JP2008300771A

JP2008300771A - 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び露光条件の決定方法

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Publication number: JP2008300771A
Application number: JP2007148040A
Authority: JP
Inventors: Tomoharu Fujiwara; 朋春藤原
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2007-06-04
Filing date: 2007-06-04
Publication date: 2008-12-11

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できる液浸露光装置を提供する。
【解決手段】液浸露光装置は、第１部材と、第１部材に対して相対的に移動可能な物体と第１部材との間の液体が所定状態を維持可能な、第１部材に対する物体の相対的な移動速度と移動距離との関係に関する情報を記憶した記憶装置と、第１部材と物体との間の液体が所定状態を維持するように、記憶装置の記憶情報に基づいて、第１部材に対する物体の相対的な移動条件を決定する決定装置と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、液浸露光装置、デバイス製造方法、及び露光条件の決定方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

液浸露光装置において、基板を高速で移動した場合、投影光学系等の光学部材と基板との間に液体を良好に保持することが困難となる可能性がある。また、基板を高速で移動した場合、液体が所定空間から漏出したり、基板上に液体（膜、滴等）が残留したりする可能性がある。それにより、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。一方、液体を良好に保持するために、基板の移動速度を遅くした場合、スループットが低下する可能性がある。

本発明は、露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できる液浸露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できる露光条件の決定方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、第１部材と、第１部材に対して相対的に移動可能な物体と第１部材との間の液体が所定状態を維持可能な、第１部材に対する物体の相対的な移動速度と移動距離との関係に関する情報を記憶した記憶装置と、第１部材と物体との間の液体が所定状態を維持するように、記憶装置の記憶情報に基づいて、第１部材に対する物体の相対的な移動条件を決定する決定装置と、を備えた露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光するときの露光条件の決定方法であって、第１部材と物体との間の液体が所定状態を維持可能な、第１部材と物体との相対的な移動速度と移動距離との関係に関する情報を求めることと、所定状態が維持されるように、その情報に基づいて、第１部材と物体との相対的な移動条件を決定することと、を含む決定方法が提供される。

本発明によれば、露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制でき、所望の性能を有するデバイスを製造できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。

また、露光装置ＥＸは、マスクステージ１を移動可能な第１駆動システム５と、基板ステージ２を移動可能な第２駆動システム６と、計測ステージ３を移動可能な第３駆動システム７と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報を計測可能な干渉計システム８と、基板Ｐの表面の面位置情報を計測可能なフォーカス・レベリング検出システム９とを備えている。

また、露光装置ＥＸは、露光処理及び計測処理等に関する各種情報を記憶した記憶装置１０を備えている。記憶装置１０は、制御装置４に接続されている。

なお、基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐには、感光膜とは別に保護膜（トップコート膜）等の各種の膜が形成されていてもよい。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間Ｋの少なくとも一部を液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳを形成する。なお、露光光ＥＬの光路空間Ｋは、露光光ＥＬが通過する光路を含む空間である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１１の像面側の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳが形成される。終端光学素子１１は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面（下面）１２を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１１の射出側（像面側）の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように形成される。具体的には、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１１とその終端光学素子１１の射出面１２と対向する位置に配置された物体との間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように形成される。液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、終端光学素子１１の射出面１２と接触する。終端光学素子１１の射出面１２と対向する位置は、露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。

露光装置ＥＸは、液浸空間ＬＳを形成するための液浸部材１３を備えている。液浸部材１３は、終端光学素子１１の近傍に配置されている。液浸部材１３は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する液体接触面（下面）１４を有する。本実施形態において、終端光学素子１１の射出面１２と対向可能な物体は、液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能である。物体の表面が終端光学素子１１の射出面１２と対向する位置に配置されたとき、液浸部材１３の液体接触面１４の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。終端光学素子１１の射出面１２と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子１１は、終端光学素子１１の射出面１２と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、液浸部材１３の液体接触面１４と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材１３は、液浸部材１３の液体接触面１４と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と物体の表面との間に液体ＬＱを保持することによって、終端光学素子１１の射出面１２と物体の表面との間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能な物体は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して、終端光学素子１１の射出側（像面側）で移動可能な物体を含み、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向する位置に移動可能な物体を含む。本実施形態においては、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３の少なくとも一つを含む。なお、以下においては、説明を簡単にするために、主に、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と基板Ｐとが対向している状態を例にして説明する。

本実施形態においては、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向する位置に配置された基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｐの表面と液浸部材１３の液体接触面１４との間に液体ＬＱの界面(メニスカス、エッジ)ＬＧが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ１は、第１駆動システム５により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。第１駆動システム５は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。マスクステージ１（マスクＭ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ａによって計測される。レーザ干渉計８Ａは、マスクステージ１に設けられた反射ミラー１Ｒを用いて位置情報を計測する。制御装置４は、レーザ干渉計８Ａの計測結果に基づいて第１駆動システム５を駆動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒に保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、第２駆動システム６により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。第２駆動システム６は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。基板ステージ２（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ｂによって計測される。レーザ干渉計８Ｂは、基板ステージ２に設けられた反射ミラー２Ｒを用いて位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム９によって検出される。フォーカス・レベリング検出システム９は、検出光ＳＬを照射する照射装置９Ａと、検出光ＳＬに対して所定の位置に配置された受光装置９Ｂとを備える。制御装置４は、レーザ干渉計８Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム９の検出結果に基づいて第２駆動システム６を駆動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

図２は、基板ステージ２を示す側断面図である。図１及び図２において、基板ステージ２は、基板Ｐを保持する第１ホルダ１５と、第１ホルダ１５の周囲に配置され、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能な上面１６とを有する。第１ホルダ１５は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第１ホルダ１５に保持された基板Ｐの表面は、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能である。また、基板ステージ２の上面１６は、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。第１ホルダ１５に保持された基板Ｐの表面と基板ステージ２の上面１６とは、ほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。

本実施形態においては、基板ステージ２は、着脱可能なプレート部材Ｔを有する。基板ステージ２は、第１ホルダ１５の周囲に配置され、プレート部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダ１７を有する。プレート部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＫを有する。第２ホルダ１７に保持されたプレート部材Ｔは、第１ホルダ１５に保持された基板Ｐの周囲に配置される。本実施形態においては、基板ステージ２の上面１６は、プレート部材Ｔの上面を含む。

本実施形態において、第２ホルダ１７に保持されたプレート部材Ｔの開口ＴＫの内面と、第１ホルダ１５に保持された基板Ｐの外面とは、所定のギャップを介して対向するように配置される。第２ホルダ１７は、プレート部材Ｔの上面１６とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。本実施形態においては、プレート部材Ｔの上面１６は、例えばフッ素を含む材料で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。プレート部材Ｔの上面１６と液体ＬＱとの接触角は、例えば８０°以上である。

図１において、計測ステージ３は、第３駆動システム７により、計測器を搭載した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。第３駆動システム７は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。計測ステージ３には、基準マークが形成された基準部材、露光光ＥＬが照射される光学部材等を含む計測部材、及び露光光ＥＬの状態を計測可能な光電センサ等を含む計測器が搭載されている。なお、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置に関する技術の一例が、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されている。

計測ステージ３は、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能な上面１８を有する。計測ステージ３の上面１８は、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。計測ステージ３の上面１８と基板ステージ２の上面１６とは、ほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。

本実施形態においては、計測ステージ３の上面１８は、例えばフッ素を含む材料で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。計測ステージ３の上面１８と液体ＬＱとの接触角は、例えば８０°以上である。

計測ステージ３のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ｃによって計測される。レーザ干渉計８Ｃは、計測ステージ３に設けられた反射ミラー３Ｒを用いて位置情報を計測する。また、計測ステージ３の上面１８の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム９によって検出される。制御装置４は、レーザ干渉計８Ｃの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム９の検出結果に基づいて第３駆動システム７を駆動し、計測ステージ３の位置制御を行う。

露光装置ＥＸは、基板ステージ２及び計測ステージ３を移動可能に支持するガイド面１９を有する定盤２０を備えている。本実施形態においては、ガイド面１９は、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２及び計測ステージ３は、ガイド面１９に沿って、ＸＹ方向（二次元方向）に移動可能である。

また、本実施形態においては、例えば欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報等に開示されているように、制御装置４は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方と終端光学素子１１及び液浸部材１３との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ２の上面１６と計測ステージ３の上面１８とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２の上面１６及び計測ステージ３の上面１８の少なくとも一方と終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４とを対向させつつ、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、基板ステージ２の上面１６と計測ステージ３の上面１８との間で液浸空間ＬＳを移動可能である。

次に、液浸部材１３について、図３〜図５を参照して説明する。図３は、液浸部材１３を示す概略斜視図の一部破断図、図４は、ＹＺ平面と平行な側断面図、図５は、ＸＺ平面と平行な側断面図である。

なお、以下の説明においては、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向する位置に基板Ｐが配置されている場合を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向する位置には、基板ステージ２及び計測ステージ３等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。また、以下の説明においては、終端光学素子１１の射出面１２を適宜、終端光学素子１１の下面１２、と称し、液浸部材１３の液体接触面１４を適宜、液浸部材１３の下面１４、と称する。

液浸部材１３は、環状の部材であって、光路空間Ｋを囲むように配置されている。本実施形態においては、液浸部材１３は、終端光学素子１１の周囲に配置される上板部３１と、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子１１の下面１２と基板Ｐの表面との間に配置される下板部３２とを有する。

下板部３２は、中央に開口３３を有する。終端光学素子１１の下面１２から射出された露光光ＥＬは、開口３３を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、終端光学素子１１の下面１２から射出された露光光ＥＬは、開口３３を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。本実施形態においては、開口３３は、露光光ＥＬの断面形状に応じて、ＸＹ方向において略矩形状（スリット状）に形成されている。

液浸部材１３の下面１４は、光路空間Ｋの周囲に配置された第１面２１と、光路空間Ｋに対して第１面２１の外側に配置された第２面２２と、光路空間Ｋに対して第１面２１の外側に配置された第３面２３とを有する。第２面２２は、Ｙ軸方向に関して光路空間Ｋの両側に配置されている。第３面２３は、Ｘ軸方向に関して光路空間Ｋの両側に配置されている。

第１面２１は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態においては、第１面２１は、平坦であり、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。本実施形態においては、ＸＹ平面内における第１面２１の外形は、矩形状である。本実施形態においては、第１面２１は、下板部３２の下面を含む。第１面２１は、開口３３の周囲に配置されている。第１面２１は、液体ＬＱを回収しない面である。

第２面２２は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。第２面２２は、基板Ｐの表面に対して第１面２１よりも離れた位置に配置されている。第２面２２は、Ｙ軸方向に関して光路空間Ｋから離れる方向において、基板Ｐの表面から徐々に離れるように傾斜している。第２面２２は、液体ＬＱを回収しない面である。

第３面２３は、第１面２１と同一平面内に配置されている。すなわち、第１面２１と第３面２３とは面一であり、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）と平行である。

第３面２３は、液体ＬＱを回収可能な面である。第３面２３は、終端光学素子１１の下面１２及び液浸部材１３の下面１４と基板Ｐの表面との間の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。第３面２３は、多孔部材（メッシュ部材）２４の表面（下面）を含む。第３面２３の−Ｚ側に配置された基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部は、第３面２３を介して回収される。第３面２３は、第３面２３に接触した液体ＬＱを回収可能である。

露光装置ＥＸは、液体ＬＱを供給するための供給口４１と、液体ＬＱを回収するための回収口４２とを備えている。本実施形態においては、供給口４１及び回収口４２は、液浸部材１３に設けられている。

供給口４１は、液浸空間ＬＳを形成するために、光路空間Ｋに液体ＬＱを供給可能である。本実施形態においては、液浸部材１３は、終端光学素子１１の下面１２との間に所定の間隙を介して対向する上面３４を有する。上面３４は、開口３３の周囲に配置されている。供給口４１は、終端光学素子１１の下面１２と上面３４との間の所定空間３５の近傍に配置されており、所定空間３５に液体ＬＱを供給可能である。また、本実施形態においては、供給口４１は、光路空間Ｋに対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。以下の説明において、所定空間３５を適宜、内部空間３５、と称する。

また、露光装置ＥＸは、液体供給装置４５を備えている。液体供給装置４５は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。供給口４１と液体供給装置４５とは、流路４６を介して接続されている。流路４６は、液浸部材１３の内部に形成された供給流路４６Ａ、及びその供給流路４６Ａと液体供給装置４５とを接続する供給管で形成される流路４６Ｂを含む。液体供給装置４５から送出された液体ＬＱは、流路４６を介して供給口４１に供給される。供給口４１は、液体供給装置４５からの液体ＬＱを光路空間Ｋに供給する。

回収口４２には多孔部材２４が配置されており、第３面２３を形成する。本実施形態においては、多孔部材２４は、プレート状の部材に複数の孔を設けたものである。多孔部材２４として、複数の孔を有する焼結部材（焼結金属）、発泡部材（発泡金属）などを用いることもできる。

また、露光装置ＥＸは、液体ＬＱを回収可能な液体回収装置４７を備えている。液体回収装置４７は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。回収口４２と液体回収装置４７とは、流路４８を介して接続されている。流路４８は、液浸部材１３の内部に形成された回収流路４８Ａ、及びその回収流路４８Ａと液体回収装置４７とを接続する回収管で形成される流路４８Ｂを含む。本実施形態においては、制御装置４は、真空システムを含む液体回収装置４７を駆動して、多孔部材２４の上面と下面との間に圧力差を発生させることによって、第３面２３（多孔部材２４）より液体ＬＱを回収する。第３面２３から回収された液体ＬＱは、流路４８を介して、液体回収装置４７に回収される。

供給口４１からの液体供給動作と並行して回収口４２（第３面２３）による液体回収動作を行うことで、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材１３は、少なくとも基板Ｐの露光時に、終端光学素子１１の光射出側の光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされるように、液浸空間ＬＳを形成する。

また、液浸部材１３は、内部空間３５と外部空間３６とを連通させるための排気口４０を有している。排気口４０は、内部空間３５の近傍に配置されており、内部空間３５の気体を排気可能である。本実施形態においては、排気口４０は、光路空間Ｋに対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられている。排気口４０は、液浸部材１３の内部に形成されている排気流路３７、及びその排気流路３７の上端の開口３８を介して、外部空間３６と接続されている。なお、外部空間３６は真空システムと接続可能であり、内部空間３５内の気体と液体と少なくとも一方を排気口４０から排出してもよい。

なお、ここでは、供給口４１が光路空間Ｋに対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられ、排気口４０が光路空間Ｋに対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられているが、供給口４１が光路空間Ｋに対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられ、排気口４０が光路空間Ｋに対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられていてもよい。

液浸部材１３の下面１４と対向する位置に基板Ｐが配置されているとき、液浸部材１３は、少なくとも第１面２１と基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持できる。本実施形態においては、液浸部材１３のうち、少なくとも第１面２１は、液体ＬＱに対して親液性を有する。例えば、第１面２１と液体ＬＱとの接触角は、４０度以下であり、好ましくは２０度以下である。

また、本実施形態においては、第２面２２も、液体ＬＱに対して親液性を有する。

図６は、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの平面図である。図６に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２１）がマトリクス状に設けられている。また、図６に示すように、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状である。また、基板Ｐは、ＸＹ平面内において、略円形状である。なお、図６において、基板Ｐ上のショット領域Ｓの配置は一例にすぎない。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐのショット領域Ｓの露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、Ｚ軸とほぼ平行な投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（露光光ＥＬの光路）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域Ｓを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐのショット領域Ｓに投影され、基板Ｐのショット領域Ｓは露光光ＥＬで露光される。

本実施形態においては、制御装置４は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図６中、例えば矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光する。各ショット領域Ｓを露光するときには、制御装置４は、基板ステージ２を制御して、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対して基板ＰをＹ軸方向に移動する。また、あるショット領域（例えば第１ショット領域Ｓ１）の露光が終了した後、次のショット領域（例えば第２ショット領域Ｓ２）を露光するために、制御装置４は、投影領域ＰＲが次のショット領域Ｓの露光開始位置に配置されるように、基板ステージ２を制御して、基板ＰをＸＹ平面内の所定方向に移動する。以下の説明において、ショット領域Ｓを露光するために基板ＰをＹ軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように基板Ｐを移動することを適宜、ステッピング移動、と称する。

本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置の動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。

露光レシピは、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐ（基板ステージ２）の移動軌跡Ｒ１を含む。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐ（基板ステージ２）の移動軌跡Ｒ１は、予め決定されている。本実施形態においては、移動軌跡Ｒ１は、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の配置に基づいて決定される。移動軌跡Ｒ１を含む露光レシピは、記憶装置１０に予め記憶されている。制御装置４は、記憶装置１０に記憶されている露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。

次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。図７のフローチャート図に示すように、本実施形態の露光方法は、記憶装置１０に予め記憶されている、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの相対的な移動速度と移動距離との関係に関する情報に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動条件を決定する処理（ステップＳＡ１）と、決定された移動条件に基づいて基板Ｐを移動しつつ、その基板Ｐを露光する処理（ステップＳＡ２）とを含む。

図８は、記憶装置１０に記憶されている、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を説明するための図である。移動距離Ｌは、連続的な直線移動距離を含む。換言すれば、移動距離Ｌは、所定の一方向への移動距離を含む。

また、液体ＬＱが所定状態とは、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の空間からの液体ＬＱの漏出が抑制される状態を含む。また、液体ＬＱが所定状態とは、基板Ｐ上での液体ＬＱの残留が抑制される状態を含む。

終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）の状態は、基板Ｐの移動速度に応じて変化する。例えば、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板Ｐの移動速度を高めると、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、移動する基板Ｐに引っ張られて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の所定空間の外側に漏出する可能性がある。また、基板Ｐの移動速度を高めると、例えば基板Ｐ上で液体ＬＱが膜になったり、滴になったり、基板Ｐ上に残留したりする可能性がある。

また、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）の状態は、基板Ｐの移動距離（連続的な直線移動距離を含む）に応じて変化する。例えば、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板Ｐの移動距離を長くすると、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の所定空間の外側に漏出する可能性がある。また、基板Ｐの移動距離を長くすると、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留する可能性がある。

液体ＬＱが所定空間から漏出すると、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留したり、例えば基板ステージ２、計測ステージ３、周辺機器などに悪影響を及ぼす可能性がある。また、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留すると、その液体ＬＱの気化熱が、基板Ｐに影響を及ぼす可能性がある。

一方、スループットの向上等の観点から、基板Ｐ（基板ステージ２）の移動速度は高いほうが望ましい。したがって、液体ＬＱの漏出、残留等が生じない範囲において、可能な限り高い移動速度で基板Ｐを移動することが望ましい。

本実施形態においては、記憶装置１０には、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、すなわち、液体ＬＱの漏出、残留等が抑制される状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報が記憶されている。本実施形態においては、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）が所定状態を維持するように、記憶装置１０の記憶情報に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動条件を決定する。

記憶装置１０の記憶情報は、液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）が所定状態に維持される、基板Ｐの移動距離に対する最高移動速度（臨界移動速度）に関する情報を含む。例えば、図８において、基板Ｐを第１の移動距離Ｌ１だけ移動（直線移動）させる場合、液体ＬＱを所定状態に維持できる最高移動速度はＶ１である。すなわち、基板Ｐの移動速度Ｖが第１の移動速度Ｖ１以下であれば、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制しつつ、基板Ｐを第１の移動距離Ｌ１だけ移動させることができる。同様に、基板Ｐを第２の移動距離Ｌ２だけ移動（直線移動）させる場合には、基板Ｐの移動速度Ｖを第２の移動速度Ｖ２以下に抑えることによって、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。

液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係は、例えば実験、又はシミュレーションによって予め求めることができる。本実施形態においては、図８に示すように、基板Ｐの移動距離が短い場合、基板Ｐの移動速度が高速化しても、液体ＬＱの漏出、残留等が抑制される。逆に、基板Ｐの移動距離が長い場合、基板Ｐの移動速度が低ければ、液体ＬＱの漏出、残留等が抑制される。

制御装置４は、図８を参照して説明したような記憶装置１０の記憶情報に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持するように、すなわち液体ＬＱの漏出、残留等が抑制されるように、基板Ｐを露光するときの基板Ｐの移動条件を決定する。なお、記憶装置１０に記憶されている情報は、図８に示すようなグラフを示す関数情報、あるいは図８に示すようなグラフに対応するテーブル情報であってもよい。

本実施形態においては、制御装置４は、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐの移動速度を決定する。例えば、制御装置４は、第１ショット領域Ｓ１の露光が開始されてから第２１ショット領域Ｓ２１の露光が終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐの移動速度を決定する。

上述のように、本実施形態においては、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に基づいて、基板Ｐの移動軌跡Ｒ１が予め決定されている。制御装置４は、移動軌跡Ｒ１に沿って基板Ｐを移動させるときに、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、スキャン移動中の基板Ｐの移動距離、及びステッピング移動中の基板Ｐの移動距離に応じて、基板Ｐの移動速度をそれぞれ決定する。図６に示すように、基板Ｐの露光時において、例えばスキャン移動における基板Ｐの移動距離と、ステッピング移動における基板Ｐの移動距離とが異なる。また、例えば第１ショット領域Ｓ１から第２ショット領域Ｓ２へステッピング移動するときの基板Ｐの移動距離と、第３ショット領域Ｓ３から第４ショット領域Ｓ４へステッピング移動するときの基板Ｐの移動距離とが異なる。制御装置４は、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、例えば各スキャン移動時、各ステッピング移動時における基板Ｐの移動距離と、記憶装置１０に記憶されている記憶情報とに基づいて、基板Ｐの移動速度（最高移動速度）をそれぞれ決定する。すなわち、基板Ｐの移動距離が短い場合には、移動速度を高め、移動距離が長い場合には、移動速度を低くする。例えば、第１ショット領域Ｓ１から第２ショット領域Ｓ２へステッピング移動するときのＸ軸方向への基板Ｐの移動距離がＬ１、第３ショット領域Ｓ３から第４ショット領域Ｓ４へステッピング移動するときのＸ軸とＹ軸とに交差するＸＹ方向への移動距離がＬ２とした場合、制御装置４は、記憶装置１０に記憶されている記憶情報（図８参照）に基づいて、第１ショット領域Ｓ１から第２ショット領域Ｓ２へステッピング移動するときのＸ軸方向への基板Ｐの移動速度をＶ１に設定し、第３ショット領域Ｓ３から第４ショット領域Ｓ４へステッピング移動するときＸＹ方向への基板Ｐの移動速度をＶ２に設定する。これにより、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制しつつ、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間を短くすることができる。これにより、スループットを向上することができる。

また、本実施形態においては、基板Ｐは、ショット領域Ｓの露光時にＹ軸方向へスキャン移動し、あるショット領域Ｓの露光終了位置から次のショット領域Ｓの露光開始位置へ移行するときにＸＹ平面内の所定方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｘ軸とＹ軸とに交差するＸＹ方向を含む）へステッピング移動する。換言すれば、基板Ｐは、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して、ＸＹ平面内において複数の方向へ移動する。

本実施形態においては、記憶装置１０の記憶情報は、基板Ｐがいずれの方向に移動する場合にも共通に使用される情報であるが、液浸部材１３の構造によって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係が、基板Ｐの移動方向によって異なる場合がある。その場合は、ＸＹ平面内における基板Ｐの複数の方向（例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、ＸＹ方向）のそれぞれに対応する複数の情報を記憶装置１０に記憶してもよい。

また、本実施形態において、記憶装置１０に記憶されている記憶情報は、基板Ｐの表面の状態によらずに使用される情報であるが、基板Ｐの表面状態によって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係が異なる場合がある。その場合、例えば、表面が第１状態の基板Ｐと、表面が第２状態の基板Ｐとが露光装置ＥＸに搬入される場合には、基板Ｐの表面が第１状態のときの基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報と、基板Ｐの表面が第１状態と異なる第２状態のときの基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報とを記憶装置１０に記憶すればよい。例えば、第１状態と第２状態とは、基板Ｐの表面と液体との接触角が異なる。また、例えば、第１状態と第２状態とは、基板Ｐの表面を形成する膜が異なる。なお、二つの表面状態に限られず、記憶装置１０は、基板Ｐの表面状態に応じた、複数の情報を記憶できる。

図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、基板Ｐの一例を示す図である。図９（Ａ）に示す基板Ｐは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇとを有する。基材Ｗは、シリコン基板等の半導体ウエハを含む。図９（Ａ）に示す基板Ｐの表面は、感光膜Ｒｇによって形成されている。図９（Ｂ）に示す基板Ｐは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇと、感光膜Ｒｇ上に形成された保護膜（トップコート膜）Ｔｃとを有する。図９（Ｂ）に示す基板Ｐの表面は、保護膜Ｔｃによって形成されている。

図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、基板Ｐの表面を形成する膜が異なる場合、基板Ｐの表面と液体ＬＱとの接触角が異なる可能性が高い。基板Ｐの表面と液体ＬＱとの接触角に応じて、液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）を所定状態に維持可能な基板Ｐの移動条件（移動速度、移動距離、加速度条件の少なくとも一つを含む）が異なる。制御装置４は、基板Ｐの表面状態に対応する記憶情報を記憶措置１０から読み出し、その情報に基づいて、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、基板Ｐを移動するときの移動条件を決定することができる。

また、制御装置４は、決定した移動条件に基づいて、露光光ＥＬの照射条件を決定してもよい。例えば制御装置４は、記憶装置１０の記憶情報に基づいて決定された基板Ｐの移動速度に基づいて、各ショット領域が所望のドーズ量で露光されるように、露光光ＥＬの照射条件（照度（強度）及び／又は露光光ＥＬのパルスの発振周期）を調整する。

また、移動軌跡Ｒ１と記憶装置１０の記憶情報に基づいて基板Ｐの移動条件を決定した場合、第１ショット領域Ｓ１の露光中（スキャン移動中）における基板Ｐの移動速度と、第１３ショット領域Ｓ１３の露光中（スキャン移動中）における基板Ｐの移動速度とが異なる場合もある。その場合も、各ショット領域がほぼ同一のドーズ量で露光されるように、制御装置４は、露光光ＥＬの照射条件を調整する。

以上説明したように、本実施形態によれば、液体ＬＱが所定状態を維持可能な範囲内において可能な限り高い移動速度で基板Ｐを移動することができる。したがって、露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できる。

なお、本実施形態においては、予め決定されている移動軌跡Ｒ１に沿って基板Ｐを移動したときに、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、基板Ｐの移動速度を決定しているが、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、且つ基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐを露光するときの、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動距離（移動軌跡）を決定してもよい。

また、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、且つ基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐが移動するときの加速度条件を決定してもよい。

また、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、且つ基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐを所定の一方向に直線的に移動するときに、減速動作（停止動作）を所定回数実行するようにしてもよい。

なお、上述の実施形態においては、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を記憶装置１０に記憶し、その記憶情報に基づいて、液体ＬＱが所定状態を維持するように、基板Ｐの移動条件を決定しているが、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の上面１６との間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を記憶装置１０に記憶し、その記憶情報に基づいて、液体ＬＱが所定状態を維持するように、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の移動条件を決定することができる。

また、終端光学素子１１及び液浸部材１３と計測ステージ３の上面１８との間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、計測ステージ３の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を記憶装置１０に記憶し、その記憶情報に基づいて、液体ＬＱが所定状態を維持するように、計測ステージ３の移動条件を決定することができる。

すなわち、より所定枚数の基板がより短時間で露光処理できるように、記憶装置１０に記憶されている情報に基づいて、基板ステージ２（基板Ｐ，プレート部材Ｔ）、及び計測ステージ３の移動条件を決定するのが望ましい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

本実施形態の特徴的な部分は、制御装置４が、記憶装置１０の記憶情報を追加する点にある。例えば、新しい感光材が使用され、基板Ｐの表面状態が変更されたときに記憶装置１０に記憶されている既存情報では対応できない場合がある。その場合、液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を新たに求める必要がある。そこで、本実施形態においては、露光装置ＥＸ内で基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を求め、記憶装置１０に新たに記憶する。

基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を求めるために、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板Ｐを移動しつつ液浸空間ＬＳの状態を検出する。液浸空間ＬＳの状態を検出する際、制御装置４は、基板Ｐを複数の移動条件で移動させるとともに、所定の検出装置を使って、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）の状態を検出する。

本実施形態においては、制御装置４は、検出システム９を用いて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に形成された液浸空間ＬＳの状態を検出する。本実施形態において、検出システム９は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態か否かを検出可能である。制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板ステージ２を用いて基板Ｐを複数の移動条件で移動し、検出システム９を使って液浸空間ＬＳの状態を検出する。

図１０は、液浸空間ＬＳの状態が検出されているときの基板Ｐの表面の平面図である。図１０に示すように、検出システム９の照射装置９Ａは、検出光ＳＬを、基板Ｐの表面の複数の所定位置のそれぞれに照射する。本実施形態においては、照射装置９Ａは、基板Ｐ上に形成された液浸空間ＬＳの界面ＬＧの近傍に複数の検出光ＳＬを照射する。本実施形態においては、照射装置９Ａは、液浸空間ＬＳを囲むように、基板Ｐの表面における液浸空間ＬＳの界面ＬＧの近傍の複数位置のそれぞれに検出光ＳＬを照射する。すなわち、照射装置９Ａから射出された複数の検出光ＳＬの光路は、液浸空間ＬＳを囲むように設定されている。なお本実施形態においては、図１０に示すように、基板Ｐの表面に照射された検出光ＳＬのＸＹ平面内における形状はスリット状である。

基板Ｐ上の液浸空間ＬＳが所定状態である場合、複数の検出光ＳＬのそれぞれは、液浸空間ＬＳの界面ＬＧに対して外側における基板Ｐの表面の所定位置に照射される。すなわち、液浸空間ＬＳが所定状態であるとき、照射装置９Ａより射出された複数の検出光ＳＬのそれぞれは、照射装置９Ａの液体ＬＱに照射されず、液体ＬＱを介さないで受光装置９Ｂに到達する。

液体ＬＱが所定状態でない場合、すなわち、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液体ＬＱを良好に保持できず、液体ＬＱが漏出したり、残留したりした場合、検出光ＳＬの光路上に液体ＬＱが介在する。検出光ＳＬが液体ＬＱに照射される状態と照射されない状態とでは、受光装置９Ｂの受光状態（受光位置、受光量など）が異なる。例えば、検出光ＳＬが液体ＬＱに照射されると、受光装置９Ｂで受光できなかったり、受光装置９Ｂでの受光位置が大きく異なったりする。このように、検出システム９は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態か否かを検出することができる。

また、本実施形態においては、複数の検出光ＳＬは、液浸空間ＬＳを囲むように照射されるため、制御装置４は、受光装置９Ｂの受光結果に基づいて、液体ＬＱが漏出する方向を検出することができる。

制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を求めるために、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板ステージ２を用いて基板Ｐを移動しつつ、検出システム９を使って液浸空間ＬＳの状態を検出する。このとき、制御装置４は、基板Ｐの移動条件を変えつつ、検出システム９を使って液浸空間ＬＳの状態を検出する。基板Ｐの移動条件は、基板Ｐの移動速度、移動距離（連続的な直線移動距離を含む）、及び移動方向の少なくとも１つを含む。

制御装置４は、例えば複数の移動速度で、基板Ｐを所定の一方向に第１の移動距離だけ移動しながら、検出システム９を用いて、液浸空間ＬＳの状態を検出する。そして、制御装置４は、液浸空間ＬＳが所定状態に維持される、第１の移動距離に対応する基板Ｐの最高移動速度を決定する。

また、制御装置４は、複数の移動速度で、基板Ｐを所定の一方向に第２の移動距離だけ移動しながら、検出システム９を用いて、液浸空間ＬＳの状態を検出する。そして、制御装置４は、液浸空間ＬＳが所定状態に維持される、第２の移動距離に対応する基板Ｐの最高移動速度を決定する。

同様に、制御装置４は、液浸空間ＬＳが所定状態に維持される、第３の移動距離、第４の移動距離、…、第ｎの移動距離のそれぞれに対応する基板Ｐの最高移動速度を決定する。これにより、図８に示したような、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報が求められ、制御装置４は、その情報を新たに記憶装置１０に記憶する。

なお、ＸＹ平面内の複数の方向に対応する複数の情報が記憶装置１０に記憶されている場合には、同様にして、液浸空間ＬＳが所定状態に維持される、ＸＹ平面内における複数の所定方向のそれぞれについて、第１の移動距離、第２の移動距離、…、第ｎの移動距離のそれぞれに対応する基板Ｐの最高移動速度を決定すればよい。

以上説明したように、露光装置ＥＸは、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を記憶装置１０に追加することができる。

なお、基板Ｐの表面状態（膜）が変更されたときに、記憶装置１０に新たに情報を追加する場合を説明したが、露光装置ＥＸを使い始める前に、本実施形態で説明した手順を用いて、記憶装置１０に記憶される情報を求めることができる。

また、本実施形態においては、基板Ｐの表面状態（膜）が変更されたときに、記憶装置１０に新たに情報を追加する場合を例にして説明したが、制御装置４は、例えば所定時間間隔毎に、記憶装置１０の記憶情報を更新するようにしてもよい。例えば、終端光学素子１１の下面１２、及び／または液浸部材１３の下面１４の状態（例えば液体ＬＱに対する接触角）が変化すると、液体ＬＱが漏出したり、残留したりする可能性が高くなる。そのような可能性がある場合には、例えば所定時間間隔毎に、本実施形態で説明した手順を用いて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を更新し、その更新後の記憶情報に基づいて、基板Ｐの移動条件を決定することにより、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。同様にして、プレート部材Ｔ（基板ステージ２）の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報、及び計測ステージ３の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報も更新することができる。

また、例えばプレート部材Ｔ（基板ステージ２）の上面１６の状態が変化する可能性がある場合には、記憶装置１０の記憶されている、プレート部材Ｔの移動速度と移動距離との関係に関する情報を更新することができる。例えばプレート部材Ｔの上面１６の液体ＬＱに対する撥液性が劣化した場合、液体ＬＱが漏出したり、プレート部材Ｔ上に残留したりする可能性が高くなる。そのため、プレート部材Ｔの上面１６の状態が変更されたときに、終端光学素子１１及び液浸部材１３とプレート部材Ｔ（基板ステージ２）との間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、プレート部材Ｔ（基板ステージ２）の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を更新し、その更新後の記憶情報に基づいて、プレート部材Ｔ（基板ステージ２）の移動条件を決定することにより、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。同様に、計測ステージ３の上面１８の状態が変化する可能性がある場合には、記憶装置１０の記憶情報を更新することができる。これにより、その更新後の記憶情報に基づいて、計測ステージ３の移動条件を決定することにより、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

本実施形態の特徴的な部分は、検出システム９の検出結果に基づいて、液浸空間ＬＳを形成する物体（終端光学素子１１、液浸部材１３、プレート部材Ｔ（基板ステージ２）、計測ステージ３の少なくとも一つを含む）の保守、メンテナンスを実行する点にある。

例えば、検出システム９の検出結果に基づいて、計測ステージ３を保守、メンテナンスなどを実行することができる。例えば、上述の第２実施形態のように、記憶装置１０に記憶されている計測ステージ３の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を更新したときに、液浸部材１３の下面１４の親液性が維持されているにもかかわらず、液体ＬＱが所定状態を維持可能な計測ステージ３の最高移動速度が許容できないほど低下した場合には、計測ステージ３の上面１８の撥液性が劣化（上面１８が親液化）している可能性がある。本実施形態において、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態を維持可能な計測ステージ３の最高移動速度が低下した場合に、計測ステージ３の上面１８をクリーニングしたり、計測ステージ３の上面１８を形成する部品の交換要求をディスプレイに表示したりする。計測ステージ３の上面１８をクリーニングしたり、上面１８を形成する部品を交換したりすることによって、所望の表面状態を有する計測ステージ３を用いて液浸空間ＬＳを形成することができる。

また、検出システム９の検出結果に基づいて、基板ステージ２のプレート部材Ｔの保守、メンテナンスを実行することもできる。例えば、上述の第２実施形態のように、記憶装置１０に記憶されているプレート部材Ｔ（基板ステージ２）の移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を更新したときに、液浸部材１３の下面１４の親液性が維持されているにもかかわらず、液体ＬＱが所定状態を維持可能なプレート部材Ｔ（基板ステージ２）の最高移動速度が許容できないほど低下した場合には、プレート部材Ｔの上面１６の撥液性が劣化（上面１６が親液化）している可能性がある。例えばプレート部材Ｔの上面１６の撥液性が劣化していると判断した場合、制御装置４は、プレート部材Ｔの上面１６をクリーニングしたり、プレート部材Ｔの交換要求をディスプレイに表示したりする。プレート部材Ｔの上面１６をクリーニングしたり、プレート部材Ｔを交換したりすることによって、所望の表面状態を有するプレート部材Ｔを用いて液浸空間ＬＳを形成することができる。

また、検出システム９の検出結果に基づいて、液浸部材１３のメンテナンスを実行することができる。例えば、上述の第２実施形態のように、記憶装置１０に記憶されている基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報を更新したときに、基板Ｐの表面状態が変更されていないにもかかわらず、液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの最高移動速度が低下した場合には、液浸部材１３の下面１４の親液性が劣化（撥液化）している可能性がある。本実施形態において、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの最高移動速度が許容できないほど低下した場合に、液浸部材１３をクリーニングしたり、液浸部材１３の交換要求をディスプレイに表示したりする。例えば、液浸部材１３の下面１４をクリーニングしたり、液浸部材１３を交換したりすることによって、所望の表面状態を有する液浸部材１３を用いて液浸空間ＬＳを形成することができる。

なお、液浸部材１３のクリーニングとして、液浸部材１３の下面１４に紫外光を照射して、液浸部材１３の下面１４を光洗浄してもよい。

また、メンテナンス処理は、例えばクリーニング用液体を用いたクリーニング処理であってもよい。例えば、供給口４１よりクリーニング用液体を供給し、クリーニング用液体で液浸空間を形成することによって、終端光学素子１１、液浸部材１３、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）、及び計測ステージ３等、露光用の液体ＬＱと接触する部材を、クリーニング用液体で良好にクリーニングできる。

なお、上述の各実施形態に液浸部材１３は一例であって、液浸空間を形成する部材は、米国特許出願公開第２００６／００８７６３０号公報、国際公開第２００５／１２２２２１号公報などに開示されているものを用いてよい。

なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子１１の射出側（像面側）の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１１の入射側（物体面側）の光路空間も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

また、例えば露光光ＥＬがＦ_２レーザ光である場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置においては、各ステージ毎に、液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）が所定状態を維持可能な、ステージの移動即と移動距離との関係に関する情報を求め、記憶装置に記憶することによって、その記憶情報を用いて、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制できる各ステージの移動条件を決定できる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計８Ａ、８Ｂ、８Ｃを含む干渉計システムを用いてマスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２、３に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、国際公開第１９９９／４６８３５号パンフレット（対応米国特許７,０２３,６１０号）に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。

また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。第１実施形態に係る基板ステージを示す側断面図である。第１実施形態に係る液浸部材を示す概略斜視図の一部破断図である。第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示すＹＺ平面と平行な側断面図である。第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示すＸＺ平面と平行な側断面図である。第１実施形態に係る基板ステージを上方から見た図である。第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャート図である。第１実施形態に係る記憶装置に記憶されている記憶情報を説明するための模式図である。第１実施形態に係る基板の一例を示す図である。第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。。マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

２…基板ステージ、３…計測ステージ、４…制御装置、９…フォーカス・レベリング検出システム、９Ａ…照射装置、９Ｂ…受光装置、１０…記憶装置、１１…終端光学素子、１２…射出面、１３…液浸部材、１４…液体接触面、１６…上面、１８…上面、２１…第１面、２２…第２面、２３…第３面、８０…搬送装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路空間、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、Ｒｇ…感光膜、Ｓ１〜Ｓ２１…ショット領域、Ｔ…プレート部材、Ｔｃ…保護膜

Claims

露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、
第１部材と、
前記第１部材に対して相対的に移動可能な物体と前記第１部材との間の液体が所定状態を維持可能な、前記第１部材に対する前記物体の相対的な移動速度と移動距離との関係に関する情報を記憶した記憶装置と、
前記第１部材と前記物体との間の液体が前記所定状態を維持するように、前記記憶装置の記憶情報に基づいて、前記第１部材に対する前記物体の相対的な移動条件を決定する決定装置と、を備えた露光装置。
前記所定状態は、前記第１部材と前記物体との間からの液体の漏出が抑制される状態を含む請求項１記載の露光装置。
前記所定状態は、前記物体上での液体の残留が抑制される状態を含む請求項１又は２記載の露光装置。
前記移動距離は、連続的な直線移動距離を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
前記移動条件は、前記第１部材に対する前記物体の相対的な移動速度を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
前記移動条件は、前記第１部材に対する前記物体の相対的な移動距離を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
前記移動条件は、前記第１部材に対して前記物体が移動するときの加速度条件を含む請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
前記決定装置は、予め決定された移動軌跡に沿って、前記第１部材に対して前記物体を移動させるときに、前記所定状態が維持されるように、前記移動条件を決定する請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
前記第１部材に対して前記物体は複数の方向に相対的に移動可能であり、
前記情報は、前記複数の方向のそれぞれに対応する複数の前記関係に関する情報を含む請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
前記記憶装置は、前記物体の表面が第１状態のときの前記関係に関する情報と、前記物体の表面が前記第１状態と異なる第２状態のときの前記関係に関する情報とを記憶する請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
前記第１状態と前記第２状態とは、前記物体の表面と前記液体との接触角が異なる請求項１０記載の露光装置。
前記第１状態と前記第２状態とは、前記物体の表面を形成する膜が異なる請求項１０又は１１記載の露光装置。
前記物体は、前記基板を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
前記決定装置は、前記基板の露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、前記移動条件を決定する請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
前記決定装置は、前記基板上に設定されるショット領域に基づいて予め決定される移動軌跡に沿って前記基板を移動したときに、前記所定状態が維持されるように、前記移動条件を決定する請求項１４記載の露光装置。
前記基板を保持しながら移動可能であり、前記第１部材と対向可能な上面を有する基板ステージを備え、
前記物体は、前記基板ステージの上面の少なくとも一部を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
前記基板ステージは、着脱可能なプレート部材を有し、
前記基板ステージの上面の少なくとも一部は、前記プレート部材の表面の少なくとも一部を含む請求項１６記載の露光装置。
前記基板を保持せずに、計測器を搭載して移動可能であり、前記第１部材と対向可能な上面を有する計測ステージをさらに備え、
前記物体は、前記計測ステージの上面の少なくとも一部を含む請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
前記記憶装置の記憶情報を更新するための更新装置を備える請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
前記更新装置は、前記第１部材と前記物体との間の液体が所定状態か否かを検出する検出装置を有する請求項１９記載の露光装置。
前記更新装置は、前記第１部材と前記物体とを複数の移動条件で相対的に移動させるとともに、前記検出装置を使って、前記第１部材と前記物体との間の液体の状態を検出する請求項２０記載の露光装置。
前記検出装置は、液浸空間の界面の近傍に検出光を照射する照射装置と、
前記検出光に対して所定の位置に配置された受光装置とを備える請求項２０又は２１記載の露光装置。
前記更新装置は、所定時間間隔毎に、更新動作を実行する請求項２０〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
前記物体の表面状態が変更されたときに、前記更新装置は、更新動作を実行する請求項２０〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記第１部材及び前記物体の少なくとも一方のメンテナンスを実行するメンテナンス装置を備える請求項２０〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
前記メンテナンス装置は、前記第１部材及び前記物体の少なくとも一方の液体接触面のクリーニングを行う請求項２５記載の露光装置。
請求項１〜２６のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
液体を介して露光光で前記基板を露光するときの露光条件の決定方法であって、
第１部材と物体との間の液体が所定状態を維持可能な、前記第１部材と前記物体との相対的な移動速度と移動距離との関係に関する情報を求めることと、
前記所定状態が維持されるように、前記情報に基づいて、前記第１部材と前記物体との相対的な移動条件を決定することと、を含む決定方法。
前記決定した移動条件に基づいて、前記露光光の照射条件を決定することを含む請求項２８記載の決定方法。
前記第１部材と前記物体とを複数の移動条件で相対的に移動させることと、
前記第１部材と前記物体とを相対的に移動させたときの前記液体の状態を検出することと、を含み、
前記検出結果に基づいて、前記情報が求められる請求項２８又は２９記載の決定方法。