KR101120612B1 - 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법 - Google Patents

기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101120612B1
KR101120612B1 KR1020100022399A KR20100022399A KR101120612B1 KR 101120612 B1 KR101120612 B1 KR 101120612B1 KR 1020100022399 A KR1020100022399 A KR 1020100022399A KR 20100022399 A KR20100022399 A KR 20100022399A KR 101120612 B1 KR101120612 B1 KR 101120612B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gap
duct
fluid
edge
Prior art date
Application number
KR1020100022399A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100103425A (ko
Inventor
마르코 코에르트 스타벤가
세르게이 슐레포프
코엔 스테펜스
리에롭 마테우스 안나 카렐 반
사무엘 베르트란드 도미니크 다비드
데이비드 베셈스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20100103425A publication Critical patent/KR20100103425A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101120612B1 publication Critical patent/KR101120612B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

주어진 크기의 기판을 수용하도록 구성된 리세스와 기판의 에지와 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템을 가지는 액침 리소그래피 장치용 기판 테이블이 개시된다. 유체 배출 시스템은 갭의 국소 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량이 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 구성되어 있다.

Description

기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법{Substrate Table, Immersion Lithographic Apparatus, and Device Manufacturing Method}
본 발명은 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)로 이루어진 층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper), 및 소정의 방향("스캐닝"-방향)의 방사 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에, 이 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 투영 장치 내의 기판을 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체에 액침(immersion)시켜 투영 시스템의 말단 소자와 기판 사이의 공간을 채우도록 하는 것이 제안되어 있다. 하나의 구현예에서, 액체로는 증류수가 가능하지만, 다른 액체가 사용될 수도 있다. 본 발명의 실시예는 액체를 참조하여 설명될 것이다. 그러나, 또 다른 유체, 구체적으로는 습윤 유체(wetting fluid), 압축할 수 없는 유체, 및/또는 공기보다 높은 굴절률을 갖는, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적합할 수도 있다. 가스를 배제시키는 유체가 특히 바람직하다. 이와 같이 하는 요지는, 노광 방사선이 액체 내에서는 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에, 더 작은 특징부(smaller features)의 이미징을 가능하게 하기 위해서이다(액체의 영향은 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 또한 초점 거리를 증가시키는 것으로서도 고려될 것이다). 고체 입자(예컨대, 석영)가 그 안에 부유되어 있는 물 또는 나노 입자 부유물(예컨대, 최대 직경이 10 ㎚인 입자)을 갖는 액체를 포함한 다른 액침액도 제안되어 있다. 부유 상태의 입자의 굴절률은 이들이 부유 상태로 존재하고 있는 액체의 굴절률과 유사하거나 동일하여도 되고, 유사하거나 동일하지 않아도 된다. 적합할 수도 있는 다른 액체로는, 방향족 탄화수소 등의 탄화수소, 불화탄화수소, 및/또는 수용성 용액 등이 있다.
기판 또는 기판과 기판 테이블을 액체의 수조(bath)에 담그는 것(예컨대, 미국 특허 번호 4,509,852호를 참조)은, 스캐닝 노광 동안에 가속되어야 하는 상당한 부피의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이와 같이 하기 위해서는 모터를 추가하거나 더 강력한 모터를 사용할 필요가 있으며, 액체 내에서의 요동에 의해 바람직하지 않은 동시에 예측 가능하지 않은 영향이 야기될 수도 있다.
액침 장치에서, 액침 유체는 유체 핸들링 시스템, 유체 핸들링 디바이스 구조체 또는 유체 핸들링 장치에 의해 핸들링된다. 하나의 구현예에서, 유체 핸들링 시스템은 액침 유체를 공급할 수도 있으며, 그에 따라 유체 공급 시스템이 될 수도 있다. 하나의 구현예에서, 유체 핸들링 시스템은 적어도 부분적으로는 액침 유체를 제한할 수도 있으며, 이에 의해 유체 제한 시스템(fluid confinement system)이 될 수도 있다. 하나의 구현예에서, 유체 핸들링 시스템은 액침 유체에 대한 장벽을 형성할 수도 있으며, 이에 의해 유체 제한 구조와 같은 장벽 부재가 될 것이다. 하나의 구현예에서, 유체 핸들링 시스템은 예컨대 액침 유체의 흐름 및/또는 위치를 조절하는 것을 지원하기 위해 가스의 흐름을 생성하거나 이용할 수도 있다. 가스의 흐름은 액침 유체를 제한하기 위한 밀봉(seal)을 형성할 수도 있으므로, 유체 핸들링 구조가 시일 부재로서 지칭될 수도 있으며, 이러한 밀봉 부재는 유체 제한 구조가 될 것이다. 하나의 구현예에서, 액침액이 액침 유체로서 사용된다. 그 경우, 유체 핸들링 시스템은 액체 핸들링 시스템이 될 것이다. 전술한 설명을 참조하여, 유체에 대하여 정의된 특징에 대한 이 단락에서의 언급은 액체에 대해 정의된 특징을 포함하는 것으로 이해될 수도 있다.
이에 대하여 제안된 장치 중의 하나에서는, 액체 공급 시스템으로 하여금, 기판의 국소 영역 및 투영 시스템의 말단 소자와 기판의 사이에만, 액체 제한 시스템을 이용하여 액체를 제공하도록 한다(기판은 일반적으로 투영 시스템의 말단 소자보다 큰 표면적을 갖는다). 이것을 달성하기 위해 제안된 방식 중의 하나가 PCT 특허 출원 공개 번호 WO 99/49504에 개시되어 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 바람직하게는 말단 소자에 대한 기판의 이동 방향을 따라 적어도 하나의 유입구에 의해 기판 상에 공급되고, 투영 시스템 아래를 통과한 후에 적어도 하나의 배출구에 의해 제거된다. 즉, 기판이 말단 소자 아래에서 -X 방향으로 스캔될 때, 액체는 말단 소자의 +X 측에서 제공되고, -X 측에서 흡수된다. 도 2에는, 액체가 유입구를 통해 제공되어, 저압 소스에 연결되어 있는 배출구에 의해 말단 소자의 다른 측면에서 흡수되는 구성이 개략적으로 도시되어 있다. 기판(W) 위의 화살표들은 액체 흐름의 방향을 나타내고, 기판(W) 아래의 화살표는 기판 테이블의 이동 방향을 나타낸다. 도 2의 예시에서, 액체는 말단 소자에 대한 기판(W)의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 그러할 필요는 없다. 말단 소자 주변에 위치된 유입구와 배출구의 배향 및 개수가 다양하게 이용될 수도 있다. 그에 대한 일례로서, 도 3은 양쪽 측면에 위치된 4 세트의 유입구와 배출구가 말단 소자 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 예를 도시하고 있다. 액체 공급 및 액체 회수에 있어서의 화살표는 액체 흐름의 방향을 나타낸다.
국소 액체 공급 시스템을 이용한 또 다른 액침 리소그래피 해법이 도 4에 도시되어 있다. 액체는 투영 시스템(PS)의 양측면 상의 2개의 홈형 유입구에 의해 공급되며, 유입구의 외측에 방사상으로 배열된 복수의 불연속 배출구에 의해 제거된다. 유입구 및 배출구는 중앙에 구멍이 형성되어 있는 플레이트 내에 배치되고, 그 구멍을 통해 투영 빔이 투영된다. 액체는 투영 시스템(PS)의 한 측면 상의 하나의 홈형 유입구에 의해 공급되고, 투영 시스템(PS)의 다른 측면 상의 복수의 불연속 배출구에 의해 제거되어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 얇은 액체막의 흐름을 발생한다. 어느 유입구와 배출구의 조합을 사용할지에 대한 선택은 기판(W)의 이동 방향에 좌우될 것이다(다른 조합의 유입구와 배출구는 비작동 상태로 된다). 도 4의 횡단면도에서, 화살표들은 유입구 내의 액체 흐름과 배출구 외부의 액체 흐름의 방향을 나타낸다.
유럽 특허 출원 공보 EP 1420300 및 미국 특허 출원 공보 US 2004-0136494에는, 2중 또는 듀얼 스테이지 액침 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치는 기판을 지지하기 위한 2개의 테이블을 갖는다. 액침액이 없는 제1 위치에 있는 테이블에서는 레벨링 측정이 수행되고, 액침액이 존재하는 제2 위치에 있는 테이블에서는 노광이 수행된다. 이와 달리, 액침 리소그래피 장치는 단지 하나의 테이블을 가질 수도 있다.
PCT 특허 출원 공개 번호 WO 2005/064405에는 액침액이 제한되지 않는 전체 습윤 장치(all wet arrangement)가 개시되어 있다. 이러한 시스템에서, 기판의 상면 전체가 액체로 덮여진다. 이러한 구성은 기판의 상면 전체가 실질적으로 동일한 조건에 노출되기 때문에 이로울 것이다. 이러한 구성은 기판의 가공 및 온도 제어에 대해 장점을 갖는다. WO 2005/064405에서는, 액체 공급 시스템이 투영 시스템의 말단 소자와 기판 사이의 갭에 액체를 제공한다. 그 액체는 기판의 나머지 부분 위에서 누출될 수 있게(또는 흘러나가게) 된다. 기판 테이블의 에지에 있는 장벽은 액체가 빠져나오는 것을 방지하여 액체가 제어된 방식으로 기판 테이블의 상면에서 제거될 수 있도록 한다. 이러한 시스템이 기판의 가공 및 온도 조절을 향상시키지만, 여전히 액침액의 기화가 발생할 것이다. 이 문제를 경감시키는데 도움을 주는 한 가지 방안이 미국 특허 출원 공개 번호 US 2006/0119809에 개시되어 있다. 모든 위치에서 기판을 덮고 또한 자신과 기판 및/또는 기판을 유지하고 있는 기판 테이블의 상면과의 사이에서 액침액이 연장하도록 배치되어 있는 부재가 제공된다.
액침 리소그래피 기술에서의 한가지 어려움은 액침액 내에 버블이 형성되는 것에 의해 발생한다. 구체적으로, 버블이 기판과 투영 시스템의 사이에 있는 공간으로 흘러 들어가면, 기판 상에 형성되는 이미지에 결함이 생길 수 있다.
예컨대, 액침 리소그래피 장치 내에서 버블이 발생할 가능성 또는 버블의 영향을 줄이거나 최소화하고, 또는 버블이 액침 리소그래피 장치의 성능을 감소시키는 위치로 이동하기 전에 그 버블의 전부 또는 대부분을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서, 소정 크기의 기판을 수용하도록 구성된 리세스와; 상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템을 포함하고, 상기 리세스는, 기판의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과, 기판이 상기 지지 영역에 의해 지지될 때 기판의 에지에 인접하도록 구성된 에지를 가지며, 상기 유체 배출 시스템은, 액체가 없는 경우에, 소정 길이를 가진, 상기 갭의 국소 섹션(localized section)으로부터 배출되는 유체의 유량이 상기 소정 길이와 동일한 길이를 가진, 상기 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 구성되어 있는, 기판 테이블이 제공된다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서, 소정 크기의 기판을 수용하도록 구성된 리세스와; 상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템을 포함하고, 상기 리세스는, 기판의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과, 상기 지지 영역에 의해 기판이 지지된 때 기판의 에지에 인접하도록 구성된 에지를 가지며, 상기 유체 배출 시스템은 상기 갭 내로 개방되는 제1 덕트와 상기 갭 내로 개방되는 제2 덕트를 포함하고, 상기 제1 덕트는 상기 기판의 실질적으로 전체 둘레에서의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되고, 상기 제2 덕트는 상기 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성되며, 상기 제1 덕트 및 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점에서, 상기 제1 덕트의 단면의 최소 크기가 상기 제2 덕트의 단면의 최소 크기보다 더 작은, 기판 테이블이 제공된다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 디바이스 제조 방법으로서, 기판에 인접하는 공간 내에 제공된 유체를 통해 상기 기판 상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계-여기서, 상기 기판은 기판 테이블 상의 리세스 내에 지지되어 있음-; 및 상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 단계로서, 액체가 없는 경우에, 소정 길이를 가진, 상기 갭의 국소 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량이 상기 소정 길이와 동일한 길이를 가진, 상기 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 하여 상기 유체를 배출하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 디바이스 제조 방법으로서, 기판에 인접하는 공간 내에 제공된 유체를 통해 상기 기판 상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계-여기서, 상기 기판은 기판 테이블 상의 리세스 내에 지지되어 있음-; 및 상기 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템을 사용하여 상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 단계를 포함하고, 상기 유체 배출 시스템은 상기 갭 내로 개방되는 제1 덕트와 상기 갭 내로 개방되는 제2 덕트를 포함하고, 상기 제1 덕트는 상기 기판의 실질적으로 전체 둘레에서의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되고, 상기 제2 덕트는 상기 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성되며, 상기 제1 덕트 및 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점에서, 상기 제1 덕트의 단면의 최소 치수가 상기 제2 덕트의 단면의 최소 치수보다 더 작은, 디바이스 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고 있다.
도 2 및 3은 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.
도 4는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.
도 5는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.
도 6은 기판 테이블 상의 기판을 도시하고 있다.
도 7 및 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 배출 시스템의 구성을 도시하고 있다.
도 9는 도 7 및 8에 도시된 유체 배출 시스템의 특징부의 변형예를 도시하고 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 배출 시스템의 구성으로서 선택적으로 채용할 수 있는 구성을 도시하고 있다.
도 11 및 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 배출 시스템의 또 다른 변형예를 도시하고 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 배출 시스템의 또 다른 변형예를 도시하고 있다.
도 14 및 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 배출 시스템의 또다른 구성을 도시하고 있다.
도 16은 도 14 및 15에 도시된 유체 배출 시스템의 변경예를 도시하고 있다.
도 17 및 18은 도 14 및 15에 도시된 유체 배출 시스템의 변형예를 도시하고 있다.
도 19 및 20은 도 14 및 15에 도시된 유체 배출 시스템의 또 다른 변형예를 도시하고 있다.
이하에서는, 단지 예시를 목적으로 하는 본 발명의 실시예를 대응하는 부분에 대응하는 도면 부호가 부여되어 있는 첨부된 개략 도면을 참조하여 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 본 리소그래피 장치는 이하의 구성요소를 포함한다:
- 방사 빔(B, 예컨대 UV 방사 또는 DUV 방사)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL);
- 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정의 파라미터에 따라 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정의 파라미터에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝 장치(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여한 패턴을, 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 또는 다른 형태의 광학 요소들 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 장치(MA)를 유지한다. 구체적으로, 지지 구조체(MT)는 패터닝 장치(MA)의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치(MA)가 진공 분위기에서 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 장치(MA)를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 장치(MA)가 예컨대 투영 시스템(PS)에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어는 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 디바이스도 포함되는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 피처(phase-shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.
패터닝 장치(MA)는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사에 대하여 적합하거나 또는 액침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주할 수 있다.
본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형 타입(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형 타입(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 패터닝 장치 테이블)를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기계에서는, 추가의 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 하나 이상의 테이블 상에 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사 빔을 수광한다. 예컨대, 방사 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스(SO)와 리소그래피 장치는 별도의 장치일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 고려되지 않으며, 방사 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사 빔을 조절하는데 사용될 수 있다. 방사 소스(SO)와 유사하게, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 형성할 수도 있고, 또는 리소그래피 장치의 일부를 형성하도록 고려되지 않을 수도 있다. 예컨대, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 통합 부품이 될 수도 있고, 또는 리소그래피 장치와는 별개의 장치가 될 수도 있다. 조명기(IL)가 리소그래피 장치와는 별개의 장치인 경우, 리소그래피 장치는 조명기(IL)가 리소그래피 장치 위에 탑재될 수 있도록 구성될 것이다. 옵션으로, 조명기(IL)는 분리 가능하며, 별도로 제공될 수도 있다(예컨대, 리소그래피 장치 제조업체 또는 다른 공급자에 의해).
방사 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 장치(MA)를 종단한 후, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 투영 시스템(PS)은 방사 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속(focusing)시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시적으로 도시되어 있지 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼(스캐너와 반대되는 것으로서의)의 경우, 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결되거나, 그렇지 않으면 고정될 것이다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역(C)들 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 장치(MA) 상에 하나 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 장치 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사 빔에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 한정된다.
2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 관련한 기판 테이블(WT)의 속력 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 동적 노광시의 타겟 영역(C)의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 한정되는 한편, 스캐닝 움직임의 길이에 의해 타겟 영역(C)의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.
3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 지지 구조체(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 필요에 따라 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 업데이트되거나 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드가 채용될 수도 있다.
투영 시스템의 말단 소자와 기판 사이에 액체를 제공하는 구성은 2개 이상의 일반적인 카테고리로 분류될 수 있다. 이러한 카테고리로는 수조 타입 구성(bath type arrangement)과 소위 국소 액침 시스템(localized immersion system)이 있다. 수조 타입 구성에서는, 기판의 전체 및 선택적으로는 기판 테이블의 일부가, 액체의 수조에 담겨진다. 국소 액침 시스템은 기판의 국소 영역에만 액체를 제공하는 액체 공급 시스템을 이용한다. 국소 액침 시스템의 카테고리에서는, 액체에 의해 채워진 공간이 평면적으로 기판의 상면보다 작으며, 액체로 채워진 영역은 기판이 그 영역 아래를 이동하는 동안 투영 시스템에 관하여 실질적으로 정지 상태를 유지한다. 본 발명의 실시예가 지향하는 추가의 구성은, 액체가 제한되지 않는 전체 습윤 방식이다. 이 구성에서, 실질적으로 기판의 상면 전체 및 기판 테이블의 전부 또는 일부가 액침액으로 덮여진다. 적어도 기판을 덮고 있는 액체의 깊이는 작다. 이 액체는 얇은 막과 같이 기판 상의 액체의 막이 될 수 있다. 도 2 내지 도 5의 액체 공급 장치의 어떠한 것도 이러한 시스템에 사용될 수 있지만, 밀봉 특징부(sealing feature)가 존재하지 않거나, 작동하지 않거나, 정상적인 것만큼 효과적이지 않거나, 또는 국소 영역에 대해서만 액체를 밀봉하는 것에 효과적이지 못하다. 4개의 상이한 유형의 국소 액체 공급 시스템이 도 2 내지 도 5에 예시되어 있으며, 도 2 내지 도 4에 개시된 액체 공급 시스템은 위에서 설명하였다.
이미 제안된 또 다른 구성은 액체 제한 구조를 갖는 액체 공급 시스템을 제공하는 것이며, 이 액체 제한 구조는 투영 시스템의 말단 소자와 기판 테이블 간의 공간의 경계의 적어도 일부분을 따라 연장할 수 있다. 이러한 구성은 도 5에 예시되어 있다. 도 5의 단면도에서, 화살표는 액체 제한 구조에서 개구부로 들어가고 나가는 액체 흐름의 방향을 나타낸다. 액체 제한 구조는 Z 방향(광축 방향)으로의 약간의 상대적인 이동이 있을 수도 있지만 XY 평면으로는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지 상태이다. 액체 제한 구조와 기판의 표면 사이에는 밀봉이 형성될 수도 있다. 하나의 구현예에서, 밀봉은 액체 제한 구조와 기판의 표면 사이에 형성되며, 가스 밀봉(gas seal)과 같은 비접촉식 밀봉이 될 수도 있다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 번호 US 2004-0207824에 개시되어 있다.
도 5는 투영 시스템(PS)의 말단 소자와 기판 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간(11)의 경계의 적어도 일부분을 따라 연장하는 장벽 부재 또는 유체 제한 구조를 형성하는 몸체부(12)를 갖는 국소 액체 공급 시스템, 유체 핸들링 구조 또는 유체 핸들링 장치를 개략적으로 도시하고 있다(이하의 문장에서 기판(W)의 표면에 대한 언급은 다른 설명이 없는 경우에는 그에 추가하여 또는 양자택일적으로 기판 테이블(WT)의 표면을 지칭하기도 한다는 것에 유의하기 바란다). 유체 핸들링 구조는 Z 방향(광축 방향)으로의 약간의 상대적인 이동이 있을 수도 있지만 XY 평면으로는 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 정지 상태이다. 하나의 구현예에서, 몸체부(12)와 기판(W)의 표면 사이에 밀봉이 형성되며, 가스 밀봉 또는 유체 밀봉과 같은 비접촉식 밀봉이 될 수도 있다.
유체 핸들링 장치는 적어도 부분적으로는 투영 시스템(PS)의 말단 소자와 기판(W) 사이의 공간(11)에 액체를 포함하고 있다. 가스 밀봉(16)과 같은 기판(W)에 대한 비접촉식 밀봉은 투영 시스템(PS)의 이미지 필드 주변에 형성되어, 액체가 기판(W)의 표면과 투영 시스템(PS)의 말단 소자 사이의 공간(11) 내에 제한되도록 한다. 공간(11)은 적어도 부분적으로는 투영 시스템(PS)의 말단 소자 아래에 위치되어 둘러싸고 있는 몸체부(12)에 의해 형성된다. 액체가 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템(PS) 아래와 몸체부(12) 내의 공간(11)에 유입된다. 이 액체는 액체 배출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 몸체부(12)는 투영 시스템(PS)의 말단 소자보다 약간 위쪽으로 연장할 수 있다. 액체 레벨이 말단 소자보다 위쪽으로 상승하여, 액체의 버퍼가 제공된다. 하나의 구현예에서, 몸체부(12)는, 상단이 투영 시스템(PS) 또는 투영 시스템(PS)의 말단 소자의 형상과 밀접하게 부합하는 내측 둘레를 가지며, 예컨대 라운드 형상으로 될 것이다. 저부에서는, 내측 둘레가 예컨대 직사각형과 같은 이미지 필드의 형상과 밀접하게 부합할 것이지만, 상자(case) 형태일 필요는 없다.
액체는 사용 동안에 몸체부(12)의 저면과 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 밀봉(16)에 의해 공간(11) 내에 제한된다. 가스 밀봉(16)은 예컨대 공기 또는 합성 공기 등의 가스, 본 실시예서는 N2 또는 다른 불활성 가스에 의해 형성된다. 가스 밀봉(16) 내의 가스는 유입구(15)를 통해 압력 하에서 몸체부(12)와 기판(W) 사이의 갭에 제공된다. 가스는 배출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 배출구(14) 상의 진공 레벨, 및 갭의 기하학적 형상은, 액체를 제한하는 높은 속도의 가스 흐름이 내측으로 존재하도록 이루어진다. 몸체부(12)와 기판(W) 사이의 액체에 미치는 가스의 힘은 그 액체를 공간(11) 내에 제한한다. 유입구/배출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형의 홈이다. 환형의 홈은 연속적일 수도 있고, 또는 불연속적일 수도 있다. 가스의 흐름은 공간(11)에 액체를 담아두기에 효과적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 번호 US 2004-0207824에 개시되어 있다.
도 5의 예는 액체가 언제라도 기판(W)의 상면의 국소 영역에만 제공되는 소위 국소 영역 구성이다. 예컨대 미국 특허 출원 공개 번호 US 2006-0038968에 개시된 바와 같이 단상 추출기(single phase extractor) 또는 2상 추출기(double phase extractor)를 사용하는 유체 핸들링 시스템을 포함하는 다른 구성도 가능하다. 하나의 구현예에서, 단상 추출기 또는 2상 추출기는 기공성 재료로 덮여지는 유입구를 포함할 수도 있다. 단상 추출기의 구현예에서는, 액체를 가스와 분리하여 단일-액체 상태 액체 추출을 가능하게 하기 위해 기공성 재료가 사용된다. 기공성 재료의 챔버 하류는 약간의 저압력(under pressure)으로 유지되며, 액체로 채워진다. 챔버에서의 이러한 저압력에 의해, 기공성 재료의 구멍에 형성된 메니스커스(meniscus)는 주변 가스가 챔버 내로 인입되는 것을 방지하게 된다. 그러나, 기공성 표면이 액체와 접촉하게 될 때에는, 흐름을 제한하기 위한 메니스커스가 없게 되며, 액체가 자유롭게 챔버 내로 흘러들어갈 수 있게 된다. 기공성 재료는 직경이 예컨대 5 내지 300 ㎛, 바람직하게는 5 내지 50 ㎛인 다수의 작은 구멍을 갖는다. 하나의 구현예에서, 기공성 재료는 적어도 약간 친액성(liquidphilic)(예컨대, 친수성)을 가지며, 즉 물과 같은 액침액에 대해 90°미만의 접촉 각도를 갖는다.
가능한 또 다른 구성으로는 가스 드래그 원리(gas drag principle)로 작동하는 구성이 있다. 소위 가스 드래그 원리는 예컨대 미국 특허 출원 공개 번호 US 2008-0212046 및 2008년 5월 8일자로 출원된 미국 특허 출원 번호 US 61/071,621호에 기술되어 있다. 그 시스템에서, 추출 구멍은 코너를 갖는 것이 바람직한 형상으로 배치된다. 이 코너는 스텝핑 및 스캐닝 방향과 정렬될 수도 있다. 이것은 2개의 배출구가 스캔 방향에 직각으로 배치되는 경우에 비해 스텝 또는 스캔 방향에서 소정의 속력에 대한 유체 핸들링 구조의 표면에 있는 2개의 개구부 사이의 메니스커스에 작용하는 힘을 감소시킨다.
본 발명의 실시예는 전체 습윤 액침 장치에 사용된 유체 핸들링 구조에 적용될 수도 있다. 전체 습윤 실시예에서, 유체는 예컨대 액체를 투영 시스템의 말단 소자와 기판 사이로 제한하는 제한 구조의 외부로 액체의 누출을 허용함으로써 실질적으로 기판 테이블의 상면 전체를 덮도록 허용된다. 전체 습윤 실시예를 위한 유체 핸들링 구조의 예는 2008년 9월 2일자로 출원된 미국 특허 출원 번호 US 61/136,380에서 찾아볼 수 있다.
투영 시스템(PS)의 말단 소자와 기판(W)의 사이에 있는 공간(11)을 가로질러 어느 한 방향으로 유체 흐름이 형성될 수 있도록 많은 형태의 유체 핸들링 구조가 형성된다. 예컨대, 도 2 및 3의 유체 핸들링 시스템에서는, 상기 공간을 둘러싸는 복수의 유입구 및 배출구를 제공하여 이들 유입구 및 배출구를 통해 액체를 선택적을 제공 또는 배출함으로써 원하는 흐름을 만드는 것에 의해 어느 한 방향으로 유체 흐름을 형성하도록 하고 있다. 도 5의 실시예의 경우에, 액체 배출구(13)는 유체 핸드링 디바이스의 몸체부(12) 내에서 액체의 흐름을 위한 복수의 개구부로 이루어지고, 그 개구부는 공간(11)을 둘러싼다. 그러면, 액체는 이들 개구부를 통해 제공되거나 배출될 수 있으어서 원하는 방향으로 공간(11)을 가로지르는 흐름을 생성한다. 제1 세트의 개구부가 공간(11)에 액체를 공급하기 위해 제공되고, 제2 세트의 개구부가 공간(11)으로부터 액체를 배출하기 위해 제공될 수 있다. 도 2 및 3의 실시예에서(본 발명의 일 실시예에 관한 것이다), 유입구 및 배출구는, 각각이 액체의 흐름을 위한 개구부를 구비한 표면을 가진 복수의 몸체부인 것으로 간주될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라, 기판(W)을 지지하는 기판 테이블(WT)을 개략적으로 도시하고 있다. 기판 테이블(WT)은 기판(W)가 들어가 수용되는 리세스(recess)(20)를 포함한다. 이 리세스(20)는 기판(W)의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과, 기판이 지지 영역에 지지될 때 기판(W)의 에지에 인접하는 에지를 가질 수 있다. 리세스(20)는 기판 홀더를 포함할 수 있다.
일례로서, 리세스는, 기판(W)이 리세스(20) 내에 놓여질 때, 기판(W)의 상부 표면이 기판 테이블(WT)의 상부 표면과 동일한 평면이 되도록 구성된다. 리세스(20)는 기판 테이블(WT)의 일부로서 일체로 형성될 수 있다. 다르게는, 리세스(20)는 기판 테이블(WT)의 상부 표면을 형성하는 덮개판을 관통하는 개구로서 형성될 수 있다.
액침 리소그래피 장치의 작동 동안, 기판 테이블(WT) 및 기판(W)은 유체 핸들링 구조에 대해 상대적으로 이동함으로써 기판(W)의 서로 다른 부분에 액침 액체를 통해 원하는 패턴의 방사를 투영한다. 그러한 이동 중에, 기판(W)의 에지는 투영 시스템과 기판 테이블(WT) 사이의 공간 내에 유체 핸들링 시스템에 의해 제공되거나 수용되어 있는 유체를 주기적으로 가로지를 것이다.
기판 테이블(WT) 내의 리세스(20)가 특정 치수의 기판(W)을 수용하도록 구성되어 있더라도, 기판(W)의 에지와 리세스(2)의 에지 사이에는 한정된 갭이 있을 것이다. 이 갭은, 예컨대, 대략 0.5mm 이하, 예컨대 0.2mm~0.5mm의 범위 내, 예컨대 0.5mm, 0.3mm, 또는 0.2mm일 수 있다. 이 갭(21)이 액침 유체 내에서의 버블의 형성을 가져올 수 있다. 구체적으로는, 갭(21)이 액침 유체 핸들링 시스템 아래를 지나므로, 가스가 그 갭 내에 포획될 수 있고, 이로써 버블이 형성되고 갭(21)으로부터 투영 시스템과 기판(W) 사이의 액침 유체 내로 올라오는 결과를 가져온다.
갭(21) 내에서 버블이 형성되는 가능성을 줄이기 위해 리세스(20)의 에지와 기판(W)의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하고, 그러한 버블이 형성된 곳에 대해서는 그 버블이 갭(21)으로부터 올라올 가능성을 줄이는 것이 제안되었다. 예컨대, 갭 개구부를 제공하여 그것을 통해 작동 동안 갭으로부터 유체를 제거하는 것이 제안되었다. 갭 개구부는 리세스(20)의 에지 근방, 예컨대 기판(W)에 대해 반경 방향으로 바깥쪽 위치에 위치할 수 있다.
그러나, 그러한 배출 시스템이 몇몇 상황에서는 효과적일지라도, 다른 상황에서는 그다지 효과적이지 않을 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 노치(notch)와 같은 위치결정 형상부(25)를 포함할 수 있는데, 이것은 여러 가지 처리 동작에서 기판(W)의 방향을 바로 잡는데 사용된다. 노치와 같은 이 위치결정 형상부(25)가 위치하는 지점에서, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26)은 기판(W)의 에지의 다른 부분의 둘레의 갭보다 현저하게 더 크다. 예컨대, 노치에서의 갭은 대략 1.5mm까지 이를 수 있고, 예컨대 1.2mm일 수 있다.
기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭이 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)와 같은 것에 의해 결과적으로 커지게 되는 곳에서는, 갭으로부터 유체를 배출하는 시스템 같은 것에 의해서도 노치와 같은 위치결정 형상부(25)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 내에 버블이 형성되는 것을 막을 수 없다.
만일 버블이 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)에 인접하는 갭(26) 내에서 형성되면, 여러 개의 버블이 형성된다기 보다는 하나의 큰 버블이 남게 되어 그 크기가 증가하는 경향을 보일 수 있다.
그러므로, 본 발명의 실시예는, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 유체 배출 시스템을 제공하며, 이 시스템에서는 갭의 국소 섹션(localized section)에 대한 배출 용량이 갭의 다른 섹션(예컨대, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 인접하는 섹션)에 대한 배출 용량보다 더 크게 된다.
구체적으로는, 이 유체 배출 시스템은 갭으로부터의 유체 흐름에 대한 저항이 갭의 국소 섹션에서 다른 섹션보다 더 작다. 따라서, 동일한 조건 하에서, 예컨대 액체가 없는 경우, 국소 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량(flow rate)이 이 국소 섹션과 동일한 길이를 가진, 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크다.
그러므로, 노치와 같은 위치결정 형상부(25)를 가진 기판(W)은 본 발명의 실시예에 따른 기판 테이블(WT)에 놓이고, 위치결정 형상부(25)는 더 큰 유체 배출 용량을 가진 국소 섹션에 정렬된다. 기판(W)을 이와 같이 배치함으로써, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 국소 섹션에서의 더 큰 유체 배출 용량으로 인해 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 내에서 버블이 형성될 가능성이 충분히 감소되는 것을 보장하는 데에 도움이 되거나 및/또는 이 영역에서 형성된 버블이 갭으로부터 올라가지 않는 것을 보장하는 데에 도움이 될 것이다.
예컨대, 유체 배출 시스템은, 1분당 대략 총 30~50 리터의 유체가 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이에서 기판의 둘레로부터 배출되도록 구성될 수 있다. 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)와 정렬된 국소 섹션에 대한 추가 유체 배출 용량은 전체 유체 배출 용량에 대해 1분당 대략 0.5~1 리터일 수 있다.
도 6에 도시되어 있는 바와 같이 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)가 노치일 수 있지만, 다른 위치결정 형상부가 사용될 수 있고, 본 발명의 실시예는 그러한 위치결정 형상부에 인접하는 영역에서 갭으로부터 버블이 방출되는 가능성 및/또는 버블이 형성되는 가능성을 줄이도록 구성될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 노치를 대신하여 플랫(flat)(28)를 가질 수 있다.
도 7 및 8은 유체 배출 시스템의 구성을 도시하고 있다. 구체적으로, 도 7은 증가된 배출 용량을 가지는 갭의 국소 섹션에서의 유체 배출 시스템의 단면도를 도시한다. 도시된 구성에서, 기판(W)이 그 안에 장착되는 리세스(20)는 덮개판(30)을 관통하는 개구부로 형성되어 있다. 도 7은, 노치(notch) 또는 플랫(flat)과 같은 위치결정 형상부(25)가 증가된 유체 배출 용량의 국소 섹션에 인접하도록 기판(W)이 배치되어 있는 것을 보여준다. 따라서, 이 지점에서 상대적으로 큰 갭(26)이 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이에 존재한다.
이 유체 배출 시스템은, 갭(26) 내로 직접 개방되어 있는 개구부(31)에서 리세스(20)의 에지와 기판(W)의 에지 사이의 갭 내로 개방되는 하나 이상의 제1 덕트(32)를 포함한다. 따라서, 유체는 기판(W)의 아래를 지나지 않고 리세스(20)의 에지와 기판(W)의 에지 사이의 갭으로부터 배출된다.
편리한 구성으로서, 도 7에 도시된 바와 같이, 개구부(31)가 리세스(20)의 에지 내에 제공되어 배출된 유체가 기판(W)의 에지로부터 배출되어 버릴 수 있다. 일 구성에서, 개구부(31)는 리세스(20)을 둘러싸는 리세스(20)의 에지에 있는 슬릿(slit)과 같은 개구의 형태일 수 있고, 이것은 링 형상의 채널을 포함하는 제1 덕트(32)에 연결되어 유체 흐름이 이루어지도록 할 수 있다. 제1 덕트(32)는 일련의 통로(33)에 의해 저압 소스(under-pressure source) 또는 저압 소스에 연결된 또 다른 채널(34)에 연결될 수 있다.
일 구성에서, 리세스(20)의 에지에 형성되고 리세스(20)의 에지를 둘러싸는 개구부(31)는 가로질러서 대략 50㎛의 폭을 가질 수 있다. 도시된 바와 같이, 리세스(20)의 에지에 있는 개구부(31)에 인접하여, 리세스(20)의 에지는 경사 표면(20a)을 포함할 수 있다. 이것은 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭으로부터 버블이 올라가는 것을 막는 데에 도움이 될 수 있다.
기판(W)의 에지와 리세스(20) 사이의 갭으로부터 유체가 개구부(31)를 통해 배출되고 저압 소스로 보내진다. 배출된 유체는, 그 갭이 유체 핸들링 시스템 아래를 통과하지 않는 경우에는 가스일 수 있고, 유체 핸들링 시스템 아래를 갭이 통과하는 경우에는 액침 유체일 수 있으며, 또는 예컨대 하나 이상의 버블이 흡수되어 있는 액침 유체와 같이 두 개의 조합일 수 있다.
기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 국소 섹션에서, 즉 기판(W)이 적절하게 위치되어 있을 때 기판(W)의 위치결정 형상부(25)와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26)에서는, 배출 시스템은 또 다른 개구부(40)을 포함하는데, 이 개구부(40)는 제2 덕트(42)에 연결되어, 본 발명의 실시예로서, 이 지점에서 추가의 배출 용량을 제공한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 덕트(42)는 제1 덕트(32)와 동일한 저압 소스 또는 채널(34)에 연결될 수 있다. 또한, 제어 밸브(43)가 제2 덕트(42)에 제공되어 제2 덕트(42)를 통한 유체 흐름을 제어할 수 있다.
예컨대, 제어 밸브(43)는, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방된 제2 덕트(42)의 개구부(40)에 인접하여 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부가 위치하지 않을 때는 잠궈진다. 이러한 구성에서, 블리드 라인(bleed line)(44)이 제어 밸브(43)를 바이패스하도록 제공될 수 있다. 이러한 블리드 라인은, 제어 밸브(43)가 잠겨있을 때에도 제2 덕트(42)를 통해 일정한 소량의 유체 흐름이 이루어져, 예컨대 제2 덕트(42) 내에서 제어 밸브(43)의 상류에 액체가 포획되어 잔류하지 않도록 확실히 할 수 있다.
다른 구성으로서 또는 추가 구성으로서, 제어 밸브(43)는, 위치결정 형상부(25)를 포함하지 않는 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭에 대한, 위치결정 형상부(25)에서의 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭에서의 유체 배출 용량의 증가를 조정하기 위해 사용될 수 있다.
유체가 기판(W) 아래를 통과하는 것이 바람직하지 않다는 것은 이해할 것이다. 구체적으로, 액침 유체가 기판(W) 아래를 통과하는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 따라서, 상술한 바와 같이, 유체 배출 시스템은, 배출되는 유체가 기판(W) 아래를 통과하지 않도록 하여 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성될 수 있다. 또한, 기판(W)을 지지하는 지지 영역(24)의 에지에, 밀봉(50)이 제공되어 기판(W)의 에지 및 리세스(20)의 에지 사이의 갭으로부터 유체가 기판(W)의 표면 아래를 따라 통과하여 흐르는 것을 방지하거나 흐름을 감소시킨다. 밀봉(50)의 일부로서, 또는 밀봉(50)에 더하여, 하나 이상의 개구부(51)가 유체의 배출을 위해 제공될 수 있다. 하나 이상의 개구부(51)는 리세스(20)의 주변에 또는 주변 가까이에 위치할 수 있다. 하나 이상의 개구부(51)는, 동작 중에 기판(W)에 의해 덮히도록 배치되어 유체가 동작 중에 기판의 아래로부터 제거되도록 할 수 있다. 이로써 기판 아래를 지나는 어떠한 유체도 배출되게 된다.
도 8은 도 7에서 도시된 구성의 평면도를 나타낸 것이다. 도 7 및 8로부터 명백한 바와 같이, 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26)에서의 제2 덕트(42)의 개구부(40)는 실질적으로, 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭과 동일한 크기일 수 있다.
이러한 구성은 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 내에서 형성되는 버블이 제2 덕트(42)를 통해 배출되는 것을 확실히 하는 데에 도움이 된다. 따라서, 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방된 제2 덕트(42)의 개구부(40)는 예컨대, 1.5mm까지 될 수 있다. 일 구성에서, 해당 개구부는 가로질러서 대략 1.2mm일 수 있다.
기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(21)의 국소 섹션에서의, 즉 기판(W)의 위치결정 형상부(25)가 배치되어 있는 곳에서의 증가된 배출 용량은, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(21)의 나머지 부분으로부터 유체를 배출하기 위해 사용되는 제1 덕트(32)에 연결된 개구부(31)보다 더 큰 개구부(40)를 가진 제2 덕트(42)를 사용함으로써 제공될 수 있다. 구체적으로는, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26)에서의 제2 덕트(42)의 개구부(40)의 가장 작은 단면 치수가, 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭(21)에서의 제1 덕트(32)의 개구부(31)의 가장 작은 단면 치수보다 더 크다는 것을 알 수 있을 것이다.
도 7 및 8에 도시된 바와 같이, 제2 덕트(42)는, 제2 덕트(42)의 단면이 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭 내로 상기 제2 덕트가 개방된 지점으로부터 개구부(40)의 하류 지점(41)으로 갈수록 감소한다. 이러한 단면 영역의 감소는 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방된 개구부(40)가 충분히 커서, 제2 덕트(42)를 따라 압력이 과잉으로 떨어지지 않으면서, 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 전체에 걸쳐 유체가 배출되는 것을 보장할 수 있게 된다. 이것은, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 덕트(42)가 제1 덕트(32)와 동일한 저압 소스 또는 채널(34)에 연결되었을 때 더욱 확연하다. 만일 제2 덕트(42)가 그 길이 방향을 따라 단면이 너무 크다면, 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭(21) 전체로부터의 제1 덕트(32)를 통한 유체의 배출은 현저하게 감소하게 될 것이다. 결국, 이로 인해 위치결정 형상부(25)로부터 멀리 있는 위치에서는 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭으로부터 버블이 방출되는 결과로 될 수 있다.
도 7 및 8에 도시된 바와 같이, 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭(26)에서의 개구부(40)와 제2 지점(41) 사이의 제2 덕트(42)는, 꼭지가 잘린 원뿔 형상으로 될 수 있는데, 다시 말해 단면에서 직선 에지(45)를 가질 수 있다. 그러나, 다른 형상의 제2 덕트(42)가 사용될 수 있음은 물론디ㅏ. 예컨대, 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방된 개구부(40)와 제2 지점(41) 간의 제2 덕트(42)는 트럼펫 형상일 수 있는데, 다시 말해 도 9에서와 같이 단면에서 곡선 에지(46)를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유체 배출 시스템은 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭으로부터 증가된 유체 배출을 제공한다. 따라서, 기판(W)이 기판 테이블(WT)에 장착된 때, 해당 기판은 노치나 플랫과 같은 위치결정 형상부(25)가 증가된 유체 배출 용량을 가진 국소 섹션과 정렬되도록 방향이 조정되고, 이로써 위치결정 형상부(25)의 영역에 있는 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭에서 버블이 형성될 가능성을 감소시키거나 최소화할 수 있다.
여기서 기술된 유체 배출 시스템의 구성에서, 기판이 하나 이상의 위치로 맞추어질 수 있도록 중가된 유체 배출 용량을 가진 추가의 국소 섹션을 제공할 수 있다. 예컨대, 증가된 유체 배출 용량을 가진 두 개의 국소 섹션이 제공되면, 기판(W)은 기판 테이블(WT) 상에서 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)가 증가된 유체 배출 용량을 가진 두 개의 국소 섹션 중 어느 하나와 정렬되도록 방향이 조정될 수 있다.
증가된 유체 배출 용량을 가진 국소 섹션의 수를 증가시킴으로써, 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)가 증가된 유체 배출 용량을 가진 국소 섹션과 정렬될 수 있는, 기판 테이블(WT) 상에서의 기판(W)의 가능한 방향의 수를 증가시킬 수 있다.
도 10은 증가된 유체 배출 용량의 두 개의 국소 섹션을 가진 유체 배출 시스템을 가진 기판 테이블(WT)의 일부의 구체적인 구성을 평면도로 도시한 것이다. 구체적으로, 도 10에 소디된 구성에서는, , 도 7 및 8에서 도시된 것과 같은, 두 개의 제2 덕트가 제공되어 있고, 각각의 개구부(55, 56)에서 기판(W)의 에지와 리스세(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방되도록 구성되어 있다. 보다 알기 쉽도록, 기판(W)은 점선으로 표시되어 있다. 알 수 있는 바와 같이, 기판(W)은, 기판(W)의 위치결정 형상부(25)를 개구부(55, 56) 중 하나에 정렬할 때, 둘 중 하나의 방향으로 맞추어 지면 된다. 일 실시예에서, 개구부(55, 56)의 하나만이 증가된 유체 배출을 제공한다. 예컨대, 하나의 개구부는 증가된 유체 배출을 제공하고 다른 하나는 그렇지 않다.
또 다른 예시적인 구성에서, 그러한 개구부 4개를, 증가된 유체 배출 용량을 가진 유체 배출 시스템의 섹션에 대응하여 제공하고, 나아가 기판(W)을 수용하는 리세스(20)의 주변을 따라서 떨어져 있을 수 있다.
상술한 바와 같이, 추가의 유체 배출 용량을 제공하기 위해 사용된 추가의 개구부와 연결된 각 덕트는 제어 밸브를 포함할 수 있다. 따라서, 기판 테이블(WT) 위에 지지된 기판(W)의 에지 상의 위치결정 형상부(25)와 정렬되지 않는 개구부와 연결된 제어 밸브는 불필요한 추가 유체 배출을 방지하기 위해 잠궈질 수 있다.
또한 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에비 사이의 갭(26) 내로 개방된 제2 덕트(42)의 개구부에 대해 상술한 구성과 다른 구성이 사용될 수 있음은 물론이다. 구체적으로는, 갭(26) 내로 개방된 개구부(40)는 기판(W)의 에지 상에 제공될 것으로 예상되는 위치결정 형상부(25)와 동일한 크기로 구성될 수 있다. 다른 구성도 가능하다. 구체적으로는, 예컨대, 기판 테이블(WT) 상의 기판(W)의 배치 또는 위치결정 형상부(25)의 크기에 약간의 변화가 있더라도 실질적으로 모든 위치결정 형상부(25)가 개구부(40)의 일부와 정렬되도록, 개구부(40)는 위치결정 형상부(25)보다 더 크게 형성될 수 있다.
대체 구성으로서 또는 추가 구성으로서, 도 7 및 8에 도시된 개구부(40)는 실질적으로 원형이지만, 이것이 항상 적합한 것은 아님은 명백한다. 예컨대, 다른 개구부 형상, 예컨대 슬롯과 같은 것이 제공될 수 있다. 마찬가지로, 복수의 더 작은 개구부가 서로 인접하여 제공되어 함께 기판의 위치결정 형상부와 정렬될 수 있다.
또한, 다른 구성에서는, 단일의 개구부가, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 국소 섹션 내에서 증가된 유체 배출 용량을 제공하기 위해 사용되는 복수의 제2 덕트에 연결될 수 있다. 그러한 구성의 일례가 도 11 및 12에 도시되어 있다. 구체적으로는, 도시된 바와 같이, 예컨대 기판(W)의 에지에 제공될 것으로 예상되는 위치결정 형상부가 플랫(flat)(28)인 경우, 그러한 구성이 사용될 수 있다. 이 구성에서, 도 11의 평면도, 그리고 도 12의, 기판(W)으로부터 리세스(20)를 향해 바라보는 측면도에서 나타나 있는 바와 같이, 개구부(61)는, 플랫(28)이 위치한, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(62)의 섹션에 대응하도록 제공된다. 복수의 제2 덕트(63)가 개구부(61)을 저압 소스에, 예컨대 도 7 및 8과 관련하여 상술한 방식으로, 연결하도록 제공된다.
본 발명의 실시예에 따른 유체 배출 시스템은 국소 영역에서 증가된 유체 배출 용량을 제공하기 위한 하나 이상의 구성을 포함할 수 있음은 물론이다. 예컨대, 도 7 및 8에 도시된 구성(또는 그 변형)이 기판 테이블(WT)의 일측에 제공되고 도 11 및 12에 도시된 구성(또는 그 변형)이 기판 테이블(WT)의 다른 측에 제공될 수 있다. 이것은, 위치결정 형상부가 증가된 유체 배출 용량을 제공하는 유체 배출 시스템의 적절한 섹션과 정렬되도록 기판(W)을 적절히 방향 조정함으로써, 상이한 위치결정 형상부를 가진 기판을 하나의 기판 테이블에서 사용할 수 있도록 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유체 배출 시스템은 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 전체 둘레 및 국소 섹션에서 유체 배출을 제공하는 제1 및 제2 덕트(32, 42)에 연결된 배출구(31, 40)가 각각 공통의 저압 소스 또는 저압 소스에 연결되는 공통의 채널(34)에 연결될 수 있다.
다른 대체 구성에서, 위치결정 형상부(25)가 있는, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 내로 개방된 제2 덕트(42)가, 도 13에 도시된 바와 같이, 별도의 저압 소스 또는 별도의 저압 소스에 연결되는 채널(70)에 연결된다.
상술한 바와 같이, 복수의 제2 덕트(42)가 제공된다면, 이들 제2 덕트(42) 중 일부 또는 모두가 공통의 저압 소스를 공유하거나 또는 저압 소스에 연결되는 공통의 채널(70)에 연결될 수 있다. 그러나, 제2 덕트(42) 모두 또는 어느 것이든 전용의 저압 소스를 가질 수 있음은 물론이다.
도한, 복수의 제2 덕트(42)를 가지는 구성에서, 일부는 제1 덕트(32)와 동일한 저압 소스 또는 저압 소스에 연결된 채널에 연결되고 다른 일부는 하나 이상의 별도의 저압 소스에 연결될 수 있다. 상기한 어떠한 구성에서든, 하나 이상의 제2 덕트(42)가 제어 밸브(43)를 포함할 수 있고, 또 위에서 설명한 것과 같은 방식으로 블리드 라인(44)을 또한 포함할 수 있다.
도 14 내지 20은 본 발명의 실시예에 따른 유체 배출 시스템의 또 다른 구성을 나타낸다. 이들 구성에서, 유체 배출 시스템은 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 국소 섹션에, 상술한 바와 같이 도 7 내지 13에 도시된 구성과 같은 추가의 개구부를 제공하는 대신 확장된 개구부를 제공함으로써 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 나머지 섹션보다 더 높은 유체 배출 용량을 제공하도록 구성된다.
구체적으로, 도 14 및 15는, 덕트(32)가 리세스(20)의 주변으로 연장되어 있는 개구부(31)에 의해 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방되어 있는 구성을 보여준다. 덕트(32)는, 상술한 것과 마찬가지의 방식으로, 갭으로부터 유체를 배출하기 위해 저압 소스 또는 저압 소스에 연결된 채널(34)에 연결된다. 기판 테이블(WT) 상에 적절하게 위치되었을 때 기판(W)의 위치결정 형상부(25)의 위치에 대응하는 국소 영역에서, 덕트(32)로의 개구부가 확장되어 확장된 개구부(75)를 제공한다.
도 14는 확장된 개구부(75)를 통해 덕트(32)에 연결되는 유체 배출 시스템의 단면을 도시하고 있고, 도 15는 기판(W)으로부터 본 확장된 개구부(75)의 정면을 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 위치결정 형상부(25)의 위치에 대응하는, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 국소 섹션에서의 확장된 개구부(75)의 폭은 개구부의 다른 부분을 따라 개구부(31)의 폭보다 더 크다. 따라서, 유체 흐름에 대한 저항이 이 지점에서 낮아지고, 결과적으로 갭의 이 국소 섹션에서 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭으로부터의 유체 흐름이 더 커진다.
도 14에 도시된 바와 같이, 확장된 개구부(75)가, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭 내로 개방되는 지점으로부터 리세스(20)의 에지 내로 연장되는 실질적으로 일정한 단면적을 가질 수 있지만, 이것은 경우에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 도 16에 도시된 바와 같이, 개구부(76)의 단면적은 그것이 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 내로 개방하는 지점으로부터 리세스(20)의 에지 안으로 갈수록 감소한다.
마찬가지로, 도 14 내지 16에 도시된 구성이 리세스(20)의 에지 내에 확장된 개구부를 제공함으로써 제공되는 확장된 유체 배출 용량을 제공하는 국소 영역에서의 확장된 개구부를 보여주지만, 이 확장된 개구부는, 측면도의 도 17 및 평면도의 도 18에 도시된 바와 같이, 기판 테이블(WT)의 표면에 추가 리세스(80)를 제공함으로써 대체하여 또는 추가하여 제공될 수 있다. 구체적으로는, 추가 리세스(80)는, 기판 테이블(WT) 위에 지지될 때 기판(W)의 위치결정 형상부(25)와 정렬되도록 위치되고, 예컨대 위치결정 형상부(25)가 있는 기판(W)의 에지에 인접하는 위치로부터 리세스(20)의 에지 앞으로 연장한다. 따라서, 기판(W)의 위치결정 형상부(25)의 영역에서, 리세스(20)의 에지에서 추가 리세스(80) 및 개구부(31)가 결합하여 상술한 바와 동일한 효과를 가진 확장된 개구부를 형성한다.
도 19 및 20에 도시된 바와 같이, 도 17 및 18에 도시된 구성은, 기판(W)의 위치결정 형상부(25)에 인접한 리세스(20)의 에지에서의 확장된 개구부의 단면적이, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭(26) 내로 개방되는 지점으로부터 리세스(20)의 에지 안으로 갈수록 감소하는 형태로 변형될 수 있다. 그러한 구성은, 측면도의 도 19 및 평면도의 도 20에 도시된 바와 같이, 추가 리세스가 리세스(20)의 에지 안으로 갈수록 더 얕아지도록 하여 얻을 수도 있다.
기판(W)의 위치결정 형상부(25)의 영역에 있는 확장된 개구부는, 리세스(20)의 에지에서의 개구부가 국소 섹션에서 확장되는 도 14 내지 16에 도시된 것과 같은 구성 중 하나 및 추가 리세스를 제공하는 도 17 내지 20에 도시된 구성 중 하나의 조합에 의해 제공될 수 있다.
도 7 내지 13과 관련하여 위에서 설명한 유체 배출 시스템을 가지고, 도 14 내지 20에 도시된 유체 배출 시스템을, 기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 하나 이상의 국소 섹션에 증가된 유체 배출 용량을 제공하도록 구성할 수 있다.
기판(W)의 에지와 리세스(20)의 에지 사이의 갭의 하나 이상의 국소 섹션에 증가된 유체 배출 용량을 제공하는 유체 배출 시스템은 그러한 섹션 모두에 대해 동일한 구조를 가질 필요는 없다는 것을 알아야 한다. 따라서, 갭의 국소 섹션에 증가된 유체 배출 용량을 제공하는 상술한 구성 중 임의의 둘 이상이 하나의 장치에 대해 갭의 서로 다른 섹션에 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 액침 리소그래피 장치용 기판 테이블로서, 주어진 사이즈의 기판을 수용하도록 구성된 리세스로서 기판의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과 기판이 이 지지 영역에 장착된 때 기판의 에지에 인접하도록 구성된 에지를 가지는 리세스, 그리고 기판의 아래로 유체가 실질적으로 통과하지 않으면서 리세스의 이제 및 기판의 이제 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템을 포함하며, 유체 배출 시스템은, 액체가 없는 경우에, 주어진 길이를 가진 갭의 국소 센션으로부터 배출된 유체의 유량이 동일한 길이를 가진 갭의 다른 섹션으로부터 배출된 유체의 유량보다 크도록 구성되어 있는, 기판 테이블을 제공한다.
유체 배출 시스템은, 갭 내로 개방되는 하나 이상의 제1 덕트로서 기판의 실질적으로 전체 둘레에 있는 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되는 제1 덕트를 포함할 수 있고, 유체 배출 시스템은, 갭 내로 개방되는 적어도 하나의 제2 덕트로서 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성된 제2 덕트를 포함할 수 있다.
갭 내로 덕트가 개방되는 지점에서 하나 이상의 제1 덕트의 단면의 최소 치수를 제2 덕트의 단면의 최소 치수보다 더 작게 할 수 있다.
일 실시예에서, 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서, 주어진 크기의 기판을 수용하도록 구성되고 기판의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과 지지 영역에 기판이 지지된 때 기판의 에지에 인접하도록 구성된 에지를 가지는 리세스와, 기판의 아래로 유체가 실질적으로 지나지 않으면서 리세스의 에지 및 기판의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템을 포함하는 기판 테이블을 제공한다. 여기서, 유체 배출 시스템은 갭 내로 개방되어 기판의 실질적으로 전체 둘레의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 하나 이상의 제1 덕트를 포함하고, 또 유체 배출 시스템은 갭 내로 개방되고 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성된 적어도 하나의 제2 덕트를 포함하며, 덕트가 갭 내로 개방되는 지점에서 하나 이상의 제1 덕트의 단면의 최소 치수가 제2 덕트의 단면의 최소 치수보다 더 작다.
하나 이상의 제1 덕트는 리세스의 에지에서의 하나 이상의 개구부에 의해 갭 내로 개방될 수 있다.
하나 이상의 제1 덕트는 리세스를 둘러싸는 리세스의 에지에서의 개구부로 연결되어 유체 흐름이 이루어지도록 될 수 있다.
적어도 하나의 제2 덕트는, 지지 영역과 리세스의 에지 사이의 기판 테이블의 표면에 형성된 대응하는 개구부에 의해 갭 내로 개방될 수 있다.
적어도 하나의 제2 덕트는, 제2 덕트를 통한 유체의 흐름을 제어하도록 구성된 제어 밸브를 포함할 수 있다.
적어도 하나의 제2 덕트는, 제어 밸브를 바이패스하는 블리드 라인을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 덕트는 공통의 저압 소스에 연결될 수 있다.
하나 이상의 제1 덕트는 제1 저압 소스에 연결되고 적어도 하나의 제2 덕트는 제2 저압 소스에 연결될 수 있다.
제2 덕트는, 제2 덕트가 갭 내로 개방되는 지점으로부터 제2 덕트가 갭 내로 개방되는 지점으로부터 하류에 있는 제2 덕트의 제2 지점으로 가면서 그 단면이 작아지도록 되어도 좋다.
제2 덕트가 갭 내로 개방되는 지점으로부터 제2 지점으로 갈수록 제2 덕트의 형상은 꼭지가 잘린 원뿔형 및 트럼펫 형상 중 하나일 수 있다.
유체 배출 시스템은 적어도 두 개의 제2 덕트를 포함해도 좋으며, 이들 제2 덕트는 서로 이격되도록 설정되어 있는 각각의 개구부에서 갭 내로 개방된다.
유체 배출 시스템은 적어도 두 개의 제2 덕트를 포함해도 되고, 둘 이상의 제2 덕트는 공통의 개구부에서 갭 내로 개방될 수 있다.
기판 테이블은, 기판이 지지 영역에 의해 지지된 때, 기판의 위치결정 형상부가 리세스의 에지와 기판의 에지 사이의 갭 내로 개방된 제2 덕트의 개구부와 정렬되어 유체가 기판의 위치결정 형상부와 리세스의 에지 사이의 공간으로부터 직접 제2 덕트 내로 배출되도록, 위치결정 형상부를 가진 기판을 지지하도록 구성될 수 있다.
기판 테이블은 기판의 에지에 노치, 플랫, 또는 홈(indentation) 중 하나인 위치결정 형상부를 가지는 기판을 지지하도록 구성될 수 있다.
유체 배출 시스템은, 갭 내로 개방되고 기판의 실질적으로 전체 둘레에서 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 하나 이상의 덕트를 포함할 수 있는데, 이들 하나 이상의 덕트는 리세스를 둘러싸는 리세스의 에지에 있는 개구부에 연결되어 유체 흐름이 이루어지도록 되고, 개구부의 폭은 갭의 국소 섹션에서 개구부의 나머지 부분에서의 개구부의 폭보다 더 크게 되어 있을 수 있다.
국소 섹션에서, 리세스의 에지에 개통된 개구부는 개구부의 나머지 부분보다 그 폭을 더 크게 하여 확장될 수 있다.
국소 섹션에서, 기판 테이블에 추가 리세스를 형성하여, 리세스의 에지에 있는 개구부의 일부분과 접하도록 하여 추가 리세스와 리세스가 결합되어 리세스만 있는 곳의 개구부의 폭보다 더 큰 폭을 가진 개구부를 형성하도록 구성할 수 있다.
유체 배출 시스템은, 개구부의 폭이 갭의 나머지 부분보다 더 커서 주어진 길이에서 배출되는 유체의 유량이 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유량보다 더 큰 갭의 국소 섹션이 적어도 두 개 구비되어 있을 수 있다.
일 실시예에서, 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서, 기판의 에지와 리세스의 에지 사이에 갭이 형성되도록 위치결정 형상부를 가진 기판을 수용하도록 구성된 리세스, 그리고 유체의 통로로서 형성된 개구부를 포함하고, 이 개구부는, 기판이 리세스에 수용된 때 그 개구부가 적어도 부분적으로 기판에 의해 덮이고 기판의 위치결정 형상부와 정렬되도록 기판 테이블에 배치되어 있는, 기판 테이블이 제공된다.
일 실시예에서, 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서, 갭이 기판의 에지와 리세스의 에지 사이에 형성되도록 위치결정 형상부를 가진 기판을 수용하도록 구성된 리세스, 그리고 기판 테이블에 제공되어 기판의 에지와 리세스의 에지 사이의 갭에 위치하도록 배치된 개구부를 포함하고, 개구부의 단면 치수가 실질적으로 기판의 위치결정 형상부의 길이인, 기판 테이블이 제공된다.
일 실시에에서, 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서, 기판을 수용하도록 구성된 리세스, 리세스가 위치결정 형상부를 가진 기판을 수용한 때 개구부가 그 위치결정 형상부와 정렬되어 대응하여 유체가 위치결정 형상부가 있는 기판과 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 개구부를 통해 직접 배출되도록 구성된, 기판 테이블의 개구부를 포함하는 기판 테이블이 제공된다.
상술한 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블에서, 지지 영역은 하나 이상의 지지 포인트 및 밀봉을 포함할 수 있다. 이 지지 포인트는 기판의 하부 표면 부분을 지지하도록 구성되고, 밀봉은 지지 영역에 의해 지지된 기판의 에지에 위치되어 액체가 기판 아래로 들어오는 것을 억제하도록 구성되어 있으며, 이 밀봉은 기판 아래의, 기판의 에지에 인접하는 공간으로부터 유체를 배출하도록 구성된 제2 유체 배출 시스템을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상술한 기판 테이블을 포함하는 액침 리소그래피 장치가 제공된다.
일 실시예에서, 디바이스 제조 방법으로서, 기판에 인접하는 공간에 제공된 유체를 통해 기판 상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계와-여기서 기판은 기판 테이블의 리세스에 지지됨-, 유체 배출 시스템을 사용하여 기판의 에지와 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 단계를 포함하는 방법이 제공되며, 이 유체 배출 시스템은 기판 아래로 유체가 실질적으로 유입되지 않으면서 갭으로부터 유체를 배출하고, 액체가 없는 경우에 주어진 길이를 가진, 갭의 국소 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량이 동일한 길이를 가진, 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 구성되어 있다.
일 실시예에서, 디바이스 제조 방법으로서, 기판에 인접하는 공간에 제공된 유체를 통해 기판 상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계와-여기서 기판은 기판 테이블 상의 리세스 내에 지지됨-, 유체 배출 시스템을 사용하여 기판의 에지와 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 단계를 포함하는 방법이 제공되며, 이 유체 배출 시스템은 기판 아래오 유체가 실질적으로 유입되는 일 없이 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된다. 이 유체 배출 시스템은, 갭 내로 개방되고 기판의 실질적으로 전체 둘레에서 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 하나 이상의 제1 덕트와, 갭 내로 개방되고 갭의 국소 섹션에서 유체를 배출하도록 구성된 적어도 하나의 제2 덕트를 포함하고, 덕트가 갭 내로 개방되는 지점에서 하나 이상의 제1 덕트의 단면의 최소 치수는 제2 덕트의 단면의 최소 치수보다 더 작다.
본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이, 마이크로 크기, 또는 심지어는 나노크기의 부품이나 형상을 만드는 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 문맥이 허용하는 곳에서의 "렌즈"라는 용어는 굴절성 및 반사성 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 상기 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다. 또한, 기계 판독 가능한 명령어들은 2개 이상의 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수도 있으며, 이들 2개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.
본 명세서에 설명된 컨트롤러는, 하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 리소그래피 장치의 적어도 하나의 구성요소 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독될 때에, 각각 또는 조합하여 동작할 수도 있다. 컨트롤러는 각각 또는 조합하여 신호를 수신, 처리 및 전송하기에 적합한 구성을 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서가 하나 이상의 컨트롤러와 통신하도록 구성된다. 예컨대, 각각의 컨트롤러는 전술한 방법을 위한 기계 판독 가능한 명령어를 포함하는 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위한 하나 이상의 프로세서를 포함할 수도 있다. 컨트롤러는 이러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체 및/또는 이러한 저장 매체를 수용하기 위한 하드웨어를 포함할 수도 있다. 따라서, 컨트롤러는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독 가능한 명령어에 따라 동작할 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시예는 어떠한 액침 리소그래피 장치에도 적용될 수 있으며, 구체적으로는 전술한 유형의 액침 리소그래피 장치 및 액침액이 기판의 국소 표면 영역에만 수조의 형태 내에 제공되거나 또는 제한되지 않는 것에 상관없이 적용될 수 있다. 액침액이 제한되지 않는 구성에서, 액침액은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면 위에 흘러, 실질적으로 기판 테이블 및/또는 기판의 전체 노출 표면이 습윤 상태로 되도록 할 것이다. 이러한 액침 유체가 제한되지 않는 시스템에서, 액체 공급 시스템은 액침액을 제한하지 않을 수도 있고, 또는 일정한 비율의 액침액 제한을 제공하지만 실질적으로는 완전한 액침액 제한을 제공하지는 않을 수도 있다.
본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 특정의 실시예에서, 액체를 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 제공하는 구조의 조합 또는 메카니즘이 있을 것이다. 이러한 구조의 조합 또는 메카니즘은 하나 이상의 구조, 하나 이상의 액체 개구부를 포함한 하나 이상의 유체 개구부, 하나 이상의 가스 개구부, 또는 2개 상태의 흐름을 위한 하나 이상의 개구부의 조합을 포함할 수도 있다. 이러한 개구부들은 각각 액침 공간 내로의 유입구(또는 유체 핸들링 구조로부터의 배출구) 또는 액침 공간 외부로의 배출구(또는 유체 핸들링 구조 내로의 유입구)가 될 수 있다. 하나의 구현예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분이 될 수도 있고, 또는 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수도 있고, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 둘러쌀 수도 있다. 액체 공급 시스템은 액체의 위치, 양, 품질, 형상, 유량 또는 어떠한 다른 특징을 제어하기 위해 하나 이상의 요소를 옵션으로 포함할 수도 있다.
전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 하기 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (24)

  1. 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블로서,
    소정 크기의 기판을 수용하도록 구성된 리세스와;
    상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템
    을 포함하고,
    상기 리세스는, 기판의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과, 기판이 상기 지지 영역에 의해 지지될 때 기판의 에지에 인접하도록 구성된 에지를 가지며,
    상기 유체 배출 시스템은, 액체가 없는 경우에, 소정 길이를 가진 상기 갭의 국소 섹션(localized section)으로부터 배출되는 유체의 유량이 상기 국소 섹션과 동일한 길이를 가진 상기 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 구성되어 있는,
    기판 테이블.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유체 배출 시스템은 상기 갭 내로 개방된 제1 덕트와 상기 갭 내로 개방된 제2 덕트를 포함하고,
    상기 제1 덕트는 상기 기판의 실질적으로 전체 둘레에서의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되고, 상기 제2 덕트는 상기 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성되어 있는, 기판 테이블.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 덕트 및 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점에서, 상기 제1 덕트의 단면의 치수가 상기 제2 덕트의 단면의 치수보다 더 작은, 기판 테이블.
  4. 액침 리소그래피 장치용의 기판 테이블에 있어서,
    소정 크기의 기판을 수용하도록 구성된 리세스와;
    상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성된 유체 배출 시스템
    을 포함하고,
    상기 리세스는, 기판의 하부 표면을 지지하는 지지 영역과, 상기 지지 영역에 의해 기판이 지지된 때 기판의 에지에 인접하도록 구성된 에지를 가지며,
    상기 유체 배출 시스템은 상기 갭 내로 개방되는 제1 덕트와 상기 갭 내로 개방되는 제2 덕트를 포함하고, 상기 제1 덕트는 상기 기판의 실질적으로 전체 둘레에서의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되고, 상기 제2 덕트는 상기 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성되며,
    상기 제1 덕트 및 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점에서, 상기 제1 덕트의 단면의 치수가 상기 제2 덕트의 단면의 치수보다 더 작은,
    기판 테이블.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 덕트는 상기 리세스의 에지에 있는 개구부에 의해 상기 갭 내로 개방되는, 기판 테이블.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 덕트는, 유체 흐름을 위해, 상기 리세스를 둘러싸는 상기 리세스의 에지에 있는 개구부에 연결되어 있는, 기판 테이블.
  7. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 덕트는, 상기 리세스의 상기 지지 영역과 상기 리세스의 상기 에지 사이에서 상기 기판 테이블의 표면에 형성된 개구부(40)에 의해 상기 갭 내로 개방되는, 기판 테이블.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제7항에 있어서,
    상기 제2 덕트는, 상기 제2 덕트를 통한 유체의 흐름을 제어하도록 구성된 제어 밸브를 포함하는, 기판 테이블.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서,
    상기 제2 덕트는, 상기 제어 밸브를 바이패스하는 블리드 라인을 포함하는, 기판 테이블.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제7항에 있어서,
    상기 제1 덕트 및 상기 제2 덕트는 공통의 저압 소스(under-pressure source)에 연결되어 있는, 기판 테이블.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제7항에 있어서,
    상기 제1 덕트는 제1 저압 소스에 연결되어 있고, 상기 제2 덕트는 제2 저압 소스에 연결되어 있는, 기판 테이블.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 덕트는, 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점으로부터 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점의 하류에 있는 상기 제2 덕트 내의 제2 지점으로 갈수록 단면이 작아지는, 기판 테이블.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제12항에 있어서,
    상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점으로부터 상기 제2 지점까지의 상기 제2 덕트의 형상이 꼭지가 잘려진 원뿔 형상 또는 트럼펫 형상인, 기판 테이블.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유체 배출 시스템은 상기 제2 덕트를 둘 이상 포함하고, 상기 둘 이상의 제2 덕트는 서로 이격되어 있는 각각의 개구부에서 상기 갭 내로 개방되는, 기판 테이블.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유체 배출 시스템은 상기 제2 덕트를 둘 이상 포함하고, 상기 둘 이상의 제2 덕트는 공통의 개구부에서 상기 갭 내로 개방되는, 기판 테이블.
  16. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은, 위치결정 형상부를 가진 기판을 지지하도록 구성되되, 상기 기판이 상기 지지 영역에 의해 지지된 때, 상기 기판의 위치결정 형상부와 상기 리세스의 에지 사이의 공간으로부터 직접 상기 제2 덕트로 유체가 배출되도록, 상기 위치결정 형상부가 상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭 내로 개방된 상기 제2 덕트의 개구부와 정렬되도록 상기 기판을 지지하도록 구성되는, 기판 테이블.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 기판 테이블은, 상기 기판의 에지에 형성된 노치, 플랫(flat) 또는 홈(indentation)인 위치결정 형상부를 가지는 기판을 지지하도록 구성되어 있는, 기판 테이블.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 유체 배출 시스템은 상기 갭 내로 개방되는 덕트를 가지며,
    상기 덕트는 상기 기판의 실질적으로 전체 둘레에서의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되고,
    상기 덕트는, 유체 흐름을 위해, 상기 리세스를 둘러싸는 리세스의 에지에 있는 개구부에 연결되며,
    상기 갭의 국소 섹션에서의 상기 개구부의 폭이 상기 개구부의 나머지 부분에서의 개구부의 폭보다 더 큰, 기판 테이블.
  19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제18항에 있어서,
    상기 국소 섹션에서, 상기 리세스의 에지에 개통된 개구부가 상기 개구부의 나머지 부분보다 그 폭이 더 크게 되도록 확장되어 있는, 기판 테이블.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 국소 섹션에서 상기 기판 테이블에 추가 리세스가 형성되고, 상기 추가 리세스는, 상기 리세스 및 상기 추가 리세스가 결합하여 상기 리세스만 있는 곳에서의 개구부의 폭보다 더 큰 폭을 가진 개구부를 형성하도록, 상기 리세스의 에지에 있는 개구부의 일부분과 접하도록 구성되어 있는, 기판 테이블.
  21. 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유체 배출 시스템은, 상기 갭의 국소 섹션을 둘 이상 구비하고, 상기 국소 섹션에서는 소정 길이에서 배출되는 유체의 유량이 상기 갭의 다른 섹션에서 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 상기 개구부의 폭이 상기 갭의 나머지 부분보다 크게 되어 있는, 기판 테이블.
  22. 제1항 내지 제4항, 또는 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 기판 테이블을 포함하는 액침 리소그래피 장치.
  23. 디바이스 제조 방법으로서,
    기판에 인접하는 공간 내에 제공된 유체를 통해 상기 기판 상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계-여기서, 상기 기판은 기판 테이블 상의 리세스 내에 지지되어 있음-; 및
    상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 단계로서, 액체가 없는 경우에, 소정 길이를 가진 상기 갭의 국소 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량이 상기 국소 섹션과 동일한 길이를 가진 상기 갭의 다른 섹션으로부터 배출되는 유체의 유량보다 더 크게 되도록 하여 상기 유체를 배출하는 단계
    를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  24. 디바이스 제조 방법으로서,
    기판에 인접하는 공간 내에 제공된 유체를 통해 상기 기판 상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계-여기서, 상기 기판은 기판 테이블 상의 리세스 내에 지지되어 있음-; 및
    유체 배출 시스템을 사용하여 상기 기판의 에지와 상기 리세스의 에지 사이의 갭으로부터 유체를 배출하는 단계
    를 포함하고,
    상기 유체 배출 시스템은 상기 갭 내로 개방되는 제1 덕트와 상기 갭 내로 개방되는 제2 덕트를 포함하고,
    상기 제1 덕트는 상기 기판의 실질적으로 전체 둘레에서의 갭으로부터 유체를 배출하도록 구성되고, 상기 제2 덕트는 상기 갭의 국소 섹션으로부터 유체를 배출하도록 구성되며,
    상기 제1 덕트 및 상기 제2 덕트가 상기 갭 내로 개방되는 지점에서, 상기 제1 덕트의 단면의 치수가 상기 제2 덕트의 단면의 치수보다 더 작은,
    디바이스 제조 방법.
KR1020100022399A 2009-03-13 2010-03-12 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법 KR101120612B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16015109P 2009-03-13 2009-03-13
US61/160,151 2009-03-13
US16835909P 2009-04-10 2009-04-10
US61/168,359 2009-04-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100103425A KR20100103425A (ko) 2010-09-27
KR101120612B1 true KR101120612B1 (ko) 2012-03-20

Family

ID=42717362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100022399A KR101120612B1 (ko) 2009-03-13 2010-03-12 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (5) US9059228B2 (ko)
JP (1) JP5139460B2 (ko)
KR (1) KR101120612B1 (ko)
CN (1) CN101833248B (ko)
NL (1) NL2004305A (ko)
TW (1) TWI422989B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101508810B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
NL2004305A (en) 2009-03-13 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9329496B2 (en) * 2011-07-21 2016-05-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium
SG188036A1 (en) 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5973064B2 (ja) 2012-05-29 2016-08-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 支持装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN103472680B (zh) * 2012-06-08 2016-03-30 上海微电子装备有限公司 硅片预对准装置
EP3455677A1 (en) 2016-05-12 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Extraction body for lithographic apparatus
CN112684674B (zh) * 2020-12-29 2024-08-06 浙江启尔机电技术有限公司 浸液供给回收系统以及浸没流场初始建立方法
EP4167029A1 (en) * 2021-10-14 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. A fluid extraction system, method and lithographic apparatus
WO2024099640A1 (en) * 2022-11-11 2024-05-16 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070273856A1 (en) 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPH0322372Y2 (ko) * 1985-07-24 1991-05-15
JPH11312640A (ja) * 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US20030008532A1 (en) * 2001-07-09 2003-01-09 Bau-San Yuan Method and apparatus for increasing flow capacity associated with a valve
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101343655B1 (ko) * 2003-08-21 2013-12-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101119813B1 (ko) * 2003-12-15 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1323117C (zh) * 2004-04-19 2007-06-27 付建生 随角异色颜料及其生产方法
SG153813A1 (en) * 2004-06-09 2009-07-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate
US8368870B2 (en) * 2004-06-21 2013-02-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006019623A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Toshiba Corp 半導体ウェハ
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG10201801998TA (en) * 2004-09-17 2018-04-27 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7230681B2 (en) * 2004-11-18 2007-06-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for immersion lithography
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3428724A1 (en) * 2004-12-15 2019-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US7433016B2 (en) * 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027019B2 (en) * 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5019170B2 (ja) * 2006-05-23 2012-09-05 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8416383B2 (en) 2006-12-13 2013-04-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7755740B2 (en) * 2007-02-07 2010-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US20080198348A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for minimizing force variation from immersion liquid in lithography systems
US7883664B2 (en) * 2007-06-27 2011-02-08 University Of North Carolina At Charlotte Microwave drying process for vitrification of biologics
JP4961299B2 (ja) * 2007-08-08 2012-06-27 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
EP2131241B1 (en) 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
EP2131242A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
SG159467A1 (en) 2008-09-02 2010-03-30 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2221669A3 (en) * 2009-02-19 2011-02-09 ASML Netherlands B.V. A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method
NL2004305A (en) 2009-03-13 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070273856A1 (en) 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN101833248B (zh) 2013-03-06
KR20100103425A (ko) 2010-09-27
US20150277238A1 (en) 2015-10-01
CN101833248A (zh) 2010-09-15
US11215933B2 (en) 2022-01-04
US20200050116A1 (en) 2020-02-13
US9059228B2 (en) 2015-06-16
US9625833B2 (en) 2017-04-18
TWI422989B (zh) 2014-01-11
US20220121131A1 (en) 2022-04-21
JP2010219525A (ja) 2010-09-30
US10451980B2 (en) 2019-10-22
US20170219936A1 (en) 2017-08-03
US20100277709A1 (en) 2010-11-04
NL2004305A (en) 2010-09-14
JP5139460B2 (ja) 2013-02-06
TW201113648A (en) 2011-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101120612B1 (ko) 기판 테이블, 액침 리소그래피 장치, 및 다바이스 제조 방법
KR101220836B1 (ko) 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법
JP4939283B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5383739B2 (ja) 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2013232673A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI459151B (zh) 微影裝置及在二相流動中量測流動速率的方法
JP5065432B2 (ja) 流体ハンドリングデバイス、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5412399B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR101256404B1 (ko) 유체 핸들링 구조, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4660519B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI470369B (zh) 流體供應系統、微影裝置、改變流體流動速率之方法及元件製造方法
JP5016705B2 (ja) 流体ハンドリング構造
JP2010147466A (ja) 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US8508712B2 (en) Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN118076926A (zh) 流体提取系统、方法以及光刻设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150217

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160212

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170210

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180209

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190212

Year of fee payment: 8