JPS5982726A - ペリクル付基板の異物検査装置 - Google Patents
ペリクル付基板の異物検査装置Info
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- JPS5982726A JPS5982726A JP57192461A JP19246182A JPS5982726A JP S5982726 A JPS5982726 A JP S5982726A JP 57192461 A JP57192461 A JP 57192461A JP 19246182 A JP19246182 A JP 19246182A JP S5982726 A JPS5982726 A JP S5982726A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
- G01N2015/0238—Single particle scatter
-
- G—PHYSICS
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4792—Polarisation of scatter light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ペリクル保護膜体を装着した基板板圧装着さ
れたペリクル保護膜体を示す。このペリクル保護膜体は
ペリクル保護膜２とペリクル保護膜２の取付枠３とから
構成される。そして枠３と基板１とは、接着剤又は、両
面接着テープ等により固定装着される。
れたペリクル保護膜体を示す。このペリクル保護膜体は
ペリクル保護膜２とペリクル保護膜２の取付枠３とから
構成される。そして枠３と基板１とは、接着剤又は、両
面接着テープ等により固定装着される。
このように基板１にペリクル保護膜体を装着した状態で
枠３に囲まれた基板上の異物検査を行う場合、第２図に
おけるように枠３内の有効検査領域４を指定する必要が
ある。ここで領域５は、基板上のパターン領域である。
枠３に囲まれた基板上の異物検査を行う場合、第２図に
おけるように枠３内の有効検査領域４を指定する必要が
ある。ここで領域５は、基板上のパターン領域である。
即ち、枠３と基板１との相対的な取付位置関係には、一
般にバラツキがあるため、有効検査領域４と枠３との干
渉を避ける必要がある。従来の装置では、基板毎に人が
測定し、領域を指定するといった手間を要する。又、取
付のバラツキを無視できるようなパターン領域に比べて
十分大きな枠を持ったペリクル保護膜を使用しなければ
ならないという欠点があった。なお、６．７はレチクル
の中心線である。
般にバラツキがあるため、有効検査領域４と枠３との干
渉を避ける必要がある。従来の装置では、基板毎に人が
測定し、領域を指定するといった手間を要する。又、取
付のバラツキを無視できるようなパターン領域に比べて
十分大きな枠を持ったペリクル保護膜を使用しなければ
ならないという欠点があった。なお、６．７はレチクル
の中心線である。
本発明の目的は、従来装置の欠点を無くし、ペリクル保
護膜装着した状態で枠に囲まれた検査領域から正確に異
物検査を行えるようにした異物検査装置を提供すること
にある。
護膜装着した状態で枠に囲まれた検査領域から正確に異
物検査を行えるようにした異物検査装置を提供すること
にある。
本発明はペリクル保護膜を装着したフォトマスクやレチ
クル等の基板を検査する前に、枠と基板の相対的な取付
位置関係を測定し、有効検査領域を自動的に設定できる
ようにしたことを特徴とするものである。
クル等の基板を検査する前に、枠と基板の相対的な取付
位置関係を測定し、有効検査領域を自動的に設定できる
ようにしたことを特徴とするものである。
ペリクル保護膜の枠は、アルミニウム等の金属材料でで
きているため、光の反射や散乱または機械的な接触セン
サ、またはエアマイクロケージ、静電、電磁等の非接触
センサにより、枠の位置を知ることが可能である。本発
明は、この性質を利用したものである。
きているため、光の反射や散乱または機械的な接触セン
サ、またはエアマイクロケージ、静電、電磁等の非接触
センサにより、枠の位置を知ることが可能である。本発
明は、この性質を利用したものである。
以下、本発明の実施例をいくつか説明する。
第３図は、偏光レーザを用いた異物検査装置の光学系の
原理を示したものである。
原理を示したものである。
ｆθレンズ１１を介して、レーザ発振器８より出力され
、Ｓ偏光子９で変換されたＳ偏光レーザ１０を基板１に
対し、入射角αを２２．５°±１５°で斜めから照射し
スポット１２を作る。パターン及び異物からの散乱光を
直角（９ｏ°±１ｏ°）に置いた光電子増倍管１８でう
けるが、Ｓ偏光のみ透過させる偏光板１５を介すると、
異物からの散乱光の４を抽出できる。集光レンズ１６と
スリット１７により、スポット１２以外からの散乱光は
遮光する。この時、光電子増倍管１８は、角度βを２２
．５゜±１５°に傾けて設け、ペリクル保護膜２の枠３
による干渉を避けている。この検出光学系１９を第４図
及び第５図１９α、１９ｈのように配置し、レーザ１０
α、１０ｂ及び光電子増倍管１９α、１９ｈを切替えれ
ば、ペリクル保護膜を装着した状態でも枠による干渉を
うけない。
、Ｓ偏光子９で変換されたＳ偏光レーザ１０を基板１に
対し、入射角αを２２．５°±１５°で斜めから照射し
スポット１２を作る。パターン及び異物からの散乱光を
直角（９ｏ°±１ｏ°）に置いた光電子増倍管１８でう
けるが、Ｓ偏光のみ透過させる偏光板１５を介すると、
異物からの散乱光の４を抽出できる。集光レンズ１６と
スリット１７により、スポット１２以外からの散乱光は
遮光する。この時、光電子増倍管１８は、角度βを２２
．５゜±１５°に傾けて設け、ペリクル保護膜２の枠３
による干渉を避けている。この検出光学系１９を第４図
及び第５図１９α、１９ｈのように配置し、レーザ１０
α、１０ｂ及び光電子増倍管１９α、１９ｈを切替えれ
ば、ペリクル保護膜を装着した状態でも枠による干渉を
うけない。
１０．１０α、１０ｈはＳ偏光レーザ、２０，２０ｚ、
２０Ａ ハ偏向ミラー、１１，１１ａ、１１ｂはｆθレ
ンズ、１９ａ。
２０Ａ ハ偏向ミラー、１１，１１ａ、１１ｂはｆθレ
ンズ、１９ａ。
１９ｈは検出光学系である。回路パターンを形成したフ
ォトマスクやレチクル等の基板１は、Ｘ方向をステージ
により駆動し、Ｙ方向は、偏向ミラー２０，２０ａ、２
０ｈによるレーザスポットの走査により全面の検査を行
なう。
ォトマスクやレチクル等の基板１は、Ｘ方向をステージ
により駆動し、Ｙ方向は、偏向ミラー２０，２０ａ、２
０ｈによるレーザスポットの走査により全面の検査を行
なう。
第５図の場合、１３α、１３ｈは対称的に配置されたミ
ラーである。
ラーである。
レーザ１０α、１０ｂ及び検出光学系１９ａ、１９ｈの
切替え方法は次の通りである。第５図の場合１４は切替
え用ミラーである。
切替え方法は次の通りである。第５図の場合１４は切替
え用ミラーである。
・ ３
基板１上の領域Ａは、レーザ１１ｂ、検出光学系１９ｈ
により検査され、以下同様に、領域Ｂはレーザ１１ｈ、
検出光学系１９α、領域Ｃは、レーザ１１α、検出光学
系１９ｈ、領域りは、レーザ１１α、検出光学系１９α
により、各々検査される。
により検査され、以下同様に、領域Ｂはレーザ１１ｈ、
検出光学系１９α、領域Ｃは、レーザ１１α、検出光学
系１９ｈ、領域りは、レーザ１１α、検出光学系１９α
により、各々検査される。
第６図は、検出回路の概略、第７図は、タイミングを示
す。光電子増倍管１８α、１８ｂの後に増幅回路２１α
、２１ｂを設け、偏向ミラー２０α、２０ｈの駆動信号
４１（第７図（Ｂ）に示す。）により発生するタイミン
グパルス４２（第７図ＣＣ）に示す。）に同期させた切
替パルス４６（第７図ＣＤ）に示す。）を用い、アナロ
グスイッチ２２を切替え、Ａ、Ｃ領域の場合は、光電子
増倍管１８ｈを信号４４（第７図（Ｅ）に示す。）のよ
うに、又、Ｂ、Ｄ領域の場合は光電子増倍管１８αを信
号４５（第７図（Ｆ）に示す。）のように選択する。増
倍回路２３を通った信号は、閾値２４と比較器２５によ
り比較され、異物等により、散乱光レベルが閾値な越え
た時レーザ光の走査座標２６．２７を、ゲート２８α、
２８ｈを介してメモリー回路２９及び表示回路６ｏに送
る。
す。光電子増倍管１８α、１８ｂの後に増幅回路２１α
、２１ｂを設け、偏向ミラー２０α、２０ｈの駆動信号
４１（第７図（Ｂ）に示す。）により発生するタイミン
グパルス４２（第７図ＣＣ）に示す。）に同期させた切
替パルス４６（第７図ＣＤ）に示す。）を用い、アナロ
グスイッチ２２を切替え、Ａ、Ｃ領域の場合は、光電子
増倍管１８ｈを信号４４（第７図（Ｅ）に示す。）のよ
うに、又、Ｂ、Ｄ領域の場合は光電子増倍管１８αを信
号４５（第７図（Ｆ）に示す。）のように選択する。増
倍回路２３を通った信号は、閾値２４と比較器２５によ
り比較され、異物等により、散乱光レベルが閾値な越え
た時レーザ光の走査座標２６．２７を、ゲート２８α、
２８ｈを介してメモリー回路２９及び表示回路６ｏに送
る。
、 ４ 。
なお、この時、Ｘ方向は第７図（りに示す信号４２を積
算したテーブルの駆動、Ｙ方向は第７図（７）に示すク
ロック信号４０を用いた偏向ミラーの駆動により、各々
走査される。
算したテーブルの駆動、Ｙ方向は第７図（７）に示すク
ロック信号４０を用いた偏向ミラーの駆動により、各々
走査される。
この異物検査装置の散乱光検出機能を用いてペリクル保
護膜の枠の位置を求める一実施例をまず説明する。
護膜の枠の位置を求める一実施例をまず説明する。
第８図は、検査光学系をＹ方向から見た図である。ｆ・
θレンズ１１α又は１１ｈからのレーザスポット１２は
、基板１上で形成される。この基板１をＺ方向に動かし
、第９図のようにすると、ペリクル保護膜２上にスポッ
ト１２が形成される。
θレンズ１１α又は１１ｈからのレーザスポット１２は
、基板１上で形成される。この基板１をＺ方向に動かし
、第９図のようにすると、ペリクル保護膜２上にスポッ
ト１２が形成される。
この状態で、Ｘ方向及び、Ｙ方向にレーザスポット１２
を走査すると、スポット１２が枠３の上に来た時、枠で
の散乱により、第１０図（Ａ）に対応して第１０図（Ｂ
）に示すような光電子増倍管出力４６を得る。第１０図
（Ｂ）において、２４は閾値、４７は枠によるピーク、
４８は異物４９によるピークである。
を走査すると、スポット１２が枠３の上に来た時、枠で
の散乱により、第１０図（Ａ）に対応して第１０図（Ｂ
）に示すような光電子増倍管出力４６を得る。第１０図
（Ｂ）において、２４は閾値、４７は枠によるピーク、
４８は異物４９によるピークである。
第１１図は、枠３によるピーク４７とペリクル膜上の異
物４９によるピーク４８を弁別する回路を示したもので
ある。第６図において光電子増倍管のレベルが閾値２４
を越えていることを示す信号５０がＯＮになっている期
間をクロック４０を用いて、カウンタ５２により測定す
る。閾値以下になり信号５０がＯＦＦとなると、信号５
０の立ち下がりをシュミットトリガ回路５３で検出し、
それまでのカウンタ出力を、前もって設定した値Ｗと比
較器５６により比較し、信号５７を発生する。設定値（
クロック数）Ｗよりもカウンタ５２．の値が大きげれば
枠とみなし、小さければ異物とする。
物４９によるピーク４８を弁別する回路を示したもので
ある。第６図において光電子増倍管のレベルが閾値２４
を越えていることを示す信号５０がＯＮになっている期
間をクロック４０を用いて、カウンタ５２により測定す
る。閾値以下になり信号５０がＯＦＦとなると、信号５
０の立ち下がりをシュミットトリガ回路５３で検出し、
それまでのカウンタ出力を、前もって設定した値Ｗと比
較器５６により比較し、信号５７を発生する。設定値（
クロック数）Ｗよりもカウンタ５２．の値が大きげれば
枠とみなし、小さければ異物とする。
このような操作をレチクル中央線６，７に沿って行ない
ｘ、Ｙの枠位置を決定し、この枠の内側に一定の距離を
おいて有効検査領域４を定める。
ｘ、Ｙの枠位置を決定し、この枠の内側に一定の距離を
おいて有効検査領域４を定める。
次に第１２図に、反射光強度を用いて枠の取付位置を求
める実施例を示す。レーザ６０等のビーム状の光６１を
ペリクル保護膜２上に斜方から照射し、反射光をスリッ
ト６２を介して受光素子６３に受けるもので、ビーム状
の光６１が下に枠３の無いペリクル保護膜２上に照射さ
れると、光は透過されるため受光レベルが低いが、下に
枠３があると、正反射光が受光素子６３に受光され、受
光レベルが上昇し、枠取付位置が検出できる。
める実施例を示す。レーザ６０等のビーム状の光６１を
ペリクル保護膜２上に斜方から照射し、反射光をスリッ
ト６２を介して受光素子６３に受けるもので、ビーム状
の光６１が下に枠３の無いペリクル保護膜２上に照射さ
れると、光は透過されるため受光レベルが低いが、下に
枠３があると、正反射光が受光素子６３に受光され、受
光レベルが上昇し、枠取付位置が検出できる。
このようなセンサを異物検査装置内の一部に取付ける。
第１３図は機械的な接触センサを用いた実施例である。
枠６にビン７１を押しあて、ピンの移動量を位置検出上
ンサ７０で読取り、枠位置を算出するものである。
ンサ７０で読取り、枠位置を算出するものである。
また、第１４図は、ペリクル保護膜の枠３が誘磁性体で
できている場合Ｋ、非接触電磁センサ７２を用いて枠位
置を検出する実施例を示している。
できている場合Ｋ、非接触電磁センサ７２を用いて枠位
置を検出する実施例を示している。
なお、基板の表裏面検査を行なう必要がある場合には、
枠位置の検出機構を表裏２組設ければよい。
枠位置の検出機構を表裏２組設ければよい。
以上説明したように、本発明によれば、ペリクル保護膜
を装着した基板の異物の有効検査領域を自動的に設定す
ることができるため、ベリ、 ７ 。
を装着した基板の異物の有効検査領域を自動的に設定す
ることができるため、ベリ、 ７ 。
クル保護膜の取付位置にバラツキがあっても操作上の面
倒がな（、また異物の枠との区別もできるため、検出能
力が著しく向上するなどの効果を奏する。
倒がな（、また異物の枠との区別もできるため、検出能
力が著しく向上するなどの効果を奏する。
第１図はペリクル保護膜装着状態の斜視図、第２図は基
板の正面図、第３図は異物検査原理を示す斜視図、第４
図は走査系を示す上面図、第５図は第３図及び第４図に
示す原理を用いた異物検査装置を示す図、第６図は回路
構成図、第７図はそのタイミング図、第８図及び第９図
は基板側断面図、第１０図は出力信号図、第１１図は枠
、異物弁別回路図、第１２図は他の一実施例を示す装置
側面図、第１３図は更に他の一実施例子 を示す装置上面図、第１図は更に他の一実施例″を示す
装置側面図である。 １・・・・・−・・・・・・・・基板 ２・・・・・
−・・・・−・・ ペリクル保護膜３・・・・・−・・
・・・・・・枠 ４・・・・・−・・・・・・・・
有効検査領域１１、ｆθ・・・ レンズ １２・・・曲
・−・・ レーザスポット１８・・・・・・・・・・・
・光電子増倍管代理人弁理士 薄 １）利−幸 ・ ８ ・ 第 ４ 図 −１０６− 鷺 ら Ｇコ ）Ｋ ｃ Ｕ口 尾 ７ 図 （Ｆ）４５ 篤 ８ 図 鷺 ＩＯ国 嶌 １１ 口 砧 弔 １２ 叱 弔 ）３ 図 ’７゜ ゛ リｆ ′ｌ”？＋ ’７／ ” ワｌ 第 １４ −１０８−
板の正面図、第３図は異物検査原理を示す斜視図、第４
図は走査系を示す上面図、第５図は第３図及び第４図に
示す原理を用いた異物検査装置を示す図、第６図は回路
構成図、第７図はそのタイミング図、第８図及び第９図
は基板側断面図、第１０図は出力信号図、第１１図は枠
、異物弁別回路図、第１２図は他の一実施例を示す装置
側面図、第１３図は更に他の一実施例子 を示す装置上面図、第１図は更に他の一実施例″を示す
装置側面図である。 １・・・・・−・・・・・・・・基板 ２・・・・・
−・・・・−・・ ペリクル保護膜３・・・・・−・・
・・・・・・枠 ４・・・・・−・・・・・・・・
有効検査領域１１、ｆθ・・・ レンズ １２・・・曲
・−・・ レーザスポット１８・・・・・・・・・・・
・光電子増倍管代理人弁理士 薄 １）利−幸 ・ ８ ・ 第 ４ 図 −１０６− 鷺 ら Ｇコ ）Ｋ ｃ Ｕ口 尾 ７ 図 （Ｆ）４５ 篤 ８ 図 鷺 ＩＯ国 嶌 １１ 口 砧 弔 １２ 叱 弔 ）３ 図 ’７゜ ゛ リｆ ′ｌ”？＋ ’７／ ” ワｌ 第 １４ −１０８−
Claims (1)
- 基板に装着ペリクル保護膜体の枠の取付位置を検出手段
で検出し、この検出された枠の取付位置にもとづいて、
この枠で囲まれた検査領域に存在する異物を検出するこ
とを特徴とする異物検出方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192461A JPS5982726A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | ペリクル付基板の異物検査装置 |
| US06/548,516 US4669875A (en) | 1982-11-04 | 1983-11-03 | Foreign particle detecting method and apparatus |
| US07/360,971 USRE33991E (en) | 1982-11-04 | 1989-06-02 | Foreign particle detecting method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192461A JPS5982726A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | ペリクル付基板の異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982726A true JPS5982726A (ja) | 1984-05-12 |
| JPH0430575B2 JPH0430575B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=16291678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192461A Granted JPS5982726A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | ペリクル付基板の異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982726A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250313A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Hitachi Ltd | 外観検査方法 |
| JPH032546A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Canon Inc | 異物検査装置 |
| JPH09204038A (ja) * | 1996-09-24 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法 |
| WO2005052687A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Nikon Corporation | 異物検査装置及び方法並びに露光装置 |
| US7733476B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-06-08 | Horiba, Ltd. | Defect inspection apparatus and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942051A (ja) * | 1972-08-28 | 1974-04-20 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57192461A patent/JPS5982726A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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