JPS61126455A - 画像処理方法 - Google Patents
画像処理方法Info
- Publication number
- JPS61126455A JPS61126455A JP59248909A JP24890984A JPS61126455A JP S61126455 A JPS61126455 A JP S61126455A JP 59248909 A JP59248909 A JP 59248909A JP 24890984 A JP24890984 A JP 24890984A JP S61126455 A JPS61126455 A JP S61126455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- value
- processing circuit
- image
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、被検査物体の表面の色欠陥および表面に発生
する凹凸、異物混入、傷またはひび割れなどの形状欠陥
を検査する画像処理方法に関する。
する凹凸、異物混入、傷またはひび割れなどの形状欠陥
を検査する画像処理方法に関する。
背景技術
従来からの画像処理装置では、被検査物体をテレビカメ
ラで撮像し、テレビカメラからの画像信号を２値化処理
する。そして２値化された画像データを画像メモリにス
トアし、その画像データを演算処理して被検出物体の色
欠陥や形状欠陥を検出している。
ラで撮像し、テレビカメラからの画像信号を２値化処理
する。そして２値化された画像データを画像メモリにス
トアし、その画像データを演算処理して被検出物体の色
欠陥や形状欠陥を検出している。
前述のような２値化処理では、画像データの情報量が少
ないため、処理過程において混入した電気的ノイズの影
響を受けたり、テレビカメラが受光する光量の変動によ
って、正確なデータを得ることがでトない問題があった
、 目 的 本発明の目的は、ノイズに強く高精度で被検査物体の表
面の欠陥を検出することができる画像処理方法を提供す
ることである。
ないため、処理過程において混入した電気的ノイズの影
響を受けたり、テレビカメラが受光する光量の変動によ
って、正確なデータを得ることがでトない問題があった
、 目 的 本発明の目的は、ノイズに強く高精度で被検査物体の表
面の欠陥を検出することができる画像処理方法を提供す
ることである。
実施例
第１図は、本発明の一実施例のブロック図であり、第２
図は本発明の一実施例の動作を説明するための図である
。画像処理装置１は、被検査物体２の表面の色むらなど
による色欠陥やその表面に発生する凹凸、異物混入、傷
またはひび割れなどの形状欠陥を検査する装置である。
図は本発明の一実施例の動作を説明するための図である
。画像処理装置１は、被検査物体２の表面の色むらなど
による色欠陥やその表面に発生する凹凸、異物混入、傷
またはひび割れなどの形状欠陥を検査する装置である。
光源３は、被検査物体２の表面が正反射しない角度で配
置され、ななめ方向から被検査物体２を照射する。工業
用テレビカメラ４は、被検査物体２からの光を撮像する
。工業用テレビカメラ４からのアナログの画像データは
、映像処理回路５内のアナログ／デジタル変換器６に与
えられてデジタルの画像データに変換され、７レームメ
モリＦ２にストアされる。
置され、ななめ方向から被検査物体２を照射する。工業
用テレビカメラ４は、被検査物体２からの光を撮像する
。工業用テレビカメラ４からのアナログの画像データは
、映像処理回路５内のアナログ／デジタル変換器６に与
えられてデジタルの画像データに変換され、７レームメ
モリＦ２にストアされる。
フレームメモリＦ２は、１画素につき８ビツトの容量を
有しているため、第２図（１）で示す被検査物体２の画
像がたとえば２５６段階の濃淡画像としてストアされる
。
有しているため、第２図（１）で示す被検査物体２の画
像がたとえば２５６段階の濃淡画像としてストアされる
。
アナログ／デジタル変換器６から出力されたデジタルの
画像データは、また微分回路７に与えられる。微分回路
７では入力された被検査物体２の濃淡画像の方向微分に
より画像中のエツジを抽出する。濃淡画像からエツジを
抽出するには画像中の濃度の変化を取り出せばよいので
一般に微分法が用いられ、この微分回路７によって画像
のエツジの濃淡差に対応したエツジ値とそのエツジの延
びる方向が求められる。微分回路７から出力されるエツ
ジ方向を示すデータはコード化され、方向コードメモリ
８にストアされる。微分回路７から出力されるエツジが
連続したエツジ線は、第２図（２）のように幅広いため
細線化処理回路９で第２図（３）のように幅１画素の線
に細められる。さらに細線化されたエツジ線は、しトい
値処理回路１０でそのエツジ値と予め定められたしきい
値と比較して、しきい値以下のエツジ値を有する画素の
消去が行なわれる。この処理によって、画像処理過程で
混入する電気的ノイズによる画像データの除去が行なわ
れる。
画像データは、また微分回路７に与えられる。微分回路
７では入力された被検査物体２の濃淡画像の方向微分に
より画像中のエツジを抽出する。濃淡画像からエツジを
抽出するには画像中の濃度の変化を取り出せばよいので
一般に微分法が用いられ、この微分回路７によって画像
のエツジの濃淡差に対応したエツジ値とそのエツジの延
びる方向が求められる。微分回路７から出力されるエツ
ジ方向を示すデータはコード化され、方向コードメモリ
８にストアされる。微分回路７から出力されるエツジが
連続したエツジ線は、第２図（２）のように幅広いため
細線化処理回路９で第２図（３）のように幅１画素の線
に細められる。さらに細線化されたエツジ線は、しトい
値処理回路１０でそのエツジ値と予め定められたしきい
値と比較して、しきい値以下のエツジ値を有する画素の
消去が行なわれる。この処理によって、画像処理過程で
混入する電気的ノイズによる画像データの除去が行なわ
れる。
しきい値処理回路１０のしきい値が高かったり、原画像
のコントラストが不十分であったり、あるいは電気的ノ
イズが多いときには、シ外い値処理された工、ツジ線は
、第２図（４）のように不連続となる。これを完全な線
画にするために細線ｘｉ処理回路１１では、不連続とな
るエツジ線の端点より始めて着目する画素とその周囲点
との間で評価関数を計算し、その値の最も大きい周囲点
へとエツジ線と延長して行う。この評価関数はたとえば
第１式のように表せる。
のコントラストが不十分であったり、あるいは電気的ノ
イズが多いときには、シ外い値処理された工、ツジ線は
、第２図（４）のように不連続となる。これを完全な線
画にするために細線ｘｉ処理回路１１では、不連続とな
るエツジ線の端点より始めて着目する画素とその周囲点
との間で評価関数を計算し、その値の最も大きい周囲点
へとエツジ線と延長して行う。この評価関数はたとえば
第１式のように表せる。
Ｈｉ＝ ｌ ｅｉ Ｉ ２Ｘｅｏｓ（ｌｅｏ ＆ｅｉ
） −（１）但しｉ＝ １．２．・・・、８ ここでＩ ｅｉ ｌは着目する画素の任意の周囲点の微
分値の大きさであり、／ｅｉはその画素の微分方向値で
あり、ｌｅｏ は着目する画素の微分方向値である。
） −（１）但しｉ＝ １．２．・・・、８ ここでＩ ｅｉ ｌは着目する画素の任意の周囲点の微
分値の大きさであり、／ｅｉはその画素の微分方向値で
あり、ｌｅｏ は着目する画素の微分方向値である。
このように他のエツジ線に交わるまで延長化処理を行な
ったエツジ線は第２図（５）のように連続となり、完全
な線画として７レームメモリＦ１にストアされる。
ったエツジ線は第２図（５）のように連続となり、完全
な線画として７レームメモリＦ１にストアされる。
７レームメモリＦ １ 、Ｆ ２および方向コードメモ
リ８はデータバス１２に接続されている。処理回路１３
は、データバス１２を介して被検査物体２の色欠陥およ
び形状欠陥を検出するための処理を行なう。
リ８はデータバス１２に接続されている。処理回路１３
は、データバス１２を介して被検査物体２の色欠陥およ
び形状欠陥を検出するための処理を行なう。
ｖ！Ｊ３図は前述の方向微分および細線化処理を説明す
るための図である。第３図（１）で示される参照符Ａ〜
工は、任意に抽出された９個の画素の濃度にそれぞれ対
応している。参照符Ｅの水平方向および垂直方向の微分
値は、第２式および＃３式によって表される。
るための図である。第３図（１）で示される参照符Ａ〜
工は、任意に抽出された９個の画素の濃度にそれぞれ対
応している。参照符Ｅの水平方向および垂直方向の微分
値は、第２式および＃３式によって表される。
ΔＶ＝（Ｇ十Ｈ十１ｌ−（Ａ＋Ｂ十〇） ・・・（２
）ΔＨ＝（Ａ＋Ｄ＋Ｇ）−（Ｃ＋Ｆ＋ Ｉ ）
・・・（３）画素Ｅでの微分値１ｅｌＥは第４式で表
される。
）ΔＨ＝（Ａ＋Ｄ＋Ｇ）−（Ｃ＋Ｆ＋ Ｉ ）
・・・（３）画素Ｅでの微分値１ｅｌＥは第４式で表
される。
ＩｅｌＥ”（Δｖ ）２＋ （ΔＨ）２ ・（４）
また画素Ｅでの方向値／ｅＥは第５式で表される。
また画素Ｅでの方向値／ｅＥは第５式で表される。
／ｅＥ ＝ ｊａｎ−’（Δ■／ΔＨ）＋ ’ｘ ／
２・” （５）このようにして各画素について方向微分
を打ない、微分値によって示されるエツジが連続したエ
ツジ線は、幅広いため細線化処理を行ない幅１画素の線
に細められる。
２・” （５）このようにして各画素について方向微分
を打ない、微分値によって示されるエツジが連続したエ
ツジ線は、幅広いため細線化処理を行ない幅１画素の線
に細められる。
第３図（２）は、画素Ａ〜工に対応する微分値１ｅｌ
Ａ−Ｉｅｌ Ｉを示す図である。ｌｅｌ Ａ〜１ｅｔＩ
は、各画素の微分値の画素Ｅに着目し、／ｅＥの方向と
直角方向にある２つの画素の微分値と画素Ｅの微分値Ｉ
ｅｌＥとを比較し、１ｅｌＥがこの両隣の２つの微分値
よりも大きいとき、たとえばπ／４≦ｌ ｅ Ｅ≦３π
／４のとき、１ｅｌＥ＞１ｅＩＤかつ１ｅｌＥ≧Ｉｅｌ
Ｆであれば、細線化画像上に対応するアドレスに７ラグ
を立てる。このようにアナログ／デジタル変換器５から
の画像デー夕を逐次的に走査し、フラグを立ててゆく。
Ａ−Ｉｅｌ Ｉを示す図である。ｌｅｌ Ａ〜１ｅｔＩ
は、各画素の微分値の画素Ｅに着目し、／ｅＥの方向と
直角方向にある２つの画素の微分値と画素Ｅの微分値Ｉ
ｅｌＥとを比較し、１ｅｌＥがこの両隣の２つの微分値
よりも大きいとき、たとえばπ／４≦ｌ ｅ Ｅ≦３π
／４のとき、１ｅｌＥ＞１ｅＩＤかつ１ｅｌＥ≧Ｉｅｌ
Ｆであれば、細線化画像上に対応するアドレスに７ラグ
を立てる。このようにアナログ／デジタル変換器５から
の画像デー夕を逐次的に走査し、フラグを立ててゆく。
これをすべての画素について行なうことによって第２図
（３）に示す細線化画像を得ることができる。
（３）に示す細線化画像を得ることができる。
第４図および第５図は、エツジフラグのある画ｉＥのエ
ツジ方向に交差するマスク領域Ｍ、Ｎを説明するための
図である。処理回路１３は、フレームメモリＦ１をラス
クスキャンしてエツジフラグの有無を検出し、エツジフ
ラグが検出されるとその画素Ｅのエツジ方向が方向コー
ドメモリ９がら読み出され、その方向に対して交差する
方向に左右対称なマスク領域Ｍ、Ｎが設定される。マス
ク領域Ｍは、複数（本実施例では３個）の領域部分和１
〜ｍ３を有し、マスク領域Ｎは領域部分ｍｌ −ｍ３と
同じ数の領域部分ｎ、〜ｎ３を有する。これらの領域部
分ｍ、〜ｍ３ｔｎｌ〜ｎ３は、たとえば３画素×３画素
の大きさであり、画素Ｅを中心として前記交差する方向
にそれぞれ一列に配置される。このマスク領域Ｍ、Ｎ内
のアドレスに対応する各画素の濃度をフレームメモリＦ
２より読み出し、マスク領域Ｍ、Ｎ内のそれぞれの平均
濃度を算出する。ここで平均濃度を用いるのは、平滑化
により画像ノイズを除去するためである。
ツジ方向に交差するマスク領域Ｍ、Ｎを説明するための
図である。処理回路１３は、フレームメモリＦ１をラス
クスキャンしてエツジフラグの有無を検出し、エツジフ
ラグが検出されるとその画素Ｅのエツジ方向が方向コー
ドメモリ９がら読み出され、その方向に対して交差する
方向に左右対称なマスク領域Ｍ、Ｎが設定される。マス
ク領域Ｍは、複数（本実施例では３個）の領域部分和１
〜ｍ３を有し、マスク領域Ｎは領域部分ｍｌ −ｍ３と
同じ数の領域部分ｎ、〜ｎ３を有する。これらの領域部
分ｍ、〜ｍ３ｔｎｌ〜ｎ３は、たとえば３画素×３画素
の大きさであり、画素Ｅを中心として前記交差する方向
にそれぞれ一列に配置される。このマスク領域Ｍ、Ｎ内
のアドレスに対応する各画素の濃度をフレームメモリＦ
２より読み出し、マスク領域Ｍ、Ｎ内のそれぞれの平均
濃度を算出する。ここで平均濃度を用いるのは、平滑化
により画像ノイズを除去するためである。
次に領域部分ｍｌ、ｎｌ と、領域部分ｍ２ ｙｎ２
と、領域部分ｍ３ ｔｎ３ の各平均濃度の差ま
たは比（≧１）をそれぞれ算出し、この３組の中の最大
値を求めて予め定められた弁別レベルと比較演算する。
と、領域部分ｍ３ ｔｎ３ の各平均濃度の差ま
たは比（≧１）をそれぞれ算出し、この３組の中の最大
値を求めて予め定められた弁別レベルと比較演算する。
たとえば着目する画素Ｅの平均濃度の差工１および比Ｉ
２は、第６式、第７式で示される。
２は、第６式、第７式で示される。
Ｌ＋＝ Ｍ Ａ Ｘ （＋１１１−ｎｌ ｔ １１１２
−１２ ｔ １１１３−１１３ ）”・（６）Ｉ ２＝
ＭＡ Ｘ （ｍｌ／ｎ＋、 ｍ２／ｎ２． ｍ＋／ｒ＋
＋） ・・・（’７ ）ここでｍ＋ ｖｌｌｌｚｔｆ
ｆｓ＊ｎ＋ ｔｎ２ｔｎ：＋は〜マスク領域部分ｍ１〜
ｌｌ１３１ｎｌ−１３のそれぞれの平均濃度であり、ｍ
ｌ≧１１１１６２≧ｎ２ｆｌｌ１３≧ｎ３の関係にある
。
−１２ ｔ １１１３−１１３ ）”・（６）Ｉ ２＝
ＭＡ Ｘ （ｍｌ／ｎ＋、 ｍ２／ｎ２． ｍ＋／ｒ＋
＋） ・・・（’７ ）ここでｍ＋ ｖｌｌｌｚｔｆ
ｆｓ＊ｎ＋ ｔｎ２ｔｎ：＋は〜マスク領域部分ｍ１〜
ｌｌ１３１ｎｌ−１３のそれぞれの平均濃度であり、ｍ
ｌ≧１１１１６２≧ｎ２ｆｌｌ１３≧ｎ３の関係にある
。
いよ予め定められた弁別レベルの値をｓ ｉ 、 比を
８２とすると、ＩＩ≦ＳＩまたは工、≦８２のとき、フ
レームメモリド１上でそのフラグを消去し、■、〉Ｓｌ
またはＩ ２ ＞ ８２のとき、フレームメモリド１上
でそのフラグを残す。以下同様の方法でフレームメモリ
Ｆ１のすべての画素についてフラグ処理を行なうと欠陥
部の強いエツジのみが最終的に残り、ノイズおよび欠陥
部の弱いエツジは消去することができる。
８２とすると、ＩＩ≦ＳＩまたは工、≦８２のとき、フ
レームメモリド１上でそのフラグを消去し、■、〉Ｓｌ
またはＩ ２ ＞ ８２のとき、フレームメモリド１上
でそのフラグを残す。以下同様の方法でフレームメモリ
Ｆ１のすべての画素についてフラグ処理を行なうと欠陥
部の強いエツジのみが最終的に残り、ノイズおよび欠陥
部の弱いエツジは消去することができる。
このようにマスク領域Ｍ、Ｎを前記のように各３組設定
することにより、微分方式では第５図に示すように従来
困難であった比較的なめらかな濃度差のある欠陥も抽出
することが可能である。マスク領域Ｍ、Ｎの組数および
各マスクｆｉＪｉ域部分１６１〜！１ｌｌｔｎｌ〜ｎ３
間の距離は、対象となる欠陥により適切な値を選ぶとよ
い。またフレームメモリド１上で弱いフラグを消去して
い（かわりに、別の１ビツトデータがストア可能な７レ
ームメモリに残すフラグのみをストアしていくような槽
数であってもよい。
することにより、微分方式では第５図に示すように従来
困難であった比較的なめらかな濃度差のある欠陥も抽出
することが可能である。マスク領域Ｍ、Ｎの組数および
各マスクｆｉＪｉ域部分１６１〜！１ｌｌｔｎｌ〜ｎ３
間の距離は、対象となる欠陥により適切な値を選ぶとよ
い。またフレームメモリド１上で弱いフラグを消去して
い（かわりに、別の１ビツトデータがストア可能な７レ
ームメモリに残すフラグのみをストアしていくような槽
数であってもよい。
第６図を参照して前述の処理で残ったフラグの持つ平均
濃度■、またはＩ２の値を別のフレームメモリに記憶し
ておき、細線延長化画像で閉ループを描く欠陥部のエツ
ジについてこの値をすべて加算する。この和を予め設定
しである良否判定のための基準値を比較し、良否の判断
をする。
濃度■、またはＩ２の値を別のフレームメモリに記憶し
ておき、細線延長化画像で閉ループを描く欠陥部のエツ
ジについてこの値をすべて加算する。この和を予め設定
しである良否判定のための基準値を比較し、良否の判断
をする。
以下、マスク領域Ｍ、Ｎの平均濃度の差■１を用いて説
明する。第６図（１）はエツジの周縁部が大きく、コン
トラストの弱い欠陥のエツジを表し、第６図（２）はエ
ツジの周縁部が小さく、コントラストの強い欠陥のエツ
ジを表わしている。エツジ上の領域Ｐで囲んである数値
は前述の７ラグを消去する処理を施した後に残されたフ
ラグの平均濃度Ｉ ＋の値である。このとき弁別レベル
Ｓ１の値は小さく設定し、ノイズのみを消去しておく。
明する。第６図（１）はエツジの周縁部が大きく、コン
トラストの弱い欠陥のエツジを表し、第６図（２）はエ
ツジの周縁部が小さく、コントラストの強い欠陥のエツ
ジを表わしている。エツジ上の領域Ｐで囲んである数値
は前述の７ラグを消去する処理を施した後に残されたフ
ラグの平均濃度Ｉ ＋の値である。このとき弁別レベル
Ｓ１の値は小さく設定し、ノイズのみを消去しておく。
これらの領域Ｐで囲まれた値を各欠陥の閉ループごとに
加算する。この値を良否判定用のしきい値と比較し良否
の判定を行なう。このようにすれば色むらの薄く、かつ
エツジの周縁部の大きい欠陥と、色むらの濃いエツジ周
縁部の小さい欠陥を同時に検出することが可能である。
加算する。この値を良否判定用のしきい値と比較し良否
の判定を行なう。このようにすれば色むらの薄く、かつ
エツジの周縁部の大きい欠陥と、色むらの濃いエツジ周
縁部の小さい欠陥を同時に検出することが可能である。
第７図は、人が目視検査により欠陥を検出する場合の判
定基準を示すグラフであり、前記アルゴリズムによりこ
の基準とほぼ同様の欠陥の認識が可能となる。
定基準を示すグラフであり、前記アルゴリズムによりこ
の基準とほぼ同様の欠陥の認識が可能となる。
効 果
以上のように本発明によれば、被検査物体の欠陥部と輪
郭線として抽出でき高精度で欠陥を抽出することができ
る。また、微分方式では除去困難であったエツジの周縁
が大きくてコントラス）の弱い欠陥と、エツジの周縁が
小さいがコントラストの強い欠陥の両方が検出でき、人
間の目に近い認識結果が得られる。
郭線として抽出でき高精度で欠陥を抽出することができ
る。また、微分方式では除去困難であったエツジの周縁
が大きくてコントラス）の弱い欠陥と、エツジの周縁が
小さいがコントラストの強い欠陥の両方が検出でき、人
間の目に近い認識結果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の画像処理装Ｗ１のブロック
図、第２図は画像処理装置１の動作を説明するための図
、＠３図は方向微分および細線化処理を示す図、第４図
および第５図はエツジフラグのある画素のエツジ方向に
交差する領域を説明するための図、第６図はエツジの周
縁部分を模式化して示した図、第７図は欠陥の大きさと
コントラストとの関係を示すグラフである。 １・・・画像処理装置、２・・・被検査物体、６・・・
アナログ／デジタル変換器、７・・・微分回路、８・・
・方向コードメモリ、９・・・細線化処理回路、１０・
・・しきい値処理回路、１１・・・細線延長化処理回路
、Ｆｌ。 Ｆ２・・・７レームメモリ
図、第２図は画像処理装置１の動作を説明するための図
、＠３図は方向微分および細線化処理を示す図、第４図
および第５図はエツジフラグのある画素のエツジ方向に
交差する領域を説明するための図、第６図はエツジの周
縁部分を模式化して示した図、第７図は欠陥の大きさと
コントラストとの関係を示すグラフである。 １・・・画像処理装置、２・・・被検査物体、６・・・
アナログ／デジタル変換器、７・・・微分回路、８・・
・方向コードメモリ、９・・・細線化処理回路、１０・
・・しきい値処理回路、１１・・・細線延長化処理回路
、Ｆｌ。 Ｆ２・・・７レームメモリ
Claims (1)
- 被検査物体を撮像して欠陥領域の周縁を検出し、この周
縁上の濃淡の差を加算し、この加算した値を全周縁に亘
る濃淡の差の絶対値に加算した値と予め定めた値とを比
較することを特徴とする画像処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248909A JPS61126455A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 画像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248909A JPS61126455A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 画像処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126455A true JPS61126455A (ja) | 1986-06-13 |
| JPH0319990B2 JPH0319990B2 (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=17185227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248909A Granted JPS61126455A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 画像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126455A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633210A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-08 | Shimizu Constr Co Ltd | ひび割れ自動計測装置 |
| JPH02133883A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 外観検査方法 |
| JPH06123609A (ja) * | 1990-03-26 | 1994-05-06 | Motorola Inc | 自動パッケージ検査方法 |
| JP5517179B1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-06-11 | レーザーテック株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248909A patent/JPS61126455A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633210A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-08 | Shimizu Constr Co Ltd | ひび割れ自動計測装置 |
| JPH02133883A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 外観検査方法 |
| JPH06123609A (ja) * | 1990-03-26 | 1994-05-06 | Motorola Inc | 自動パッケージ検査方法 |
| JP5517179B1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-06-11 | レーザーテック株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
| US8879055B1 (en) | 2013-05-13 | 2014-11-04 | Lasertec Corporation | Inspection method and inspection apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319990B2 (ja) | 1991-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5379347A (en) | Method of inspecting the surface of a workpiece | |
| JP3706051B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
| JPH07311028A (ja) | 構造物表面の検査における欠陥の検出方法 | |
| JP3265595B2 (ja) | 画像処理方法およびその装置 | |
| JP3890844B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JPS61126455A (ja) | 画像処理方法 | |
| JP3788586B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
| JP2001028059A (ja) | 色ムラ検査方法及び装置 | |
| JPH06103275B2 (ja) | 外観検査による欠陥抽出方法 | |
| JPH08145907A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH0718812B2 (ja) | 異物検出方法 | |
| JP2000132684A (ja) | 外観検査方法 | |
| JPH048833B2 (ja) | ||
| JPH0718811B2 (ja) | 欠陥検査方法 | |
| JPH10208066A (ja) | 被検査物のエッジライン抽出方法及びこの方法を用いた外観検査方法 | |
| JPH0337564A (ja) | 自動磁粉探傷装置 | |
| JP2710685B2 (ja) | 外観検査による欠陥検出方法 | |
| JPH0554107A (ja) | 外観検査による溶接状態判定方法 | |
| JPH0236026B2 (ja) | ||
| JP3038092B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JPH0337229B2 (ja) | ||
| JP2682112B2 (ja) | 自動磁粉探傷装置 | |
| JPH0797410B2 (ja) | 画像処理方法 | |
| JPH0727569B2 (ja) | 外観検査による欠陥検査方法 | |
| JPH08304302A (ja) | 検査対象物の表面傷検出方法 |