JP2007013165A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】特定のサイズ及び形の基板を保持及び処理するように設計されたリソグラフィ装置に大きな変更を加えることなく、標準外の基板を含めた様々な基板のサイズを処理することができるリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のリソグラフィ装置は、第１のタイプの第１の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、第１の基板が研磨面を有する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系とを含む。研磨面は第２のタイプの第２の基板を支持し、投影系は、パターン付与された放射ビームを第２の基板に投影するように構成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関するものである。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を用いて、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成できる。このパターンを、基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つ又は複数のダイの一部を含む）ターゲット部分に転写できる。パターンの転写は通常、基板に設けられた放射感応材料（レジスト）の層への結像によるものである。一般に単一の基板は、連続的にパターンの形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームによって所与の方向（「走査」方向）に走査し、それと同時にこの方向に対して平行又は逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリント（押印）することによって、パターンをパターン形成装置から基板へ転写することも可能である。

リソグラフィ装置では、基板テーブルは、一般に標準的なサイズ及び形を有する基板を保持するように設計されている。通常、保持することのできる最小の基板は、７５ｍｍ（約３インチ）の直径を有する円形基板である。基板テーブルは、一般に標準的な基板に合わせたホルダを有するように設計され、そのホルダは、基板を固定された状態に保つことができるべきであり、そうした標準的なサイズ／タイプの基板に適したホルダによって、設計の最適化が可能になる。標準的なサイズ及び形の基板を処理するために、補助装置、基板処理用構成要素、基板搬送装置などに見られるような他の様々なタイプの基板支持テーブルも一般的に設計されている。

しかし、標準的なサイズのものではない、又は標準的な形状のものではない基板を処理することが望ましい場合もある。例えば、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ基板などの、ある特定の基板は、一般に５０ｍｍ（約２インチ）の直径を有しており、これは通常のほとんどの基板ホルダにとっては小さすぎる。また、基板が標準とは異なる形状を有することもある。通常、基板は完全な円形であるか、或いは周縁の一部に沿って平坦な部分を有する円形にすることができる。しかし、正方形、長方形及び様々なサイズの円形基板の４分の１のものなど、他の形状が望ましいこともある。さらに、例えば大きい基板が破損して不規則な断片になった結果、それぞれの形が独特になったような、不規則な形状を処理することが望ましい場合もある。しかし、そうした標準外の基板に特別に合わせた基板テーブル及び処理構成要素を設計及び作製するには、大変な費用がかかる。さらにユーザは、単一のリソグラフィ装置を用いて、標準外の基板を含めた様々な基板を露光できることを望んでいる。

標準外の基板を処理する問題に対処するために、基板テーブル上のホルダに保持される標準的な基板に、エッチングされた陥凹部を設けることが知られている。その場合、標準外の基板は陥凹部の中に配置される。このように、標準的な基板は、標準外の基板に対する「ホスト」又はキャリアとして働く。しかし、エッチング工程の限界許容値のため、一貫して正確な陥凹部をエッチングすることは困難であることが分かっている。陥凹部はしばしば、欠陥を含む可能性がある。例えば、標準外の基板に対して支持面として働く陥凹部の底面が平坦ではない可能性がある。さらに、陥凹部の側壁が、底面に対して垂直な方向を向いていない可能性もあり、それが標準外の基板の置き違いによる位置調整の問題をまねく虞がある。さらに、所望の形状が得られた場合でも、例えばシリコン・ウェハなどのキャリア基板は比較的脆い可能性がある。したがって、陥凹部に標準外のウェハを出し入れすると徐々に陥凹部の側面が欠ける可能性があり、それによって汚染が生じる。

特定のサイズ及び形状の基板（「第１のタイプ」の基板）を保持及び処理するように設計されたリソグラフィ装置、並びにそれぞれの露光前及び露光後処理ステーションによって、装置又は処理ステーションに大きな変更を加えることなく、標準外の基板（「第２のタイプ」の基板）を含む様々なサイズの基板を処理することが望ましい。さらに、リソグラフィ装置における標準外の基板の位置調整精度を向上させることが望ましい。さらに、リソグラフィ装置、並びに露光前及び露光後処理ステーションにおける汚染を低減することが望ましい。

本発明の一観点によれば、第１のタイプの第１の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、第１の基板が研磨面を有する基板テーブルと、パターンを付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系とを有するリソグラフィ装置であって、研磨面が第２のタイプの第２の基板を支持し、投影系がパターン付与された放射ビームを第２の基板に投影するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。

本発明の一観点によれば、第１のタイプの第１の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、第１の基板が研磨面を有する基板テーブルと、基板の少なくとも一部の上で少なくとも１つの処理及び処置工程を実施するように配置された処理系とを有する基板処理装置において、研磨面が第２のタイプの第２の基板を支持し、処理系が第２の基板を処理又は処置するように構成された基板処理装置が提供される。

本発明の一観点によれば、第２のタイプの基板にパターン付与された放射ビームを投影する段階であって、該基板が第１のタイプの基板の研磨面に配置される段階を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の一観点によれば、パターンをパターン形成装置から基板へ転写する段階であって、該基板が第１のタイプの基板の研磨面に配置される段階を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の一観点によれば、パターンをパターン形成装置から第２のタイプの基板へ投影するように配置されたリソグラフィ投影装置であって、該基板が第１のタイプの基板の研磨面に配置されるリソグラフィ投影装置が提供される。

本発明の一観点によれば、パターンをパターン形成装置から第２のタイプの基板へ転写するように配置されたリソグラフィ装置であって、該基板が第１のタイプの基板の研磨面に配置されるリソグラフィ装置が提供される。

本発明の一観点によれば、リソグラフィ装置で使用するための、研磨面を有する第１の基板であって、第２の基板ホルダを受け入れて第２の基板を研磨面の所定の位置に保持できるように構成された陥凹部を有する第１の基板が提供される。

本発明の一観点によれば、研磨された上面を有する第１の基板に第２の基板を取り付ける方法であって、第１の基板に陥凹部をエッチングする段階と、陥凹部に第２の基板を保持するためのホルダを配置する段階と、第２の基板を研磨面上でホルダに対して配置する段階とを含む方法が提供される。

本発明の一観点によれば、パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系と、基板を支持するための、上面を有する基板支持手段であって、上面が基板ホルダ及び基板の配置される陥凹部を有し、基板をホルダによって所定の位置に支持及び保持して、投影系によってターゲット部分を投影することが可能になっている基板支持手段とを有するリソグラフィ装置が提供される。

本発明の一観点によれば、研磨面を有する半導体基板であって、前記研磨面に陥凹部が設けられ、前記陥凹部が実質的にＬ字形の部分を有する半導体基板が提供される。

本発明の一観点によれば、リソグラフィ装置の基板テーブルに配置されるように適合された、研磨面を有する第１の基板と、前記研磨面又は前記研磨面に設けられた陥凹部内に提供された物体（オブジェクト）であって、前記研磨面に配置される第２の基板の少なくとも一部を囲むように構成及び配置された物体とを有する基板ホルダが提供される。

次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中において同じ符号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ、ＥＵＶ又はＸ線放射）を調節するように構成された照明系（照明器）ＩＬと、パターン形成装置（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、且つあるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスク・テーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布ウェハ）１、２、Ｗを保持するように構成され、且つあるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴと、パターン形成装置ＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを、基板１、２、Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳとを有している。基板１、２、Ｗを以下で詳細に説明する。

照明系は、放射の方向付け、成形又は制御のための屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式又は他のタイプの光学要素、或いはそれらの任意の組み合わせなどの、様々なタイプの光学要素を含むことができる。

支持構造体とは、すなわちパターン形成装置の重量を支えるものである。それは、パターン形成装置の向き、リソグラフィ装置の設計、並びに例えばパターン形成装置が真空環境に保持されているかどうかなど他の条件によって決まる方法によりパターン形成装置を保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式又は他のクランピング技術を用いてパターン形成装置を保持することもできる。支持構造体を、例えばフレーム又はテーブルにすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。支持構造体は、パターン形成装置が、例えば投影系に対して、所望の位置にあることを保証できる。本明細書中の「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成装置」という、より一般的な用語と同義であると考えられる。

本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するためなどの、放射ビームの断面にパターンを与えるために用いることのできる任意の装置を指すものとして広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト・フィーチャ、又はいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射ビームに与えられるパターンが、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に作製されるデバイスの特定の機能層に対応している。

パターン形成装置は、透過式でも反射式でもよい。パターン形成装置の例には、マスク、プログラム可能ミラー配列及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ＰＳＭ）及び減衰位相シフト・マスク（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ＰＳＭ）などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラム可能ミラー配列の例は、小さいミラーのマトリクス（行列）状の配列を使用するものであり、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーのマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを与える。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、適宜、使用される露光放射向け、又は浸漬液の使用や真空の使用などの他の要素向けの屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式及び静電式の光学系、又はそれらの任意の組み合わせを含めて、任意のタイプの投影系を包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影系」という、より一般的な用語と同義であると考えられる。

本明細書で図示する装置は、（例えば透過性マスクを使用する）透過式のものである。或いは、装置は（例えば先に言及したタイプのプログラム可能ミラー配列を使用する、或いは反射性マスクを使用する）反射式のものでもよい。

リソグラフィ装置は、２（デュアル・ステージ）又は３以上の基板テーブル（及び／又は２以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、或いは１つ又は複数のテーブル上で予備工程を実施し、それと同時に１つ又は複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。

リソグラフィ装置は、投影系と基板との間の空間を満たすように、基板の少なくとも一部分を、例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うことのできるタイプのものであってもよい。浸漬液を、例えばマスクと投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。当技術分野では、投影系の開口数を高めるための浸漬技術がよく知られている。本明細書で使用する「浸漬」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないこと意味するのではなく、露光中、投影系と基板との間に液体を存在させることを意味するにすぎない。

図１を参照すると、照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマ・レーザーである場合、放射源とリソグラフィ装置を別々の構成要素にすることができる。そうした場合には、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な指向性ミラー及び／又はビーム・エキスパンダ（拡大器）を含むビーム伝達系ＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明器ＩＬへ送られる。他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合には、放射源をリソグラフィ装置の一部とすることができる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬを、必要であればビーム伝達系ＢＤと共に、放射系と呼ぶことがある。

照明器ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整装置ＡＤを含むことができる。一般に、照明器の瞳面内における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側の半径方向範囲（それぞれ一般にσ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）、σ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を調整できる。さらに照明器ＩＬは、積算器ＩＮやコンデンサＣＯなどの他の様々な構成要素を含むことができる。照明器を用いて放射ビームを調節して、その断面に所望される均一性及び強度分布を有するようにすることができる。

放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスク・テーブルＭＴ）に保持されるパターン形成装置（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターン形成装置によって放射ビームＢにパターンが付与される。マスクＭＡを通過した放射ビームＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる投影系ＰＳを通過する。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉測定装置、リニア・エンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭ及び（図１には明示されていない）他の位置センサを用いて、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後、又は走査中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を形成する長ストローク・モジュール（粗い位置決め）及び短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを用いて実現できる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２、及び基板位置調整用マークＰ１、Ｐ２を用いて位置調整できる。図示した基板位置調整用マークは専用のターゲット部分を占めているが、それらをターゲット部分相互間の空間に配置してもよい（これらはスクライブレーン位置調整用マークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に２つ以上のダイが設けられる場合には、マスク位置調整用マークをダイ相互間に配置できる。

図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用できる。
（１）ステップ・モードでは、放射ビームに与えられたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保つ（すなわち、ただ１回の静止露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴを、Ｘ及び／又はＹ方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
（２）走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期して走査する（すなわち、ただ１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）率、及び像の反転特性によって決定できる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非走査方向の）幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の（走査方向の）高さが決定される。
（３）他のモードでは、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながらマスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルＷＴを移動又は走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラム可能ミラー配列などのプログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用できる。

前述の使用モードの組み合わせ及び／又は変形形態、或いは全く異なる使用モードを採用することもできる。

図２は、本発明の一実施例による第１の基板の平面図を示している。本発明によって、装置を大きく変更する必要なしに、リソグラフィ装置で標準外の基板を露光及び位置調整することが可能になる。これによって装置の多様性が高められる。これまで、例えばフォトニクス業界や研究センターで標準外の基板を扱う顧客は、繰り返し可能なパターンを基板に作製するために接触式リソグラフィに依存していた。これは解像能力が限られ、ウェハの均一性に乏しく、そのため最先端の開発ではあまりにも多くのずれが生じる。本発明は、基板の寸法が接触式リソグラフィの能力を超えるリソグラフィ装置の使用を可能にする。したがって今回、これまで接触式リソグラフィを用いてしか処理できなかった基板を、より高い解像度、小さい歪み及び改善された重ね合わせで処理することが可能になる。さらに、破損したウェハの使用を可能にすることによって、特定のウェハ・タイプのコストが削減される。

図２〜図８を参照すると、ホルダは、第１の方向に延びる第１の部分、並びに両端で第１の部分に隣接し、実質的に同じ第２の方向に延びる第２及び第３の部分を有し（「Ｕ」字形）、各部分は第３の方向に延びる所定の厚さを有している。

図２は第１の基板１を示している。実施例では、第１の基板１は研磨面３を有している。実施例では、第１の基板１は所与のリソグラフィ装置での使用に適合されている。基板の厚さは様々でよく、例えば基板の材料及び／又は基板の直径などにある程度依存してもよい。一実施例では、厚さは少なくとも３００μｍ、例えば少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ又は少なくとも６００μｍである。一実施例では、基板の厚さは多くとも２５００μｍ、例えば多くとも１７５０μｍ、多くとも１２５０μｍ、多くとも１０００μｍ又は多くとも８００μｍである。基板の形状は様々でよい。一実施例では、基板は、任意選択でノッチ及び／又はその外周の一部に沿った平坦なエッジを伴う実質的な円形を有する。一実施例では、基板は少なくとも５０ｍｍ、例えば少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ又は少なくとも３００ｍｍの直径を有する。一実施例では、ウェハは多くとも５００ｍｍ、多くとも４００ｍｍ、多くとも３５０ｍｍ、多くとも３００ｍｍ、多くとも２５０ｍｍ、多くとも２００ｍｍ、多くとも１５０ｍｍ、多くとも１００ｍｍ又は多くとも７５ｍｍの直径を有する。実施例では、第１の基板は、例えば半導体ウェハなどの半導体基板である。一実施例では、基板材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＩｎＡｓからなる群から選択される。一実施例では、ウェハはＩＩＩ／Ｖ化合物の半導体ウェハである。一実施例では、ウェハはシリコン・ウェハ、例えば２０３ｍｍ（８インチ）のシリコン・ウェハである。第１の基板１は、通常の方法で基板テーブルＷＴに取り付けられる。第２の基板２は、所与のリソグラフィ装置に対する標準外のウェハとすることができる。例えば、５１ｍｍ（２インチ）のＩｎＰウェハが４分の１に切断されたものである。一実施例では、第２の基板の材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＩｎＡｓからなる群から選択される。一実施例では、第２の基板はＩＩＩ／Ｖ化合物の半導体基板である。第２の基板２は、第１の基板１の研磨面３に配置される。研磨面は実質的に平坦であるため、非常に優れた取り付け面を形成する。研磨面３はこの平坦性により、エッチングされた面に勝る改善された面を形成する。したがって、再現精度が改善される。第１の基板１は、第２の基板２に対するホストとして働く。投影系は、投影ビームを第２の基板２に投影するように配置される。これは、投影ビームの焦点を調整することによって実施できる。さらに通常の場合と同様に、レベリング・ソフトウェアを適合させて、レベル・センサのスポットが第１の基板ではなく、第１の基板に取り付けられた第２の基板に当たるようにすることができる。また図２には、基板ホルダ５も示してある。基板ホルダは、第２の基板２を第１の基板上に位置調整された状態で保持するように働く。ホルダ５は、第１の基板１に形成された陥凹部１４の中に配置されている。別の実施例では、ホルダ５は第１の基板１に配置（接着）される。陥凹部の位置は、第１の基板１上の位置調整用マーク７及び位置調整用ノッチ９を用いて決定される。位置調整用ノッチ９に加えて、位置調整用平面（図示せず）を使用することもできる。特に陥凹部１４は、エッチングされて正確に配置された基準面を形成する。基準面は、使用中、ホルダ５が陥凹部１４に挿入された後、第２の基板２がパターン付与された放射ビームに対して所定の位置になるように配置される。したがって、第２の基板２の位置をきわめて正確に決定できる。陥凹部１４は、第２の基板２の結晶方向に位置調整された状態で作製されることが好ましい。第２の基板２の方向は、第２の基板２に露光されるパターンが第２の基板の結晶方向に対して平行又は垂直になるようにする。基板１の事前位置調整（ｐｒｅ−ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）には、リソグラフィ装置のエッジ・センサが用いられる。ノッチ９又は平面は正確に決定される。さらに、基板２に位置調整用マークを露光して格子を設けることによって、格子が用いられる。第２の基板２、特に基準面の位置は、基板２の位置調整用マーカーとの位置調整によって決定される。陥凹部１４は通常、約１００マイクロメートルの深さまでエッチングされる。反応性イオン又はプラズマ・エッチング技術を用いることができる。このように、実質的に一定の深さで比較的大きい領域をエッチングできる。図２に示した実施例では、エッチングされた領域は「Ｕ」字形である。第２の基板２を第１の基板１の研磨面３の所定位置に保持するために、基板ホルダ５は陥凹部１４内に配置される。陥凹部１４は、ｘ−ｙ平面内で基板ホルダ５よりもわずかに大きくなるような寸法にすることが好ましい。この配置の利点は、ほこりや他の汚染物質が陥凹部１４内のホルダ５の配置を妨げないことである。ホルダ５は、金属、プラスチック又はセラミック材料により作製できる。ステンレス鋼やゼロデュアー（ｚｅｒｏｄｕｒ（商標））などの比較的不活性の金属又はセラミックは、歪むことなく適切な薄さにすることができるため、それぞれ良好な結果を与える。さらにこれらの材料はその形状を維持する。ホルダ５は、ｘ−ｙ平面内に平坦な面を有していることが好ましく、実施例では約０．３〜０．４ミリメートルの実質的に均一な厚さのものになっている。レーザー加工技術を用いて、ホルダ５をきわめて正確に決められた寸法に加工できる。陥凹部及びホルダを設けることにより、比較的低コストで正確な位置調整が実施される。一実施例では、ホルダ５は少なくとも１つの位置調整面４を有し、それに対して第２の基板の位置が調整される。ホルダ上に位置調整面４が加工され、それにより、使用中、ホルダ５が陥凹部の基準面に配置される際に、第２の基板２がホルダ５内に配置されると第２の面がパターン付与されたビームに正確に位置調整されるように、位置調整面４が配置される。本発明の実施例によるホルダの他の利点は、壊れにくいことである。さらに、陥凹領域は、ｘ−ｙ平面内でホルダよりもわずかに大きい寸法になるように設計される。

図３は、本発明の一実施例による第２の基板を保持するための基板ホルダの平面図を示している。図示した実施例では、位置調整面４ａ、４ｂ、４ｃは少なくとも１つの接触点１０ａ、ｂ、ｃ、ｄを有し、第２の基板２は少なくとも１つの接触点１０ａ、ｂ、ｃ、ｄに接触して配置される。一実施例では、位置調整面４ａ、４ｂ、４ｃは、それぞれ互いに異なる方向に延びる第１及び第２の部分４ａ、４ｂ、４ｃを有し、その２つの部分は少なくとも１つの接触点１０ａ、ｂ、ｃ、ｄを有する。他の実施例では、位置調整面４ａ、４ｂ、４ｃは、第１及び第２の部分を有し、第１の接触点１０ｃ、ｄは第２の基板２の第１の端部に面する第１の部分４ｃに配置され、第２の接触点１０ａは第２の基板の第２の端部に面する第２の部分４ａに配置される。他の実施例では、第１の部分４ｃは、２つの接触点１０ｃ、１０ｄを有している。一実施例では、第２の基板２は３つの接触点１０ａ、１０ｃ、１０ｄに接する位置に保持される。このように、その保持位置における第２の基板の安定性が改善される。接触点は、エッチングされた陥凹部内に基板を位置決めする場合よりも位置決めが正確になるように設計される。基板が陥凹領域内に配置され、陥凹領域のエッジに対して位置決めされる通常のホルダでは、脆いエッジが簡単に損傷を受けて不正確な位置決め及び汚染をまねく。

例えば、基板ホルダが完全にまっすぐではない可能性があるため、基板ホルダ５に接触点１０を設けることが望ましい。例えば、基板ホルダは正確な９０度の角度を有していない、或いは正確な９０度の角度を有する基板ホルダを作製するには費用がかかる可能性がある。接触点１０は、ずれを補正する、且つ／又はさらに重要なことには、再現精度を保証する費用効果の高い方法を提供する。接触点１０は、ずれとは関係なく、第２の基板２が第１の基板又はキャリア基板１上の同じ位置に配置されることを保証する。さらに、接触点１０が第２の基板２と接触する領域は比較的小さいため、接触点と第２の基板との間で汚染が生じる可能性は小さい。また、例えば水などの少量の液体によって第２の基板２を第１の基板１に固定することもできるため、接触点は、基板がキャリア基板１に押し付けられたときに、基板２の下から漏出する水に対してある程度の空間が存在することを保証する。上記のとおり、水などの少量の液体によって第２の基板を所定の位置に維持することができる。脱イオン水を用いることもできる。水の滴下によって第１及び第２の基板１、２に対して生じる毛管作用が、第２の基板２を定位置に保つことが分かっている。基板を加熱して少なくとも一部の液滴を蒸発させることによって、第２の基板２を取り外すことができる。第２の基板２の解放及び取り外しを容易にするために、基板１に解放孔を設けることもできる。例えば解放孔に真空を適用して、第１の基板１から第２の基板２を吸引することもできる。

図３では、ホルダ５が「Ｕ」字形を有していることが分かる。ホルダは、３つの部分４ａ、４ｂ、４ｃを含む位置調整面４を有している。図示した実施例では、第２の基板２は、完全な円形基板の４分の１部分である。「Ｕ」字形は、図３に示した４分の１部分に隣接する四分円から次の４分の１部分が作製されるとき、それが点線２０で示した向きに配置されるように提供される。このように、もとの基板の結晶方向が維持される。このことは、特にＩｎＰ基板の場合に望ましい。

図４は、本発明の一実施例による、第１の基板上のホルダ内に保持された第２の基板の断面を示している。特に、ホルダ５が陥凹部１４内にどのように配置されているかが分かる。この実施例では、ホルダ５がｚ方向に実質的に第２の基板２の厚さに等しくなる程度まで延びるように、陥凹部１４及びホルダ５の寸法が決められる。換言すれば、使用中、第２の基板の上面６がホルダの上面８と実質的に同じ高さになるように、第２の基板２に対して陥凹部１４及びホルダ５の寸法が決められる。さらに、使用中、ホルダの高さが第２の基板の高さを超えないように、第２の基板に対してホルダ及び陥凹部の寸法を決めることもできる。このように、基板が投影レンズと衝突する可能性が最小限に抑えられる。

図５ａは本発明の一実施例による陥凹領域の上面図を示し、図５ｂは図５ａに示した陥凹領域の側面図を示している。特にこれらの図は、陥凹部の寸法を示すものである。陥凹部は、基板の一部を保持するための基板ホルダに対して寸法が決められ、当初の直径が５１ｍｍ（２インチ）である可能性もある。「Ｕ」字形の陥凹部１４は、第１の部分１４ａ、第２の部分１４ｂ及び第３の部分１４ｃを有している。第１及び第２の部分１４ａ、１４ｂは、ｘ方向に延びる「Ｕ」の腕部である。第３の部分１４ｃは、ｙ方向に延びる「Ｕ」の底部である。陥凹部は、その寸法が陥凹部に収められるホルダ５よりもわずかに大きくなるようにエッチングされる。例えば、第１及び第２の部分１４ａ、１４ｂはｙ方向に９．１ｍｍ延びる幅を有する。第１の部分と第２の部分１４ａ、１４ｂの間のｙ方向の距離は、２６．９ｍｍである。第３の部分１４ｃのｙ方向の長さは４５．１ｍｍである。第３の部分１４ｃのｘ方向の幅は９．１ｍｍである。第１及び第２の部分１４ａ、１４ｂのｘ方向の長さは２７ｍｍである。図５ｂでは、エッチングされた陥凹部１４のｚ方向の深さが０．１ｍｍ、エッチングされた陥凹部のｙ方向の長さが４５．１ｍｍであることが分かる。与えられる寸法は変化してもよい。陥凹部について他の寸法も考えられ、それが陥凹部に収められるホルダに保持させる基板、又は基板の各部分の寸法に依存することが理解されよう。

図６は、本発明の一実施例による、図５ａ及び図５ｂに示した陥凹部内に配置するための基板ホルダの詳細な平面図を示している。本発明の一実施例によれば、ホルダは、使用中、第２の基板を少なくとも２つの側面で囲むように構成される。このように、第２の基板を所定の位置にしっかりと正確に保持することができる。ホルダは、第１、第２及び第３の部分５ａ、５ｂ、５ｃを有している。第１及び第２の部分は、「Ｕ」字形の腕部である。第１及び第２の部分は、ｘ方向に延びている。第３の部分５ｃは、「Ｕ」字形の底部である。第３の部分５ｃはｙ方向に延びている。第１及び第２の部分のｙ方向の幅は９．１ｍｍである。第１及び第２の部分５ａ、５ｂのｘ方向の長さは２７ｍｍである。図６はさらに、接触点１０ａ、ｂ、ｃ、ｄの位置を示している。第１の接触点１０ａは、第１の部分５ａにある。第２の接触点１０ｂは、第２の部分５ｂにある。第３及び第４の接触点１０ｃ、１０ｄは、第３の部分５ｃにある。第１及び第２の接触点１０ａ、１０ｂは、それぞれｘ方向に第１及び第２の部分５ａ、５ｂに沿ってある距離をおいて配置することができる。図示した実施例では、第１及び第２の接触点１０ａ、１０ｂは、それぞれ第１及び第２の部分に沿って１２．５ｍｍの所にある。換言すれば、それらは第３の部分５ｃの内側エッジ１０ｅから１２．５ｍｍの所にある。内側エッジ１０ｅの長さは２６．９ｍｍである。２つの接触点１０ｃ、１０ｄは、第３の部分５ｃにある。接触点１０ｃ、１０ｄは互いに１８ｍｍ離れ、第３の部分の端部から等距離の所にある。接触点の位置について他の寸法も考えられ、それがホルダに保持させる基板、又は基板の各部分の寸法に依存することが理解されよう。

図７は、本発明の一実施例による、第１の基板上でホルダ内に保持された第２の基板の断面を示している。具体的には、ホルダ５を、接着剤１６と真珠１８の複合材を用いて陥凹部１４に接着させることが可能である。接着剤は、エポキシ接着剤とすることができる。真珠は、接着層の厚さを制御するために提供される。真珠１８は約８マイクロメートルの直径を有することができる。真珠を含む接着剤を提供することによって、ホルダを陥凹部内に直接接着させることが可能になる。さらに、真珠／接着剤複合材により、陥凹面のでこぼこが補正される。図示した実施例では、第２の基板２の厚さは３５０マイクロメートルである。実施例では、ホルダ５は第１の基板１の表面上に１０００マイクロメートル未満、例えば６００マイクロメートル未満又は３５０マイクロメートル未満だけ延びている。実施例では、陥凹部の厚さは約１００マイクロメートルである。これらの寸法は、特定の実施例のそれぞれに応じて変化できることが理解されよう。

図８ａ〜図８ｄは、本発明の一実施例による、陥凹部１４内に配置されるホルダ５の構成を示している。

図８ａは、本発明の一実施例による第１の基板内に形成された陥凹部の平面図を示している。具体的には、陥凹部が第１の基板１の研磨面３内に示されている。図８ｂは、本発明の一実施例によるホルダの平面図を示している。金属のホルダ５が陥凹部１４内に配置されている。図８ｃは、本発明の一実施例によるホルダの詳細な平面図を示している。具体的には、陥凹部１４はｘ−ｙ平面内でホルダ５よりもわずかに大きくなっている。陥凹部１４のエッジと陥凹部１４内に配置されたホルダ５との間には、隙間１４ｄ、１４ｅが示されている。図８ｄは、本発明の一実施例による、第１の基板に取り付けられた第２の基板２の平面図を示している。

図９〜図１２を参照すると、ホルダ５０は、第１の方向に延びる第１の部分５０ａ、及び第１の方向に対して実質的に垂直な方向に延びる第２の部分５０ｂを有し（「Ｌ」字形）、各部分５０ａ、５０ｂは第３の方向に延びる所定の厚さを有している。陥凹部及びホルダの幾何学的形状のみ、図２〜図８を参照して記述した実施例とは異なっていることに留意されたい。陥凹部２４及びホルダ５０は、図２〜図８を参照して記述した陥凹部及びホルダと同じ又は類似の方法で形成され、機能する。

図９は、本発明の他の実施例による、第２の基板が取り付けられた第１の基板の平面図を示している。図９に示したホルダ５０は、一般に第２の円形基板２を保持している。例えば、第１の基板１を直径１５２又は２０３ｍｍ（６又は８インチ）の基板とすることが可能であり、第２の基板２を５１ｍｍ（２インチ）の円形シリコン、さもなければ基板とすることができる。図２と同様に、第１の基板１の位置調整を容易にするために、第１の基板１に位置調整用マーク７及び位置調整用平面又はノッチ９が設けられる。第２の基板２は、第１の基板１の事前位置調整用マーク７及び平面又はノッチ９に対して位置調整される。事前位置調整は、基板１のマーカーを用いて行われ、全体的な位置調整は基板２のマーカーに対して行われる。「Ｌ」字形の陥凹部２４は、第１の基板１に約１００マイクロメートルの深さまでエッチングされる。Ｌ字形のホルダ５０は陥凹部内に配置される。Ｌ字形のホルダ５０は、実質的にｙ方向に延びる第１の部分５０ａ、及び実質的にｘ方向に延びる第２の部分５０ｂを有している。接触点２２ａは、第１の部分５０ａに配置される。２つの接触点２２ｂ、ｃは、第２の部分５０ｂに配置される。

図１０は、図９に示した実施例の断面を示している。ホルダ５０は、第１の基板１の陥凹部内に配置されている。第２の基板２は第１の基板１の研磨面３に配置され、ホルダ５０に接している。ホルダ５０は所定の位置にあり、第２の基板２を保持している。図４に示した実施例と同様に、陥凹部及びホルダ５０、ホルダ５０の上面５０ｃが実質的に第２の基板２の上面２ａと同じ高さになるような寸法にされる。

図１１ａは、図９に示した本発明の実施例による陥凹領域の上面図を示し、図１１ｂは、図１１ａに示した陥凹領域の側面図を示している。Ｌ字形の陥凹部２４は、第１の部分２４ａ及び第２の部分２４ｂを有している。第１の部分２４ａは実質的にｙ方向に延び、第２の部分２４ｂは実質的にｘ方向に延びる。第１の部分２４ａは、ｙ方向に４０．１ｍｍの長さを有している。第１の部分２４ａは、ｘ方向に９．１ｍｍの幅を有している。第２の部分２４ｂは、ｘ方向に５０．１ｍｍの長さを有している。第２の部分は、ｙ方向に９．１ｍｍの幅を有している。陥凹部２４は、ｚ方向に０．１ｍｍの深さまでエッチングされる。陥凹部２４は、ホルダ５０を収容してホルダの特定のエッジの周りに小さい隙間を残すような寸法にされる。

図１２は、図９に示した本発明の実施例による基板ホルダの詳細な平面図を示している。ホルダ５０は、図１１ａ及び図１１ｂに示した陥凹部２４内に配置されるようになっている。ホルダ５０は、第１の部分及び第２の部分５０ａ、５０ｂを有している。第１の部分５０ａは、ｘ方向に延びる。第２の部分５０ｂは、ｙ方向に延びる。第１の部分のｙ方向の幅は９ｍｍである。第１の部分５０ａのｘ方向の長さは４０ｍｍである。第２の部分５０ｂのｙ方向の長さは５９ｍｍである。第２の部分５０ｂのｘ方向の幅は９ｍｍである。ホルダは、接触点２２ａ、ｂ、ｃを有している。第１の接触点２２ａは、第１の部分５０ａにある。第２及び第３の点２２ｂ、２２ｃは、第２の部分５０ｂにある。各接触点２２は、第２の基板の平坦部分２ｂ、２ｃに隣接するように配置される。図示した第２の基板の場合、第２の平坦部分２ｂは８ｍｍの長さを有している。第１の平坦部分２ｃは１５．８８ｍｍの長さを有している。第１の接触点２２ａは、第２の平坦部分２ｂに隣接するように配置されている。第２及び第３の接触点２２ｂ、ｃは、第１の平坦部分２ｃに隣接するように配置されている。第３の接触点２２ｃはなくてもよい。また、他の接触点を設けてもよい。図示した実施例では、第１の接触点２２ａは、ｘ方向に第１の部分５０ａに沿って２４．１ｍｍの距離の所に位置している。第２及び第３の接触点２２ｂ、ｃは、互いに１２ｍｍの距離をおいて配置されている。第２の接触点２２ｂは、ｙ方向に第２の部分５０ｂに沿って２７．１ｍｍの距離の所に位置している。第３の接触点２２ｃは、ｙ方向に第２の部分５０ｂに沿って３９．１ｍｍの距離の所にある。接触点の位置について他の寸法も考えられ、それがホルダに保持させる基板、又は基板の各部分の寸法に依存することが理解されよう。

図１３ａは、本発明の他の実施例による第１及び第２の基板、並びに基板ホルダの平面図を示し、図１３ｂは、図１３ａに示した実施例の断面図を示している。ノッチ９を有する第１の基板１００が提供される。一般に、第１の基板は２０３ｍｍ（８インチ）の直径を有する。陥凹部６００を第１の基板に設けることができる。第２の基板２０２、２０４、２０６を機械的にクランプするために、摺動可能なクランプ５２０、５３０が設けられている。第２の基板は、７６ｍｍ（３インチ）の基板２０２、５１ｍｍ（２インチ）の基板２０４、又は５１ｍｍ（２インチ）の基板の４分の１のもの２０６を含むことができる。第２の基板２０２、２０４、２０６は、第１の基板１の研磨面に直接配置することができる。さらに図１４〜図１６を参照して記述する別の実施例では、第２の基板を、第２の基板を支持するためのパターンを形成する複数の節に配置することができる。第２の基板２０２、２０４、２０６は、図１３〜図１６に見られる陥凹部６００内に配置することができる。同様に摺動可能なクランプ５２０、５３０、真空領域４００、４１０及び基板ピン５０１、５０２、５０３を陥凹部６００内に配置することができる。第２の基板のどのタイプが露光されるかに応じて、第２の基板２０２、２０４、２０６を定位置に保持するために、適切な所定の位置に基板ピン５０１、５０２、５０３が設けられる。他の実施例では、第２の基板２０２、２０４、２０６を定位置に保持するために、さらに真空領域４００、４１０が設けられる。真空領域４００、４１０は、真空ポンプ及び制御装置によって生成される。第１の基板１内に、真空又は部分真空を形成するためにそれを通して気体を取り出す一連の孔が形成され、それらが真空領域を規定する。真空は比較的低い圧力によって確立される。第２の基板２０２、２０４、２０６は、そのサイズに適した真空領域に配置される。クランプされた基板とホルダとの間のずれ（オフセット）をあらかじめ決定することができるように、基板ホルダが位置調整用マークを含むこともできる。このようにして、リソグラフィ装置における時間が節約される。図１３ｂでは、第１の基板１の高さが１．１５ｍｍであることが分かる。第２の基板２０２、２０４、２０６は、第１の基板１に直接配置されている。

図１４は、本発明の他の実施例による基板支持手段の平面図を示している。図１５は、図１４に示した実施例による基板テーブル及び基板支持手段の平面図を示し、図１６は本発明の他の実施例による基板支持手段の細部の平面図を示している。

具体的には、図１４〜図１６に示した本発明の実施例に従って、基板を支持するための基板支持手段１００が提供される。この基板支持手段は上面１１０を有している。内部に基板ホルダ５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０及び基板が配置される陥凹部６００を含む上面は、ホルダ５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０によって所定の位置に基板を支持及び保持して、投影系によってターゲット部分を投影できるように配置される。基板支持手段１００は、第２のタイプの基板を支持するための中間のプレート状部材を含む。一実施例では、中間のプレート状部材１００は、例えば図１５に示すように、第１タイプの基板を保持するように構成された基板テーブルＷＴ上に配置される。別の実施例では、基板支持手段１００を、基板テーブルＷＴに一体化して形成してもよい。基板テーブル及び中間のプレート状部材は同じ材料で作製することができる。一般に、プレート状部材１００は石英で作製されるが、ＳｉＣなど他の材料も適している。プレート状部材１００はｚ方向に約１ｍｍの厚さを有している。陥凹部は、基板支持手段の中央領域に設けられる。陥凹部は約５００マイクロメートルの深さを有している。陥凹部に約６５０マイクロメートルの厚さを有する基板が配置されると、基板支持手段１００と基板を組み合わせた高さは約１．１５ｍｍになる。他の実施例では、陥凹部は節状パターン６１０を有し、その上に基板が配置される。節状パターンは、エッチングなど放電浸食（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｅｒｏｓｉｏｎ）によって形成することができる。節の平均的な高さは、一般に約１００マイクロメートルである。別の実施例では、陥凹部は基板を支持するための研磨面を有することができる。

図１３〜図１６に示す実施例では、基板支持手段１００を、タイプ及びサイズが異なる様々なサイズの基板を支持することが可能なアダプタと考えることができる。複数の真空領域を有することが可能なホルダ、及び特定の基板を保持する特定の真空領域を選択するために様々な部分で使用可能な保持部分を設けることによって、広い用途を有する柔軟なウェハ・ホルダが提供される。図１５は、基板支持部材１００の下に低圧領域を生成するために、それを通して気体を吸引する真空孔Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を示している。ウェハ・テーブルＷＴはさらに、ウェハ又はウェハ・ホルダを上げ下げするためのピン孔Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を有している。ウェハ・テーブルＷＴはさらに、基板支持手段１００を支持するための節状パターンを有することができる。基板支持部材１００は、図１６に示すように、基板２０４の下に低圧領域を生成するために、それを通して気体を吸引することが可能な真空孔５４０、５５０、５６０を有することもできる。特にホルダ１００は、少なくとも第１及び第２の寸法を有する複数の真空領域４００、４１０をさらに有し、それらの上にそれぞれ少なくとも１つの第１及び第２の基板を配置することができる。さらに、様々なサイズの基板を保持することを可能にするために、真空領域の寸法が制御される。特にホルダは、複数の異なる基板を支持するために、第１、第２及び第３の部分５１０、５２０、５３０のうちの少なくとも１つを有することが可能であり、複数の異なる基板を支持するために、第１、第２及び第３の部分５１０、５２０、５３０のうちの少なくとも１つは、複数の位置５１１、５１２、５２１、５２２、５３１、５３２に位置決め可能である。例えば、図１６に見られるように、第１の部分を第１の位置５１１と第２の位置５１２との間で回転させて、真空領域のサイズを制御することができる。第１の部分５１０は、それぞれ真空孔５４０、５５０、５６０を密閉するためのパッド５１３、５１４、５１５を有している。第１の部分５１１では、シールは真空孔５４０、５５０、５６０を密閉する。真空孔５７０は、基板２０４をその上に配置することが可能な真空領域４１０を提供するために、遮蔽されないままである。第１、第２及び第３の部分５１０、５２０、５３０は、基板２０４を定位置に保持するために保持エッジを形成している。特に第２及び第３の部分５２０、５３０は、それぞれ第１の位置と第２の位置との間で移動可能である。したがってその結果、基板２０４を基板支持部材１００上に保持することができる。特に第１の部分５１０は、第１の位置５１１で第１の部分５１０が第１の基板２０４を保持するための第１の真空領域４２０を規定し、第２の位置５１２で第１の部分５１０が第２の異なる基板２０２を保持するための第２の真空領域４００を規定するように位置決め可能である。第３の他の真空領域４１０も設けられる。第１の部分５１０を、第１の位置５１１と第２の位置５１２との間で回転可能にすることもできる。図１６では、第１の部分５１０を第２の位置まで回転させると、真空孔５４０、５５０、５６０は遮蔽されなくなり、真空領域４００が形成されて、その上により大きい基板を配置することが可能になる。さらに、第２及び第３の部分５２０、５３０のうちの少なくとも１つは、第１の基板を保持するための第１の位置５２１、５３１と、第２の異なる基板を保持するための第２の位置５２２、５３２との間を移動することができる。特に第２の部分は、第１及び第３の部分５１０、５２０の少なくとも１つに向かう方向に基板に対する力を加えるためのばね、又は押し具（プッシャ）を有している。図１４では、図示した基板２０４は、５１ｍｍ（２インチ）のＩｎＰウェハである。基板支持部材１００は、５１〜１０２ｍｍ（２〜４インチ）のＩｎＰウェハを支持することができる。真空領域４１０は５１ｍｍ（２インチ）のウェハを、真空領域４１０は７６ｍｍ（３インチ）のウェハを、真空領域４２０は７６ｍｍ（３インチ）のウェハを支持する。図示した実施例では、ノッチ９を用いて位置調整が実施される。

本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及することがあるが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール）や計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板を２回以上処理することも可能であり、したがって、本明細書で使用する基板という用語は、処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。

ここまで、本発明の実施例を光リソグラフィの場合に使用することについて特に言及してきたが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィ（押印リソグラフィ）などの他の用途に用いることも可能であり、状況が許す場合には、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリント・リソグラフィでは、パターン形成装置のトポグラフィによって基板に形成されるパターンが決まる。パターン形成装置のトポグラフィを、基板に供給されたレジスト層に押し込むことが可能であり、その後、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することによってレジストを硬化させる。レジストの硬化後、パターン形成装置を移動させてレジストから離すと、レジストにパターンが残る。

本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば３６５、３５５、２４８、１９３、１５７若しくは１２６ｎｍの又はほぼそれらの値の波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、及び（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射を含むあらゆるタイプの電磁放射、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。

「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折式、反射式、磁気式、電磁式及び静電式の光学要素を含めて、様々なタイプの光学要素の任意の１つ又はそれらの組み合わせを指すことがある。

前述の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、前述の本発明に変更を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図。 本発明の一実施例による第１の基板の平面図。 本発明の一実施例による、第２の基板を保持するための基板ホルダの平面図。 本発明の一実施例による、第１の基板上でホルダ内に保持された第２の基板の断面図。 本発明の一実施例による陥凹領域の上面図。 図５ａに示した陥凹領域の側面図。 本発明の一実施例による、図５ａ及び図５ｂに示した陥凹部内に配置するための基板ホルダの詳細な平面図。 本発明の一実施例による、第１の基板上でホルダ内に保持された第２の基板の断面図。 本発明の一実施例による第１の基板内に形成された陥凹部の平面図。 本発明の一実施例によるホルダの平面図。 本発明の一実施例によるホルダの詳細な平面図。 本発明の一実施例による、第１の基板に取り付けられた第２の基板の平面図。 本発明の他の実施例による、第２の基板が取り付けられた第１の基板の平面図。 図９に示した実施例の断面図。 図９に示した本発明の実施例による陥凹領域の上面図。 図１１ａに示した陥凹領域の側面図。 図９に示した本発明の実施例による基板ホルダの詳細な平面図。 本発明の他の実施例による第１及び第２の基板、並びに基板ホルダの平面図。 図１３ａに示した実施例の断面図。 本発明の他の実施例による基板支持手段の平面図。 図１４に示した実施例による基板テーブル及び基板支持手段の平面図。 本発明の他の実施例による基板支持手段の細部の平面図。

符号の説明

１ 第１の基板、キャリア基板
２、２０２、２０４、２０６ 第２の基板
６ 第２の基板の上面
３ 研磨面
４、４ａ、４ｂ、４ｃ 位置調整面
５、５０ ホルダ
７ 位置調整用マーク、事前位置調整用マーク
８ ホルダの上面
９ 位置調整用ノッチ
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ 接触点
１０ｅ 内側エッジ
１４、２４、６００ 陥凹部
１４ｄ、１４ｅ 隙間
１６ 接着剤
１８ 真珠
１００ 基板支持手段、第１の基板、中間のプレート状部材、ホルダ
４００、４１０、４２０ 真空領域
５０１、５０２、５０３ 基板ピン
５１３、５１４、５１５ パッド
５２０、５３０ 摺動可能なクランプ
５４０、５５０、５６０、５７０ 真空孔
５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０ ホルダ
６１０ 節状パターン
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ ピン孔
Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３ 真空孔

Claims (45)

1. 第１のタイプの第１の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、前記第１の基板が研磨面を有する、基板テーブルと、
   パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系と
   を有するリソグラフィ装置において、
   前記研磨面が第２のタイプの第２の基板を支持し、前記投影系が前記パターン付与された放射ビームを前記第２の基板に投影するように構成されているリソグラフィ装置。
2. 前記研磨面が実質的に平坦である請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
3. 前記第１の基板の研磨面に陥凹部が形成されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
4. 前記第２の基板を前記第１の基板の研磨面の所定の位置に保持するために、前記陥凹部に基板ホルダが配置されている請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
5. 前記陥凹部は、ホルダが位置調整される基準面を形成し、それによって、使用中に、前記第２の基板が前記パターン付与された放射ビームに対して位置調整された所定の位置に保持されるようになっている請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
6. 前記ホルダは、前記第２の基板が位置調整される位置調整面を有する請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
7. 前記位置調整面が少なくとも１つの接触点を有し、前記第２の基板が前記少なくとも１つの接触点に接触して配置されるようになっている請求項６に記載されたリソグラフィ装置。
8. 使用中に前記第２の基板の上面が前記ホルダの上面と実質的に同じ高さになるように、前記陥凹部及びホルダの寸法が、前記第２の基板に対して決められている請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
9. 使用中に前記ホルダの高さが前記第２の基板の高さを超えないように、前記陥凹部及びホルダの寸法が、前記第２の基板に対して決められている請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
10. 前記位置調整面が、それぞれ互いに異なる方向に延びる第１及び第２の部分を有し、前記２つの部分が少なくとも１つの接触点を有する請求項７に記載されたリソグラフィ装置。
11. 前記位置調整面が第１及び第２の部分を有し、第１の接触点が、前記第２の基板の第１の端部に面する前記第１の部分に配置され、第２の接触点が、前記第２の基板の第２の端部に面する前記第２の部分に配置されている請求項７に記載されたリソグラフィ装置。
12. 前記第１の部分が２つの接触点を有している請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
13. 前記ホルダが、使用中に少なくとも２つの側面で前記第２の基板を囲むように構成されている請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
14. 前記ホルダが、第１の方向に延びる第１の部分、及び前記第１の方向に対して実質的に垂直な方向に延びる第２の部分を有し（「Ｌ」字形）、前記各部分が第３の方向に延びる所定の厚さを有する請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
15. 前記ホルダが、第１の方向に延びる第１の部分、並びに前記第１の部分の両端に隣接し、実質的に同じ第２の方向に延びる第２及び第３の部分を有し（「Ｕ」字形）、前記各部分が第３の方向に延びる所定の厚さを有する請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
16. 前記陥凹部がエッチングされたものである請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
17. 前記ホルダが金属である請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
18. 前記ホルダが、接着剤と真珠との複合材を用いて前記陥凹部内に接着されている請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
19. 前記第２の基板が、水などの少量の液体によって所定の位置に維持されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
20. 前記第２の基板の配置される真空領域を有する請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
21. 前記真空領域が、前記第１の基板に設けられた一連の孔によって規定され、前記第２の基板が前記孔の上に配置されると、真空ポンプ及び制御装置が前記孔を通じて気体を取り出して、前記第２の基板の下に低圧領域を生成するようになっている請求項２０に記載されたリソグラフィ装置。
22. 研磨面を有する半導体基板であって、前記研磨面に陥凹部が設けられ、前記陥凹部が実質的にＬ字形の部分を含む半導体基板。
23. 前記陥凹部が本質的にＬ字形である請求項２２に記載された半導体基板。
24. 前記陥凹部が本質的にＵ字形である請求項２２に記載された半導体基板。
25. 前記陥凹部内に金属又はセラミックの条片が配置されている請求項２２に記載された半導体の基板。
26. リソグラフィ装置の基板テーブルに配置されるように適合された、研磨面を有する第１の基板と、
    前記研磨面又は前記研磨面に設けられた陥凹部に提供される物体であって、前記研磨面に配置される第２の基板の少なくとも一部を囲むように構成及び配置された物体と
    を有する基板ホルダ。
27. 第１のタイプの第１の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、前記第１の基板が研磨面を有する基板テーブルと、
    基板の少なくとも一部の上で少なくとも１つの処理及び処置工程を実施するように配置された処理系と
    を有する基板処理装置において、前記研磨面が第２のタイプの第２の基板を支持し、前記処理系が前記第２の基板を処理又は処置するように構成されている基板処理装置。
28. パターンをパターン形成装置から第２のタイプの基板に転写するように配置されたリソグラフィ装置において、前記基板が第１のタイプの基板の研磨面に配置されているリソグラフィ装置。
29. 前記リソグラフィ装置を用いて、前記第２のタイプの基板を放射に曝す段階を含むデバイス製造方法。
30. リソグラフィ装置で使用するための、研磨面を有する第１の基板において、該第１の基板が、第２の基板ホルダを受け入れて第２の基板を前記研磨面の所定の位置に保持することができるように構成された陥凹部を有する第１の基板。
31. 研磨された上面を有する第１の基板に第２の基板を取り付ける方法において、該方法が、前記第１の基板に陥凹部をエッチングする段階と、前記陥凹部に前記第２の基板を保持するためのホルダを配置する段階と、前記第２の基板を前記研磨面上でホルダに対して配置する段階と含む、第２の基板を取り付ける方法。
32. パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系と、
    前記基板を支持するための、上面を有する基板支持手段であって、前記上面が、基板ホルダ及び前記基板の配置される陥凹部を有し、それにより、前記基板を前記ホルダによって所定の位置に支持及び保持して、前記投影系によって前記ターゲット部分を投影することが可能になっている基板支持手段と
    を有するリソグラフィ装置。
33. 前記基板支持手段が、第２のタイプの基板を支持するための中間のプレート状部材を含み、該中間のプレート状部材が、第１のタイプの基板を保持するように構成された基板テーブルに配置されている請求項３２に記載されたリソグラフィ装置。
34. 前記基板支持手段が基板テーブルに一体化して形成されている請求項３２に記載されたリソグラフィ装置。
35. 前記基板支持手段及び前記中間のプレート状部材が同じ材料で作製されている請求項３３に記載されたリソグラフィ装置。
36. 前記中間のプレート状部材が石英で作製されている請求項３３に記載されたリソグラフィ装置。
37. 前記陥凹部が、前記基板の配置される節状パターンを有している請求項３２に記載されたリソグラフィ装置。
38. 前記陥凹部が前記基板を支持するための研磨面を有する請求項３２に記載されたリソグラフィ装置。
39. 前記ホルダは、少なくとも第１及び第２の基板がそれぞれ配置される少なくとも第１及び第２の寸法を有する複数の真空領域をさらに有する請求項３２に記載されたリソグラフィ装置。
40. 様々なサイズの基板を保持することを可能にするために、前記真空領域の寸法が制御されている請求項３９に記載されたリソグラフィ装置。
41. 前記ホルダが、複数の異なる基板を支持するために第１、第２及び第３の部分のうちの少なくとも１つを有し、前記複数の異なる基板を支持するために、前記第１、第２及び第３の部分のうちの少なくとも１つが複数の位置に位置決め可能である請求項３２に記載されたリソグラフィ装置。
42. 前記第１の部分は、第１の位置で前記第１の部分が第１の基板を保持するための第１の真空領域を規定し、第２の位置で前記第１の部分が第２の異なる基板を保持するための第２の真空領域を規定するように位置決め可能である請求項３９に記載されたリソグラフィ装置。
43. 前記第１の部分が、前記第１の部分と前記第２の部分との間で回転可能である請求項４１に記載されたリソグラフィ装置。
44. 前記第２及び第３の部分のうちの少なくとも１つが、第１の基板を保持するための第１の部分と、第２の異なる基板を保持するための第２の部分との間で移動可能である請求項３９に記載されたリソグラフィ装置。
45. 前記第２の部分が、前記第１及び第３の部分のうちの少なくとも１つに向かう方向に、前記基板に対する力を加えるためのばねを有する請求項４１に記載されたリソグラフィ装置。

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