JP4961299B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
前記基板を保持する基板ステージを備え、
前記基板ステージは、
天板と、
前記天板上に設けられていて前記基板を保持する基板保持部と、
前記天板上に前記基板保持部とは別個に設けられていて前記基板保持部に保持された基板の外周を囲むように補助板を保持する補助板保持部と、
を有し、
前記基板保持部は、前記補助板保持部に保持された補助板の裏面と対向する表面を持つ延伸部を有し、
前記補助板の裏面と前記延伸部の表面との間の隙間は、前記基板と前記補助板との間の隙間より狭く、
前記補助板保持部には、前記補助板の裏面と前記延伸部の表面との間の隙間に浸入した液体を回収する回収口が設けられている、
ことを特徴とする露光装置である。
図4は、本実施形態の露光装置1の構成を示す概略断面図である。
このとき、延伸部400aは、表面400cよりも低いのでウエハ40に接触することがない。例えば、ウエハ40を外部の搬送装置から表面400cに搬送する場合、搬送誤差、あるいは、ウエハ40の加工交差によりウエハ40の一部が表面400cから延伸部400aの位置まで飛び出す恐れがある。このとき、本実施形態においては、ウエハ40は延伸部400aと接触することがないので、表面400cに精度良く保持される。
以下、図2を参照して、本発明の別の実施形態の露光装置について説明する。ここで、図2は、本実施形態の露光装置のウエハ40の周辺部の概略断面図である。
以下、図3を参照して、本発明の別の実施形態ついて説明する。ここで、図3は、本実施形態の露光装置のウエハ40の周辺部の概略断面図である。
次に、図7及び図8を参照して、前述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図7は、デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
40 ウエハ(基板)
41 ウエハステージ(基板ステージ)
43 補助板
303 天板
400 ウエハ保持部(基板保持部)
400a 延伸部
401 補助板保持部
403 回収口
Claims (5)
- 液体を介して基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ステージを備え、
前記基板ステージは、
天板と、
前記天板上に設けられていて前記基板を保持する基板保持部と、
前記天板上に前記基板保持部とは別個に設けられていて前記基板保持部に保持された基板の外周を囲むように補助板を保持する補助板保持部と、
を有し、
前記基板保持部は、前記補助板保持部に保持された補助板の裏面と対向する表面を持つ延伸部を有し、
前記補助板の裏面と前記延伸部の表面との間の隙間は、前記基板と前記補助板との間の隙間より狭く、
前記補助板保持部には、前記補助板の裏面と前記延伸部の表面との間の隙間に浸入した液体を回収する回収口が設けられている、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記延伸部には、前記基板と前記補助板との間の隙間に浸入した液体を回収する回収口が設けられ、
前記延伸部に設けられた回収口を介して液体を吸引する吸引手段を更に備え、
前記基板に対する非露光時には、前記基板と前記補助板との間の隙間に浸入した液体を前記延伸部に設けられた回収口から前記吸引手段により回収し、
前記基板に対する露光時には、前記基板と前記補助板との間の隙間に浸入した液体を前記延伸部に設けられた回収口から重力作用により回収する、
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記補助板の裏面と対向する前記延伸部の表面は、前記基板保持部の前記基板を保持する表面よりも低い、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の露光装置。 - 前記延伸部と対向する前記補助板の部分は、前記基板よりも厚い、
ことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光し、
その露光された基板を現像する、
ことを特徴とするデバイス製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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NL2004305A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-14 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2006127A (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
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Family Cites Families (22)
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---|---|---|---|---|
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JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP4720506B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
WO2005059977A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
JP4826146B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-11-30 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
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SG10201801998TA (en) * | 2004-09-17 | 2018-04-27 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2006049134A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2995997B1 (en) * | 2004-12-15 | 2017-08-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP2006173527A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | 露光装置 |
JP4844186B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-12-28 | 株式会社ニコン | プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4752320B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 基板保持装置及び露光装置、基板保持方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007019392A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Canon Inc | 露光装置 |
JP3997244B2 (ja) | 2005-10-04 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7420194B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7839483B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
US8027019B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9013672B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US10018923B2 (en) | 2016-02-17 | 2018-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, and method of manufacturing article |
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Publication number | Publication date |
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