TWI603155B - 曝光裝置、曝光方法、曝光裝置之維修方法、曝光裝置之調整方法、以及元件製造方法 - Google Patents

Description

曝光裝置、曝光方法、曝光裝置之維修方法、曝光裝置之調整方法、以及元件製造方法

本發明係關於曝光裝置、曝光方法、曝光裝置之維修方法、曝光裝置之調整方法以及元件製造方法。

本申請案主張2009年11月9日申請之日本特願2009-256372號之優先權，將其內容援用於此。

於微影製程中使用之曝光裝置，揭示於下述專利文獻之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置果為人知。曝光裝置具備將基板保持成可釋放之基板保持部，使保持於該基板保持部之基板曝光。

先行技術文獻

[專利文獻1]美國專利公開第2006/0132737號說明書

使用基板保持部可保持之假(dummy)基板進行既定處理時，若持續使用例如已劣化之假基板的話，有可能無法良好的實施該既定處理。其結果，有可能發生曝光不良等情形，使曝光性能降低而產生不良元件。

本發明之目的在提供一種能良好的實施使用假基板之處理、而能抑制曝光性能降低之曝光裝置、曝光方法、曝光裝置之維修方法以及曝光裝置之調整方法。又，本發明之另一目的在提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法。

用以解決課題之手段

本發明第1態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備：基板保持部，係以可釋放之方式保持該基板並能移動之；以及管理裝置，用以管理該基板保持部可保持之假基板之使用狀態。

本發明第2態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第1態樣之曝光裝置使基板曝光之事；以及使該曝光之基板顯影之事。

本發明第3態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其包含：以該曝光用光使保持於基板保持部之該基板曝光之事；以該基板保持部保持假基板並使用該假基板實施既定處理之事；以及管理該假基板之使用狀態之事。

本發明第4態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第3態樣之曝光方法使基板曝光之事；以及使該曝光之基板顯影之事。

本發明第5態樣提供一種曝光裝置之維修方法，該曝光裝置係透過液體以曝光用光使基板曝光，其包含：在以可釋放之方式保持該基板之基板保持部保持假基板之事；在該假基板與既定構件之間保持液體以維修該既定構件之事；以及管理該假基板之使用狀態之事。

本發明第6態樣提供一種元件製造方法，包含：使用以第5態樣之維修方法維修之曝光裝置使基板曝光之事；以及使曝光後之該基板顯影之事。

本發明第7態樣提供一種曝光裝置之調整方法，該曝光裝置係透過液體以曝光用光使基板曝光，其包含：在以可釋放之方式保持該基板之基板保持部保持假基板之事；在將該假基板保持於該基板保持部之狀態下，調整既定裝置之事；以及管理該假基板之使用狀態之事。

本發明第8態樣提供一種元件製造方法，包含：使用以第7態樣之調整方法調整之曝光裝置使基板曝光之事；以及使曝光後之該基板顯影之事。

本發明第9態樣提供一種假基板，係以可釋放之方式被保持在透過液體對基板照射曝光用光以進行曝光之曝光裝置之基板保持部，其特徵在於：因應在該曝光裝置之使用內容之管理參數已被決定。

發明效果

根據本發明之各態樣，能抑制曝光性能之降低並抑制不良元件之產生。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。

圖1係顯示包含本發明一實施形態之曝光裝置EX之元件製造系統SYS例的概略構成圖、圖2係顯示圖1之一部分的俯視圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。本實施形態中，形成有將曝光用光EL之光路之至少一部分以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。

又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備可保持基板P移動之基板載台、與不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量器(測量構件)移動之測量載台的曝光裝置。

圖1及圖2中，曝光裝置EX具備：具有將光罩M保持成可釋放之光罩保持部5以保持光罩M可移動之光罩載台6、具有將基板P保持成可釋放之基板保持部7以保持基板P可移動之基板載台8、不保持基板P而搭載測量曝光用光EL之測量器24可移動之測量載台23、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案像投影至基板P之投影光學系PL、測量光罩載台6、基板載台8及測量載台23之位置之干涉儀系統16、檢測基板P之對準標記之對準系統19、搬送基板P之搬送系統4、在與基板P之間保持液體LQ以將照射於基板P之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸構件9、具有處理室構件15A(用以形成處理基板P之內部空間14)之處理室裝置15、控制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置1、以及連接於控制裝置1用以儲存關於曝光之各種資訊之記憶裝置2。

光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。

基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如矽晶圓等之半導體晶圓等基材、與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。

曝光裝置EX與基板處理裝置CD連接。本實施形態中，基板處理裝置CD包含塗佈、顯影(coater developer)裝置。基板處理裝置CD包含可於基板形成既定膜之膜形成裝置及將曝光後基板P加以顯影之顯影裝置。膜形成裝置包含例如美國專利公開第2006/0068110號說明書等所揭示之將感光材溶液以旋轉塗佈法塗佈於基板，而能在基板上形成感光膜之塗佈裝置。膜形成裝置不僅是感光膜，亦能於基板上形成保護膜及反射防止膜等各種膜。

本實施形態中，於曝光裝置EX連接有可收容基板P之收容裝置13。收容裝置13連接於處理室裝置15之既定位置。本實施形態中，收容裝置13包含例如被稱為FOUP(Front Opening Unified Pod)之基板收容裝置。收容裝置13可收容例如1批分(例如50片)之基板P。

又，本實施形態中，收容裝置13亦能收容假基板DP。假基板DP係與曝光用基板P不同之不易釋放出異物、具有高潔淨度之(潔淨之)構件。本實施形態中，假基板DP與基板P之外形大致相同。本實施形態中，基板P及假基板DP皆為圓形板片狀之構件。基板保持部7可保持假基板DP。收容裝置13能收容複數片假基板DP。收容裝置13可收容例如與1批份基板P相同數量(例如50片)之假基板DP。

又，本實施形態中，曝光裝置EX具備配置在搬送系統4之搬送路徑至少一部分、收容假基板DP之收容裝置17。本實施形態中，收容裝置17係收容較收容裝置13可收容之假基板DP數(例如50片)少之數量之假基板DP。本實施形態中，收容裝置17可收容2片假基板DP。當然，收容裝置17亦可收容較收容裝置13可收容之假基板DP數多之假基板DP數量、或收容相同數量之假基板DP。以下之說明中，將收容裝置17適當的稱為緩衝部17。緩衝部17可暫時的保管假基板DP。

本實施形態中，搬送系統4可分別搬送基板P及假基板DP。搬送系統4可在收容裝置13、基板載台8(基板保持部7)、基板處理裝置CD之間搬送基板P。此外，搬送系統4可在收容裝置13、緩衝部17、基板載台8(基板保持部7)之間搬送假基板DP。

本實施形態中，搬送系統4具備將基板P搬入(裝載)基板載台8之第1搬送構件4A、與將基板P從基板載台8搬出(卸載)之第2搬送構件4B。本實施形態中，第1搬送構件4A可將配置在緩衝部17之假基板DP搬送至基板載台8。第2搬送構件4B可將保持在基板載台8之假基板DP掰送至緩衝部17。此外，第2搬送構件4B可將收容在緩衝部17之假基板DP搬送至收容裝置13。又，第2搬送構件4B可將收容在收容裝置13之假基板DP搬送至緩衝部17。

又，搬送系統4亦可具備與第1、第2搬送構件4A、4B不同之其他搬送構件。此外，搬送系統4亦可使用與第2搬送構件4B不同之搬送構件來實施在收容裝置13與緩衝部17之間之假基板DP之搬送。

又，曝光裝置EX具備管理假基板DP之使用狀態之管理裝置3。管理裝置3可管理複數片假基板DP各個之使用狀態。管理裝置3包含例如測量假基板DP之使用時間之計時器及測量假基板DP之使用次數之計數器等。管理裝置3連接於控制裝置1。

又，於記憶裝置2儲存有預先決定之管理參數。控制裝置1根據管理裝置3之輸出、與儲存在記憶裝置2之管理參數，判斷假基板DP可否使用。

照明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均一照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。

光罩載台6能在以光罩保持部5保持有光罩M之狀態下，在包含照明區域IR之基座構件18之引導面18G上移動。光罩載台6可藉由包含例如美國專利第6452292號說明書所揭示之平面馬達之驅動系統之作動，在引導面18G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。

投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射之位置(曝光位置)。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等之縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系之任一者。又，投影光學系PL可以形成倒立像與正立像之任一種。

投影光學系PL具有朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL之射出面11。射出面11配置在投影光學系PL之複數光學元件中、最靠近投影光學系PL像面之終端光學元件10。投影區域PR包含從射出面11射出之曝光用光EL可照射之位置。本實施形態中，射出面11朝向-Z方向、與XY平面平行。此外，朝向-Z方向之射出面11可以是凸面、亦可以是凹面。

又，曝光裝置EX具備調整投影光學系PL之成像特性之成像特性調整系統PLC。成像特性調整系統PLC之例，已揭示於例如美國專利第4666273號說明書、美國專利第6235438號說明書及美國專利申請公開第2005/0206850號說明書等。本實施形態之成像特性調整系統PLC，包含可移動投影光學系PL之複數光學元件之一部分之驅動裝置。驅動裝置能使投影光學系PL之複數光學元件中之特定光學元件移動於光軸方向(Z軸方向)。又，驅動裝置可使特定光學元件相對光軸傾斜。成像特性調整系統PLC藉由移動投影光學系PL之特定光學元件，據以調整包含投影光學系PL之各種像差(投影倍率、畸變、球面像差等)及像面位置(焦點位置)等之成像特性。此外，成像特性調整系統PLC可藉由移動投影光學系PL之特定光學元件，據以調整曝光位置(投影區域PR之位置)。又，成像特性調整系統亦可包含壓力調整裝置，此壓力調整裝置係調整收容投影光學系PL之光學元件之鏡筒內部所保持之部分光學元件彼此間之空間之氣體壓力。成像特性調整系統PLC係以控制裝置1加以控制。

基板載台8能在以基板保持部7保持有基板P之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件20之引導面20G上移動。基板保持部7在從射出面11射出之曝光用光EL可照射之曝光位置(投影區域PR之位置)將基板P保持成可釋放。基板載台8可藉由包含例如美國專利第6452292號說明書所揭示之平面馬達之驅動系統之作動，在引導面20G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。

本實施形態中，基板保持部7所保持之基板P之表面與配置在該基板P周圍之基板載台8之上面22係配置在同一平面內(同面高)。上面22是平坦的。本實施形態中，基板保持部7所保持之基板P表面及基板載台8之上面22與XY平面大致平行。

當然，基板保持部7所保持之基板P表面與上面22可不是配置在同一平面內，基板P表面及上面22之至少一方亦可不與XY平面平行。

又，基板載台8之上面22，亦可以是例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示之被以可釋放之方式保持在基板載台之板片構件上面。

測量載台23能在搭載有測量器24(測量構件)之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件20之引導面20G上移動。測量載台23可藉由包含例如美國專利第6452292號說明書所揭示之平面馬達之驅動系統之作動，在引導面20G上，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。

測量器24可測量曝光用光EL。本實施形態中，測量器24係例如美國專利公開第2002/0041377號說明書所揭示之測量以投影光學系PL形成之空間像(投影光學系PL之成像特性)之空間像測量系統之至少一部分。

又，本實施形態中，測量載台23係搭載例如美國專利第4465368號說明書所揭示之照度不均測量系統之至少一部分。此外，測量載台23亦搭載例如美國專利第6721039號說明書所揭示之可測量投影光學系PL之曝光用光EL之透射率變動量之測量系統之至少一部分。再者，測量載台23亦搭載例如美國專利申請公開第2002/0061469號說明書等所揭示之照射量測量系統(照度測量系統)之至少一部分。進一步的，測量載台23亦搭載例如歐洲專利第1079223號說明書所揭示之波面像差測量系統之至少一部分。

處理室裝置15，具備用以形成處理基板P之內部空間14之處理室構件15A、與調整該內部空間14之環境之空調裝置15B。內部空間14之環境包含內部空間14之温度、濕度、壓力及潔淨度。處理室構件15A係形成包含曝光位置、以空調裝置15B加以温度調整之內部空間14。

基板載台8於內部空間14移動。

光罩載台6、基板載台8及測量載台23之位置係以包含雷射干涉儀單元16A、16B之干涉儀系統16加以測量。雷射干涉儀單元16A可測量光罩載台6之位置。雷射干涉儀單元16B可測量基板載台8及測量載台23之位置。實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置1根據干涉儀系統16之測量結果，實施光罩載台6(光罩M)、基板載台8(基板P)及測量載台23(測量器24)之位置控制。

又，曝光裝置EX亦可具備例如美國專利公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器系統，此編碼器系統具有複數個可測量配置在基板載台8之上面22之標尺的編碼器讀頭。

又，在實施基板P之曝光前，以對準系統19檢測基板P之對準標記。本實施形態中，對準系統19係例如美國專利第5493403號說明書等所揭示之FIA(Field Image Alignment)方式之對準系統。對準系統19取得基板P之對準標記之影像後檢測基板P(照射區域S1～S21)之位置。又，對準系統19除基板P之對準標記外，亦能檢測各種標記。

圖3係顯示本實施形態之液浸構件9之一例的側剖面圖。液浸構件9可形成液浸空間LS以將曝光用光EL之光路之至少一部分以液體LQ加以充滿。液浸構件9之至少一部分係配置在從射出面11射出之曝光用光EL之光路周圍至少一部分。本實施形態中，液浸構件9從Z軸方向觀察為環狀構件。本實施形態中，液浸構件9之至少一部分係配置在終端光學元件10及曝光用光EL之光路周圍。

液浸空間LS，係形成為將終端光學元件10、與配置在從終端光學元件10射出之曝光用光EL可照射位置(投影區域PR之位置)之物體之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。液浸構件9具有該物體可對向之下面12。在下面12與物體之間保持液體LQ以將射出面11與物體之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。

本實施形態中，可配置在投影區域PR之物體係能在投影光學系PL之像面側(終端光學元件10之射出面11側)相對投影區域PR移動之物體，能移動至與射出面11及下面12對向位置之物體。本實施形態中，能移動至與射出面11及下面12對向位置之物體，包含基板載台8、被保持於基板載台8之基板P、被保持於基板載台8之假基板DP及測量載台23之至少一者。

液浸構件9之下面12能在與物體表面(基板載台8之上面22、被保持於基板載台8之基板P表面、被保持於基板載台8之假基板DP表面及測量載台23之上面50之至少一者)之間保持液體LQ。液浸構件9為將射出面11與物體表面(上面)之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿，而在下面12與物體表面之間保持液體LQ以形成液浸空間LS。藉由在一側之射出面11及下面12與另一側之物體表面(上面)之間保持液體LQ，以形成將終端光學元件10與物體之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。

本實施形態中，在基板P被曝光用光EL照射時，形成液浸空間LS以將包含投影區域PR之基板P表面之一部分區域以液體LQ加以覆蓋。液體LQ之界面(彎月面、邊緣)LG之至少一部分係形成在液浸構件9之下面12與基板P表面之間。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。

此處，在使用圖3之說明中，雖係以基板P配置在投影區域PR(與終端光學元件10及液浸構件9對向之位置)之情形為例作了說明，但如上所述，亦可以是配置基板載台8、假基板DP及測量載台23之至少一者。

如圖3所示，液浸構件9在與射出面11對向之位置具有開口30。從射出面11射出之曝光用光EL通過開口30而可照射於基板P。

又，液浸構件9具有配置在開口30周圍、能與基板P表面對向之平坦面21。平坦面21在與基板P表面之間保持液體LQ。液浸構件9之下面12之至少一部分包含平坦面21。

液浸構件9具備能供應液體LQ之供應口27、與能回收液體LQ之回收口28。供應口27在基板P之曝光過程之至少一部分，供應液體LQ。回收口28在基板P之曝光過程之至少一部分，回收液體LQ。

供應口27係在曝光用光EL之光路近旁配發成面向該光路。供應口27經由供應流路34與液體供應裝置31連接。液體供應裝置31能送出潔淨且經温度調整之液體LQ。供應流路34，包含以將液浸構件9之內部流路及其內部流路與液體供應裝置31加以連接之供應管形成之流路。從液體供應裝置31送出之液體LQ經由供應流路34供應至供應口27。

回收口28能回收與液浸構件9之下面12對向之基板P(物體)上之液體LQ之至少一部分本實施形態中，回收口28係配置在平坦面21之周圍。回收口28配置在與基板P表面對向之液浸構件9之既定位置。於回收口28，配置有包含複數個孔(holes,openings或pores)之板片狀多孔構件29。又，亦可於回收口28配置多數小孔形成為網眼目狀之多孔構件的網眼篩(mesh filter)。本實施形態中，液浸構件9之下面12包含多孔構件29之下面。於基板P之曝光過程之至少一部分，多孔構件29之下面係面向基板P。基板P上之液體LQ透過多孔構件29之孔加以回收。

回收口28經由回收流路35與液體回收裝置33連接。液體回收裝置33可將回收口28連接於真空系統、經由回收口28吸引液體LQ。回收流路35，包含液浸構件9之內部流路及以將該內部流路與液體回收裝置33加以連接之回收管形成之流路。從回收口28回收之液體LQ經由回收流路35被回收至液體回收裝置33。

本實施形態中，控制裝置1可藉由平行實施從供應口27供應液體LQ之動作與從回收口28回收液體LQ之動作，據以在一側之終端光學元件10及液浸構件9與另一側之物體之間以液體LQ形成液浸空間LS。

又，作為液浸構件9，可使用例如美國專利公開第2007/0132976號說明書、歐洲專利公開第1768170號說明書所揭示之液浸構件(嘴構件)。

接著，說明在基板P之曝光時之曝光裝置EX之一動作例。圖4係保持在基板載台8之基板P之俯視圖。於基板P之曝光中，基板P被保持在基板保持部7。又，在液浸構件9與基板P之間保持液體LQ以將照射於基板P之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。如圖4所示，於基板P上將曝光對象區域之複數照射區域S1～S21設定成矩陣狀。又，如圖4所示，本實施形態中，投影區域PR係X軸方向為長邊方向之狹縫狀。

本實施形態之曝光裝置EX，係一邊將光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案像投影於基板P之掃描型曝光裝置(所謂之掃描步進機)。在基板P之照射區域S1～S21之曝光時，光罩M及基板P係被移動於XY平面內之既定掃描方向。本實施形態中，基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置1，使保持有光罩M之光罩載台6(光罩保持部5)與保持有基板P之基板載台8(基板保持部7)，相對曝光用光EL之光路同步移動於Y軸方向。

控制裝置1控制光罩載台6及基板載台8，使基板P之照射區域S1～S21相對投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明區域IR使光罩M之圖案形成區域移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。如此，被保持於基板保持部7之基板P之照射區域S1～S21及被從投影光學系PL之射出面11射出之曝光用光EL透過液體LQ而曝光，光罩M之圖案像被投影至基板P之照射區域S1～S21。

在使各照射區域S1～S21曝光時，控制裝置1控制基板載台8使基板P相對投影區域PR(終端光學元件10)移動於Y軸方向。又，在對一照射區域(例如第1照射區域S1)之曝光結束後，為使次一照射區域(例如第2照射區域S2)曝光，控制裝置1在停止從終端光學元件10射出曝光用光EL之狀態下，控制基板載台8使基板P相對終端光學元件10移動於XY平面內之既定方向，以將投影區域PR配置在次一照射區域之曝光開始位置。

本實施形態中，控制裝置1，為使投影區域PR沿如圖4中例如箭頭R1移動，一邊相對移動終端光學元件10與基板P(基板載台8)、一邊從終端光學元件10之射出面11射出曝光用光EL，對投影區域PR照射曝光用光EL使基板P上之各照射區域S1～S21依序曝光。

以下之說明中，將沿著箭頭R1移動之基板載台8之移動軌跡，適當的稱為移動軌跡R1。

接著，參照圖5及圖6說明假基板DP。圖5及圖6係顯示本實施形態之假基板DP之一例的側剖面圖。如上所述，假基板DP之外形與基板P大致相同。基板保持部7可保持假基板DP。在假基板DP被保持於基板保持部7時，假基板DP表面之至少一部分對向於基板保持部7。以下之說明中，將與基板保持部7對向之假基板DP表面之至少一部分適當的稱為假基板DP之下面SB，而將與下面SB朝向相反方向之假基板DP表面之至少一部分適當的稱為假基板DP之上面SA。基板保持部7係保持假基板DP之下面SB。

在假基板DP被保持於基板保持部7之狀態下，基板載台8之上面22係配置在假基板DP之上面SA周圍。在假基板DP被保持於基板保持部7之狀態下，假基板DP之上面SA與基板載台8之上面22係配置大致同一平面內(大致同面高)。此外，在假基板DP被保持於基板保持部7之狀態下，假基板DP之上面SA能與終端光學元件10之下面11及液浸構件9之下面12對向。

如圖5所示，本實施形態中，假基板DP包含基材W、與形成在該基材W表面至少一部分之膜F。本實施形態中，假基板DP之上面SA、下面SB及連結上面SA與下面SB之側面SC，分別為膜F之表面。又，如圖6所示，亦可以是上面SA及側面SC為膜F之表面、而下面SB則為基材W之表面。或者，亦可以是上面SA為膜F之表面、而側面SC及下面SB為基材W之表面。

本實施形態中，假基板DP之基材W與元件製造用基板P之基材相同。本實施形態中，假基板DP之基材W為矽晶圓(所謂之裸晶圓Bare wafer)。

本實施形態中，膜F對液體LQ為撥液性。本實施形態中，膜F係以包含氟之樹脂(氟系樹脂)形成。本實施形態中，膜F係以鐵氟龍(登錄商標)形成。此外，膜F亦可以是CVD法形成之氮化碳化矽(SiCN)膜。

接著，針對具有上述構成之曝光裝置EX之一動作例，參照圖7之流程圖及圖8、圖9之示意圖加以說明。

本實施形態，係使用假基板DP實施既定處理。使用假基板DP之處理，包含調整曝光裝置EX之既定裝置(基板載台8、投影光學系PL等)之調整處理、以及維修曝光裝置EX之既定構件(液浸構件9、終端光學元件10等)之維修處理之至少一方。

本實施形態中，包含調整處理及維修處理之既定處理係在基板保持部7保持有假基板DP之狀態下實施。

本實施形態中，調整處理包含在基板保持部7保持有假基板DP之狀態下，調整從投影光學系PL之射出面11射出之曝光用光EL之照射量的處理及調整投影光學系PL的處理之至少一方。又，調整處理包含在假基板DP被保持於基板保持部7之狀態下調整光罩載台6與基板載台8之同步移動誤差的處理。

本實施形態中，維修處理包含在基板保持部7保持有假基板DP之狀態下，清潔液浸構件7之至少一部分的處理及以曝光用光EL進行投影光學系PL至少一部分之光洗淨的處理之至少一方。

如圖7所示，本實施形態之曝光方法，包含以基板保持部7保持假基板DP並使用假基板DP實施既定裝置之調整處理之動作(步驟SP1)、以曝光用光EL使保持於基板保持部7之基板P曝光之動作(步驟SP2)、以及以基板保持部7保持假基板DP並使用假基板DP實施既定構件之維修處理之動作(步驟SP3)。

本實施形態中，在實施使用假基板DP之既定處理之前，預算將假基板DP收容於緩衝部17。控制裝置1從被收容在收容裝置13之複數片(例如50片)假基板DP中、選擇2片假基板DP，將該2片假基板DP使用搬送系統4收容於緩衝部17。

本實施形態中，假基板DP之使用，包含在保持於基板保持部7之狀態下之使用。實施使用假基板DP之既定處理之情形時，控制裝置1使用搬送系統4將被收容在緩衝部17之假基板DP搬入基板保持部7。

控制裝置1為實施使用假基板DP之調整處理，從收容在緩衝部17之2片假基板DP中選擇1片假基板DP，將所選擇之假基板DP使用搬送系統4搬入基板保持部7。基板保持部7保持該假基板DP。

控制裝置1在將假基板DP保持於基板保持部7後，使用被保持在該基板保持部7之假基板DP，開始調整處理(步驟SP1)。

圖8中顯示了實施從投影光學系PL之射出面11射出之曝光用光EL照射量之調整處理之一狀態例。如圖8所示，曝光用光EL照射量之調整處理係在使投影光學系PL之射出面11與被保持在基板保持部7之假基板DP對向之狀態下實施。控制裝置1在使射出面11與假基板DP對向之狀態下，一邊從射出面11射出曝光用光EL、一邊調整從射出面11射出之曝光用光EL之照射量。從射出面11射出之曝光用光EL照射於假基板DP。本實施形態中，於照明系IL配置有可調整曝光用光EL照射量之照射量感測器。從曝光用光EL之光源射出、通過照明系IL之曝光用光EL射入投影光學系PL，經由該投影光學系PL之複數個光學元件後從射出面11射出，照射於假基板DP。控制裝置1以配置在照明系IL之照射量感測器測量從曝光用光EL之光源射出、通過照明系IL之曝光用光EL之照射量。控制裝置1可根據該照射量感測器之測量結果，導出從射出面11射出之曝光用光EL之照射量。控制裝置1可根據該照射量感測器之測量結果調整例如光源(本實施形態中為ArF準分子雷射裝置)之輸出，以調整曝光用光EL之照射量。

如前所述，本實施形態中，假基板DP之使用包含在與射出面11對向狀態下之使用。又，假基板DP之使用，包含將從射出面11射出之曝光用光EL照射於假基板DP。本實施形態，於曝光用光EL之照射量調整處理中，由於係於假基板DP照射曝光用光EL，因此可防止曝光用光EL照射到曝光裝置EX之不合適之部位。

例如，於調整處理中，當曝光用光EL照射到基板載台8之上面22或測量載台23之上面50時，此等上面22、50有可能因曝光用光EL之照射而劣化。本實施形態，藉由對假基板DP照射曝光用光EL，而能抑制因曝光用光EL之照射導致上面22、50等之劣化。

又，如圖8所示，曝光用光EL之照射量之調整處理，係在終端光學元件10及液浸構件9與被保持在基板保持部7之假基板DP之間保持有液體LQ之狀態下實施。如此，本實施形態中，假基板DP之使用，包含在終端光學元件10及液浸構件9之間保持液體LQ之事。

其次，說明使用假基板DP調整投影光學系PL之處理之一例。投影光學系PL之調整處理，亦係在使投影光學系PL之射出面11與被保持在基板保持部7之假基板DP對向之狀態下實施。控制裝置1在基板保持部7保持有假基板DP之狀態下，如參照圖4所作之說明，一邊使基板載台8沿移動軌跡R1移動、一邊從投影光學系PL之射出面11射出曝光用光EL。亦即，控制裝置1在使射出面11與基板保持部7所保持之假基板DP對向之狀態下，一邊使基板載台8沿移動軌跡R1移動、一邊從投影光學系PL之射出面11射出曝光用光EL。從投影光學系PL之射出面11射出之曝光用光EL照射於假基板DP。控制裝置1以曝光用光EL照射於假基板DP上假想設定之照射區域S1～S21之方式，在使射出面11與假基板DP對向之狀態下，一邊使該假基板DP沿移動軌跡R1移動、一邊從射出面11射出曝光用光EL。亦即，控制裝置1使假想設定於假基板DP之照射區域S1～S21依序曝光(假(dummy)曝光)。

本實施形態中，為進行投影光學系PL之調整處理之假曝光係在終端光學元件10及液浸構件9與基板保持部7所保持之假基板DP之間保持有液體LQ之狀態下實施。

假曝光結束後，控制裝置1控制基板載台8及測量載台23相對投影光學系PL之位置，將測量載台23之測量器24配置在與射出面11對向之位置。控制裝置1使曝光用光EL從投影光學系PL之射出面11射出，將曝光用光EL照射於測量器24。如上所述，本實施形態中，測量器24包含空間像測量系統，可測量以投影光學系PL形成之空間像(投影光學系PL之成像特性)。控制裝置1根據測量器24之測量結果控制成像特性調整系統PLC。亦即，控制裝置1根據測量器24之測量結果，使用成像特性調整系統PLC調整投影光學系PL之成像特性，以使投影光學系PL成為所欲之成像特性。

如此，本實施形態中，假基板DP之使用，包含在與射出面11對向之狀態下，調整曝光用光EL之照射量及調整投影光學系PL之至少一方。

使用測量器24測量投影光學系PL之成像特性之情形時，測量載台23係相對終端光學元件10及液浸構件9配置在既定位置，在終端光學元件10及液浸構件22與測量載台23之間保持液體LQ，而在射出面11及下面12與測量載台23之上面50之間形成液浸空間LS。控制裝置1使終端光學元件10及液浸構件9與測量載台23對向，並形成液浸空間LS將終端光學元件10與測量器24之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。控制裝置1經由投影光學系PL及液體LQ將曝光用光EL照射於測量器24，實施使用測量器24之測量處理。

如前所述，本實施形態中，假基板DP之使用，包含在終端光學元件10及液浸構件9之間保持液體LQ。又，如上所述，於假曝光中，假基板DP在終端光學元件10及液浸構件9對向之狀態下，沿移動軌跡R1移動。如此所述，假基板DP之使用，包含在與終端光學元件10及液浸構件9對向之狀態下之移動。

本實施形態，於投影光學系PL之調整處理中，係在使用假基板DP實施假曝光後，實施投影光學系PL之成像特性測量，因此能以和為製造元件而對基板P進行之曝光(實曝光)相同之曝光條件，以良好精度測量投影光學系PL之成像特性。因此，能根據其測量結果，良好的將投影光學系PL調整為所欲之成像特性。藉由於假曝光中使用假基板DP而非用以製造元件之基板P，可防止基板P之浪費。又，如上所述，於假曝光中，假基板DP與液體LQ接觸。由於假基板DP與基板P相較不易釋出異物(雜質等)，因此在調整處理中，可抑制液體LQ受到污染、或與液體LQ接觸之終端光學元件10及液浸構件9等受到污染。

接著，說明使用假基板DP調整光罩載台6與基板載台8之同步移動誤差之一處理例。光罩載台6與基板載台8之同步移動誤差之調整處理，亦係在使投影光學系PL之射出面11與基板保持部7所保持之假基板DP對向之狀態下實施。

控制裝置1在將假基板DP保持於基板保持部7之狀態下，實施調整光罩載台6與基板載台8之同步移動誤差之處理。亦即，將外形及重量與基板P大致相等之假基板DP保持於基板保持部7，並在使光罩M被保持於光罩保持部5之狀態下，以和基板P之曝光時相同移動條件，使光罩載台6與基板載台8同步移動。控制裝置1在將假基板DP保持於基板保持部7之狀態下，使基板載台8沿移動軌跡R1移動。假基板DP在與終端光學元件10及液浸構件9對向之狀態下，於XY平面內移動。控制裝置1，一邊以干涉儀系統16測量光罩載台6及基板載台8之位置、一邊使光罩載台6及基板載台8同步移動。如此，即能測量光罩載台6與基板載台8之同步移動誤差，並根據該測量結果調整(修正)同步移動誤差。調整同步移動誤差之一技術例，已揭示於例如國際公開第2005/036620號小冊子。

如前所述，假基板DP之使用，包含在假基板DP被保持於基板保持部7之狀態下，調整光罩載台6(光罩保持部5)與基板載台8(基板保持部7)之同步移動誤差。

當然，調整處理亦可在使射出面11與假基板DP對向之狀態下，一邊從射出面11射出曝光用光EL、一邊調整例如使用處理室裝置15之內部空間14之環境。

調整處理結束後，控制裝置1開始基板P之曝光(步驟SP2)。

控制裝置1使用搬送系統4從基板保持部7搬出假基板DP，並將曝光前之基板P搬入(裝載於)基板保持部7。從基板保持部7搬出之假基板DP被搬送至緩衝部17及收容裝置13之至少一方。

將曝光前之基板P裝載於基板載台8後，控制裝置1使基板載台8移動至投影區域PR，在液浸構件9之下面12之至少一部分與基板P表面之間保持液體LQ而形成液浸空間LS，以將從射出面11射出之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。本實施形態，可例如美國專利申請公開第2006/0023186號說明書、美國專利申請公開第2007/0127006號說明書等之揭示，控制裝置1為了在基板載台8及測量載台23之至少一方與終端光學元件10及液浸構件9之間持續形成可保持液體LQ之空間，而在使基板載台8之上面22與測量載台23之上面50接近或接觸之狀態下，一邊使基板載台8之上面22及測量載台23之上面50之至少一方與終端光學元件10之射出面11及液浸構件9之下面12對向、一邊相對終端光學元件10及液浸構件9使基板載台8與測量載台23同步移動於XY方向。如此，控制裝置1，即能在可於終端光學元件10及液浸構件9與基板載台8之間形成液浸空間LS之狀態、及可在終端光學元件10及液浸構件9與測量載台23之間形成液浸空間LS之狀態之間，從一方變化至另一方。亦即，控制裝置1能在抑制液體LQ漏出之同時，使基板載台8及測量載台23相對液浸構件9移動，以使形成在液浸構件9之下面12側之液浸空間LS在基板載台8之上面22上與測量載台23之上面50上之間移動。

以下之說明中，將在使基板載台8之上面22與測量載台23之上面50接近或接觸之狀態下，相對終端光學元件10及液浸構件9使基板載台8與測量載台23同步移動於XY方向之動作，適當的稱為並列(scrum)移動。

在實施並列移動，而在終端光學元件10及液浸構件9與基板載台8(基板P)之間形成液浸空間LS，以將從射出面11射出之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿後，控制裝置1即開始基板P之曝光處理。實施基板P之曝光處理時，控制裝置1使終端光學元件10及液浸構件9與基板載台8對向，並形成液浸空間LS以將終端光學元件10與基板P之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。控制裝置1將使用照明系IL以曝光用光EL照明之來自光罩M之曝光用光EL經由投影光學系PL及液浸空間LS之液體LQ照射於基板P。據此，基板P即被曝光用光EL而曝光，光罩M之圖案像被投影至基板P。於基板P之曝光中，控制裝置1，如圖4所示，一邊使基板載台8沿移動軌跡R1移動、一邊使基板P之照射區域S1～S21分別依序曝光。

基板P之曝光處理結束後，控制裝置1實施並列移動，在終端光學元件10及液浸構件9與測量載台23之間形成液浸空間LS，並將基板載台8移動至基板更換位置。控制裝置1從移動到基板更換位置之基板載台8搬出曝光後之基板P，並將曝光前之基板P搬入基板載台8。

之後，控制裝置1反覆進行上述處理，將複數片基板P依序加以曝光。

控制裝置1以既定時序、使用假基板DP開始維修處理(步驟SP3)。

接著，以實施液浸構件9之維修處理之情形為例加以說明。於基板P之曝光中，從基板P產生(釋出)之物質(例如感光材等有機物)有可能成為異物(污染物、微粒)而混入液浸空間LS之液體LQ中。此外，不僅是從基板P產生之物質、例如於空中浮遊之異物亦有可能混入液浸空間LS之液體LQ。當異物混入液浸空間LS之液體LQ中時，即有可能附著在與該液體LQ接觸之液浸構件9之下面12至少一部分。

因此，本實施形態中，控制裝置1於基板P之非曝光時，使用假基板DP實施液浸構件9之下面12至少一部分之維修處理。維修處理包含在使液浸構件9與基板保持部7所保持之假基板DP對向之狀態下，清潔液浸構件9之至少一部分之處理。

控制裝置1為實施使用假基板DP之維修處理，從收容在緩衝部17之2片假基板DP中選擇1片假基板DP，該所選擇之假基板DP使用搬送系統4搬入基板保持部7。基板保持部7保持該假基板DP。

控制裝置1在假基板DP被保持於基板保持部7後，使用被保持在該基板保持部7之假基板DP開始維修處理。

以下，作為維修處理，說明清潔液浸構件9之一處理例。液浸構件9之清潔處理，係在使液浸構件9之下面12與被保持於基板保持部7之假基板DP對向之狀態下實施。本實施形態中，為清潔液浸構件9之至少一部分，準備了第1清潔模式與第2清潔模式。

首先，說明第1清潔模式。第1清潔模式，係在終端光學元件10及液浸構件9與被保持在基板保持部7之假基板DP之間保持液體LQ以形成液浸空間LS之狀態下，使基板載台8在XY平面內移動，據以清潔液浸構件9之至少一部分之模式。控制裝置1與從供應口27之液體LQ之供應動作並行的實施從回收口28之液體LQ之回收動作，在終端光學元件10及液浸構件9與被保持在基板保持部7之假基板DP之間保持液體LQ以形成液浸空間LS之狀態下，例如使基板載台8沿移動軌跡R1移動。據此，清潔液浸構件9之下面12之至少一部分。此外，從下面12剝離之異物與液體LQ一起從回收口28被回收。

接著，說明第2清潔模式。第2清潔模式，係在終端光學元件10及液浸構件9與被保持在基板保持部7之假基板DP之間保持清潔用液體LC並以該清潔用液體LC形成液浸空間LSC，據以清潔液浸構件9之至少一部分之模式。本實施形態中，供應口27可供應與液體LQ不同之清潔用液體LC。本實施形態中，清潔用液體LC係使用鹼性洗淨液。本實施形態中，清潔用液體LC使用鹼性水溶液。本實施形態中，清潔用液體LC包含氫氧化四甲銨(TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液。又，清潔用液體LC亦可以是酒精。例如，清潔用液體LC可以是乙醇、異丙醇(IPA)及戊醇之至少一種。

圖9係顯示第2清潔模式之一例的示意圖。控制裝置1，與從供應口27之清潔用液體LC之供應動作並行的實施從回收口28之清潔用液體LC之回收動作，以在終端光學元件10及液浸構件9與被保持於基板保持部7之假基板DP之間以清潔用液體LC形成液浸空間LSC。

據此，液浸構件9之下面12至少一部分即被清潔。又，從下面12剝離之異物與清潔用液體LC一起從回收口28被回收。

又，控制裝置1可藉由調整使用供應口27之供應動作及使用回收口28之回收動作之至少一方，以使液浸構件9之清潔處理時以清潔用液體LC形成之液浸空間LSC之大小(在與下面12平行之XY平面內之大小)，大於基板P之曝光時以液體LQ形成之液浸空間LS之大小。例如，控制裝置1，可藉由使液浸構件9之清潔處理時從供應口27供應之清潔用液體LC之每單位時間供應量，多於基板P之曝光時從供應口27供應之液體LQ之每單位時間供應量，來加大以清潔用液體LC形成之液浸空間LSC之大小。或者，控制裝置1，可藉由使液浸構件9之清潔處理時從回收口28回收之清潔用液體LC之每單位時間回收量，少於基板P之曝光時從回收口28回收之清潔用液體LC之每單位時間回收量，來加大以清潔用液體LC形成之液浸空間LSC之大小。當然，控制裝置1亦可藉由使從供應口27供應之清潔用液體LC之每單位時間供應量較多、並使從回收口28回收之清潔用液體LC之每單位時間回收量較少，來加大以清潔用液體LC形成之液浸空間LSC之大小。

又，控制裝置1，亦可於第2清潔模式中，在終端光學元件10及液浸構件9與被保持於基板保持部7之假基板DP之間以清潔用液體LC形成液浸空間之狀態下，於XY平面內移動基板載台8。

如以上所述，假基板DP之使用，包含假基板DP在與液浸構件9對向狀態下之液浸構件9至少一部分之清潔。又，藉由上述清潔處理，不僅清潔液浸構件9之下面12、亦清潔終端光學元件10之射出面11。

又，本實施形態中，作為維修處理，係實施使用曝光用光EL對投影光學系PL之至少一部分進行光洗淨之處理。以下，說明作為維修處理，對投影光學系PL之至少一部分進行光洗淨之一處理例。投影光學系PL之光洗淨處理係在使終端光學元件10之射出面11、與被保持於基板保持部7之假基板DP對向之狀態下實施。

又，本實施形態中，投影光學系PL之光洗淨處理，係在終端光學元件10及液浸構件9與被保持於基板保持部7之假基板DP之間保持液體LQ以形成液浸空間LS之狀態下實施。

控制裝置1從照明系IL射出曝光用光EL。從照明系IL射出之曝光用光EL射入投影光學系PL，通過投影光學系PL之複數個光學元件後從射出面11射出。本實施形態中，曝光用光EL係具有光洗淨效果之紫外光。因此，藉由曝光用光EL之照射，投影光學系PL之光學元件即被光洗淨。

如上所述，於基板P之曝光中，從基板P產生(釋出)之物質(例如感光材等有機物)有可能混入液浸空間LS之液體LQ中。當異物混入液浸空間LS之液體LQ中時，異物即有可能附著於與該液體LQ接觸之終端光學元件10之射出面11。本實施形態中，由於係在使異物之產生受到抑制之假基板DP與射出面11對向之狀態下對射出面11照射曝光用光EL，因此射出面11被良好的光洗淨。又，由於係在液體LQ與射出面11接觸之狀態下對該射出面11照射曝光用光EL，因此能獲得高的光洗淨效果。此外，本實施形態，係一邊實施從供應口27之液體LQ之供應動作與從回收口28之液體LQ之回收動作、一邊對射出面11照射曝光用光EL。據此，從射出面11剝離之異物即從回收口28被回收。

如以上所述，維修處理包含在使射出面11與假基板DP對向之狀態下以曝光用光EL進行投影光學系PL之至少一部分之光洗淨之處理，假基板DP之使用，包含使用曝光用光EL之投影光學系PL之至少一部分之光洗淨。於投影光學系PL之光洗淨中，藉由將假基板DP配置在與射出面11對向之位置，從射出面11射出之曝光用光EL即照射於假基板DP。如此，可防止在投影光學系PL之光洗淨中，曝光用光EL照射到例如基板載台8之上面22、測量載台23之上面50等，以抑制因曝光用光EL之照射導致上面22、50等之劣化。

又，本實施形態中，不僅是上述調整處理及維修處理，亦可實施使用假基板DP之各種處理。例如，在未實施調整處理、曝光處理及維修處理等程序之狀態(所謂之閒置狀態)下，有可能因基板載台8在內部空間14之狀態(位置、移動條件及驅動條件之至少一者)，使得內部空間14之環境(温度等)產生變動。亦即，有可能因基板載台8之狀態，使得閒置狀態下之內部空間14之環境而與所欲環境產生變化。其結果，即有可能產生從閒置狀態開始基板P之曝光時，因處理室裝置15而使內部空間14需耗時調整至所欲環境，而導致曝光裝置EX之運轉率降低等之不良情形。

本實施形態中，假基板DP之使用，包含於內部空間14中配置在既定位置之基板保持部7所進行之保持。亦即，控制裝置1，在閒置狀態中將保持有假基板DP之基板保持部7配置在內部空間14內之既定位置。控制裝置1，在閒置狀態下，亦以內部空間14不至相對所欲環境產生大變化之方式，將保持有假基板DP之基板保持部7配置在內部空間14內之既定位置。或者，控制裝置1在閒置狀態下，使保持有假基板DP之基板保持部7(基板載台8)沿移動軌跡R1移動。如此，在閒置狀態下，亦能抑制內部空間14之環境(温度等)產生大的變動。據此，即能以良好精度實施例如基板載台8及測量載台23之位置測量。例如，基板載台8具有以編碼器系統測量之標尺之情形時，可抑制該標尺之熱變形。

又，於閒置狀態下，可在終端光學元件10及液浸構件9與被保持於基板保持部7之假基板DP之間以液體LQ形成液浸空間LS之狀態下，使基板載台8沿移動軌跡R1移動，據以抑制例如終端光學元件10及液浸構件9受到污染。

如以上所述，本實施形態，係以基板保持部7保持假基板DP並使用該假基板DP來實施調整處理、維修處理等各種處理。該假基板DP之使用狀態係以管理裝置3加以管理。

管理裝置3管理假基板DP開始使用後之假基板DP之使用履歷(經過)。管理裝置3就複數管理項目管理假基板DP。

本實施形態中，管理項目包含；假基板DP被保持於基板保持部7之累積時間、假基板DP與液體LQ接觸之液體接觸時間、假基板DP與液體LQ接觸之第1狀態與不接觸之第2狀態之重複次數(重複次數)、對假基板DP照射之曝光用光EL之累積能量、在緩衝部17與基板保持部7之間搬送假基板DP之次數(搬送次數)、以及假基板DP從收容裝置13搬出後至搬入收容裝置13之時間(裝置內滯留時間)之至少一者。

又，針對上述複數個管理項目之各項目，預先決定管理參數。本實施形態中，係視假基板DP之使用內容決定管理參數。

表1中顯示了假基板DP之使用內容、與就各管理項目預先決定之管理參數之關係。

管理參數係視假基板DP之使用內容預先決定，為關於假基板DP壽命之值。換言之，管理參數係視假基板DP之使用內容所決定、假基板DP之表面狀態可維持所欲性能(值)之期間。假基板DP之表面狀態，包含假基板DP對液體LQ之接觸角(撥液性)及假基板DP之表面污染度(每單位面積之異物量)之至少一方。

有可能例如隨著與液體接觸時間，而使假基板DP表面對液體LQ之接觸角(撥液性)產生變化。例如當與液體接觸時間變長時，假基板DP表面對液體LQ之接觸角(撥液性)降低(劣化)之可能性即變高。又，視對假基板DP照射之曝光用光EL之累積能量，假基板DP對液體LQ之接觸角(撥液性)亦有可能產生變化。例如對假基板DP照射之曝光用光EL之累積能量變大時，假基板DP表面對液體LQ之接觸角(撥液性)降低(劣化)之可能性即高。此外，累積時間及裝置內滯留時間之至少一方變長、重複次數變多之情形時，假基板DP表面對液體LQ之接觸角(撥液性)即有可能劣化。

又，亦有可能因累積時間、液體接觸時間、重複次數及裝置內滯留時間之至少一者，使假基板DP表面之污染度變化。例如，在清潔處理中之液體接觸時間變長、或重複次數變多時，從液浸構件9等剝離之異物附著於假基板DP表面之可能性即變高，而有可能使假基板DP表面之污染度變高。此外，當累積時間及裝置內滯留時間之至少一方變長時，例如浮游在空中之異物附著於假基板DP表面之可能性即變高，而有使假基板DP表面之污染度變高之可能。再者，當搬送次數變多時，例如搬送中異物(包含液體LQ之滴)附著於假基板DP之下面SB之可能性即變高，而有假基板DP表面之污染度變高之可能。

表1中，例如以第1清潔模式使用假基板DP之情形時，關於液體接觸時間之管理參數為30天。亦即，以第1清潔模式使用假基板DP之情形時，液體接觸時間是容許至30天。以第1清潔模式使用之情形下液體接觸時間超過30天時，例如假基板DP表面對液體LQ之接觸角較容許值降低(劣化)之可能性高。又，以使用清潔用液體LC之第2清潔模式使用假基板DP之情形時，假基板DP表面與在第1清潔模式下被使用之情形相較較易劣化，因此關於液體接觸時間之管理參數係設定為6小時。當以第2清潔模式使用之情形下液體接觸時間超過6小時時，基板DP表面液體LQ之接觸角較容許值降低(劣化)之可能性高。

如前所述，本實施形態中，係視假基板DP之使用內容決定關於管理項目之管理參數。

又，表1之管理項目、管理參數及使用內容等僅為一例。管理參數可視例如假基板DP表面(膜F)之堅固度、假基板DP之使用狀態等適當的加以決定。

當假基板DP表面之撥液性劣化時，例如即無法在終端光學元件10及液浸構件9之間良好的保持液體LQ(清潔用液體LC)、無法良好的形成液浸空間。其結果，即有可能發生在使用假基板DP之既定處理中、液浸空間之液體流出等不良情形。

又，當假基板DP表面之污染度劣化時，即有可能發生在使用該假基板DP之既定處理中，假基板DP之異物附著於周圍構件(終端光學元件10、液浸構件9、基板載台8、搬送系統4等)等，而有可能使得損害擴大。

如前所述，使用假基板DP進行既定處理之情形時，如持續使用對液體LQ之撥液性、或污染度劣化之假基板DP時，即有可能無良好的執行該既定處理。其結果，即有可能產生曝光不良等、使得曝光性能降低而產生不良元件。

因此，本實施形態中，控制裝置1根據管理裝置3之輸出與儲存在記憶裝置2之管理參數，判斷是否可使用假基板DP。如上所述，管理裝置3包含計時器及計數器等，可進行關於上述各管理項目之值之測量(管理)。控制裝置1將管理裝置3就各管理項目測量之值與預先決定之管理參數加以比較，根據該比較結果，判斷是否可使用假基板DP。

例如，控制裝置1在管理裝置3之輸出為視假基板DP之使用內容所決定之管理參數以下之情形時，即判斷該假基板DP可使用而持續該假基板DP之使用。另一方面，控制裝置1在判斷管理裝置3之輸出超過管理參數之情形時，即判斷該假基板DP不可再使用。

控制裝置1使用搬送系統4將判斷為不可再使用之假基板DP從基板保持部7及緩衝部17之至少一方搬送至收容裝置13。控制裝置1將收容在收容裝置13之可使用之假基板DP從收容裝置13搬出，將其收容於緩衝部17。又，可使用之假基板DP包含未使用之假基板DP。接著，控制裝置1開始被收容在該緩衝部17之假基板DP之使用。

本實施形態中，於緩衝部17收容有2片假基板DP，控制裝置1分別判斷該2片假基板DP是否可使用。又，控制裝置1可分別判斷收容裝置13可收容之複數片(例如50片)假基板DP是否可使用。

本實施形態中，於複數片假基板DP分別配置有作為識別件之識別標記。識別標記係複數片假基板DP各自所附之固有標記。本實施形態中，對準系統19可測量該識別標記。以對準系統19測量識別標記時，控制裝置1控制保持了假基板DP之基板載台8，將假基板DP之識別標記配置於對準系統19之測量區域對準系統19測量被保持在基板保持部7之假基板DP之識別標記。對準系統19之測量結果輸出至控制裝置1。控制裝置1可根據管理裝置3之輸出與對準系統19之測量結果，判斷複數片假基板DP之各個可否使用。

又，為測量識別件之測量裝置不限於對準系統19。

例如，可在收容裝置13、或收容裝置13與緩衝部17之搬送路徑之間裝備一可測量配置在假基板DP之識別件(識別標記)之測量裝置。

又，用以識別複數片假基板DP之各個之識別件不限於識別標記，亦可以是例如配置在複數片假基板DP之各個之IC晶片。

此外，亦可不在假基板DP之各個設置識別件，而藉由控制裝置1來追蹤、管理曝光裝置EX內各假基板DP之所在，據以識別各假基板DP。

如此，控制裝置1即能從複數片假基板DP中、求得可使用之假基板DP。例如，控制裝置1可根據管理裝置3之輸出與管理參數與識別件之測量結果，即使是在可使用之假基板DP與不可使用之假基板DP混在收容裝置13中之情形時，亦能從該等複數片假基板DP中、選擇保持於基板保持部7加以使用之假基板DP。

又，控制裝置1將複數片假基板DP可否使用之判定結果顯示於未圖示之控制盤(console panel)等來告知作業員。顯示內容可包含該假基板DP不可使之表示、該假基板DP可使用及使用期限之表示、該假基板DP各管理項目之現在值(例如、至該時間點之被基板保持部7保持之累積時間、累積液體接觸時間、累積能量等)之表示之一者。

之後，控制裝置1即禁止被判定為不可使用之假基板DP繼續使用。

又，控制裝置1可根據管理裝置3之輸出預先決定之管理參數，以複數片假基板DP之表面狀態相同之方式選擇保持於基板保持部7使用之假基板DP。亦即，可依序使用複數片假基板DP，以使該等複數片(例如50片)假基板DP之劣化狀態均勻。

進一步的，控制裝置1可複數片假基板DP分類為伴隨曝光動作之處理專用之假基板、清潔專用之假基板等，配合使用目的個別的管理各假基板DP。此場合，可將各自之使用目的對應各假基板DP顯示於未圖示之控制盤上。

如以上之說明，本實施形態，由於係根據管理假基板DP使用狀態之管理裝置3之輸出與預先決定之管理參數，來判斷假基板DP可否使用，因此能抑制發生例如持續使用已劣化之假基板DP之狀況。是以，能防止因使用已劣化之假基板DP所造成之曝光不良之發生及產生不良元件。

又，本實施形態，由於係在備有複數片假基板DP之情形時，根據管理裝置3之輸出與管理參數從複數片假基板DP中選擇保持於基板保持部7使用之假基板DP，因此能防止例如將不可使用之假基板DP搬送至基板保持部7、或使用了該不可使用之假基板DP之不良情形之發生。是以，能防止曝光不良之發生及產生不良元件。

又，本實施形態中，由於可藉由管理複數個管理項目，據以導出假基板DP之表面狀態(對液體LQ之撥液性及污染度之至少一方)，因此能使用具有所欲表面狀態之假基板DP。

又，本實施形態中，將緩衝部17作成為可收容2片假基板DP。此場合，可將緩衝部17中收容之2片假基板DP之一假基板DP之使用內容與另一假基板DP之使用內容加以分開。例如，在將2片假基板DP分別使用於清潔處理之場合，可將一假基板DP使用於第1清潔模式、將另一假基板DP使用於第2清潔模式。

此外，本實施形態，將被搬送至基板保持部7之假基板DP，設計成係被收容在緩衝部17中之假基板DP。當然，亦可將收容在收容裝置13之假基板DP，不經由緩衝部17而搬送至基板保持部7。當然，亦可將保持在基板保持部7之假基板DP，不經由緩衝部17而搬送至收容裝置13。

又，上述實施形態中，收容裝置13能收容元件製造用之基板P及假基板DP之至少一方。此場合，可於收容裝置13設置用以識別所收容之基板種類(基板P及假基板DP之那一種)之識別件。亦即，可在收容基板P之收容裝置13設置第1識別件、在收容假基板DP之收容裝置13設置與第1識別件不同之第2識別件。據此，控制裝置1可藉由偵測第1、第2識別件來掌握收容在收容裝置13之基板P之種類。此外，控制裝置1可在偵測到第2識別件時，亦即判斷出收容有假基板DP之收容裝置13已連接於曝光裝置EX時，開始管理裝置3之管理動作。

又，上述實施形態中，投影光學系PL雖係將終端光學元件之射出側(像面側)之光路空間以液體加以充滿，但亦可採用美國專利申請公開第2005/0248856號說明書所揭示之將終端光學元件入射側(物體面側之光路空間亦以液體加以充滿之投影光學系。

又，上述各實施形態之液體LQ雖為水，但亦可以是水以外之液體。

作為液體LQ，以具有曝光用光之透射性且折射率盡可能高，對投影光學系統或形成於基板表面之感光材(光抗蝕劑)之膜安定者較佳。例如，作為液體LQ可使用氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin oil)、洋杉油(cedar oil)等。又，亦可使用折射率1.6～1.8程度者作為液體LQ。進一步的，亦可以折射率較石英及螢石高(例如1.6以上)之材料來形成與液體LQ接觸之投影光學系PL之光學元件(終端光學元件等)。此外，亦可使用各種流體，例如超臨界流體來作為液體LQ。

又，例如曝光用光EL為F2雷射光之情形時，由於此F2雷射光無法穿透水，因此作為液體LQ，可使用F2雷射光能穿透，例如全氟化聚醚(PFPE)、氟系油等之氟系流體。此場合，與液體LQ接觸之部分，以例如包含氟之小極性分子構造之物質形成薄膜來進行親液化處理。

又，上述各實施形態之基板P，不限於半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可以是顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

作為曝光裝置，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)以外，亦能適用於在使光罩M與基板P靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & scan)方式的投影曝光裝置(步進機)。

再者，於步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

此外，本發明亦能適用於例如對應美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板上加以合成，以一次掃描曝光使基板上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置等。此外，近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等亦能適用本發明。

又，本發明亦能適用於美國專利第6341007號說明書、美國專利第6400441號說明書、美國專利第6549269號說明書、美國專利第6590634號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型曝光裝置。

曝光裝置之種類，並不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，以及用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、或用以製造標線片或光罩等之曝光裝置等。

上述各實施形態，雖係使用ArF準分子雷射來作為產生曝光用光EL之光源，亦可如美國專利7023610號等所揭示，使用包含DFB半導體雷射或光纖雷射等固體雷射光源、光纖放大器等之光放大部、以及波長轉換部等，輸出波長193nm之脈衝光的高諧波產生裝置。此外，上述實施形態中，前述各照明區域IR與投影區域PR雖分別為矩形，但亦可以是例如圓弧形等其他形狀。

此外，上述實施形態，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。可變成形光罩，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光變調器)之一種之DMD(Digital Micro-mirror Device)等。又，作為可變成形光罩並不限於DMD，亦可取代DMD使用下述非發光型影像顯示元件。此處，非發光型影像顯示元件係將行進於既定方向之光之振幅(強度)、相位或偏光狀態在空間上加以調變之元件，作為透射型空間光調變器除透射型液晶顯示元件(LCD：Liquid Crystal Display)以外，例如有電色顯示器(ECD：Electrochromic Display)等。又，作為反射型空間光變調器，除DMD之外，例如有反射鏡陣列、反射型液晶顯示元件、電泳顯示器(EPD：Electro Phonetic Display)、電子紙(或電子墨水)、光繞射型光閥(Grating Light Valve)等。

又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。此場合，不需要照明系。此處，作為自發光型影像顯示元件，例如有CRT(Cthode Ray Tube)、無機EL顯示、有機EL顯示器(OLED：Organic Light Emitting Diode)、LED顯示器、LD顯示器、場發射顯示器(FED：Field Emission Display)、電漿顯示器(PDP：Plasma Display Panel)等。此外，圖案形成裝置所具備之自發光型影像顯示元件，可使用具有複數個發光點之固體光源晶片、將晶片排列成複數個陣列狀之固體光源晶片陣列、或將複數個發光點作入1片基板之形式者等，以電氣方式控制該固體光源晶片以形成圖案。又，固體光源元件無論無機、有機皆可。

上述各實施形態，雖係以具備投影光學系PL之曝光裝置為例作了說明，但不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法亦能適用本發明。此種不使用投影光學系PL之情形時，曝光用光EL亦係經由透鏡等光學構件照射於基板P，於該等光學構件與基板間之既定空間形成液浸部。

又，本發明亦能適用於例如國際公開第2001/035168號小冊子之揭示，藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板P上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。

如以上所述，本實施形態之曝光裝置，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。

半導體元件等之微元件，如圖10所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟1203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩圖案以曝光用光使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板處理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢査步驟206等而製造。使用上述實施形態之假基板DP之動作，包含在基板處理步驟204中。

又，上述各實施形態之要件可適當的加以組合。此外，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本說明書記載之一部分。

1．．．控制裝置

2．．．記憶裝置

3．．．管理裝置

4．．．搬送系統

4A．．．第1搬送構件

4B．．．第2搬送構件

5．．．光罩保持部

6．．．光罩載台

7．．．基板保持部

8．．．基板載台

9．．．液浸構件

10．．．終端光學元件

11．．．射出面

12．．．液浸構件之下面

14．．．內部空間

15．．．處理室裝置

15A．．．處理室構件

15B．．．空調裝置

16．．．干涉儀系統

16A、16B．．．雷射干涉儀單元

17．．．緩衝部

18．．．基座構件

18G．．．基座構件之引導面

19．．．對準系統

20．．．基座構件

20G．．．基座構件之引導面

22．．．基板載台之上面

23．．．測量載台

24．．．測量器

27．．．供應口

28．．．回收口

29．．．多孔構件

31．．．液體供應裝置

33．．．液體回收裝置

34．．．供應流路

35．．．回收流路

50．．．測量載台之上面

CD．．．基板處理裝置

DP．．．假基板

EL．．．曝光用光

EX．．．曝光裝置

F．．．膜

IL．．．照明系

IR．．．照明區域

LQ．．．液體

LS．．．液浸空間

M．．．光罩

P．．．基板

PL．．．投影單元(投影光學系)

PLC．．．成像特性調整系統

PR．．．投影區域

SA．．．假基板之上面

SB．．．假基板之下面

SC．．．假基板之側面

SYS．．．元件製造系統

圖1係顯示曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖2係顯示圖1之一部分的俯視圖。

圖3係顯示液浸構件之一例的側視剖面圖。

圖4係顯示曝光裝置之一動作例的示意圖。

圖5係顯示假基板之一例的側視剖面圖。

圖6係顯示假基板之一例的側視剖面圖。

圖7係顯示曝光裝置之一動作例的流程圖。

圖8係顯示曝光裝置之一動作例的示意圖。

圖9係顯示曝光裝置之一動作例的示意圖。

圖10係顯示元件製造方法之一例的流程圖。

1．．．控制裝置

2．．．記憶裝置

3．．．管理裝置

4．．．搬送系統

5．．．光罩保持部

6．．．光罩載台

7．．．基板保持部

8．．．基板載台

9．．．液浸構件

10．．．終端光學元件

11．．．射出面

12．．．液浸構件之下面

14．．．內部空間

15．．．處理室裝置

15A．．．處理室構件

15B．．．空調裝置

16．．．干涉儀系統

16A、16B．．．雷射干涉儀單元

17．．．緩衝部

18．．．基座構件

18G．．．基座構件之引導面

19．．．對準系統

20．．．基座構件

20G．．．基座構件之引導面

22．．．基板載台之上面

23．．．測量載台

24．．．測量器

50．．．測量載台之上面

CD．．．基板處理裝置

DP．．．假基板

EL．．．曝光用光

EX．．．曝光裝置

IL．．．照明系

IR．．．照明區域

LQ．．．液體

LS．．．液浸空間

M．．．光罩

P．．．基板

PL．．．投影單元(投影光學系)

PLC．．．成像特性調整系統

PR．．．投影區域

SYS．．．元件製造系統

Claims (45)

1. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備：基板保持部，係以可釋放之方式保持該基板並能移動之；管理裝置，用以管理該基板保持部可保持之假基板之使用狀態；以及控制裝置，係根據該管理裝置管理之該假基板之使用狀態、與就該假基板預先決定之管理參數，判斷該假基板可否使用；該管理參數，係視該假基板之使用內容加以決定。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該假基板之使用包含在被保持於該基板保持部之狀態下之使用。
3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理裝置係管理複數片該假基板之使用狀態，該控制裝置則係判斷複數片該假基板之各個可否使用。
4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理裝置係管理複數片該假基板之使用狀態；該控制裝置，係根據該管理裝置管理之該假基板之使用狀態、與就該假基板預先決定之管理參數，選擇複數片該假基板中、待保持於該基板保持部使用之假基板。
5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該控制裝置係以複數片該假基板之表面狀態成為相同之方式選擇該假基板。
6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理裝置係管理開始使用該假基板後之該假基板之使用履歷。
7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理參數包含該假基板被保持於該基板保持部之累積時間。
8. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理參數包含該假基板與該液體接觸之液體接觸時間。
9. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該假基板與該液體接觸之第1狀態與不接觸之第2狀態係反覆進行；該管理參數包含該第1狀態與該第2狀態之反覆次數。
10. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理參數包含對該假基板照射之該曝光用光之累積能量。
11. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理參數包含在收容該假基板之第1收容裝置與該基板保持部之間搬送該假基板之次數。
12. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該管理參數包含該假基板從收容該假基板之第2收容裝置搬出後至搬入該第2收容裝置為止之時間。
13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之曝光裝置，其具備在與該基板之間保持該液體以使照射於該基板之該曝光用光之光路被該液體充滿之液浸構件；該假基板之使用，包含在與該液浸構件之間之液體的保持。
14. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該假基板之使用，包含在與該液浸構件對向之狀態下之移動。
15. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該假基板之使用，包含在與該液浸構件對向之狀態下之該液浸構件至少一部分之清潔。
16. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之曝光裝置，其具備光學系，此光學系具有對曝光位置射出該曝光用光之射出面；該假基板之使用，包含在與該射出面對向之狀態下之使用。
17. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該假基板之使用，包含從該射出面射出之該曝光用光之照射。
18. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該假基板之使用，包含該曝光用光之照射量調整。
19. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該假基板之使用，包含使用該曝光用光之該光學系至少一部分之光洗淨。
20. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該假基板之使用，包含該光學系之調整。
21. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之曝光裝置，其具備用以形成含該曝光位置、被温度調整之既定空間之既定構件；該假基板之使用，包含於該既定空間內對配置在既定位置之該基板保持部的保持。
22. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之曝光裝置，其中，保持有光罩之光罩保持部與保持有該基板之該基板 保持部係相對該曝光用光之光路同步移動於既定方向；該假基板之使用，包含在該假基板被保持於該基板保持部之狀態下之該光罩保持部與該基板保持部之同步移動誤差之調整。
23. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至22項中任一項之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使已曝光之該基板顯影之動作。
24. 一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其包含：以該曝光用光使保持於基板保持部之該基板曝光之動作；以該基板保持部保持假基板並使用該假基板實施既定處理之動作；管理該假基板之使用狀態之動作；以及根據該假基板之使用狀態、與就該假基板預先決定之管理參數，判斷該假基板可否使用之動作；該管理參數，係視該假基板之使用內容加以決定。
25. 如申請專利範圍第24項之曝光方法，其中，該假基板之使用狀態之管理，包含管理複數片該假基板各個之使用狀態之動作；並進一步包含根據複數片該假基板各個之使用狀態與就該假基板預先決定之管理參數，以複數片該假基板之表面狀態為相同之方式，選擇複數片該假基板中、待保持於該基板保持部 使用之假基板之動作。
26. 如申請專利範圍第24或25項之曝光方法，其中，係在液浸構件與該基板之間保持液體以使照射於該基板之該曝光用光之光路被液體充滿；該既定處理，包含在使該液浸構件與該假基板對向之狀態下清潔該液浸構件至少一部分之處理。
27. 如申請專利範圍第24或25項之曝光方法，其中，以從光學系之射出面射出之該曝光用光使該基板曝光；該既定處理，包含在使該射出面與該假基板對向之狀態下以該曝光用光清潔該光學系至少一部分之處理。
28. 如申請專利範圍第24或25項之曝光方法，其中，以從光學系之射出面射出之該曝光用光使該基板曝光；該既定處理，包含在使該射出面與該假基板對向之狀態下調整該曝光用光之照射量之處理。
29. 如申請專利範圍第24或25項之曝光方法，其中，以從光學系之射出面射出之該曝光用光使該基板曝光；該既定處理，包含在使該射出面與該假基板對向之狀態調整該光學系之處理。
30. 如申請專利範圍第24或25項之曝光方法，其中，係在包含該曝光位置、被温度調整之既定空間內移動保持有該基板之該基板保持部；該既定處理，包含將保持有該假基板之該基板保持部配置在該既定空間內之既定位置之處理。
31. 如申請專利範圍第24或25項之曝光方法，其中， 保持有光罩之光罩保持部與保持有該基板之該基板保持部相對該曝光用光之光路同步移動於既定方向；該既定處理，包含在該假基板被保持於該基板保持部之狀態下，調整該光罩保持部與該基板保持部之同步移動誤差之處理。
32. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第24至31項中任一項之曝光方法使基板曝光之動作；以及使已曝光之該基板顯影之動作。
33. 一種曝光裝置之維修方法，該曝光裝置係透過液體以曝光用光使基板曝光，其包含：在以可釋放之方式保持該基板之基板保持部保持假基板之動作；在該假基板與既定構件之間保持液體以維修該既定構件之動作；管理該假基板之使用狀態之動作；以及根據該假基板之使用狀態、與就該假基板預先決定之管理參數，判斷該假基板可否使用之動作；該管理參數，係視該假基板之使用內容加以決定。
34. 如申請專利範圍第33項之維修方法，其中，該假基板之使用狀態之管理，包含管理複數片該假基板各個之使用狀態之動作；並進一步包含根據複數片該假基板各個之使用狀態與預先決定之管理參數，以複數片該假基板之表面狀態為相同之方式，選 擇複數片該假基板中、待保持於該基板保持部使用之假基板之動作。
35. 一種元件製造方法，包含：使用以申請專利範圍第33或34項之維修方法維修之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後之該基板顯影之動作。
36. 一種曝光裝置之調整方法，該曝光裝置係透過液體以曝光用光使基板曝光，其包含：在以可釋放之方式保持該基板之基板保持部保持假基板之動作；在將該假基板保持於該基板保持部之狀態下，調整既定裝置之動作；管理該假基板之使用狀態之動作；以及根據該假基板之使用狀態、與就該假基板預先決定之管理參數，判斷該假基板可否使用之動作；該管理參數，係視該假基板之使用內容加以決定。
37. 如申請專利範圍第36項之調整方法，其中，該假基板之使用狀態之管理，包含管理複數片該假基板各個之使用狀態之動作；並進一步包含根據複數片該假基板各個之使用狀態與預先決定之管理參數，以複數片該假基板之表面狀態為相同之方式，選擇複數片該假基板中、待保持於該基板保持部使用之假基板之動作。
38. 一種元件製造方法，包含： 使用以申請專利範圍第36或37項之調整方法調整之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後之該基板顯影之動作。
39. 一種假基板，係以可釋放之方式被保持在透過液體對基板照射曝光用光以進行曝光之曝光裝置之基板保持部，其特徵在於：具有識別該假基板之各個之識別標記；藉由該識別標記而與在該曝光裝置之該假基板之各使用內容之履歷產生對應；因應在該曝光裝置之使用內容之管理參數已被決定。
40. 如申請專利範圍第39項之假基板，其中，該管理參數包含該假基板被保持於該基板保持部之累積時間。
41. 如申請專利範圍第39或40項之假基板，其中，該管理參數包含該假基板與該液體接觸之液體接觸時間。
42. 如申請專利範圍第39或40項之假基板，其中，該假基板與該液體接觸之第1狀態與不接觸之第2狀態係反覆進行；該管理參數包含該第1狀態與該第2狀態之反覆次數。
43. 如申請專利範圍第39或40項之假基板，其中，該管理參數包含對該假基板照射之該曝光用光之累積能量。
44. 如申請專利範圍第39或40項之假基板，其中，該管理參數包含在收容該假基板之第1收容裝置與該基板保持部之間搬送該假基板之次數。
45. 如申請專利範圍第39或40項之假基板，其中，該 管理參數包含該假基板從收容該假基板之第2收容裝置搬出後至搬入該第2收容裝置為止之時間。