JP2006295154A - リソグラフィ装置、パターニング組立体および汚染推定法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】位置測定システムIS、SNS、PROCによってパターニング装置MAの参照マークM1、M2の第1位置測定および第2位置測定を行い、この第1および第2位置測定の間の位置差から汚染モニタCon.mon.によってこのパターニング装置MAまたはパターン支持体MTの汚染を推定する。これによってパターン支持体MTに関してパターニング装置MAがずれる程に汚染が蓄積する前に掃除することができ、ずれが防げる。
【選択図】図2
Description
ステップモード:放射線ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露光で)投影しながら、マスクテーブルMTまたは“マスク支持体”および基板テーブルWTまたは“基板支持体”を本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTまたは“基板支持体”をXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
走査モード:放射線ビームの与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光)しながら、マスクテーブルMTまたは“マスク支持体”および基板テーブルWTまたは“基板支持体”を同期して走査する。マスクテーブルMTまたは“マスク支持体”に対する基板テーブルWTまたは“基板支持体”の速度および方向は、投影システムPSの(縮)倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の幅(非走査方向の)を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ(走査方向の)を決める。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
Con.mon. 汚染モニタ
IS 照明源
M1 参照マーク
M2 参照マーク
MA パターニング装置
MT パターン支持体
PROC 処理装置
SNS センサ
Claims (19)
- リソグラフィ装置であって、
パターン化した放射線ビームを作るためにこの放射線ビームの断面にパターを与えるように構成したパターニング装置を支持するように構成したパターン支持体、
このパターニング装置の参照マークの位置の第1位値測定および第2位置測定を行うように構成した位置測定システム、および
第1および第2位置測定の間の位置差からこのパターニング装置とこのパターン支持体の少なくとも一つの汚染を推定するように構成した汚染モニタを含むリソグラフィ装置。 - 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記第1位置測定および上記第2位置測定が同じ参照マークに関連し、上記第1および第2位置測定を時間間隔を置いて行うリソグラフィ装置。
- 請求項2に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記第1および第2位置測定を行うとき、上記パターン支持体によって上記パターニング装置を保持する保持力を減少するようになっているリソグラフィ装置。
- 請求項2に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記第1および第2位置測定の間に上記パターニング装置に外乱力を加えるようになっているリソグラフィ装置。
- 請求項4に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記外乱力を加えるとき、上記保持力を減少するようになっているリソグラフィ装置。
- 請求項5に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタが複数の第2測定を行うようになっていて、各第2位置測定の間に上記外乱力を加え且つ上記外乱力を加える前に上記保持力を減少するようになっているリソグラフィ装置。
- 請求項2に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタが複数の第2測定を行うようになっていて、この位置差が位置ドリフトを含むリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタが複数の参照マークに対して上記第1および第2位置測定を行うようになっていて、ある参照マークの位置の、隣接参照マークの位置の変化に比べた変化が汚染スポットの位置に付いての表示をもたらすリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記第1および第2位置測定が上記パターニング装置の平面と実質的に垂直方向の上記参照マークの位置の測定を含むリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記第1および第2位置測定が上記パターニング装置の平面と実質的に平行方向の上記参照マークの位置の測定を含むリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記参照マークが上記パターン支持体のクランプ領域近くの参照マークを含むリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタは、上記第1および第2測定の間の位置差が所定の位置差レベルを超えるとき、上記パターニング装置の形状を再較正するために再較正メッセージを出すようにプログラムしてあるリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタは、上記位置差から推定した汚染が所定のレベルを超えるとき、上記パターニング装置および上記パターン支持体の少なくとも一つを掃除するために掃除メッセージを出すようにプログラムしてあるリソグラフィ装置。
- 請求項13に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタは、所定のレベルを超える位置差を所定数のパターニング装置に対して検出したとき、上記パターン支持体を掃除するためにパターン支持体掃除メッセージを出すように構成してあるリソグラフィ装置。
- 請求項13に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記汚染モニタは、所定のレベルを超える位置差を単一パターニング装置に対して検出したとき、上記パターニング装置を掃除するためにパターニング装置掃除メッセージを出すように構成してあるリソグラフィ装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記位置測定が光位置測定を含むリソグラフィ装置。
- 請求項16に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記参照マークが格子を含むリソグラフィ装置。
- 光投影装置に使うためのパターニング組立体であって、
パターン化した放射線ビームを作るために該放射線ビームの断面にパターを与えるように構成したパターニング装置を支持するように構成したパターン支持体、
パターニング装置の参照マークの第1位値測定および第2位置測定を行うように構成した位置測定システム、および
この第1および第2位置測定の間の位置差からこのパターニング装置とこのパターン支持体の少なくとも一つの汚染を推定するための汚染モニタを含むパターニング組立体。 - パターニング装置とパターン支持体の少なくとも一つの汚染を推定する方法であって、パターン支持体がパターニング装置を支持するように構成され、パターニング装置が、パターン化した放射線ビームを作るために放射線ビームの断面にパターを与えるように構成されている方法が、
パターニング装置の参照マークの第1および第2位置測定を行う工程、および
第1と第2の位置測定の間の位置差から汚染を推定する工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/099,686 US7436485B2 (en) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | Lithographic apparatus, patterning assembly and contamination estimation method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295154A true JP2006295154A (ja) | 2006-10-26 |
JP4340270B2 JP4340270B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=37082829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006080405A Expired - Fee Related JP4340270B2 (ja) | 2005-04-06 | 2006-03-23 | リソグラフィ装置、パターニング組立体および汚染推定法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7436485B2 (ja) |
JP (1) | JP4340270B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231835A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Asml Netherlands Bv | エンコーダタイプの測定システム、リソグラフィ装置、およびエンコーダタイプの測定システムのグリッドもしくは回折格子上またはグリッドもしくは回折格子内のエラーを検出するための方法 |
KR20160086273A (ko) * | 2015-01-09 | 2016-07-19 | 캐논 가부시끼가이샤 | 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2011687A (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-17 | Asml Netherlands Bv | Method of operating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product. |
KR102215539B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2021-02-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법 |
JP7262939B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4766324A (en) * | 1987-08-07 | 1988-08-23 | Tencor Instruments | Particle detection method including comparison between sequential scans |
JP2651815B2 (ja) * | 1991-07-30 | 1997-09-10 | 株式会社堀場製作所 | 異物検査装置 |
JP3195200B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2001-08-06 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置および異物検出方法 |
JP2982720B2 (ja) * | 1996-04-26 | 1999-11-29 | 日本電気株式会社 | パーティクルモニター装置およびこれを具備した無塵化プロセス装置 |
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JP4109799B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2008-07-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-04-06 US US11/099,686 patent/US7436485B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-23 JP JP2006080405A patent/JP4340270B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US10185235B2 (en) | 2015-01-09 | 2019-01-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7436485B2 (en) | 2008-10-14 |
US20060227307A1 (en) | 2006-10-12 |
JP4340270B2 (ja) | 2009-10-07 |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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