KR100801951B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

Abstract

리소그래피 장치는, 제 1 형태의 제 1 기판을 지지하도록 구성된, 폴리싱된 표면을 갖는 기판 테이블; 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 상기 폴리싱된 표면은 제 2 형태의 제 2 기판을 지지하고, 상기 투영 시스템은 상기 제 2 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}

이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시로만, 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판의 평면도;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 기판을 지지하기 위한 기판 홀더의 평면도;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 상의 홀더 내에 지지된 제 2 기판의 단면도;

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 리세스 영역의 평면도;

도 5b는 도 5a에 도시된 리세스 영역의 측면도;

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a 및 5b에 도시된 리세스 내에 배치하기 위한 기판 홀더의 상세 평면도;

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 상의 홀더 내에 지지된 제 2 기판의 단면도;

도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 내에 형성된 리세스의 평면 도;

도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 홀더의 평면도;

도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 홀더의 상세 평면도;

도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 상에 장착된 제 2 기판의 평면도;

도 9는 제 2 기판이 본 발명의 추가 실시예에 따라 장착되는 제 1 기판의 평면도;

도 10은 도 9에 도시된 실시예의 단면도;

도 11a는 도 9에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 리세스 영역의 평면도;

도 11b는 도 11a에 도시된 리세스 영역의 측면도;

도 12는 도 9에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 기판 홀더의 상세 평면도;

도 13a는 본 발명의 추가 실시예에 따른 제 1 및 제 2 기판 및 기판 홀더의 평면도;

도 13b는 도 13a에 도시된 실시예의 단면도;

도 14는 본 발명의 추가 실시예에 따른 기판 지지 수단의 평면도;

도 15는 기판 테이블 및 도 14에 도시된 실시예에 따른 기판 지지 수단의 평면도;

도 16은 본 발명의 추가 실시예에 따른 기판 지지 수단의 상세 평면도이다.

본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판상에, 일반적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상의 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행 또는 역-평행하게 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

리소그래피 장치에서, 기판 테이블은 일반적으로 표준 크기 및 형태를 갖는 기판을 지지하도록(hold) 디자인된다. 일반적으로, 지지 가능한 가장 작은 기판은 직경 75mm(대략 3인치)인 원형 기판이다. 기판 테이블은 일반적으로 표준 기판에 맞춰진(tailored) 홀더를 갖도록 디자인된다; 홀더는 기판을 이동가능하게 지지할 수 있어야 하며, 기판의 표준 크기/형태에 대해 이러한 홀더를 디자인함으로써 상기 디자인은 최적화될 수 있다. 보조 장치, 기판 취급(handling) 구성요소, 기판 수송 디바이스 등에서 보여지는 바와 같은-다양한 다른 형태의 기판 지지 테이블이 또한 일반적으로 표준 크기 및 형태의 기판을 취급하도록 디자인된다.

그러나, 표준 크기가 아니거나 표준 형태가 아닌 기판을 처리하는 것이 바람직한 경우들이 있다. 예를 들어, InP, GaAs 및 SiC 기판과 같은 특정 기판은 일반적으로 50mm(약 2인치)의 직경을 가지며, 이는 대부분의 가장 통상적인 기판 홀더에 대해 너무 작다. 또한, 기판은 표준과 다른 형태를 가질 수 있다. 전형적으로, 기판은 완전히 라운딩되거나(rounded), 원주의 일부를 따라 평평한 부분이 라운딩될 수 있다. 그러나, 다양한 크기의 라운딩된 기판의 정사각형, 직사각형 및 4분의 1(quarter)과 같은 다른 형태가 바람직할 수 있다. 또한, 불규칙한 형태를 처리하는 것이 바람직할 수 있으며, 이들은 각각, 예를 들어 보다 큰 기판이 불규칙한 조각으로 깨진 결과로 독특할 수 있다. 그러나, 이러한 비-표준 기판에 구체적으로 맞춰진 기판 테이블 및 취급 구성요소들을 디자인하고 만드는 것은 비용이 매우 많이 든다. 또한, 사용자는 단일한 리소그래피 장치를 사용하여 비-표준 기판을 포함하는 다양한 기판을 노광 할 수 있기를 원한다.

비-표준 기판을 취급하는 문제를 처리하기 위하여, 기판 테이블 상의 홀더에 의해 지지되는 표준 기판에 에칭된 리세스를 제공하는 것이 알려져 있다. 이어서 비-표준 기판이 리세스 내에 배치된다. 이러한 방식으로, 표준 기판은 비-표준 기판에 대한 "호스트(host)" 또는 캐리어(carrier)로서 작용한다. 그러나, 에칭 공 정의 제한 허용오차(limiting tolerance)로 인해, 완전한 리세스를 일관되게 에칭하기는 어렵다. 리세스는 빈번히 결함을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비-표준 기판의 지지 표면으로서 작용하는 리세스의 바닥면은 평평하지 않을 수 있다. 또한, 리세스의 측벽이 바닥면에 대해 수직으로 지향되지 않을 수 있으며, 이는 비-표준 기판의 잘못 위치됨(misplacement)으로 인한 정렬 문제를 유발할 수 있다. 또한, 원하는 형태가 얻어지더라도, 캐리어 기판(예를 들어 실리콘 웨이퍼)이 상대적으로 쉽게 깨질 수 있다. 따라서, 리세스의 안팎으로 비-표준 웨이퍼를 위치시키면 시간 경과에 따라 리세스의 측면에서 조각들이 떨어지게(chipping) 될 수 있으며, 그 결과 오염이 유발된다.

리소그래피 장치, 및 특정한 크기 및 형태의 기판("제 1 형태"의 기판)을 지지 및 처리하도록 디자인된 개별적인 노광 전후 취급 스테이션을 통해, 상기 장치 또는 취급 스테이션에 큰 변형을 가하지 않고, 비-표준 기판("제 2 형태"의 기판)을 포함하는 다양한 크기의 기판을 처리하는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 리소그래피 장치 내 비-표준 기판의 정렬 정확성을 증진시키는 것이 바람직하다. 또한, 리소그래피 장치 및 노광 전후 취급 스테이션의 오염을 감소시키는 것이 바람직하다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 제 1 형태의 제 1 기판을 지지하도록 구성된, 폴리싱된 표면을 갖는 기판 테이블; 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔 을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치로서, 상기 폴리싱된 표면은 제 2 형태의 제 2 기판을 지지하고, 상기 투영 시스템은 상기 제 2 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 제 1 형태의 제 1 기판을 지지하도록 구성된, 폴리싱된 표면을 갖는 기판 테이블; 및 기판의 적어도 일부분 상에서 취급 및 처리 공정 중 적어도 하나를 수행하도록 배치된 처리 시스템을 포함하여 이루어지는 기판 처리 장치로서, 상기 폴리싱된 표면은 제 2 형태의 제 2 기판을 지지하고, 상기 처리 시스템은 상기 제 2 기판을 가공 또는 처리하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 제 2 형태의 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법으로서, 상기 기판은 제 1 형태의 기판의 폴리싱된 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 패턴을 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법으로서, 상기 기판은 제 1 형태의 기판의 폴리싱된 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 패턴을 제 2 형태의 기판 상으로 투영하도록 배치된 리소그래피 투영 장치로서, 상기 기판은 제 1 형태의 기판의 폴리싱된 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영 장치가 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 패턴을 제 2 형태의 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치로서, 상기 기판은 제 1 형태의 기판의 폴리싱된 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 제 1 기판으로서, 폴리싱된 표면을 가지고, 제 2 기판이 상기 폴리싱된 표면 상의 소정의 위치에 지지될 수 있게 제 2 기판 홀더를 수용하도록 배치된 리세스를 포함하여 이루어지는 제 1 기판이 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 제 1 기판 상에 제 2 기판을 장착하는 방법으로서, 제 1 기판 내에 리세스를 에칭하는 단계, 상기 리세스 내에 상기 제 2 기판을 지지하기 위한 홀더를 배치하는 단계, 폴리싱된 표면 상의 상기 홀더에 대해 상기 제 2 기판을 배치하는 단계를 포함하여 이루어지는 방법이 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지 수단을 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치로서, 상기 기판 지지 수단은 상부 표면을 갖고, 이 상부 표면은, 상기 타겟부가 상기 투영 시스템에 의해 투영될 수 있도록 상기 기판이 상기 홀더에 의해 소정 위치에 지지 및 유지되도록 기판 홀더 및 상기 기판이 배치되어 있는 리세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 폴리싱된 표면을 갖는 반도체 기판으로서, 상기 표면에는 리세스가 제공되고, 상기 리세스는 실질적으로 L-형인 부분을 갖는 반도체 기판이 제공된다.

본 발명의 한 측면에 따르면, 리소그래피 장치의 기판 테이블 상에 위치하도록 되어 있는, 폴리싱된 표면을 갖는 제 1 기판; 및 상기 폴리싱된 표면 상이나 상기 폴리싱된 표면 내에 제공된 리세스 내에 제공된 대상물(object)로서, 상기 폴리싱된 표면 상에 위치되는 제 2 기판의 적어도 일부를 둘러싸도록 구성 및 배치되는 대상물을 포함하여 이루어지는 기판 홀더가 제공된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선, DUV, EUV 또는 x선 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제1위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(1,2)(W)을 잡아주도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(1,2)(W)의 타겟부(예를 들어 1이상의 다이를 포함)(C)에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다. 기판(1,2)(w)은 이하 더 상세히 기재한다.

조명시스템은, 방사선의 지향, 성형 또는 조절을 위하여, 다양한 형태의 광학 구성요소들, 예컨대 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 그 조합을 포함할 수 있다.

지지 구조체는, 패터닝 디바이스의 중량을 지지한다, 즉 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영시스템에 대해, 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 예를 들어 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 소정 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어, 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그래밍가능한 거울 어레이 및 프로그래밍가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함한다. 프로그래밍가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 소정 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들 또는 이의 임의의 조합을 포함하는 임의의 타입의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형이다. 선택적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형이 될 수도 있다.

리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판 테이블 (및/또는 2이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태일 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추 가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는, 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해, 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 의해 기판의 적어도 일부분이 덮일 수 있는 형태로 구성될 수도 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 본 발명이 속하는 기술 분야에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 담그어져야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 그 보다는 노광 시 액체가 투영시스템과 기판 사이에 위치된다는 것을 의미한다.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수도 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가지기 위해, 방사선의 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.

상기 방사선 빔(B)은, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT))상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동도, 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크 테이블(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부(dedicated target portion)들을 차지하지만, 그들은 타겟부들간의 공간들내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크들(scribe-lane alignment marks)로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황들에서는, 마스크 정렬 마크들이 다이들 사이에 위치될 수도 있다.

서술된 장치는 다음의 모드들 중 1이상에 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그런 후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟 부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그래밍가능한 거울 어레이와 같은 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들을 채용할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 제 1 기판의 평면도를 도시한다. 본 발명은, 장치의 큰 변형을 요구하지 않으면서 리소그래피 장치 상에 비-표준 기판을 노광 및 정렬하는 것이 가능하도록 한다. 이는 장치의 융통성을 증가시킨다. 현재까지, 예를 들어 포토닉스 산업 및 리서치 센터에서 비-표준 기판으로 작업하는 고객들은, 기판 상에 재현가능한 패턴을 만들기 위해 접촉(contact) 리소그래피에 의존하였다. 이는 제한된 해상도 성능(resolution capability) 및 열등한 웨이퍼 균일성(uniformity)을 가지는데, 이는 최고급 현상(high-end development)에 지나치게 많은 편차를 초래한다. 본 발명은, 치수(dimension)가 접촉 리소그래피 성능을 넘 어서는 기판에 리소그래피 장치를 사용하는 것이 가능하도록 한다. 따라서, 이전에 접촉 리소그래피를 사용해서만 처리될 수 있었던 기판은, 이제 증가된 해상도, 감소된 비틀림(distortion) 및 개선된 오버레이(overlay)로 처리될 수 있다. 또한, 특정 웨이퍼 형태의 비용은, 깨어진 웨이퍼를 사용하는 것이 가능하도록 함으로써 비용이 절감되도록 한다.

도 2 내지 8을 참고하여, 홀더는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 부분, 및 반대편 말단에서 제 1 부분에 인접하고 실질적으로 동일한 제 2 방향으로 연장되는 제 2 및 제 3 부분을 포함하며, 상기 부분들은 제 3 방향으로 연장되는 소정의 두계를 갖는다.

도 2는 제 1 기판(1)을 도시한다. 일 실시예에서, 제 1 기판(1)은 폴리싱된 표면(3)을 갖는다. 일 실시예에서, 제 1 기판(1)은 주어진 리소그래피 장치에 사용하도록 되어 있다. 상기 기판의 두께는 다양할 수 있으며, 어느 정도까지는, 예를 들어 기판 재료 및/또는 기판 직경에 의존할 수 있다. 일 실시예에서, 두께는 300㎛ 이상, 예를 들어 400㎛ 이상, 500㎛ 이상, 또는 600㎛ 이상이다. 일 실시예에서, 기판의 두께는 2500㎛ 이하, 예를 들어 1750㎛ 이하, 1250㎛ 이하, 1000㎛ 이하, 또는 800㎛ 이하이다. 기판의 형태는 다양할 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 실질적으로 원형의 형태를 가지며, 선택적으로 이의 주변 일부를 따라 노치(notch) 및/또는 평탄화된 에지를 갖는다. 일 실시예에서, 기판은 50mm 이상, 예를 들어 75mm 이상, 100mm 이상, 125mm 이상, 150mm 이상, 175mm 이상, 200mm 이상, 250mm 이상, 또는 300mm 이상의 직경을 갖는다. 일실시예에서, 웨이퍼는 500mm 이하, 400mm 이하, 350mm 이하, 300mm 이하, 250mm 이하, 200mm 이하, 150mm 이하, 100mm 이하, 또는 75mm 이하의 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 제 1 기판은 반도체 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 기판 재료는 Si, SiGe, SiGeC, SiC, Ge, GaAs, InP 및 InAs로 구성되는 그룹에서 선택된다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 III/V 화합물 반도체 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼, 예를 들어 8-인치 실리콘 웨이퍼이다. 제 1 기판(1)은 웨이퍼 테이블(WT) 상에 통상적인 방식으로 장착된다. 제 2 기판(2)은 주어진 리소그래피 장치에 대한 비-표준 웨이퍼가 될 수 있다. 예를 들어, 2-인치 InP 웨이퍼가 4분의 1로 절단된다. 일실시예에서, 제 2 기판 재료는 Si, SiGe, SiGeC, SiC, Ge, GaAs, InP 및 InAs로 구성되는 그룹에서 선택된다. 일 실시예에서, 제 2 기판은 III/V 화합물 반도체 기판이다. 제 2 기판(2)은 제 1 기판(1)의 폴리싱된 표면(3) 상에 배치된다. 폴리싱된 표면은 실질적으로 평평하므로, 우수한 장착 표면을 제공한다. 폴리싱된 표면(3)은 이의 평탄함(flatness)으로 인해 에칭된 표면 상에 개선된 표면을 제공하는 것으로 밝혀졌다. 따라서, 재현성이 개선된다. 제 1 기판(1)은 제 2 기판(2)에 대한 호스트로서 작용한다. 투영 시스템은 제 2 기판(2) 상에 투영 빔을 투영하도록 배치된다. 이는, 투영 빔의 초점을 조정함으로써 수행될 수 있다. 또한, 레벨링(leveling) 소프트웨어는, 레벨 센서 스폿이 통상적으로 그러하듯 제 1 기판 상이 아닌, 제 1 기판 상에 장착된 제 2 기판 상에 작용하도록 적합화될 수 있다. 또한, 기판 홀더(2)는 도 2에 도시된다. 기판 홀더는 제 2 기판(2)을 제 1 기판 상에 정렬되게 지지하도록 돕는다. 홀더(5)는 제 1 기판(1) 에 형성된 리세스(14) 내에 배치된다. 대체 실시예에서, 홀더(5)는 제 1 기판(1) 상에 위치된다(예들 들어 접착된다). 리세스의 위치는 제 1 기판 상의 정렬 마크(7) 및 정렬 노치(9)로 결정된다. 정렬 노치(notch)(9)에 추가하여, 정렬 플랫(flat)(도시 않음)이 사용될 수도 있다. 특히, 리세스(14)는 정확하게 위치설정된 참조 표면(reference surface)을 제공하도록 에칭된다. 사용시에, 일단 홀더(5)가 리세스(14)에 삽입되었으면, 제 2 기판(2)이 패터닝된 방사선 빔에 대해 소정 위치에 위치되도록, 참조 표면이 위치설정된다. 따라서, 제 2 기판(2)의 위치는 매우 정확하게 결정될 수 있다. 바람직하게는, 리세스(14)는 제 2 기판(2)의 결정(crystal) 배향과 정렬하여 생성된다. 제 2 기판(2)은, 제 2 기판(2) 상에 노광되는 패턴이 제 2 기판의 결정 배향에 평행하거나 수직이 되도록 배향된다. 리소그래피 장치 내 에지 센서는 기판(1)의 예비-정렬(pre-alignment)을 위해 사용된다. 노치(9) 또는 플랫은 정확하게 결정된다. 또한, 그리드(grid)를 정의하기 위하여 기판(2) 상에 정렬 마크를 노광함으로써 그리드가 사용된다. 제 2 기판(2), 특히 참조 표면의 위치는, 기판(2)의 정렬 마커와의 정렬에 의해 결정된다. 리세스(14)는 일반적으로 약 100 마이크로미터의 깊이까지 에칭된다. 반응성 이온 또는 플라즈마 에칭 기술이 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 비교적 큰 영역이 실질적으로 일정한 깊이에 걸쳐 에칭될 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 에칭된 영역은 "U" 형이다. 기판 홀더(5)는, 제 1 기판(1)의 폴리싱된 표면(3) 상의 제 2 기판(2)을 소정 위치에 유지하기 위하여 리세스(14) 내에 배치된다. 리세스(14)는 x-y 면에서 기판 홀더(5)보다 약간 더 크도록 치수화되는 것이 바람직하다. 이러 한 배치의 장점은, 먼지(dirt) 및 다른 오염물이 리세스(14) 내 홀더(5)의 배치를 방해하지 않는다는 것이다. 홀더(5)는 금속, 플라스틱 또는 세라믹 재료로 만들어질 수 있다. 스테인리스강 및 제로듀르(zerodur)(상표명)와 같은 비교적 불활성인 금속 또는 세라믹은 각각 우수한 결과를 제공하는데, 이들이 휘어짐 없이 적당한 가늘기(thinness)로 만들어질 수 있기 때문이다. 또한, 이들 재료는 이들의 형태를 유지한다. 홀더(5)는 바람직하게는 x-y 면에서 평평한 표면을 가지며, 일실시예에서, 약 0.3 내지 0.4 밀리미터의 실질적으로 균일한 두께로 되어 있다. 홀더(5)는 레이저링(lasering) 기술을 사용하여 매우 정확하게 결정된 치수로 기계가공될(machined) 수 있다. 리세스 및 홀더를 제공함으로써, 비교적 저비용으로 정확한 정렬이 얻어진다. 일 실시예에서, 홀더(5)는 제 2 기판이 정렬되는 하나 이상의 정렬 표면(4)을 포함한다. 사용시에 홀더(5)가 리세스 내 참조 표면 상에 배치될 때, 정렬 표면(4)은, 제 2 기판(2)이 홀더(5) 내에 배치될 때 제 2 표면이 패터닝된 빔과 정확하게 정렬되도록 배치되게, 정렬 표면(4)이 홀더 상에서 기계가공된다. 본 발명의 실시예에 따른 홀더의 추가적인 장점은, 이것이 깨어지기 어렵다는 것이다. 또한, 리세스 영역은 홀더보다 x-y 면에서 약간 더 크게 치수화되도록 디자인된다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 제 2 기판을 지지하기 위한 기판 홀더의 평면도를 도시한다. 도시된 실시예에서, 정렬 표면(4a,4b,4c)은 하나 이상의 접촉 점(10a, 10b,10c,10d)을 포함하며, 제 2 기판(2)은 하나 이상의 접촉점(10a,10b,10c,10d)과 접촉하여 배치된다. 일실시예에서, 정렬 표면(4a,4b,4c)은 상호 상이한 방향으로 각각 연장되는 제 1 및 제 2 부분(4a,4b,4c)을 포함하며, 상기 두 부분은 하나 이상의 접촉점(10a,10b,10c,10d)을 포함한다. 추가 실시예에서, 정렬 표면(4a,4b,4c)은 제 1 및 제 2 부분을 포함하며, 제 1 접촉점(10c, 10d)은 제 2 기판(2)의 제 1 말단을 향하는 제 1 부분(4c) 상에 배치되고, 제 2 접촉점(10a)은 제 2 기판의 제 2 말단을 향하는 제 2 부분(4a) 상에 배치된다. 추가 실시예에서, 제 1 부분(4c)에는 두 접촉점(10c,10d)이 제공되어 있다. 일실시예에서, 제 2 기판(2)은 세 접촉점(10a,10c,10d)에 대한 위치에 지지된다. 이러한 방식으로, 제 2 기판의 지지된 위치 내에서의 안정성은 개선된다. 접촉점은, 에칭된 리세스 내에 기판을 위치 설정하는 것보다 더 정확하게 위치 설정되도록 디자인된다. 통상적인 홀더에서, 기판이 리세스 영역 내에 위치되고 리세스 영역의 에지에 대해 위치 설정되는 경우, 깨어지기 쉬운 에지는 쉽게 손상되어 부정확한 위치 설정 및 오염이 초래된다.

예를 들어 기판 홀더가 완벽하게 곧지(straight) 않을 수 있으므로 기판 홀더(5) 상에 접촉점(10)을 제공하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판 홀더는 정확한 90도 각을 갖지 않을 수 있거나, 정확하게 90도 각을 갖는 기판 홀더를 생산하는 것이 비용이 많이 들 수 있다. 접촉점(10)은 임의의 편차를 수정하거나 및/또는 보다 중요하게는 재현성을 보장하기에 비용 효과적인 방식을 제공한다. 접촉점(10)은, 임의의 편차와 상관없이, 동일한 위치의 제 1 또는 캐리어 기판 상에 제 2 기판(2)이 위치되는 것을 보장한다. 또한, 접촉점(10)이 제 2 기판(2)과 접촉하는 영역이 비교적 작으므로, 접촉점 및 제 2 기판 사이에 발생하는 오염의 기회가 줄어든다. 또한, 제 2 기판(2)은 액체 방울, 예를 들어 물에 의해 제 1 기판(1)에 고정될 수 있으므로, 접촉점은, 기판(2)이 캐리어 기판(1) 상으로 압축되는 경우에 기판(2) 아래로부터 누출되는 물에 대해 약간의 공간이 존재하도록 보장한다. 언급된 바와 같이, 제 2 기판은 물과 같은 액체 방울에 의해 소정 위치에 유지될 수 있다. 탈이온수가 사용될 수 있다. 제 1 및 제 2 기판(1,2)에 대한 물 방울에 의한 모세관 작용이 제 2 기판(2)을 제자리에 유지시키는 것으로 밝혀졌다. 상기 방울의 적어도 일부를 증발시키기 위하여 제 2 기판(2)을 가열함으로써 상기 기판은 제거될 수 있다. 제 2 기판(2)의 해제(release) 및 제거가 용이하도록 상기 기판(1)에 해제 홀이 제공될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 기판(1)으로부터 제 2 기판(2)을 흡인(suck)하기 위하여 해제 홀에 진공이 적용될 수 있다.

도 3에서, 홀더(5)가 "U"형을 갖는 것으로 도시된다. 홀더는 세 부분(10, 10c, 10d)을 포함하는 정렬 표면(10)을 갖는다. 도시되는 실시예에서, 제 2 기판(2)은 완전히 원형인 기판의 4분의 1 부분이다. 상기 "U" 형은, 도 3에 도시된 4분의 1에 인접한 4분원(quadrant)으로부터 추가의 4분의 1 부분이 유래하는 경우에 이것이 점선(20)으로 도시된 배향으로 위치될 수 있도록 제공된다. 이러한 방식으로, 원래의 기판의 결정 배향은 유지된다. 특히 이는 InP 기판에 대해 바람직하다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 상의 홀더에 지지된 제 2 기판의 단면을 도시한다. 특히, 홀더(5)가 리세스(14) 내에 어떻게 위치되는지가 보여진다. 이 일 실시예에서, 리세스(14) 및 홀더(5)는, 홀더(5)가 제 2 기판(2)의 두께와 실질적으로 동일한 정도까지 z-방향으로 연장되도록 치수화되는 것으로 도시된다. 다시 말해, 리세스(14) 및 홀더(5)는, 사용시에 제 2 기판의 상부 표면(6)이 홀더의 상부 표면(8)과 실질적으로 같은 높이가 되도록 제 2 기판(2)에 대해 치수화된다. 또한, 홀더 및 리세스는, 사용시 홀더의 높이가 제 2 기판의 높이를 초과하지 않도록 제 2 기판에 대해 치수화될 수 있다. 이러한 방식으로, 투영 렌즈와 기판의 충돌을 최소화하는 기회가 최소화된다.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 리세스 영역의 평면도이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 리세스 영역의 측면도이다. 특히, 이들 도면은 리세스의 치수를 도시한다. 리세스는 기판의 부분들을 지지하기 위한 기판 홀더에 대해 치수화되며, 이는 원래 직경 2 인치로 측정될 수 있었다. "U" 형 리세스(14)는 제 1 부분(14a), 제 2 부분(14b) 및 제 3 부분(14c)을 포함하여 이루어진다. 제 1 및 제 2 부분(14a,14b)은 x 방향으로 연장되는 "U"의 아암(arm)이다. 제 3 부분(14c)은 y 방향으로 연장되는 "U"의 베이스이다. 리세스는, 이의 치수가 홀더(5)보다 약간 크고 홀더가 리세스에 꼭 맞도록(fit) 에칭된다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 부분(14a,14b)은 y 방향으로 연장되는 9.1mm의 폭을 갖는다. 제 1 및 제 2 부분(14a,14b)의 y 방향의 거리는 26.9mm이다. y 방향의 제 3 부분(14c)의 길이는 45.1mm이다. x 방향의 제 3 부분(14c)의 폭은 9.1mm이다. x 방향의 제 1 및 제 2 부분(14a,14b)의 길이는 27mm이다. 도 5b에서, z 방향의 에칭된 리세스(14)의 깊이는 0.1mm이고 에칭된 리세스의 y 방향의 길이는 45.1mm이다. 주어진 치수는 변화될 수 있다. 리세스에 대한 다른 치수가 가능하며, 리세스에 꼭 맞춰지는 홀더 에 의해 지지될 기판 또는 기판 일부분의 치수에 좌우될 것임을 알 것이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a 및 5b에 도시된 리세스 내에 배치하기 위한 기판 홀더의 상세 평면도를 도시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 홀더는 사용시에 적어도 두 측면에서 제 2 기판을 둘러싸도록 구성된다. 이러한 방식으로, 제 2 기판은 소정 위치에 단단히 및 정확히 지지될 수 있다. 홀더는 제 1, 제 2 및 제 3 부분(5a,5b,5c)을 포함한다. 제 1 및 제 2 부분은 "U" 형의 아암이다. 제 1 및 제 2 부분은 x-방향으로 연장된다. 제 3 부분(5c)은 "U" 형의 베이스이다. 제 3 부분(5c)은 y 방향으로 연장된다. y 방향의 제 1 및 제 2 부분의 폭은 9.1mm이다. x 방향의 제 1 및 제 2 부분(5a,5b)의 길이는 27mm이다. 도 6은 또한 접촉점(10a,10b,10c,10d)의 위치를 도시한다. 제 1 접촉점(10a)은 제 1 위치(5a) 상에 위치된다. 제 2 접촉점(10b)은 제 2 부분(5b) 상에 위치된다. 제 3 및 제 4 접촉점(10c,10d)은 제 3 위치(5c) 상에 위치된다. 제 1 및 제 2 접촉점(10a,10b)은 제 1 및 제 2 부분(5a,5b)을 따라 각각 x 방향의 소정 거리에 위치될 수 있다. 도시된 실시예에서, 제 1 및 제 2 접촉점(10a,10b)은 제 1 및 제 2 부분을 따라 12.5mm에 각각 위치된다. 다시 말해, 이들은 제 3 부분(5c)의 내부 에지(10e)로부터 12.5mm에 위치된다. 내부 에지(10e)의 길이는 26.9mm이다. 두 접촉점(10c,10d)은 제 3 위치(5c) 상에 위치된다. 접촉점(10c,10d)은 서로로부터 18mm 떨어지고 제 3 부분의 말단으로부터 동일 거리에 위치된다. 접촉점의 위치 설정을 위해 다른 치수가 가능하며, 홀더에 의해 지지될 기판 또는 기판의 일부분의 치수에 좌우될 것임을 이해할 것이다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 상의 홀더 내에 지지된 제 2 기판의 단면을 도시한다. 특히, 홀더(5)는 접착제(16) 및 펄(pearl)(18) 복합물을 사용하여 리세스(14)에 접착될 수 있다. 접착제는 에폭시 접착제가 될 수 있다. 펄은 접착층의 두께를 제어하기 위하여 제공된다. 펄(18)은 약 8 마이크로미터의 직경을 갖는다. 펄을 포함하는 접착제를 제공함으로써, 홀더는 리세스에 직접 접착될 수 있다. 펄/접착제 복합물은 또한 리세스 표면의 어떤 비평탄함에 대해 보정한다. 도시된 실시예에서, 제 2 기판(2)의 두께는 350 마이크로미터이다. 일 실시예에서, 홀더(5)는 1000 마이크로미터 이하, 예를 들어 600 마이크로미터 이하 또는 350 마이크로미터 이하로 제 1 기판(1)의 표면 상에 연장된다. 일 실시예에서, 리세스의 두께는 약 100 마이크로미터이다. 이들 치수는 각각의 특정한 실시예에 따라 변할 수 있음을 이해할 것이다.

도 8a-8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 리세스(14) 내에 배치된 홀더(5)의 형성을 도시한다.

도 8a는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 기판에 형성된 리세스의 평면도를 도시한다. 특히, 리세스는 제 1 기판(1)의 폴리싱된 표면(3)에 도시된다. 도 8b는 본 발명의 일실시예에 따른 홀더의 평면도를 도시한다. 금속 홀더(5)는 리세스(14) 내에 배치된다. 도 8c는 본 발명의 일실시예에 따른 홀더의 상세 평면도를 도시한다. 특히, 리세스(14)는 홀더(5)보다 x-y 면에서 약간 더 크다. 간극(14d,14e)이 리세스(14) 및 리세스(14) 내에 배치된 홀더(5)의 에지들 사이에 도시된다. 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 기판 상에 장착된 제 2 기 판(2)의 평면도를 도시한다.

도 9 내지 12를 참조하여, 홀더(50)는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 부분(50a) 및 실질적으로 제 1 방향에 수직인 방향("L"형)으로 연장되는 제 2 부분(50b)을 포함하며, 상기 부분들(50a,50b)은 제 3 방향으로 연장되는 소정 두께를 갖는다. 도 2 내지 8을 참조하여 기재된 실시예들과 리세스 및 홀더의 기하구조만상이함을 유념한다. 도 2 내지 8을 참조하여 기재된 리세스 및 홀더와 동일하거나 유사한 방식으로 리세스(24) 및 홀더(50)가 형성되고 작동한다.

도 9는 본 발명의 추가 실시예에 따른 제 2 기판이 장착된 제 1 기판의 평면도를 도시한다. 도 9에 도시된 홀더(50)는 전형적으로 제 2 원형 기판(2)을 지지한다. 예를 들어, 제 1 기판(1)은 6 또는 8인치 직경 기판이 될 수 있으며, 제 2 기판(2)은 원형의 2 인치 실리콘 기판 또는 이와 다른 기판이 될 수 있다. 도 2에서와 같이, 정렬 마크(7) 및 정렬 플랫 또는 노치(9)가 제 1 기판(1)의 정렬을 용이하기 하기 위하여 제 1 기판(1) 상에 제공된다. 제 2 기판(2)은 제 1 기판(1) 상의 예비-정렬 마크(7) 및 플랫 또는 노치(9)에 대해 정렬된다. 기판(1) 상의 마커들을 이용하여 예비-정렬이 일어나며, 기판(2)의 마커들 상에서 전체적인 정렬이 일어난다. "L" 형 리세스(24)는 약 100 마이크로미터의 깊이까지 제 1기판(1)에 에칭된다. L형 홀더(50)는 리세스 내에 배치된다. L 형 홀더(50)는 실질적으로 y방향으로 연장되는 제 1 부분(50a) 및 실질적으로 x 방향으로 연장되는 제 2 부분(50b)을 포함한다. 접촉점(22a)은 제 1 부분(50a) 상에 배치된다. 두 접촉 부분(22b,22c)이 제 2 부분(50b) 상에 배치된다.

도 10은 도 9에 도시된 실시예의 단면을 도시한다. 홀더(50)는 제 1 기판(1)의 리세스 내에 배치된다. 제 2 기판(2)은 제 1 기판(1)의 폴리싱된 표면(3) 상에 배치되며 홀더(50)에 접한다. 홀더(50)는 소정 위치에 위치되며 제 2 기판(2)을 지지한다. 도 4에 도시된 실시예에서와 같이, 리세스 및 홀더(50)는, 홀더(50)의 상부 표면(50c)이 제 2 기판(2)의 상부 표면(2a)과 실질적으로 같은 높이가 되도록 치수화된다.

도 11a는 도 9에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 리세스 영역의 평면도를 도시하고, 도 11b는 도 11a에 도시된 리세스 영역의 측면도를 도시한다. L형 리세스(24)는 제 1 부분(24a) 및 제 2 부분(24b)을 포함한다. 제 1 부분(24a)은 실질적으로 y 방향으로 연장되고, 제 2 부분(24b)은 실질적으로 x 방향으로 연장된다. 제 1 부분(24a)은 y 방향으로 40.1mm의 길이를 갖는다. 제 1 부분(24a)은 x 방향으로 9.1mm의 폭을 갖는다. 제 2 부분(24b)은 x 방향으로 50.1mm의 길이를 갖는다. 제 2 부분은 y 방향으로 9.1mm의 폭을 갖는다. 리세스(24)는 z 방향으로 0.1mm의 깊이로 에칭된다. 리세스(24)는 홀더의 특정 에지 주변에 작은 간극을 남기면서 홀더(50)를 수용하도록 치수화된다.

도 12는 도 9에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 기판 홀더의 상세 평면도를 도시한다. 홀더(50)는 도 11a 및 도 11b에 도시된 리세스(24) 내에 배치하기 위한 것이다. 홀더(50)는 제 1 및 제 2 부분(50a,50b)를 포함한다. 제 1 부분(50e)은 x-방향으로 연장된다. 제 2 부분(50b)은 y-방향으로 연장된다. y 방향의 제 1 부분의 폭은 9mm이다. x 방향의 제 1 부분(50a)의 길이는 40mm이다. y 방향의 제 2 부분(50b)의 길이는 59mm이다. x 방향의 제 2 부분(50b)의 폭은 9mm이다. 홀더는 접촉점(22a,22b,22c)을 포함한다. 제 1 접촉점(22a)은 제 1 부분(50a) 상에 위치된다. 제 2 및 제 3 접촉점(22b,22c)은 제 2 부분(50b) 상에 위치된다. 접촉점(22)은, 제 2 기판 상의 평평한 부분(2b,2c)과 인접하도록 위치된다. 도시된 제 2 기판에 대하여, 제 2의 평평한 부분(2b)은 8mm의 길이를 갖는다. 제 1의 평평한 부분(2c)은 15.88mm의 길이를 갖는다. 제 1 접촉점(22a)은 제 2의 평평한 부분(2b)에 인접하도록 배치된다. 제 2 및 제 3 접촉점(22b,22c)은 제 1의 평평한 부분(2c)에 인접하도록 배치된다. 제 3 접촉점(22c)은 생략될 수 있다. 또한, 추가적인 접촉점이 제공될 수 있다. 도시된 예에서, 제 1 접촉점(22a)은 제 1 부분(50a)을 따라 x 방향으로 24.1mm의 거리에 위치된다. 제 2 및 제 3 접촉점(22b,22c)은 서로로부터 12mm 거리를 둔다. 제 2 접촉점(22b)은 제 2 부분(50b)을 따라 y 방향으로 27.1mm의 거리에 있다. 제 3 접촉점(22c)은 제 2 부분(50b)을 따라 y 방향으로 39.1mm의 거리에 있다. 접촉점의 위치에 대한 다른 치수가 가능하며, 홀더에 의해 지지될 기판 또는 기판의 일부분의 치수에 좌우될 것임을 이해할 것이다.

도 13a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 및 제 2 기판 및 기판 홀더의 평면도를 도시하고, 도 13b는 도 13a에 도시된 실시예의 단면을 도시한다. 노치(9)를 갖는 제 1 기판(100)이 제공된다. 전형적으로, 제 1 기판은 8 인치의 직경을 갖는다. 리세스(600)는 제 1 기판에 제공될 수 있다. 미끄러질 수 있는 클램프(520,530)는 제 2 기판(202,204,206)을 기계적으로 클램핑하기 위해 제공된다. 제 2 기판은 3 인치 기판(202), 2 인치 기판(204) 또는 2 인치 기판의 4분의 1(206)를 포함할 수 있다. 제 2 기판(202,204,206)은 제 1 기판(1)의 폴리싱된 표면 상에 직접 배치될 수 있다. 대체 실시예에서, 도 14-16을 참조하여 추가 기재되는 바와 같이, 제 2 기판은 제 2 기판을 지지하기 위하여 소정 패턴을 형성하는 다수의 마디(burls) 상에 배치될 수 있다. 제 2 기판(202,204,206)은, 도 13-16에서 알 수 있는 바와 같이, 리세스(600) 내에 배치될 수 있다. 유사하게, 미끄러질 수 있는(slideable) 클램프(520,530), 진공 영역(400,410) 및 기판 핀(501,502,503)이 리세스(600) 내에 배치될 수 있다. 어떠한 제 2 기판 형태가 노광될 것인지에 따라, 제 2 기판(202,204,206)을 제자리에 지지하기 위하여 기판 핀(501,502,503)이 적절한 소정 위치에 제공된다. 추가 실시예에서, 제 2 기판(202,204,206)을 제자리에 추가 지지하기 위하여 진공 영역(400,410)이 제공된다. 진공 영역(400,410)은 진공 펌프 또는 제어기에 의해 생성된다. 진공 또는 부분적인 진공을 형성하기 위하여 기체가 추출되는, 제 1 기판(1)에 형성된 일련의 홀이 진공 영역을 정의한다. 진공은 비교적 저압에 의해 형성된다. 제 2 기판(202,204,206)이 이의 크기에 적절한 진공 영역 상에 배치된다. 기판 홀더는 또한, 클램핑된 기판 및 홀더 사이의 오프셋이 미리 결정될 수 있도록 정렬 마크를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 리소그래피 장치 내에서 시간이 절약된다. 도 13b에서, 제 1 기판(1)의 높이는 1.15mm로 도시된다. 제 2 기판(202,204,206)은 제 1 기판(1) 상에 직접 배치된다.

도 14는 본 발명의 추가 실시예에 따른 기판 지지 수단의 평면도를 도시한 다. 도 15는 도 14에 도시된 실시예에 따른 기판 테이블 및 기판 지지 수단의 평면도를 도시하고, 도 16은 본 발명의 추가 실시예에 따른 기판 지지 수단의 상세 평면도를 도시한다.

특히, 도 14-16에 도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 수단(100)이 제공되며 기판 지지 수단은 상부 표면(100)을 갖는다. 상부 표면은, 기판이 홀더(510,520,530,540,550,560)에 의해 소정 위치에 유지 및 지지되어 타겟부가 투영 시스템에 의해 투영되는 것이 가능하도록, 기판 홀더(510,520,530,540,550,560) 및 기판이 배치되어 있는 리세스(600)를 포함한다. 기판 지지 수단(100)은 제 2 형태의 기판을 지지하기 위한 중간 플레이트-형(plate-like) 부재를 포함한다. 일 실시예에서, 중간 플레이트-형 부재(100)가 예를 들어 도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 형태의 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT) 상에 배치된다. 대체 실시예에서, 기판 지지 수단(100)은 기판 테이블(WT) 내에 집적(integrally) 형성될 수 있다. 기판 테이블 및 중간 플레이트-형 부재는 동일한 재료로 만들어질 수 있다. 전형적으로, 플레이트-형 부재(100)는 석영으로 만들어질 수 있으나, SiC와 같은 다른 재료도 적합하다. 플레이트-형 부재(100)는 약 1mm의 z-방향의 두께를 갖는다. 리세스는 기판 지지 수단의 중심 영역에 제공된다. 리세스는 약 500 마이크로미터의 깊이를 갖는다. 약 650 마이크로미터의 두께를 갖는 기판이 리세스 내에 배치되면, 기판 지지 수단(100) 및 기판의 결합된 높이는 약 1.15mm이다. 추가 실시예에서, 기판이 배치되는 마디 패턴(610)이 리세스에 제공된다. 마디 패턴은 에칭과 같은 방전 부식(discharge erosion)에 의해 형성될 수 있다. 평균 마디 높이는 일반적으로 약 100 마이크로미터이다. 대체 실시예에서, 리세스는 기판을 지지하기 위한 폴리싱된 표면을 포함할 수 있다.

도 13-16에 도시된 실시예에서, 기판 지지 수단(100)은 다양한 형태 및 크기를 갖는, 다양한 크기의 기판을 지지할 수 있는 어댑터로 간주될 수 있다. 다수의 진공 영역을 포함할 수 있는 홀더, 및 특정 기판을 지지하기 위하여 특정 진공 영역을 선택하고자 다양한 위치에 배치가능한 지지 부분을 제공함으로써, 가요성 웨이퍼 홀더에 광범위의 적용예(universal application)가 제공된다. 도 15는 기판 지지 부재(100) 아래에 저압 영역을 생성하기 위하여 기체가 흡인되는 진공 홀(V1,V2,V3)을 도시한다. 웨이퍼 테이블(WT)에는 웨이퍼 또는 웨이퍼 홀더를 들어 올리고 내리기 위한 핀 홀(P1,P2,P3)이 추가 제공된다. 웨이퍼 테이블(WT)에는 또한 기판 지지 수단(100)을 지지하기 위한 마디 패턴이 제공된다. 기판 지지 부재(100)에는 또한, 도 16에 도시된 바와 같이, 기판(204) 아래에 저압 영역을 생성하기 위하여 기체가 흡인될 수 있는 진공 홀(540,550,560)이 제공될 수 있다. 특히, 홀더(100)는, 적어도 제 1 및 제 2 기판이 각각 배치될 수 있는 적어도 제 1 및 제 2 치수(dimension)(400,410)를 갖는 다수의 진공 영역(400,410)을 더 포함한다. 또한, 다양한 크기의 기판을 지지할 수 있도록 진공 영역의 치수는 제어된다. 특히, 홀더는 다수의 상이한 기판들을 지지하기 위한 제 1, 제 2 및 제 3 부분(510, 520,530) 중 하나 이상을 포함할 수 있는데, 제 1, 제 2 및 제 3 부분(510,520,530) 중 하나 이상은 다수의 다른 기판들을 지지하기 위하여 다수의 위 치들(511,512,521,522,531,532)에 위치될 수 있다. 예를 들어, 도 16에 도시되는 바와 같이, 제 1 부분은 진공 영역의 크기를 제어하기 위하여 제 1 위치(511) 및 제 2 위치(512) 사이에서 회전될 수 있다. 제 1 부분(510)은 진공 홀들(550,540,560)을 각각 밀봉하기 위한 패드(513,514,515)를 포함한다. 제 1 위치(511)에서, 시일은 진공 홀들(540,550,550)을 밀봉한다. 기판(204)이 배치될 수 있는 진공 영역(410)을 제공하기 위하여 진공 홀(570)은 노출되게(uncoverd) 된다. 제 1, 제 2 및 제 3 부분(510,520,530)은 기판(204)을 제자리에 지지하기 위한 지지 에지(holding edge)를 제공한다. 특히, 제 2 및 제 3 부분(520,530)은 제 1 및 제 2 위치 사이에서 각각 이동될(translatable) 수 있다. 따라서, 기판(204)은 기판 지지 부재(100) 상에 지지될 수 있다. 특히, 제 1 부분(510)은, 제 1 위치(511)에는 제 1 부분(510)이 제 1 기판(204)를 지지하기 위한 제 1 진공 영역(420), 및 제 2 위치(512)에는 제 1 부분(510)이 제 2의 상이한 기판(202)을 지지하기 위한 제 2 진공 영역(400)을 정의하도록 위치될 수 있다. 추가의 제 3 진공 영역(410)도 제공된다. 제 1 부분(510)은 제 1 및 제 2 위치(511,512) 사이에서 회전가능하다. 도 16에서, 제 1 부분(510)이 제 2 위치로 회전되는 경우에 진공 홀(540,550,560)이 노출되어, 더 큰 기판이 배치될 수 있는 진공 영역(400)을 형성한다는 것으로 나타난다. 또한, 제 2 및 제 3 부분(520,530) 중 하나 이상은 제 1 기판을 지지하기 위한 제 1 위치(521,531) 및 제 2의 상이한 기판을 지지하기 위한 제 2 위치(522,532) 사이에서 이동가능하다. 특히, 제 2 부분은 제 1 및 제 3 부분(510,520) 중 하나 이상을 향하는 방향으로 기판 상에 힘을 가하기 위하여 스프 링, 또는 푸셔(pusher)를 포함한다. 도 14에서, 도시된 기판(204)은 2 인치 InP 웨이퍼이다. 기판 지지 부재(100)는 2-4 인치 InP 웨이퍼를 지지할 수 있다. 진공 영역(410)은 2 인치 웨이퍼를 지지하고, 진공 영역(410)은 3 인치 웨이퍼를 지지하며, 진공 영역(420)은 3 인치 웨이퍼를 지지한다. 도시된 실시예에서, 정렬은 노치(9)를 사용하여 수행된다.

본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.

이상, 광학 리소그래피에 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 응용예들, 예컨대 임프린트 리소그래피에도 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면, 광학 리소그래피로 제한되지 않음을 이해할 수 있을 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스내의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성되는 패턴을 정의(define)한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 안으로 가압(press)될 수 있으며, 전자기방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화(cure)된다. 레지스트가 경화된 후, 패터닝 디바이스는 그 안에 패턴을 남긴 레지스트로부터 이동된다.

본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어 파장이 5 내지 20nm의 범위인) 극자외(EUV)방사선 뿐만 아니라, 이온빔 및 전자빔과 같은 입자빔들을 포함하는 모든 타입의 전자기 방사선을 포괄한다.

본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.

상기 상세한 설명은 제한이 아닌 설명을 위한 것이다. 따라서, 이하의 특허청구범위의 범위를 벗어나지 않고 기재된 대로 본 발명을 변형할 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다.

본 발명에 의하면, 리소그래피 장치 또는 취급 스테이션에 큰 변형을 가하지 않고, 비-표준 기판("제 2 형태"의 기판)을 포함하는 다양한 크기 기판을 처리하 고, 리소그래피 장치 내 비-표준 기판의 정렬 정확성을 증진시키고, 리소그래피 장치 및 노광 전후 취급 스테이션의 오염을 감소시킬 수 있다.

Claims (45)

1. 제 1 형태의 제 1 기판을 지지하도록 구성된, 폴리싱된 표면을 갖는 기판 테이블; 및

   기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치로서,

   상기 폴리싱된 표면은 제 2 형태의 제 2 기판을 지지하고, 상기 투영 시스템은 상기 제 2 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 폴리싱된 표면은 실질적으로 평평한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1 기판의 상기 폴리싱된 표면에 리세스가 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 제 1 기판의 상기 폴리싱된 표면 상의 상기 제 2 기판을 소정 위치에 유지하기 위하여 상기 리세스 내에 기판 홀더가 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
5. 제 3항에 있어서,

   상기 리세스는 상기 홀더가 정렬되는 참조 표면을 제공하여, 사용시 상기 제 2 기판이 상기 패터닝된 방사선 빔에 대해 정렬하여 소정 위치에 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
6. 제 4항에 있어서,

   상기 홀더는 제 2 기판이 정렬되는 정렬 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 정렬 표면은 하나 이상의 접촉점을 포함하고, 상기 제 2 표면은 하나 이상의 접촉점과 접촉하여 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
8. 제 4항에 있어서,

   상기 리세스 및 홀더는, 사용시에 상기 제 2 기판의 상부 표면이 상기 홀더의 상부 표면과 실질적으로 같은 높이가 되도록, 상기 제 2 기판에 대해 치수화되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
9. 제 4항에 있어서,

   상기 홀더 및 리세스는, 사용시에 상기 홀더의 높이가 상기 제 2 기판의 높이를 초과하지 않도록, 상기 제 2 기판에 대해 치수화되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
10. 제 7항에 있어서,

    상기 정렬 표면은 서로 상이한 방향으로 각각 연장되는 제 1 및 제 2 부분을 포함하며, 상기 두 부분들은 하나 이상의 접촉점을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
11. 제 7항에 있어서,

    상기 정렬 표면은 제 1 및 제 2 부분을 포함하며, 제 1 접촉점은 제 2 기판의 제 1 말단을 향하는 제 1 부분 상에 배치되고, 제 2 접촉점은 제 2 기판의 제 2 말단을 향하는 제 2 부분 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
12. 제 11항에 있어서,

    상기 제 1 부분에 두 접촉점이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
13. 제 4항에 있어서,

    상기 홀더는, 사용시에, 둘 이상의 측면 상에서 상기 제 2 기판을 둘러싸도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
14. 제 4항에 있어서,

    상기 홀더는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 부분 및 실질적으로 제 1 방향에 수직인 방향("L"형)으로 연장되는 제 2 부분을 포함하며, 상기 부분들은 제 3 방향으로 연장되는 소정 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
15. 제 4항에 있어서,

    상기 홀더는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 부분, 및 반대편 말단에서 제 1 부분과 인접하고 실질적으로 동일한 제 2 방향("U"형)으로 연장되는 제 2 및 제 3 부분을 포함하며, 상기 부분들은 제 3 방향으로 연장되는 소정 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
16. 제 3항에 있어서,

    상기 리세스는 에칭되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
17. 제 4항에 있어서,

    상기 홀더는 금속인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
18. 제 4항에 있어서,

    상기 홀더는 접착제 및 펄 복합물을 사용하여 리세스 내에 접착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
19. 제 1항에 있어서,

    상기 제 2 기판은 물과 같은 액체 방울에 의해 소정 위치에 유지되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
20. 제 1항에 있어서,

    상기 제 2 기판이 배치되는 진공 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
21. 제 20항에 있어서,

    상기 진공 영역은, 상기 제 1 기판 내에 제공되어 있는 일련의 홀들, 진공 펌프, 및 상기 제 2 기판이 상기 홀들 상에 배치되는 경우에 이 기판 아래에 저압 영역을 생성하도록 상기 홀들을 통해 기체를 추출하기 위한 제어기에 의해 정의되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
22. 폴리싱된 표면을 갖는 반도체 기판으로서, 상기 표면 내에 리세스가 제공되 고, 상기 리세스는 실질적으로 L-형인 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판.
23. 제 22항에 있어서,

    상기 리세스는 본질적으로 L-형인 것을 특징으로 하는 기판.
24. 제 22항에 있어서,

    상기 리세스는 본질적으로 U-형인 것을 특징으로 하는 기판.
25. 제 22항에 있어서,

    상기 리세스 내에 금속 또는 세라믹 스트립이 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판.
26. 리소그래피 장치의 기판 테이블 상에 위치하도록 되어 있는, 폴리싱된 표면을 갖는 제 1 기판; 및

    상기 폴리싱된 표면 상이나 상기 폴리싱된 표면 내에 제공된 리세스 내에 제공된 대상물로서, 상기 폴리싱된 표면 상에 위치되는 제 2 기판의 전체 또는 일부를 둘러싸도록 구성 및 배치되는 대상물을 포함하여 이루어지는 기판 홀더.
27. 제 1 형태의 제 1 기판을 지지하도록 구성된, 폴리싱된 표면을 갖는 기판 테이블; 및

    기판의 전체 또는 일부분 상에서 취급 및 처리 공정 중 하나 이상을 수행하도록 배치된 처리 시스템을 포함하여 이루어지는 기판 처리 장치로서,

    상기 폴리싱된 표면은 제 2 형태의 제 2 기판을 지지하고, 상기 처리 시스템은 상기 제 2 기판을 가공 또는 처리하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
28. 패터닝 디바이스로부터 패턴을 제 2 형태의 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치로서, 상기 기판은 제 1 형태의 기판의 폴리싱된 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
29. 제 1항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 따른 리소그래피 장치를 사용하여 제 2 형태의 기판을 방사선에 노광하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법.
30. 리소그래피 장치에 사용하기 위한 제 1 기판으로서, 폴리싱된 표면을 가지고, 제 2 기판이 상기 폴리싱된 표면 상의 소정의 위치에 지지될 수 있게 제 2 기판 홀더를 수용하도록 구성된 리세스를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 제 1 기판.
31. 폴리싱된 상부 표면을 갖는 제 1 기판 상에 제 2 기판을 장착하는 방법으로서, 상기 제 1 기판 내에 리세스를 에칭하는 단계, 상기 리세스 내에 상기 제 2 기판을 지지하기 위한 홀더를 배치하는 단계, 상기 폴리싱된 표면 상의 상기 홀더에 대해 상기 제 2 기판을 배치하는 단계를 포함하여 이루어지는 방법.
32. 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템, 및

    상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지 수단으로서, 상기 기판 지지 수단은 상부 표면을 가지고, 상기 상부 표면은, 상기 타겟부가 상기 투영 시스템에 의해 투영될 수 있도록 상기 기판이 상기 홀더에 의해 소정 위치에 지지 및 유지되도록 기판 홀더 및 상기 기판이 배치되어 있는 리세스를 포함하는 기판 지지 수단을 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치.
33. 제 32항에 있어서,

    상기 기판 지지 수단은 제 2 형태의 기판을 지지하기 위한 중간 플레이트-형 부재를 포함하고, 상기 중간 플레이트-형 부재는 제 1 형태의 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
34. 제 32항에 있어서,

    상기 기판 지지 수단은 기판 테이블 내에 집적 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
35. 제 33항에 있어서,

    상기 기판 지지 수단 및 상기 중간 플레이트-형 부재는 동일한 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
36. 제 33항에 있어서,

    상기 중간 플레이트-형 부재는 석영으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
37. 제 32항에 있어서,

    상기 리세스에, 상기 기판이 배치되는 마디 패턴이 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
38. 제 32항에 있어서,

    상기 리세스는 상기 기판을 지지하기 위한 폴리싱된 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
39. 제 32항에 있어서,

    상기 홀더는, 제 1 및 제 2 기판 중 어느 하나 이상이 각각 배치되는 제 1 및 제 2 치수 중 어느 하나 이상의 치수를 갖는 다수의 진공 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
40. 제 39항에 있어서,

    상기 진공 영역의 치수는, 다양한 크기의 기판을 지지할 수 있도록 제어되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
41. 제 32항에 있어서,

    상기 홀더는 다수의 상이한 기판들을 지지하기 위한 제 1, 제 2 및 제 3 부분 중 하나 이상을 포함하고, 제 1, 제 2 및 제 3 부분 중 하나 이상은 다수의 상이한 기판들을 지지하기 위하여 다수의 위치들에 위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
42. 제 39항에 있어서,

    제 1 부분은, 제 1 위치에는 제 1 부분이 제 1 기판을 지지하기 위한 제 1 진공 영역을 정의하고, 제 2 위치에는 제 1 부분이 상이한 제 2 기판을 지지하기 위한 제 2 진공 영역을 정의하도록 위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
43. 제 41항에 있어서,

    상기 제 1 부분은 상기 제 1 및 제 2 위치들 사이에서 회전 가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
44. 제 39항에 있어서,

    상기 제 2 및 제 3 부분 중 하나 이상은 제 1 기판을 지지하기 위한 제 1 위치 및 상이한 제 2 기판을 지지하기 위한 제 2 위치 사이에서 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
45. 제 41항에 있어서,

    상기 제 2 부분은, 제 1 및 제 3 부분 중 하나 이상을 향하는 방향으로 상기 기판 상에 힘을 가하기 위한 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.

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