JPS60222756A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JPS60222756A JPS60222756A JP7752684A JP7752684A JPS60222756A JP S60222756 A JPS60222756 A JP S60222756A JP 7752684 A JP7752684 A JP 7752684A JP 7752684 A JP7752684 A JP 7752684A JP S60222756 A JPS60222756 A JP S60222756A
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- Japan
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- inspected
- laser
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、被検査物面上での異物を自動的に検出してな
る異物検査装置に関する。
る異物検査装置に関する。
半導体製造用のフォトマスクやレチクル等の透明基板上
の微小異物の検出では、レーザ光の集光性を利用して基
板に対して斜め方向からレーザ光を照射し、異物からの
散乱光を光電変換手段で検出する方法が存在する。
の微小異物の検出では、レーザ光の集光性を利用して基
板に対して斜め方向からレーザ光を照射し、異物からの
散乱光を光電変換手段で検出する方法が存在する。
第１図は、特開昭５７−８０５４６号公報記載の従来例
を示す。レーザ発振器１を出たレーザ光３はシリンドル
カルレンズ２を介して被検査物の基板表面５に、平行あ
るいはほぼ平行に入射し、基板表面５のレーザ照射方向
に帯状照射像１０〜１２を形成する。この帯状照射像１
０〜１２は、基板表面５に対して、はぼ水平（基板面〕
に近い角度で見込む位置に設けた結像レンズ７及び光電
変換素子８から成る検出手段で検出され、帯状照射像１
０〜１２上に存在する異物６からの散乱光を検出する。
を示す。レーザ発振器１を出たレーザ光３はシリンドル
カルレンズ２を介して被検査物の基板表面５に、平行あ
るいはほぼ平行に入射し、基板表面５のレーザ照射方向
に帯状照射像１０〜１２を形成する。この帯状照射像１
０〜１２は、基板表面５に対して、はぼ水平（基板面〕
に近い角度で見込む位置に設けた結像レンズ７及び光電
変換素子８から成る検出手段で検出され、帯状照射像１
０〜１２上に存在する異物６からの散乱光を検出する。
しかし、第２図（イ）に示す如く、レーザ光３の光強度
３６は、一般に中心部が高く、周辺になるにつれて強度
が低下するとの特性を持つ。このため、レーザ光３を基
板表面５に対して斜め方向よシ帯状照射する場合には第
２図（ロ）に示す様に、基板５の表面に存在する異物の
場所によって異なる散乱光強度３７Ａ 、 ３７Ｂ 、
３７Ｃの如き分布となる。こうした異物が全体にわた
っであるとすると、散乱光強度のピークは、特性９の如
くなる。この結果、異物か否かの判断基準レベルとなる
閾値３８は、上記分布９に追従させた形に設定しなけれ
ばならなかった。また斜め方向よシ帯状照射する場合、
基板の上・下方向の変動を最小限に押える必要があるた
め、ステージの機械精度が要求される。
３６は、一般に中心部が高く、周辺になるにつれて強度
が低下するとの特性を持つ。このため、レーザ光３を基
板表面５に対して斜め方向よシ帯状照射する場合には第
２図（ロ）に示す様に、基板５の表面に存在する異物の
場所によって異なる散乱光強度３７Ａ 、 ３７Ｂ 、
３７Ｃの如き分布となる。こうした異物が全体にわた
っであるとすると、散乱光強度のピークは、特性９の如
くなる。この結果、異物か否かの判断基準レベルとなる
閾値３８は、上記分布９に追従させた形に設定しなけれ
ばならなかった。また斜め方向よシ帯状照射する場合、
基板の上・下方向の変動を最小限に押える必要があるた
め、ステージの機械精度が要求される。
本発明の目的は、被検査面上に存在する異物を簡単な構
成で正確に検出可能とした異物検査装置を提供するもの
である。
成で正確に検出可能とした異物検査装置を提供するもの
である。
本発明は、検査面上への光入射はスポット入射とし、且
つこのスポット入射を連続させることによって直線的な
走査方向を得るようにした。更に、本発明は、異物以外
からの反射波を除外すべく、入射光としてＳ偏光波を利
用し、受光側ではＰ偏光波のみを受光すべく検光子を受
けた。かかる本発明は、特にペリクル膜上の異物検査に
効果を持つ０ 〔発明の実施例〕 第３図は、フォトマスクやレチクル等のガラス基板に貼
シ付けた異物付着防止膜（ペリクル膜）表面上の異物を
検出する検出装置の実施例を示す。
つこのスポット入射を連続させることによって直線的な
走査方向を得るようにした。更に、本発明は、異物以外
からの反射波を除外すべく、入射光としてＳ偏光波を利
用し、受光側ではＰ偏光波のみを受光すべく検光子を受
けた。かかる本発明は、特にペリクル膜上の異物検査に
効果を持つ０ 〔発明の実施例〕 第３図は、フォトマスクやレチクル等のガラス基板に貼
シ付けた異物付着防止膜（ペリクル膜）表面上の異物を
検出する検出装置の実施例を示す。
レーザ発振器１４（半導体レーザの様な偏光レーザを用
いてもよい。この時には、偏光板１６は不用となる）か
ら出たレーザ光は、偏光板１６．集光レンズ１５を経て
三角波状の揺動運転をするガルバノミラ−１７の中央に
集光する。この中央で全反射し、コリメータレンズ１８
を経て異物付着防止膜２３の表面上にレーザスポットと
なシ斜め方向より入射する。
いてもよい。この時には、偏光板１６は不用となる）か
ら出たレーザ光は、偏光板１６．集光レンズ１５を経て
三角波状の揺動運転をするガルバノミラ−１７の中央に
集光する。この中央で全反射し、コリメータレンズ１８
を経て異物付着防止膜２３の表面上にレーザスポットと
なシ斜め方向より入射する。
更に、ガルバノミラ−１７は三角波状に一定周期で振動
するため、レーザスポットは異物付着防止膜２３の表面
上を一定速度で走査する。その走査方向はＸ方向？２で
ある。ガラス基板及び異物付着防止膜２３はＹ方向に一
定速度で移動する。Ｘ方向への走査速度、即ち三角波状
の周期の速度は、′Ｙ方向への移動速度に比して充分に
大きく設定している。これによって、Ｙ方向への基本ピ
ッチ毎に、Ｘ方向の全面走査がなされる。Ｙ方向での基
本ピッチ間隔は、一般に微小中Δｙである。これによっ
て測定精度を向上させている。
するため、レーザスポットは異物付着防止膜２３の表面
上を一定速度で走査する。その走査方向はＸ方向？２で
ある。ガラス基板及び異物付着防止膜２３はＹ方向に一
定速度で移動する。Ｘ方向への走査速度、即ち三角波状
の周期の速度は、′Ｙ方向への移動速度に比して充分に
大きく設定している。これによって、Ｙ方向への基本ピ
ッチ毎に、Ｘ方向の全面走査がなされる。Ｙ方向での基
本ピッチ間隔は、一般に微小中Δｙである。これによっ
て測定精度を向上させている。
検出装置は、偏光プリズム２５、結像レンズ２６、−次
元のリニアセンサ（ＣＣＤ、フォトダイオードプレイ等
）を含む自己走査形光電変換素子２７から成る。この検
出装置は、レーザスポットの走査線２２を上方よシ臨む
位置に設けである。この檎雷装置は、固定であシ、位置
の変動はない。
元のリニアセンサ（ＣＣＤ、フォトダイオードプレイ等
）を含む自己走査形光電変換素子２７から成る。この検
出装置は、レーザスポットの走査線２２を上方よシ臨む
位置に設けである。この檎雷装置は、固定であシ、位置
の変動はない。
走査線２２上のレーザスポットは、偏光プリズムオ、結
像レンズ２６を介して一次元ソニアセンサ２７に結像し
、検出される。−次元リニアセンサ２７上では、レーザ
スポットの反射位置毎に感応し、感応位置対応の検出信
号が出力する（但し検査物が透明の場合、レーザスポッ
ト像による検出信号はほとんど発生しない）。
像レンズ２６を介して一次元ソニアセンサ２７に結像し
、検出される。−次元リニアセンサ２７上では、レーザ
スポットの反射位置毎に感応し、感応位置対応の検出信
号が出力する（但し検査物が透明の場合、レーザスポッ
ト像による検出信号はほとんど発生しない）。
第４図は、レーザ照射系の詳細動作゛説明図である。レ
ーザ発振器１４を出たレーザ光は偏光板１６を通過後、
−集光レンズ１５によってガルバノミラ−１７の表面に
集光する。ガルバノミラ−１７の回転中心は、コリメー
タレンズ１８の焦点位置に設けであるため、レーザ光１
９Ｌガルバノミラ−エフの揺動によって図中３５の方向
に平行に振動し、異物付着防止膜２３の表面上をレーザ
スポットが直線上に走査する。
ーザ発振器１４を出たレーザ光は偏光板１６を通過後、
−集光レンズ１５によってガルバノミラ−１７の表面に
集光する。ガルバノミラ−１７の回転中心は、コリメー
タレンズ１８の焦点位置に設けであるため、レーザ光１
９Ｌガルバノミラ−エフの揺動によって図中３５の方向
に平行に振動し、異物付着防止膜２３の表面上をレーザ
スポットが直線上に走査する。
今、コリメータレンズ１８の焦点距離をｆ１ガルバノミ
ラ−１７の回転角をθ、レーザスポットの走査量をｈと
すると、下記となる。
ラ−１７の回転角をθ、レーザスポットの走査量をｈと
すると、下記となる。
ｈ ＝ ｆ ＩＩｔａｎθ−４−ｆ−θ・・・・・曲開
聞曲（１ン但し、θが小さい値であることを前提とする
。これによって、平行収束したレーザスポットが異物付
着防止膜２３の表面上を等速直線走査することになる。
聞曲（１ン但し、θが小さい値であることを前提とする
。これによって、平行収束したレーザスポットが異物付
着防止膜２３の表面上を等速直線走査することになる。
第５図はガルバノミラ−１７を駆動する三角波４１と検
出装置に設けた光電変換センサ２７の１個の素子に係る
光量蓄積時間４２を示した図である。光電変換素子の走
査時間Ｔは、ガルバノミラ−１７の周期ｔの整数倍にし
ておく。これにより、一層安定に異物検出が行えるよう
にしている。
出装置に設けた光電変換センサ２７の１個の素子に係る
光量蓄積時間４２を示した図である。光電変換素子の走
査時間Ｔは、ガルバノミラ−１７の周期ｔの整数倍にし
ておく。これにより、一層安定に異物検出が行えるよう
にしている。
このため、第６図に示すように、フォトマスクやレチク
ル等のガラス基板３９上に貼シつけた異物付着防止膜２
３の表面上の中心付近に存在する異物２０Ａからの散乱
光強度２１Ａと異物付着防止膜２３の端部での異物２０
Ｂ 、 ２０Ｃからの散乱光強度２１Ｂ。
ル等のガラス基板３９上に貼シつけた異物付着防止膜２
３の表面上の中心付近に存在する異物２０Ａからの散乱
光強度２１Ａと異物付着防止膜２３の端部での異物２０
Ｂ 、 ２０Ｃからの散乱光強度２１Ｂ。
２１Ｃは、（ロ）図に示すようにほぼ均一な分布２８と
なる。これによって、異物付着防止膜２３の表面場所ノ
違いによって、基準レベルとなる閾値を変える必要はな
く、一定量値４３のみで安定した異物検査ができるよう
になっている。
なる。これによって、異物付着防止膜２３の表面場所ノ
違いによって、基準レベルとなる閾値を変える必要はな
く、一定量値４３のみで安定した異物検査ができるよう
になっている。
異物付着防止膜２３をガラス基板３９上に貼りつける場
合、ペリクル枠を公して貼りつけることが多い。第７図
は、このペリクル枠を設けた場合の実施例を示す。
合、ペリクル枠を公して貼りつけることが多い。第７図
は、このペリクル枠を設けた場合の実施例を示す。
第７図で、基板３９の一方の表面には回路パターン２９
を設け、他方の表面にはペリクル枠Ｕを介して異物付着
防止膜２３を貼シつけている。かかる構成に至る製造工
程は以下となる。
を設け、他方の表面にはペリクル枠Ｕを介して異物付着
防止膜２３を貼シつけている。かかる構成に至る製造工
程は以下となる。
先ず、基板３９を洗浄し、パターン２９の存在表面及び
非存在表面にごみ等の異物があるか否か検査する。ごみ
等の異物がなけれは、治具利用によりペリクル枠２４を
公した異物付着防止膜２３を貼９つける。この異物付着
防止膜２３は、図示していないがパターン２９の存在面
についてもなす。ここで、異物付着防止膜２３は、基板
３９の表面の露光時の露光用光を通過させる役割をなし
、基板３９表面に直接付着するごみを防止するために設
けた。
非存在表面にごみ等の異物があるか否か検査する。ごみ
等の異物がなけれは、治具利用によりペリクル枠２４を
公した異物付着防止膜２３を貼９つける。この異物付着
防止膜２３は、図示していないがパターン２９の存在面
についてもなす。ここで、異物付着防止膜２３は、基板
３９の表面の露光時の露光用光を通過させる役割をなし
、基板３９表面に直接付着するごみを防止するために設
けた。
異物付着防止膜２３を取りつけた後、基板３９の面上に
異物があるか否か検査をする。異物がなければ、異物付
着防止膜２３自身にごみ等の異物があるか否か検査をす
る。本実施例は、この異物付着防止膜２３自身に存在す
るごみ等の異物の有無を検査する検査装置を提供する。
異物があるか否か検査をする。異物がなければ、異物付
着防止膜２３自身にごみ等の異物があるか否か検査をす
る。本実施例は、この異物付着防止膜２３自身に存在す
るごみ等の異物の有無を検査する検査装置を提供する。
もし、異物付着防止膜２３にごみ等の異物が付着してい
なければ、該異物付着防止膜２３を介して露光する。尚
ペリクル膜については、特開昭５４−８００８２号公報
「投影プリント用マスク」がある。
なければ、該異物付着防止膜２３を介して露光する。尚
ペリクル膜については、特開昭５４−８００８２号公報
「投影プリント用マスク」がある。
さて、第７図の説明に戻る。本実施例では異物付着防止
膜２３上での異物検査を行う。この異物検査に際して、
異物付着防止膜２３上での異物２１以外の異物は検査対
象外の異物として排除する必要がるる。第７図で、異物
付着防止膜２３上での異物２１以外の異物は、パターン
２９による散乱光３０によるもの、ペリクル枠２４によ
る散乱光３１によるものがある。散乱光３０ 、３１は
本来、異物ではなく、異物付着防止膜２３上の異物検査
に対して、異物となる如き現われ方をするものである。
膜２３上での異物検査を行う。この異物検査に際して、
異物付着防止膜２３上での異物２１以外の異物は検査対
象外の異物として排除する必要がるる。第７図で、異物
付着防止膜２３上での異物２１以外の異物は、パターン
２９による散乱光３０によるもの、ペリクル枠２４によ
る散乱光３１によるものがある。散乱光３０ 、３１は
本来、異物ではなく、異物付着防止膜２３上の異物検査
に対して、異物となる如き現われ方をするものである。
本実施例では、ペリクル枠Ｕによる散乱光３１とパター
ン２９による散乱光３０とをそれぞれ別個に検査対象か
ら排除している。第８図は、ペリクル枠２４による散乱
光排除の実施例を示す。
ン２９による散乱光３０とをそれぞれ別個に検査対象か
ら排除している。第８図は、ペリクル枠２４による散乱
光排除の実施例を示す。
第８図で、−次元ラインセンサ２７の前段に遮光部３２
を設ける。この遮光部３２は、ペリクル枠２４による散
乱光を遮光する役割を持つ。この遮光部３２を設けたこ
とによって、ペリクル枠２４による散乱光３１は遮光部
３２で遮光され、センサ２７の結像位置には結像しない
。
を設ける。この遮光部３２は、ペリクル枠２４による散
乱光を遮光する役割を持つ。この遮光部３２を設けたこ
とによって、ペリクル枠２４による散乱光３１は遮光部
３２で遮光され、センサ２７の結像位置には結像しない
。
基板３９上での散乱光を排除するために入射側及び受光
側に偏光手段を設ける。第８図の検光子４０は受光側の
偏光手段を提供する。この検光子４０は、Ｓ偏光波は通
過させずＰ偏光波のみを通過させる機能を持つ。この検
光子４０の機能について以下述べる。
側に偏光手段を設ける。第８図の検光子４０は受光側の
偏光手段を提供する。この検光子４０は、Ｓ偏光波は通
過させずＰ偏光波のみを通過させる機能を持つ。この検
光子４０の機能について以下述べる。
第９図に示すように、透明物体であるガラス基板５にレ
ーザ光等の光を斜め方向よシ照射した場合、照射角度α
によシ犬小関係は異なるが基板５の表面に対して水平方
向に振動する波（Ｓ偏光波）必では（イ）図に示す如く
透過成分よりも反射成分が多く、逆に基板５の表面に対
して垂直方向に振動する波（Ｐ偏光波）４５では（ロ）
図に示す如く反射成１分よシも透過成分が多くなる。
ーザ光等の光を斜め方向よシ照射した場合、照射角度α
によシ犬小関係は異なるが基板５の表面に対して水平方
向に振動する波（Ｓ偏光波）必では（イ）図に示す如く
透過成分よりも反射成分が多く、逆に基板５の表面に対
して垂直方向に振動する波（Ｐ偏光波）４５では（ロ）
図に示す如く反射成１分よシも透過成分が多くなる。
従って、本実施例では、照射光としてＳ偏光波を使用す
る。
る。
更に、Ｓ偏光波を照射した場合でも回路パター５ン２９
に到達し、このパターン２９から反射する散乱光を存在
する。この散乱光も異物の誤認識の原因となる。そこで
、パターン２９による散乱状況は以下となる。パターン
２９は規則的な配列をなす。この規則的な配列をなすパ
ターン２９からの散乱光は＋ｏ Ｓ偏光波が大半を占め
る。一方、規則的な配列をなさないのが異物である。特
に異物付着防止膜２３上の異物について問題となる。こ
の異物付着防止膜２３上の異物に対してＳ偏光波を照射
すると、異物は規則性の形状でないため、その異物から
の散乱１５光は、Ｓ偏光波の他にＰ偏光波を含んだもの
となる。
に到達し、このパターン２９から反射する散乱光を存在
する。この散乱光も異物の誤認識の原因となる。そこで
、パターン２９による散乱状況は以下となる。パターン
２９は規則的な配列をなす。この規則的な配列をなすパ
ターン２９からの散乱光は＋ｏ Ｓ偏光波が大半を占め
る。一方、規則的な配列をなさないのが異物である。特
に異物付着防止膜２３上の異物について問題となる。こ
の異物付着防止膜２３上の異物に対してＳ偏光波を照射
すると、異物は規則性の形状でないため、その異物から
の散乱１５光は、Ｓ偏光波の他にＰ偏光波を含んだもの
となる。
そこで、本実施例では、受光側では、Ｓ偏光波は除去し
、Ｐ偏光波のみを受光できる仕組みとさせた。
、Ｐ偏光波のみを受光できる仕組みとさせた。
以上の２つの要点の中の第１である照射光とし２ｏてＳ
偏光波を使用するためには、入射側にＳ偏光させる偏光
板を設けることによって解決する。第２の要旨としての
Ｐ偏光波のみを受光させるためにはＰ偏光波を検光する
検光子を受光側に設ければよい。
偏光波を使用するためには、入射側にＳ偏光させる偏光
板を設けることによって解決する。第２の要旨としての
Ｐ偏光波のみを受光させるためにはＰ偏光波を検光する
検光子を受光側に設ければよい。
入射側でＳ偏光波を得るには、Ｓ偏光波発生レーザ源を
用いてもよいが、通常のレーザ源を使用し、その出力側
に偏光板を設けてもよい。第３図の実施例で、偏光板１
６をＳ偏光波を得る偏光板とすればこの機能を達成でき
る。
用いてもよいが、通常のレーザ源を使用し、その出力側
に偏光板を設けてもよい。第３図の実施例で、偏光板１
６をＳ偏光波を得る偏光板とすればこの機能を達成でき
る。
受光側でＰ偏光波のみを受光するためには、Ｐ偏光波の
みを通過させる偏光プリズムを結像レンズ２６の前段に
設けてもよい。第８図で検光子４０は偏光プリズムで構
成させることによってその機能を達成できる。更に、検
光子２６の代シに、偏光板を設けることによっても達成
できる。第３図で、結像レンズ２６の前後に偏光板を設
けることによって達成できる。
みを通過させる偏光プリズムを結像レンズ２６の前段に
設けてもよい。第８図で検光子４０は偏光プリズムで構
成させることによってその機能を達成できる。更に、検
光子２６の代シに、偏光板を設けることによっても達成
できる。第３図で、結像レンズ２６の前後に偏光板を設
けることによって達成できる。
この実施例によれば、ガラス基板３９からの散乱光を検
出対象から排除できるだけでなく、異物付着防止膜２３
上に存在する異物のみを正確に検出できることになった
。
出対象から排除できるだけでなく、異物付着防止膜２３
上に存在する異物のみを正確に検出できることになった
。
尚、基板３９に形成されたパターンからの散乱光が極端
に少ない時やパターンが形成されていない基板面上の異
物検査では、検光子４０は、必ずしも必要でない。
に少ない時やパターンが形成されていない基板面上の異
物検査では、検光子４０は、必ずしも必要でない。
第１０図は、基板３９の両側に異物付着防止膜２３Ａ。
２３Ｂ１ペリクル枠２４Ａ 、 ２４Ｂを取シつけた場
合の測定例を示す。２つの異物検査装置３３ 、３４を
設けたものである。
合の測定例を示す。２つの異物検査装置３３ 、３４を
設けたものである。
本発明によれば、基板上に存在する異物を正確に自動的
に検出できる。特に、ペリクル膜上に存在する異物の検
査に対して、判定レベルを変動することなく固定とでき
るため、検査の精度を向上できる。また、基板送りの上
・下変動にも影響されないため検査機構が簡単となる０
に検出できる。特に、ペリクル膜上に存在する異物の検
査に対して、判定レベルを変動することなく固定とでき
るため、検査の精度を向上できる。また、基板送りの上
・下変動にも影響されないため検査機構が簡単となる０
第１図は従来例図、第２図はその入射光と反射光との関
係を示す図、第３図は本発明の実施例図、第４図はその
入射光の説明図、第５図はガルバノミラ−の振動を説明
する図、第６図は本実施例での入射光と反射光との説明
図、第７図は実際の測定対象に伴う動作説明図、第８図
はその時の一実施例図、第９図は反射波の説明図、第１
０図は他の実施例図である。 １４・・・レーザ発振器、１５・・・集光レンズ、１６
・・・偏光板、１７・・・ガルバノミラ−１１８・・・
コリメータレンズ、１９・・・レーザ光（Ｓ偏光波）、
２０・・・異物、２３・・・異物付着防止膜（ペリクル
膜）、飼・・・枠、２５・・・偏光プリズム、２６・・
・結像レンズ、２７・・・−次元リニアセンサ、２９・
・・パターン、４０・・・検光子。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１図 ５ 第２図 ス フＡ 第３図 ４ 第５図 第６図
係を示す図、第３図は本発明の実施例図、第４図はその
入射光の説明図、第５図はガルバノミラ−の振動を説明
する図、第６図は本実施例での入射光と反射光との説明
図、第７図は実際の測定対象に伴う動作説明図、第８図
はその時の一実施例図、第９図は反射波の説明図、第１
０図は他の実施例図である。 １４・・・レーザ発振器、１５・・・集光レンズ、１６
・・・偏光板、１７・・・ガルバノミラ−１１８・・・
コリメータレンズ、１９・・・レーザ光（Ｓ偏光波）、
２０・・・異物、２３・・・異物付着防止膜（ペリクル
膜）、飼・・・枠、２５・・・偏光プリズム、２６・・
・結像レンズ、２７・・・−次元リニアセンサ、２９・
・・パターン、４０・・・検光子。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１図 ５ 第２図 ス フＡ 第３図 ４ 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平行収束した光ビームスポットを発生する発生手段
と該発生した光ビームスポットを被検査物表面に斜上方
から照射、および同方向に等速かつ直線的に振らせる手
段と、該走査方向に沿って被検査物からの光ビームスポ
ットに対する散乱光を検出すべく設けられた検出手段と
よシ成る異物検査装置。 ２ 上記被検査物表面を走査する光ビームスポットの入
射角が被検査物表面のどの位置においても一定である特
許請求の範囲第１項記載の異物検査装置。 ３ 上記照射光ビームスポットは被検査物表面に平行な
Ｓ偏光波である特許請求の範囲第１項記載の異物検査装
置。 ４ 上記検出手段は、光ビームスポット走査方向に沿っ
て被検査物からの光ビームスポットに対する散乱光から
Ｐ偏光波のみを検光検出する手段とする特許請求の範囲
第１項記載の異物検査装置。 ５ 上記検査物はガラス基板に貼υ付けた異物付着防止
膜とする特許請求の範囲第１項記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7752684A JPS60222756A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7752684A JPS60222756A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60222756A true JPS60222756A (ja) | 1985-11-07 |
Family
ID=13636415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7752684A Pending JPS60222756A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60222756A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341038A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ異物検査装置 |
| JPH04203956A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | Bando Chem Ind Ltd | 外観検査方法および装置 |
| US5331396A (en) * | 1991-10-08 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Foreign matter detection device |
| US5448350A (en) * | 1990-07-19 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface state inspection apparatus and exposure apparatus including the same |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP7752684A patent/JPS60222756A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341038A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ異物検査装置 |
| US5448350A (en) * | 1990-07-19 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface state inspection apparatus and exposure apparatus including the same |
| JPH04203956A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | Bando Chem Ind Ltd | 外観検査方法および装置 |
| US5331396A (en) * | 1991-10-08 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Foreign matter detection device |
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