JP2011003897A - リソグラフィ装置、該装置を制御する方法及びリソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】テーブル速度を増大させながら液浸液の泡による結像欠陥を低減するか又は解消する。
【解決手段】パターン付放射ビームをテーブルによって支持された基板上に誘導するように構成された投影システムと、投影システムとテーブル、又は基板、あるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、移動方向転換の間の距離に基づいて液体ハンドリングに対するテーブルの移動速度を制御するコントローラとを含む液浸リソグラフィ装置が開示される。
【選択図】図７

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置を制御する方法及びリソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体へのバリアを提供することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] 液浸リソグラフィでは、空間から露光中の基板又は基板を支持する基板テーブル上へいくらかの液体が失われることがある。失われた液体は、欠陥を引き起こす恐れがある。基板／基板テーブル上にある液滴が後で空間内の液体、例えば、液体メニスカスと衝突するによって、空間内の泡などのある量のガスが形成されることがある。泡は、基板のターゲット部分に向けられた結像放射と干渉して基板上の結像パターンに影響することがある。

[0007] 例えば、スループットを増大させながらそのような結像欠陥を低減するか又は解消することが望ましい。

[0008] 一態様によれば、パターン付放射ビームをテーブルによって支持された基板上に誘導するように構成された投影システムと、投影システムとテーブル、又は基板、あるいはその両方によって構成される対向面との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、液体ハンドリングシステムに対するテーブルの移動を制御するコントローラであって、移動方向転換の間の距離に基づいて移動速度を変更するように構成されたコントローラとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0009] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の液体ハンドリング構造の下のテーブルの経路を選択する方法であって、液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの複数の領域を決定するステップと、液体ハンドリング構造の下のテーブルの複数の可能な移動方向を決定するステップと、可能な方向のうちの１つの方向に液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの１つ又は複数の領域の上の移動を含む領域間の複数の可能な経路を決定するステップと、経路内の方向転換の間の距離に基づいて決定された最大許容移動速度に基づいて複数の可能な経路の各々の合計時間を計算するステップと、計算された合計時間の比較に基づいて複数の可能な経路のうちの１つを選択するステップとを含む方法が提供される。

[0010] 一態様によれば、リソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法であって、投影システムから液体を通してテーブルによって支持された基板上にパターン付放射ビームを投影するステップと、投影システムに対して経路に沿ってテーブルを移動させるステップであって、投影システムに対するテーブルの移動速度が経路内の方向転換の間の距離に基づいて変更されるステップとを含む方法が提供される。

[0011] 一態様によれば、リソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法であって、投影システムとテーブル、テーブルによって支持される基板、又はその両方の対向面との間の空間に閉じ込め構造によって液体を閉じ込めるステップと、投影システムから液体を通して基板上にパターン付放射ビームを投影するステップと、投影システムに対して対向面を経路に沿って移動させるステップであって、対向面と閉じ込め構造との間の液体の液体メニスカスの未臨界速度へ向けて投影システムに対する対向面の移動速度を増加させることで少なくとも部分的に経路内の方向転換の間の距離が選択されるステップとを含む方法が提供される。

[0012] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0013]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0014]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0014]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0015]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0016]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0017]本発明のある実施形態による液体ハンドリング構造の平面図である。 [0018]本発明のある実施形態による液体ハンドリング構造の断面図である。 [0019]本発明のある実施形態による液体ハンドリング構造に対する基板／基板テーブルの特定距離の移動後の液体ハンドリング構造の断面図である。 [0020]本発明のある実施形態による液体ハンドリング構造に対する基板／基板テーブルの特定距離を超えた移動後の液体ハンドリング構造の断面図である。 [0021]特定の方向に移動する特定の液体ハンドリング構造の最大移動速度及び移動長を示すグラフである。 [0022]液体ハンドリング構造の下の基板テーブルの経路の平面図である。 [0023]液体ハンドリング構造の下の基板テーブルの経路の平面図である。 [0024]液体ハンドリング構造の下の基板テーブルの可能な経路の平面図である。 [0025]液体ハンドリング構造の下の基板テーブルの可能な経路の平面図である。 [0026]液体ハンドリング構造の下の基板テーブルの可能な経路の平面図である。 [0027]液体ハンドリング構造の下の基板テーブルの可能な経路の平面図である。 [0028]ある実施形態による基板テーブルと液体ハンドリング構造の断面図である。 [0029]本発明のある実施形態による基板テーブルと測定テーブルの平面図である。 [0030]一方向の特定距離の移動後の基板テーブル上の開口、ダンパの縁部及びメニスカス接触線の相対位置の平面図である。

[0031] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0032] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0033] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0034] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0035] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0036] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0037] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0038] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0039] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0040] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0041] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0042] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0043] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0044] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0045] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0046] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0047] 投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴槽タイプ構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴槽タイプ構成では、実質的に基板の全体とオプションとして基板テーブルの一部が液体の浴槽内に浸漬される。いわゆる局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板がその領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、液体供給デバイスには封止特徴部が存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。

[0048] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板Ｗ（図３に矢印で示す）上に、好ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳ（図３に矢印で示す）の下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0049] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、矢印で表される入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。図４の断面図では、矢印は入口への、また出口からの液体のフローの方向を示す。

[0050] 欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0051] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れる（又は流れる）ことができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0052] 提案されている別の構成は、液体供給システムに流体閉じ込め構造を提供する構成である。流体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在していてもよい。そのような構成を図５に示す。流体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成される。ある実施形態では、流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触封止でよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。別の実施形態では、流体閉じ込め構造は、非ガスシールである封止を有するので液体閉じ込め構造と呼んでもよい。

[0053] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は流体閉じ込め構造を形成する本体１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造又はデバイスを概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、本体１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体シールなどの非接触封止でよい。

[0054] 流体ハンドリングデバイスは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む本体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口１３によって本体１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、本体１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。内周は任意の形状であってよく、例えば、内周は投影システムの最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。

[0055] 液体は、使用時に、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。本体１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0056] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器又は２相抽出器を使用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器又は２相抽出器は、多孔質の材料で覆われた入口を備えていてもよい。単相抽出器の実施形態では、多孔質の材料は、単液体相液体抽出を可能にするために、ガスから液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流側にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で充填されている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば５〜３００μｍ、望ましくは５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性（例えば、親水性）であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。

[0057] その他の多くのタイプの液体供給システムも可能である。本発明は、任意の特定のタイプの液体供給システムに限定されない。本発明は、投影システムの最終要素と基板との間の液体が例えば使用を最適化する際に閉じ込められる閉じ込め液浸システムと併用する場合に有利である。しかし、本発明は、その他の任意のタイプの液体供給システムとも併用することができる。

[0058] 図６は、例えば、図５の封止構成１４、１５、１６に取って代わることができる本発明のある実施形態のメニスカスピニング装置を示す。図６のメニスカスピニング装置は、複数の離散的な（抽出）開口５０を含む。各開口５０は円形として示されているが、これはそうでなくてもよい。実際、１つ又は複数の開口５０の形状は、正方形、円、直線的な形状、矩形、長円、三角形、スリットなどの細長い形状から選択された１つ又は複数の形状であってもよい。各々の開口５０は、平面視で、おそらくは０．５ｍｍを超える、望ましくは１ｍｍを超える最大寸法を備えた直径などの最大断面寸法を有する。開口５０は、汚染によって大きな影響を受けにくいことが望ましい。

[0059] 図６のメニスカスピニング装置の開口５０の各々は、別々の加圧源に接続されていてもよい。代替的に又は追加的に、開口５０の各々又は複数は、それ自体が加圧下に保持された共通のチャンバ（環状でもよい）に接続されていてもよい。こうして、各々又は複数の開口５０で均一な加圧が達成することができる。開口５０は真空源に接続することができ、及び／又は液体供給システムを囲む雰囲気の圧力を増大させて必要な加圧を生成することができる。

[0060] 各開口５０は、例えば、２相流内の液体とガスの混合物を抽出するように設計されている。液体は空間１１から抽出され、ガスは開口５０の反対側の雰囲気から液体側に抽出される。これによって、矢印１００で示すガス流が生成される。このガス流は、開口５０の間のメニスカス９０を図６に示す所定位置、例えば、隣接する開口５０の間にピン止めする効果がある。ガス流は、運動量の阻止、ガス流に誘発された圧力勾配、及び／又は液体上のガス流の抗力（剪断力）によって閉じ込めた液体を維持する助けになる。

[0061] 図６から分かるように、開口５０は、平面視で、多角形の形状を形成するように配置されている。図６の場合、これは、主軸１１０、１２０が投影システムＰＳの下の基板Ｗの主移動方向に整列した菱形の形状である。これによって、開口５０が円形に配置された場合と比較して最大スキャン速度が確実に速くなる。これは、２つの開口５０の間のメニスカスにかかる力が基板Ｗが移動する方向と２つの開口５０を結ぶ線とがなす角度であるθの余弦ｃｏｓθを係数として低減するためである。したがって、開口５０の形状の主軸１１０を基板の主移動方向（普通はスキャン方向）に整列させ、第２の軸１２０を基板の他方の主移動方向（普通はステップ方向）に整列させることでスループットを最適化できる。

[0062] θが９０°以外の任意の構成が有利であることを理解されたい。したがって、主軸の主移動方向への正確なアライメントは不可欠ではない。さらに、形状が円形の場合、移動方向に垂直に整列した開口５０が常に２つあり、したがって、これら２つの排出口の間のメニスカスは、基板Ｗの移動によって最大の利用可能な力を受けることを理解されたい。

[0063] 上記から、各辺が基板の主移動方向に対して約４５°に整列した正方形の形状を使用する場合にも大きな利点があることが分かる。しかし、本発明のある実施形態は、開口５０が平面視で形成する例えば円などの任意の形状に適用可能である。

[0064] 開口の半径方向外側に稼働中にガス流を供給することができるガスナイフ開口を設けてもよい。そのような構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月２５日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１８１，１５８号に記載されている。ある実施形態では、ガスナイフは存在しない。ガスナイフの使用を回避することで、基板Ｗからの液体の蒸発量を低減して液体の飛散及び／又は熱膨張／収縮効果を低減することができる。ガスナイフのガス流は基板上に下向きの力を加えるので、ガスナイフの使用を回避することは望ましい。この力は、基板表面を変形させることがある。

[0065] 図７は、図６に示す線ＶＩＩ−ＶＩＩで切った液体ハンドリング構造１２の断面図である。図７で、矢印１００は、液体ハンドリング構造１２の外から開口５０に関連付けられた通路５５へ流入するガス流を示す。矢印１５０は、液体ハンドリング構造１２の下からの液体の通路を示す。この通路は、空間１１から開口５０に通じるものであってもよい。通路５５及び開口５０は、２相抽出（すなわち、ガスと液体）が望ましくは環状流モードで実行されるように設計されている。環状流モードでは、ガスは実質的に通路５５の中心を通過する。液体は、実質的に通路５５の壁面に沿って流れる。その結果、脈流があまり生成されない平滑なフローが生まれ、望ましくはそうでなければ発生する可能性がある振動を最小限にする。

[0066] メニスカス９０は、開口５０へ流入するガス流によって誘発される抗力によって開口５０の間にピン止めされる。約１５ｍ／ｓを超える、望ましくは２０ｍ／ｓのガス抵抗速度で十分である。

[0067] 各々が１ｍｍの幅（例えば、直径）を備え３．９ｍｍだけ離間した針の形態でもよい複数の離散的な通路（例えば、４０前後の、例えば３６の）でメニスカスをピン止めするのに十分である。そのようなシステム内の合計ガス流は、１００リットル／分程度である。

[0068] 開口５０及び液体ハンドリング構造１２の詳細は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００８／０２１２０４６号及び２００８年５月８日出願の米国特許出願ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。

[0069] ある実施形態では、下面４０には、液体ハンドリング構造１２から流体（例えば、液浸液などの液体）を排出するように構成されたさらに１つ又は複数の（供給）開口７０が形成されている。これらの開口７０は、液体を空間１１内に流入させる要素であると考えてよい。開口７０は、通路７５に接続されている。開口７０は、投影システムＰＳの光軸に対して抽出開口５０の半径方向内側にある。流体ハンドリングシステム１２の開口７０から流出する液体は、基板Ｗの方へ向けられる。このタイプの開口７０は、液浸液内の泡の生成の確率を低減するために提供される。基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴとの間のギャップ内にガスが捕集されることがある。液体ハンドリング構造１２の下面の進入部で、液体ハンドリング構造１２は基板Ｗの対向面に対して十分に高速で移動することができ、したがって液体は空間１１から開口５０へ流出できない。縁部２０と開口５０との間の液体ハンドリング構造１２の下面の部分はディウェッティングされることがあり、開口５０のメニスカスピニングの有効性に影響することがある。望ましくは、開口５０の付近の別の開口７０を通して液体を供給することで泡混入及び／又はディウェッティングの恐れを低減する助けになる。

[0070] 開口７０の幾何学的形状は、液体ハンドリング構造１２の液体を封じ込める有効性に影響する。

[0071] 開口７０は、平面視で開口５０の形状と同様の角がある形状を有することが望ましい。実際、開口７０及び５０の角がある形状は、望ましくは実質的に同様である。ある実施形態では、各々の形状は、各々の角の頂点に開口７０又は開口５０を有する。望ましくは、開口７０は、開口５０から１０ｍｍ以内、望ましくは５ｍｍ以内である。複数の開口７０がある場所では、各開口７０は、開口５０から１０ｍｍ以内、望ましくは５ｍｍ以内である。すなわち、開口５０によって形成される形状のすべての部分は、開口７０によって形成される形状の部分から１０ｍｍ以内である。

[0072] 開口５０及び開口７０に関する詳細は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月６日出願の米国特許出願ＵＳ１２／４３６，６２６号に記載されている。

[0073] 抽出開口５０と例えば基板Ｗ又は、基板テーブルＷＴの対向面との間に加圧が生成される。（対向面という表現は、基板テーブル、基板Ｗの表面、あるいはその両方の表面を含む。基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴという表現は、例えば、リソグラフィ装置内の基板テーブル又はその他の任意のテーブル上に提供されたセンサ表面などのその他の適用可能な対向面を含む。基板テーブルという表現は、本明細書ではテーブルという表現を含むことを理解されたい。対向面は、例えば、下面４０が基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間のギャップの上にある時には基板及び基板テーブルであってもよい）。下面４０が対向面に近いほど、ガス流１００は強力で、そのため、メニスカス９０の所定位置へのピニングが有効である。抽出開口５０と対向面との間の加圧が大きいほど、ガス流１００は強力で、そのため、メニスカス９０の位置は安定する。開口５０と対向面との間の加圧によって、液体ハンドリング構造１２を対向面側へ引き付ける力が生まれる。

[0074] 供給開口７０から液体流が流出する結果、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴと液体ハンドリング構造１２との間に斥力が発生する。

[0075] 液体ハンドリング構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の通常の離間距離で、総計の力（抽出開口５０からの引力、供給開口７０からの斥力及び重力の総計）は引力である。液体ハンドリング構造１２の剛性（例えば、投影システムＰＳの光軸方向などのｚ方向の、及び／又は一般に基板表面に垂直な方向の）は、液体ハンドリング構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の距離の変化に応じて力のレベルが変化する様子を表す。したがって、ある実施形態では、剛性は、ｙ軸にかかる合計の力対ｘ軸に沿った液体ハンドリング構造１２の下面４０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の距離の導関数である。ある実施形態では、ｘ及びｙ軸は、流体ハンドリング構造の下面に平行な平面内にあってもよい。ｘ及びｙ軸は、一般に基板表面に平行な平面内にあってもよい。

[0076] 液体ハンドリング構造１２の剛性が基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴからの典型的な動作距離で高すぎる場合、合焦エラーが発生することがある。これは、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上の液体ハンドリング構造１２の高さの位置エラーが頻発することによる。所望の高さからのいかなる変化も名目（及び較正）値に対して力の差を発生させる。この力の差によって、予想位置からの基板Ｗのずれが生じ、合焦エラーが発生する。

[0077] 開口５０と外縁部４５との間の下面４０は、ダンパ４７と考えることができる。ダンパ４７が大きいほど（すなわち、開口５０と縁部４５との間の寸法が広いほど）、液体ハンドリング構造１２の剛性は高くなる。したがって、ダンパ４７の幅を最小限にすることが望ましい。

[0078] 図８及び図９は、図示のように、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴが右側に移動するにつれてメニスカス９０の位置が変化する様子を示す。液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの移動の相対速度が臨界レベルを超える場合、メニスカス９０が基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴと接触する液体ハンドリング構造１２に対する位置は、空間１１から離れて図の右側へ移動する。したがって、メニスカスは、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの移動速度よりも遅い速度で移動する。メニスカス９０が基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴと接触する位置は、液体ハンドリング構造１２に対して移動する。図８及び図９に示すように、時間と共に、液体ハンドリング構造１２に対するメニスカス９０の基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴとの接触位置は、空間１１から離れて図の右側へ移動する。

[0079] ダンパ４７を備える液体ハンドリング構造１２の場合、メニスカス９０が基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴと接触する位置がダンパ４７の下にもはやなくなるまでメニスカス９０は安定している。この状況を図９に示す。メニスカス９０がその位置に達すると、メニスカス９０は液滴９１に分解し、液滴９１は液体ハンドリング構造１２によって消失する。

[0080] したがって、図の液体封じ込め地点から、ダンパ４７をできるだけ広くとることが有利であるということが分かる。しかし、これは、上記のより寸法が小さいダンパ４７に導く液体ハンドリング構造１２の剛性を低下させるという欲求と矛盾する。

[0081] 液滴９１は欠陥源である。例えば、液滴９１は、汚染、乾燥する汚れ、及び／又は局所熱負荷を引き起こすことがあり、液体ハンドリング構造１２と基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴとの間に延在するメニスカス９０との接触時に空間内に泡が発生する恐れがある。基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴ上の液滴９１の位置は液体閉じ込め構造１２の下を通過することがある。液滴９１と閉じ込められた液体との衝突によって欠陥の問題が引き起こされることがある。

[0082] 例えば、閉じ込め液浸システムでは、液滴９１は、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間に延在する液体メニスカス９０と衝突することがある。そのような衝突によって、液体は、気体（例えば、空気）を直径が例えば５〜１０μｍでよいが１〜５００μｍであってもよい泡として閉じ込めることがある。泡のサイズは、通常５〜１０ミクロンである。泡は、液浸液を通して投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間１１内に移動することができ、又は泡は基板Ｗ上に静止し、空間１１に対する基板Ｗの相対移動によって空間１１内に移動することができる。この場所にある泡は、結像に影響することがある、すなわち、泡はレジスト内に暴露されて結像の欠陥を引き起こすことがある。

[0083] メニスカス９０は、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの移動方向が変化する、例えば、反対方向に移動すると、図７に示す位置に戻る。

[0084] 液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの所与の相対速度で、メニスカス９０が基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴに接触する液体ハンドリング構造１２に対する位置は、所与の率で変化することが理解されよう。液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの相対速度が増加する場合、所与の率も増大する。液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの相対速度が減少する場合、所与の率も減少する。液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの特定の速度に満たない場合、メニスカス９０が基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴに接触する液体ハンドリング構造１２に対する位置は実質的に一定である。この速度を未臨界速度と呼ぶ。

[0085] この理解に基づいて、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの右方への短い移動の場合に、長い移動の場合と比較して液体ハンドリング構造１２に対するより高い速度を使用することができる。これは、短い移動の場合に、メニスカス９０が基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴに接触する位置が短い時間だけ可能であるために高速で移動することができる。この短い時間に、メニスカスが基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴに接触する液体ハンドリング構造１２に対する位置は、ダンパ４７の下から移動しない。逆に、より長い時間同じ速度が使用されたとすると（移動距離が長いため）、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴに接触するメニスカス９０の端部がダンパ４７の下から移動するため、流出が発生するであろう（すなわち、メニスカスから液滴が漏れる）。したがって、所与の方向でのより長い移動では、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの速度を低減することが望ましい。

[0086] 図１０は、特定方向の移動長と流出が発生する前の（すなわち、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴ上のメニスカス９０の位置がダンパ４７の下から移動する前の）最大許容移動速度との関係を示す。このグラフは、テーブルがさまざまな移動長と速度でスキャンされ、液滴９１がモニタされて最大速度を示す実験に基づいて作成することができる。図から分かるように、短い移動長では、大きい最大速度を達成することができる。長い移動長では、小さい最大速度が望ましい。極めて大きい長さでは、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴ上のメニスカス９０の位置が実質的に変化しない最大速度を使用することができる。この速度は未臨界速度である。

[0087] 光軸周りに対称である液体ハンドリング構造１２の場合、図１０に示すような１つのグラフを用いて任意の方向の特定距離の移動の最大速度を決定することができる。しかし、光軸周りに非対称である図６に示すような液体ハンドリング構造の場合、方向が異なると特性が異なることがある。その場合、図１０に示す複数の異なる方向のデータを生成する必要がある。例えば、流体閉じ込め構造が角が特定の移動方向、例えば、スキャン及び／又はステップ方向に整列した直線的な形状をしている場合である。

[0088] ある実施形態では、液体ハンドリング構造１２の下の基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの運動を制御するコントローラ１５０が提供される。コントローラ１５０は、経路５００に沿った液体ハンドリング構造１２と基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴとの間の相対運動を制御する。経路５００は、ビームＢによって照明される必要がある基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴのすべての領域が投影システムＰＳの下を（したがって、液体ハンドリング構造１２の下を）通過するように設計されている。そのような経路５００内では、通常、そのいくつかの部分が直線である多数の方向転換がある。典型的な経路５００を下記の図１１〜図１６に示す。

[0089] コントローラ１５０は、経路５００内の方向転換の間の距離に基づいて、液体ハンドリング構造１２と基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴとの間の相対速度を変更することがある。したがって、特定の方向の移動で、図１０に示すようなグラフが調べられる。経路５００内の方向転換の間の距離に等しいｘ軸上の長さに基づいて、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴと液体ハンドリング構造１２との間の最大許容相対速度が予測できる。したがって、経路５００のその部分について、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴは、液体ハンドリング構造１２に対してその最大許容速度で移動する。

[0090] 経路５００は、いくつかの部分に分割することができる。これらの部分の各々について、以上のように、最大許容速度が計算される。次に、コントローラ１５０は、その部分について、液体ハンドリング構造１２に対して当該速度で移動するように基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴを制御することができる。

[0091] コントローラ１５０は、所望の経路及び／又はその所望の経路の移動速度で事前プログラミングしてもよい。すなわち、各部分の最大許容相対速度についての計算は、コントローラ外で（例えば、別のコンピュータ上で、又は液浸装置の別の部分で）実行してもよい。したがって、コントローラ１５０は、対向面と液体ハンドリング構造１２との間の移動を制御するために計算データでプログラミングしてもよい。

[0092] 非対称の液体ハンドリング構造１２の場合、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの移動方向に基づいて移動速度を変更することが望ましい。しかし、そうでなくてもよく、任意の方向又は少なくとも１つ又は複数の方向の移動に有効な図１０に示すような包括的なグラフを作成してもよい。１つ又は複数の特定の方向は、スキャン及び／又はステップ方向であってもよい。液体ハンドリング構造１２は、平面視で直線的な形状を有していてもよい。形状の１つ又は複数の角は、スキャン及び／又はステップ方向に整列してもよい。しかし、その結果として、複数の異なる方向について図１０に示すようなグラフを作成した場合に達成可能な速さの移動が達成することができる訳ではない。例えば、直線的な形状を備えた液体ハンドリング構造の場合、移動方向は、形状の２つの隣接する角の間に整列する。

[0093] コントローラ１５０は、ルックアップテーブル又は公式（回帰公式など）に基づいて最大許容速度を計算してよく、あるいは経路５００の各々の部分について最大許容速度で事前プログラミングしてもよい。ルックアップテーブルは、図１０に示すようなグラフに対応する移動方向、移動速度及び移動長を含んでいてもよい。公式は、最大速度を計算できるように変数を有していてもよい。

[0094] 最大許容速度は、また、液浸液が対向面（例えば、基板Ｗの上面）となす接触角に大幅に依存する。したがって、コントローラ１５０は、液浸液が対向面となす接触角に基づいて速度を変更することができる。

[0095] ある実施形態では、コントローラ１５０は、液体ハンドリング構造１２下の対向面（例えば、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの表面）のある領域が平滑である時には、上記の情報だけに基づいて速度を変更する。液体ハンドリング構造１２の下の対向面は、連続的であってもよい。液体ハンドリング構造１２の下の対向面には、ギャップ又は高さの大きい変化がなくてもよい。（これは以前のリソグラフィ露光で形成された基板上のフィーチャの高さの変化を無視してもよい）。例えば、基板Ｗの縁部と基板Ｗが内部に収容された基板テーブルＷＴの縁部との間のギャップが液体ハンドリング構造１２の下にないという条件を設けてもよい。ギャップは、液体ハンドリング構造１２の下面から離間していてもよい。このようなギャップ又は高さの変化（例えば、段差又は不連続な表面）の存在は、例えば図１０に示す漏出のない最大達成可能速度が実際には達成不能であるということを意味することがある。したがって、コントローラ１５０は、移動速度の制御を無効にして、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年６月１６日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１８７，４９６号に開示されたアルゴリズムのような別のアルゴリズムを用いて装置を制御してもよい。コントローラ１５０は、経路５００内の方向転換の間の距離に基づいて液体ハンドリング構造１２に対する基板テーブルＷＴの移動速度を変更するために満たすべき別の条件を必要としてもよい。基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの平滑な及び／又は連続的な表面は、例えば、基板Ｗの中央に存在する。

[0096] 図１１は、コントローラ１５０が、液体ハンドリング構造１２の下の基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの経路５００の部分５１０内の移動速度を制御する様子の実際の例を示す。経路５００は、各フィールド５２０、５３０、５４０、５５０が順次液体ハンドリング構造１２の下を通過するように蛇行する。各フィールドは図１１で上から下に（フィールド５２０及び５４０の場合）又は図１１で下から上に（フィールド５３０及び５５０の場合）結像される。したがって、各フィールド５２０、５３０、５４０、５５０の移動は、結像中は実質的に直線的である。経路５００は、各フィールド５２０、５３０、５４０、５５０の間で１８０°方向転換する。

[0097] 各部分５１０の端部で方向が変化する。距離は、任意の数の方法で測定することができる。ある実施形態では、経路内の方向転換の間の距離は、部分５１０の端部の２つの地点５１１、５１２の間の距離として計算される。ある実施形態では、移動距離は、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルの直線運動の長さと考えられる。

[0098] 端点５１１、５１２は、移動方向が特定の方向の特定の角度範囲外にある経路５００内の位置とみなされる。例えば、特定の方向は、フィールド５４０を横断する部分５１０の直線部分の方向と考えられる。特定の角度範囲を９０°とする場合、各端部は、位置５１１及び５１２にあるものとして画定される。次に、距離は、例えば、端部５１１、５１２の間で経路５００に沿った距離、端部５１１、５１２の間の直線距離、端部５１１、５１２の間の直線部分の方向の距離、又はフィールド５４０にわたる直線部分の距離のいずれかとして測定可能であり、一般に、これらは、直線部分の方向の経路に沿った距離又は直線部分の長さに対応するか、あるいは端部の間の距離である。

[0099] 図１２は、図１１に示す運動の後にたどる経路５００の部分を示す。経路５００は、１列のフィールド５６０が結像され次の１列のフィールド５６１が結像される前の基板及び／又は基板テーブルの運動に対応する。経路は、２つの列の間の運動である。この運動は、フィールド５２０、５３０、５４０、５５０にわたる直線部分よりも長い長尺の直線部分５１５を含む。したがって、コントローラ１５０は、部分５１５の距離が部分５１０の距離より長いために、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの速度をより遅い速度に制御する。こうして、図１０に示すようなデータは、部分５１０よりも部分５１５でより遅い速度を用いるべきであることを示す。この場合、距離を測定し部分を画定する図１１に関連して前述したのと同じアルゴリズムを使用することができる。図１２の経路５００の部分５１５のほうが長いため、達成される最大速度は、図１１の部分５１０のそれより小さい。

[00100] したがって、コントローラ１５０は、経路５００の各々の部分について、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの速度を最大限にすることができる。速度を増加すると、スループットが増加する。特に小さいフィールドサイズの場合、本発明のある実施形態は有利である。１つ又は複数のフィールドを用いて１つのダイを作成することができる。ダイは、単一の半導体デバイスであってもよい。したがって、本発明のある実施形態を利用するために、ユーザは、例えば以前より多くのフィールドから単一のダイを形成する選択をすることができる。１ｍｍ×１ｍｍから３０ｍｍ×３５ｍｍの範囲からフィールドサイズを選択することができる。ある実施形態では、通常の最大フィールドサイズは、２６ｍｍ×３３ｍｍで最小限界値が約１ｍｍ×１ｍｍである。本発明のある実施形態を使用すると、２５〜２８ｍｍから選択したｘ方向のフィールドサイズが望ましく、２３〜３２ｍｍから選択したｘ方向のフィールドサイズが利点を達成する。ｙ方向では、１０〜２５ｍｍから選択したフィールドサイズが望ましい。ある実施形態では、１４〜２２ｍｍから選択したｙ方向のフィールドサイズが望ましい。ある実施形態では、１３ｍｍ未満のｙ方向のフィールドサイズはほとんど改善を示さず、１３ｍｍを超えるｙ方向のフィールドサイズが望ましい。ある実施形態では、約２２ｍｍを超えるｙ方向のフィールドサイズでは、スループットは、１３ｍｍ未満のｙ方向のフィールドサイズのスループットより優れている。しかし、ｙ方向のフィールドサイズがこれ以上大きくなってもスループットは、大幅に変化することはない。

[00101] ｘ方向では、２４〜３１ｍｍから選択したフィールドサイズが望ましく、又は２５〜３０ｍｍから選択したフィールドサイズがさらに望ましい。ある実施形態では、２５〜２８ｍｍから選択したｘ方向のフィールドサイズが望ましい。ある実施形態では、１４〜２２ｍｍから選択したｙ方向のフィールドサイズも望ましい。最も望ましくは、ある実施形態では、フィールドサイズは、ｘ方向に２５．５〜２７ｍｍから選択され、ｙ方向に１４．５〜１８ｍｍから選択される。

[00102] 小さいダイのサイズを備えた経路の場合、以前は、使用された最大速度は、液滴９１が任意の距離（例えば、図１０の右側）で流出する速度である臨界速度以下であった。小さい移動でより高い最大速度を使用することができる（図１０の左側）という現在の考え方によれば、短い距離の移動をより高速で実行してスループットを上げることができる。

[00103] ある実施形態では、単一の基板の結像時間の約２％、望ましくは３％、より望ましくは５％の低減を本発明のある実施形態を用いて達成することができる。

[00104] いくつかの経路５００では、１８０°未満の方向転換があってもよい。例えば、いくつかの経路５００は、例えば、図１４及び図１５に示すような９０°の方向転換を有していてもよい。そのような経路５００では、特定の角度範囲は図１１及び図１２の実施形態のような９０°ではなく４５°である。したがって、方向転換が１２０°を超える角度で移動方向を変更する場合、特定の角度範囲は、直線部分の方向の１２０〜６０°の範囲、望ましくは９０°であってもよい。方向転換が移動方向を変える角度が１２０°未満の場合、特定の角度範囲は、直線部分の方向の９０〜１５°の範囲、望ましくは４５°であってもよい。

[00105] 本発明のある実施形態は、ダンパ４７より先に延在するメニスカス９０に関して上述されているが、他の液体ハンドリング構造では、メニスカスは、図８及び図９に示すように、液体の流出に至る前に特定量だけ成長してもよい。したがって、上記の原理は、他のタイプの液体ハンドリング構造と抽出開口５０の半径方向外側にダンパ４７を備えた液体ハンドリング構造にも同様に適用可能である。本発明のある実施形態は、液浸液が流出する速度が液浸液の基板Ｗの上面との接触角に依存する任意のタイプの液体ハンドリング構造１２に特に適用可能である。

[00106] 本発明のある実施形態では、液体ハンドリング構造１２と基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴとの間の相対移動速度を、基板及び／又は基板テーブルＷＴ上のメニスカス９０の速度と少なくとも同じ（超えることはないとしても）に設定することができることが分かる。基板及び／又は基板テーブルＷＴ上のメニスカス９０の速度は、液浸液が接触している基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの上面との液浸液の接触角に依存する。大きい後退接触角を使用する場合、基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴ上のメニスカス９０が達成可能な最大速度は増加する。基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴ上のメニスカス９０の速度は、例えば、非対称の液体ハンドリング構造１２の場合に、液体ハンドリング構造１２に対する移動方向にも依存する。移動が図６に示す液体ハンドリング構造１２の光軸と角の間の方向に整列する場合、達成可能な最大速度は増大する。

[00107] 上記の仕組みを理解することで、液体ハンドリング構造１２の下の基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの経路５００を最適化でき、及び／又は液体ハンドリング構造１２の設計を最適化できる。例えば、経路を最適化して最適な方向の多数の短いステップを包含して経路５００の距離が増加した場合でも平均速度を上げることができる。したがって、経路５００内の方向転換の間の距離に応じて、経路５００を変更し、及び／又は液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの速度を経路５００にわたって変更することができる。

[00108] さらに、液体ハンドリング構造１２に対する基板及び／又は基板テーブルＷ／ＷＴの低い移動速度を使用しなければならないという計算が立つ方向に応じて、液体ハンドリング構造１２の周囲にわたってダンパ４７の長さを変更してもよい。ダンパ４７の長さを変更してスループットを最適化するという原理は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年７月２１日出願の米国特許出願ＵＳ１２／５０６，５６５号に開示されている。

[00109] 一実施形態では、リソグラフィ装置のフィールドサイズは低減し、スループットを増加させる。基板テーブルＷＴがたどる経路５００内の方向転換の間の距離によって、基板テーブルＷＴと液体ハンドリング構造１２との間の許容相対速度が増大するため、このことは有効である。その結果、スループットが向上する。

[00110] より高い速度を達成するために必要なより大きい正の加速（及び速度を低減するために必要なより大きい負の加速）のために、それ以上小さくても経路内の方向転換の間の距離を低減しないダイのサイズが存在する。これは、加速に必要な経路内の距離が速度の上昇と共に増加するためである。したがって、ダイのサイズは、ｘ方向に少なくとも２３ｍｍ、ｙ方向に少なくとも１３ｍｍであることが望ましい。望ましくは、フィールドサイズは、ｘ方向に３３ｍｍ未満である。

[00111] 液体ハンドリング構造１２に対する基板テーブルＷＴの移動が方向転換の間の距離に応じてその速度を変える方法を理解することで、最速のスループットと装置の設計のために液体ハンドリング構造１２の下の基板テーブルＷＴの経路の選択が可能になる。

[00112] 図１３及び図１４は、各々、結像すべき基板テーブルＷＴ上の３つの特徴Ｉ，ＩＩ、ＩＩＩを示す。図１３は、領域の各々を結像する図１４の経路５００よりも長い領域の各々を結像する経路５００を示す。しかし、図１３の経路５００を用いて３つの領域すべてを結像するのにかかる時間は、図１４の経路５００を用いて３つの領域すべてを結像するのにかかる時間よりも短い。これは、図１４の経路と比較して単一方向の長い移動の回数が少ないためである。言い換えると、図１３の経路５００内の方向転換の間の距離はより小さく、したがって、図１４の場合よりも基板テーブルＷＴと液体ハンドリング構造１２との間の相対速度を高速化できる。

[00113] 好適な経路を設計するためには、例えば、ビームＢによって照明されるように、液体ハンドリング構造１２の下を通過しなければならない基板テーブルＷＴの複数の領域を最初に決定する必要がある。これらの領域の１つ以上は、液体ハンドリング構造１２の下のその領域の移動が特定の方向にあることが必要であり（例えば、ビームＢによって照明されるために）、その領域又は基板テーブルＷＴの複数の可能な移動方向も決定される。こうして複数の異なる経路を決定することができる。経路は当該領域の間を通過し、可能な方向のうちの１つの方向に領域の各々を通過する。このステップは、例えば、図１３及び図１４の経路を決定することができる。経路の各々が完了するのにかかる合計時間を計算することができる。この計算は、経路内の方向転換の間の距離に基づいて決定された最大許容移動速度に基づく。図１３の場合、経路はより長いが、経路内の方向転換の数はより多いため、液体ハンドリング構造１２から液浸液が流出することなくより高い速度を達成することができる。したがって、図１３の経路をたどるには、図１４の経路をたどるよりも時間がかからないという計算ができる。たどる経路の各々について計算される合計時間に基づいて、複数の可能な経路のうちの１つが選択される。

[00114] 図１５及び図１６は、液体ハンドリング構造１２の下の基板テーブルＷＴの２つの代替経路５００を示している点で図１３及び図１４と同様である。図１５及び図１６の例では、（例えば、ビームＢによって照明されるために）液体ハンドリング構造１２の下を通過する必要がある２つの領域Ｉ、ＩＩだけが示されている。しかし、基板テーブルが液体ハンドリング構造１２の下の位置を離れる位置は、その位置に到着する位置と同じである（図１３及び図１４の例とは逆に）。これは、例えば、液体ハンドリングシステムの動作を停止することなく液体ハンドリング構造１２の下の装置の設計（（例えば、基板テーブルと別の基板テーブルとの、又は基板テーブルと測定テーブルとの間で）例えばテーブルを交換するための交換ブリッジの位置）のために必要である。液体ハンドリングシステムの動作を停止する際に、例えば、これに限定はされないが、空間への液浸液の供給を停止でき、ガスナイフ（もしあれば）へのガスの供給を停止でき、又は空間１１から液体を排出することができる。

[00115] 上記のように、本発明のある実施形態は、液体ハンドリング構造１２の下の基板テーブルＷＴの経路５００内での方向転換の間の距離に基づいて、液体ハンドリング構造１２に対する基板テーブルＷＴの移動速度を変更する処理に関する。このアルゴリズムは、液体ハンドリング構造１２の下の基板テーブルＷＴが平滑である場合に使用される。したがって、一実施形態では、カバープレート７００を用いて基板テーブルＷＴが覆われ、平滑な表面が提供される。図１７に示すように、カバープレート７００は、基板テーブルＷＴと基板テーブルＷＴの半径方向外側の縁部に位置する（すなわち、基板テーブルＷＴの外周の周囲にある）エンコーダ格子７１０とを覆うことができる。エンコーダ格子７１０は、位置決めシステムで、投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの位置を測定するために使用される。位置決めシステムは、送信機と、受信機とを含む。送信機は、エンコーダ格子７１０にビームを伝送する装置であってもよい。受信機は、反射ビームを受光して送信機及び／又は受信機に対する格子の相対位置を決定する装置であってもよい。投影システムＰＳに対する送信機及び／又は受信機の位置は周知であってもよい。

[00116] 別の実施形態では、送信機及び／又は受信機を基板テーブルＷＴに搭載し、エンコーダ格子を基板テーブルＷＴの上部又は下部の投影システムＰＳに対する周知の固定位置に搭載してもよい。

[00117] カバープレート７００は、基板テーブルＷＴ上に搭載された任意のセンサ７２０を覆うことができる。一実施形態では、カバープレート７００は、内部に基板Ｗが配置される貫通開口を有する。

[00118] 図１８は、液体ハンドリング構造１２の下のテーブルが交換された別の実施形態を示す。測定テーブルＭＴ（あるいは基板テーブルＷＴ）は、液体ハンドリング構造１２の下から取り出されて基板テーブルＷＴと交換される。基板テーブルＷＴが最初に液体ハンドリング構造１２の下で移動すると、センサ８００、例えばアライメントセンサ８００が放射ビーム（例えば、ビームＢ）で照明される。テーブルが液体ハンドリング構造１２の下で交換される時に、液体ハンドリング構造１２が領域９００の上部を通過しなければならない（例えば、交換ブリッジの位置決めのために）ように装置が設計されている場合、スループットを最適化するためにセンサ８００とセンサ８００に達する経路の位置決めを変更することができる。したがって、センサ８００への経路の方が方向転換が多く、所与の方向の経路の距離が短いため、センサ８００‘よりもセンサ８００の方が望ましい。図１８に示す経路の場合、領域９００で、２００９年６月１６日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１８７，４９６号に記載されたアルゴリズムのような速度制限アルゴリズムが適用される。本発明のある実施形態では、このアルゴリズムは他の領域にも適用可能である。

[00119] 上記の考え方は、２００９年７月２１日出願の米国特許出願ＵＳ１２／５０６，５６５号に記載されるような液体ハンドリングシステムの設計に適用することができる。図１９は、開口５０及びダンパ４７の縁部４５の位置に対するメニスカスと基板テーブルＷＴとの間の接触線９１０の上面図の位置の計算を示す。図から分かるように、ｙ方向の移動中に、角５２の間の位置のダンパ縁部４５が最初に接触線によって到達される。したがって、液体ハンドリング構造１２の設計中に、ダンパ４７の幅を角５２の間でその他の場所よりも大きくすることが望ましい。この設計は、選択された経路又は少なくとも移動が最も長い方向に依存する。図１９は、１列の開口５０とダンパ４７の縁部４５を直線として示しているが、これらは曲線であってもよく、例えば、負又は正の曲率半径を有していてもよい。このような構成では、接触線は、各々の角５２ではなく、角５２の間にまで移動してもよい。このような実施形態では、角の間の幅を広げることが望ましい。１列の開口と縁部４５の直線の外観は、これらの線が直線でない構成を表す意図である。

[00120] 上記の任意の特徴を他の任意の特徴と併用でき、本出願で対象とするのは明示的に記載された組合せに限定されない。

[00121] 本発明の一態様では、投影システムと、対向面と、液体ハンドリングシステムとコントローラとを含む液浸リソグラフィ装置が提供される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板上に誘導するように構成されている。対向面は、テーブル、又はテーブルによって支持される基板、あるいはその両方を含む。液体ハンドリングシステムは、投影システムと対向面との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成されている。コントローラは、液体ハンドリングシステムの下のテーブルの移動中の液体ハンドリングシステムに対するテーブルの移動を制御する。コントローラは、移動方向転換の間の距離に基づいて移動速度を変更するように構成されている。

[00122] コントローラは、さらに液体ハンドリングシステムに対するテーブルの移動方向に基づいて移動速度を変更するように構成してもよい。コントローラは、移動速度を最大許容速度まで変更するように構成してもよい。最大許容速度は、ルックアップテーブルから決定することができ、又は移動方向転換の間の距離に基づいて公式から計算してもよい。

[00123] コントローラは、液浸液が基板、テーブル、又はその両方となす接触角に基づいて移動速度を変更するように構成してもよい。コントローラは、基板及び／又はテーブルの所定の領域が液体ハンドリングシステムの下にある時の液体ハンドリングシステムの下のテーブル及び／又は基板の経路内の方向転換の間の距離に基づいて移動速度の制御を無効にするように構成してもよい。

[00124] コントローラは、別の条件が満たされた時に限って、移動方向転換の間の距離に基づいて移動速度を変更するように構成してもよい。別の条件とは、液体ハンドリングシステムの下のテーブルの部分が平滑な表面を提示するということであってもよい。別の条件とは、液体ハンドリングシステムの下のテーブルの部分が連続する表面を提示するということであってもよい。

[00125] コントローラは、テーブル及び／又は基板が液体ハンドリングシステムの下でどの経路をたどるか、及び／又は経路中の移動速度の変更方法について事前プログラミングされていてもよい。

[00126] 移動方向転換の間の距離は、移動方向が特定の方向の特定の角度範囲外にある経路内の位置に端部がある経路の部分の端部の２つの地点間の距離として計算することができる。特定の方向は、その部分内の経路の直線部分の方向であってもよい。距離は、直線部分の方向に経路に沿って測定することができる。距離は、直線部分の長さであってもよい。距離は、端部間の距離であってもよい。

[00127] 特定の角度範囲は、移動方向が部分の端部で方向転換する角度に依存していてもよい。方向転換で移動方向が変わる角度が１２０°以上の場合、特定の角度は、１２０〜６０°の範囲から選択することができ、望ましくは９０°である。方向転換で移動方向が変わる角度が１２０°未満の場合、特定の角度は、９０〜１５°の範囲から選択することができ、望ましくは４５°である。

[00128] 本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置の液体ハンドリング構造の下のテーブルの経路を選択する方法が提供される。この方法は、決定ステップと、計算ステップと、選択ステップとを含む。決定ステップでは、液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの複数の領域が決定される。決定ステップでは、液体ハンドリング構造の下のテーブルの複数の可能な移動方向が決定される。決定ステップでは、可能な方向のうちの１つの方向に液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの１つ又は複数の領域の上の移動を含む領域間の複数の可能な経路が決定される。計算ステップでは、経路内の方向転換の間の距離に基づいて決定された最大許容移動速度に基づいて複数の可能な経路の各々の合計時間が計算される。選択ステップでは、計算された合計時間の比較に基づいて複数の可能な経路のうちの１つが選択される。

[00129] 複数の可能な経路の各々の合計時間は、さらに経路内の方向転換の間の移動方向に基づいて計算することができる。最大許容移動速度は、ルックアップテーブルから決定することができ、又は経路内の方向転換の間の距離に基づいて公式から計算してもよい。最大許容移動速度は、液浸液が液体ハンドリング構造の下のオブジェクトとなす接触角に基づいて決定してもよい。経路の少なくとも一部について、別の条件が満たされた時に限って、経路内の方向転換の間の距離に基づいて、最大許容移動速度を決定してもよい。別の条件とは、液体ハンドリング構造の下のテーブルの部分が平滑な表面を提示するということであってもよい。複数の経路のうち選択された１つの経路に従って液体ハンドリング構造に対してテーブルを移動させてもよい。

[00130] 本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置の液体ハンドリング構造の下のテーブルの経路を選択するコンピュータプログラムが提供される。コンピュータプログラムは、プロセッサによって処理されると、プロセッサに決定、計算及び選択処理を実行させる。決定処理では、プロセッサは、液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの複数の領域を決定する。決定処理では、プロセッサは、液体ハンドリング構造の下のテーブルの複数の可能な移動方向を決定する。決定処理では、プロセッサは、可能な方向のうちの１つの方向に液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの１つ又は複数の領域の上の移動を含む領域間の複数の可能な経路を決定する。計算処理では、プロセッサは、経路内の方向転換の間の距離に基づいて決定された最大許容移動速度に基づいて複数の可能な経路の各々の合計時間を計算する。選択処理では、プロセッサは、計算された合計時間の比較に基づいて複数の可能な経路のうちの１つを選択する。

[00131] コンピュータプログラムは、アクチュエータを制御して液体ハンドリング構造に対して選択された経路に従ってテーブルを移動させる処理をプロセッサに実行させることができる。

[00132] 本発明の一態様では、プロセッサに方法を実行させるマシン可読命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータ可読記憶媒体が提供される。この方法は、液浸リソグラフィ装置の液体ハンドリング構造の下のテーブルの経路を選択する方法である。この方法は、決定ステップと、計算ステップと、選択ステップとを含む。決定ステップでは、液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの複数の領域が決定される。決定ステップでは、液体ハンドリング構造の下のテーブルの複数の可能な移動方向が決定される。決定ステップでは、可能な方向のうちの１つの方向に、液体ハンドリング構造の下を通過しなければならないテーブルの１つ又は複数の領域の上の移動を含む領域間の複数の可能な経路が決定される。計算ステップでは、経路内の方向転換の間の距離に基づいて決定された最大許容移動速度に基づいて複数の可能な経路の各々の合計時間が計算される。選択ステップでは、計算された合計時間の比較に基づいて複数の可能な経路のうちの１つが選択される。

[00133] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法が提供される。この方法は、投影ステップと、移動ステップとを含む。投影ステップでは、投影システムから液体を通して基板上にパターン付放射ビームが投影される。移動ステップでは、基板が経路を通して投影システムに対して移動する。投影システムに対するテーブルの移動速度は、経路内の方向転換の間の距離に基づいて変更される。

[00134] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法が提供される。この方法は、閉じ込めステップと、投影ステップと、移動ステップとを含む。閉じ込めステップでは、投影システムとテーブル、テーブルによって支持される基板、又はその両方の対向面との間の空間に閉じ込め構造によって液体が閉じ込められる。投影ステップでは、投影システムから液体を通して基板上にパターン付放射ビームが投影される。移動ステップでは、投影システムに対して対向面が経路に沿って移動する。対向面と閉じ込め構造との間の液体の液体メニスカスの未臨界速度へ向けて投影システムに対する対向面の移動速度を増大させることで少なくとも部分的に経路内の方向転換の間の距離が選択される。

[00135] 方向転換の間の距離は、パターン付放射ビームが投影される基板上のフィールドの領域サイズによって少なくとも部分的に決定することができる。

[00136] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00137] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。

[00138] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00139] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00140] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00141] 本明細書で想定するような液体供給システムは広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口あるいは１つ又は複数の２相流用の開口の組合せを含んでよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）あるいは液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00142] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. パターン付放射ビームをテーブルによって支持された基板上に誘導する投影システムと、
   前記投影システムと前記テーブル、又は前記基板、あるいはその両方によって構成される対向面との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込める液体ハンドリングシステムと、
   前記液体ハンドリングシステムに対する前記テーブルの移動を制御するコントローラであって、移動方向転換の間の距離に基づいて移動速度を変更するように構成されたコントローラと、
   を備える液浸リソグラフィ装置。
2. 前記コントローラが、前記液体ハンドリングシステムに対する前記テーブルの移動方向に基づいて前記移動速度を変更する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記コントローラが、前記移動速度を最大許容速度まで変更する、請求項１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記コントローラが、液浸液が前記基板、又は前記テーブル、あるいはその両方となす接触角に基づいて前記移動速度を変更する、請求項１から３のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記コントローラが、前記基板及び／又はテーブルの所定の領域が前記液体ハンドリングシステムの下にある時の前記液体ハンドリングシステムの下の前記テーブル及び／又は前記基板の経路内の方向転換の間の前記距離に基づいて前記移動速度の制御を無効にする構成される、請求項１から４のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 前記コントローラが、さらなる条件が満たされた時に限り、移動方向転換の間の前記距離に基づいて前記移動速度を変更する、請求項１から５のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
7. 移動方向転換の間の前記距離が、前記移動方向が特定の方向の特定の角度範囲外にある経路内の位置に端部がある経路の部分の端部の２つの地点間の距離として計算される、請求項１から６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
8. 前記特定の方向が、前記経路の直線部分の方向である、請求項７に記載の液浸リソグラフィ装置。
9. 前記距離が、直線部分の方向に前記経路に沿って測定され、又は前記距離が、直線部分の長さであり、又は前記端部間の距離である、請求項７又は８に記載の液浸リソグラフィ装置。
10. 前記特定の角度範囲が、前記移動方向が前記部分の端部で方向転換する前記角度に依存する、請求項７から９のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
11. 液浸リソグラフィ装置の液体ハンドリング構造の下のテーブルの経路を選択する方法であって、
    前記液体ハンドリング構造の下を通過しなければならない前記テーブルの複数の領域を決定するステップと、
    前記液体ハンドリング構造の下の前記テーブルの複数の可能な移動方向を決定するステップと、
    前記可能な方向のうちの１つの方向に前記液体ハンドリング構造の下を通過しなければならない前記テーブルの１つ又は複数の領域の上の移動を含む前記領域間の複数の可能な経路を決定するステップと、
    前記経路内の方向転換の間の距離に基づいて決定された最大許容移動速度に基づいて前記複数の可能な経路の各々の合計時間を計算するステップと、
    前記計算された合計時間の比較に基づいて前記複数の可能な経路のうちの１つを選択するステップと、
    を含む方法。
12. 液浸リソグラフィ装置の液体ハンドリング構造の下のテーブルの経路を選択するコンピュータプログラムであって、プロセッサによって処理されると、前記プロセッサに、請求項１１の前記方法を実行させるコンピュータプログラム。
13. 請求項１２の前記プログラムを内部に記録したコンピュータ可読記憶媒体。
14. リソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法であって、
    投影システムから液体を通してテーブルによって支持された基板上にパターン付放射ビームを投影するステップと、
    前記投影システムに対して請求項１１の前記方法によって選択された経路に沿って前記テーブルを移動させるステップと、
    を含む方法。
15. リソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法であって、
    投影システムとテーブル、前記テーブルによって支持される基板、又はその両方の対向面との間の空間に閉じ込め構造によって液体を閉じ込めるステップと、
    投影システムから液体を通して前記基板上にパターン付放射ビームを投影するステップと、
    前記投影システムに対して前記対向面を経路に沿って移動させるステップであって、前記対向面と前記閉じ込め構造との間の前記液体の液体メニスカスの未臨界速度へ向けて前記投影システムに対する前記対向面の前記移動速度を増加させることで少なくとも部分的に前記経路内の方向転換の間の距離が選択されるステップと、
    を含む方法。