JPS60237347A

JPS60237347A - 異物検査装置

Info

Publication number: JPS60237347A
Application number: JP59094057A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Imamura; 今村　和則; Shoichi Tanimoto; 昭一谷元; Yukio Kakizaki; 幸雄柿崎
Original assignee: Nikon Corp; Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1984-05-11
Filing date: 1984-05-11
Publication date: 1985-11-26
Also published as: JPH0511257B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（発明の技術分野）本発明は板状の被検査物上に付着した微小なゴミや傷等
の異物を光ビームの走査によって検査する装置に関し、
特に半導体集積回路の製造に使われるフォトマスクやレ
チクルに付着した異物を検査する装置に関する。

（発明の背景）ＩＣ＋ＬＳＩ製造用のフォトマスクやレチクル（以下、
代表的にマスクと呼ぶ）に付着した異物（微小なゴミや
傷）は、露光用の光を遮光するりロム等のパターンと同
様に、半導体ウエノ・（以下ウェハとする）上のフォト
レジスト層に転写されてしまう。このことは製造された
半導体集積回路の動作不良や、著しい歩留りの低下を招
くことを意味する。そこで例えば特開昭５７−１２８８
３４号公報に開示されているように、レーザ光等の光ビ
ームをマスク上で走食し、異物からの光情報、とくに指
向性の弱い散乱光を複数の方向に配置した光電検出器に
よって光電検出し、その光電信号に基づいて、異物の付
着の有無や、その付着状態及び異物の大きさ等を自動的
に検査する装置が提案畑れている。この種の装置の異物
検出感度は、レーザ光の強度、マスク上のレーザ光のス
ポットサイズ、又は光電検出器（例えばフォトマルチプ
ライヤ）の感度等によって決定さｎる。この異物検出感
度が検査の毎に一定でないと、異なるマスクに同一の大
きさ、形状の異物が付着しているにもかかわらず、マス
ク毎に検査結果が大きく狂ってくることになる。そこで
レーザ光の強度検出のために、異物検出用の光電検出器
とは別の光電変換素子を使ってレーザの光量測定をした
り、−１だ異物検出用の光電検出器の感度を検出するた
めに、別の基準発光源（ＬＥＤ等）を装置内の所定位置
（ただし光′亀検出器の受光面に光が達する位置）に設
けたりすることが考えられている。ところが、レーザ光
の波長とＬＥＤの波長が違ったり、別の光電変換素子と
光電検出器との波長感度特性が違ったり、あるいは光電
検出器の受光面上で、マスク上の異物からの散乱光が集
光する位置と、別光源からの光が集光する位置とを必ら
ずしも一致させることができない等の理由のため、レー
ザ光の強度、光電検出器の感度を正確に測定できないと
いう欠点があった。また、この種の装置にはスポットサ
イズを測定するものがなかったため、異物の検出感度は
さらに不安定なものになっていた。

（発明の目的）本発明はこれらの欠点を解決し、簡単な構成で異物の検
出感度を安定させた異物検査装置を得ることを目的とす
る。

（発明の概要）本発明は、板状の被検査物（マスクやレチクル）をレー
ザ光等の光ビームで走査する走査手段（光偏向器、スラ
イダー）と、その光ビームの被検査物上での被照射部か
ら生じる光情報（散乱光、反射光等）にＹＣじた光゛亀
信号全出力する光電変換手段とを備えた異物検査装置に
おいて、被検査物の表面と略同−な平面上の光ビームで
走査され得る位置（マスクやレチクルの表面、又は別の
指標板上）に、異物から生じる光情報と同様の光情報を
発生する基準パターン（クロム等の固形物質やすりガラ
ス等の況欽面）全設けることを技術的安息としてめる。

（実施例）第１図は不発明の実施例に好適な異物検査装置の概略的
な構成を示す＠視図である。基不的な構成（ｄ、特開昭
５７−１２８８３４号公報に詳細に開示されている装置
と同一なので、ここでＶ′ｉ簡単に説明する。レーザ光
源１からのレーザ光１ａは光偏向器（振動ミラー等）２
によって所定角度だけＸ方向に偏向さ１れ、延像レンズ
３を介してマスクＭの表面（上面）にスポット光として
焦点を結ぶ。

第１図で光偏向器２からマスクＭに至るレーザ光１ａの
入射角度はマスクＭの回路パターンの影響を考慮して７
０°〜８０°（マスクＭの表面に対して２０°〜３０°
）に定められている。光偏向器２丸の働きでレーザ】ａのスポット光はマスクＭの表面をｘ
Ｊ向ＶＣＩ・まぼ直膨的に延びブこ走査軌道ｔに溢って
走査する。マスクＭはその表面がｘｙ平面と平行ＩＣな
るようにスライダー４に載置さハる。スライダー４はマ
スクＭの周辺部のみを保持するような枠状の形をしてお
り、モータ５によってＸ方向と直交するｙ方向（矢印Ａ
の方向）に移ｗＪする。

光偏向器２とスライダー４によって、レーザ光１ａのス
ポット光はマスクＭの表面を２次元的に走査（ラスク走
食）する。さて、マスクＭの表面の走査軌道りを異なる
方向から見込む３カ所には、光電変換手段としての受光
素子（フォトマルチプライヤ等）】０．１１．１２が配
置されている。そして受光素子１０．１１．１２のそれ
ぞれの前方には走査軌Ｊｊｉｔ中から発生した散乱光を
効率よく受光面に集光するだめの集光レンズ］Ｏａ、］
ｌａ、１２ａが配置されている。そして各集光レンズ１
０ａ、１１ａ、１２ａの各党＠ｔＳ、ｔ２、ｔ３はマス
クＭの表面に対して小さな角度（５°〜４５°）になる
ように定められるとともに、走査軌道ｔのＸ方向の中心
と交わるように定められている。また光軸ｔ１のｘｙ平
面への写像は走査軌道りと一致し、光軸ｔ２　ｔ３　の
ｘｙ平面への写像は走査軌道ｔに対して、七ｆ１それ所
定の角［（３０°〜４５°）ＶＣなるように、かつ光軸
ｔ２とＬ３が走査軌道ｔの中心にズ・１してＸ方向にほ
ぼ面対称になるように定められている。尚、スライダー
４のＸ方向の位置はリニアエンコーダ等の測長器６によ
って検出される。

さて、不装置にはこのスライダー４の先端側にＸ方向の
長さがマスクＭの幅（又は走査軌道ｔの長さ）と同程度
で、かつ厚さがマスクＭと同程度の平面ガラスによる基
準指標板２０が設けられている。基準指標板２０の表面
はマスクＭの表面と同一の平面上になるように定められ
ている。第２図は基準指標板２０の第１の実施例による
詳細構成を示す部分斜視図である。不実施例では基準指
標板２０のガラス表面（レーザ光入射側）に、検出すべ
き異物の標準的な大きさと同程度で、かつレーザ光１ａ
の走査軌道を上でのスポット光のサイズ（１μｍ〜］０
０１Ｊｒａ）よりも小さく、厚さが０．１μｍ〜１０μ
ｍＳ度のクロム等の薄膜による固形物質３０を基準パタ
ーンとして貼り付りである。

第２図で固形物質３０は矩形でおるが、円形等、他の形
状にしても一向にさしつかえない。このような固形物質
３０にレーザ光１ａのスポットが照射されると、基準指
標板２０と固形物・買３０との凹凸、の段差エツジ部の
全てから散乱光がいろいろな方向に生じる。すなわち異
物からの散乱光と同様な散乱光が発生ずる。第２図の工
うな固形物質３０は嬶準指標板２０の１ケ所に設ければ
、受光素子１０．１１．１２の受光感度の単純な測定に
関しては十分であるが、レーザ光１ａのスポットの走査
位置、すなわち走査軌道り上のＸ方向の位置に応じた受
光感度測定も行なう場合は、固形物質３０をＸ方向に一
定の間隔で複数配列しておくとよい。

第３図は本装置の信号処理回路の簡単な回路ブロック図
である。３つの受光素子】０．１】、】２からの各光電
信号は検出回路４０に入力する。検出回路４０は先の特
開昭５７−１２８８３４号公報、又は特開昭５８−６２
５４４号公報に詳しく開示されているように、マスクＭ
上のクロム等の回路パターンからの散乱光と異物からの
散乱光とを弁別して、レーザ光１ａのスポットが異物を
照射したとき検出信号４０ａを出力する。さらに検出回
路４０は検出した異物から散乱光の量に応じた光ψ情報
４０ｂ・も出力する。この光量情報４０ｂは異物の大き
さを認定するために使われる。駆動回路４】は光偏向器
２にレーザ光走査のための走査信号を出力する。走査信
号はスポット光の走査軌道を上でのＸ方向の位置に応対
しているものとする。

さて、この走査信号、検出信号４０ａ光量情報４０ｂ、
及び測長器６からの位置情報は、中央処理回路（デジタ
ルコンピュータ等）４２に入力するだびに、そのときの
光量情報４０ｂと、走査信号に基づくＸ方向の位置情報
と、測長器６からのＸ方向の位置情報とを順次記憶する
。そして、レーザ光１ａの走査が７２りＭの全面につい
て終了した後、中央処理回路４２（はその記１慈された
各情報に基づいて、マヌクＭ上の異物の付着２置とその
異物の大きさ全統計的な手法によりランク分けした情報
（クラスＡ、Ｂ、Ｃ等）とを、表示装置（ＣＲＴ　）４
３に表示する。１だ中央処理回路４２（’１ｍ１Ｉ長５
６からの位置情報に基づいてスライダー４のＸ方向の移
動位置を制御するようにモータ５を駆動する。本実施例
では受光素子１０．１１．１２がフォトマルナ７−ライ
ヤ（光電子増倍管）で構成されているものとする。そこ
で、受光素子】０．１〕、１２の受光感度をＡ整するた
めに、フォトマルチグラ。イヤにバイアスとして印カロ
される高電圧を中央処理回路４２からの指令で変化させ
ることのできるバイアス回路４４（感度較正手段）を設
ける。向、受光素子１０、】】、１２が固体利得増幅器
によって光を信号を増幅し、バイアス回路４４０代りに
各可変利得増幅器のゲイン全調整するゲイン制御回路を
設ければ、受光感度の調整が同様に行なえる。このよう
な受光感度の調、整によって、レーザ光１ａが同一の異
物、又は基準指標板２０の固形物質３０を照射したとき
に得られる光量情報４０ｂの大きさが変化する。

次に本実施例の動作を第４図のフローチャート図に溢っ
て説明する。第４図中のステップ１００．１０１．１０
２．１０４はマスクＭの異物検査の前に行なわれる動作
であり、以後の説明を簡単にするため、中央処理回路４
２には装置の！！！造時に、実際の異物の大きさに応じ
て受光感度を調整した上で、固形物質３０から発生する
散乱光に応じた光量情報４０ｂの大きさく電圧値）が記
憶されているものとする。

マスクＭをスライダー４に第１図のように載置した後、
中央処理回路４２はステップ１００でレーザ光１ａの走
査軌道ｔが基準指標板２０上の固形物質３０を横切るよ
うに、スライダー４のイｙ）方向の位置決めを行なう。

次に中央処理回路４２はステップ】０１で、３つの受光
素子１０．１１．１２の固形物質３０からの散乱光に応
じた光電信号に相当する光量情報４０ｂを欣み込み、ス
テップ１０２でその光量情報４０ｂの太ささと、予め記
憶されている受？感度調整時の光量情報の太きはとを比
較する。この比較で３つの受光素子】Ｏｌｌ】、１２に
関して夫々差がないときは、異物検出感度が所期の値（
装置製造時の値）から変化−していないことになるので
、中央処理回路４２は次のステップ１０３を実行する。

もしとのステップ１０２で差があるときは、ステップ１
０４で中央処理回路４２は受光素子１０．１１１１２の
受光感度を所期の値に変えるべく、バイアス回路４４を
介してフォトマルチプライヤのバイアス′区圧を調整す
る。そして中央処理回路４２は再びステップ１０１から
同様の動作を繰り返す。

さて、ステップ】０２で受光素子１０、Ｊｌ、１２のそ
れぞれの受光感度が所期の値に調整されたと判断される
と、中央処理回路４２はステップ１０３でスライダー４
をＸ方向に一定の速度で送り、マスクＭの全面をレーザ
光１ａのスポットでマスク走査する。この走査の間、マ
スクＭｊＫ異物があれば、中央処理回路４２はそのｘ、
Ｘ方向９位ｆｔ（座標値）と、異物の大ききに関係する
光量情報４０ｂとｋｌｌａ次記憶する。そしてスライダ
ー４のＸ方向の走査が終了した時点で、中央処理回路４
２は先に説明したように、異物の位置とランク分けした
分類（Ａ　、、Ｂ：、、　Ｃ等）とを表示する。

また、本実施例による固形物質３０を基憔指標板２０の
Ｘ方向に所冗間隔で復数設けると、走査軌道を上の走査
位置（Ｘ方向の位置）に応じて異物検出感度を調整する
こと刀工でひる。この場合、複数の固形物＠３０の各々
からの散乱光に相当する光量情報４０ｂを装置！製造時
等に予め記憶しておき、異物検査のたびに基準指標板２
０をレーザ武光１ａで走査して、Ｘ方向における異物検査感度の製造
時からのずれを検出する。そしてＸ方向の位置について
検出感度のずれ（差）が生じた場合は、中央処理回路４
２が異物の大きさを判定（分類）する際、その異物のＸ
方向の座標値に対応した検出感度のずれを見込んで判定
するように、ソフトウェア等で補正する。壕だハードウ
ェア的には特開昭５８−６２５４４号公報に開示されて
いるように、レーザ光１ａのＸ方向の走査位置に同期し
て、各受光素子１０．１１．１２からの光電信号の増幅
率を変化させるアンプを設け、Ｘ方向に関する異物検出
感度のずれ？補正するように、アンプの増幅率の変化特
性を変更すｎばよい。また不実施例の固形物質３０にガ
ラス而に平面的に粘着したものであるが、ガラスの微粉
等の立体的なものであっても同様の効果が得られる。

以上、本実施例に好適な装置では３つの受光素子１０．
１１，１２をそれぞれマスクＭのレーザ光入射側の面を
異なる方向から見込むように配置したが、回路パターン
が複雑でない場合や、回路パターンのないブランクガラ
ス等の場合は、受光素子ｌｌ″ｊ、２ケ所、又ｔＩ′ｉ
１ケ所だけに設けるようにしてもよい。また特開昭５８
−６２５４４号公報に開示されているように、マスクＭ
の上面側と下面側とに対称的に一対の受光素子を配置し
、上面側に発生゛ｒる散乱光と下面側に発生する散乱光
とを比較することによって異物の付着状態を正確に判断
し、露光の際に真に害を及ぼす異物のみを検出するよう
な装置１で本発明を適用しても、全く同様の効果が得ら
れる。この場合、光路切替ミラー等によってレーザ光】
ａがマスクＭの裏面（下面）から入射するように切替え
、裏面に付着した異物を検食することもある。そこで第
１図に示した基準指標板２０の裏面にも第２図と同様の
固形＊ｌ買３０を設け、それを使ってマスクＭの下面側
を見込む受光素子の受光感度調ｇを本実施例と同様の手
順で行なえばよい。またこのようにマスクＭの上下面側
に生じる散乱光を比較する方式の装置では、基準指標板
２０が透明である点をオリ用して、固形物質３０から上
下面側に生じる散乱光をそれぞれ検出して、上面側、を
見込む受光素子と下面側を見込む受光素子との両党電信
号の比が所期の値になるように、受光感度を調整するこ
ともできる。それ以外にマスクＭのレーザ光入射側の上
面で生じる正反射光と、４＋而に透過する光とを比較し
て、不透明な異物を検出するような装置であっても同様
である。尚、レーザ光１ａはマスクＭに垂直に入射する
ような構成にしてもよいし、またレーザ光１ａに偏光特
性を持たせ、受光素子の前に偏光フィルターを設け、回
路パターンからの散乱光又は反射光の偏光状態と、異物
からの散乱光の偏光状態とが異なることを利用して、異
物のみを検出するような方式の装置に不発明を適用して
も同様の効果が得られる。

第５図は本発明の第２の実施例による基準パターンを設
けた基準指標＆２０の部分的な斜視図である。本実施例
では、基準指標板２０のガラス表面に、第２図の固形物
質３０と同じ大きさ、形状の拡散部（すりガラス）２０
ａを形成する。このような拡散部２０ａはエツチングや
機械的な加工で容易に作ることができる。拡散部２０ａ
は固形物質３０よりもレーザ光の散乱性がよく（散乱光
の指向性が弱い）、実際の異物からの散乱光の発生状態
と近い状態が再現できる。この拡散部２０ａ。

も固形物質３０と同様に、裏方向に複数設けたり、４準
指標板２０の７１面にも設けたりすれば、第１の実施例
と同様の効果が得られる。まだ拡散部２０２をＸ方向に
細長く伸びたスリット状にすれば、スポット元のＸ方向
走置位置に応じた異物検出感度のむらを精密に検出する
ことができる。

第６図は本発明の第３の実施例による基準パターンを設
けた基準指標板２００部分的な斜視図でおる。この実施
例は異物検出感度を左右する１つの要因であるレーザ光
のスポットサイズ、強度も検出するものである。基準指
標板２０のレーザ光入射側のガラス面には矩形状に形成
されたクロム等の遮光性の薄膜３０ｍ、３０ｂがＸ方向
に隣接して設けられている。薄膜３０ａと３０ｂのＸ方
向の間には、幅がレーザ光１ａのスポットサイズよりも
小さいスリットＳが形成される。また薄膜３０ａと３０
ｂの全体の大きさく面積）はスポットサイズよりも大き
く定められている。一方、基準指標板２０の裏面にはス
リブ）ＳのＸ方向の位置に対応して矩形状の拡散部２０
ｍが形成されている。拡散部２０ａは第５図の拡散部２
０ａと同等のものであるが、本実施例ではスポットサイ
ズに合せた大きさにするとよい。また、拡散部２０ａの
Ｙ方向の位置はスリットＳのＸ方向の位置よりもずらし
である。これはレーザ光１ａを基準指標板２０に斜入射
させるためであり、そのずらす葉はレーザ光１！１の入
射角に応じている。間、本実施例でｉ−ｔスリットＳの
幅を変えることによって、拡散％”１Ｓ２０ａからの畝
乱光奮を自由に調整できる特長もある。

さて、このような構成で、レーザ光１ａのスポットが基
４指標仏２０をＸ方向に走査すると、スポット元が薄膜
３０ａ、３０ｂを横切るとき、第７図に示すようにスリ
ットＳを透過したレーザ光ｌａが裏面の拡散部２０ａを
照射し、基準指標板２０の上面側（レーザ入射側）と下
面側にと、それぞｆ１散乱光ＩＣ１】ｄが発生する。ス
リブ）Ｓの幅はスポットサイズよりも小さいので、レー
ザ光１ａのスリットＳを透過する光量の時系列的な分布
は、薄膜３０ａ、３０ｂ表面におけるスボツト光のＸ方
向の光強度分布あるいはスポットサイズに対応する。従
って、拡散部２０ａからの散乱光１ｃ、１ｄの光量も、
それに対応したものとなり、３つの受光素子１．　（Ｊ
、１１．１２のそれぞれの光電信号波形（ピーク波）も
、Ｘ方向のスポットサイズあるいは光強度に対応したも
のになる。

そこで、スポットサイズを測定するには、受光素子１０
．１１．１２の光′ｔ＃Ｌ信号を所定レベルで２値化す
るコンパレータに入力し、散乱光１ｃ、１ｄがあるレベ
ル以上で発生している時間幅を計測する。この時間幅と
レーザ光１ａのスポットの基準指檄板２０上での走立速
度（予め解っているものとする）とに基づいて、スポッ
トサイズが演算できる。また光電信号のピーク値からレ
ーザ光１ａの強度が測定できる。この演算測定は第３図
に示した中天処理回路４２によって行なわれる。尚、ス
ポット光の走査速度が長期間変化することなく一定なら
ば、散乱光１ｃ、１ｄが発生している時間幅のみを計測
するだけでもよい。

以上の動作からも明らかなよう罠、レーザ光】ａのＸ方
向の走査中、薄膜３０ａ、３０１１ｊスポツト光の一部
のみを透過し、大部分を反射（反射光１ｂ）するような
大きさに定めたので、拡散部２０ａのＸ方向の幅は薄膜
３０ａ、３０ｂのＸ方向の全幅よりも小さいか、又は等
しく定めた方が、以下の理由で都合がよい。

すなわち、スポット光が薄膜３０ａ、又は３０ｂで遮光
される前に、レーザ光１ａが裏面の拡散部２０ａを照射
すると、スリン）Ｓを逃逸することによって生じた散乱
光１ｃ、１ｄ以外に過大な散乱光が発生し、光強度、ス
ポットサイズの測定が困難になるばかりでなく、受光素
子を疲労させるという不都合が生じるからである。ただ
し、受光素子を疲労させる程の散乱光が発生しない場合
は、薄膜３０ａ、３０ｂのＸ方向の全幅に対して拡散部
２０ａの幅を大きくしてもよい。この場合は、スポット
光の一走査期間中に生じる時系列的な光電信号のうち、
薄膜３０ａ、３０ｂの走査位置に応じた部分の信号以外
のところを電気的にマスクして、検出しないようにすれ
ばよい。

このような薄膜３０ａ、３０ｂと拡散部２０ａの対を基
準指標板２０のＸ方向の複数の位置に設ければ、レーザ
光１ａのＸ方向の走査位置に応じた光強度、スポットサ
イズの変化を定量的に検出することができる。スポット
光の光強度やスポットサイズが予め定められた値（製造
調整時の値）からずれてきた場合は、異物検出感度をそ
のずれに応じて補正してやればよい。具体的には第１の
実施例と同様に、受光素子１０．１１．１２の受光感度
を再調整したり、ソフトウェア的に異物の大きさの判定
基準（ランク分け）を補正したりすればよい。もちろん
第１、第２の実施例と同様に散乱光１ｃ、ｌｄを検出し
て単に受光素子の受光感度を調整することだけに使って
もよい。

さて、不笑施例のように、スポット光の強度やダー４の
移動方向、すなわちＸ方向に延設してもよい。この場合
は、スライダー４の移動中、スポット光のＸ方向の走査
開始点付近、又は終了点付近でその基準パターンが走査
されるように配置する。このようにしてＸ方向の走査位
置に対応して光強度やスポットサイズを検出すると、ス
ライダー４の上下方向（２方向）の直進安定性が検出で
きる。このため、異物検出感度のＸ方向のばらつきもＸ
方向と同様に補正することができる。また、スリット５
ｔｉｘ方向に伸びたものでも同様に実施し得る。またス
リットＳの代りにスリットＳと同等の幅を有するような
拡散部２０ａのみを設けるようにしてもよい。

以上、本発明の第１、第２、第３の実施例を説明したが
、以下に各実施例共通の変形例を述べる。

固形物質３０、薄膜３０ａ、３０ｂ、拡散部２０ａ等の
基準パターンは露光用のマスクに直接形成してもよい。

この場合、基準パターンはマスクの有効露光領域（パタ
ーン領域）の周辺の複数の位置に設けると好都合である
。特に第３の実施例のように薄膜３０ｍ、３０ｂと拡散
部２０ａの対を設けるときは、マスクの回路パターンの
形成面（パターン面）と同一面に回路パターンと共に薄
膜３Ｑａ、３０ｂを形成するとよい。また投影露光装置
の解像力や重ね合せ謂度等のチェック用に作られたテス
トマスク（テストレチクル）上に、固形物質３０、拡散
部２０ａ１薄膜３０ａ、３０ｂを２次元的な複数の位置
に配置し、このテストマスクをスライダー４に載置して
検査すれば同様の効果が得られる。同、基準パターンを
基準指標板２０に設け、これをスライダー４に固定して
おけば、マスクＭがなくても必要なときに異物検出感度
をチェックできる利点がある。また、レーザ光のスポッ
トサイズのｙ方向の値はスライダー４を移動させながら
、スポット走査のたびに光電信号のピーク波形の幅を検
出することによって、容易にめられる。さらに、本発明
の男１、第２の実施例による基準パターン（固形物質３
ｏ、拡散部２０ｍ）によっても第３の実施例と同様にス
ポットサイズや光強度を散乱光量に基づいて計測できる
。そこでこれら基準パターンをＸ％ｙ方向に複数設けて
、各位置におけるスポットサイズを計測すれば、スライ
ダー４の移動平面（マスクＭの表面）のｘｙ平面に対す
る傾きが検出できる。このため、その傾きに応じて、レ
ーザ光１ａの送光光学系中の光学素子（レンズ、光偏向
器等）の位置を手動又は自動で調整することによって、
マスクＭの全面のあらゆる位置でスポット光を最小のス
ポットサイズで正確に結像させることができ、異物検出
感度を安定にすることができる。

（発明の効果）以上本発明によれば、異物から生じる光情報（散乱光や
反射光）と同様の光情報を生じる基準パターンを設けた
ので、光ビーム（レーザ光）の強度変化、マスク面の上
下変動、結像光学系の特性変化によるスポットサイズ変
動、光電変換手段（受光素子）の感度変動、又は電気回
路の経時変化等に起因した異物検査装置の変化を検出で
き、検出／＋８度を常に一定に補正することができると
いう効果がある。このため検査装置としての信頼性が向
上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に好適な異物検査装置、　の概
略的な構成を示す斜視図、第２図は第１の実施例による
基準バター／を示す部分斜視図、第３図は第１図の装置
の信号処理回路の回路ブロック図、第４図は異物検出感
度の、％１１１整の一例を含む動作のフローチャート図
、第５図は本発明の第２の実施例による基準パターンを
示す部分斜視図、第６図は本発明の第３の実施例による
基準パターンを示す部分斜視図、第７図は第６図のＢ−
Ｂ矢視断面図である。〔主要部分の符号の説明〕１ａ・・・・・・レーザ光、２・・・・・・光偏向器、
４・・・・スライダー、１℃０．１１．１２・・・・・
受光素子、２０・・・・基準指標板、　２０ａ・・・−
・・拡散部、３０・・・・・固形物質、　３０ａ、３０
ｂ・・・・・薄膜、４０・・・・検出回路、　４２・・
・・・・中央処理回路、４４・・・・・バイアス回路、
　Ｍ・・・・・マスク出願人　日本光学工業株式会社代理人　渡　辺　隆　男

Claims

【特許請求の範囲】

（１）板状の被検査物を光ビームで走査する走査手段と
、該光ビームによる前記被検査物上での被照射部から生
じる光情報に応じた光に信号を出力する光電変換手段と
を備え、該光電信号に基づいて前記被検査物上の異物を
検査する装置において、前記Ｍ＄ｆ物の表面と略同−な
平面上の前記光ビームで走査され得る位置に、前記異物
から生じる光情報と同様の光情報を発生する基準パター
ンを設けたことを特徴とする異物検査装置。
（２）前記走査手段は前記被検査物を載置して直線移動
するスライダーと、該スライダーの移動方向と略直又す
る方向に前記光ビームを走査する光偏向器とを備え、前
記スライダーの被検査物載置面以外の部分に前記基準パ
ターンを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の装置。
（３）前記異物検査装置は、前記光ビームが前記基準パ
ターンを照射したときに生じる光情報の大きさを予め記
憶するとともに、被検査物の異物検査に先立って前記１
１ビームが前記基準パターンを走査したときに生じる光
情報の太ささと、前記記憶された光情報の大きさとを比
較することによって、異物の検査感度を所定の値に較正
する手段を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の装置。