TWI825099B

TWI825099B - 用於原位夾具表面粗化之裝置及方法

Info

Publication number: TWI825099B
Application number: TW108117432A
Authority: TW
Inventors: 英瑞可佐丹
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
Priority date: 2018-05-22
Filing date: 2019-05-21
Publication date: 2023-12-11
Also published as: CN112154377A; WO2019224040A1; TW202004907A; NL2023127A

Abstract

本發明揭示一種具備研磨元件的專用粗化基板，該研磨元件用於一半導體光微影裝置中之一夾具之一表面的原位粗化。亦揭示一種使用該粗化基板的方法，其中該粗化基板經裝載、與該夾具相對地定位且隨後壓靠該夾具並橫向移動。

Description

用於原位夾具表面粗化之裝置及方法

本發明係關於可用於在用於半導體光微影的器件中固持倍縮光罩或基板之夾具，且更特定言之，係關於與倍縮光罩或基板接觸之此夾具之表面的處理。

微影裝置為將所需圖案塗覆至基板上(通常塗覆至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如矽晶圓)上的目標部分(例如包括一個或若干晶粒的一部分)。通常經由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。

已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。

藉由使用夾具，將諸如圖案化器件或基板的物體分別附接至諸如光罩台或晶圓台的物體支撐件上。可提供靜電夾具以將物體靜電夾持至物體支撐件上。作為固持物體的部分，夾具與物體接觸。若必要，粗化與物體接觸之夾具之表面。否則，即使在移除靜電夾持力之後，由於夾具及物體之極平坦表面可經由光學接觸黏附，因此物體亦有繼續黏著至夾具上的趨勢。此「黏性」可使自夾具中移除物體所需的時間變得複雜及延長，或甚至導致無法無損移除。

在夾具的使用壽命期間，必須定期地或例如在其開始呈現黏性時粗化夾具表面。夾具粗化通常在掃描儀/步進器離線且夾具自其操作環境中移除的情況下進行。此可產生大量停止時間。

因此，需要一種用於減少機器停止時間的夾具粗化的系統。

下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此發明內容並非所有所涵蓋實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲對任何或所有實施例之範疇設定限制。其唯一目的在於以簡化形式呈現一或多個實施例的一些概念以作為稍後呈現之更詳細描述的序言。

根據實施例的一個態樣，揭示可藉由提供粗化基板來原位進行夾具粗化的器件及方法，該粗化基板可以與倍縮光罩或基板相同的方式裝載，且隨後移動至需要粗化的夾具之表面並壓靠在夾具之表面上。粗化基板包括研磨元件，該等研磨元件藉由撓曲件連接至基板基底，使得研磨元件可與夾具的表面一致且向夾具表面施加大體上均勻的法向力。隨後，研磨元件橫向來回移動，以粗化夾具表面。

根據實施例的另一態樣，每一研磨元件具有各別致動器，諸如壓電元件，其經控制以橫向移動研磨元件。

根據實施例的另一態樣，揭示一種包含基板基底及複數個研磨元件的裝置，研磨元件中之每一者藉由各別耦接元件機械耦接至基板基底。基板基底可包含倍縮光罩基底。各別研磨元件中之每一者可包含壓電元件，該壓電元件經配置以在控制單元的控制下橫向移動各別研磨元件。各別耦接元件中之每一者可包括各別撓曲件，該各別撓曲件可經預裝載，且該各別撓曲件可具有大體上垂直於基板基底的方向上的低彈簧常數。大體上垂直於基板基底的方向上的彈簧常數介於約50N/m至約5000N/m的範圍內。

複數個研磨元件中之每一者可具有大體上相同的形狀及尺寸。複數個研磨元件可配置成陣列，該陣列可為有序陣列。陣列可大體上覆蓋基板基底。

研磨元件中之每一者可包含陶瓷材料。對於研磨元件中之每一者，研磨元件與基板基底之間的距離可藉由止擋件限制。

根據實施例的另一態樣，揭示一種粗化半導體光微影裝置中之夾具之表面的方法，該方法包含以下步驟：將粗化基板裝載至平台上，該粗化基板具有具備複數個研磨元件的面；使粗化基板與夾具對準，使得具有瘤節的夾具之表面與具有研磨元件的粗化基板之表面相對；使研磨元件壓靠夾具之表面；藉由在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上平移研磨元件直至獲得所需粗糙度來粗化瘤節；將粗化基板移動遠離夾具；將粗化基板移動至粗化倍縮光罩可自平台卸載的位置，以及自平台卸載粗化基板。在大體上平行於夾具之表面的平面內平移粗化基板直至獲得所需粗糙度的步驟包含確定瘤節具有所需粗糙度的時間。確定獲得所需粗糙度的時間包含確定已知導致所需粗糙度的時間量已過的時間。確定已獲得所需粗糙度的時間包含感測瘤節的粗糙度。藉由在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上平移研磨元件直至獲得所需粗糙度來粗化瘤節可包含移動基板。複數個研磨元件可機械耦接至各別致動器，並且藉由在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上平移研磨元件直至獲得所需粗糙度來粗化瘤節可包含使致動器在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上移動其各別研磨元件。致動器可包含壓電元件。

下文參考附圖詳細描述本發明主題的其他實施例、特徵及優勢，以及各種實施例之結構及操作。

100:微影裝置

110:夾具

120:夾具下部部分

130:夾具上部部分

140:瘤節

150:平面

160:第一電極

170:接地電極

180:空隙

200:倍縮光罩

210:研磨元件

220:倍縮光罩基底

230:撓曲件

240:止擋件

250:致動器

260:控制單元

B:輻射光束

C:目標部分

IL:照明器

M1:光罩對準標記

M2:光罩對準標記

MA:圖案化器件

MT:支撐結構

P1:基板對準標記

P2:基板對準標記

PM:第一定位器

PS:投影系統

PW:第二定位器

SO:輻射源

W:基板

WT:基板台

S500:步驟

S510:步驟

S520:步驟

S530:步驟

S540:步驟

S550:步驟

S560:步驟

圖1描繪根據本發明實施例之態樣之微影裝置。

圖2描繪傳統邊緣夾具之部分橫截面並示意性地示出夾具壓力。

圖3為根據本發明實施例之態樣的粗化基板的平面圖。

圖4A為根據本發明實施例之態樣之粗化基板的截面圖。

圖4B為根據本發明實施例之態樣的與夾具嚙合的粗化基板的剖視圖。

圖5為說明根據本發明實施例之態樣之粗化夾具表面之方法的流程圖。

圖6為根據本發明實施例之態樣之粗化基板的平面圖。

下文參考附圖詳細描述本發明之其他特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習此項技術者而言將顯而易見。

現參看圖式描述各種實施例，其中相似參考數字始終用以指代相似元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述眾多特定細節以便增進對一或多個實施例之透徹理解。然而，在一些或所有情況下可明顯的是，可在不採用下文所描述之特定設計細節的情況下實踐下文所描述之任何實施例。在以下描述中及在申請專利範圍中，可使用術語「上」、「下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」及類似術語。除非另有說明，否則此等術語意欲僅表示相對於重力的相對定向，而非任何定向。

圖1示意性地描繪根據本發明之實施例之微影裝置100。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射或EUV輻射)；支撐結構或支撐件或圖案支撐件(例如光罩台)MT，其經構建以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據某些參數來精確定位圖案化器件；基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據某些參數來精確定位基板；及投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以藉由圖案化器件MA將賦予輻射光束B的圖案投影至基板W的目標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於導引、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否經固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。光罩支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所需位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。

本文中所使用之術語「圖案化器件」應經廣泛地解釋為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創建圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所需圖案。通常，賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創建之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡將圖案賦予至藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。

本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般之術語「投影系統」同義。

支撐結構及基板台在下文中亦可稱為物件支撐件。物件包括但不限於圖案化器件(諸如倍縮光罩)以及基板(諸如晶圓)。

如本文中所描繪，裝置屬於反射類型(例如使用反射光罩)。或者，裝置可屬於透射類型(例如使用透射光罩)。

微影裝置可屬於具有兩個(雙平台)或更多個基板台(及/或兩個或更多個光罩台)之類型。在此等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括例如合適導引鏡面及/或擴束器之光束遞送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統(必要時)可經稱作輻射系統。

照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。此外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如積光器及聚光器。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所需均一性及強度分佈。

輻射光束B入射至固持在支撐結構(例如光罩台)MT上的圖案化器件(例如光罩)MA上，且藉由圖案化器件來經圖案化。在經圖案化器件(例如光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W的目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，基板台WT可精確移動，例如以便在輻射光束B的路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用於例如在自光罩庫中機械檢索之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑精確定位圖案化器件(例如光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構(例如光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描儀相對)的情況下，支撐結構(例如光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記(此等稱為劃道對準標記)可定位於目標部分之間的空間中。類似地，在圖案化器件(例如光罩)MA上設置多於一個晶粒的情況下，光罩對準標記可定位於晶粒之間。

圖2描繪夾具110(其可為一靜電夾具)之部分橫截面，靜電夾具110可應用於諸如倍縮光罩或晶圓的物件的邊緣。圖2亦藉由圖中的箭頭示意性地說明可由夾具產生的夾具壓力。夾具110包含由絕緣材料形成的夾具下部部分120及由介電材料形成的夾具上部部分130。夾具上部部分130形成有複數個瘤節140。瘤節140之頂部確定平面150，物件(未示出)固持在該平面150中。第一電極160設置於夾具下部部分120與夾具上部部分130之間，且第一電極160適用於在電壓(通常為3kV)下固持以產生靜電夾持力。接地電極170固持在地，且藉由空隙180與第一電極160間隔開，空隙180充當第一電極與接地電極之間的障壁。空隙180可填充有絕緣材料、介電材料，或保持為空的。

圖2中的向下箭頭示意性地說明圖2的夾具可產生的夾持壓力。箭頭之長度表示夾持力，並且可看出，可在第一電極之寬度上產生均勻的夾持壓力，該壓力之大小取決於多個參數，包括施加的電壓、夾具上部部分130之介電常數以及夾具110之各個部分的尺寸。當向第一電極160施加電壓時，物件可藉由靜電夾持力固持在平面150中。舉例而言，2016年9月27日發佈的美國專利第9,455,172號中揭示關於此種性質的靜電夾具的額外細節，該美國專利之全部內容以引用之方式併入本文中。

如上所述，在操作中，瘤節140之頂部與待固持物件之大致平坦表面接觸。此可導致此等表面的光學接觸結合，此可妨礙物件自夾具中的有效移除。為解決此問題，可有意地粗化瘤節的頂部以防止充分的光學接觸。一般而言，表面粗糙度Ra(自中線之輪廓高度偏差之絕對值的算術平均值)較佳在約3nm至約7nm的範圍內。

在使用過程中，瘤節頂部表面可因磨損而變得過於光滑，使得進行光學接觸結合再次為可能的。當此情況發生時，有必要重新粗化瘤節的頂部。實現此的一種方法係自工具上移除夾具且手動粗化夾具。然而，此導致嚴重的停止時間損失。替代地，具有用於原位重新調節瘤節頂部且利用更短停止時間的系統為有利的。

以下論述使用倍縮光罩作為實例，但應當理解，所揭示的原理可應用於其他夾持的物件，例如基板。圖3示出根據實施例之一個態樣的粗化倍縮光罩200的實例。粗化倍縮光罩200包括以下文描述的方式安裝在倍縮光罩基底220上的研磨元件210的陣列。粗化倍縮光罩200可正如任何其他倍縮光罩一樣裝載至工具中，但在其面向夾具定位之後，倍縮光罩200壓靠在夾具上並導致橫向移動。此使得經配置以大體上覆蓋粗化倍縮光罩200之表面的研磨元件210與夾具上的瘤節接觸，且隨後粗化瘤節的頂部。作為一實例，圖3的配置中之研磨元件210(例如，陶瓷「石」)以有序陣列配置，但其他配置亦為可能的，包括非有序陣列及含有不同尺寸及形狀之研磨元件之陣列。此外，圖3中之陣列為4×4陣列，但對於一般熟習此項技術者而言將顯而易見的是，可使用其他尺寸的陣列。選擇陣列及研磨元件210的總尺寸，使得粗化倍縮光罩足夠接近與標準倍縮光罩相同的尺寸，經設計以用於與標準倍縮光罩一起工作的器件亦將對粗化倍縮光罩起作用。

研磨元件210可包含用於粗化表面的任何材料，例如陶瓷材料。可使用之材料之其他實例包括氧化鋁及氧化鋯。

與粗化過程相關的參數包括在於夾具表面上滑動時施加於研磨元件210上之力的大小、研磨元件210與瘤節140之間在研磨元件區域上的壓力的均一性以及石頭的粗糙度。原位粗化的主要挑戰中之一者為確保所有倍縮光罩夾具瘤節上的壓力均勻且一致。此設計目標藉由下文描述的系統來實現。至於石頭的粗糙度，同樣的材料可有多種不同的粗糙度。一般而言，用於本文揭示的系統之石頭粗糙度的範圍為約200nm至約1000nm。

圖4A示出根據實施例之一個態樣的粗化倍縮光罩200的實例。粗化倍縮光罩200包括多個研磨元件210，其一起大體上覆蓋倍縮光罩基底220之整個表面。

如上所述，與粗化過程相關的兩個參數為在於夾具表面上滑動時施加於研磨元件上之力的大小及研磨元件210與瘤節140之間在研磨元件區域上的壓力的均一性。若壓力在所有倍縮光罩夾具瘤節上均勻且一致，則為最有利的。為控制此等參數且如圖4A所示，研磨元件中之每一者具備至少一個撓曲件230。舉例而言，撓曲件230可為彈簧。撓曲件230經預裝載以確保均勻的最小法向力，同時符合夾具110的形狀及平坦度，如圖4B所示。止擋件240在預裝載撓曲件230的情況下限制研磨元件210的豎直移動。

因此，每一研磨元件210藉由撓曲件230附接至倍縮光罩基底220。撓曲件230在z方向上預裝載，且經設計成具有z方向上的低彈簧常數(亦即，「較軟」)。撓曲件230具有大體上垂直於倍縮光罩基底220之方向上的介於約50N/m至約5000N/m範圍內的彈簧常數。此確保夾具與研磨元件之間的法向力的所需一致性，該法向力將與預裝載力大致相同。

柔性預裝載撓曲件確保符合夾具表面。研磨元件陣列中之每一研磨元件利用撓曲件機械耦接至倍縮光罩基底，該撓曲件(例如彈簧)具有在z方向(與對應於xy平面之陣列正交)上預裝載的低彈簧常數且具有在z、Rx(繞x軸旋轉)及Ry(繞y軸旋轉)中之低彈簧常數(較軟)，以及所有其他自由度之較高的彈簧常數(較硬)。止擋件240限制研磨元件在z方向上的移動，使得研磨元件210最多停留在距倍縮光罩基底預定距離處。由於施加的力足以解決所有研磨元件210的預裝載，因此低彈簧力彈簧允許在z方向上在位移範圍內的大體上恆定的彈簧力。

因此，如圖4B中所示，粗化倍縮光罩200在z方向上移動，使得當研磨元件210壓靠夾具110上的瘤節140時，由研磨元件210的位移產生的力克服由撓曲件230施加的向上彈簧力。在此種情況下，由撓曲件230施加的力大體上恆定，因此在瘤節140上施加大體上恆定的法向力。每一研磨元件210接觸一定數目n的瘤節140。每一研磨元件210獨立地符合夾具表面。

圖5為使用粗化倍縮光罩200之夾具粗化製程的實例的流程圖。在步驟S500中，粗化倍縮光罩200經裝載至倍縮光罩平台上，如同常規倍縮光罩一樣。在步驟S510中，粗化倍縮光罩200隨後與夾具110對準，使得夾具110的帶有瘤節140的表面與粗化倍縮光罩200的帶有研磨元件210的表面相對。在步驟S520中，控制倍縮光罩平台以使粗化倍縮光罩200壓靠夾具110，使得研磨元件210將與瘤節140接觸，以獲得所需接觸力及位移。撓曲件230將變形以維持預裝載周圍的單獨力。在步驟S530中，隨後命令倍縮光罩平台在xy平面中平移粗化倍縮光罩200以執行拋光，直至獲得所需粗糙度為止。所需粗糙度將具有介於約3nm至約7nm範圍內的Ra。隨後在步驟S540中，自夾具拉離粗化倍縮光罩200。隨後在步驟S550中，粗化倍縮光罩200遠離夾具移動至粗化倍縮光罩200可卸載的位置。隨後在步驟S560中，粗化倍縮光罩200自倍縮光罩平台卸載。

當相對運動經執行一先驗已知的時間量以產生所需表面粗糙度時，步驟S530可終止。替代地，執行步驟S530的一部分可包括例如光學地使用感測器資料來產生肯定判定，即已在執行相對xy運動直至此判定為肯定的為止的情況下獲得所需表面粗糙度，在圖6中所示的替代實施例中，每一個別研磨元件210由個別致動器250(例如用壓電元件)個別地致動。致動器250在控制單元260的控制下橫向移動(即在xy平面內)其各別研磨元件210。此力可以協調的方式施加，使得隨著研磨元件210在xy平面內在不同方向上運動，總淨施加側向力將大體上為零，以至於其整體上相互抵消。

可使用以下條項進一步描述實施例：

1.一種裝置，其包含：基板基底；複數個研磨元件，研磨元件中之每一者藉由各別耦接元件機械耦接至基板基底。

2.如條項1之裝置，其中基板基底包含倍縮光罩基底。

3.如條項1之裝置，另外其中各別研磨元件中之每一者包含壓電元件，該壓電元件經配置以在控制單元的控制下橫向移動各別研磨元件。

4.如條項1之裝置，其中各別耦接元件中之每一者包含各別撓曲件。

5.如條項4之裝置，其中每一各別撓曲件經預裝載。

6.如條項4之裝置，其中每一各別撓曲件具有大體上垂直於基板基底的方向上之低彈簧常數。

7.如條項4之裝置，每一各別撓曲件具有大體上垂直於基板基底的方向上的介於約50N/m至約5000N/m範圍內之彈簧常數。

8.如條項1之裝置，其中複數個研磨元件中之每一者大體上具有相同的形狀及尺寸。

9.如條項1之裝置，其中複數個研磨元件配置成陣列。

10.如條項9之裝置，其中陣列為有序陣列。

11.如條項9之裝置，其中陣列大體上覆蓋基板基底。

12.如條項1之裝置，其中研磨元件中之每一者包含陶瓷材料。

13.如條項1之裝置，其中對於研磨元件中之每一者，研磨元件與基板基底之間的距離由止擋件限制。

14.一種粗化半導體光微影裝置中之夾具之表面的方法，該方法包含以下步驟：將粗化基板裝載至平台上，該粗化基板具有具備複數個研磨元件的面；使粗化基板與夾具對準，使得具有瘤節的夾具之表面與具有研磨元件的粗化基板之表面相對；使研磨元件壓靠夾具之表面；藉由在大體上平行於夾具之表面的平面內平移研磨元件直至獲得所需粗糙度來粗化瘤節；將粗化基板移動遠離夾具；將粗化基板移動至粗化倍縮光罩可自平台卸載的位置；以及自平台卸載粗化基板。

15.如條項14之方法，其中在大體上平行於夾具之表面的平面內平移粗化基板直至獲得所需粗糙度的步驟包含確定瘤節具有所需粗糙度的時間。

16.如條項15之方法，其中確定獲得所需粗糙度的時間包含確定已知導致所需粗糙度的時間量已過的時間。

17.如條項15之方法，其中確定已獲得所需粗糙度的時間包含感測瘤節的粗糙度。

18.如條項14之方法，其中藉由在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上平移研磨元件直至獲得所需粗糙度來粗化瘤節包含移動基板。

19.如條項14之方法，其中複數個研磨元件機械耦接至各別致動器，並且其中藉由在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上平移研磨元件直至獲得所需粗糙度來粗化瘤節包含使致動器在大體上平行於夾具之表面的平面內大體上移動其各別研磨元件。

20.如條項19之方法，其中致動器包含壓電元件。

憑藉說明特定功能及其關係之實施之功能建置區塊來製作本發明。為便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。舉例而言，度量模組功能可在若干系統之間劃分，或至少部分地藉由整個控制系統來執行。

以上描述包括一或多個實施例之實例。當然，不可能出於描述前述實施例之目的而描述組件或方法之每一可想到的組合，但一般熟習此項技術者可認識到，各種實施例之許多另外組合及排列為可能的。因此，所描述之實施例意欲包涵屬於隨附申請專利範圍之精神及範疇的所有此等變更、修改及變化。此外，就術語「包括」用於實施方式或申請專利範圍中而言，此術語意欲以類似於術語「包含」而在「包含」作為過渡詞用於一技術方案中時所解釋之方式而為包括性的。此外，儘管所描述之態樣及/或實施例的元件可以單數形式來描述或主張，但除非明確陳述單數限制，否則亦涵蓋複數。另外，除非另有說明，否則任何態樣及/或實施例之全部或一部分可結合任何其他態樣及/或實施例之全部或一部分加以利用。

200‧‧‧倍縮光罩

210‧‧‧研磨元件

220‧‧‧倍縮光罩基底

230‧‧‧撓曲件

240‧‧‧止擋件

Claims

一種用於表面處理之裝置，其包含：一基板基底；複數個研磨(abrasive)元件，該等研磨元件中之每一者藉由一各別耦接元件機械耦接至該基板基底，其中各別該等研磨元件(the respective abrasive elements)中之每一者包含一壓電元件，該壓電元件經配置以在一控制單元的控制下橫向移動該各別研磨元件。
如請求項1之裝置，其中該基板基底包含一倍縮光罩基底。
如請求項1之裝置，其中該等各別耦接元件中之每一者包含一各別撓曲件。
如請求項3之裝置，其中每一各別撓曲件經預裝載。
如請求項3之裝置，其中每一各別撓曲件具有大體上垂直於該基板基底的一方向上之一低彈簧常數。
如請求項3之裝置，每一各別撓曲件具有大體上垂直於該基板基底的一方向上的介於約50N/m至約5000N/m範圍內之一彈簧常數。
如請求項1之裝置，其中該複數個研磨元件中之每一者大體上具有相同的形狀及尺寸。
如請求項1之裝置，其中該複數個研磨元件配置成一陣列。
如請求項8之裝置，其中該陣列為一有序陣列。
如請求項8之裝置，其中該陣列大體上覆蓋該基板基底。
如請求項1之裝置，其中該等研磨元件中之每一者包含一陶瓷材料。
如請求項1之裝置，其中對於該等研磨元件中之每一者，該研磨元件與該基板基底之間的一距離藉由一止擋件限制。