JP4685041B2 - ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を保持するステージ装置、該ステージ装置を有する露光装置、および該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。

半導体素子、及び液晶表示素子製造において、素子微細パターン形成工程は一般に原版のパターンを露光により転写する技術、いわゆるフォトリソグラフィ技術が利用される。原版はレチクルまたはマスクと呼ばれる石英ガラス基板である。その遮光面には抜きまたは残しパターンが形成されており、照明光により露光されたパターンが投影光学系を介して、半導体ウエハまたは液晶用ガラス基板等の被転写物である素子基板上に投影される。素子基板には感光性を有するフォトレジストが塗布されており、投影されたパターンが潜像として転写される。現像されたレジスト像の抜き残しパターンに対し、レジスト下地面の加工選択比が高いエッチングを行うことにより、素子基板の微細加工が行われる。

フォトリソグラフィ技術において、最近では半導体素子のチップが大型化する傾向があり、レチクル上のより大きな面積のパターンをウエハ上に露光する必要から、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置が多く利用されている。このステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置では、レチクルとウエハとを同期して走査することで、投影光学系の照野フィールド（静止状態でのパターンの露光領域）より広い範囲の領域を露光することを可能にしている。

フォトリソグラフィで使用される露光装置では、レチクル上に描画されたパターンを転写するためのウエハを、手動で露光装置内に搬入するか、またはレジストの塗布処理を行う装置から自動で搬入する。露光装置内のウエハは、ウエハを搬送するためのハンドユニットにより、ウエハ微動ステージ上のチャックプレートに搭載され、露光処理などが施された後にはハンドユニットによりウエハ微動ステージ上から取り除かれる。ハンドユニットがウエハ微動ステージ上のウエハを搬出する際には、ハンドユニットとウエハ微動ステージが干渉しないように、ウエハ微動ステージを下方向に駆動させ、中央にあるピン状の配管（以下、ピン状配管）に一度ウエハを受け渡す。その後、ウエハとチャックプレートの隙間にハンドユニットを挿入してウエハを下から支持し、ピン状配管上に載せられているウエハを取り除く（特許文献１）。

チャックプレート上のウエハをピン状配管に持ち替える際には、ウエハ微動ステージを下方向に駆動させ、ウエハの裏面がピン状配管に接触した際の駆動電流値を検出する。そのタイミングでウエハ微動ステージの下方向の駆動を停止させ、チャックプレート上のウエハ吸着を開放すると同時にピン状配管での吸着を行い、ウエハをチャックプレートからピン状配管上に持ち替える。ピン状配管で吸着された後は、ウエハ微動ステージをさらに下方向に駆動させ、ウエハとチャックプレートの間にハンドユニットが挿入できる隙間が確保できるまで駆動させる。ウエハ微動ステージの駆動が完了した後にピン状配管でのウエハ吸着を開放し、チャックプレートとウエハ微動ステージとの間にハンドユニットを進入させてウエハが回収される。
特開平７−２３０９５０号公報

上記のように、チャックプレート上のウエハをハンドユニットにて回収する場合には、ウエハ微動ステージを下方向に駆動して、ウエハの裏面をピン状配管に接触させる必要がある。さらに、その後ピン状配管の吸着を行い、チャックプレートからピン状配管上にウエハを持ち替える必要がある。この際、ウエハの裏面がピン状配管に接触したことを検出するために、ウエハ微動ステージの駆動部で発生する実電流値をモニタする。そして、ある一定以上の電流値が発生したことを検出した場合には、ウエハの裏面がピン状配管に接触したとして判断している。

しかし、ウエハ持ち替え時に、ウエハ微動ステージを高速で下方向に駆動させると、ウエハの裏面がピン状配管に接触した際の電流値を正確に判断できない。また、ウエハの裏面がピン状配管に接触するのでウエハ裏面へのダメージを小さくする必要がある。これらのことを考慮すると、ウエハ微動ステージの下方向への駆動速度と加速度を低く抑える必要があった。このため、このウエハ受け渡し時の電流値検出を行う行為が、ウエハのチャックプレートからピン状配管への持ち替え時間短縮の妨げとなっていた。

本発明は、チャックプレートとピン状配管との間で基板を受け渡す時間を短縮することを例示的目的とする。

上記の目的を達成するため本発明のステージ装置は、保持面を有し且つ該保持面に基板を吸着保持するチャックプレートと、前記チャックプレートに設けられた穴を通して該保持面から突出可能であり且つ該基板を吸着保持するピン状配管と、駆動部と、前記チャックプレートと前記ピン状配管との相対的な位置関係を変化させるために前記駆動部により駆動される被駆動部材と、前記駆動部を制御する制御部とを有し、該駆動を介して前記チャックプレートによる該基板の吸着保持と前記ピン状配管による該基板の吸着保持とを選択的に行うステージ装置であって、記憶部を有し、前記制御部は、前記駆動部により第１の速度で前記被駆動部材を移動させることにより、前記チャックプレートに保持された第１の基板に前記ピン状配管が接触したことの判定を行い、該判定がなされたときの前記被駆動部材の位置の情報を前記記憶部に記憶させ、前記チャックプレートに第２の基板が保持されている状態で、前記記憶部に記憶された該位置の情報に対応する位置を目標位置として、前記駆動部により該第１の速度より高速な第２の速度で前記被駆動部材を移動させる、ことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、チャックプレートとピン状配管との間で基板を受け渡す時間を短縮することができる。

本発明の好ましい実施の形態において、本発明は図１に示すように、露光装置に適用される。図１の露光装置は、原版としてのレチクルＲ上の転写領域内に形成されたパターンが転写されるウエハ（基板）Ｗを搭載して移動するウエハステージ装置を有する。ウエハステージ装置は、保持面を有し且つ該保持面にウエハ（基板）Ｗを吸着保持するチャックプレートＣＰを有する。また、チャックプレートＣＰに設けられた穴を通して該保持面から突出可能であり且つウエハＷを吸着保持するピン状配管１２を有する。また、チャックプレートＣＰをピン状配管１２に沿って該保持面に対し垂直方向及びレベリング方向に移動可能なウエハ微動ステージ１と、ウエハ微動ステージ１をピン状配管１２に沿って移動させる駆動部２５とを有する。更に、駆動部２５の駆動量に応じて必要となる駆動電流値を出力し、駆動部２５で発生した実電流値を検出する制御手段２２を有する。駆動部２５は、ウエハ微動ステージ１等、ウエハステージ装置の被駆動部材を駆動する。制御手段２２は、本実施例の露光装置全体の制御を司る制御部２１に含まれる。

ピン状配管１２は、チャックプレートＣＰの保持面に対して垂直方向に設置され、ウエハＷの受け渡し時にチャックプレートＣＰによるウエハＷの吸着保持とピン状配管１２によるウエハＷの吸着保持とを選択的に行うためのものである。駆動部２５は、制御部２１による制御の下に、ウエハ微動ステージ（被駆動部材）１を駆動し、チャックプレートＣＰとピン状配管１２との相対的な位置関係を変化させる。

制御部２１は、Ｎ枚目のウエハ（第１の基板）Ｗの受け渡し時に、駆動部２５により第１の速度でウエハ微動ステージ１を移動させ、チャックプレートＣＰに保持されたウエハＷにピン状配管１２が接触したことの判定を行う。また、該判定がなされたときのウエハ微動ステージ１の位置の情報を記憶部２４に記憶させる。

制御手段２２は、第１の基板であるウエハＷをチャックプレートＣＰからピン状配管１２へ受け渡す動作の際、駆動部２５で発生した実電流値の変化量からウエハＷとピン状配管１２の接触を検出する接触検出手段を有する。
接触検出手段は、ウエハＷをウエハ微動ステージ１上に搭載されているチャックプレートＣＰに保持した状態で下方向に移動させた際、駆動部２５で発生した実電流値の変化量からウエハＷとピン状配管１２の接触を検出する。接触検出手段が接触を検出すると、制御手段２２は、駆動部２５によるウエハ微動ステージ１の下方向の駆動を停止させ、接触を検出した時の座標位置を記憶部２４に記憶しておく。座標位置は、露光装置においてウエハの位置及び姿勢を制御するために設定された座標系における位置、例えばウエハ微動ステージ１の座標位置を用いることができる。

制御部２１は、Ｎ＋１枚目以降のウエハ（第２の基板）Ｗでは、チャックプレートＣＰにウエハＷが保持されている状態で、記憶部２４に記憶された位置の情報に対応する位置を目標位置として、ウエハ微動ステージ１を移動させる。このとき、駆動部２５は、ウエハ微動ステージ１を前記第１の速度より高速な第２の速度で移動させる。

上述のように、制御手段２２は、ウエハＷの受け渡しにおいて、Ｎ枚目のウエハ受け渡し（基板受け渡し）時にウエハＷとピン状配管１２の接触を検出した際の駆動座標位置を記憶部２４に記憶しておく。そして、Ｎ＋１枚目以降のウエハではＮ枚目で検出した駆動座標位置を目標位置として、Ｎ枚目のウエハ受け渡し時よりもウエハ微動ステージ１を高速で駆動させて、チャックプレートＣＰ上のウエハＷをピン状配管１２に接触させる。

ウエハＷとピン状配管１２が接触した後、制御手段２２は、チャックプレートＣＰ上のウエハ吸着を解除し、それと並行してピン状配管１２での吸着を行い、吸着を切り替えてウエハＷをチャックプレートＣＰからピン状配管１２上に受け渡す。受け渡した後は、ピン状配管１２がチャックプレートＣＰの吸着面から予め定められた寸法を突出するまで、すなわちウエハＷとチャックプレートＣＰの間隔がこの寸法になるまでウエハ微動ステージ１を下方向に更に移動させる

制御手段２２は、ウエハＷとピン状配管１２が接触した位置を記憶する処理に関して、実電流値の変化量から検出したウエハＷとピン状配管１２の接触した駆動座標位置と、ハード設計上の理論的な接触座標位置を比較する。検出した座標位置と理論的な座標位置との差が予め定めた許容範囲を超えたときは、検出した位置が異常であると判定する。異常である判定したときは、その異常な座標位置は記憶しない。すなわち、ウエハ微動ステージ１の位置が前記許容範囲内にある場合に、該位置の情報を記憶部２４に記憶させる。また、必要に応じてその異常を表示する。

以下、本発明の実施例につき、図面を参照して説明する。本実施例は、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置で露光する場合に本発明を適用した例として説明する。このステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置は、原版としてのレチクル及び基板としてのウエハを投影光学系に対して同期して走査することにより、レチクル上のパターンをウエハ上の各ショット領域に逐次転写露光するものである。

図１は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略構成を示す。図１において、光源、照明光の形状を整形する可変の視野絞り、及びコンデンサレンズ等を含む照明光学系ＳＬから射出された照明光ＩＬがレチクルＲ上のスリットの照明領域を均一な照度分布で照明する。レチクルＲ上の照明領域内のパターンを投影光学系ＵＬを介して投影倍率α（例えばα＝１／４）で反転縮小した像がウエハＷ上のスリット状の照野フィールドに投影露光される。照明光ＩＬとしては、例えばＫｒＦエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光、あるいは超高圧水銀ランプの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線など）が用いられる。

レチクルＲは、レチクルステージ７に載置されている。また、レチクルステージ７は、投影光学系ＵＬの光軸に垂直な平面内で２次元的に微動してレチクルＲを位置決めするとともに、ウエハ微動ステージ１と同期を取りながら走査する。レチクルステージ７は走査方向にレチクルＲのパターン領域の全面が少なくとも照明領域を横切ることが出来るだけのストロークを有している。また、レチクルステージ７の端部には、外部のレーザ干渉計２８からレーザビームを反射するバーミラー８が固定されており、レチクルステージ７の位置は、レーザ干渉計２８により常時モニタされている。レーザ干渉計２８からのレチクルステージ７の位置情報は制御部２１に供給されている。制御部２１はその位置情報に基づき、レチクルステージ駆動部２６を介して、レチクルステージ７の位置及び速度を制御している。

一方、ウエハＷはウエハ微動ステージ１上のチャックプレートＣＰに載置される。ウエハ微動ステージ１により、ウエハＷ上の各ショット領域ヘステップする動作とスキャンする動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が行われる。垂直方向への移動やチルト方向の移動も制御部２１がウエハ微動ステージ１を制御することにより行っている。また、ウエハ微動ステージ１の端部にはレーザ干渉計２７からのレーザビームを反射するためのバーミラー３が備え付けられており、ウエハ微動ステージ１の位置は、レーザ干渉計２７により常時モニタされている。レチクルステージ７の制御と同様に、ウエハ微動ステージ１の位置及び速度は制御部２１によって制御されている。

以下、投影光学系ＵＬの光軸に並行にＺ軸をとり、その光軸に垂直な平面内で紙面と平行な軸をＸ軸、紙面に垂直な軸をＹ軸として説明する。
まず、ウエハ微動ステージ１、及びレチクルステージ７の駆動目標値設定について説明する。ウエハ微動ステージ１は、レーザ干渉計２７から発光されるレーザビームがバーミラー３で反射された後の値を読み取り、解析することによりＸ方向、Ｙ方向、回転方向（θ方向）などに駆動される。レーザ干渉計２７には３軸のレーザ光源が搭載されている為、θ方向やチルト方向の駆動量も検出することが可能になっている。ある一定時間間隔でレーザ干渉計２７で読み込まれた位置情報は、装置全体の動作を統括制御する制御部２１に供給される。制御部２１は、一定時間間隔毎に駆動部２５に対して駆動電流値を含む駆動指令を送り、この制御を繰り返し行うことによりウエハ微動ステージ１は目標位置ヘと駆動される。レチクルステージ７もウエハ微動ステージ１と同様である。すなわち、バーミラー８で反射されたレーザビームの値をレーザ干渉計２８で読み取り、その値をもとに制御部２１が駆動量を計算し、レチクルステージ駆動部２６に対して駆動命令を行うことによりレチクルステージ７の目標位置への駆動が実現される。

本実施例では走査露光時に、レチクルＲが＋Ｙ方向へ、例えば速度Ｖｒでスキャンされるのと同期してウエハＷが−Ｙ方向に速度Ｖｗでスキャンされる。走査速度ＶｒとＶｗとの比（Ｖｗ／Ｖｒ）は投影光学系ＵＬのレチクルＲからウエハＷへの投影倍率αに正確に一致したものになっており、これによってレチクルＲ上のパターンがウエハＷの各ショット領域に正確に転写される。なお、図１において、２はリニアモータコイル、４はウエハ微動ステージ１やこれを駆動するリニアモータなどが設置されているウエハ微動ステージ定盤である。また、５は多点ＡＦセンサ、６は投影光学系ＵＬ等を支持するための鏡筒定盤、９はレチクルステージガイド、１０は外筒である。

次に、本実施例のウエハ持ち替え（受け渡し）方法に関して説明する。
図２は、ウエハＷをチャックプレートＣＰ上に載せて吸着保持している状態を表した図である。チャックプレートＣＰの表面にはエアーを吸引するための小さな穴が多数空いており、ウエハＷを載せた際にエアーを吸引することでチャックプレートＣＰ上にウエハＷを吸着保持することが可能となっている。また、チャックプレートＣＰとウエハ微動ステージ１にはピン状配管１２を通すための穴が空いており、ウエハ微動ステージ１はピン状配管に沿って上下方向、さらにはレベリング方向に駆動することができる。
図４はチャックプレートＣＰを上方からみた図である。本実施例ではウエハＷを吸着するためのピン状配管１２が３本設置されているが、ピン状配管１２はウエハの保持が可能であるならば何本設置されていても構わない。

ウエハＷ上にレチクルＲ上のパターンを転写する露光処理においては、チャックプレートＣＰ上にウエハＷを搭載した状態でウエハ微動ステージ１を駆動させて露光処理が行われる。露光済のウエハＷを搬出する際には回収を行うハンドユニットと干渉しないようにウエハ微動ステージ１を下方向に駆動させ、ウエハＷをピン状配管１２に持ち替えて吸着保持する。ピン状配管１２でウエハＷを保持している状態を表したのが図３である。図３は、ウエハ微動ステージ１が下方向に駆動され、ウエハＷがピン状配管１２上に持ち替えられて吸着されている様子を表している。ウエハを搬出する際には、ハンドユニットがウエハＷとチャックプレートＣＰとの間に挿入され、ウエハＷを下から支持して回収が行われる。

次に、ウエハＷをチャックプレートＣＰからピン状配管１２上に持ち替える動作に関して説明する。ウエハＷをピン状配管１２に持ち替える際には、ウエハ裏面がピン状配管１２に接触した位置でウエハ微動ステージ１を停止させ、チャックプレートＣＰの吸着を開放し、それと並行してピン状配管１２の吸着を行う必要がある。ピン状配管１２で吸着を行うためには、ウエハＷとピン状配管１２が接触したタイミングでウエハ微動ステージ１を停止させる必要があるが、本実施例では、制御部２１において駆動部２５で発生する駆動電流値をモニタすることで実現している。制御部２１では、ウエハ微動ステージ１を下方向に駆動している際に、駆動部２５にて発生する電流値（実電流値）を常時監視しており、ウエハの裏面がピン状配管１２に接触した際に発生する過電流を検出することで接触を判定する。ウエハ微動ステージ１が下方向に駆動する際にウエハ裏面とピン状配管１２が接触する。すると、ウエハ微動ステージ１はウエハ裏面がピン状配管１２に接触している状態でさらに下方向へ駆動しようとするので、それが抵抗となり、安定駆動時よりも多くの駆動電流値が出力される。制御部２１ではこのときの電流値を検出してウエハＷとピン状配管１２の接触の判定が行われる。

制御部２１には、ウエハＷを持ち替えるフローとして駆動時の電流値を監視しながら行うフローと、電流値の監視を行わずに行うフローの２種類のフローが用意されている。
まず、駆動時の電流値を監視しながらウエハＷを持ち替えるフローに関して図５を用いて説明する。図５では、横軸に時間、縦軸にウエハ微動ステージ１（すなわちチャックプレートＣＰ）のＺ軸の座標を表現している。まず、高速駆動を行うＡ区間では、ウエハ微動ステージ１をピン状配管近傍まで高速で駆動させる。その後、低速駆動にて電流値のモニタを行う区間Ｂでは、ウエハ微動ステージ１を低速で下方向に駆動させ、駆動部２５に発生する駆動電流値を常時監視し、ウエハ裏面がピン状配管１２に接触した際に変化した電流値を検出する。ウエハ微動ステージ１を低速で駆動させる理由は、高速で動作させると駆動時の電流値と接触時の電流値が区別しにくくなるため、及び高速でウエハ裏面をピン状配管１２に接触させると、ウエハ裏面にダメージを与えてしまう可能性があるためである。低速駆動中に電流値の変化が検出できたらウエハ微動ステージ１を停止させて、その時のＺ座標を記憶部２４（図１）に記録しておく。Ｚ座標を記憶する際には、検出したＺ座標とハード設計上の理論的な接触座標を比較して、あるトレランス以上設計値からずれている場合には異常値とみなして記憶部２４に記録しないという異常値除去を行う。

次に、ウエハＷの吸着切り替えを行う区間Ｃであるが、この区間ではチャックプレートＣＰでの吸着を開放状態にし、それと並行してピン状配管１２の吸着を行い、ウエハＷをピン状配管１２上に吸着保持する。
次の低速駆動を行う区間Ｄにおいては、ウエハ微動ステージ１を低速で微小距離だけ下降させ、最後の高速駆動を行う区間Ｅにおいてウエハ微動ステージ１を高速で駆動させて最終的なＺ位置まで駆動させる。

次に、図６を用いて、電流値の監視を行わずにウエハＷを持ち替えるフローに関して説明する。
電流値の監視を行わずに持ち替えを行うためには、一度電流値の監視を行った持ち替えを実施し、その時のウエハ微動ステージ１の座標位置を記憶しておく必要がある。図６の高速駆動を行う区間Ａでは、以前電流値を監視して持ち替えを行った際に記憶していたウエハ裏面とピン状配管１２が接触する座標位置を取得し、その座標を目標位置として高速で下方向に駆動させる。電流値を監視する必要がないため、ウエハ微動ステージを高速で駆動させることが可能である。
吸着切り替えを行う区間Ｃ以降は図５のフローと同様であり、この区間ではチャックプレートＣＰでの吸着を開放状態にし、それと平行してピン状配管１２の吸着を行い、ウエハＷをピン状配管１２上に吸着保持する。そして、低速駆動を行う区間Ｄにおいては、ウエハ微動ステージ１を低速で微小距離だけ下降させ、最後の高速駆動を行う区間Ｅにおいてウエハ微動ステージ１を高速で駆動させて最終的なＺ位置まで駆動させる。

図６のフローを実行する場合には、一度電流値の監視を行った持ち替え動作を行い、その時に検出した座標位置を記録しておく必要がある。そこで、始めに投入した複数枚ウエハ処理のＮ枚目ウエハの持ち替えだけを図５に示した電流値を監視する持ち替え方法で実行し、Ｎ＋１枚目以降は図６に示した電流値を監視しない方法にて行う。これにより、図５で示した区間Ｂの部分を省略することができ、また区間Ａではウエハ裏面とピン状配管１２とが接触する位置まで高速で駆動することが可能となる。そのため、チャックプレートＣＰからピン状配管１２へのウエハ持ち替えにかかる時間を短縮することが可能となる。上記のＮの値を１とすることで、１枚目は電流値を監視する持ち替えを行い、２枚目以降は電流値を監視しないで高速の持ち替えを行うことができる。

上記の説明においては、Ｎ枚目のウエハ持ち替えだけを電流値を監視する方法で実施し、Ｎ＋１枚目以降はＮ枚目で記録された座標位置を使用して持ち替えを行っている。しかし、Ｎ＋１枚目以降も一定枚数おき、もしくはランダムに電流値を監視する方法で持ち替えを実施し、ウエハ裏面とピン状配管１２が接触する座標位置を更新する事も可能である。

本実施例によれば、Ｎ枚目のウエハを持ち替える際にウエハ裏面とピン状配管の接触する座標位置を記憶しておき、Ｎ＋１枚目以降での持ち替えの際には、その記憶しておいた位置を目標位置としてウエハ微動ステージを高速に駆動させ、持ち替え動作を行う。これにより、ウエハＮ＋１枚目以降での持ち替え動作にかかる時間を短縮することができ、全体としてのスループット向上を実現することができる。

［デバイス製造方法の実施例］
次に、この露光装置を利用した微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造プロセスを説明する。
図７は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク（原版またはレチクルともいう）を製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。

上記ステップ４のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置を用いて、回路パターンを有するマスクを介し、レジスト処理ステップ後のウエハを露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略構成を示す図である。 図１の装置においてウエハをチャックプレート上に吸着保持している状態を示す図である。 図１の装置においてウエハをピン状配管上に吸着保持している状態を示す図である。 図２及び図３のチャックプレートを上面から見た図である。 図１の装置において電流値を監視しながらチャックプレートからピン状配管へのウエハ持ち替えを行う際のフローを表した図である。 図１の装置において電流値の監視を行わずにチャックプレートからピン状配管へのウエハ持ち替えを行う際のフローを表した図である。 デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。

符号の説明

ＳＬ：照明光学系、ＩＬ：照明光、Ｒ：レチクル、Ｗ：ウエハ（感光基板）、ＵＬ：投影光学系、ＣＰ：チャックプレート、１：ウエハ微動ステージ、４：ウエハステージ定盤、１２：ピン状配管、２１：制御部、２２：制御手段、２４：記憶部、２５：駆動部。

Claims (6)

1. 保持面を有し且つ該保持面に基板を吸着保持するチャックプレートと、前記チャックプレートに設けられた穴を通して該保持面から突出可能であり且つ該基板を吸着保持するピン状配管と、駆動部と、前記チャックプレートと前記ピン状配管との相対的な位置関係を変化させるために前記駆動部により駆動される被駆動部材と、前記駆動部を制御する制御部とを有し、該駆動を介して前記チャックプレートによる該基板の吸着保持と前記ピン状配管による該基板の吸着保持とを選択的に行うステージ装置であって、
   記憶部を有し、
   前記制御部は、
   前記駆動部により第１の速度で前記被駆動部材を移動させることにより、前記チャックプレートに保持された第１の基板に前記ピン状配管が接触したことの判定を行い、
   該判定がなされたときの前記被駆動部材の位置の情報を前記記憶部に記憶させ、
   前記チャックプレートに第２の基板が保持されている状態で、前記記憶部に記憶された該位置の情報に対応する位置を目標位置として、前記駆動部により該第１の速度より高速な第２の速度で前記被駆動部材を移動させる、
   ことを特徴とするステージ装置。
2. 前記チャックプレートが搭載されるステージを有し、
   前記被駆動部材は、前記ステージを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
3. 前記制御部は、該判定を前記駆動部の駆動電流値に基づいて行う、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のステージ装置。
4. 前記制御部は、該判定がなされたときの前記被駆動部材の位置が、予め定められた許容範囲内にある場合に、該位置の情報を前記記憶部に記憶させる、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のステージ装置。
5. 基板を露光する露光装置であって、
   該基板を保持するための請求項１乃至４のいずれかに記載のステージ装置を有する、ことを特徴とする露光装置。
6. 請求項５に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
   該露光された基板を現像するステップと、
   を有することを特徴とするデバイス製造方法。

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