먼저 개시되고 웨이퍼 W의 하강 동작이 다음에 개시된다. 이때, 웨이퍼 W가 웨이퍼 지지면(1)에 접근함으로써, 아이들(idle) 흡인 상태에 있는 공간의 압력이 저하하기 시작한다. 이 압력 강하가 급격한 경우, 웨이퍼 W의 흡착 직전에 발생한 웨이퍼 W의 변형에 기인한 뒤틀림이, 웨이퍼 W의 이면과 볼록부(6)의 상부 표면 사이에서 발생하는 마찰력에 의해 흡착 후에도 잔류해, 웨이퍼 W의 상부 표면이 휘어지게 된다.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 W의 흡착 후에 웨이퍼 W에 잔류하는 뒤틀림을 일부 또는 전부 해방할 수가 있는 기판보유장치를 제공하는 것에 있다.　
본 발명의 일 측면에 따른 기판보유장치는, 다수의 볼록부를 포함하고, 상기 다수의 볼록부에 의해 기판을 지지한 상태로 기판을 상기 장치에 흡착한다. 상기 다수의 볼록부의 수평 방향의 강성은, 적어도 상기 장치의 중앙영역의 수직 방향의 강성보다 낮다. 예를 들면, 적어도 상기 장치의 중앙영역에 배치된 다수의 볼록부는, 실리콘 카바이드로 구성될 수 있고, 직경 d가 높이 h의 0.35배 이하인 원주일 수 있다. 또, 적어도 상기 장치의 중앙영역에 배치된 다수의 볼록부가 적층 섬유 재료로 구성될 수도 있다.
본 발명의 다른 목적 또는 그 외의 특징은, 이하, 첨부 도면을 참조해 설명되는 바람직한 실시 예에 의해 밝혀질 것이다.
이러한 제조 방법을 이용하는 것으로, 고집적도의 디바이스를 안정적으로 생산하는 것이 가능하다.
(제 1 예시적인 실시 예)
본 발명의 제 1 예시적인 실시 예를 도 1~도 4를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 예시적인 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 내장한 축소 투영 노광장치의 구성도이다. 도 1은, 광원(미도시)에 인접한 측으로부터 배치된, 조명 광학계(11), 레티클 R, 레티클 척(12), 레티클 스테이지(13), 투영 광학계(14), 실리콘 웨이퍼 W, 웨이퍼 척(15), XYθ 스테이지(16)를 나타낸다. 특히, 광학계 11 및 14, 레티클 R, 및 웨이퍼 W는, 광원으로부터 방출된 노광 광의 광로 위에 있다. 투영 광학계(14)의 근방에는, 오프 액시스 얼라이먼트 스코프(17)와 면 위치 계측부(18)가 배치되어 있다.
노광시에는, 원판으로서 기능을 하는 레티클 R이 레티클 척(12)을 통해서 레티클 스테이지(13) 위에 배치된다. 조명 광학계(11)로부터 방출된 노광 광이 레티클 R에 조사된다. 레티클 R를 통과하는 노광 광은, 투영 광학계(14)에 의해, 예를 들면 1/5로 축소되고, 피가공 실리콘 웨이퍼 W 위에 입사된다. 이 웨이퍼 W를 보유 하는 웨이퍼 척(15)은, 수평면 위에서 이동 가능한 XYθ 스테이지(16) 위에 배치되어 있다.
노광장치의 동작은, 웨이퍼 W가 자동 혹은 수동으로 노광장치에 세팅된 상태로, 노광 개시 지령이 있을 때 개시된다. 먼저, 첫 번째의 웨이퍼 W가 반송 시스템에 의해 웨이퍼 척(15) 위에 이송된다. 다음에, 오프 액시스 얼라이먼트 스코프(17)를 이용해 웨이퍼 W 위에 있는 복수 개의 얼라이먼트 마크를 검출해 웨이퍼 W의 배율, 회전, 및 XY 어긋남량을 결정해, 웨이퍼 W의 위치를 보정한다. XYθ 스테이지(16) 위에 있는 웨이퍼 W의 제 1 샷(shot) 위치가, 노광장치의 노광 위치에 대응하도록 XYθ 스테이지(16)는 웨이퍼 W를 이동한다.
계속해서, 면 위치 계측부(18)의 계측 결과에 근거해 웨이퍼 W 위에 투영 광학계(14)의 포커스를 맞춘 후에, 웨이퍼 W에 대해 제 1 샷 동안 약 0.2초 정도의 노광을 행한다. 제 2 샷 위치로 웨이퍼 W를 1스텝 이동시키고, 노광을 다시 행한다. 이들 동작을 최종 샷까지 반복한다. 이렇게 함으로써, 1매의 웨이퍼 W의 노광 처리는 완료한다. 노광 처리가 완료한 웨이퍼 W는, 웨이퍼 척(15)으로부터, 로봇 핸드(미도시)로 이송되고, 이 로봇 핸드에 의해 공지의 웨이퍼 캐리어로 되돌아온다.
도 2 및 도 3은, 도 1에 나타낸 웨이퍼 척(15)의 평면도와 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 원판 형상의 웨이퍼 척(15)은, 이 웨이퍼 척(15)의 중심 부근에, 진공 흡인에 의해 기판인 웨이퍼 W를 끌어당기기 위한 흡인구멍(21)을 갖는다. 이 진공 흡인은, 도 8에 나타낸 진공 배관계를 통해서 행해진다. 웨이퍼 척(15)은, 그것의 원주 방향으로 등 등각으로 배치된 3개의 관통 구멍(22)을 갖는다. 배기구멍 23a를 각각 갖는 리프트 핀(23)이 수직 방향으로 이동가능하도록 대응하는 관통 구멍(22)을 통과한다.
웨이퍼 척(15)의 주연부를 따라 원통 벽(24)이 형성되어 있다. 이 원통 벽(24)의 내측의 원 C의 영역(중앙영역)에는, 웨이퍼 척(15)과 일체화된 다수의 지지 핀(25;볼록부)가 수직 방향으로 위쪽을 향해 돌출해 있다. 마찬가지로, 웨이퍼 척(15)의 원 C와 원통 벽(24)과의 사이의 영역(주변영역)에도 웨이퍼 척(15)과 일체화된 다수의 지지 핀(26;볼록부)이 위쪽을 행해 돌출해 있다. 이러한 지지 핀 25 및 26은 예를 들면 격자패턴으로 2mm의 규칙적인 간격으로 배열되어 있다. 중앙 영역의 다수의 지지 핀(25)은 웨이퍼 W의 중앙부를 지지하고, 웨이퍼 W의 주변 영역의 지지 핀(26)은 웨이퍼 W의 주변부를 지지한다. 제 1 예시적인 제 1 실시 예에서는, 웨이퍼 척(15) 및 지지 핀 25 및 26이 SiC(silicon carbide)로 구성되어 있다.
본 제 1 예시적인 실시 예에 있어서는, 중앙 영역(제 1 영역)에 배치된 지지 핀(25)의 수평 방향의 강성은 수직 방향의 강성보다 낮고, 주변 영역(제 2 영역)에 배치된 지지 핀(26)의 수평 방향에의 강성은, 지지 핀(25)의 수평 방향의 강성보다 높다. 또한, 제 1 예시적인 실시 예에서는, 중앙영역(원 C)의 반경이 웨이퍼 척(15)의 반경의 1/2 정도이다. 그러나, 중앙영역의 반경은, 웨이퍼 척(15)의 반경의 1/3 정도일 수도 있다. 또, 웨이퍼 척을 지지 핀의 수평 방향의 강성이 서로 다른 원형의 중앙영역과 링 형상의 주변영역의 2영역으로 나누지 않고, 웨이퍼 척의 전 영역에, 수평 방향의 강성이 수직 방향의 강성보다 낮은 복수의 지지 핀(25)을 배치할 수 있다.
웨이퍼 W의 흡착 전에는, 웨이퍼 W를 이송하기 위해서 상승한 복수의 리프트 핀(23)이 웨이퍼 W를 웨이퍼 척(15)의 다수의 지지 핀 25 및 26의 위쪽에서 지지하고, 이 리프트 핀(23)은 그 배기구멍 23a을 통해서 진공으로 웨이퍼 W를 보유하고 있다. 이때, 도 3에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W는 웨이퍼 W의 중량에 의해 아래쪽으로 휘어진다.
도 3에 나타낸 상태로부터 리프트 핀(23)을 하강시켜, 웨이퍼 W를 웨이퍼 척(15)에 근접시킨다. 이 하강 동작과 동시에 흡인구멍(21)을 통해서 배기를 시작해 웨이퍼 W의 이면, 척의 최상부 표면(웨이퍼 지지면), 및 원통 벽(24)으로 둘러싸인 공간 내부의 압력이 네거티브가 된다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 중앙부에서 주변부로 순차적으로 웨이퍼 척(15)에 의해 웨이터 W가 보유될 수가 있다. 웨이퍼 W는 원통 벽(24)에 의해 보유되어 아래쪽으로 휘어진 상태로, 부압에 의한 인력(attraction force)에 의해 웨이퍼 W를 웨이퍼 척(15)을 향해 꽉 누르기 때문에, 웨이퍼 W의 중앙부에 뒤틀림이 발생한다.
웨이퍼의 중앙부에 발생한 뒤틀림을 지지 핀의 수평 방향의 변형에 의해 일부 또는 전부 해방하기 위해서, 제 1 예시적인 실시 예에서는, 웨이퍼 척(15)의 중앙영역에 배치되어 있는 지지 핀 25의 높이 h와 폭 d의 비율 d/h을, 주변 영역에 배치되어 있는 지지 핀 26보다 작게 한다. 지지 핀 25의 수평 방향의 강성을 수직 방향의 강성보다 낮게 해 지지 핀 25가 수평 방향으로 변형하기 쉬워지면, 휘어진 상태로부터 원래의 상태로 웨이퍼 W를 복귀시키는 힘에 응답해 지지 핀 25가 수평 방향으로 변형해, 웨이퍼 W의 뒤틀림을 줄일 수 있다.
본 제 1 예시적인 실시 예에서는, 웨이퍼 W에 잔류하는 뒤틀림이 2nm을 초과하지 않도록 지지 핀 25의 형상을 결정한다. 구체적으로는, 본 제 1 예시적인 실시 예에서는, 도 4에 나타낸 지지 핀 25가 원주이고, 높이 h와 직경 d의 비율 d/h를, 다음의 식에 의거해서, 0.35 이하로 설정한다.
x ≤ 2nm (1)
x = Fh3/3Eh = 32Fh3/3Eπd3 (2)
여기서, x는 지지 핀 25의 수평 방향으로의 변형량의 허용치, E는 지지 핀 25의 재료의 영률, F는 지지 핀 25에 인가된 수평 방향의 힘이다.
지지 핀 25가 SiC로 구성되고, 지지 핀 25에 인가된 영률 E 및 힘 F가 420 Gpa 및 10N인 경우, 지지 핀 25의 직경 d가, 높이 h의 0.35배 이하가 된다. 덧붙여 지지 핀 26도 원주이지만, 지지 핀 26의 직경 d는 높이 h의 0.35배보다 크고, 예를 들면 1.00이다.
(제 2 예시적인 실시 예)
도 5는 본 발명의 제 2 예시적인 실시 예에 따른 웨이퍼 척(15)의 평면도이다. 도 5에 있어서, 웨이퍼 척(15)의 중앙영역(제 1 영역)의 원 C 내에 배치되어 있는 다수의 원통형 지지 핀 25a(볼록부)는 적층 섬유 재료로 구성되어 있다. 또, 원 C의 주위에 있는 주변영역(제 2 영역)에 배치되어 있는 다수의 원통형 지지 핀 26은, SiC로 구성되어 있다. 본 제 2 예시적인 실시 예에서는, 지지 핀 25a는 적층 섬유 재료를 모재로 한 카본 파이버 등의 섬유 강화재로 구성되어 있다. 덧붙여, 섬유 재료가 수직 방향으로 연장하고, 수평방향으로 적층된다. 중앙영역(원 C)의 반경은 웨이퍼 척(15)의 반경의 1/2 정도이다. 그러나, 중앙영역의 반경은, 웨이퍼 척(15)의 반경의 1/3 정도로 설정되어 있다. 중앙영역의 다수의 지지 핀 25a는 웨이퍼 W의 중앙부를 지지하고, 주변영역의 지지 핀 26은 웨이퍼 W의 주변부를 지지한다.
섬유 강화재의 모재료인 적층 섬유 재료의 강성은 수평 방향에서는 낮고, 수직 방향에서는 높다. 따라서, 이 섬유 강화재로 지지 핀 25a를 구성하는 경우, 웨이퍼 W를 휘어진 상태에서 원래의 상태로 복귀시키는 힘에 응답해 지지 핀 25a가 변형한다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼 W의 뒤틀림을 일부 또는 전부 해방할 수가 있다.
본 제 2 예시적인 실시 예에서는, 섬유 강화재로 구성되고 수평 방향의 강성이 낮은 지지 핀 25a가 중앙영역에 배치되어 있고, SiC로 구성되고 수평 방향의 강성이 높은 지지 핀 26이 주변영역에 배치되어 있다. 또, 중앙 영역에 배치한 지지 핀 25a와 주변영역에 배치한 지지 핀 26은 모두 원주이다. 또한, 지지 핀 25a와 지지 핀 26의 비율 d/h도, 서로 같으며, 0.35배보다 크고, 예를 들면 1.00으로 되어 있다. 그렇지만, 지지 핀 25a 및 지지 핀 26의 형상 및 비율 d/h은, 서로 다를 수도 있다. 또, 웨이퍼 척(15)의 모든 영역에 섬유 강화재로 구성된 지지 핀 25a를 배치할 수도 있다.
상기의 제 1 및 제 2 예시적인 실시 예에 따른 기판보유장치는, 진공 흡인에 의해 웨이퍼 W를 끌어당겨 보유한다. 그렇지만, 본 발명은, 정전력에 의해 웨이퍼 등의 기판을 끌어당겨 보유하는 기판보유장치에도 적용 가능하다. 이상 설명한 제 1 및 제 2 예시적인 실시 예 및 그것의 변형 예에 의하면, 웨이퍼 W를 진공 흡인에 의해 끌어당겨 보유할 때 웨이퍼 W에 발생한 뒤틀림을 지지 핀 25 또는 25a의 변형에 의해 일부 또는 전부 해방할 수가 있어, 한층 더 확실하게 웨이퍼 W의 평면을 교정할 수 있다.
다음에, 본 발명의 응용 예를 설명한다. 도 6은 IC 및 LSI 회로 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD 센서, 박막 자기 헤드, 마이크로머신 등의 미소 디바이스를 제조하는 플로차트다. 스텝 S1(회로설계)에서는, 디바이스의 패턴을 설계한다. 스텝 S2(마스크 제작)에서는, 설계한 패턴을 형성한 레티클 R을 제작한다. 한편, 스텝 S3(웨이퍼 제조)에서는, 실리콘 및 유리 등의 재료를 이용해 웨이퍼 W를 제조한다. 스텝 S4(웨이퍼 프로세스)는 전공정이라고 불리고, 레티클 R과 웨이퍼 W를 이용해 리소그래피 기술에 의해 웨이퍼 W 위에 회로를 형성한다.
스텝 S5(조립)는 후공정이라고 불리고, 스텝 S4에서 처리된 웨이퍼 W를 이용해 반도체 칩화하고, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩), 패키징 공정(봉입) 등의 공정을 포함하고 있다. 스텝 S6(검사)에서는, 스텝 S5에서 제작된 반도체 디바이스의 동작, 내구성 등의 검사를 한다. 이러한 공정을 거쳐 제작된 반도체 디바이스가 출하된다(스텝 S7).
도 7은 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로차트이다. 스텝 S11(산화)에서는, 웨이퍼 W의 표면을 산화시킨다. 스텝 S12(CVD; chemical vapor deposition)에서는, 웨이퍼 W의 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 S13(전극 형성)에서는, 웨이퍼 W 위에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 S14(이온 주입)에서는, 웨이퍼 W에 이온을 주입한다. 스텝 S15(레지스트 처리)에서는, 웨이퍼 W에 감광제를 도포한다. 스텝 S16(노광)에서는, 본 발명의 예시적인 실시 예에 따른, 도 1을 참조하여 설명한 축소 투영 노광장치를 이용해 회로 패턴을 갖는 레티클 R을 통과하는 빛에 웨이퍼 W을 노광한다. 스텝 S17(현상)에서는, 노광한 웨이퍼 W를 현상한다. 스텝 S18(에칭)에서는 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 제거한다. 스텝 S19(레지스트 박리)에서는, 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 제거한다. 이러한 스텝을 반복함으로써, 웨이퍼 W 위에 다중으로 회로 패턴이 형성된다.
이러한 제조 방법을 이용하는 것으로, 고집적도의 디바이스를 안정적으로 생산하는 것이 가능하다.
상기 예시적인 실시 예를 참조하면서 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시 예에 한정되는 것이 아니라는 것이 이해될 것이다. 이하의 특허청구범위는 그러한 모든 변형, 균등구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓게 해석될 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 예시적인 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 내장한 축소 투영 노광장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 웨이퍼 척의 평면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 웨이퍼 척의 단면도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 지지 핀의 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 예시적인 실시 예에 따른 웨이퍼 척의 평면도이다.
도 6은 미소 디바이스의 제조 플로차트이다.
도 7은 웨이퍼 프로세스를 나타내는 플로차트이다.
도 8은 종래의 기판보유장치의 단면도이다.

Claims (16)

  1. 기판보유장치로서,
    다수의 볼록부를 구비하고, 상기 다수의 볼록부에 의해 기판을 지지한 상태로 상기 기판을 상기 장치에 흡착하며,
    상기 다수의 볼록부의 수평 방향의 강성이, 적어도 상기 장치의 중앙영역에서 수직방향의 강성보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중앙영역의 주변영역에서 상기 다수의 볼록부의 수평방향의 강성이 상기 중앙영역의 상기 다수의 볼록부의 수직방향의 강성보다 높은 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 다수의 볼록부의 위쪽에서 지지하는, 수직방향으로 이동 가능한 복수의 리프트 핀을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  4. 기판보유장치로서,
    다수의 볼록부를 구비하고, 상기 다수의 볼록부에 의해 기판을 지지한 상태로 상기 기판을 상기 장치에 흡착하며,
    적어도 상기 장치의 중앙 영역에 배치된 상기 다수의 볼록부는, 실리콘 카바이드로 구성되고, 직경 d와 높이 h를 갖는 원주이며, 상기 직경 d는 상기 높이 h의 0.35배 이하인 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 중앙영역의 주변영역에 배치된 상기 다수의 볼록부는, 실리콘 카바이드로 구성되고, 상기 직경 d가 상기 높이 h의 0.35배보다 큰 원주인 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 다수의 볼록부의 위쪽에서 지지하는, 수직방향으로 이동 가능한 복수의 리프트 핀을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  7. 기판보유장치로서,
    다수의 볼록부를 구비하고, 상기 다수의 볼록부에 의해 기판을 지지한 상태로 상기 기판을 상기 장치에 흡착하며,
    적어도 상기 장치의 중앙 영역에 배치된 상기 다수의 볼록부는, 적층 섬유 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 중앙영역의 주변 영역에서 상기 다수의 볼록부의 수평방향의 강성이 상기 중앙영역의 상기 다수의 볼록부의 수평방향의 강성보다 높은 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 중앙영역의 상기 주변영역에 배치된 상기 다수의 볼록부는, 실리콘 카바이드로 구성되고, 직경 d와 높이 h를 갖는 원주이며, 상기 직경 d는 상기 높이 h의 0.35배보다 큰 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 다수의 볼록부의 위쪽에서 지지하는, 수직방향으로 이동 가능한 복수의 리프트 핀을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판보유장치.
  11. 원판을 조명하는 조명 광학계와,
    감광제를 도포한 기판을 보유하는 청구항 1에 기재된 기판보유장치와,
    상기 원판을 통과하는 빛을 상기 기판 위에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 원판을 조명하는 조명 광학계와,
    감광제를 도포한 기판을 보유하는 청구항 4에 기재된 기판보유장치와,
    상기 원판을 통과하는 빛을 상기 기판 위에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 원판을 조명하는 조명 광학계와,
    감광제를 도포한 기판을 보유하는 청구항 7에 기재된 기판보유장치와,
    상기 원판을 통과하는 빛을 상기 기판 위에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  14. 웨이퍼에 감광제를 도포하는 공정과,
    상기 웨이퍼를 청구항 11에 기재된 노광장치를 이용해 노광하는 공정과,
    상기 노광한 기판을 현상하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 웨이퍼에 감광제를 도포하는 공정과,
    상기 웨이퍼를 청구항 12에 기재된 노광장치를 이용해 노광하는 공정과,
    상기 노광한 기판을 현상하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  16. 웨이퍼에 감광제를 도포하는 공정과,
    상기 웨이퍼를 청구항 13에 기재된 노광장치를 이용해 노광하는 공정과,
    상기 노광한 기판을 현상하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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