JP5517179B1 - 検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、対物レンズ(11)の視野を2分割して、フォトマスク(10)の透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像並びに透過像を並行して撮像する。合成画像中のパターン部(41)のエッジ部に発生するドロップ画像(42)は、リミッタ処理又はマスキング処理により消去する。或いは、合成画像信号及び透過像信号の1次微分信号を用いて消去する。これらの信号処理によりドロップ画像が消去されるので、閾値比較検査により欠陥を検出することができる。また、パターン部の欠陥検査は、合成画像に基づいて行われるので、パターンエッジ付近に存在する欠陥を高分解能で検出することが可能になる。
【選択図】図1
Description
さらに、本発明の別の目的は、フォトマスクの透過像と反射像とが合成された合成画像と透過像とを個別に撮像し、合成画像と透過像とに基づいて欠陥を検出する欠陥検査において、パターンエッジ付近に形成されるドロップ画像の影響を受けない検査方法及び検査装置を実現することにある。
検査すべきフォトマスクの透過像を形成する工程と、
フォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像であって、パターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定された合成画像を形成する工程と、
前記合成画像について、b2<b0<b1となる所定の輝度値b0以下の画像部分を消去又は輝度値b1以下の輝度値を示す信号に一律に変換するリミッタ工程と、
前記リミッタ処理された合成画像及び透過像に基づいて欠陥を検出することを特徴とする。
検査すべきフォトマスクの透過像を形成する工程と、
フォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像であって、パターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定された合成画像を形成する工程と、
前記合成画像について、b2<b0<b1となる所定の輝度値b0以下の画像部分を消去又は輝度値b1以下の輝度値を示す信号に一律に変換するリミッタ工程と、
前記リミッタ処理された合成画像と前記透過像とを加算して加算合成画像を形成する工程と、
前記加算合成画像を第1の閾値と比較する欠陥検出工程とを含むことを特徴とする。
検査すべきフォトマスクの透過像を形成する工程と、
フォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像であって、パターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定された合成画像を形成する工程と、
前記透過像について、光透過部の画像の輝度値をa1とし、パターン部の画像の輝度値をa2とした場合に、a2<a0<a1となる所定の輝度値a0以下の輝度値の画像部分をマスクする第1のマスキング工程と、
前記合成画像について、b2<b0<b1となる所定の輝度値b0以下の輝度値の画像部分をマスクする第2のマスキング工程と、
第1のマスキング処理された画像信号を第1の閾値と比較する第1の欠陥検出工程と、
第2のマスキング処理された画像信号を第2の閾値と比較する第2の欠陥検出工程とを含むことを特徴とする。
検査すべきフォトマスクの透過像を撮像して透過像信号を形成する工程と、
フォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像であって、パターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定された合成画像を撮像して合成画像信号を形成する工程と、
前記合成画像信号及び透過像信号について1次微分処理を行って第1及び第2の1次微分信号をそれぞれ形成する工程と、
前記第1及び第2の1次微分信号について2値化処理を行って第1及び第2の2値化信号を形成する工程と、
前記第1の2値化信号について、第2の2値化信号をゲート信号として用い、第2の2値化信号が論理「1」の場合第1の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第1の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第1の論理演算工程と
前記第2の2値化信号について、第1の2値化信号をゲート信号として用い、第1の2値化信号が論理「1」の場合第2の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第2の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第2の論理演算工程とを含むことを特徴とする。
検査すべきフォトマスクの裏面に向けて透過照明ビームを投射し、フォトマスクの第1のエリアを照明する透過照明光学系、及び、フォトマスクの素子形成面に向けて反射照明ビームを投射し、光軸方向において前記第1のエリアとオーバラップすると共に第1のエリアよりも小さい第2のエリアを照明する反射照明光学系を有する照明光学系と、
前記フォトマスクの第2のエリアから出射する反射光と透過光との合成光を受光してフォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像を撮像する第1の撮像素子、及び、前記第1のエリアの第2のエリアを除く残りの第3のエリアから出射する透過光を受光してフォトマスクの透過像を撮像する第2の撮像素子を有する検出系と、
前記検出系に結合され、検出系から出力される画像信号を処理して欠陥を検出する信号処理装置とを具え、
前記透過照明光学系及び反射照明光学系は、前記合成画像のパターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定され、
前記信号処理装置は、
前記第1の撮像素子から出力される合成画像信号について、式b2<b0<b1を満たす輝度値b0以下の信号部分を消去又は輝度値b1以下の輝度値を示す信号に一律に変換するリミッタ処理を行うリミッタ手段と、
前記リミッタ処理された合成画像信号と前記第2の撮像素子から出力される透過像信号とを加算して加算合成信号を出力する加算手段と、
前記加算合成信号について閾値比較処理を行って欠陥を検出する欠陥検出手段とを有することを特徴とする。
検査すべきフォトマスクの裏面に向けて透過照明ビームを投射し、フォトマスクの第1のエリアを照明する透過照明光学系、及び、フォトマスクの素子形成面に向けて反射照明ビームを投射し、光軸方向において前記第1のエリアとオーバラップすると共に第1のエリアよりも小さい第2のエリアを照明する反射照明光学系を有する照明光学系と、
前記フォトマスクの第2のエリアから出射する反射光と透過光との合成光を受光してフォトマスクの透過像と反射像との合成画像を撮像する第1の撮像素子、及び、前記第1のエリアの第2のエリアを除く残りの第3のエリアから出射する透過光を受光してフォトマスクの透過像を撮像する第2の撮像素子を有する検出系と、
前記検出系に結合され、検出系から出力される画像信号を処理して欠陥を示すデータを出力する信号処理装置とを具え、
前記透過照明光学系及び反射照明光学系は、前記合成画像のパターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定され、
前記信号処理装置は、
前記透過像について、光透過部の画像の輝度値をa1とし、パターン部の画像の輝度値をa2とした場合に、a2<a0<a1となる所定の輝度値a0以下の輝度値の画像部分をマスクする第1のマスキング手段と、
前記合成画像について、b2<b0<b1となる所定の輝度値b0以下の輝度値の画像部分をマスクする第2のマスキング手段と、
第1のマスキング処理された画像信号を第1の閾値と比較する第1の欠陥検出手段と、
第2のマスキング処理された画像信号を第2の閾値と比較する第2の欠陥検出手段とを有することを特徴とする。
検査すべきフォトマスクの裏面に向けて透過照明ビームを投射し、フォトマスクの第1のエリアを照明する透過照明光学系、及び、フォトマスクの素子形成面に向けて反射照明ビームを投射し、光軸方向において前記第1のエリアとオーバラップすると共に第1のエリアよりも小さい第2のエリアを照明する反射照明光学系を有する照明光学系と、
前記フォトマスクの第2のエリアから出射する反射光と透過光との合成光を受光してフォトマスクの透過像と反射像との合成画像を撮像する第1の撮像素子、及び、前記第1のエリアの第2のエリアを除く残りの第3のエリアから出射する透過光を受光してフォトマスクの透過像を撮像する第2の撮像素子を有する検出系と、
前記検出系に結合され、検出系から出力される画像信号を処理して欠陥を示すデータを出力する信号処理装置とを具え、
前記透過照明光学系及び反射照明光学系は、前記合成画像のパターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定され、
前記信号処理装置は、
前記合成画像信号及び透過像信号について1次微分処理を行って第1及び第2の1次微分信号をそれぞれ形成する第1及び第2の微分手段と、
前記第1及び第2の1次微分信号について2値化処理を行って第1及び第2の2値化信号をそれぞれ形成する第1及び第2の2値化手段と、
前記第1の2値化信号について、第2の2値化信号をゲート信号として用い、第2の2値化信号が論理「1」の場合第1の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第1の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第1の論理演算手段と
前記第2の2値化信号について、第1の2値化信号をゲート信号として用い、第1の2値化信号が論理「1」の場合第2の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第2の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第2の論理演算手段とを有することを特徴とする。
(検査アルゴリズム1)
合成画像についてリミッタ処理を行ってドロップ画像及び透過像を消去し、リミッタ処理後の合成画像に膨張処理された透過像を加算して加算合成信号を形成し、加算合成信号を閾値と比較して欠陥を検出する。
(検査アルゴリズム2)
合成画像及び透過像についてマスキング処理を行い、ドロップ画像をマスクし、マスキングされなかった残りの画像部分について閾値比較を行い、欠陥を検出する。
(検査アルゴリズム3)
合成画像を示す画像信号及び透過像を示す画像信号についてそれぞれ1次微分処理を行い、2つの1次微分信号の論理和を形成し、ドロップ画像に対応する画像部分を検査対象から除外する。
2,7,14,19 全反射ミラー
3 第1のビームスプリッタ
4 減衰器
5,12 1/4波長板
6 NDフィルタ
8 集光レンズ
9 ステージ
10 フォトマスク
11 対物レンズ
13 第2のビームスプリッタ
15 結像レンズ
16 分割ミラー
17 第1の撮像素子
18 第2の撮像素子
20 視野絞り
21 信号処理装置
30 第1の照明エリア
31 第2の照明エリア
32 第3の照明エリア
40 石英基板
41 パターン部
42 光透過部
Claims (16)
- 透明基板にパターン部及び光透過部が形成されているフォトマスクを検査する検査方法であって、
検査すべきフォトマスクの透過像を形成する工程と、
フォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像であって、パターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定された合成画像を形成する工程と、
前記合成画像について、b2<b0<b1となる所定の輝度値b0以下の画像部分を消去し又は輝度値b1以下の輝度値の信号に一律に変換するリミッタ工程と、
前記リミッタ処理された合成画像と前記透過像とを加算して加算合成画像を形成する工程と、
前記加算合成画像を閾値と比較して欠陥を検出する欠陥検出工程とを含むことを特徴とする検査方法。 - 請求項1に記載の検査方法において、前記透過像について、光透過部の画像のエッジ領域について膨張処理が行われ、膨張処理が行われた透過像とリミッタ処理された合成画像とを加算して加算合成画像を形成することを特徴とする検査方法。
- 請求項2に記載の検査方法において、前記リミッタ処理された合成画像は、さらにオフセット調整処理及びゲイン調整処理が行われ、その後膨張処理された透過像と加算されることを特徴とする検査方法。
- 請求項1、2又は3に記載の検査方法において、前記リミッタ処理により、合成画像の光透過部に対応する画像及びドロップ画像が消去され、消去された画像の輝度値はリミッタレベルの輝度値に一律に変換されることを特徴とする検査方法。
- 請求項1から4までのいずれか1項に記載の検査方法において、前記欠陥検出工程において、前記加算合成画像と第1の閾値との差分が形成され、得られた差分値と第2の閾値とを比較し、差分値が第2の閾値を超える場合、欠陥と判定することを特徴とする検査方法。
- 請求項1から5までのいずれか1項に記載の検査方法において、前記輝度値b1及びb2は、透過照明光学系又は反射照明光学系の少なくとも一方の照明光量を調整することにより、b2<b1となるように設定されることを特徴とする検査方法。
- 透明基板にパターン部及び光透過部が形成されているフォトマスクを検査する検査方法であって、
検査すべきフォトマスクの透過像を撮像して透過像信号を形成する工程と、
フォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像であって、パターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定された合成画像を撮像して合成画像信号を形成する工程と、
前記合成画像信号及び透過像信号について1次微分処理を行って第1及び第2の1次微分信号をそれぞれ形成する工程と、
前記第1及び第2の1次微分信号について2値化処理を行って第1及び第2の2値化信号を形成する工程と、
前記第1の2値化信号について、第2の2値化信号をゲート信号として用い、第2の2値化信号が論理「1」の場合第1の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第1の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第1の論理演算工程と
前記第2の2値化信号について、第1の2値化信号をゲート信号として用い、第1の2値化信号が論理「1」の場合第2の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第2の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第2の論理演算工程とを含むことを特徴とする検査方法。 - 請求項7に記載の検査方法において、前記第1の論理演算工程によりパターン部に存在する欠陥が検出され、前記第2の論理演算工程により光透過部に存在する欠陥が検出されることを特徴とする検査方法。
- 請求項8に記載の検査方法において、前記合成画像信号について、b2<b0<b1となる所定の輝度値b0以下の輝度値の画像部分を消去又は輝度値b1以下の輝度値を示す信号に一律に変換するするリミッタ処理工程を含み、リミッタ処理された後1次微分処理が行われることを特徴とする検査方法。
- 請求項8又は9に記載の検査方法において、前記透過像信号について、光透過部の画像に対して膨張処理を行う膨張処理工程を含み、膨張処理された透過像信号について1次微分処理が行われることを特徴とする検査方法。
- パターン部及び光透過部が形成されているパターン形成面と、パターン形成面と対向する裏面とを有するフォトマスクを検査する検査装置であって、
検査すべきフォトマスクの裏面に向けて透過照明ビームを投射し、フォトマスクの第1のエリアを照明する透過照明光学系、及び、フォトマスクの素子形成面に向けて反射照明ビームを投射し、光軸方向において前記第1のエリアとオーバラップすると共に第1のエリアよりも小さい第2のエリアを照明する反射照明光学系を有する照明光学系と、
前記フォトマスクの第2のエリアから出射する反射光と透過光との合成光を受光してフォトマスクの透過像と反射像とが光学的に合成された合成画像を撮像する第1の撮像素子、及び、前記第1のエリアの第2のエリアを除く残りの第3のエリアから出射する透過光を受光してフォトマスクの透過像を撮像する第2の撮像素子を有する検出系と、
前記検出系に結合され、検出系から出力される画像信号を処理して欠陥を検出する信号処理装置とを具え、
前記透過照明光学系及び反射照明光学系は、前記合成画像のパターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定され、
前記信号処理装置は、
前記第1の撮像素子から出力される合成画像信号について、式b2<b0<b1を満たす輝度値b0以下の信号部分を消去し又は輝度値b1以下の輝度値を示す信号に一律に変換するリミッタ処理を行うリミッタ手段と、
前記リミッタ処理された合成画像信号と前記第2の撮像素子から出力される透過像信号とを加算して加算合成信号を出力する加算手段と、
前記加算合成信号について閾値比較処理を行って欠陥を検出する欠陥検出手段とを有することを特徴とする検査装置。 - 請求項11に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、さらに、前記第2の撮像素子から出力される透過像信号に対して、光透過部に対応する画像のエッジについて膨張処理を行う膨張手段、及び前記リミッタ処理された合成画像信号についてオフセット調整及びゲイン調整を行うオフセット・ゲイン調整手段を有し、
前記加算手段は、前記リミッタ処理並びにオフセット及びゲイン調整処理された合成画像信号と膨張処理された透過像信号とを加算して加算合成信号を出力することを特徴とする検査装置。 - パターン部及び光透過部が形成されているパターン形成面と、パターン形成面と対向する裏面とを有するフォトマスクを検査する検査装置であって、
検査すべきフォトマスクの裏面に向けて透過照明ビームを投射し、フォトマスクの第1のエリアを照明する透過照明光学系、及び、フォトマスクのパターン形成面に向けて反射照明ビームを投射し、光軸方向において前記第1のエリアとオーバラップすると共に第1のエリアよりも小さい第2のエリアを照明する反射照明光学系を有する照明光学系と、
前記フォトマスクの第2のエリアから出射する反射光と透過光との合成光を受光してフォトマスクの透過像と反射像との合成画像を撮像する第1の撮像素子、及び、前記第1のエリアの第2のエリアを除く残りの第3のエリアから出射する透過光を受光してフォトマスクの透過像を撮像する第2の撮像素子を有する検出系と、
前記検出系に結合され、検出系から出力される画像信号を処理して欠陥を示すデータを出力する信号処理装置とを具え、
前記透過照明光学系及び反射照明光学系は、前記合成画像のパターン部の画像の輝度値をb1とし、光透過部の画像の輝度値をb2とした場合に、b2<b1となるように設定され、
前記信号処理装置は、
前記合成画像信号及び透過像信号について1次微分処理を行って第1及び第2の1次微分信号をそれぞれ形成する第1及び第2の微分手段と、
前記第1及び第2の1次微分信号について2値化処理を行って第1及び第2の2値化信号をそれぞれ形成する第1及び第2の2値化手段と、
前記第1の2値化信号について、第2の2値化信号をゲート信号として用い、第2の2値化信号が論理「1」の場合第1の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第1の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第1の論理演算手段と
前記第2の2値化信号について、第1の2値化信号をゲート信号として用い、第1の2値化信号が論理「1」の場合第2の2値化信号を論理「0」に設定し、前記第2の2値化信号を欠陥検出信号として出力する第2の論理演算手段とを有することを特徴とする検査装置。 - 請求項13に記載の検査方法において、前記第1の論理演算手段からパターン部に存在する欠陥を示す欠陥検出信号が出力され、前記第2の論理演算手段から光透過部に存在する欠陥を示す欠陥検出信号出力されることを特徴とする検査装置。
- 請求項11から14までのいずれか1項に記載の検査装置において、前記照明光学系は、前記第2の照明エリアに入射する透過照明光の強度と第3の照明エリアに入射する透過照明光の強度との比率を調整する手段を含むことを特徴とする検査装置。
- 請求項11から15までのいずれか1項に記載の検査装置において、前記フォトマスクとして、バイナリー型フォトマスク、ハーフトーン型フォトマスク又はトライトーン型のフォトマスクが用いられることを特徴とする検査装置。
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JP2015025758A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | Hoya株式会社 | 基板検査方法、基板製造方法および基板検査装置 |
WO2017130477A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 欠陥検査装置、方法およびプログラム |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61126455A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 画像処理方法 |
JPH04286943A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Nec Corp | 印刷配線板のパターン検査方法および検査装置 |
JPH06160062A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-07 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置 |
JPH1097053A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査装置 |
JPH10170240A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2007132729A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法並びにパターン基板の製造方法 |
JP2008096296A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Lasertec Corp | 異物検査方法及びその異物検査方法を用いた異物検査装置 |
JP2008190938A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法、並びにパターン基板の製造方法 |
JP2012220388A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥検査方法 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
JP3409272B2 (ja) * | 1997-02-04 | 2003-05-26 | 宮崎沖電気株式会社 | 露光マスクの異物検査方法 |
US6836560B2 (en) | 2000-11-13 | 2004-12-28 | Kla - Tencor Technologies Corporation | Advanced phase shift inspection method |
JP4041854B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2008-02-06 | レーザーテック株式会社 | 撮像装置及びフォトマスクの欠陥検査装置 |
US7046352B1 (en) | 2002-10-08 | 2006-05-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Surface inspection system and method using summed light analysis of an inspection surface |
JP2006039059A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | フォトマスクデータの作成方法およびフォトマスクの製造方法 |
JP4679243B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | マスク作成方法および半導体装置の製造方法 |
KR100819000B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 패턴 검사, 확인 및 수정 공정을 분리하여 진행하는포토마스크 검사 방법과 그에 사용되는 시스템들 및 패턴확인 시스템 |
US7796343B2 (en) * | 2007-12-26 | 2010-09-14 | Lasertec Corporation | Photomask inspection apparatus |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61126455A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 画像処理方法 |
JPH04286943A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Nec Corp | 印刷配線板のパターン検査方法および検査装置 |
JPH06160062A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-07 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置 |
JPH1097053A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査装置 |
JPH10170240A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2007132729A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法並びにパターン基板の製造方法 |
JP2008096296A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Lasertec Corp | 異物検査方法及びその異物検査方法を用いた異物検査装置 |
JP2008190938A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法、並びにパターン基板の製造方法 |
JP2012220388A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥検査方法 |
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