JP4998854B2

JP4998854B2 - 基板処理方法、基板処理システム、プログラム及び記録媒体

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Inventors: 晋一沖田
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Description

本発明は、基板処理方法、基板処理システム、プログラム及び記録媒体に係り、更に詳しくは、複数の処理装置を用いて基板に対する複数の処理を行う基板処理方法、基板処理システム、該基板処理システムに用いられるプログラム及び該プログラムが記録された記録媒体に関する。

半導体素子などの電子デバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために、液体を介して基板を露光する露光装置（以下、「液浸露光装置」ともいう）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この液浸露光装置では、液浸で用いる液体中に気泡、ゴミ及び汚れ（不純物）等が生じると、露光によってウエハ等の基板（以下、「ウエハ」と呼ぶ）上に形成されるパターン像が劣化するおそれがある。このため、従来においても、露光処理後のウエハを検査して、その検査結果に応じて液浸条件を変更するなどの必要な対策を採っていた。しかし、この場合、異常の発生後に対策を行うため、歩留まりが低下するおそれがあるなど、必ずしも十分なものでなかった。

また、従来は、ウエハ上に形成されたレジスト膜及びトップコート膜など各種膜の成膜状態をそれぞれ検査し、異常が認められたときに、各成膜装置の成膜条件を変更するなどを行っていた。しかし、この場合には、膜毎に管理するのみであり、例えば、レジスト膜とトップコート膜などの複数の膜の成膜状態、及びこれらの膜の成膜状態が液浸露光結果に与える影響などについて全く考慮することがなかった。

国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレット

本発明は、上述の事情の下になされたもので、第１の観点からすると、複数の処理装置を用いて基板に対する複数の処理を行い、少なくとも１つの検査装置を用いて前記基板の良否を検査する基板処理方法であって、前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を前記少なくとも１つの検査装置へ送信し、送信された前記情報に基づいて、前記少なくとも１つの検査装置における検査条件を最適化する工程を含む基板処理方法である。

これによれば、複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報が、少なくとも１つの検査装置へ送信される。そして、送信された情報に基づいて、少なくとも１つの検査装置における検査条件が最適化される。このため、効率的な基板の良否検査が可能となる。従って、結果として基板に対する処理を効率良く行うことが可能となる。

本発明は、第２の観点からすると、基板に対して複数の処理をそれぞれ行う複数の処理装置と；前記基板の良否を検査する少なくとも１つの検査装置と；を備え、前記少なくとも１つの検査装置は、前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方に関する情報を受信し、受信した前記情報に基づいて検査条件を最適化する基板処理システムである。

これによれば、少なくとも１つの検査装置は、複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方に関する情報を受信する。そして、受信した情報に基づいて検査条件を最適化する。このため、効率的な基板の良否検査が可能となる。従って、結果として基板に対する処理を効率良く行うことが可能となる。

本発明は、第３の観点からすると、基板に対して複数の処理をそれぞれ行う複数の処理装置と前記基板の良否を検査する少なくとも１つの検査装置とを備える基板処理システムに用いられるプログラムであって、前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を前記少なくとも１つの検査装置へ送信し、送信された前記情報に基づいて、前記少なくとも１つの検査装置における検査条件を最適化する手順を、前記基板処理システムのコンピュータに実行させるプログラムである。

これによれば、基板処理システムのコンピュータに本発明の基板処理方法を実行させることができ、これにより、基板に対する処理を効率良く行うことが可能となる。

本発明は、第４の観点からすると、本発明のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。

これによれば、コンピュータに本発明のプログラムを実行させることができ、これにより、基板に対する処理を効率良く行うことが可能となる。

本発明は、第５の観点からすると、複数の処理装置で処理された基板の良否を検査する測定・検査装置であって、前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を受信する受信部を備え、受信した前記情報に基づいて、検査条件を最適化する測定・検査装置である。

これによれば、複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を受信部で受信する。そして、その受信した情報に基づいて、検査条件が最適化される。このため、効率的な基板の良否検査が可能となる。

本発明の一実施形態に係る半導体製造システムの概略構成を示す図である。図１における露光装置を説明するための図である。図２における露光装置本体を説明するための図である。図３における液浸システムを説明するための図である。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、それぞれ液浸システム固有の問題点を説明するための図である。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、それぞれ液浸モニタ装置を説明するための図である。液浸モニタ装置のＣＣＤセンサモジュールを説明するための図である。図７のＣＣＤセンサモジュールにおける各ラインセンサの物平面位置を説明するための図である。図８のラインセンサを説明するための図である。基板ホルダにセッチされた液浸モニタ装置を説明するための図である。図２における除去装置Ｔを説明するための図である。図１１における生成装置を説明するための図である。図１１における弾性ステータ及び振動体を説明するための図である。図１２の生成装置の作用を説明するための図（その１）である。図１２の生成装置の作用を説明するための図（その２）である。図１２の生成装置の作用を説明するための図（その３）である。図１２の生成装置の作用を説明するための図（その４）である。図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、それぞれ気体吹き出し口を有する弾性ステータを説明するための図である。図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）は、それぞれ吸引口を有する弾性ステータを説明するための図である。図１の半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャート（その１）である。図１の半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャート（その２）である。図１の半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャート（その３）である。図１の半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャート（その４）である。図１の半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャート（その５）である。図１の半導体製造システムの動作を説明するための図である。ＣＣＤセンサモジュールが配置されたウエハを説明するための図である。

以下、本発明の一実施形態を図１〜図２４に基づいて説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る半導体製造システム１００の概略構成が示されている。

図１に示される半導体製造システム１００は、工場内生産管理ホストシステム１０１、トラック１０２、露光工程管理コントローラ１０３、露光装置１０５、解析システム１０７、ＣＶＤ装置１１３、エッチング装置１１５、ＣＭＰ装置１１７及び酸化・イオン注入装置１１９などを有している。このうち、トラック１０２は、内部にウエハ搬送系を有する不図示のインラインインタフェース部を介して露光装置１０５にインライン接続されている。トラック１０２の内部には、ウエハ測定・検査器１０９及びコータ・デベロッパ１１１等が設置されている。そして、上記各部は、双方向の通信路で互いに接続され、情報の送受信が可能となっている。なお、図１において、細線の両矢印は信号及び情報の流れを示し、太線の両矢印は、代表的な信号や情報の流れ及びウエハの移動経路を示す。なお、これらは各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。

この半導体製造システム１００での処理対象は、半導体製造用の半導体ウエハＷ（以下、便宜上「ウエハＷ」と略述する）である。

ＣＶＤ装置１１３は、薄膜材料を構成する元素からなる１種又は数種の化合物ガス及び単体ガスをウエハＷ上に供給し、気相又はウエハＷ表面での化学反応により所望の薄膜をウエハＷ上に形成する。

エッチング装置１１５は、ウエハＷ又はウエハＷ表面上に形成された薄膜の、全面又は特定した場所を必要な厚さだけ食刻する。

ＣＭＰ装置１１７は、化学機械研磨（chemical mechanical polishing）によりウエハＷを平坦化する。

酸化・イオン注入装置１１９は、ウエハＷの表面に酸化膜を形成させる酸化装置及びウエハＷに所望のイオンを注入するイオン注入装置を有している。

露光装置１０５は、ウエハＷに対して露光処理を行う。この露光装置１０５の詳細については後述する。

露光工程管理コントローラ１０３は、露光装置１０５を制御し、露光工程の管理を行う。

コータ・デベロッパ１１１は、ウエハＷに感光材（フォトレジスト）等を塗布する塗布装置、露光処理されたウエハＷを現像する現像装置、ウエハＷをベーキングするベーキング装置、成膜状態などを計測する計測装置、各装置を制御する制御装置、該制御装置で用いられる各種プログラムが格納されているフラッシュメモリ及び作業用メモリなどを有している。

ウエハ測定・検査器１０９は、露光パターンの欠陥検査及び外観検査などを行う検査装置、露光パターンの重ね合わせ計測及び線幅計測などを行う測定装置、各装置を制御するとともに、後述する検査条件の最適化などを行う制御装置などを有している。この制御装置は、該制御装置で用いられる各種プログラムが格納されているフラッシュメモリ及び作業用メモリを有している。

解析システム１０７は、露光装置１０５からの情報及びウエハ測定・検査器１０９からの情報などを解析する解析装置を有している。この解析装置は、該解析装置で用いられる各種プログラムが格納されているフラッシュメモリ及び作業用メモリを有している。

工場内生産管理ホストシステム１０１は、半導体製造システム１００全体を制御する。

次に、前記露光装置１０５について説明する。

露光装置１０５は、一例として図２に示されるように、ウエハＷを露光処理する露光装置本体Ｓ及びウエハＷに付着した液体及び異物などを除去する除去装置Ｔなどを備えている。ここでは、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向とする。

本実施形態における露光装置本体Ｓは、一例として図３に示されるように、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために液体を介してウエハＷを露光する液浸露光装置である。

図３に示される露光装置本体Ｓは、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴと、該レチクルステージＲＳＴを駆動するレチクルステージ駆動装置１８Ｒと、レチクルステージＲＳＴの位置を計測するレーザ干渉計１７Ｒと、ウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴと、該ウエハステージＷＳＴを駆動するウエハステージ駆動装置１８Ｗと、ウエハステージＷＳＴの位置を計測するレーザ干渉計１７Ｗと、レチクルステージＲＳＴに保持されているレチクルＲを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたレチクルＲのパターン像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハステージＷＳＴが載置されたベース部材２０と、液浸システム１９と、液浸モニタ装置２６０と、露光装置本体Ｓの各部を制御するメインコントローラ４２とを備えている。このメインコントローラ４２は、該メインコントローラ４２で用いられる各種プログラムが格納されているフラッシュメモリ（図示省略）及び作業用メモリ（図示省略）などを有している。

照明系ＩＬは、レチクルＲの所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態では、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光が用いられるものとする。

レチクルステージ駆動装置１８Ｒは、リニアモータ等のアクチュエータを含み、レチクルステージＲＳＴを、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθＺ方向に駆動する。

レーザ干渉計１７Ｒは、レチクルステージＲＳＴ上に設けられた移動鏡１６Ｒに向けてレーザ光を射出し、移動鏡１６Ｒからの反射光を受光して、レチクルステージＲＳＴの位置を計測する。レーザ干渉計１７Ｒの計測結果はメインコントローラ４２に通知される。メインコントローラ４２は、レーザ干渉計１７Ｒの計測結果に基づいてレチクルステージ駆動装置１８Ｒを駆動し、レチクルステージＲＳＴに保持されているレチクルＲの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、鏡筒で保持された複数の光学素子を有し、レチクルＲのパターン像を所定の投影倍率でウエハＷに投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでも良い。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであっても良い。さらに、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成しても良い。

ウエハステージＷＳＴは、真空吸着によってウエハＷ及び液浸モニタ装置２６０を保持するホルダ４３を有している。このホルダ４３は、ウエハステージＷＳＴの＋Ｚ側の面に形成された凹部４４の底面上に配置されている。

ウエハステージ駆動装置１８Ｗは、リニアモータ等のアクチュエータを含み、ウエハステージＷＳＴを、ベース部材２０上で、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に駆動する。

レーザ干渉計１７Ｗは、ウエハステージＷＳＴに設けられた移動鏡１６Ｗに向けてレーザ光を射出し、移動鏡１６Ｗからの反射光を受光して、ウエハステージＷＳＴの位置を計測する。レーザ干渉計１７Ｗの計測結果はメインコントローラ４２に通知される。また、ホルダ４３に保持されているウエハＷのＺ軸方向、θＸ方向及びθＹ方向に関する位置情報は、フォーカス・レベリング検出系（不図示）によって検出され、その検出結果はメインコントローラ４２に通知される。メインコントローラ４２は、レーザ干渉計１７Ｗの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、ウエハステージ駆動装置１８Ｗを駆動し、ホルダ４３に保持されているウエハＷの位置制御を行う。

《液浸システム》
液浸システム１９は、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に液体ＬＱで満たされた領域（以下、「液浸領域」ともいう）を形成するものである。ここでは、この液浸システム１９は、一例として図３に示されるように、ノズル部材４０、供給管１３、照明用光源１５（図３では図示省略、図４参照）、回収管２３、液体供給装置１１及び液体回収装置２１などを備えている。

ノズル部材４０は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子ＦＬを、囲むように設けられた環状の部材であり、一例として図４に示されるように、ホルダ４３に保持されたウエハＷと光学素子ＦＬとの間に液体ＬＱを供給して液浸領域を形成するための供給口１２と、液浸領域の液体ＬＱを回収するための回収口２２を有している。この回収口２２には、例えばチタン製のメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔質部材が配置されている。また、ノズル部材４０の内部には、供給口１２と供給管１３の一端とをつなぐ流路１４及び回収口２２と回収管２３の一端とをつなぐ流路２４が形成されている。なお、本実施形態では、一例として液体ＬＱに純水を用いる。

従って、本実施形態では、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子ＦＬのみが液体ＬＱと接触する。

照明用光源１５は、液浸領域の周辺部に設置され、液浸モニタ装置２６０が作動している間、液浸領域及び光学素子ＦＬ近傍を照明する。

液体供給装置１１は、供給管１３の他端と接続されている。この液体供給装置１１は、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整装置、供給する液体ＬＱ中の気体成分を低減する脱気装置及び供給する液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニットなどを有しており、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出する。すなわち、液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３、流路１４及び供給口１２を介して液浸領域に供給される。なお、液体供給装置１１は、メインコントローラ４２によって制御される。

液体回収装置２１は、回収管２３の他端と接続されている。この液体回収装置２１は、真空装置を含む排気系を有しており、液体ＬＱを回収する。すなわち、液浸領域の液体ＬＱは、回収口２２、流路２４及び回収管２３を介して液体回収装置２１で回収される。なお、液体回収装置２１は、メインコントローラ４２によって制御される。

メインコントローラ４２は、少なくとも露光処理が行われている間、液体供給装置１１による液体供給と液体回収装置２１による液体回収とを並行して行う。

ところで、一例として図５（Ａ）に示されるように、レジスト膜ＲＬとトップコート膜ＴＣとの境界部に液体ＬＱが浸入することがある。この場合には、レジスト内部に液体ＬＱが浸み込んでレジスト性能を変化させ、その結果、露光パターンの均一性を悪化させるおそれがある。また、一例として図５（Ｂ）に示されるように、トップコート膜ＴＣ上にパーティクル又はウォーターマークなどの異物ＩＢが付着することがある。この場合には、正常に露光されていても、露光後のＰＥＢ処理及び現像処理に影響を与え、露光によってウエハ上に形成されるパターン（以下、適宜、「露光パターン」と略述する）の断線、ショート、線幅のばらつき等の欠陥を生じさせるおそれがある。さらに、一例として図５（Ｃ）に示されるように、液浸領域中に気泡ＢＢ又はパーティクルＰＴなどの異物が存在することがある。この場合には、露光光の光路が変化し、露光パターンの欠陥を生じさせるおそれがある。また、レジストが液体ＬＱに溶出して光学素子ＦＬを汚染させ、露光パターンの欠陥を生じさせるおそれがある。なお、液体ＱＬ中及び液体ＱＬに接触する部材（供給管１３、光学素子ＦＬなど）にバクテリアが発生する可能性があり、このバクテリアも異物の一つとなる。また、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）における符号ＨＬは反射防止膜である。

《液浸モニタ装置》
液浸モニタ装置２６０は、液浸領域に異物が含まれているか否か、及び光学素子ＦＬが汚染されているか否かなどを検査するものである。ここでは、この液浸モニタ装置２６０は、一例として図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示されるように、ウエハＷとほぼ同じ外形の基材２６１と、該基材２６１上に埋設された複数のＣＣＤセンサモジュール２６２と、各ＣＣＤセンサモジュールの出力信号を解析し、解析結果を無線で送信する解析装置２６３などを有している。この解析装置２６３は、該解析装置２６３で用いられる各種プログラムが格納されているフラッシュメモリ及び作業用のメモリなどを有している。ここでは、基材２６１の中央部に１個のＣＣＤセンサモジュール２６２が埋設され、基材２６１の周縁領域にほぼ等間隔で４個のＣＣＤセンサモジュール２６２が埋設されている。なお、解析装置２６３での解析結果は、解析装置２６３からメインコントローラ４２、露光工程管理コントローラ１０３及び解析システム１０７などに通知される。

基材２６１の材料としては、液体ＬＱと接触したときに、液体ＬＱに与える影響が少ないものであれば良い。例えば、ウエハＷと同じ材料であっても良いし、チタンなどの金属、又はＰＴＦＥ及びＰＦＡなどのフッ素系樹脂を含む材料であっても良い。また、基材２６１において、液体ＬＱと接触する面に撥水性を付与するために、該面上に撥水性を有する膜を形成しても良い。

各ＣＣＤセンサモジュール２６２は、一例として図７に示されるように、それぞれ、Ｙ軸方向を長手方向とする一次元ラインセンサを６個有している。ここでは、−Ｘ側端部に位置する一次元ラインセンサをラインセンサ２６７Ａ、該ラインセンサ２６７Ａの＋Ｘ側に位置する一次元ラインセンサをラインセンサ２６７Ｂ、該ラインセンサ２６７Ｂの＋Ｘ側に位置する一次元ラインセンサをラインセンサ２６７Ｃ、該ラインセンサ２６７Ｃの＋Ｘ側に位置する一次元ラインセンサをラインセンサ２６７Ｄ、該ラインセンサ２６７Ｄの＋Ｘ側に位置する一次元ラインセンサをラインセンサ２６７Ｅ、該ラインセンサ２６７Ｅの＋Ｘ側に位置する一次元ラインセンサをラインセンサ２６７Ｆとする。また、各ラインセンサには、それぞれの受光部に対応して複数のマイクロレンズ２６４が設けられている。

マイクロレンズ２６４の焦点距離は、ラインセンサ毎に異なっている。すなわち、ラインセンサ毎に観察対象位置（物平面位置）までの距離がそれぞれ異なっている。そして、ラインセンサ毎の物平面位置のオフセット量は、異物の検出分解能に応じた実質的な焦点深度を考慮して設定される。ここでは、一例として図８に示されるように、ラインセンサ２６７Ａの観察対象位置は基材２６１の表面から距離ｄ１の位置であり、ラインセンサ２６７Ｂの観察対象位置は基材２６１の表面から距離ｄ２（＞ｄ１）の位置であり、ラインセンサ２６７Ｃの観察対象位置は基材２６１の表面から距離ｄ３（＞ｄ２）の位置であり、ラインセンサ２６７Ｄの観察対象位置は基材２６１の表面から距離ｄ４（＞ｄ３）の位置であり、ラインセンサ２６７Ｅの観察対象位置は基材２６１の表面から距離ｄ５（＞ｄ４）の位置であり、ラインセンサ２６７Ｆの観察対象位置は基材２６１の表面から距離ｄ６（＞ｄ５）の位置である。そこで、例えば、液浸領域の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）が約３ｍｍのときに、ｄ１＝０．２５ｍｍ、ｄ２＝０．７５ｍｍ、ｄ３＝１．２５ｍｍ、ｄ４＝１．７５ｍｍ、ｄ５＝２．２５ｍｍ、ｄ６＝２．７５ｍｍに設定することにより、液浸領域のほとんどを検査することが可能となる。

例えば、マイクロレンズ２６４の直径Ｄを８μｍ、焦点距離ｆを１２．０μｍとすると、Ｆナンバーは１．５（＝ｆ／Ｄ）となる。照明光源に白色ＬＥＤ（波長λ：５６０ｎｍ）を使用すると、焦点深度＝±０．６１λＦ／ＮＡ＝±０．６１λＦ^２＝±１．５４μｍである。なお、このマイクロレンズ２６４の中心厚ｔ（図９参照）は、２〜３μｍとすることが可能である。この図９における符号２６２ＡはＣＣＤ画素、符号２６２Ｂは転送電極、符号２６２Ｃは樹脂層、符号２６２Ｄは絶縁層である。

液浸モニタ装置２６０は、露光装置本体Ｓ内の所定位置に予め収容されており、液浸モニタ処理を行うときには、一例として図１０に示されるように、搬送装置２１０（図３参照）によってホルダ４３上にセットされる。

ところで、ＣＣＤ（charge coupled device）は、信号電荷を転送する構造によって、インターライン方式、フレームインターライン方式及びフレームトランスファー方式などがあり、いずれを用いても良いが、受光部が転送部を兼ねていることから受光面積を大きくとれるフレームトランスファー方式が好ましい。

また、ＣＣＤ画素サイズＣｓを８．０μｍ（不感帯２．０μｍを含む）、ラインセンサの有効画素数Ｃｐを４０００（３２ｍｍ長）、ＣＣＤ走査データレートＣｄを２５nsec／pixel（＝４０ＭＨｚ）とすると、ラインセンサの１ライン走査時間Ｔｃは、Ｃｐ×Ｃｄ＝１００μsecとなる。そして、液浸モニタ時のステージ走査速度Ｓｐは、Ｃｓ／Ｔｃ＝８０ｍｍ／secとなる。

なお、液浸モニタ装置２６０では、各ラインセンサをフォトリソグラフィの手法を用いて基材２６１に形成しても良いし、予め作成されたＣＣＤセンサモジュールを基材２６１に貼り付けても良い。

《除去装置》
除去装置Ｔは、ウエハＷに付着している液体ＬＱ及び異物など（以下、便宜上「液体・異物」とも記述する）を除去するものである。ここでは、この除去装置Ｔは、一例として図１１に示されるように、ステージ装置３０、真空吸着によってウエハＷを保持するホルダ３１、該ホルダ３１を回転駆動する回転装置３２、ウエハＷに付着している液体・異物を動かすためのたわみ進行波を生成する生成装置６０、チャンバ３５、液体吸引装置３９、及びウエハＷの表面を観察する観察装置（図示省略）などを有している。ステージ装置３０、ホルダ３１、回転装置３２及び生成装置６０は、チャンバ３５内に収容されている。なお、観察装置による観察結果は、メインコントローラ４２、ウエハ測定・検査器１０９及び解析システム１０７などに通知される。

チャンバ３５は、図１１における＋Ｘ側の壁面に形成された開口部３６と、−Ｘ側の壁面に形成された開口部３７とを有している。開口部３６には、この開口部３６を開閉するシャッタ３６Ａが設けられ、開口部３７には、この開口部３７を開閉するシャッタ３７Ａが設けられている。液浸露光されたウエハＷは、開口部３６を介してチャンバ３５内に搬送され、液体・異物の除去処理がなされたウエハＷは、開口部３７を介してチャンバ３５外に搬送される。各シャッタの開閉はメインコントローラ４２により制御される。

液体吸引装置３９は、バルブ３８Ａが設けられた流路３８を介してチャンバ３５に接続されている。バルブ３８Ａが開状態になると、チャンバ３５内の液体が液体吸引装置３９によってチャンバ３５外に排出される。なお、液体・異物の除去処理中は、バルブ３８Ａは開状態とされる。

回転装置３２は、ホルダ３１に接続された軸３３と、ステージ装置３０の内部に配置され軸３３を回転駆動するモータとを有し、ホルダ３１に保持されたウエハＷを回転させる。なお、ホルダ３１は、軸３３とともに不図示のホルダ駆動装置により、Ｚ軸方向、θＸ方向及びθＹ方向に駆動可能である。

生成装置６０は、一例として図１２に示されるように、ホルダ３１に保持されたウエハＷに対向して配置され、たわみ進行波を発生させる弾性ステータ６１と、該弾性ステータ６１の＋Ｚ側の面上に配置され、前記たわみ進行波を励起する圧電素子を含む振動体６２と、該振動体６２を支持する支持部材６３と、該支持部材６３をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に駆動する駆動機構６４とを有している。この駆動機構６４は、メインコントローラ４２により制御される。すなわち、メインコントローラ４２によって、弾性ステータ６１とウエハＷとの間隔、及びウエハＷに対する弾性ステータ６１の傾斜角及びＸＹ面内におけるウエハＷに対する弾性ステータ６１の位置などを調整することができる。

弾性ステータ６１は、一例として図１３に示されるように、ウエハＷよりも一回り大きめの略円形状の弾性部材である。この弾性ステータ６１の−Ｚ側の面は撥水コートがなされている。そして、弾性ステータ６１の＋Ｚ側の面の周縁領域上に、所望のたわみ進行波が得られるように圧電素子６２Ａがリング状に配置されている。なお、弾性ステータ６１もリング状であっても良い。

振動体６２の圧電素子はその厚み方向（ここでは、Ｚ軸方向）に均一に分極されており、たわみ振動の半波長ピッチの電極が複数個（以下、「電極群」ともいう）設けられている。そして、この電極群に共振周波数の電気信号が入力されると、たわみ振動の定在波が励起される。これにより、一例として図１４に示されるように、たわみ進行波Ｂが発生し、該たわみ進行波Ｂによって、弾性ステータ６１とウエハＷとの間に音響場が生じる。そして、この音響場の音響粘性流Ｖにより、ウエハＷに付着している液体・異物Ｇが移動する。すなわち、生成装置６０は、ウエハＷとは非接触状態で、ウエハＷに付着している液体・異物を動かすことができる。また、ウエハＷの表面に凹部が形成されているときに、凹部の内側に液体・異物が入り込んでいても、その凹部の内側に入り込んでいる液体・異物を、凹部の外側に出すことができる。ここでは、一例として図１５に示されるように、弾性ステータ６１の周方向を進行方向とするたわみ進行波Ｂが発生する。そこで、音響粘性流Ｖは、ウエハＷの周方向を進行方向として流れることとなる。なお、電極群は振動体６２の全面に設ける必要はなく、一部にあれば良い。この場合には、もう一組の電極群を設け、この電極群により励起される定在波の位相差がπ／２（＝１／４波長）となるように設定することにより、振動が励起され、たわみ進行波が発生する。

たわみ進行波Ｂの発生とともに、ホルダ３１をＸＹ平面に対して傾斜させると、重力作用とたわみ進行波による作用との相乗作用により、ウエハＷに付着している液体・異物を良好に除去することができる。

また、たわみ進行波Ｂの発生とともに、ウエハＷを回転させると、遠心力が付加され、ウエハＷに付着している液体・異物を更に良く移動させることができる。この場合に、一例として図１６に示されるように、ウエハＷの回転方向ＰＲをたわみ進行波Ｂの進行方向と一致させると、音響粘性流Ｖの方向と遠心力の方向とがほぼ一致し、ウエハＷを比較的低速で回転させても、ウエハＷに付着している液体・異物を良好に除去することが可能となる。これにより、ウエハＷへの負荷を低減させたり、回転装置３２の消費電力を低減したり、回転装置３２の発熱を抑えたり、回転装置３２を小型化することが可能となる。

ところで、たわみ進行波Ｂの発生開始とウエハＷの回転開始は、互いにほぼ同時に行っても良いし、ウエハＷの回転を開始した後に、たわみ進行波Ｂの発生を開始しても良い。また、例えば、ウエハＷの表面に形成された凹部の内側に液体・異物が入り込んでいるときには、たわみ進行波Ｂの発生を開始してから所定時間経過後に、ウエハＷの回転を開始しても良い。この場合には、前記凹部の内側に入り込んでいる液体・異物を、たわみ進行波Ｂにより一旦凹部の外側に移動させた後、ウエハＷの回転によりウエハＷの表面から除去することができる。

なお、ウエハＷの中央付近に液体・異物が付着している場合には、一例として図１７に示されるように、ウエハＷの回転中心と弾性ステータ６１の中心とをずらすと良い。

また、ウエハＷの回転とウエハＷの傾斜とを併用しても良い。これにより、ウエハＷに付着している液体・異物を更に良好に除去することができる。

そして、ウエハＷから除去された液体は、液体吸引装置３９によってチャンバ３５外に排出される。従って、チャンバ３５内の湿度が大きく変動することはない。また、シャッタ３６Ａ及びシャッタ３７Ａを開放したときに、湿った気体がチャンバ３５の外に放出されることもない。

なお、上記弾性ステータ６１に代えて、一例として図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示されるように、その−Ｚ側の面に複数の気体吹き出し口７１が形成された矩形形状の弾性ステータ１６１Ａを用いても良い。この場合には、複数の気体吹き出し口７１からウエハＷの表面に向けて気体ｋを吹き出す気体供給装置（図示省略）が更に設けられる。ここでは、Ｙ軸方向に並ぶ一列の気体吹き出し口群を１ブロックとし、＋Ｘ方向に第１ブロックＢa１、第２ブロックＢa２、第３ブロックＢa３、・・・・、第１７ブロックＢa１７とする。そして、たわみ進行波Ｂの進行に合わせて、第１ブロックＢa１からの気体吹き出しを開始し、次いで第２ブロックＢa２からの気体吹き出しを開始し、以下、順次、第３ブロックＢa３、・・・・、第１７ブロックＢa１７からの気体吹き出しを開始する。また、第１ブロックＢa１からの気体吹き出しを開始後、所定時間が経過すると、第１ブロックＢa１からの気体吹き出しを停止する。同様に、第２ブロックＢa２からの気体吹き出しを開始後、所定時間が経過すると、第２ブロックＢa２からの気体吹き出しを停止する。以下、同様にして、気体吹き出しを開始後、所定時間が経過したブロックは、その気体吹き出しを停止する。これにより、ウエハＷに付着している液体・異物をより短時間に除去することが可能となる。なお、ブロック数は１７に限定されるものではない。この場合に、たわみ進行波Ｂの進行方向にウエハＷ及び弾性ステータ１６１Ａを傾斜させても良い。

また、上記弾性ステータ６１に代えて、一例として図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示されるように、その−Ｚ側の面に複数の吸引口８１が形成された矩形形状の弾性ステータ１６１Ｂを用いても良い。この場合には、複数の吸引口８１からウエハＷの表面に付着している液体などを吸引する吸引装置（図示省略）が更に設けられる。ここでは、Ｙ軸方向に並ぶ一列の吸引口群を１ブロックとし、＋Ｘ方向に第１ブロックＢb１、第２ブロックＢb２、第３ブロックＢb３、・・・・、第１７ブロックＢb１７とする。そして、たわみ進行波Ｂの進行に合わせて、第１ブロックＢb１での吸引を開始し、次いで第２ブロックＢb２での吸引を開始し、以下、順次、第３ブロックＢb３、・・・・、第１７ブロックＢb１７での吸引を開始する。また、第１ブロックＢb１での吸引を開始後、所定時間が経過すると、第１ブロックＢb１での吸引を停止する。同様に、第２ブロックＢb２での吸引を開始後、所定時間が経過すると、第２ブロックＢb２での吸引を停止する。以下、同様にして、吸引を開始後、所定時間が経過したブロックは、その吸引を停止する。これにより、ウエハＷに付着している液体・異物をより短時間に除去することが可能となる。なお、ブロック数は１７に限定されるものではない。この場合に、たわみ進行波Ｂの進行方向にウエハＷ及び弾性ステータ１６１Ｂを傾斜させても良い。

また、前記液体吸引装置３９に代えて、あるいは前記液体吸引装置３９とともに、チャンバ３５内に乾燥した気体を供給する乾燥装置を設けても良い。これにより、ウエハＷに付着している液体ＬＱの除去を促進することができる。

《半導体製造システムの動作》
次に、上記のようにして構成された半導体製造システム１００の動作について図２０〜図２４のフローチャートを用いて説明する。なお、ここでは、ウエハ処理工程と組立工程について説明する。

最初のステップ４０１では、ウエハＷに対する成膜・レジスト処理がコータ・デベロッパ１１１にて行われる。この成膜・レジスト処理では、図２３のフローチャートで示される処理（ステップ７０１〜ステップ７３５）が行われる。

ステップ７０１では、ウエハＷはコータ・デベロッパ１１１に移送され、ウエハＷ上に反射防止膜が形成される。

次のステップ７０３では、コータ・デベロッパ１１１の計測装置によって、ウエハＷ上の反射防止膜が計測される。ここでは、一例として、反射防止膜の膜厚、該膜厚の変動状態及び膜の平坦度のうちの少なくとも１つを含む成膜状態が計測される。

次のステップ７０５では、成膜状態の計測結果に基づいて、反射防止膜が正常であるか否かが判断される。そして、反射防止膜が正常であれば、このステップ７０５での判断は肯定され、前記ステップ７１１に移行する。一方、反射防止膜が正常でなければ、ステップ７０５での判断は否定され、ステップ７０７に移行する。

このステップ７０７では、反射防止膜の除去が行われる。

次のステップ７０９では、反射防止膜の計測結果に基づいて反射防止膜の成膜条件が補正される。そして、上記ステップ７０１に戻る。反射防止膜の成膜条件は、膜材料、成膜方法、目標膜厚、膜厚均一性、成膜環境及び膜材料の塗布条件のうちの少なくとも１つを含む。

以下、ステップ７０５での判断が肯定されるまで、ステップ７０１〜ステップ７０９の処理が繰り返される。そして、反射防止膜が正常であれば、ステップ７０５での判断は肯定され、ステップ７１１に移行する。

このステップ７１１では、反射防止膜の計測結果及び成膜条件が、解析システム１０７及びウエハ測定・検査器１０９などに送信される。ここで、成膜処理時の温度、湿度又は気圧等の環境情報を含めた稼動状態の情報を送信するようにしても良い。

次のステップ７１３では、反射防止膜上にレジストが塗布される。

次のステップ７１５では、コータ・デベロッパ１１１の計測装置によって、ウエハＷ上における膜（反射防止膜＋レジスト膜）の状態が計測される。ここでは、一例として、ウエハＷ上における膜の膜厚、該膜厚の変動状態及び膜の平坦度のうちの少なくとも１つを含む膜の状態が計測される。

次のステップ７１７では、膜の状態の計測結果に基づいて、ウエハＷ上における膜の状態が正常であるか否かが判断される。そして、膜の状態が正常であれば、このステップ７１７での判断は肯定され、前記ステップ７２３に移行する。一方、膜の状態が正常でなければ、ここでの判断は否定され、ステップ７１９に移行する。

このステップ７１９では、レジスト膜の除去が行われる。

次のステップ７２１では、膜の状態の計測結果に基づいてレジストの塗布条件が補正される。そして、上記ステップ７１３に戻る。

以下、ステップ７１７での判断が肯定されるまで、ステップ７１３〜ステップ７２１の処理が繰り返される。そして、膜の状態が正常であれば、ステップ７１７での判断は肯定され、ステップ７２３に移行する。

このステップ７２３では、膜の状態の計測結果及びレジストの塗布条件が、解析システム１０７及びウエハ測定・検査器１０９などに送信される。ここで、レジスト塗布処理の際の温度、湿度又は気圧等の環境情報を含めた稼動状態の情報を送信するようにしても良い。

次のステップ７２５では、レジスト膜が塗布されたウエハＷ上にトップコート膜が塗布される。

次のステップ７２７では、コータ・デベロッパ１１１の計測装置によって、ウエハＷ上における膜（反射防止膜＋レジスト膜＋トップコート膜）の状態が計測される。ここでは、一例として、ウエハＷ上における膜の膜厚、該膜厚の変動状態及び膜の平坦度のうちの少なくとも１つを含む膜の状態が計測される。

次のステップ７２９では、膜の状態の計測結果に基づいて、ウエハ上における膜の状態が正常であるか否かが判断される。膜の状態が正常であれば、ステップ７２９での判断は肯定され、前記ステップ７３５に移行する。一方、膜の状態が正常でなければ、ステップ７２９での判断は否定され、ステップ７３１に移行する。

このステップ７３１では、トップコート膜の除去が行われる。

次のステップ７３３では、膜の状態の計測結果に基づいてトップコートの塗布条件が補正される。そして、上記ステップ７２５に戻る。

以下、ステップ７２９での判断が肯定されるまで、ステップ７２５〜ステップ７３３の処理が繰り返される。そして、膜の状態が正常であれば、ステップ７２９での判断は肯定され、ステップ７３５に移行する。

このステップ７３５では、膜の状態の計測結果及びトップコートの塗布条件が解析システム１０７及びウエハ測定・検査器１０９などに送信される。ここで、トップコートの塗布処理の際の温度、湿度又は気圧等の環境情報を含めた稼動状態の情報を送信するようにしても良い。これによって、成膜・レジスト処理が終了し、メインルーチン（図２０）のステップ４０３にリターンする。

このステップ４０３では、液浸モニタの条件設定処理が露光装置本体Ｓで行われる。この液浸モニタの条件設定処理では、図２４のフローチャートで示される処理（ステップ８０１〜ステップ８０７）が行われる。なお、液浸モニタの条件設定処理は、作業者が不図示の表示装置に表示される内容に応答して、すなわち対話形式で不図示の入力装置を介して行っても良いし、露光工程管理コントローラ１０３からの露光条件に応じてメインコントローラ４２が行っても良い。

ステップ８０１では、液浸モニタ装置２６０の解析装置２６３における解析方式が指定される。ここでは、以下の（１）〜（３）の方式のうちの少なくとも１つが指定され、解析装置２６３などに通知される。

（１）Ｚ軸方向画像比較方式
Ｚ軸方向画像比較方式とは、Ｚ軸方向における互いに異なる複数の位置の観察結果を比較する方式である。具体的には、６個のラインセンサ（２６７Ａ〜２６７Ｆ）の出力信号からそれぞれ得られる６つの画像情報を互いに比較し、例えば、ラインセンサ２６７Ｃの出力信号から得られた画像情報が他の５つの画像情報と許容レベル以上に異なる場合には、ウエハＷの表面から距離ｄ３の位置近傍に異物が存在していると判断する。これは、すべてのラインセンサの観察対象位置に、同時に異物が存在する確率が極めて低いことによる。なお、上記６つの画像情報は、ＸＹ平面内に関しては、それぞれ同じ位置での画像情報であることが好ましい。

（２）参照画像比較方式
参照画像比較方式とは、予め実験あるいはシミュレーションなどによって取得されている異物が存在しないときの画像情報（以下、「基準画像情報Ａ」という）と観察結果とを比較する方式である。具体的には、前記６つの画像情報のそれぞれと基準画像情報Ａとを比較し、例えば、ラインセンサ２６７Ｃの出力信号から得られた画像情報と基準画像情報Ａとの違いが許容レベル以上の場合には、ウエハＷの表面から距離ｄ３の位置近傍に異物が存在していると判断する。

（３）特徴抽出方式
特徴抽出方式は、予め実験あるいはシミュレーションなどによって取得されている、気泡が存在するときの画像情報（以下、「基準画像情報Ｂ」という）及びパーチィクルが存在するときの画像情報（以下、「基準画像情報Ｃ」という）などの、異物が存在するときの画像情報と観察結果とを比較する方式である。具体的には、前記６つの画像情報のそれぞれと、基準画像情報Ｂ及び基準画像情報Ｃなどとを比較する。そして、例えば、ラインセンサ２６７Ｃの出力信号から得られた画像情報と基準画像情報Ｂとが予め設定されている範囲内で類似している場合には、ウエハＷの表面から距離ｄ３の位置近傍に気泡が存在すると判断する。なお、気泡が存在するときの画像情報（基準画像情報Ｂ）は、気泡の周辺外側は円状の明部が存在し、気泡の内側は暗部がベースとなり周辺とは異なるパターンが存在するという特徴がある。

なお、上記（１）〜（３）の各方式を適宜組み合わせても良い。

次のステップ８０３では、ウエハＷ上に形成されるパターンの目標形状精度（目標線幅精度）に応じて、液浸モニタ装置２６０の解析感度が指定される。例えば、高い線幅精度が要求される場合には、異物が微小あるいは少量であっても、異常と判断されるように、液浸モニタ装置２６０の解析感度は高く設定される。一方、線幅精度が比較的低くても許容される場合には、予め設定されているレベル以下の異物は、異物として認識されないような液浸モニタ装置２６０の解析感度に設定される。ここで指定された内容は、解析装置２６３などに通知される。また、ウエハ表面から近いほど、異物がレジストに転写され易くなるため、液浸中の観察対象位置毎に、すなわち、ラインセンサ毎に、異常と判断する解析感度の設定を変えられる。

次のステップ８０５では、液浸モニタ処理を行うタイミングが指定される。ここでは、液浸モニタ処理を行うタイミングとしては、（１）所定の基板処理枚数毎、（２）所定のロット処理数毎、（３）所定の時間間隔毎、（４）液浸領域の新規形成毎などがある。なお、（１）〜（４）の各タイミングを適宜組み合わせても良い。ここで指定された内容は、メインコントローラ４２の作業用メモリに保存される。

次のステップ８０７では、液浸モニタ装置２６０での解析結果に基づくフィードバック制御の内容が指定される。ここでは、フィードバック制御の内容として、（１）液浸領域の液体ＬＱの全部あるいは一部交換、（２）液浸領域への液体ＬＱの供給待ち時間の変更、（３）液浸領域における液体ＬＱの安定化時間の変更、（４）液浸領域への液体ＬＱの供給量の変更、（５）液浸領域への液体ＬＱの供給速度の変更、（６）露光量、露光スキャン速度及びフォーカスオフセット等の露光条件の変更、（７）ウエハスキップ、（８）ロット処理の中断、（９）コータ・デベロッパ１１１での処理条件の変更、（１０）ウエハ測定・検査器１０９での測定条件及び検査条件の変更などがある。なお、（１）〜（１０）の各フィードバック制御を適宜組み合わせても良い。ここで指定された内容は、解析システム１０７などに通知される。これによって、液浸モニタの条件設定処理が終了し、メインルーチン（図２０）のステップ４０５にリターンする。

このステップ４０５では、ウエハＷは露光装置本体Ｓに移送され、露光装置本体Ｓにて液浸露光処理が行われる。ここでは、露光装置本体Ｓは、投影光学系ＰＬと液浸領域の液体ＬＱとを介して、レチクルＲを通過した露光光ＥＬをウエハＷ上に照射し、レチクルＲのパターン像をウエハＷに投影する。

次のステップ４０７では、上記液浸モニタの条件設定処理で指定されたタイミングであるか否かが、メインコントローラ４２にて判断される。そして、指定されたタイミングでなければ、このステップ４０７での判断は否定され、前記ステップ４１７に移行する。一方、指定されたタイミングであれば、ステップ４０７での判断は肯定され、ステップ４０９に移行する。

このステップ４０９では、液浸モニタ装置２６０にて液浸モニタ処理が行われる。ここでは、メインコントローラ４２は、各ラインセンサの出力信号から得られる画像情報が、ＸＹ面内に関してはそれぞれ同じ位置となるように、液浸モニタ装置２６０が保持されたウエハステージＷＳＴの位置情報をレーザ干渉計１７Ｗで計測しつつ、図６に示されるＸ軸方向に基材２６１が移動するように、ウエハステージＷＳＴを移動させる。

次のステップ４１１では、解析装置２６３での解析結果が、メインコントローラ４２、解析システム１０７及びウエハ測定・検査器１０９などに送信される。

次のステップ４１３では、解析システム１０７にて、解析装置２６３から受信した解析結果に基づいて異常の有無が判断される。そして、異常がなければ、このステップ４１３での判断は肯定され、前記ステップ４１７に移行する。一方、一例として図２５に示されるように、液浸領域に気泡又はパーティクルなどの異物ＮＴが存在し、解析結果が異常であれば、ステップ４１３での判断は否定され、ステップ４１５に移行する。

このステップ４１５では、上記ステップ８０７で設定されたフィードバック制御の内容が、解析システム１０７からメインコントローラ４２に送信される。そして、露光装置本体Ｓでは、解析システム１０７から受信したフィードバック制御の内容が実行される。

次のステップ４１７では、ウエハＷは除去装置Ｔに移送され、前述した液体・異物の除去処理が行われる。

次のステップ４１９では、液体・異物除去の処理条件及び処理結果（観察装置の観察結果）が、除去装置Ｔから解析システム１０７及びウエハ測定・検査器１０９などに送信される。

次のステップ４２１では、解析システム１０７が、前記成膜・レジスト処理での各計測結果、成膜条件及び各塗布条件、露光装置１０５での液浸露光条件、液浸モニタ処理でのモニタ結果、除去装置Ｔでの液体・異物除去の処理条件及び処理結果、のうちの少なくとも１つに基づいて、ウエハ測定・検査器１０９によるウエハＷの検査結果を予測する。

なお、以下では、便宜上、「前記成膜・レジスト処理での各計測結果、成膜条件及び各塗布条件、露光装置１０５での液浸露光条件、液浸モニタ処理でのモニタ結果、除去装置Ｔでの液体・異物除去の処理条件及び処理結果、のうちの少なくとも１つ」を、「少なくとも１つのウエハ処理条件・処理結果」ともいう。

例えば、予め取得されている、前記成膜・レジスト処理での各計測結果、成膜条件及び各塗布条件のうちの少なくとも１つとウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査での異常検出との相関関係を参照し、前記成膜・レジスト処理での各計測結果、成膜条件及び各塗布条件のうちの少なくとも１つに基づいてウエハ測定・検査器１０９によるウエハＷの検査結果を予測しても良い。

また、予め取得されている、前記液浸モニタ処理でのモニタ結果とウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査での異常検出との相関関係を参照し、前記液浸モニタ処理でのモニタ結果に基づいてウエハ測定・検査器１０９によるウエハＷの検査結果を予測しても良い。具体的には、相関関係に関する情報が登録されているデータベース（以下、便宜上「相関データベース」という）における、液浸領域内の異物の種類、その位置、大きさ、形状及び数などの情報、及び光学素子ＦＬの汚染の位置、汚染の程度などの情報から露光パターンが受ける影響を導き出すことができる。そして、液浸モニタ装置２６０で得られた異物情報及び光学素子ＦＬの汚染情報から露光パターンの欠陥を予測することができる。また、例えば、トップコート膜上の異物情報及び膜内への液体ＬＱの浸み込み情報から露光パターンの欠陥を予測することもできる。

また、予め取得されている、前記液体・異物除去の処理結果とウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査での異常検出との相関関係を参照し、前記液体・異物除去の処理結果に基づいてウエハ測定・検査器１０９によるウエハＷの検査結果を予測しても良い。

次のステップ４２３では、解析システム１０７は、予測結果が「ウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査でウエハＷの異常が検出される」であるか否かを判断する。そして、予測結果が「ウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査でウエハＷの異常が検出されない」であれば、このステップ４２３での判断は肯定され、前記ステップ５０１に移行する。一方、予測結果が「ウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査でウエハＷの異常が検出される」であれば、ステップ４２３での判断は否定され、ステップ４２５に移行する。

このステップ４２５では、解析システム１０７は、前記異常が回避できるように、コータ・デベロッパ１１１での成膜条件及び塗布条件、露光装置１０５での液浸露光条件及び除去装置Ｔでの液体・異物除去処理条件、のうちの少なくとも１つの調整を指示する。

なお、以下では、便宜上、「コータ・デベロッパ１１１での成膜条件及び塗布条件、露光装置１０５での液浸露光条件及び除去装置Ｔでの液体・異物除去処理条件、のうちの少なくとも１つ」を、「少なくとも１つのウエハ処理条件」ともいう。

なお、液浸露光条件とは、液体ＬＱを液浸領域に供給するときの供給条件、液体ＬＱを液浸領域から回収するときの回収条件、ウエハＷの移動条件、液浸領域の大きさ及び液浸領域の形状のうちの少なくとも１つを含む。具体例として、メインコントローラ４２は、液浸領域を形成する液体ＬＱ中の気泡の発生を抑えるために、（１）液体供給装置１１の脱気装置の脱気能力を高めたり、（２）供給口１２から供給される液体ＬＱの単位時間当たりの供給量を調整したり、（３）回収口２２を介した単位時間当たりの回収量を調整する。液浸領域の大きさ及び形状の調整によっても、液浸領域での気泡の発生、ウエハＷ上に形成されている膜内部への液体ＬＱの浸透（膜と液体ＬＱとの接触時間に依存）を抑えることができる。

上記ウエハＷの移動条件は、液浸領域の液体ＬＱに対するウエハＷの移動速度、加速度、減速度、移動方向、移動軌跡、移動距離、ウエハＷの各位置が液体ＬＱに浸されている時間及びフォーカス・レベリング条件のうちの少なくとも１つを含む。

また、液体・異物除去の処理条件とは、たわみ進行波のオン／オフ条件、ウエハＷの回転速度、ウエハＷの傾斜角度、前記弾性ステータ１６１Ａが用いられるときには気体の吹き出し条件、前記弾性ステータ１６１Ｂが用いられるときには吸引条件、及び前記乾燥装置が用いられるときには乾燥条件のうちの少なくとも１つを含む。

次のステップ５０１では、ウエハ測定・検査器１０９は、「少なくとも１つのウエハ処理条件・処理結果」に関する情報に基づいて、前記液浸露光されたウエハＷを検査するウエハ検査処理１の検査条件を最適化する。ここでの検査条件は、ウエハＷにおける検査位置及び検査感度の少なくとも一方を含む。

次のステップ５０３では、ウエハＷはウエハ測定・検査器１０９に移送され、ウエハ測定・検査器１０９にてウエハ検査処理１が行われる。ここでは、最適な検査条件に基づいてウエハＷの外観検査が行われる。

次のステップ５０５では、ウエハ検査処理１の検査結果が解析システム１０７などに送信される。

次のステップ５０７では、解析システム１０７は、ウエハ検査処理１の検査結果に基づいて、ウエハＷに異常があるか否かを判断する。そして、異常がなければ、このステップ５０７での判断は肯定され、前記ステップ５１５に移行する。一方、ウエハＷに異常があれば、ステップ５０７での判断は否定され、ステップ５０９に移行する。

このステップ５０９では、解析システム１０７は、ウエハ検査処理１の検査結果に基づいて、ウエハＷ上の液体・異物がウエハＷに悪影響を及ぼすおそれがあるか否かを判断する。ここでの判断結果は除去装置Ｔに送信される。そして、ウエハＷ上の液体・異物がウエハＷに悪影響を及ぼすおそれがなければ、このステップ５０９での判断は否定され、前記ステップ５１３に移行する。一方、ウエハＷ上の液体・異物がウエハＷに悪影響を及ぼすおそれがあれば、ステップ５０９での判断は肯定され、ステップ５１１に移行する。

このステップ５１１では、ウエハＷが除去装置Ｔに移送され、液体・異物除去処理が再度行われる。

次のステップ５１３では、解析システム１０７は、前記異常が回避できるように、「少なくとも１つのウエハ処理条件」の調整を指示する。

次のステップ５１５では、ウエハＷはコータ・デベロッパ１１１に移送され、コータ・デベロッパ１１１にてＰＥＢ処理が行われる。

次のステップ５１７では、ウエハ測定・検査器１０９は、「少なくとも１つのウエハ処理条件・処理結果」に関する情報に基づいて、前記ＰＥＢ処理がなされたウエハＷを検査するウエハ検査処理２の検査条件を最適化する。ここでの検査条件は、ウエハＷにおける検査位置及び検査感度の少なくとも一方を含む。

次のステップ５１９では、ウエハＷはウエハ測定・検査器１０９に移送され、ウエハ測定・検査器１０９にてウエハ検査処理２が行われる。ここでは、最適な検査条件に基づいてウエハＷの外観検査が行われる。

次のステップ５２１では、ウエハ検査処理２の検査結果が解析システム１０７などに送信される。

次のステップ５２３では、解析システム１０７は、ウエハ検査処理２の検査結果に基づいて、ウエハＷに異常があるか否かを判断する。そして、異常がなければ、このステップ５２３での判断は肯定され、前記ステップ５２７に移行する。一方、ウエハＷに異常があれば、ステップ５２３での判断は否定され、ステップ５２５に移行する。

このステップ５２５では、解析システム１０７は、前記異常が回避できるように、「少なくとも１つのウエハ処理条件」の調整を指示する。

次のステップ５２７では、ウエハＷはコータ・デベロッパ１１１に移送され、コータ・デベロッパ１１１にて現像処理が行われる。

次のステップ６０１では、ウエハ測定・検査器１０９は、「少なくとも１つのウエハ処理条件・処理結果」に関する情報に基づいて、前記現像処理がなされたウエハＷを検査するウエハ検査処理３の検査条件を最適化する。ここでの検査条件は、ウエハＷにおける検査位置及び検査感度の少なくとも一方を含む。

次のステップ６０３では、ウエハＷはウエハ測定・検査器１０９に移送され、ウエハ測定・検査器１０９にてウエハ検査処理３が行われる。ここでは、最適な検査条件に基づいてウエハＷにおける露光パターン（レジストパターン）の検査が行われる。

次のステップ６０５では、ウエハ検査処理３の検査結果が解析システム１０７に送信される。

次のステップ６０７では、解析システム１０７は、ウエハ検査処理３の検査結果に基づいて、ウエハＷに異常があるか否かを判断する。そして、異常がなければ、このステップ６０７での判断は肯定され、前記ステップ６１１に移行する。一方、ウエハＷに異常があれば、ステップ６０７での判断は否定され、ステップ６０９に移行する。

このステップ６０９では、解析システム１０７は、前記異常が回避できるように、「少なくとも１つのウエハ処理条件」の調整を指示する。

次のステップ６１１では、解析システム１０７は、各計測結果、解析結果、各処理条件、各検査結果などを前記相関データベースに登録する。この相関データベースは、前記ウエハＷの検査結果を予測する際に参照される。また、ここでは、この相関データベースに基づいて、前記成膜・レジスト処理での各計測結果、成膜条件及び各塗布条件のうちの少なくとも１つと検査装置による検査での異常検出との相関関係、前記液浸モニタ処理でのモニタ結果と検査装置による検査での異常検出との相関関係、前記液体・異物除去の処理結果と検査装置による検査での異常検出との相関関係などが取得される。

次のステップ６１３では、必要に応じて、エッチング装置１１５によるエッチング処理、酸化・イオン注入装置１１９による不純物拡散処理、ＣＶＤ装置１１３による配線処理、ＣＭＰ装置１１７による平坦化処理などが行われる。

次のステップ６１５では、そのウエハＷに対する処理工程が終了したか否かを判断する。処理工程が終了していなければ、ここでの判断は否定され、前記ステップ４０１に戻る。

以下、ステップ６１５での判断が肯定されるまで、ステップ４０１〜ステップ６１５の処理が繰り返される。そのウエハＷに対する処理工程が終了すれば、ステップ６１５での判断が肯定され、ステップ６１７に移行する。

このステップ６１７では、プロービング処理が行われる。

次のステップ６１９では、不良が検出されたか否かが判断される。そして、不良が検出されなければ、ステップ６１９での判断は否定され、前記ステップ６２３に移行する。一方、不良が検出されると、ステップ６１９での判断は肯定され、ステップ６２１に移行する。

このステップ６２１では、リペア処理が行われる。具体的には、冗長回路への置換処理などが行われる。

次のステップ６２３では、ダイシング処理が行われる。

次のステップ６２５では、パッケージング処理及びボンディング処理が行われる。そして、半導体製造システム１００の動作が終了する。

これまでの説明からわかるように、本実施形態では、図２０〜図２４のフローチャートに対応するプログラムにおいて、本発明の第１〜第３のプログラムの一例が実行され、図２０〜図２４のフローチャートに対応するプログラムが格納されている各フラッシュメモリによって、本発明の記録媒体の一例が実現されている。

以上説明したように、本実施形態に係る半導体製造システム１００によると、ウエハ測定・検査器１０９は、「少なくとも１つのウエハ処理条件・処理結果」に関する情報に基づいて、液浸露光されたウエハＷを検査するウエハ検査処理１の検査条件、ＰＥＢ処理がなされたウエハＷを検査するウエハ検査処理２の検査条件、及び現像処理がなされたウエハＷを検査するウエハ検査処理３の検査条件を、それぞれ最適化している。これにより、効率的なウエハＷの良否検査が可能となる。従って、結果としてウエハＷに対する処理を効率良く行うことが可能となる。

また、解析システム１０７は、「少なくとも１つのウエハ処理条件・処理結果」に基づいて、ウエハ測定・検査器１０９によるウエハＷの検査結果を予測している。そして、解析システム１０７は、予測結果が「ウエハ測定・検査器１０９によるウエハ検査でウエハＷの異常が検出される」であれば、その異常が回避できるように「少なくとも１つのウエハ処理条件」の調整を指示している。これにより、歩留まりを向上させることが可能となる。

この場合に、解析システム１０７は、予め取得されている相関関係を参照して、ウエハ測定・検査器１０９によるウエハＷの検査結果を予測している。これにより、予測精度を高めることが可能となる。

また、解析システム１０７は、ウエハ検査処理１の検査結果に基づいて、ウエハＷ上の液体・異物がウエハＷに悪影響を及ぼすおそれがあるか否かを判断し、その判断結果を除去装置Ｔに送信している。そして、除去装置Ｔは、ウエハＷ上の液体・異物がウエハＷに悪影響を及ぼすおそれがあれば、液体・異物除去処理を再度行っている。これにより、歩留まりを向上させることが可能となり、結果としてウエハＷに対する処理を効率良く行うことが可能となる。

この場合に、除去装置Ｔは、ウエハＷ上の液体・異物がウエハＷに悪影響を及ぼすおそれがあれば、液体・異物除去の処理条件を調整することができる。従って、結果としてウエハＷに対する処理を効率良く行うことが可能となる。

なお、上記実施形態では、レチクルＲが透過型の場合について説明したが、これに限らず、反射型であっても良い。

また、上記実施形態において、前記液浸モニタ装置２６０を用いる代わりに、一例として図２６に示されるように、ウエハＷに前記ＣＣＤセンサモジュール２６２が設けられても良い。ここでは、露光開始ショットＳＳの手前にＣＣＤセンサモジュール２６２が設けられている。これにより、通常の露光シーケンス中に液浸状態をモニタできる。また、前記ウエハステージＷＳＴ上の所定位置に前記ＣＣＤセンサモジュール２６２が設けられても良い。この場合も、露光中に液浸モニタを行うことが可能である。

また、上記実施形態では、前記液浸領域を照明するために、液浸領域の周辺部に前記照明用光源１５が設置されている場合について説明したが、これに限らず、前記照明用光源１５に代えて、例えば、前記基材２６１上に発光素子を設けても良い。また、前記液浸モニタ装置２６０のラインセンサとして前記露光光ＥＬに感度を有するものが用いられるときには、前記露光光ＥＬを用いて液浸領域を照明しても良い。

また、上記実施形態において、前記ウエハ測定・検査器１０９に代えて、オフラインのウエハ測定・検査器が用いられても良い。

また、上記実施形態において、前記液浸露光されたウエハＷの外観検査を行う検査装置と、前記ＰＥＢ処理がなされたウエハＷの外観検査を行う検査装置と、前記現像処理がなされたウエハＷのパターン検査を行う検査装置とが、それぞれ異なる検査装置であっても良い。

また、上記実施形態において、前記解析システム１０７で行われる処理の少なくとも一部が前記ウエハ測定・検査器１０９で行われても良い。

また、上記実施形態において、前記液浸モニタ装置２６０の一次元ラインセンサに代えて、エリアセンサを用いても良い。但し、ＣＣＤセンサの面積、処理時間、消費電力などを考慮すると、一次元ラインセンサを用いてスキャン撮像するほうが好ましい。

また、上記実施形態では、前記液浸モニタ装置２６０が、一次元ラインセンサを６個有している場合について説明したが、これに限定されるものではない。さらに、上記実施形態における各一次元ラインセンサの物平面位置は一例であり、これに限定されるものではない。

また、上記実施形態では、前記液浸モニタ装置２６０が、ＣＣＤセンサモジュール２６２を５個有している場合について説明したが、これに限定されるものではない。また、各ＣＣＤセンサモジュールの配置についても上記実施形態に限定されるものではない。

また、上記実施形態において、前記液浸モニタ装置２６０の各マイクロレンズに代えて、マイクロレンズの周囲にリング状の電歪素子を配置し、該電歪素子の駆動電圧を調整することによって焦点距離の調整ができる、焦点距離調整機能付マイクロレンズを使用して、物平面位置をラインセンサ毎に設定しても良い。

また、上記実施形態では、前記生成装置６０が１個の弾性ステータを有する場合について説明したが、ＸＹ平面上に配置される複数の弾性ステータを有しても良い。

また、上記実施形態では、前記液浸領域に満たされる液体ＬＱが純水の場合について説明したが、これに限らず、前記露光光ＥＬに対して透過性を有し、できるだけ屈折率が高く、温度変化による屈折率変化が少なく、粘度が低く、前記光学素子ＦＬ及びフォトレジストに対して安定なものを用いることができる。候補としては、露光光に対する透過性は良くないが、高屈折率のグリセロールなどがある。

また、上記実施形態では、液浸モニタの解析を前記液浸モニタ装置２６０の解析装置２６３が行う場合について説明したが、これに限らず、例えば、前記液浸モニタ装置２６０の各ラインセンサの出力信号に基づいて、メインコントローラ４２が液浸モニタの解析を行っても良い。

また、上記実施形態において、除去装置Ｔは、露光処理後のウエハＷだけでなく、露光処理前のウエハＷも処理対象としても良い。すなわち、露光処理前のウエハＷに付着しているパーティクルなどの異物を除去するのに用いても良い。

また、上記実施形態では、前記露光装置本体Ｓでの露光対象が半導体製造用の半導体ウエハの場合について説明したが、これに限らず、例えば、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）などであっても良い。すなわち、前記露光装置本体Ｓは、半導体素子製造用の露光装置に限らず、例えば、液晶表示素子製造用の露光装置、ディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド製造用の露光装置、撮像素子製造用の露光装置、レチクル又はマスク製造用の露光装置などであっても良い。

さらに、前記露光装置本体Ｓでの露光対象の形状は、円形状に限定されるものではなく、例えば矩形状であっても良い。この場合には、前記液浸モニタ装置２６０の基材２６１の形状も矩形状のものが用いられる。

また、上記実施形態では、前記半導体製造システム１００の露光装置が１台の場合について説明したが、これに限らず、露光装置が複数台あっても良い。

また、上記実施形態において、前記露光装置本体Ｓは、レチクルＲとウエハＷとを走査方向に同期移動しつつレチクルＲに形成されたパターンをウエハＷに露光する走査型露光装置（いわゆるスキャニングステッパ）であっても良い。また、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲに形成されたパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置であっても良い。さらに、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置であっても良い。

また、前記露光装置本体Ｓは、例えば、特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報、並びにこれらに対応する米国特許第６,５９０,６３４号明細書、特表２０００−５０５９５８号公報（及び対応する米国特許第５,９６９,４４１号明細書）などに開示される、複数のウエハステージを備えたツインステージ型の露光装置であっても良い。

なお、上記実施形態の露光装置本体Ｓでは、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（又は可変成形マスク、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器とも呼ばれる）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いても良い。また、露光装置は、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハＷ上に形成することによって、ウエハＷ上にデバイスパターンを形成する露光装置（リソグラフィシステム）であっても良い。

また、前記露光装置本体Ｓは、例えば、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５８２５０４３号明細書などに開示される、ウエハＷの表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置であっても良い。

また、上記実施形態では、局所液浸タイプの露光装置を例示したが、本発明の基板処理方法及び基板処理システムのうちの一部、例えば成膜装置によって形成された膜の成膜状況及び成膜装置の成膜条件の少なくとも一方に基づいて、検査条件を最適化する基板処理方法及び基板処理システムなどは、液浸タイプでない露光装置にも適用可能である。従って、露光装置は液浸タイプに限られない。

逆に、例えば、液浸モニタ処理は露光装置が液浸タイプである場合に特有の処理であって、液浸タイプでない露光装置を用いた処理の中では実行されない処理である。よって、この液浸モニタ処理の処理結果を用いて測定・検査結果を予測し、引いては、測定・検査処理を最適化することは、露光装置が液浸タイプの露光装置である場合に限られる。

ところが、デバイス製造工場の中においては、液浸タイプでない露光装置と液浸タイプの露光装置が混在し、これらタイプの異なる露光装置の結果を共通の測定・検査装置で検査する運用方法も考えられる。このような運用方法に対応して、本発明の基板処理方法及び基板処理システムにおいて、露光装置のタイプが液浸タイプであるか否かに応じて、測定・検査処理を変更するように構成しても良い。例えば液浸モニタ処理のように、液浸タイプでない露光装置を用いた処理の中では実行されない処理に対しては、測定・検査処理結果を予測する際に、予測結果に液浸モニタ処理結果を反映させるためのパラメータを省略して予測結果を求めることができるようにすれば良い。

また、例えば、液体・異物除去処理も露光装置が液浸タイプの露光装置であった場合と、液浸タイプでない露光装置であった場合とでは処理内容が異なる。これに対しては、測定・検査処理される基板が液浸タイプの露光装置で処理された基板か、液浸タイプでない露光装置で処理された基板かの情報を受信し、この受信した情報に応じて測定・検査処理結果を予測するためのパラメータ設定を調整すれば良い。

また、上記実施形態では、本発明に係るプログラムは、各フラッシュメモリに記録されているが、他の記録媒体（ＣＤ、光磁気ディスク、ＤＶＤ、メモリカード、ＵＳＢメモリ、フレキシブルディスク等）に記録されていても良い。また、ネットワーク（ＬＡＮ、イントラネット、インターネットなど）を介して本発明に係るプログラムを各フラッシュメモリに転送しても良い。

なお、上記実施形態で引用した露光装置などに関する全ての国際公開パンフレット、米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。

以上説明したように、本発明の基板処理方法及び基板処理システムによれば、基板に対する処理を効率良く行うのに適している。また、本発明のプログラム及び記憶媒体によれば、基板処理システムに、基板に対する処理を効率良く行わせるのに適している。

Claims

複数の処理装置を用いて基板に対する複数の処理を行い、少なくとも１つの検査装置を用いて前記基板の良否を検査する基板処理方法であって、
前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を前記少なくとも１つの検査装置へ送信し、送信された前記情報に基づいて、前記少なくとも１つの検査装置における検査条件を最適化する工程を含む基板処理方法。
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する工程を、更に含む基板処理方法。
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する工程では、前記予測が、予め取得されている、前記少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方と、前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われる基板処理方法。
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記複数の処理装置は、基板上に膜を形成する成膜装置を含み、
前記検査条件を最適化する工程では、前記成膜装置によって形成された膜の成膜状況及び前記成膜装置の成膜条件の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件の最適化が行われる基板処理方法。
請求項４に記載の基板処理方法において、
前記成膜状況は、膜厚、膜厚の変動状態及び膜の平坦度の少なくとも１つを含み、
前記成膜条件は、膜材料、成膜方法、目標膜厚、膜厚均一性、成膜環境及び膜材料の塗布条件の少なくとも１つを含む基板処理方法。
請求項４又は５に記載の基板処理方法において、
前記膜は、レジスト膜及びトップコート膜の少なくとも一方を含む基板処理方法。
請求項４〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記成膜状況及び成膜条件の少なくとも一方に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記成膜装置における成膜条件を調整する工程を、更に含む基板処理方法。
請求項７に記載の基板処理方法において、
前記成膜条件を調整する工程では、前記予測が、前記成膜状況及び成膜条件の少なくとも一方と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われる基板処理方法。
請求項３に記載の基板処理方法において、
前記複数の処理装置は、基板を液浸露光する液浸露光装置を含み、
前記検査装置を用いて前記液浸露光された基板を検査する露光検査工程と；
前記露光検査工程で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する工程と；を更に含み、
前記検査条件を最適化する工程では、前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記液浸露光された基板を検査する際の検査条件を最適化する基板処理方法。
請求項９に記載の基板処理方法において、
前記検査装置を用いて前記液浸露光後に行われるＰＥＢ処理がなされた基板を検査するＰＥＢ検査工程と；
前記ＰＥＢ検査工程で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する工程と；を更に含み、
前記検査条件を最適化する工程では、更に前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する際の検査条件を最適化する基板処理方法。
請求項１０に記載の基板処理方法において、
前記ＰＥＢ検査工程では、前記ＰＥＢ処理がなされた基板を、前記液浸露光された基板を検査する検査装置とは別の検査装置を用いて検査する基板処理方法。
請求項１０又は１１に記載の基板処理方法において、
前記検査装置を用いて前記ＰＥＢ処理後に行われる現像処理がなされた基板を検査する現像検査工程と；
前記現像検査工程で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する工程と；を更に含み、
前記検査条件を最適化する工程では、更に前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記現像処理がなされた基板を検査する際の検査条件を最適化する基板処理方法。
請求項１２に記載の基板処理方法において、
前記現像検査工程では、前記現像処理がなされた基板を、前記液浸露光された基板を検査する検査装置及び前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する検査装置とは別の検査装置を用いて検査する基板処理方法。
請求項１２又は１３に記載の基板処理方法において、
前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方と、前記露光検査工程の結果、前記ＰＥＢ検査工程の結果及び前記現像検査工程の結果の少なくとも１つを含む検査結果と、を用いて、前記相関関係を求める工程を、更に含む基板処理方法。
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記複数の処理装置は、基板を液浸露光する液浸露光装置と、前記液浸露光装置の内部及び外部の少なくとも一方に設けられ、基板上の液体及び異物の少なくとも一方を除去する液体・異物除去装置とを含み、
前記検査条件を最適化する工程では、前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果及び前記液浸露光処理後に行われる前記液体・異物除去装置による液体及び異物の除去処理結果の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件の最適化が行われる基板処理方法。
請求項１５に記載の基板処理方法において、
前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記液浸露光装置における液浸露光条件を調整する工程、及び投影光学系の光学素子の汚染を除去する工程の少なくとも１つを、更に含む基板処理方法。
請求項１６に記載の基板処理方法において、
前記液浸露光条件を調整する工程では、前記予測が、予め取得されている、前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われる基板処理方法。
請求項１６又は１７に記載の基板処理方法において、
前記モニタ結果は、液浸領域内の異物の種類、その位置、大きさ、形状及び数などの異物情報、及び光学素子の汚染の位置、汚染の程度などの光学素子汚染情報のうちの少なくとも１つを含む基板処理方法。
請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記液浸露光条件は、液体の供給条件、液体の回収条件、基板の移動条件、液浸領域の大きさ及び液浸領域の形状のうちの少なくとも１つを含む基板処理方法。
請求項１９に記載の基板処理方法において、
前記基板の移動条件は、液浸領域の液体に対する、基板の移動速度、加速度、減速度、移動方向、移動軌跡、移動距離、基板の各位置が液体に浸されている時間、フォーカス・レベリング時間のうちの少なくとも１つを含む基板処理方法。
請求項１５に記載の基板処理方法において、
前記液体及び異物の除去処理結果に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記液体・異物除去装置における液体及び異物の少なくとも一方の除去処理条件を調整する工程を、更に含む基板処理方法。
請求項２１に記載の基板処理方法において、
前記液体及び異物の少なくとも一方の除去処理条件を調整する工程では、前記予測が、予め取得されている、前記除去処理結果と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われる基板処理方法。
請求項２１又は２２に記載の基板処理方法において、
前記液体及び異物の少なくとも一方の除去処理の処理条件は、前記液体・異物除去装置における、たわみ進行波のオン・オフ条件、基板の回転速度、基板の傾斜角度、気体の吹き出し条件、液体の吸引条件、液体の乾燥条件のうちの少なくとも１つを含む基板処理方法。
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記検査条件は、基板における検査対象領域及び前記検査装置の検査感度の少なくとも一方を含む基板処理方法。
請求項９〜２４のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記液浸露光によって基板上に形成されたパターンに基づいて該基板の良否を検査するパターン検査装置を含む基板処理方法。
請求項１〜２５のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記少なくとも１つの検査装置は、基板の外観に基づいて該基板の良否を検査する外観検査装置を含む基板処理方法。
基板に対して複数の処理をそれぞれ行う複数の処理装置と；
前記基板の良否を検査する少なくとも１つの検査装置と；を備え、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方に関する情報を受信し、受信した前記情報に基づいて検査条件を最適化する基板処理システム。
請求項２７に記載の基板処理システムにおいて
前記少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方に基づいて、前記検査装置による検査で前記基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記少なくとも１つの処理装置に対して処理条件の調整を指示する調整指示装置を、更に備える基板処理システム。
請求項２８に記載の基板処理システムにおいて、
前記調整指示装置は、予め取得されている、前記少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方と、前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して、前記予測を行う基板処理システム。
請求項２７に記載の基板処理システムにおいて、
前記複数の処理装置は、基板上に膜を形成する成膜装置を含み、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記成膜装置によって形成された膜の成膜状況及び前記成膜装置の成膜条件の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件を最適化する基板処理システム。
請求項３０に記載の基板処理システムにおいて、
前記成膜状況は、膜厚、膜厚の変動状態及び膜の平坦度のうちの少なくとも１つを含み、
前記成膜条件は、膜材料、成膜方法、目標膜厚、膜厚均一性、成膜環境及び膜材料の塗布条件のうちの少なくとも１つを含む基板処理システム。
請求項３０又は３１に記載の基板処理システムにおいて、
前記膜は、レジスト膜及びトップコート膜の少なくとも一方を含む基板処理システム。
請求項３０〜３２のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記成膜状況及び成膜条件の少なくとも一方に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記成膜装置に対して成膜条件の調整を指示する調整指示装置を、更に備える基板処理システム。
請求項３３に記載の基板処理システムにおいて、
前記調整指示装置は、予め取得されている、前記成膜状況及び成膜条件の少なくとも一方と、前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して、前記予測を行う基板処理システム。
請求項２９に記載の基板処理システムにおいて、
前記複数の処理装置は、基板を液浸露光する液浸露光装置を含み、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記液浸露光された基板を検査する露光検査装置を含み、
前記調整指示装置は、更に、前記露光検査装置で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置に対して処理条件の調整を指示し、
前記露光検査装置は、前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて検査条件を最適化する基板処理システム。
請求項３５に記載の基板処理システムにおいて、
前記少なくとも１つの検査装置は、ＰＥＢ処理がなされた基板を検査するＰＥＢ検査装置を含み、
前記調整指示装置は、更に、前記ＰＥＢ検査装置で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置に対して処理条件の調整を指示し、
前記ＰＥＢ検査装置は、前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて検査条件を最適化する基板処理システム。
請求項３６に記載の基板処理システムにおいて、
前記少なくとも１つの検査装置は、現像処理がなされた基板を検査する現像検査装置を含み、
前記調整指示装置は、更に、前記現像検査装置で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置に対して処理条件の調整を指示し、
前記現像検査装置は、前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて検査条件を最適化する基板処理システム。
請求項３７に記載の基板処理システムにおいて、
前記調整指示装置は、更に、前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方と、前記露光検査装置の検査結果、前記ＰＥＢ検査装置の検査結果及び前記現像検査装置の検査結果のうちの少なくとも１つを含む検査結果と、を用いて、前記相関関係を求める基板処理システム。
請求項２７に記載の基板処理システムにおいて、
前記複数の処理装置は、前記基板を液浸露光する液浸露光装置と、前記液浸露光装置の内部及び外部の少なくとも一方に設けられ、前記基板上の液体及び異物の少なくとも一方を除去する液体・異物除去装置とを含み、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果及び前記液浸露光処理後に行われる前記液体・異物除去装置による液体及び異物の除去処理結果の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件を最適化する基板処理システム。
請求項３９に記載の基板処理システムにおいて、
前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果に基づいて、前記少なくとも１つの検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記液浸露光装置に対して液浸露光条件の調整を指示する調整指示装置、及び投影光学系の光学素子の汚染除去を指示する装置の少なくとも１つを、更に備える基板処理システム。
請求項４０に記載の基板処理システムにおいて、
前記調整指示装置は、予め取得されている、前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して、前記予測を行う基板処理システム。
請求項４０又は４１に記載の基板処システムにおいて、
前記モニタ結果は、液浸領域内の異物の種類、その位置、大きさ、形状及び数などの異物情報、及び光学素子の汚染の位置、汚染の程度などの光学素子汚染情報のうちの少なくとも１つを含む基板処理システム。
請求項４０〜４２のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記液浸露光条件は、液体の供給条件、液体の回収条件、基板の移動条件、液浸領域の大きさ及び液浸領域の形状のうちの少なくとも１つを含む基板処理システム。
請求項４３に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板の移動条件は、液浸領域の液体に対する、基板の移動速度、加速度、減速度、移動方向、移動軌跡、移動距離、基板の各位置が液体に浸されている時間、フォーカス・レベリング時間のうちの少なくとも１つを含む基板処理システム。
請求項３９に記載の基板処理システムにおいて、
前記液体及び異物の除去処理結果に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記液体・異物除去装置に対して液体及び異物の少なくとも一方の除去処理条件の調整を指示する調整指示装置を、更に備える基板処理システム。
請求項４５に記載の基板処理システムにおいて、
前記調整指示装置は、予め取得されている、前記除去処理結果と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して、前記予測を行う基板処理システム。
請求項４５又は４６に記載の基板処理システムにおいて、
前記液体及び異物の少なくとも一方の除去処理の処理条件は、前記液体・異物除去装置における、たわみ進行波のオン・オフ条件、基板の回転速度、基板の傾斜角度、気体の吹き出し条件、液体の吸引条件、液体の乾燥条件のうちの少なくとも１つを含む基板処理システム。
請求項２７〜４７のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記検査条件は、基板における検査対象領域及び前記検査装置の検査感度の少なくとも一方を含む基板処理システム。
請求項３５〜４８のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記液浸露光によって基板上に形成されたパターンに基づいて該基板の良否を検査するパターン検査装置を含む基板処理システム。
請求項２７〜４９のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記少なくとも１つの検査装置は、基板の外観に基づいて該基板の良否を検査する外観検査装置を含む基板処理システム。
基板に対して複数の処理をそれぞれ行う複数の処理装置と前記基板の良否を検査する少なくとも１つの検査装置とを備える基板処理システムに用いられるプログラムであって、
前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を前記少なくとも１つの検査装置へ送信し、送信された前記情報に基づいて、前記少なくとも１つの検査装置における検査条件を最適化する手順を、前記基板処理システムのコンピュータに実行させるプログラム。
請求項５１に記載のプログラムにおいて、
前記少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する手順を、前記コンピュータに更に実行させるプログラム。
請求項５２に記載のプログラムにおいて、
前記予測が、予め取得されている、前記少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方と、前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われるプログラム。
請求項５１に記載のプログラムにおいて、
前記複数の処理装置は、基板上に膜を形成する成膜装置を含み、
前記検査条件を最適化する手順として、前記成膜装置によって形成された膜の成膜状況及び前記成膜装置の成膜条件の少なくとも一方に関する情報を前記少なくとも１つの検査装置へ送信し、送信された前記情報に基づいて、前記少なくとも１つの検査装置における検査条件を最適化する手順を、前記コンピュータに実行させるプログラム。
請求項５４に記載のプログラムにおいて、
前記成膜状況は、膜厚、膜厚の変動状態及び膜の平坦度のうちの少なくとも１つを含み、
前記成膜条件は、膜材料、成膜方法、目標膜厚、膜厚均一性、成膜環境及び膜材料の塗布条件のうちの少なくとも１つを含むプログラム。
請求項５４又は５５に記載のプログラムにおいて、
前記膜は、レジスト膜及びトップコート膜の少なくとも一方を含むプログラム。
請求項５４〜５６のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
前記成膜状況及び成膜条件の少なくとも一方に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記成膜装置における成膜条件を調整する手順を、前記コンピュータに更に実行させるプログラム。
請求項５７に記載のプログラムにおいて、
前記予測が、予め取得されている、前記成膜状況及び成膜条件の少なくとも一方と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われるプログラム。
請求項５３に記載のプログラムにおいて、
前記複数の処理装置は、基板を液浸露光する液浸露光装置を含み、
前記検査装置を用いて前記液浸露光された基板を検査する手順と；
前記液浸露光された基板を検査する手順で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する手順と；を前記コンピュータに更に実行させ、
前記検査条件を最適化する手順では、前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記液浸露光された基板を検査する際の検査条件を最適化するプログラム。
請求項５９に記載のプログラムにおいて、
前記検査装置を用いて前記液浸露光後に行われるＰＥＢ処理がなされた基板を検査する手順と；
前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する手順で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する手順と；を前記コンピュータに更に実行させ、
前記検査条件を最適化する手順では、更に前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する際の検査条件を最適化するプログラム。
請求項６０に記載のプログラムにおいて、
前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する手順として、前記ＰＥＢ処理がなされた基板を、前記液浸露光された基板を検査する検査装置とは別の検査装置を用いて検査する手順を、前記コンピュータに実行させるプログラム。
請求項６０又は６１に記載のプログラムにおいて、
前記検査装置を用いて前記ＰＥＢ処理後に行われる現像処理がなされた基板を検査する手順と；
前記現像処理がなされた基板を検査する手順で基板に異常があることが検出された場合に、前記異常が回避できるように前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置における処理条件を調整する手順と；を前記コンピュータに更に実行させ、
前記検査条件を最適化する手順では、更に前記処理結果及び前記稼動状態の少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記現像処理がなされた基板を検査する際の検査条件を最適化するプログラム。
請求項６２に記載のプログラムにおいて、
前記現像処理がなされた基板を検査する手順として、前記現像処理がなされた基板を、前記液浸露光された基板を検査する検査装置及び前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する検査装置とは別の検査装置を用いて検査する手順を、前記コンピュータに実行させるプログラム。
請求項６２又は６３に記載のプログラムにおいて、
前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び該少なくとも１つの処理装置の稼動状態の少なくとも一方と、前記液浸露光された基板を検査する手順での検査結果、前記ＰＥＢ処理がなされた基板を検査する手順での検査結果及び前記現像処理がなされた基板を検査する手順での検査結果の少なくとも１つを含む検査結果と、を用いて、前記相関関係を求める手順を、前記コンピュータに更に実行させるプログラム。
請求項５１に記載のプログラムにおいて、
前記複数の処理装置は、基板を液浸露光する液浸露光装置と、前記液浸露光装置の内部及び外部の少なくとも一方に設けられ、基板上の液体及び異物の少なくとも一方を除去する液体・異物除去装置とを含み、
前記検査条件を最適化する手順では、前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果及び前記液浸露光処理後に行われる前記液体・異物除去装置による液体及び異物の除去処理結果の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件を最適化するプログラム。
請求項６５に記載のプログラムにおいて、
前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記液浸露光装置における液浸露光条件を調整する手順、及び投影光学系の光学素子の汚染を除去する手順のうちの少なくとも１つを、前記コンピュータに更に実行させるプログラム。
請求項６６に記載のプログラムにおいて、
前記予測が、予め取得されている、前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われるプログラム。
請求項６６又は６７に記載のプログラムにおいて、
前記モニタ結果は、液浸領域内の異物の種類、その位置、大きさ、形状及び数などの異物情報、及び光学素子の汚染の位置、汚染の程度などの光学素子汚染情報のうちの少なくとも１つを含むプログラム。
請求項６６〜６８のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
前記液浸露光条件は、液体の供給条件、液体の回収条件、基板の移動条件、液浸領域の大きさ及び液浸領域の形状のうちの少なくとも１つを含むプログラム。
請求項６９に記載のプログラムにおいて、
前記基板の移動条件は、液浸領域の液体に対する、基板の移動速度、加速度、減速度、移動方向、移動軌跡、移動距離、基板の各位置が液体に浸されている時間、フォーカス・レベリング時間のうちの少なくとも１つを含むプログラム。
請求項６５に記載のプログラムにおいて、
前記液体及び異物の除去処理結果に基づいて、前記検査装置による検査で基板の異常が検出されることを予測し、前記異常が回避できるように前記液体・異物除去装置における液体及び異物の少なくとも一方の除去処理条件を調整する手順を、前記コンピュータに更に実行させるプログラム。
請求項７１に記載のプログラムにおいて、
前記予測が、予め取得されている、前記除去処理結果と前記検査装置による検査での異常検出との相関関係を参照して行われるプログラム。
請求項７１又は７２に記載のプログラムにおいて、
前記液体及び異物の少なくとも一方の除去処理の処理条件は、前記液体・異物除去装置における、たわみ進行波のオン・オフ条件、基板の回転速度、基板の傾斜角度、気体の吹き出し条件、液体の吸引条件、液体の乾燥条件のうちの少なくとも１つを含むプログラム。
請求項５１〜７３のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
前記検査条件は、基板における検査対象領域及び前記検査装置の検査感度の少なくとも一方であるプログラム。
請求項５９〜７４のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
前記少なくとも１つの検査装置は、前記液浸露光によって基板上に形成されたパターンに基づいて該基板の良否を検査するパターン検査装置を含むプログラム。
請求項５１〜７５のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
前記少なくとも１つの検査装置は、基板の外観に基づいて該基板の良否を検査する外観検査装置を含むプログラム。
請求項５１〜７６のいずれか一項に記載のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
複数の処理装置で処理された基板の良否を検査する測定・検査装置であって、
前記複数の処理装置のうちの少なくとも１つの処理装置による処理結果及び少なくとも１つの処理装置の稼動状態の、少なくとも一方に関する情報を受信する受信部を備え、受信した前記情報に基づいて、検査条件を最適化する測定・検査装置。
請求項７８に記載の測定・検査装置において、
前記複数の処理装置は、前記基板上に膜を形成する成膜処理装置を含み、
前記成膜処理装置によって形成された膜の成膜状況及び前記成膜処理装置の成膜条件の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件を最適化する測定・検査装置。
請求項７８に記載の測定・検査装置において、
前記複数の処理装置は、前記基板を液浸露光する液浸露光装置と、前記液浸露光装置の内部及び外部の少なくとも一方に設けられ、前記基板上の液体・異物を除去する液体・異物除去装置とを含み、
前記液浸露光処理シーケンス中のモニタ結果及び前記液浸露光後に行われる前記液体・異物処理装置による液体・異物の除去処理結果の少なくとも一方に基づいて、前記検査条件を最適化する測定・検査装置。