JP2001127145A - 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents

基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法

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JP2001127145A
JP2001127145A JP2000182463A JP2000182463A JP2001127145A JP 2001127145 A JP2001127145 A JP 2001127145A JP 2000182463 A JP2000182463 A JP 2000182463A JP 2000182463 A JP2000182463 A JP 2000182463A JP 2001127145 A JP2001127145 A JP 2001127145A
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Hideki Nogawa
秀樹 野川
Yukio Takabayashi
幸夫 高林
Itaru Fujita
いたる 藤田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の吸着保持に起因する基板表面の変形に
よって発生する位置合わせマークの座標誤差の基板の加
工精度への影響を軽減することができる基板吸着保持方
法、基板吸着保持装置および露光装置を提供する。 【解決手段】 基板を吸着保持するチャック1におい
て、基板を支持する載置台の基板の加工領域を支持する
凸部2aを、基板100の加工時の位置合わせに用いる
位置合わせマーク位置10、11に対して特定の位置関
係となるように配列し、例えば、位置合わせマーク位置
を凸部の上にまたは凸部配列の中央部に位置するように
し、基板の吸着保持に起因する基板表面の変形による位
置合わせマークの座標誤差を無くしあるいは軽減して、
基板の加工精度やパターンの重ね合わせ精度の劣化を阻
止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスを
製造する半導体製造装置、液晶素子を製造する液晶基板
製造装置、磁気ヘッド製造装置、マイクロマシンの製造
等に用いられる基板吸着保持方法および基板吸着保持装
置に関し、さらに、このような基板保持装置を用いた露
光装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスを製造するための半導体
ウェハや液晶表示素子を製造するための液晶基板等の基
板を加工する装置例えば投影露光装置等においては、一
般に、被加工材である基板を保持固定しかつ基板の反り
を矯正して平面性を保つために、真空吸着力を利用した
基板吸着保持装置が用いられている。このような従来の
基板吸着保持装置は、図13に図示するように構成され
ており、基板吸着保持装置(チャック)201におい
て、基板を載置するための載置面は、複数の格子状に配
列されたピン接触型凸部202と、基板の周辺部を支持
するために載置面の周辺部に設けられた縁堤凸部203
とからなる載置台を有し、また、載置される基板と載置
面との間を減圧するために真空配管系に連通する吸引穴
205がピン接触型凸部202を配置する載置面に設け
られている。
【0003】このように構成された基板吸着保持装置
は、例えば半導体露光装置に用いられ、基板としてのウ
ェハは、搬送システムによりチャック201上に搬送さ
れ、チャック201上に載置された後に、吸引穴205
を介する真空吸引によりチャック201上に保持固定さ
れる。このとき、チャックの載置台とウェハとの間に異
物を挟み込むことに起因するウェハ表面の変形の発生確
率を軽減するため、載置面に点在する基板支持凸部の全
体の面積は小さくされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の基板吸
着保持装置においては、チャックの載置台となる基板支
持凸部の配列は、基板の加工領域に対しては何の考慮も
されておらず、基板の加工領域と何の位置関係もなく設
けられているために、基板加工領域が変わっても常に同
じチャックが用いられており、このため、基板の吸着保
持に起因する基板表面の変形が発生すると、この変形
は、その部分の基板を垂直方向に変形させるだけではな
く、基板平面方向に対しても歪ませてしまうことがあっ
た。さらに、チャックの基板支持凸部の配列は、基板の
位置合わせマークの配列に対しても何の考慮もされてお
らず、基板の位置合わせマークの配列が変更されても常
に同じチャックが用いられている。このために、基板の
吸着保持に起因した基板表面の変形により、位置合わせ
マークの座標誤差が発生するけれども、基板の位置合わ
せマークと基板支持凸部の関係が不明であるために、座
標誤差を補正するなどの対処方法がなく、重ね合わせ精
度が劣化していた。
【0005】また、半導体製造工程の中でも基板上に微
細なパターンを露光転写するリソグラフィ工程では、そ
の微細化に伴なって減少する焦点深度や転写パターンの
座標誤差を考慮して、チャックに保持された基板の平坦
度を可能な限り小さくしていく必要がある。基板表面の
変形による基板水平面方向の歪みが大きいと、基板の位
置合わせマークの座標誤差が結果として大きくなり、し
かもその座標誤差が1回で加工する領域(以下、ショッ
トという)や1半導体素子(以下、ダイという)毎に違
っていると、種々のパターンを重ね合わせて製造する半
導体では、パターンの重ね合わせが悪くなり、ショット
によって差が大きいと容易に補正する方法もなく、最悪
の場合には半導体素子の不良を引き起こしてしまう。
【0006】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、基板の
吸着保持に起因する基板表面の変形によって発生する位
置合わせマークの座標誤差の基板の加工精度への影響を
軽減することができる基板吸着保持方法、基板吸着保持
装置、および該基板吸着保持装置を用いた露光装置なら
びにデバイス製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板吸着保持方法は、基板を支持する凸部
を有する載置台を備え、該凸部によって基板を吸着保持
する基板吸着保持方法において、基板の加工時の位置合
わせに用いる位置合わせマークの位置または位置合わせ
マークを作成する位置に対して、前記凸部を特定の位置
関係となるように配列することを特徴とする。
【0008】本発明の基板吸着保持方法においては、前
記位置合わせマークの位置または位置合わせマークを作
成する位置が前記凸部上に配列されるように基板を保持
することが好ましく、あるいは、前記位置合わせマーク
の位置または位置合わせマークを作成する位置が前記凸
部の配列の中央部に配列されるように基板を保持するこ
とが好ましい。また、前記位置合わせマークの位置また
は位置合わせマークを作成する位置は基板の複数の加工
領域範囲の外側に設けることもできる。
【0009】本発明の基板吸着保持方法において、前記
基板は複数の加工領域を有し、前記凸部は、前記基板に
おける各加工領域のいずれに対しても同一の配列となる
ように形成されていることが好ましく、また、前記凸部
は、前記基板における前記位置合わせマークまたは位置
合わせマークを作成する各加工領域のいずれに対しても
同一の配列となるように形成されていることが好まし
い。
【0010】本発明の基板吸着保持方法において、前記
凸部は縁堤型凸部とピン接触型凸部の少なくとも一方で
あることが好ましい。
【0011】また、本発明の基板吸着保持方法は、基板
を支持する凸部を有する載置台を備え、該凸部によって
基板を吸着保持する基板吸着保持方法において、前記凸
部に形成された溝を利用して前記凸部の内側を真空吸引
するとともに、前記凸部の周りの圧力を調整して基板を
保持することを特徴とする。
【0012】さらに、本発明の基板吸着保持装置は、基
板を支持する凸部を有する載置台を備え、該凸部によっ
て基板を吸着保持する基板吸着保持装置において、基板
の加工時の位置合わせに用いる位置合わせマークの位置
または位置合わせマークを作成する位置に対して、前記
凸部を特定の位置関係となるように配列することを特徴
とする。
【0013】本発明の基板吸着保持装置においては、前
記位置合わせマークの位置または位置合わせマークを作
成する位置が前記凸部上に配列されるように基板を保持
することが好ましく、あるいは、前記位置合わせマーク
の位置または位置合わせマークを作成する位置が前記凸
部の配列の中央部に配列されるように基板を保持するこ
とが好ましい。
【0014】本発明の基板吸着保持装置において、前記
基板は複数の加工領域を有し、前記凸部は、前記基板に
おける各加工領域のいずれに対しても同一の配列となる
ように形成されていることが好ましく、また、前記凸部
は、前記基板における前記位置合わせマークまたは位置
合わせマークを作成する各加工領域のいずれに対しても
同一の配列となるように形成されていることが好まし
い。
【0015】本発明の基板吸着保持装置においては、前
記位置合わせマークの位置または位置合わせマークを作
成する位置は、基板の複数の加工領域範囲の外側に設け
ることができ、また、前記凸部は、前記位置合わせマー
クの位置または位置合わせマークを作成する位置に対応
する部位を囲むよう配置されていることが好ましい。
【0016】本発明の基板吸着保持装置においては、前
記凸部は縁堤型凸部とピン接触型凸部の少なくとも一方
であることが好ましい。
【0017】本発明の基板吸着保持装置においては、前
記載置台と前記基板との間を減圧することにより基板を
前記載置台上に吸着保持する真空吸引手段および/また
は前記基板の各加工領域内での前記載置台と前記基板と
の空間の圧力を調整することができる圧力調整手段を備
えていることが好ましく、また、前記圧力調整手段は、
前記基板の各加工領域内での基板吸着力を基板全体にわ
たって同一にすることができるように構成されているこ
とが好ましい。
【0018】本発明の基板吸着保持装置においては、前
記載置台と前記基板との間を減圧することにより基板を
前記載置台上に吸着保持する真空吸引手段および/また
は前記位置合わせマークの位置または位置合わせマーク
を作成する位置に対応する部位を囲むように配置された
凸部内の領域での前記載置台と前記基板との空間の圧力
を調整することができる圧力調整手段を備えていること
が好ましい。
【0019】本発明の基板吸着保持装置においては、前
記基板の位置合わせマークまたは位置合わせマークを作
成する位置と前記載置台の凸部とが特定の位置関係にな
るように両者を位置調整しうる機構を備えることが好ま
しい。
【0020】さらに、本発明の基板吸着保持装置は、基
板を支持する凸部を有する載置台を備え、該凸部によっ
て基板を吸着保持する基板吸着保持装置において、前記
凸部は、該凸部の内側に設けられ前記基板を真空吸引す
るための吸引溝を有し、前記基板を保持するため前記凸
部の周りの圧力を調整する圧力調整手段とを有すること
を特徴とする。
【0021】さらに、本発明の露光装置は、上述した基
板吸着保持装置および該基板吸着保持装置により吸着保
持された基板に対して原版のパターンを露光転写する露
光手段を備えていることを特徴とする。
【0022】本発明の露光装置においては、基板の吸着
保持に起因する基板の加工表面の変形によって発生する
位置合わせマークの座標誤差を、基板の位置合わせマー
クと凸部の配列との位置関係から算出する制御手段を備
えていることが好ましく、前記制御手段は、基板の位置
合わせマークと凸部の配列との位置関係に基づく関数ま
たはテーブルにより前記座標誤差を算出すること機能を
有することが好ましい。
【0023】本発明の露光装置において、前記制御手段
は、算出された位置合わせマークの座標誤差に基づいて
計測された位置合わせマークの位置を補正する機能を有
し、あるいは、位置合わせマークの座標誤差に基づいて
投影光学系を制御し、基板の位置合わせを行なう機能を
有することが好ましい。
【0024】また、本発明のデバイス製造方法は、上述
した露光装置を用いて基板を露光する工程を含む製造工
程によってデバイスを製造することを特徴とする。
【0025】
【作用】本発明によれば、基板吸着保持装置(チャッ
ク)における載置台の基板を支持する凸部の配列の全体
または一部を、基板の全ての位置合わせマークの位置ま
たは位置合わせマークを作成する位置に対して特定の形
状または特定の位置関係となるように配列することによ
り、例えば、基板の全ての位置合わせマークの位置また
は位置合わせマークの作成位置が凸部上にまたは凸部の
配列の中央部に位置するように凸部を配列することによ
り、位置合わせマークは、基板吸着保持に起因する基板
表面の変形の影響を受けることがなく、これにより、基
板表面の変形に起因する位置合わせマークの座標誤差を
無くすことができあるいは軽減することができ、基板の
加工精度や重ね合わせ精度の劣化を阻止することができ
る。
【0026】また、基板の位置合わせマークの位置また
は位置合わせマークを作成する位置とその近傍の凸部の
配列が特定の位置関係にあれば、それらの位置関係か
ら、基板吸着保持による基板表面の変形に起因する位置
合わせマークの座標誤差を予め見積もり算出することが
でき、その算出結果に基づいて計測された位置合わせマ
ークの座標誤差を補正することができる。
【0027】これにより、基板の加工精度やパターンの
重ね合わせ精度が基板吸着保持による表面たわみの影響
で劣化することを防ぐことができ、基板表面の形状が原
因の半導体素子などの不良の発生をなくすことができ
る。
【0028】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【0029】図1は、本発明の基板吸着保持方法の特徴
を最もよく表す図であり、(a)は、本発明の基板吸着
保持方法に基づいて構成される基板吸着保持装置の一実
施例を示す平面図であり、(b)は、基板のショットあ
るいはダイの配列の一例を示す基板の平面図であり、
(c)は、位置合わせマークのパターン例を示す。
【0030】図1の(a)において、1は、半導体露光
装置等のチャックステージ上に設置される基板吸着保持
装置としてのチャックであり、同図(b)において、1
00はチャック1に吸着保持されるウェハ等の基板であ
り、101は基板100の一回で加工する領域(ショッ
ト)あるいは1半導体素子(ダイ)の境界線(以下、ス
クライブラインという)を示す。そして、基板100の
位置合わせマークは、スクライブライン101上におけ
る10で示す×印の複数の位置および11で示す△印の
複数の位置にそれぞれ設置されているかあるいはその位
置に作成するようにし、×印の位置10には、同図
(c)に示すx方向の位置計測用のマークである位置合
わせマーク12が設けられ、△印の位置11には、y方
向の位置計測用のマークである位置合わせマーク13が
設けられる。なお、基板の位置合わせマークとしては、
基板に予め設けられている位置合わせマークとともに次
加工工程のために基板に作成される位置合わせマークも
含む。
【0031】図1の(a)に図示するチャック1におい
て、基板100を載置するための載置台を構成する基板
を支持する凸部2として、頂部表面が高い平坦度に仕上
げられた縁堤凸部とその頂部の幅中央に設けられている
真空吸引溝とからなる縁堤型凸部2aが用いられ、本実
施例では、基板100のショットのスクライブライン1
01に沿って該スクライブライン101を中心とした配
列となっている。この縁堤型凸部2aの配列により、基
板100がチャック1に吸着保持される際には、基板1
00の位置合わせマークは常に凸部2aの上に配置され
るようになっている。3は、チャック1の外周部に設け
られた環状の凸部であり、縁堤凸部と真空吸引溝で構成
されており、4は、環状の凸部3と凸部2aの間の領域
を示し、この領域4は必要に応じて基板支持用の凸部や
真空吸引溝を設けることができる領域である。5は、基
板吸着のために用いる真空吸引装置8(図2参照)に連
通された吸引穴であり、凸部2aおよび3のそれぞれの
真空吸引溝に連通するように設けられている。6は、チ
ャック1に吸着保持されている基板100とチャック1
の間の空間の気体圧力を調整するための開口穴であり、
この開口穴6は、凸部2aによって区画された部位(す
なわち、基板100のショットの内側に対応する部分)
にそれぞれ設けられ、図2に図示するように、圧力調整
装置7に連通する。また、基板100を支持する載置台
の凸部2aと3は、その基板100に接触する部分の総
面積が基板面積の10%以下となるように設定すること
が望ましい。
【0032】以上のように構成されたチャック1は、チ
ャック1の上に載置された基板100を、図2に図示す
るように、真空吸引装置8の作動により吸引穴5を通し
て吸引し、縁堤型凸部2aおよび3の上に吸着保持す
る。そして、圧力調整装置7を制御することにより、開
口穴6を介して、チャック1に吸着保持されている基板
100とチャック1の間の空間に対し排気あるいは給気
することによって、その空間の圧力を調整することがで
きるように構成されている。
【0033】以上のように、本実施例のチャック1と基
板100を位置合わせして真空吸着すると、基板100
のショットのスクライブライン101に沿って配列され
た凸部2aに設けられた真空吸引溝でこのスクライブラ
イン101部分が吸着固定され、基板100の表面に
は、図2に図示するように、たわむような変形が発生す
る。この基板表面の変形は、基板を水平面内にも歪ませ
る。すなわち、このような水平面内の歪みによって、基
板表面の変形に起因して発生するショット単位の座標誤
差は図3に例示するようになる。なお、図3において、
○印が基板のショット内の位置で、線の長さが○印の位
置の座標誤差量を表す。このショット単位の座標誤差
は、基板表面の傾き量によって決まるので、基板表面の
傾きが水平に近い場所では座標誤差は小さい。図2にお
いて、21で示すスクライブライン101の部分および
22で示すショットの中央部分において座標誤差は小さ
くなっている(なお、図3には21で示すスクライブラ
イン101部分に相当するところは示していない。)。
したがって、基板100の位置合わせマーク12、13
が、ショットの内部(スクライブライン部を除く)に設
けられていると仮定すると、図3に示すような座標誤差
の影響を大きく受ける。しかしながら、本実施例におい
ては、基板の位置合わせマークはスクライブライン10
1中に配置されていることにより、基板のこの部分は、
図2の21で示す位置に相当し、真空吸引溝付きの縁堤
型凸部2aで支持されている。したがって、位置合わせ
マークの位置する部分はほぼ水平状態にあり、位置合わ
せマークは、基板吸着保持に起因する座標誤差の影響を
ほとんど受けないようにすることができる。
【0034】また、基板加工の工程が進んで位置合わせ
マークの設置場所を変更する必要が生じた場合でも、ス
クライブライン中ならばどの位置を選んでも同じ効果を
得ることができる。さらに、本実施例においては、ショ
ットの中央部分も、図2の22で示す位置に相当し、基
板吸着保持による基板の表面変形に起因する座標誤差を
受けない場所であるため、位置合わせマークを設置する
ことができる。また、圧力調整装置7の機能により基板
100とチャック1の間の空間の気体圧力を調整するこ
とにより、図2の22で示すような座標誤差の影響を受
けない領域を拡張することができ、必要に応じて座標誤
差の影響を受けない領域を拡げることができ、位置合わ
せマークの設置しうる領域を拡大することができる。
【0035】なお、図1の(c)に図示する位置合わせ
マーク12は、x方向の位置検出マークで、該マークが
基板表面の変形に起因する座標誤差の影響を受けない場
所の必要条件は、少なくともx方向に基板表面の傾きが
ないことであり、y方向の傾きはx方向の位置検出には
影響しない。同様に、図1の(c)に図示する位置合わ
せマーク13は、y方向の位置検出マークで、該マーク
が基板表面の変形に起因する座標誤差の影響を受けない
場所の必要条件は、少なくともy方向に基板表面の傾き
がないことであり、x方向の傾きはy方向の位置検出に
は影響しない。
【0036】以上のように、チャックにおける基板を保
持する載置面に点在する載置台の凸部の配列の全体また
は一部を、基板の全ての位置合わせマークの位置あるい
は位置合わせマークを作成する位置に対して特定の形状
または特定の位置関係となるように配列することによ
り、例えば、基板の全ての位置合わせマークの位置ある
いは位置合わせマークの作成位置を載置台の凸部の中心
上に位置するようにすれば、位置合わせマークは、基板
を吸着保持したことによる基板表面の変形の影響を受け
ることがなく、これにより、基板表面の変形に起因する
位置合わせマークの座標誤差を軽減することができ、基
板の加工精度や重ね合わせ精度の劣化を阻止することが
できる。
【0037】次に、本発明の基板吸着保持装置の他の実
施例について図4を参照して説明する。
【0038】本実施例においては、基板を支持する凸部
として、前述した図1の(a)に図示する実施例におけ
る縁堤型凸部2aに代えてピン接触型凸部2bを採用
し、かつ図1の(b)に図示する基板100の位置合わ
せマークの設置位置10、11が凸部2bの配列の中央
にくるようにしたものである。なお、図4において、基
板のスクライブライン101を破線で示し、10、11
は位置合わせマークの設置位置を示す。このようにピン
接触型凸部2bの配列の中央に位置合わせマークを位置
させることは、図2の基板のたわみを示す断面図におけ
る22で示す位置に位置合わせマークを付することに相
当し、この凸部の配列の中央部は、図3における中央部
のように座標誤差の小さい場所である。
【0039】また、本実施例においては、基板を加工す
る領域の保持が全てピン接触型凸部2bであるため、基
板とチャックの接触面積を前述した実施例より小さくす
ることができ、このため、吸着保持する基板とチャック
1の間の異物挟み込みの影響を一層少なくできる。
【0040】また、基板の加工工程が進んで位置合わせ
マークの設置場所を変更する必要が生じた場合でも、本
実施例では、別の凸部2bの配列の中央に位置合わせマ
ークを設ければ、同じ効果を得ることができる。また、
本実施例では、ピン接触型凸部2bの真上に位置する基
板表面の場所も、図2において21で示す位置に相当す
る場所であって、基板保持による基板表面の変形に起因
する座標誤差の影響を受けないところであり、位置合わ
せマークの設置場所とすることができる。
【0041】さらに、図4に図示する実施例において
は、チャック1と基板100の位置関係を特定の状態に
するために位置合わせマークをチャック1に配設してあ
る。すなわち、チャック1に基板100を吸着保持させ
た際に基板100に覆われて隠れてしまわない部分、例
えば、9で示す部分に、図1の(c)に示す位置合わせ
マーク12、13を組にして複数箇所に設けてある。基
板100には、前述した実施例と同様に、例えば、10
で示す×印の位置に図1の(c)に示す位置合わせマー
ク12を設け、11で示す△印の位置に図1の(c)に
示す位置合わせマーク13を設けておく。これらのチャ
ック1と基板100を、露光装置(後述する図8参照)
等におけるアライメントスコープ(108)と水平面内
に移動可能なチャックステージ(107)を用いて、チ
ャック1とチャック1に保持される基板100との位置
関係を計測し、駆動機構(不図示)により、チャック1
と基板100の位置関係を調整し、その後に基板100
を吸着固定する。これにより、基板の位置合わせマーク
の配列がチャック1のピン接触型凸部2bの配列の中央
にくるようにするなど、基板の位置合わせマークの配列
とチャックの凸部の配列を特定の位置関係にすることが
できる。なお、位置合わせマークは、通常の露光装置に
おいて、基板とレチクルの投影像を合わせる目的で一般
に使われているものでよく、そして、露光装置は、通
常、アライメントスコープの機能をもっているので、特
に新規の機能を露光装置に付設する必要がない利点があ
る。
【0042】図5には、本発明の基板吸着保持装置の他
の実施例を図示する。本実施例は、基板を支持する凸部
に真空吸引溝を設けない場合の例であり、凸部として、
例えば、図4に図示する実施例と同様のピン接触型凸部
2bを用い、さらに、図4に図示する実施例における真
空吸引装置に連通される吸引穴5を、圧力調整装置7に
連通する開口穴6としてある。本実施例においては、圧
力調整装置7により、基板100とチャック1間の空間
の気体圧力を基板上面の気圧に対して負圧側で調整する
ことにより基板吸着機能を兼用させるものであり、図2
に図示する実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。また、図2および図5に図示する実施例において、
基板100に対向する開口穴6の各々に対して異なった
圧力調整を行なえるように構成すれば、基板全体にわた
るたわみや局所的にひどく撓んだ場合などにも個々に対
応することが可能となる。
【0043】次に、本発明の基板吸着保持装置の他の実
施例について図6を参照して説明する。
【0044】前述した実施例においては、基板の位置合
わせマークを設置する場所を基板のスクライブライン上
や各ショットの中央部等のショット配列(複数の加工領
域の配列)内としているけれども、本実施例では、基板
の位置合わせマークをショット配列の外側に設ける場合
において、基板吸着保持に起因する基板表面のたわみ等
の変形の影響を受けることなく位置合わせマークの座標
誤差を軽減しようとするものである。
【0045】図6において、(a)は、本実施例のチャ
ックの平面図であり、(b)は、本実施例のチャックに
吸着保持される基板の平面図であり、(c)は、本実施
例のチャックの基板支持凸部と基板の位置合わせマーク
設置位置との関係を示す図である。
【0046】本実施例のチャック1に吸着保持される基
板100においては、図6の(b)に示すように、x方
向の位置計測用の位置合わせマークの設置位置10(×
印で示す)とy方向の位置計測用の位置合わせマークの
設置位置11(△印で示す)は、ショット配列(スクラ
イブライン101により区画される複数の加工領域の配
列)の外側に設けられている。
【0047】本実施例のチャック1は、図6の(a)に
図示するように、載置台の基板支持凸部として、基板の
ショット配列に対応する領域内に格子状に並列された多
数のピン接触型凸部2bおよびチャック1の外周部に設
けられた縁堤凸部と真空吸引溝で構成される環状の縁堤
型凸部3が設けられ、さらに、多数のピン接触型凸部2
bと外周部の環状凸部3との間の領域4(基板のショッ
ト配列の外側の領域に対応する)内で複数の箇所(図に
おいては8箇所)に長方形状に配列された多数のピン接
触型凸部2b(o)が設けられ、また、基板吸着のため
の真空吸引装置に連通した吸引穴5は、縁堤型凸部3の
真空吸引溝内および多数の凸部2bと外周部の環状凸部
3との間の領域4に配置されている。長方形状に配列し
たピン接触型凸部2b(o)は、それぞれ、基板100
の位置合わせマーク設置位置10、11に対応する部位
を囲むように配置され、しかも、基板100の位置合わ
せマーク設置位置10、11が、基板吸着時の基板表面
の変形に起因する座標誤差を起こさない場所、例えば、
図2において符号22で示すような座標誤差の影響を受
けない位置と同等の場所、となるような位置関係をもっ
て配置されている。また、格子状に並列された多数のピ
ン接触型凸部2bは、基板100の各ショットの間隔
(ピッチ)の1/10の間隔(ピッチ)で配列されてい
る。
【0048】以上のように構成される本実施例において
は、基板100の位置合わせマークをショット配列の外
側に設ける場合においても、基板100がチャック1上
に吸着保持される際に、基板100の位置合わせマーク
設置位置10、11の周辺部が長方形状に配列されたピ
ン接触型凸部2b(o)により支持され、位置合わせマ
ーク設置位置10、11は、長方形状に配列されたピン
接触型凸部2b(o)に対して、座標誤差を起こさない
場所となるような位置関係となっているために、位置合
わせマーク設置位置10、11は、基板吸着保持に起因
する基板表面のたわみ等の変形の影響を受けることがな
く、位置合わせマークの座標誤差を軽減でき、基板の加
工精度や重ね合わせ精度の劣化を阻止することができ
る。
【0049】また、基板の位置合わせマーク設置位置
が、基板吸着時に、基板支持凸部に対して、図2におい
て符号22で示す位置と同等の場所となるならば、基板
支持凸部は、前述したピン接触型凸部に限らず、縁堤型
凸部あるいは縁堤凸部で形成することもでき、また、位
置合わせマーク設置位置を囲む基板支持凸部の配列形状
も、長方形状に限らず、三角形状や多角形状あるいは楕
円形状とすることもできる。さらに、基板のショット配
列の外側に設ける位置合わせマーク設置位置に対応する
部位に基板支持凸部を設け、この基板支持凸部により基
板の位置合わせマーク設置位置を支持することにより、
図2において符号21で示す位置のように、位置合わせ
マーク設置位置をほぼ水平状態として、位置合わせマー
クの座標誤差をなくすることができ、同様に基板の加工
精度や重ね合わせ精度の劣化を阻止することができる。
次に、本発明の基板吸着保持装置の他の実施例について
図7を参照して説明する。
【0050】本実施例は、図6に図示する実施例の変形
例であり、図6に図示する実施例と同様に、基板の位置
合わせマークをショット配列の外側に設ける場合におい
て、基板吸着保持に起因する基板表面のたわみ等の変形
の影響を受けることなく位置合わせマークの座標誤差を
軽減するものである。
【0051】図7において、(a)は、本実施例のチャ
ックの平面図であり、(b)は、本実施例のチャックの
基板支持凸部と基板の位置合わせマーク設置位置との関
係を示す図であり、(c)は、チャック上に基板を吸着
保持した状態における位置合わせマーク設置位置の近傍
を破断して示す部分的な斜視図である。
【0052】本実施例のチャック1に吸着保持される基
板100は、図6の(b)に図示する基板と同様であっ
て、位置合わせマーク設置位置10(×印で示す)およ
び位置合わせマーク設置位置11(△印で示す)はショ
ット配列の外側に設けられており、本実施例におけるチ
ャック1は、図7の(a)に図示するように、載置台の
基板支持凸部として、基板のショット配列に対応する領
域内に格子状に並列された多数のピン接触型凸部2bお
よびチャック1の外周部に設けられた縁堤凸部と真空吸
引溝で構成される環状の縁堤型凸部3が設けられ、さら
に、多数のピン接触型凸部2bと外周部の環状凸部3と
の間の領域4(基板のショット配列の外側の領域に対応
する)内で複数の箇所(図においては8箇所)に長方形
状に配置された縁堤凸部2c(o)が設けられ、また、
基板吸着のための真空吸引装置に連通した吸引穴5は、
縁堤型凸部3の真空吸引溝内および多数の凸部2bと外
周部の環状凸部3との間の領域4に配置されている。そ
して、長方形状の縁堤凸部2c(o)により区画された
部位にはそれぞれ圧力調整装置7(図7の(c))に連
通される開口穴6が設けられている。この圧力調整装置
7は、チャック1上に基板100を吸着保持した際に、
基板100とチャック1の間の空間に対して排気または
吸気することにより、その空間の気体圧力を調整するこ
とを可能にする。長方形状に配置された縁堤凸部2c
(o)は、図6に図示する実施例と同様に、基板100
の位置合わせマーク設置位置10、11に対応する部位
をそれぞれ囲むように配置され、しかも、基板100の
位置合わせマーク設置位置10、11が、基板吸着時の
基板表面の変形に起因する座標誤差を起こさない場所、
例えば、図2において符号22で示すような座標誤差の
影響を受けない位置と同等の場所、となるような位置関
係をもって配置されている。
【0053】以上のように構成される本実施例において
は、前述した実施例(図6)の作用効果に加えて、圧力
調整装置7によって縁堤凸部2c(o)により区画され
た部位の基板100とチャック1との間の空間に対し排
気または吸気することでその空間の気体圧力を調整する
ことができ、基板吸着時において縁堤凸部2c(o)で
支持される基板100の領域内のたわみ量を調整するこ
とが可能となり、基板100の位置合わせマーク設置位
置10、11およびその周辺の表面変形を適宜調整して
基板表面の平面矯正を行なうことができ、基板吸着保持
に起因する基板表面のたわみ等の変形の影響を受けない
領域を拡げることが可能となり、位置合わせマークを設
置しうる範囲が拡大する。
【0054】このように、本実施例においては、基板の
位置合わせマーク設置位置10、11は、基板吸着保持
に起因する基板表面のたわみ等の変形の影響を受けるこ
とがなく、位置合わせマークの座標誤差を確実に排除す
ることができ、さらに、縁堤凸部2c(o)により区画
された部位の基板をほぼ水平状態に保持することができ
ることから、位置合わせマークを設置しうる範囲を拡大
することができる。以上のように本実施例においても、
基板の加工精度や重ね合わせ精度の劣化を阻止すること
ができる。
【0055】上述した各実施例のように、基板の位置合
わせマークの位置あるいは位置合わせマークを作成する
位置とその近傍の凸部の配列を特定の位置関係として、
基板内のそれぞれの位置合わせマークの位置あるいはそ
の作成位置を、基板吸着保持に起因する基板表面の変形
の影響を受けにくい場所に設けることにより、基板表面
の変形による位置合わせマークの座標誤差を軽減するこ
とができる。
【0056】さらに、位置合わせマークの位置あるいは
その作成位置について、基板の位置合わせマークの位置
あるいはその作成位置とその近傍の基板支持凸部の配列
とが特定の位置関係にあれば、基板吸着保持による基板
表面の変形を予想することができ、これにより位置合わ
せマークの基板表面の変形による座標誤差を予め見積も
り算出することができる。したがって、位置合わせマー
クを計測するときに、予め算出された基板表面の変形に
よる位置合わせマークの座標誤差を計測結果に対して補
正してやれば、これらの悪影響要因を一層軽減すること
ができる。
【0057】また、位置合わせマークの位置あるいはそ
の作成位置が、上述した各実施例に示したとおりの位置
に設置できない場合でも、図8に図示する露光装置等に
より、基板の位置合わせマークあるいは位置合わせマー
ク作成位置の配列とチャックの凸部の配列との組み合わ
せにより位置合わせマークの座標誤差を演算し、その演
算結果をアライメントスコープの位置合わせマークの検
出結果に対して考慮することで、投影光学系の倍率調整
やディストーション調整を行なって、レチクルの投影像
と基板のパターンの最適の重ね合わせが可能となる。
【0058】また、座標誤差の演算は、座標誤差を算出
するための関数を用いてもよいし、位置合わせマークあ
るいは位置合わせマーク作成位置とその近傍の凸部との
位置関係に基づいて作成されたテーブルを利用してもよ
い。
【0059】次に、図8を参照して露光装置について説
明する。
【0060】図8において、103はウェハ等の基板1
00に転写露光するパターンが形成されている原版とし
てのレチクルまたはマスク(以下、単にレチクルとい
う)であり、レチクルステージ106に保持される。1
07は、チャック1を保持し水平面(xy面)内で移動
可能なチャックステージであり、108は、露光装置と
基板、基板とチャックの位置関係を計測するアライメン
トスコープであり、111は、投影レンズの倍率やディ
ストーション調整機能をもつ投影光学系であり、112
は、位置合わせマークの検出結果に対して基板表面の歪
みに起因する位置合わせマークの座標誤差を演算校正し
て投影光学系111の調整を指示する制御装置である。
【0061】レチクル103を透過した露光光は、投影
光学系111によって縮小され、チャック1に吸着保持
されている基板100上に照射される。基板100上に
は、予め露光光によって化学反応を効果的に起こす感光
剤であるレジスト材料が薄く塗布されており、次工程の
エッチングマスクとして機能する。
【0062】このように構成された露光装置において、
基板吸着保持に起因する基板表面の変形による位置合わ
せマークの座標誤差は、位置合わせマークの基板内の設
置位置とチャックの凸部の配列との組み合わせが分かれ
ば計算することができる。このため、位置合わせマーク
の位置が、前述した各実施例に示したとおりの位置に設
置できない場合でも、基板の位置合わせマークの配列と
チャックの基板支持凸部の配列との組み合わせから、位
置合わせマークの座標誤差を制御装置112で演算し、
その演算結果をアライメントスコープ108の位置合わ
せマークの検出結果に対して考慮することで、レチクル
103の投影像と基板100のパターンの最適の重ね合
わせができるよう投影光学系111の倍率調整やディス
トーション調整を行なうことができる。
【0063】基板の位置合わせマークとチャックの基板
を支持する凸部の配列との位置合わせの許容値は、以下
のようなモデルで近似計算し見積もることができる。な
お、図9において、(a)は、凸部に吸着保持された基
板のたわみを図示した図であり、(b)は、等分布荷重
を受ける両端固定の梁のモデル図であり、(c)は、基
板たわみによる変形を受けない中立面と基板表面の関係
を説明する図である。
【0064】基板を支持する凸部2の間隔をlとする場
合における基板のたわみは、図9の(a)に図示するよ
うになり、この場合の材料力学上のモデルは、同図
(b)に示す等分布荷重を受ける両端固定の梁のモデル
があてはまり、日本機械学会編「機械工学便覧」(丸善
発行)等によれば、真空圧pなどによって決まる単位長
さ当たりの荷重をw、断面二次モーメントをI、凸部端
の間隔をl、縦弾性係数をEとするとき、凸部端を原点
として隣接する凸部の方向にxの位置での基板のたわみ
vと基板の傾斜iは、以下のようになる。
【0065】
【数1】 ここで、基板の厚さhおよび同図(b)に示す幅bを用
いれば、
【数2】 なる関係がある。同図(c)で厚さhのほぼ中心を通る
一点鎖線は、どのxの位置においてもx方向に伸縮しな
い面である中立面を示している。この中立面に対して基
板表面はたわみの影響で場所によってx方向に伸縮が発
生する。中立面から基板表面までの距離は、基板への加
工状態や吸着状態の影響を受けるので、中立面補正係数
をkとして、基板表面の座標誤差dは以下のようにな
る。
【0066】
【数3】 したがって、
【数4】 となる。この(6)式により基板の位置合わせマークの
配列とチャックの凸部との位置合わせ誤差(理想状態の
xの値xo と実際にずれたxの値xa との差)の許容値
は、位置合わせに影響を及ぼさない座標誤差の許容値を
設定すれば、実際に行なう装置や基板で決まる値p、
h、E、Iが既知であるので、求めることができる。座
標誤差の許容値をdc とすると、以下の(7)式を満足
するように位置合わせ誤差の許容値xc を決定すること
ができる。
【0067】
【数5】 なお、実用上は、二次元の凸部の配列を考慮して、
(6)式を発展したものを用いる方がさらに正確にな
る。
【0068】次に、本発明の基板およびチャックを交換
するための装置について、図10を参照して説明する。
【0069】本発明においては、基板の位置合わせマー
クの配列が変わり、チャックの凸部の配列と所定の位置
関係が保てなくなると、チャックに交換しなければなら
ない。そこで、チャックの交換を、スループットを落と
すことなく、行なうことができる装置を図10に図示す
る。
【0070】図10において、116は、それぞれの基
板の加工形状に合わせて凸部が配列されているチャック
1a、1b……が収納されているチャックカセットであ
り、117は、チャック1a、1b……の内の所定のチ
ャックをチャックカセット116から取り出し、そのチ
ャック1を露光などの加工を行なうチャックステージ1
07に設置する搬送ロボットである。123は加工する
基板100を収納する基板カセットであり、124は、
基板カセット123から基板100を取り出し該基板1
00をプリアライメントステージ125へ搬送する搬送
ロボットであり、127は、プリアライメントステージ
125でプリアライメントされた基板をXYステージ1
07上に設置されているチャック1上に載置する搬送ロ
ボットである。
【0071】以上のように構成された装置において、加
工する基板100は、基板カセット123から搬送ロボ
ット124により取り出され、基板の外形形状検知セン
サー126を備えたプリアライメントステージ125で
露光装置の投影像に対して概略の位置合わせを行なうの
が普通である。このプリアライメントを行なっている間
に、チャック搬送ロボット117で必要なチャック1を
チャックステージ107とチャックカセット116との
間で交換するようにすることにより、スループットを大
きく落とすことなく、基板に合わせたチャックの使用が
可能となる。
【0072】なお、本発明の基板吸着保持方法および基
板吸着保持装置は、露光装置における使用に限定される
ものではなく、例えば液晶基板製造装置、磁気ヘッド製
造装置、半導体等の各種検査装置、マイクロマシンの製
造等においても使用することができることはいうまでも
ない。
【0073】次に、上述した本発明の露光装置を利用し
たデバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0074】図11は、微小デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステッ
プ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウェハ
製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウェハを
製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4に
よって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
【0075】図12は、上記ウェハプロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップ11(酸化)ではウェハの表面を
酸化させる。ステップ12(CVD)ではウェハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウェ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イ
オン打込み)ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ
15(レジスト処理)ではウェハにレジストを塗布す
る。ステップ16(露光)では上述した投影露光装置に
よってマスクの回路パターンをウェハの複数のショット
領域に並べて焼き付け露光する。ステップ17(現像)
では露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチ
ング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで
不要となったレジストを取り除く。これらのステップを
繰り返し行なうことによって、ウェハ上に多重に回路パ
ターンが形成される。
【0076】このようなデバイスの製造方法を用いれ
ば、従来は製造が困難であった高集積度のデバイスを安
定的に低コストで製造することができる。
【0077】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
吸着保持される基板の表面のたわみに対して基板の位置
合わせマークの位置あるいは位置合せマークを作成する
位置を特定の位置にすることができ、基板表面たわみに
起因する位置合わせマークの座標誤差の影響を受けない
ようにすることができ、また、位置合わせマークとその
近傍の基板を支持する凸部の配列との位置関係から位置
合わせマークの座標誤差を予め算出することができ、こ
の算出結果に基づいて計測された位置合わせマークの座
標誤差を補正することができる。
【0078】したがって、露光装置では、パターンの重
ね合わせ精度が基板吸着保持による表面たわみの影響で
劣化することを防ぐことができ、基板表面の形状が原因
の半導体素子などの不良の発生をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板吸着保持方法の特徴を最もよく表
す図であり、(a)は本発明の基板吸着保持方法に基づ
いて構成される基板吸着保持装置の一実施例を示す平面
図であり、(b)は基板のショットあるいはダイの配列
の一例を示す基板の平面図であり、(c)は位置合わせ
マークのパターン例を示す。
【図2】本発明の基板吸着保持装置を基板を吸着保持し
た状態で図示する部分断面図である。
【図3】基板の吸着保持に起因して発生するショット単
位の座標誤差の一例を示す図である。
【図4】本発明の基板吸着保持装置の他の実施例を示す
平面図である。
【図5】本発明の基板吸着保持装置のさらに他の実施例
を基板を吸着保持した状態で図示する部分断面図であ
る。
【図6】(a)は本発明の基板吸着装置の他の実施例を
示す平面図であり、(b)は本実施例の基板吸着装置に
吸着保持される基板の平面図であり、(c)は本実施例
の基板吸着装置における基板支持凸部と基板の位置合わ
せマーク設置位置との関係を示す図である。
【図7】(a)は本発明の基板吸着装置の他の実施例を
示す平面図であり、(b)は本実施例の基板吸着装置に
おける基板支持凸部と基板の位置合わせマーク設置位置
との関係を示す図であり、(c)は本実施例の基板吸着
装置に基板を吸着保持した状態における位置合わせマー
ク設置位置の近傍を破断して示す部分的な斜視図であ
る。
【図8】露光装置の構成を図示する概略図である。
【図9】(a)は凸部に吸着保持された基板のたわみを
図示した図であり、(b)は等分布荷重を受ける両端固
定の梁のモデル図であり、(c)は基板たわみによる変
形を受けない中立面と基板表面の関係を説明する図であ
る。
【図10】基板およびチャックを交換するための装置の
構成を図示する概略図である。
【図11】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャ
ートである。
【図12】ウェハプロセスを示すフローチャートであ
る。
【図13】従来の基板吸着保持装置の平面図である。
【符号の説明】
1 基板吸着保持装置(チャック) 2 (基板支持)凸部 2a 縁堤型凸部 2b ピン接触型凸部 3 (基板周辺支持)縁堤型凸部 5 吸引穴 6 開口穴 7 真空吸引装置 8 圧力調整装置 9 (チャックの)位置合わせマーク設置位置 10、11 (基板の)位置合わせマーク設置位置 12、13 位置合わせマーク 100 基板 101 スクライブライン 103 レチクル 106 レチクルステージ 107 チャックステージ 108 アライメントスコープ 111 投影光学系 112 制御装置 116 チャックカセット 117 チャック搬送ロボット 123 基板カセット 125 プリアライメントステージ 126 基板外形形状検知センサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高林 幸夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 藤田 いたる 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 FA05 HA08 HA14 HA53 JA01 JA14 JA27 JA38 KA06 MA27 PA13 5F046 CC08 CC10

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を支持する凸部を有する載置台を備
    え、該凸部によって基板を吸着保持する基板吸着保持方
    法において、 基板の加工時の位置合わせに用いる位置合わせマークの
    位置または位置合わせマークを作成する位置に対して、
    前記凸部を特定の位置関係となるように配列することを
    特徴とする基板吸着保持方法。
  2. 【請求項2】 前記位置合わせマークの位置または位置
    合わせマークを作成する位置が前記凸部上に配列される
    ように基板を保持することを特徴とする請求項1記載の
    基板吸着保持方法。
  3. 【請求項3】 前記位置合わせマークの位置または位置
    合わせマークを作成する位置が前記凸部の配列の中央部
    に配列されるように基板を保持することを特徴とする請
    求項1記載の基板吸着保持方法。
  4. 【請求項4】 前記基板は複数の加工領域を有し、前記
    凸部は、前記基板における各加工領域のいずれに対して
    も同一の配列となるように形成されていることを特徴と
    する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の基板吸着
    保持方法。
  5. 【請求項5】 前記凸部は、前記基板における前記位置
    合わせマークまたは位置合わせマークを作成する各加工
    領域のいずれに対しても同一の配列となるように形成さ
    れていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか
    1項に記載の基板吸着保持方法。
  6. 【請求項6】 前記位置合わせマークの位置または位置
    合わせマークを作成する位置が、前記基板の複数の加工
    領域範囲の外側に設けられていることを特徴とする請求
    項1ないし3のいずれか1項に記載の基板吸着保持方
    法。
  7. 【請求項7】 前記凸部は、前記位置合わせマークの位
    置または位置合わせマークを作成する位置に対応する部
    位を囲むように配置されていることを特徴とする請求項
    6記載の基板吸着保持方法。
  8. 【請求項8】 前記凸部は、縁堤型凸部とピン接触型凸
    部の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1な
    いし7のいずれか1項に記載の基板吸着保持方法。
  9. 【請求項9】 基板を支持する凸部を有する載置台を備
    え、該凸部によって基板を吸着保持する基板吸着保持方
    法において、 前記凸部に形成された溝を利用して前記凸部の内側を真
    空吸引するとともに、前記凸部の周りの圧力を調整して
    基板を保持することを特徴とする基板吸着保持方法。
  10. 【請求項10】 基板を支持する凸部を有する載置台を
    備え、該凸部によって基板を吸着保持する基板吸着保持
    装置において、 基板の加工時の位置合わせに用いる位置合わせマークの
    位置または位置合わせマークを作成する位置に対して、
    前記凸部を特定の位置関係となるように配列することを
    特徴とする基板吸着保持装置。
  11. 【請求項11】 前記位置合わせマークの位置または位
    置合わせマークを作成する位置が前記凸部上に配列され
    るように基板を保持することを特徴とする請求項10記
    載の基板吸着保持装置。
  12. 【請求項12】 前記位置合わせマークの位置または位
    置合わせマークを作成する位置が前記凸部の配列の中央
    部に配置されるように基板を保持することを特徴とする
    請求項10記載の基板吸着保持装置。
  13. 【請求項13】 前記基板は複数の加工領域を有し、前
    記凸部は、前記基板における各加工領域のいずれに対し
    ても同一の配列となるように形成されていることを特徴
    とする請求項10ないし12のいずれか1項に記載の基
    板吸着保持装置。
  14. 【請求項14】 前記凸部は、前記基板における前記位
    置合わせマークまたは位置合わせマークを作成する各加
    工領域のいずれに対しても同一の配列となるように形成
    されていることを特徴とする請求項10ないし13のい
    ずれか1項に記載の基板吸着保持装置。
  15. 【請求項15】 前記位置合わせマークの位置または位
    置合わせマークを作成する位置が、前記基板の複数の加
    工領域範囲の外側に設けられていることを特徴とする請
    求項10ないし12のいずれか1項に記載の基板吸着保
    持装置。
  16. 【請求項16】 前記凸部は、前記位置合わせマークの
    位置または位置合わせマークを作成する位置に対応する
    部位を囲むように配置されていることを特徴とする請求
    項15記載の基板吸着保持装置。
  17. 【請求項17】 前記凸部は、縁堤型凸部とピン接触型
    凸部の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1
    0ないし16のいずれか1項に記載の基板吸着保持装
    置。
  18. 【請求項18】 前記載置台と前記基板との間を減圧す
    ることにより基板を前記載置台上に吸着保持する真空吸
    引手段および/または前記基板の各加工領域内での前記
    載置台と前記基板との空間の圧力を調整することができ
    る圧力調整手段を備えていることを特徴とする請求項1
    0ないし17のいずれか1項に記載の基板吸着保持装
    置。
  19. 【請求項19】 前記圧力調整手段は、前記基板の各加
    工領域内での基板吸着力を基板全体にわたって同一にす
    ることができるように構成されていることを特徴とする
    請求項18記載の基板吸着保持装置。
  20. 【請求項20】 前記載置台と前記基板との間を減圧す
    ることにより基板を前記載置台上に吸着保持する真空吸
    引手段および/または前記位置合わせマークの位置また
    は位置合わせマークを作成する位置に対応する部位を囲
    むように配置された凸部内の領域での前記載置台と前記
    基板との空間の圧力を調整することができる圧力調整手
    段を備えていることを特徴とする請求項15または16
    記載の基板吸着保持装置。
  21. 【請求項21】 前記基板の位置合わせマークまたは位
    置合わせマークを作成する位置と前記載置台の凸部とが
    特定の位置関係になるように両者を位置調整しうる機構
    を備えることを特徴とする請求項10ないし20のいず
    れか1項に記載の基板吸着保持装置。
  22. 【請求項22】 基板を支持する凸部を有する載置台を
    備え、該凸部によって基板を吸着保持する基板吸着保持
    装置において、 前記凸部は、該凸部の内側に設けられ前記基板を真空吸
    引するための吸引溝を有し、前記基板を保持するため前
    記凸部の周りの圧力を調整する圧力調整手段とを有する
    ことを特徴とする基板吸着保持装置。
  23. 【請求項23】 請求項10ないし22のいずれか1項
    に記載の基板吸着保持装置、および該基板吸着保持装置
    により吸着保持された基板に対して原版のパターンを露
    光転写する露光手段を備えていることを特徴とする露光
    装置。
  24. 【請求項24】 基板の吸着保持に起因する基板の加工
    表面の変形によって発生する位置合わせマークの座標誤
    差を、基板の位置合わせマークと凸部の配列との位置関
    係から算出する制御手段を備えていることを特徴とする
    請求項23記載の露光装置。
  25. 【請求項25】 前記制御手段は、基板の位置合わせマ
    ークと凸部の配列との位置関係に基づく関数またはテー
    ブルにより前記座標誤差を算出することを特徴とする請
    求項24記載の露光装置。
  26. 【請求項26】 前記制御手段は、算出された位置合わ
    せマークの座標誤差に基づいて計測された位置合わせマ
    ークの位置を補正する機能を有することを特徴とする請
    求項24または25記載の露光装置。
  27. 【請求項27】 前記制御手段は、位置合わせマークの
    座標誤差に基づいて投影光学系を制御し、基板の位置合
    わせを行なう機能を有することを特徴とする請求項24
    ないし26のいずれか1項に記載の露光装置。
  28. 【請求項28】 請求項23ないし27のいずれか1項
    に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程を含む製
    造工程によってデバイスを製造することを特徴とするデ
    バイス製造方法。
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