JPH05100413A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JPH05100413A JPH05100413A JP26004391A JP26004391A JPH05100413A JP H05100413 A JPH05100413 A JP H05100413A JP 26004391 A JP26004391 A JP 26004391A JP 26004391 A JP26004391 A JP 26004391A JP H05100413 A JPH05100413 A JP H05100413A
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
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- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクルの異物検査を確実に行うことができ
る異物検査装置を提供することを目的とする。 【構成】 偏光レーザ２２と、透過照明２３を組合わ
せ、偏光レーザ２２と検光子４を組合わせ偏光レーザ２
２と検光子２４では影響を受けたパターンエッジを透過
照明２３により打消し、高速かつ高精度で異物検査を行
う。
る異物検査装置を提供することを目的とする。 【構成】 偏光レーザ２２と、透過照明２３を組合わ
せ、偏光レーザ２２と検光子４を組合わせ偏光レーザ２
２と検光子２４では影響を受けたパターンエッジを透過
照明２３により打消し、高速かつ高精度で異物検査を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に用い
るホトマスク等の主にパターンが形成されている被検査
物体の異物検出方法および装置に関するものである。
るホトマスク等の主にパターンが形成されている被検査
物体の異物検出方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造工程で、製品の信頼性
向上、歩留まり向上は重要な課題の一つである。高集積
半導体製造の初期工程での不良の大部分はプロセス中の
異物に起因する。そこで、これらを解決するために、高
速かつ高信頼性で異物を検査できる装置の開発が不可欠
である。
向上、歩留まり向上は重要な課題の一つである。高集積
半導体製造の初期工程での不良の大部分はプロセス中の
異物に起因する。そこで、これらを解決するために、高
速かつ高信頼性で異物を検査できる装置の開発が不可欠
である。
【０００３】従来、異物検査装置の多くはレーザ散乱光
の検出を基本とし、鏡面の被検査物を対象とする装置に
おいては、０．２μｍ程度の異物を検出することが可能
である。一方、パターン付きの被検査物を対象とする装
置においては、被検査物体に形成されているパターンと
付着している異物を区別することに特許公昭６３−３０
５７０号公報をはじめ様々な工夫を凝らし被検査物体の
異物を検出することを可能としており、０．５μｍ程度
の異物を検出することが可能である。
の検出を基本とし、鏡面の被検査物を対象とする装置に
おいては、０．２μｍ程度の異物を検出することが可能
である。一方、パターン付きの被検査物を対象とする装
置においては、被検査物体に形成されているパターンと
付着している異物を区別することに特許公昭６３−３０
５７０号公報をはじめ様々な工夫を凝らし被検査物体の
異物を検出することを可能としており、０．５μｍ程度
の異物を検出することが可能である。
【０００４】以下、図１０を参照しながら、従来のパタ
ーン付きの被検査物を対象とする装置の一例として、偏
向レーザを照射したときのパターンエッジでの散乱光
と、異物での散乱光の偏向特性の違いを利用して検出を
行う異物検査装置の説明をする。それぞれの図はＳ偏向
レーザ照射光に対して、（ａ）は垂直なパターンからの
反射光が検光子によって消光されることを示す図、
（ｂ）は角度を持つパターンからの反射光が対物レンズ
に入射しないことを示す図、（ｃ）は異物からの散乱光
だけが後出器に至ることを示す図であり、１はＳ偏向レ
ーザ照射、２はパターンからの反射光、３は検出器、４
は検光子、５は対物レンズ、６は異物でる。
ーン付きの被検査物を対象とする装置の一例として、偏
向レーザを照射したときのパターンエッジでの散乱光
と、異物での散乱光の偏向特性の違いを利用して検出を
行う異物検査装置の説明をする。それぞれの図はＳ偏向
レーザ照射光に対して、（ａ）は垂直なパターンからの
反射光が検光子によって消光されることを示す図、
（ｂ）は角度を持つパターンからの反射光が対物レンズ
に入射しないことを示す図、（ｃ）は異物からの散乱光
だけが後出器に至ることを示す図であり、１はＳ偏向レ
ーザ照射、２はパターンからの反射光、３は検出器、４
は検光子、５は対物レンズ、６は異物でる。
【０００５】図１０（ａ）でＳ偏向レーザ光をホトマス
クに対して水平に照射する。このときホトマスク上の照
射光に対して垂直なパターンからの反射光は偏向が変化
せず、Ｓ偏向のまま対物レンズに進む。この反射光の偏
向に対して検光子は検光軸が垂直に配置されているの
で、反射光は消光され、検出器に至らない。また、同図
（ｂ）に示すように、照射光に対して角度αを持つパタ
ーンからの反射光は対物レンズに入らず検出されない。
同図（ｃ）では、異物に照明光が当たった場合で、異物
からの反射光は偏向が変化し、Ｐ偏向が生ずる。これら
は検光子を通過するので異物検出が可能となる。
クに対して水平に照射する。このときホトマスク上の照
射光に対して垂直なパターンからの反射光は偏向が変化
せず、Ｓ偏向のまま対物レンズに進む。この反射光の偏
向に対して検光子は検光軸が垂直に配置されているの
で、反射光は消光され、検出器に至らない。また、同図
（ｂ）に示すように、照射光に対して角度αを持つパタ
ーンからの反射光は対物レンズに入らず検出されない。
同図（ｃ）では、異物に照明光が当たった場合で、異物
からの反射光は偏向が変化し、Ｐ偏向が生ずる。これら
は検光子を通過するので異物検出が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では、要求
される精度で高信頼性に異物検査ができない。その理由
は次のようである。一般に、ホトマスク等のような被検
査物上にレーザ光を照射したときには、被検査物上に付
着した異物からは無指向に散乱光が生じ、被検査物上に
形成されたパターン、いわゆる回路パターンのエッジ
（クロム等の遮光部のエッジ）からは指向性をもった散
乱光が生じる。そこで、パターンのエッジによって生じ
る散乱光を考慮して、偏向などの手段を用いて検出を行
っていた。しかし、このような異物の検出を行う装置で
は、ホトマスクにレーザ光が入射したとき、その入射面
でレーザ光が反射したり、回路パターン以外の光透明部
ではレーザ光が透明したりする。この反射、または透明
したレーザ光は、装置内部でさらに反射または散乱して
前述の光電手段に達し、異物が存在しないにもかかわら
ず、あたかも異物から散乱光を受光したような光電信号
を発生してしまう。この欠点は特に微少な異物を検出し
なければならない時、あるいは偏向レーザ光の入射角度
が水平から離れるほど問題となる。
される精度で高信頼性に異物検査ができない。その理由
は次のようである。一般に、ホトマスク等のような被検
査物上にレーザ光を照射したときには、被検査物上に付
着した異物からは無指向に散乱光が生じ、被検査物上に
形成されたパターン、いわゆる回路パターンのエッジ
（クロム等の遮光部のエッジ）からは指向性をもった散
乱光が生じる。そこで、パターンのエッジによって生じ
る散乱光を考慮して、偏向などの手段を用いて検出を行
っていた。しかし、このような異物の検出を行う装置で
は、ホトマスクにレーザ光が入射したとき、その入射面
でレーザ光が反射したり、回路パターン以外の光透明部
ではレーザ光が透明したりする。この反射、または透明
したレーザ光は、装置内部でさらに反射または散乱して
前述の光電手段に達し、異物が存在しないにもかかわら
ず、あたかも異物から散乱光を受光したような光電信号
を発生してしまう。この欠点は特に微少な異物を検出し
なければならない時、あるいは偏向レーザ光の入射角度
が水平から離れるほど問題となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の３つの発明は、
主に透明体のパターン付き被検査物を対象とし、ともに
被検査物体に直線偏向させたコヒレント光を照射すると
同時に被検査物体裏面から透過照明を照射して、形成す
る光情報所定の特性を有する偏向遮断手段を通して撮像
素子に取り込み、被検査物体に形成されているパターン
の影響を押え付着している異物の弁別能力を高めること
を特徴とする。
主に透明体のパターン付き被検査物を対象とし、ともに
被検査物体に直線偏向させたコヒレント光を照射すると
同時に被検査物体裏面から透過照明を照射して、形成す
る光情報所定の特性を有する偏向遮断手段を通して撮像
素子に取り込み、被検査物体に形成されているパターン
の影響を押え付着している異物の弁別能力を高めること
を特徴とする。
【０００８】
【作用】この構成によると、簡単に装置が構成でき高精
度・高信頼性で異物の検出ができる。これは、光の照射
方法を工夫し、得られる画像の処理方法を簡略化したた
めである。
度・高信頼性で異物の検出ができる。これは、光の照射
方法を工夫し、得られる画像の処理方法を簡略化したた
めである。
【０００９】
【実施例】本発明の異物検査装置を半導体ホトマスクを
対象に、コヒレント光としてレーザ光を、光検出機構と
して撮像素子を使用した一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
対象に、コヒレント光としてレーザ光を、光検出機構と
して撮像素子を使用した一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
【００１０】以下本発明の第１の発明を用いた一実施例
の基本的な装置構成及び処理方法を最初に示す。図１に
基本的な装置構成を示す。１１は試料台、１２はホトマ
スク、１３は所定の入射角度で被検査物体を照射するこ
とができるＳ波の直線偏向をもつレーザ発振源、１４は
被検査物体への透過照明源、１５は集光レンズ、１６は
Ｓ波を遮断する検光子、１７は撮像素子、１８は撮像素
子のコントローラ、１９は画像処理装置、２０は画像メ
モリ、２１は被検査領域、２２はＳ偏向レーザ光、２３
は透過照明、２４は被検査領域からの光情報である。こ
こで、ホトマスク１２はＸ，Ｙ軸に対し同方向のパター
ンを有し、透過照明に対応した試料台１１に設置されて
いるものとする。また、撮像素子１７が撮像しているホ
トマスク１２の被検査領域全体を照射することが可能な
スポット径でレーザ発振源１３は発振しているものとす
る。
の基本的な装置構成及び処理方法を最初に示す。図１に
基本的な装置構成を示す。１１は試料台、１２はホトマ
スク、１３は所定の入射角度で被検査物体を照射するこ
とができるＳ波の直線偏向をもつレーザ発振源、１４は
被検査物体への透過照明源、１５は集光レンズ、１６は
Ｓ波を遮断する検光子、１７は撮像素子、１８は撮像素
子のコントローラ、１９は画像処理装置、２０は画像メ
モリ、２１は被検査領域、２２はＳ偏向レーザ光、２３
は透過照明、２４は被検査領域からの光情報である。こ
こで、ホトマスク１２はＸ，Ｙ軸に対し同方向のパター
ンを有し、透過照明に対応した試料台１１に設置されて
いるものとする。また、撮像素子１７が撮像しているホ
トマスク１２の被検査領域全体を照射することが可能な
スポット径でレーザ発振源１３は発振しているものとす
る。
【００１１】まず、レーザ発振源１３および透過照明源
１４により被検査領域に照射し撮像素子１７を用いて画
像を取り込む。図２は、撮像素子一視野の被検査領域を
示す。２５はパターン、２６は異物である。図３は、レ
ーザ光を照射し、検光子１６を通して得た画像を示す。
なお、ここでは便宜上異物を黒く示しているが、実際は
異物の画像濃度が背景より高い。図を見ると、パターン
エッジ２７が薄く光っているもの２８が見える。これは
前述した理由によるものであり、入射角度が被検査物体
表面に対し水平から離れるほど顕著になる。特に図４に
示すように、保護膜３１を施したホトマスク３０におい
てホトマスク表面の異物検査を必要とする時、保護膜に
表面反射しないようにレーザ光３３の入射角度βを設定
するため問題となる。なお、３２は保護膜のフレーム、
３４はクロムにより形成されているパターンである。図
５は、レーザ光に加えて透過照明を与えた画像である。
図５を図３と比較して見ると、パターンエッジが光って
ないのがわかる。これは、透過照明により画像として黒
く反応するパターンに影響してパターンエッジが光って
いたのが相殺されているためである。図６に各照明に対
する画像の１次元画像濃度分布を示した。（ａ）は被検
査領域断面図、（ｂ）はレーザ光、（ｃ）は透過照明、
（ｄ）はレーザ光と透過照明を組み合わせた時の１次元
画像濃度分布である。通常、パターン２７の膜厚は０．
０５〜０．１μｍ程度であり、検出すべき異物の最小サ
イズは６４ＭＤＲＡＭ対応のホトマスクで０．５μｍ程
度である。
１４により被検査領域に照射し撮像素子１７を用いて画
像を取り込む。図２は、撮像素子一視野の被検査領域を
示す。２５はパターン、２６は異物である。図３は、レ
ーザ光を照射し、検光子１６を通して得た画像を示す。
なお、ここでは便宜上異物を黒く示しているが、実際は
異物の画像濃度が背景より高い。図を見ると、パターン
エッジ２７が薄く光っているもの２８が見える。これは
前述した理由によるものであり、入射角度が被検査物体
表面に対し水平から離れるほど顕著になる。特に図４に
示すように、保護膜３１を施したホトマスク３０におい
てホトマスク表面の異物検査を必要とする時、保護膜に
表面反射しないようにレーザ光３３の入射角度βを設定
するため問題となる。なお、３２は保護膜のフレーム、
３４はクロムにより形成されているパターンである。図
５は、レーザ光に加えて透過照明を与えた画像である。
図５を図３と比較して見ると、パターンエッジが光って
ないのがわかる。これは、透過照明により画像として黒
く反応するパターンに影響してパターンエッジが光って
いたのが相殺されているためである。図６に各照明に対
する画像の１次元画像濃度分布を示した。（ａ）は被検
査領域断面図、（ｂ）はレーザ光、（ｃ）は透過照明、
（ｄ）はレーザ光と透過照明を組み合わせた時の１次元
画像濃度分布である。通常、パターン２７の膜厚は０．
０５〜０．１μｍ程度であり、検出すべき異物の最小サ
イズは６４ＭＤＲＡＭ対応のホトマスクで０．５μｍ程
度である。
【００１２】次に、取り込んだ画像の処理方法を示す。
図６（ｄ）に示すようにあるしきい値４０以上の濃淡値
をもつ画素を異物が存在する位置とみなす。図７に示す
ように、この処理により異物４１のみが検出できる。な
お、この処理の前にノイズ除去のために平滑化処理、着
目画素の周囲の画素との比較を必要とする場合もある。
図３と図７を比較すると、透過照明によってパターンの
影響を押さえ付着している異物の弁別能力を高めている
ことが明確である。従来の光電子増倍管を用いる方法で
は、図４のような光情報を対局的にとらえていたためパ
ターンの影響を完全に除去することは困難であった。
図６（ｄ）に示すようにあるしきい値４０以上の濃淡値
をもつ画素を異物が存在する位置とみなす。図７に示す
ように、この処理により異物４１のみが検出できる。な
お、この処理の前にノイズ除去のために平滑化処理、着
目画素の周囲の画素との比較を必要とする場合もある。
図３と図７を比較すると、透過照明によってパターンの
影響を押さえ付着している異物の弁別能力を高めている
ことが明確である。従来の光電子増倍管を用いる方法で
は、図４のような光情報を対局的にとらえていたためパ
ターンの影響を完全に除去することは困難であった。
【００１３】以下本発明の第２の発明を示す。図７に示
すように撮像素子を使用する場合は異物の位置・形状・
面積等を特定できる長所がある。また、濃度分布を詳細
に調べることにより異物の内容を特定できることができ
る。カラー対応の撮像素子を使用した場合は色情報によ
り特に詳細に内容を特定できる。これは、従来のように
光検出機構として光電子増倍管を使用する場合には実現
できない特徴である。
すように撮像素子を使用する場合は異物の位置・形状・
面積等を特定できる長所がある。また、濃度分布を詳細
に調べることにより異物の内容を特定できることができ
る。カラー対応の撮像素子を使用した場合は色情報によ
り特に詳細に内容を特定できる。これは、従来のように
光検出機構として光電子増倍管を使用する場合には実現
できない特徴である。
【００１４】以下本発明の第３の発明を用いた一実施例
を示す。第１の発明における装置において、画像を取り
込み同様な処理を行う。図８（ａ）に示すようにあるし
きい値以下の濃淡値をもつ画素をパターンと認識する。
この２値化した画像を画像１とする。ここで、図８
（ｂ）に示すように画像１に膨張処理・縮小処理を行い
パターン上の異物を取り除く。この画像を画像２とす
る。なお、５０はパターン上に異物が付着していたため
パターンとして認識できなかった部位、５１は膨張・収
縮処理を行いパターンとして認識できるようになったこ
とを示す部位。ここで、図７と図８（ｂ）の画像を比較
し、パターン上の異物を取り除いたものを図９に示す。
なお、５２はパターン上以外の検出された異物である。
これらは露光した際、ウェハ上に転写する恐れのある異
物であり、絶対に取り除く必要のあるものである。従来
は、異物検出装置が検出したものを目視によりパターン
上のものかあるいはそうでないかを区別していたが、こ
の方法によると自動的に弁別が可能である。
を示す。第１の発明における装置において、画像を取り
込み同様な処理を行う。図８（ａ）に示すようにあるし
きい値以下の濃淡値をもつ画素をパターンと認識する。
この２値化した画像を画像１とする。ここで、図８
（ｂ）に示すように画像１に膨張処理・縮小処理を行い
パターン上の異物を取り除く。この画像を画像２とす
る。なお、５０はパターン上に異物が付着していたため
パターンとして認識できなかった部位、５１は膨張・収
縮処理を行いパターンとして認識できるようになったこ
とを示す部位。ここで、図７と図８（ｂ）の画像を比較
し、パターン上の異物を取り除いたものを図９に示す。
なお、５２はパターン上以外の検出された異物である。
これらは露光した際、ウェハ上に転写する恐れのある異
物であり、絶対に取り除く必要のあるものである。従来
は、異物検出装置が検出したものを目視によりパターン
上のものかあるいはそうでないかを区別していたが、こ
の方法によると自動的に弁別が可能である。
【００１５】以下本発明の第４の発明を用いた一実施例
を示す。第１，２，３の発明における装置において、さ
らに高精度で検出を行う必要がある際、異物とパターン
が混じった入力画像から異物のみ、あるいはパターンの
みを分離することが困難になることがある。ここでは、
偏向レーザ光２２のみを与え得る画像と、透過照明２３
のみを与え得る画像を用意する。これらの画像を組み合
わせ異物の検出、パターンの検出を行う。画像取り込み
を分けたこと以外は、装置構成及び処理方法は前述のも
のと同じである。この方法により、異物の弁別能力を高
めることが可能である。
を示す。第１，２，３の発明における装置において、さ
らに高精度で検出を行う必要がある際、異物とパターン
が混じった入力画像から異物のみ、あるいはパターンの
みを分離することが困難になることがある。ここでは、
偏向レーザ光２２のみを与え得る画像と、透過照明２３
のみを与え得る画像を用意する。これらの画像を組み合
わせ異物の検出、パターンの検出を行う。画像取り込み
を分けたこと以外は、装置構成及び処理方法は前述のも
のと同じである。この方法により、異物の弁別能力を高
めることが可能である。
【００１６】なお、本発明の第１の発明における上記実
施例において、レーザ光・透過照明の強度は確実に異物
を検出でき、かつパターンの影響をできるだけ受けない
ようなものであれば特定しない。また、発振するレーザ
波長は撮像素子に反応する波長であれば特定しない。ま
た、スポット径についても撮像素子の一視野以上の領域
を照射できるのであれば特定しない。また、透過照明源
についても処理を満たすものであれば特定しない。ま
た、レーザ光の入射角度については微小な異物を捕らえ
ることができ、かつ画像処理によってパターンを打ち消
すことが可能な画像を得られる角度であれば特定しな
い。また、画像処理における濃淡の諧調、しきい値につ
いても異物・パターンを認識できるようなものであれば
特定しない。
施例において、レーザ光・透過照明の強度は確実に異物
を検出でき、かつパターンの影響をできるだけ受けない
ようなものであれば特定しない。また、発振するレーザ
波長は撮像素子に反応する波長であれば特定しない。ま
た、スポット径についても撮像素子の一視野以上の領域
を照射できるのであれば特定しない。また、透過照明源
についても処理を満たすものであれば特定しない。ま
た、レーザ光の入射角度については微小な異物を捕らえ
ることができ、かつ画像処理によってパターンを打ち消
すことが可能な画像を得られる角度であれば特定しな
い。また、画像処理における濃淡の諧調、しきい値につ
いても異物・パターンを認識できるようなものであれば
特定しない。
【００１７】また、本発明の第２の発明における上記実
施例において、異物の内容についてはプロセス管理に重
要なものであれば特定しない。また、その検出方法につ
いても特定しない。
施例において、異物の内容についてはプロセス管理に重
要なものであれば特定しない。また、その検出方法につ
いても特定しない。
【００１８】また、本発明の第３の発明における上記実
施例において、膨張処理・縮小処理の方法についてはパ
ターンを復元可能なものであれば特定しない。また、パ
ターン上の異物を弁別する方法についても特定しない。
施例において、膨張処理・縮小処理の方法についてはパ
ターンを復元可能なものであれば特定しない。また、パ
ターン上の異物を弁別する方法についても特定しない。
【００１９】また、本発明の第４の発明における上記実
施例において、画像を複数取り込む以外はその後の処理
については特定しない。
施例において、画像を複数取り込む以外はその後の処理
については特定しない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、簡単に装
置が構成でき、高精度・高信頼性で異物の検出が可能で
ある。本発明を用いた装置及び処理方法の実験による
と、撮像素子の１画素の担当する領域は実際の異物のサ
イズよりも４〜９倍程度広くすることが可能であること
がわかっている。これは、コヒレント光である強いレー
ザ光を被検査物に照射しているため異物の散乱光が異物
のサイズよりも広がり、撮像素子には実際の異物のサイ
ズ以上に反応するためである。これにより、効率的なレ
ーザ照射方法及び高速画像処理方法を組み合わせること
により、１００×１００mmのフォトマスクの最小０．５
μｍの異物を検出させる場合を例にとると、４分程度で
処理が可能であることがわかっている。さらに、装置構
成を複数もたせる等の工夫によりさらなる処理速度の向
上が可能である。また、検出対象の異物のサイズに合わ
せて集光レンズの倍率を変更することにより、簡単に装
置の変更が可能である。また、従来方法と異なり検出器
に撮像素子を用いているため、簡単に異物の形状・内容
等も認識することが可能である。従来からこのような要
望は高く非常に効果のあることと考える。
置が構成でき、高精度・高信頼性で異物の検出が可能で
ある。本発明を用いた装置及び処理方法の実験による
と、撮像素子の１画素の担当する領域は実際の異物のサ
イズよりも４〜９倍程度広くすることが可能であること
がわかっている。これは、コヒレント光である強いレー
ザ光を被検査物に照射しているため異物の散乱光が異物
のサイズよりも広がり、撮像素子には実際の異物のサイ
ズ以上に反応するためである。これにより、効率的なレ
ーザ照射方法及び高速画像処理方法を組み合わせること
により、１００×１００mmのフォトマスクの最小０．５
μｍの異物を検出させる場合を例にとると、４分程度で
処理が可能であることがわかっている。さらに、装置構
成を複数もたせる等の工夫によりさらなる処理速度の向
上が可能である。また、検出対象の異物のサイズに合わ
せて集光レンズの倍率を変更することにより、簡単に装
置の変更が可能である。また、従来方法と異なり検出器
に撮像素子を用いているため、簡単に異物の形状・内容
等も認識することが可能である。従来からこのような要
望は高く非常に効果のあることと考える。
【００２１】半導体製造工程において異物の混入による
影響は大きく、以前から高速かつ高信頼性で異物を検査
できる装置に対する要求が非常に高かった。このため、
本発明による効果は非常に大きいと思われる。
影響は大きく、以前から高速かつ高信頼性で異物を検査
できる装置に対する要求が非常に高かった。このため、
本発明による効果は非常に大きいと思われる。
【図１】従来の異物検査装置を示す図本発明の一実施例
における異物検査装置の基本構成を示す図
における異物検査装置の基本構成を示す図
【図２】同実施例における被検査領域を示す図
【図３】同レーザ光による照明の場合の入力画像を示す
図
図
【図４】同ホトマスクを示す図
【図５】同レーザ光と透過照明による照明の場合の入力
画像を示す図
画像を示す図
【図６】同濃度分布を示す図 （ａ）は被検査領域断面図 （ｂ）はレーザ光のみの一次元画像濃度分布を示す図 （ｃ）は透過照明のみの一次元画像濃度分布を示す図 （ｄ）はレーザ光と透過照明を組み合わせた時の一次元
画像濃度分布を示す図
画像濃度分布を示す図
【図７】画像処理の結果を示す図 （ａ）はパターンを認識した画像を示す図 （ｂ）は（ａ）に膨張処理。縮小処理を加えた画像を示
す図
す図
【図８】本発明の他の実施例における異物検査装置にて
画像処理を行った図
画像処理を行った図
【図９】同実施例において後処理を行った図
【図１０】従来の異物検査装置を示す図
１１ 試料台 １２ ホトマスク １３ レーザ発振源 １４ 透過照明源 １５ 集光レンズ １６ Ｓ波を遮断する検光子 １７ 撮像素子 １８ 撮像素子のコントローラ １９ 画像処理装置 ２０ 画像メモリ
Claims (6)
- 【請求項１】 透明体の被検査物体表面に直線偏向させ
たコヒレント光を照射すると同時に被検査物体裏面から
透過照明を照射する照射手段により形成する光情報を所
定の特性を有する偏向遮断手段を通して光検出機構に取
り込み、被検査物体に形成されているパターンの影響を
押え付着している異物の弁別能力を高めることを特徴と
する異物検査装置。 - 【請求項２】 光検出機構として撮像素子を使用し、異
物の内容を特定することが可能であることを特徴とする
請求項１記載の異物検査装置。 - 【請求項３】 前記装置において、取り込んだ画像から
パターン面のみを検出し、この画像に膨張処理，収縮処
理を加えパターン面上の異物の検出を行い、パターン面
上とそれ以外に存在する異物を弁別することが可能であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の異物検査装
置。 - 【請求項４】 透明体の被検査物体表面に直線偏向させ
たコヒレント光を照射して所定の特性を有する偏向遮断
手段を通して得た画像と、被検査物体裏面から透過照明
を照射して得た画像を用いて、被検査物体に形成されて
いるパターンの影響を押え付着している異物の弁別能力
を高めることを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項５】 光検出機構として撮像素子を使用し、異
物の内容を特定することが可能であることを特徴とする
請求項４記載の異物検査装置。 - 【請求項６】 取り込んだ画像からパターン面のみを検
出し、この画像に膨張処理，収縮処理を加えパターン面
上の異物の検出を行い、パターン面上とそれ以外に存在
する異物を弁別することが可能であることを特徴とする
請求項４または５の異物検査装置。
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| JP26004391A JP3087384B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 異物検査装置 |
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| JPH05100413A true JPH05100413A (ja) | 1993-04-23 |
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| JP26004391A Expired - Fee Related JP3087384B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 異物検査装置 |
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-
1992
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