JP3409272B2

JP3409272B2 - 露光マスクの異物検査方法

Info

Publication number: JP3409272B2
Application number: JP02167097A
Authority: JP
Inventors: 輝雄外山
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-02-04
Filing date: 1997-02-04
Publication date: 2003-05-26
Anticipated expiration: 2017-02-04
Also published as: US5898182A; JPH10221266A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣやＬＳＩな
どの製造に用いられる露光マスク上の異物検査方法に係
り、特に露光マスク裏面の異物の検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、露光マスク上の異物を検査する技
術としては、例えば文献（文献：特開昭６１−６１４２
０）に開示されるものがあり、これによれば、露光マス
ク上にレーザー光線を露光マスクと垂直に照射してこの
露光マスクを透過させ、透過光が塵埃等の異物によって
散乱する散乱光を検出することにより、露光マスクの透
過領域に存在する異物のみを検出している。同様にし
て、露光マスク裏面の異物も検出する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法では、露光するときには露光マスクの表面に露光
光の焦点を合わせてあり、マスクの裏面では焦点にずれ
が生じている。このため、露光マスクの裏面から検出さ
れた異物が実際にウェハ転写時（露光時）に影響を与え
る程度の大きさのものか否かを判断することができな
い。この場合経験的な判断に頼るか、または実際にウェ
ハに転写して、露光マスク裏面の異物が露光に影響する
かどうかを確認するしかなかった。このため、検出した
異物をその大きさによって判断する手間がかかったり、
実際に露光してみて品質の悪いものは除去するため、品
質のよい露光マスクを効率よく供給することができない
というような問題があった。

【０００４】また、遮光パターンの裏側に存在する異物
が何らかの衝撃により透過領域へ移動するおそれもある
ことから、露光マスクの透過領域に存在する異物だけで
なく遮光パターン上あるいは遮光パターンの裏側に存在
する異物も検出する必要がある。

【０００５】このため、露光マスク裏面に存在する異物
のうち、実際に露光時に影響を与えるおそれのあるもの
だけを検出する方法の出現が望まれていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このため、この発明によ
れば、特定の遮光パターンを有する領域が少なくとも２
つ以上繰り返し配設されている露光マスクの裏面の異物
の有無を、露光マスクの表面および裏面に検査光を照射
して得られる透過光および反射光から検査するにあた
り、特定の遮光パターンを有する領域の１つを第１領域
とし、この第１領域以外の前記領域のうちから選ばれる
もう１つの領域を第２領域として、第１領域の表面に第
１検査光を照射して、第１領域の透過光から第１イメー
ジを得、第２領域の裏面に第２検査光を照射して、第２
領域の反射光から第１反射イメージを得、得られた第１
透過イメージと第１反射イメージとの第１合成イメージ
を作成し、次に、第１領域の裏面に第３検査光を照射し
て、第１領域の反射光から第２反射イメージを得、第２
領域の表面に第４検査光を照射して、第２領域の透過光
から第２透過イメージを得、得られた第２反射イメージ
と第２透過イメージとの第２合成イメージを作成し、第
１合成イメージと第２合成イメージとによって、露光マ
スクの第１および第２領域の裏面に付着している異物の
有無を検出することを特徴とする。

【０００７】通常、１枚の露光マスクには同一のパター
ンが繰り返し、多数描かれており、この露光マスク全体
に光を照射してウェハ上に形成したレジストを感光さ
せ、パターンをウェハ上に転写する。したがってマスク
に描かれているパターンの数の素子を一度に作ることが
できる。

【０００８】例えば、このうちの１つの素子に対応する
露光マスクの領域を第１領域として、隣の素子に対応す
るマスクの領域を第２領域として、マスクの第１領域と
第２領域の裏面の異物の有無を検査する。第１領域の表
面に第１検査光を照射して、その透過光から得られる第
１透過イメージと、第２領域の裏面に第２検査光を照射
して、その反射光から得られる第１反射イメージとを合
成する。第１領域と第２領域は、同一形状の遮光パター
ンと透過領域とを有し、領域どうしの形状および大きさ
も同じである。

【０００９】第１透過イメージは、第１検査光を第１領
域の表面に照射して、第１領域の裏側に設けた光検出装
置によって検出された透過光の光強度分布を反映した情
報である。この情報を、以下光強度分布像と称する。第
１領域の透過領域を透過した透過光の光強度は高く、一
方遮光パターンによって遮られて光検出装置に届かない
第１検査光の検出される光強度は当然低い。ここで異物
が第１領域の透過領域の裏側にあった場合、異物部分に
到達した第１検査光は異物の凹凸によって散乱して光検
出装置にはほとんど届かないため検出される光強度は低
くなる。異物の周囲の透過領域を透過する光の強度は高
いため、検出される光強度分布像では異物部分が目立っ
て低い光強度となる。また、異物が第１領域の遮光パタ
ーンの裏側にあった場合には、第１検査光が異物の到達
する前に遮光パターンによって遮られてしまうため、異
物の存在を確認することができない。

【００１０】第１反射イメージは、第２検査光を第２領
域の裏面に照射して、第２領域の裏側に設けた光検出装
置によって検出された反射光の光強度分布像である。第
２領域の透過領域では第２検査光はほとんど透過する
が、わずかにマスクによって反射する光があり、その分
だけ検出されるがその光強度は低い。一方遮光パターン
によって反射される光は光検出装置に到達して、検出さ
れる光強度は高い。ここで、異物が第２領域の透過領域
にあった場合、異物部分に到達した第２検査光は異物の
凹凸によって散乱してほとんど光検出装置では検出され
ないため、その光強度は低い。しかし異物の周囲の透過
領域で反射する光はわずかであるため検出される光強度
分布像では、異物と周囲との光強度の差は小さい。ま
た、異物が第２領域の遮光パターンの裏側にあった場合
には、第２検査光は異物部分で散乱して光検出装置では
ほとんど検出されず、光強度は低くなる。

【００１１】これにより、検出される光強度分布像か
ら、検査した領域の表面および裏面のパターンの形成さ
れている位置や異物の位置を確認することができる。第
１領域の透過光の光強度が高く検出されるある位置に対
応する第２領域の位置では、反射光の光強度が低くなっ
ており、逆に第１領域の透過光の光強度が低く検出され
るある位置に対応している第２領域の位置では、反射光
の光強度が高く検出される。このため、第１透過イメー
ジと第１反射イメージとの合成によって作成した第１合
成イメージである光強度分布像には、透過領域や遮光パ
ターンを表す光強度が平坦で一定となる像が得られる。
しかし、異物部分は、第１透過イメージにおいても第１
反射イメージにおいてもその光強度は低いため、合成し
ても低くなる。したがって第１合成イメージでは、異物
部分のみが周囲と異なる光強度分布像となる。第１合成
イメージでは、第１領域の透過領域の裏面にある異物と
第２領域の遮光パターンの裏側にある異物を特に良く検
出することができる。第１領域の遮光パターンの裏側に
ある異物は第１透過イメージでは検出できず、また、第
２領域の透過領域の裏面にある異物は第１反射イメージ
では異物周辺の透過領域の光強度も低いため、検出しに
くい。

【００１２】次に第３検査光を第１領域の裏面に照射し
て、その反射光から同様にして第２反射イメージである
光強度分布像を得、また、第４検査光を第２領域の表面
に照射して、その透過光から第２透過イメージである光
強度分布像を得、その後第２反射イメージと第２透過イ
メージとから、第２合成イメージを作成する。第２合成
イメージでは、第１領域の遮光パターンの裏側にある異
物と第２領域の透過領域の裏面にある異物を特に良く検
出することができる。

【００１３】したがって、第１合成イメージと第２合成
イメージとによって第１および第２領域の裏面全体わた
って付着する異物を容易に検出することができる。ま
た、これにより、第１領域および第２領域の異物の検査
を同時に行うことができる。よって１つの検査領域に対
してまず表面に検査光を照射し、続いて裏面に検査光を
照射して合成イメージを得た後、順次次の領域の検査を
するよりも、検査領域が多くなればなるほど、ずっと速
く検査を進めることができる。

【００１４】また、上記の第１、第２、第３および第４
検査光は、同一光源から得られる同一波長の光である。

【００１５】また、この発明では、第１透過イメージ
は、第１領域の透過光を第１領域の裏側に設けた第１受
光部、すなわち第１光電変換装置で検出して電気信号に
光電変換して、第１電気信号として取り出し、第１反射
イメージは、第２領域の反射光を第２領域の裏側に設け
た第２受光部、すなわち第２光電変換装置で検出して電
気信号に光電変換して、第２電気信号として取り出し、
第１合成イメージはこの第１電気信号と第２電気信号と
を加算して得られる第１合成電気信号として作成し、一
方、第２反射イメージは、第１領域の反射光を第１受光
部（第１光電変換装置）によって電気信号に光電変換し
て、第３電気信号として取り出し、第２透過イメージ
は、第２領域の透過光を第２受光部（第２光電変換装
置）によって電気信号に光電変換して、第４電気信号と
して取り出し、第２合成イメージは、この第３電気信号
と第４電気信号とを加算して得られる第２合成電気信号
として作成し、そして、これら第１合成電気信号と第２
合成電気信号とから、露光マスクの第１領域および第２
領域の裏面に付着している異物の有無を検出することを
特徴とする。

【００１６】各受光部すなわち各光電変換装置によって
検出された光は、その光強度に応じて、光強度が高いほ
ど高レベルの電気信号に、光強度が低いほど低レベルの
電気信号に光電変換される。したがって、電気信号は上
記で説明した光強度分布を反映した情報として得られる
ことになる。第１領域の表面に照射され、透過領域を透
過した第１検査光は高レベルの電気信号に、遮光パター
ンによって反射されて検出されない第１検査光は低レベ
ルの信号にそれぞれ変換される。これを第１電気信号と
する。また、第２領域の裏面に照射され、遮光パターン
によって反射された第２検査光は高レベルの電気信号
に、透過領域を透過した第２検査光は低レベルの電気信
号にそれぞれ光電変換される。これを第２電気信号とす
る。同様にして第３電気信号と第４電気信号を検出す
る。そして、両領域の対応する位置における第１および
第２電気信号の値、あるいは第３電気信号および第４電
気信号の値を加算すると、その位置で第１電気信号ある
いは第３電気信号が高レベルであれば、第２電気信号あ
るいは第４電気信号は低レベルとなっており、また逆に
両領域上の対応するある位置における第１電気信号（第
３電気信号）が低レベルであれば、第２電気信号（第４
電気信号）は高レベルとなっているため、加算すると、
高レベルと低レベルの間にあり、あるレベルで一定の値
となる信号が得られる。しかし、異物部分は、既に説明
したように透過イメージにおいても反射イメージにおい
ても、検出される光の強度は最低レベルであるため、信
号を加算しても低レベルのままの信号となる。このた
め、合成電気信号には、異物のみによる信号の変化が現
れてくる。

【００１７】この発明では、異物の有無は、一定レベル
の平坦な第１および第２合成電気信号のうち、異物部分
のみに現れる特異な信号のレベル変化により検出するこ
とを特徴とする。

【００１８】これにより、微細な遮光パターンを有する
マスクの異物を検査するときに、異物以外の信号のレベ
ル変化はなくなるため、異物の存在を示す信号なのか、
微細なパターンに由来する信号なのか判断し難くなると
いうようなことはなくなり、容易に異物のみを検出する
ことができる。

【００１９】また、この発明によれば、第１透過イメー
ジおよび第１反射イメージ、また第２反射イメージおよ
び第２透過イメージは、倍率を低く調整した光学レンズ
に通過させた検査光を前記露光マスクに照射して得るこ
とを特徴とする。

【００２０】ウェハに転写するときに悪影響を及ぼして
いた異物の最小の大きさを経験的、あるいは実験的に定
めて、検査光によってその大きさ以上の異物だけを検出
するように倍率を低く調整した光学レンズを通過させた
検査光で、露光マスクの表面および裏面を照射するよう
にすればよい。

【００２１】このような状態に設定して露光マスクの裏
面の異物の検査をすれば、マスクの表面に存在する異物
や、裏面に存在する露光に影響しない小さな異物を検出
することなく、露光マスクの裏面に存在して、実際の露
光に影響を与える異物のみを自動的に検出することがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
露光マスクの異物検査方法の実施の形態につき、説明す
る。なお、各図はこの発明が理解できる程度に各構成成
分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示している
に過ぎない。

【００２３】＜第１の実施の形態＞第１の実施の形態と
して露光マスクの透過領域の裏側に異物があった場合の
異物検査方法につき説明する。図１および図２はこの実
施の形態例の説明に供する図である。図３は露光マスク
の一部を概略的に表した平面図である。

【００２４】この例の露光マスク１１は特定の遮光パタ
ーン１３を有する領域１５が少なくとも２つ以上配設さ
れており（図３参照）、そのうちの１つの領域を第１領
域１５ａとし、第１領域を除く領域のなかからもうひと
つの領域を任意に選び、これを第２領域１５ｂとした。
第１領域１５ａと第２領域１５ｂとは、どちらも同じ特
定の遮光パターン１３および透過領域１４を有してい
て、この第１領域１５ａと第２領域１５ｂの大きさおよ
び形状は同じである。ここではこの第１領域１５ａと第
２領域１５ｂについて同時にマスク１１の裏面の異物検
査を行う。検査はＸ−Ｘ線に沿って露光マスクを平行に
移動させながら検査光を第１領域はＸ−Ｘ線上の照射開
始点Ｘ₁ から照射終了点Ｘ₂ まで、第２領域は照射開始
点Ｘ₃ から照射終了点Ｘ₄ までそれぞれ照射し、順次Ｙ
−Ｙ方向に沿って露光マスクを移動して検査領域全体を
検査する。ここでは異物がある部分に検査光をＸ−Ｘ線
上を一回照射させて得られる検出データを抜き出してい
る。

【００２５】図１（Ａ）は、図３のＸ−Ｘ線に沿った露
光マスク１１の断面図である。まず、光源１７から第１
検査光１９をレンズＢ２１ｂを通して第１領域１５ａの
表面に照射する。同時にレンズＤ２１ｄを通して第２領
域１５ｂの裏面に第２検査光２３を照射する（図１
（Ａ））。図１（Ａ）中のレンズＡ〜Ｄ（２１ａ〜２１
ｄ）はマスク１１の表面の異物およびマスク１１の裏面
の実際露光に影響のない小さな異物が検出されないよう
に任意好適に倍率を下げてある（この例では例えば光学
倍率１００倍とする。）光学レンズである。レンズＡ〜
Ｄ（２１ａ〜２１ｄ）は同じ倍率に設定してある。通常
マスクの表面の異物の有無を検査するときに用いるレン
ズの倍率は１０００〜２０００倍であり、この例では、
マスクの裏面の、実際露光に影響する異物のみを検出す
ることが目的であるため、レンズの倍率を下げているの
である。

【００２６】図１（Ｂ）は検出装置の受光部から得られ
た電気信号特性図である。横方向が照射位置、縦方向が
検出される光の光強度に応じた電気信号レベルを示す。
光強度が高いほど電気信号レベルは高レベルとなる。こ
の例の場合、第１領域の検出結果と第２領域の検出結果
を重ねて表してある。第１領域の照射開始点Ｘ₁ から照
射終了点Ｘ₂ までと、第２領域の照射開始点Ｘ₃ から照
射終了点Ｘ₄ までの照射距離は同じである。したがっ
て、Ｘ−Ｘ線上の第１領域のＸ₁ からＸ₂ に向かって任
意の距離Ｌだけ離れた点と、第２領域のＸ₃ からＸ₄ に
向かって同距離Ｌだけ離れた点をそれぞれＸ_m 、Ｘ_n と
すると、図１（Ｂ）中ではＸ_m とＸ_n がちょうどぴった
り重なっている。同図において第１電気信号が第１領
域１５ａの検出結果である電気信号を表しており、第２
電気信号が第２領域１５ｂの検出結果である電気信号
を表している。そして、第１領域の検出結果と第２領域
の検出結果を合成した電気信号を第１合成電気信号で
示してある。

【００２７】第１領域１５ａの表面に照射開始点Ｘ₁ か
ら照射終了点Ｘ₂ へ第１検査光１９が照射されたとする
と、透過領域１４では光が透過してマスク１１の裏側に
設けてある第１受光部２５に到達してその光強度に応じ
た電気信号が検出される。これを第１電気信号とす
る。第１電気信号を見ると、遮光パターン１３によっ
て反射された光は第１受光部２５に到達しないため電気
信号は低いレベルを示す。また、第１領域１５ａの透過
領域１４の裏側にある異物２７部分に到達した光は異物
２７の凹凸により散乱して、第１受光部２５へはほとん
ど届かないため、電気信号レベルは異物２７の部分だけ
急激に下がる（図１（Ｂ））。

【００２８】第２領域１５ｂの裏面には照射開始点Ｘ₃
から照射終了点Ｘ₄ へ第２検査光２３が照射されて（図
２（Ａ））、第２電気信号が得られる。これを見る
と、第１領域１５ａとは反対に、光は透過領域１４を表
面へ透過していくためマスク１１の裏側へ設けてある第
２受光部２９へは届かず低いレベルの信号が現れる。ま
た、遮光パターン１３によって反射された光は第２受光
部２９へ到達して高い電気信号が検出される（図２
（Ｂ））。

【００２９】第１領域１５ａの表面に第１検査光を照射
して検出される透過光の信号である第１電気信号（図
１（Ｂ））と第２領域１５ｂの裏面に第２検査光を照射
して検出される反射光の信号である第２電気信号（図
１（Ｂ））とを合成すると、第１領域１５ａの電気信号
の値の高い部分は第２領域１５ｂの電気信号の値の低い
部分に相当し、同様に第１領域１５ａの信号の低い部分
は第２領域１５ｂの信号の高い部分に相当するため、打
ち消し合って透過領域１４と遮光パターン１３との区別
のつかない、一定のレベルで平坦な信号、第１合成電気
信号（図１（Ｂ））となる。しかし、第１領域１５ａ
と第２領域１５ｂの同じ位置に同じ形状および大きさを
もつ異物が存在することはほとんどあり得ないため、異
物２７の存在する部分だけは合成しても信号に変化が生
じている。このため、合成すると、異物２７のみを示す
第１合成電気信号（図１（Ｂ））が得られる。

【００３０】次に、第１領域１５ａの裏面に第３検査光
３１を照射して検出される反射光の信号である第３電気
信号（図２（Ｂ））と第２領域１５ｂの表面に第４検
査光３３を照射して検出される透過光の信号である第４
電気信号を得た。検査の手順は上述した第１領域１５
ａの透過光および第２領域１５ｂの反射光の信号を得る
手順と同様にして検査を行う（図２（Ａ））。検査光は
ミラーなどを用いることによって、マスク１１の表面へ
の照射から裏面への照射へ（その逆も可。）簡単に変え
ることができるようにしてある。

【００３１】第３電気信号を見ると、異物２７は第１
領域１５ａの透過領域１４に存在しているために第１領
域１５ａの異物２７周辺の電気信号は低いレベルである
ため、異物２７部分があまり目立たなくなる。このた
め、第２合成電気信号で異物２７を示す電気信号は弱
い（図２（Ｂ））。

【００３２】したがって第１領域１５ａの透過光と第２
領域１５ｂの反射光とから得られる検出結果である第１
合成電気信号（図１（Ｂ））と、第１領域１５ａの反
射光と第２領域１５ｂの透過光とから得られる検出結果
である第２合成電気信号（図２（Ｂ））との両方の合
成電気信号を比較検討して、異物２７の検出を行うとよ
い。

【００３３】この結果、検査光を低倍率（この例では光
学倍率１００倍程度）に設定したレンズＡ〜Ｄ（２１ａ
〜ｄ）に通すことによって実際に露光に影響を及ぼす異
物だけを自動的に検出することができ、また、遮光パタ
ーン１３が微細で複雑なものであった場合でも、異物の
みを容易に検出することができる。

【００３４】また、検査光として用いた第１、第２、第
３および第４検査光は、同一光源、この例では例えば水
銀ランプから得られた同一波長（ここでは例えば６００
ｎｍ）の光を用いている。

【００３５】＜第２の実施の形態＞第２の実施の形態と
して、露光マスクの遮光パターンの裏側に異物があった
場合の異物検査方法につき図４を参照して説明する。図
４は第２の実施の形態の説明に供する図である。遮光パ
ターン１３や領域の形状および大きさは第１の実施の形
態と同じである。

【００３６】第１の実施の形態と同様にして、第１領域
１５ａの透過光と第２領域１５ｂの反射光とから得られ
る検出結果である第１合成電気信号（図４（Ｂ））
と、第１領域１５ａの反射光と第２領域１５ｂの透過光
とから得られる検出結果である第２合成電気信号（図
４（Ｃ））を得た。検出方法については第１の実施の形
態で既に説明してあるのでここでは省略する。

【００３７】第１合成電気信号と第２合成電気信号
とを比べて見ると、第１合成電気信号では、第２領域
１５ｂの遮光パターン１３の裏側に異物２７があること
がはっきりと分かるのに対して、第２合成電気信号で
は第２領域１５ｂの遮光パターン１３によって第４検査
光３３が遮られてしまうため、異物２７の存在が分から
ない。異物２７は遮光パターン１３の裏側で固定されて
いれば露光に直接影響を与えることはないが、マスク１
１の搬送などによる衝撃で透過領域１４に移動するおそ
れがあるため、検出する必要がある。したがって、この
場合においても、第１領域１５ａの透過光と第２領域１
５ｂの反射光とから得られる検出結果である第１合成電
気信号（図４（Ｂ））と、第１領域１５ａの反射光と
第２領域１５ｂの透過光とから得られる検出結果である
第２合成電気信号（図４（Ｃ））との両方の結果を比
較検討して検査を行わなければならない。

【００３８】これにより、露光マスク１１の裏面にある
異物のうち、実際の露光に影響を及ぼすおそれのある異
物２７だけを自動的に検出することができる。

【００３９】

【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば特定の遮光パターンを有する領域が少なくとも２つ以
上繰り返し配設されている露光マスクの裏面に存在する
異物の有無を検査するにあたり、露光マスクの一方の領
域の表面に対して検査光を照射して検出される透過光の
電気信号と、露光マスクの他方の領域の裏面に対して検
査光を照射して検出される反射光の電気信号とを合成し
た合成信号と、逆に上記の一方の領域の裏面に検査光を
照射して得られる反射光の電気信号と、上記の他方の領
域の表面に検査光を照射して得られる透過光の電気信号
とを合成した合成信号との２つの合成信号によって、マ
スクの裏面全体の異物が、その異物のみを示す信号の変
化として表されることによって、微細で複雑な遮光パタ
ーンを有するマスクの裏側にある異物でも容易に検出す
ることができる。また、２つの領域を同時に検査するこ
とができるため、検査する領域の数が多くなればなるほ
ど、検査時間を短縮することができる。

【００４０】また、検査光は予め、実際に露光したとき
に影響を及ぼすおそれのある最小の大きさ以上の異物の
みが検出されるように、任意好適に倍率を低くした光学
レンズを通したあとでマスクに照射しているので、検出
する必要のない異物まで検出してしまうことはない。

【００４１】このため、露光に影響を及ぼすか否かの判
断に要する時間を短縮することができ、また高品質の露
光マスクを供給することができる。

【００４２】また、マスクの遮光パターンの裏側に存在
する異物は、マスクの搬送などの衝撃によってマスクの
透過領域に移動して露光に影響を及ぼすおそれがある
が、この発明の異物検査方法によれば遮光パターンの裏
側に存在している異物もすべて検出することができるの
で、そのようなおそれはなくなる。

【００４３】このため、検出および露光に影響を及ぼす
か否かの判断に要する時間を短縮することができ、また
高品質の露光マスクを供給することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は、第１の実施の形態の説明に供する概
略的な要部構成断面図であり、（Ｂ）は、第１の実施の
形態の説明に供する電気信号特性図である。

【図２】（Ａ）は、第１の実施の形態の説明に供する概
略的な要部構成断面図であり、（Ｂ）は、第１の実施の
形態の説明に供する電気信号特性図である。

【図３】露光マスクの表面の一部を表す概略的な平面図
である。

【図４】（Ａ）は、第２の実施の形態の説明に供する概
略的な要部構成断面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は、
第２の実施の形態の説明に供する電気信号特性図であ
る。

【符号の説明】

１１：露光マスク（マスク）１３：遮光パターン１４：透過領域１５：領域１５ａ：第１領域１５ｂ：第２領域１７：光源１９：第１検査光２１ａ：レンズＡ２１ｂ：レンズＢ２１ｃ：レンズＣ２１ｄ：レンズＤ２３：第２検査光２５：第１受光部２７：異物２９：第２受光部３１：第３検査光３３：第４検査光Ｌ：任意の距離Ｘ₁ ，Ｘ₃ ：照射開始点Ｘ₂ ，Ｘ₄ ：照射終了点Ｘ_m ：Ｘ₁ からＸ₂ に向かって距離Ｌだけ離れた点Ｘ_n ：Ｘ₃ からＸ₄ に向かって距離Ｌだけ離れた点：第１電気信号：第２電気信号：第１合成電気信号：第３電気信号：第４電気信号：第２合成電気信号

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01N 21/84 - 21/958 G03F 1/00 - 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】特定の遮光パターンを有する領域が少な
くとも２つ以上繰り返し配設されている露光マスクの裏
面の異物の有無を、露光マスクの表面および裏面に検査
光を照射して得られる透過光および反射光から検査する
にあたり、前記特定の遮光パターンを有する領域の１つを第１領域
とし、該第１領域以外の前記領域のうちから選ばれるも
う１つの領域を第２領域として、前記第１領域の表面に第１検査光を照射して、前記第１
領域の透過光から第１透過イメージを得、前記第２領域
の裏面に第２検査光を照射して、前記第２領域の反射光
から第１反射イメージを得、得られた前記第１透過イメ
ージと第１反射イメージとの第１合成イメージを作成
し、次に、前記第１領域の裏面に第３検査光を照射して、前
記第１領域の反射光から第２反射イメージを得、前記第
２領域の表面に第４検査光を照射して、前記第２領域の
透過光から第２透過イメージを得、得られた前記第２反
射イメージと第２透過イメージとの第２合成イメージを
作成し、前記第１合成イメージと前記第２合成イメージとによっ
て、前記露光マスクの前記第１および第２領域の裏面に
付着している異物の有無を検出することを特徴とする露
光マスクの異物検査方法。
【請求項２】請求項１に記載の露光マスクの異物検査
方法において、前記第１透過イメージは、前記第１領域の透過光を前記
第１領域の裏側に設けた第１受光部で光電変換によって
第１電気信号として取り出し、前記第１反射イメージは、前記第２領域の反射光を前記
第２領域の裏側に設けた第２受光部で光電変換によって
第２電気信号として取り出し、前記第１合成イメージは、前記第１電気信号と第２電気
信号とを加算して得られる第１合成電気信号として作成
し、前記第２反射イメージは、前記第１領域の反射光を前記
第１受光部で光電変換によって第３電気信号として取り
出し、前記第２透過イメージは、前記第２領域の透過光を前記
第２受光部で光電変換によって第４電気信号として取り
出し、前記第２合成イメージは、前記第３電気信号と第４電気
信号とを加算して得られる第２合成電気信号として作成
し、前記第１合成電気信号と第２合成電気信号とから、前記
露光マスクの第１領域および第２領域の裏面に付着して
いる異物の有無を検出することを特徴とする露光マスク
の異物検査方法。
【請求項３】請求項２に記載の露光マスクの異物検査
方法において、前記異物の有無は、一定レベルの平坦な前記第１および
第２合成電気信号のうち、異物部分のみに現れる特異な
信号のレベル変化により検出することを特徴とする露光
マスクの異物検査方法。
【請求項４】請求項１に記載の露光マスクの異物検査
方法において、前記第１透過イメージおよび第１反射イメージ、また第
２反射イメージおよび第２透過イメージは、倍率を低く
調整した光学レンズに通過させた検査光を前記露光マス
クに照射して得ることを特徴とする露光マスクの異物検
査方法。