JPH0511257B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は板状の被検査物上に付着した微小なゴ
ミや傷等の異物を光ビームの走査によつて検査す
る装置に関し、特に半導体集積回路の製造に使わ
れるフオトマスクやレチクルに付着した異物を検
査する装置に関する。

（発明の背景） ICやLSI製造用のフオトマスクやレチクル（以
下、代表的にマスクと呼ぶ）に付着した異物（微
小なゴミや傷）は、露光用の光を遮光するクロム
等のパターンと同様に、半導体ウエハ（以下ウエ
ハとする）上のフオトレジスト層に転写されてし
まう。このことは製造された半導体集積回路の動
作不良や、著しい歩留りの低下を招くことを意味
する。そこで例えば特開昭57−128834号公報に開
示されているように、レーザ光等の光ビームをマ
クス上で走査し、異物からの光情報、特に指向性
の弱い散乱光を複数の方向に配置した光電検出器
によつて光電検出し、その光電信号に基づいて、
異物の付着の有無や、その付着状態及び異物の大
きさ等を自動的に検査する装置が提案されてい
る。この種の装置の異物検出感度は、レーザ光の
強度、マスク上のレーザ光のスポツトサイズ、又
は光電検出器（例えばフオトマルチプライヤ）の
感度等によつて決定される。この異物検出感度が
検査の毎に一定でないと、異なるマスクに同一の
大きさ、形状の異物が付着しているにもかかわら
ず、マスク毎に検査結果が大きく狂つてくること
になる。そこでレーザ光の強度検出のために、異
物検出用の光電検出器とは別の光電変換素子を使
つてレーザの光量測定をしたり、また異物検出用
の光電検出器の感度を検出するために、別の基準
発光源（LED等）を装置内の所定位置（ただし
光源検出器の受光面に光が達する位置）に設けた
りすることが考えられている。ところが、レーザ
光の波長とLEDの波長が違つたり、別の光電変
換素子と光電検出器との波長感度特性が違つた
り、あるいは光電検出器の受光面上で、マスク上
の異物からの散乱光が集光する位置と、別光源か
らの光が集光する位置とを必らずしも一致させる
ことができない等の理由のため、レーザ光の強
度、光電検出器の感度を正確に測定できないとい
う欠点があつた。また、この種の装置にはスポツ
トサイズを測定するものがなかつたため、異物の
検出感度はさらに不安定なものになつていた。

（発明の目的） 本発明はこれらの欠点を解決し、簡単な構成で
異物の検出感度を安定させた異物検査装置を得る
ことを目的とする。

（発明の概要） 本発明によれば、板状の被検査物（Ｍ）を光ビ
ーム１ａで走査する走査手段２，５，４と、光ビ
ームによる被検査物上での被照射部から生じる散
乱光に応じた光電信号を出力する光電変換手段１
０，１１，１２とを備え、光電信号に基づいて被
検査物上の異物を検査する装置において、被検査
物の表面と略同一な平面上の光ビームで走査され
得る位置に設けられ、光ビームの走査方向でのビ
ーム幅よりも狭い幅に入射する光を散乱する散乱
部２０ａを備えた基準パターン２０ａ，２０ａと
３０ａと３０ｂと；光ビームが前記基準パターン
を走査したときに散乱部から生じる散乱光が発生
する時間幅情報に基づいて前記ビーム幅に関する
情報を検出するビーム幅検出手段４２と；所定の
基準情報を予め記憶するとともに、被検査物の異
物検査に先立つて、記憶された基準情報と少なく
とも前記ビーム幅に関する情報とを比較すること
によつて、異物の検査感度の変化を検出する検出
手段４２を有することを技術的要件としている。

（実施例） 第１図は本発明の実施例に好適な異物検査装置
の概略的な構成を示す斜視図である。基本的な構
成は、特開昭57−128834号公報に詳細に開示され
ている装置と同一なので、こでは簡単に説明す
る。レーザ光源１からのレーザ光１ａは光偏向器
（振動ミラー等）２によつて所定角度だけｘ方向
に偏向され、結像レンズ３を介してマスクＭの表
面（上面）にスポツト光として焦点を結ぶ。第１
図で光偏向器２からマクスＭに至るレーザ光１ａ
の入射角度はマスクＭの回路パターンの影響を考
慮して70°〜80°（マスクＭの表面に対して20°〜
30°）に定められている。光偏向器２の働きでレ
ーザ光１ａのスポツト光はマクスＭの表面をｘ方
向にほぼ直線的に延びた走査軌道に沿つて走査
する。マスクＭはその表面がxy平面と平行にな
るようにスライダー４に載置される。スライダー
４はマスクＭの周辺部のみを保持するような枠状
の形をしており、モータ５によつてｘ方向と直行
するｙ方向（矢印Ａの方向）に移動する。光偏向
器２とスライダー４によつて、レーザ光１ａのス
ポツト光はマスクＭの表面を２次元的に走査（ラ
スタ走査）する。さて、マスクＭの表面の走査軌
道を異なる方向から見込む３ケ所には、光電変
換手段としての受光素子（フオトマルチプライヤ
等）１０，１１，１２が配置されている。そして
受光素子１０，１１，１２のそれぞれの前方には
走査軌道中から発生した散乱光を効率よく受光
面に集光するための集光レンズ１０ａ，１１ａ，
１２ａが配置されている。そして各集光レンズ１
０ａ，１１ａ，１２ａの各光軸１，２，３
はマスクＭの表面に対して小さな角度（5°〜45°）
になるように定められるとともに、走査軌道の
ｘ方向の中心と交わるように定められている。ま
た光軸１のxy平面への写像は走査軌道と一
致し、光軸２，３のxy平面への写像は走査
軌道に対して、それぞれ所定の角度（30°〜
45°）になるように、かつ光軸２と３が走査
軌道の中心に対してｘ−ｚ平面に対しほぼ面対
照になるように定められている。尚、スライダー
４のｙ方向の位置はリニアエンコーダ等の測長器
６によつて検出される。

さて、本装置にはこのスライダー４の先端側に
ｘ方向の長さがマスクＭの幅（又は走査軌道の
長さ）と同程度で、かつ厚さがマスクＭと同程度
の平面ガラスによる基準指標板２０が設けられて
いる。基準指標板２０の表面はマスクＭの表面と
同一の平面上になるように定められている。第２
図は基準指標板２０の第１の実施例による詳細構
成を示す部分斜視図である。本実施例では基準指
標板２０のガラス表面（レーザ光入射側）に、検
出すべき異物の標準的な大きさと同程度で、かつ
レーザ光１ａの走査軌道上でのスポツト光のサ
イズ（1μｍ〜100μｍ）よりも小さく、厚さが0.1μ
ｍ〜10μｍ程度のクロム等の薄膜による固形物質
３０を基準パターンとして貼り付けてある。第２
図で固形物質３０は矩形であるが、円形等、他の
形状にしても一向にさしつかえない。このような
固形物質３０にレーザ光１ａのスポツトが照射さ
れると、基準指標板２０と固形物質３０との凹凸
の段差エツジ部の全てから散乱光がいろいろな方
向に生じる。すなわち異物からの散乱光と同様な
散乱光が発生する。第２図のような固形物質３０
は基準指標板２０の１ケ所に設ければ、受光素子
１０，１１，１２の受光感度の単純な測定に関し
ては十分であるが、レーザ光１ａのスポツトの走
査位置、すなわち走査軌道上のｘ方向の位置に
応じた受光感度測定も行なう場合は、固形物質３
０をｘ方向に一定の間隔で複数配列しておくとよ
い。

第３図は本装置の信号処理回路の簡単な回路ブ
ロツク図である。３つの受光素子１０，１１，１
２からの各光電信号は検出回路４０に入力する。
検出回路４０は先の特開昭57−128834号公報、又
は特開昭58−62544号公報に詳しく開示されてい
るように、マクスＭ上のクロム等の回路パターン
からの散乱光と異物からの散乱光とを弁別して、
レーザ光１ａのスポツトが異物を照射したとき検
出信号４０ａを出力する。さらに検出回路４０は
検出した異物から散乱光の量に応じた光量情報４
０ｂも出力する。この光量情報４０ｂは異物の大
きさを認定するために使われる。駆動回路４１は
光偏向器２にレーザ光走査のための走査信号を出
力する。走査信号はスポツト光の走査軌道上で
のｘ方向の位置に対応しているものとする。さ
て、この走査信号、検出信号４０ａ、光量情報４
０ｂ、及び測長器６からの位置情報は、中央処理
回路（デジタルコンピユータ等）４２に入力す
る。中央処理回路４２は検出信号４０ａが発生す
るたびに、そのときの光量情報４０ｂと、走査信
号に基づくｘ方向の位置情報と、測長器６からの
ｙ方向の位置情報とを順次記憶する。そして、レ
ーザ光１ａの走査がマスクＭの全面について終了
した後、中央処理回路４２はその記憶された各情
報に基づいて、マスクＭ上の異物の付着位置とそ
の異物の大きさを統計的な手法によりランク分け
した情報（クラスＡ，Ｂ，Ｃ等）とを、表示装置
（CRT）４３に表示する。また中央処理回路４２
は測長器６からの位置情報に基づいてスライダー
４のｙ方向の移動位置を制御するようにモータ５
を駆動する。本実施例では受光素子１０，１１，
１２がフオトマルチブライヤ（光電子増倍管）で
構成されているものとする。そこで、受光素子１
０，１１，１２の受光感度を調整するために、フ
オトマルチブライヤにバイアスとして印加される
高電圧を中央処理回路４２からの指令で変化させ
ることのできるバイアス回路４４（感度較正手
段）を設ける。尚、受光素子１０，１１，１２が
固体受光素子（フオトダイオード等）の場合は、
可変利得増幅器によつて光電信号を増幅し、バイ
アス回路４４の代りに各可変利得増幅器のゲイン
を調整するゲイン制御回路を設ければ、受光感度
の調整が同様に行なえる。このような受光感度の
調整によつて、レーザ光１ａが同一の異物、又は
基準指標板２０の固形物質３０を照射したときに
得られる光量情報４０ｂの大きさが変化する。

次に本実施例の動作を第４図のフローチヤート
図に沿つて説明する。第４図中のステツプ100，
101，102，104はマスクＭの異物検査の前に行わ
れる動作であり、以後の説明を簡単にするため、
中央処理回路４２には装置の製造時に、実際の異
物の大きさに応じて受光感度を調整した上で、固
形物質３０から発生する散乱光に応じた光量情報
４０ｂの大きさ（電圧値）が記憶されているもの
とする。

マスクＭをスライダー４に第１図のように載置
した後、中央処理回路４２はステツプ100でレー
ザ光１ａの走査軌道が基準指標板２０上の固形
物質３０を横切るように、スライダー４のｙ方向
の位置決めを行なう。次に中央処理回路４２はス
テツプ101で、３つの受光素子１０，１１，１２
の固形物質３０からの散乱光に応じた光電信号に
相当する光量情報４０ｂを読み込み、ステツプ
102でその光量情報４０ｂの大きさと、予め記憶
されている受光感度調整時の光量情報の大きさと
を比較する。この比較で３つの受光素子１０，１
１，１２に関して夫々差がないときは、異物検出
感度が所期の値（装置製造時の値）から変化して
いないことになるので、中央処理回路４２は次の
ステツプ103を実行する。もしこのステツプ102で
差があるときは、ステツプ104で中央処理回路４
２は受光素子１０，１１，１２の受光感度を所期
の値に変えるべく、バイアス回路４４を介してフ
オトマルチプライヤのバイアス電圧を調整する。
そして中央処理回路４２は再びステツプ101から
同様の動作を繰り返す。

さて、ステツプ102で受光素子１０，１１，１
２のそれぞれの受光感度が所期の値に調整された
と判断されると、中央処理回路４２はステツプ
103でスライダー４をｙ方向に一定の速度で送り、
マスクＭの全面をレーザ光１ａのスポツトでラス
タ走査する。この走査の間、マスクＭ上に異物が
あれば、中央処理回路４２はそのｘ，ｙ方向の位
置（座標値）と、異物の大きさに関係する光量情
報４０ｂとを順次記憶する。そしてスライダー４
のｙ方向の走査が終了した時点で、中央処理回路
４２は先に説明したように、異物の位置とランク
分けした分類（Ａ，Ｂ，Ｃ等）とを表示する。

また、本実施例による固形物質３０を基準指標
板２０のｘ方向に所定間隔で複数設けると、走査
軌道上の走査位置（ｘ方向の位置）に応じて異
物検出感度を調整することができる。この場合、
複数の固形物質３０の各々からの散乱光に相当す
る光量情報４０ｂを装置製造時等に予め記憶して
おき、異物検査のたびに基準指標板２０をレーザ
光１ａで走査して、ｘ方向における異物検出感度
の製造時からのずれを検出する。そしてｘ方向の
位置について検出感度のずれ（差）が生じた場合
は、中央処理回路４２が異物の大きさを判定（分
類）する際、その異物のｘ方向の座標値に対応し
た検出感度のずれを見込んで判定するように、ソ
フトウエア等で補正する。またハードウエア的に
は特開昭58−62544号公報に開示されているよう
に、レーザ光１ａのｘ方向の走査位置に同期し
て、各受光素子１０，１１，１２からの光電信号
の増幅率を変化させるアンプを設け、ｘ方向に関
する異物検出感度のずれを補正するように、アン
プの増幅率の変化特性を変更すればよい。また本
実施例の固形物質３０はガラス面に平面的に粘着
したものであるが、ガラスの微粉等の立体的なも
のであつても同様の効果が得られる。

以上、本実施例に好適な装置では３つの受光素
子１０，１１，１２をそれぞれマスクＭのレーザ
光入射側の面を異なる方向から見込むように配置
したが、回路パターンが複雑でない場合や、回路
パターンのないブランクガラス等の場合は、受光
素子は２ケ所、又は１ケ所だけに設けるようにし
てもよい。また特開昭58−62544号公報に開示さ
れているように、マスクＭの上面側と下面側とに
対称的に一対の受光素子を配置し、上面側に発生
する散乱光と下面側に発生する散乱光とを比較す
ることによつて異物の付着状態を正確に判断し、
露光の際に真に害を及ぼす異物のみを検出するよ
うな装置に本発明を適用しても、全く同様の効果
が得られる。この場合、光路切替ミラー等によつ
てレーザ光１ａがマスクＭの裏面（下面）から入
射するように切替え、裏面に付着した異物を検査
することもある。そこで第１図に示した基準指標
板２０の裏面にも第２図と同様の固形物質３０を
設け、それを使つてマスクＭの下面側を見込む受
光素子の受光感度調整を本実施例と同様の手順で
行なえばよい。またこのようにマスクＭの上下面
側に生じる散乱光を比較する方式の装置では、基
準指表板２０が透明である点を利用して、固形物
質３０から上下面側に生じる散乱光をそれぞれ検
出して、上面側、を見込む受光素子と下面側を見
込む受光素子との両光電信号の比が所期の値にな
るように、受光感度を調整することもできる。そ
れ以外にマスクＭのレーザ光入射側の上面で生じ
る正反射光と、裏面に透過する光とを比較して、
不透明な異物を検出するような装置であつても同
様である。尚、レーザ光１ａはマスクＭに垂直に
入射するような構成にしてもよいし、またレーザ
光１ａに偏光特性を持たせ、受光素子の前に偏光
フイルターを設け、回路パターンからの散乱光又
は反射光の偏光状態と、異物からの散乱光の偏光
状態とが異なることを利用して、異物のみを検出
するような方式の装置に本発明を適用しても同様
の効果が得られる。

第５図は本発明の第２の実施例による基準パタ
ーンを設けた基準指標板２０の部分的な斜視図で
ある。本実施例では、基準指標板２０のガラス表
面に、第２図の固形物質３０と同じ大きさ、形状
の拡散部（すりガラス）２０ａを形成する。この
ような拡散部２０ａはエツチングや機械的な加工
で容易に作ることができる。拡散部２０ａは固形
物質３０よりもレーザ光の散乱性がよく（散乱光
の指向性が弱い）、実際の異物からの散乱光の発
生状態と近い状態で再現できる。この拡散部２０
ａも固形物質３０と同様に、ｘ方向に複数設けた
り、基準指標板２０の裏面にも設けたりすれば、
第１の実施例と同様の効果が得られる。また拡散
部２０ａをｘ方向に細長く伸びたスリツト状にす
れば、スポツト光のｘ方向の走査位置に応じた異
物検出感度のむらを精密に検出することができ
る。

第６図は本発明の第３の実施例による基準パタ
ーンを設けた基準指標板２０の部分的な斜視図で
ある。この実施例は異物検出感度を左右する１つ
の要因であるレーザ光のスポツトサイズ、強度も
検出するものである。基準指標板２０のレーザ光
入射側のガラス面には矩形状に形成されたクロム
等の遮光性の薄膜３０ａ、３０ｂがｘ方向に隣接
して設けられている。薄膜３０ａと３０ｂのｘ方
向の間には、幅がレーザ光１ａのスポツトサイズ
よりも小さいスリツトＳが形成される。また薄膜
３０ａと３０ｂの全体の大きさ（面積は）スポツ
トサイズよりも大きく定められている。一方、基
準指標板２０の裏面にはスリツトＳのｘ方向の位
置に対応して矩形状の拡散部２０ａが形成されて
いる。拡散部２０ａは第５図の拡散部２０ａと同
等のものであるが、本実施例ではスポツトサイズ
に合せた大きさにするとよい。また、拡散部２０
ａのｙ方向の位置はスリツトＳのｙ方向の位置よ
りもずらしてある。これはレーザ光１ａを基準指
標板２０に斜入射させるためであり、そのずらす
量はレーザ光１ａの入射角に応じている。尚、本
実施例ではスリツトＳの幅を変えることによつ
て、拡散部２０ａからの散乱光量を自由に調整で
きる特長もある。

さて、このような構成で、レーザ光１ａのスポ
ツトが基準指標板２０をｘ方向に走査すると、ス
ポツト光が薄膜３０ａ，３０ｂを横切るとき、第
７図に示すようにスリツトＳを透過したレーザ光
１ａが裏面の拡散部２０ａを照射し、基準指標板
２０の上面側（レーザ入射側）と下面側にと、そ
れぞれ散乱光１ｃ，１ｄが発生する。スリツトＳ
の幅はスポツトサイズよりも小さいので、レーザ
光１ａのスリツトＳを透過する光量の時系列的な
分布は、薄膜３０ａ，３０ｂ表面におけるスポツ
ト光のｘ方向の光強度分布あるいはスポツトサイ
ズに対応する。従つて、拡散部２０ａからの散乱
光１ｃ，１ｄの光量も、それに対応したものとな
り、３つの受光素子１０，１１，１２のそれぞれ
の光電信号波形（ピーク波）も、ｘ方向のスポツ
トサイズあるいは光強度に対応したものになる。
そこで、スポツトサイズを測定するには、受光素
子１０，１１，１２の光電信号を所定レベルで２
値化するコンパレータに入力し、散乱光１ｃ，１
ｄがあるレベル以上で発生している時間幅を計測
する。この時間幅とレーザ光１ａのスポツトの基
準指標板２０上での走査速度（予め解つているも
のとする）とに基づいて、スポツトサイズが演算
できる。また光電信号のピーク値からレーザ光１
ａの強度が測定できる。この演算測定は第３図に
示した中央処理回路４２によつて行なわれる。
尚、スポツト光の走査速度が長時間変化すること
なく一定ならば、散乱光１ｃ，１ｄが発生してい
る時間幅のみを計測するだけでもよい。

以上の動作からも明らかなように、レーザ光１
ａのｘ方向の走査中、薄膜３０ａ，３０ｂはスポ
ツト光の一部のみを透過し、大部分を反射（反射
光１ｂ）するような大きさに定めたので、拡散部
２０ａのｘ方向の幅は薄膜３０ａ，３０ｂのｘ方
向の全幅よりも小さいか、又は等しく定めた方
が、以下の理由で都合がよい。

すなわち、スポツト光が薄膜３０ａ，又は３０
ｂで遮光される前に、レーザ光１ａが裏面の拡散
部２０ａを照射すると、スリツトＳを透過するこ
とによつて生じた散乱光１ｃ，１ｄ以外に過大な
散乱光が発生し、光強度、スポツトサイズの測定
が困難になるばかりでなく、受光素子を疲労させ
るという不都合が生じるからである。ただし、受
光素子を疲労させる程の散乱光が発生しない場合
は、薄膜３０ａ，３０ｂのｘ方向の全幅に対して
拡散部２０ａの幅を大きくしてもよい。この場合
は、スポツト光の一走査期間中に生じる時系列的
な光電信号のうち、薄膜３０ａ，３０ｂの走査位
置に応じた部分の信号以外のところを電気的にマ
スクして、検出しないようにすればよい。

このような薄膜３０ａ，３０ｂと拡散部２０ａ
の対を基準指標板２０のｘ方向の複数の位置に設
ければ、レーザ光１ａのｘ方向の走査位置に応じ
た光強度、スポツトサイズの変化を定量的に検出
することができる。スポツト光の光強度やスポツ
トサイズが予め定められた値（製造調整時の値）
からずれてきた場合は、異物検出感度をそのずれ
に応じて補正してやればよい。具体的には第１の
実施例と同様に、受光素子１０，１１，１２の受
光感度を再調整したり、ソフトウエア的に異物の
大きさの判定基準（ランク分け）を補正したりす
ればよい。もちろん第１、第２の実施例と同様に
散乱光１ｃ，１ｄを検出して単に受光素子の受光
感度を調整することだけに使つてもよい。

さて、本実施例のように、スポツト光の強度や
スポツトサイズが検出できる基準パターンの場
合、その基準パターンを有する基準指標板２０を
スライダー４の移動方向、すなわちｙ方向に延設
してもよい。この場合は、スライダー４の移動
中、スポツト光のｘ方向の走査開始点付近、又は
終了点付近でその基準パターンが走査されるよう
に配置する。このようにしてｙ方向の走査位置に
対応して光強度やスポツトサイズを検出すると、
スライダー４の上下方向（ｚ方向）の直進安定性
が検出できる。このため、異物検出感度のｙ方向
のばらつきもｘ方向と同様に補正することができ
る。また、スリツトＳはｘ方向に伸びたものでも
同様に実施し得る。またスリツトＳの代りにスリ
ツトＳと同等の幅を有するような拡散部２０ａの
みを設けるようにしてもよい。

以上、本発明の第１、第２、第３の実施例を説
明したが、以下に各実施例共通の変形例を述べ
る。固形物質３０、薄膜３０ａ，３０ｂ、拡散部
２０ａ等の基準パターンは露光用のマスクに直接
形成してもよい。この場合、基準パターンはマス
クの有効露光領域（パターン領域）の周辺の複数
の位置に設けると好都合である。特に第３の実施
例のように薄膜３０ａ，３０ｂと拡散部２０ａの
対を設けるときは、マスクの回路パターンの形成
面（パターン面）と同一面に回路パターンと共に
薄膜３０ａ，３０ｂを形成するとよい。また投影
露光装置の解像力や重ね合せ精度等のチエツク用
に作られたテストマスク（テストレチクル）上
に、固形物質３０、拡散部２０ａ、薄膜３０ａ，
３０ｂを２次元的な複数の位置に配置し、このテ
ストマクスをスライダー４に載置して検査すれば
同様の効果が得られる。尚、基準パターンを基準
指標板２０に設け、これをスライダー４に固定し
ておけば、マスクＭがなくても必要なときに異物
検出感度をチエツクできる利点がある。また、レ
ーザ光のスポツトサイズのｙ方向の値はスライダ
ー４を移動させながら、スポツト走査のたびに光
電信号のピーク波形の幅を検出することによつ
て、容易に求められる。さらに、本発明の第１、
第２の実施例による基準パターン（固形物質３
０、拡散部２０ａ）によつても第３の実施例と同
様にスポツトサイズや光強度を散乱光量に基づい
て計測できる。そこでこれら基準パターンをｘ，
ｙ方向に複数設けて、各位置におけるスポツトサ
イズを計測すれば、スライダー４の移動平面（マ
スクＭの表面）のxy平面に対する傾きが検出で
きる。このため、その傾きに応じて、レーザ光１
ａの送光光学系中の光学素子（レンズ、光偏向器
等）の位置を手動又は自動で調整することによつ
て、マスクＭの全面のあらゆる位置でスポツト光
を最小のスポツトサイズで正確に結像させること
ができ、異物検出感度を安定にすることができ
る。

（発明の効果） 以上本発明によれば、ビーム幅よりも狭い幅に
入射する光を散乱する散乱部を備えた基準パター
ンであり、異物から生じる光情報（散乱光や反射
光）と同等の光情報を生じる基準パターンを設け
たので、少なくともビーム幅情報を検出可能とな
り、マスク面の上下変化、結像光学系の特性変化
によるビーム幅の変動、光電変換手段（受光素
子）の感度変動、又は電気回路の経時変化等に起
因した異物検出感度の変化を検出できるという効
果がある。

また、異物の検出感度の変化を検出することに
より検出感度を常に一定に補正することを可能と
し、検査装置としての信頼性が向上するという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に好適な異物検査装置
の概略的な構成を示す斜視図、第２図は第１の実
施例による基準パターンを示す部分斜視図、第３
図は第１図の装置の信号処理回路の回路ブロツク
図、第４図は異物検出感度の調整の一例を含む動
作のフローチヤート図、第５図は本発明の第２の
実施例による基準パターンを示す部分斜視図、第
６図は本発明の第３の実施例による基準パターン
を示す部分斜視図、第７図は第６図のＢ−Ｂ矢視
断面図である。 主要部分の符号の説明、１ａ……レーザ光、２
……光偏向器、４……スライダー、１０，１１，
１２……受光素子、２０……基準指標板、２０ａ
……拡散部、３０……固形物質、３０ａ，３０ｂ
……薄膜、４０……検出回路、４２……中央処理
回路、４４……バイアス回路、Ｍ……マスク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 板状の被検査物を光ビームで走査する走査手
   段と、前記光ビームによる前記被検査物上での被
   照射部から生じる散乱光に応じた光電信号を出力
   する光電変換手段とを備え、該光電信号に基づい
   て前記被検査物上の異物を検査する装置におい
   て、 前記被検査物の表面と略同一な平面上の前記光
   ビームで走査され得る位置に設けられ、前記光ビ
   ームの走査方向でのビーム幅よりも狭い幅に入射
   する光を散乱する散乱部を備えた基準パターン
   と； 前記光ビームが前記基準パターンを走査したと
   きに前記散乱部から生じる散乱光が発生する時間
   幅情報に基づいて前記ビーム幅に関する情報を検
   出するビーム幅検出手段と； 所定の基準情報を予め記憶するとともに、前記
   被検査物の異物検査に先立つて、該基準情報と少
   なくとも前記ビーム幅に関する情報とを比較する
   ことによつて、前記異物の検査感度の変化を検出
   する検出手段を有することを特徴とする異物検査
   装置。 ２ 前記基準パターンは、前記被検査物の被検査
   面と略同一な平面上の前記光ビームで走査され得
   る位置に設けられ前記光ビームの走査方向でのビ
   ーム幅よりも狭い幅を有する光透過部を備えた遮
   光部材と；前記光透過部を透過した前記光ビーム
   を受光し得る位置に設けられた散乱部とを有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   異物検査装置。 ３ 前記散乱部は前記遮光部材が設けられている
   表面に対して反対の前記被検査物の表面とほぼ同
   一の面上に設けられていることを特徴とする特許
   請求の範囲第２項に記載の異物検査装置。 ４ 前記走査手段は前記被検査物を記載して直線
   移動するスライダーと、該スライダーの移動方向
   と略直交する方向に前記光ビームを走査する光偏
   向器とを備え、前記スライダーの前記被検査物載
   置面以外の部分に前記基準パターンを設けたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の異物
   検査装置。 ５ 前記検出された異物の検査感度の変化に基づ
   いて、前記異物の検査感度を所定の値に較正する
   較正手段を有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の異物検査装置。