JP2010034243A - 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
保持された基板の平坦度を改善する有用な技術を提供する。
【解決手段】
基板であるガラスプレート(36)を保持する基板保持装置であって、ガラスプレート(36)を引きつけて保持し、ガラスプレート(36)に接する複数の領域を囲んで形成された保持台であるチャック(35)と、前記複数の領域それぞれに対応して配置され、ガラスプレート(36)に力を加えてガラスプレート(36)を変形させるアクチュエータである吸気口(4)、排気口(5)と、を有することを特徴とする基板保持装置。
【選択図】図1
Description
まず、予め厚みを計測された基準ガラスプレートを用意し、チャック上に基準ガラスプレートを搭載する。次に、基準ガラスプレートの高さを、フォーカスセンサを用いて全面計測し、計測した高さの結果より、上記工程で予め計測した基準ガラスプレートの厚みを差し引く。この結果の平均値が、チャック全体の高さの平均値となり、平均値と計測値の差分がチャックの各計測位置における補正量となり、この補正量がトレランス外である場合には、チャックの下に求めた補正量に相当する箔を挿入し、各点の計測位置の高さを調整する。
上記工程を繰り返し実施して、チャック全面、および一括露光領域での平坦度がトレランスに入るように調整する。露光プロセスで流れるガラスプレートに対しては、フォーカスセンサでガラスプレートの高さ、傾きを計測後、チャックの高さ、傾きを補正し、ガラスプレートの平坦度を保証していた。
そこで、本発明は、例えば、保持された基板の平坦度を改善する有用な技術を提供することを目的とする。
図1は走査型投影露光装置の全体構成を示す概念図で、液晶用のガラスプレートのような大型の基板にマスクのパタ−ンを露光する露光装置について説明する。
投影光学系10を挟んで垂直方向の上側にマスクステージ20が配置され、下側にプレートステージ(被露光基板ステージ)30が配置されている。これらマスクステージ20とプレートステージ30はそれぞれ個別に移動可能であり、これらの移動位置はともにレーザ干渉測長器50により計測制御可能である。
プレートステージ30は本体ベース31上に配置したYステージ32およびXステージ33を有する。なお、X方向およびY方向は互いに直交する方向とする。このXYステージ上にθZステージ34が搭載され、この上にチャック35を配置し、それにより露光されるべき基板であるガラスプレート36を支持する。従って、ガラスプレート36は、プレートステージ30によりX、YおよびZ方向に移動可能であると共にXY面内でも回転可能に支持されることになる。θZステージ34は、露光時、ガラスプレート36の表面を投影光学系10のプレート側焦点面に一致させるためのものである。投影光学系10の下部にはフォーカスセンサ42が複数個配置され、フォーカスセンサ42はガラスプレート36の高さを検出する計測手段である。
マスクステージ20は、マスクステージ基板21と、その上に配置されたXYθステージ22とを備え、この上に投影されるべきパタ−ンを有するマスク23を配置される。従って、マスク23はXおよびY方向に移動可能であると共にXY面内で回転可能に支持されることになる。マスクステージ20の上方には、マスク23とガラスプレート36の像を投影光学系10を介して観察できる観察光学系40が配置され、さらにその上方に照明光学系41が配置されている。
マスクステージ20およびプレートステージ30は共にレーザ干渉測長器50により位置計測制御される。レーザ干渉測長器50はレ−ザヘッド51、干渉ミラ−52,53、およびθZステージ34に取り付けられた第1の反射ミラ−54とマスクステージ基板21に取り付けられた第2の反射ミラ−55を有する。ここで、レーザ干渉測長器50のレーザビーム位置は、マスクステージ20については上下方向(投影光学系10の光軸方向)ではほぼ投影光学系10のマスク側焦点面に、水平面内ではほぼ投影光学系10の光軸位置に設定され、プレートステージ30については水平面内ではほぼ投影光学系10の光軸位置に設定されているが、上下方向では投影光学系10のプレート側焦点面から下側に距離Lだけ変位した位置を通るように設定されている。
上記露光装置は、本実施例1の基板保持装置を有し、この基板保持装置は、基板であるガラスプレート36を保持する装置である。
保持台であるチャック35は、ガラスプレート36を引きつける複数の引きつけ部であるバキューム口3を有し、ガラスプレート36に対するショットレイアウトに応じてバキューム口3の一部を選択して、ガラスプレート36を引きつける。
さらに、選択されたバキューム口3の内、ショットの周囲に位置するバキューム口3の引きつけ力を、その他のバキューム口3の引きつけ力より大きくする場合もある。
チャックフレーム1は、ガラスプレート36に接する複数の領域であるブロックエリア2を囲むように形成される。アクチュエータである吸気口4、排気口5は、ブロックエリア2それぞれに対応して配置され、ガラスプレート36に力を加えてガラスプレート36を変形させる。アクチュエータである吸気口4、排気口5は、流体によりガラスプレート36に力を加え、複数の領域内であるブロックエリア2内の気体の圧力を調節する手段である。
チャック35の各ブロックエリア2は、ブロックエリア2内の圧力、流量を制御する吸気口4、排気口5、および、その流量を計測する流量センサ8a,8bを有する。吸気口4、排気口5は、露光装置の図示されない排気系、吸気系に接続される。投影光学系10の下にチャックフレーム1に搭載されたガラスプレート36の高さを計測するフォーカスセンサ42を有する。
制御手段である演算処理装置11は、フォーカスセンサ42により計測されたガラスプレート36面の高さに基づいて、アクチュエータである吸気口4、排気口5の気体流量を制御する装置である。各ブロックエリア2は、各々独立して気体流量を制御される。
各ブロックエリア2に対応するガラスプレート36の高さは、アクチュエータである吸気口4、排気口58の流量によって調整する。各ブロックエリア2の高さ情報とフォーカスセンサ42による計測結果を元に、演算制御装置11は各アクチュエータである吸気口4、排気口5の気体流量を制御する。
まず、1つのブロックエリア2における初期調整について説明をする。
初期調整時には、流量設定値に対するガラスプレート面の高さ計測値の関係、すなわちゲイン値Gを算出することが必要である。また、デフォルト流量設定時のガラスプレート面の高さ算出する必要がある。
そこで、厚みである平坦度を全面に亘って計測済みの基準ガラスプレート12を用意する。(ステップ101)
次に、基準ガラスプレート12をチャックフレーム1に搭載し、バキューム口3で吸着して固定する。(ステップ102)
各ブロックエリア2の流量設定値をデフォルト値になるように演算処理装置11で設定する。(ステップ103)
この状態で、各ブロックエリア2の基準ガラスプレート12の高さを、フォーカスセンサ42で計測する。(ステップ104)
基準ガラスプレート12のフルストロークの駆動完了しない場合(ステップ105)、演算処理装置11により流量設定値を予め決めた一定量だけ増加させ(ステップ106)、各ブロックエリア2の基準ガラスプレート12の高さをフォーカスセンサ42を用いて計測する。(ステップ104)これを流量設定値の上限まで繰り返す。
基準ガラスプレート12のフルストロークの駆動完了した場合(ステップ105)、各ブロックエリア2の流量設定値をデフォルト値になるように演算処理装置11で設定する。(ステップ107)
次に、各ブロックエリア2の基準ガラスプレート12の高さをフォーカスセンサ42を用いて計測する。(ステップ108)
基準ガラスプレート12のフルストロークの駆動完了しない場合(ステップ109)、演算処理装置11により流量設定値を予め決めた一定量だけ減少させ(ステップ110)、各ブロックエリア2の基準ガラスプレート12の高さをフォーカスセンサ42を用いて計測する。(ステップ108) 同様に演算処理装置11より流量設定値を減少させて(ステップ110)、流量設定値の下限まで繰り返す。
基準ガラスプレート12のフルストロークの駆動完了した場合(ステップ109)、
各流量設定値と基準ガラスプレート12高さ計測値を図4に示されるようにプロットし、その傾きより、以下の式に表されるゲイン値G、オフセット値が求められる。(ステップ111)
Zmeas=G*(Fset−Fdflt)+Zofs
ここで、Zmeasは、プレート高さ計測値、Gは、ゲイン値、Fsetは、流量設定値、Fdlftは、流量デフォルト設定値、Zofsは、流量デフォルト設定値時のプレート高さ計測値である。
予め計測してあった基準ガラスプレート12の各ブロックエリアの平均値をZaveとする。この値が、基準ガラスプレート12の基準値となる。各ブロックエリア2の平均値Zaveより、計測したガラスプレート36の高さZbaseを差し引くと、この基準ガラスプレート12を用いた時の補正値となる。
従って、基準ガラスプレート12の影響を考慮した、チャック35の面補正後の流量設定値Ftargetは以下のように表せる。
Ftarget=(Zave−Zbase−Zofs)/G+Fdflt
このチャック35の面補正後の流量設定値Ftargetを、全てのブロックエリア2に対して予め算出、設定し記憶しておく。(ステップ112)
全てのブロックエリア2を設定しておくことにより、通常のガラスプレート36が搭載されたときには、チャック35の平面度が補正された状態となる。
最後にブロックエリア2の計測したガラスプレート36の高さをフォーカスセンサ42で確認のために計測する。(ステップ113)
本実施例1によれば、大型で且つ高平坦度なチャックを製作することが不要で、製造コストが安くなる。ガラスプレート平坦度を調整するために、箔調整ではなくアクチュエータによる制御のため、調整時間が短縮される。チャックとガラスプレートが接触する部分が減少することにより、静電気が発生しにくくなり、ガラスプレートの剥離時に露光パターンの損傷が発生しにくい。
本実施例2においては、アクチュエータである吸気口4、排気口5は、複数の領域であるブロックエリア2それぞれに対応して配置され、ガラスプレート36に力を加えてガラスプレート36を変形させる。また、複数の領域であるブロックエリア2それぞれに対応して配置され、流体を収容する袋である制御バック12を有する。制御バック12は、ブロックエリア2とガラスプレート36の裏面に囲まれた空間1aに位置し、複数の領域内であるブロックエリア2内の流体の量を調節する。この場合、制御バック12の内部の制御物質は気体ではなく、流体、例えば、温調されたC−Oilや水でもよい。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板(ウェハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その露光された基板を現像する工程と、現像された基板を加工する工程と、を経ることにより形成、製造される。現像された基板を加工する工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。
2 ブロックエリア
3 バキューム口
8 アクチュエータ
12 基準ガラスプレート
35 チャック
36 ガラスプレート
Claims (10)
- 基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板を引きつけて保持し、前記基板に接する複数の領域を囲んで形成された保持台と、
前記複数の領域それぞれに対応して配置され、前記基板に力を加えて前記基板を変形させるアクチュエータと、を有することを特徴とする基板保持装置。 - 前記アクチュエータは、流体により前記基板に力を加えることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記アクチュエータは、前記領域内の気体の圧力を調節することを特徴とする請求項2に記載の基板保持装置。
- 前記アクチュエータは、前記領域内の流体の量を調節することを特徴とする請求項2に記載の基板保持装置。
- 前記複数の領域それぞれに配置された、前記流体を収容する袋を有することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の露光装置。
- 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する請求項1乃至5のいずれかに記載された基板保持装置を有することを特徴とする露光装置。 - 前記基板の高さを検出する計測手段と、前記計測手段により計測された前記高さに基づいて前記アクチュエータを制御する制御手段と、を有することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
- 前記保持台は、前記基板を引きつける複数の引きつけ部を有し、前記基板に対するショットレイアウトに応じて前記複数の引きつけ部の一部を選択して前記基板を引きつけることを特徴とする請求項6または7に記載の露光装置。
- 選択された前記引きつけ部の内、ショットの周囲に位置する引きつけ部の引きつけ力を、その他の引きつけ部の引きつけ力より大きくすることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
- 請求項6乃至9のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板を加工する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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---|---|---|---|
JP2008194217A JP2010034243A (ja) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
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