CN115933321A - 定位装置、光刻装置和物品制造方法 - Google Patents

定位装置、光刻装置和物品制造方法 Download PDF

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CN115933321A CN202211187954.9A CN202211187954A CN115933321A CN 115933321 A CN115933321 A CN 115933321A CN 202211187954 A CN202211187954 A CN 202211187954A CN 115933321 A CN115933321 A CN 115933321A
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Abstract

本发明提供定位装置、光刻装置和物品制造方法。定位装置具有：基板支承部，通过对基板的下表面喷出气体而使所述基板浮起，从而以非接触状态支承所述基板；多个吸引保持部，对由所述基板支承部以非接触状态支承的所述基板的下表面进行吸引，从而限制所述基板向与基板表面平行的方向的位移；支承构件，支承所述多个吸引保持部；以及旋转机构，通过使所述支承构件绕与所述基板表面交叉的轴旋转，从而不使所述基板支承部旋转，而借助所述多个吸引保持部使所述基板旋转。

Description

定位装置、光刻装置和物品制造方法
技术领域
本发明涉及定位装置、光刻装置和物品制造方法。
背景技术
在曝光装置等光刻装置中，要求高精度且高速地进行基板的位置控制。随着近年来的基板的大型化、薄型化，基板所产生的形变在至今为止不能再忽视。基板的形变在基板搬送时产生，在将基板载置于基板载置部之后，或者在载置后吸附基板之后也可能残留。如果在基板产生形变的状态下对基板进行曝光，则曝光结果也产生形变，重合精度可能降低。另外，也考虑追加用于降低基板所产生的形变的步骤，但这样的步骤也会导致生产节拍时间的增加。
在专利文献1中公开了在利用空气使基板浮起的状态下吸附支承基板并使基板旋转的技术(θ校正驱动)。在专利文献2中公开了如下技术，即，在基板法线方向上驱动的辐条状的吸附保持部将基板吸附保持在基板载置部的上方并使其旋转。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-221961号公报
专利文献2：日本特开2000-100895号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在以往的技术中，吸引保持基板或基板载置部的中央一部位而使基板旋转。因此，施加在吸引保持部的负荷大，在基板与吸引保持部之间可能产生偏移。
本发明提供一种定位装置，其有利于减少例如基板与吸引保持部之间的偏移。
用于解决课题的方案
根据本发明的第一方式，提供一种定位装置，其特征在于，该定位装置具有：基板支承部，通过对基板的下表面喷出气体而使所述基板浮起，从而以非接触状态支承所述基板；多个吸引保持部，对由所述基板支承部以非接触状态支承的所述基板的下表面进行吸引，从而限制所述基板向与基板表面平行的方向的位移；支承构件，支承所述多个吸引保持部；以及旋转机构，通过使所述支承构件绕与所述基板表面交叉的轴旋转，从而不使所述基板支承部旋转，而借助所述多个吸引保持部使所述基板旋转。
根据本发明的第二方式，提供一种光刻装置，其特征在于，该光刻装置具备上述第一方式的定位装置，该光刻装置构成为，将原版的图案转印到由所述定位装置定位了的基板上。
根据本发明的第三方式，提供了一种物品制造方法，其特征在于，该物品制造方法具有：使用上述第二方式的光刻装置将图案转印到基板上的工序；以及对转印有所述图案的基板进行加工的工序，该物品制造方法通过被加工了的所述基板来制造物品。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种有利于减少基板与吸引保持部之间的偏移的定位装置。
附图说明
图1是表示曝光装置的结构的图。
图2A是基板载置台的俯视图。
图2B是表示θ校正驱动机构的结构的图。
图3是表示吸引保持部的结构的图。
图4是表示θ校正驱动方法的流程图。
图5是表示θ校正驱动中的控制状态的图。
图6是表示θ校正驱动中的控制状态的图。
图7是表示θ校正驱动中的控制状态的图。
图8是表示θ校正驱动中的控制状态的图。
图9是表示θ校正驱动中的控制状态的图。
图10是表示θ校正驱动机构的结构的图。
图11是表示具备多个θ校正驱动机构的结构的图。
附图标记的说明
7：基板支承部；14：θ校正驱动机构；23：支承构件；24：吸引保持部；25：旋转部。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明实施方式。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。虽然在实施方式中记载了多个特征，但这些多个特征并不全部限定于发明所必需的特征，另外，也可以任意地组合多个特征。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
图1是实施方式的曝光装置1的概略图。在本说明书和附图中，在以水平面为XY平面的XYZ坐标系中示出方向。一般而言，作为被曝光基板的基板W以其表面与水平面(XY平面)平行的方式被放置在基板载置台5之上。因此，以下，将在沿着基板W的表面的平面内相互正交的方向设为X轴及Y轴，将与X轴及Y轴垂直的方向设为Z轴。另外，以下，将与XYZ坐标系中的X轴、Y轴、Z轴分别平行的方向称为X方向、Y方向、Z方向，将绕X轴的旋转方向、绕Y轴的旋转方向、绕Z轴的旋转方向分别称为θx方向、θy方向、θz方向。
[第一实施方式]
在实施方式中，对在将原版的图案转印到基板的光刻装置(曝光装置、压印装置等)中使用基板的定位装置的例子进行说明。压印装置通过在使模具(原版)与供给到基板之上的压印材料接触的状态下使压印材料固化，在基板之上形成图案。曝光装置隔着作为曝光掩模的原版(中间掩膜)对供给到基板之上的光致抗蚀剂进行曝光，从而在该光致抗蚀剂上形成与原版的图案对应的潜像。通过这些装置处理的基板例如可以是硅晶圆，但也可以是除此之外的玻璃基板、铜基板、树脂基板、SiC基板、蓝宝石基板等。以下，对光刻装置被构成为曝光装置的例子进行说明，以便提供具体例。
(曝光装置的结构)
图1示意性地表示应用本发明的定位装置的曝光装置1的结构。曝光装置1是在作为半导体器件、液晶显示装置等的制造工序的光刻工序中，经由投影光学系统将形成于掩模的图案转印到感光性的基板(例如，在表面形成有光致抗蚀剂层的玻璃板)的装置。曝光装置1可包括光源单元L、照明光学系统2、支承掩模M(原版)的掩模载置台3、投影光学系统4、支承基板W的基板载置台5、检测器19和控制部6。控制部6与光源单元L、掩模载置台3、基板载置台5、检测器19电连接，并对它们进行控制。控制部6可由例如FPGA等PLD或ASIC或嵌入有程序的通用计算机或者它们的全部或一部分的组合而构成。例如，控制器6可包括处理器6和存储程序和数据的存储器62。
照明光学系统2使用来自光源单元L的光，对形成有转印用的电路图案的掩模M进行照明。照明光学系统2可具有均匀地照明掩模M的功能和变形照明功能。光源单元L例如使用激光。激光能够使用波长约193nm的ArF受激准分子激光、波长约248nm的KrF受激准分子激光等，但光源的种类不限于受激准分子激光。例如，可以使用波长约157nm的F2激光、波长20nm以下的EUV(Extreme ultraviolet：远紫外)光。
掩模M例如为石英制，在其上形成应转印的电路图案，由掩模载置台3支承及驱动。从掩模M发出的衍射光通过投影光学系统4，投影到基板W上。掩模M和基板W被配置成光学共轭的关系。通过以缩小倍率比的速度比扫描掩模M和基板W，将掩模M的图案转印到基板W上。
掩模载置台3通过未图示的掩模卡盘来支承掩模M，并与未图示的移动机构连接。移动机构由线性马达等构成，具有多个自由度(例如X、Y、θz这3轴，优选X、Y、Z、θx、θy、θz这6轴)，通过驱动掩模载置台3能够使掩模M移动。
投影光学系统4具有将来自物体面的光速成像在成像面上的功能，将经过形成在掩模M上的图案的衍射光成像在基板W上。投影光学系统4可使用由多个透镜元件构成的光学系统、具有多个透镜元件和至少一个凹面镜的光学系统(反折射光学系统)、具有多个透镜元件和至少一个开诺全息照片等衍射光学元件的光学系统等。
基板载置台5具有多个自由度(例如，X、Y、θz这3轴，优选X、Y、Z、θx、θy、θz这6轴)，使基板W移动。在本实施方式中，基板载置台5具备：驱动机构13，使基板W在与基板表面平行的方向(XY方向)上移动；以及θ校正驱动机构14(旋转机构)，进行基板W的绕与基板表面交叉的轴(例如Z轴)的旋转(θ校正驱动)。基板载置台5在接收位置将基板W载置到基板载置部后，可通过驱动机构13在XY方向上移动至曝光开始位置，并且通过θ校正驱动机构14进行θ校正驱动。
检测器19检测基板W的X、Y、θ的位置。在一例中，检测器19可包括对基板W的侧面照射光的光照射部和检测在基板W的侧面反射的光的检测部。如图2A所示，检测器19可配置多个。控制部6基于各个检测器19的检测结果，求出基板W的X、Y、θ的位置。
首先，说明以往技术的θ校正驱动的方法。以往，通过使保持有基板的基板载置部向θz方向旋转来进行θ校正驱动。在θ校正驱动时，基板载置部通过来自气垫的压缩气体的喷出而成为摩擦阻力减小的状态或非接触的状态，该气垫构成在从下方支承基板载置部的保持部的上表面。θ校正驱动后，将气垫切换为吸引，基板载置部被保持部约束。与基板载置台的XY驱动并行地实施以上的从θ校正驱动到基板载置部的约束为止的一连串动作。
但是，在基于气垫的约束力(气垫彼此的摩擦力)未达到通过XY驱动而产生的惯性力的状态下基板载置台进行XY驱动的情况下，由于惯性力而基板载置部产生偏移。其结果是，基板的对位精度降低，曝光性能可能降低。因此，在基板载置台向曝光开始位置移动后，需要等待气垫的完全约束的时间，这妨碍了生产节拍时间的缩短。
由于基板载置部的偏移是该问题的原因，因此考虑在基板载置部被保持部固定的状态下使基板旋转的对策。作为在基板载置台上对基板进行θ校正的技术，有在基板载置部的上侧吸附保持基板并使其旋转的方法。但是，在以往的基板的θ校正的机构中，由于在中央一个部位吸附基板，因此施加在吸引保持部的负荷大，存在基板与吸引保持部之间产生偏移的风险。
另外，由于以往的吸引保持部是单纯地升降的机构，因此在θ校正驱动后基板载置部吸附基板时，基板会产生与吸引保持部从基板载置部突出的高度相应的形变。为了不在基板上残留形变，需要如下步骤：基板载置部吸附基板，在使吸引保持部向基板载置部的下方驱动后，向基板整个下表面喷出压缩气体。然而，在实施施加压缩气体的步骤的期间，由于基板不受约束，因此当水平驱动基板载置台时，基板会跑开(沿水平方向移动)。
因此，在本实施方式中，使用如以下所示那样的机构来并行实施基板载置台的XY驱动和基板的θ校正驱动，从而能够缩短生产节拍时间。
(θ校正驱动机构的结构)
图2A是基板载置台5的俯视图(从Z方向上方观察的图)。图2B是沿着图2A所示的A-A线的剖视图(从X方向观察的剖视图)，表示θ校正驱动机构14的结构。基板载置台5具有支承基板W的基板支承部7。基板支承部7也可以被称为基板载置部或基板卡盘。基板支承部7通过对基板W的下表面喷出气体而使基板W浮起，从而能够以非接触状态支承基板W。基板支承部7还能够吸引基板W下方的气体，以接触状态支承基板W。控制部6能够切换基板支承部7对基板W的非接触支承/接触支承。
在基板支承部7形成有贯穿上下表面的多个孔28。多个孔28与通路33连通。通路33与第一压力调整部29连接。
如图2A所示，θ校正驱动机构14配置在基板支承部7的下部。θ校正驱动机构14可包括多个吸引保持部24。多个吸引保持部24吸引由基板支承部7以非接触状态支承的基板W的下表面，限制基板W向与基板表面平行的方向(第一方向)(典型地为XY方向)的位移。多个吸引保持部24由支承构件23支承。如后所述，支承构件23由旋转部25支承为能够绕与基板表面交叉的轴旋转。在图2A、图2B的例子中，4个吸引保持部24配置在从支承构件23的旋转中心离开的位置。从旋转中心离开的位置可根据设置在基板支承部7的中央的间隙的大小、基板的θ校正的必要驱动量等来决定。另外，相对于基板W的基板载置台17的XYθ驱动时的惯性力，吸引保持部24的数量可由衬垫24g(图3)与基板W的摩擦系数和真空源30的施加压力决定。在图2A的例子中，支承构件23可以是在从上方观察基板支承部7时的俯视下通过基板支承部7的中心并沿Y方向延伸的长条构件。
图3表示吸引保持部24的构成例。吸引保持部24具备：轴24d，在Z方向上延伸；以及衬垫24g，作为接触构件，设置在轴24d的上端，与基板W的下表面接触。轴24d是形成有用于经由衬垫24g进行基板W的真空吸引的空气流路的中空构件，且是进行衬垫24g的上下移动的构件。轴24d能够一边被形成于支架24f的引导部24e引导一边在Z方向上自由地移动。轴24d(即衬垫24g)由致动器24a向+Z方向驱动。致动器24a可由气缸、线性马达、伺服马达等构成。即使在衬垫24g被致动器24a驱动到能够与基板W接触的位置、衬垫24g被基板W吸附后致动器24a返回待机位置，衬垫24g也能够通过引导件24e的作用而继续吸附在基板W上。此时，由于成为相对于基板W没有来自吸引保持部24的按压力的状态，因此能够在平滑度高的状态下对基板W从θ校正驱动开始进行向基板支承部7的载置、吸附。由此，衬垫24g可根据基板W向与基板表面交叉的方向(第二方向)(典型为Z方向)的位移而位移。
支承多个吸引保持部24的支承构件23的中央经由旋转部25与配置在支承构件23的下方的固定构件18连结。通过旋转部25，支承构件23能够相对于固定构件18在θz方向上旋转。另外，固定构件18的端部与支承构件23的端部经由θ驱动源15而连结。θ驱动源15向驱动方向21驱动支承构件23，从而支承构件23能以旋转部25为旋转中心向θz方向旋转。即，θ校正驱动通过θ驱动源15使支承构件23相对于固定构件18旋转来进行。因此，可以理解为旋转部25构成旋转支承部，由该旋转支承部与θ驱动源15构成旋转部。
并且，在固定构件18的上表面配置有多个气垫22，在支承构件23的下表面以与多个气垫22相面对的方式配置有多个衬垫27。多个气垫22构成为相对于支承构件23的下表面(衬垫27)喷出气体。并且，多个气垫22也构成为吸引支承构件23之下的气体而使气垫22与衬垫27吸附。由这样的气垫22进行的气体的喷射或吸引能够通过控制部6进行切换。θ校正驱动在从气垫22喷出压缩气体而使支承构件23与气垫22为非接触状态或者摩擦阻力减轻的状态下进行。由于通过气垫22的压缩气体的喷出和吸附动作，从固定构件18向上方构成的θ校正驱动机构14的构件在Z方向上移动，因此旋转部25也可以构成为通过板簧等随着这样的Z方向的移动而在Z方向上能够伸缩。由此防止支承构件23的变形。
吸引保持部24的衬垫24g经由轴24d与真空泵等真空源30以能够气体流通的方式连接。在吸引保持部24支承基板W时，通过真空源30进行气体吸引(抽真空)，衬垫24g可吸附于基板W的下表面。衬垫24g的上部(接触部)优选为在与基板W接触时仿照基板W的材质(例如树脂)。
第一压力调整部29进行压缩气体向孔28的供给(喷出)、通过孔28与大气空间(外部)的连接而实现的孔28的大气开放、以及来自孔28的气体的吸引中的任一方。这些动作可通过控制部6切换未图示的电磁阀来进行。第一压力调整部29通过吸引气体而对基板W与基板支承部7之间进行排气，从而吸附基板W。通过改变此时的气体的吸引强度，能够调整基板W的表面的平坦度。
第二压力调整部31进行压缩气体向气垫22的供给(喷出)、通过气垫22与大气空间(外部)的连接而实现的气垫22的大气开放、以及来自气垫22的气体的吸引中的任一方。这些动作可通过控制部6切换未图示的电磁阀来进行。
(关于基板的θ校正驱动方法)
对由θ校正驱动机构14进行的基板W的θ校正驱动方法进行说明。θ校正驱动通过控制部6执行按照图4所示的流程图的程序来进行。另外，图5～图9分别是表示基板W的保持过程的图。在图5～图9中，对与图1、图2A及图2B相同的构件标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
在程序开始时，基板载置台5在基板接收位置处静止。关于θ校正驱动机构14，衬垫24g位于基板支承部7的上表面的下方，衬垫24g处于也没有吸附基板W的状态(S101)。经由孔28向+Z方向喷出压缩气体(S102)。另外，气垫22喷出压缩气体，为非接触状态或摩擦阻力减小的状态。
在S103中，吸引保持部24的致动器24a将支架24f向+Z方向推起，由此衬垫24g移动到基板支承部7的上方。此时的衬垫24g的末端或缘部的位置是从孔28朝向基板W喷出的压缩气体的动压发挥作用的高度，是能够由来自孔28的压缩气体和吸引保持部24承受基板W的自重的位置。
在S104中，在基板W被载置于衬垫24g之后或者在即将被载置之前，通过真空源30开始吸附衬垫24g上的基板W。由此，限制基板W向水平方向的位置偏移。图5示出了工序S104结束时的情况。
在S105中，基板载置台5开始XY驱动。与此并行地，在S106中，检测器19检测基板W的X、Y、θ的位置。另外，在S107中，在衬垫24g吸附于基板W的状态下，致动器24a向-Z方向驱动而移动到待机位置。此时，对基板W向+Z方向施加力的仅是来自孔28的压缩气体，基板W被吸附在衬垫24g上，因此不会产生水平方向的位置偏移。另外，基板W承受衬垫24g和轴24d的自重。通过致动器24a移动到待机位置，能够减少从吸引保持部24受力而产生的基板W的形变。由于衬垫24g是仿照基板W的材质，通过衬垫24g的上部稍微伸缩，从而即使基板W在Z方向上稍微移动，衬垫24g也能够追随。图6是表示工序S107结束时的情况的图。
在S108中，根据检测器19的检测结果来实施基板W的θ校正驱动。如上所述，θ校正驱动是通过θ驱动源15在驱动方向21上驱动，以旋转部25为中心旋转来进行的。在θ校正驱动的期间，在衬垫24g上，由于基板载置台5的XY驱动和θ校正驱动所引起的惯性力而可能产生水平方向的偏移。在本实施方式中，作为针对因该偏移导致θ校正精度降低的主要原因的对策，可将吸引保持部24配置在尽可能从旋转中心离开的位置。由此，减轻了施加于旋转部25的负荷。并且，通过将吸引保持部24配置在从旋转中心离开的位置，θ校正驱动的分辨能力变得比旋转中心附近高，能够将因衬垫24g的变形而产生的偏移给予θ校正精度的影响控制在微小或能够忽略的水平。
在S109中，第一压力调整部29经由孔28向大气开放。由此，供给到基板W的基板支承部7的空气经由孔28大致均匀地排出到大气中。由此，基板W以平滑度高的状态载置在基板支承部7上。在基板W被载置在基板支承部7时，基板W在-Z轴方向下降因压缩气体而浮起的高度。此时，吸附于基板W的衬垫24g随着基板W的下降而一边被引导件24e引导一边下降。图7示出了工序S109结束时的情况。
接着，在S110中，第一压力调整部29经由孔28开始抽真空，开始吸附基板W。在S110中，真空源30停止衬垫24g的基板W的吸附。即，停止排气动作。
在S111中，由于在S110中停止了排气动作，因此衬垫24g在被引导件24e引导的同时向待机位置下降，直到衬垫24g由于衬垫24g和轴24d的自重而成为与支架24f相同的高度。图8示出了工序S111结束时的情况。
在工序S112中，利用第二压力调整部31使衬垫22吸附于固定构件18。图9示出了工序S112结束时的情况。
这样，在S108中的支承构件23的旋转结束后，在S110中基板支承部7切换为接触状态下的基板的支承，在S112中气垫22切换为接触状态下的支承构件23的支承。
通过以上步骤，基板W的θ校正驱动结束。在S113中，利用基板载置台5使基板W向曝光开始位置移动。
这样，在从旋转中心离开的位置配置多个吸引保持部24，在全部的吸引保持部24被一个支承构件支承的状态下进行θ校正驱动。由此，即使在由基板载置台17的XY驱动所产生的惯性力作用的状况下，也能够实现高精度的θ校正驱动。另外，能够在基板上不残留形变地执行上述的动作。
[第二实施方式]
图10表示第二实施方式中的θ校正驱动机构14的结构。在第二实施方式的θ校正驱动机构14中，多个吸引保持部24各自不具备致动器24a。取而代之，致动器32配置在固定构件23之上以使力作用于支承构件23。致动器32通过使支承构件23在Z方向上驱动而使多个吸引保持部24分别升降。
[第三实施方式]
曝光装置1有时也同时处理多个基板。在该情况下，如图11所示，基板载置台5也可以与各个基板相对应地具备多个θ校正驱动机构14。
[第四实施方式]
在图2A中，支承构件23表示为在从上方观察基板支承部7时的俯视下通过基板支承部7的中心且沿Y方向延伸的长条构件。但是，支承构件23延伸的方向不限定于Y方向。支承构件23延伸的方向例如也可以根据基板W的曝光布局、形状来设定。
另外，支承构件23也不限定于长条的矩形形状。支承构件23例如也可以具有放射状、格子状、圆形状等形状。
[其他实施方式]
也可以没有第一实施方式中的致动器24a或第二实施方式中的致动器32。例如，也可以采用如下结构，即，使衬垫24g的初始位置尽可能地接近基板支承部7的上表面，通过真空源30的真空压力使衬垫24g上升而吸附在基板W上。
[物品制造方法的实施方式]
本发明的实施方式的物品制造方法适合于制造例如半导体器件等微器件、具有微细构造的元件等物品。本实施方式的物品制造方法包括：使用上述的光刻装置(曝光装置、压印装置、绘制装置等)将原版的图案转印到基板上的工序；以及对在该工序中被转印了图案的基板进行加工的工序。而且，该制造方法包括其它的周知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、接合、封装等)。本实施方式的物品制造方法与以往的方法相比，在物品的性能、品质、生产率、生产成本中的至少1个方面是有利的。
本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离发明的精神和范围的情况下进行各种变更和变形。因此，为了公开发明的范围而添加权利要求。

Claims (12)

1.一种定位装置，其特征在于，
该定位装置具有：
基板支承部，通过对基板的下表面喷出气体而使所述基板浮起，从而以非接触状态支承所述基板；
多个吸引保持部，对由所述基板支承部以非接触状态支承的所述基板的下表面进行吸引，从而限制所述基板向与基板表面平行的第一方向的位移；
支承构件，支承所述多个吸引保持部；以及
旋转部，通过使所述支承构件绕与所述基板表面交叉的轴旋转，从而不使所述基板支承部旋转，而借助所述多个吸引保持部使所述基板旋转。
2.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述多个吸引保持部被配置在从所述支承构件的旋转中心离开的多个位置。
3.根据权利要求2所述的定位装置，其特征在于，
所述支承构件是在从上方观察所述基板支承部时的俯视时通过所述基板支承部的中心且沿所述第一方向延伸的长条构件。
4.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述多个吸引保持部分别具有通过气体的吸引而与所述基板的下表面接触的接触构件，所述接触构件构成为追随所述基板向与所述基板表面交叉的第二方向的位移而位移。
5.根据权利要求4所述的定位装置，其特征在于，
所述多个吸引保持部分别具有使所述接触构件与所述基板的下表面接触的致动器。
6.根据权利要求4所述的定位装置，其特征在于，
该定位装置还具有驱动所述支承构件以使所述接触构件与所述基板的下表面接触的致动器。
7.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
该定位装置还具有使所述基板向所述第一方向移动的驱动机构，
与利用所述驱动机构进行的所述基板的移动并行地使所述支承构件旋转。
8.根据权利要求7所述的定位装置，其特征在于，
该定位装置还具有配置在所述支承构件的下方的固定构件，
所述旋转部被配置成固定在所述固定构件上之并使所述支承构件旋转，
该定位装置还具有气垫，该气垫配置在所述固定构件之上，相对于所述支承构件的下表面喷出气体，
所述气垫喷出气体，在所述支承构件与所述气垫为非接触状态或摩擦阻力减小的状态下使所述支承构件旋转。
9.根据权利要求8所述的定位装置，其特征在于，
所述基板支承部进一步构成为，吸引所述基板的下方的气体而以接触状态支承所述基板，
所述气垫进一步构成为，吸引所述支承构件的下方的气体而以接触状态支承所述支承构件，
在所述支承构件的旋转结束后，所述基板支承部切换为以所述接触状态支承所述基板，所述气垫切换为以所述接触状态支承所述支承构件。
10.一种光刻装置，其特征在于，
该光刻装置具备权利要求1至9中任一项所述的定位装置，
该光刻装置构成为，将原版的图案转印到由所述定位装置定位了的基板上。
11.根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，
该光刻装置构成为曝光装置或压印装置。
12.一种物品制造方法，其特征在于，
该物品制造方法具有：
使用权利要求10所述的光刻装置将图案转印到基板上的工序；以及
对转印有所述图案的基板进行加工的工序，
该物品制造方法通过被加工了的所述基板来制造物品。
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