TWI422989B - 基板台、浸潤微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

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Description

基板台、浸潤微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種基板台、一種浸潤微影裝置及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，特別係濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加焦點深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
在浸潤裝置中，藉由流體處置系統、器件、結構或裝置來處置浸潤流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸潤流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤流體之浸潤障壁且藉此為障壁部件(諸如流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可產生或使用氣流，例如，以有助於控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸潤流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；該密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸潤液體用作浸潤流體。在該情況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(理想地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在已通過投影系統下方之後藉由至少一出口被移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側供應液體且在-X側吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口而被供應且在元件之另一側藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在基板W上方之箭頭說明液體流動方向，且在基板W下方之箭頭說明基板台之移動方向。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目均係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側的入口與出口之四個集合。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側的兩個凹槽入口而被供應，且藉由自該等入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而被移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口而被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口而被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式平台或雙平台浸潤微影裝置之觀念。該裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸潤液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸潤液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。
PCT專利申請公開案WO 2005/064405揭示一種全濕潤配置，其中浸潤液體係未受限制的。在該系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏(或流動)遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管該系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸潤液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板且經配置以使浸潤液體延伸於該部件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。
浸潤技術之一困難可由在浸潤流體內形成氣泡而導致。詳言之，若氣泡浮動至基板與投影系統之間的空間中，則可能會將缺陷引入至形成於基板上之影像中。
舉例而言，需要降低或最小化氣泡形成於浸潤微影裝置內之可能性或影響，或需要在確實形成之氣泡可轉移至該等氣泡可能會降低浸潤微影裝置之效能所在的位置之前移除該等氣泡中之全部或若干者。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納具有一給定尺寸之一基板，該凹座具有用以支撐該基板之一下部表面的一支撐區域，及經組態成在該基板由該支撐區域支撐時鄰近於該基板之邊緣的一邊緣；及一流體抽取系統，其經組態以自該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的一間隙抽取流體，其中該流體抽取系統經組態成使得在不存在液體之情況下，自該間隙之具有一給定長度之一局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之具有相同長度之另一區段所抽取之流體的流動速率。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納具有一給定尺寸之一基板，該凹座具有用以支撐該基板之一下部表面的一支撐區域，及經組態成在該基板由該支撐區域支撐時鄰近於該基板之邊緣的一邊緣；及一流體抽取系統，其經組態以自該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的一間隙抽取流體，其中該流體抽取系統包含：通向該間隙之一第一管道，其經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體；及通向該間隙之一第二管道，其經組態以自該間隙之一局域化區段抽取流體，其中在該第一管道及該第二管道通向該間隙所在之點處，該第一管道之橫截面的最小尺寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體投影至該基板上，其中該基板被支撐於一基板台上之一凹座中，該方法包含自該凹座之一邊緣與該基板之邊緣之間的一間隙抽取流體，使得在不存在液體之情況下，自該間隙之具有一給定長度之一局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之具有相同長度之另一區段所抽取之流體的流動速率。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體投影至該基板上，其中該基板被支撐於一基板 台上之一凹座中，該方法包含使用經組態以自該凹座之一邊緣與該基板之邊緣之間的一間隙抽取流體之一流體抽取系統而自該間隙抽取流體，其中該流體抽取系統包含：通向該間隙之一第一管道，其經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體；及通向該間隙之一第二管道，其經組態以自該間隙之一局域化區段抽取流體，其中在該第一管道及該第二管道通向該間隙所在之點處，該第一管道之橫截面的最小尺寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
現將參看隨附示意性圖式僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗布抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件MA可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在該等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且藉由圖案化器件MA而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
可將用於在投影系統之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成至少兩種通用種類。此等種類為浴類型配置及所謂的局域化浸潤系統。在浴類型配置中，基板之實質上全部且(視情況)基板台之部分被浸漬於液體浴中。所謂的局域化浸潤系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。在局域化浸潤系統種類中，由液體所填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統保持實質上靜止，而基板在該區域下方移動。本發明之一實施例所針對之另外配置為全濕潤解決方案，其中液體係未受限制的。在此配置中，基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。圖2至圖5之液體 供應器件中的任一者均可用於該系統中；然而，密封特徵不存在、未經啟動、不如正常一樣有效率，或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。以上已描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統。流體限制結構可沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明該配置。在圖5之橫截面圖中，箭頭說明進入及離開流體限制結構中之開口的流體流動方向。流體限制結構在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件可形成於流體限制結構與基板之表面之間。在一實施例中，密封件形成於流體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。
圖5示意性地描繪具有形成障壁部件或流體限制結構之本體12的局域化液體供應系統或流體處置結構，障壁部件或流體限制結構沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面)。流體處置結構在XV平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於本體12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件或流體密封件之無接觸密封件。
流體處置器件使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)，使得液體受限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的本體12而至少部分地形成空間11。液體藉由液體入口13被帶入投影系統PS下方及本體12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。本體12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，本體12具有內部周邊，內部周邊在上部末端緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。
藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於本體12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，藉由N2 或另一惰性氣體形成氣體密封件16。氣體密封件16中之氣體經由入口15在壓力下提供至本體12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣流。氣體對本體12與基板W之間的液體之力將液體封鎖於空間11中。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣流對使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。
圖5之實例為所謂的局域化區域配置，其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面的局域化區域。可能存在其他配置，包括利用如(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之單相抽取器或兩相抽取器的流體處置系統。在一實施例中，單相或兩相抽取器可包含被覆蓋於多孔材料中之入口。在單相抽取器之一實施例中，多孔材料係用以將液體與氣體分離以實現單液相液體抽取。在多孔材料下游之腔室被維持於輕微負壓下且填充有液體。腔室中之負壓係使得形成於多孔材料之孔中的彎液面防止周圍氣體被抽引至腔室中。然而，當多孔表面與液體進行接觸時，不存在用以限制流動之彎液面且液體可自由地流動至腔室中。多孔材料具有(例如)直徑在5微米至300微米(理想地，5微米至50微米)之範圍內的大量小孔。在一實施例中，多孔材料係至少輕微親液性的(例如，親水性的)，亦即，與浸潤液體(例如，水)成小於90°之接觸角。
可能存在之另一配置為基於氣體拖曳原理(gas drag principle)進行工作之配置。已(例如)在2008年5月8日申請之美國專利申請公開案第US 2008-0212046號及美國專利申請案第US 61/071,621號中描述所謂的氣體拖曳原理。在該系統中，以理想地具有隅角之形狀配置抽取孔。隅角可與步進或掃描方向對準。對於在步進或掃描方向上之給定速度，與在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於掃描方向的情況相比較，隅角可與步進或掃描方向對準的情況降低對流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面的力。本發明之一實施例可適用於全濕潤浸潤裝置中所使用之流體處置結構。在全濕潤實施例中，例如，藉由允許液體洩漏出將液體限制至投影系統之最終元件與基板之間的限制結構，允許流體覆蓋基板台之整個頂部表面。可在2008年9月2日申請之美國專利申請案第US 61/136,380號中發現用於全濕潤實施例之流體處置結構的實例。
許多類型之流體處置結構經配置以允許流體在特定方向上流動跨越投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11。舉例而言，在圖2及圖3之流體處置系統中，此情形係藉由以下方式達成：環繞空間提供複數個入口及出口，且通過該等入口或出口選擇性地提供或抽取液體以產生所要流動。在圖5之實施例的情況下，液體出口13可包含在流體處置器件之本體12中的用於使液體流動通過之複數個開口，該等開口環繞空間11。可接著通過該等開口提供(或抽取)液體，以在所要方向上提供跨越空間11之流動。可提供用於將液體提供至空間11之第一開口集合，且可提供用於自空間11抽取液體之第二開口集合。在圖2及圖3之實施例(本發明之一實施例可針對該實施例)中，可認為入口及出口係複數個本體，其中之每一者具有一表面，該表面具備用於使液體流動通過之一開口。
圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的基板台WT，其用以支撐基板W。基板台WT包括凹座20，基板W裝配於凹座20內。凹座20可具有用以支撐基板W之下部表面的支撐區域，及在基板W由支撐區域支撐時鄰近於基板W之邊緣的邊緣。凹座20可包括基板固持器。
在一配置中，凹座20經組態成使得當基板W置放於凹座20內時，基板W之頂部表面與基板台WT之頂部表面共平面。凹座20可整體地形成為基板台WT之部分。或者，凹座20可形成為通過蓋板之開口，該蓋板形成基板台WT之頂部表面。
在浸潤微影裝置之操作期間，基板台WT及基板W相對於流體處置結構移動，以便將所要輻射圖案通過浸潤液體投影至基板W之不同部分上。在該移動期間，基板W之邊緣將週期性地橫穿藉由流體處置系統供應或限制於投影系統與基板台WT之間的空間中之流體。
儘管基板台WT內之凹座20可經組態以收納具有特定尺寸之基板W，但在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間將存在有限間隙。舉例而言，間隙可為約0.5毫米或更少，例如，在0.2毫米至0.5毫米之範圍內(例如，0.5毫米、0.3毫米或0.2毫米)。此間隙21可導致在浸潤流體中形成氣泡。詳言之，隨著間隙21通過浸潤流體處置系統下方，氣體可被截獲於間隙內，從而導致氣泡形成，氣泡接著自間隙21上升至投影系統與基板W之間的浸潤流體中。
已提議自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙抽取流體，以降低在間隙21內形成氣泡之可能性，且在該等氣泡確實形成的情況下降低氣泡自間隙21上升之可能性。舉例而言，已提議提供間隙開口，在操作期間通過該等間隙開口自間隙移除流體。間隙開口可位於凹座20之邊緣附近，例如，在朝向基板W之徑向向外位置處。
然而，儘管該抽取系統在一些情形中可能有效，但在其他情形中，其可能不完全有效。
如圖6所描繪，基板W可包括諸如凹口之定位特徵25，其用以針對各種處理操作來定向基板W。在定位有諸如凹口之定位特徵25之點處，基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26顯著地大於圍繞基板W之邊緣之其餘部分的間隙21。舉例而言，凹口處之間隙可高達大約1.5毫米，例如，其可為1.2毫米。
在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙由於基板W之邊緣上之該定位特徵25而增加的情況下，用以自間隙抽取流體之該系統可能無法防止氣泡形成於諸如凹口之定位特徵25之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26中。
若氣泡確實形成於鄰近於基板W之邊緣上之定位特徵25的間隙26內，則其可能趨向於增加大小，使得留下單一較大氣泡，而非形成複數個氣泡。
因此，本發明之一實施例提供一種用以自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙抽取流體的流體抽取系統，其中間隙之局域化區段的抽取容量大於間隙之其他區段的抽取容量，例如，大於基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之鄰近區段的抽取容量。
詳言之，流體抽取系統可經組態成使得在間隙之局域化區段中對來自間隙之流體流動的阻力小於在其他區段中對來自間隙之流體流動的阻力。因此，在相同條件下(例如，在不存在液體的情況下)，自局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自間隙之其他區段所抽取之流體的流動速率，該等其他區段與該局域化區段具有相同長度。
因此，具有諸如凹口之定位特徵25的基板W可置放於本發明之一實施例的基板台WT上，使得定位特徵25與具有較大流體抽取容量之局域化區段對準。藉由以此方式配置基板W，基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之局域化區段中之較大流體抽取容量可有助於確保充分降低氣泡形成於基板W之邊緣上之定位特徵25之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26中之可能性，及/或有助於確保確實形成於此區域中之任何氣泡不會自間隙上升。
舉例而言，流體抽取系統可經組態成使得自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的基板周圍抽取總計大約每分鐘30公升至50公升之流體。與基板W之邊緣上之定位特徵25對準之局域化區段的額外流體抽取容量可為每分鐘大約0.5公升至1公升之此總流體抽取容量。
儘管如圖6所描繪的基板W之邊緣上之定位特徵25可為凹口，但應瞭解，可使用其他定位特徵，且本發明之一實施例可經配置以降低氣泡形成之可能性，及/或自鄰近於該定位特徵之區域中之間隙釋放氣泡的可能性。舉例而言，基板W可代替地具有平坦部(flat)28或缺口(indentation)。
圖7及圖8描繪可被使用之流體抽取系統的配置。詳言之，圖7描繪在間隙之具有增加型抽取容量之局域化區域處之流體抽取系統的橫截面。在所描繪之配置中，定位有基板W之凹座20係由通過蓋板30之開口形成。圖7描繪基板W，其經配置成使得諸如凹口或平坦部之定位特徵25鄰近於具有增加型流體抽取容量之局域化區段。因此，在此點處，相對較大之間隙26存在於基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間。
流體抽取系統包括一或多個第一管道32，第一管道32在開口31處通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙，開口31直接通向間隙26。因此，流體可自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙被抽取，而不通過基板W下方。
在諸如圖7所描繪之配置的適宜配置中，開口31可提供於凹座20之邊緣內，使得經抽取流體被抽引遠離於基板W之邊緣。在一配置中，開口31可在凹座20之邊緣中呈類狹縫開口之形式，其環繞凹座20且經連接以供流體流動至可包括環狀通道之第一管道32。第一管道32可藉由一系列通路33而連接至負壓源或另外通道34，另外通道34連接至負壓源。
在一配置中，在凹座20之邊緣中且環繞凹座20之邊緣的開口31可具有大約50微米寬之寬度。如所展示，在鄰近於凹座20之邊緣中的開口31之處，凹座20之邊緣可包括傾斜表面20a。此傾斜表面20a可有助於防止氣泡自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙上升。
自基板W之邊緣與凹座20之間的間隙抽引流體通過開口31且朝向負壓源。經抽取流體可在間隙不通過流體處置系統下方時為氣體、在間隙通過流體處置系統下方時為浸潤流體，或為氣體與浸潤流體兩者之組合，例如，夾帶有一或多個氣泡之浸潤流體。
按照本發明之一實施例，在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之局域化區段處，即，在基板W被適當地定位時基板W之定位特徵25與凹座20之邊緣之間的間隙26處，抽取系統包括另外開口40，另外開口40連接至第二管道42，以便在此點處提供額外抽取容量。
如圖7所示，第二管道42與第一管道32可連接至相同之負壓源或通道34。此外，控制閥43可提供於第二管道42中，以便控制通過第二管道42之流體流動。
舉例而言，當基板W之邊緣上之沒有定位特徵鄰近於第二管道42之開口40時，可關閉控制閥43，其中開口40通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙。在該配置中，提供繞過控制閥43之溢流管路44。甚至當關閉控制閥43時，該溢流管路亦可提供通過第二管道42之恆定的較小流體流動，以便確保(例如)沒有液體在控制閥43上游被截獲於第二管道42內。
或者或另外，可使用控制閥43，以便調整在間隙26處之流體抽取能力相較於在間隙21處之流體抽取容量的增加，其中間隙26係在基板W之在定位特徵25處之邊緣與凹座20之邊緣之間，間隙21係在基板W之不包括定位特徵之邊緣與凹座20之邊緣之間。
應瞭解，可能不需要使流體通過基板W下方。詳言之，可能需要防止浸潤流體通過基板W下方。因此，如以上所解釋，流體抽取系統可經組態成使得自基板W之邊緣與凹座之邊緣之間的間隙抽取流體，使得所抽取之流體不通過基板W下方。此外，在用以支撐基板W之支撐區域24之邊緣處，可提供密封件50以防止或降低來自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之流體流動沿著基板W之下表面傳遞。作為密封件50之部分，或除了密封件50以外，亦可提供用於抽取流體之一或多個開口51。該一或多個開口51可存在於凹座20之周邊處或其附近。該一或多個開口51可經配置成使得其在操作期間由基板W覆蓋，使得流體可在操作期間自基板下方被移除。因此，可抽取確實通過基板下方之任何流體。
圖8以平面圖描繪圖7所描繪之配置。自圖7及圖8將顯而易見，第二管道42之開口40之大小可實質上相同於基板W之在定位特徵25處之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之大小，其中開口40通向基板W之邊緣上之定位特徵25與凹座20之邊緣之間的間隙26。
該配置可有助於確保於基板W之在定位特徵25處之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26中形成之任何氣泡可通過第二管道42予以抽取。因此，第二管道42之開口40可高達(例如)1.5毫米，其中開口40通向基板W之在定位特徵25處之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26。在一配置中，該開口可為大約1.2毫米寬。
因此，可瞭解，藉由使用具有大於開口31之開口40的第二管道42，可在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙21之局域化區段處提供增加型抽取容量(基板W之定位特徵25可配置於該局域化區段處)，其中開口31連接至第一管道32，第一管道32用於自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙21之剩餘部分抽取流體。詳言之，應瞭解，第二管道42之開口40之橫截面的最小尺寸大於第一管道32之開口31之橫截面的最小尺寸，其中開口40通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26，開口31通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙21。
如圖7及圖8所示，第二管道42可經組態成使得第二管道42之橫截面自其通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙所在之點至在開口40下游之點41遞減。可提供此橫截面區域遞減，以有助於確保通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之開口40足夠大，以確保跨越基板W之在定位特徵25處之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26抽取流體，而沿著第二管道42不存在過多壓降。此情形在如下情況下可為顯著的：如圖7所描繪，第二管道42與第一管道32連接至相同之負壓源或通道34。若第二管道42的沿著其長度之橫截面過大，則自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的整個間隙21周圍通過第一管道32之流體抽取可顯著地降低。又，此情形可能導致氣泡在遠離於定位特徵25之部位處自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙21被釋放。
如圖7及圖8所示，在開口40與第二點41之間的第二管道42可為截頭圓錐形狀，即，可在橫截面中具有筆直邊緣45，其中開口40通向在定位特徵25處之在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26。然而，應瞭解，可使用第二管道42之其他組態。舉例而言，在開口40與第二點41之間的第二管道42可為喇叭形狀，即，可在橫截面中具有彎曲邊緣46(諸如圖9所描繪)，其中開口40通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙。
如以上所解釋，本發明之一實施例的流體抽取系統可提供自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之增加型流體抽取。因此，當基板W裝載至基板台WT時，基板W可經定向成使得諸如凹口或平坦部之定位特徵25與具有增加型流體抽取容量之局域化區段對準，以便降低或最小化氣泡形成於在定位特徵25之區域中的在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙中之可能性。
應瞭解，在本文中所描述之流體抽取系統的配置中，吾人可提供具有增加型流體抽取容量之額外局域化區段，使得基板可定向於一個以上位置中。舉例而言，可提供具有增加型流體抽取容量之兩個局域化區段，使得基板W可定向於基板台WT上之凹座20中，使得基板W之邊緣上之定位特徵25可與具有增加型流體抽取容量之兩個局域化區段中的任一者對準。
應瞭解，藉由增加具有增加型流體抽取容量之局域化區段的數目，吾人可增加基板台WT上之基板W之可能定向的數目，在基板台WT處，基板W之邊緣上之定位特徵25可與具有增加型流體抽取容量之局域化區段對準。
圖10以平面圖描繪具有流體抽取系統之基板台WT之部分的特定配置，該流體抽取系統之兩個局域化區段具有增加型流體抽取容量。詳言之，在圖10所描繪之配置中，提供兩個諸如圖7及圖8所描繪之第二管道，且其經組態以在各別開口55、56處通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙。出於清楚起見，以虛線展示基板W。將顯而易見，可以兩種方式中之一者來定向基板W，同時將基板W之定位特徵25與開口55、56中之一者對準。在一實施例中，開口55、56中之僅一者提供增加型流體抽取，亦即，一開口55、56提供增加型流體抽取，而另一開口55、56不提供增加型流體抽取。
在一另外例示性配置中，可提供對應於流體抽取系統之具有增加型流體抽取容量之區段的四個該等開口，且其可均勻地圍繞凹座20之周邊隔開以收納基板W。
如以上所解釋，與用以提供額外流體抽取容量之額外開口相關聯之管道中的每一者可包括一控制閥。因此，可關閉與未與定位特徵25對準之開口相關聯的控制閥，以便防止不必要的額外流體抽取，其中定位特徵25係在被支撐於基板台WT上之基板W之邊緣上。
應進一步瞭解，可使用第二管道42之開口之除了以上所描述之配置以外的替代配置，其中該等開口通向在定位特徵25處之在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26。詳言之，儘管通向間隙26之開口40可經組態成其大小相同於預期提供於基板W之邊緣上之定位特徵25之大小，但可提供替代配置。詳言之，開口40可大於定位特徵25，使得(例如)若存在基板台WT上之基板W之置放或定位特徵25之大小的微小變化，則定位特徵25之實質上全部均保持與開口40之部分對準。
或者或另外，儘管圖7及圖8所描繪之開口40為實質上圓形，但應瞭解，可能並非為此情況。舉例而言，可提供諸如隙縫之其他開口形狀。同樣地，可提供彼此鄰近之複數個較小開口，其一起可與基板W之定位特徵對準。
此外，在其他配置中，可將單一開口連接至複數個第二管道，該複數個第二管道用以在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之局域化區段內提供增加型流體抽取能力。圖11及圖12描繪該配置之實例。詳言之，如所描繪，例如，若預期提供於基板W之邊緣上之定位特徵為平坦部28，則可使用該配置。在該配置中，如在圖11中以平面圖所展示且如在圖12中自側面所展示(自基板W朝向凹座20所視)，可提供開口61，開口61對應於基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙62之區段，平坦部28位於該區段處。可提供複數個第二管道63，以便(例如)以對應於以上關於圖7及圖8所描述之方式的方式將開口61連接至負壓源。
應進一步瞭解，根據本發明之一實施例的流體抽取系統可包括用以在局域化區域中提供增加型流體抽取容量之一個以上配置。舉例而言，諸如圖7及圖8所描繪之配置的配置(或其變體)可提供於基板台WT之一側上，且諸如圖11及圖12所描繪之配置的配置(或其變體)可提供於基板台WT之另一側上，從而准許藉由基板W之適當定向而將具有不同定位特徵之基板用於該一基板台，使得定位特徵與流體抽取系統之提供增加型流體抽取容量之適當區段對準。
如以上所解釋，本發明之一實施例的流體抽取系統可經組態成使得連接至第一管道32之出口31及連接至第二管道42之出口40可連接至共同負壓源或連接至通向負壓源之共同通道34，其中出口31、40提供自基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙周圍及在局域化區段中之流體抽取。
在一替代配置中，第二管道42連接至單獨負壓源或連接至通向單獨負壓源之通道70(如圖13所描繪)，其中第二管道42通向在定位特徵25處之在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26。
若如以上所論述來提供複數個第二管道42，則此等第二管道42中之一些或全部可共用共同負壓源，或可連接至通向負壓源之共同通道70。然而，應瞭解，第二管道42中之任一者或全部可具有專用負壓源。
應進一步瞭解，在具有複數個第二管道42之配置中，一些第二管道42與第一管道32可連接至相同之負壓源或通道(該通道連接至負壓源)，而其他第二管道42連接至一或多個單獨負壓源。在任何該配置中，應瞭解，第二管道42中之一或多者可包括控制閥43，且可以對應於以上所論述之方式的方式進一步包括溢流管路44。
圖14及圖20描繪根據本發明之一實施例之流體抽取系統的另外配置。在此等配置中，流體抽取系統經組態以藉由提供擴大型開口(而非藉由提供額外開口，如在以上所論述之圖7至圖13所描繪之配置中)，而使基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之局域化區段的流體抽取容量高於沿著基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之剩餘部分之流體抽取容量。
詳言之，圖14及圖15描繪如下配置：其中管道32藉由圍繞凹座20延伸之開口31通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙。以類似於以上所論述之方式的方式，將管道32連接至負壓源或連接至通向負壓源之通道34，以便自間隙抽取流體。在局域化區域(對應於在基板W適當地置放於基板台上時基板W上之定位特徵25之位置)中，通向管道32之開口被擴大，從而提供擴大型開口75。
圖14描繪通過連接至管道32之擴大型開口75的流體抽取系統之橫截面，且圖15描繪自基板W所視的擴大型開口75之正視圖。如所展示，在基板W與凹座20之邊緣之間的間隙之局域化區段處的擴大型開口75之寬度大於沿著開口31之剩餘部分的開口31之寬度，其中該局域化區段對應於定位特徵25之部位。因此，在此點處，對流體流動之阻力較低，從而導致在基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之此局域化區段處自該間隙之較大流體流動。
儘管如圖14所描繪，擴大型開口75可具有實質上恆定之橫截面區域，但並非需為此情況，其中該橫截面區域自擴大型開口75通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙所在之點延伸至凹座20之邊緣中。舉例而言，如圖16所描繪，開口76之橫截面區域可隨著開口76自其通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26所在之點傳遞至凹座20之邊緣中而遞減。
同樣地，儘管圖14至圖16所描繪之配置將提供擴大型流體抽取容量之局域化區域處的擴大型開口描繪為藉由將擴大型開口提供於凹座20之邊緣內加以提供，但如在圖17中自側面所描繪且在圖18中自頂部所描繪，擴大型開口可或者或另外藉由將額外凹座80提供於基板台WT之表面內加以提供。詳言之，額外凹座80可經定位成使得其在基板W被支撐於基板台WT上時與基板W之定位特徵25對準，且(例如)自鄰近於基板W之在定位特徵25處之邊緣的部位延伸至凹座20之邊緣中。因此，在基板W之定位特徵25之區域中，額外凹座80與凹座20之邊緣中之開口31組合在一起以產生具有與以上所論述之效應相同之效應的擴大型開口。
如圖19及圖20所描繪，可變化圖17及圖18所描繪之配置，使得鄰近於基板W之定位特徵25的在凹座20之邊緣中之擴大型開口之橫截面區域隨著擴大型開口自其通向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙26所在之點傳遞至凹座20之邊緣中而遞減。如在圖19中自側面所描繪且在圖20中自頂部所描繪，該配置可藉由將額外凹座85組態成使得額外凹座85隨著其傳遞至凹座20之邊緣中而變淺加以提供。
應瞭解，可藉由(諸如)圖14至圖16所描繪之配置中之一者(其中在局域化區段處擴大凹座20之邊緣中之開口)與圖17至圖20所描繪之配置中之一者(其中提供額外凹座)的組合來提供在基板W之定位特徵25之區域中的擴大型開口。
如同以上關於圖7至圖13所描述之流體抽取系統，應瞭解，圖14至圖20所描繪之流體抽取系統可經組態以向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之一個以上局域化區段提供增加型流體抽取容量。
亦應瞭解，向基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙之兩個或兩個以上局域化區段提供增加型流體抽取容量的流體抽取系統無需將同一配置用於該等區段兩者。因此，用以在間隙之局域化區段中提供增加型流體抽取容量之上述配置中的任何兩者或兩者以上配置均可在一個裝置內用於間隙之不同區段。
在一實施例中，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納具有一給定尺寸一基板，該凹座具有用於支撐該基板之一下部表面的一支撐區域，及經組態成在該基板由該支撐區域支撐時鄰近於該基板之邊緣的一邊緣；及一流體抽取系統，其經組態以自該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的一間隙抽取流體，而該流體實質上不通過該基板下方，其中該流體抽取系統經組態成使得在不存在液體之情況下，自該間隙之具有一給定長度之一局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之具有相同長度之其他區段所抽取之流體的流動速率。
該流體抽取系統可包含通向該間隙之一或多個第一管道，該一或多個第一管道經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體；且該流體抽取系統可包含通向該間隙之至少一第二管道，該至少一第二管道經組態以自該間隙之該局域化區段抽取流體。
在該等管道通向該間隙所在之點處，該一或多個第一管道之橫截面的最小尺寸可小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
在一實施例中，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納具有一給定尺寸之一基板，該凹座具有用於支撐該基板之一下部表面的一支撐區域，及經組態成在該基板由該支撐區域支撐時鄰近於該基板之邊緣的一邊緣；及一流體抽取系統，其經組態以自該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的一間隙抽取流體，而流體實質上不通過該基板下方；其中該流體抽取系 統包含通向該間隙之一或多個第一管道，該一或多個第一管道經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體；該流體抽取系統包含通向該間隙之至少一第二管道，該至少一第二管道經組態以自該間隙之一局域化區段抽取流體；且在該等管道通向該間隙所在之點處，該一或多個第一管道之橫截面的最小尺寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
該一或多個第一管道可藉由在該凹座之該邊緣中之一或多個開口通向該間隙。
該一或多個第一管道可經連接以供流體流動至環繞該凹座的在該凹座之該邊緣中之一開口。
該至少一第二管道可藉由形成於該基板台之在該支撐區域與該凹座之該邊緣之間的表面中之一對應開口通向該間隙。
該至少一第二管道可包含一控制閥，該控制閥經組態以控制通過該第二管道之該流體流動。
該至少一第二管道可包含繞過該控制閥之一溢流管路。
該等第一管道及第二管道可連接至一共同負壓源。
該一或多個第一管道可連接至一第一負壓源，且該至少一第二管道可連接至一第二負壓源。
該第二管道之橫截面可自該第二管道通向該間隙所在之該點至該第二管道中之一第二點遞減，該第二點係在該第二管道通向該間隙所在之該點下游。
自該第二管道通向該間隙所在之該點至該第二點的該第 二管道之形狀可為截頭圓錐形狀及喇叭形狀中之一者。
該流體抽取系統可包含至少兩個第二管道，且該等第二管道可在彼此分開之各別開口處通向該間隙。
該流體抽取系統可包含至少兩個第二管道，且該等第二管道中之兩者或兩者以上可在一共同開口處通向該間隙。
該基板台可經組態以支撐具有一定位特徵之一基板，使得當該基板由該支撐區域支撐時，該基板之該定位特徵與該第二管道之通向該凹座之該邊緣與該基板之該邊緣之間的該間隙之該開口對準，使得流體直接自該基板之該定位特徵與該凹座之該邊緣之間的一空間被抽引至該第二管道中。
該基板台可經組態以支撐具有一定位特徵之一基板，該定位特徵為在該基板之該邊緣中之一凹口、一平坦部或一缺口中的一者。
該流體抽取系統可包含通向該間隙之一或多個管道，該一或多個管道經組態以自實質上完全圍繞該基板之該間隙抽取流體；且該一或多個管道可經連接以供流體流動至環繞該凹座的在該凹座之該邊緣中之一開口；且在該間隙之該局域化區段處的該開口之寬度可大於沿著該開口之剩餘部分的該開口之寬度。
在該局域化區段處，通過該凹座之該邊緣之該開口可被擴大，使得其寬度大於沿著該開口之該剩餘部分的該寬度。
在該局域化區段處，一額外凹座可形成於該基板台中， 且可經組態以鄰接該凹座之該邊緣中之該開口的一部分，使得其組合以形成具有大於單獨在該凹座中之該開口之該寬度之一寬度的一開口。
該流體抽取系統可經組態成使得存在該間隙之至少兩個局域化區段，在該至少兩個局域化區段處，該開口之該寬度大於沿著該間隙之其餘部分的該寬度，使得自一給定長度所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之其他區段所抽取之流體的流動速率。
在一實施例中，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納一邊緣具有一定位特徵之一基板，使得一間隙形成於該基板之一邊緣與該凹座之一邊緣之間；及一開口，其經組態以供流體傳遞通過，該開口配置於該基板台中，使得當一基板被收納於該凹座內時，該開口至少部分地未由該基板覆蓋且與該基板之該定位特徵對準。
在一實施例中，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納一邊緣具有一定位特徵之一基板，使得一間隙形成於該基板之邊緣與該凹座之該邊緣之間；一開口，其提供於該基板台中，且經配置以位於該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的該間隙處；其中該開口之橫截面的一尺寸實質上為該基板上之該定位特徵的長度。
在一實施例中，提供一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納一基板；在該基板 台中之一開口，其經組態成使得當該凹座收納具有一定位特徵之一基板時，該開口與該定位特徵對準且對應於該定位特徵，使得可自在該定位特徵處之在該基板與該凹座之邊緣之間的一間隙直接抽取流體通過該開口。
在如以上所論述的用於一浸潤微影裝置之一基板台中，該支撐區域可包含：一或多個支撐點，其經組態以支撐該基板之下部表面的一部分；及一密封件，其經組態以位於由該支撐區域所支撐之一基板之邊緣處，且經組態以抑制液體實質上通過該基板下方；且該密封件可包含一第二流體抽取系統，該第二流體抽取系統經組態以自在該基板下方且鄰近於該基板之該邊緣的一空間抽取流體。
在一實施例中，提供一種浸潤微影裝置，其包含如以上所論述之一基板台。
在一實施例中，提供一種器件製造方法，其包含將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體投影至該基板上，其中該基板被支撐於一基板台上之一凹座中，該方法包含使用經組態以自該凹座之一邊緣與該基板之邊緣之間的一間隙抽取流體之一流體抽取系統而自該間隙抽取流體，而該流體實質上不通過該基板下方；且該流體抽取系統經組態成使得在不存在液體之情況下，自該間隙之具有一給定長度之一局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之具有相同長度之其他區段所抽取之流體的流動速率。
在一實施例中，提供一種器件製造方法，其包含將一經 圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體投影至該基板上；其中該基板被支撐於一基板台上之一凹座中，該方法包含使用經組態以自該凹座之一邊緣與該基板之邊緣之間的一間隙抽取流體之一流體抽取系統而自該間隙抽取流體，而該流體實質上不通過該基板下方；其中該流體抽取系統包含通向該間隙之一或多個第一管道，該一或多個第一管道經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體；該流體抽取系統包含通向該間隙之至少一第二管道，該至少一第二管道經組態以自該間隙之一局域化區段抽取流體；且在該等管道通向該間隙所在之點處，一或多個第一管道之橫截面的最小尺寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗布顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以 上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文中所描述之控制器可各自或組合地係可操作的。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於以上所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。控制器可包括用於儲存該等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納 該媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸潤微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為以上所提及之該等類型，且無論浸潤液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在該未受限制浸潤系統中，液體供應系統可能不限制浸潤流體，或其可能提供浸潤液體限制之比例，但未提供浸潤液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋如本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於兩相流動之一或多個開口的組合。該等開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
11．．．投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間
12．．．本體
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封件
20．．．凹座
20a．．．傾斜表面
21．．．基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙
24．．．支撐區域
25．．．定位特徵
26．．．基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙
28．．．平坦部
30．．．蓋板
31．．．開口/出口
32．．．第一管道
33．．．通路
34．．．通道
40．．．開口/出口
41．．．在開口40下游之點/第二點
42．．．第二管道
43．．．控制閥
44．．．溢流管路
45．．．筆直邊緣
46．．．彎曲邊緣
50．．．密封件
51．．．開口
55．．．開口
56．．．開口
61．．．開口
62．．．基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙
63．．．第二管道
70．．．通道
75．．．擴大型開口
76．．．開口
80．．．額外凹座
85．．．額外凹座
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統；
圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖5描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖6描繪基板台上之基板；
圖7及圖8描繪根據本發明之實施例之流體抽取系統的配置；
圖9描繪圖7及圖8所描繪之流體抽取系統之特徵的變化；
圖10描繪根據本發明之一實施例之流體抽取系統的選用配置；
圖11及圖12描繪根據本發明之一實施例之流體抽取系統的另外變化；
圖13描繪根據本發明之一實施例之流體抽取系統的另外變化；
圖14及圖15描繪根據本發明之一實施例之流體抽取系統的另外配置；
圖16描繪圖14及圖15所描繪之流體抽取系統的變化；
圖17及圖18描繪圖14及圖15所示之流體抽取系統的變化；及
圖19及圖20描繪圖14及圖15所示之流體抽取系統的另外變化。
20．．．凹座
20a．．．傾斜表面
24．．．支撐區域
25．．．定位特徵
26．．．基板W之邊緣與凹座20之邊緣之間的間隙
30．．．蓋板
31．．．開口/出口
32．．．第一管道
33．．．通路
34．．．通道
40．．．開口/出口
41．．．在開口40下游之點/第二點
42．．．第二管道
43．．．控制閥
44．．．溢流管路
45．．．筆直邊緣
50．．．密封件
51．．．開口
W．．．基板

Claims (28)

  1. 一種用於一浸潤微影裝置之基板台，該基板台包含：一凹座(recess)，其經組態以收納具有一給定尺寸之一基板，該凹座具有用以支撐該基板之一下部表面的一支撐區域，及經組態成在該基板由該支撐區域支撐時鄰近於該基板之邊緣的一邊緣；及一流體抽取系統，其經組態以自該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的一間隙抽取流體，該間隙具有位於平面(in plan)且沿著該基板之一周邊(periphery)之至少一部份延伸之一長度，且該間隙具有一局域化區段(localized section)以及另一區段，該二區段皆具有該間隙之一寬度，其中該流體抽取系統經組態成使得在不存在液體之情況下，自該間隙之位於平面且沿著該間隙之該長度具有一給定長度之該局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之位於平面且沿著該間隙之該長度具有相同長度之該另一區段所抽取之流體的流動速率，該局域化區段與該另一區段在沿著該間隙之長度及寬度不重疊。
  2. 如請求項1之基板台，其中該流體抽取系統包含：通向該間隙之一第一管道(duct)，其經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體；及通向該間隙之一第二管道，其經組態以自該間隙之該局域化區段抽取流體。
  3. 如請求項2之基板台，其中在該第一管道及該第二管道通向該間隙所在之點處，該第一管道之橫截面的最小尺 寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
  4. 如請求項2或3之基板台，其中該第一管道藉由在該凹座之該邊緣中之一開口通向該間隙。
  5. 如請求項4之基板台，其中該第一管道經連接以供流體流動至環繞該凹座的在該凹座之該邊緣中之一開口。
  6. 如請求項2或3之基板台，其中該第二管道藉由形成於該基板台之在該支撐區域與該凹座之該邊緣之間的表面中之一對應開口通向該間隙。
  7. 如請求項6之基板台，其中該第二管道包含一控制閥，該控制閥經組態以控制通過該第二管道之流體流動。
  8. 如請求項7之基板台，其中該第二管道包含繞過該控制閥之一溢流管路(bleed line)。
  9. 如請求項6之基板台，其中該第一管道及該第二管道連接至一共同負壓源。
  10. 如請求項6之基板台，其中該第一管道連接至一第一負壓源，且該第二管道連接至一第二負壓源。
  11. 如請求項2或3之基板台，其中該第二管道之橫截面自該第二管道通向該間隙所在之該點至該第二管道中之一第二點遞減，該第二點係在該第二管道通向該間隙所在之該點下游。
  12. 如請求項11之基板台，其中自該第二管道通向該間隙所在之該點至該第二點的該第二管道之形狀為一截頭圓錐(frustro-conical)形狀或一喇叭形狀。
  13. 如請求項2或3之基板台，其中該流體抽取系統包含至少 兩個第二管道，且該等第二管道在彼此分開之各別開口處通向該間隙。
  14. 如請求項2或3之基板台，其中該流體抽取系統包含至少兩個第二管道，且該等第二管道在一共同開口處通向該間隙。
  15. 如請求項2或3之基板台，其中該基板台經組態以支撐具有一定位特徵之一基板，使得當該基板由該支撐區域支撐時，該基板之該定位特徵與該第二管道之通向該凹座之該邊緣與該基板之該邊緣之間的該間隙之該開口對準，使得流體直接自該基板之該定位特徵與該凹座之該邊緣之間的一空間被抽引至該第二管道中。
  16. 如請求項15之基板台，其中該基板台經組態以支撐具有一定位特徵之一基板，該定位特徵為在該基板之該邊緣中之一凹口(indentation)、一平坦部或一缺口。
  17. 如請求項1之基板台，其中該流體抽取系統包含通向該間隙之一管道，該管道經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體，其中該管道經連接以供流體流動至環繞該凹座的在該凹座之該邊緣中之一開口，且在該間隙之該局域化區段處的該開口之寬度大於沿著該開口之剩餘部分的該開口之寬度。
  18. 如請求項17之基板台，其中在該局域化區段處，通過該凹座之該邊緣之該開口被擴大，使得其寬度大於沿著該開口之該剩餘部分的該寬度。
  19. 如請求項17或18之基板台，其中在該局域化區段處，一 額外凹座形成於該基板台中，且經組態以鄰接該凹座之該邊緣中之該開口的一部分，使得其組合以形成具有大於僅該凹座中之該開口之該寬度之一寬度的一開口。
  20. 如請求項17或18之基板台，其中該流體抽取系統經組態成使得存在該間隙之至少兩個局域化區段，在該至少兩個局域化區段處，該開口之該寬度大於沿著該間隙之其餘部分的該寬度，使得自一給定長度所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之另一區段所抽取之流體的流動速率。
  21. 一種用於一浸潤微影裝置之基板台，該基板台包含：一凹座，其經組態以收納具有一給定尺寸之一基板，該凹座具有用以支撐該基板之一下部表面的一支撐區域，及經組態成在該基板由該支撐區域支撐時鄰近於該基板之邊緣的一邊緣；及一流體抽取系統，其經組態以自該基板之該邊緣與該凹座之該邊緣之間的一間隙抽取流體，該間隙具有位於平面且沿著該基板之一周邊之至少一部份延伸之一長度，且該流體抽取系統包含：通向該間隙之一第一管道，其經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體，該第一管道具有之最小橫截面尺寸之處在該第一管道通向該間隙之點處；及通向該間隙之一第二管道，其經組態以自該間隙之一局域化區段抽取流體，該第二管道具有之最小橫截面尺寸之處在該第二管道通向該間隙之點處，該第二管道在 該第二管道通向該間隙之該點處沿著該間隙之位於平面之該長度延伸不超過該長度之一半，其中該第一管道之橫截面的最小尺寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
  22. 一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納一具有一定位特徵之邊緣之一基板，使得一間隙形成於該基板之一邊緣與該凹座之一邊緣之間；及一開口，其經組態以供流體傳遞通過，該開口配置於該基板台中，使得當一基板被收納於該凹座內時，該開口至少部分地未由該基板覆蓋且與該基板之該定位特徵對準。
  23. 一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納一具有一定位特徵之邊緣之一基板，使得一間隙形成於該基板之邊緣與該凹座之邊緣之間；在該基板台中之一開口，其位於該凹座之該邊緣與在該基板處於該基板台上時該基板之該邊緣之間的該間隙處，該開口之橫截面的一尺寸實質上為該基板上之該定位特徵的長度。
  24. 一種用於一浸潤微影裝置之基板台，其包含：一凹座，其經組態以收納一基板；在該基板台中之一開口，其經組態成使得當該凹座收納具有一定位特徵之一基板時，該開口與該定位特徵對 準且對應於該定位特徵，使得可自在該定位特徵處之在該基板與該凹座之邊緣之間的一間隙直接抽取流體通過該開口，該開口未被該基板完全地覆蓋。
  25. 如請求項24之用於一浸潤微影裝置之基板台，其中支撐區域包含：一支撐點，其經組態以支撐基板之下部表面的一部分；及一密封件，其經組態以位於由該支撐區域所支撐之一基板之邊緣處，且經組態以抑制液體實質上通過該基板下方，其中該密封件包含一另外流體抽取系統，該另外流體抽取系統經組態以自在該基板下方且鄰近於該基板之該邊緣的一空間抽取流體。
  26. 一種浸潤微影裝置，其包含一如請求項1-25中任一項之基板台。
  27. 一種器件製造方法，其包含：將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體投影至該基板上，其中該基板被支撐於一基板台上之一凹座中；及自該凹座之一邊緣與該基板之邊緣之間的一間隙抽取流體，該間隙具有位於平面且沿著該基板之一周邊之至少一部份延伸之一長度，且該間隙具有一局域化區段以及另一區段，該二區段皆具有該間隙之一寬度，使得在不存在液體之情況下，自該間隙之位於平面且沿著該間隙之該長度具有一給定長度之該局域化區段所抽取之流體的流動速率大於自該間隙之位於平面且沿著該間隙之該長度具有相同長度之該間隙之另一區段所抽取之流體 的流動速率，該局域化區段與該另一區段在沿著該間隙之長度及寬度不重疊。
  28. 一種器件製造方法，其包含：將一經圖案化輻射光束通過提供於鄰近於一基板之一空間中的一流體投影至該基板上，其中該基板被支撐於一基板台上之一凹座中；及使用一流體抽取系統而自該凹座之一邊緣與該基板之邊緣之間的一間隙抽取流體，該間隙具有位於平面且沿著該基板之一周邊之至少一部份延伸之一長度，且該流體抽取系統包含：通向該間隙之一第一管道，其經組態以自實質上圍繞該基板之該間隙抽取流體，該第一管道具有之最小橫截面尺寸之處在該第一管道通向該間隙之點處；及通向該間隙之一第二管道，其經組態以自該間隙之一局域化區段抽取流體，該第二管道具有之最小橫截面尺寸之處在該第二管道通向該間隙之點處，該第二管道在該第二管道通向該間隙之該點處沿著該間隙之位於平面之該長度之延伸不超過該長度之一半，其中該第一管道之橫截面的最小尺寸小於該第二管道之橫截面的最小尺寸。
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