JP5682106B2 - 基板処理方法、及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。

フラットパネルディスプレイ等の電子デバイスの製造工程においては、例えば特許文献１に開示されているような露光装置等、各種の基板処理装置が使用される。基板処理装置は、基板を保持する保持部を有し、その保持部に基板を搬送して基板を処理する。

特開２００１−１００１６９号公報

基板が歪んだ状態で保持部に保持され、処理された場合、例えば基板に形成されるパターンが歪んでしまう可能性がある。その結果、不良デバイスが発生し、デバイスの生産性が低下する可能性がある。

本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる基板処理方法、及び基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、保持部に保持された基板に対して第１処理を実行する基板処理方法であって、前記基板と前記保持部との間の気体を吸引装置により吸引して前記保持部で前記基板を保持することと、前記保持部に保持された前記基板の歪みに関する情報を検出することと、検出した前記歪みに関する情報に基づいて、前記吸引装置によって前記基板の所定エリアを吸引しつつ前記所定エリアと異なるエリアに対して前記保持部の給気口を介して気体を吹き出して前記基板の歪みを補正する補正処理を行うことと、を含む基板処理方法が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、保持部に保持された基板に対して第１処理を実行する基板処理装置であって、前記基板と前記保持部との間の気体を吸引して前記保持部に前記基板を保持させる吸引装置と、前記保持部に保持された前記基板の歪みに関する情報を検出する検出装置と、検出した前記歪みに関する情報に基づいて、前記吸引装置によって前記基板の所定エリアを吸引しつつ前記所定エリアと異なるエリアに対して前記保持部の給気口を介して気体を吹き出して前記基板の歪みを補正する補正処理を行う制御装置と、を備える基板処理装置が提供される。

本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す側面図である。 第１実施形態に係る基板保持部の一例を示す平面図である。 第１実施形態に係る基板保持部の一部を拡大した側断面図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す側面図である。 第１実施形態に係るトレイの一例を示す図である。 第１実施形態に係る投影領域と検出領域と基板との関係の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係る検出装置の検出原理を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る検出装置の検出原理を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る検出装置の動作の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る検出装置の動作の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る検出装置の動作の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る検出装置の一例を示す図である。 デバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の一例を示す概略構成図、図２は、斜視図である。本実施形態においては、基板処理装置が、露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸである場合を例にして説明する。

図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持可能なマスク保持部１９を有し、そのマスク保持部１９でマスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持可能な基板保持部２１を有し、その基板保持部２１で基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板保持部２１に基板Ｐを搬送する搬送装置７と、マスクステージ１を移動する駆動システム３と、基板ステージ２を移動する駆動システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測する干渉計システム６と、基板Ｐの表面の位置を検出する検出システム８と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。

また、露光装置ＥＸは、基板保持部２１に搬送された基板Ｐの歪みに関する情報を検出する検出装置５０を備えている。本実施形態において、検出装置５０の少なくとも一部は、基板保持部２１に配置されている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光材）とを含む。本実施形態において、基板Ｐは、大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズは、例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約３０００ｍｍの矩形のガラスプレートを用いる。

また、露光装置ＥＸは、ボディ１３を備えている。ボディ１３は、例えばクリーンルーム内の支持面（例えば床面）ＦＬ上に防振台ＢＬを介して配置されたベースプレート１０と、ベースプレート１０上に配置された第１コラム１１と、第１コラム１１上に配置された第２コラム１２とを有する。本実施形態において、ボディ１３は、投影システムＰＳ、マスクステージ１、及び基板ステージ２のそれぞれを支持する。本実施形態において、投影システムＰＳは、定盤１４を介して、第１コラム１１に支持される。マスクステージ１は、第２コラム１２に対して移動可能に支持される。基板ステージ２は、ベースプレート１０に対して移動可能に支持される。

本実施形態において、投影システムＰＳは、複数の投影光学系ＰＬを有する。照明システムＩＳは、複数の投影光学系ＰＬに対応する複数の照明モジュールＩＬを有する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。

照明システムＩＳは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射可能である。照明領域ＩＲは、各照明モジュールから射出される露光光ＥＬが照射される位置を含む。照明システムＩＳは、異なる複数の照明領域ＩＲのそれぞれを露光光ＥＬで照明する。照明システムＩＳは、マスクＭのうち照明領域ＩＲに配置された部分を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプ１７から射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲに対して移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。駆動システム３は、例えばリニアモータを含み、第２コラム１２のガイド面１２Ｇ上においてマスクステージ１を移動可能である。本実施形態において、マスクステージ１は、駆動システム３の作動により、マスクＭを保持した状態で、ガイド面１２Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

投影システムＰＳは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射可能である。投影領域ＰＲは、各投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射される位置を含む。本実施形態において、投影システムＰＳは、異なる複数の投影領域ＰＲのそれぞれにマスクＭのパターンの像を投影する。投影システムＰＳは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲに対して移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。駆動システム４は、例えばリニアモータを含み、ベースプレート１０のガイド面１０Ｇ上において基板ステージ２を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、駆動システム４の作動により、基板Ｐを保持した状態で、ガイド面１０Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

干渉計システム６は、マスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット６Ａと、基板ステージ２の位置を計測するレーザ干渉計ユニット６Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット６Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット６Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２の位置を計測可能である。本実施形態において、干渉計システム６は、レーザ干渉計ユニット６Ａ，６Ｂを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＸ方向に関するマスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置を計測可能である。

図３は、本実施形態に係る基板ステージ２の一部を示す側面図、図４は、基板ステージ２の一部を上方から見た平面図、図５は、基板ステージ２の一部を拡大した側断面図である。なお、図３及び図４は、基板Ｐが保持されていない状態を示し、図５は、基板Ｐが保持されている状態を示す。

図３、図４、及び図５において、基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２１と、支持部２３を介して基板保持部２１を支持するテーブル２２とを有する。支持部２３は、ロッド状の部材である。支持部２３は、テーブル２２上に複数配置されている。基板保持部２１は、基板Ｐが載置される載置面２０を有する。載置面２０の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板保持部２１は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。本実施形態において、基板保持部２１の外形（ＸＹ平面内における大きさ及び形状）と、基板Ｐの外形（ＸＹ平面内における大きさ及び形状）とは、ほぼ同じである。また、基板保持部２１は、載置面２０の間に溝２４を有する。溝２４は、格子状に形成されている。

本実施形態において、基板保持部２１は、真空吸着機構３０を含み、基板Ｐをリリース可能に保持する。真空吸着機構３０は、載置面２０に形成され、気体を吸引可能な吸引口３１と、流路３２を介して吸引口３１に接続された吸引装置３３とを備えている。流路３２の少なくとも一部は、基板保持部２１に配置されている。本実施形態において、流路３２の少なくとも一部は、基板保持部２１の内部に形成されている。吸引装置３３は、例えば真空システムを含み、吸引口３１の周囲の気体の少なくとも一部を吸引可能である。

真空吸着機構３０は、所謂、ピンチャック機構を含む。ピンチャック機構は、基板保持部２１に設けられた周壁部（リム部）と、周壁部の内側に配置された複数のピン部とを含む。吸引口３１は、周壁部の内側に配置される。本実施形態において、載置面２０は、周壁部の上面、及びピン部の上面を含む。

吸引口３１は、流路３２の上端に配置されている。載置面２０の少なくとも一部は、吸引口３１の周囲に配置されている。吸引装置３３は、基板保持部２１と基板Ｐとの間の気体の少なくとも一部を、吸引口３１及び流路３２を介して吸引可能である。

吸引装置３３は、基板保持部２１と基板Ｐとの間の気体の少なくとも一部を吸引して、基板保持部２１（載置面２０）に基板Ｐを吸着させる。制御装置５は、基板Ｐが基板保持部２１の少なくとも一部に接触された状態で、吸引装置３３による吸引動作を実行することによって、基板Ｐを基板保持部２１に吸着させる。

本実施形態において、吸引口３１及び流路３２は、基板保持部２１において複数箇所に配置されている。

本実施形態において、露光装置ＥＸは、流路３２の気体の圧力（気圧）を検出可能な圧力センサ３６を備えている。圧力センサ３６は、複数の流路３２（吸引口３１）に対応して、複数配置されている。

本実施形態において、検出装置５０は、圧力センサ３６を含む。検出装置５０は、圧力センサ３６を用いて、流路３２の気圧に関する情報を検出可能である。本実施形態において、基板Ｐの歪みに関する情報の検出は、流路３２の気圧に関する情報の検出を含む。検出装置５０は、圧力センサ３６を用いて検出した流路３２の気圧に関する情報に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出する。

図６は、基板保持部２１に基板Ｐを搬送している状態の一例を示す図、図７は、基板保持部２１に搬送された基板Ｐがその基板保持部２１に保持されている状態の一例を示す図である。

制御装置５は、搬送装置７を用いて基板Ｐを基板保持部２１に搬送する。本実施形態において、基板Ｐは、例えば特開２００１−１００１６９号公報に開示されているように、トレイＴＰに支持されて搬送される。搬送装置７は、トレイＴＰを搬送可能である。搬送装置７は、基板Ｐを支持したトレイＴＰを支持して搬送可能である。

本実施形態において、基板保持部２１に対して基板Ｐを搬送する処理は、基板受け渡し位置（基板交換位置）において実行される。基板受け渡し位置は、投影システムＰＳから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（露光位置）と異なる。基板保持部２１に対して基板Ｐを搬送する際、制御装置５は、基板ステージ２を基板受け渡し位置に移動する。搬送装置７は、その基板受け渡し位置に移動された基板ステージ２の基板保持部２１に基板Ｐを搬送する。基板受け渡し位置において基板Ｐが基板保持部２１に保持された後、制御装置５は、その基板保持部２１で基板Ｐを保持した基板ステージ２を露光位置に移動して、基板Ｐを露光することができる。

図８は、基板Ｐを支持するトレイＴＰの一例を示す平面図である。図８に示すように、トレイＴＰは、複数のロッド部材４０を組み合わせた構造を有する。トレイＴＰは、フレーム構造を有し、複数の開口４１を有する。トレイＴＰは、基板Ｐの裏面と対向可能な支持面４２を有する。基板Ｐの少なくとも一部は、トレイＴＰの支持面４２に支持される。

図５等に示すように、トレイＴＰの少なくとも一部は、基板保持部２１に形成された溝２４に配置される。載置面２０は、開口４１の内側に配置される。

図６に示すように、基板保持部２１に基板Ｐを搬送（搬入、ロード）するとき、搬送装置７は、基板Ｐを支持したトレイＴＰを搬送する。制御装置５は、基板保持部２１と、基板Ｐを支持したトレイＴＰとが対向するように、基板ステージ２及び搬送装置７の少なくとも一方の位置を調整する。制御装置５は、トレイＴＰが基板保持部２１の溝２４に配置されるように、基板保持部２１とトレイＴＰとの位置関係を調整しつつ、基板保持部２１と基板Ｐを支持したトレイＴＰとが接近するように、搬送装置７を制御する。トレイＴＰを支持した搬送装置７が基板保持部２１に接近するように下降することによって、トレイＴＰが基板保持部２１の溝２４に配置されるとともに、基板Ｐの裏面が基板保持部２１の載置面２０と接触する。トレイＴＰが溝２４に配置された状態において、トレイＴＰの支持面４２は、載置面２０より下方に配置される。トレイＴＰが下降し、溝２４に配置されることによって、トレイＴＰの支持面４２に支持されていた基板Ｐは、支持面４２から離れ、載置面２０に載置される。基板Ｐは、基板Ｐの少なくとも一部が吸引口３１と対向するように、載置面２０に載置される。基板Ｐが載置面２０に載置された後、制御装置５は、真空吸着機構３０の吸引装置３３を作動する。吸引装置３３が作動されることによって、基板保持部２１と、その基板保持部２１に対向するように配置された基板Ｐとの間の気体の少なくとも一部が、流路３２を介して吸引される。これにより、図７に示すように、トレイＴＰの少なくとも一部が溝２４に配置された状態で、基板Ｐが載置面２０に吸着され、保持される。

図９は、投影システムＰＳの投影領域と、検出システム８の検出領域と、基板Ｐとの関係の一例を示す模式図である。

本実施形態において、投影システムＰＳは、７つの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射する。本実施形態において、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれは、ＸＹ平面内において台形である。本実施形態において、投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７、が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６、が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６に対して−Ｘ側に配置されている。また、Ｙ軸方向に関して、投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の間に、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が配置される。

本実施形態において、検出システム８は、複数の検出領域を有する。本実施形態において、検出システム８は、７つの検出領域ＰＺ１〜ＰＺ７を有する。検出システム８は、その検出領域ＰＺ１〜ＰＺ７に配置された基板Ｐの表面のＺ軸方向の位置（面位置）を検出する。検出システム８は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、基板保持部２１に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の光センサを有する。光センサは、載置面２０に保持された基板Ｐの表面に検出光を照射して、基板Ｐの表面の位置を検出する。光センサのそれぞれは、検出領域ＰＺ１〜ＰＺ７に検出光を照射する投射部と、検出領域ＰＺ１〜ＰＺ７に配置された基板Ｐの表面からの検出光を受光可能な受光部とを有する。

本実施形態において、検出領域ＰＺ１、ＰＺ３、ＰＺ５、ＰＺ７が、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して−Ｘ側に離れて配置され、検出領域ＰＺ２、ＰＺ４、ＰＺ６が、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して＋Ｘ側に離れて配置される。また、検出領域ＰＺ１、ＰＺ３、ＰＺ５、ＰＺ７が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置され、検出領域ＰＺ２、ＰＺ４、ＰＺ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置される。また、Ｙ軸方向に関して、検出領域ＰＺ１、ＰＺ３、ＰＺ５、ＰＺ７の間に、検出領域ＰＺ２、ＰＺ４、ＰＺ６が配置される。

制御装置５は、基板ステージ２をＸ軸方向に移動して、検出領域ＰＺ１〜ＰＺ７に対して基板ステージ２（基板保持部２１）に保持された基板Ｐの表面をＸ軸方向に移動して、検出領域ＰＺ１〜ＰＺ７に、基板Ｐの表面に設定された複数の検出点を配置して、それら複数の検出点のＺ軸方向の位置を検出可能である。制御装置５は、第２検出システム８から出力される、複数の検出点のそれぞれで検出された基板Ｐの表面のＺ軸方向の位置に基づいて、基板Ｐの表面のＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置（マップデータ）を取得可能である。

次に、検出装置５０の動作の一例について説明する。検出装置５０は、圧力センサ３６が検出した流路３２の気圧に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出する。

以下、図１０及び図１１の模式図を参照して、検出装置５０の検出原理について説明する。図１０は、基板保持部２１に保持された基板Ｐの歪みが発生していない状態の一例を示す模式図、図１１は、基板保持部２１に保持された基板Ｐの歪みが発生している状態の一例を示す模式図である。以下の説明において、基板Ｐの歪みが発生していない状態を適宜、理想状態、と称し、基板Ｐの歪みが発生している状態を適宜、歪み状態、と称する。

なお、上述のように、本実施形態において、基板保持部２１は、周壁部とピン部とを有するピンチャック機構を含む。図５、図１０、及び図１１においては、図面を見やすくするため、周壁部及びピン部の記載を省略し、載置面２０が平坦であることとする。

図１０に示すように、基板Ｐが理想状態の場合、載置面２０に形成されている複数の吸引口３１のそれぞれと、基板Ｐの裏面との位置関係は、均一となる。

一方、図１１に示すように、基板Ｐが歪み状態の場合、載置面２０に形成されている複数の吸引口３１のそれぞれと、基板Ｐの裏面との位置関係は、不均一となる。

本実施形態においては、基板Ｐを載置面２０に吸着させる際、複数の流路３２のそれぞれに対する気体の吸引動作が同時に開始される。すなわち、基板Ｐが載置面２０に載置されて（接触して）、複数の吸引口３１と基板Ｐとが対向した後、複数の流路３２のそれぞれに対する気体の吸引動作が同時に開始される。

また、複数の流路３２のそれぞれに対する吸引装置３３による気体の吸引力（複数の流路３２のそれぞれから吸引する単位時間当たりの気体吸引量）は、等しい。

したがって、図１０に示すように、複数の吸引口３１のそれぞれと基板Ｐとの位置関係が均一である場合、吸引動作を開始してからの複数の流路３２のそれぞれの気圧の変化の状態は等しい。

一方、図１１に示すように、複数の吸引口３１のそれぞれと基板Ｐとの位置関係が不均一である場合、吸引動作を開始してからの複数の流路３２のそれぞれの気圧の変化の状態は、異なる。

例えば、図１１に示すように、基板Ｐの一部に歪みが発生している場合、複数の吸引口３１のうち、基板Ｐの歪みが発生している歪み発生領域ＡＥと対向する吸引口３１Ｅに接続された流路３２Ｅの気圧の変化の状態は、基板Ｐの歪みが発生してない非歪み発生領域ＡＲと対向する吸引口３１Ｒに接続された流路３２Ｒの気圧の変化の状態と異なる。例えば、吸引装置３３が吸引を開始してから流路３２Ｅの気圧が所定値に達するまでの経過時間は、流路３２Ｒの気圧が所定値に達するまでの経過時間よりも長くなる可能性がある。あるいは、流路３２Ｒの気圧は所定値に達するものの、流路３２Ｅの圧力は所定値に達しない可能性がある。

また、吸引装置３３の吸引中における所定時点の流路３２Ｅの気圧と、流路３２Ｒの気圧とが異なる可能性もある。

また、吸引装置３３の吸引中における流路３２Ｅの気圧の変化の状態と、流路３２Ｒの気圧の変化の状態とが異なる可能性もある。

また、吸引装置３３の吸引において検出される流路３２Ｅの気圧の最小値と、流路３２Ｒの気圧の最小値とが異なる可能性もある。

したがって、検出装置５０は、流路３２の気圧を検出可能な圧力センサ３６の検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。

次に、検出装置５０を用いる検出動作の一例について、図１２〜図１４を参照して説明する。

本実施形態においては、検出装置５０は、複数の流路３２それぞれの気圧に関する情報を、それら複数の流路３２に対応して配置されている複数の圧力センサ３６を用いて検出し、それら複数の流路３２それぞれの気圧に関する情報に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出する。

本実施形態においては、検出装置５０は、基板Ｐにおける歪み発生領域ＡＥを特定することができる。本実施形態においては、例えば図１２に示すように、基板Ｐを複数のエリア（第１エリアＰＡ１〜第１０エリアＰＡ１０）に分けた場合において、検出装置５０は、第１〜第１０エリアＰＡ１〜ＰＡ１０に対応する複数の流路３２それぞれの気圧に関する情報を、それら複数の流路３２に対応して配置されている複数の圧力センサ３６を用いて検出し、それら複数の流路３２それぞれの気圧に関する情報に基づいて、基板Ｐにおける歪み発生領域ＡＥを特定することができる。すなわち、制御装置５は、基板Ｐの第１〜第１０エリアＰＡ１〜ＰＡ１０のうち、どのエリアに歪みが発生しているかを特定することができる。

図１３及び図１４は、第１〜第１０エリアＰＡ１〜ＰＡ１０のそれぞれに対応する流路３２に配置されている圧力センサ３６の出力値の一例を示すグラフである。図１３及び図１４において、横軸は、吸引装置３３が吸引動作を開始してからの経過時間、縦軸は、圧力センサ３６の検出値を示す。

以下の説明において、基板Ｐの第１エリアＰＡ１に対応する流路３２を適宜、第１流路３２Ａ、と称し、その第１流路３２Ａの気圧を検出する圧力センサ３６を適宜、第１圧力センサ３６Ａ、と称する。同様に、基板Ｐの第２〜第１０エリアＰＡ２〜ＰＡ１０のそれぞれに対応する流路３２のそれぞれを適宜、第２〜第１０流路３２Ｂ〜３２Ｊ、と称し、それら第２〜第１０流路３２Ｂ〜３２Ｊのそれぞれの気圧を検出する圧力センサ３６のそれぞれを適宜、第２〜第１０圧力センサ３６Ｂ〜３６Ｊ、と称する。

なお、基板Ｐの第１エリアＰＡ１に対応する第１流路３２Ａとは、その第１エリアＰＡ１に対向する吸引口３１に接続された流路３２をいう。同様に、第２エリアＰＡ２〜第１０エリアＰＡ１０のそれぞれに対応する第２〜第１０流路３２Ｂ〜３２Ｊとは、それら第２〜第１０エリアＰＡ２〜ＰＡ１０に対向する吸引口３１に接続された流路３２をいう。

本実施形態においては、基板Ｐを載置面２０に吸着させる際、第１〜第１０流路３２Ａ〜３２Ｊのそれぞれに対する吸引装置３３による気体の吸引動作が同時に開始される。第１〜第１０流路３２Ａ〜３２Ｊのそれぞれに対する吸引装置３３による気体の吸引力（第１〜第１０流路３２Ａ〜３２Ｊのそれぞれから吸引する単位時間当たりの気体吸引量）は、等しい。

図１３は、基板Ｐが理想状態（歪みが発生していない状態）における第１、第２、第３、第５、第６圧力センサ３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、３６Ｅ、３６Ｆの検出値を示す。

上述のように、基板Ｐが理想状態の場合、載置面２０に形成されている複数の吸引口３１のそれぞれと、基板Ｐの裏面との位置関係は、均一となる。したがって、図１３に示すように、吸引装置３３の吸引動作を開始してからの、その吸引中の流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３６Ｅのそれぞれの気圧の変化の状態は、ほぼ等しい。

本実施形態においては、流路３２（３２Ａ〜３６Ｊ）の気圧に関する基準情報が予め求められており、制御装置５に記憶されている。本実施形態において、基準情報は、理想状態の基板Ｐが基板保持部２１に吸着された流路３２の気圧に関する情報（気圧の変化の状態）を含む。以下の説明において、気圧の変化の状態を適宜、圧力プロファイル、と称する。基準情報は、基準圧力プロファイルを含む。

制御装置５は、その基準圧力プロファイルと、第１、第２、第３、第５、第６圧力センサ３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、３６Ｅ、３６Ｆを用いて検出された第１、第２、第３、第５、第６流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの気圧に関する情報（圧力プロファイル）とに基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出する。

図１３において、ラインＬｒは、基準圧力プロファイル（基準情報）を示す。本実施形態においては、その基準圧力プロファイルＬｒと、第１、第２、第３、第５、第６圧力センサ３６Ａ、３６Ｂ，３６Ｃ，３６Ｅ、３２Ｆを用いて検出された第１、第２、第３、第５、第６流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの圧力プロファイルとは、ほぼ一致する。したがって、制御装置５は、その基準圧力プロファイルＬｒと、第１、第２、第３、第５、第６流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの圧力プロファイルとに基づいて、基板Ｐが理想状態であると判断することができる。

図１４は、基板Ｐが歪み状態（歪みが発生している状態）における第１、第２、第３、第５、第６圧力センサ３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、３６Ｅ、３６Ｆの検出値を示す。基板Ｐが歪み状態の場合、載置面２０に形成されている複数の吸引口３１のそれぞれと、基板Ｐの裏面との位置関係は、不均一となる。したがって、図１４に示すように、吸引装置３３の吸引動作を開始してからの複数の流路３２のそれぞれの気圧の変化の状態（圧力プロファイル）は、異なる。

制御装置５は、上述の基準情報（基準圧力プロファイルＬｒ）と、第１、第２、第３、第５、第６圧力センサ３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、３６Ｅ、３６Ｆを用いて検出された第１、第２、第３、第５、第６流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの圧力プロファイル（気圧に関する情報）とに基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出する。本実施形態においては、その基準圧力プロファイルＬｒと、第３、第５、第６流路３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの圧力プロファイルとはほぼ一致するものの、基準圧力プロファイルＬｒと、第１、第２流路３２Ａ、３２Ｂの圧力プロファイルとは一致しない。したがって、制御装置５は、その基準圧力プロファイルＬｒと、第１、第２、第３、第５、第６流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの圧力プロファイルとに基づいて、基板Ｐが歪み状態であると判断することができる。

また、制御装置５は、基準情報と、第１、第２、第３、第５、第６流路３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｅ、３２Ｆの気圧の検出結果とに基づいて、基板Ｐにおける歪み発生領域ＡＥを検出することができる。すなわち、制御装置５は、基準情報と、第１、第２流路３２Ａ，３２Ｂの気圧に関する情報とに基づいて、第１、第２流路３２Ａ，３２Ｂに対応する第１、第２エリアＰＡ１，ＰＡ２が歪み発生領域ＡＥを含んでいると判断することができる。

なお、ここでは、流路３２の気圧に関する基準情報（基準圧力プロファイルＬｒ）と、圧力センサ３６を用いて検出された流路３２の気圧に関する情報（圧力プロファイル）とに基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報が検出されることとしたが、例えば、吸引装置３３による吸引を開始してから、流路３２の気圧が所定値Ｐｒに達するまでの経過時間Ｔを検出し、その検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することも可能である。例えば、図１４に示すグラフにおいて、吸引装置３３による吸引を開始してから、第１流路３２Ａの気圧が所定値Ｐｒに達するまでの経過時間Ｔ１と、第３流路３２Ｃの気圧が所定値Ｐｒに達するまでの経過時間Ｔ３とは、異なる。制御装置５は、その経過時間Ｔ１，Ｔ３を検出し、その検出した結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。図１４に示す例では、制御装置５は、経過時間Ｔ３に対して経過時間Ｔ１が長いので、第１流路３２Ａに対応する基板Ｐの第１エリアＡ１が歪み発生領域ＡＥを含んでいると判断することができる。

また、制御装置５は、吸引装置３３による吸引中における所定時点Ｔｒの流路３２の気圧を検出し、その検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することもできる。例えば、図１４に示すグラフにおいて、吸引装置３３による吸引中の所定時点Ｔｒにおける、第１流路３２Ａ１の気圧Ｐ１と、第３流路３２Ｃの気圧Ｐ３とは、異なる。制御装置５は、その気圧Ｐ１，Ｐ３を検出し、その検出した結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。図１４に示す例では、制御装置５は、気圧Ｐ３に対して気圧Ｐ１が高いので、第１流路３２Ａに対応する基板Ｐの第１エリアＡ１が歪み発生領域ＡＥを含んでいると判断することができる。

また、制御装置５は、吸引装置３３による吸引において圧力センサ３６によって検出される流路３２の気圧の最小値を検出し、その検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することもできる。例えば、基板Ｐが理想状態の場合、吸引装置３３による吸引動作を継続することによって、流路３２の気圧は、第１値まで低下し、その第１値以下に低下しない状態（飽和状態）となる。一方、基板Ｐが歪み状態の場合、吸引装置３３による吸引動作を継続しているにもかかわらず、基板Ｐの歪み発生領域ＡＥに対応する流路３２の気圧は、第１値よりも高い第２値までしか低下せず、その第２値以下に低下しない状態（飽和状態）となる。例えば、第１流路３２Ａの気圧が第２値以下に低下せず、第３流路３２Ｃの気圧が第１値まで低下する場合、制御装置５は、その吸引装置３３による吸引において第１、第３圧力センサ３６Ａ，３６Ｃによって検出される第１、第３流路３２Ａ，３２Ｃの気圧の最小値（第１値、第２値）を検出し、その検出した結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。

また、制御装置５は、複数の流路３２Ａ〜３２Ｊのうち、例えば第１流路３２Ａの気圧と、第３流路３２Ｃの気圧との差分を検出し、その検出した結果に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することもできる。すなわち、複数の流路の３２Ａ〜３２Ｊの気圧を比較し、異常値を示す流路が存在する場合、その異常値を示す流路に対応する基板Ｐのエリアが歪み発生領域ＡＥを含んでいると判断することができる。例えば、上述の基準圧力プロファイルＬｒ、所定値Ｐｒに達するまでの経過時間、所定時点での気圧、及び吸引において検出される気圧の最小値等を求めることなく、複数の流路３２の気圧を比較することによって、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について、図１５のフローチャートを参照しながら説明する。

本実施形態においては、基板保持部２１に搬送された基板Ｐに対して第１手順に対応した第１処理が実行される。本実施形態において、第１処理は、露光処理についての通常シーケンスに対応した処理を含む。本実施形態において、第１処理は、感光膜が形成され、基板保持部２１に搬送（搬入）されてその基板保持部２１に保持された基板Ｐを露光する処理（ステップＳ５）と、露光された基板Ｐを基板保持部２１から搬送（搬出）する処理（ステップＳ６）とを含む。

また、本実施形態においては、基板保持部２１に搬送された基板Ｐの歪みに関する情報を検出する処理（ステップＳ３）が実行され、その歪みに関する情報に基づいて、基板Ｐに対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断する処理が実行される（ステップＳ８）。また、その要否の判断結果に基づいて、基板Ｐに対して第２処理が実行される（ステップＳ９）。

例えばコーティング装置、成膜装置等、所定の外部装置において、基板Ｐ上に感光膜が形成される（ステップＳ１）。感光膜が形成された基板Ｐは、露光装置ＥＸに搬送される。露光装置ＥＸに搬送された基板Ｐは、トレイＴＰに支持されて、搬送装置７によって、基板保持部２１に搬送（搬入）される（ステップＳ２）。

制御装置５は、検出装置５０を用いて、基板保持部２１に搬送された基板Ｐの歪みに関する情報を検出する（ステップＳ３）。

制御装置５は、検出装置５０の検出結果に基づいて、基板Ｐに歪みが発生しているか否かを判断する（ステップＡ４）。

ステップＳ４において、基板Ｐに歪みが発生していないと判断された場合、制御装置５は、その基板保持部２１に保持されている基板Ｐの露光を開始する（ステップＳ５）。露光後の基板Ｐは、搬送装置７によって、基板保持部２１から搬出される（ステップＳ６）。基板保持部２１から搬出された基板Ｐは、例えば現像装置等、所定の外部装置に搬送される。その基板Ｐは、外部装置において、ポストベーク処理、現像処理等、所定のプロセス処理（後処理）を実行される（ステップＳ７）。

ステップＳ４において、基板Ｐに歪みが発生していると判断された場合、制御装置５は、その基板Ｐに対して第２処理の要否を判断する（ステップＳ８）。

本実施形態においては、基板Ｐの歪みレベル（歪みの大きさ、歪み発生領域の数、及び歪み発生領域の大きさ等）が許容レベルである場合と判断された場合、制御装置５は、第２処理は不要であると判断し、基板Ｐの露光処理を開始する（ステップＳ５）。一方、基板Ｐの歪みレベルが許容レベルでないと判断された場合、制御装置５は、第２処理が必要であると判断する。

第２処理が必要であると判断された場合、制御装置５は、基板Ｐに対して第２処理を実行する（ステップＳ９）。

第２処理は、検出された歪み情報に基づいて、基板Ｐの歪みを補正する補正処理を含む。

本実施形態において、第２処理は、基板保持部２１に載置された基板Ｐを再載置する処理、所謂、リロード処理を含む。すなわち、制御装置５は、基板Ｐを基板保持部２１の載置面２０に載置して、吸引装置３３を作動して、基板Ｐの歪みに関する情報を検出し、第２処理が必要であると判断した後、吸引装置３３による吸引動作を解除する。その後、制御装置５は、搬送装置７を用いて、基板Ｐを基板保持部２１の載置面２０から離す。本実施形態においては、搬送装置７は、トレイＴＰを支持して、トレイＴＰを上昇させて、その上昇させたトレイＴＰで基板Ｐを支持して、基板Ｐを基板保持部２１の載置面２０から離す。制御装置５は、搬送装置７を用いて、基板保持部２１から基板Ｐを離した後、その基板Ｐを、再度、載置面２０に載置する。

これにより、基板Ｐに歪みが発生していても、その歪みが補正（矯正）される。例えば、基板Ｐを載置面２０から離すことによって、基板Ｐと基板保持部２１との間の空間の圧力（気圧）が変化し、その気圧の変化によって、基板Ｐの歪みを補正することができる。

また、制御装置５は、第２処理として、基板Ｐと基板保持部２１とを対向させた状態で、基板Ｐと基板保持部２１とを相対的に移動する処理を実行可能である。例えば、制御装置５は、搬送装置７を用いて、基板保持部２１の載置面２０から基板Ｐを離した後、基板Ｐと基板保持部２１とを対向させた状態で、載置面２０（基板Ｐの表面）とほぼ垂直なＺ軸方向に関して、基板Ｐを移動する。例えば、制御装置５は、搬送装置７を用いて、基板Ｐと基板保持部２１とを対向させた状態で、基板Ｐを上下方向に往復移動させる。これにより、基板Ｐと基板保持部２１との間の空間の気圧が変化し、その気圧の変化によって、基板Ｐの歪みを補正することができる。

また、制御装置５は、その基板Ｐの上下方向への移動において、基板Ｐの移動速度を変化させることによって、基板Ｐの歪みをより効果的に補正することができる。例えば、基板Ｐと基板保持部２１とを対向させた状態で、基板Ｐを上下方向に移動する際、基板Ｐを加速する加速区間を複数設けたり、減速させる減速区間を複数設けることによって、基板Ｐと基板保持部２１との間の空間の圧力を変化させることができる。これにより、基板Ｐの歪みを効果的に補正することができる。

なお、制御装置５は、搬送装置７を用いて、基板Ｐを上下方向に移動して、基板Ｐと基板保持部２１とを相対的に移動させてもよいし、駆動システム４を制御して、基板保持部２１を上下方向に移動させてもよいし、基板Ｐと基板保持部２１との両方を移動させてもよい。

また、制御装置５は、基板Ｐの上下方向への移動の少なくとも一部において、基板Ｐを振動させてもよい。例えば、トレイＴＰを介して基板Ｐを支持している搬送装置７をＸＹ平面内において微振動させてもよいし、Ｚ軸方向に微振動させてもよい。こうすることによっても、基板Ｐの歪みを補正することができる。また、例えばトレイＴＰに、圧電素子等を含む超音波発生装置を設け、その超音波発生装置を作動して、トレイＴＰを介して基板Ｐに振動を付与してもよい。

また、制御装置５は、第２処理として、基板Ｐに気体を給気する給気処理を実行することができる。例えば、制御装置５は、基板保持部２１に設けられた吸引口３１から気体を吹き出して、基板保持部２１と対向する基板Ｐに給気することによって、その気体の力によって、基板Ｐの歪みを補正することができる。また、基板保持部２１に、吸引口３１とは別の専用の給気口を設けてもよい。その給気口から、基板Ｐに給気することによって、基板Ｐの歪みを補正することができる。

基板Ｐに対する給気処理は、基板Ｐと載置面２０とが接触された状態で実行してもよいし、基板Ｐと基板保持部２１とを間隙を介して対向させた状態で実行してもよい。例えば、基板Ｐを載置面２０に載せた状態で、吸引口３１（又は専用の給気口）から、基板Ｐの裏面に気体を供給することによって、その基板Ｐの歪みを補正することができる。また、基板Ｐと基板保持部２１とが間隙を介して対向するように、搬送装置７を用いて基板Ｐを支持した状態で、吸引口３１又は専用の給気口から、基板Ｐの裏面に気体を供給してもよい。

また、制御装置５は、歪みに関する情報に基づいて、基板Ｐに対する給気条件を制御することができる。給気条件は、基板Ｐに対する給気位置を含む。例えば、基板Ｐの第１エリアＰＡ１が歪み発生領域ＡＥを含んでいると判断された場合、制御装置５は、その第１エリアＰＡ１に対向する吸引口３１（又は専用の給気口）から、その第１エリアＰＡ１に給気してもよい。あるいは、基板Ｐの第１エリアＰＡ１が歪み発生領域ＡＥを含んでいると判断された場合、制御装置５は、第１エリアＰＡ１の周囲のエリア（例えば第２、第４、第５エリアＰＡ２、ＰＡ４、ＰＡ５等）に対向する吸引口３１（又は専用の給気口）から、その周囲のエリアに気体を給気してもよい。

また、給気条件は、基板Ｐに対して供給する気体の流速、及び給気時間の少なくとも一方を含む。例えば、基板Ｐの歪みが小さいと判断された場合、制御装置５は、基板Ｐに対して供給する気体の流速を遅くしたり、給気時間を短くしたりすることができる。また、基板Ｐの歪みが大きいと判断された場合、制御装置５は、基板Ｐに対して供給する気体の流速を速くしたり、給気時間を長くしたりすることができる。

第２処理が終了した後、検出装置５０を用いて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することによって、制御装置５は、基板Ｐの歪みが補正されたか否かを確認することができる（ステップＳ３）。そして、基板Ｐの歪みが補正されたことが確認された後、基板Ｐの露光が実行されることによって、基板Ｐを良好に露光することができる。なお、第２処理が終了した後、検出装置５０を用いる検出処理を実行せずに、基板Ｐの露光処理に移行してもよい。

上述したように、制御装置５は、複数種類の補正処理を実行可能である。制御装置５は、歪みに関する情報に基づいて、複数種類の補正処理のうち、所定の補正処理を選択し、その所定の補正処理を実行することができる。例えば、基板Ｐの歪みが小さいと判断された場合、制御装置５は、例えば基板Ｐのリロード処理を実行する。一方、基板Ｐの歪みが大きいと判断された場合、制御装置５は、基板Ｐに対する給気処理を実行したり、基板Ｐと基板保持部２１とを相対的に移動する処理を実行したり、給気する処理と相対的に移動する処理とを組み合わせて実行したりすることができる。

また、第２処理は、基板Ｐの歪みを補正する補正処理のみならず、例えば、基板Ｐを製造ラインから排除する処理、及び基板Ｐを再生する処理の少なくとも一方も含む。例えば、補正処理の実行後においても、基板Ｐの歪みを補正できなかったり、第２処理の実行前に、検出装置５０を用いる検出によって基板Ｐの歪みが許容レベルをはるかに超えていると判断されたりした場合、制御装置５は、第２処理として、基板Ｐを製造ラインから排除する処理、あるいは基板Ｐを再生する処理を実行することができる。例えば、制御装置５は、検出装置５０を用いて基板Ｐの歪みに関する情報を検出した後、基板Ｐの露光を開始することなく、基板Ｐを製造ラインから排除する処理を実行したり、基板Ｐを再生する処理を実行したりすることができる。基板Ｐを再生する処理は、基板Ｐから感光膜を除去して、再度、感光膜を形成しなおす処理、あるいは、基板Ｐの基材（本実施形態においてはガラスプレート）を再生する処理を含む。なお、基板Ｐを製造ラインから排除した場合、その基板Ｐをリサイクルしてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、検出装置５０を用いて基板Ｐの歪みに関する情報を検出し、その検出された歪みに関する情報に基づいて、第１処理（基板Ｐに対して通常シーケンスに対応した処理）と異なる第２処理の要否を判断するようにしたので、基板Ｐが歪んだ状態で露光されてしまうことを抑制することができる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができ、デバイスの生産性の低下を抑制することができる。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬを照射する前に、基板Ｐの歪みに関する情報が検出されるので、例えば歪んだ状態の基板Ｐを露光してしまったり、その歪んだ状態で露光された基板Ｐに対する各種のプロセス処理を実行しつづけてしまったりすることを抑制することができる。したがって、デバイスの生産性の低下を抑制することができる。

本実施形態においては、流路３２の気圧に関する情報に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。したがって、例えば基板Ｐの歪みに関する情報を取得するためのマーク（アライメントマーク）が形成されていなくても、その基板Ｐの歪みに関する情報を取得することができる。例えば、成膜処理、露光処理、現像処理、及びエッチング処理を複数回繰り返して、基板Ｐに積層されたデバイスパターンを形成する場合、第一層目のパターンを形成するための露光処理（所謂、ファースト露光）の前の時点においては、基板Ｐにマークが形成されていない可能性が高い。本実施形態によれば、ファースト露光の際に、流路３２の気圧に関する情報に基づいて、基板Ｐの歪みに関する情報を検出することができる。もちろん、エッチング処理等が実行された後の基板Ｐを露光する際に、検出装置５０を用いて、その基板Ｐの歪みに関する情報を検出してもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分には同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。

第２実施形態の特徴的な部分は、基板Ｐの歪みに関する情報の検出が、基板Ｐの凹凸に関する情報の検出を含む点にある。

図１６は、第２実施形態に係る検出装置５０Ｂの一例を示す模式図である。本実施形態において、検出装置５０Ｂは、基板保持部２１に配置され、基板Ｐの凹凸に関する情報を光学的に検出可能な光センサ６０を含む。本実施形態において、光センサ６０は、基板保持部２１の溝２４に配置されている。光センサ６０は、基板保持部２１に複数配置されている。光センサ６０は、基板Ｐの裏面に検出光を照射して、その基板Ｐの裏面の位置（Ｚ軸方向に関する位置）を検出可能である。検出装置５０Ｂは、複数の光センサ６０の検出結果に基づいて、基板Ｐの裏面の凹凸に関する情報を検出可能である。

本実施形態においては、制御装置５は、トレイＴＰを介して搬送装置７で基板Ｐを支持した状態で、光センサ６０から基板Ｐの裏面に検出光を射出する。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐと基板保持部２１とが間隙を介して対向された状態で、基板保持部２１に配置された光センサ６０で基板Ｐの凹凸に関する情報を検出する。

本実施形態において、検出装置５０Ｂを用いる、基板Ｐの凹凸に関する情報の検出は、基板保持部２１に対して基板Ｐを搬送する基板受け渡し位置で実行される。検出装置５０Ｂの検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みが許容レベルであると判断された場合、制御装置５は、その基板Ｐを基板保持部２１で保持する。基板保持部２１に保持された基板Ｐは、露光位置に移動され、露光される。

一方、基板Ｐの歪みが許容レベルでないと判断された場合、制御装置５は、例えば上述の補正処理を実行することができる。また、制御装置５は、その基板Ｐを基板保持部２１に保持させることなく、例えば製造ラインから排除する処理を実行したり、基板Ｐを再生する処理を実行したりしてもよい。基板受け渡し位置は、外部装置に近いので、その基板Ｐを製造ラインから排除する処理、あるいは基板Ｐを再生する処理に円滑に移行させることができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

第３実施形態の特徴的な部分は、基板Ｐの凹凸に関する情報の検出が、基板保持部２１に保持された基板Ｐに対する第１処理（露光処理についての通常シーケンスに対応した処理）の少なくとも一部と並行して実行される点にある。

本実施形態において、基板Ｐの凹凸に関する情報は、検出システム８によって検出される。検出システム８は、基板保持部２１に保持された基板Ｐの表面の凹凸に関する情報を検出可能である。検出システム８は、基板保持部２１に保持された基板Ｐの露光の少なくとも一部と並行して、基板Ｐの凹凸に関する情報を検出可能である。

例えば、基板Ｐの露光中、あるいは基板Ｐの露光後、検出システム８の検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みが許容レベルでないと判断された場合、制御装置５は、その基板Ｐを製造ラインから除去する処理を実行したり、基板Ｐを再生する処理を実行したりすることができる。基板Ｐが歪んだ状態で露光された場合でも、検出システム８の検出結果に基づいて、基板Ｐの歪みが許容レベルでないと判断された場合、その基板Ｐに対して、現像処理及びエッチング処理等を含む後処理が実行されてしまうことを抑制することができる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。また、基板Ｐの露光後、その基板Ｐが後処理が実行される前に、その基板Ｐの感光膜を除去する処理が実行され、再度、感光膜を形成する処理が実行されることによって、その基板Ｐを廃棄することなく、その基板Ｐにデバイスパターンを形成することができる。

なお、上述の第１〜第３実施形態の基板Ｐとしては、ディスプレイデバイス用のガラスプレートのみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

なお、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板（感光材）を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、ステップ２０４では、感光材を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層（現像された感光材の層）を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。

なお、上述の各実施形態においては、基板処理装置が露光装置ＥＸである場合を例にして説明した、基板保持部に搬送された基板に対して第１手順に対応した第１処理を実行する基板処理装置であれば、上述の各実施形態で説明した各種の処理を実行することができる。例えば、基板処理装置が、基板Ｐに感光膜を形成する成膜装置（コーティング装置）である場合、第１処理は、成膜装置が有する基板保持部に保持された基板に感光膜を形成する処理、及びその感光膜が形成された基板を基板保持部から搬出する処理を含む。成膜装置において基板に成膜する際に、上述の各実施形態で説明した検出装置で基板Ｐの歪みに関する情報を検出し、その検出した歪みに関する情報に基づいて、その基板に対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断することによって、不良デバイスの発生を抑制することができる。

なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

５…制御装置、７…搬送装置、８…検出システム、 ２１…基板保持部、３１…吸引装置、３２…流路、３３…吸引装置、３６…圧力センサ、５０…検出装置、６０…光センサ、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板

Claims (52)

1. 保持部に保持された基板に対して第１処理を実行する基板処理方法であって、
   前記基板と前記保持部との間の気体を吸引装置により吸引して前記保持部で前記基板を保持することと、
   前記保持部に保持された前記基板の歪みに関する情報を検出することと、
   検出した前記歪みに関する情報に基づいて、前記吸引装置によって前記基板の所定エリアを吸引しつつ前記所定エリアと異なるエリアに対して前記保持部の給気口を介して気体を吹き出して前記基板の歪みを補正する補正処理を行うことと、
   を含む基板処理方法。
2. 前記補正処理を行う前に、前記補正処理の要否を判断することをさらに含む請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記要否の判断結果に基づいて、前記基板に対して前記補正処理を実行することを含む請求項２記載の基板処理方法。
4. 前記保持部と前記基板との間の気体の少なくとも一部を前記保持部に配置された流路を介して吸引することを含み、
   前記歪みに関する情報の検出は、前記流路の気圧に関する情報の検出を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理方法。
5. 前記歪みに関する情報の検出は、前記流路の気圧に関する基準情報と、検出された前記流路の気圧に関する情報とに基づいて実行される請求項４記載の基板処理方法。
6. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引を開始してから前記気圧が所定値に達するまでの経過時間の検出を含む請求項４又は５記載の基板処理方法。
7. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引中における所定時点の前記気圧の検出を含む請求項４〜６のいずれか一項記載の基板処理方法。
8. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引中における前記気圧の変化の検出を含む請求項４〜７のいずれか一項記載の基板処理方法。
9. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引において検出される前記気圧の最小値の検出を含む請求項４〜８のいずれか一項記載の基板処理方法。
10. 前記流路が前記保持部において複数箇所に配置され、
    前記流路の気圧に関する情報の検出は、複数の前記流路それぞれの気圧の検出を含む請求項４〜９のいずれか一項記載の基板処理方法。
11. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、複数の前記流路のうち、第１流路の気圧と第２流路の気圧との差分の検出を含む請求項１０記載の基板処理方法。
12. 前記歪みに関する情報の検出は、複数の前記流路それぞれの気圧の検出結果に基づく前記基板における歪み発生領域の検出を含む請求項１０又は１１記載の基板処理方法。
13. 前記歪みに関する情報の検出は、前記基板の凹凸に関する情報の検出を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理方法。
14. 前記基板の凹凸に関する情報の検出は、前記保持部に対して基板を搬送する基板受け渡し位置で実行される請求項１３記載の基板処理方法。
15. 前記基板の凹凸に関する情報の検出は、前記保持部に保持された前記基板に対する第１処理の少なくとも一部と並行して実行される請求項１４記載の基板処理方法。
16. 前記補正処理は、前記保持部に載置された前記基板を再載置する処理を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の基板処理方法。
17. 前記補正処理は、前記基板と前記保持部とを対向させた状態で、前記基板と前記保持部とを相対的に移動する処理を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の基板処理方法。
18. 前記移動の少なくとも一部において、移動速度を変化させる請求項１７記載の基板処理方法。
19. 前記移動の少なくとも一部において、前記基板を振動させる請求項１７又は１８記載の基板処理方法。
20. 前記補正処理は、前記保持部上において前記基板を振動させる処理を含む請求項１〜１９のいずれか一項記載の基板処理方法。
21. 前記補正処理は、前記基板に給気する処理を含む請求項１〜２０のいずれか一項記載の基板処理方法。
22. 前記歪みに関する情報に基づいて、前記基板に対する給気条件が制御される請求項２１記載の基板処理方法。
23. 前記給気条件は、前記基板に対する給気位置を含む請求項２２記載の基板処理方法。
24. 検出した前記歪みに関する情報に基づいて、前記基板を再生する処理を行うことを含む請求項１〜２３のいずれか一項記載の基板処理方法。
25. 前記基板に対して異なる複数種類の補正処理が実行可能であり、
    前記歪みに関する情報に基づいて、前記複数種類の補正処理のうち、所定の補正処理が実行される請求項１から２４のいずれか一項記載の基板処理方法。
26. 保持部に保持された基板に対して第１処理を実行する基板処理装置であって、
    前記基板と前記保持部との間の気体を吸引して前記保持部に前記基板を保持させる吸引装置と、
    前記保持部に保持された前記基板の歪みに関する情報を検出する検出装置と、
    検出した前記歪みに関する情報に基づいて、前記吸引装置によって前記基板の所定エリアを吸引しつつ前記所定エリアと異なるエリアに対して前記保持部の給気口を介して気体を吹き出して前記基板の歪みを補正する補正処理を行う制御装置と、を備える基板処理装置。
27. 前記制御装置は、前記補正処理を行う前に、前記補正処理の要否を判断する請求項２６に記載の基板処理装置。
28. 前記制御装置は、前記要否の判断結果に基づいて、前記基板に対して前記補正処理を実行する請求項２７記載の基板処理装置。
29. 前記保持部と前記基板との間の気体の少なくとも一部を前記保持部に配置された流路を介して吸引する吸引装置をさらに備え、
    前記検出装置は、前記流路の気圧に関する情報を検出する請求項２６〜２８のいずれか一項記載の基板処理装置。
30. 前記検出装置は、前記流路の気圧に関する基準情報と、検出された前記流路の気圧に関する情報とに基づいて、前記歪みに関する情報を検出する請求項２９記載の基板処理装置。
31. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引を開始してから前記気圧が所定値に達するまでの経過時間の検出を含む請求項２９又は３０記載の基板処理装置。
32. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引中における所定時点の前記気圧の検出を含む請求項２９〜３１のいずれか一項記載の基板処理装置。
33. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引中における前記気圧の変化の検出を含む請求項２９〜３２のいずれか一項記載の基板処理装置。
34. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、前記吸引において検出される前記気圧の最小値の検出を含む請求項２９〜３３のいずれか一項記載の基板処理装置。
35. 前記流路が前記保持部において複数箇所に配置され、
    前記流路の気圧に関する情報の検出は、複数の前記流路それぞれの気圧の検出を含む請求項２９〜３４のいずれか一項記載の基板処理装置。
36. 前記流路の気圧に関する情報の検出は、複数の前記流路のうち、第１流路の気圧と第２流路の気圧との差分の検出を含む請求項３５記載の基板処理装置。
37. 前記歪みに関する情報の検出は、複数の前記流路それぞれの気圧の検出結果に基づく前記基板における歪み発生領域の検出を含む請求項３５又は３６記載の基板処理装置。
38. 前記歪みに関する情報の検出は、前記基板の凹凸に関する情報の検出を含む請求項２６〜２８のいずれか一項記載の基板処理装置。
39. 前記検出装置は、前記保持部に対して基板を搬送する基板受け渡し位置で、前記基板の凹凸に関する情報を検出する請求項３８記載の基板処理装置。
40. 前記検出装置は、前記保持部に保持された前記基板に対する第１処理の少なくとも一部と並行して、前記基板の凹凸に関する情報を検出する請求項３９記載の基板処理装置。
41. 前記補正処理は、前記保持部に載置された前記基板を再載置する処理を含む請求項２６〜４０のいずれか一項記載の基板処理装置。
42. 前記補正処理は、前記基板と前記保持部とを対向させた状態で、前記基板と前記保持部とを相対的に移動する処理を含む請求項２６〜４０のいずれか一項記載の基板処理装置。
43. 前記制御装置は、前記移動の少なくとも一部において、移動速度を変化させる請求項４２記載の基板処理装置。
44. 前記制御装置は、前記移動の少なくとも一部において、前記基板を振動させる請求項４２又は４３記載の基板処理装置。
45. 前記補正処理は、前記保持部上において前記基板を振動させる処理を含む請求項２６〜４４のいずれか一項記載の基板処理装置。
46. 前記補正処理は、前記基板に給気する処理を含む請求項２６〜４５のいずれか一項記載の基板処理装置。
47. 前記制御装置は、前記歪みに関する情報に基づいて、前記基板に対する給気条件を制御する請求項４６記載の基板処理装置。
48. 前記給気条件は、前記基板に対する給気位置を含む請求項４７記載の基板処理装置。
49. 前記制御装置は、検出した前記歪みに関する情報に基づいて、前記基板を再生する処理を実行する請求項２６〜４８のいずれか一項記載の基板処理装置。
50. 前記制御装置は、
    前記基板に対して異なる複数種類の補正処理を実行可能であり、
    前記歪みに関する情報に基づいて、前記複数種類の補正処理のうち、所定の補正処理を実行する請求項２６から４９のいずれか一項記載の基板処理装置。
51. 前記所定エリアと異なるエリアは、前記保持部に保持された前記基板のうち前記歪みが生じた領域又は前記歪みが生じた領域の周囲の領域を含む請求項１に記載の基板処理方法。
52. 前記所定エリアと異なるエリアは、前記保持部に保持された前記基板のうち前記歪みが生じた領域又は前記歪みが生じた領域の周囲の領域を含む請求項２６に記載の基板処理装置。

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